Concepte elementare ale tiinei materialelor

1
1.10. Creterea unui singur cristal cu metoda Czochralski


Fabricarea circuitelor integrate i a componentelor discrete necesit
cristale de material semiconductor cu concentraii de impuriti ct mai mici
posibile iar cristalele trebuie s aib ct mai puine imperfeciuni. Exist cteva
tehnici de laborator pentru a crete cristale de materiale semiconductoare de
nalt puritate. n general asemenea metode necesit procese de solidificare din
topitur sau condensarea atomilor din starea de vapori. Procesul iniial de
fabricare a circuitelor integrare (IC) necesit un singur cristal mare care este o
plachet de material (wafer) de 15 cm diametru i 0,6 mm grosime. Aceste
plachete sunt tiate din bare lungi cilindrice de Si care au o lungime de 1..2m.
Cristalele mari de Si pentru utilizate pentru IC sunt deseori fabricate cu metoda
Czochralski care presupune creterea unui singur cristal din topitur prin
utilizarea solidificrii cristalului depus dup cum se prezint n Fig.1.56

Fig.1.56. Tehnica Czochralski de cretere a unui cristal de Si

Siliciul topit se afl ntr-un creuzet de cuar (SiO
2
cristalin) care este situat ntr-
un suport de grafit care la rndul lui este nclzit de o rezisten de nclzire sau
o bobin de RF (Asemenea proces se numete nclzire RF). Un mic cristal de
dislocare, denumit cristal de baz (smn), este cobort n topitur i apoi
ridicat ncet astfel ca s se solidifice materialul pe cristalul de baz. Cristalul de
baz este rotit pe timpul ridicrii din topitur pentru a se obine o bar
cilindric. Pentru a mpiedica evaporarea materialului i oxidarea, un gaz inert
(argon) este trecut prin recipient.
Iniial, pe msur ce cristalul este retras din topitur, diametrul lui
crete i apoi atinge o valoare constant care depinde de temperatur, de
Materiale pentru electronic
2
pierderile de cldur i de viteza de tragere. Pe msur ce topitura se solidific,
se generaz cldur de solidificare care trebuie s fie eliminat din recipient,
altfel crete temperatura din recipient i nu se mai solidific materialul sau ceea
ce a fost solidificat se topete din nou. Suprafaa interfeei dintre cristal i
topitur determin viteza cu care cldura este eliminat din sistem prin
intermediul cristalului, iar viteza de tragere determin viteza cu care cldura
latent este eliminat. Este evident c nu este un proces simplu dar se poate
observa c pentru a obine o bar de material cu un diametru mare viteza de
tragere trebuie s fie mic. Tipic rata de cretere este de civa milimetri pe
minut.
Lungimea i diametrul unui cristal crescut cu metoda Czochralski sunt
limitate de echipamentul de prelucrare la cristale de diametru 20-30 cm i
lungimea de 1-2 m.Se impun de asemenea cerine legate de orientarea cistalului
i de planeitatea acestuia n raport cu suprafaa topiturii. De exemplu pentru IC
cu integrare pe scar foarte larg (VLSI) , cristalul de baz este plasat cu planul
(100) paralel cu suprafaa topiturii, astfel c axa barei din Si este n lungul
direciei (100).
Dup cretere cristalul este fcut plan dealungul lui la un anumit
diametru. Se utilizeaz difracia cu raze X pentru a afla orientarea cristalului i
apoi se se prelucreaz o suprafa plan n lungul barei de Si dup cum se
prezint n Fig.1.56.b. Apoi urmeaz tierea cristalului n plci cu un fierstru
rotativ cu diamant. Pentru a nltura orice deteriorare a suprafeei plcii datorit
tierii i pentru a se obine o suprafa perfect plan plcile sunt frecate pe o
suprafa plan cu praf de alumin i glicerin, apoi sunt curate chimic i n
final polizate. Plcile sunt apoi utilizate la fabricarea IC ca substrat pentru
prelucrare. Tehnica Czochralski se poate utiliza i pentru creterea cristalelor
de Ge, GaAs sau InP dar fiecare material necesit parametrii propii. Marele
dezavantaj al tehnicii Czochralski se refer la faptul c n mod inevitabil
cristalul final de Si conine oxigen ca impuritate dizolvat n creuzetul de cuar.

1.11.Semiconductori amorfi i sticle

1.11.1. Solide amorfe i sticle












Concepte elementare ale tiinei materialelor
3