1.

INTRODUCERE ÎN ELECTRONICĂ

1.1. Scurt istoric

Electronica este ştiinţa şi tehnologia mişcării sarcinilor într-un gaz, vid sau
semiconductor. De notat că mişcarea sarcinii (restrînsă la metale) nu este
considerată ca ţinînd de electronică.

Astăzi inginerii din domeniul electric execută diverse funcţii (proiectare,

dezvoltare, producţie sau cercetare) apelînd la diferite aplicaţii din ingineria
electronică.

Istoria electronicii este divizată în două perioade majore de timp, referite ca

era tubului cu vid şi era tranzistorului, cea de-a doua începînd cu inventarea
tranzistorului, în anul 1947.

Originile ingineriei electrice se bazează pe realizările unor giganţi ai ştiinţei

ca Ampère, Coulomb, Faraday, Gauss, Henry, Kirchhoff, Maxwell şi Ohm.
Primele utilizări practice ale muncii lor, în contextul electronicii moderne, au
constat în dezvoltarea sistemelor de comunicaţie. Astfel, în 1837 Samuel
MORSE, profesor la Universitatea din New York, a pus la punct telegraful.

Aproape 40 de ani mai tîrziu, în anul 1876, Graham BELL a inventat telefonul
şi a introdus o metodă de codare a informaţiei vorbite în semnal electric şi
apoi decodarea acestor semnale la un receptor. Inventarea de către Thomas
EDISON a fonografului în 1877, a demonstrat că semnalele electrice pot fi
stocate şi înregistrate secvenţial. Înregistrarea de tip fonograf poate fi
considerată ca prima memorie electrică de tip ROM.

Introducerea comunicaţiei radio este bazată pe contribuţia majoră a lui

James Clark MAXWELL, care în 1865 a structurat cercetările sale anterioare
într-o consistentă teorie a electromagnetismului, acum referită ca ecuaţiile
lui Maxwell. Saltul major înainte a fost realizat prin prevederea de către
Maxwell a existenţei undelor electromagnetice, care pot fi propagate în
spaţiu. De această dată, teoria a precedat experimentul, iar 23 de ani ( 1888)
mai tîrziu HERTZ a produs astfel de unde experimental, în laborator. TESLA
a fost însă primul care a folosit undele hertziene. Deşi în istoria electronicii
se vorbeşte că în 1896 MARCONI a fost primul care a transmis succesiuni
de astfel de unde şi le-a detectat la 2 mile depărtare, punînd astfel bazele
telegrafiei fără fir, în realitate TESLA a făcut un asemenea experiment încă în
1988.

1
Originea termenului „electronică” poate fi atribuită lui H.A. LORENTZ, care în
1895 a postulat existenţa sarcinilor discrete numite de el „electroni”
(înlocuind cuvîntul „amber” folosit de grecii antici). Doi ani mai tîrziu, în
1897, J.J. THOMPSON a verificat experimental existenţa electronilor.

1.2. Tubul cu vid

Era tubului cu vid acoperă prima jumătate a secolului al XX-lea. În 1904,

Fleming a inventat un dispozitiv cu două elemente – dioda, dispozitiv
botezat de el lampă. Acest dispozitiv consta dintr-un fir încălzit (filamentul,
care în cazul diodei ţinea loc şi de catod), care emitea electroni (efect
Edison) şi era separat de un platou metalic. Întreaga structură era
încapsulată în vid (balon de sticlă).

Inventarea triodei de către DeForest în 1906, consta din introducerea în tub

a unui al treilea electrod (grila), inseriat între platou şi catodul tubului lui
Fleming. Potenţialul grilei controla practic curgerea de sarcină între platou şi
catod.

Primele aplicaţii ale tuburilor cu vid au fost în telefonie şi comunicaţii radio.

După 1930, tuburile au fost utilizate pe scară largă şi în televiziune.

Figura 1.1.

Televiziunea alb-negru a demarat după anul 1925 şi a fost bazată la acea

dată pe iconoscopul şi cinescopul lui Zworykin. Răspîndirea televiziunii însă
a avut loc după cel de-al doilea război mondial.

2
 Figura 1.2

Primul calculator electronic a fost realizat în 1946 de către Eckert, cu

ajutorul a 18.000 de tuburi cu vid şi ocupa o suprafaţă de cca. 130 m 2.

