DCE - Cap.2.

NOŢIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR 1

2.1. PURTĂTORI DE SARCINĂ MOBILI ÎN SEMICONDUCTOARE

2.1.1. Semiconductoare pure
Între banda de valenţă (B.V.) şi cea de conducţie (B.C.) există o bandă interzisă (B.I.); lărgimea
energetică ∆E=Ec-Ev<3eV. ∆E=1.12eV pentru Si, ∆E=0.67eV pentru Ge, ∆E=1.4eV pentru GaAs.

Fig. 2.1 Fig. 2.2.a Fig. 2.3.a

Si Si Si Fig. 2.2.b Si Si Si
Atomi într-un cristal
de Si ilustrând legăturile
Si Si Si covalente Si Si Si
Fig. 2.3.b gol
Cristal cu un electron
Si Si Si Si Si Si
liber şi un gol datoraţi
agitaţiei termice
electron
2.1.2. Semiconductoare cu impurităţi. Semiconductoare de tip n sau de tip p

Fig. 2.4.a Fig. 2.5.a

Fig. 2.4.b Fig. 2.5.b

 DCE - Cap.2. NOŢIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR 2

Fig. 2.6.a Fig. 2.6.b Fig. 2.6.c

2.2. TRANSPORTUL PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ÎN SEMICONDUCTOARE

Deplasare efectivă apare în două situaţii: 1) sub acţiunea unui câmp electric, când este numită
drift, iar curenţii se numesc curenţi de câmp sau de drift; 2) în prezenţa unui gradient de concentraţie
a impurităţilor, când se numeşte difuzie, iar curenţii se numesc curenţi de difuzie.
Viteza medie Vn=µn⋅E
şi Vp=µp⋅E, unde E =
intensitatea câmpului
electric şi µn>µp
mobilitatăţile pentru
electroni, respectiv
Fig. 2.7 goluri.
Curenţii de difuzie:
Jdp=q⋅Dp⋅dp/dx, Jdn=q⋅Dn⋅dn/dx; Jdp= densitatea curentului
de difuzie pentru goluri; Dp= coeficient de difuzie a golurilor.
Relaţia lui Einstein: Dp=KT/q⋅µp, K= const. lui Boltzmann.
Se defineşte Ut=KT/q= tensiune termică; la 300°K Ut=25mV
2.4. INJECŢIA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ
Se dă legea de variaţie a concentraţiei golurilor de la
suprafaţă spre interior: p=p0+∆p⋅exp(-x/Lp), Lp2=τp⋅Dp,
Fig. 2.8 Lp= lungimea de difuzie a golurilor în exces, τp= timp de
viaţă a golurilor. Pentru electroni: n=n0+∆n⋅exp(-x/Ln). Pentru extracţie există limitarea |∆p|≤p0 (fig.
2.10.b). Putem avea extracţie totală sau parţială.

Fig. 2.10.a. Fig. 2.10.b.

n Fig. 2.9
y
2.3. GENERAREA ŞI RECOMBINAREA
PURTĂTORILOR DE SARCINĂ
injecţie de goluri 0 x
DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 1

Definiţie: Regiunea în care se face trecerea de la p la n se

numeşte joncţiune p-n.
După modul în care variază concentraţia efectivă a impurităţilor
(N=Nd-Na) la trecerea dintr-o regiune în cealaltă, joncţiunile
pot fi abrupte sau gradate.

3.1. JONCŢIUNEA p-n LA ECHILIBRU TERMIC

În figura 3.2.b este reprezentată concentraţia impurităţilor; în
figura 3.2.c este reprezentată concentraţia golurilor; în figura
3.2.d este reprezentată concentraţia electronilor; în figura 3.2.e
sarcina spaţială ρ pozitivă este egală în valoare absolută cu cea
negativă; în figura 3.2.f în afara regiunii cu sarcină spaţială ρ,
câmpul electric E este nul.
Regiunea în care există sarcină spaţială şi câmp electric
se numeşte regiune de tranziţie. Regiunile fără sarcină spaţială
se numesc regiuni neutre. Suprafaţa între p şi n (adică
porţiunea în care concentraţia efectivă de impurităţi este nulă -
Na=0) se numeşte joncţiune metalurgică. Prin joncţiune p-n se
înţelege atât regiunea de tranziţie, precum şi cele două regiuni
neutre.
În figura 3.2.g apare bariera de potenţial de mărime Uo.
Uo a fost reprezentat luând ca referinţă regiunea p. Câmpul
din barieră are tendinţa să treacă golurile din n în p.
Deci energia golurilor din p este mai mică decât în n. Pentru ca
golurile majoritare din p să treacă în n, trebuie să posede o
energie suficient de mare pentru a învinge bariera de potenţial.
Fig. 3.1
Având în vedere distribuţia statistică după energie, va exista în
regiunea p lângă zona de tranziţie un anumit număr de goluri cu
energie suficient de mare pentru a putea traversa bariera.
Grosimea regiunii de tranziţie este foarte mică în comparaţie
cu regiunea transversală (de aceea considerăm numai variaţia după
Ox). Deoarece în regiunea de tranziţie în jurul zonei metalurgice
concentraţia impurităţilor este apropiată de cea intrinsecă, rezultă
că în această porţiune sarcina spaţială este determinată practic doar
de impurităţile ionizate. De aceea, se presupune că în regiunea de
tranziţie nu avem concentraţii de purtători faţă de cele ale
impurităţilor.
Presupunem că regiunea de tranziţie este golită de purtători;
deci rămân numai impurităţile ionizate. Această aproximaţie se
numeşte aproximaţie de golire. În această ipoteză sarcina spaţială
are o distribuţie rectangulară (fig. 3.3) şi lp0*Na=ln0*Nb, unde lp0,
ln0 sunt adâncimile pe care se întinde ρ. Această relaţie reprezintă
neutralitatea globală a semiconductorului şi indică pătrunderea mai
accentuată a regiunilor de sarcină spaţială ρ în zona mai slab
dopată. l0=lp0+ln0=0.1µm
Un caz particular de dopare a joncţiunii p-n este dat de
profilul asimetric, iar joncţiunea se numeşte abruptă unilaterală (fig.
3.4). Această joncţiune se întâlneşte la semiconductoarele la care
una din regiuni este mult mai dopată ca cealaltă şi se notează cu
p+n (p este mai puternic dopat).
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 2

La aceste joncţiuni regiunea de tranziţie se extinde practic numai în regiunea slab dopată: l0≅ln0.

Fig. 3.3 Fig. 3.4

Pentru joncţiunea gradată liniar variaţia concentraţiei impurităţilor se aproximează liniar în jurul
joncţiunii metalurgice: Nd-Na=a*x, unde a este o constantă (fig. 3.5.a şi fig. 3.5.b). Pentru joncţiunile reale
gradate neliniar variaţiile sunt neliniare ca în figura 3.6.

. Fig. 3.5.a Fig. 3.5.b Fig. 3.6

3.2. JONCŢIUNEA p-n ÎN REGIM STAŢIONAR

3.2.1. Joncţiunea p-n polarizată

mare mic
-
e e-

fluxuri mici g(+) fluxuri mari

Fig. 3.7 Fig. 3.8

Joncţiunea p-n are o caracteristică de dispozitiv unidirecţional (de redresor). Prin convenţie se
consideră tensiunea directă şi curenţii direcţi cu semne pozitive, iar cei inverşi cu semne negative.
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 3

3.2.2. Caracteristica statică idealizată a joncţiunii p-n

În studiul caracteristicii statice se fac următoarele aproximaţii şi presupuneri:
1) aproximaţia de golire (la o joncţiune abruptă);
2) presupunem că întreaga tensiune aplicată cade pe regiunea de tranziţie;
3) se neglijează fenomenele de generare şi recombinare din regiunea de tranziţie;
4) presupunem că ne aflăm la nivele mici de injecţie; aceasta presupune că injecţia de purtători
minoritari se face într-o măsură care permite neglijarea concentraţiei purtătorilor minoritari faţă de cele ale
purtătorilor majoritari;
5) presupunem că joncţiunea este groasă faţă de lungimea de difuzie şi din
acest motiv purtătorii minoritari se recombină în totalitate înainte de a atinge
extremităţile joncţiunii.
Curentul prin joncţiune este numit uneori curent de difuzie şi are expresia
Fig. 3.9 dedusă de Shockley: Ia=Is*[exp(q*Ua/KT)-1], unde Is este curentul de
saturaţie (rezidual).
În regim de conducţie directă (Ua>0) curentul creşte exponenţial. În
domeniul Ua>4*(KT/q)=0.1V (la 300ºK) acel “-1” din formulă se poate neglija
faţă de termenul exponenţial. Se obţine astfel expresia simplificată a ecuaţiei lui
Shockley: Ia≅Is*exp(q*Ua/KT).
La polarizări inverse, în valori absolute mai mari de 0.1V termenul
exponenţial este neglijabil faţă de unitate, astfel încât Ia= -Is. Această valoare
reprezintă curentul maxim de purtători ce poate fi extras din regiunile neutre şi
Fig. 3.10 se numeşte curent de saturaţie sau curent rezidual.
La germaniu Is este între 1 şi 100 µA (relativ mare!), la siliciu Is<1nA.
3.2.3. Abateri de la caracteristica statică idealizată a joncţiunii p-n

Fig. 3.11

3.2.4. Dependenţa de temperatură a caracteristicii statice

Curentul prin joncţiune este influenţat de temperatură pe două căi:
- prin curentul de saturaţie;
- prin tensiunea termică UT = KT / q, ce apare în argumentul exponenţialei.
Influenţa temperaturii asupra joncţiunii este caracterizată prin trei coeficienţi:
a) În domeniul polarizărilor inverse, IA = -IS, temperatura are ca efect translatarea caracteristicii
statice după axa verticală. Se defineşte un coeficient de temperatură al
-1
IS:CT IS = (1 / IS)*(dIS / dT). Datorită componentei de extracţie pt. Is Þ CT IS = 0,1 (° K) pentru Ge
-1
şi 0,15 (°K) pentru Si. Pe baza acestor valori se găseşte că în jurul temperaturii ambiante Is îşi dublează
valoarea la o creştere a temperaturii cu 7°K în cazul Ge şi cu 4,5°K în cazul Si. Ţinând cont şi de scurgerile
superficiale şi de procesele de regenerare în regiunea de tranziţie (care variază mai puţin cu temperatura),
rezultă că dublarea Is are loc atât la Ge cât şi la Si pentru o creştere a temperaturii cu 8…10°K.
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 4

b) În conducţia directă se defineşte un prim coeficient de temperatură al curentului direct la tensiune

constantă: (CT IA)u = (1 / IA)*(dIA / dT) = (CTIs)-(1 / T)*(qUA / KT) (deci mai mic decât CTIs).

