Caracteristicile tranzistorului bipolar

I. Aparatura utilizată
a). Sursă de tensiune reglabilă 0 – 24 V.
b). Multimetru.
c). Voltmetru electronic.
d). Osciloscop.
e). Caracteroscop.
f). Tranzistormetru E 720.

II. Consideratii teoretice

1. Caracteristicile joncţiunilor tranzistorului
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv cu doua joncţiuni p-n, joncţiunea BE şi joncţiunea
BC. Ambele joncţiuni au o caracteristică de tip diodă. Ca urmare tranzistorul poate fi considerat o
combinaţie a două joncţiuni p-n conectate in opozitie (fig. 1.a şi 1.b).

2.Verificarea tranzistoarelor cu ohmmetrul

În catalog se indica printre alte date ale unui tranzistor şi tipul lui : pnp sau npn respectiv
germaniu, siliciu, alte materiale. De asemenea se indică si configuratia celor trei terminale ( bază,
emitor, colector). În cazul in care nu dispunem de datele de catalog ale unui tranzistor,
determinarea tipului, respectiv identificarea terminalelor se poate face prin câteva măsurători
simple cu ohmmetrul.
Determinările se bazează pe descrierea tranzistorului ca două diode conectate in opozitie.
Având in vedere că rezultatele măsurătorilor depinde de polaritatea si de rezistenţa internă a
ohmmetrului, înainte de toate este necesară cunoaşterea performanţelor aparatului utilizat.
Din punct de vedere al circuitului electric ohmmetrul poate fi modelat cu o sursă de t.e.m.
V s in serie cu rezistenţa internă a ohmmetrului Rs şi un instrument pentru măsurarea
curentului (fig.2). Cunoaşterea tensiuni sursei interne V s este foarte importantă pentru că
aplicarea unei tensiuni inverse prea mari la bornele joncţiunii anumitor tipuri de tranzistoare duce
la defectarea tranzistorului respectiv. Astfel apare situaţia că deteriorarea tranzistorului este
cauzată tocmai de măsurătorile legate de verificarea lui.
Cunoscând polaritatea ohmmetrului determinarea tipului tranzistorului (npn sau
pnp) se face având in vedere că joncţiunea p-n polarizată direct prezintă o rezistenţă mult mai
mica decăt polarizată invers.
Identificarea terminalului de „bază” se face ţinând cont de simetria celor două joncţiuni
faţă de acest terminal.
În tabelul 1 s-a notat cu rij rezistenţa pe care o prezintă o
joncţiune atunci când borna „+” a ohmmetrului este conectată la
R s terminalul „i” (sensul real al curentului este de la terminalul i spre j)
vezi figura 2
r _ ij

V1
Rezistenţele rCE şi rEC măsurate cu baza în gol şunt de
ordinul rezistenţei pe care o prezintă joncţiunea tranzistorului
polarizate invers.
Dacă rezistenţele joncţiunii sunt de aceeaşi ordine de
mărime în ambele sensuri atunci tranzistorul este stricat.
V

Fig 2
 Identificarea materialului de bază din care este fabricat tranzistorul se poate efectua
cunoscând t.e.m. şi rezistenţa internă a ohmmetrului precum si valoarea rezistenţei joncţiunii
bază-emitor polarizată direct.
Pentru circuitul din figura 3 se scrie:
R BE
v BE  VS (1)
rBE  RS

Q 2
R s R s

Q 2N 2222
V3 V3
0Vdc 0Vdc rB E
Vbe Vbe

a) b)
Fig 3

Înlocuind în expresia (1) valorile măsurate pentru rBE , R S , V S , ţinând seama că

tensiunea v BE la un tranzistor de siliciu este de ordinul 0.6 V se poate stabili tipul tranzistorului.

3.Caracteristicile statice ale tranzistorului

În condiţiile de mai înainte s-a examinat comportarea joncţiunilor tranzistorului
considerându-le separat. În circuitele electronice tranzistorul este conectat de aşa maniera încât
joncţiunea B-E este polarizată direct , iar joncţiunea B-C invers (fig. 4,a,b)
Efectul de tranzistor constă în interacţiunea celor doua joncţiuni polarizate.
Vce Vce
ie Q 3
Q 2N 3012
ic ie Q 4
Q 2N 2222
ic

ib Vcb ib Vcb
Vbe Vbe

a) b)
Fig 4
Între curenţii şi tensiunile unui tranzistor există următoarele relaţii generale:
i E  i B  iC (2)
vCE  vCE  v BE (3)
date de ecuaţiile lui Kirchhoff, precum şi relaţiile neliniare date de ecuaţiile lui Ebers şi Moll.
Având în vedere deci că tranzistorul este un dispozitiv neliniar, este indicat ca studiul
proprietaţilor tranzistorului să se înceapă cu ridicarea caracteristicilor statice.
Tranzistorul poate fi utilizat în diferite configuraţii în funcţie de electrodul de referinţă
pentru măsurarea tensiunilor, în conexiunea emitor comun (EC) emitorul este electrodul de