3
Un circuit basculant utilizat la realizarea primului calculator electronic
didactic din Romania MECIPT 1
4
5
6
2. Tranzistorul

Era semiconductorului a început cu inventarea tranzistorului în 1947.

Oricum această eră a început prin munca anterioară, realizată între 1920 şi
1945. În acea perioadă studierea proprietăţilor electromagnetice ale
semiconductorilor a fost în principal domeniul fizicienilor. Toate aceste
cercetări erau necesare deoarece tuburile cu vid aveau limitări majore:
puterea era mare şi era consumată chiar cînd ele nu erau în utilizare,
filamentele se ardeau şi astfel tuburile trebuiau schimbate destul de des.

Problema centrală a epocii, realizarea “triodei semiconductoare” (a

tranzistorului), capabil să amplifice semnale electrice, a fost rezolvată de
firma americană Bell. Spre deosebire de tendința generală orientată spre
oxidul de cupru, ei s-au concentrat asupra siliciului, sesizînd importanța
impurificărilor controlate asupra comportării sale electrice.

În 1940 R.S. Ohl a reușit creșterea primei joncțiuni p-n cu siliciu. Primul
dispozitiv semiconductor amplificator, tranzistorul bipolar cu germaniu cu
contacte punctiforme, a fost realizat între 1945 și 1948.

Toată această muncă asiduă, a fost încununată de succes la sfîrşitul anului

1947, cînd la laboratoarele Bell, un grup (Walter BRATTAIN și John
BARDEEN) condus de William SHOKLEY a terminat experimentele legate de
tranzistorul cu joncţiuni. Aceste dispozitive depindeau de purtători de
sarcină de ambele polarităţi şi de aceea s-au numit tranzistoare bipolare.
Pentru această invenţie, grupul condus de Shockley a primit Premiul Nobel
pentru fizică în anul 1956.

În continuare dispozitivele electronice semiconductoare s-au dezvoltat

continuu. Astfel în 1949 se realizează tranzistoarele bipolare cu joncțiuni, de
către W. Shockley.

Apoi, în anii 1952-1953 se pune la punct tranzistorul cu efect de cîmp cu

joncţiune (Shockley-Pearson), iar Lask în 1953 inventează tranzistorul
unijoncţiune.

În 1956 apar primele tipuri de tiristoare, realizate de un grup condus de Moll

şi Tanenbaum, iar în 1958 primele tranzistoare cu efect de cîmp. În același
an 1958, Texas Instruments și Fairchild Semiconductors realizează primele
circuite integrate.

Pînă în 1961 atît firma Fairchild cît şi Texas Instruments au trecut la

comercializarea circuitelor integrate (realizarea unor dispozitive multiple pe
o singură pastilă de siliciu, cu scopul de a reduce mărimea, greutatea,
consumul energetic, costul pe element activ şi a creşte fiabilitatea
dispozitivului).

7
 Figura 2.1

Dezvoltarea industriei calculatoarelor a impus fabricarea unor noi circuite

integrate. Viteza, consumul de putere şi densitatea de componente sînt
considerate importante privind circuitele digitale. O primă familie de circuite
integrate bipolare a fost cea de tip TTL, inventată în 1961 de firma Pacific
Semiconductor.

Prima dezvoltare importantă în circuitele integrate analogice a venit în 1964,

cînd firma Fairchild, a dezvoltat primul amplificator operaţional.

În 1971 Intel lansează microprocesoarele 4004.

Etapa actuală se caracterizează prin diversificare si o rafinare a

tehnologiilor, care reușesc să înglobeze chiar și elemente de inteligență
artificială. Miniaturizarea a atins nivelul amplificatoarelor moleculare
(Universitatea Toulouse).

2.1. Obiectivele cursului

Dispozitivele electronice sînt acele componente ale circuitelor electronice a

căror comportare se bazează pe controlul mişcării purtătorilor de sarcină în
corpul solid, în gaze sau în vid. În ultimii ani, aproape toate dispozitivele
electronice folosesc conducţia în corpul solid, respectiv în
semiconductoare.

În cazul acestor dispozitive, fenomenele electronice se petrec fie în volumul

semiconductorului (fotorezistenţă), fie la graniţa dintre regiuni

8
semiconductoare cu proprietăţi diferite (dioda, tranzistorul etc.), fie la
contactul dintre un semiconductor şi un metal (tranzistorul MOS etc.).

