Cu Legere

ANCA MANOLESCU
ANTON MANOLESCU
COSMIN POPA
ANALIZA I PROIECTAREA
CIRCUITELOR INTEGRATE ANALOGICE
VLSI CMOS
Culegere de probleme
Partea I
2006
CUPRINS
1. Surse de curent...
2. Referine de tensiune.
53
3. Amplificatoare difereniale 126

4. Amplificatoare operaionale.. 178
5. Bibliografie.. 213
Surse de curent
CAPITOLUL I
CAPITOLUL I
SURSE DE CURENT
INTRODUCERE
O surs de curent este un circuit care produce un curent independent de tensiunea de
alimentare, temperatur i rezisten de sarcin, cerinele principale impuse acestei clase de
circuite fiind: rejecie ridicat a sursei de alimentare, coeficient de temperatur redus, impedan
de ieire ridicat i domeniu extins al tensiunii de ieire. Reducerea dependenei de tensiunea de
alimentare se realizeaz prin autopolarizarea sursei de curent elementare, minimizarea
coeficientului de variaie cu temperatura al curentului de ieire este posibil prin implementarea
unor tehnici de corecie a caracteristicii de temperatur a curentului de ieire, n timp ce creterea
rezistenei de ieire a sursei de curent se obine prin proiectarea unor circuite de tip cascod.
Dezavantajul acestor circuite este creterea tensiunii minime de ieire a sursei de curent, fiind
necesar realizarea unui compromis ntre V0 min i R0 , de obicei realizat prin proiectarea unor
surse de curent cascod modificate prin polarizarea tranzistorului inferior al structurii la limita de
saturaie.
Parametrii surselor de curent
Curentul de ieire I O (A)
Rezistena de ieire RO ( )
Tensiunea minim de ieire VO min (V) reprezint valoarea minim a tensiunii de ieire pentru
care sursa de curent funcioneaz corect
Coeficientul relativ de variaie cu temperatura TCR ( ppm / K ) reprezint variaia relativ a
curentului de ieire n raport cu variaia temperaturii:
TCR
1 dI O
T dT
Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare:

V
S I DD
O
dI O / I O
dV DD / V DD
Precizia de realizare a sursei de curent
V DD dI O
I O dV DD
Surse de curent
CAPITOLUL I
Parametrii dispozitivelor active

Parametrii utilizai pentru caracterizarea dispozitivelor active bipolare i MOS (implicite dac
nu se precizeaz altfel) sunt:
Factorul de amplificare n curent
- foarte mare
Energia benzii interzise a siliciului EG0
Temperatura de referin T0 298 K
1,2V
Tensiunea de prag a dispozitivelor MOS VT
1V
Factorul de modulare a lungimii canalului
3 10
Constanta K ' 8 10 5 A / V 2
Factorul de aspect al tranzistoarelor MOS, W / L 30 m / 20 m
Tranzistoarele bipolare funcioneaz n regim activ normal, iar cele MOS - n saturaie.
PROBLEME
Problema 1.1
Se consider oglinda de curent MOS din Figura 1.1. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD

O
c. Rezistena de ieire RO
d. Tensiunea minim de ieire VO min
e. Factorul de transfer I O / I n ipoteza considerrii efectului de modulare a lungimii canalului
VDD
VO
RO
IO
I
T2
T1
Figura 1.1
Rezolvare
a. Neglijarea efectului de modulare a lungimii canalului conduce la obinerea urmtoarei
relaii ntre curenii I i I 0 :
K
VGS1 VT 2
2
K
VGS 2 VT 2
2
2
IO
(1.1)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Deoarece I 0 I , expresia curentului de ieire I 0 se obine rezolvnd urmtorul sistem

avnd ca necunoscute VGS1 i I 0 :
VDD
I O R VGS1
(1.2)
K
VGS1 VT 2
2
IO
(1.3)
rezultnd:
KR
VGS1 VT 2 VGS1
2
V DD
(1.4)
Rezolvarea ecuaiei de gradul II pentru VGS1 conduce la obinerea a dou soluii:
VGS1 1,2
1
KR
VT
1
1 2 KR(V DD VT )
KR
Deoarece funcionarea n saturaie a tranzistoarelor din circuit impune VGS1

prima soluie corespunde funcionrii reale a circuitului din Figura 1.1:
VGS1
1
KR
VT
1
1 2 KR V DD VT
KR
(1.5)
VT , doar
(1.6)
Inlocuind expresia (1.6) a tensiunii gril-surs a tranzistorului T1 n relaia general (1.3) se

obine urmtoarea expresie a curentului de ieire I 0 :
IO
1
KR 2
1 KR V DD VT
1 2 KR V DD VT
(1.7)
b. Expresia sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare este:
SVIDD
O
VDD dI
IO dVDD
(1.8)
Prin derivare n raport cu V DD a relaiilor (1.2) i (1.3) rezult:
dI O
dV DD
dVGS 1
dV DD
(1.9)
i:
dI O
dV DD
K VGS1 VT
dVGS1
dV DD
(1.10)
Eliminnd din cele dou relaii anterioare dVGS1 / dV DD se obine:
dI O
dV DD
K VGS 1 VT 1 R
3
dI O
dV DD
(1.11)
Surse de curent
CAPITOLUL I
i, deci:
dI O
dV DD
K VGS1 VT
1 KR VGS1 VT
(1.12)
Expresia S VIDD devine:

O
S VIDD
O
2VDD
1
VGS1 VT 1 KR VGS1 VT
(1.13)
c. Deoarece sursa tranzistorului T2 este conectat la mas, rezistena de ieire a sursei de

curent va avea urmtoarea expresie:
RO
rds 2
1
IO
(1.14)
d. Tensiunea de ieire este limitat inferior de intrarea n regiunea liniar a caracteristicii a

tranzistorului T2 :
VO min
V DS 2 sat
VGS 2 VT
2I O
K
(1.15)
e. Considerarea efectului de modulare a lungimii canalului implic obinerea unui factor de

transfer de valoare diferit de unitate:
IO
I
K
(VGS 2 VT ) 2 (1
2
K
(VGS 1 VT ) 2 (1
2
V DS 2 )
V DS 1 )
1
1
V DS 2
V DS 1
1 VO
1 VGS 1
(1.16)
De remarcat dependena factorului de transfer de tensiunea de ieire VO .
Problema 1.2
Pentru oglinda de curent din Figura 1.1 se consider R
100k
, VDD 9V .
a. S se determine valorile curentului de ieire I O , rezistenei de ieire RO i tensiunii minime de
ieire VO min , considerndu-se pentru acest punct VO 9V .
b. S se determine valoarea factorului de transfer I O (I ) n ipoteza considerrii efectului de
modulare a lungimii canalului pentru VO 2V i VO 15V
c. S se determine valoarea sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
V
alimentare, S I DD
O
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Analiza manual presupune utilizarea relaiei (1.6) pentru determinarea tensiunii VGS1 .
Se obine VGS1 2,074V . Curentul de ieire se obine utiliznd relaia (1.3), corectat cu
factorul de corecie introdus de efectul de modulare a lungimii canalului,
1 VDS 2 1 VO 1,027 , rezultnd I O 71,08 A .
Rezistena de ieire a oglinzii de curent are valoarea:
1
IO
RO
4,69 M
(1.17)
(relaia (1.14)), iar tensiunea minim de ieire este (relaia (1.15)):
VO min
VGS1 VT
1,074V
(1.18)
rezultnd 1 / RO I O 0,003V 1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentat n Figura 1.2a.
Figura 1.2a
In urma simulrii se obin (pentru VO
9V ):
IO
RO
69,5 A
VO
IO
4,767 M
i
5
(1.19)
(1.20)
Surse de curent
CAPITOLUL I
VO min
(1.21)
1,05V
deci valori foarte apropiate de cele obinute prin calcul manual.

b. Utiliznd relaia (1.16) se obin valorile 1 , respectiv 1,039 pentru factorul de transfer
I O / I corespunztor celor dou valori ale tensiunii de ieire, VO 2V i VO 15V . In vederea
comparrii rezultatelor teoretice cu cele obinute prin simulare, simularea SPICE I O (I ) se va
realiza pentru aceleai dou valori diferite ale tensiunii de ieire, VO
2V i VO
15V :
Figura 1.2b
Valorile simulate ale factorului de transfer sunt 1,002 , respectiv 1,04 .

c. Utilznd relaia (1.13) a sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
alimentare i nlocuind VGS1
V
2,074V , rezult valoarea teoretic S I DD
O
1,207 .
Simularea SPICE I O (V DD ) pentru un domeniu de variaie al tensiunii de alimentare cuprins

V
ntre 3V i 9V (Figura 1.2c) conduce la obinerea unei valori a sensibilitii S I DD

O
1,31 .
Surse de curent
CAPITOLUL I
Figura 1.2c
Centralizarea rezultatelor obinute n vederea comparrii rezultatelor teoretice cu cele
obinute n urma simulrii este realizat n Tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
Param. Semnificaie
IO
RO
VOmin
IO/I
SIoVDD
Curent de
ieire
Rezisten de
ieire
Tensiune
minim de
ieire
Factor de
transfer
Sensibilitatea
IO fa de
variaiile VDD
Valoare
calcul manual
71,08 A
4,69M
1,074V
Valoare
simulat
69,5 A
Eroare
(%)
2,22
4,767M
1,64
1,05V
2,23
VO=2V
1,002
0,2
VO=15V
1,039
1,04
0,1
1,31
8,53
1,207
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.3
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.3. S se determine expresiile pentru:
b. Rezistena de ieire RO
c. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
RO
R1
IO
I
T2
T1
R2
R3
Figura 1.3
Rezolvare
a. Determinarea expresiei curentului I este posibil rezolvnd urmtorul sistem de 2 ecuaii
cu 2 necunoscute ( VGS1 i I ):
VDD
I ( R1
(1.22)
R2 ) VGS1
i:
K
VGS1 VT 2
2
(1.23)
Soluia valabil pentru VGS1 este cea care corespunde funcionrii n saturaie a
tranzistorului T1 :
VGS1
(1.24)
VT
Sistemul este similar celui din Problema 1.1, cu modificarea:
R1
(1.25)
R2
soluia sa fiind, conform relaiei (1.6):
VGS1
VT
1
K ( R1
1
R2 )
K ( R1
R2 )
1 2 K ( R1
R2 ) V DD VT
(1.26)
Valoarea tensiunii VGS 2 care permite determinarea curentului de ieire I O printr-o relaie
similar cu (1.25) reprezint soluia mai mare dect tensiunea de prag a ecuaiei urmtoare:
8
Surse de curent
CAPITOLUL I
KR2
VGS1 VT 2
2
VGS1
KR3
VGS 2 VT 2
2
VGS 2
(1.27)
VGS1 avnd valoarea determinat anterior.

b. Rezistena de ieire a sursei de curent din Figura 1.3 este egal cu cea a sursei din Figura
1.1 multiplicat cu un coeficient datorat reaciei negative introduse de rezistena R3 :
RO
(1.28)
rds 2 1 g m2 R3
c. Tensiunea minim de ieire este limitat inferior de intrarea n regiunea liniar a

caracteristicii a tranzistorului T2 :
VO min
V DS 2 sat
I O R3
VGS 2 VT
I O R3
2I O
K
I O R3
(1.29)
Problema 1.4
Pentru sursa de curent din Figura 1.3 se consider R1 99k , R2 1k , R3 2k ,
VDD 9V . S se determine valorile curentului de ieire I O , rezistenei de ieire RO i tensiunii
minime de ieire VO min .
Rezolvare
Prelucrarea sistemului (1.22) (1.23) conduce la:
2
6VGS
1 11VGS1 3 0
(1.30)
rezultnd VGS1 2,074V , iar curentul I se obine utiliznd relaia (1.23), I 69,208 A .
Determinarea curentului de ieire presupune rezolvarea ecuaiei (1.27) avnd ca necunoscut
tensiunea VGS 2 . Inlocuirea valorilor numerice implic:
2
12VGS
2 76VGS 2 202,3 0
avnd soluia valabil VGS2
IO
cu VDS 2 VO I O R3
relaia (1.28), unde:
(1.31)
2,019V , ceea ce conduce la un curent de ieire de valoare:

K
VGS 2 VT 2 1
2
V DS 2
63,96 A
(1.32)
8,872V . Rezistena de ieire a sursei de curent este exprimat prin
rds 2
1
IO
5,21M
(1.33)
Surse de curent
CAPITOLUL I
i g m2
2 KI O 123,53 A / V , rezultnd RO 6 ,5M .
Tensiunea minim de ieire este VO min 1,15V
(relaia
(1.29)).
Se
obine
1 / RO I O 0,0026V 1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentat n figura urmtoare:
Figura 1.4
In urma simulrii se obin:
IO
RO
62,689 A
VO
IO
(1.34)
5,83M
(1.35)
1,1V
(1.36)
VO min
deci valori foarte apropiate de cele obinute teoretic.
10
Surse de curent
CAPITOLUL I
Tabelul 1.2
Param. Semnificaie
IO
RO
VOmin
Valoare
calcul manual
63,96 A
Curent de
ieire
Rezisten de
ieire
Tensiune
minim de
ieire
Valoare
simulat
62,689 A
6,5M
1,15V
Eroare
(%)
1,99
5,83M
10,3
1,1V
4,35
Problema 1.5
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD , neglijndu-se

O
efectul de modulare a lungimii canalului
c. Rezistena de ieire RO
d. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
RO
IO
R1
I
T2
T1
R2
Figura 1.5
Rezolvare
a. Expresia tensiunii VGS1 se va determina ntr-un mod similar celui descris n problema 1.1,
rezultnd:
VGS1
VT
1
KR1
1
1 2 KR1 V DD VT
KR1
Ecuaia pentru obinerea tensiunii VGS 2 este:
11
(1.37)
Surse de curent
CAPITOLUL I
VGS1
VGS 2
I O R2
VGS 2
KR2
VGS 2 VT 2
2
(1.38)
soluia fiind valoarea tensiunii VGS 2 care corespunde funcionrii n saturaie a tranzistorului
T2 , deci VGS 2 VT . Curentul de ieire va avea expresia:
IO
K
VGS 2 VT 2 1
2
(1.39)
V DS 2
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare are expresia

general:
V
S I DD
O
V DD dI O
I O dV DD
(1.40)
Derivnd n raport cu tensiunea de alimentare relaia (1.39), n ipoteza meglijrii efectului de

modulare a lungimii canalului, se obine:
dI O
dV DD
K VGS 2 VT
dVGS 2
dV DD
2 KI O
dVGS 2
dV DD
(1.41)
Similar, relaia (1.38) devine prin derivare:
dVGS1
dV DD
dVGS 2
dV DD
dVGS 2
dV DD
KR2 VGS 2 VT
1 R2 2 KI O
dVGS 2
dV DD
(1.42)
Prin derivare n raport cu tensiunea de alimentare a relaiei (1.4) rezult:
dVGS1
dV DD
KR1 VGS1 VT
dVGS1
dV DD
1 R1 2 KI
dVGS1
dV DD
(1.43)
Din cele patru relaii anterioare se obine:

V
S I DD
O
S I DD
O
V DD
2K
1
I O 1 R2 2 KI O 1 R1 2 KI
2V DD
1
1
VGS 2 VT 1 KR2 (VGS 2 VT ) 1 KR1 (VGS1 VT )
(1.44)
(1.45)
c. Expresia rezistenei de ieire este:
RO
rds 2 1 g m2 R2
(1.46)
d. Tensiunea minim de ieire este limitat inferior de intrarea n regiunea liniar a

caracteristicii a tranzistorului T2 :
12
Surse de curent
CAPITOLUL I
2I O
K
VO min
(1.47)
I O R2
Problema 1.6
Pentru sursa de curent din Figura 1.5 se consider R1 100k , R2 1k , VDD 9V ,
VO 9V .
a. S se determine valorile curentului de ieire I O , rezistenei de ieire RO i tensiunii minime de
ieire VO min
b. S se analizeze calitativ caracteristica I O (I ) considerndu-se R2 100k
Rezolvare
a. Similar problemei 1.2, curentul I va avea valoarea I
Rezolvarea ecuaiei rezultate din relaia (1.38):
2
6VGS
2
conduce la soluia VGS 2
88VGS 2
201,4
69,208 A , iar VGS1
2,074V .
(1.48)
2,012V , deci un curent de ieire de valoare exprimat de (1.39):

63,1 A
(1.49)
5,93M
(1.50)
IO
Utiliznd relaia (1.46) se obine:
RO
i, din relaia (1.47):
VO min
(1.51)
1,08V
0,00266V 1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentat n figura urmtoare:
Rezult 1 / RO I O
In urma simulrii se obin urmtoarele valori:
VO min
I O 62,689 A , RO
1,1V , deci valoari foarte apropiate de cele obinute teoretic.
13
5,83M
Surse de curent
CAPITOLUL I
Figura 1.6a
Tabelul 1.3
Param. Semnificaie
IO
RO
VOmin
Curent de
ieire
Rezisten de
ieire
Tensiune
minim de
ieire
Valoare
calcul manual
63,1 A
Valoare
simulat
62,689 A
Eroare
(%)
0,65
5,93M
5,83M
1,69
1,08V
1,1V
1,85
b. Dependena curentului de ieire de curentul I este puternic neliniar:
VGS1
I O R2 VGS 2
(1.52)
K
2
(1.53)
echivalent cu:
R2 I O
Simularea SPICE a dependenei I O (I ) este:
14
IO
Surse de curent
CAPITOLUL I
Figura 1.6b
Problema 1.7
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.7. S se determine expresia curentului de
ieire n condiiile considerrii efectului de modulare a lungimii canalului.
VDD
VO
I
IO
T1
T3
T2
Figura 1.7
Rezolvare
Valorile diferite ale celor dou tensiuni dren-surs pentru tranzistoarele oglinzii de curent
T2 T3 ( VDS2 VGS2 VGS i VDS3 VGS1 VGS2 2VGS ) vor conduce la obinerea unor
valori diferite ale curenilor I i I O , consecin a efectului de modulare a lungimii canalului:
15
Surse de curent
CAPITOLUL I
IO
I
K
VGS 2 VT
2
K
VGS 3 VT
2
2
2
V DS 2
V DS 3
1 VGS
1 2 VGS
VGS
VT
2I
K
(1.54)
Problema 1.8
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.8a
a. S se determine expresia curentului de ieire n condiiile considerrii efectului de modulare a
lungimii canalului
b. S se determine expresiile rezistenei de ieire RO i tensiunii minime de ieire VO min
VDD
VO
RO
IO
T4
T1
A
T3
T2
Figura 1.8a
Rezolvare
a. Tranzistoarele T2 i T3 formeaz o oglind de curent, deci:
IO
I
1
1
V DS 2
V DS 3
(1.55)
Introducerea suplimentar a tranzistorului T4 impune tensiuni dren-surs de valori foarte

apropiate tranzistoarelor T2 i T3 , VDS2 VDS3 VGS , deci erorile introduse de efectul de
modulare a lungimii canalului vor fi puternic atenuate, rezultnd I O
I.
b. Expresia rezistenei de ieire RO este:
R0
rds1 1 g m1 rds2
iar cea a tensiunii minime de ieire este:

16
2
g m rds
(1.56)
Surse de curent
CAPITOLUL I
VO min
V A V DS1sat
VGS
VGS VT
2VGS VT
VT
2I
K
(1.57)
Problema 1.9
Pentru sursa de curent din Figura 1.8a se consider I 100 A . S se determine valorile
curentului de ieire I O , factorului de transfer I O / I , rezistenei de ieire RO i tensiunii minime
de ieire VO min .
Rezolvare
Conform problemei 1.8, polarizarea tranzistoarelor T2 i T3 la tensiuni dren-surs de
valori apropiate conduce la o valoare a curentului de ieire I O I 100 A i, deci, la o valoare
aproximativ unitar a factorului de transfer I O / I . Inlocuirea valorilor numerice n relaia (1.56)
permite calculul valorii rezistenei de ieire, RO
1718 M
, n timp ce relaia (1.57) implic
VO min 3,58V . Rezult 1 / RO I O 5,82 10 6 .

Simularea caracteristicii I O (I ) pentru sursa de curent cascod din Figura 1.8a arat o
dependen extrem de redus a acesteia de tensiunea de ieire (practic, pentru VO
VO 20V cele dou caracteristici se suprapun).
Figura 1.9
17
5V i
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.10
a. Curentul de ieire I O , neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului
VDD
VO
RO
IO
T6
T3
A
T5
T2
T4
T1
Figura 1.10
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 i T4 formeaz o oglind de curent ideal cu VDS1 VDS4
problema 1.8), deci, neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului, se obine:
IO
VGS (v.
(1.58)
b. Expresia rezistenei de ieire a surse de curent din Figura 1.10 este:
RO
rds3 1 g m3 rds 2 1 g m2 rds1
2 3
gm
rds
(1.59)
c. Potenialul V A fiind constant i fixat de tranzistoarele T3 T6 , V A 2VGS , limita

inferioar a tensiunii de ieire va fi impus de intrarea n regiunea liniar a caracteristicii a
tranzistorului T3 :
VO min
V A VDS 3sat
18
3VGS VT
(1.60)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.11
S se repete problema 1.9 pentru circuitul din Figura 1.10.
Rezolvare
Similar problemei 1.9 se obin: I O I 100 A , deci I O / I 1 i o valoare a rezistenei de
ieire extrem de ridicat, RO 886 G , limitat practic, prin alte mecanisme. Tensiunea minim
de ieire va avea valoarea VO min 5,87V .
Problema 1.12
Se consider sursa de curent din Figura 1.12.
a. Ce expresie trebuie s aib potenialul VC pentru ca tranzistorul T1 s funcioneze la limit de
saturaie?
b. S se determine expresia tensiunii minime de ieire VO min pentru valoarea potenialului VC
dedus la punctul anterior
VDD
VO
T2
VC
IO
T1
Figura 1.12
Rezolvare
a. Potenialul VC trebuie s fie mai mare sau egal cu:
VC
VGS 2 VDS1sat
VGS 2 VGS1 VT
VT
2I
K
(1.61)
b. Deoarece tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaie, tensiunea minim de ieire

va avea expresia:
VO min
VO min
VDS 2sat
2 VGS1 VT
19
VDS1
2
2I
K
(1.62)
(1.63)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.13
Se consider sursa de curent din Figura 1.13. S se determine rezistena RC care asigur
minimizarea
VO min .
VDD
I
VO
IO
RC
T2
VC
T4
T3
T1
Figura 1.13
Rezolvare
VC
VGS3 VGS4
IRC
(1.64)
Condiia de functionare a tranzistorului T1 la limita de saturaie (pentru a se obine o

valoare minim a V0 min ) este:
VC VGS2
VDS1sat
VGS1 VT
(1.65)
Toate tensiunile gril-surs fiind egale, din cele dou relaii anterioare se obine:
VT
I
RC
(1.66)
tensiunea
dren-surs
are
expresia
T4 ,
VDS 4 VGS 4 IRC VGS 4 VT , deci funcionarea tranzistorului T1 la limita de saturaie
implic polarizarea tranzistorului T4 de asemenea la limita de saturaie.
Pentru
tranzistorul
20
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.14
Se consider sursa de curent din Figura 1.14. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare n raport cu celelalte tranzistoare. S se determine expresia tensiunii minime de ieire.
VDD
I
VO
IO
T5
T2
T4
T3
T1
Figura 1.14
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS5
VT . Expresia tensiunii dren-surs
a tranzistorului T1 este:
VDS1 VGS3 VGS4 VGS5 VGS2
VGS1 VT
(1.67)
toate tensiunile gril-surs avnd valori egale. Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de
saturaie. Tensiunea minim de ieire va fi impus de funcionarea n saturaie a
tranzistorului T2 :
VO min
V DS 2 sat
V DS1
2 VGS1 VT
VT
2I
K
(1.68)
Tranzistorul T4 funcioneaz, de asemenea, la limit de saturaie deoarece:
VDS4
VGS4 VGS5
VGS4 VT
21
VDS4 sat
(1.69)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.15
Se consider sursa de curent din Figura 1.15. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare n raport cu celelalte tranzistoare. S se determine expresia tensiunii minime de ieire.
VDD
I
VO
T5
IO
T2
T4
I
T3
T1
Figura 1.15
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS5
VT . Expresia tensiunii dren-surs
a tranzistorului T1 este:
VDS1 VGS3 VGS4 VGS5 VGS2
VGS1 VT
(1.70)
toate tensiunile gril-surs avnd valori egale, deoarece tranzistoarele sunt identice i polarizate
de acelai curent de dren I . Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaie. Tensiunea
minim de ieire va fi impus de funcionarea n saturaie a tranzistorului T2 :
VO min
V DS 2 sat
V DS1
2 VGS1 VT
VT
2I
K
(1.71)
Problema 1.16
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.16. Toate tranzistoarele au factorii de aspect
egali cu W / L , cu excepia tranzistorului T4 care are (W / L) / 4 . S se determine expresiile
pentru:
a. Curentul de ieire I O
c. Tensiunea minim de ieire VO min , considerndu-se o polarizare a tranzistorului T1 la limita de
saturaie. Pentru punctele a. i a. se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului.
22
Surse de curent
CAPITOLUL I
VDD
I
VO
RO
T4
T5
IO
T2
T3
T6
T1
Figura 1.16
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 i T3 formeaz o oglind de curent ideal, deci, neglijnd efectul de
modulare a lungimii canalului, se obine:
IO
(1.72)
b. Expresia rezistenei de ieire a surse de curent din Figura 1.16 este:
RO
rds 2 1 g m2 rds1
2
g m rds
(1.73)
c. Circuitul este proiectat pentru polarizarea tranzistorului T1 la limita de saturaie n

vederea miminizrii V0 min :
VDS1
(1.74)
VGS3 VGS4 VGS5 VGS2
echivalent cu:
V DS1
VT
2I
K
VT
8I
K
VT
2I
K
VT
2I
K
2I
K
(1.75)
S-a utilizat faptul c toate tranzistoarele din circuit funcioneaz la acelai curent de dren I
impus de oglinda de curent multipl T1 T3 T6 . Deci, VDS1 VGS1 VT . Tensiunea minim
de ieire a sursei de curent va fi impus de condiia de funcionare n saturaie a
tranzistorului T2 :
VO min
V DS 2 sat
23
V DS1
2I
K
(1.76)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.17
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.17. S se determine expresia curentului de
ieire al sursei ca funcie de curentul I .
VDD
I
VO
IO
T2
T1
Figura 1.17
Rezolvare
VGS1
(1.77)
IR VGS2
echivalent cu:
2I
K
VT
IR VT
2I O
K
(1.78)
Rezult urmtoarea dependen a curentului de ieire de curentul I :
IO
KR 2 2
I
2
R 2K I 3 / 2
(1.79)
Pentru determinarea maximului funciei I O (I ) se deriveaz n raport cu I relaia (1.79),

rezultnd urmtoaarea ecuaie de gradul doi:
5 2
K 2 R4 I 2
R KI 1 0
(1.80)
2
rezolvarea acestei ecuaii conduce la obinerea soluiilor:
I1
2
R2K
i:
24
(1.81)
Surse de curent
CAPITOLUL I
I2
(1.82)
2R K
Pentru aceste valori ale curentului I , curentul de ieire va avea urmtoarele expresii:
I O1
(1.83)
i:
I O2
(1.84)
8R 2 K
deci maximul caracteristicii I O (I ) se va obine pentru I
I2 .
Problema 1.18
Pentru sursa de curent din Figura 1.17 se consider R 10k , I 0,1mA . S se determine
dependena curentului de ieire I O de curentul I i s se evidenieze valoarea acestuia dn urm
pentru care caracteristica I O (I ) prezint un maxim. Ce valoare va avea curentul de ieire n acest
punct?
Rezolvare
Valoarea curentului I pentru care caracteristica I O (I ) prezint un maxim este exprimat
de relaia (1.82), rezultnd I 41,66 A , iar valoarea maxim a curentului de ieire n acest
punct este I O 10,42 A (relaia (1.84)).
Simularea SPICE I O (I ) este prezentat n figura urmtoare:
Figura 1.18
25
Surse de curent
CAPITOLUL I
In urma simulrii se obin urmtoarele valori:
50 A
(1.85)
11,532 A
(1.86)
i:
IO
Apare o mic eroare fa de analiza teoretic n sensul c valoarea curentului de ieire nu se

anuleaz pentru un curent I exprimat prin relaia (1.81), deci pentru I 166,67 A . Pentru
acest valoare, simularea din figura anterioar arat o valoare redus, ns nenul, I O 4,2 A ,
explicabil prin efectele de ordin secundar care afecteaz funcionarea n saturaie a
tranzistoarelor MOS i care au fost neglijate n analiza anterioar. Se obine
1 / RO I O
0,003V 1 .
Problema 1.19
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.19, factorii de aspect ai transistoarelor fiind
menionai n figur. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O . Se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului pentru toate
dispozitivele MOS active.
VDD
VO
I2 = I
I1 = I
RO
IO
T5
(W/L)/(n+1)
T4
(W/L)/n
T1
2
(W/L)/n2
IO
T3
T2
W/L
W/L
Figura 1.19
26
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Deoarece (W / L) 2 (W / L) 3 , oglinda de curent T2 T3 impune, n condiiile neglijrii
efectului de modulare a lungimii canalului:
IO
(1.87)
b. Rezistena de ieire a sursei de curent are expresia:
R0
rds1 1 gm1rds2
2
gmrds
(1.88)
c. Considernd o funcionare n saturaie a tranzistoarelor schemei, rezult:
K' W / L
VGS5 VT 2
2
2 (n 1)
(1.89)
K' W / L
VGS1(4) VT 2
2
2 n
(1.90)
K'
(W / L) VGS 2(3) VT 2
2
(1.91)
Din relaiile (1.89) i (1.91) se obine:
VGS5 VT
n 1 VGS2(3) VT
(1.92)
iar din relaiile (1.90) i (1.91) rezult:
VGS1(4) VT
n VGS2(3) VT
(1.93)
Deoerece sursele de curent de tip cascod limiteaz inferior tensiunea de ieire la o valoare
mai mare dect sursele de curent clasice, principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.19 se
bazeaz pe polarizarea tranzistorului T2 la limita de saturaie:
VDS 2
VGS 5 VGS1
VGS 5 VT
VGS1 VT
VGS 2 VT
VDS 2sat
(1.94)
Se va obine o important reducere a tensiunii minime de ieire a sursei de curent impus de

condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T1 :
VO min
V DS1sat
V DS 2
n 1 VGS 2 VT
n 1
2I
K
(1.95)
Constanta n se alege de valoare ct mai mic pentru a se obine o valoare redus a VO min .
27
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.20
Se consider sursa de curent din Figura 1.20. Toate tranzistoarele MOS au factorii de aspect
specificai n figur. S se determine:
a. Expresia curentului de ieire I O
b. Expresia tensiunii minime de ieire VO min
c. Ce condiie trebuie s ndeplineasc potenialul VC i ce relaie trebuie s existe ntre
elementele circuitului pentru ca toate tranzistoarele s funcioneze n saturaie?
VDD
VO
I
7I
4I
IO
T1
6(W/L)
T6
VC
T3
(W/L)
T4
(W/L)
7(W/L)
T5
T2
7(W/L)
7(W/L)
Figura 1.20
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire este:
IO
7I
(1.96)
6I
b. Principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.20 se bazeaz pe polarizarea

tranzistorului T2 la limita de saturaie:
V DS 2
VGS 3 VGS 4
VT
8I
K ' (W / L)
VT
2I
K ' (W / L)
2I
K ' (W / L)
(1.97)
Tensiunea dren-surs a tranzistorului T2 fiind fixat de tensiunile gril-surs ale

tranzistoarelor T3 i T4 , limita inferioar a tensiunii de ieire va fi impus de funcionarea n
saturaie a tranzistorului T1 :
VO min
V DS 1sat
V DS 2
28
2I
K ' (W / L)
(1.98)
Surse de curent
CAPITOLUL I
c. Condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T6 este:
VDS6
VGS5
VC VGS6
VGS6
VGS5 VC
VGS6 VT
(1.99)
echivalent cu:
VGS5 VC
(1.100)
VT
sau:
VT
2I
VC
K ' (W / L)
(1.101)
VT
deci potenialul VC trebuie s respecte urmtoarea inegalitate:
VC
2I
K ' (W / L)
2VT
(1.102)
Condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T5 este:
V DS5
VC VGS6
VC VT
2I
K ' (W / L)
VGS5 VT
2I
K ' (W / L)
(1.103)
echivalent cu:
VC
VT
2I
K ' (W / L)
(1.104)
Deci, potenialul VC trebuie s aib o valoare inclus n urmtorul interval:
VT
2I
K ' (W / L)
VC
2VT
2I
K ' (W / L)
(1.105)
Se impune, suplimentar, condiia ca:
2VT
2I
K ' (W / L)
VT
29
2I
K ' (W / L)
K' W 2
V
2 L T
(1.106)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.21
b. Tensiunea minim de ieire VO min
Tranzistoarele au factorii de aspect din figur. Se va neglija efectul de modulare a lungimii
canalului pentru toate dispozitivele MOS.
VDD
I1 = 7I
I2 = 4I
I3 = I
I4 = I
VO
I5 = 4I
IO
T1
T5
7(W/L)
7(W/L)
T7
T4
T8
W/L
W/L W/L
T6
T3
W/L
T2
8(W/L)
8(W/L)
Figura 1.21
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 T6 impune, n condiiile neglijrii efectului de modulare a lungimii
canalului:
IO
8I
7I
(1.107)
b. Principiul de funcionare este similar circuitului din Figura 1.20, deci se bazeaz pe
polarizarea la limit de saturaie a tranzistorului T2 . Ecuaiile care caracterizeaz funcionarea
n saturaie a tranzistoarelor circuitului sunt:
4I
K'
(W / L) VGS3 VT 2
2
(1.108)
K'
(W / L) VGS4 VT 2
2
(1.109)
8I
K'
8(W / L) VGS 2 VT 2
2
(1.110)
7I
K'
7 (W / L) VGS1 VT 2
2
(1.111)
Rezult:
30
Surse de curent
CAPITOLUL I
VGS2 VT
(1.112)
2 VGS2 VT
(1.113)
VGS2 VT
(1.114)
VGS4 VT
VGS3 VT
VGS1 VT
Deci:
VDS 2
VGS 3 VGS 4
VGS 3 VT
VGS 4 VT
VGS 2 VT
VDS 2sat
(1.115)
In concluzie, tranzistorul T2 funcioneaz la limita de saturaie, rezultnd o reducere a

tensiunii minime de ieire a sursei de curent:
VO min
V DS1sat
V DS 2
2 VGS 2 VT
2I
K ' (W / L)
(1.116)
Problema 1.22
a. Curentul de ieire I O n funcie de curentul I
b. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
R
T3
T2
T6
T5
I
T1
IO
T4
T7
Figura 1.22
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire se poate determina similar problemei 1.1, utiliznd faptul c
oglinda de curent T1 T7 impune I O I . Asigurarea unor tensiuni dren-surs egale
( VDS1
VDS7
VGS ) elimin erorile introduse de efectul de modulare a lungimii canalului.
b. Toate tranzistoarele din circuit sunt identice i funcioneaz la acelai curent de dren,
deci vor avea tensiuni gril-surs egale. Circuitul cascod este format din T5 T7 , tranzistoarele
T2 i T3 fiind utilizate pentru a asigura un curent de polarizare pentru T5 cvasi-independent de

tensiunea de alimentare.
VO min
V DS6 sat
V DS7
31
2VGS VT
VT
2I
K
(1.117)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.23
Se consider sursa de curent cascod din Figura 1.23. S se determine expresiile pentru:
b.Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VDD
VDD
VO
IO
T4
T1
T6
T3
T5
T2
Figura 1.23
Rezolvare
a. Oglinda T2 T5 impune un curent de ieire avnd expresia:
IO
(1.118)
independent de efectul de modulare a lungimii canalului (v. problema 1.22).

