Cap 4

CAPITOLUL
Tranzistoare bipolare caracteristici statice
10 mA
IE
_
+
20 mA
9.9 mA
0.6 V
0.1 mA
IC IE
IB
foarte mic
19.8 mA
IE
+
_
_
10 V
0.62 V
0.2 mA
4.1. Conexiunea baz` comun` 83

4.2. Conexiunea emitor comun 113
4.1. Conexiunea baz` comun`

1.A. Tranzistoare: structur`, simboluri ]i mod de func\ionare 83
1.B. Caracteristica de intrare 88
1.C. Carcteristicile de transfer 89
1.D. Caracteristica de ie]ire 90
1.E. Satura\ia tranzistorului 93
1.F. Dep`]irea dificult`\ilor conexiunii cu baz` comun` 95
1. G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare 97
Probleme rezolvate 102, probleme propuse 106
Lucrare experimental` 108
IC IE
IB
foarte mic
+
_
10 V
82
Electronic` - Manualul studentului
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea activa
robinetul controleaza
debitul
IC (mA)
50 A
10
8
6
regiunea de saturatie
robinetul nu mai
controleaza debitul
IB
4
2
0
O
0
4
VCE
6
(V)
10
Valim
regimul de blocare
robinet complet inchis
4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configura\ia cu emitor comun 113
2.B. Caracteristica de intrare 117
2.C. Caracteristicile de transfer 118
2.D. Caracteristica de ie]ire 120
2.E. Satura\ia tranzistorului 123
2.F. Date de catalog 126
Probleme rezolvate 131, probleme propuse 135
Lucrare experimental` 137
IB = 0
rezervor 2
rezervor 1
Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice
83
4.1. Conexiunea baz` comun`

1. A. Tranzistoare: structur`, simboluri ]i mod de func\ionre
Am v`zut c` dioda, ac\ion[nd ca ]i supapa [n circuitele [n care circul` fluide, permite curentului s`
treac` [ntr-un singur sens, ca un [ntrerup`tor care s-ar deschide ]i [nchide singur, dup` sensul curentului. Un
alt dispozitiv esen\ial [n circuitele cu fluide este robinetul, care controleaz` debitul conform unei ac\iuni
externe, mecanice.
Pentru circuitele electrice, o ac\iune asem`n`toare o are releul electromagnetic, care controleaz`
trecerea unui curent de intensitate mare, fiiind comandat electric cu un curent mult mai mic. Releul
electromagnetic are dou` propriet`\i care [l fac s` mai fie [nc` utilizat [n unele aplica\ii: curentul de scurgere
[n starea "[ntrerupt" este extrem de mic iar rezisten\a [n starea de conduc\ie este infim`. Cu toate acestea, el
are dou` dezavantaje majore. {n primul r[nd, pentru c` are piese mecanice [n mi]care, este prea lent, neput[nd
fi utilizat la frecven\e de peste c[teva sute de Hz. Pe de alt` parte, el nu permite controlul gradual al
curentului ci doar unul de tipul tot sau nimic (on-off. [n limba englez`). Un control gradual [l putem realiza
cu un rezistor reglabil ('poten\iometru") dar acesta trebuie ac\ionat mecanic.
Primul dispoztiv care putea controla gradual curentul ]i era comandat printr-o tensiune a fost un tub
electronic, trioda. Tuburile erau [ns` mari, grele ]i fragile, ]i aveau nevoie de puteri electrice mari. Din acest
motiv, inventarea tranzistorului [n 1947 de c`tre John Bardeen ]i Walter Brattain de la Bell Laboratories a
marcat un pas important [n dezvoltarea electronicii; [n Fig. 4.1 a) pute\i admira primul tranzistor realizat, cu
contacte punctiforme. Bazat pe conduc\ia electric` la suprafa\a cristalului ]i pe contacte punctiforme cu fire
metalice, acest "tranzistor de tip A" era instabil ]i nu functiona de dou` ori la fel; [n plus curentul controlat
era
puternic
afectat
de
zgomot.
Primul
tranzistor
utilizabil,
cu
jonc\iuni
(Fig. 4.1 b), este pus la punct [n 1950 ]i [n 1951 laboratoarele Bell [l fac cunoscut public 1. Electronica
modern` putea [ncepe. Ulterior apare posibilitatea integr`rii mai multor tranzistoare [ntr-un circuit integrat ]i
revolu\ia tehnologic` schimb` fa\a secolului XX.
a)
b)
Fig. 4.1 a) ]i b). Primul tranzistor cu contacte punctiforme ]i primul tranzistor cu jonc\iuni.
Imaginat [nc` din 1948 de c`tre William Shockley, tranzistorul bipolar cu jonc\iuni (prescurtat
BJT - Bipolar Junction Transistor [n lb. eng.) este un dispozitiv semiconductor de tip sandwich, a c`rui
structur` fizic` con\ine trei regiuni semiconductore distincte: emitorul, baza ]i colectorul, a]a cum se vede [n
Fig. 4.1 c) ]i d) Pentru tranzistoarele PNP, emitorul ]i colectorul sunt de tip p, adic` purt`torii majoritari sunt
golurile, pe c[nd baza este de tip n, aici purt`torii majoritari fiind electronii. De]i de acela]i tip, emitorul ]i
1
O istorie fascinant` a invent`rii tranzistorului bipolar pute\i g`si la www.pbs.org/transistor/index.html.
84
colectorul difer` prin concentra\ia de purt`tori majoritari, care este mult mai mare [n emitor. La
tranzistoarele NPN tipurile sunt inversate, emitorul ]i colectorul fiind de tip n iar baza de tip p. Elementele
cheie [n func\ionarea tranzistorului sunt grosimea mic` a bazei ]i nivelul ei sc`zut de dopare
(conductivitate redus`).
emitor baza colector
p
p
n
emitor baza colector