Prezentul curs va aborda funcţionarea, caracteristicile şi aplicaţiile

dispozitivelor semiconductoare.

Circuitele electrice care folosesc dispozitive electronice se numesc circuite

electronice. Acestea au rolul de a realiza anumite funcţii electronice
specifice între care: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii,
generarea de oscilaţii armonice etc.

2.2. METALE ŞI SEMICONDUCTOARE

Majoritatea conductoarelor de electricitate solide sînt fie metale, fie

semiconductoare.

Semiconductoarele, între care exemplele cele mai obişnuite sînt siliciul şi

germaniul, diferă de metale din mai multe puncte de vedere. Diferenţa cea
mai importantă şi fundamentală este faptul că la nivel microscopic,
semiconductoarele conduc curentul electric cu ajutorul a două moduri
distincte şi independente de mişcare a purtătorilor de sarcină – curgerea
sarcinilor negative şi curgerea sarcinilor pozitive.

Metalele conduc curentul electric numai prin purtători de sarcină mobili de

sarcină negativă, într-un metal neexistînd purtători mobili de sarcină
pozitivă.

2.3. MECANISMUL CONDUCŢIEI

Atomul este format dintr-un nucleu, care conţine neutroni (particule fără
sarcină electrică) şi protoni (particule cu sarcină electrică pozitivă). În jurul
nucleului, gravitează pe diverse orbite, electroni (particule cu sarcină
electrică negativă). Cînd numărul protonilor este egal cu numărul
electronilor, atomul este neutru din punct de vedere electric.

În anumite împrejurări, electronii pot să sară de pe o orbită pe alta, emiţînd

sau absorbind cuante de energie. Electronii situaţi pe orbita cea mai
apropiată de nucleu sînt mai strîns legaţi de acesta, pe cînd electronii de pe
ultima orbită – electronii de valenţă, sînt cei mai slab legaţi de nucleu. Ei
determină numărul de valenţă al elementului considerat.

În mişcarea lor, electronii posedă anumite energii bine definite, deci posedă
anumite niveluri energetice. Unitatea de măsură pentru nivelul energetic se
numeşte electronvolt (eV), valoarea acestuia fiind

1 eV = 1,6 ∙ 10-19 J

9
Cînd are loc cuplarea electronilor de valenţă ai atomilor vecini dintr-un
cristal, electronii cuplaţi în reţeaua cristalină, au posibilitatea să ocupe
nivelurile energetice cuprinse în anumite benzi de energie, numite benzi
permise, şi nu numai niveluri enegetice discrete corespunzătoare atomului
izolat.

De regulă, electronii ocupă niveluri de energie minimă din banda ocupată,

denumită şi banda de valenţă. Datorită agitaţiei termice sau sub influenţa
unui cîmp electric aplicat din exterior, electronii îşi sporesc energia şi pot
trece pe nivelurile permise superioare, în banda liberă, denumită şi bandă de
conducţie, şi astfel ei devin electroni liberi sau electroni de conducţie, care
pot să circule în întreaga reţea cristalină.

La un material conductor, banda de valenţă se întrepătrunde, cu banda de

conducţie (figura 2.2), iar numărul electronilor liberi, este foarte mare. Sub
acţiunea unui cîmp electric oricît de slab, electronii liberi capătă o mişcare
ordonată în sens contrar cîmpului şi astfel apare curentul electric în corpul
conductor. Cînd materialul conductor primeşte energie din afară (prin
încălzire), electronii liberi pot părăsi corpul, dînd naştere emisiei electronice.

banda liberă
banda liberă
(de conducţie)
ΔE banda interzisă
banda ocupată
(de valenţă)
banda ocupată

Figura 2.2 Figura 2.3

La corpurile izolante (Figura 2.3), numărul electronilor liberi este foarte mic,
iar benzile de conducţie şi de valenţă, care constituie benzile permise, sînt
separate printr-o bandă interzisă cu lărgimea de 5...10 eV, în care nu se află
electroni. În acest caz, conducţia poate să apară numai dacă unii electroni
din banda de valenţă dobîndesc prin încălzire puternică, sau sub acţiunea
unui cîmp electric de intensitate mare, energii suficient de mari pentru a
deveni liberi.