b. Tensiunea de ieire este limitat inferior de funcionarea n saturaie a tranzistorului T1 :
VO min
V DS1sat
V DS 2
2VGS VT
VT
2I
K
(1.119)
Problema 1.24
Se consider sursa de curent cascod din Figura 1.24. S se explice funcionarea circuitului i
s se determine expresiile curentului de ieire i tensiunii minime de ieire. V pol.1 i V pol.2
reprezint dou tensiuni de polarizare care asigur funcionarea circuitului.
32
Surse de curent
CAPITOLUL I
Vpol.2
VDD
T8
20/1
T7
20/1
T9
20/1,6
T11
20/1
T10
20/1,6
T6
20/1,6
T14
5/1,6
VO
IO
T4
T1
10/1,6
T5
2,5/1,6
10/1,6
T2
40/1
T3
10/1
T13
10/1,6
T15
10/1,6
T12
10/1
T16
10/1
Vpol.1
Figura 1.24
Rezolvare
Oglinda de curent de tip NMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieire este realizat cu
tranzistoarele T1 - T4 , mpreun cu tranzistorul T5 legat n configuraie de diod. Potenialul de
poart al tranzistoarelor T1 i T4 este asigurat de dioda T5 , iar curentul de polarizare a
tranzistoarelor provine din bucla de polarizare prin T10 i T11 . Similar, oglinda de curent de tip
PMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieire este realizat cu tranzistoarele T6 - T9 .
Tranzistoarele T6 i T9 au tensiuni de poart furnizate de dioda T14 , care, la rndul ei, are
curentul de dren asigurat de bucla de polarizare, prin intermediul tranzistoarelor T12 i T13 .
Expresia curentului de ieire este:
IO R
2I O
K3
(VGS 3 VT ) (VGS 2 VT )
2I O
K2
(1.120)
Rezult:
2
IO
R2
K3
K2
(1.121)
Reducerea valorii tensiunii minime de ieire a sursei de curent cascod din Figura 1.24 se
realizeaz prin polarizarea tranzistorului T16 puin peste limita de saturaie.
VDS16
(VGS5 VT ) (VGS15 VT )
(1.122)
Deoarece toate tranzistoarele circuitului funcioneaz la acelai curent de dren I O rezult:
33
Surse de curent
CAPITOLUL I
VGS15 VT
(VGS16 VT )
(W / L)16
(W / L)15
(1.123)
VGS5 VT
(VGS16 VT )
(W / L) 16
(W / L) 5
(1.124)
Inlocuind (1.95) i (1.96) n (1.94) se obine:

V DS16
(W / L) 16
(W / L) 5
(W / L) 16
(W / L) 15
VGS16 - VT
4
10
VGS16 - VT
VGS16 VT (1.125)
ceea ce asigur funcionarea n saturaie a tranzistorului T16 i o marj de siguran
0,26 (VGS16 VT ) pentru compensarea erorilor introduse de efectele
(4 / 10 1)(VGS16 VT )
de ordin secundar.
Problema 1.25
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.25a. S se determine expresiile pentru:
VO
RO
IO
VDD
VC
+
T1
T3
T2
Figura 1.25a
34
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 T3 impune, n condiiile neglijrii efectului de modulare a lungimii
canalului:
IO
(1.126)
b. Circuitul pentru determinarea rezistenei de ieire a sursei de curent din Figura 1.25a este
prezentat n Figura 1.25b.
ix
rds1
gm1v1
vx
v1
rds2
av
Figura 1.23b
Se pot scrie urmtoarele ecuaii:
a v
(1.127)
v1
i, deci:
vx
ix
gm1 a 1 v rds1
(1.128)
ixrds2
i x rds2
(1.129)
rezultnd expresia aproximativ a rezistenei de ieire a sursei de curent:
RO
2
ag m rds
(1.130)
Introducerea amplificatorului operaional n structura sursei de curent conduce la o cretere

foarte mare a rezistenei de ieire a acesteia.
c. Tensiunea de ieire este limitat inferior de funcionarea n saturaie a tranzistorului T1 :
VO min
VC
V DS1sat
VC
2I
K
Condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T2 este VC
35
(1.131)
V DS 2sat
2I / K .
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.26
Se consider sursa de curent din Figura 1.26, toate tranzistoarele fiind polarizate n inversie
slab. S se determine expresia curentului de ieire al circuitului, I O .
VDD
T1
T2
T3
T4
IO
T6
T5
R1
Figura 1.26
Rezolvare
Funcionarea n inversie slab a dispozitivelor MOS active este caracterizat de relaia
general:
ID
I D0
V
VT
W
exp GS
L
nVth
(1.132)
Se obine:
IO
VGS 4 VGS 5 VGS 3 VGS6

R1
nVth
(W / L) 3 (W / L) 6
ln
R1
(W / L) 4 (W / L) 5
(1.133)
Avantajul acestei implementri a sursei de curent const n obinerea unei expresii a

curentului de ieire independente de tensiunea de alimentare.
36
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.27
Se consider sursa de curent din Figura 1.27. Tranzistoarele MOS au factorii de aspect W / L ,
cu excepia tranzistorului T3 care are 4(W / L) , iar tranzistoarele bipolare au ariile n raportul
A2 / A1
10 . S se determine expresia curentului de ieire I O .
VDD
T5
T6
IO
T3
T4
T1
T2
Figura 1.27
Rezolvare
VT
2I O
4 K ' (W / L)
Vth ln
IO
IS
VT
2I O
K ' (W / L)
Vth ln
IO
10 I S
(1.134)
Rezult:
IO
2 K ' (W / L) Vth ln 10 2
(1.135)
Problema 1.28
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD , considernduO

se efectul de modulare a lungimii canalului
37
Surse de curent
CAPITOLUL I
VDD
T4
T6
T5
I0
IO
T2
T3
R2
R1
T1
Figura 1.28
Rezolvare
a. VA VB VGS3 VGS2 0 , deoarece T2 i T3 sunt identice i polarizate la acelai
curent de dren datorit oglinzii de curent T4 T5 . Expresia curentului de ieire este:
IO
V EB1
R1
(1.136)
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare este:

V
S I DD
O
V DD dI O
I O dV DD
(1.137)
Considerndu-se efectul de modulare a lungimii canalului, curentul de ieire va avea

expresia:
IO
V EB1
R1
Vth
I
ln
R1
IS
Vth
I 1
ln O
R1
IS 1
V SD4
V SD5
Vth
I
ln O
R1
IS
Vth
1
ln
R1
1
V SD4
V SD5
(1.138)
Derivnd n raport cu tensiunea de alimentare relaia anterioar i nlocuind

VSD4 VDD VGS2 VEB1 , VSD5 VSG5 , se obine:
dI O
dV DD
Vth
dI 0
R1 I O dV DD
Vth
R1
(1.139)
S-a considerat c VGS 2 , V EB1 i VSG5 au o dependen neglijabil de tensiunea de

alimentare. Din relaiile (1.137) i (1.139) rezult:
V DD
S I DD
O
V BE
Vth
38
(1.140)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.29
Se consider sursa de curent din Figura 1.28, avnd R1 R2 100k , VDD 9V i
VBE 0,6V . S se determine:
a. Coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire, considernd o variaie
aproximativ liniar negativ cu temperatura a tensiunii baz-emitor, iar dVBE / dT
2,1mV / K
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare
Rezolvare
a. Coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire este:
dI O
dT
1 dV EB1
R1 dT
21nA / K
(1.141)
Simularea SPICE I O (T ) este prezentat n figura urmtoare:
Figura 1.29a
Coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire rezultat n urma simulrii este.
dI O
dT
25,3nA / K
39
(1.142)
Surse de curent
CAPITOLUL I
b. Valoarea sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare

obinut prin aplicarea relaiei (1.140) este 1,22 10 3 . Simularea dependenei I O (V DD ) pentru
circuitul din Figura 1.28 este prezentat n Figura 1.29b.
Figura 1.29b
Problema 1.30
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.30a. S se determine expresiile pentru:
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I CC , considernduO

VDD
T7
T6
T9
T4
T5
T8
I0
I
T2
T3
T1
R1
Figura 1.30a
40
R2
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Similar problemei 1.28:
V EB1
R1
IO
(1.143)
b. Considerndu-se efectul de modulare a lungimii canalului, curentul de ieire va avea

expresia:
IO
Vth
I 1
ln 0
R1
IS 1
7 V SG6
deoarece configuraia circuitului i egalitatea VSG4

obinndu-se:
V
S I DD
O
Vth V DD
V BE
(1.144)
6 V SG6
VSG5 foreaz VSD7
dV SG6
dV DD
VSD6
VSG6 ,
(1.145)
Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare se reduce fa de

circuitul din Figura 1.28 ca o consecin a autopolarizrii utiliznd o oglind de curent de tip
cascod T4 T7 (Figura 1.30) n locul oglinzii de curent simple T4 T5 (Figura 1.28). Varianta
V
mbuntit cascod permite minimizarea S I DD n ipoteza teoretic a unei mperecheri perfecte a

O
dispozitivelor MOS active ( 7
8 ). Simularea dependenei I O (V DD ) pentru circuitul din
Figura 1.30a este prezentat n Figura 1.30b, remarcndu-se scderea dependenei curentului de
ieire de tensiunea de alimentare, cu dezavantajul creterii tensiunii minime de alimentare la
aproximativ 3,6V (consecin a utilizrii sursei de curent de tip cascod).
Figura 1.30b
41
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.31
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD , considernduO

VDD
T4
T5
T2
n(W/L)
T6
W/L
n(W/L)
T3
W/L
R1
R2
IO
T7
T1
Figura 1.31
Rezolvare
a. Deoarece W / L 2 W / L 5
fiind:
IO
W/L
W/L
V BE1
4,
V BE7
R1
VA
V B , expresia curentului de ieire
Vth
ln n
R1
(1.146)
b. Considerndu-se efectul de modulare a lungimii canalului, curentul de ieire va avea

expresia:
IO
Vth
1
ln n
R1
V DD V EB1 VGS 2
1 V SG 5
(1.147)
Procednd similar problemelor anterioare, se obine:
V DD
ln n
S I DD
O
42
(1.148)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.32
Se consider sursa de curent din Figura 1.31, avnd R1
R2 100k , raportul curenilor de

10 , iar factorii de aspect ai tranzistoarelor
saturaie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1

MOS - egali. S se determine coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire.
Rezolvare
Similar problemei 1.31 se obine:
dI O
dT
I
k
ln S7
qR1
I S1
2nA / K
(1.149)
Simularea SPICE I O (T ) este prezentat n Figura 1.32, rezultnd un coeficient de

temperatur egal cu:
dI O
dT
2,015nA / K
Figura 1.32
43
(1.150)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.33
Se consider sursa de curent din Figura 1.33, toate tranzistoarele MOS avnd factorii de
aspect menionai n figur. Amplificatorul operaional se consider ideal, iar dependena de
temperatur a tensiunii baz-emitor se presupune cunoscut, exprimat prin:
VBE (T )
constanta
VBE (T0 ) EG0

T
T0
EG0
kT
T
ln
q
T0
(1.151)
modelnd dependena de temperatur a curentului de colector al tranzistorului
bipolar, I C (T ) ct .T , iar EG0 , T0 , , VBE (T0 ) , k i q fiind constante n raport cu variaiile

temperaturii.
a. S se determine dependena de temperatur a curentului de ieire, I O (T )
b. Ce relaie trebuie s existe ntre elementele circuitului pentru ca termenul liniar din expresia
I O (T ) s se anuleze? Ce dependen de temperatur prezint curentul de ieire n acest caz?
VDD
T4
n(W/L)
T5
T6
W/L
W/L
VO
IO
T2
n(W/L)
T3
W/L
T9
R2
R1
T1
T7
R3
T8
Figura 1.33
Rezolvare
a. Deoarece:
VGS 2
VT
2 I D2
K ' n(W / L)
VT
2 I D3
K ' (W / L)
VGS3
(1.152)
considernd tranzistoarele T1 i T7 identice, tensiunea la bornele rezistenei R 2 va avea o

expresie de tip PTAT (Proportional To Absolute Temperature):
V R2
V
V BE7
R2 BE1
R1
Expresia curentului de ieire I O este, deci:

44
V PTAT
R2
Vth ln n
R1
(1.153)
Surse de curent
CAPITOLUL I
I O (T )
I R2
Vth ln n
R3 R1
V BE 8 (T )
(1.154)
b. Condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur al curentului I O (cea

mai important component a dependenei de temperatur a acestuia) este, deci:
V BE (T0 ) EG0
T0
R2 k
ln n
R1 q
(1.155)
rezultnd, n condiiile realizrii coreciei liniare a caracteristicii de temperatur, urmtoarea

expresie a curentului de ieire:
I O (T )
1
E G0
R3
kT
T
ln
q
T0
(1.156)
Tranzistorul T8 fiind polarizat la un curent de tip PTAT, constanta

va avea valoarea 1 .
Curentul de ieire al sursei din Figura 1.33 va avea, deci, urmtoarea dependen de
temperatur:
I O (T )
1
E G0
R3
(1
kT
T
ln
q
T0
(1.157)
Observaie: Nerespectarea prin proiectare a condiiei (1.155) de anulare a termenului liniar

dependent de temperatur al tensiunii baz-emitor conduce la obinerea unei dependene
puternice de temperatur a curentului de ieire al circuitului. Acest dependen va fi aproximativ
liniar, pozitiv sau negativ dup cum egalitatea (1.155) devine inegalitate n unul din sensurile
posibile.
Problema 1.34
Se consider sursa de curent din Figura 1.33, avnd R1
25k , VBE (T0 ) 0,6V , raportul

curenilor de saturaie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 I S7 / I S8 10 , iar factorii de
aspect ai tuturor tranzistoarelor - egali.
a. S se determine valoarea rezistenei R2 pentru realizarea coreciei de ordin superior a
caracteristicii de temperatur a curentului de ieire I O .
b. In ipoteza utilizrii unor tranzistoare T2 T5 avnd factorii de aspect de valori diferite, ce
condiie trebuie respectat pentru ca potenialele n punctele M i N s fie egale?
45
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Deoarece I O V A / R3 , realizarea coreciei caracteristicii de temperatur a curentului de
ieire este echivalent cu obinerea aceleiai corecii de temperatur pentru potenialul V A , deci,
similar problemei 1.33, trebuie respectat condiia (1.155). Rezult:
R2
R1
E G0 V BE (T0 )
kT0
I
ln S7
q
I S1
250,55k
(1.158)
Simularea SPICE din Fig. 1.34a a dependenei de temperatur a potenialului V A din

circuitul prezentat n Figura 1.33 arat o reducere important a coeficientului de temperatur al
acesteia (deci realizarea coreciei liniare a caracteristicii de temperatur) pentru o valoare
R2 235k . Erorile calculului manual sunt explicabile prin neglijarea curenilor de baz ai
tranzistoarelor bipolare, avnd o puternic dependen de temperatur, precum i prin neglijarea
efectelor de ordin secundar care afecteaz funcionarea tranzistoarelor MOS.
Figura 1.34a
b. Condiia VM
V N implic VGS2
VT
VGS3 , deci:
2 I D2
K ' (W / L) 2
VT
echivalent cu:
46
2 I D3
K ' (W / L) 3
(1.159)
Surse de curent
CAPITOLUL I
I D2
I D3
(W / L) 2
(W / L) 3
(1.160)
Oglina de curent T4 T5 impune:
I D2
I D3
I D4
I D5
(W / L) 4
(W / L) 5
(1.161)
Condiia VM V N este echivalent, deci, cu urmtoarea relaie ntre factorii de aspect ai

celor 4 tranzistoare:
(W / L) 2
(W / L) 3
(W / L) 4
(W / L) 5
(1.162)
Se vor realiza dou simulri SPICE (VM V N )(T ) corespunztoare celor dou situaii
posibile: respectarea relaiei (1.162) (se aleg, de exemplu, (W / L) 2 (W / L) 4 15 i
(W / L) 3
(W / L) 4
(W / L) 5
5 ).
1,5 ) i nerespectarea acestei relaii ( (W / L) 2
(W / L) 3
(W / L) 5
1 i
Figura 1.34b
Se remarc faptul c nerespectarea condiiei (1.162) conduce la o valoare ridicat a
diferenei VM V N (Figura 1.34c), n timp ce respectarea acestei condiii de proiectare
minimizeaz diferena VM V N , valoarea nenul rezultat fiind o consecin a efectelor de ordin
secundar neglijate n analiza anterioar.
47
Surse de curent
CAPITOLUL I
Figura 1.34c
Problema 1.35
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD , considernd

O
efectul de modulare a lungimii canalului doar pentru tranzistoarele T4 i T5
VDD
T4
T5
T2
T1
IO
T3
I
R
Figura 1.35
48
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire se obine rezolvnd urmtoarea ecuaie de gradul doi:
VGS
R
IO
K
VGS VT 2
2
(1.163)
echivalent cu:
KR 2
V
2 GS
KR 2
V
2 T
1 KRVT VGS
(1.164)
Cele dou soluii au urmtoarele expresii:
VGS1,2
VT
2 KRVT
1
KR
(1.165)
KR
Funcionarea n saturaie a tranzistoarelor din circuit impune VGS

valabil este:
VGS
VT
2 KRVT
1
KR
VT , deci singura soluie
(1.166)
KR
Expresia curentului de ieire se obine nlocuind (1.166) n (1.163):
2 KRVT
VT
R
IO
1 1
(1.167)
KR 2
rezultnd:
IO
1
KR 2
1 KRVT
1 2 KRVT
(1.168)
b. Considernd efectul de modulare a lungimii canalului se obine:
IO
K
VGS1 VT 2
2
K
IR VT 2
2
1
K
IO R
2
1
V SD5
V SD4
VT
(1.169)
rezultnd:
IO
K
IO R 1
2
(VCC
3VGS )
VT 2
(1.170)
Pentru obinerea sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare se

deriveaz relaia anterioar n raport cu tensiunea de alimentare:
V
S I DD
O
VCC dI 0
I O dV DD
49
V DD
1
1
KR( I O R VT )
(1.171)
Surse de curent
CAPITOLUL I
Problema 1.36
Se consider circuitul din Figura 1.36. Ce avantaje i dezavantaje prezint n comparaie cu
sursa de curent din Figura 1.35?
VDD
T6
T7
T4
T5
T2
IO
T1
T3
Figura 1.36
Rezolvare
Inlocuirea oglinzii de curent clasice T4 T5 din Figura 1.35 cu oglinda de tip cascod
V
T4 T7 permite obinerea unei valori a S I DD mult mai reduse ca o consecin a polarizrii
O
tranzistoarelor T6 i T7 la tensiuni dren-surs aproximativ egale. Dezavantajul circuitului cu
autopolarizare cascod este necesitatea unei valori mai ridicate a tensiunii minime de alimentare.
Problema 1.37
V
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD , considernd

O
efectul de modulare a lungimii canalului
Se va presupune o funcionare n inversie slab a tuturor tranzistoarelor MOS din circuit,
tranzistoarele T3 i T4 fiind identice, iar T1 i T2 - diferite.
VDD
T3
T4
VO
IO
T1
T2
R
Figura 1.37
50
T5
Surse de curent
CAPITOLUL I
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire este:
nVth
(W / L) 2
ln
R
(W / L) 1
IO
(1.172)
b. Considernd efectul de modulare a lungimii canalului, expresia curentului de ieire devine:
nVth
(W / L) 2
ln
R
(W / L) 1
IO
nVth
ln 1
R
(V DD
2VGS )
(1.173)
(VDD 2VGS )
1 , n relaia (1.173) se poate utiliza aproximarea
1 , rezultnd:
x , pentru x
Deoarece
ln(1 x)
IO
nVth
(W / L) 2
ln
R
(W / L) 1
nVth
(V DD
R
2VGS )
(1.174)
Prin derivare n raport cu V DD a relaiei anterioare se obine:
V DD
S I DD
O
(1.175)
(W / L) 2
ln
(W / L) 1
Problema 1.38
S se proiecteze o surs de curent care s furnizeze un curent de tip PTAT, coeficientul de
variaie cu temperatura al acestuia fiind 0,1 A / K , iar domeniul maxim de variaie al temperaturii
fiind limitat la T 10 K fa de valoarea T0 a temperaturii de referin. Se va considera
0,6V pentru tot domeniul de variaie admis al temperaturii.
VBE
Rezolvare
Se alege ca variant posibil de implementare sursa de curent din Figura 1.31, tranzistoarele
MOS avnd factori de aspect ale cror valori vor fi determinate n urma analizei circuitului.
Conform relaiei (1.146), considernd, de exemplu, R1 1k , coeficientul de variaie cu
temperatura al curentului de ieire este:
TC
Se
(W / L) 2
obine
(W / L) 4
k
ln n
qR1
0,087 A / K ln n
0,1 A / K
(1.176)
i
(W / L) 3 (W / L) 5 2
6 ,32 . Deoarece asimetria necesar pentru a se obine un curent de ieire
3,16 ,
rezultnd,
de
51
exemplu,
Surse de curent
CAPITOLUL I
de valoare nenul a fost realizat prin alegerea factorilor de aspect ai tranzistoarelor MOS
diferii, tranzistoarele bipolare se vor alege identice.
Tensiunea minim de alimentare trebuie s asigure funcionarea n saturaie a tranzistoarelor
MOS din circuit i n regim activ normal a tranzistoarelor bipolare, pentru tot domeniul maxim de
variaie a temperaturii. Deoarece curentul de ieire este de tip PTAT, cazul cel mai restrictiv din
punct de vedere al tensiunii minime de alimentare este cel al temperaturii de funcionare maxime,
deci pentru T T0
T 308 K . In acest caz, curentul de ieire va avea valoarea I O 30,8 A .
Tensiunea minim de alimentare va avea expresia:
V DD min
2VGS 3 VT
I 0 R1
V BE
2I O
K
VT
I O R1
V BE
3,063V
(1.177)
Se alege, de exemplu, VDD 5V pentru a se asigura o funcionare corect a circuitului n

condiiile considerrii efectelor de ordin secundar neglijate n analiza anterioar. Valoarea
rezistenei R 2 se alege, n mod similar, punndu-se condiia de funcionare n saturaie a
tranzistorului T6 , pentru valoarea aleas a tensiunii de alimentare.
Problema 1.39
S se proiecteze o surs de curent care s furnizeze un curent de ieire cu o variaie redus cu
temperatura (sa va impune condiia de corecie liniar a caracteristicii). Valoarea curentului de
ieire va fi I O 120 A , iar dependena de tensiunea de alimentare va fi redus. Se va considera
VBE
0,6V pentru tot domeniul de variaie admis al temperaturii.
Rezolvare
Pentru a se obine o sensibilitate redus a curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
alimentare si o dependen redus de temperatur a acestuia, se va alege sursa de curent cu
autopolarizare prezentat n Figura 1.33. In vederea minimizrii ariei ocupate pe siliciu, se
impune, de exemplu, n 2 . Se alege (W / L) 2 . Din relaia (1.155) rezult urmtoarea valoare
a raportului celor dou rezistoare:
R2
R1
EG0 V BE (T0 )
Vth0 ln(n)
33,29
(1.178)
Se aleg valorile R2 33,29k

i R1 1k . Corecia liniar a caracteristicii de
temperatur a tensiunii de referin fiind asigurat, neglijnd termenul cu o variaie logaritmic
cu temperatura din expresia curentului de ieire, se obine, conform relaiei (1.157):
E G0
R3
IO
(1.179)
deci R3 10k .
Deoarece asimetria necesar pentru funcionarea circuitului a fost realizat prin alegerea
factorilor de aspect diferii pentru tranzistoarele MOS, tranzistoarele bipolare pot fi identice.
52
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
CAPITOLUL II
REFERIN E DE TENSIUNE
INTRODUCERE
O referin de tensiune este un circuit care produce o tensiune independent de temperatur i
tensiunea de alimentare, cerinele principale impuse acestei clase de circuite fiind: rejecie ridicat
a sursei de alimentare, coeficient de temperatur redus, impedan de ieire redus. Reducerea
dependenei de tensiunea de alimentare se realizeaz prin autopolarizarea sursei de tensiune
elementare, metoda uzual fiind utilizarea unei oglinzi de curent complementare nucleului
referinei de tensiune. Deoarece toate componentele electronice prezint o variaie a parametrilor
cu temperatura, tehnica de baz utilizat pentru reducerea dependenei de temperatur este
proiectarea circuitului astfel nct variaiile diferitelor componente s se compenseze reciproc ntrun domeniu fixat de temperatur. Necesitatea obinerii unei rezistene de ieire de valoare redus
impune utilizarea unor etaje de amplificare suplimentare n structura referinei de tensiune.
Parametrii referin elor de tensiune
Coeficientul relativ de varia ie cu temperatura TCR ( ppm / K ) reprezint variaia relativ a
tensiunii de referin n raport cu variaia temperaturii. Poate fi mbuntit prin tehnici de
corecie a caracteristicii i prin circuite de stabilizare termic.
TCR
1 dVREF
T dT
V
Sensibilitatea tensiunii de referin fa de varia iile tensiunii de alimentare SV DD

REF
(adimensional) reprezint raportul dintre variaia relativ a tensiunii de referin i variaia
relativ a tensiunii de alimentare. Se poate mbunti prin autopolarizarea referinei de tensiune.
V
SV DD
REF
dVREF / VREF
dVDD / VDD
VDD dVREF
VREF dVDD
Rezisten a de ieire RO (
) modeleaz scderea tensiunii la bornele referinei de tensiune
atunci cnd aceasta debiteaz curent pe o sarcin finit.
RO
dVREF
dI REF
53
CAPITOLUL II
Clasificarea referin elor de tensiune din punct de vedere al dependen ei de temperatur

a. Referine de tensiune fr corecie a caracteristicii de temperatur. Prezint dezavantajul
unui coeficient de temperatur de valoare ridicat, n condiiile unei implementri relativ simple:
Tensiunea baz-emitor a unui transistor bipolar polarizat n regim activ normal. Are o
dependen de temperatur aproximativ liniar negativ, cu o pant de B
2,1mV / K n
jurul temperaturii ambiante T0 298 K , o analiz mai exact punnd n eviden i un
termen logaitmic dependent de temperatur:
V BE (T )
A BT
CT ln
T
T0
Tensiunea termic Vth kT / q . Are o variaie liniar pozitiv cu temperatura.

