TRANZISTORUL BIPOLAR PNP ÎN REGIM DE COMUTAŢIE

Funcţionarea în regim de comutator a unui dispozitiv electronic, presupune trecerea

bruscă din starea de blocare în starea de conducţie (comutaţia directă) şi din starea de
conducţie în starea de blocare (comutaţia inversă).

- EC

RC
I
IC
C

IB RB

VCE ICS A
Vi

0 VCES E VC
AT C
E

Figura 9.1

Tranzistorul este blocat cînd ambele joncţiuni sint polarizate invers, curentul de
colector avînd în acest caz o valoare foarte mică (curentul rezidual de colector I CB0).
Practic, blocarea tranzistorului se poate face numai prin întreruperea curentului de
bază.

Starea de conducţie a tranzistorului se alege de regulă în regiunea de saturaţie sau la

limita dintre regiunea activă şi de saturaţie (punctul A). La intrarea în saturaţie,
tensiunea VCE are valori cuprinse în intervalul 0...0,5 V, care pot fi considerate
neglijabile în raport cu tensiunea de alimentare EC.

În consecinţă, valoarea curentului de colector la saturaţie este:

E  VCESAT E C
I CS  C 
RC RC
(9.1)

1
La limita dintre regiunea activă normală şi regiunea de saturaţie, acestui curent de
colector îi corespunde curentul de bază de saturaţie:

I EC
I BS  CS 
βF βF  R C
(9.2)

Oricît de mult se măreşte în continuare curentul de bază peste valoarea I BS, curentul de
colector rămîne la valoarea ICS.

Din această cauză, în regiunea de saturaţie:

IC  β F  I B
(9.3)
0,9ICS

0,1ICS

E2

Vi
IB2

E1
IB
IB1
IC

0
0
t0
td

t1
tCD

tr

t2
t3
ts

t4
tCI

tf

t5

t
t

Figura 9.2

2
Pînă în momentul t0, presupunem că tranzistorul era blocat ( I B ≈ 0, IC ≈ 0 ). În acest
moment, tensiunea de intrare îşi schimbă prin salt valoarea, de la E2 > 0 la E1 < 0.

Curentul de bază variază şi el aproape prin salt, de la zero la valoarea IB1 = E1/RB.

Curentul de colector nu începe să crească însă imediat. Este necesar un anumit timp
pentru ca purtătorii injectaţi de emitor în bază să ajungă în colector. Intervalul de timp
scurs de la aplicarea comenzii de comutaţie pînă la momentul cînd curentul de
colector începe să crescă defineşte timpul de întîrziere (delay time – td).

După ce tranzistorul intră în regiunea activă (t 1), curentul de colector nu creşte brusc
la valoarea ICS. Se defineşte timpul de creştere sau ridicare (rise time – t r) ca intervalul
de timp în care valoarea curentului de colector creşte de la zero la 0,9 din valoarea
finală.

Timpul de comutaţie directă (tCD) se defineşte ca intervalul de timp scurs de la

aplicarea comenzii de comutaţie pînă la momentul în care curentul de colector ajunge
la 0,9 din valoarea finală:

tCD = td + tr (9.4)

Mai departe, tranzistorul rămîne în starea de conducţie, cît timp tensiunea de intrare
se menţine constantă.

Presupunem că la momentul t3, tensiunea la intrare variază brusc la valoarea E 2, care

polarizează invers joncţiunea emitorului. Curentul de bază îşi schimbă brusc semnul,
luînd valoarea IB2 = E2/RB. Curentul de colector nu tinde imediat la zero. Acest
fenomen se explică prin aceea că la saturaţie se acumulează în regiunea bazei un
surplus de sarcină electrică. La comutaţia inversă, curentul de colector rămîne
constant pînă se evacuează acest plus de sarcină stocată în regiunea bazei.

Intervalul de timp ts, scurs de la aplicarea comenzii de comutaţie inversă pînă în

momentul t4 cînd curentul de colector începe să scadă este numit timp de stocare
(storage time). După ce tranzistorul iese din saturaţie, punctul reprezentativ se

3
deplasează pe dreapta de sarcină spre starea de blocare (de la A spre E C). Se defineşte
timpul de cădere tf (fall time), intervalul în care IC scade de la ICS la 0,1ICS.