Fig. 3.12
c) Într-un alt regim de lucru se poate menţine curentul direct prin joncţiune constant, rezultând o
scădere a tensiunii pe joncţiune la creşterea temperaturii. Pentru a caracteriza influenţa temperaturii în acest
caz, se defineşte un coeficient de temperatură al tensiunii pe joncţiune (CTUA)I.
În cazul unei joncţiuni de Ge, la 300°K, având UA=0,2V rezultă (CTUA)I=-1,8*10-3V/°K. În cazul
unei joncţiuni de Si având UA=0,6V rezultă (CTUA)I=-2,2*10-3V/°K.
Acest coeficient variază lent cu temperatura, aşa încât, pentru un domeniu restrâns de temperatură,
se poate considera că tensiunea directă pe joncţiune la curent constant scade liniar cu temperatura. În jurul
temperaturii ambiante, atât la Ge cât şi la Si se poate considera un coeficient (CTUA)I≈-2mV/˚K.
Observaţie: Temperatura T trebuie măsurată la joncţiunea (Tj); ea este de regulă mai mare decât
temperatura ambiantă (Ta), datorită disipării de putere electrică (Pd = Ua*Ia): Tj = Ta + R thj-a*Pd.
Coeficientul de proporţionalitate Rthj-a se numeşte rezistenţă termică şi înglobează proprietăţile de conducţie
a căldurii de la joncţiune la mediul ambiant.
3.2.5. Străpungerea joncţiunii p-n. Ambalarea termică
Străpungerea prin efect tunel.
Prima explicaţie a străpungerii joncţiunii s-a dat pe baza efectului tunel (Carl Zener, 1934).
Numim regiune Zener zona de străpungere a joncţiunii. Efectul tunel constă în generarea de perechi
electron-gol într-un semiconductor sub acţiunea câmpului electric puternic.
La tensiuni inverse mari, benzile de energie au o înclinare
mare în regiunea de tranziţie şi limita inferioară a B.C. din
regiunea n coboară sub limita superioară a B.V. din regiunea p. În
această situaţie electronii B.V. pot trece în B.C. prin efect tunel.
Din punctul de vedere al fizicii clasice, electronul din A poate
trece în C numai dacă primeşte o energie cel puţin egală cu
înălţimea barierei.
Mecanica cuantică arată că există o anumită probabilitate ca
electronul să treacă de barieră chiar dacă energia lui este
Fig. 3.13 mai mică decât înălţimea barierei. Probabilitatea este cu atât mai
mare cu cât înălţimea AB este mai mare şi AC mai mică. Întinderea barierei scade cu creşterea înclinării
benzilor, deci cu creşterea câmpului din regiunea de tranziţie. Joncţiunea se străpunge pentru câmpuri mai
mari de 5*107 V/m.
Multiplicarea în avalanşă. Câmpul la care apare multiplicarea în avalanşă este de aproximativ
7
2*10 V/m, mai mic deci decât cel la care efectul Zener devine important. Fenomenul de multiplicare prin
avalanşă se poate caracteriza global prin coeficientul de multiplicare M definit ca raport între numărul
purtătorilor ce ies din regiunea de tranziţie şi cel al celor ce intră în ea. Notăm cu Iinv curentul invers în
absenţa multiplicării şi I’inv = M*Iinv - curentul invers după multiplicare.
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 5

M=I’inv / Iinv ; M= 1 / [1 - (UA / Ustr)n] , unde n∈[2,6]

Dacă doparea este sub 1023 atomi/m3 are loc străpungerea prin avalanşă. Când doparea este mai
mare, străpungerea are loc prin efect tunel.
Joncţiunile care au tensiunea de străpungere mai mică de 4V se străpung prin efect tunel, iar cele cu
Ustr mai mari de 7V se străpung prin avalanşă. Între 4V şi 7V participă ambele mecanisme.

3.2.6. Modele liniarizate pentru joncţiunea p-n în regim staţionar

Pentru calculul în regim staţionar, caracteristica statică a joncţiunii se aproximează prin segmente
de dreaptă. Foarte răspândită este aproximaţia prin două segmente de dreaptă, ca în figura 3.14, unde Di
este dioda ideală, Ri - rezistenţa internă, UD - tensiunea de deschidere.

Fig. 3.14
Obs.: Cazul d (dioda ideală) este o bună aproximaţie pentru practică.
La Ge: UD = 0.2…0.4 V; la Si: UD = 0.5…0.8 V; la GaAs: UD = 1…2 V.
Ri depinde foarte mult de domeniul curentului în care se aplică modelul.
1 1 KT 1
Ri ≈ = ≅ ⋅ 25 ⋅ 10 − 3
d Ia q qUa q Ia . Ex.: Ia=5mA⇒ Ri = = 5Ω
⋅ Is ⋅ exp( ) 5 ⋅ 10 − 3
d Ua KT KT

3.3. JONCŢIUNEA p-n ÎN REGIM DINAMIC

3.3.1. Regimul cvasistaţionar al joncţiunii
Semnalul aplicat unui dispozitiv este considerat mic atunci când caracteristicile statice ale
dispozitivului pot fi aproximate liniar pentru întreaga excursie a punctului de funcţionare pe durata unei
perioade. ∆UA << KT/q≅0.025V. În regim cvasistaţionar de semnal mic joncţiunea este echivalentă cu o
rezistenţă ri = Ri. În c.c. se folosesc notaţii cu litere mari, iar în c.a. cu litere mici.
ri = 1 / (dIa / dUa) ≈ (KT / q)*(1 / Ia), numită rezistenţă internă. Ia reprezintă valoarea curentului în
punctul static de funcţionare (PSF) la polarizare directă. În cazul Ia = -Is, la polarizare inversă, rezistenţa
internă teoretic este infinită, dar în practică are o valoare de aproximativ 1 MΩ la Si.

EA − UD
IA =
Ri + RS

ua
ia =
1 ri + R S
XC = < < R S , ri
ω ⋅C

Fig. 3.15
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 6

3.3.2. Capacitatea de barieră

Considerăm o joncţiune abruptă ideală, cu o tensiune aplicată Ua, la care
corespunde linia continuă de pe figură pentru distribuţia de sarcină spaţială în
regiunea de tranziţie în ipoteza golirii complete de purtători.
dQ b dQ b dUa dUa , C - capacitatea de barieră.
ib = = ⋅ = Cb ⋅ b
dt dUa dt dt
Regiunea de sarcină spaţială se micşorează când trecem de la Ua la Ua+dUa
(respectiv curba punctată). Trecerea de la o stare la alta necesită deplasarea
unui număr de purtători majoritari din regiunile neutre în zonele haşurate
pentru neutralizarea sarcinilor, impurităţilor ionizate. Sarcina dQb a acestor
purtători este aria haşurată. Dacă trecerea de la Ua la Ua+dUa se face într-un
interval de timp dt, atunci curentul necesar pentru modificarea sarcinii stocate în regiunile de tranziţie va fi:
ib = dQb / dt = (dQb / dUa)*(dUa / dt); unde Cb= dQb / dUa; Ua constantă.
Modelăm acest proces cu o capacitate Cb pusă în paralel cu Ri şi numită capacitate de barieră.
C b = C bo 1 − Ua / Uo (pentru joncţiunea abruptă ideală). Cbo - reprezintă capacitatea de barieră pentru
Ua=0; Cbo=1…10pF. În general C b = C bo n 1 − Ua / Uo .

3.3.3. Capacitatea de difuzie

Trecerea de la starea Ua la Ua+dUa necesită o
creştere a sarcinii de purtători minoritari în exces în
regiunile neutre. Purtătorii sunt injectaţi prin regiunea de
tranziţie şi apoi înaintează în adâncul regiunilor neutre
prin difuzie. Curenţii corespunzători variaţiei sarcinilor
stocate în cele două regiuni neutre se adună.
Fig. 3.17.a dQ d dQ d dUa dUa
id = = ⋅ = Cd ⋅
dt dUa dt dt
Dacă timpul în care a avut loc variaţia de tensiune este dt, suma curenţilor va fi:
id=dQd/dt=(dQd/dUa)*(dUa/dt) ; Cd=dQd/dUa ; dUa=ct ; Cd- capacitatea de difuzie.
C d = C do ⋅ exp(qUa/KT)
 → C d = (C do ⋅ Ia/Is)
Ia = Is ⋅ exp(qUa/KT) 
Cd- la polarizări directe atinge mărimi de ordinul nF (102…104pF). Cd ~ Ia.
Cdo- capacitatea de difuzie pentru Ua=0.
Există o deosebire fizică importantă între modurile în care se
încarcă cele două capacităţi. Cea de difuzie Cd se încarcă prin
difuzia minoritarilor, deci este un proces lent. Din această cauză,
Cd scade cu frecvenţa. Capacitatea de barieră Cb se încarcă prin
Fig. 3.17.b curentul de câmp al purtătorilor majoritari; este un proces foarte
rapid şi nu variază cu frecvenţa.

3.3.4. Circuite echivalente pentru joncţiune la semnale mici şi frecvenţe înalte

În regim variabil, curentul prin joncţiune e format din trei componente: iri, iCd, iCb (fig. 3.18)
rs - este rezistenţa electrică a zonelor neutre (~ 100 Ω)
- la polarizare directă (fig. 3.19)
se neglijează Cb; (Cb<<Cd)
- la polarizarea inversă (fig. 3.20)
Fig. 3.19 Fig. 3.20 se neglijează Cd şi rs
Fig. 3.18 Dacă ri poate fi neglijată (ri → ∞)atunci
rămâne doar -| |- (Cb).
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 7

3.4. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE

3.4.1. Procedee de realizare a joncţiunii p-n. Tipuri de diode
3.4.2. Diode redresoare
3.4.2.1. Diode redresoare de uz general
3.4.2.2. Dioda cu avalanşă controlată
Se realizează prin metoda difuziei. Pastila este sudată între doi electrozi de molibden ca în figură.
Placheta a fost polizată înclinat pentru eliminarea zonelor periferice şi pentru
crearea unei configuraţii avantajoase a câmpului electric la suprafaţa
joncţiunii. Astfel, câmpul electric la suprafaţă este mai mic decât în interiorul
volumului (deoarece tensiunea se distribuie pe o distanţă mai mare la
suprafaţă: E = U / d). Dioda poate funcţiona în regiunea de străpungere
Fig. 3.21 până la valori mari de curenţi, cu condiţia să nu depăşească puterea maximă
admisă. Codificare: D10A4 (10 amperi, 400V).
3.4.2.3. Dioda redresoare pin

Grosimea regiunii intrinsece este mai mică decât lungimea de

difuzie (pentru a-şi păstra proprietăţile). În regiunea intrinsecă nu avem
sarcină spaţială => un câmp constant.
Străpungerea regiunii intrinsece are loc pentru un câmp de Ecr
= 2.107 V/m la o tensiune de Ustr = W.Ecr (W = lăţimea regiunii
intrinsece; W = 0.1mm ⇒ Ustr = 2000V).
Ex. KYX30 – 30KV, 1mA care conţine 2 diode de 15KV.
3.4.2.4. Conectarea în serie şi în paralel a diodelor
Deşi există diode cu tensiuni inverse mari, capabile să
redreseze curenţi mari, apar uneori situaţii când trebuie folosite mai
multe diode în serie pentru a putea rezista la Umax inversă, sau pentru a
asigura valoarea cerută a curentului redresat.
În conducţia inversă apare pericolul distribuirii neuniforme a
tensiunii pe lanţul de diode generat de inegalitatea curenţilor inverşi.

Fig. 3.22

Fig. 3.23

3.4.3. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)

Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a avea în conducţie inversă o tensiune
constantă la borne, independent de valoarea curentului când apare fenomenul de străpungere (fig. 3.24).
La realizarea structurilor diodelor semiconductoare Zener, se iau măsuri speciale pentru ca în regiunea de
străpungere curentul să se distribuie uniform pe toată aria secţiunii => diodele Zener lucrează până la
curenţi de putere maximă admisă.
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 8

Simboluri:

VZ1

Fig. 3.25

Fig. 3.24

Valoarea tensiunii Zener este determinată de nivelul dopărilor: Uz = 2,7...400 V.