Tensiunea de prag VT , a crei variaie cu temperatura poate fi aproximat printr-o funcie
liniar i negativ:
VT (T ) VT 0
a(T T0 )
Tensiunea de la bornele unei diode Zener, prezentnd dezavantajele unui zgomot ridicat
i al necesitii alimentrii la tensiune relativ mare. In funcie de mecanismul de
stabilizare, are o dependen de temperatur liniar, pozitiv sau negativ.
VZ (T ) VZ 0
b(T T0 )
b. Referine de tensiune cu corecie liniar (de ordin I) a caracteristicii de temperatur

Combin avantajul unei complexiti medii cu cel al unui coeficient de temperatur relative
redus. Modalitile concrete de implementare a acestor circuite se refer la referinele de tensiune
bandgap i la alte posibile realizri avnd impus condiia de anulare a termenului liniar dependent
de temperatur al tensiunii de referin.
Referina de tensiune bandgap se bazeaz pe compensarea termenului liniar dependent de
temperatur din expresia V BE (T ) prin nsumarea tensiunii baz-emitor (considerat a
avea o dependen CTAT Complementary To Absolute Temperature) cu o tensiune
proporional cu tensiunea termic (de tip PTAT Proportional To Absolute
Temperature):
VREF (T ) VBE (T ) DVth

Condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur din expresia tensiunii de
referin este:
B D
k
q
2,1mV / K i Vth0 kT0 / q 25,9mV , se obine D

Cunoscnd c B
BT0 / Vth0 24 .
Referina de tensiune utiliznd compensarea variaiei liniare cu temperatura a tensiunii de
prag VT sau a tensiunii Zener V Z prin nsumarea acesteia cu o tensiune de tip PTAT sau
CTAT.
54
CAPITOLUL II
c. Referine de tensiune cu corecie de ordin superior a caracteristicii de temperatur

Implic realizarea coreciei liniare a caracteristicii de temperatur, presupunnd, n plus, anularea
sau minimizarea termenului cu o variaie complex cu temperatura din expresia tensiunii de
referin (de exemplu, CT ln(T / T0 ) pentru referina de tensiune de tip bandgap). Preul pltit
pentru mbunttirea comportamentului termic al referinei de tensiune este creterea important a
complexitii acesteia.
Parametrii utilizai pentru caracterizarea dispozitivelor active bipolare i MOS (implicite dac
nu se precizeaz altfel) sunt:
Factorul de amplificare n curent
- foarte mare
Energia benzii interzise a siliciului EG0
1,2V
1V
3 10
In cazul n care nu este specificat altfel, tranzistoarele se consider identice, iar
amplificatoarele operaionale - ideale.
PROBLEME
Problema 2.1
Se consider circuitul din Figura 2.1. Cunoscnd faptul c energia benzii interzise a siliciului
EG0 este aproximativ independent de temperatur, iar dependenele de temperatur ale
curentului de saturaie I S i curentului de polarizare I 0 sunt exprimate prin:
I S (T )
CT exp
I 0 (T )
DT
qEG0
kT
(2.1)
(2.2)
C ,D,
i
fiind constante independente de temperatur, s se determine expresia
dependenei de temperatur a tensiunii baz-emitor a tranzistorului bipolar din Figura 2.1.
55
CAPITOLUL II
I0
VDD
VREF
Figura 2.1: Jonciunea baz-emitor
Rezolvare
Dependena logaritmic a tensiunii baz-emitor de curentul de colector este:
V BE
I
kT
ln C
q
IS
(2.3)
Inlocuind (2.1) n (2.3) va rezulta:
VBE (T )
EG0
kT
I (T )
ln C
q
CT
(2.4)
Calculul dependenei de temperatur a tensiunii baz-emitor se va face considernd abaterea

acesteia de la o valoare de referin, VBE (T0 ) , T0 fiind numit temperatur de referin.
VBE (T0 )
kT0
I (T )
ln C 0
q
CT0
EG0
(2.5)
Din (2.4) i (2.5) rezult:
VBE (T )
T
VBE (T0 )
T0
EG0 1
T
T0
kT
I (T )
ln C
q
IC (T0 )
kT
T
ln
q
T0
(2.6)
echivalent cu:
VBE (T )
EG0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
kT
I (T )
ln C
q
IC (T0 )
kT
T
ln
q
T0
(2.7)
Considernd dependena particular de temperatur (2.2) a curentului de polarizare a

tranzistorului bipolar, rezult:
V BE (T )
E G0
V BE (T0 ) EG0
T
T0
kT
T
ln
q
T0
(2.8)
Vor exista, deci, trei termeni: un termen independent de temperatur, unul avnd o variaie
liniar negativ de variabil temperatura i un termen complex, cu o dependen complex de
temperatur.
56
CAPITOLUL II
Problema 2.2
Se consider circuitul din Figura 2.1, alegndu-se VDD 9V , I 0 1mA i VBE (T0 ) 0,6V .
S se evalueze cantitativ coeficientul de variaie cu temperatura al tensiunii de referin cauzat de
termenul liniar dependent de temperatur din expresia acesteia.
Rezolvare
Utilizndu-se relaia (2.8), se obine:
TCVREF
dVREF
dT
dV BE
dT
VBE (T0 ) EG0

T0
2,01mV / K
(2.9)
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin este prezentat n Figura 2.2,

rezultnd un coeficient de variaie cu temperatura de aproximativ 1,81 ppm / K .
Figura 2.2
Problema 2.3
Se consider circuitul din Figura 2.3.
R
VDD
VREF
D
IZ
Figura 2.3
57
CAPITOLUL II
Considernd c dioda Zener este caracterizat printr-o tensiune de stabilizare VZO 6V , o

rezisten dinamic rZ 10 i un coeficient de temperatur a 2mV / K s se determine:
a. Dependena de temperatur a tensiunii de ieire
V
DD
b. Sensibilitatea tensiunii de referin fa de variaiile tensiunii de alimentare SVREF
Se cunosc: VDD
12V , R
1k
Rezolvare
a.
VREF (T ) VZ (T ) VZ 0
a(T
T0 ) 6V
2mV / K (T
298 K )
(2.10)
b.
V REF
VZ
VZO
rZ I Z
VZO
V DD dV REF
V REF dV DD
DD
SVREF
rZ
V DD rZ
VZ 0 R
V DD
VZO
R
(2.11)
(2.12)
0,02
Problema 2.4
Se consider circuitul din Figura 2.4. S se determine expresia tensiunii de referin.
VDD
I0
nI0
VREF
T1
T2
m
Figura 2.4
Rezolvare
Neglijnd curenii de baz, se poate scrie:
V REF (T ) Vth ln
nI 0
mI S
Vth ln
58
IO
IS
Vth ln
n
m
(2.13)
CAPITOLUL II
Problema 2.5
Se consider circuitul din Figura 2.4. S se determine valoarea coeficientului de variaie cu
temperatura a tensiunii de referin. Se cunosc I 0 1mA , m 1 i n 10 .
Rezolvare
Conform relaiei (2.13), coeficientul de variaie cu temperatura al tensiunii de referin va
avea expresia:
TCVREF
k
ln(nm) 0,2mV / K
q
(2.14)
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin este prezentat n Figura 2.5,

rezultnd un coeficient de variaie cu temperatura de aproximativ 0,198mV / K .
Figura 2.5
Problema 2.6
Se consider circuitul din Figura 2.6, tranzistoarele fiind identice.
a. S se determine expresia tensiunii de referin n funcie de VZ , VBE i de raportul R1 / R2
b. Considernd variaii liniare cu temperatura ale tensiunilor Zener, respectiv baz-emitor, evaluate
cantitativ prin coeficienii de temperatur TCVZ dVZ / dT i TCVBE dVBE / dT , s se
determine raportul R1 / R2 astfel nct dependena de temperatur a tensiunii de referin s se
anuleze
c. Ce expresie are tensiunea de referin n condiiile de la punctul b.?
59
CAPITOLUL II
VDD
IO
T1
T2
R1
VREF
D1
R2
T3
Problema 2.6
Rezolvare
a.
V REF
V BE
V
3V BE
R2 Z
R1 R2
1
VZ
R1
1
R2
V BE
R1
R2
(2.15)
b. Derivnd n raport cu temperatura relaia (2.15) se obine:
dV REF
dT
dV Z
dT
1
R1
1
R2
dV BE
dT
R1
R2
(2.16)
Condiia de anulare a dependenei de temperatur a tensiunii de referin conduce la:
R1
R2
dV Z / dT
dV BE / dT
(2.17)
c. Inlocuind expresia anterioar a raportului R1 / R2 n (2.15) rezult:
V REF
1
VZ
dV Z / dT
3
dV BE / dT
60
V BE
dV Z / dT
dV BE / dT
(2.18)
CAPITOLUL II
Problema 2.7
Se consider referina de tensiune din Figura 2.6, cunoscndu-se I 0 1mA , VDD 9V ,
1,017 ppm / K , TCVBE
1,756 ppm / K . S se determine
VZ 4,42V , VBE 0,65V , TCVZ
valoarea raportului R1 / R2 pentru care dependena de temperatur a tensiunii de referin se
minimizeaz i valoarea acesteia n urma coreciei caracteristicii de temperatur menionate.
Rezolvare
Conform relaiilor (2.17) i (2.18),
R1 / R2 1,43 , iar VREF 1,67V . Alegndu-se

i R2 1k , termenul liniar dependent de temperatur ( CTAT ) din expresia
R1 1,43k
tensiunii baz-emitor va fi compensat de termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de
tensiunea la bornele rezistenei R2 , dependena de temperatur a tensiunii de referin obinut
n urma acestei corecii liniare a caracteristicii termice fiind generat doar de termenul
logaritmic din expresia (2.8) a VBE (T ) . Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru
R1 / R2 1,43 este prezentat n Figura 2.7a.
Figura 2.7a
Modificndu-se succesiv valoarea rezistenei R1 la 1k i, respectiv, 10k , dependena de
temperatur a tensiunii de referin va fi preponderant de tip liniar, pozitiv sau negativ n
funcie de relaia dintre termenii de tip PTAT i CTAT (care nu vor mai fi complementari).
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R1 / R2 1 este prezentat n Figura 2.7b, iar pentru
R1 / R2
10 este prezentat n Figura 2.7c.

61
CAPITOLUL II
Figura 2.7b
Figura 2.7c
62
CAPITOLUL II
Problema 2.8
Se consider referina de tensiune din Figura 2.8. Cunoscnd coeficienii constani de variaie
cu temperatura ai tensiunii baz-emitor i tensiunii Zener, s se determine expresia raportului
R2 / R3 pentru ca tensiunea de referin s nu fie funcie de temperatur. Ce expresie va avea
tensiunea de referin n acest caz?
VDD
R1
VREF
R2
T
R3
Figura 2.8
Rezolvare
Expresia tensiunii de referin este:
VREF
VZ
R2
VBE
R3
(2.19)
Condiia de anulare a dependenei de temperatur a acesteia se poate scrie:
TCVZ
R2
TCVBE
R3
(2.20)
rezultnd:
TCVZ
R2
R3
TCVBE
(2.21)
VBE
(2.22)
Se obine:
VREF
TCVZ
VZ
TCVBE
63
CAPITOLUL II
Problema 2.9
Se consider circuitul din Figura 2.8, cu VZ
TCVZ
3,83 ppm / K i TCVBE
7,5V , VBE 0,68V , VDD 15V , R1 1k ,

1,65mV / K . S se determine valoarea raportului R2 / R3
pentru care dependena de temperatur a tensiunii de referin se minimizeaz i valoarea acesteia

n urma coreciei caracteristicii de temperatur menionate.
Rezolvare
Conform relaiilor (2.21) i (2.22), R2 / R3 1,32 , iar VREF 9,078V . Alegndu-se
i R3 1k
(diferena ntre valoarea obinut n urma analizei manuale i cea
R2 1,2k
obinut prin simulare fiind cauzat de neglijarea curenilor de baz i a dependenei de
temperatur a acestora, precum i a tensiunii Zener, termenul liniar dependent de temperatur
( CTAT ) din expresia tensiunii baz-emitor multiplicate cu 1 R2 / R3 va fi compensat de
termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de tensiunea Zener V Z , dependena de temperatur
a tensiunii de referin obinut n urma acestei corecii liniare a caracteristicii termice fiind
generat doar de termenul logaritmic din expresia (2.8) a VBE (T ) . Simularea caracteristicii
VREF (T ) pentru R2 / R3
1,2 este prezentat n Figura 2.9a.
Figura 2.9a
Modificndu-se succesiv valoarea rezistenei R2 la 0,5k i, respectiv, 3k , dependena
de temperatur a tensiunii de referin va fi preponderant de tip liniar, pozitiv sau negativ n
funcie de relaia dintre termenii de tip PTAT i CTAT care nu vor mai fi complementari.
64
CAPITOLUL II
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R2 / R3

pentru R2 / R3 3 este prezentat n Figura 2.9c.
Figura 2.9b
Figura 2.9c
65
0,5 este prezentat n Figura 2.9b, iar
CAPITOLUL II
Problema 2.10
Se consider circuitul pentru extragerea tensiunii de prag prezentat n Figura 2.10a. Toate
tranzistoarele MOS funcioneaz n saturaie, fiind caracterizate prin urmtoarea expresie a
curentului de dren:
K
VGS
2
ID
VC
VT
VDS
3V reprezint o tensiune de polarizare a circuitului, iar VDD
(2.23)
6V .
VDD
I1
T1
K
1:1
I2
I3
T2
K
T3
K
T4
4K
VC
VREF
T5
4K
T6
K
T7
K
Figura 2.10a
a. Neglijnd dependena I D (V DS ) , s se determine expresia tensiunii de referin
b. Considernd dependena complet I D (VGS , VDS ) pentru tranzistoarele PMOS i
0 pentru
tranzistoarele PMOS, s se determine SV DD

REF
Rezolvare
a. Expresia tensiunii de referin este:
VREF
VGS4
VGS5
VGS3
Deoarece T4 i T5 sunt identice i polarizate la cureni de dren egali, VGS 4
VREF
2VGS 4
VGS 3
(2.24)
VGS 5 . Deci:
(2.25)
Tranzistoarele T3 , T7 i T6 sunt, de asemenea, identice i polarizate la acelai curent de

dren, deci VGS 3 VGS7 VGS6 . Rezult:
VREF
2VGS 4
echivalent cu:
66
VGS6
(2.26)
CAPITOLUL II
V REF
2I 2
4K
2 VT
VT
2I 1
K
(2.27)
Tranzistoarele T1 i T2 formeaz o oglind de curent i, deoarece s-a neglijat pentru acest

punct dependena I D (V DS ) , se obine I 1 I 2 . Tensiunea de referin va fi egal, deci, cu
tensiunea de prag a dispozitivelor MOS:
VREF
VT
(2.28)
2V
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin este prezentat n

Figura 2.10b.
Figura 2.10b
b. Evaluarea sensibilitii tensiunii de referin fa de variaiile tensiunii de alimentare
presupune considerarea efectului de modulare a lungimii canalului, modelat prin parametrul .
Relund analiza de la punctul a. rezult:
V REF
VT
2
K
I2
I1
VT
2I 1
K
I2
I1
V DS 2
V DS 2
V DS 1
(2.29)
Raportul celor doi cureni are expresia:
I2
I1
K
VGS 2
2
K
VGS 1
2
VT
VT
2
2
1
1
67
V DS 1
(2.30)
CAPITOLUL II
I2
I1
I2
I1
VDD 2VGS 4
1
VGS1
VDD
2VGS 4
VDD
VGS1
2VGS 4
VDD
(2.31)
VGS1
2VGS 4
VGS1
(2.32)
Rezult:
V REF
2I 1
K
VT
VDD
2VGS 4
VGS1
(2.33)
Pentru simplitate se va presupune c VGS1 i VGS 4 au o dependen neglijabil de

tensiunea de alimentare V DD . I 1 reprezint curentul de dren al tranzistorului T6 :
I1
K
VC VT 2
2
(2.34)
deci este independent de V DD . Rezult:

V
SV DD
REF
V DD
V REF
2I 1
K 2
V DD
VC VT
2VT
0,018
(2.35)
Simularea dependenei tensiunii de referin de tensiunea de alimentare este prezentat n

Figura 2.10c.
Figura 2.10c
68
CAPITOLUL II
Problema 2.11
S se repete problema anterioar pentru circuitul din Figura 2.11a.
VDD
I2
1:1
I3
T3
T2
T4
K
T7
4K
VREF
T6
K
VC
T8
4K
Figura 2.11a
Rezolvare
a.
VREF
2VGS7
VGS 4
2 VT
2I 3
4K
VT
2I 2
K
VT
(2.36)
deoarece I 2 I 3 datorit oglinzii de curent T 2 T 3 . Simularea dependenei de temperatur a

tensiunii de referin este prezentat n Figura 2.11b.
Figura 2.11b
69
CAPITOLUL II
b.
V REF
I3
I2
VDS 3
VDS 2
(VDD 2VGS7 )
1
VGS 2
I3
I2
VREF
VT
2I 2
VDD
K 2
I3
I2
2I 2
K
VT
2VGS7
V
SV DD
REF
V DD
(2.37)
VDD
2VGS7
VGS 2
2VGS7
(2.38)
VGS 2
(2.39)
2
VGS 2
VT
VC
V DD
VC VT
2VT
VT
0,018
VDD
2VGS7
VGS 2
(2.40)
(2.41)
Simularea dependenei tensiunii de referin de tensiunea de alimentare este prezentat n

Figura 2.11c.
Figura 2.11c
70
CAPITOLUL II
Problema 2.12
Se consider referina de tensiune din Figura 2.12a.
VDD
T5
T6
T3
T4
T7
VREF
R2
R1
T1
T2
Figura 2.12a
Tranzistoarele MOS sunt caracterizate de ecuaia general:
ID
K
VGS
2
VT
VDS
(2.42)
R2 10k , VDD 9V , I S 2 100 I S 1 . S se determine:

a. Expresia curentului prin rezistena R1 , considerndu-se toate tranzistoarele NMOS, respectiv
PMOS identice i neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului. Ce dependen de
temperatur prezint acest curent?
b. Expresia tensiunii de referin VREF ca funcie de temperatur n condiiile de la punctul
anterior
c. Neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului, iar tranzistoarele T3 T6 avnd factorii
Se consider R1
de aspect diferii, ce condiie trebuie ndeplinit pentru ca V A VB ?

d. S se determine expresia sensibilitii tensiunii de referin fa de variaiile tensiunii de
alimentare.
Rezolvare
a. Datorit oglinzii de curent T5 T6 , I D3
obine VGS 3 VGS 4 , deci V A V B .
I R1 (T )
V BE1 (T )
V BE 2 (T )
R1
I D4 . Tranzistoarele T3 i T4 fiind identice, se
Vth ln
I C1
I S1
Vth ln
R1
71
IC2
IS2
(2.43)
CAPITOLUL II
dI R1 (T )
dT
I
I
k
ln C 1 S 2
qR1
I C2 I S1
I
k
ln S 2
qR1
I S1
41nA / K
(2.44)
Deoarece I S 2 / I S 1 nu este funcie de temperatur, I R1 va avea o variaie liniar cu

temperatura, pozitiv sau negativ n funcie de valoarea raportului celor doi cureni de saturaie.
Simularea dependenei de temperatur a curentului I R1 este prezentat n Figura 2.12b,
rezultnd o variaie cu temperature a acestuia de 43,13nA / K .
Figura 2.12b
b. T5 T7 formeaz o oglind multipl de curent, deci I D7
efectul de modulare a lungimii canalului), rezultnd:
VREF (T )
I R1 (T ) R2
I
kT R2
ln S 2
q R1
I S1
I D6
I R1 (se neglijeaz
(2.45)
Deoarece R2 / R1 i I S 2 / I S 1 sunt independente de temperatur, tensiunea de referin va fi

o funcie liniar de temperatur. Se pot obine generatoare de tip PTAT, impunndu-se prin
proiectare I S 2 I S 1 sau CTAT, pentru I S 2 I S 1 . De exemplu, pentru I S 2 100 I S 1 , tensiunea
de referin va avea, conform relaiei (2.45) un coeficient de temperatur egal cu 0,4mV / K .
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin este prezentat In Figura 2.13c,
rezultnd u coefiecient de temperatur egal cu 0,44mV / K .
72
CAPITOLUL II
Figura 2.12c
c. Se consider tranzistoarele T3 T6 diferite. Diferena V A V B va avea expresia:
VA
VB
Condiia V A
VGS 4
VGS 3
2 I D4
K4
VT
2 I D3
K3
VT
2 I D4
K4
2 I D3
K3
(2.46)
V B impune:
I D4
I D3
K4
K3
(2.47)
Dar:
I D4
I D3
I D6
I D5
K6
K5
(2.48)
K4 K5
(2.49)
Rezult:
K 3 K6
Deoarece K K ' (W / L) , K ' avnd aceeai expresie pentru toate tranzistoarele, condiia
anterioar devine:
W
L
W
L
W
L
W
L
(2.50)
5
d. Considerarea suplimentar a efectului de modulare a lungimii canalului pentru

tranzistoarele T5 i T6 conduce la modificarea relaiei (2.44) astfel:
73
CAPITOLUL II
I
I
kT
ln C1 S 2
qR1
I C2 I S1
I R1 (T )
I R1 (T )
I R1 (T )
I
I
kT
ln D5 S 2
qR1
I D6 I S 1
I 1
kT
ln S 2
qR1
I S1
I
kT
ln S 2
qR1
I S1
kT
ln 1
qR1
I
kT R2
ln S 2
q R1
I S1
VREF (T )
(V DD
1
(V DD
kT R2
ln 1
q R1
I 1
kT
ln S 2
qR1
I S1 1
VDS 5
VDS6
VGS 3 VBE1 )
VGS6
VGS 3
(VDD
(2.52)
VBE1
VGS 3
(2.51)
VGS6 )
VBE1
VGS6 )
(2.53)
(2.54)
Neglijnd dependena de tensinea de alimentare a tensiunilor VGS 3 , VGS 6 i V BE1 rezult:

V
SV DD
REF
V DD kT R2
V REF q R1
(2.55)
Considernd i relaia (2.45) rezult:
V DD
SV DD
REF
0,0058
I
ln S 2
I S1
(2.56)
Problema 2.13
S se repete problema anterioar pentru referina de tensiune din Figura 2.13 (pentru punctul
d. se vor presupune toate tranzistoarele MOS identice) i s se explice rolul elementelor de circuit
R3 , D1 i D2 .
VDD
T8
T9
D
R3
D2
T5
T6
T3
T4
T2
T1
Figura 2.13
74
T10
VREF
R2
R1
D1
T7
CAPITOLUL II
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare se obine:
I
kT
ln S 2
qR1
I S1
I R1 (T )
(2.57)
b.
V REF (T )
I
kT R2
ln S 2
q R1
I S1
I R1 (T ) R2
(2.58)
c.
K3 K9
(2.59)
K4 K8
d.
I
kT
ln S 2
qR1
I S1
I R1 (T )
VC
VD
VGS 5
I D8
I D9
(2.60)
VGS6
(2.61)
Deoarece T8 i T9 sunt identice, rezult I D8 I D9 , deci I D5 I D6 . T5 i T6 fiind, de

asemenea, identice, rezult VGS 5 VGS6 , deci VC VD 0 . Adic VDS 8 VDS 9 VGS 9 .
I D8
I D9
V REF (T )
I
kT R2
ln S 2
q R1
I S1
VGS 9
VGS 9
kT R2
ln 1 ( 8
q R1
(2.62)
9 ) VGS 9
(2.63)
Rezult:
SV REF
DD
9 )V DD
( 8
d VGS 8
dV DD
I
ln S 2
I S1
deci o important reducere a SV DD prin nlocuirea oglinzii de curent T5

REF
cu oglinda de curent cascod T5 , T6 , T8 , T9 din Figura 2.13.
(2.64)
T6 din Figura 2.12a
Ansamblul format din R3 , D1 i D 2 reprezint circuitul de pornire al referinei de tensiune,

avnd rolul de a scoate circuitul din starea iniial caracterizat prin cureni nuli. nainte de
pornire, V A 0 , R3 i D1 injecteaz un curent nenul n structura referinei. Dup pornirea
circuitului, V A
V BE 1 , iar D 2 decupleaz circuitul de pornire.
75
CAPITOLUL II
Problema 2.14
Se consider referina de tensiune din Figura 2.14a, tranzistoarele T2 i T4 avnd ariile de n
ori mai mari dect cele ale tranzistoarelor T1 i T3 . Se consider R 100k , VDD 9V ,
n 100 .
a. Ce condiie trebuie s existe ntre factorii de aspect ai tranzistoarelor MOS pentru ca V A VB ?
b. S se determine expresia tensiunii de referin
c. Care este condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a acesteia?
VDD
T5
T6
T7
T9
T10
T8
VREF
B
R
I
T3
T1
T2
nA
T4
nA
Figura 2.14a
Rezolvare
a. Similar unei probleme anterioare, condiia V A
W
L
W
L
V B implic:
W
L
W
L
(2.65)
10
b. Funcionarea tranzistoarelor T1 T4 la acelai curent datorit oglinzii multiple T5 T8

permite determinarea curentului I :
VEB1
VEB3
VEB2
R
VEB4
V
2 th ln n
R
(2.66)
echivalent cu obinerea unui coeficient de variaie cu temperature a curentului I exprimat prin:
dI
dT
k
ln n
qR
76
8 nA / K
(2.67)
CAPITOLUL II
Simularea dependenei de temperatur a curentului I este prezentat n Figura 2.14b,

rezultnd un coeficient de variaie cu temperatura de 8,13nA / K .
Figura 2.14b
Deci, tensiunea de referin va avea expresia:
VREF
IR
2VEB4
2Vth ln n
2VEB4
(2.68)
Se obine:
VREF (T ) 2 EG0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
(1
kT
T
ln
q
T0
kT
ln n
q
(2.69)
deoarece toate tranzistoarele funcioneaz la un curent de tip PTAT ( I ).

c. Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin este:
V BE (T0 ) EG0
T0
k
ln n
q
(2.70)
rezultnd:
V REF (T )
2 E G0
(1
77
kT
T
ln
q
T0
(2.71)
CAPITOLUL II
Problema 2.15
Se consider referina de tensiune din Figura 2.15. Toate tranzistoarele MOS i bipolare au
factori de aspect, respectiv arii diferite, iar R3 R4 .
a. S se determine relaia care trebuie s existe ntre factorii de aspect ai dispozitivelor MOS
pentru ca potenialele n punctele A i B s fie egale
b. S se calculeze expresiile dependenelor de temperatur ale curenilor I 3 i I 4
c. In ipoteza identitii tuturor tranzistoarelor MOS, s se determine expresia curentului I 1 i s se
evidenieze dependena de temperatur a acestuia
d. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin
e. Care este condiia realizrii unei corecii de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de
referin?
VDD
T5
T6
T3
T4
I3
T7
I4
A
VREF
R3
R1
R4
R2
I1
T2
T1
Figura 2.15
Rezolvare
a. Diferena de tensiune V A V B are expresia:
VA
VB
VGS 4
VGS 3
VT
2 I D4
K4
VT
2 I D3
K3
2 I D4
1
K4
I D3 K 4
I D4 K 3
(2.72)
Datorit oglinzii de curent T5 T6 se poate scrie:
I D3
I D4
I D5
I D6
K5
K6
(2.73)
rezultnd:
VA
VB
2 I D4
1
K4
Condiia de anulare a diferenei V A V B este:

78
K5 K4
K6 K 3
(2.74)
CAPITOLUL II
K4 K5
(2.75)
K 3 K6
echivalent cu:
W
L
b. Deoarece K 4 K 5
W
L
W
L
W
L
(2.76)
6
V B i rezult:
K 3 K6 , V A
I3
V BE1
I4
(2.77)
R4
c. Expresia curentului I 1 este:
I1
V BE1
V BE 2
I
kT
ln S 2
qR1
I S1
R1
I C1
IC2
(2.78)
Dar:
I C1
I D5
I3
(2.79)
IC2
I D6
I4
(2.80)
i:
Tranzistoarele T5 i T6 fiind identice, I D5
I1
I D6 , deci I C1
I C 2 , rezultnd:
I
kT
ln S 2
qR1
I S1
(2.81)
d. Expresia tensiunii de referin este:
V REF (T ) ( I 1
I 4 ) R2
I
R2 kT
ln S 2
R1 q
I S1
R2
VBE1 (T )
R4
(2.82)
Inlocuind expresia (2.8) a tensiunii baz-emitor, rezult:
VREF (T )
I
R2 kT
ln S 2
R1 q
I S1
R2
E G0
R4
VBE (T0 ) EG0

T
T0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.83)
1 n expresia (2.8) a dependenei de teperatur a tensiunii baz-emitor

S-a considerat
deoarece tranzistorul T1 este polarizat la un curent de colector I 1 de tip PTAT.
e. Corecia de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin implic:
79
CAPITOLUL II
I
k
ln S 2
qR1
I S1
V BE (T0 ) EG0
T0 R4
(2.84)
kT
T
ln
q
T0
(2.85)
rezultnd:
V REF (T )
R2
E G0
R4
(1
Problema 2.16
Se consider referina de tensiune din Figura 2.15. Se cunosc: R1
R2 10k , R3 R4 ,
VDD 6V , VBE (T0 ) 0,6V . Toate tranzistoarele MOS sunt identice, iar cele bipolare au
raportul curenilor de saturaie I S 2 / I S 1 100 .
a. S se evalueze dependena de temperatur a curenilor I 1 , I 3 i I 4
b. S se evalueze dependena de temperatur a tensiunii de referin. Ce valoare trebuie s aib
raportul R4 / R1 pentru a se putea realiza corecia liniar a caracteristicii de temperatur a VREF ?
Rezolvare
Conform relaiei (2.81), dependena de temperatur a curentului I 1 este:
I 1 (T )
(2.86)
AT
A fiind constant n raport cu variaiile temperaturii, A 40nA / K . In urma simulrii din

Figura 2.16a rezult A 42,78nA / K .
b. Realizarea coreciei liniare a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin impune
respectarea relaiei (2.84), rezultnd:
R4
R1
E G0 V BE (T0 )
I
Vth0 ln S 2
I S1
5,01
(2.87)
Raportul R4 / R1 determinat prin simulare are valoarea 4,93 , n acest caz dependena de
temperatur a tensiunii de referin (Figura 2.16b) fiind produs doar de termenul logaritmic din
relaia (2.85).
80
CAPITOLUL II
Figura 2.16a
Figura 2.16b
Alegerea unui raport R4 / R1 inferior valorii determinate prin simulare va conduce la

obinerea unui curent I 4 avnd o variaie de tip CTAT mai puternic dect variaia PTAT a
curentului I 1 , deci corecia liniar a caracteristicii de temperatur asigurat de relaia (2.84) nu
81
CAPITOLUL II
se mai poate realiza, tensiunea de referin avnd o variaie de tip CTAT (Figura 2.16c,
R4 / R1 3 ).
Figura 2.16c
In mod similar, pentru R4 / R1
PTAT (Figura 2.16d).
10 , tensiunea de referin va avea o variaie de tip
Figura 2.16d
82
CAPITOLUL II
Problema 2.17
Se consider referina de tensiune din Figura 2.17. Toate tranzistoarele MOS i diodele sunt
identice, R3 R4 i R5 R6 .
a. S se demonstreze c V A VB , I 3 I 4 i I 5 I 6
b. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 3
c. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 1
d. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin neglijnd efectul curenilor
I 5 i I 6
e. Care este condiia realizrii unei corecii de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de
referin?
f. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 5
d. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin considernd i efectul
curenilor I 5 i I 6 considernd c s-a efectuat corecia de ordin I a caracteristicii de la punctul e.
g. Care este condiia realizrii unei corecii de ordin superior a caracteristicii de temperatur a
tensiunii de referin?
VDD
T5
T6
T7
T9
T3
T4
T8
T10
T1
T2
I5
R5
VREF
C
A
I6
B
I3
R3
R6
I4
I
R4
R1
R2
I1
D1
D3
Dn+2
D2
Figura 2.17
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare toate tranzistoarele MOS fiind identice, V A
Deoarece I 3 V A / R3 , I 4 VB / R4 i R3
Curenii I 5 i I 6 sunt egali pentru c I 5
R5
VB .
R4 , rezult I 3 I 4 .
(V A VC ) / R5 , I 6 (VB VC ) / R6 , V A
R6 .
83
V B i
CAPITOLUL II
b.
VA
R3
I3
V D1
R3
(2.88)
echivalent cu:
I 3 (T )
valoarea constantei
c. Deoarece V A
E G0
R3
V BE (T0 ) EG0
T
R3T0
kT
T
ln
qR3
T0
fiind dat de tipul de polarizare a diodei D1 ( I
(2.89)
ct .T ).
V B , expresia curentului I 1 este:

I 1 (T )
V D1
V D3
kT
I
ln n
qR1
I1
R1
(2.90)
Tranzistoarele MOS fiind identice, curenii de dren ai tranzistoarelor T5 i T6 sunt egali.

Deoarece:
I D5
I3
I5
I D6
I4
I6
(2.91)
I1
rezult:
kT
ln n
qR1
I 1 (T )
(2.92)
d. Neglijnd efectul curenilor I 5 i I 6 , tensiunea de referin va avea expresia:
VREF (T )
(2.93)
I 1 (T ) I 3 (T ) R2
echivalent cu:
V REF (T )
R2
EGO
R3
V BE (T0 ) EG
T
R3TO
kT
T
ln
qR3
TO
kT
ln n
qR1
(2.94)
Deoarece I (T ) I 1 (T ) este un curent de tip PTAT, n relaia anterioar

1 . Pot fi
identificate n expresia tensiunii de referin dou tipuri de dependen de temperatur: liniar
(termenii al doilea i al patrulea) i logaritmic (termenul al treilea).
e. Condiia realizrii unei corecii de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de
referin impune anularea termenului liniar dependent de temperatur din expresia (2.94):
VBE (T0 ) E G0
R3T0
84
k
ln n
qR1
(2.95)
CAPITOLUL II
Expresia tensiunii de referin devine:
V REF (T )
E G0
R3
R2
(1
kT
T
ln
qR3
T0
(2.96)
f.
I5
V D1 V D 2
R5
(2.97)
unde:
V D1 (T )
VBE (TO ) EGO

T
TO
EGO
kT
T
ln
q
TO
(2.98)
kT
T
ln
q
T0
(2.99)
i:
V D2 (T )
V BE (T0 ) EG0
T
T0
EG0
'
' fiind impus de dependena de temperatur a curentului de polarizare a diodei D2 , I ' (T ) .

