Optoelectronica DOROGAN Andrei

DIODE LUMINESCENTE PE BAZA JONCŢIUNII p–n

Dioda luminescentă este cea mai utilizată sursă de radiaţie în optoelectronica

modernă.
Dioda luminescentă – este o joncţiune p–n polarizată direct, încare electronii şi
golurile recombinează iradiant (cu emiterea fotonilor) în regiunea de sarcină spaţială şi
la o distanţă de la regiunea de sarcină spaţială egală cu lungimea de difuzie a purtătorilor
de sarcină ( Ln , L p ).

Polarizarea directă micşorează bariera de potenţial şi înlesneşte injecţia

purtătorilor de sarcină dintr-un domeniu în altul.
Expresia matematică a caracteristicii volt-amperice (CVA) este:
eU
I  I s expeU kT   1  I s  exp .
kT
Fluxul de lumină iradiat, adică numărul fotonilor iradiaţi în 1s este:
I I
  i   i s  e eU kT .
q q
Aici eficienţa cuantică internă este:
i    G ,
unde  - coeficientul injecţiei (partea electronilor ce nimeresc în regiunea „p”); G -
partea tranziţiilor iradiante.
Dependenţa grafică a  i  f  j  este:

DIODE LUMINESCENTE PE BAZA JONCŢIUNII p–n 1

 Optoelectronica DOROGAN Andrei

La valori mici ale curentului de injecţie, prevalează recombinaţia în stratul de

sarcină spaţială, unde probabilitatea tranziţiilor iradiante este mai mică. Pentru densităţi
mari ale curentului  i scade din cauza încălzirii diodei luminescente.
Eficienţa cuantică externă  e   i  k 0 tot timpul este mai mică ca eficienţa cuantică
internă, din cauza pierderilor luminii la ieşirea ei din diodă. Cauzele sunt:
 Reflexia internă totală;
 Reabsorbţia fotonilor generaţi.

Din structură vor ieşi fotonii ce se propagă într-un unghi spaţial mai mic decât
unghiul reflexiei interne totale (  ).
Pierderile provocate de reflexia internă se determină de coeficientul de reflexie:
2
 n  n1 
R   2  ,
 n 2  n1 
unde n1 - indicele de refracţie al aerului; n2 - indicele de refracţie al semiconductorului.
 n1
Iar   arcsin
 este unghiul conului spaţial.
 n2

Pentru GaAs  c  16  , iar pentru GaP  c  17  . Suprafaţa de ieşire a este la pătrat cu
dimensiunea h  h , unde h - grosimea ghidului de undă.
Pentru a îmbunătăţi condiţiile de ieşire ale luminii din semiconductor se formează
suprafeţe sferice, cu o anumită curbură.

DIODE LUMINESCENTE PE BAZA JONCŢIUNII p–n 2

 Optoelectronica DOROGAN Andrei

Cea mai mare eficienţă cuantică o au diodele luminescente din GaAs:

 i  8...20% T camerei  ,  i  40% T azot lichid  . Pentru suprafeţe sferice  e  20...30% ,
timpul de reacţie fiind 10 7 ...10 6 s .
O problemă este confecţionarea diodelor luminescente în albastru. Ele se
confecţionează din GaP:N, însă, posedă o eficienţă cuantică foarte mică 1% şi au o
tehnologie complicată de fabricare.
O altă soluţionare a problemei este utilizarea traductorilor „antistocks”.