Puteri: 0,25...50 W. rz = ∆Ua / ∆Ia; rz = 10…100 Ω - rezistenţă dinamică (internă) Zener. CTUz
= αVZ = 1 / Uz⋅dUz / dT
În regiunea de stabilizare: Uz prezintă o uşoară creştere cu curentul invers (Ia).
Exemplu: PL10Z Uz =10 V => αvz = 5.10-4 (°C)-1; PL5V1Z (5.1V,1W capsulă de plastic F126);
DZ5V1 (5.1V, 0.4W capsulă de sticlă).
α vz poate fi micşorat înseriind cu dioda Zener, una sau mai multe diode polarizate direct, la care α
scade cu temperatura. Se pun toate diodele pe aceeaşi plăcuţă pentru ca temperatura să nu difere între ele
(fig. 3.26). Ex.: ZTC33 sau circuitul integrat TAA550.
Obs: În domeniul curenţilor mici descărcarea în avalanşă se
amorsează şi se stinge haotic => zgomot. Tot în acest domeniu, tensiunea
variază mult cu curentul. Nu se recomandă să se lucreze sub o anumită valoare
IZT = 3...5 mA. Se poate folosi un model echivalent pentru dioda Zener (fig.
Fig. 3.26 3.27).

Fig. 3.27 Fig. 3.28

Diodele Zener se folosesc ca stabilizatoare de tensiune (fig. 3.28). Rb este rezistenţa de limitare, protecţie
sau de balast. Ea se alege astfel încât dioda să lucreze în regiunea Zener pentru întreg domeniul de variaţie
a lui Ea şi Is. Curentul de sarcină Is nu poate depăşi în mod normal (pentru U s = Uz =constantă) valoarea
pentru care se mai asigură IZT prin dioda Zener. I=Iz+Is; Ea=Rb*I+Uz.
3.4.4. Diode cu contact punctiform
Construcţia lor actuală constă dintr-un cristal
semiconductor de Ge sau Si de tip n, pe suprafaţa căruia se realizează
un contact punctiform cu un fir metalic ascuţit la vârf (fig. 3.29.).
După asamblarea mecanică urmează operaţia de formatare a diodei: o
serie de impulsuri de curent cu valori mult peste cele nominale. În jurul
firului de wolfram, Ge îşi schimbă tipul în p, în urma răcirii se formează
o joncţiune foarte mică cu S= 10 − 4 mm 2 şi cu grosimea 10 − 3 mm .
Firul are rol de legătură între anod şi Ge de tip n. Datorită suprafeţei
mici a joncţiunii, capacitatea de barieră e foarte mică => se folosesc la
frecvenţe mari.

Fig. 3.29
 DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 9

Rezistenţa regiunii neutre e mare: sute de ohmi.

Nivelul de injecţie este mare, chiar la curenţi mici. În conducţie inversă, Irezidual este mare şi are
Ustrăpungere mică, pentru că Irezidual mare înseamnă străpungere prin ambalare termică (fig. 3.30).
Utilizare: la detecţie (radio), la modulaţie în fază şi în amplitudine, la
schimbarea de frecvenţă, comutaţie. Se folosesc până la zeci de GHz, dar în
construcţie coaxială.
Ex. EFD 108,EFD 109, EFD110...
3.4.5. Diode cu capacitate variabilă
Exploatează proprietăţile joncţiunii de a se comporta la polarizare
inversă ca o capacitate dependentă de tensiunea aplicată. Capacitatea descreşte
Fig. 3.30 pe măsură ce tensiunea de polarizare inversă creşte, deoarece regiunea de
tranziţie creşte. Cea mai importantă caracteristică este legea de variaţie a capacităţii de barieră cu Uinv
aplicată.
unde: n= coeficient care depinde de 1 1
Cb 0 constructor (n=0,5 - o diodă foarte bună f = = ≅ UA
Cb= 2 Π LC
2Π L
Cb0
U a n de utilizat într-un circuit acordat).
1
U
(1 − ) Obs: Orice diodă poate lucra în (1 − A ) 2
U0
U0 această regiune de capacitate variabilă, dar
se fac diode speciale, cu un n specific pentru anumite performanţe. Printr-o
alegere corespunzătoare a dopajului, se realizează diode speciale "varicap" care prezintă o variaţie de
capacitate între 10pF şi 2pF pentru o creştere a tensiunii inverse între 2V si 30V.
Ex. Se poate demonstra expresia factorului de calitate al condensatorului Cb.
Q- factorul de calitate.
Q ≅ω Cbri. Q creşte cu frecvenţa la frecvenţe joase.
Q ≅ 1 / ω Cbrs. Q scade cu frecvenţa la frecvenţe înalte.
Simbolurile sunt prezentate în figura 3.32.
1
Frecvenţa maximă la care se pot folosi este: ω km =
C b rs
≅ 100GHz

Cb=1..10pF, iar rs poate fi scăzută până la 1 ohm.

Fig. 3.32

3.4.6. Diode tunel

Dioda tunel a fost inventată de Esaki în 1958 şi se foloseşte ca oscilator sau amplificator.
Cele două joncţiuni sunt dopate foarte puternic: 1025 at / m3 .

Fig. 3.33 Fig. 3.34

Nu se foloseşte Si ci Ge, GaAs, InSb. Simboluri:

Fig. 3.35
DCE - Cap.3. JONCŢIUNEA p-n 10

Dioda cu conducţie inversă (dioda backward)

Este o variantă de diodă tunel cu următoarea structură a benzilor:
Se utilizează ca detector sau mixer în domeniul microundelor.

Fig. 3.36 Fig. 3.37

 DCE - Cap.4. REDRESOARE 1

4.1. REDRESOARE MONOFAZATE 4.1.1. Redresorul monofazat monoalternanţă

Valoarea medie a lui Uin este 0.

Valoarea efectivă pentru Uin:
U
U ef = max
2
Valoarea maximă pentru Uin:
U max = U ef 2

Fig. 4.1.a Fig. 4.1.b

T π
1 1 1 π 1
2 U ef U ef U
Usmed = ∫ Us( t )dt = ... =
T0 2π ∫0 max
U sin( ω t ) d ω t =
2π
U m [ − cos( ω t ) ] =
π2π
U m (1 + 1) = m =
=
2.2 π
0

4.1.2. Redresorul dublă alternanţă cu punct median ("*" indică în fig. 4.2.a începutul înfăşurării)

4.1.3. Redresorul dublă alternanţă

în punte

Fig. 4.2.a Fig. 4.2.b Fig. 4.3

4.2. REDRESOARE MONOFAZATE CU SARCINĂ RC

Fig. 4.4.a Fig. 4.4.b

  T 
Dacă ∆t<<T ∆U≈ Um  1 − exp −
:  . Presupunem că Rs⋅C>>T⇒ ∆U; aproximăm că:
  R sC  
T Um T I max T
∆ U = Um ⇒ C= ⇔ C= . Aceeaşi formulă rezultă şi energetic: ∆Q=Im⋅T=C⋅∆U.
RS C ∆ U ⋅ RS ∆U
 DCE - Cap.4. REDRESOARE 2

Um
∆t<<T ⇒ IDV⋅∆t=IS⋅T. I DV = 2 π ⋅ IS . IDV = curentul de vârf prin diodă; scade cu ∆U şi
2⋅ ∆ U
creşte cu C. Pentru redresoare dublă alternanţă ∆U, IDV şi C se înjumătăţesc ca valoare.

4.3. REDRESOARE MONOFAZATE CU DUBLARE DE TENSIUNE

Pentru a obţine Usarcină>Umax; C1=C2;
primul redresor: C1-D1, al doilea: C2-D2.
Cele două redresoare au ca masă punctul M.
Dacă au punctul B ca masă ⇒ 2Um=US. Pe
noi ne interesează punctul B ca masă. În
alternanţă directă, prin D1 se încarcă C1, iar
în alternanţă negativă, prin D2 se încarcă C2.
Tensiunea de pe C1 se adună cu cea de pe C2
⇒ Us va fi 2Um. În prezenţa sarcinii, C1 şi
C2 se descarcă puţin cu câte ∆U ⇒ vom avea
US=2Um-2⋅∆U=2(Um-∆U).
D1, D4, C1- reprezintă primul redresor;
D2, D3, C2- reprezintă al doilea redresor.
A treia schemă serveşte pentru dublarea lui
Um (adică se obţine US=2Um) şi masa sarcinii
este comună cu o ieşire a transformatorului.
Funcţionare:-în alternanţa negativă D1
încarcă pe C1;
- în alternanţa pozitivă tensiunea de pe C1 se
adună cu Uin ⇒ C2 se încarcă la 2Um, dar
Fig. 4.5 condiţia este ca C2>C1.

4.4. REDRESOARE TRIFAZATE Pot fi realizate cu punct median (scheme cu 3 diode

faţă de nul, punctul median) şi în punte (scheme cu 6
diode sau multiplu de 6). Primarul transformatorului
i21 poate fi conectat atât în stea, cât şi în triunghi.
Conexiunea în punte. Reprezintă în fapt, înserierea
a două scheme de redresare identice, cu punct
i22 median, alimentate de la aceeaşi sursă de energie.
Unghiul de conducţie al dispozitivelor redresoare este
2π/3. Întotdeauna conduc simultan două diode, care
i23 au potenţialul cel mai pozitiv al anodului şi respectiv
cel mai negativ al catodului, în intervalul considerat.
Rs Ls Pentru un redresor trifazat în punte valoarea medie a
+ - tensiunii de ieşire este dublul valorii de la un redresor
trifazat în stea:
Fig. 4.6 Udpo=2*Udo=2*1,17*U2=2,34*U2
 DCE - Cap.4. REDRESOARE 3

Cap.5. CONTACTUL METAL – SEMICONDUCTOR

5.3. DIODA METAL-SEMICONDUCTOR
Contactul m-s realizat se comportă ca o joncţiune
pn+. Injecţia de goluri dinspre metal spre
semiconductor este foarte slabă, întrucât regiunea
p apărută prin inversiune are o concentraţie mică
de goluri. Practic nu există sarcini de purtători
minoritari stocate în regiunile neutre şi deci
capacitatea de difuzie este neglijabilă.
Fig. 5.2 Fig. 5.3. Simbolul diodei Schottky
Timpii de comutaţie: 100 ps. Căderea de tensiune directă este de numai 0,3…0,5V faţă de
0,6…0,8V la joncţiunile din Si; această proprietate este utilizată în circuitele integrate logice rapide
(tip tranzistor-tranzistor-logic TTL-Schottky) pentru evitarea saturării tranzistoarelor bipolare.
 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 1

6.1. PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR.

SIMBOLURI. NOTAŢII.

p n p n p n

E B C E B C
Fig. 6.1 Fig. 6.2

1. Grosimea bazei (dB) este mult mai mare

decât lungimea de difuzie a purtătorilor
minoritari; dB =1...10 μm;
2. Regiunile E şi C au (de regulă) grosimi
mult mai mari decât lungimea de difuzie a
Fig. 6.3 purtătorilor minoritari;
3. Emitorul este puternic dopat faţă de bază.
În funcţionarea normală a TB, JE este polarizată direct, iar JC invers.
UEB UCB UCE IE IC IB
pnp + - - + - -
npn - + + - + +

