CIRCUIT DE POLARIZARE PRACTIC PENTRU CONEXIUNEA EC

Două modificări simple în reţeaua de polarizare îmbunătăţesc mult

stabilitatea punctului static de funcţionare al circuitului. Aceste modificări
includ adăugarea unui rezistor extern în emitor RE şi folosirea unui divizor
de tensiune rezistiv, R1 şi R2, pentru a furniza curentul continuu de
polarizare a bazei. În circuitul echivalent acest divizor de tensiune este
înlocuit prin echivalentul său Thévenin, o tensiune în gol:

R2
E B  EC  (7.1)
R1  R 2

şi o rezistenţă Thévenin:

RB = R1 || R2 (7.2)

IC

IB βFIB

+ EC RL
RL RB rd
R1 +
VD EC
-
Ieşirea EB
Intrarea R2 semnalului
semnalului RE
CE CE
RE

Figura 7.1 Figura 7.2

Condensatorul CE, de decuplare a emitorului, este necesar pentru a asigura

o impedanţă mică de la emitor spre masa montajului, la frecvenţele de
semnal. Deoarece CE apare ca un circuit deschis pentru curentul continuu
de polarizare, el nu intervine în analiza de regim de c.c.

Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff putem scrie:

E B  VD  I B  R B  I B   β F  1  rD  I B  (β F  1)  R E (7.3)

de unde rezultă:

β F   E B  VD 
IC 
R B  β F  1   rd  R E 
(7.4)

1
 β  E  V 
R B  F B D  β F  1   rd  R E  (7.5)
IC
Se constată o creştere a libertăţii în proiectare. Apar acum trei parametri
independenţi: EB, RB şi RE, care pot fi ajustaţi pentru a stabili curentul de
funcţionare IC. Această mare libertate face ca ecuaţia (7.5) să devină inutilă
drept ecuaţie de proiectare.

Liniile mari ale proiectării rezultă clar din ecuaţia (7. 4). Dacă luăm R E destul
de mare, astfel încît termenul (βF+1)∙RE să domine numitorul, atunci
termenul imprevezibil βF dispare practic din ecuaţie. De asemenea, dacă
luăm EB de valoare mare (are o valoare limită superioara, care este evident
EC), efectele variaţiei lui VD cu temperatura sînt reduse la minimum.

Din nefericire, valorile lui RB şi RE influenţează şi performanţele de semnal

mic ale circuitului. Rezistenţa RB apare în paralel cu intrarea tranzistorului
şi prin urmare acţionează ca un sînt nedorit pentru curenţi de semnal care
se aplică la intrare. Rezistenţa RE reduce amplitudinea maximă de ieşire,
prin faptul că reduce tensiunea continuă efectivă de alimentare: tensiunea
continuă disponibilă pentru circuitul de colector al amplificatorului este
numai EC – IE∙RE. Evident, condiţia de a reduce aceste două efecte asupra
performanţelor de semnal mic vine în contradicţie cu condiţia precedentă,
bazată numai pe stabilitatea polarizării.

Practic, fiind dat punctul static de funcţionare dorit, se alege o valoare a lui
RE care să dea o cădere de tensiune I E∙RE de circa 3...4 V. Aceasta va
asigura o valoare destul de mare pentru E B, astfel încît variaţiile termenului
VD să fie reprimate în mod satisfăcător. Pe de altă parte, aceasta va permite
o amplitudine rezonabilă a semnalului de ieşire pentru valori rezonabile ale
tensiunii de alimentare EC.

Se adoptă RB aproximativ de 10 ori mai mare decît R E.

EB se calculează însumînd căderile de tensiune în jurul circuitului de

intrare:

EB = IB∙[RB + (βF + 1)∙(RE + rd)] + VD (7.6)

Ecuaţia poate fi rezolvată pentru a găsi şi valoarea lui E B prin înlocuirea

valorilor adecvate ale lui IB şi VD în punctul de funcţionare, la T = 25ºC.
Aceste valori pot fi citite direct de pe caracteristicile tranzistorului, dacă
avem la dispoziţie un set complet de astfel de caracteristici. Altfel, ele pot fi
aproximate observînd că VD ≈ 0,6 V (siliciu) şi IB = IC/ βF.