n
n
p
3.7 mm
25 m
E
IE
3.7 mm
25 m
C
-
+
B
IB
IC
IE -
+
+
IC
IB
PNP
NPN
c)
d)
e)
Fig. 4.1 c), d) ]i e). Tranzistoare bipolare, structur`, simboluri ]i c[teva dintre tipurile de capsule utilizate.
{n figur` sunt date ]i simbolurile pentru cele dou` tipuri de tranzistoare.
S`geata arat` care este terminalul emitorului; sensul ei este sensul [n care conduce jonc\iunea
emitor baz`, jonc\iune care controleaz` starea "robinetului"
Primele tranzistoare cu jonc\iuni erau fabricate prin extragerea unui monocristal de tip bar` dintr-o
topitur` de germaniu dopat` n; [n timpul extragerii, extrem de lente, regiunea bazei era dopat` p. Au ap`rut
apoi alte tehnologii mai perfec\ionate care au [mbun`t`\it performan\ele tranzistoarelor bipolare ob\inute.
Ast`zi se realizeaz` o gam` foarte larg` de tranzistoare, pentru diferite aplica\ii: joas` ]i medie frecven\`,
[nalt` frecven\`, aplica\ii liniare, aplica\ii de comuta\ie, etc.. {n acest manual aten\ia noastr` va fi concentrat`
asupra aplica\iilor de joas` ]i medie frecven\`. {n acest domeniu, capsulele tranzistoarelor (Fig. 4.1 e) sunt
diferite dup` m`rimea curentului maxim pe care [l pot suporta (de la 100 mA la 10 A) ]i dup` puterea termic`
pe care o pot disipa (de la 300 mW la 110 W)
Deocamdat` ne vom focaliza aten\ia numai asupra tranzistoarelor NPN; dup` ce vom [ntelege
bine cum func\ioneaz` acestea, c[nd va trebui s` utiliz`m tranzistoare PNP nu va trebui dec[t s` invers`m
sensurile tuturor tensiunilor ]i curen\ilor. De]i primul material semiconductor utilizat [n construc\ia
85
tranzistoarelor a fost germaniul, datorit` puternicei lor sensibilit`\i termice aceste tranzistoare au fost
[nlocuite complet de tranzistoarele cu siliciu; din acest motiv
vom aborda [n cele ce urmeaz` numai tranzistoarele cu siliciu,
chiar dac` nu vom men\iona de fiecare dat` acest lucru explicit.
circuit
extern
circuit
extern
circuit
extern
f)
0.6 V
circuit
extern
g)
C
B
10 V
+
_
_
+
0.6 V
10 V
+
_
h)
Fig. 4.1 f), g) ]i h). Tranzistoare bipolare: echivalen\a cu dou` diode dac` numai una din jonc\iuni este
polarizat` (e, f) ]i absen\a acestei echivalen\e c[nd ambele jonc\iuni sunt polarizate (g).
Tranzistorul are dou` jonc\iuni semiconductoare, una emitor-baz` ]i cealalt` baz`-colector. Dac`
le investig`m separat (al treilea terminal fiind l`sat [n gol), ele se comport` ca ni]te diode, a]a cum se poate
observa [n Fig. 4.1 f) ]i g). La tranzistoarele de putere mic`, jonc\iunea emitor baz` are tensiunea invers` de
str`pungere cobor[t` [n jur de 6 V; din acest motiv e bine s` privim aceast` jonc\iune ca o diod` Zener a]a
cum am figurat ]i noi [n aceste desene. Efectul de tranzistor apare atunci c[nd polariz`m ambele jonc\iuni:
cea emitor baz` [n sens direct iar cea colector baz` [n sens invers: datorit` grosimii mici a bazei, cele dou`
jonc\iuni nu func\ioneaz` independent, a]a cum ar fi f`cut-o dou` diode legate [ntre ele prin conductoare
(Fig. 4.1 h).
Aten\ie, acesta este un experiment imaginar ]i l-am construit c[t mai simplu posibil; dac` [l
[ncerca\i [n practic` ]i tensiunea sursei care polarizeaz` jonc\iunea baz`-emitor cre]te accidental cu
numai 0.180 V, curentul de emitor va cre]te de 1000 de ori ]i jonc\iunea va fi pulverizat`. {n circuitele
practice se utilizeaz` todeauna o rezisten\` legat` [n serie, pentru limitarea curentului prin jonc\iune.
86
S` vedem [n ce const` efectul de tranzistor. Dac` dorim ca tranzistorul s` func\ioneze ca un robinet