Fig. 6.4
Efectul de comandă a curentului printr-o joncţiune polarizată invers (JC) cu ajutorul
curentului unei joncţiuni polarizate direct şi plasată în apropiere (JE), se numeşte efect de tranzistor.
IpE=IpC+Ir. IE=IpE+InE. IC =-IpC+ ICBo. IB =-Ir-InE+InC
Coeficientul de injecţie (sau eficienţa emitorului): γ=IpE/ IE =0.99...0.998
Coeficientul de transport: αT=IpE/IpC=0.99...0.998. IpC=α T ⋅IpE=γ⋅αT. ˙ IE =α IE, unde α= γ⋅αT
Coeficientul de amplificare în curent E-C (în conexiune bază comună): α = 0.95... 0.998
IC =-αIE+ICBo=-αIE.
Coeficientul de multiplicare: M=1/[1-(UCB/UCBo)n], unde UCBo este tensiunea de străpungere a JC,
iar n un coeficient cuprins între 2 şi 6. În domeniul tensiunilor mari α=γ˙ αT M şi în anumite situaţii
poate deveni mai mare decât 1.
IE =- IC - IB, în care IC =α IE + ICBo => IC =α IC +α IB + ICBo; IC (1-α)=α IB + ICBo; IC =(α/(1-α)) IB +
(α/(1-α)) ICBo; β=α/(1-α); α=β/(β+1)
β se numeşte coeficient de amplificare în curent B-C (în conexiune emitor comun).
IC =β IB +(β+1) ICBo; IC =-α IC + ICBo. La TB obişnuite β=30…500

6.2. TEORIA TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎN REGIM STAŢIONAR.

MODELUL STATIC EBERS-MOLL

Vom considera două regimuri de lucru ale TB: normal şi inversat. În regim normal de
funcţionare, pentru un TB tip pnp, UEB>0, UCB <0, rezultă: IC =-α· IE + ICBo. ICBo este curentul invers
al joncţiunii CB, când emitorul este în gol (circuit deschis IE =0).
 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 2

Să schimbăm, între ele, rolurile regimurilor de E şi C, cu alte cuvinte să aplicăm o tensiune

directă pe JC şi o tensiune inversă pe JE. TB
va funcţiona şi în acest regim inversat. IE =-α·
IC +IEbo, în care αI este coeficientul de
amplificare în curent pentru regimul inversat,
iar IEBo este I invers al JE când C este în circuit
deschis (în gol, IC =0). Pentru α se mai
foloseşte notaţia αF iar pentru αΙ notaţia αR.
αΙ=αR=0.5...0.9 βI= 1...9 α = αF =
0.95...0.99. Această diferenţă între α şi αΙ
Fig. 6.5.a Fig. 6.5.b este datorată ariei mult mai mari a JC faţă de JE
(fig. 6.6), ceea ce permite colectarea majorităţii
golurilor injectate de E către C. Atunci când polarizarea este inversată, E nu poate colecta
majoritatea golurilor injectate de C. Ecuaţiile Ebers-Moll pt. TB tip pnp (figura 6.5.a): IB =- IE - IC;
IC =-α IE - ICBo ⋅e (q⋅UCB)/KT-1; IE -αI⋅ IC -IEBo⋅e (q⋅UEB)/KT-1.
Vom determina curenţii prin TB în două cazuri:
a) baza în gol şi JC polarizată invers:
IC =- IE ⇒ IC =Iceo= ICBo /(1-α)=(β+1)⋅ ICBo
b) baza în gol şi JE polarizată invers:
Fig. 6.6 IE =- IC ⇒ IE = Ieco = IEBo /(1-αI)=(βI+1)⋅ IEbo
Se mai foloseşte relaţia valabilă numai în regiunea activă: IC =Is·e q·UBE/(kT), unde Is este
curentul de saturaţie al joncţiunii BE.

6.3. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

Exprimă grafic legătura dintre I prin TB şi U aplicate între terminale, în regim static.

Fig. 6.7
1) caracteristicile de ieşire exprimă dependenţa Iieşire(Uieşire), având ca parametru Iintrare (sau Uintrare);
2) caracteristicile de intrare exprimă dependenţa Iintrare(Uintrare), având ca parametru Uieşire;
3) caracteristicile de transfer exprimă dependenţa Iieşire(I sau Uintrare), având ca parametru Uieşire;
4) caracteristicile de reacţie exprimă dependenţa Uintrare(Uieşire), având ca parametru Iintrare.

Fig. 6.8.a Fig. 6.8.b

 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 3

6.5. INFLUENŢA TEMPERATURII ASUPRA REGIMULUI STAŢIONAR AL

TRANZISTORULUI BIPOLAR

Cele mai importante efecte asupra regimului staţionar sunt:

a) Variaţia curentului rezidual de colector ICB;
b) Variaţia coeficientului de amplificare în I B-C β;
c) Variaţia tensiunii de deschidere UD;

6.6. STRĂPUNGEREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Străpungerea TB la I de E constant – conexiune BC

Fig. 6.16 În domeniul UCB mari, apare multiplicarea în avalanşă a
purtătorilor de sarcină în regiunea de tranziţie a joncţiunii BC, deci
un curent foarte mare CB în sens invers IB normal(fig. 6.18). UCbo la
TB normale=50…200V, iar la cele speciale<2000V. IC=M(-αIE+
ICBo). Străpungerea nu este distructivă atâta timp cât T<Tmax
admis.

Străpungerea TB la I de B constant – conexiune EC

Străpungerea are loc la o tensiune UCEo<UCBo, UCEo=(0.1…
Fig. 6.17 0.3)⋅UCBo =20…50V pentru TB normale. La străpungerea TB sub IB
constant participă ambele joncţiuni intervenind efectul de TB ⇒ nu
avem de-a face numai cu o străpungere în avalanşă deoarece ea are
rolul de a modifica distribuţia UCE între cele două joncţiuni (fig.
6.19). UCEO se mai numeşte şi tensiune de susţinere.
Alte cazuri de

Fig. 6.18

Fig. 6.19

Fig. 6.20 străpungere

Fig. 6.21
Străpungerea a doua (secundară)
 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 4

6.7. REGIMUL TERMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

6.8. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE
6.8.1. Circuit de polarizare simplu pentru conexiunea EC
6.8.2. Procedee de stabilizare a PSF
1) Procedee liniare - utilizează în circuitul de polarizare elemente liniare (rezistoare).
2) Procedee neliniare (de compensare) - compensează variaţia parametrilor tranzistorului cu
temperatura, folosind elemente cu caracteristici dependente de temperatură (termistoare, diode).
6.8.2.1. Procedee liniare 1) Stabilizare cu rezistor serie în emitor
2) Stabilizare cu divizor rezistiv în bază
3) Stabilizare cu rezistenţa între bază şi colector
6.8.2.2. Procedee neliniare (de compensare)
1) Compensarea variaţiei UBE (tensiunii de deschidere) cu temperatura: Fig. 6.30.a, b, c

2) Compensarea creşterii ICBo cu temperatura

Se poate face cu o diodă polarizată invers. Fără diodă, ICBo se
închide prin Rb2 şi joncţiunea bază-emitor a tranzistorului, fiind
amplificat, IC = Iceo =(β+1)· ICBo (cu baza în gol) - figura 6.31.
Dacă se alege o diodă având curentul invers egal cu ICBo, Iinv=
ICBo, ICBo se închide prin diodă şi nu mai este amplificat de TB.
3) O compensare termică mai generală se poate realiza
introducând un termistor care polarizează baza. În cazul acesta se
foloseşte un termistor cu coeficient negativ de temperatură NTC,
adică rezistenţa lui scade cu creşterea temperaturii (fig. 6.32).
Fig. 6.31

Fig. 6.32
6.8.3. Polarizarea tranzistorului bipolar în conexiunile BC şi CC
 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 5

6.9. TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM DINAMIC DE SEMNAL MIC

6.9.1. Circuitul echivalent natural π-hibrid
Mărimea gm are dimensiunea de conductanţă şi
poartă denumirile conductanţă mutuală,
transconductanţă sau pantă.
Ic g Ic
gm = = ⋅ Ic = = 40 ⋅ Ic
Ut KT 0.025
Mărimea gb'e (notată şi gπ) este numită conductanţă
de intrare, de semnal mic. gb'e=gm/β; rb'e=2...10kΩ =
rπ=rezistenţa de intrare de semnal mic=β/gm
Mărimea rbb' (notată şi rx) este rezistenţa dintre
Fig. 6.34 contactul ohmic al bazei (b) şi centrul regiunii
active a bazei (b') numită bază intrinsecă.
Cb'e=Cd+C bar,b'e; Cd=capacitate de difuzie sau capacitate de
încărcare a bazei.
C bar,b'e şi Cb'c (sau Cµ) modelează capacităţile de barieră
ale joncţiunilor şi sunt de ordinul 1...10pF.
Conductanţele gb'c şi gce iau în considerare reacţia internă
a TB cauzată de variaţia grosimii efective a bazei (efectul
Early) funcţie de UCB; Rieşire=(Ue+ UCE )/ IC
Fig. 6.35 =10...100kΩ

6.10. TRANZISTORUL BIPOLAR LA FRECVENŢE ÎNALTE

Frecvenţa de tăiere fβ. Pentru etajul de amplificare în EC se defineşte coeficientul de
amplificare în curent β cu ieşirea în scurtcircuit.
β= IC / IB, UCE =0 (în complex). Variaţia lui β cu frecvenţa se poate determina cu circuitul
β (0)
β =
echivalent Giacoletto, rezultând j ⋅ ω , unde β(0) este β pentru curent continuu, β este β
1+
ωβ
β (0) ω β β (0)
β = ; fβ = ;β =
= 0.707 ⋅ β
complex şi ωβ este pulsaţia de tăiere la fβ.  ω 
2 2π 2
1+  
ω 
 β 
Frecvenţa de tăiere este frecvenţa la care
amplificarea scade la 0.7 din amplificarea din
curent continuu. Această frecvenţă de tăiere
serveşte ca măsură a benzii de frecvenţă în
care β cu ieşirea în scurtcircuit rămâne
rezonabil de apropiată de valoarea ei de la
frecvenţa joasă. Această frecvenţă este numită
frecvenţă de tăiere a coeficientului β. fβ
determină lărgimea benzii de trecere a etajului.
Frecvenţa de tranziţie este frecvenţa la care β
cu ieşirea în scurtcircuit este egală cu unitatea.
β (0)
β = =1
2
ωT  ; deoarece β este mare ⇒ (ω/ωβ)2>>1 ⇒ 1=β/(ωT/ωβ) ⇒ ωT=β⋅ωβ ⇒ fT=β⋅fβ
1+  
ω 
 β 
 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 6

fT=amplificare în curent (β)⋅lăţimea de bandă (fβ) ⇒ fT se mai numeşte produs câştig-bandă,