Deoarece corecia de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin a fost deja
realizat, dependena de temperatur a curentului I ' este foarte redus, deci poate fi considerat,
cu o bun aproximaie, ' 0 . Din cele trei relaii anterioare rezult:
I 5 (T )
kT
T
ln
qR5
T0
(2.100)
g. Considernd i efectul celor doi cureni de corecie I 5 i I 6 , expresia tensiunii de

referin devine:
VREF (T )
I 1 (T ) I 3 (T ) I 5 (T ) R2
(2.101)
rezultnd:
V REF (T )
R2
E G0
R3
1
R3
1 kT
T
ln
R5 q
T0
(2.102)
Devine, astfel, posibil i anularea termenului logaritmic dependent de temperatur din

expresia V REF (T ) . Condiia realizrii unei corecii de ordin superior a caracteristicii de
temperatur a tensiunii de referin este:
1
R3
1
R5
85
(2.103)
CAPITOLUL II
echivalent cu:
R3
R5
(2.104)
R2
E G0
R3
( 2.105)
i:
V REF (T )
Problema 2.18
VDD
T4
T3
T5
IO
VC
T1
T2
T6
T7
VREF
T8
Figura 2.18
Presupunnd tranzistoarele
T1
T4 diferite, s se determine expresia VREF
VC . Se va
neglija efectul Early. Ce avantaj prezint acest circuit fa de alte generatoare PTAT?
Rezolvare
V REF
VC
V BE 2
V BE1 Vth ln
I C2 I S1
I C1 I S 2
(2.106)
Dar:
IC2
I C1
I C4
I C3
86
I S4
I S3
(2.107)
CAPITOLUL II
Deci:
V REF
VC
Vth ln
I S1 I S 4
I S2 I S3
(2.108)
Raportul a doi cureni de saturaie nu depinde de temperatur i este egal cu raportul ariilor
celor dou tranzistoare:
V REF
VC
Vth ln
A1 A4
A2 A3
(2.109)
Deci, circuitul implementeaz un generator de tip PTAT sau CTAT, dup cum A1 A4 este mai
mare sau mai mic dect A2 A3 . Avantajul acestui circuit fa de alte realizri posibile ale
generatoarelor de tensiune PTAT i CTAT este utilizarea exclusiv a dispozitivelor active bipolare
i MOS, deci reducerea suprafeei circuitului i mbuntirea preciziei acestuia (mperecherea
parametrilor tranzistoarelor este mai bun dect cea a valorilor a dou rezistoare).
Problema 2.19
S se repete problema anterioar pentru circuitul din Figura 2.19. Toate tranzistoarele MOS
funcioneaz n inversie slab, fiind caracterizate prin urmtoarea dependen a curentului de dren
de tensiunea gril-surs:
ID
I D0
V
VT
W
exp GS
L
nVth
(2.110)
VDD
T4
T3
T5
IO
VC
T1
T2
T7
T6
Figura 2.19
87
VREF
T8
CAPITOLUL II
Rezolvare
V REF VC
VREF
VC
VGS 2 VGS1
VT
I
(W / L) 1
nkT
ln D 2
q
I D1 (W / L) 2
deoarece VGS 3
I D2
nkT
ln
q
I D0 (W / L) 2
VT
I
(W / L) 1
nkT
ln D4
q
I D3 (W / L) 2
I D1
nkT
ln
q
I D0 (W / L) 1
(2.111)
(W / L) 1 (W / L) 4
nkT
(2.112)
ln
q
(W / L) 2 (W / L) 3
VGS 4 .
Problema 2.20
a. S se determine expresia tensiunii de referin
b. Ce condiie trebuie ndeplinit pentru ca tensiunea de referin s aib o dependen redus de
temperatur?
VDD
T6
T7
T4
T5
T8
VREF
R2
R1
I
T1
T2
T3
Figura 2.20
Rezolvare
a. Principiul de baz al acestui circuit este compensarea dependenei negative de temperatur
a tensiunii V BE 3 prin tensiunea de tip PTAT existent la bornele rezistenei R 2 . Exist dou
posibiliti de proiectare a referinelor de tensiune de acest tip.
Prima posibilitate utilizeaz tranzistoarele T1 i T2 identice i oglinda de curent T6 T7 cu
factor de transfer supraunitar, ( W / L )6 ( W / L )7 . Pentru ca potenialele punctelor A i B s fie
egale, este necesar ca VGS 4 VGS 5 . Considernd o funcionare n saturaie a tranzistoarelor
MOS, se obine urmtoarea condiie de proiectare:
88
CAPITOLUL II
( W / L )4
( W / L )5
( W / L )6
( W / L )7
(2.113)
A doua posibilitate const n impunerea unui factor de transfer unitar oglinzii de curent T6 T7 .
Curenii de dren ai tranzistoarelor T4 i T5 fiind egali, condiia VA VB implic
( W / L )4 ( W / L )5 . Asimetria controlat este realizat de tranzistoarele T1 i T2 , I S 2 I S 1 .
Este posibil, evident, i proiectarea unei versiuni cu asimetrie dubl, datorat ambelor perechi
de tranzistoare, util pentru obinerea unui coeficient de temperatur al curentului PTAT de
valoare ridicat. In tehnologia CMOS, ns, obinerea tranzistoarelor bipolare ca dispozitive
parazite necesit utilizarea unei suprafee de siliciu mult mai mari dect cea aferent unui
tranzistor MOS, preferndu-se utilizarea unor tranzistoare bipolare cu arie ct mai redus.
Se va studia prima posibilitate de proiectare, considerndu-se respectat relaia (2.113). Expresia
tensiunii de ieire a referinei de tensiune bandgap este:
(W / L) 6
R2
Vth ln
R1
(W / L)7
V REF (T ) V BE 3 (T )
(2.114)
b. Considernd o dependen de temperatur a tensiunii baz-emitor exprimat prin relaia:
V BE (T )
E G0
V BE (T0 ) EG0
T
T0
kT
T
ln
q
T0
(2.115)
condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur din expresia (2.114) este:
V BE (T0 ) EG0
(W / L) 6
R2
Vth0 ln
(W / L)7
R1
(2.116)
rezultnd o tensiune de ieire a referinei de tensiune bandgap cu corecie de ordin I a

caracteristicii exprimat prin:
V REF (T )
E G0
kT
T
ln
q
T0
Deoarece tranzistorul T3 funcioneaz la un curent de colector de tip PTAT ,
V REF (T )
E G0
(1
89
kT
T
ln
q
T0
(2.117)
1 , deci:
(2.118)
CAPITOLUL II
Problema 2.21
Se consider referina de tensiune din Figura 2.20. Toate tranzistoarele MOS sunt
caracterizate de ecuaia general:
ID
Se consider VBE (T0 )
0,6V , R1
K
VGS
2
10k
VT
, VDD
9V , I S 2
(2.119)
100 I S 1 . S se determine:
a. Dependena de temperatur a curentului prin rezistena R1

b. Dependena de temperatur a tensiunii de referin VREF . Ce relaie trebuie s existe ntre
rezistenele din circuit pentru realizarea coreciei liniare a caracteristicii de temperatur a tensiunii
de referin?
Rezolvare
Expresia dependenei de temperatur a curentului prin rezistena R1 este:
I R1 (T )
I
kT
ln S 2
qR1
I S1
(2.120)
deci un coeficient de temperatur al acestui curent de aproximativ 40,1nA / K . Simularea

dependenei de temperatur a curentului I R1 este prezentat n Figura 2.21a, rezultnd
TCI R1
40,1nA / K
Figura 2.21a
90
CAPITOLUL II
b. Condiia de realizare a coreciei liniare a caracteristicii de temperatur a tensiunii de

referin este:
V BE (T0 )
EG0
I
R2
Vth0 ln S 2
R1
I S1
(2.121)
echivalent cu:
R2
R1
E G0 V BE (T0 )
I
Vth0 ln S 2
I S1
5,01
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin pentru R2 / R1

Figura 2.21b
91
(2.122)
5,7 este
CAPITOLUL II
Problema 2.22
Se consider generatorul de tensiune de tip PTAT din Figura 2.22. S se determine expresia
dependenei de temperatur a curentului I . Ce rol are amplificatorul operaional?
VDD
T3
T4
- +
I1
T2
nA
T1
A
Figura 2.22
Rezolvare
I (T )
Raportul
IC1 / IC2
V BE1 (T )
V BE 2 (T )
R
I
I
kT
ln C1 S 2
qR
I C2 I S1
(2.123)
poate fi determinat considernd o funcionare n saturaie a
tranzistoarelor T3 i T4 :
I C1
IC2
K3
(V SG 3 VT ) 2 (1
2
K4
(V SG 4 VT ) 2 (1
2
V SD3 )
(2.124)
V SD 4 )
Deoarece tranzistoarele oglinzii de curent sunt identice i funcioneaz la tensiuni drensurs egale impuse de amplificatorul operaional, raportul anterior va fi unitar, deci:
I (T )
kT
ln n
qR
92
(2.125)
CAPITOLUL II
Introducerea amplificatorului operaional este, deci, necesar pentru eliminarea efectului de

modulare a lungimii canalului prin meninerea tensiunilor dren-surs egale pentru cele dou
tranzistoare PMOS T3 i T4 .
Observaie: tensiunea de offset a amplificatorului operaional i, mai mult, variaia cu
temperatura a acesteia vor afecta corecia caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin.
Problema 2.23
Se consider referina de tensiune din Figura 2.23. S se deduc expresia dependenei de
temperatur a tensiunii de referin.
R2
R1
R3
VREF
T1
T2
R4
R5
IO
Figura 2.23
Rezolvare
V REF
R3
R4
R4
R5
V BE1 V BE 2
Deoarece amplificatorul operaional este ideal, I C1 R1
V REF
R3
Vth ln
I C1
IC2
(2.126)
I C2 R2 , deci:
R5 kT
R
ln 2
R4
q
R1
(2.127)
Dependena de temperatur a tensiunii de referin este liniar, pozitiv sau negativ dup
cum R 2 este mai mare sau mai mic dect R1 .
93
CAPITOLUL II
Problema 2.24
Se consider circuitul din Figura 2.24a.
a. S se determine expresia tensiunii de ieire
b. Ce condiie trebuie ndeplinit pentru corecia de ordin I a caracteristicii?
R1
R2
I1
I2
+
VREF
R3
T2
T1
Figura 2.24a
Rezolvare
Expresia curentului I 1 poate fi determinat astfel:
I1
V BE 2
V BE1
R3
I
kT
ln 2
qR3
I1
Deoarece amplificatorul operaional este ideal, I 1 R1
I1
(2.128)
I 2 R2 . Rezult:
R
kT
ln 1
qR3
R2
(2.129)
Tensiunea de referin va avea expresia:
VREF (T )
(2.130)
I 1 (T ) R1 VBE 2 (T )
Considernd dependena de temperatur a tensiunii baz-emitor exprimat prin relaia (2.8),

cu
1 deoarece tranzistorul T2 este polarizat la un curent de tip PTAT, se obine:
VREF (T )
R
kT R1
ln 1
q R3
R2
E G0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.131)
Condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur din expresia tensiunii de

referin este:
R
k R1
ln 1
q R3
R2
V BE (T0 ) EG0
T0
94
(2.132)
CAPITOLUL II
rezultnd:
V REF (T )
E G0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.133)
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin pentru valorile rezistenelor

rezultate din relaia (2.132) care asigur realizarea coreciei liniare a caracteristicii de
temperatur a VREF ( R1 9,25k , R2 R3 1k ) este prezentat n Figura 2.24b.
Figura 2.24b
Problema 2.25
Se consider circuitul din Figura 2.25a.
Rezolvare
Considernd o amplificare n curent mare a celor trei tranzistoare, tensiunea de referin
poate fi exprimat astfel:
VREF (T )
I (T )( R3
R4
R5 ) VBE3 (T )
(2.134)
I
kT
ln 1
qR4
I2
(2.135)
Expresia curentului I este:
I (T )
V BE1 (T ) VBE 2 (T )
R4
95
CAPITOLUL II
R3
R1
R2
I1
I2
+
VREF
T1
T2
R4
R5
IO
T3
Figura 2.25a
Deoarece amplificatorul operaional este ideal, I 1 R1
V REF (T ) VBE 3 (T )
R3
I 2 R2 . Rezult:
R5 kT
R
ln 2
R4
q
R1
(2.136)
Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a referinei de tensiune

1 ) implic:
R3
R5 k
R
ln 2
R4
q
R1
VBE (T0 ) EG0

T0
(2.137)
rezultnd:
V REF (T )
E G0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.138)
Simularea dependenei de temperatur a tensiunii de referin pentru valorile rezistenelor

rezultate din relaia (2.137) care asigur realizarea coreciei liniare a caracteristicii de
temperatur a VREF ( R1 R4 R5 1k , R2 10k , R3 9k ) este prezentat n
Figura 2.25b.
96
CAPITOLUL II
Figura 2.25b
Problema 2.26
R1
R2
+
VREF
R3
I1
T1
R6
T2
I2
R4
A
R5
R7
Figura 2.26
97
CAPITOLUL II
Rezolvare
Considernd o amplificare n curent mare a celor trei tranzistoare, potenialul punctului A
poate fi exprimat astfel:
V A (T ) VBE 2 (T ) ( I 1
(2.139)
I 2 )(T ) R5
Expresia curentului I 1 este:
I
kT
ln 2
qR4
I1
Deoarece amplificatorul operaional este ideal, I 1 R1 I 2 R2 . Rezult:
I 1 (T )
VBE 2 (T ) VBE1 (T )
R4
R
kT
ln 1
qR4
R2
I 1 (T )
(2.140)
(2.141)
i:
I 2 (T )
R
kT R1
ln 1
qR4 R2
R2
(2.142)
deci:
R5
1
R4
V A (T ) V BE 2 (T )
R1 kT
R
ln 1
R2 q
R2
(2.143)
Neglijnd curenii de baz, se poate scrie:
VA
V REF
R7
R6
(2.144)
R7
rezultnd:
VREF (T )
R6
R7
V BE 2 (T )
R5
1
R4
R1 kT
R
ln 1
R2 q
R2
(2.145)
Corecia liniar a caracteristicii este:
R5
R1 k
R
ln 1
1
R4
R2 q
R2
rezultnd:
98
V BE (T0 ) EG0
T0
(2.146)
CAPITOLUL II
V REF (T )
R6
R7
E G0
kT
T
ln
q
TO
(2.147)
deoarece tranzistoarele T1 i T2 sunt polarizate la un curent de tip PTAT , deci

1 n relaia
(2.8). Avantajul circuitului este posibilitatea obinerii unei tensiuni de referin egale cu un
multiplu variabil al energiei benzii interzise a siliciului, EG0 1,2V . Reglarea valorii VREF se
realizeaz modificnd n mod corespunztor raportul R6 / R7 , independent de temperatur.
Problema 2.27
Se consider referina de tensiune din Figura 2.27. S se determine expresia tensiunii de
referin. Care este condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a acesteia?
R1
R1
VREF
R2
I
T2
A
T4
nA
T1
A
T3
nA
Figura 2.27
Rezolvare
Curenii de colector ai celor dou tranzistoare sunt egali:
V
V EB3
2 EB1
R2
V
2 th ln n
R2
(2.148)
deci:
VREF (T )
I ( R1
R2 )
2VEB3 (T ) 2 1
99
R1
Vth ln n
R2
2VEB3 (T )
(2.149)
CAPITOLUL II
Se obine:
V REF (T )
2 E G0
V BE (T0 ) EG0
T (1
T0
kT
T
ln
q
T0
R1 kT
ln n
R2 q
(2.150)
deoarece toate tranzistoarele funcioneaz la un curent de tip PTAT ( I ). Condiia de corecie de

ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin este:
V BE (T0 ) EG0
T0
R1 k
ln n
R2 q
(2.151)
rezultnd:
V REF (T )
2 E G0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.152)
Problema 2.28
Se consider referina de tensiune din Figura 2.28. S se determine expresia tensiunii de
referin. Care este condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a acesteia?
VDD
T6
T5
T7
T8
VREF
I
R
T1
T2
T4
nA
T3
nA
Figura 2.28
100
CAPITOLUL II
Rezolvare
Funcionarea tranzistoarelor T1 T4 la acelai curent datorit oglinzii multiple T5 T8
permite determinarea curentului I :
VEB1
VEB2
VEB3
VEB4
V
2 th ln n
R
(2.153)
2Vth ln n
2VEB4
(2.154)
Deci, tensiunea de referin va avea expresia:
VREF
IR
2VEB4
Se obine:
V REF (T )
2 E G0
V BE (T0 ) EG0
T (1
T0
kT
T
ln
q
T0
kT
ln n
q
(2.155)
Constanta din relaia (2.8) are valoarea

1 deoarece toate tranzistoarele funcioneaz
la un curent I de tip PTAT. Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a
tensiunii de referin este:
V BE (T0 ) EG0
T0
k
ln n
q
(2.156)
rezultnd:
V REF (T ) 2 EG0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.157)
Avantajul utilizrii amplificatorului operaional este fixarea unor tensiuni dren-surs egale
pentru tranzistoarele T6 i T7 care formeaz oglinda de curent MOS, obinndu-se, astfel,
eliminarea erorilor introduse de efectul de modulare a lungimii canalului. In plus,
VDS 5 VDS 8 VDD VEB , deci efectul de modulare a lungimii canalului nu va influena
funcionarea oglinzii de curent T5
T8 .
Problema 2.29
Se consider referina de tensiune de tip AD 680 (Analog Device) realizat n tehnologie
bipolar (Figura 2.29). S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia tensiunii
de referin.
Rezolvare
Principiul de funcionare al circuitului din Figura 2.29 este clasic, bazndu-se pe
compensarea variaiei cu temperatura a tensiunii baz-emitor a tranzistorului T12 prin nsumarea
cu tensiunea PTAT existent la bornele rezistenei R 2 , multiplicat de combinaia R2 R3 .
Reglarea rezistenelor R4 R5 permite obinerea valorii dorite a tensiunii de referin, rezultatul
fiind o tensiune de referin precis i stabil fa de variaiile temperaturii, tensiunii de
alimentare sau curentului de sarcin.
101
CAPITOLUL II
VDD
T9
T8
T11
T3
T4
T5
T1
A
VREF
R2
T2
R4
8A
R3
T12
T10
T6
T7
R5
R1
Figura 2.29
Datorit oglinzii de curent T3 T4 (tranzistoare identice), curenii de colector ai
tranzistoarelor T1 i T2 sunt egali, deci expresia curentului prin rezistena R 2 va fi:
I R2
V BE1
V BE 2
Vth ln
R2
IS2
I S1
Vth
ln 8
R2
R2
(2.158)
Expresia tensiunii la bornele rezistenei R4 este, deci:
U R4
V BE12
I R 2 ( R2
Datorit divizorului de tensiune R4
V REF
R5
R4
R3 ) V BE12
R3
Vth ln 8
R2
(2.159)
R5 , tensiunea de referin va avea expresia:
VBE12
R3
Vth ln 8
R2
(2.160)
S-a considerat curentul de baz al tranzistorului T2 neglijabil n raport cu cel prin rezistena
R 2 care, la rndul su, este mult mai mic dect curentul prin divizorul de tensiune R4 R5 . Se
obine n urma aplicrii condiiei de corecie de ordin I a caracteristicii:
V REF (T )
R5
R4
E G0
102
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.161)
CAPITOLUL II
Problema 2.30
Se consider referina de tensiune de tip LM 185 (National Semiconductor) realizat n
tehnologie bipolar (Figura 2.30). Tranzistorul T10 are aria de 8 ori mai mare dect cea a
tranzistorului T11 . S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia tensiunii de
referin.
VREF
R1
R6
T13
T12
T4
T7
T3
T11
R7
T1
T10
T2
R5
R8
T5
T9
T6
R2
R3
T14
T8
R4
Figura 2.30
Rezolvare
Structura referinei de tensiune este clasic, o tensiune PTAT fiind nsumat cu o tensiune
avnd un coeficient de temperatur negativ ( VEB14 ). Exist o valoare a temperaturii la care cele
dou tendine se compenseaz, n jurul acestei temperaturi, coeficientul termic al tensiunii de
referin avnd valori foarte reduse. Tensiunea la bornele rezistenei R7 are expresia:
VR7
VBE11 VBE10
Vth ln 8
(2.162)
Expresia tensiunii de referin va fi, deci:
V REF
V EB14
R6
R8
R7
Vth ln 8
(2.163)
rezultnd, dup corecia de ordin I a caracteristicii de temperatur:
V REF (T )
E G0
(1
kT
T
ln
q
T0
deoarece tranzistorul T14 este polarizat la un curent de colector de tip PTAT.
103
(2.164)
CAPITOLUL II
Problema 2.31
Se consider referina de tensiune de tip LT 1009 (Linear Tech), realizat n tehnologie
bipolar (Figura 2.31). S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia tensiunii
de referin.
VREF
T11
T12
T11
R1
R1
R2
T3
T4
T1
T7
T5
T8
R3
T6
T2
T9
R4
T10
T13
T14
R5
Figura 2.31
Rezolvare
Referina de tensiune de tipul LT 1009 este o referin bandgap care utilizeaz dou etaje de
amplificare difereniale ( T1 T2 , T3 T4 ), precum i dou etaje realizate cu tranzistoarele T7 i
T8 pentru reducerea rezistenei de ieire. Al doilea etaj diferenial are ca sarcin activ oglinda
de curent T5 T6 , fiind polarizat prin intermediul oglinzii de curent T9 T10 . Oglinda de curent
T11 T11' asigur polarizarea celor dou etaje difereniale.
Tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor T3 i T4 sunt egale deoarece tranzistoarele sunt
identice i funcioneaz la acelai curent de colector datorit oglinzii de curent T5 T6 . Prin
urmare, tensiunile la bornele celor dou rezistoare R1 sunt egale, deci I C1
bornele rezistenei R3 va avea, deci, expresia:
V R3
Vth ln
I C2 . Tensiunea la
I S2
I S1
(2.165)
iar expresia tensiunii de referin este:
V REF (T )
R2
R4
R3
Vth ln
104
IS2
I S1
V BE12 (T ) V BE14 (T )
(2.166)
CAPITOLUL II
Impunnd condiia de corecie de ordinul I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de

referin se obine:
V REF (T )
2 E G0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.167)
Problema 2.32
Se consider referina de tensiune de tip LM 136 (National Semiconductor) realizat n
tehnologie bipolar (Figura 2.32). S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia
tensiunii de referin.
VREF
T9
T9
T17
R1
R5
R6
R7
T8
T7
T16
T2
I
T4
T1
R8
T6
T10
T11
T3
T15
R10
T5
T12
T13
T14
T18
R2
R3
Figura 2.32
Rezolvare
Utilizarea sursei de curent n X T10 T13
pentru polarizarea nucleului referinei de
tensiune T15 T16 permite o reducere important a dependenei tensiunii de referin de

tensiunea de alimentare. Expresia curentului de polarizare I este:
V BE11 V BE12 V BE10 V BE13

R2
Vth
I
I
I
I
ln C11 C12 S 10 S 13
R2
I C10 I C13 I S 11 I S 12
Vth
I
I
ln S 10 S 13 (2.168)
R2
I S 11 I S 12
deci independent de tensiunea de alimentare. Deoarece I C15 R5 I C16 R6 ( VBE7 VBE8 pentru
c tranzistoarele T7 i T8 sunt identice i polarizate la cureni de colector egali impui de
oglinda de curent T4 T6 ), tensiunea la bornele rezistenei R8 va avea expresia:
105
CAPITOLUL II
V R8
Vth ln
R5
R6
Vth ln
R5
R6
(2.169)
iar tensiunea de referin va fi:
V REF
R7
R10
R8
V BE17
(2.170)
V BE18
Impunnd condiia de corecie de ordinul I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de

referin se obine:
V REF (T )
2 E G0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.171)
Problema 2.33
Se consider circuitul de stabilizare termic din Figura 2.33a. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine temperatura de declanare a stabilizrii termice. Se cunosc
VZ
7,5V , VBE
TCVBE
20 o C , AT 7 / AT 7 '
0,65V la t
1,56 mV / o C , iar
0,3 , VDD
15V , TCVZ
3,78mV / o C ,
suficient de mare.
VDD
R
T 5
T5
T2
T1
T8
T6
R3
2k
T7
T 7
R1
11,2k
R4
2k
R5
4,2
T3 T4
R2
1K
D1
Figura 2.33a
106
D2
CAPITOLUL II
Rezolvare
In vederea obinerii unui coeficient de temperatur de valoare ct mai sczut, o posibilitate
este limitarea domeniului maxim de variaie a temperaturii cipului. T4 este tranzistorul de
blocare termic care controleaz puterea disipat pe capsul prin comanda etajului Darlington
T1 T2 . Ori de cte ori temperatura capsulei este mult mai mic dect temperatura de echilibru,
tranzistorul T1 este n conducie puternic, curentul prin circuit fiind limitat doar de circuitul de
limitare realizat cu T3 i elementele aferente. Pentru temperaturi mici, cderea de tensiune pe
R2 nu este suficient pentru a deschide tranzistorul T4 . Pe msur ce temperatura crete, T4
ncepe s conduc, T1 comut n blocare, ceea ce produce o scdere a puterii disipate i, deci, a
ratei de cretere a temperaturii. Rezultatul acestei bucle de reacie va fi o caracteristic de
temperatur care tinde asimptotic spre temperatura de echilibru.
Circuitul de termostatare este format din T4 ,T6 ,T'7 , R1 , R2 i dioda Zener D1 . Valorile
rezistenelor R1 i R2 sunt astfel alese nct s rezulte o tensiune la bornele rezistenei R2 de
valoare:
VR2
V Z 2V BE
R2
R1 R2
0,508V
(2.172)
Aceast valoare a tensiunii V R 2 care se obine pentru o temperatur a capsulei de 20 o C este

insuficient pentru deschiderea tranzistorului T4 . T7 T '7 este un tranzistor PNP lateral
A
0,3 . Deci curentul prin colectorul lui T7 va fi de circa
A'
150 A (valoare suficient pentru a comanda etajul Darlington la un curent de lucru limitat doar
multicolector, avnd raportul ariilor
de T3 ). La o tensiune de lucru de 15V , aceasta nseamn o putere disipat relative mare care,
lund n considerare impedana termic de mic a materialului din care este realizat capsula, ar
produce o cretere puternic a temperaturii capsulei, dac nu ar exista bucla de reacie. Pe
msur ce temperatura crete, innd cont de faptul c dioda Zener are un coeficient de
temperatur pozitiv ( 3,78mV / K ), iar tensiunea baz-emitor unul negativ ( 1,56 mV / K ),
cderea de tensiune pe rezistena R2 va crete cu o rat:
1k
12,2 k
3,78 mV / K
2 1,56 mV / K
0,56 mV / K
(2.173)
Totodat, creterea temperaturii are ca efect scderea tensiunii de deschidere a tranzistorului

T4 . Ca un rezultat al celor dou tendine, considernd c tensiunea de deschidere a lui T4 este de
650mV la temperatura de 20 o C , acesta se va deschide pentru o variaie de temperatur fa de

20 o C de valoare:
650 508 mV
0,56 1,56 mV / o C
67 o C
(2.174)
In consecin, temperatura de echilibru va fi :
t ech
20 o C
107
87 o C
(2.175)
CAPITOLUL II
T8 , R i dioda D2 formeaz circuitul de pornire. Dup intrarea diodei D1 n regim de

stabilizare, T8 se blocheaz i deconecteaz circuitul de pornire. Curentul prin T5 este controlat
de D1 , T6 , T '7 , R1 i R2 , fiind independent de tensiunea de alimentare. Folosirea acestui
circuit cu autopolarizare are ca efect obinerea unei tensiuni de referin aproximativ
independente de variaiile tensiunii V DD .
Simulrile SPICE I C4 (T ) i I C3 (T ) sunt prezentate n Figurile 2.33 b i c.
Figura 2.33b
Figura 2.33c
108
CAPITOLUL II
Problema 2.34
Se consider referina de tensiune din Figura 2.34, curentul I 1 avnd o variaie de tip PTAT.
S se determine expresia tensiunii de referin n ipoteza realizrii coreciilor de ordin I i de ordin
superior ale caracteristicii de temperatur. Se va considera valoarea eproximativ
4.
VDD
I1
VREF
I2
I1
R2
R1
Figura 2.34
Rezolvare
Tensiunea de referin are expresia:
VREF (T )
(2.176)
I1 (T ) R1 4VBE ( I 1 ) 3VBE ( I 2 )
Considernd expresia (2.8) a dependenei de temperatur a tensiunii baz-emitor, se obine:
VREF (T )
AR1T
EG0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
41
3a
kT
T
ln
q
T0
(2.177)
deoarece tensiunile baz-emitor ale celor dou ramuri au expresii diferite ca o consecin a
polarizrii tranzistoarelor bipolare la cureni cu dependene diferite de temperatur ( I1 (T ) AT ,
I 2 (T )
VREF (T ) / R2
BT a ). Dar:
41
3a
3a
3a
(2.178)
Curentul I 2 va avea, deci, o variaie foarte redus cu temperatura, produs doar de termenul
logaritmic din expresia (2.177), termenul liniar fiind deja anulat ca o consecin a aplicrii
corecie de ordin I a caracteristicii, VBE (T0 ) EG0 AT0 R1 0 . Deci, a 0 , rezultnd:
VREF (T )
109
EG0
(2.179)
CAPITOLUL II
Problema 2.35
Se consider referina de tensiune din Figura 2.35. Tranzistoarele bipolare au ariile n raportul
A2 / A1 n . Curentul I 3 are expresia I 3 (T ) CT 2 . S se determine expresia dependenei de

temperatur a tensiunii de referin n condiiile coreciei de ordin I i a coreciei de ordin superior
a caracteristicii de tempereatur a acesteia.
VDD
VREF
T1
T2
R
I1
I2
R1
I3
R2
Figura 2.35
Rezolvare
Expresia curentului I 2 este:
I 2 (T )
kT
ln n
qR
(2.180)
Tensiunea de referin va avea urmtoarea dependen de temperatur:
VREF (T ) VBE1 (T ) 2I 2 (T ) R1
2 I 2 (T )
I 3 (T ) R2
(2.181)
echivalent cu:
VREF (T )
R1
R2
2k
ln n T
qR
CR2T 2
EG0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.182)
Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin este:
110
CAPITOLUL II
R1
R2
VBE (T0 ) EG0

T0
2k
ln n
qR
(2.183)
rezultnd:
VREF (T )
CR2T 2
EG0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.184)
Ultimul termen al expresiei anterioare poate fi dezvoltat n serie Taylor limiatat la termenul
de ordin III n jurul valorii T T0 :
T ln
T
T0
T ln
T T0
2T0
T T0
T
T0
T0
3
T T0
(2.185)
6T02
T2
T0
T
2
T3
(2.186)
6T02
Expresia tensiunii de referin devine:
VREF (T ) CR2T
EG0
kT
1) 0
3q
kT
1)
2q
(1
kT 2
)
qT0
1)
kT 3
6 qT02
(2.187)
Condiia (2.183) de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de

referin trebuie ajustat pentru a permite i compensarea temenului liniar din relaia (2.187),
rezultat n urma dezvoltrii n serie Taylor limitat a funciei (2.185):
R1
R2
2k
ln n
qR
k
2q
1)
VBE (T0 ) EG0

T0
(2.188)
Condiia de corecie de ordin superior a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin

este:
CR2
(1
k
qT0
(2.189)
rezultnd:
V REF (T )
EG0
1)
kT0
3q
1)
kT 3
6 qT02
E G0
1)
kT 3
6 qT02
(2.190)
Dependena de temperatur a tensiunii de referin va fi dat doar de termenii de ordin mai

mare sau egal cu trei ai dezvoltrii n serie Taylor, avnd valori mult mai mici dect EG0 .
111
CAPITOLUL II
Problema 2.36
Se consider referina de tensiune din Figura 2.36. Curentul I 3 este impus din exterior i are o
variaie de tip PTAT.
a. S se determine expresiile dependenelor de temperatur ale curenilor I 1 i I 2
b. Ce condiie trebuie s ndeplineasc elementele circuitului pentru a se realiza corecia de ordin I
a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin VREF ?
c. Dar pentru corecia de ordin superior a caracteristicii?
d. S se determine expresia dependenei de temperatur a tensiunii de referin
VDD
T7
T3
T4
I3
I3
T8
T9
T5
T6
I3
I3
R2
I1
VREF
I2
T1
R3
T2
R1
Figura 2.36
Rezolvare
a. Expresia curentului I1 este:
I 1 (T )
V BE1 (T )
R1
1
EG0
R1
V BE (T0 ) EG0
T
T0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.191)
deoarece curentul I 3 are o variaie de tip PTAT.

