UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" DIN BUCURETI CATEDRA DE FIZIC

TERMISTORU L
STUDIUL VARIAIEI CU TEMPERATURA A REZI STENEI ELECTR ICE A MATERIA LELOR SEMICONDUCTOARE

Nume: Stroe Mihai Adrian Grupa: 8104

2011

TERMI STORUL
STUDIUL VARIAIEI CU TEMPER ATUR A A REZISTEN EI ELECTR ICE A MATER IALELOR SEM ICONDUCT OARE 1. Scopul lucrrii Verificarea legii dependenei rezistenei electrice cu temperatura la materialele semiconductoare. 2. Teoria lucrri i Pentru materialele semiconductoare pure (sau slab dopate) numite termistoare, la temperaturi inferioare ctorva sute de grade Celsius, energia Fermi se afl n banda interzis, departe att de banda de valen ct i de banda de conducie. La T 0, agitaia termic va popula banda de conducie cu o concentraie de electroni liberi notat cu n, n timp ce n banda de valen vor aprea golurile, n concentraie p. Dac semiconductorul este nedopat, p = n. Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult expresiile celor dou concentraii de sarcini electrice:

n = 2 2 me kT

3/ 2

exp E c EF

[(

(1)

/ kT

]
(2)

p = 2 2 mg kT

3/ 2

3 h exp E F

[(
)

Ev

/ kT

unde me este masa efectiv a electronilor; mg este masa efectiv a golurilor; k este constanta Boltzman; T este temperatura semiconductorului; h este constanta Planck; E c este energia corespunztoare minimului benzii de conducie; E v este energia corespunztoare plafonului benzii de valen, E F este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor intrinseci, la jumtatea "distanei" dintre E c i E v . Fcnd produsul expresiilor (1) i (2) rezult: n p = A exp E c E v innd seama c: n = p = ni se deduce concentraia purttorilor n semiconductorii intrinseci ni : ni = B exp E c E v / 2kT

[(

/ kT

(3) (4) (5)

[(

Conductibilitatea electric a unui semiconductor este: 1 = = e n (6)

Mobilitile n , p fiind practic independente de temperatur rezult: exp E c E v / 2kT

exp( +E / 2kT )

[(

(7)

unde E = E c E v i poart numele de lrgimea benzii (zonei) interzise. Rezistena unei probe R = C exp( +E / 2kT ) i dependena ei de temperatur e reprezentat n fig. 1. (8)

Fig. 1

Logaritmnd expresia (8) se obine: E ln R = C + 2kT

(9)

3. Dispozitivul experimen tal este prezentat n figura 2 i cuprinde un cuptor electric (1) pentru nclzirea termistorului, un ohmmetru (2), care servete la msurarea rezistenei termistorului i un transformator (3) pentru alimentarea ohmetrului. Cuptorul are inerie termic mare astfel nct, dei nu este alimentat printr-un reostat ci direct de la reea, creterea temperaturii este foarte lent. Acest fapt nltur necesitatea unui termostat, permindu-ne s presupunem c fiecare msurare de rezisten se face ntr-un regim staionar. Pe capacul cuptorului sunt fixate termometrul (4) pentru indicarea temperaturii i termistorul (5) cu cele 2 borne care sunt legate prin conductori izolai la ohmetru.

Fig. 2

Ohmetrul este construit dup schema punii Wheastone. El cuprinde ungalvanometru (6) ca instrument de zero, un comutator (7) (rotativ sau cu fi) care schimb intervalele de valori indicnd de fiecare dat factorul multiplicator, i o rezisten variabil (8) cu cursor gradat i prevzut cu indicator. Un ntreruptor (9) intercalat n circuitul acumulatorului permite ca alimentarea ohmetrului s se fac doar n timpul citirilor. La unele ohmetre ntreruptorul intr n construcia lor sub forma unui buton . 4. Tabelul de date experimentale: t [oC] T [K] 1/T [K-1] *10-3

inca l

44 45 46 50 53 56 59 64 70 76 90 97

racir e 62 65 66 69 73 75 78 83 87 89 95 97

R []

incal 317 318 319 323 326 329 332 337 343 349 363 370

3000 2800 2600 2400 2200 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800

racir e 335 338 339 342 346 348 351 356 360 362 368 370

incal 315 314 313 310 307 304 301 296 292 282 275 270

racire 299 296 295 292 289 287 285 281 278 276 272 270

ln R

8.01 7.94 7.86 7.78 7.70 7.60 7.50 7.38 7.24 7.10 6.91 6.68

5. Prelucrarea datelor experimentale In urma prelucrarii datelor experimentale am obtinut graficele: -R=f(T) unde linia cu puncte rosii reprezinta dependenta rezistentei de temperature la incalzire, iar cea cu puncte albastre, la racire.

-graficul lnR in functie de 1/T realizat in mod similar, unde linia rosie reprezinta dependenta celor doua marimi fizice la incalzire, iar cea albastra la racire.

6.Concluzie In urma studiului dependenei rezistenei electrice cu temperatura la materialele semiconductoare , am realizat ce exista o relatie foarte bine definita intre cele doua marimi fizice, care determina o largime a benzii interzise, diferita la racire si la incalzire.