Sunteți pe pagina 1din 4

BREVIAR DIOD

1. Simbolul diodei:

iA

D
K
u AK

2. Polarizarea diodei:
- dioda nepolarizat: u AK 0, i A 0;
- dioda polarizat direct (dioda conduce): u AK 0, i A 0;
- dioda polarizat invers (dioda e blocat): u AK 0, i A 0;
3. Caracteristica static a diodei reprezint graficul dependenei i A i A (u AK )
Graficul cuprinde:
zona 1: u AK 0, i A 0
iA
(dioda este polarizat
direct);
originea O(0,0):
u AK 0, i A 0 (dioda este
nepolarizat);
1
zona 2: u AK 0, i A 0
(dioda este polarizat invers
la tensiuni u AK U BR );
0
U BR
zona 3: u AK U str const.
Is
u AK
(dioda este polarizat invers
la tensiuni u AK U BR )
2
Obs: n zona 3 diodele obinuite se
distrug prin strpungere prin
fenomenul de multiplicare n
avalan a purttorilor de sarcin
3
electric la tensiunea
de
strpungere notat UBR, n timp ce
diodele Zener (numite i diode
stabilizatoare
de
tensiune)
funcioneaz n mod normal .

L3 - 1

4. Ecuaia general a diodei este:


qu
(1)
i A MI S exp AK 1 ,
mkT
care este valabil pentru toate cele 3 zone 1, 2 i 3, unde:
M - coeficient de multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin
electric
Obs: Expresia matematica empirica (adic dedus experimental) a lui M este
1
, unde n 4,7 . n practic, M se alege astfel: dac
M
n
u AK

1
U BR
u AK 0,7 U BR se va lua M 1 (ceea ce nseamn c dioda nu e n pericol de a se
distruge prin strpungere e cazul zonelor 1 i 2, iar dac u AK U BR , se va lua
M (ceea ce nseamn c dioda se va distruge prin strpungere).
Is curentul invers de saturaie al diodei, de ordinul nA pentru diodele
din siliciu i de ordinul A pentru diodele din germaniu;
q 1,6 10 19 C este sarcina electronului ;
m 1,2 - coeficient ce depinde de tehnologia de fabricaie a diodei;
k 1,33 10 23 J K - constanta lui Boltzman;
T K t C 273C - temperatura mediului n care funcioneaz dioda ,
msurat n Kelvin.
kT
Notnd prin VT
26mV potenialul termic al diodei, ecuaia
T 300 K
q
general a diodei se mai poate scrie:
u
i A MI S exp AK 1
mVT
5. Ecuaia general a diodei particularizat pentru zonele 1, 2 si 3
Ecuaia general se particularizeaz pentru zonele 1, 2 i 3 astfel:
pentru zona 1: Avem u AK 0 si M 1 (aici nu exist strpungere
secundar ). Dac u AK VT , atunci exp(

u AK
) 1 , deci ecuaia (1) n zona
mVT

1 devine o exponenial, aa cum arat i graficul caracteristicii statice de


mai sus:
u
u
(2)
i A MI S exp AK 1 I S exp AK
mVT
mVT

L3 - 2

pentru zona 2: Avem u AK 0, M 1 (aici nu exist strpungere), deci


u
exp AK 1 , astfel nct ecuaia (1) devine:
mVT
u
i A MI S exp AK 1 I S const.
(3)
mVT
aa cum arat graficul caracteristicii statice pentru aceast zon.
pentru zona 3: Avem u AK 0 si M (apare strpungerea) i
u
exp AK
mVT

1 , deci ecuaia devine:

u
i A MI S exp AK
mVT


1 MI S

(4)