Dioda din GaAs ce emite în infraroşu se acoperă cu o peliculă din material

„antistocks”. Spre deosebire de materialele obişnuite care emit fotoni cu energie mai
mică decât energia fotonilor absorbiţi pentru excitarea lor, materialele antictocks emit
fotoni cu h 2  h absorbiti .
Este evident, că pentru a păstra legea conservării energiei este necesar să fie
absorbiţi doi sau mai mulţi fotoni cu energie mică pentru a emite un foton cu energie
mai mare, deci 2 fotoni infraroşii pentru a emite 1 foton albastru.
În calitate de luminofori antistocks pot servi:
 Compuşii F (fluor);
 Oxisulfid de lantan activat cu iterbiu sau cu erbiu ( La 2 O3 S : Yb, Er ).
Randamentul diodelor cu material antistocks este de ~ 1% . Însă, şi diodele din
GaP:N, care emit în verde, la fel, posedă randamentul de ~ 1% .
Rapiditatea diodelor cu material antistocks este scăzută din cauza proceselor de
absorbţie şi reemisie a luminii.
Eficienţa cuantică poate fi mărită utilizând heterostructuri.

DIODE LUMINESCENTE PE BAZA JONCŢIUNII p–n 3

 Optoelectronica DOROGAN Andrei

La polarizarea directă, aici, are loc injecţia unilaterală a electronilor din

semiconductorul cu bandă largă în cel cu bandă îngustă, deoarece bariera de potenţial
pentru goluri este prea mare. Aici, coeficientul injecţiei este mult mai mare, şi, deci,
creşte brusc eficienţa cuantică internă. Fotonii emişi în semiconductorul cu bandă
îngustă cu h 1  E g1 pot fi scoşi din structură prin semiconductorul cu E g 2  E g1 fără
pierderi suplimentare la absorbţie.
Dacă h 1  E g1  E g 2 , atunci semiconductorul cu E g 2 este absolut transparent
pentru h 1 .
Diodele luminescente în vizibil se folosesc ca: indicatoare, în display, în
optocupluri. Se utilizează lentile speciale pentru a îmbunătăţi diagrama directivităţii.
După cum am spus, eficienţa cuantică internă este raportul numărului purtătorilor
de sarcină ce recombinează cu emisie de fotoni la numărul total de purtători de sarcină
de exces.
Acest parametru mai poate fi exprimat ca raportul vitezei de recombinare a
purtătorilor de sarcină care generează fotoni către viteza de recombinare a tuturor
purtătorilor de sarcină.
R fotoni
i  ,
Rtotal
unde
n  n0
Rtotal  - pentru semiconductor de tip–n;

p  p0
Rtotal  - pentru semiconductorul de tip–p.

 emisie   fara emisie
 ,
 emisie   fara emisie
unde  - timpul de viaţă mediu al purtătorilor de sarcină;  emisie - timpul de viaţă al
purtătorilor de sarcină ce generează fotoni;  fara emisie - timpul de viaţă al purtătorilor de
sarcină ce recombinează fără emisie de fotoni.
 n  n0 
R fotoni  .
 emisie
Raportul lor este:
R fotoni  n  n0    emisie   fara emisie  fara emisie
Rtotal
 
 emisie n  n0 

 emisie   fara emisie  emisie  emisie   fara emisie .


Deoarece  emisie   fara emisie atunci:

R fotoni
 .
Rtotal
Frecvenţa limită (maximă) cu care poate fi modulată emisia radiaţiei de către o
diodă luminescentă este:

DIODE LUMINESCENTE PE BAZA JONCŢIUNII p–n 4

 Optoelectronica DOROGAN Andrei

1  emisie   fara emisie

f lim  , unde   .
2  emisie   fara emisie
Dacă  emisie   fara emisie atunci    emisie şi
1
f lim  .
2 emisie
Diodele luminescente din GaAs posedă:
 f lim  10 MHz ;
 fiabilitatea - 10 5 ore ;
 puterea de emisie – până la 100mW ;
 curentul de injecţie - 100...200mA ;
   730...900nm ;
 unghiul diagramei directivităţii 120  .

Diodele luminescente din InGaAsP posedă:

   1,1...1,5m ;
 fiabilitatea - 10 9 ore ;
 ceilalţi parametri sunt la fel ca cei pentru diodele luminescente din GaAs.

DIODE LUMINESCENTE PE BAZA JONCŢIUNII p–n 5