care este constant pentru un TB: 1MHz la cele de mică putere cu Ge, 500MHz la cele cu Si (BC107:
250…300MHz), 1GHz la tranzistoarele de înaltă frecvenţă (BF200: 650MHz, BF180: 800MHz).
Frecvenţa de tăiere fα este frecvenţa la care α scade cu 2 şi se defineşte pentru etajul de
amplificare în BC. α= IC /( IC + IB)=β/(β+1)
β β
1 + jω ω β β β +1 α
α = = = = unde (1+β)⋅ωβ=ωα de unde
β jω jω 1 + jω ω α
1+ 1+ β + 1+
1 + jω ω β ωβ (1 + β ) ⋅ ω β
rezultă relaţia fα=(1+β)⋅fβ, fα este mult mai mare decât fβ. Produsul câştig-bandă este însă acelaşi la
ambele etaje: fT=β⋅fβ=α⋅fα.
6.11. CIRCUITE ECHIVALENTE DE CUADRIPOL
6.11.1. Ecuaţiile matriceale ale tranzistorului bipolar
Cu două variabile independente (C42 =6) sunt şase moduri de
alegere a celor două variabile independente la care corespund
şase sisteme de ecuaţii, fiecare sistem fiind caracterizat de
patru parametri de cuadripol. Cel mai utilizat la TB este
sistemul cu parametri hibrizi (h):
 U1 = h 11 ⋅ I1 + h 12 ⋅ U 2  U1   h 11 h 12   I1 
 , sau matriceal   =   ⋅   cu h21≠h12.
 I 2 = h 21 ⋅ I1 + h 22 ⋅ U 2  I 2   h 21 h 22   U 2 
În domeniul frecvenţelor înalte se utilizează ecuaţiile cu parametri y:
 I1 = y11 ⋅ U 1 + y12 ⋅ U 2  I1   y11 y12   U 1 
 , sau matriceal   =  ⋅ .
 I 2 = y 21 ⋅ U 1 + y 22 ⋅ U 2  I 2   y 21 y 22   U 2 
S-au mai utilizat şi sisteme cu parametri z:
 U 1 = z 11 ⋅ I1 + z 12 ⋅ I 2  U 1   z 11 z 12   I1 
 , sau matriceal   =  ⋅ .
 U 2 = z 21 ⋅ I1 + z 22 ⋅ I 2  U 2   z 21 z 22   I 2 
Pentru valori reale s-au utilizat parametrii R.
6.11.2. Circuite echivalente h

U1
h11 =
I1 U = 0 - impedanţa de intrare cu ieşire în scurtcircuit; h11e=hie=rbe=β/ gm
2

U1
h12 =
U 2 I = 0 - factorul de transfer invers de tensiune cu intrare în gol
1

I2
h 21 =
I1 U = 0 - factor de transfer direct în curent cu ieşire în scurtcircuit
2

I2
h 22 =
U 2 I = 0 - admitanţa de ieşire cu intrare în gol; h22=1/rce
1

h21b= IC / IE =-α şi h21e= IC /IB=β. Parametrii folosiţi anterior, α şi β, sunt parametri statici sau de
semnal mare şi de aceea se notează prin h21B şi h21E sau hFE.
 DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR 7

6.12. TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM DE SATURAŢIE

UCE=UCE(sat)=0,1V…1V. IB=IB(sat) > IC / β. Creşterea curentului de bază nu mai poate duce la
o creştere a curentului de colector, care este determinat doar de tensiunea de alimentare şi
rezistenţele din emitor şi colector. În această situaţie tranzistorul este saturat.
DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP) 1

7.1. TEC CU GRILA JONCTIUNE 7.1.1. Structură şi funcţionare

Sursă Grilă Drenă G

n+ p+ n+ 4 µm
≈25Ω
a n
S D
L=(10…100).a 100µm
Si p+
Bază (grila a doua) ≈100Ω

legătură internă Fig. 7.1.b

Fig. 7.1.a Schema de măsură cu ohmmetrul

Fig. 7.2.a Fig. 7.2.b

Fig. 7.2.c Fig. 7.2.d

ID
C
B UGS=0
IDSS
A

0 UDSS UDS străpungere UDS

Fig. 7.3
 DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP) 2

7.1.2. Caracteristici statice.

Simboluri. Expresia curentului de
drenă în regiunea de saturaţie:
IDS=IDSS(1– UGS /Up)n ; UDS>UGS – Up
IDSS este curentul de saturaţie pentru
UGS=0, iar coeficientul n∈1,5 … 2,5.
Frecvent n=2. În regiunea de saturaţie
este importantă caracteristica de transfer
grilă-drenă (fig. 7.7).

Fig. 7.4

ID
mA UGS=0 TEC-J canal p:
IDSS regim de saturaţie UGS>0, Up>0, UDS<0, ID<0
-0,5 V
-1V străpungere Fig. 7.6. Simboluri:
-1,5 V canal n canal p
-2 V Up= -2,5
-2,5 V

0 10 20 30 UDS
Fig. 7.5. Caracteristicile de ieşire Id (Uds) cu UGS=ct

În regiunea nesaturată: UDS < UGS - Up

ID=IDSS/Up2 ⋅[ 2⋅(UGS - UP)⋅UDS - UDS2 ]
Exemple de TEC-J-uri produse în ţară:
canal p: ROS 104 Fig. 7.7. ID(mA)
canal n: BFW 10…13, 2N 4091…4093
245, 247, 256
duble: 2N5912, 3955, 5545 IDSS 15
- din import: BF 244
10
UDS>UDsat
Up 5
7.2. TEC CU GRILĂ IZOLATĂ (TEC-MOS) -3 -2 -1 UGS (V)
7.2.1. Structură şi funcţionare. Simboluri

Fig. 7.8
 DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP) 3

Fig. 7.9
Evitarea străpungerii stratului de SiO2 se face în două moduri:

Exemple de TEC-MOS-uri
produse în ţară:
- canal p: ROS 01, 04, 05 (dublu)
- canal n: ROS 02, BFR 84, BFS
28, BSV 81
(cod american): 3N 139, 3N 159
ICCE: V-MOS (MOS-uri de
putere): RVM 35A1, 60A1.
Fig. 7.10.a Fig. 7.10.b
7.2.2. Caracteristici statice ale TEC-MOS. Expresia curentului de drenă
Caracteristici statice de ieşire pentru TEC–MOS cu canal indus

Fig. 7.11

Caracteristici statice de ieşire pentru TEC-MOS cu canal iniţial

Fig. 7.12

Caracteristici de transfer: ID(UGS) cu UDS>UDSsat

Expresia curentului de drenă în
regiunea de saturaţie (pentru
UDS>UDSsat):
IDS=K*(UGS-UP)2 (indus) ;
IDS=IDSS*(1-UGS/UP)2 (iniţial);
Ex.: K=0,3 mA/V2 IDSS=K*UP2;

Fig. 7.13
 DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 8,10.1

CAP.8. REGIMUL DE COMUTAŢIE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE

8.1. Introducere 8.2. Regimul de comutaţie al diodelor semiconductoare

fig.8.1. Definirea timpilor de comutare pentru un exemplu de răspuns al

dispozitivelor la un semnal sub forma de impuls
fig.8.2. Variaţia in timp a curentului la comutare inversa: a) prin dioda cu
sarcina stocata; b) prin dioda normala
fig.8.3. Variaţia in timp ideala, a curentului de baza pentru reducerea timpilor de comutare ai tranzistorului
8.3. Regimul de comutaţie al tranzistoarelor bipolare

fig.8.5. Circuit cu reacţie negativa neliniară pentru evitarea

pătrunderii punctului de funcţionare in regiunea de saturaţie
fig.8.4. Circuit practic pentru accelerarea comutării fig.8.6. Circuit practic cu reacţie negativa neliniară
tranzistorului
Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
10.1. GENERALITATI 10.2. FOTOREZISTORUL 10.3. FOTODIODA

10.4. FOTOTRANZISTORUL 10.5. FOTOTIRISTORUL

10.6. CELULE FOTOVOLTAICE (SOLARE) – FOTOELEMENTE

10.7. DIODE FOTOEMISIVE (ELECTROLUMINISCENTE) – LED-uri
Element de afişare cu 7 segmente (7 diode LED); Optocuplor LED-fototranzistor
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 9.1

Cap.9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

9.1. TIRISTOARE 9.1.1. Structura, schema echivalenta, caracteristicile statice

9.1.2. Procese tranzitorii la comutaţia tiristoarelor. Comutaţia directa normala

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 9.2

Comutaţia directa anormala prin efect du/dt

Circuite de protecţie RC pentru evitarea comutaţiei directe prin efect du/dt

Comutaţia inversa
9.1.4. Tipuri speciale de tiristoare
1. Dioda pnpn (Shockley)
2. Tiristor cu comanda comutaţiei inverse pe
poarta (Gate Turn Off – GTO)
3. Tiristoare cu
revenire cu doua
porţi
4. Darlistorul
5.Triacul (tiristor-
trioda bidirecţional)
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 9.3

6. Diacul 7. Quadracul
8. Contactor static unilateral
cu siliciu (Silicon Unilateral
Switch – SUS)
9. Contactor bilateral cu siliciu
(SBS)

9.1.5.Exemple de tiristoare produse de

IPRS Baneasa

9.2.TRANZISTORUL UNIJONCTUNE (TUJ)

R B1 R
factorul de divizare intrinsec η = = B1 = 0.4...0.8
R B1 + R B2 R BB

TUJ programabil (TUP)

R1
Este similar cu tiristorul cu poarta anodica. η =
R1 + R 2
 DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 11.1

Cap.11. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

U2

U 2M

-U 1 M U 1M U1

-U 2 M

F ig . 2
ϕ
Fig. 8.
A0
= 0,7 ⋅ A 0
2

ϕ j
fj fi f

α = arctg 2πt0 ϕi
Fig. 5 a
A
2 3
1
L

F ig . 5

A
[dB] [dB]

A0 0 3 dB

-3

f
fj fi

Scheme bootstrap cu tranzistoare

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 11.2

11.2. CARACTERISTICI DE FRECVENŢĂ

11.2.1. Efectul condensatoarelor asupra răspunsului la frecvenţe joase
11.2.1.1. Influenţa grupului de polarizare din sursa unui TEC-J asupra răspunsului la frecvenţe
joase (TEC-J canal n, conexiune sursă comună)
+ED

RD CG ID CD
g b
CD
gm Ugs I2
CG R gn Ugs
RD RL uies
RG
s u2
RL
RG
Rgm uies
ug ~ Rs Cs
Rs
Ug
~ Cs u1
Zs

1
RS
jω C S RS
ZS = =
Fig. 9 Fig. 10 1 1 + ω jC S R S
RS +
jω C S
U ies = U 2 = − g m U gs R D
u ies g m u gs R D g m R D (1 + ω jC S R S ) gmR D 1 + jω C S R S
A ug = = − = − = − ⋅ =
Ug  RS  1 + ω jC S R S + g m R S 1+ gmR S CS R S
U gs  1 + g m  1 + jω
 1 + jω C S R S  1+ gmRS
jω zerou
1+ 1
gmR D ω1 1 ω2=
= − ⋅ ω1 = 1
1+ gmRS jω CSR S C S RS
1+
ω2 pol 1 + g m RS
|Aug| [dB]
+20 dB/decadă
ω ω
f1 = 1 , f 2 = 2 =fj frecvenţă joasă de tăiere.
2π 2π |Aum|
3dBreala
g m R D CS R S Caracteristica
Aum = lim A ug = − = − gmR D
ω⇒ ∞ CS R S
nu e ,,0”
(amplificarea cu CS ω1 ω2 ω
gmR D scurtcircuitat). |Auo|
Auo = − fig.11
1 + g m R S (amplificarea fără CS)
11.2.1.2. Influenţa condensatoarelor de cuplaj cu sursă de semnal (CB) cu sarcina (CS) şi de decuplare
din emitor (CE), asupra răspunsului la frecvenţe joase (pentru un etaj cu TB în EC)

a) Pentru simplitate presupunem CB şi CS scurtcircuite la frecvenţa de lucru şi urmărim influenţa lui

