Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
n0 = p0 = ni (2.1)
-tensiunea de stabilizarea
Uz ;
unde n0 i p0 reprezint concentraiile de electroni, respectiv de goluri,
n
semiconductorul pur, la echilibru termic.
2.Conductivitatea extrinseca in semiconductori:
n semiconductorul extrinsec de tip n, nn0 reprezint concentraia
total de
8.Tranzistorul bipolar,constructia si curentii in tranzistor
electroni liberi la echilibru termic, provenii att de la atomii de
impuritate, ct i Tranzistorul bipolar reprezinta un dispozitiv semiconductor cu doua
jonctiuni electron-gol(n-p),formate printr-o succesiune de trei regiuni
datorit agitaiei termice a reelei, care genereaz perechi electron-gol.
p-n-p sau n-p-n.
n acest caz,
Structura: a)Tranzistorul discret p-n-p; b)tranzistorul discret n-p-n;
nn0 >>p0 i semiconductorul are conductivitatea electric mult mai
c)tranzistorul integrat planar n-p-n. Zona de mijloc a tranzistorului se
mare dect
numeste baza (B) si are urmatoarele caracteristici:este foarte ingusta
si are dotarea cu impuritati mult mai mica decit a celor laterale.O
conductivitatea aceluiai semiconductor n stare pur.
zona extrema cu cea mai mare concentratie de dopare cu impuritati
se numeste emitor (E) cealalta zona extrema se numeste colector (C).
3-4.Jonctiunea p-n in polarizarea directa si inversa:
Parametrul
h11b reprezinta rezistenta de intrare a tranzistorului in
Parametrul
h12 b reprezinta factorul invers de amplificare in
Parametrui
h21 b reprezinta factorul de transfer al curentului
Parametrul
h22 b reprezinta admitanta de iesire a tranzistorului in
Curentul de difuzie crete i poate atinge valori foarte mari, n timp
conexiune BC la regimul de functionare in gol in circuitul de intrare.
ce curentul
12.Regimurile de functionare a tranzistorului bipolar:
de conducie se modific puin. Curentul prin jonciune este egal cu
curentul de regimul blocat DE i DC - blocate,
Pentru stabilirea tensiunii de fractiuni de volti se folosesc ntre dou terminale este controlat de potenialul cmpului electric
stabilitroanele care functioneaza la polarizari directe generat
de un al treilea terminal.
14-15.TEC cu poarta izolata si canal initial si canal indus:
Fiecare dintre cele
dou categorii poate fi cu canal de tip n sau de tip p, cele dou tipuri
fiind
complementare att ca structur intern ct i ca funcionare.
putem observa existena a trei
regiuni de lucru posibile:
regiunea liniar din vecintatea originii n care rezistena
canalului este constant. De regul, acest lucru se petrece la
tensiuni dren-surs mai mici de 0,5V. 28.Redresorul monofazat monoalternanta:
regiunea de saturaie n care curentul de dren crete foarte Funcionarea are loc astfel: la aplicarea unei tensiuni alternative n
primar, ia natere n secundar tot o tensiune alternativ, ce se aplic
puin la valori UDS >UDSsat.
pe anodul diodei redresoare. Pe durata alternanelor pozitive dioda
regiunea de strpungere n care are loc multiplicarea n conduce, n circuit apare un curent proporional cu tensiunea aplicat,
avalan a purttorilor de sarcin, creterea curentului de dren deci avnd aceeai form ca ea. Pe durata alternanelor negative,
fiind limitat doar de rezistena din circuitul de polarizare. dioda este blocat i curentul prin circuit este nul. Curentul prin
16.Notiuni despre amplificatoare electronice: sarcin circul deci ntr-un singur sens, sub forma unor alternane
(curent pulsatoriu).
Amplificatorul electronic :triport activ ce furnizeaza la iesire un
semnal xo(t) cu aceeasi forma de variatie in timp ca a semnalului de
intrare xi(t) si care este capabil sa furnizeze o putere mai mare daca
lucreaza pe o sarcina adecvata.
Alimentarea amplificatoarelor:
-cu surse de tensiune continua si/sau surse de curent continuu.
-mai frecvent cu surse de tensiune.