Ultimul pas în proiectare este de a înlocui valorile R B şi EB, anterior

determinate, în reţeaua echivalentă de la intrare. Pentru a găsi pe R 1 şi R2,
rezolvînd ecuaţiile (7.1) şi (7.2), obţinem:

2
 E
R1  C  R B (7.7)
EB

R R
R2  1 B (7.8)
R1  R B

Condensatorul de cuplaj

Scopul acestuia este de a bloca accesul curentului continuu și de a permite

trecerea semnalului de curent alternativ. Dispozitivele de cuplaj,
condensatorul sau transformatorul, sînt utilizate la intrarea sau la ieșirea
amplificatoarelor.

În proiectare parcurgem următorii paşi:

1. Alegem tranzistorul (considerăm un tranzistor BC 171).

2. Pentru PSF impunem: VCE0 = 5 V şi IC0 = 2 mA.

3. Calculăm EC apelînd la relaţia:

EC = 2 · VCE0

Din relaţia IC0 = · , găsim:

RE + RC =

Valoric avem: EC = 10 V, RE + RC = 2,5 kΩ

4. Dimensionăm RE din condiţia:

VRE = RE · IE ≅ 1 V.

Dacă tensiunea EC este mai mare, se poate alege tensiunea VRE ca variind în

plaja (3 4)V. O cădere de tensiune mai mare limitează însă excursia

tensiunii de ieşire. Pentru VCE=0, tensiunea de ieşire culeasă între colector
şi masă nu este nulă, ci egală cu E C · RE / (RE + RC). Căderea de tensiune pe

3
RE este privită ca o pierdere de tensiune din tensiunea furnizată de sursa
de alimentare EC. Frecvent se aplică regula RE ≅ RC / 10.

La valoarea aleasă anterior pentru căderea de tensiune pe R E (VRE = 1 V)

rezultă: RE ≅ VRE / IC0 = 0,5 kΩ

Prin diferenţă, găsim valoarea RC = 2 kΩ

Observăm că potenţialul bazei fiind fixat prin divizorul rezistiv (R B1, RB2),
variaţia tensiunii VBE0 se traduce prin variaţie egală şi de semn opus a
căderii de tensiune pe RE (VRE).

5. Se calculează potenţialul bazei

VB = VRE + VBE0 = VRE + 0,6 V

Cu consideraţia făcută obținem: VB = 1,6 V.

6. Determinăm valoarea maximă posibilă a curentului din bază IB0max

care se obţine pentru TB avînd . Pentru BC 171, = 125 şi deci

rezultă:

IB0max = IC0 / βFmin = 16 A.

7. Se alege prin divizorul rezistiv de polarizare a bazei un curent:

ID = 10 · IB0max.

Îndeplinită această condiţie, potenţialul bazei va fi practic independent de

curentul din bază:

VB ≅ EC · R2 / (R1 + R2) => ID = 0,16 mA

8. Cu relaţiile:

R2 = VB / ID

4
 R1 = ≅

numeric găsim: R2 = 10 kΩ şi R1 = 52,5 kΩ

Se vor alege valori standardizate, cît mai apropiate de cele obţinute în

proiectare. Cu aceste diferenţe care apar între valorile de calcul şi cele
standardizate, la care se adaugă toleranţa componentelor, aproximările din
proiectare fac ca în realitate PSF-ul să nu fie chiar la mijlocul regiunii
active.

Dacă este îndeplinită condiţia ID 10 · IB0, PSF-ul nu depinde practic de

coeficientul al tranzistorului. Pe această consideraţie se bazează analiza

unui circuit, adică determinarea PSF-ului pentru o schemă cu elementele
RB1, RB2, RE, RC şi EC cunoscute.

Din relaţia RB1 = ≅ se calculează VB.

