Detectoare de radiaii nucleare

Detectorul de radiaii nucleare convertete particulele incidente pe suprafaa sa activ n semnal electric (sarcin sau tensiune) sub form de impulsuri. Dup modul de interaciune a radiaiei cu partea activ a detectorului sunt dou tipuri de detectoare: - detectoare cu ionizare direct (camere de ionizare, contoare proporionale, contoare Geiger Muller, detectoare cu semiconductoare), - detectoare cu ionizare indirect (cu scintilaie, Cerenkov, etc.). Pentru radiaiile X se folosesc detectoare umplute cu gaz, tip numrtor proporional, calorimetre, plci microcanal, suprafee de fotodetectoare, detectoare superconductoare cu jonciune tunel, etc. Caracteristicile specifice detectoarelor de radiaii nucleare sunt: - amplitudinea impulsului de ieire, - viteza de numrare, egal cu raportul dintre numrul total de impulsuri i timpul de msurare, - puterea de rezoluie, egal cu numrul de impulsuri de ieire n unitatea de timp, - eficacitatea, egal cu raportul dintre numrul de particule care dau impulsuri la ieire i numrul total de particule incidente, - selectivitatea fa de radiaie, - volumul sensibil al detectorului.

Detectoare semiconductoare de radiaii nucleare

Energia necesar formrii unei perechi de purttori ntr-un detector din material semiconductor este mai mic cu un ordin de mrime fa de energia necesar n camerele de ionizare. n funcie de cristalul semiconductor folosit, detectoarele sunt omogene (n sau p) sau heterogene (jonciuni p-n). Detectoarele omogene se realizeaz din material cu rezistivitate mare (>108cm), pentru a avea zgomot mic. Sunt utilizate pentru detecia particulelor penetrante. Detectoarele heterogene (jonciuni p-n) sunt polarizate invers i se deosebesc de jonciunile diodelor uzuale, prin faptul c au o regiune de sarcin spaial mai groas (pentru volum mare) i mai apropiat de suprafa (pentru ca fereastra detectorului s aib o grosime neglijabil). Timpul de rspuns este mic i se poate micora mai mult dac se modific dimensiunile geometrice ale jonciunii. Pentru detecia radiaiilor X de energie mic se folosesc fotodiode Schottky din siliciu, cu electrozi transpareni i acoperiri antireflectorizante. Pentru a evita ineficiena de colectare datorat recombinrii de suprafa cu coeficieni mari de absorbie, se folosesc fotodiode cu heterojonciuni iradiate prin materialul cu banda interzis mare. Un alt tip de fotodiod folosit la detecia radiaiilor electromagnetice de mare

energie i a particulelor nucleare este fotodioda PIN relativ groas, cu substraturi semiconductoare intrinseci. Cnd tensiunea de polarizare invers este mare (pentru a srci ntreaga regiune intrinsec), volumul sensibil al detectorului este egal cu volumul dintre electrozi. Se folosesc adesea i fotodiode cu avalan datorit ctigului intern mare, ns necesit circuite de procesare pentru control. Ca adaptor electronic se utilizeaz un convertor sarcin-tensiune cu amplificator operaional cu rezisten mare de intrare, cu TECMOS sauTECj. Pentru detecia radiaiilor nucleare cu fototranzistoare bipolare este nevoie de o jonciune mare colector-baz.

Fotodiode pentru energii mari

Pentru detecia radiaiei de mare energie i a particulelor nucleare se folosesc fotodiode PIN. Materialele utilizate n construcia lor sunt Si (pentru energii mai mici) i Ge (pentru energii mai mari). Se aleg cristale de mare puritate, rezistivitate mare i concentraie mic la defecte structurale. Pentru a reduce concentraia de dopant se folosesc ioni de Li.Alte materiale folosite pentru fotodiode PIN la temperatura camerei sunt CdTe si GaAs. . Din cauza dificultii obinerii cristalelor de mare puritate, aceste fotodiode sunt mult mai lente dect cele din Si sau Ge.

Msurarea dozei de radiaii cu tranzistoare TECMOS

Pentru msurarea cantitii de radiaii emise se folosesc dozimetre. Un dozimetru MOS este un tranzistor MOS cu o poart izolatoare special (tipic din SiO2 omogen), cu canal n sau p (cele cu canal p au zgomot mai mic). Avantajele dozimetrelor MOS fa de alte tipuri sunt: pre sczut,dimensiuni i greutate reduse, robustee, acuratee, gam dinamic mare,sensibilitate la radiaii de energii sczute, citire n timp real sau ntrziat,memorarea informaiei, posibilitatea integrrii monolitice cu ali senzori i circuite de msurare, condiionarea semnalului, procesarea informaiei i posibilitatea folosirii fr tensiune de polarizare. Partea sensibil a tranzistorului MOS este poarta izolatoare. Iradierea creaz perechi electron gol n ntreg volumul. n funcie de cmpul electric din izolator, anumite perechi generate se recombin, iar cele care rmn sunt separate. Electronii sunt respini de izolator iar golurile se mic lent spre catod, cteva fiind prinse ntr-o regiune ngust de lng catod, n capcane de goluri generate anterior n procesul de producie. Strile de interfa sunt create n timpul iradierii la interfaa izolator - Si.

http://ro.scribd.com http://ep.etc.tuiasi.ro www.studentie.ro