6. Modele liniarizate ale diodei


Modelul 1: Modelul de diod ideal, n care dioda e modelat printr-un
simplu comutator, nchis cnd dioda D conduce i deschis cnd dioda D e
blocat.
iA
VD

iA

iA
u AK

D conduce

D blocat

u AK

VD u AK

Modelul 3: Modelul mai complicat dect Modelul 2, deoarece ine cont i


de rezistena dinamic (rezistena intern) rD, dat n catalog.
iA

iA

VD

iA

rD

D conduce

u AK

u AK

D blocat

a) Schem electric echivalent pentru


Modelul liniarizat 3

Modelul liniarizat al diodei Zener


Cel mai simplu, o diod Zener se modeleaz printr-o surs de c.c notat
Uz, eventual conectat n serie cu rezistena dinamic rz de valoare mic
dat n catalog:
K

b) caracteristica liniarizat
corespunztoare Modelului 1

Modelul 2: Modelul este mai complicat dect Modelul 1, deoarece ine


cont i de tensiunea de prag VD a diodei, dat n catalog. Tensiunea de
prag este VD=0,6 - 0,7V pentru diode cu siliciu i VD=0,1 - 0,2V pentru
diode cu germaniu.
VD

iA

iA

iA
D conduce

u AK

u AK
D blocat

a) Schem electric echivalent


pentru Modelul liniarizat 2
L3 - 3

VD u AK

b) caracteristica liniarizat
corespunztoare Modelului 2

b) caracteristica liniarizat
corespunztoare Modelului
liniarizat 3

Obs: 1) Scriind teorema Kirchoff pe ochiul de circuit VD, rD, uAK al


modelului echivalent obinem:
u AK VD rD i A
(5)
2) Este clar c cu ct dorim s ne apropiem mai mult de
caracteristica diodei reale modelele liniarizate se complic, coninnd din
ce n ce mai multe componente electrice (comutatoare, rezistene, surse de
tensiune, surse de curent etc).

a) Schem electric echivalent


pentru Modelul liniarizat 1

VD u AK

rz

Simbolul diodei Zener

U z U str

Schema electric echivalent a diodei


Zener

7. Puterea medie disipat pe dioda modelat cu Modelul 3:


Calculul puterii medii disipate pe diod este necesar pentru diodele de putere
care au un consum mai mare de putere prin ele dect celelalte tipuri de diode:
def
1T
1T
1T
PD p D t dt u AK i A t dt VD rD i A i A dt
T0
T0
T0
,
(6)
1T
1T
2
VD i A dt rD i A2 t dt VD I A rD I Aef
T0
T0
L3 - 4

n care:
1T
I A i A (t )dt - valoarea medie a curentului prin diod
T0
1T 2
I A,ef
i A (t )dt - valoarea efectiv a curentului prin diod
T0

Probleme rezolvate
P1. Se consider circuitul cu diod din fig.P1.a). Calculai tensiunea uAK pe
diod dac:
a) dioda real are IS=10nA, IA=0,965mA i m=1,94;
b) dioda real este nlocuit cu modelul su echivalent format din
tensiunea de prag VD=0,7V i rezistena dinamic a diodei rD=1.
Se consider potenialul termic VT=26mV.
iA

Rezolvare:
a) Comparnd ecuaia dat pentru diod u AK 100 i A [V ] cu relaia (5), prin
identificare constatm c VD 0 i rD 100 , deci dioda D este modelat printr-o
simpl rezisten rD, iar schema electric echivalent a fig.P1.a) devine cea din
fig.P2.
R
1K

rD U AK

10V

dioda modelat

iA

20 K

20V

u AK 100 i A [V ] si E 10V , R 1K . Se cer:


a) curentul I A i tensiunea u AK ;
b) puterea medie disipat pe diod.

R
20 K

u AK

20V

a) schema cu diod real

Fig.P2. Schem electric echivalent.


