Sunteți pe pagina 1din 5

Nume și prenume elev:

Capitolul

V Evaluare MEMORII

A. Alegeți varianta corectă de de răspuns.


1. Numărul cuvintelor cu lungimea de 8 biți care pot fi stocate într-o memorie având capacitatea maximă
de 128 biți este egal cu:
a) 8; b) 16; c) 128; d) 256.
2. Două memorii de capacități egale, conectate în paralel, permit:
a) dublarea numărului de biți pe cuvânt; b) dublarea numărului de cuvinte;
c) creșterea frecvenței; d) reducerea capacității de memorare.
3. Locația în care se scrie o informație este selectată de:
a) circuitul decodificator; b) circuitul de ieșire;
c) amplificatoarele de date; d) sursa de alimentare.
4. Capacitatea unei memorii de 210 kB este scrisă sub forma:
a) 1 Tb; b) 20 kB; c) 1 Gb; d) 1 Mb.
5. Numărul liniilor de adresă necesar pentru adresarea unei memori RAM formată din 2n cuvinte, fiecare cuvânt
conținând m biți, egal cu:
a) m; b) 2m; c) n; d) m + n.
6. Două memorii formate din 4 linii și 8 coloane se conectează între ele pentru a obține o memorie formată din 4
linii și 16 coloane. În acest caz, lungimea cuvântului în noua memorie formată va conține un număr de biți egal cu:
a) 4; b) 8; c) 16; d) 32.
7. Numărul de adrese al unei memorii ROM 2 k X 4 este:
a) 2; b) 4; c) 11; d) 8.

B. Stabiliți dacă afirmațiile de mai jos sunt adevărate sau false.


1. Memoriile RAM permit citirea și scrierea biților la adrese aleatorii.
2. Memoria RAM este volatilă și poate fi scrisă/citită de un număr nelimitat de ori.
3. Numărul maxim de cuvinte dintr-o memorie se calculează ca fiind 2m, unde m este numărul de adrese.
4. La un anumit moment de timp pot fi accesate simultan mai multe linii de adresă ale memoriei.
5. Informația înscrisă în memoria ROM poate fi modificată în mod curent de utilizator.
6. Memoriile PROM pot fi reprogramate de utilizator în condiții speciale, doar în anumite limite.

C.
1. Stabiliți tabelele de adevăr pentru liniile 0, 1 și 7 ale memoriilor ROM și PROM reprezentate în figurile 1 și 2.

Portofoliul digital al elevului. Fișe editabile și descărcabile | BAZELE ELECTRONICII DIGITALE. Clasa a XII-a.© CD PRESS | www.clasadigitala.ro
Fig. 1. Exemplu de memorie ROM programată

Fig. 2. Exemplu de memorie PROM programată

Portofoliul digital al elevului. Fișe editabile și descărcabile | BAZELE ELECTRONICII DIGITALE. Clasa a XII-a.© CD PRESS | www.clasadigitala.ro
2. Reprezentați schemele matriciale ale circuitelor de memorie ROM și PROM corespunzătoare tabelelor de adevăr
prezentate în figurile 3 și 4.

Nr. crt Cod adrese Nr. linie ieșire decodificator Valori date ieșire
0. 000 0 1111
1. 001 1 0101

7. 111 7 1101
Fig. 3. Tabelul de adevăr pentru circuitul de memorie ROM

Nr. crt Cod adrese Nr. linie ieșire decodificator Valori date ieșire
0. 000 0 1010
1. 001 1 0110

7. 111 7 0101
Fig. 4. Tabelul de adevăr pentru circuitul de memorie PROM

Portofoliul digital al elevului. Fișe editabile și descărcabile | BAZELE ELECTRONICII DIGITALE. Clasa a XII-a.© CD PRESS | www.clasadigitala.ro
3. Reprezentați schema bloc a unei memorii 8 x 16 realizată cu memorii 4 x 8.

În figura 5 este reprezentată schema bloc a unei memorii ROM, programată pe baza tabelului de adevăr nr. 1. Scrieți
exprexiile funcțiilor binare f0, f1, f2, f3 în funcție de variabilele A, B și C.
Tabelul de adevăr nr. 1
CS A2 A1 A0 Q3 Q2 Q1 Q0

(A) (B) (C) (f3) (f2) (f1) (f0)


1 0 0 0 1 0 1 0
1 0 0 1 0 0 1 1
1 0 1 0 1 1 0 0
1 0 1 1 1 0 0 1
1 1 0 0 0 1 0 0
1 1 0 1 0 0 0 1
1 1 1 0 1 0 1 0
1 1 1 1 0 1 1 1

Fig. 5. Schema bloc a unei memoriei ROM 8x4 proiectată conform tabelului de adevăr
pentru implementarea funcțiilor f0, f1, f2, f3

4. În figura 6 este reprezentată schema bloc a unei memorii extinse, realizată din 4 memorii de capacitate mai mică
ROM 0, ROM 1, ROM 2, ROM 3. Analizați schema și precizați:
a) semnificația intrărilor A0, A1...A9 și A10, respectiv A11;

b) rolul blocului DCD;

Portofoliul digital al elevului. Fișe editabile și descărcabile | BAZELE ELECTRONICII DIGITALE. Clasa a XII-a.© CD PRESS | www.clasadigitala.ro
c) numărul maxim de cuvinte ce pot fi stocate în fiecare memorie: ROM 0, ROM 1, ROM 2, ROM 3;

d) numărul maxim de cuvinte ce pot fi stocate în memoria extinsă și numărul de biți din cuvânt;

e) dacă extinderea capacității de memorare se realizează prin creșterea numărului de cuvinte sau a numărului de
biți din cuvânt;

f ) numărul de memorii de tipul ROM 0 necesare pentru a realiza o memorie care să stocheze un număr dublu de
cuvinte față de memoria din figura 6.

Fig. 6. Schema bloc a unei memorii extinse

Portofoliul digital al elevului. Fișe editabile și descărcabile | BAZELE ELECTRONICII DIGITALE. Clasa a XII-a.© CD PRESS | www.clasadigitala.ro

S-ar putea să vă placă și