Corpurile semiconductoare au o structură a benzilor de energie

asemănătoare cu cea a izolatoarelor, singura deosebire fiind lărgimea mai
mică a benzilor interzise (Figura 2.4).

La germaniu, lărgimea benzii interzise este ΔE = 0,76 eV, iar la siliciu ΔE =

1,12 eV.

10
 banda liberă

Figura 2.4
ΔE banda interzisă

banda ocupată

Cînd electronul posedă suficientă energie, el poate să treacă din banda de

valenţă în banda de conducţie, lăsînd în urma lui un nivel energetic
neocupat. Absenţa unui electron din banda de valenţă poartă numele de gol.
Golul trebuie privit ca o particulă activă, cu sarcina electrică pozitivă, egală
în valoare absolută cu sarcina electronului. Electronii şi golurile se numesc
purtători de sarcină şi deci ei participă la conducţia curentului electric în
semiconductor.

În majoritatea lor, electronii de valenţă ai atomilor unui semiconductor (cum

ar fi siliciul) nu sînt liberi să se deplaseze în întregul volum al
semiconductorului. Ei participă în schimb la legăturile covalente care menţin
ansamblul atomilor semiconductorului dintr-o structură cristalină periodică.
Fiecare atom al cristalului are patru vecini imediat apropiaţi şi împarte cu
aceşti vecini electronii săi de valenţă (atomii semiconductorilor sînt
elemente din grupa a IV-a).

În cazul în care toţi electronii de valenţă sînt legaţi prin legături covalente,
conducţia electrică nu este posibilă deoarece nu există purtători de sarcină
liberi, care să se deplaseze. În consecinţă, un material care are această
dispoziţie a electronilor se comportă ca un izolator. Ca exemplu, de astfel
material se poate cita diamantul, care este o formă cristalină a carbonului.

Distribuţia reală a electronilor de valenţă dintr-un semiconductor diferă de

cea prezentată prin faptul că la toate temperaturile peste zero absolut, cîteva
legături covalente sînt incomplete. Electronii care lipsesc din aceste legături
nu mai sînt menţinuţi în regiunea legăturilor, ci sînt liberi să se deplaseze.
La temperatura camerei, aproximativ un atom din fiecare zece miliarde are o
legătură ruptă (Figura 2.5). Deşi aceste legături rupte sînt atît de rare, ele au
un efect enorm asupra proprietăţilor electrice ale semiconductoarelor. Un
material este considerat drept semiconductor şi nu un izolator, în cazul în
care numărul de legături rupte este de ordinul 10 8 pe cm3.

11
 e-
+4 +4 +4

+
+4 +4 +4
Figura 2.5

+4 +4 +4

Consecinţa acestor legături covalente rupte este faptul că există două

grupuri distincte şi independente de purtători de sarcină care poartă curenţii
electrici în semiconductoare.

O clasă de purtători de sarcină sînt electronii de conducţie, care sînt produşi

în momentul în care un electron de valenţă se eliberează dintr-o legătură, iar
cealaltă clasă este asociată electronilor de valenţă care rămîn legaţi în
legăturile covalente. Este evident că o legătură ruptă este asociată cu o
regiune localizată de sarcină pozitivă (în vecinătatea legăturii rupte există un
exces de sarcină ionică pozitivă faţă de sarcina electrică negativă). Această
regiune de sarcină pozitivă se numeşte gol, deoarece rezultă dintr-un defect
sau loc liber în structura legăturilor.

Mişcarea sarcinii pozitive localizate are loc datorită faptului că un electron

de valenţă dintr-o legătură situată în apropierea legăturii rupte (în apropierea
golului) poate umple locul liber, făcînd prin aceasta ca golul să se deplaseze
în direcţie opusă (figura 2.6).

+4 +4 +4

Figura 2.6 +4 +4 +4
Gol
e-
+4 +4 +4

În felul acesta, electronii de valenţă se pot deplasa de la legătură la legătură,

fără a dobîndi totuşi energie suficientă pentru a se elibera de structura

12
legăturilor. În consecinţă, golul se poate deplasa în material fără ca prin
aceasta să influenţeze într-un fel electronii de conducţie.

Acest model de semiconductor introdus, corespunde semiconductorului

intrinsec. La acest tip, reţeaua cristalină este considerată ca avînd în noduri
numai atomi ai semiconductorului de bază şi nu prezintă defecte. Într-un
semiconductor intrinsec, prin ruperea unei legături covalente se formează o
pereche electron-gol, deci concentraţiile celor două tipuri de purtători sînt
egale.