CE (fig13). Uzual RB mare (zeci sau sute de KΩ) şi Rg mică (zeci de Ω). Similar ca la TEC-J.
 DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 11.3

b) Presupunem CE , CS scurtcircuitate şi urmărim influenţa lui CB (fig14). Uzual RB>>rbe , rbe||RB≈rbe.

u1 = u be , Zin = rbe
rbe || R B
u be = u g
1
Rg + + rbe || R B
jω C B
u ies − g m u be R S` rbe
A ug = = ⋅ =
ug u be 1
R g + rbe +
jω C B
g m rbe ⋅ jω ⋅ C B ⋅ R S` β R S` ⋅ jω C B
|Aug| [dB] = − = − =
1 + jω C B (R g + rbe ) 1 + jω C B (R g + rbe )
+20dB/decada
1 jω
ω1 = ; zerou tip monom
|Aum| 3 dB C B ⋅ R S` ω1 (in origine la -∞)
1 = −β ⋅ Panta este de
ω ω = jω 20dB/decada.
2 ; 1+
ω2 C B ( R g + rbe ) ω2
ωj pol
g m rbe ⋅ R S`
Fig. 15 A um = − ;
R g + rbe
c) Presupunem CB , CE scurtcircuitate si urmărim influenta lui CS. Uzual RB>>rbe , rbe||RB≈rbe.
1 1 1 1 g
ω f1 = ; ω f2 = ;ω Z = < ω f3 = ≈ m
C B (R g + rbe ) C S (R S + R C ) CER E rbe CE
CE R E
rbe + (β + 1)R E
11.2.2. Comportarea la frecvente înalte I Z
Ze, in Ze, ies
u − u2 ;
I= 1
u1 Ze, in Ze, ies Z u2
u1 Au = u2
u1
Fig. 21
Fig. 20

u1 u1 ⋅ Z Z Z
Z e , in = = = = u2 u2Z Au u ies
I u1 − u 2 u 1− Au Z e , ies = = = Z Au = = − g m ⋅ R S` ;
1− 2 − I u 2 − u1 A u − 1 u bc
u1
Ci 1
b c jω C bc =
Z e , in ≈
1 + g m ⋅ R S`
Rg R rbe cbe RS’ 1
Ce, in gmube Ce, ies =
(cπ) jω [c bc (1 + g m R S` )]
ug ~ Ce, in=cbc(1+gmRS` )
ub e uies  1 
C e , ies = c bc  1 + 
Fig.22
 g m R S` 
1
− g m R S` 1
Z e , ies ≈ ⋅
1
=   1   ; Cin = Cbe + Ce,in, f = ω in , ω ies = ` > ω in
− g m R S` − 1 jω c bc jω  c bc  1 + 
` 
S
2π R S ⋅ C e, ies
  g m R S  
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 11.4

11.4. ETAJE COMPUSE CU TRANZISTOARE BIPOLARE

11.4.1. Etaje compuse CC-EC şi CC-CC. Tranzistoare compuse în conexiune Darlington

+EC IC
+EC
INTRARE T1
INTRARE Rs
T1
IESIRE Ic1 ⇔
B Ib1 I C2
T2 T2 T1 Te
R IN
IB
I0
I0 Ie1 Ib2
R T2
IESIRE R

Ie2
E E IE
IE
T2 Fig.27
Te
⇔ ⇔ T1 ⇔ Te

IB Ie1 I C C
Ib1 C2 C C
B T1 B
B B B
Ib2 T2
R C T2 T1 ⇔ ⇔
Ic1 I 2 T2 T1 E Te
E
Ie E
C
11.4.2. Etaj compus EC-BC (cascod)
IES
INT +
- VB

Fig.28 RC CS RB3

+EC
RB1 VT2 RS
R1 RC CS
Cg VT1
CB
CB RB4
RS
VT2
R2 ugRg RB2 RE CE
VT1

Fig.29b. Cascod cu divizoare separate

Rg R3
RE CE
11.4.3. Etaj compus CC-BC cu cuplaj prin emitor
Fig.29a.Cascod (divizor comun)
(PARAFAZĂ)

+EC
RC EC1
ies
VT1 VT2 INT
VT1 VT2 IES

RB CB RS EC2
R I0 +
ug
VB
RE
-
Schema completă de polarizare cu alimentare simetrică faţă de masă
DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 12.1

Cap.12. AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MARE, DE PUTERE

12.1. Etaje de putere în clasa A, f r transformatoare de ie ire
12.2. Etaje de putere în clasa A, cu transformatoare de ie ire
+EC
R +EC IC
IC
RB1 rp RS
ICmax
regim static
UCE
C1 T1 regim dinamic

VT1 PSF
Fig. 12.1 IC0 hiperbola de
disipa ie max.
ui
RB2 RE C2 0 UCE
UCE0 EC UCEmax

12.3. Etaje de putere în clasa

Fig. 12.3 Fig. 12.4
B i în clasa AB, cu i f r
transformatoare de ie ire
+EC

iC RC
VT1
iC1
iCmax CS
+
VD1
EC
2 RS
clas AB
VT2
Uin R iC2
VT3
clas B
M IB=0
Fig. 12.12
O UCEmax UCE
Fig. 12.5 +EC
RB
+ (-) iCm

iC1 Rb +
T1 T2 VT1 Ec/2
VT1 * CB
N1
Uin +EC VD1
N2 RS + Ec/2
* CS
N1
VT2 VT2 RS
iC2 Uin VT3
- (+)
Fig. 12.14

Fig. 12.6

VT1
VT1
iC1 + VT1
RB1 +
- EC1 iC1 EC1
Uin URB2 RS -
Rs
+EC Rs
CB RE CE Uin VT2
RB2
T1 T2 iC2 + +
E iC2
- C2 Uin EC2
-
VT2 T1 VT2
Fig. 12.9 Fig. 12.10 Fig. 12.11
DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 12.1

+EC
R1 R7 +Ec
RS +24V
2k2 100 MJ2955
Rb
VT1 +
CB
Uin BC107 R3
VD1 Ec/2 R5 BFR40 0,22 Sarcin
1k 0
BFR80 4W
VT2 470 R4
Uin VT3 R6
Fig. 12.15 R2 R8 2N3055
2k2 100 -Ec
Fig. 12.13 -24V
+EC
A1 alt+ A2

VT1 EC VT3 +EC +EC

RS + -
Uin
EC EC + RS +
2 (-) (+) 2 A1 A2
- -
VT2 EC VT4
alt(+) Fig. 12.17

Fig. 12.18
12.4. Exemplu de amplificator de audiofrecven de putere de înalt fidelitate (HI-FI)

R2 R8 C5 +Ec
R13 +24V
2k7 100 100 0.1µ
BFR80 T8
C4 BFR40
T3
MJ2955
220p
T7
T4
RV6
1k
C1 2*BC107 470 BC107 R15
0.22
10µ T5
Vies

R5 10k SARCINA
V C2 R1 R4 470
in 68p T1 T2 T6 4Ω
10k C3 100µ BC177
0.22
R16
C5 T6
100µ T9
R3
15k T10
R9 2N3055
Fig.12.19. 1k BFR80
Amplificator audio R14 C6
R10 -Ec
cu puterea de 30W 100 0.1µ
1k -24V

12.5. Amplificatoare în clasa D

t t

ui(t) ue(t)
MDI CBA AF F

Fig. 12.20
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 13.1

Cap.13. REACŢIA NEGATIVĂ ÎN AMPLIFICATOARE

13.1. PROPRIETĂŢILE DE BAZĂ ALE AMPLIFICATOARELOR CU REACŢIE

Fig. 13.1

- a – amplificator de bază (cu amplificarea foarte mare egală cu a);

- X e = a ⋅ X i - reţea de reacţie (atenuator de precizie, cu atenuarea egală cu f );
- f = factor de reacţie; f<1; X f = f ⋅ X e (feedback).
Xi=Xg - Xf ⇒ Xg = Xi + Xf.
Amplificarea globală (incluzând efectul reacţiei) A (sau Ar) este egală cu:
Xe a ⋅ Xi a ⋅ Xi a ⋅ Xi a
A= = = = =
Xg Xi + Xf Xi + f ⋅ Xe Xi + a ⋅ f ⋅ Xi 1 + a ⋅ f
a a 1
A= ≈ = independentă de amplificatorul „a”,
1+ a ⋅ f a ⋅ f f
13.1.1. Creşterea stabilităţii amplificatorului (desensibilizarea amplificatorului)
13.1.2. Efectul reacţiei negative asupra distorsiunilor

Fig. 13.2
Fig. 13.3
13.1.3. Efectul reacţiei negative asupra semnalelor parazite (a zgomotului)

Fig. 13.4
 a1 ⋅ a 2   a2 
Folosind suprapunerea efectelor rezultă: X e =   ⋅ X g +   ⋅ X n
 1 + a1 ⋅ a 2 ⋅ f   1 + a1 ⋅ a 2 ⋅ f 
Raportul semnal / zgomot (cu reacţie) este (S/Z)f sau (S/N)f = a1·( Xg / Xn) = a1·(S/N).
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 13.2

13.1.4. Ameliorarea răspunsului în frecvenţă

Pentru Xg sinusoidal „a” are o anumită bandă de
frecvenţă definită de: fs = ϖs / 2π.
a0 a A0
a= ⇒ A= =
j⋅ ω 1+ a ⋅ f j⋅ ω , unde
1+ 1+
ωS ω Sf
a0 , ω Sf = ω S ⋅ (1 + a 0 ⋅ f ) , deci
A0 =
1+ a0 ⋅ f
banda lui A a crescut exact în raportul în care a
scăzut amplificarea. Produsul câştig-bandă este o
Fig. 13.5 constantă.

13.1.5. Modificarea impedanţelor de intrare şi de ieşire

Dacă la intrare se compară tensiunea în buclă (fig.13.6),
impedanţa de intrare creşte: Zif = (1+ a·f )·Zi
Zif - impedanţa de intrare cu reacţie.
Z i = U i / Ii
Ug = Rg·Ii + Ii·Zi + Uf
Ur = Ui·a·f = Zi·Ii·a·f ⇒Ug = Ii (Rg + Zi + Zi·a·f )
La bornele generatorului se vede impedanţa
Ug / Ii = Rg + Zi (1+ a·f ), unde Zif = Zi (1 + a·f )
Dacă se compară curenţi, impedanţa de intrare Zif scade de
(1+ a·f) ori. Zif = Zi/(1+ a·f ). Similar la ieşire dacă se eşantionează
Fig. 13.6 tensiunea, impedanţa de ieşire scade Zies f = Zies/(1+ a·f). Dacă se
eşantionează curentul impedanţa creşte Zies f = (1+ a·f)·Zies. Amplificatorul
tinde să se transforme într-un amplificator „ideal”.
13.2. TOPOLOGIA CIRCUITELOR CU REACŢIE
Semnalul de ieşire poate fi curent sau tensiune. Reţeaua de reacţie ia un eşantion din mărimea
de ieşire Xe şi-l compară la intrare cu Xg. Mărimile Xg , Xf şi Xi pot fi (independent de tipul lui Xe),
fie curent, fie tensiune. Există în total patru posibilităţi, deci patru topologii de circuite cu reacţie.
Dacă conexiunile sunt în serie avem de a face cu o buclă, iar dacă sunt în paralel avem un
nod. Pentru denumire se priveşte de la ieşirea amplificatorului spre intrarea lui (de la intrarea reţelei
de reacţie spre ieşirea ei), deci mai întâi se urmăreşte mărimea eşantionată la ieşirea amplificatorului
şi apoi ce se compară la intrarea lui.
13.2.1. Amplificator de transadmitanţă (transconductanţă) - amplificator cu reacţie cu
eşantionare pe buclă şi comparare pe buclă; reacţie de curent (la ieşire) serie (la intrare); reacţie
serie-serie (privind de la ieşirea la intrarea amplificatorului).