VD
0.7V

rD
1

u AK

b) schema echivalent
Fig.P1

Rezolvare:
a) Privind schema din fig.P1.a), se constat c dioda D este polarizat direct,
deci funcioneaz n zona 1 a caracteristicii statice, fiind caracterizat prin
ecuaia:
u
I
0,965mA
I A I S exp AK u AK mVT ln A 1,94 26mV ln
0,7V
mV
I
10nA
T
S
b) Pe schema echivalent din fig.P1.b), obinut prin nlocuirea diodei reale D
din fig.P1.a) cu modelul su echivalent, se aplic teorema Kirchhoff:
E V D 20V 0,7V
E VD rD R I A I A

0,965mA
rD R 1 20 K
Aplicnd din nou teorema Kirchoff pe aceeai schem din fig.P1.b) obinem:
E RI A U AK U AK E RI A 20V 20 K 0,965mA 0,7V
P2. Se consider schema din fig. P1.a) n care dioda D modelat are ecuaia:

L3 - 5

Teorema Kirchhoff II aplicat pe fig.P2 este:


E
10V
E ( R rD ) i A i A

9mA
R rD 1K 100
Aplicnd din nou teorema Kirchhoff pe aceea fig.P2, obinem:
U AK rD I A 100 9mA 0.9V
b) Puterea medie disipat pe diod este:
def
1
1T
1
P 0T pd (t )dt U AK I A dt U AK I A T 0.9V 9mA 8.1mW
T
T0
T
P3. Se consider o diod polarizat invers avnd:
Cazul I: U AK 10V , U str 20V , n 4 ;
Cazul II: U AK 19.999...V , U str 20V , n 4
Se cere:
a) Coeficientul de multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin, M;
b) Poate fi aceast diod o diod Zener?
Rezolvare:
Cazul I: a) M

1
U
1 AK
U str

1
10V
1

20V

n zona 2;

L3 - 6

1,067 , deci dioda funcioneaz

b) Dioda nu poate fi de tip Zener deoarece nu funcioneaz n zona 3 a


strpungerii.
1
1
Cazul II: a) M

, deci dioda funcioneaz


n
4

19
.
999...V
U AK

1
20V
U str
n zona 3 de strpungere deoarece U AK 19.999... V U str 20V .
b) Aceast diod poate fi de tip Zener deoarece funcioneaz n regiunea
zona 3 a strpungerii.
P4. Se consier o diod ideal montat n circuitul din fig.P3.a) n care tensiunea
de alimentare u (t ) are forma dreptunghiular din fig.P3.b).

u (t )

10

uR

t[s ]

t[s]

t[s]

t[s]

10V

0V

10V

10V

ideal

iA

u AK

u t

u (t )

u AK

model diod
iA

pentru t [2,4) u (t ) 10V 0 dioda este


polarizat invers
comutatorul modelat este deschis, deci aplicnd teorema Kirchhoff pe
fig.P3.c rezult:
u AK u 10V , i A 0, deci u R R i A 0.
innd cont de aceast funcionare a diodei pe intervale rezult formele de und
din fig.P4.

u AK

t[s ]

10V

10V
R

uR
uR

10V

a) schema electric

b) forma de und pentru u (t )

c) schema electric
echivalent

Fig.P3
Se cere:
a) desenai unele sub altele formele de und pentru u , u AK , u R , iR ;
b) calculai puterea medie disipat pe rezistena R.
Rezolvare:
10tV , pt. t [0,2)
a) Conform fig.P3.b), avem: u (t )
, perioada de repetiie a
10tV , pt. t [2,4)
lui u(t) fiind T=4.
pentru t [0,2) u (t ) 10V 0 dioda este polarizat direct
comutatorul modelat este nchis, deci aplicnd teorema Kirchhoff pe
fig.3.c rezult :
u
10V
u AK 0, u R u 10V , i A R
1A
R 10

L3 - 7

iA u R / R

1A
2

Fig.P4 Formele de und u , u AK , u R , i A


b) Puterea medie disipat pe rezistena R este:
def
4
1T
1T
1 2
1
20W
PR p R (t )dt u R (t ) i A (t )dt [ 10V 1Adt 0 0dt ] 10W 2
5W
0
0
0
2
T
T
4
4
4

L3 - 8

S-ar putea să vă placă și