Notînd cu n concentraţia de electroni şi cu p concentraţia de goluri din

semiconductor, valoarea lor comună se numeşte concentraţia intrinsecă şi
este notată ni. Deci,

n = p = ni .

Concentraţia intrinsecă depinde de temperatura absolută şi de lărgimea

benzii interzise ΔE:

3
 ΔE 
n i  A  T  exp 
2
,
 2k T 

unde: A – constantă, iar k – constanta lui Boltzmann.

------------------------------------------------
(n. 20 februarie 1844, Viena - d. 5 septembrie 1906, Tybein, Austro-Ungaria) a fost
un fizician și matematician austriac, membru al Academiei de Stiințe din Viena, faimos pentru
inventarea mecanicii statistice, ca metodă generală de studiere a gazelor.

A studiat la Viena, Heidelberg și Berlin. A fost profesor la Universittea din Viena (1867), la

Universitatea din Graz (1869), din nou la Viena (1873), apoi profesor de fizică experimentală
la Graz (1876), de fizică teoretică la München (1890) și în final la Viena (1895).
Marea sa realizare o constituie aplicarea matematicii în studiul fenomenelor fizicii. Astfel, a
generalizat legile teoriei cinetice a gazelor cu ajutorul metodelor statistice.
În 1877 a completat studiul termodinamicii, luând în considerare structura corpusculară a
sistemelor fizice și mișcarea dezordonată a moleculelor și astfel a fundamentat pe cale
cinetico-moleculară principiul al doilea al termodinamicii.
S-a ocupat cu teoriile lui Maxwell și cu teoriile dialecticii.
A stabilit constanta universală în fizică k (numită ulterior constanta Boltzmann), egală cu
raportul dintre constanta gazelor perfecte, R și numărul de atomi/molecule dintr-un mol
(numărul lui Avogadro, NA).
De asemenea, Boltzmann este cunoscut pentru lucrările sale asupra
corpurilor solide cristaline, asupra radiației, în care pentru prima dată a aplicat ipoteza
presiunii luminii a lui Maxwell. A confirmat mișcarea de rotație a particulelor, preconizată
de Lomonosov.
S-a ocupat și de principiile analitice ale mecanicii.

13
Boltzmann s-a ocupat și cu filozofia și a fost unul dintre adepții concepției atomiste științifice,
situându-se ferm pe poziții materialiste în interpretarea fenomenelor fizice. A combătut
concepțiile idealiste ale lui Wilhelm Ostwald.

Date personale

Nume la
Ludwig Eduard Boltzmann 
naștere

Născut 20 februarie1844[1][2][3][4][5][6][7][8][9] 
Viena, Imperiul Austriac[10][11] 

Decedat 5 septembrie 1906 (62 de ani)[1][2][4] 

Duino-Aurisina, Austro-Ungaria 

Înmormântat Cimitirul Central din Viena 

Copii Henriette Boltzmann[*]

Ida Boltzmann[*] 

Cetățenie  Austro-Ungaria 

Ocupație fizician
chimist
profesor universitar
matematician
filozof
fizician teoretician[*] 

Activitate

Domeniu fizică teoretică  

Instituție Universitatea din Viena

Universitatea Leipzig
Universitatea din Graz

14
 Universitatea Ludwig Maximilian din München  

Alma Mater Universitatea din Viena  

Organizații Societatea Regală din Londra

Saxon Academy of Sciences[*]
Academia Regală Suedeză de Științe
Bavarian Academy of Sciences and Humanities[*]
Saint Petersburg Academy of Sciences[*]
Academia Franceză de Științe
Academia de Științe din Ungaria
Academia Americană de Arte și Științe[*]
Accademia Nazionale dei Lincei
Austrian Academy of Sciences[*]
Academia Rusă de Științe
Academia de Științe din Berlin
Academia Regală Neerlandeză de Arte și Științe
Saxon Academy of Sciences[*]
Accademia Nazionale delle Scienze detta dei XL[*]
Accademia delle Scienze di Torino[*]  

Conducător de
Joseph Stefan[12]  
doctorat

Doctoranzi Paul Ehrenfest[13]