Fig. 13.7.a

Fig. 13.7.b
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 13.3

13.2.2. Amplificator de tensiune - amplificator cu reacţie cu eşantionare în nod şi

comparare pe buclă; reacţie de tensiune (la ieşire) serie (la intrare); reacţie paralel-serie. Este cel mai
utilizat tip de amplificator cu reacţie.

Fig. 13.8.a

Fig. 13.8.b

13.2.3. Amplificator de transimpedanţă - amplificator cu reacţie cu eşantionare în nod şi

comparare în nod; reacţie de tensiune (la ieşire) paralel (la intrare); reacţie paralel-paralel (şunt-
şunt).

Fig. 13.9.a

Fig. 13.9.b

13.2.4. Amplificator de curent – amplificator cu reacţie cu eşantionare pe buclă şi

comparare în nod; reacţie de curent (la ieşire) paralel (la intrare); reacţie serie-paralel.

Fig. 13.10.a

Fig. 13.10.b
 DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 14.1

Cap.14. CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE (CIA) DE PRELUCRARE A

SEMNALULUI
14.4. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE (AO)
14.4.1. Parametrii AO V+
Ui+
Un AO ideal are simbolul din figura 14.10, fără cele 2 + ieşire
tensiuni de alimentare V+, V– faţă de masă. UI
– U0
El este un amplificator ideal de tensiune, cu intrare Ui–
V–
diferenţială şi ieşire simplă. U0=a⋅UI,
UI =tensiunea de intrare diferenţială = (Ui+) – (Ui–) Fig. 14.10
+
Ui =tensiunea de la intrarea neinversoare - un semnal
aplicat la această intrare determină la ieşire un semnal cu acelaşi semn.
Ui– = tensiunea de la intrarea inversoare - un semnal aplicat la această intrare determină la
ieşire un semnal cu semn schimbat.
a = amplificarea în tensiune (în bucla deschisă = fără reacţie)
Un AO ideal are proprietăţile:
1) - amplificarea în tensiune infinită (câştigul a→∞);
2) - impedanţă de intrare infinită (Zi→∞), deci curentul de intrare=0;
3) - impedanţă de ieşire zero (Zi→0);
4) - banda de frecvenţe infinită;
5) - caracteristica de transfer liniară şi simetrică;
6) - tensiunea de ieşire U0=0 pentru tensiune de intrare UI=0 (U decalaj la ieşire =0);
7) - revenire instantanee din saturaţie; etc.
14.4.3. Aplicaţii liniare ale A.O.
Presupunem A.O. ideal (Zi, a → infinit, Ii=0,UI=Ui+-Ui-=0).
1) Amplificator inversor
A = punct virtual de masă (se află la potenţialul masei,
I2 R2
Rin chiar dacă între A şi masă nu există scurtcircuit real).
A I1+I2=0 , I1=Ei/R1 , I2=U0/R2 => U0=-(R2/R1)*Ei =>
–
R1 I1 Ii=0 Au=U0/Ei=-R2/R1. Pentru compensarea IB (polarizare) =>
Ei + U0 R3=R1||R2 , Rin=R1. În AO reale Rin=R1+R2/a. R3 poate
R3 compensa şi / sau offset-ul, dacă IB e suficient de mare.
Fig. 14.16

2) Amplificator neinversor
I3=0 ( pt. A.O. reale R3=R1||R2).
I2
R2 Ui+=Ei=UB=UA=Ui–;I1+I2=0; I1=-Ei/R1;I2=(U0-Ei) /R2 =>
I1 R1 -Ei/R1+U0/R2-Ei/R2=0 => U0/R2 = Ei(1/R2+1/R1) =>
A
–
U0=(R2/R1 +1)Ei ; Rin → infinit; Au=1+R2/R1
I3 B +
Ei R3

Fig. 14.17
3) Repetorul de tensiune – Neinversor fără R1
U0=Ei; Au=1
R
Pt. A.O. reale:
– RIN = a*Ri C.I. (> RIN neinversor)
+ U0
R 4) Amplificator sumator inversor
Ei Fig. 14.18
DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 14.2

R0
I1+I2+I3+...+In+I0=0
I0
I1=E1/R1
E1 R1 I1 I2=E2/R2 =>E1/R1+..En/Rn=-U0/R0
–
R2 A --------
E2 I2
+ U0 In = E n / R n U0= –R0(E1/R1+…+En/Rn)
En Rn In I0=U0/R0
R
Fig. 14.19 R'=R1||R2||..||Rn||R0
Caz particular: R1=R2=...= Rn = R0;
U0=(E1/R1+..+En/Rn) (sumator inversor).
5) Amplificator diferenţial
I2 R2 U0 = f(E1,E2)
Metoda I: Ui+ = E2*R4/(R3+R4)
R1 I1 I1=(E1-Ui+)/R1 ; I2=(U0–Ui+)/R2
C A
– I1+I2=0 => E1/R1-Ui+/R1+U0/R2–Ui+/R2=0
D B + U0 = R2 [-E1/R1+Ui+(1/R1+1/R2)]
U0
R3 U0= –E1*R2/R1 + E2*(R4/(R3+R4))*(1+R2/R1)
E1
E2 (14.1)
R4
Metoda II: - suprapunerea efectelor. Se
Fig. 14.20 poziţionează mai întâi E1 (punctul C la masă) =>
amplificator neinversor =>
U02=Ui=(1+R2/R1)=E2*(R4/(R3+R4))*(1+R2/R1).
Se poziţionează apoi E2 (punctul D la masă) şi => amplificator inversor U01=-E1*R2/R1. Se
suprapun efectele => U0=U01+U02=[E2*(R1+R2)*R4]/[R1*(R3+R4)]-E1*R2/R1.
Caz particular: - când U0=E1-E2 (scăzător).
[R4/R1]*[(R1+R2)/(R3+R4)]=R2/R1 =>R1*R4+R2*R4=R2*R3+R2*R4 =>R1*R4=R2*R3; R2/R1=R4/R3
6) Integrator

i2(t) C
ei(t)
R VI
– 0
i1(t) U0(t) t
ei(t) + UC0
U0(t)
t
Fig. 14.22.a (sat)
Se Fig. 14.22.b
scriu ecuaţii în domeniul timpului:
i1(t)+i2(t)=0; i1(t)=ei(t)/R; i2(t)=C*(dU0(t)/dt) => ei(t)/R=-C*(dU0/dt)=> U0(t)= -1/(RC)*∫ ei(t)dt
Pentru un semnal treaptă la intrare, la ieşire rezultă o rampă –VI/Rc.
7) Derivator (diferenţiator)
i1(t)+i2(t)=0; i1(t)=C * dei(t)/dt; i2(t)=U0(t)/R=> C*dei(t)/dt = –U0(t)/R => U0(t)=R * C * dei(t)/dt.
ei(t)
i2(t) R VI

C 0 t
– U0(t)
i1(t)
ei(t) + U0(t) ~
~
Fig. 14.23.a
0 t

Fig. 14.23.b
 DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 15.1

CAP.15. STABILIZATOARE DE TENSIUNE CONTINUĂ

15.1. Consideraţii generale. Parametri
U2= f(U2,I1,T°).
∆ U2 ∆ U2 ∆ U2 1
∆ U2 = ⋅ ∆ U1 + ⋅ ∆ I2 + = ⋅ ∆ U 1 − Ri ⋅ ∆ I 2 + ST ⋅ ∆ T °
∆ U1
 ∆ I2 ∆ T ° S0

1 − Ri ST
S0
Fig. 15.1
S0=coeficient de stabilizare S0=∆U1/∆U2, cu I2 şi T
constante ∆ U2 1
∆ U 1 = 1V , S 0 = 5 ⇒ ∆ U 2 = = = 0,2V
∆ U1 Fu = factor de stabilizare S0 5

Fu = U 1
∆ U2 1 10
Rs=const. ∆ U 1 = 1V , ∆ U 2 = 0,2V ,U 1 = 12,5V ,U 2 = 10V ⇒ Fu = ⋅ = 4
U2 T0=const. 12,5 0,2
15.2. Stabilizatoare parametrice

Fig. 15.4.b Fig. 15.4.c

Fig. 15.4.a

Fig. 15.4.e

U 1 − UZM − rz ⋅ IZM U 1 − UZm − rz ⋅ IZm

< R1 <
 rz  UZM  rz  UZm
 1+  ⋅ IZM +  1+  ⋅ IZm +
Fig. 15.4.d  RS  RS  RS  RS
rz R1 rz ⋅ R1 rz ∆ U 1 R 1 + rz R 1
( 2)U 2 = ⋅ U1 + ⋅ Uz − ⋅ I2 ≈ ⋅ U 1 + Uz − r z ⋅ I 2 S0 = = ≈
R1
 +rz R1
 +rz + 
rz 
 R1 R1 ∆ U2 rz rz
1 ST Ri rz ⋅ R 1
S0 Ri = = rz // R1 ≈ rz
rz + R1
rz ⋅ Iz + Uz U 2 − Uz
(1)U 1 = R1 ⋅ I 1 + U 2;U 2 = Rs ⋅ I 2 = rz ⋅ Iz + Uz; I 1 = I 2 + Iz; I 2 = ; Iz =
Rs rz
U 1 − U 2 U 1 − Uz − rz ⋅ Iz U 1 − Uz − rz ⋅ Iz
R1 = = =
r ⋅ I U
+ Iz  1 +
I1 z z z rz  Uz
+  ⋅ Iz +
Rs Rs  Rs  Rs
 DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 15.2

15.3. Stabilizatoare cu element de reglaj derivaţie, cu TB paralel (cu Rs)

Fig. 15.5.a Fig. 15.5.b

U2=UZ+UBET1; Pentru U2 reglabil (fig. 15.5.b) => Pies P 2 U 2 ⋅ I 2
η = = =
UZ ⋅RV11. P int P1 U 1 ⋅ I 1
U2 = +UD , deci U2min=UD=0.6V.
Rv1
15.4. Stabilizatoare cu element de reglaj serie (cu Rs)

Fig. 15.6.a ; Redesenată => Fig. 15.6.b (Desenul uzual ca BC, deşi e CC)