Timpul de comutaţie inversă tCI este intervalul scurs de la aplicarea comenzii de

comutaţie inversă pînă la momentul în care curentul de colector scade la 0,1 din
valoarea iniţială.

tCI = ts + tf (9.5)

Cu cît aceşti timpi sint mai mici, cu atît frecvenţa limită a tranzistorului este mai mare.

4
COMUTAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE NPN

Să considerăm un circuit simplu inversor realizat cu un tranzistor bipolar,

acesta realizînd funcția logică NU, respectiv NOT în literatura anglo-saxonă.

Ec (+5V)
Rc
3 k
RB
T
15 k
vout
vin

Fig.9.3 Circuit pentru studiul comutării tranzistorului

V
EC Banda valori
pentru 1 logic
Banda
interzisa
Banda valori
pentru 0 logic

Fig.9.4 Niveluri logice

Cînd tensiunea de intrare

Vin  Ec = 5 V

tranzistorul este saturat și asigură la ieșire o tensiune

Vout = VCEsat  0,2 V  0 V.

Pentru

Vin = 0 V

5
tranzistorul bipolar este aproape blocat, rezultînd:

Ic  0 și vout  VCE  EC = 5 V.

Din Fig. 9.4 se poate observa că valorile logice ,,0” și respectiv ,,1” nu sînt
reprezentate prin valori unice de tensiune, ocupînd benzi continue de tensiune.

Pentru familia de circuite TTL, tensiunea de alimentare poate lua valori în plaja:

Ec = 5 V  0,25 V.

Banda de valori pentru ,,1” logic are limita inferioară 2,4 V și include la partea
superioară toleranța sursei de alimentare Ec.

Banda de valori pentru ,,0” logic are marginea superioară 0,8 V. În aceste plaje
circuitul realizează funcția de inversare.

iB
IB1

0 t3
-IB2 t

ICS
0,9ICS

0,1ICS
t1 t 2 t3 t4 t5 t
td tr ts tf

Fig.9.5 Timpii de comutare pentru un tranzistor bipolar npn

Pentru a analiza comportarea dinamică a inversorului, adică trecerea

tranzistorului din starea blocată în cea de saturație și invers, să presupunem că
înainte de momentul t = 0, curentul în bază este negativ

IB = - IB2

6
aceasta indicînd că tranzistorul bipolar este blocat. Pe intervalul de pînă la t =
0, rezultă că Ic  0.

La momentul t = 0, aplicăm la intrarea circuitului un salt de tensiune care face

ca iB să treacă de la valoarea

– IB2 la o valoare IB1,

suficientă pentru a satura tranzistorul. Presupunem de asemenea că saltul lui i B

este suficient de brusc pentru ca la scara de reprezentare a timpului creșterea
lui iB să pară instantanee.

Faptul că ib ia valoarea ib = IB1 nu înseamnă și creșterea imediată a lui i c.

Pînă în momentul t0, presupunem că tranzistorul era blocat (I B ≈ 0, IC ≈ 0). În acest

moment, tensiunea de intrare îşi schimbă prin salt valoarea, de la valoarea negativă E 2
< 0 la valoarea pozitivă E1 > 0.

Curentul de bază variază şi el aproape prin salt, de la aproximativ zero la I B1 = E1/RB.

Curentul de colector nu începe să crească însă imediat. Este necesar un anumit timp
pentru ca purtătorii injectaţi de emitor în bază să ajungă în colector. Intervalul de timp
scurs de la aplicarea comenzii de comutaţie pînă la momentul cînd curentul de
colector începe să crească defineşte timpul de întîrziere (delay time – td).

După ce tranzistorul intră în regiunea activă (t 1), curentul de colector nu creşte brusc
la valoarea ICS. Se defineşte timpul de creştere sau ridicare (rise time – t r) ca intervalul
de timp în care valoarea curentului de colector creşte de la zero la 0,9 din valoarea sa
finală ICS.