Rezultă potenţialul emitorului ca fiind:

VE = VB – VBE0

Apoi curentul de colector (egal practic cu cel de emitor) este:

IC ≅ VE / RE

Final găsim:

VCE0 = EC − IC0 (RE + RC)

Dacă vom considera în ultima schemă elementele avînd valorile: E C = 20 V,

RB1 = 130 kΩ, RB2 = 15 kΩ, RE = 1,5 kΩ şi RC = 10 kΩ.

Rezultă:

VB = 20V ·

VE = 2,07 V – 0,6 V = 1,47 V

IC0 ≅ IE = 1,47 V / 1,5 kΩ = 0,98 mA
VCE0 = 20 V – 0,98 mA · 11,5 kΩ = 8,73 V.

5
Se poate determina şi valoarea minimă necesară pentru încît neglijarea
curentului de bază să fie justificată:

= =

unde

ID =

Rezultă că trebuie să folosim un tranzistor cu ≅ 71

PROIECTAREA POLARIZĂRII PENTRU TRANZISTOARE CU

GERMANIU
Problema proiectării polarizării pentru tranzistoarele cu germaniu, deşi în
principiu aceeaşi ca pentru siliciu, este în fapt ceva mai complicată,
deoarece ICBO devine un element foarte dependent de temperatură.
Dependenţa de temperatură a lui ICBO este exponenţială, în contrast cu
dependenţa aproximativ liniară a lui F şi VD astfel încît variaţia lui ICBO este
adesea problema dominantă la tranzistoareie cu germaniu.

Circuitul echivalent pentru variaţii totale în regiunea activă, pentru un

tranzistor pnp cu germaniu este dat în figura 7.3.

C
IC

βFIB ICB0(βF + 1)
B IB

rd

-
VD
+

6
 Figura 7.3

Problema lui ICBO poate fi uşor luată în considerare observînd că în circuitul

echivalent, curentul de colector este:

IC = FIB - (F1) ·ICBO (7.9)

Dacă folosim o reţea simplă de polarizare, în care curentul de bază este

menţinut aproape constant, ecuaţia (7.9) indică creşterea exponenţială a lui
ICBO cu temperatura, care produce o schimbare corespunzătoare a lui I C,
accentuată de creşterea lui F. Pentru un tranzistor cu germaniu tipic, ICBO va
fi de ordinul a 1 A la 25°C şi 60 A la 85°C, astfel încît termenul (F + 1)·ICBO
în ecuaţia (7.9) va deveni sigur o parte semnificativă, dacă nu chiar
dominantă, a curentului de colector în această gamă de temperatură.
Rezultă că orice circuit de polarizare pentru tranzistoarele cu germaniu,
care menţine curentul de bază constant, va conduce la o stabilitate a
polarizării intolerabil de proastă.

Din această cauză, se va recurge direct la un circuit de polarizare de genul

celui ilustrat în figura 7.4.
Această configuraţie, datorită prezenţei lui R E menţine constant curentul de
bază. Pentru a găsi pe IC, trebuie ridicat circuitul echivalent pentru variaţii
totale numai în regiunea activă asa cum este ilustrat în Fig. 7.5.

- EC
RL
R1

Ieşirea
Intrarea R2 semnalului
semnalului
CE
RE

Figura 7.4
IC

IB ICB0(βF+1)
βFIB

RL
RB rd
-
-
VD EC
+ +
-
EB 7
+
RE
CE
 Figura 7.5

Ecuaţia tensiunilor pe bucla de intrare ne furnizează:

EB = IB [RB + (F+1)RE] – RE(F+1)ICBO+VD (7.10)

unde s-a presupus că RE este mult mai mare decît rd.

Din această ultimă ecuaţie obţinem:

E  V  R (β  1)ICBO
IB  B D E F (7.11)
R B  (β F  1)R E

Ţinînd cont de relaţia (7.9), după aducerea la acelaşi numitor rezultă:

β (E  V )  (β F  1)ICBO (R B  R E )
IC  F B D
R B  (β F  1)R E
(7.12)

Se observă că proiectarea practică discutată pentru tranzistoarele cu

siciliu, dă rezultate satisfăcătoare şi pentru tranzistoarele cu germaniu.

PROCEDEE NELINIARE DE STABILIZARE A PUNCTULUI STATIC

DE FUNCŢIONARE

1. Efectul creşterii curentului rezidual de colector I CB0 cu temperatura poate

fi compensat cu o diodă polarizată invers, conectată între bază şi masă.

+ EC
RB1 RL

ICB0
T

RB2
Iinv
D
RE
8

Figura 7.6
Rolul acestei diode poate fi înţeles observînd că, în conexiunea EC,
curentul rezidual ICB0 se închide la masă prin joncţiunea emitorului, întrucît
rezistenţa prezentată de aceasta este mult mai mică decît rezistenţa R B2.
Din această cauză, ICB0 este amplificat ajungînd să dea un curent de
colector mare. Spre exemplu, cu baza în gol (R B = ∞), IC = ICE0 = (βF + 1) ∙ICB0.
Curentul invers al diodei determină, de asemenea, o variaţie prin
joncţiunea emitorului, dar aceasta are sens invers faţă de cea determinată
de ICB0.

Dacă se alege dioda astfel încît să aibă curentul invers egal cu I CB0, şi în
plus are aceeaşi variaţie cu temperatura, atunci efectul lui I CB0 va fi
compensat. ICB0 se închide la masă prin diodă şi nu mai este amplificat de
tranzistor.

O compensare termică mai generală, incluzînd toate cauzele de instabilitate

la variaţia temperaturii, se poate realiza introducînd un termistor în
divizorul care polarizează baza.

+ EC
RC
RB1

Th
RE

Figura 7.7

9
Prin urmare, în schema prezentată, la creşterea temperaturii scăzînd
rezistenţa termistorului, scade tensiunea aplicată bazei şi în felul acesta
poate fi compensată creşterea curentului de colector determinată de
variaţia parametrilor tranzistorului cu temperatura. Rezistenţa din emitor R E
are o valoare destul de mică şi asigură stabilizarea PSF-ului numai la
dispersia tehnologică a parametrilor tranzistorului şi ridică potenţialul
bazei pentru a putea utiliza un termistor cu rezistenţa mult mai mare decît
rezistenţa de intrare a tranzistorului.

Observaţie

Termistoarele sînt semiconductoare a căror rezistenţă electrică variază cu

temperatura. Ele sînt de două tipuri: termistoare cu coeficient de
temperatură negativ NTC (rezistenţa scade cu creşterea temperaturii) şi
termistoare cu coeficient de temperatură pozitiv PTC (rezistenţa creşte cu
creşterea temperaturii), ultimele numite şi pozitoare.

Cel mai des utilizat este termistorul NTC, avînd proprietatea că rezistenţa
sa electrică scade exponenţial atunci cînd temperatura creşte şi invers. El
este realizat practic sub forma unui disc sau a unei picături (perlă) şi ca
orice rezistor are două fire de conexiune. Pentru obţinerea termistoarelor
NTC se folosesc oxizi şi elemente din grupa fierului: Fe, Cr, Mn, Ni. Prin
impurificare cu ioni străini aceste materiale se transformă în
semiconductoare, în acest fel mărindu-se conductibilitatea şi variaţia cu
temperatura a rezistivităţii. Caracteristica tensiune-curent pentru
termistoarele NTC este prezentată în figura 5.
U

I
10
 Figura 7.8

În cataloage valoarea rezistenţei electrice a termistorului se dă pentru

temperatura de +25C (298,15 K).

Uzual se construiesc termistoare cu R 25C = 2 …1 M şi avînd domeniul

temperaturilor de lucru cuprins între -1000C la +350C. Un alt parametru
de catalog al termistorului este coeficientul de temperatură “”. Acesta
indică de fapt cu cît se modifică rezistenţa electrică a termistorului cînd
temperatura mediului ambiant variază cu 1C.

Coeficientul  se exprimă în % /1C şi poate avea valori cuprinse între 3 -

15% /1C. De notat că  scade invers proporţional cu pătratul temperaturii.
Inerţia termică sau constanta de timp “” a termistorului, reprezintă timpul
pentru care rezistenţa electrică a acestuia, în urma unui salt de
temperatură, se modifică cu 63,2% din valoarea iniţială.

11