controlat, cele dou` jonc\iuni trebuie polarizate [ntr-un anumit mod: jonc\iunea emitor baz`, care va controla
robinetul, trebuie s` fie direct polarizat` (deschis`) iar jonc\iunea colector baz` trebuie s` fie invers
polarizat`.
Regimul de lucru al tranzistorului cu jonc\iunea emitor baz` deschis` iar jonc\iunea colector baz` invers
polarizat` este denumit regim activ normal.
I CB0 0
IE = 0
IC = 0
IE
_
+
0.6 V
+
_
IB
b)
a)
10 mA
IC IE
_
+
20 mA
9.9 mA
IE
IB
foarte mic
0.6 V
0.1 mA
19.8 mA
IC IE
IE
+
_
_
10 V
0.2 mA
10 mA
IC IE
IB
foarte mic
0.6 V
0.1 mA
+
_
10 V
d)
9.9 mA
IE
IB
foarte mic
0.62 V
c)
10 mA
10 V
9.9 mA
IC IE
IE
+
_
_
10 V
IB
foarte mic
0.6 V
0.1 mA
f)
e)
Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.

Polariz`m mai [nt[i jonc\iunile, separat, pe r[nd; a]a cum am spus, [n aces caz, tranzistorul se
comport` ca un ansamblu de dou` diode montate "spate la spate". Jonc\iunea emitor-baz` se deschide ]i [ntre
emitor ]i baz` circul` un curent de ordinul de ordinul mA - zeci de mA (Fig. 4.2 a). Dependen\a curentului de
tensiune este una exponen\ial`