UI − Uz I2 UI − Uz
IR1 = Iz + IB ⇒ = Iz + ⇒ R1 =
R1 β Iz PdT1max>PdM=I2M.(U1M-U2)
Iz +
β
rZ + rbe
U 1 M − Uz U 1m − Uz S0=R1/rz Ri =
 R1  . β +1
IzM I 2M
+ Izm
β min

Fig. 15.9

Rv1.2
U2 = ⋅ Uz − UBE
Fig. 15.8 Rv1
 DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 15.3

U2min =0 (şi nu –UBE)

Fig. 15.10.a, b
UBET 2 0,65V  R3 + R 4 PDT 1ScM = U 1M ⋅ I 2 Sc − PDR 2 Sc
I 2M = ≈  I 2 SC = ⋅ VBE 2
R2 R2  R2 ⋅ R4
R3 PDR 2 SC = R 2 ⋅ I 22SC < PDR 2ω T
rz + rbe1  I cot = I 2 SC + ⋅ U 2M
Ri = + R2  R2 ⋅ R4
β 1+ 1

Fig. 15.11.a, b
U 1 I 2 Sc ⋅ R 2
+
U 2 = 0 ⇒ UBE 2 = R 5 R 3 ⇒ I 2 Sc = R 3 ⋅  VBE 2 ⋅  1 + 1 + 1  − U 1 
1
+
1
+
1 R 2   R5 R 4 R3  R5 

R3 R 4 R5
R3  1 1 
U 2 = U 2 M ⇒ I cot = I 2 Sc + ⋅ U 2M ⋅  + 
R2  R5 R4 
U1M R 2I 2SC
U 2P = −
2  1 1 
2R 3 + 
 R4 R5 
R3  1 1 
I 2P = I 2SC + ⋅ U 2 P + 
R2  R 4 R5 

PDR 2 cot = R 2 ⋅ I 22cot ; PDT 1 cot M = (U 1M − U 2 M ) ⋅ I cot − PDR 2 cot .

Fig. 15.12
 DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 16.1

Cap.16. OSCILATOARE
16.2. Oscilatoare armonice cu reac ie
(X1) amplificator de baz a (sau A) a sau A
Amplificarea global A r = =
Xg Xi Xe 1 + af 1 + βA
a, A X2
–
(+) reac ie (+)
Pentru reac ie pozitiv |Ar|>|A|
Xf |1+βA|<1, pentru βA= –1 un oscilator.
(Xr) re ea de reac ie f (sau β) În loc de Xi=Xg-Xf trebuie ca Xi=Xg+Xr.
f, β În complex: Xe=A⋅Xi, Xr=β⋅Xe, Xi=Xg+Xr,
Xe A
Fig. 16.1 Ar = = (16.1)
Xg 1 − β ⋅ A
A⋅β=1 (rela ia Barkhausen) este echivalent cu dou condi ii reale:
R2 A ⋅ β = 1 (conditia de amplitudin e)
– ϕ A + ϕ B = 0, 2π , 4π ,...2Kπ , K ∈ N (conditia de faza )
Ue
R1 +

RE EA
SELECTIV
Ur
Fig. 16.3
Fig.1
Fig. 16.2 R Fig.1
6.2 2 AU = 1+ 2 6. 3
R1
16.3. Oscilatoare RC
Utilizeaz re ele selective RC. Exemple de re ele combinate alimentate de la generatoare de
tensiune:
R1 C2
U2 1
β= =
U1 C1 R2 U2 U1 R 1 R 1 C1 1
1+ + + j ωC 1 R 1 −
R 2 R 2C2 ωC 2 R 2

Fig.1
Fig. 16.9 1 1
6.9 f0 = ; β(2πf 0 ) =
C1 R2 2π R1 ⋅ R 2 ⋅ C1 ⋅ C 2 R 1 R 1 C1
1+ +
R 2 R 2C2
U1 R1 C2 U2
U2 1
β= =
U1 C2 R 2C2 1
Fig.16.1 1+ + + j ωC 2 R 2 −
Fig. 16.10 C1 R 1 C1 ωC1 R 1
0
1
Pentru R1=R2=R i C1=C2=C f0 = . Cele dou celule RC introduc defazaje de semn opus.
2πRC
La ϕ0 ϕβ=φ. Amplificatorul trebuie s defazeze cu 0° sau 360° i s aib amplificarea
1
AU = = 1 + 1 + 1 = 3.
Z1 β(2πf 0 )
R1 C1
4) Re ea Wien – alimentat de la un generator de tensiune (fig.
U1 R2 C2 U2 16.11, ie irea în gol).
U Z2 1
β= 2 = ; Z1 = R 1 + ;
Fig.16.
Fig. 16.11 Z2 U1 Z1 + Z 2 jωC1
11
 DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE - Conf. dr. ing. ILIEV MIRCEA Pag. 16.1

1
R2 ⋅
jωC 2 R2
Z2 = =
1 1 + jωC 2 R 2
R2 +
jωC 2
R2
1 + jωC 2 R 2 1
β= = =
R2 1 R1 1 + jωC 2 R 2
+ R1 + 1+ (1 + jωC 2 R 2 ) +
1 + jωC 2 R 2 jωC1 R2 jωC1 R 2
1 1
= = .
R1 C2 j R C 1
1+ + + jω R 1 C 2 − 1+ 1
+ 2
+ j ωR 1C 2 −
R 2 C1 ωC 1 R 2 R 2 C1 ωR 2 C1
1 1
f0 = , frecven a pentru care |β| este maxim β(2πf 0 ) =
2 π ⋅ R 1 R 2 C1 C 2 R C
1+ 1 + 2
R 2 C1
1 1 1 R C
Pentru R1=R2=R i C1=C2=C, rezult : f 0 = β MAX = = ; A U = 1 + 1 + 2 =3.
2πRC 1+1+1 3 R 2 C1
Exemplul 1 cu amplificator de tensiune cu 2
+EC TB i limitarea amplitudinii de oscila ie cu
R6 R4 termistor (fig. 16.12). Exist trei bucle de
R3 CS→∞ reac ie:
R1 U0
1°) o bucl de reac ie pozitiv (re eaua Wien)
C1 VT 2 R S format din R6, R7, C1, C2. Re eaua este
C3→∞ atacat în tensiune i citit în tensiune. Uzual
1
VT1 R6=R7, C1=C2, f 0 = i atenuarea=3.
2πR 6 ⋅ C1
R7 2°) o bucl de reac ie negativ în C.A. prin R3
C2 R2 R5 C4→∞ i R2 (reac ie cu e antionare în nod i
comparare pe bucl , sau reac ie de tensiune
Fig. 16.12 R
serie). A U = 1 + 3 = 3
R2
Limitarea amplitudinii de oscila ie este asigurat de termistorul R3 (NTC).
3°) o bucl de reac ie negativ în C.C. prin R7, R5 (reac ie de curent paralel) asigur stabilitatea
PSF VT1, VT2.
Exemplul 2 cu A.O. i TEC-J ca rezisten comandat în
R1 C 1 tensiune (fig. 16.13.a). Pentru UDS mic (UDS=0,5÷1V),
TEC-J lucreaz în zona liniar (fig. 16.13.b).
ui ID
+ UGS=0V
N1 U0
IDSS
C2 R2 – (9mA) UGS=–1V

R3 RV1 UGS=–2V Up=-2,5V

R4 `
R3 VD1
R4`
UDS
VT1 Fig. 16.13.b
R5 C3
+
Fig. 16.13.a
 1
1TB2
+E g
u in u int
R B1 R c C s ->∞ R ies =R C R in = i R int = i
g b
R in R int
ib i ies Uies Uies iies
Au = A ug = U A ig = i
ig C B ->∞ Uin g g

Rg a R E1 Rs U ies β β
r be = = 40I ; I C ≈ | I E | >>I B ;
gm C
Ug R B2 R E2 C E ->∞ ; 1
β>>1 << R E 2
I C + IB i c +i b ω CE
U in

1 E C =15V R g =1K R C =6K R s =6K R E1 =0,2K R E 2 =1K

R B1 =100K R B2 =15K U D =0,6V β=100

->> I C =1,01 mA U B1 =7,7V g m =40,4mS r be =2,47K R int =22,6K

R in =8,28K A u =-13,23K A ug =-11,8 A ig =18,26 E B =1,95V R B =13K

pt β 2 =200 => I=1,06mA U=7,3V r be =4,68K R int =44,88K

R=10,1K A=-13,3K A ug =-12,1 A ig =22,5

pt β=500 => I C =1,104mA U CE =7,04V r be =11,3K R int =111K R

in =11,6K A u =-13,4K A ug =-12,3 A ig =26,17

2 E C =10V R g =1K R C =4K R s =4K R E1 =0,2K R E 2 =1,8K

R B1 =738K R B2 =∞ U D =0,6V β=100

->> I C =1 mA U C E =3,98V r be =2,5K R int =22,7K E B =10V

R in =22,02K A u =-8,8K A ug =-8,42 A ig =48,5 R B =738K

pt β 2 =200 => I=1,649mA U=0,08V r be =3K R int

=43K R=40,8K A=-9,25K A ug =-9,03 A ig =94,4

pt β 2 =150 => I C =1,35mA U CE =1,84V r be =2,7K g m =54mS

R int =32,9K R in =31,5K A u =-9,1K A ug =-8,8 A ig =71,79

pt β 2 =50 => U CE =6,62V r be =2,23K I C =0,559mA R int

=12,4K R in =12,2K A u =-8 A ug =-7,4 A ig =24,5

pt β=60 => I C =1,6558mA U CE =6,04V r be =2,28K R int =14,48K

R=14,2K A u =-8,28 A ug =-7,7 A ig =29,4
 2
pt β 2 =300 =>I=2,1mA U CE =-2,6V nu este posibil => TB saturat U CE =0V I C =1,66mA R B2
I C= β I B E B =E C R + R
B1 B2
IB B C IC
RB RB
1 2
RB UD + βI R B = R B1 || R B2 ; => RB= R + R
B1 B2
U BE U CE RC
E
R BR B R BR B
2 1
EB
+
IB +IC
+
EC R B1 = R − R R B2 = R − R
B2 B B1 B
R E1

I R E2 II EB − UD
I C = β R + (β + 1)(R + R )
B E1 E2
RB − RB
2
E B =E C I: E B = R B I B + U BE +( I B + I C )(R E1 + R E 2 ) => I C ; R B ; R E 2
RB
2
R 2 RB
B II: E C = R C I C + U CE + ( I B + I C )(R E1 + R E 2 ) => U CE
E B =E C = EC R
R BR B B1
1

R in R int R ies = R C
ib i
ig b c
Rg R B1 R B2 r be β ib Rc Rs
Ug e U ies
R E1 ;
RB R’ s = R c || R s

U in = r be i b + ( i b + i c ) R E1 = i b [ r be + (β+1) R E1 ] =i b R int
U in
R int = i = r + (β+1) R E1 R in
be
b
U in Rg R in
R in = i = R B || R int
g
− i C R 'S
U ies − β R 'S Ug U in
Au = = =
U in i b R int R int
;
U ies U ies U in R in
A ug = U = Ug
= Au R + R
g U in in g

R in R in R int
U in =U g R + R
in g ig ib
i ies i ies ic i b RC RB
A ig = i = ∙ ∙ i = ∙β∙ Rg RB R int
g ic ib g R C + R s R B + R int
RC RB Ug
I ies = I c ; i b =i g
RC + Rs R B + R int