Curentul I 2 are urmtoarea expresie:
I2
constanta
I1 2 I 2
VBE1 V BE 2
R2
kT
T
ln
qR2
T0
(2.192)
modelnd dependena de temperatur a curentului de colector al tranzistorului T2 ,
I 3 . Dar:
112
CAPITOLUL II
I1
I2
I3
AT
kT
T
ln
qR2
T0
1
EG0
R1
VBE (T0 ) EG0

T
T0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.193)
b, c. Deoarece VREF
I1 I 2 I3 R3 , condiiile de corecie (de ordin I i de ordin superior)
ale caracteristicii de temperatur ale tensiunii de referin sunt identice cu cele impuse curentului
I1 I 2 I 3 , deci:
V BE (T0 ) EG0
R1T0
(2.194)
(corecia de ordin I a caracteristicii) i:
R2
(2.195)
E G0
R1
(2.196)
R3
R1
(2.197)
R1
(corecia de ordin superior a caracteristicii), rezultnd:
I1
I2
I3
d.
VREF
EG0
Observaie: Se poate presupune, cu o bun aproximaie,

este polarizat la un curent de colector I1 2 I 2
temperatura:
I1 2 I 2
I3
EG0
R1
I3
0 , deoarece tranzistorul T2
avnd o variaie foarte redus cu
2
kT
T
ln
qR2
T0
(2.198)
Problema 2.37
Se consider referina de tensiune din Figura 2.37a. Cele trei oglinzi de curent au factori de
transfer unitari, iar blocul Sumator implementeaz funcia I C I 3 I 4 . Realizarea concret a
blocului Circuit PTAT3, PTAT4 este prezentat n Figurile 2.37 b-e. Toate tranzistoarele bipolare
din circuit au ariile egale, cu excepia tranzistorului T5 care are aria de n 1 ori mai mare dect a
celorlaltor tranzistoare. Constanta se consider egal cu 3 .
113
CAPITOLUL II
VDD
T1
T2
Oglind de curent T3
I1
I1
I1
T4
Sumator
T7
I3
I4
IC
I0
T8
T5
T6
VREF
Circuit PTAT , PTAT
R1
R4
R2
R3
T9
I0
I0
I0
I1
I1
Oglind de
curent
Oglind de curent
Figura 2.37a
VDD
VDD
I1
I1
T4
T5
T1
T1
T6
T2
T2
T5
I3
T3
T6
I0
T3
T8
I0
T4
Figura 2.37b, c
114
I4
T7
CAPITOLUL II
VDD
VDD
I1
I1
I2
I2
I2
T3
T7
T3
T5
T1
I3
T4
T7
T5
T1
T8
T2
I4
T4
T6
I0
I2
T2
I1
T8
T6
I0
I0
Figura 2.37d, e
a. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 1 din Figura 2.37a

b. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 0 din Figura 2.37a. Se
presupune ndeplinit condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur
c. Neglijnd dependena de temperatur a curentului I 0 s se determine expresia dependenei de
temperatur a curenilor I 3 i I 4 , att pentru circuitele din Figurile 2.37 b-c, ct i pentru cele din
Figurile 2.37 d-e. Ce avantaj prezint ultimele dou implementri posibile ale curenilor de tip I 3
i I 4 da de primele dou?
d. S se evalueze cantitativ expresia VREF (T )
e. Considerndu-se o valoare uzual a constantei
3 i o variaie T T0 de valoare foarte
redus, T0 fiind temperatura de referin, s se determine condiia de corecie de ordin I a

caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin. Ce expresie va avea VREF (T ) dup
efectuarea acestei corecii?
Rezolvare
a. Curentul I 1 are expresia:
I1
V BE6
V BE 5
R1
Vth
I
I
ln C6 S 5
R1
I C5 I S6
deci o variaie de tip PTAT deoarece n 1 .
115
Vth
ln n
R1
(2.199)
CAPITOLUL II
b. Expresia curentului I 0 este:
2 I 1 R2 V BE6
I0
R3
R kT
1
2 2
ln n
R3
R1 q
V BE (T0 ) EG0
T (1
T0
E G0
kT
T
ln
q
T0
(2.200)
Constanta
1 deoarece tranzistorul T6 funcioneaz la un curent de tip PTAT. Condiia
de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur implic:
V BE (T0 ) EG0
T0
R k
2 2 ln n
R1 q
(2.201)
rezultnd:
1
E G0
R3
I0
(1
kT
T
ln
q
T0
(2.202)
c. Pentru circuitul din Figura 2.37 b se poate scrie urmtoarea ecuaie:
VBE1 VBE2
VBE3
VBE4
VBE5
(2.203)
VBE6
Tranzistoarele T1 , T2 i T3 sunt polarizate la curentul I 1 de tip PTAT, T4 i T5 la un

curent I 0 presupus independent de temperatur, iar T6 la curentul I 3 a crui dependen de
temperatur trebuie determinat. Exprimnd tensiunile baz-emitor n funcie de curenii de
colector i considernd toate tranzistoarele identice, se obine:
3Vth ln
I1
IS
2Vth ln
I0
IS
Vth ln
I3
IS
(2.204)
echivalent cu:
I3
I1
I0
(2.205)
deci o variaie de tip PTAT3 a curentului I 3 . Similar, pentru circuitul din Figura 2.37 c se poate
scrie:
VBE1 VBE 2
VBE3
VBE4
VBE5
VBE6
VBE7
Vth ln
I4
IS
VBE8
(2.206)
deci:
4Vth ln
I1
IS
3Vth ln
echivalent cu:
116
I0
IS
(2.207)
CAPITOLUL II
I4
I1
I0
(2.208)
deci o variaie de tip PTAT4 a curentului I 4 .

Principiul de funcionare al circuitelor din Figurile 2.37 d i e este similar, avantajul acestora
fiind posibilitatea funcionrii la tensiune de alimentare redus. Pentru primul circuit sunt
valabile ecuaiile:
VBE1 VBE 2
VBE3
VBE4
(2.209)
VBE5
VBE7
VBE8
(2.210)
i:
VBE6
echivalente cu:
2Vth ln
I1
IS
Vth ln
I0
IS
Vth ln
I2
IS
(2.211)
2Vth ln
I2
IS
Vth ln
I1
IS
Vth ln
I3
IS
(2.212)
i:
deci:
I1 2
I0
I2
(2.213)
i:
I3
I2 2
I1
I1
I0
(2.214)
deci o variaie de tip PTAT3 a curentului I 3 . Similar, pentru circuitul din Figura 2.37e se poate
scrie:
VBE1 VBE 2
VBE3
VBE4
(2.215)
VBE5
VBE7
VBE8
(2.216)
i:
VBE6
echivalente cu:
2Vth ln
I1
IS
Vth ln
i:
117
I0
IS
Vth ln
I2
IS
(2.217)
CAPITOLUL II
2Vth ln
I2
IS
I0
IS
Vth ln
Vth ln
I4
IS
(2.218)
deci:
I1 2
I0
I2
(2.219)
i:
I2 2
I0
I4
I1
I0
(2.220)
deci o variaie de tip PTAT4 a curentului I 4 .

d. Pentru evaluarea dependenei de temperatur a tensiunii de referin se va utiliza
dependena general (2.7) a tensiunii baz-emitor de temperatur i de expresia curentului de
colector al tranzistorului bipolar ca funcie de temperatur:
VBE (T )
EG0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
I (T )
kT
ln C
q
I C (T0 )
kT
T
ln
q
T0
(2.221)
Tensiunea de referin va avea urmtoarea expresie:
VREF (T ) VBE9 (T )
(2.222)
I 1 (T ) R4
echivalent cu:
V REF (T )
E G0
V BE (T0 ) EG0
T
T0
I (T )
kT
ln C
q
I C (T0 )
kT
T
ln
q
T0
ATR4
(2.223)
S-a considerat dependena liniar de temperatur (2.199) a curentului I 1 de forma AT , A

fiind o constant pozitiv independent de temperatur:
k
ln n
qR1
(2.224)
Deoarece:
I C (T )
I 3 (T ) I 4 (T )
BT 3
CT 4
(2.225)
B i C fiind, de asemenea, constante n raport cu variaiile temperaturii, avnd urmtoarele

expresii:
A3
I0 2
i:
118
(2.226)
CAPITOLUL II
A4
I0
(2.227)
Inlocuind expresia (2.225) a dependenei de temperatur a curentului de colector n relaia

general (2.223) a VREF (T ) se obine:
VREF (T )
EG0
VBE (T0 ) EG0

T
T0
kT
BT 3
ln
q
B T0 3
CT 4
C T0
kT
T
ln
q
T0
ATR4 (2.228)
Termenul al treilea, avnd o variaie complex cu temperatura, poate fi rescris considernduse variaia redus a temperaturii n jurul valorii de referin T0 :
kT
BT 3
ln
q
B T0 3
CT 4
C T0 4
C
1
T
kT
T3
B
ln
q
T0 3 1 C T
0
B
kT
T
3
ln
q
T0
kT
ln 1
q
C
T T0
B
C
1
T0
B
(2.229)
Termenul al doilea al relaiei (2.229) poate fi dezvoltat n serie Taylor limitat la termenul de
ordin I, utilizndu-se relaia general ln 1 x x , pentru x
1:
3
kT
BT
CT
ln
3
q
B T0
C T0
kT
T
ln
q
T0
EG0
(2.230)
3 se obine:
Inlocuind (2.230) n (2.228) i considernd
VREF (T )
C
T T0
kT B
q 1 CT
0
B
VBE (T0 ) EG0

T
T0
ATR4
C
T T0
kT B
q 1 CT
0
B
(2.231)
Condia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin

impune:
VBE (T0 ) EG0

T0
AR4
(2.232)
rezultnd:
VREF (T )
EG0
C
T T0
kT B
q 1 CT
0
B
(2.233)
Deoarece variaiile temperaturii n jurul valorii de referin sunt foarte reduse, termenul al
doilea al relaiei (2.233) va fi neglijabil, deci VREF (T ) EG0 .
119
CAPITOLUL II
Problema 2.38
Se consider referina de tensiune avnd schema bloc prezentat n Figura 2.38a. Referina de
tensiune adiional are rolul de a furniza celorlalte blocuri componente doi cureni cu urmtoarele
dependene de temperatur: I 0 - independent de temperatur, ntr-o prim aproximaie i I 1 ,
avnd o variaie de tip PTAT, I 1 (T ) AT . A doua linie de blocuri implementeaz trei cureni
avnd dependene diferite de temperatur ( I a , I b i I c ), n timp ce blocul Circuit produs
furnizeaz un curent proporional cu produsul acestor trei cureni, necesar pentru polarizarea
referinei bandgap principale. Implementrile concrete ale blocurilor componente sunt prezentate
n Figurile 2.38 b-f.
Referin
bandgap
I
adiional 1
I 0 I 1 I0 I 1 I 0 I 1
Circuit
Ia
Circuit
Ib
Circuit
produs Itotal
Referin
bandgap
principal
VREF
Figura 2.38a
120
Circuit
Ic
CAPITOLUL II
VDD
Ia
I1
I0
Figura 2.38b
VDD
Ib
I1
I0
Figura 2.38c
VDD
I1
Ic
I0
Figura 2.38d
121
CAPITOLUL II
Ia
I0
Ib
Ic
Itotal
Figura 2.38e
VDD
Itotal
VREF
R
I1
Figura 2.38f
a. S se determine expresiile curenilor I a , I b i I c
b. S se determine expresiile curentului I total
c. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin i s se deduc condiiile de
realizare a coreciilor liniar i de ordin superior ale caracteristicii de temperatur a acesteia. Ce
valori trebuie s aib, n acest caz, constantele A i ?
d. Ce expresie va avea VREF (T ) n condiiile implementrii celor dou corecii de la punctul c?
Rezolvare
a. Se va folosi urmtoarea notaie: VBE ( I x ) reprezint expresia tensiunii baz-emitor a unui
tranzistor al crui curent de colector are valoarea I x . In acest caz se poate scrie:
5VBE ( I a )
4VBE ( I0 ) VBE ( I1)
(2.234)
echivalent cu:
5Vth ln
Ia
IS
4Vth ln
I0
IS
Vth ln
I1
IS
(2.235)
rezultnd:
I a (T )
I0 4 / 5 I 1 1 / 5
Similar:
122
ct .T 0,2
(2.236)
CAPITOLUL II
2VBE ( Ib )
(2.237)
VBE ( I0 ) VBE ( I1 )
echivalent cu:
2Vth ln
Ib
IS
Vth ln
I0
IS
I1
IS
(2.238)
ct .T 0,5
(2.239)
Vth ln
rezultnd:
I0 1 / 2 I1 1 / 2
Ib (T )
Pentru determinarea curentului I c se poate scrie urmtoarea relaie:
5VBE ( I1 )
(2.240)
4VBE ( I0 ) VBE ( I c )
echivalent cu:
5Vth ln
I1
IS
4Vth ln
I0
IS
Vth ln
Ic
IS
(2.241)
rezultnd:
I1 5 / I0 4
I c (T )
ct .T 5
(2.242)
b. Pentru circuitul din Figura 2.38e este valabil urmtoarea relaie:
2VBE ( I0 ) VBE ( Itotal )
(2.243)
VBE ( I a ) VBE ( Ib ) VBE ( Ic )
echivalent cu:
2Vth ln
I0
IS
I
Vth ln total
IS
Vth ln
Ia
IS
Vth ln
Ib
IS
Vth ln
Ic
IS
(2.244)
rezultnd:
Itotal (T )
I a I b I c / I0 2
ct .T 5,7
(2.245)
c. Expresia tensiunii de referin este:
VREF (T )
RI1 (T ) VBE ( Itotal )

5,7 i I 1 (T )
Inlocuind expresia (2.8) pentru VBE ( Itotal ) cu
V BE (T )
ART
E G0
V BE (T0 ) EG0
T
T0
(5,7
(2.246)
AT se obine:
)
kT
T
ln
q
T0
(2.247)
AR
V BE (T0 ) EG0
TO
123
(2.248)
CAPITOLUL II
deci:
este
EG0 V BE (T0 )
T0 R
(2.249)
Condiia de corecie de ordin superior a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin

5,7 .
d. Rezult VREF (T )
EG0 .
Problema 2.39
Se consider referina de tensiune din Figura 2.39. Toate tranzistoarele NMOS, respectiv
PMOS sunt identice (cu excepia lui T6 care are factorul de aspect de m ori mai mare dect cel al
tranzistorului T3 ) i funcioneaz n inversie slab. S se determine:
a. Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin
b. Condiia de corecie de ordin superior a caracteristicii de temperatur a tensiunii de referin
c. Estimai sensibilitatea tensiunii de referin fa de variaiile tensiunii de alimentare
VDD
T1
T4
T7
T10
T12
T15
T2
T5
T8
T11
T13
T16
T3
T6
Icor.
VREF
R1
R1
T14
R2
T9
Figura 2.39
Rezolvare
a.
VREF (T )
R1 I (T )
I cor. (T )
124
VEB9 (T )
(2.250)
CAPITOLUL II
Expresia curentului I (T ) poate fi determinat analizndu-se funcionarea sursei de curent de

tip Widlar T1 T6 . Deoarece curenii de dren ai tranzistoarelor T1 i T4 sunt egali, iar toate
tranzistoarele MOS funcioneaz n inversie slab, rezult:
(W / L) 6
nk
ln
T
qR1 (W / L) 3
I (T )
nk
ln m T
qR1
(2.251)
deci o variaie de tip PTAT a curentului I . Ideea de baz pentru mbuntirea comportamentului
termic al referinei de tensiune este nsumarea unui curent de corecie I cor. cu valoarea PTAT a
curentului de compensare specific referinei bandgap elementare. Datorit valorii reduse
solicitate curentului de corecie, circuitul proiectat pentru obinerea acestui curent se bazeaz pe
funcionarea n inversie slab a unui transistor MOS, T14 . Curentul de dren al acestui tranzistor
are expresia:
I cor. (T )
unde C
(nk / q) ln m i A
V REF (T )
A exp
VGS14 VT
nVth
A exp
CT ( R2 / R1 ) VT
nVth
(2.252)
(W / L)14 I D0 . Expresia tensiunii de referin devine:

nk
ln n T
q
AR1 exp
VBE (T0 ) EG0

T
T0
CT ( R2 / R1 ) VT
nVth
(1
E G0
kT
T
ln
q
T0
(2.253)
nk
ln m
q
V BE (T0 ) EG0
T0
(2.254)
b. Condiia de corecie de ordin superior a caracteristicii de temperatur a tensiunii de

referin presupune compensarea mutual a termenilor al doilea i al cincilea din expresia
(2.253) a tensiunii de referin. Deoarece dependenele de temperatur ale celor doi termeni sunt
evaluate prin funcii diferite, corecia de ordin superior a caracteristicii de temperatur a VREF
impune dezvoltarea n serie Taylor a celor dou funcii n jurul valorii centrale T T0 i, pe de o
parte, ajustarea condiiei (2.254) pentru a compensa i termenul liniar rezidual al coreciei de
ordin superior i, pe de alt parte, compensarea termenului de ordin II din dezvoltrile
menionate. Rezultatul va fi obinerea unei dependene de temperatur a tensiunii de referin
coninnd exclusiv termeni de ordin mai mare sau egal cu trei rezultai din dezvoltrile n serie
Taylor ale celor dou funcii de temperatur, deci o valoare foarte redus a coeficientului de
variaie cu temperatura a VREF .
VREF (T )
ak , k
EG0
a3 T
T0 3
a4 T
3 fiind coeficieni constani fa de variaiile temperaturii.
125
T0 4
...
(2.255)
Amplificatoare difereniale
CAPITOLUL III
CAPITOLUL III
AMPLIFICATOARE DIFEREN IALE
INTRODUCERE
Amplificatorul diferenial reprezint un etaj fundamental n proiectarea circuitelor integrate
VLSI, utilizat ntr-o serie larg de aplicaii de tipul circuitelor integrate analogice i mixte:
amplificatoare operaionale, comparatoare i referine de tensiune, amplificatoare video,
modulatoare i demodulatoare sau convertoare A/D i D/A. Inlocuirea tehnologiei bipolare cu
tehnologia CMOS a rezolvat problema curenilor de intrare i a rezistenei de intrare de valori
finite, aprnd dezavantajul unei amplificri reduse n tensiune datorit caracteristicii ptratice a
tranzistorului MOS n saturaie. In plus, liniaritatea amplificatorului diferenial elementar se
menine slab ca o consecin a caracteristicii fundamental neliniare a tranzistoarelor bipolar i
MOS, existnd posibilitatea obinerii unei liniariti bune doar pentru un domeniu relativ restrns
al tensiunii de intrare. In consecin, este evident necesitatea unor tehnici de liniarizare pentru
anularea termenilor de ordin superior din caracteristica de transfer a amplificatorului diferenial i
a unor metode pentru extinderea domeniului tensiunii de intrare de mod comun.
Parametrii amplificatoarelor diferen iale
Amplificarea de mod diferen ial Add
Add
vod
vid v 0
ic
Amplificarea de mod comun Acc
Acc
voc
vic v 0
id
Rezisten a de intrare de mod diferen ial Rid reprezint raportul dintre tensiunea de
intrare aplicat ntre cele dou intrri difereniale i curentul de intrare corespunztor,
cnd semnalul de intrare este pur diferenial;
Rezisten a de intrare de mod comun Ric reprezint raportul dintre tensiunea de intrare
de mod comun i curentul corespunztor printr-un singur terminal de intrare n situaia n
care circuitul este excitat cu un semnal de mod comun pur;
126
CAPITOLUL III
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun V IC max este domeniul maxim
de variaie al tensiunii de intrare de mod comun pentru care amplificatorul diferenial
funcioneaz normal;
Tensiunea de decalaj de intrare VOS reprezint tensiunea care trebuie aplicat pe
intrarea amplificatorului diferenial pentru a se obine o tensiune nul la ieire.

Parametrii utilizai pentru caracterizarea dispozitivelor active MOS (implicite dac nu se
precizeaz altfel) sunt:
1V
3 10
In cazul n care nu este specificat altfel, tranzistoarele se consider identice, iar
amplificatoarele operaionale - ideale.
PROBLEME
Problema 3.1
Se consider amplificatorul diferenial MOS elementar din Figura 3.1a. Tranzistoarele MOS
sunt identice i funcioneaz n saturaie, fiind caracterizate prin urmtoarea dependen ptratic a
curentului de dren de tensiunea gril-surs:
iD
K
vGS VT 2
2
(3.1)
VDD
R1
R1
vO
T1
T2
R2
VC
vI
IO
R2
Figura 3.1a
127
R3
CAPITOLUL III
S se determine:
a. Expresia funciei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Amplificarea de mod diferenial
c. Amplificarea de mod comun
d. Rezistenele de intrare de mod diferenial i de mod comun
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, considernd c sursa de curent I O este
implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieire al acesteia fiind
notat cu T3
f. Expresia tensiunii de decalaj de intrare, presupunnd existena unor mici asimetrii n structura
tranzistoarelor MOS i a rezistenelor de sarcin R1
Rezolvare
a. Tensiunea diferenial de intrare are expresia:
vI
vGS 1 vGS 2
2i D1
K
VT
2i D 2
K
VT
2
K
i D1
i D2
(3.2)
Prin ridicare la ptrat i nlocuirea sumei i D1 i D2 cu I O se obine:
2 i D1 ( I O
i D1 )
Kv I2
2
IO
(3.3)
Ecuaia de gradul II rezultat este:

2
iD
1
Kv I2
2
1
I0
4
I O i D1
(3.4)
K 2 v I4
(3.5)
avnd soluiile:
i D1
IO
2
1,2
IO
2
Kv I2
IO
4 I O2
deci:
i D1
IO
2
IO
2
Kv I2
IO
K 2 v I4
Expresia tensiunii de ieire este vO
vO
I O R1
Kv I2
IO
4 I O2
; i D2
IO
2
IO
2
R1 i D2
i D1 , deci:
K 2 v I4
R1 v I
2
4 I O2
128
4 KI O
Kv I2
IO
K 2 v I4
4 I O2
K 2 v I2
(3.6)
(3.7)
CAPITOLUL III
Funcia de transfer vO (v I ) este puternic neliniar, evaluarea cantitativ a neliniaritii fiind

posibil prin dezvoltarea acesteia n serie Taylor. Este necesar, deci, calculul derivatelor de ordin
superior ale funciei:
f vI
i particularizarea acestora pentru v I
f ' (v I )
4 KI O
K 2 v I2
(3.8)
0 . Derivata de ordin I este:
K 2 v I 4 KI O
1/ 2
K 2 v I2
(3.9)
iar cea de ordin II:
f ' ' (v I )
4 K 3 I O 4 KI O
K 2 v I2
3/ 2
(3.10)
..
rezultnd:
f ' vI
vI 0
(3.11)
1 3 / 2 1/ 2
K
IO
2
f ' ' vI v 0
I
(3.12)
Dezvoltarea n serie Taylor a funciei (3.7) conduce la:
v O (v I )
1/ 2
K 1/ 2 I O
R1 v I
K 3 / 2 R1 3
vI
1/ 2
8I O
K 5 / 2 R1 5
vI
128 I O3 / 2
...
(3.13)
Termenii de ordin par din dezvoltarea n serie Taylor a funciei de transfer a amplificatorului
diferenial se anuleaz ca o consecin a simetriei circuitului.
vO (v I )
a1 v I
a 3 v I3
a5 v I5 ...
(3.14)
Primul termen este liniar dependent de tensiunea de intrare (din coeficientul acestuia va
rezulta amplificarea de mod diferenial), iar urmtorii doi termeni modeleaz neliniaritile de
ordin III i V ale caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenial.
b. Amplificarea de mod diferenial se poate determina pe baza caracteristicii de transfer
(3.14) considerndu-se o amplitudine redus a tensiunii de intrare v I . In acest caz, termenii de
ordin superior ai caracteristicii devin neglijabili, rezultnd:
Add
vO
vI
a1
R1 KI O
(3.15)
Aceeai expresie se poate obine n urma unei analize de semnal mic, semicircuitul de mod
diferenial fiind prezentat n Figura 3.1b.
129
CAPITOLUL III
R1
vO
T1
vI
Figura 3.1b
Amplificarea de mod diferenial a circuitului surs comun este:
Add
g m R1
R1 2 KI D1
(3.16)
R1 KI O
c. Amplificarea de mod comun se determin utiliznd semicircuitul de mod comun (de tip
sarcin distribuit) din Figura 3.1c.
R1
vO
T1
vI
2R3
Figura 3.1c
g m R1
1 2 g m R3
Acc
(3.17)
d. Pe baza semicircuitelor din Figurile 3.1b i 3.1c, rezistenele de intrare de mod diferenial
i de mod comun sunt:
Rid
Ric
(3.18)
e. Limita inferioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistorului T3 :
v IC min
vGS1 v DS 3sat
vGS 1 vGS 3 VT
VT
2 1
IO
K
(3.19)
Limita superioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistoarelor T1 i T2 :
130
CAPITOLUL III
v IC max V DD
I O R1
2
v DS1sat
vGS1
V DD
I O R1
2
VT
(3.20)
f. Tensiunea de decalaj de intrare reprezint tensiunea ce trebuie aplicat pe intrarea

amplificatorului diferenial pentru a obine o tensiune nul de ieire, fiind o consecin a
asimetriilor parametrilor tranzistoarelor MOS i rezistoarelor de sarcin. Pentru evaluarea
cantitativ a acestei mrimi, se vor considera mici asimetrii n valorile factorilor de aspect W / L ,
tensiunii de prag VT i curenilor de dren i D ai celor dou tranzistoare MOS din Figura 3.1a
(aceast din urm asimetrie fiind o consecin a valorilor diferite ale celor dou rezistene de
sarcin R1 ). Pentru mrimea m se pot defini:
(3.21)
m1 m2
m1
m2
m1
m
2
(3.23)
m2
m
2
(3.24)
(3.22)
sau:
m fiind denumirea generic pentru R1 , W / L , VT , I D . Tensiunea de decalaj de intrare va avea

expresia:
VOS
VOS
Deoarece
vGS 1 vGS 2
VT
(W / L) / 2
VOS
VT
2i D1
K' W / L
(VT 1 VT 2 )
2(i D
K ' (W / L)
i D / 2)
(W / L) / 2
2i D 2
K' W / L
2(i D
K ' (W / L)
(3.25)
2
i D / 2)
(W / L) / 2
(3.26)
(W / L) , rezult:
2i D
K ' (W / L)
iD
2i D
(W / L)
2(W / L)
Prin dezvoltarea n serie limitat la termenul liniar pentru

obine:
VOS
VT
VGS VT
2
iD
iD
iD
2i D
m/ m
(W / L)
(W / L)
(W / L)
2(W / L)
1,
1 x
(3.27)
1 x / 2 se
(3.28)
Condiia de anulare a tensiunii difereniale de ieire impune i D1 R1 i D2 R2 , cu R1 i R 2

notndu-se cele dou valori ale rezistenelor de sarcin pentru T1 i T2 . Deci:
131
CAPITOLUL III
iD
iD
2
R
2
iD
2
iD
R
2
(3.29)
echivalent cu:
iD
iD
R
R
(3.30)
Din relaiile (3.28) i (3.30) se obine expresia tensiunii de decalaj de intrare:
VOS
VT
VGS VT
2
R
R
(W / L)
(W / L)
(3.31)
Problema 3.2
Pentru amplificatorul diferenial elementar din Figura 3.1a se consider VDD 9V ,
R1 R2 10k , R3 1M , I O surs de curent constant de 0,1mA , VC surs de tensiune de
4V . S se determine:
a. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
al tensiunii difereniale de intrare
v I cuprins ntre -0,4V i 0,4V
b. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie

al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre -0,4V i 0,4V i un curent de polarizare I O
avnd valorile 0,1mA , 0,2mA i 0,3mA
c. Reprezentarea grafic a celor doi cureni de dren ai tranzistoarelor amplificatorului diferenial
din Figura 3.1a pentru un domeniu de variaie al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre 0,4V i 0,4V
d. Amplificarea de mod diferenial vO / v I
e. Amplificarea de mod comun
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considernd c sursa de curent I O este
implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent
Rezolvare
a. Simularea caracteristicii vO (v I ) pentru un domeniu de variaie a tensiunii difereniale de
intrare Vi cuprins ntre 0,4V i 0,4V este prezentat n Figura 3.2a.
b. Simularea caracteristicii de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
avnd valorile 0,1mA , 0,2mA i 0,3mA este prezentat n Figura 3.2b. Se remarc o cretere a
amplificrii de mod diferenial a circuitului o dat cu creterea valorii curentului de polarizare
I O (conform relaiei (3.15), dublarea curentului de polarizare conduce la o cretere de

amplificrii, ceea ce se poate verifica i prin simularea din Figura 3.2b).
132
2 ori a
CAPITOLUL III
Figura 3.2a
Figura 3.2b
133
CAPITOLUL III
c. Dependena de tensiunea diferenial de intrare v I a celor doi cureni de dren ai

tranzistoarelor amplificatorului diferenial din Figura 3.1a este prezentat n Figura 3.2c.
Figura 3.2c
d. Conform relaiei (3.15), amplificarea de mod diferenial a circuitului este egal cu
n timp ce valoarea obinut n urma simulrii este 10,43 .
e. Aplicnd relaia (3.17) se obine
Acc
Acc
5 10
10,95 ,
. In urma simulrii rezult
5,12 10 3 .
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considernd c sursa de curent I 0

este implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent, este cuprins, conform relaiilor
(3.19) i (3.20), ntre 1,22V i 9,5V .
Pentru compararea valorii teoretice (3.19) a tensiunii minime de mod comun de intrare cu
valoarea experimental, se realizeaz simularea caracteristicii vO (v I ) pentru 4 valori distincte
ale tensiunii de mod comun VC : 1V , 1,1V , 1,2V i 1,3V (Figura 3.2d). Se remarc c circuitul
funcioneaz corect doar pentru VC 1,2V , deci v IC min 1,2V .
134
CAPITOLUL III
Figura 3.2d
In mod similar se procedeaz pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.20) Figura 3.2e, rezultnd v IC max 9V .
Figura 3.2e
135
CAPITOLUL III
Rezultatele obinute sunt centralizate n Tabelul 3.1.