V
F mV
IE G e
GH
EB
T
I
1J ;
JK
87
(4.1)
cu m apropiat de valoarea 2, ca la o diod` cu siliciu. {n ceea ce prive]te jonc\iunea colector baz` (desenul b),
aceasta este invers polarizat` (am desenat l[ng` simbol dioda echivalent` pentru ca acest lucru s` fie evident)
]i curentul de colector (notat cu I CB0 pentru a ar`ta c` emitorul este "[n gol") este practic nul.
Aplic`m apoi simultan sursele de tensiune, ca [n desenul c) al figurii, ]i, surpriz`, curentul de
emitor, [n loc s` circule prin terminalul bazei, circul` practic integral prin terminalul colectorului, de]i
jonc\iunea colector baz` este invers polarizat`.
Aplicarea atent` a legii curen\ilor arat` c`, de]i curentul de baz` este foarte mic, la cealalt` born`
a sursei de 0.6 V curentul este egal cu I E , la fel ca la borna legat` [n emitor. Pentru a nu complica desenul,
s`ge\ile "groase", care sugereaz` m`rimea curen\ilor, au fost desenate numai la terminalele tranzistorului.
Dac` modific`m polarizarea jonc\iunii emitor baz`, deschiz[nd-o mai mult (desenul d), curen\ii de
emitor ]i colector, r`m[n[nd [n continuare practic egali [ntre ei, cresc. Spre deosebire de circuitul cu dou`
diode,
[n tranzistor, curentul de colector este controlat de tensiunea aplicat` pe jonc\iunea emitor baz`.
Acest efect este datorat grosimii mici a bazei, mult mai mic` dec[t lungimea de difuzie a electronilor, ]i
dop`rii sale slabe; astfel, la str`baterea acesteia, electronii injecta\i din emitor au foarte pu\ine ]anse s`
[nt[lneasc` goluri ]i s` se recombine cu ele.
Mai mult, la tranzistoarele de putere mic` (sute de mW), curentul de baz` este de sute de ori mai
mic dec[t ceilal\i ]i
curentul de colector este practic egal cu cel de emitor, curentul de baz` fiind mult mai mic
dec[t ace]tia.
Chiar ]i la tranzistoarele de putere mare curentul de baz` este foarte mic, de 20 -50 ori mai mic dec[t ceilal\i
doi ]i afirma\ia anterioar` r`m[ne valabil`.
Pentru IE = 0, rezult`, conform afirma\iei anterioare c` ]i curentul ar trebui s` fie nul. La
polarizarea invers` a jonc\iunii colector baz` cu cel pu\in c[teva zecimi de volt, acest lucru nu este perfect
exact pentru c` jonc\iunea colector-baz` fiind invers polarizat`, vom avea [n colector curentul invers I CB0 al
jonc\iunii. Rela\ia ce leag` curen\ii de colector ]i emitor se scrie
IC = I E + I CB0
(4.2)
unde constanta se nume]te amplificare [n curent ([n conexiunea baz` comn`) ]i are valori foarte apropiate
de unitate (fiind [mpr`]tiat` de la exemplar la exemplar ]i dup` tipul tranzistorului aproximativ [ntre 0.95 ]i
0.998).
Pentru tranzistoarele cu germaniu, curentul I CB0 nu putea fi neglijat, mai ales c[nd temperatura
tranzistorului cre]tea, ]i din aceast` cauz` aceste tranzistoare nu se mai utilizeaz`. {n schimb, pentru
tranzistoarele cu siliciu, curentul invers al jonc\iunii colector-baz` este de aproape 1000 de ori mai mic dec[t
la cele cu germaniu. Putem, astfel, s` uit`m complet de el. Ni-l vom aminti doar atunci c[nd vom studia
efectul modific`rii temperaturii asupra caracteristicilor tranzistoarelor. }i vom trage concluzia c` nu el este
vinovatul principal.
88
}i aceasta nu e tot. Revenim la polarizarea ini\ial` a jonc\iunii emitor-baz` (desenul e) ]i modific`m

acum valoarea tensiunii care polarizeaz` invers jonc\iunea colector-baz`, cobor[nd-o chiar la zero, cu un
scurtcircuit [ntre colector ]i baz` (desenul f). Curentul de colector r`m[ne insensibil la manevra noastr` !
{n regiunea activ` normal`, curentul de colector este practic independent de tensiunea colector
baz`.
Scopul circuitelor electronice este, [n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informa\iei).