Lise Meitner[14]
Gustav Herglotz[*][15]
Philipp Frank[*][15]  

Societăți Societatea Regală din Londra

Saxon Academy of Sciences[*]
Academia Regală Suedeză de Științe
Bavarian Academy of Sciences and Humanities[*]
Saint Petersburg Academy of Sciences[*]
Academia Franceză de Științe
Academia de Științe din Ungaria
Academia Americană de Arte și Științe[*]
Accademia Nazionale dei Lincei
Austrian Academy of Sciences[*]
Academia Rusă de Științe
Academia de Științe din Berlin
Academia Regală Neerlandeză de Arte și Științe
Saxon Academy of Sciences[*]
Accademia Nazionale delle Scienze detta dei XL[*]
Accademia delle Scienze di Torino[*]  

Premii Bavarian Maximilian Order for Science and Art[*] (1899)

Q61106806[*]
Honorary doctor of the University of Oxford[*]  

Semnătură

15
Concentraţiile golurilor şi electronilor sînt puternic influenţate de cantităţi
infime de impurităţi, care se adaugă la un semiconductor în timpul fabricării
lui. Procesul prin care într-un semiconductor se introduc impurităţi se
numeşte dopare, iar semiconductorii respectivi se numesc semiconductori
extrinseci.

Dacă reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent (germaniu, siliciu)

este dopată cu o impuritate pentavalentă (stibiu, fosfor, arseniu, bismut), cel
de-al cincilea electron de valenţă nu participă la formarea legăturii covalente,
fiind slab legat de atomul său. Chiar la temperatura camerei acest al cincilea
electron poate să devină liber şi astfel atomii de impuritate constituie o
sursă de electroni de conducţie în reţeaua semiconductorului (figura 2.7).

Electronul de impuritate, devenit liber, nu lasă în urma sa un gol ci un ion

pozitiv de impuritate, fix, în reţeaua cristalină a semiconductorului.

+4 +4 +4

e-
+4 +5 +4

+4 +4 +4

Figura 2.7

Notînd cu nn concentraţia de electroni, pn concentraţia de goluri din

materialul semiconductor, ND concentraţia atomilor de impuritate, ND+
concentraţia de ioni pozitivi, avem următoarele relaţii:

n n  N D  N D
n i2
pn 
nn

Aceste impurităţi se numesc donoare (de tip n), iar semiconductorul cu

impurităţi donoare se numeşte semiconductor de tip n. Într-un
semiconductor de tip n electronii de conducţie (datoraţi atomilor de
impuritate) sînt în număr mare şi se numesc purtători mobili de sarcină
majoritari, iar golurile sînt în număr mic şi se numesc purtători de sarcină
minoritari.

Cînd reţeaua cristalină a unui semiconductor tetravalent este dopat cu

impurităţi trivalente (atomi de indiu, galiu, aluminiu etc.), atunci o legătură

16
covalentă dintre un atom de impuritate şi un atom de semiconductor rămîne
nesatisfăcută. Din cauza agitaţiei termice (chiar la temperatura camerei),
electronii de valenţă dobîndesc un surplus de energie şi unii dintre ei vor
completa legăturile covalente nesatisfăcute ale atomilor de impuritate, lăsînd
goluri în urma lor (figura 2.8).

Deoarece electronul care a completat legătura covalentă liberă rămîne fixat

în cadrul legăturii covalente a atomului de impuritate, acesta din urmă se
transformă în ion negativ. Mecanismul de formare a unui gol nu a fost însoţit
de apariţia unui electron de conducţie.

+4 +4 +4

+4 +3 +4
Gol
Figura 2.8
e-
+4 +4 +4

Notînd cu pp numărul de goluri, np concentraţia de electroni, NA concentraţia

atomilor de impuritate, NA- concentraţia de ioni negativi din materialul
semiconductor, avem următoarele relaţii:

p p  N A  N A
n i2
np 
pp

Asemenea impurităţi se numesc acceptoare (de tip p), iar semiconductorul

cu impurităţi acceptoare se numeşte semiconductor de tip p. Într-un
asemenea semiconductor, purtătorii mobili de sarcină majoritari (proveniţi
din atomii impurităţilor) sînt golurile, iar purtătorii mobili minoritari (produşi
de ruperea legăturilor covalente datorită creşterii temperaturii) sînt
electronii.

17