Tabelul 3.1
Param.
Semnificaie
Add
Acc
vIcmin
vICmax
Amplificare de
mod diferenial
Amplificare de
mod comun
Tensiune minim
de mod comun
de intrare
Tensiune
maxim de mod
comun de intrare
Valoare
calcul manual
-10,95
Valoare
simulat
-10,43
Eroare
(%)
4,75
- 5 10 -3
- 5,12 10 -3
2,4
1,22V
1,2V
1,64
9,5V
9V
5,26
Problema 3.3
Se consider amplificatorul diferenial cu sarcin activ din Figura 3.3. S se determine
expresia amplificrii de mod diferenial n sarcin i n gol.
VDD
T3
T4
vO
Rl
T1
T2
vI
IO
RO
-VDD
Figura 3.3
Rezolvare
Expresia general a amplificrii de mod diferenial este:
Add
g m rds2 // rds4 // Rl
136
(3.32)
CAPITOLUL III
Particulariznd pentru Rl
se obine:
r
g m ds
2
Add ' g m rds 2 // rds 4
1
2
K
IO
(3.33)
Problema 3.4
Se consider amplificatorul diferenial MOS cu degenerare n surs din Figura 3.4.
VDD
R1
R1
vO
T1
R2
T2
R2
R4
VC
vI
IO
R3
R4
Figura 3.4
S se determine:
a. Amplificarea de mod diferenial vO / v I
b. Amplificarea de mod comun
c. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considernd c sursa de curent I O este
implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieire al acesteia fiind
notat cu T3
Rezolvare
a,b. Considernd o funcionare la semnal mic, se determin (pe baza semicircuitelor)
amplificrile de mod diferenial i de mod comun ale amplificatorului diferenial din Figura 3.3.
Add
Acc
g m R1
1 g m R2
(3.34)
g m R1
1 g m ( R 2 2 R3 )
(3.35)
137
CAPITOLUL III
Introducerea celor dou rezistoare R 2 va conduce la scderea transconductanei echivalente

a tranzistoarelor, deci a amplificrii de mod diferenial, efectul benefic fiind extinderea
domeniului tensiunii difereniale de intrare pentru care circuitul se comport aproximativ liniar.
c. Limita inferioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistorului T3 :
v IC min
vGS1
v DS 3sat
I O R2
2
vGS1
vGS 3 VT
I O R2
2
VT
2 1
IO
K
I O R2
(3.36)
2
Limita superioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistoarelor T1 i T2 :
v IC max V DD
I O R1
2
v DS1sat
vGS1
V DD
I O R1
2
VT
(3.37)
avnd acceai expresie cu cea calculat pentru circuitul din Figura 1a.
Problema 3.5
Pentru amplificatorul diferenial din Figura 3.4 se consider VDD 9V , R1 R4 10k ,
R2 2k , R3 1M , I O surs de curent constant de 0,1mA , VC surs de tensiune de 4V .
S se determine:
a. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre 1V i 1V
b. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre 1V i 1V i un curent de polarizare I O avnd
valorile 0,1mA , 0,2mA i 0,3mA
c. Reprezentarea grafic a celor doi cureni de dren ai tranzistoarelor amplificatorului diferenial
din Figura 3.3 pentru un domeniu de variaie al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre
1V i 1V
d. Amplificarea de mod diferenial vO / v I
e. Amplificarea de mod comun
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considernd c sursa de curent I O este
implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent
Rezolvare
a. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) este prezentat n Figura
3.5a. Se remerc o cretere a domeniului tensiunii de intrare pentru care funcia de transfer
prezint erori de liniaritate reduse. Aceast extindere s-a obinut prin introducerea celor dou
rezistene n sursele tranzistoarelor MOS, cu dezavantajul reducerii amplificrii circuitului ca o
consecin a reaciei negative realizate.
138
CAPITOLUL III
Figura 3.5a
b. Simularea caracteristicii de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
avnd valorile 0,1mA , 0,2mA i 0,3mA este prezentat n Figura 3.5b. Ca o consecin a
reaciei negative introduse de rezistena R 2 , amplificatorul diferenial din Figura 3.3 va fi mai
puin sensibil la variaiile curentului de polarizare I O dect amplificatorul elementar din Figura
3.1a (pantele caracteristicilor de transfer din Figura 3.5b prezint o variaie redus n funcie de
curentul de polarizare).
Figura 3.5b
139
CAPITOLUL III
c. Simularea dependenei de tensiunea diferenial de intrare v I a celor doi cureni de dren

ai tranzistoarelor amplificatorului diferenial din Figura 3.3 este prezentat n Figura 3.5c.
Figura 3.5c
d. Aplicnd relaia (3.34) se obine Add
prezentat n Figura 3.5c este Add
e.
Amplificarea
teoretic Acc
5 10
Figura 3.5d este Acc
de
3
mod
3,43 , n timp ce valoarea rezultat din simularea
3,38 .
comun
(conform
relaiei
(3.35))
are
valoarea
, n timp ce valoarea rezultat n urma simulrii vO (VC ) din
5,15 10 3 .
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considernd c sursa de curent I 0

este implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent, este cuprins, conform relaiilor
(3.36) i (3.37), ntre 1,32V i 9,5V .
Pentru compararea valorii teoretice (3.36) a tensiunii minime de mod comun de intrare cu
valoarea experimental, se realizeaz simularea caracteristicii vO (v I ) pentru 4 valori distincte
ale tensiunii de mod comun VC : 1,1V , 1,2V , 1,3V i 1,4V (Figura 3.5e). Se remarc c circuitul
funcioneaz corect doar pentru VC 1,3V , deci v IC min 1,3V .
140
CAPITOLUL III
Figura 3.5d
Figura 3.5e
141
CAPITOLUL III
In mod similar se procedeaz pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.37) Figura 3.5f, rezultnd v IC max 8,9V .
Figura 3.5f
Rezultatele obinute sunt centralizate n Tabelul 3.2.
Tabelul 3.2
Param.
Semnificaie
Add
Acc
vIcmin
vICmax
Amplificare de
mod diferenial
Amplificare de
mod comun
Tensiune minim
de mod comun
de intrare
Tensiune
maxim de mod
comun de intrare
Valoare
calcul manual
-3,43
Valoare
simulat
-3,38
Eroare
(%)
1,46
- 5 10 -3
- 5,15 10 -3
1,32V
1,3V
1,52
9,5V
8,9V
6,32
142
CAPITOLUL III
Problema 3.6
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.6. Considernd o funcionare n saturaie a
tranzistoarelor MOS i K1 K 2 , K 3 K 4 , s se determine expresia amplificrii de mod
diferenial a acestuia.
VDD
T3
T4
vO
T1
T2
vI
IO
RO
-VDD
Figura 3.6
Rezolvare
Tensiunea de ieire are urmtoarea expresie:
vO
v SG 3
v SG 4
2
K3
i D3
2
K3
i D4
K1
vGS1 vGS 2
2
K1
vI
K3
(3.38)
deci:
Add
143
K1
K3
(3.39)
CAPITOLUL III
Problema 3.7
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.7. S se determine expresia amplificrii de
mod diferenial a circuitului.
VDD
T3
T4
vO
T1
T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.7
Rezolvare
Amplificarea de mod diferenial a circuitului are expresia:
g m1
g m3
Add
(3.40)
Presupunnd o funcionare n saturaie a tranzistoarelor circuitului, rezult o expresie a

amplificrii independent de curentul de polarizare I O al amplificatorului diferenial:
Add
2 K 1 I D1
K1
K3
2 K 3 I D3
(W / L) 1
(W / L) 3
(3.41)
Este dificil de obinut, deci, o valoare ridicat a amplificrii circuitului datorit dependenei
de tip rdcin ptrat a amplificrii de mod diferenial de raportul factorilor de aspect.
144
CAPITOLUL III
Problema 3.8
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.8. S se determine expresia amplificrii de
mod diferenial a circuitului. VC este o tensiune de polarizare a tranzistoarelor T3 i T4 .
VDD
VC
T3
T4
vO
T1
T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.8
Rezolvare
nlocuirea conexiunii tranzistoarelor T3 i T4 din Figura 3.7 cu polarizarea acestora prin
intermediul tensiunii VC permite o cretere important a amplificrii de mod diferenial a
circuitului:
Add
g m1 (rds1 // rds3 )
(3.42)
Pentru o funcionare n saturaie a tranzistoarelor, rezult:
Add
1
2
145
K1
IO
(3.43)
CAPITOLUL III
Problema 3.9
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.9. S se explice funcionarea circuitului i
s se determine expresia amplificrii de mod diferenial a acestuia.
VDD
VC
T5 T3
VC
T4 T6
vO
T1
T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.9
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.9 reprezint o variant mbuntit a amplificatorului diferenial din
Figura 3.7. Reducerea curentului de dren al tranzistoarelor de sarcin T3 i T4 prin
introducerea surselor de curent suplimentare T5 i T6 are ca efect creterea amplificrii
circuitului prin scderea transconductanei g m a tranzistoarelor T3 i T4 . Amplificarea de mod
diferenial are expresia:
Add
2 K 1 I D1
g m1
g m3
2 K 3 ( I D1
K1
I D1
K 3 I D1 I D 5
I D5 )
(3.44)
Curentul I D 5 este fixat de tensiunea de polarizare VC :
I D5
iar I D1
K5
V DD VC VT
2
IO / 2 .
146
(3.45)
CAPITOLUL III
Problema 3.10
Se consider circuitul din Figura 3.10a cu
R1
R2 ,
R5
R6 ,
K1
K2
K1,2 ,
K 3 K 4 K 3,4 , I O1 I O2 , K 1,2 K 3,4 .

a. S se evalueze coeficientul de distorsiuni al amplificatorului diferenial clasic (Figura 3.1a)
b. S se determine relaia care trebuie s existe ntre elementele circuitului pentru ca distorsiunile
de ordin III din expresia funciei de transfer vO (v I ) s se anuleze
c. S se evalueze coeficientul de distorsiuni al amplificatorului diferenial paralel din Figura 3.10a
VDD
R2
R1
vO
T1
T2
T3
T4
R5
vI
IO1
R3
IO2
R4
R6
Figura 3.10a
Rezolvare
a. Coeficientul total de distorsiuni al amplificatrului diferenial din Figura 3.1a este egal (cu
o foarte bun aproximaie) cu raportul dintre termenul de ordin III (avnd ponderea cea mai mare
n neliniaritatea circuitului) i termenul util de ordin I din expresia dezvoltrii n serie Taylor
(3.13) a funciei de transfer a circuitului:
THD1
a 3 v I3
a1 v I
K 2
vI
8I O
(3.46)
b. Metoda propus n Figura 3.10a pentru liniarizarea caracteristicii de transfer a

amplificatorului diferenial din Figura 3.1a se bazeaz pe anularea termenului de ordin III din
expresia tensiunii de ieire a acestuia. Factorul de distorsiuni rezultat va fi, n principal, o
consecin a termenului de eroare de ordin V, cu amplitudine mult mai mic dect a celui de ordin
III. Realizarea concret a acestei liniarizri utilizeaz dou amplificatoare difereniale polarizate
diferit ( I O1 , respectiv I O 2 ) i avnd o asimetrie controlat, K 1,2 K 3,4 . Expresiile
aproximative ale celor 4 cureni de dren sunt obinute prin neglijarea termenilor de ordin mai
mare dect 5 :
147
CAPITOLUL III
iD 2,1 (vI )
IO1
2
1/ 2
K11,/22 IO
1
iD4,3 (vI )
IO 2
2
1/ 2
K31,/42 IO
2
K13,2/ 2
vI
vI3
1/ 2
16 IO
1
K15,2/ 2
3/2
256 IO
1
K33,/42
v3
1/ 2 I
16 IO 2
vI
K35,/42
3/2
256 IO
2
vI5
(3.47)
vI5
(3.48)
Pentru anularea termenului de ordin III al seriei Taylor asociate tensiunii difereniale de
ieire:
vO
[ (i D1 i D3 ) (i D2
(3.49)
i D4 )]R1
este necesar ca:
K 13,2/ 2
K 33,/42
1/ 2
16 I O
1
1/ 2
16 I O
2
(3.50)
echivalent cu:
3
K 1,2
I O1
I O2
K 3,4
Alegndu-se,
K 3,4
de
exemplu,
R1
(3.51)
R2
10k , K 1,2
12 10 3 A / V 2 ,
24 10 3 A / V 2 , I O1
0.1mA i I O2 0.8mA (valori care respect condiia (3.51) de

anulare a distorsiunilor de ordin trei), se remarc o mbuntire important a liniaritii
circuitului i o extindere a domeniului tensiunii de intrare difereniale pentru care se obine
aceast liniaritate (Figura 3.10b).
Nerespectarea condiiei (3.51) conduce la o funcionare eronat a circuitului.
c. In aceste condiii, v O va avea expresia aproximativ:
vO
b1v I
b5 v I5
(3.52)
unde:
b1
1/ 2
K 11,/22 I O
1
148
I O2
I O1
2/3
(3.53)
CAPITOLUL III
b5
K 15,2/ 2
128 I O3 1/ 2
I O1
I O2
2/3
(3.54)
rezultnd un coeficient total de distorsiuni al circuitului liniarizat exprimat prin:
THD2
b5 v I5
b1 v I
1 K 1,2
128 I O1
I O1
I O2
2/3
v I4
(3.55)
deci o mbuntire cu cel puin un ordin de mrime a liniaritii circuitului fa de varianta

elementar din Figura 3.1a.
Figura 3.10b
Amplificarea teoretic va avea expresia:
Add
b1 R1
1/ 2
R1 K 11,/22 I O
1
Inlocuind valorile numerice rezult Add
I O2
I O1
2/3
(3.56)
32,86 , n timp ce valoarea obinut n urma
simulrii prezentate n Figura 3.10b este Add

de 7,91% .
149
30,26 , corespunznd unei erori relative
CAPITOLUL III
Problema 3.11
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.11a cu
R1
R2 ,
R3
R4
V1 V2 V .
a. S se determine expresia funciei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Considerndu-se suplimentar efectul de degradare a mobilitii purttorilor modelat prin relaia
urmtoare, s se evalueze cantitativ coeficientul total de distorsiuni al amplificatorului diferenial:
1
K
2 1 m(vGS
iD
VT )
vGS
VT
(3.57)
c. Se consider conectarea anti-paralel din Figura 3.11b a dou amplificatoare difereniale de tipul
celui din Figura 3.11a, primul avnd sursele de tensiune V1 i V2 de valoare Va , iar al doilea
sursele de tensiune de valoare Vb . Ce expresie va avea coeficientul total de distorsiuni al structurii
difereniale paralel? Se va considera c m(vGS VT )
1.
VDD
R2
R1
vO
T2
T1
V2
V1
vI
R3
R4
Figura 3.11a
VDD
R1
R1
R1
R1
vO
T1
T3
T2
Va
Va
T4
Vb
Vb
vI
R2
R2
R2
Figura 3.11b
150
R2
CAPITOLUL III
Rezolvare
a. Dependenele celor doi cureni de dren de tensiunile gril-surs sunt:
i D1
K
vGS 1 VT 2
2
(3.58)
i D2
K
vGS 2 VT 2
2
(3.59)
i:
Tensiunea diferenial de ieire va avea expresia:
vO
R1 i D 2
KR1
vGS 2
2
i D1
vGS1 vGS 2
vGS1 2VT
(3.60)
Expresia tensiunii difereniale de intrare poate fi scris n dou moduri:
vI
V1 vGS 2
vGS1 V2
(3.61)
rezultnd:
vGS1 vGS 2
2v I
(3.62)
vGS1 vGS 2
2V
(3.63)
i:
Inlocuind (3.62) i (3.63) n (3.60), se obine:
vO
(3.64)
2 KR1 V VT v I
deci o amplificare de mod diferenial a circuitului din Figura 3.11a egal cu:
Add
vO
vI
2 KR1 V VT
(3.65)
Circuitul se comport perfect liniar pentru un domeniu extins al tensiunii difereniale aplicate
la intrare v I .
b. Considerndu-se efectul de degradare a mobilitii purttorilor, expresia curentului
diferenial de ieire este:
iO
i D2
i D1
x 22
K
2 1 mx 2
S-au utilizat notaiile x1
x12
1 mx1
(3.66)
vGS1 VT i x 2 vGS 2 VT (tensiunile efective gril-surs ale

celor dou tranzistoare MOS din circuitul prezentat n Figura 3.11a). Deoarece mx1
1 i
mx 2
1 , relaia (3.66) se poate aproxima prin dezvoltare n serie Taylor i reinerea primilor
1 ) astfel:
doi termeni ( 1 /(1
pentru
) 1
151
CAPITOLUL III
iO
K 2
x 2 1 mx 2
2
x12 1 mx1
K
x2
2
x1 x 2
x1
K
x2
2
x1 x12
x 22
x1 x 2 (3.67)
x2 ) 2
(3.68)
echivalent cu:
iO
K
x2
2
x1 x 2
x1
K
x2
2
x1
3( x1
x2 ) 2
( x1
4
Inlocuind x1 i x 2 cu expresiile tensiunilor efective gril-surs, rezult:
iO
2 K V VT v I
mKv I 3 V VT 2
v I2
(3.69)
mK v I3
(3.70)
Grupnd termenii dup puterile tensiunii de intrare, se obine:
iO
2 Kv I V VT 1 3m
V VT
2
Tensiunea diferenial de ieire va avea expresia:
vO
R1iO
2 KR1 v I V VT 1 3m
V VT
2
mKR1 v I3
(3.71)
Comparnd acest expresie cu relaia (3.64) determinat neglijnd efectul de degradare a

mobilitii purttorilor, se remarc o foarte mic modificare a termenului liniar dependent de
tensiunea de intrare v I i apariia unui termen proporional cu v I3 care modeleaz cea mai
important neliniaritate introdus n funcionarea amplificatorului diferenial de efectul de ordin
secundar menionat. Coeficientul total de distorsiuni al circuitului din Figura 3.11a n condiiile
considerrii efectului de degradare a mobilitii purttorilor este dat de raportul dintre termenul
de ordin III i termenul liniar dependent de tensiunea de intrare din relaia (3.71):
THD1
mV I2
2(V VT )
(3.72)
Coeficientul total de distorsiuni este proporional cu ptratul tensiunii difereniale de intrare,

deci va avea o cretere important pentru valori mari ale acesteia.
c. Evaluarea cantitativ a coeficientului total de distorsiuni al structurii anti-paralel propuse
impune o dezvoltare mai exact n serie Taylor a funciei (3.66) prin considerarea suplimentar a
termenului de ordin II:
1
1
(3.73)
Rezult:
iO
K 2
x 2 1 mx 2
2
m 2 x 22
152
x12 1 mx1
m 2 x12
(3.74)
CAPITOLUL III
Trebuie evaluat termenul adiional care se nsumeaz cu expresia (3.67) a curentului de

ieire, introdus de considerarea suplimentar a termenului ptratic n dezvoltarea (3.73):
iO
m2 K 4
x2
2
x14
m2 K
x2
2
x1 x 22
x1 x 2
x12
(3.75)
echivalent cu:
iO
m2 K
x2
2
x1 x 2
x1
( x1
x2 ) 2
( x1
x2 ) 2
(3.76)
Inlocuind x1 i x 2 cu expresiile tensiunilor efectiv gril-surs, rezult:
4m 2 K V VT v I V VT 2
I0
v I2
(3.77)
Considerarea dezvoltrii (3.73) va conduce, deci, la urmtoarea expresie a tensiunii

difereniale de ieire:
vO
c3 v I3
c1 v I
(3.78)
c1 i c 3 fiind coeficieni constani fa de variaiile tensiunii de intrare, avnd expresiile:

c1
2 KR1 V VT 1 3m
V VT
2
4 m 2 KR1 V VT
2 KR1 V VT
(3.79)
i:
c3
mKR1 4m 2 KR1 V VT
(3.80)
Datorit imparitii funciei vO (v I ) , conectarea antiparelel din Figura 3.11b a celor dou
amplificatoare difereniale conduce la obinerea unei tensiuni de ieire egale cu diferena celor
dou tensiuni de ieire individuale:
vO
c1a
c1b v I
c3a
c3b v I3
(3.81)
c1a i c 3a fiind coeficienii funciei de transfer a amplificatorului diferenial T1 T2 , iar c1b i c 3b

- cei ai amplificatorului diferenial T3 T4 . Rezult:
vO
4m 2 KR1 Vb Va v I3
2 KR1 Vb Va v I
(3.82)
Noua expresie a coeficientului total de distorsiuni al circuitului va fi:
THD2
2m 2V I2
(3.83)
Imbuntirea liniaritii circuitului prin metoda propus este de cel puin un ordin de
mrime:
THD1
THD2
1
4 m(V VT )
153
(3.84)
CAPITOLUL III
Problema 3.12
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.12. S se determine amplificarea vO / v I
a circuitului. Ce avantaj prezint aceast variant fa de circuitul din Figura 3.11a?
Rezolvare
Structura circuitului este derivat din cea a amplificatorului diferenial din Figura 3.11a,
diferena constnd n implementarea celor dou surse de tensiune V1 i V 2 utilizndu-se
tensiunile gril-surs ale tranzistoarelor T3 i T4 :
V1
V2
V SG 3
V SG 4
VT
2I O
K
(3.85)
VDD
R1
R2
vO
T2
T1
IO
T3
T4
vI
T5
T6
T7
Figura 3.12
Inlocuind expresiile celor dou surse de tensiune n relaia general (3.65) a amplificrii de
mod diferenial se obine:
Add
2 2 KI O R1
(3.86)
Avantajul major al acestei implementri particulare a celor dou surse de tensiune este
obinerea unei amplificri a circuitului independente de tensiunea de prag VT . Dezavantajul
ambelor circuite const n impedana de intrare finit (curenii de dren ai tranzistoarelor T3 i
T4 vor fi injectai/extrai din sursa de tensiune de intrare). In analiza anterioar s-a presupus c
tranzistoarele T3 i T4 funcioneaz la un curent de dren aproximativ egal cu I O , erorile
introduse de acest aproximare concretizndu-se n afectarea liniaritii ntregului amplificator
diferenial.
154
CAPITOLUL III
Problema 3.13
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.13. S se determine amplificarea vO / v I
a circuitului, considernd R1 R2 . Ce avantaj prezint aceast variant fa de circuitul din
Figura 3.11a?
Rezolvare
Sursele de tensiune V1 i V 2 din Figura 3.11a sunt implementate n Fig. 3.13 utiliznd tensiunile
gril-surs ale tranzistoarelor T3 i T4 , polarizate la un curent constant I O . Tranzistoarele T1
i T2 reprezint etajul diferenial de baz, celelalte tranzistoare realiznd nchiderea curenilor
I O i D1 , respectiv I O i D2 spre sursa pozitiv de alimentare. Funcionarea tranzistoarelor T3
i T4 din Figura 3.13 la curent constant mrete precizia de realizare a surselor de tensiune V1
i V 2 , efectul final fiind creterea liniaritii circuitului.
VDD
I2 = IO
I1 = IO
R1
R2
vO
T1
T2
T3
T4
R3
vI
VC
R4
Figura 3.13
Deoarece:
V1
V2
VGS 3
VGS 4
VT
2I O
K
(3.87)
rezult:
Add
vO
vI
2 2 KI O R1
155
(3.88)
CAPITOLUL III
Problema 3.14
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.14. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia, Gm iO / v I (i2 i1 ) / v I .
VDD
T5a
T6a
i1
i1
T1a
vI/2
T7a
T7b
T2a
T3a
T3b
IO1
I
A
i1
2i1
T10a
T9a
V2
IO
IO
T11a
VC
T5b
i2
i2
T2b
T1b
-vI/2
IO2
V1
2I1
T8a
T6b
2i2
T11b T8b
I
2i2
i2
T9b
T10b
Figura 3.14
Rezolvare
Structura diferenial din Figura 3.14 este o alt implementare posibil a circuitului din
Figura 3.11a, sursele de tensiune V1 i V 2 din acest figur fiind nlocuite cu dou surse de
tensiune comandate n curent, mai exact tensiunile gril-surs ale tranzistoarelor T3a i T3b .
Avantajul acestei implementri a celor dou surse de curent deriv din precizia ridicat obinut
datorit curentului constant de polarizare al acestor dou tranzistoare, egal cu I O (curenii I i
I ' sunt nuli ca o consecin a relaiilor ce pot fi scrise n nodurile A i B). Curentul de comand
al acestor surse de tensiune este fixat prin intermediul potenialului VC . Tranzistoarele T1 i T2
din Figura 3.11a sunt notate n stuctura diferenial prezentat n Figura 3.14 cu T1a i T1b ,
fiecare dintre aceste dou tranzistoare formnd cte o oglind de curent cu tranzistoarele T2 a ,
respectiv T2b .
Similar problemei 3.11, relaia (3.65) se obine:
Gm
2 K V1 VT
(3.89)
tensiunea V1 fiind egal cu:
V1
VGS 3a,b
156
VT
2I O
K
(3.90)
CAPITOLUL III
deci:
Gm
(3.91)
2 2 KI O
Deoarece transconductana rezultat din relaia (3.91) nu depinde de tensiunea de prag VT ,

erorile introduse de efectul de subtrat vor fi anulate n ipoteza controlului n curent al G m , prin
intermediul curentului I O . Pentru un control n tensiune al transconductanei echivalente, aa
cum este prezentat circuitul din Figura 3.14, expresia G m devine:
Gm
(3.92)
2 K (VC VT )
Dependena tensiunii de prag de tensiunea substrat-surs modelat prin efectul de substrat se

concretizeaz n degradarea liniaritii circuitului (transconductana echivalent a acestuia nu va
mai fi constant).
Problema 3.15
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia. Factorii de aspect ai
tranzistoarelor T3a ' , T3a ' ' , T3b ' i T3b ' ' sunt de 4 ori mai mari dect ai celorlalte tranzistoare
din circuit.
VDD
T5a
T6a
i1
i1
T1a
vI/2
T7a
T3a T3b
T2a
A
i1
2i1
T10a
T9a
T7b
T3a T3b
V1
V1
2i1
IO
T8a
VC
IO
T11a
Figura 3.15
157
2i2
T11b T8b
T6b
T5b
i2
i2
T2b
T1b
-vI/2
B
I
2i2
i2
T9b
T10b
CAPITOLUL III
Rezolvare
Principiul de funcionare al structurii din Figura 3.15 este similar principiului de funcionare
a structurii difereniale prezentate n Figura 3.14, nlocuirea tranzistoarelor T3a i T3b din
Figura 3.14 cu combinaiile serie T3a ' T3a ' ' , respectiv T3b ' T3b ' ' avnd ca efect anularea
degradrii liniaritii circuitului produse de efectul de substrat pentru un control n tensiune al
transconductanei acestuia:
Gm
(3.93)
2 K V1 VT
tensiunea V1 avnd expresia:
V1
VGS 3a ' VGS 3a ' ' 2VT
2I O
4K
(3.94)
rezultnd:
Gm
2 K VT
2I O
K
(3.95)
deci:
Gm
2 KVC
(3.96)
Pentru valorificarea avantajului circuitului (independena de efectul de substrat a

transconductanei echivalente a acestuia), controlul amplificrii trebuie s se realizeze n
tensiune, prin intermediul potenialului de control VC i nu prin curentul I O .
Problema 3.16
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia.
Rezolvare
Principiul de funcionare al structurii din Figura 3.16 este similar principiului structurii
difereniale prezentate n Figura 3.11a, nucleul circuitului fiind reprezentat de tranzistoarele T1
i T2 , n timp ce implementarea surselor de tensiune comandate V1 i V 2 din Figura 3.11a este
realizat utiliznd tranzistoarele T3 i T4 , polarizate la curentul constant I O asigurat de
tranzistoarele T5 i T6 . Deoarece tranzistoarele T3 T6 sunt identice i funcioneaz la acelai
curent de dren I O ( I I ' 0 ), rezult V1 V2 VC , deci:
Gm
2 K VC VT
(3.97)
Dezavantajul major al circuitului este dependena liniaritii acestuia de erorile introduse de

efectul de substrat.
158
CAPITOLUL III
VDD
IO
vI/2
T1
IO
T3
T2
T4
-vI/2
V1
V1
I
I
VC
T5
T6
Figura 3.16
Problema 3.17
circuitului i s se determine transconductana echivalenta a acestuia.
VDD
IO
vI/2
T1
V1
IO
T3
T4
4
T3
4
4
T4
T2
4
V1
I
I
VC
T5
T6
Figura 3.17
159
-vI/2
CAPITOLUL III
Rezolvare
Inlocuirea tranzistoarelor T3 i T4 din Figura 3.16 cu combinaiile serie T3 ' T3 ' ' , respectiv
T4 ' T4 ' ' are ca efect anularea degradrii liniaritii circuitului ca o consecin a efectului de
substrat pentru un control n tensiune al transconductanei echivalente a acestuia:
Gm
(3.98)
2 K V1 VT
tensiunea V1 avnd expresia:
V1
VGS 3 ' VGS 3 ' ' 2VT
2I O
4K
(3.99)
rezultnd:
Gm
2I O
K
2 K VT
(3.100)
deci:
Gm
(3.101)
2 KVC
Problema 3.18
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia, Gm iO / v I (ib ia ) / v I .
VDD
T6
T5
T9
T10
i1
i2
vI/2
i1
T2
T1
i2
-vI/2
V1
i1
i1
T7
T3
IO
IO
Figura 3.18
160
T8
IO
ia
i2
i2 '
T4
ib
V2
CAPITOLUL III
Rezolvare
Amplificatorul diferenial elementar este format din tranzistoarele T1 i T2 . Liniarizarea
caracteristicii de transfer (3.7) a acestuia se realizeaz utiliznd dou circuite de extragere a
rdcinii ptrate ( T3 T6 , respectiv T7 T10 ), avnd o caracteristic complementar celei
ptratice specifice funcionrii tranzistorului MOS n saturaie. Pentru un circuit de acest tip se
poate scrie:
V1 V2
vGS 3
2
K
vGS 4
i2
i2 '
(3.102)
i2
(3.103)
rezult:
i2 ' i2
K
V1 V2 2
2
2 K V1 V2
Curentul de ieire al circuitului de extragere a rdcinii ptrate este:
ib
i2
i2 '
K
V1 V2 2
2
2 K V1 V2
i2
(3.104)
ia
i1 i1 '
K
V1 V2 2
2
2 K V1 V2
i1
(3.105)
Similar:
Tinnd cont de relaia:
iO
ib i a
(3.106)
se obine:
iO
2 K V1 V2
i2
(3.107)
i1
Datorit funcionrii n saturaie a tranzistoarelor MOS, tensiunea de intrare diferenial a

etajului T1 T2 depinde de diferena rdcinilor ptrate ale curenilor de dren , I 1 i I 2 :
vI
vGS 2
vGS1
2
K
i2
i1
(3.108)
Din relaiile anterioare rezult:
iO
K V1 V2 v I
deci o transconductan echivalent a amplificatorului Gm
161
(3.109)
K (V1 V2 ) .
CAPITOLUL III
Problema 3.19
Se consider structura diferenial din Figura 3.19a, realizat prin conectarea n paralel a dou
etaje difereniale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS ( T1 T4 ), cellalt cu
tranzistoare PMOS ( T5 T8 ). Se consider R1 R2 R3 R4 i R6 R7 . Rolul acestei
conexiuni este extinderea domeniului tensiunii de mod comun de intrare, necesar n special
pentru aplicaii de joas tensiune. Blocurile DIFF 1 i DIFF 2 furnizez tensiunile de ieire
difereniale ale celor dou amplificatoare complementare (NMOS, respectiv PMOS). Insumarea
celor dou tensiuni de ieire (realizat cu blocul SUM ) este echivalent cu obinerea unei
transconductane totale a amplificatorului diferenial din Figura 3.19a egal cu suma celor dou
T
transconductane individuale, Gm
GmNMOS GmPMOS .
a. S se determine domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii difereniale
paralel prezentate
b. Ce condiie trebuie impus pentru ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare s
includ intervalul 0,VCC ?
DIFF 1
VDD
R1
R2
T5
T1
R6
T2
IO
IO
T4
T3
vI
VC
R7
T8
IO
T7
R3
R4
+
+
vO
T6
DIFF 2
SUM
A
R8
Figura 3.19a
162
R5
CAPITOLUL III
Rezolvare
a. Domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenial NMOS T1 T4 este
cuprins ntre urmtoarele limite:
NMOS
v IC
max V DD
I O R1
2
v DS1sat
vGS1
V DD
I O R1
2
VT
(3.110)
i:
NMOS
v IC
min
vGS1 v DS 3sat
vGS 1 vGS 3 VT
VT
2 1
IO
K
(3.111)
iar domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenial PMOS T5 T8 este
limitat superior i inferior de urmtoarele valori:
PMOS
v IC
max V DD
v SG6
v SD8 sat
VCC
v SG6
v SG 8 VT
V DD VT
2 1
IO
(3.112)
K
i:
PMOS
v IC
min
I O R3
2
v SD6 sat
v SG6
I O R3
2
VT
(3.113)
Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii paralel din Figura 3.19a
este determinat prin reuniunea celor dou domenii individuale, caracterizate de inecuaiile
(3.110) (3.113) (Figura 3.19b).
NMOS
vICmax
VCC
Functionare
normala
PMOS
vICmax
NMOS
vICmin
Functionare
normala
0
PMOS
vICmin
Figura 3.19b
b. Condiia ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare s includ intervalul
0, VCC implic urmtoarele inegaliti:
NMOS
v IC
max V DD
PMOS
v IC
max
163
NMOS
v IC
min
(3.114)
(3.115)
CAPITOLUL III
PMOS
v IC
min
( 3.116)
2VT
(3.117)
echivalente cu:
I O R1
i:
V DD
2 VT
2 1
IO
K
(3.118)
Domeniile de mod comun de intrare ale celor dou amplificatoare difereniale sunt
aproximativ complementare, existnd, ns, un interval al tensiunii de intrare (corespunznd unor
valori medii ale acesteia) pentru care cele dou domenii se suprapun.
PMOS
Domeniul I: v IC
min
v IC
NMOS
Domeniul al II-lea: v IC
min
PMOS
Domeniul al III-lea: v IC
max
NMOS
v IC
min
v IC
PMOS
v IC
max
v IC
NMOS
v IC
max
Presupunnd GmNMOS GmPMOS Gm , dependena transconductanei totale

circuitului de tensiunea de mod comun de intrare este prezentat n tabelul urmtor:
Tabelul 3.3
Domeniu VIC
AD NMOS
AD PMOS
AD paralel
I
0
Gm
Gm
II
Gm
Gm
2Gm
T
Gm
III
Gm
0
Gm
S-a presupus o tranziie brusc ntre funcionare normal i blocare pentru fiecare
amplificator diferenial ca funcie de tensiunea de mod comun de intrare.
Dezavantajul acestei structuri paralel de dou amplificatoare difereniale complementare este
NMOS
PMOS
faptul c pentru tensiuni medii de mod comun de intrare ( v IC
v IC v IC
max ),
min
transconductana echivalent este egal cu dublul transconductanei fiecrui etaj diferenial
individual, deci amplificarea de mod diferenial nu va fi constant pentru domeniul maxim de mod
comun al tensiunii de intrare.
164
CAPITOLUL III
Problema 3.20
Se consider circuitul din Figura 3.19a, realizat prin conectarea n paralel a dou etaje
difereniale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS, cellalt cu tranzistoare PMOS.
Elementele circuitului sunt: R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 10k , R8 1M , VDD , v I
i VC surse de tensiune continu de valori 3V , 1mV , respectiv 1,5V .
a. S se verifice funcionarea la semnal mare a amplificatoarelor difereniale NMOS i PMOS,
considerndu-se un domeniu de variaie a tensiunii difereniale de intrare cuprins ntre 0,4V i
0,4V
b. S se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenial T1 T2
c. S se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenial T6 T7
d. S se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii
obinute prin conectarea n paralel a amplificatoarelor difereniale T1 T2 i T6 T7
Rezolvare
a. Deoarece tranzistoarele T4 i T5 sunt identice, se poate scrie urmtoarea ecuaie pentru
determinarea valorii curentului de polarizare a amplificatoarelor difereniale, I O :
V DD
2VGS
KR5
VGS VT 2
2
(3.119)
echivalent cu:
2
60VGS
118VGS
57
(3.120)
1,1135V i, deci, I O 77,3 A , valoare foarte apropiat de cea obinut prin

simulare, I O 73,3 A .
Simularea caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenial T1 T2 pentru un domeniu de
variaie a tensiunii difereniale de intrare cuprins ntre 0,4V i 0,4V este prezentat n Figura
rezultnd VGS
3.20a. Amplificarea de mod diferenial a circuitului este Add
g m R1
valoarea simulat a acesteia fiind 9,71 .