1
referinţă (fig. 5,a), în conexiunea bază comuna-baza (fig. 5,b), iar în conexiunea colector comun
(fig. 5,c) colectorul.

ic ie

ib Q 5 ib Q 6

Q 2N 2222 Vce Q 2N 2222 Vce

Vbe Vbc
ie ic
a) b)

ie Q 7
Q 2N 2222
ic

Veb Vcb
ib Fig 5
c)

Pentru fiecare din aceste conexiuni se pot trasa mai multe familii de caracteristici: de
intrare, de transfer, de ieşire. Caracteristicile sunt diferite pentru fiecare conexiune. Teoretic este
suficient să cunoaştem caracteristicile intr-una din configuraţii pentru a calcula şi trasa
caracteristicile pentru celelalte două conexiuni. În această lucrare interesează caracteristicile
statice pentru conexiunea EC.
Caracteristicile de intrare reprezintă sub formă grafică relaţia neliniară:
v BE  f (i B , vCE ) (4)
Forma tipică a
caracteristicilor
de intrare se
reprezintă în
figura 6,a,b.
Variabila
independentă i B
s-a reprezentat pe
abscisă, iar
variabila
dependentă v BE
pe ordonată.
Uneori se
obişnuieşte să se
reprezinte v BE
pe absciză şi i B
pe ordonată
(fig.6,a). În
reprezentările din
figurile 6,a şi 6,b

2
tensiunea vCE (variabilă independentă) este parametrul; fiecare din curbele desenate s-a obţinut
pentru o tensiune v CE constantă şi fixată printr-o metodă oarecare.

Caracteristicile
de ieşire (fig.7)
reflectă relaţia
neliniară:
iC  f (i B , vCE )
(5)
Pentru
caracteristicile de
ieşire parametrul
este i B .
Caracteristicile
tranzistorului se
dau de obicei sub
forma unui plac
cu 4 cadrane pe
axele căruia se
reprezintă
curenţii şi
tensiunile de la
intrare şi de la
ieşire ca în
exemplul din
figura 8.
Se
observă că numai două din cele patru familii de caracteristici sunt independente.

3
 4.Parametrii de curent continuu ai tranzistorului
Parametrii de c.c. cei mai importanţi ai tranzistorului sunt factorul de amplificare B0 si
I CEO definiţi de relatia:
iC  B0 i B  I CEO (6)
Curentul rezidual I CEO se determină măsurând curentul de colector cu baza în gol
(fig.9).

m A
Factorul de amplificare B0 al conexiunii EC se
Q 8 V6
determină prin măsurarea curentului de bază i B la
Q 2N 2222 un anumit curent de colector iC .
Conform relaţiei (6) rezultă:
i  I CEO
B0  C
Fig 9 iB
Se mai definesc urmatorii parametrii de c.c
-rezistenţa de intrare în conexiunea EC: rI  v BE / i B
-rezistenţa de iesire în conexiunea EC: rO  vCE / iC
Aceşti parametri sunt puternic dependenţi de punctul de funcţionare.

4
 Desfăsurarea lucrării

1.Măsurarea performanţelor ohmmetrului

a)Se conectează voltmetrul electronic (VE) la bornele ohmmetrului (fig.11) şi se măsoară
valoarea tensiunii V S pe fiecare scară a ohmmetrului. Rezultatele măsurărilor se trec în tabelul
2.

b)Se determină polaritatea bornelor ohmmetrului prin identificarea cu borna „+” si „-” a
voltmetrului electronic. Polaritatea este identică pentru toate scările ohmetrului.

R s R s

V1 V1

R
V

V
V

Fig 11 Fig 12

Tabelul 2
c)Se pune ohmmetrul pe scara cea mai mică. La bornele lui se conectează o rezistenţă de
valoare cunoscută (de exemplu o cutie decadică). Notând cu V R căderea de tensiune la bornele
rezistenţei R (fig.12), rezistenţa internă a ohmmetrului rezultă din expresia:
V
RS  R ( S  1) (8)
VR
Măsurătorile se vor repeta pentru fiecare scară a ohmmetrului.
d)Se va calcula pentru fiecare scară a ohmmetrului valoarea curentului de scurtcircuit:
V
I SC  S (9)
RS
2.Identificarea tranzistorului cu ohmmetrul
e) Identificarea terminalului de „bază”.
Având in vedere simetria celor două joncţiuni faţă de terminalul de bază se va determina
terminalul de „bază” al tranzistorului care se pune la dispoziţie.
f)Determinarea tipului (npn sau pnp) tranzistorului.
Ţinând cont de polaritatea ohmmetrului cu ajutorul tabelului 1 se va determina tipul
tranzistorului.
g)Măsurând rezistenţa uneia dintre joncţiunile tranzistorului în polarizare directă cu
ajutorul expresiei (1) se va determina materialul de bază (siliciu sau GaAs) al tranzistorului.