Timpul de comutaţie directă (tCD) se defineşte ca intervalul de timp scurs de la

aplicarea comenzii de comutaţie pînă la momentul în care curentul de colector ajunge
la 0,9 din valoarea finală ICS:

tCD = td + tr (9.6)

Mai departe, tranzistorul rămîne în starea de conducţie, cît timp tensiunea de intrare
se menţine constantă.

Presupunem că la momentul t3, tensiunea la intrare variază brusc la valoarea E 2, care

polarizează invers joncţiunea emitorului. Curentul de bază îşi schimbă brusc semnul,
luînd valoarea - IB2 = - E2/RB.

Curentul de colector nu tinde imediat la zero. Acest fenomen se explică prin aceea că
la saturaţie se acumulează în regiunea bazei un surplus de sarcină electrică. La
comutaţia inversă, curentul de colector rămîne constant pînă se evacuează acest plus
de sarcină stocată în regiunea bazei.

Intervalul de timp ts, scurs de la aplicarea comenzii de comutaţie inversă pînă în

momentul t4 cînd curentul de colector începe să scadă este numit timp de stocare
(storage time). După ce tranzistorul iese din saturaţie, punctul reprezentativ se

7
deplasează pe dreapta de sarcină spre starea de blocare (de la A spre E C). Se defineşte
timpul de cădere tf (fall time), intervalul în care IC scade de la ICS la 0,1ICS.

Timpul de comutaţie inversă tCI este intervalul scurs de la aplicarea comenzii de

comutaţie inversă pînă la momentul în care curentul de colector scade la 0,1 din
valoarea iniţială.

tCI = ts + tf (9.7)

Aceşti timpi sînt cu cît sînt mai mici cu atît frecvenţa limită a tranzistorului este mai
mare.

8
FUNCȚII LOGICE CU TRANZISTOARE BIPOLARE

În circuitele de comutare, tranzistoarele funcționează în regiunile de blocare,

respectiv saturație cu treceri rapide prin regiunea activă. Vorbim de bascularea
tranzistoarelor bipolare dintr-o stare în alta.

Ec (+5V)
Rc
A Y
3 k 0 1
R 1 0
T
15 k
vout
vin A Y=A

a) b)
Fig. 9.6 a) Schema unui circuit invertor;
b) Tabela de adevăr și simbolul de circuit utilizat

Circuitul din Fig. 9.6 a, este un inversor și realizează funcția logică NU (NOT).

Pentru
Vin = 0 V

tranzistorul este blocat, iar la ieșire se obține

Vout  Ec = 5 V.

Dacă

Vin  Ec = 5 V

tranzistorul este saturat și avem

Vout  0 V.

Cum tensiunile de 0 V și respectiv 5 V reprezintă nivelurile 0 și respectiv 1

logic, funcționarea circuitului este ilustrată prin tabelul de adevăr din Fig. 9.6 b.
În acest tabel de adevăr, tensiunile V in și Vout sînt reprezentate prin variabilele
logice A și Y. Din algebra Boole, reținem că notația

Y = Á
9
semnifică faptul că funcția logică Y este negarea variabilei A.

Ec (+5V)
A B Y
R Rc 0 0 1
D1 15 k 2 k 0 1 1
1 0 1
vA T 1 1 0
B D3
D2 vout
vB A Y=A B
B

a) b)

Fig. 9.7 a) Schema unui circuit ȘI-NU

b) Tabela de adevăr și simbol

Circuitul din Fig. 9.7 a realizează funcția logică ȘI-NU (NAND). Dacă cel puțin
una din intrări este legată la masă

VA = 0 V respectiv VB = 0 V sau ambele V A = VB = 0 V

în punctul B avem un potențial VB  0,6 V, insuficient însă pentru a deschide

dioda D3 și deci și tranzistorul T.

La ieșire obținem în aceste condiții

Vout = 5 V.

Dacă însă VA și VB se găsesc la potențial ridicat

VA = V B = 5 V

diodele D1 și D2 sînt blocate, D3 se deschide și tranzistorul se saturează, iar la

ieșire nu obținem un potențial ridicat.

Tabela de adevăr corespunzător circuitului propus este dată în Fig. 9.7 b.

Pentru situația în care funcția logică ȘI-NU are cel puțin două intrări, simbolul
utilizat este cel ilustrat în Fig. 9.7 b.

10