Caracteristica de transfer este similar pentru amplificatorul diferenial T6
KI O R1
9,38 ,
T7 .
b. Conform relaiilor (3.110) i (3.111), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenial NMOS T1 T2 va fi cuprins ntre 1,1934V i 3,6135V .
Simularea prezentat n Figura 3.20b a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 3,2V , VC 3,3V i VC 3,4V pune n
eviden o tensiune maxim de mod comun de intrare de aproximativ 3,3V .
165
CAPITOLUL III
Figura 3.20a
In mod similar, simularea prezentat n Figura 3.20c a caracteristicii de transfer a
amplificatorului NMOS pentru 2 valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 1,1V i
VC
1,2V pune n eviden o tensiune minim de mod comun de intrare de aproximativ 1,2V .
Figura 3.20b
166
CAPITOLUL III
Figura 3.20c
c. Conform relaiilor (3.112) i (3.113), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenial PMOS T6 T7 va fi cuprins ntre 0,6135V i 1,807V .
Simularea prezentat n Figura 3.20d a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC
0,3V pune n
0,5V , VC
0,4V i VC
eviden o tensiune minim de mod comun de intrare de aproximativ 0,4V .
Figura 3.20d
167
CAPITOLUL III
Simularea prezentat n Figura 3.20e a caracteristicii de transfer a acestui amplificator

pentru 2 valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 1,8V i VC 1,9V pune n eviden
o tensiune minim de mod comun de intrare de aproximativ 1,8V .
Figura 3.20e
d. In urma celor 4 simulri anterioare s-au determinat urmtoarele domenii ale tensiunii de
mod comun de intrare: 0,4V v IC 1,8V , pentru amplificatorul PMOS i 1,2V v IC 3,3V
pentru amplificatorul NMOS. Conectarea n paralel a celor dou amplificatoare va conduce la
obinerea unui domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare al structurii,
0,4V v IC 3,3V , cu dezavantajul obinerii unei transconductane duble pentru intervalul n
care ambele amplificatoare difereniale sunt active, 1,2V vIC 1,8V . Amplificarea de mod
diferenial a structurii paralel nu va fi constant pentru tot domeniul extins de variaie a tensiunii
de mod comun de intrare, ci va avea o valoare Add pentru extremitile intervalului,
1,2V i 1,8V v IC 3,3V i o valoare 2 Add pentru zona central a intervalului,

1,2V vIC 1,8V . Acest lucru este ilustrat n Figura 3.20f, simularea caracteristicii de transfer a
structurii paralel realizndu-se pentru 5 valori ale tensiunii de mod comun de intrare:
2 valori aflate n extremitile intervalului extins ( VC 0,5V i VC 2,5V ),
caracteristicile fiind aproximativ identice deoarece pentru fiecare caz este active un
singur amplificator diferenal;
2 aflate cu puin n afara domeniului extins ( VC
0,5V i VC 3,5V ), remarcnduse o uoar scdere n raport cu situaia anterioar a amplificrii de mod diferenial
echivalente a structurii ca o consecin a ieirii din saturaie a unor tranzistoare din
circuit;
0,4V
v IC
168
CAPITOLUL III
o valoare aflat n zona central a intervalului ( VC 1,5V ), amplificarea de mod

diferenial echivalent avnd o valoare dubl n comparaie cu primul caz, deoarece
ambele amplificatoare difereniale sunt active, transconductana echivalent fiind suma
celor dou transconductane individuale.
Figura 3.20f
Problema 3.21
S se repete problema anterioar pentru circuitul din Figura 3.21a. Diferena ntre cele dou
circuite sunt inserarea blocului de calcul al maximului a doi cureni (Figura 3.21b) i transformarea
structurii difereniale cu sarcin pasiv n etaj diferenial cu sarcin activ. Ce avantaj prezint
circuitul modificat fa de circuitul din problema anterioar?
Rezolvare
Pentru iO1
iO2 , se pot scrie urmtoarele relaii:
i D1
iO
iar pentru iO1
i D3
i D4
i D2
iO1 i D3
i D1 i D5
i D5
iO 2
(3.121)
iO1 iO2
(3.122)
iO 2
(3.123)
iO1 iO2
iO1
iO 2 :
i D4
i D5
iO 2
i D3 iO1 ; i D1 i D2 0
iO i D1 i D5 iO2
169
(3.124)
(3.125)
(3.126)
CAPITOLUL III
VDD
iO1
VC
vI
VDD
vO
I0 = max(iO1, iO2)
iO2
Figura 3.21a
iO1
iO2
iO
T1
T2
T3
T4
T5
Figura 3.21b
NMOS
PMOS
v IC v IC
Pentru domeniul tensiunilor medii de mod comun de intrare v IC
max ,
min
circuitul de maxim din Figura 3.21b va selecta transconductana cu valoarea cea mai mare dintre
GmPMOS i GmPMOS , deci transconductana total a circuitului paralel modificat din Figura 3.21a
va fi aproximativ constant, independent de tensiunea de mod comun de intrare.
170
CAPITOLUL III
PMOS
Domeniul I: v IC
min
NMOS
v IC
min
v IC
NMOS
Domeniul al II-lea: v IC
min
PMOS
Domeniul al III-lea: v IC
max
Tabelul 3.4
Domeniu VIC
AD NMOS
AD PMOS
AD paralel
modificat
PMOS
v IC
max
v IC
v IC
I
0
Gm
Gm
NMOS
v IC
max
II
Gm
Gm
Gm
III
Gm
0
Gm
Problema 3.22
circuitului i s se determine transconductana i domeniul maxim al tensiunii de mod comun de
intrare.
VDD
i1a
i2a
T1b
T1a
vI/2
-vI/2
vI/2
-vI/2
T2b
T2a
i1b
iO1
T3
T4
T5
T6
IC
i2b
iO2
T7
T8
Figura 3.22
171
T9
T10
T11
T12
CAPITOLUL III
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.22 prezint avantajul unei transconductane echivalente constante
pentru un domeniu extins al tensiunii de intrare de mod comun. Extinderea domeniului maxim de
mod comun al tensiunii de intrare se realizeaz prin utilizarea a dou amplificatoare difereniale
complementare ( T1a T1b , respectiv T2a T2b ), n timp ce pstrarea unei transconductane
constante este posibil prin implementarea a dou circuite de maxim ( T3 T7 i T8 T12 ).
Transconductana ntregului circuit este derivat din relaia (3.86):
Gm
(3.127)
2 2 KI C
Problema 3.23
circuitului i s se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
VDD
T13
T14
T15
T16
i1
i5
i2
i6
i5
i6
IC
vI/2
T1
T3 T4
T2
T5
T7
T9
T11
T6
T8
T10
T12
-vI/2
i6
i4
i5
i3
T17
T18
T19
T20
Figura 3.23
Rezolvare
Pentru obinerea unei transconductane constante a amplificatorului diferenial, circuitul din
Figura 3.23 este format din dou perechi difereniale complementare, T1 - T2 , respectiv T3 - T4 ,
precum i din dou oglinzi de curent flotante, T5 - T8 i T9 - T12 . Datorit conexiunii serie a
celor dou surse de curent, i 5 i i6 vor avea valoarea egal cu minimul dintre cei doi cureni de
ieire ai celor dou surse de curent:
i5
min(I C - i1 , I C - i4 )
(3.128)
i6
min(I C - i2 , I C - i3 )
(3.129)
172
CAPITOLUL III
Considernd curentul de ieire egal cu diferena celor doi cureni iO

cazuri posibile:
Tensiune de mod comun redus; rezult i3
i 2 i i4
i1 , deci iO
i4 - i3
i6 - i5 , exist trei
GmPMOS v I ;
Tensiune de mod comun mare; rezult i3 i 2 i i4 i1 , deci iO i1 - i 2 GmNMOS v I ;

Tensiune
de
mod
comun
medie;
rezult
i
deci
i4 i1 ,
i3 i 2
iO i1 - i 2 i4 - i3 GmNMOS v I GmPMOS v I .
In concluzie, pentru orice valoare a tensiunii de mod comun de intrare, transconductana
amplificatorului diferenial din Figura 3.23 este aproximativ constant, n ipoteza unor
transconductane egale ale celor dou amplificatoare difereniale complementare.
Problema 3.24
circuitului i s se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
In1
In2
V1
io
V2
VB
IO
V DD
Ip1
Ip2
Figura 3.24
173
DD
CAPITOLUL III
Rezolvare
Amplificatorul diferenial din Figura 3.24 este realizat prin conectarea n paralel a dou
amplificatoare difereniale complementare de tipul celui prezentat n Figura 3.13, obinerea unei
transconductane constante a structurii fiind realizat prin selectarea maximului dintre cele dou
transconductane utiliznd dou circuite de maxim. Va rezulta:
T
Gm
GmNMOS
GmPMOS
(3.130)
2 2 KI O
Problema 3.25
Se consider amplificatorul dublu diferenial avnd simbolul din Figura 3.25a. S se propun
schema bloc a unei implementri posibile pentru acest tip de structur diferenial. Dependena
tensiunii de ieire de cele 4 poteniale de intrare este:
vO
a (v1 v2 ) (v3
v4 )
(3.131)
a reprezentnd amplificarea n bucl deschis a amplificatorului dublu diferenial.
v2
v1
+ +
v4
v3
vO
_
Figura 3.25a
Rezolvare
O posibil realizare a structurii difereniale din Figura 3.25a utilizeaz dou amplificatoare
difereniale identice, avnd impedan de intrare mare, schema bloc a structurii propuse fiind
Expresia tensiunii de ieire este:
vO
iO R
(iO1 iO2 ) R
Gm12 (v1 v 2 ) Gm34 (v3
v4 ) R
(3.132)
Comparnd relaiile (3.131) i (3.132) rezult urmtoarea expresie a amplificrii echivalente

a circuitului:
(3.133)
a Gm12 R Gm34 R
174
CAPITOLUL III
v1
v2
AD1
iO1
iO
vO
R
iO2
v3
v4
AD2
Figura 3.25b
Problema 3.26
circuitului i s se evalueze domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare.
VDD
T7
i2
T1
v2
T5 T6
T2
v1
v1
T18
T13
i1
T14
i2
i1
T8
T11 T12
i2
T9
i1 i2
T4
i4 i3
i3
IC
T10
iO
v2
i4
T3
T15
i1
T19
T16
T17
Figura 3.26
Rezolvare
Uzual, pentru lrgirea domeniului de mod comun al tensiunii de intrare a unui amplificator
diferenial se utilizeaz o structur complementar de tranzistoare MOS, transconductana total
fiind suma celor dou transconductane ale perechilor complementare, n condiiile n care fiecare
dintre acestea este o funcie pozitiv de tensiunea diferenial de intrare. O alternativ de etaj
175
CAPITOLUL III
diferenial cu domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare este prezentat n Figura 3.26.
Transconductana total a circuitului este suma dintre o transconductan pozitiv (etajul format
din tranzistoarele T8 - T13 ) i una negativ ( T1 - T7 ). Curentul de ieire al amplificatorului
diferenial are expresia:
iO
iO
(i1 - i2 ) (i3 - i4 )
(3.134)
(i1 '-i 2 ' ) (i1 ' '-i 2 " ) (i3 - i4 )
GmNMOS (T1 , T2 ) GmNMOS (T8 , T9 ) GmPMOS (T11 , T12 )
(3.135)
Funcionarea circuitului din Figura 3.26 fiind dependent de tensiunea de mod comun de
intrare, vor fi analizate n continuare cele 5 situaii posibile din acest punct de vedere.
v IC 0
T5 , T6 sunt n conducie, dar T3 este blocat, deci etajul diferenial T1 T2 va prezenta o
transconductan nul, neavnd curent de polarizare;
T10 este blocat, deci etajul diferenial T8 T9 nu va avea curent de polarizare, rezultnd
GmNMOS (T8 T9 ) 0 ;
Etajul diferenial T11 T12 este polarizat la curentul IC , deci va avea transconductana
PMOS
Gm
(T11 T12 )
GmPMOS ( I C ) ;
v IC aproximativ 0
T5 , T6 sunt n saturaie, dar T3 este n zona liniar a caracteristicii, deci etajul diferenial
T1 T2 va fi polarizat la un curent I n I C , fixat de T3 , rezultnd o transconductan
GmNMOS (T1 T2 ) GmNMOS ( I n ) ;

T10 funcioneaz n zona liniar, impunnd un curent de polarizare I n
I C etajului
diferenial T8 T9 , deci GmNMOS (T8 T9 ) GmNMOS ( I n ) ;

Etajul diferenial T11 T12 este polarizat la curentul IC , deci va avea transconductana
PMOS
Gm
(T11 T12 )
GmPMOS ( I C ) ;
v IC medie
T5 , T6 i T3 sunt n saturaie, deci etajul diferenial T1 T2 va fi polarizat la un curent I C ,

rezultnd o transconductan GmNMOS (T1 T2 ) GmNMOS ( I C ) ;
T10 funcioneaz n saturaie, impunnd un curent de polarizare I C etajului diferenial
T8 T9 , deci GmNMOS (T8 T9 ) GmNMOS ( I C ) ;

Etajul diferenial T11 T12 este polarizat la curentul I C , deci va avea transconductana
PMOS
Gm
(T11 T12 )
GmPMOS I C ;
v IC aproximativ V DD
T3 este n saturaie, dar T5 i T6 sunt n zona liniar a caracteristicii. Etajul diferenial
T1 T2
va
fi
polarizat,
deci,
la
un
curent
GmNMOS (T1 T2 ) GmNMOS ( I p ) ;

176
Ip,
rezultnd
transconductan
CAPITOLUL III

T8 T9 . Rezult GmNMOS (T8 T9 ) GmNMOS ( I C ) ;
T13 funcioneaz n zona liniar, impunnd un curent de polarizare I p etajului diferenial
T11 T12 care va avea, deci, o transconductan GmPMOS (T11 T12 )
GmPMOS ( I p ) ;
v IC VCC
T3 este n saturaie, dar T5 i T6 sunt blocate. Etajul diferenial T1 T2 va fi polarizat,
deci, la un curent nul, rezultnd o transconductan GmNMOS (T1 T2 ) 0 ;
T8 T9 . Rezult GmNMOS (T8 T9 ) GmNMOS ( I C ) ;

T13 este blocat, impunnd un curent de polarizare nul etajului diferenial T11 T12 care va
avea, deci, o transconductan GmPMOS (T11 T12 ) 0 ;
Transconductanele celor trei etaje sunt centralizate n Tabelul 3.5.
Tabelul 3.5
vIC
T8 T13
T1 T2
0
aproximativ 0
medie
aproximativ
VDD
VDD
GmPMOS(IC)
GmPMOS(IC)+ GmNMOS(In)
GmPMOS(IC)+ GmNMOS(IC)
NMOS
Gm
(In)
GmNMOS(IC)
GmPMOS(Ip)+ GmNMOS(IC)
GmNMOS(Ip)
GmNMOS(IC)
Etaj diferenial cu
transconductan
constant
GmPMOS(IC)
GmPMOS(IC)
GmPMOS(IC)
GmPMOS(Ip)+ GmNMOS(IC ) -GmNMOS(Ip)
GmPMOS(IC)
Utilizarea configuraiei din Figura 3.26 permite obinerea unei transconductane aproximativ
constante pentru ntregul amplificator diferenial, indiferent de regimul de funcionare al
tranzistoarelor schemei (inversie slab sau inversie puternic).
177
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
CAPITOLUL IV
AMPLIFICATOARE OPERA IONALE
INTRODUCERE
Amplificatorul operaional este un circuit cu intrare diferenial i ieire simpl, folosit n
circuite cu reacie extern, avnd rolul de amplificare a semnalului de intrare sau de prelucrare a
acaestuia conform unei anumite relaii matematice. Amplificatorul operaional ideal prezint o
amplificare n bucl deschis infinit, rezisten de intrare infinit i rezisten de ieire nul. Dei
amplificatoarele operaionale reale nu au aceste caracteristici ideale, performanele lor sunt n mod
obinuit suficient de bune astfel nct n majoritatea aplicaiilor comportarea circuitului s poat fi
bine aproximat cu cea a unui amplificator operaional ideal.
Parametrii amplificatoarelor opera ionale
Amplificarea n bucl deschis a reprezint raportul dintre variaia tensiunii de ieire i
variaia tensiunii de intrare difereniale:
v NI
vO
v INV
v NI i v INV reprezentnd potenielele intrrilor neinversoare, respectiv inversoare.

Impedant de intrare Z i este definit ca raportul dintre variaia tensiunii de intrare i
variaia corespunztoare a curentului de intrare prin una din intrri, cnd cealalt intrare
este conectat la mas;
Impedan de ieire Z O este raportul dintre variaia tensiunii de ieire i variaia
corespunztoare a curentului de ieire pentru tensiuni de ieire apropiate de zero.
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun V IC max este domeniul maxim
de variaie al tensiunii de intrare de mod comun pentru care amplificatorul operaional
funcioneaz normal.
178
CAPITOLUL IV
PROBLEME
Problema 4.1.
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.1. S se determine:
a. Curenii de dren ai tranzistoarelor n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistena de intrare
d. Rezistena de ieire a structurii
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
VDD
T4
T3
R
T5
T1
v1
IO
T2
A
T7
T8
vO
v2
T6
Figura 4.1
Rezolvare
a. Pentru determinarea curentului I O se poate scrie relaia:
RI O VGS 8
VDD
(4.1)
Pentru o funcionare n saturaie a tranzistorului T8 i neglijnd efectul de modulare a

lungimii canalului se poate scrie:
IO
K
VGS 8 VT 2
2
(4.2)
rezultnd o ecuaie de gradul doi avnd ca necunoscut tensiunea VGS 8 :
V DD
VGS 8
RK
VGS 8 VT 2
2
(4.3)
Soluia valabil este cea care corespunde funcionrii n saturaie a tranzistorului T8 , adic
VGS 8 VT . Curentul I D8 se obine prin nlocuirea n relaia (4.2) a valorii obinute pentru
VGS 8 , iar I D5 I D6 I D7 I D8 I 0 i I D1
b. Amplificarea circuitului are expresia:
a
I D2
I D3
I D4
I D7 / 2
g m1 rds 2 // rds4 g m5 rds5 // rds6
nlocuind expresiile pentru transconductane i rezistene dren-surs rezult:
179
IO / 2 .
(4.3)
CAPITOLUL IV
a
2
(4.4)
IO
c. Rezistena de intrare este:

(4.5)
Rid
d. Rezistena de ieire are expresia:
RO
rds 5 // rds6
1
2 IO
(4.6)
e. Valoarea maxim a tensiunii de intrare de mod comun este impus de condiia de funcionare n
saturaie a tranzistoarelor T1 i T2 , condiia cea mai restictiv fiind impus de T2 deoarece
VDS 2
VDD VSG5 V A
VDS1
VDD VSG3 V A , deci VDS 2
v IC max V DD VSG 5 V DS 2 sat
VGS 2
VDS 2sat
V DD VSG 5 VT
VGS 2 VT :
2I O
K
V DD
(4.7)
iar valoarea minim a acesteia este stabilit de condiia de funcionare n saturaie a

tranzistorului T7 :
v IC max V DS7 sat
VGS1
VGS7
VGS1 VT
VT
2 1
IO
K
(4.8)
Problema 4.2
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.2a. VC 1 este un potenial
constant, stabilit din exterior, care fixeaz curentul de dren al tranzistorului T9 la valoarea I O .
S se determine expresiile pentru:
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
c. Amplificarea circuitului, explicndu-se funcionarea acestuia
d. Rezistena de ieire
e. S se repete punctele anterioare pentru circuitul din Figura 4.2b i s se determine valoarea
maxim a potenialului VC 2 , respectiv valoarea minim a potenialului VC 3 pentru ca circuitul s
funcioneze corect
180
CAPITOLUL IV
VDD
T7
v1
T4
T3
T1
T2
T6
vO
v2
IO
T9
VC1
T8
T5
Figura 4.2a
VDD
T7
T3
T4
T6
VC2
T2
T1
v1
vO
v2
IO
T11
VC3
T9
VC1
T10
T8
T5
Figura 4.2b
Rezolvare
a.
not
I D9
I D1
IO
I D2
K
VC1 VT 2
2
... I D8
(4.9)
(4.10)
IO / 2
b. Limita maxim a tensiunii de intrare de mod comun este impus de funcionarea n

saturaie a tranzistoarelor T1 i T2 , deci VDS1,2 VDS1,2 sat VGS1,2 VT :
v IC max V DD VSG4 VDS1sat
VGS1
(4.11)
VC1 VT
(4.12)
echivalent cu:
v IC max V DD
IO
K
V DD
iar limita minim de condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T9 :
v IC max VGS 2 VGS 9 sat
VT
IO
K
181
2I O
K
1
2
VC 1 VT
VT
(4.13)
CAPITOLUL IV
c,d. Amplificatorul operaional este format din amplificatorul diferenial T1 T2 ai crui

cureni de ieire sunt reflectai prin oglinzile de curent T4 T7 , T3 T6 i T5 T8 , n nodul de
ieire realizndu-se diferena acestora:
iD6
iD5
iD3 iD8
iD3 iD4
(4.14)
iD2 iD1
Presupunndu-se o funcionare la semnal mic a amplificatorului diferenial, caracteristica sa

de transfer poate fi considerat liniar:
iD 2
iD1
g m1 v2
(4.15)
v1
Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional are expresia:
vO
i D6
RO fiind rezistena de ieire a amplificatorului, RO

vO
(4.16)
i D5 RO
rds5 / 2 1 / I O , deci:
rds6 // rds5
1
gm1rds 5 v2 v1
2
gm1 rds6 // rds 5 v2 v1
(4.17)
rezultnd o amplificare egal cu:
1
g m1 rds 5
2
K
IO
(4.18)
e. Curenii n PSF i v IC max nu se modific prin schimbarea configuraiei, n schimb

rezistena de ieire a structurii i amplificarea acesteia vor crete cu acelai factor, devenind:
RO ' rds10 g m10 rds6 // rds11 g m11 rds 5
a'
1
2
gm1gm10 rds
10
2
1
2
g m10 rds
10
2
2K
2
IO
2K
2
K
IO
(4.19)
4.20)
IO
Creterea important a RO i a se datoreaz nlocuirii oglinzii de curent clasice cu varianta

sa cascod.
Valoarea maxim a potenialului VC 2 este fixat de funcionarea n saturaie a
tranzistorului T6 :
VC 2 max V DD V SD6 sat . V SG10
V DD VT
IO
K
(4.21)
In mod similar, valoarea minim a potenialului VC 3 este fixat de funcionarea n saturaie

a tranzistorului T5 :
VC 3 min
VGS 11 V DS 5 sat .
182
VT
IO
K
(4.22)
CAPITOLUL IV
Problema 4.3
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.3. S se determine expresiile
pentru:
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, v IC max
c. Amplificarea circuitului
VDD
T13
T9
T6
T5 T3
v1
T4
T1 T 2
vO
v2
IO
T10
T14
T11
T12
T7
T8
Figura 4.3
Rezolvare
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare au urmtoarele expresii:
I D1
... I D8
IO
2
(4.23)
I D9
... I D14
IO
(4.24)
b. Limita maxim a tensiunii de intrare de mod comun este impus de funcionarea n

saturaie a tranzistoarelor T1 i T2 , deci VDS1,2 VDS1,2sat VGS1,2 VT :
v IC max V DD VSG3 VDS 2sat
VGS 2
(4.25)
echivalent cu:
IO
K
v IC max V DD
(4.26)
iar limita minim de condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T14 :
v IC max VGS 2 V DS14 sat
(4.27)
deci:
v IC max
2 1
(v. Problema 4.2).

183
IO
K
VT
(4.28)
CAPITOLUL IV
c. Structura de amplificator operaional din Figura 4.3 este derivat din circuitul prezentat n
Figura 4.2a. Creterea amplificrii este posibil prin introducerea unui etaj suplimentar de
amplificare (tranzistorul T10 n configuraia surs comun, avnd ca sarcin tranzistorul T9 ,
component a sursei de curent T9 T13 ). Polarizarea etajului diferenial de intrare T1 T2 este
asigurat (spre deosebire de circuitul din Fig 4.2a) de sursa de curent T11 T14 .
Amplificarea ntregii structuri este egal cu produsul amplificrii celor dou etaje
componente:
1
g m1 g m10 rds 4 rds10
4
g m1 rds 4 // rds 8 g m10 rds10 // rds 9
K
2
(4.29)
IO
Problema 4.4
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.4. S se determine expresiile pentru:
VDD
T10
T12
T11
v1
T1
IO
T7
T8
v2
T2
vO
T6
T5
T3
T9
T4
Figura 4.4
Rezolvare
a.
I D5
... I D12
I D1
... I D4
IO
IO
2
(4.30)
(4.31)
b. Amplificarea structurii este egal cu produsul amplificrilor celor trei etaje

constitutive:
Add 1
g m1 rds 2 // rds4
(4.32)
Add 2
g m5 rds5 // rds12
(4.33)
Add 3
g m6 rds8 // rds9
(4.34)
Se obine:
184
CAPITOLUL IV
3/2
K
IO
2 3
(4.35)
Problema 4.5
Se consider etajul de intrare ntr-un amplificator operaional prezentat n Figura 4.5a. S se
analizeze funcionarea acestuia i s se calculeze expresia transconductanei
Gm iD2 iD1 / v2 v1 . S se proiecteze un amplificator operaional cu amplificare n bucl
deschis de valoare ridicat utiliznd ca etaj de intrare structura prezentat. Ce expresie are a
pentru ntregul amplificator operaional proiectat?
VDD
IO
IO
T3
v1
T1
T8
T6
T5
T7
T4
v2
T2
iD2
iD1
Figura 4.5a
Rezolvare
Notm cu VGS I modulul tensiunii gril-surs a unui tranzistor MOS avnd curentul de
dren de valoare I . Se pot scrie relaiile:
v1
v2
2vGS I O
2vGS i D1
2
K
IO
i D1
(4.36)
v1
v2
2vGS i D 2
2vGS I O
2
K
i D2
IO
(4.37)
Rezult:
iD1
IO
i D2
IO
v1
v2
K
2
(4.38)
v2
K
2
(4.39)
2
v1
2
Deci:
185
CAPITOLUL IV
i D1
i D2
iD2
iD1
(4.40)
2 IO
v1 v2
K
2
(4.41)
Curentul diferenial de ieire va avea expresia:
i D2
i D1
i D2
i D1
i D2
i D1
2 KI O v1
v2
Gm v1
v2
(4.42)
Transconductana echivalent a etajului diferenial este:
Gm
(4.43)
2 KI O
Circuitul propus pentru structura de amplificator operaional conine amplificatorul

diferenial analizat i un etaj de ieire de tip cascod pentru creterea rezitenei de ieire i,
implicit, a amplificrii circuitului. VC reprezint un potenial fixat din exterior.
VDD
T15
T16
T14
T17
vO
Amplificator
diferenial
v1
v2
VC
iD1
T11
T13
iD2
T9
T10
T12
Figura 4.5b
Se obin:
Gm RO
(4.44)
i:
RO
rds17 g m17 rds16 // rds13 g m13 rds12
186
1
2
g m17 rds
17
2
(4.45)
CAPITOLUL IV
Problema 4.6
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.6. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. VC 1 , VC 2 i VC 3 sunt poteniale
constante, fixate din exterior.
VDD
VC1
VC2
VC3
T6
T10
T8
v1
T2
v2
T3
vO
T7
T4
T9
T5
T11
Figura 4.6
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.6 este format din urmtoarele etaje de amplificare:
- amplificatorul diferenial cu sarcin activ T2 T5
- amplificatorul de tip surs comun T7 avnd ca sarcin sursa de curent T6
- amplificatorul de tip surs comun T8 avnd ca sarcin sursa de curent T10 , curentul de dren
al tranzistorului T8 fiind reflectat prin oglinda de curent T9 T11
Amplificrile celor trei etaje constitutive sunt:
Add 1
g m2 rds3 // rds5
(4.46)
Add 2
g m7 rds6 // rds7
(4.47)
Add 3
g m8 rds10 // rds11
(4.48)
iar amplificarea ntregii stucturi este egal cu produsul celor trei amplificri anterioare.
Problema 4.7
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. A1 i A2 reprezint dou
amplificatoare operaionale adiionale avnd amplificrile n bucl deschis a1
VC 2 i VC 3 sunt poteniale constante, fixate din exterior.
187
a2
a , iar VC 1 ,
CAPITOLUL IV
VDD
T5
T4
T3
T8
VC1
T2
T1
v1
A1
T9
vO
v2
VC2
A2
T10
T7
VC3
T6
T11
Figura 4.7
Rezolvare
Circuitul prezentat n Figura 4.7 reprezint o structur clasic de amplificator operaional,
etajul diferenial de intrare T1 T2 debitnd curent prin sursele de curent mbuntite
T8 T9
A1 i T10 T11
RO
A2 . Rezistena de ieire a amplificatorului operaional are expresia:

rds9 g m9 rds 8 a1 // rds10 g m10 rds11 a 2
1
2
ag m9 rds
9
2
(4.49)
iar amplificarea ntregii structuri este:
g m1 RO
1
2
ag m1 g m9 rds
9
2
(4.50)
remarcndu-se o cretere important a acesteia prin introducerea amplificatoarelor operaionale

adiionale.
Problema 4.8
acestuia i s se determine amplificarea circuitului.
Rezolvare
Structura de amplificator operaional prezentat n Figura 4.8 este format din amplificatorul
diferenial T1 T2 i sursele de curent cascod realizate cu celelalte tranzistoare din circuit.
Amplificarea va avea expresia:
1
2
a
g m1 g m10 rds
(4.51)
10
2
188
CAPITOLUL IV
VDD
T7
T9
T6
T8
T5
T3
T4
T10
T1
T2
v1
vO
v2
IO
T11
T12
T13
T14
Figura 4.8
Dezavantajele circuitului sunt necesitatea alimentrii la o tensiune relativ ridicat i
domeniul restrns al tensiunii de intrare de mod comun (valoarea maxim a acestuia):
v IC max V DD
2V SG 3 V DS 1sat
VGS1
V DD VT
IO
K
(4.52)
Problema 4.9
acestuia i s se determine amplificarea circuitului. I 12 i I 34 sunt dou surse de curent constant,
ale cror valori sunt stabilite din exterior.
VDD
T7
T6
T5
T8
T1
v1
I12
T3
T4
T9
T12
T10
T11
T2
I34
Figura 4.9
189
vO
v2
T13
T15
T14
T16
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.9 are ca etaj de intrare conexiunea antiparalel a
dou amplificatoare difereniale clasice, T1 T2 , respectiv T3 T4 , polarizate la cureni diferii,
I 12 , respectiv I 34 . Curenii de ieire ai acestei conexiuni parcurg sursele de curent cascod

realizate cu celelalte tranzistoare din circuit, tensiunea de ieire a ntregii structuri avnd
expresia:
vO
(4.53)
iO RO
RO fiind rezistena de ieire a amplificatorului operaional:

RO
1
2
g m11 rds
12
2
(4.54)
cu:
g m11
K ( I 12
(4.55)
I 34 )
i:
rds12
2
( I 12
(4.56)
I 34 )
Datorit conexiunii antiparalel, transconductana echivalent a etajului de intrare va fi:
g mi
g m12
(4.57)
g m34
deci:
g m12
g m34 RO
2 K ( I 12
2
( I 12
I 34 )
I 34 ) 3 / 2
(4.58)
Problema 4.10
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. VC 1 , VC 2 i VC 3 sunt poteniale
constante, fixate din exterior.
Rezolvare
Curentul de ieire al amplificatorului diferenial T1 T2 parcurge sursa de curent cascod
T3 T7 , genernd, astfel, tensiunea de ieire. Dezavantajele circuitului sunt aceleai cu cele ale
structurii din Figura 4.8. Amplificarea circuitului din Figura 4.10 va avea expresia:
1
2
a
g m1 g m7 rds
(4.59)
7
2
190
CAPITOLUL IV
VDD
T5
T6
VC1
T7
vO
T3
T4
VC2
T1
v1
T2
v2
T8
VC3
Figura 4.10
Problema 4.11
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.11 VC 1 i VC 2 sunt poteniale
constante, fixate din exterior. S se determine expresiile pentru:
VDD
T3
T5 T4
T6
VC1
T8
vO
IO
T1
v1
T2
T11
T12
v2
T10
VC2
T9
T7
Figura 4.11
Rezolvare
a. Curenii I D11 i I D12 se determin n mod similar problemei 4.1. Datorit oglinzilor de
curent,:
I D1
I D2
... I D10
I D11 / 2
191
I D12 / 2
IO / 2
(4.60)
CAPITOLUL IV
b. Amplificarea ntregii structuri are expresia:
(4.61)
g m1 RO
RO fiind rezistena de ieire a amplificatorului operaional:

RO
1
2
g m9 rds
9
2
g m9 rds9 rds7 // g m8 rds8 rds6
(4.62)
rezultnd:
2K
(4.63)
IO
c. Rezistena de intrare este:

(4.64)
Rid
d. Rezistena de ieire are expresia:
1
2
g m9 rds
9
2
RO
(4.65)
echivalent cu:
RO
K
IO
IO
(4.66)
e. Procednd similar problemei 4.1, se obin:
v IC max V DD
IO
K
(4.67)
i:
v IC max VT
2 1
IO
K
Problema 4.12
Se consider circuitul din Figura 4.12a. VC este un potenial constant, fixat din exterior.
a. S se explice funcionarea acestuia
b. S se determine expresia amplificrii ntregii structuri
c. Cum se poate mri amplificarea circuitului?
d. Ce dezavantaje prezint circuitul i cum se poate mbunti funcionarea acestuia?
192
(4.68)
CAPITOLUL IV
VDD
T9
V
v1
T7
T8
T17
T18
V
v2
T12
T11
T13
T14
T33
T34
T25
T23
T10
vO
T21
T20
VC
T15
T16
T22
T24
Figura 4.12a
Rezolvare
a. Schema simplificat a amplificatorului operaional din Figura 4.12a este prezentat n
Figura 4.12b.
V
v1
T13
v2
T14
Oglind de curent
vO
Figura 4.12b
Amplificatorul diferenial este format din tranzistoarele T13 i T14 , n timp ce sursele de
tensiune comandate V sunt implementate utiliznd tranzistoarele T11 i T12 , polarizate la un
curent constant impus de tranzistoarele T15 i T16 , avnd tensiuni gril-surs fixate de tensiunea
de control VC . Oglinda de curent din Figura 4.12b este implementat concret utiliznd oglinzile
T34 T22 , T33 T24 i T23 T25 , avnd rolul de a realiza diferena celor doi cureni de dren ai
tranzistoarelor T13 i T14 . Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional va avea expresia:
vo
i D14
i D13 RO
Gm v1 v 2 RO
(4.69)
echivalent cu o amplificare a ntregii structuri din Figura 4.12a exprimat prin:
Gm RO
(4.70)
G m reprezint transconductana echivalent a amplificatorului diferenial din Figura 4.12a,

iar Rout - rezistena de ieire a amplificatorului operaional:
193
CAPITOLUL IV
RO
(4.71)
rds 25 // rds 24
b. Pentru circuitul din Figura 4.12b se pot scrie relaiile:
(4.72)
v SG13
(4.73)
v1
v2
v SG14
v1
v2
Considernd suma, respectiv diferena celor dou relaii anterioare se obin:
v SG14
v SG13
v SG14
2 v1
v SG13
(4.74)
v2
(4.75)
2V
Expresia curentului diferenial de ieire al amplificatorului din Figura 4.12a devine:

i D14
i D13
K
v SG14
2
VT
K
v SG13
2
K
v SG14
2
VT
v SG13 v SG13
v SG14
2VT (4.76)
Inlocuind expresiile diferenei i sumei celor dou tensiuni gril-surs se obine:
i D14
i D13
2 K v1
v2 V
(4.77)
VT
Revenind la structura din Figura 4.12a, sursele de tensiune V vor avea expresiile:
v SG11
v SG12
v SG15
v SG16
(4.78)
VC
deoarece tranzistoarele T11 , T12 , T15 i T16 sunt identice i parcurse de acelai curent. Rezult:
i D14
i D13
2 K v1
v2 VC
(4.79)
VT
Tensiunea de ieire a circuitului din Figura 4.12a are expresia:
vO
i D14
(4.80)
i D13 RO
Se obine:
vO
2 K v1 v 2 VC VT rds 24 // rds 25
(4.81)
echivalent cu o amplificare a amplificatorului operaional exprimat prin:
2 K VC VT rds 24 // rds 25
c. Creterea a este posibil prin nlocuirea surselor de curent T33

variantele lor cascod, aa cum este artat n Figura 4.12c.
194
(4.82)
T24 i T23
T25 cu
CAPITOLUL IV
VDD
T23
T25
T23
T25
vO
T24
T24
T22
Figura 4.12c
Efectul acestei nlocuiri este o cretere important a rezistenei de ieire a amplificatorului
operaional, reflectat ntr-o cretere de acelai numr de ori a amplificrii acestuia. Rezistena
de ieire a sursei de amplificatorului operaional din Figura 4.12c are expresia:
RO ' g m25 ' ' rds 25 ' ' rds 25 ' // g m24 ' rds 24 ' rds 24 ' '
RO '
1
2
g m25 rds
25
2
(4.83)
(4.84)
iar amplificarea acestuia este:

2
a' K VC VT g m25 rds
25
(4.85)
adic o cretere cu un factor de g m25 rds 25 a a .

d. Dezavantajul circuitului din Figura 4.12a este dependena amplificrii acestuia de
tensiunea de prag, concretizat n apariia unor erori cauzate de efectul de substrat (tensiunea de
prag nu este constant, fiind dependent de polarizarea V BS a substratului). Eliminarea acestui
inconvenient este posibil prin nlocuirea tranzistoarelor T11 i T12 cu cte o grupare serie
T11 ' T11 ' ' , respectiv T12 ' T12 ' ' , fiecare dintre cele 4 tranzistoare avnd K ' K ' ' 4 K (Figura
4.12d).
T11
T12
T11
T12
T11
T12
Figura 4.12d
195
CAPITOLUL IV
Noua expresie a tensiunii V este:

V v SG11 ' v SG11 ' ' 2v SG11 '
2 I D11 '
4K
2 VT
(4.86)
2 K
VC VT
K 2
2VT
(4.87)
rezultnd:
V VC VT
Expresiile amplificrilor devin independente de tensiunea de prag:
a
2 KVC rds 24 // rds 25
KVC rds 24
2
a' KVC g m25 rds
25
(4.88)
(4.89)
(4.90)
Problema 4.13
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 4.13a funcionnd la un curent I B fixat de
blocul Polarizare adaptiv, avnd schema bloc prezentat n Figura 4.13b. Implementarea
propus pentru blocul Detector tensiune de mod comun este prezentat n Figura 4.13c, n timp
ce Amplificatorul de separare furnizeaz un curent I B pentru polarizarea etajului diferenial de
intrare T1 T2 invers proporional cu tensiunea de intrare de mod comun, VCMS i, n plus, are
amplificarea n tensiune unitar. S se explice funcionarea ntregului ansamblu i s se determine
curenii de dren ai tranzistoarelor T1 i T2 din amplificatorului diferenial de intrare n punctul
static de funcionare.
polarizare
adaptiv
IB
v1
T1
v2
T2
Detector
tensiune de
mod comun
v1
v2
VCMS Ampl.
de separare
IB
VCMS
b
VDD
T5
T6
R
N2
N1
v1
T3
VCMS
IO
T4
IO
Figura 4.13
196
v2
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Datorit simetriei structurii din Figura 4.13c, tensiunea de ieire a acestuia va fi media
aritmetic a potenialelor din punctele N1 i N2, deci:
VCMS
VN 1 VN 2
2
v1
v2
VSG 3
VCM
2IO
K
VT
(4.91)
VCM fiind tensiunea de intrare de mod comun. Creterea VCM conduce la creterea VCMS , deci
la scderea I B , rezultnd o scdere a amplificrii etajului T1 T2 , deci o reacie pe mod comun
care stabilizeaz amplificarea circuitului fa de variaiile tensiunii de intrare de mod comun.
In punctul static de funcionare, v1 v2 , deci VCM v1 v2 i, deoarece VA VCMS , rezult
VCM VSG1 VCMS VCM VSG3 , deci VSG1 VSG3 , adic I1 I 2 I O (deoarece
tranzistoarele T1 T4 sunt presupuse identice). In concluzie, curenii prin amplificatorul
diferenial T1 T2 n punctul static de funcionare i, implicit, amplificarea etajului pot fi
controlate prin curentul de polarizare I O .
Problema 4.14
S se repete problema 4.13 nlocuindu-se circuitul din Figura 4.13c cu circuitul din
Figura 4.14. Tranzistoarele T3 T6 sunt presupuse identice.
VDD
IO
T7
v1
v1
T9
T3 T4
T5 T6
T8
v2
v2
T10
IO
IO
VCMS
IO
IO
Figura 4.14
Rezolvare
Deoarece I D3 I D4 I D4 I D5 I D5 I D6 I O , rezult I D3
VGS 3 VGS 5 i VGS 4 VGS6 . Se pot scrie relaiile:
v1 ' VCMS
VCMS
I D5 i I D4
I D6 , deci
VGS 3 VGS 4
(4.92)
v2 ' VGS 5 VGS6
(4.93)
rezultnd:
VCMS
v1 ' v2 '
2
v1
v2
2
VSG 8
VCM
VT
2IO
K
(4.94)
Circuitul din Figura 4.14 indeplinete aceeai funcie cu cel din Figura 4.13c, media
aritmetic a potenielelor v1 i v2 fiind realizat utiliznd exclusiv tranzistoare MOS, deci cu un
consum mai redus de arie ocupat pe siliciu.
197
CAPITOLUL IV
Problema 4.15
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.15. S se explice funcionarea circuitului
i s se determine expresia amplificrii acestuia.
VDD
T9
T10
T5
T3
vO
v1
T4
T1
iD1
T8
T6
IO
T7
T2
v2
iD2
IO
T11
T12
Figura 4.15
Rezolvare
Amplificatorul diferenial format din tranzistoarele T1 T6 este de tipul celui prezentat n
Figura 4.12b. Sursele de tensiune comandate V din Figura 4.12b sunt implementate utiliznd
tranzistoarele T4 i T6 funcionnd la un curent constant I O :
VSG 4
VSG6
VT
2I O
K
(4.95)
Curentul diferenial de ieire are expresia:
i D2
i D1
2 2 KI O v1 v 2
(4.96)
2 2 KI O rds10 // rds12 v1 v 2
(4.97)
2 K V VT v1 v 2
iar tensiunea de ieire este:
vO
i D1 i D2 rds10 // rds12
Amplificarea circuitului va fi exprimat prin:
2 KI O rds10
(4.98)
Problema 4.16
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 4.16. S se determine expresia
transconductanei acestuia definit ca Gm iO / v1 v 2 , unde iO iD1 i D3
i D 2 i D4 .
198
CAPITOLUL IV
VDD
T5
T6
Va
Vb
Va
T1
v1
Ta
Vb
T3
T2
Tb
v1
T4
v2
IO
IO
iD1 + iD3
iD2 + iD4
Figura 4.16
Rezolvare
iO
K
Va ' v1 VT
2
iO
K
Vb ' v2 VT
2
K
v2 v1 2Va ' v1 v2
2
iO
K
Va ' v2 VT
2
2VT
K Vb ' Va ' v1
Gm
v2
K Vb
K
Vb ' v1 VT
2
(4.99)
K
v1 v2 2Vb ' v1 v2 2VT
2
(4.100)
K Vb
(4.101)
Va v1
v2
(4.102)
Va
Problema 4.17
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. Va i Vb sunt poteniale constante,
fixate din exterior, iar I O sunt surse de curent constant.
VDD
T13
T12
T11
T5
Va
v1
Va
T1
T14
T6
Vb
Ta
Vb
T3
T2
Tb
T4
v1
v2
IO
IO
vO
T9
T7
T17
T15
T10
T8
T18
T16
Figura 4.17
199
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Conform problemei 4.16, transconductana echivalent a etajului de intrare este
Gm K Vb Va . Deoarece rezistena de ieire a amplificatorului operaional are expresia:
RO
1
2
g m15 rds
15
2
(4.103)
se obine urmtoarea expresie a amplificrii structurii:
1
2
K Vb Va g m15 rds
15
2
Gm RO
(4.104)
Problema 4.18
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.18. VC 1 i VC 2 reprezint
poteniale constante, stabilite din exterior, care fixeaz curenii de dren ai tranzistoarelor T1 i T2
la valorile I O1 , respectiv I O 2 , iar tensiunea VP 2 VP1 se consider constant i cunoscut. S se
determine expresia amplificrii circuitului.
VDD
T7
T8
vO
T5
T3
v1
v1
VP2
v2
IO1
T1
VC1
T6
T4
VP1
IO2
VC2
T2
Figura 4.18
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.18 este format din dou amplificatoare difereniale
( T3 T5 i T4 T6 ), conectate antiparalel i polarizate diferit ( I O1 , respectiv I O 2 ), diferena
celor doi cureni de ieire fiind realizat utilizndu-se oglinda de curent T7
ieire al amplificatorului operaional are expresia:
iO
i D3
i D4
echivalent cu:
200
i D5
i D6
T8 . Curentul de
(4.105)
CAPITOLUL IV
K
v1 V P1 VT 2
2
iO
K
v 2 V P 2 VT 2
2
K
v 2 V P1 VT 2
2
K
v1 V P 2 VT 2 (4.106)
2
sau:
iO
(4.107)
K v1 v 2 VP2 VP1
Tensiunea de ieire va fi exprimat astfel:
iO RO
(4.108)
rds8 // rds6 // rds5
(4.109)
vO
RO fiind rezistena de ieire a structurii:
RO
Amplificarea va avea, deci, expresia:
(4.110)
KRO VP2 VP1
Rezistenele dren-surs care intr n componena rezistenei de ieire sunt:
rds 8
( I O1
(4.111)
I O2 )
rds6
2
I O2
(4.112)
rds 5
2
I O1
(4.113)
i:
rezultnd:
RO
1
( I O1
2
I O2 )
K [(VC1 VT )
(VC 2 VT ) 2 ]
(4.114)
deci:
2(V P 2 V P1 )
[(VC1 VT ) 2
(VC 2 VT ) 2 ]
(4.115)
Problema 4.19
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.19. S se determine expresiile
pentru:
201
CAPITOLUL IV
VDD
T3
T4
A
v1
T1
T5
B
T2
v2
IO
T6
T8
vO
Rl
T7
T12
T9
T10
T11
Figura 4.19
Rezolvare
a.
I D5
I D6
I D7
I D1
I D10
I D11
... I D4
I D12
IO
2
IO
(4.116)
(4.117)
Pentru aflarea curenilor I D8 i I D9 se pot scrie relaiile:
VGS6
VSG7
VGS 8 VSG9
(4.118)
echivalent cu:
2I O
K6
2I F
K8
(4.119)
K8
K6
(4.120)
rezultnd:
IF
S-a notat cu I F
T8 i T9 .
I D8
IO
I D9 valoarea de repaus a curentului prin tranzistoarele finale
b. Amplificarea structurii este egal cu produsul amplificrilor celor dou etaje constitutive:
amplificatorul diferenial cu sarcin activ realizat cu tranzistoarele T1 T4 , respectiv
amplificatorul surs comun implementat de tranzistorul T5 . Tranzistoarele T6 T9 formeaz
etajul de ieire n clas AB, curentul prin tranzistoarele finale T8 i T9 fiind fixat prin ajustarea
valorii curentului I D10 (care modific, ns, curenii prin toate tranzistoarele circuitului, deci i
202
CAPITOLUL IV
amplificarea acestuia), sau prin alegerea corespunztoare a factorilor de aspect ai tranzistoarelor

etajului final.
g m8 Rl
1 g m8 Rl
g m2 rds 2 // rds 4 g m5 rds 5 // rds10
1
g m2 g m5 rds 2 rds 5
4
K
2
(4.121)
IO
c. Rezistena de intrare a amplificatorului operaional este:

(4.122)
Ri
d. Rezistena de ieire a structurii are expresia:
RO
(pentru K 6
K 8 , deci I F
g m8
//
1
g m9
1
2 g m8
(4.123)
2 2 KI O
I O ).
Problema 4.20
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.20. VC 1 i VC 2 sunt poteniale
constante, fixat din exterior. S se explice funcionarea circuitului i s se determine Add . Ce
avantaj prezint circuitul comparativ cu cel din Figura 4.12a? Se consider c tranzistoarele T5 ,
T6 , T12 i T13 au constanta K de 4 ori mai mare dect a celorlalte tranzistoare.
VDD
T19
T20
T18
iD2
iO
v1
iD1
T17
T8
iD1
T9
iO
T14
iD2
T1
T2
T3
VC1
T11 T16
T7
v2
T4
T5
T12
T6
T13
T10
T15
VC2
-VDD
Figura 4.20
203
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Principiul de funcionare al amplificatorului operaional din Figura 4.20 este similar cu cel
al structurii din Figura 4.12a. Tranzistoarele T1 i T2 formeaz amplificatorul diferenial de
intrare, excitat de tensiunea diferenial v1 v2 , n timp ce tranzistoarele T3 i T4 , mpreun cu
oglinzile de curent T17 T18 i T19 T20 au rolul de a reflecta curenii de ieire din
amplificatorul diferenial ( iD1 i iD 2 ) n scopul obinerii tensiunii de ieire. Sursele de curent V
din Figura 4.12b sunt implementate concret n Figura 4.20 prin intermediul perechilor T5 T6 ,
respectiv T12 T13 , polarizate la un curent constant impus prin intermediul oglinzii multiple de
curent T8 T9 T14 de ctre tranzistorul T7 , avnd tensiunea gril-surs constant i fixat de
potenialul de comand VC . Deci:
VGS 5 VGS 6
2 I D5
4K
2 VT
2VT
2 K
VC 1 VT
K 2
VC 1 VT
(4.124)
deci, folosind relaia (4.77) din problema 4.12:
Gm
(4.125)
2 KVC1
Gm fiind transconductana circuitului, iO Gm v1 v2 . Se obine a Gm rds 2 // rds 20

Circuitul prezint avantajul posibilitii controlului valorii transconductanei Gm prin
intermediul potenialului VC 1 , precum i avantajul unei transconductane independente de
tensiunea de prag, deci o funcionare a circuitului neafectat de efectul de substrat.
Problema 4.21
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. VC1 VC 5 sunt poteniale constante,
fixate din exterior.
VDD
T11
T9
T13
T10
T12
VC1
T7
VC4
T8
T14
T15
vO
v2
v1
T1
T2
VC2
T3
VC5
T4
T16
T17
T6
T18
T19
VC3
T5
Figura 4.21
204
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.21 este format din amplificatorul diferenial T1 T2
i din sursele de curent cascod realizate cu tranzistoarel T3 T19 . Curentul de ieire din
amplificatorul operaional are expresia:
iO
i D15
(4.126)
i D17
Deoarece T18 T19 , T10 T12 i T9 T13 formeaz oglinzi de curent, rezult:
iO
i D9
i D10
i D3 i D4
Oglinda de curent T5 T6 impune i D5
iO
i D5
i D1
i D6
i D2
(4.127)
i D6 , deci:
i D2
i D1
g m1 v 2
(4.128)
v1
vO
(4.129)
iO RO
RO fiind rezistena de ieire a structurii:

RO
1
2
g m17 rds
17
2
(4.130)
rezultnd o amplificare exprimat prin:
1
2
g m1 g m17 rds
17
2
(4.131)
Problema 4.22
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.22. VC 1 i VC 2 sunt poteniale
constante, fixate din exterior. S se determine expresiile pentru:
Rezolvare
a. I D1 I D2
I O / 2 , I D11
I D12
I D5
I D3
I D4
IO .
I D6
I D7
K
V DD VC 2 VT 2
2
... I D10
205
I D6
I D2
(4.132)
(4.133)
CAPITOLUL IV
VDD
VC2
VC1
T1
v1
T2
T6
T3
T4
v2
vO
IO
T12
T5
T7
T8
T9
T10
T11
Figura 4.22
b,d. Amplificatorul operaional este o structur clasic de cascod ntoars, etajul de intrare
fiind implementat de amplificatorul diferenial T1 T2 , n timp ce etajul de ieire este relizat
utiliznd sursa de curent de tip cascod T3 T10 , necesar pentru creterea impedanei de ieire a
amplificatorului operaional i, deci, a amplificrii acestuia. Potenialul VC 2 fixeaz curentul de
repaus prin tranzistoarele T5 i T6 .
Amplificarea ntregii structuri are expresia:
(4.134)
g m1 RO
RO fiind rezistena de ieire a amplificatorului operaional, exprimat prin:

RO
rds8 g m8 rds10 // rds4 g m4 rds6 // rds 2
(4.135)
c. Rezistena de intrare a circuitului este:

(4.136)
Ri
e. Tensiunea maxim de intrare de mod comun are expresia:
v IC max VC1 VSG3 VDS1sat
VGS1
VC1 VSG3 VT
(4.137)
Condiia de funcionare n saturaie a tranzistorului T5 se poate scrie:
VDD
VC1 VSG3
VDD VC 2 VT
(4.138)
echivalent cu:
VC 2 VC 1
V SG 3 VT
2 K
V DD VC 2 VT
K 2
206
IO
2
V DD VC 2 VT
IO
(4.139)
K
CAPITOLUL IV
rezultnd urmtoarea condiie pentru funcionarea n saturaie a tranzistorului T5 :
IO
K
V DD VC 2 VT 2
VC 2 VC1 2
(4.140)
Tensiunea de intrare de mod comun este exprimat prin relaia (4.28).
Problema 4.23
Se consider amplificatorul operaional de tip cascod ntoars din Figura 4.23. S se
determine expresiile pentru:
Se consider c potenialele VC 1 i VC 3 (fixate din exterior) asigur curenii
I D9 I D5 I D4 I D3 I O , iar VC 2 i VC 4 sunt, de asemenea, poteniale fixate.
VDD
VC3
VC4
v1
T4
T12
T8
T3
IO
T11
T7
T2
T1
v2
vO
VC2
VC1
T10
T6
IO
T9
T5
IO
Figura 4.23
Rezolvare
a.
I D3
I D6
I D7
I D8
I D10
I D11
I D12
I D1
I D2
I D3
2
IO
2
I D9
I D2
IO
2
(4.141)
(4.142)
b. Curentul de ieire din amplificatorul operaional are expresia:
iO
IO
IO
2
g m1v2
IO
iar tensiunea de ieire a acestuia este:

207
IO
2
g m1v1
g m1 v1 v2
(4.143)
CAPITOLUL IV
vO
iO RO
(4.144)
iO rds7 gm7 rds8 // rds6 gm6 rds5 // rds1
deci:
2
gm1 gm7 rds
8 // g m6 rds6 rds 5 // rds1
K
2
(4.145)
IO
Problema 4.24
S se determine expresia amplificrii structurii de amplificator operaional din Figura 4.24.
este
potenial de polarizare fixat din exterior.
VC
VDD
T12
T15
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T11
vO
v1
VC
T13
T2
T1
T14
v2
T3
T10
Figura 4.24
Rezolvare
Amplificatorul operaional este de tip cascod ntoars, amplificarea etajului diferenial
T1 T2 fiind:
Add 1
g m1 rds9 // rds7 1 g m7 rds 2 // rds5
g m1 rds9
(4.146)
Amplificarea etajului al doilea, realizat cu tranzistorul T11 n configuraia surs comun are
expresia:
Add 2
g m11 rds10 // rds11
(4.147)
Amplificarea ntregii structuri este:
Add 1 Add 2
208
(4.148)
CAPITOLUL IV
Problema 4.25
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.25, VC i VC1 VC 4 fiind poteniale
constante, fixate din exterior care stabilesc prin circuit curenii I D0 , I D1 i I O (v. Figura 4.25) .
Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepia T0 i T1 care au factorii K 0 , respectiv K 1 . S se
determine amplificarea ntregii stucturi.
VDD
VC
T0
v1
T1
ID0
ID1
T2 T3
T4
T6
T7
VC1
v1
T5
T8
T9
v2
VC2
vO
T10
T11
iO1
iO2
VC3
IO
T12
T13
IO
VC4
Figura 4.25
Rezolvare
vO
I D0
IO
I D1
2
iO1
I D0
IO
I D1
iO 2
RO
iO 2
iO1 RO
(4.149)
RO fiind rezistena de ieire a circuitului:

RO
(4.150)
rds9 gm9rds7 // rds11gm11 rds13 // rds 2 // rds4
iar cu io1 i io 2 notndu-se componentele de semnal mic de la ieirea celor dou amplificatoare
difereniale T2 T3 i T4 T5 . Aceste componente sunt suprapuse peste curenii din punctul static
de funcionare, I D2 I D3 I D0 / 2 i I D4 I D5 I D1 / 2 .
Curentul diferenial de ieire poate fi scris astfel:
iO2
iO 2
iO1
iO1
iD2
iD4
g m2,3 v 2
v1
iO 2
iO1
iD3
iD5
iD2
g m4,5 v1 v 2
KI D1
iD3
g m4,5
iD4
iD5
(4.151)
g m2,3 v1 v 2
KI D0 v1 v 2
(4.152)
rezultnd o amplificare exprimat prin:
KI D1
KI D0 RO
K
2
209
K1
K 0 V DD VC VT RO
(4.153)
CAPITOLUL IV
Problema 4.26
Pentru amplificatorul operaional din Figura 4.26a s se determine amplificarea circuitului,
considerndu-se c tranzistoarele T5 T8 sunt tranzistoare MOS super-cascod, avnd structura
descris n Figura 4.26b. Se cunosc I O1 I O2 I O / 2 , iar potenialele VC1 VC 4 sunt fixate din
exterior astfel nct stabilesc prin circuit curenii din Figura 4.26a.
VDD
VC2
IO
VC3
T3
T4
VC2
T5
T6
VC3
vO1vO2
v1
T2
T1
v2
VC4
VC1
T7
T8
VC4
T9
T10
VC1
Figura 4.26a
VDD
IO2
IO1
vD
vD
iD
T11
vG
T12
vG
T13
vS
vGS
vS
Figura 4.26b
Rezolvare
Echivalarea celor dou structuri din Figura 4.26b este posibil pornind de la relaia general
care le caracterizeaz, i D Gm vGS , cu G m notndu-se transconductana echivalent a
structurii formate din cele trei tranzistoare. Se pot scrie relaiile:
iD
g m13 vGS13
g m13 g m12 vGS12 rds12
g m13 g m12 rds12 g m11 rds11vGS
(4.154)
rezultnd:
Gm
g m13 g m12 rds12 g m11 rds11
3
2
gm
11 rds11
210
4K 3 / 2
2 1/ 2
IO
G m5
Gm6
Gm7
Gm8 (4.155)
CAPITOLUL IV
Structura de amplificator operaional din Figura 4.26a este format din etajul diferenial
clasic realizat cu tranzistoarele T1 i T2 , curentul de ieire al acestuia parcurgnd sursa de
curent T3 T10 realizat n varianta cascod pentru creterea rezistenei de ieire i, deci, a
amplificrii circuitului. Amplificarea va avea expresia:
(4.156)
g m1 RO
RO fiind rezistena de ieire a amplificatorului operaional, exprimat astfel:

RO
(4.157)
rds8 1 Gm8 rds10 // rds1 // rds6 1 Gm6 rds4
Inlocuirea tranzistoarelor clasice cu tranzistoarele de tip supercascod, avnd o

transconductan echivalent mult superioar conduce la o important cretere a rezistenei de
ieire a amplificatorului operaional i, implicit, a amplificrii acestuia.
Problema 4.27
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.27. S se explice funcionarea circuitului
i s se determine amplificarea acestuia. Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepia T15 i T14
care au K15 4 K14 4 K . Potenialele VC 1 i VC 2 sunt constante i stabilite din exterior, VC 2
fixnd curenii de dren ai tranzistoarelor T4 i T5 la valoarea I D4 I D5 I O / 2 . Ce relaie
exist ntre potenialul VC 2 i curentul I O ?
VDD
T17
T11
T10
T16
T13
v1
T1
T2
v2 T8
vO
T9
VC1
T12
T14
T15
T3
T6
T7
T4
T5
R
IO
VC2
Figura 4.27
Rezolvare
Amplificatorul operaional prezentat n Figura 4.27 reprezint o structur clasic de cascod
ntoars, format din:
- amplificatorul diferenial T1 i T2 ;
211
CAPITOLUL IV
- sursa de curent T4 T11 realizat n variant cascod pentru creterea impedanei de ieire;
- etajul de ieire T12 de tip dren comun, avnd amplificare unitar n tensiune, cu rolul de a
reduce imdepana de ieire a amplificatorului operaional;
- sursa de curent T14 T17 necesar pentru polarizarea amplificatorului diferenial (prin T3 ), a
sursei cascod (prin potenialul grilei tranzistorului T16 ), respectiv a etajului de ieire (prin T13 ).
Pentru determinarea curenilor statici prin tranzistoarele circuitului se pot scrie relaiile:
VGS14
VGS15
(4.158)
IO R
echivalent cu:
2I O
K
VT
2I O
4K
VT
IO R
(4.159)
deci:
IO
(4.160)
2 KR 2
Curenii de dren ai tranzistoarelor circuitului au valorile:
I D1
I D2
I D3
I D4
I D4
IO
IO
2
... I D9
I D10
1
4 KR 2
IO
2
... I D17
K
VC 2 VT 2
2
(4.161)
(4.162)
(4.163)
rezultnd:
VC 2
VT
(4.164)
2 KR
Amplificarea structurii are expresia:
g m1 rds7 g m7 rds5 // rds9 g m9 rds11 // rds 2
212
(4.165)

Cu Legere

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cu Legere

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ANCA MANOLESCU

3. Amplificatoare difereniale 126

Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare:

Precizia de realizare a sursei de curent

Parametrii dispozitivelor active

Tensiunea de prag a dispozitivelor MOS VT

Factorul de modulare a lungimii canalului

b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD

Deoarece I 0 I , expresia curentului de ieire I 0 se obine rezolvnd urmtorul sistem

Rezolvarea ecuaiei de gradul II pentru VGS1 conduce la obinerea a dou soluii:

Deoarece funcionarea n saturaie a tranzistoarelor din circuit impune VGS1

Inlocuind expresia (1.6) a tensiunii gril-surs a tranzistorului T1 n relaia general (1.3) se

b. Expresia sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare este:

Prin derivare n raport cu V DD a relaiilor (1.2) i (1.3) rezult:

Eliminnd din cele dou relaii anterioare dVGS1 / dV DD se obine:

Expresia S VIDD devine:

c. Deoarece sursa tranzistorului T2 este conectat la mas, rezistena de ieire a sursei de

d. Tensiunea de ieire este limitat inferior de intrarea n regiunea liniar a caracteristicii a

e. Considerarea efectului de modulare a lungimii canalului implic obinerea unui factor de

De remarcat dependena factorului de transfer de tensiunea de ieire VO .

(relaia (1.14)), iar tensiunea minim de ieire este (relaia (1.15)):

deci valori foarte apropiate de cele obinute prin calcul manual.

Valorile simulate ale factorului de transfer sunt 1,002 , respectiv 1,04 .

Simularea SPICE I O (V DD ) pentru un domeniu de variaie al tensiunii de alimentare cuprins

ntre 3V i 9V (Figura 1.2c) conduce la obinerea unei valori a sensibilitii S I DD

Sistemul este similar celui din Problema 1.1, cu modificarea:

soluia sa fiind, conform relaiei (1.6):

VGS1 avnd valoarea determinat anterior.

c. Tensiunea minim de ieire este limitat inferior de intrarea n regiunea liniar a

avnd soluia valabil VGS2

2,019V , ceea ce conduce la un curent de ieire de valoare:

8,872V . Rezistena de ieire a sursei de curent este exprimat prin

deci valori foarte apropiate de cele obinute teoretic.

b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare S I DD , neglijndu-se

Ecuaia pentru obinerea tensiunii VGS 2 este:

b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare are expresia

Derivnd n raport cu tensiunea de alimentare relaia (1.39), n ipoteza meglijrii efectului de

Similar, relaia (1.38) devine prin derivare:

Prin derivare n raport cu tensiunea de alimentare a relaiei (1.4) rezult:

Din cele patru relaii anterioare se obine:

c. Expresia rezistenei de ieire este:

d. Tensiunea minim de ieire este limitat inferior de intrarea n regiunea liniar a

conduce la soluia VGS 2

69,208 A , iar VGS1

2,012V , deci un curent de ieire de valoare exprimat de (1.39):

In urma simulrii se obin urmtoarele valori:

b. Dependena curentului de ieire de curentul I este puternic neliniar:

Simularea SPICE a dependenei I O (I ) este:

Introducerea suplimentar a tranzistorului T4 impune tensiuni dren-surs de valori foarte

b. Expresia rezistenei de ieire RO este:

iar cea a tensiunii minime de ieire este:

, n timp ce relaia (1.57) implic

VO min 3,58V . Rezult 1 / RO I O 5,82 10 6 .

b. Expresia rezistenei de ieire a surse de curent din Figura 1.10 este:

rds3 1 g m3 rds 2 1 g m2 rds1

c. Potenialul V A fiind constant i fixat de tranzistoarele T3 T6 , V A 2VGS , limita

b. Deoarece tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaie, tensiunea minim de ieire

Condiia de functionare a tranzistorului T1 la limita de saturaie (pentru a se obine o

VT . Expresia tensiunii dren-surs

VDS1 VGS3 VGS4 VGS5 VGS2

Tranzistorul T4 funcioneaz, de asemenea, la limit de saturaie deoarece:

VT . Expresia tensiunii dren-surs

VDS1 VGS3 VGS4 VGS5 VGS2

b. Expresia rezistenei de ieire a surse de curent din Figura 1.16 este: