Ministerul Educaiei i tiinei al Republicii Moldova Universitatea Tehnic a Moldovei Catedra Microelectronic i Dispozitive Semiconductoare

Raport
ucrarea de laborator nr! " Tema# Cresterea straturilor dopate de $a%s prin metoda epita&iei din 'aza lichida (E!)! !*

% elaborat# % veri'icat#

Student +r! M,-... %rtenie %le&andru /ro'esor universitar 0iorel Tro'im

Chiinu 12.3

Scopul lucrrii:De a lua cunotina de schema aparatului EFL, efectuarea calculelor tehnologice si a operaiilor de pregtire pentru procesul EFL, cresterea straturilor dopate de GaAs si determinare parametrilor. Prin epita ie se !nelege procesul fi"ico#chimic de cretere a stratului monocristalin astfel ca structura monocristalina a stratului crescut sa fie o continuare a structurii cristaline a su$stratului. Deose$im termenii i"oepita ie si heteroepita ie. %n ca"ul i"oepita iei componenta chimica a stratului crescut practic nu se deose$ete de cea a su$stratului. Deose$irile pot fi in tipul si concentraia impuritilor&de e emplu, pe su$stratul p GaAs se creste un strat de n GaAs'.(n ca"ul heteroepita iei a stratului si su$stratului se deose$esc &pe suprafaa su$stratului n GaAs se creste un strat epita ial p Al Ga)# As'. (n pre"ent pentru cresterea epita ial sunt folosite un sir de metode, dintre care cele mai rsp*ndite sunt: Epita ia din fa"a ga"oasa+ Epita ia din fa"a lichida+ Epita ia cu fascicol molecular. Pentru reali"area procesului EFL su$stratul monocristalin se aduce in contact cu o topitura , soluie saturata, &care conine material semiconductor, din care -a creste stratul di"ol-at intr#un metal cu punct de topire co$or*t' in starea echili$rului termodinamic. Fora motoare a acestui proces de cretere este determinata de suprasaturarea care se o$ine in fa"a lichida. .uprasaturarea poate fi o$inuta datorita rcirii sistemului, crerii unui gradient de concentraie sau de temperatura, rcirii suprafeei de cretere prin intermediul efectului Peltier si in sf*rit pe contul electromigratiei. Pentru a !nelege procesele care decurg in fa"a lichida in timpul EFL e aminam diagrama ipotetica de stare a metalului A, care /oaca rolul de sol-ent si semiconductorul 0 , su$stana di"ol-ata &fig.)'. Daca topitura cu componenta ) se aduce in contact cu placheta de semiconductor 0, aflata la aceeai temperatura 1) si temperatura sistemului creste la 12, atunci la un anumit moment de timp placheta 0 se -a di"ol-a pana la formarea soluiei , topiturii cu componenta 2.

)i+!.!Dia+rama de stare a metalului % si semiconductorului 4! 3cirea ulterioara a sistemului de la temperatura 12 la 1) duce la suprasaturaie si ca re"ultat, la cresterea stratului su$stanei 0 din soluia 0 in metalul A. Dup !ndeplinirea acestor condiii de alegere a sol-entului A si a materialului pentru su$strat 0, re"ultatul procesului -a fi depunerea stratului epita ial 0 pe suprafaa su$stratului din acelai material.

Procesul de cretere in EFL, c*nd lipsete amestecarea forata a topiturii, poate fi !mprit in urmtoarele etape: 1ransportul su$stanei cristali"ate prin con-ecie din -olumul soluiei , topituri c*tre frontiera stratului difu"ional+ Difu"i acestei su$stane la frontiera de separare su$strat , topitura si difu"ia sol-entului de la frontiera de separare+ Precipitarea su$stanei si creterea stratului epita ial+ Disiparea cldurii de cristali"are. .ol-entul tre$uie sa satisfac urmtoarele cerine: .a fie uor fu"i$il, pentru a fi uor decontat de pe suprafaa stratului crescut+ .a posede o presiune mica -aporilor saturai la temperatura de cretere, ca sa nu#si micore"e masa in timpul procesului+ .olu$ilitatea materialului semiconductor tre$uie sa fie mare pentru a o$tine stra# tiri epita iale la temperaturi /oase+ 1re$uie sa fie neutru in materialul semiconductor sau sa asigure doparea stratului epita ial pana la concentraia data. Folosind in calitate de sol-eni metale uor fu"i$ile &Ga, (n, P$, .n, 0i' limita inferioara a temperaturii de cretere se determina nu numai prin temperatura de trecere a sol-entului din solid in lichid, dar si de -aloare solu$ilitii materialului di"ol-at. La cresterea straturilor epita iale de GaAs prin metoda EFL in calitate de sol-ent este mai des folosit Ga. Determinarea cantitii necesare de As pentru o$inerea unei soluii , topituri saturate la o temperatura data de desfurare a procesului se efectuia"a din cur$ele de solu$ilitate a GaAs in diferii sol-eni.

)i+! 1! Construcia instalaiei E!)! ! )#reactor de cuart+ 2#cuptor electric+ 4#piedestal din grafit + 5#termocuplu+ 6#ti/e din moli$den+ 7#capac or$+ 8#$ar$oter. Este sta$ilit ca la procesul EFL al compuilor A 904 din soluii creterea in procesul EFL are loc pe fete de doua tipuri:singulare &)))' si nesingulare &)::'.Pe suprafee nesingulare atomii se aran/ea" in mod !nt*mpltor si -ite"a de cretere liniar depinde de schim$area energiei li$ere a energiei superficiale la ordonarea atomilor in retea. Aceasta schim$are se descrie prin relaia : G;31ln&)#', unde:3 , const. <ni-ersala a ga"elor &7,9= /ol>molgrad'+

1 , temperatura a$soluta+ # suprasaturarea relati-a. (n ca"ul dat e mai uor de utili"at mrimea 1 , suprarcirea soluiei, care arata cu cat temperatura reala a soluiei este mai mica dec*t temperatura de echili$ru 1:. $5 67( T7T2*8 unde ? este entalpia de di"ol-are. Doparea se efectuea" pe doua cai: ). Daca impuritatea are presiune mare a -aporilor saturai la temperatura iniiala de cretere epita ial &@d, An, ., .e, 1e', atunci doprea poate fi reali"ata din fa"a ga"oasa plas*nd impuritatea intr#o secie separata a nacelei de grafit+ 2. Daca impuritatea are presiune mica a -aporilor saturai &Ge, .n', atunci aceasta impuritate poate fi introdusa direct in fa"a lichida. @oeficientul efecti- de distri$uie a impuritii B este egal apro imati- cu: n95ln92:4 08 unde: B: , -aloarea lui B la -ite"a de cretere C;: 0 , parametru care caracteri"ea" sistemul dat. @oeficientul de distri$uire B se determina ca raportul concentraiei impuritii in cristal &@s' i concentraia in sol-ent &@)': 95Cs7C. Pentru o$inerea straturilor de GaAs, dopate cu .n pana la o anumita concentraie la temperatura iniiala de cretere epita ial de 7::o@ cu concentraia electronilor de ):)7 cm#9 -om determina masa necesara a .n care tre$uie introdusa in fa"a lichida prin e presia: /Sn5/$a %Sn7%$a ;Sn unde: PGa , masa galiului+ A.n , masa atomica a .n+ AGa , masa atomica a Ga. )ia tehnolo+ic# ). Facem cunotin cu instrucia general de e ploatare a instalaiei o idrii termice, difu"iei i E.F.L 2. @onectam cuptorul electric i#l aducem#l la temperatura de lucru dat de profesor. 9. @urim suprafaa su$stratului GaAs cu a/utorul unei $uci de -at !m$i$at cu sol-ent organic .&aceton, toluen, spirt i"opropilic' i punem pe o h*rtie de filtru. =. %n coresponden cu temperatura de !ncepere a creterii epita iale dat, cantitatea sol-entului i concentraia necesar a impuritilor !n stratul epita ial, calculam dup formula &4D folosind date din fig. 9, cantitatea necesar de impuriti. 4. Folosind datele din fig. 2 determinam cantitatea necesar de GaAs pur pentru saturarea cu A. a fa"ei lichide. 5. @*ntrim pe c*ntarul analitic cantitile necesare de Ga, GaAs i impuriti E 6. Fi am su$stratul de GaAs !n corespondent cu locul !n nacela de grafit. 7. (nstalam pe caset ti/ele de moli$den i -erificai micarea su$stratului, apoi !ncrcam !n caset sol-entul &Ga', GaAs i impuritatea dopanta.

8. Plasam !ncet caseta !n reactor i il !nchidemermetic lent !nuru$*nd piuliele pe diagonal. ):. Deschidem ro$inetele respecti-e, conectam pompa cu -id preliminar i e-acuam reactorul. )). Deschidem supapa de admisie a hidrogenului i conectam sistemul de !ncl"ire pentru purificarea hidrogenului. )2. 1urnam a"ot lichid !n -asul DeFar pentru condensarea -aporilor de ap, care se conin !n hidrogen. )9. %nchidem ro$inetele de e-acuare ale reactorului i deschidem ro$inetele de admisie ale hidrogenului !n reactor o$ser-*nd e-acuarea hidrogenului prin $ar$oter. )=. 3eali"am !nc o dat punctele ):#)9. )4. Lent &!mpreuna cu inginerul' introducem reactorul !n cuptor i urmrim indicaiile -oltmetrului conectat la termocuplu. )5. Geninem regimul de temperatura in corespondent cu inter-alele de timp &fig. 4' i notam dependena temperaturii !n funcie de timp. Gic*nd ti/a de moli$den, e ecutam operaiile de ume"ire i la terminarea procesului deconectam topitura de pe stratul crescut )6. Deconectam cuptorul i su$ supra-egherea inginerului e tragem lent &timp de ): min.' reactorul din cuptor. )7. @onectam -entilatorul de rcire a reactorului. )8. Dup rcirea reactorului, !nchidem supapa de admisie a hidrogenului, deuru$am piuliele i scoatem din reactor caseta. 2:. 1urnam pe o h*rtie de filtru Ga u"at i scoatem din caset su$stratul epita ial eu , stratul epita ial crescut. 2). Ci"ual determinam calitatea stratului epita ial &pre"ena picturilor de Ga pe suprafa, suprafaa de tip oglind, defectele'. 22. Htir$im o regiune mic de su$strat, prelucr*nd#o !n corodant selecti- &) min.' pentru a de-elopa frontiera de separare su$strat#strat i splam su$stratul !n ap distilat. 29. Gsuram grosimea stratului epita ial cu a/utorul microscopului I<#2E. 2=. Gsuram prin metoda a = sonde re"isti-itatea stratului. 24. Folosind -aloarea apro imati- a mo$ilitii purttorilor de sarcin, calculam concentraia lor i o comparam cu cea dat. 25. Fa$ricam contacte la /onciunea p#n o$inute cu a/utorul nichelaii chimice, coacem contactele la temperatura =:: J@ timp de l or i e aminam caracteristica CKA Concluzie# (n aceasta lucrare am fcut cunotina cu schema aparatului E.F.L. si cu operaiile de pregtire pentru procesul E.F.L. Am !n-at sa cretem straturi dopate de GaAs. Din pcate, din cau"a lipsei de materiale si utila/, nu am crescut in practica peliculele epita iale.