Exist` o pereche de borne de intrare, numit` port de intrare, [ntre care se aplic` o tensiune variabil` din
exterior. La o alt` pereche ce borne, numit` port de ie]ire este legat un consumator de energie pe post de
sarcin` (eventual un alt circuit). Rolul circuitului este ca starea portului de ie]ire (tensiunea ]i curentul de
ie]ire) s` fie controlat` de starea portului de intrare, dup` o anumit` rela\ie func\ional`. Pe de alt` parte, ne-ar
conveni ca starea portului de intrare s` fie influen\at` c[t mai pu\in de cea a portului de ie]ire.
Tranzistorul are numai trei terminale; astfel, unul dintre ele va trebui s` fie comun at[t portului de
intrare c[t ]i celui de ie]ire. {n configura\ia [n care am investigat noi comportarea tranzistorului, baza era
terminalul comun celor dou` porturi; am utilizat, deci, o configura\ie cu baza comun`.
{n conexiunea cu baz` comun`, portul de intrare este [ntre emitor ]i baz` iar portul de ie]ire este
[ntre colector ]i baz`, baza fiind astfel comun` celor dou` porturi.
Aceast` conexiune permite explicarea mai comod` a func\ion`rii tranzistorului pentru c` cele dou`
surse de tensiune controleaz` separat tensiunile pe cele dou` jonc\iuni. {n plus, conexiunea ofer` anumite
avantaje [n c[teva tipuri de aplica\ii.
Func\ionarea [n regim static a unui dipol poate fi descris` prin dependen\a func\ional` curenttensiune, numit` caracteristic` static`. Starea unui dispozitiv care are un port de intrare ]i unul de ie]ire, cum
este tranzistorul, este determinat`, [ns`, de patru variabile, care sunt curen\ii ]i, respectiv, tensiunile la
fiecare din porturi. Vom avea nevoie, deci, de mai multe tipuri caracteristici:
- caracteristica de intrare (dependen\a curent-tensiune la portul de intrare)
- caracteristica de ie]ire (dependen\a curent-tensiune la portul de ie]ire)
- caracteristici de transfer, care leag` o m`rime de la ie]ire (curent sau tensiune) de o m`rime de la
intrare. Dac` dorim s` [n\elegem cum se comport` tranzistorul [n circuitele [n care este utilizat, va trebui s`
vedem cum arat` caracteristicile sale statice.
1. B. Caracteristica de intrare
Prin caracteristic` de intrare [n\elegem dependen\a curent-tensiune de la portul de intrare, adic` IE
[n func\ie de VEB . De]i baza tranzistorului este ]i ea legat` la portul de intrare, curentul de baz` nu este
curent de intrare deoarece, a]a cum am subliniat anterior, la ambele borne ale sursei de tensiune care
realizeaz` controlul curentul are valoarea I E . Pentru a nu complica discu\ia, vom [n\elege aici, prin tensiunea
VEB , m`rimea (f`r` semn) a tensiunii de polarizare a jonc\iunii emitor baz`; cu alte cuvinte, nu vom mai l`sa
[n seama caracteristicii de intrare s` ne aminteasc` polaritatea necesar` pentru a ne situa [n regiunea activ`
normal`. Acela]i lucru [l aplic`m ]i pentru curentul de intrare. Aceast` abordare are avantajul c` forma
caracteristicii arat` la fel ]i pentru tranzistoarele PNP.
Caracteristica de intrare trebuie trasat` la anumite condi\ii constante la portul de ie]ire. Cum IC
este practic egal cu IE , nu pe el [l putem p`stra constant; nu avem de ales, va trebui s` p`str`m constant`
89
tensiunea de ie]ire VCB . {n aceste condi\ii, caracteristica de intrare IE = f(VEB )V = cons. este una
CB
exponen\ial`,
I E = I0 e
VEB
VT
(4.3)
tensiunea de deschidere fiind, pentru tranzistoarele bipolare cu siliciu, [n jur de 0.6 V. C[nd curentului de
colector i se ofer` o cale pe care s` circule (colectorul nu este [n gol) parametrul m este unitar deoarece baza
este foarte sub\ire ]i recombin`rile au loc exclusiv [n regiunea neutr` a colectorului. Din acest motiv
numitorul de la exponen\ial` este exact VT ]i curentul de emitor se multiplic` cu 10 la fiecare cre]tere cu 60
mV a tensiunii emitor-baz`, ca la o diod` cu germaniu.
La portul de intrare, tranzistorul nu se comport` ca un rezistor, caracteristica sa fiind neliniar` ]i
similar` cu aceea a unei diode. Pentru a caracteriza efectul unei mici varia\ii a tensiunii VEB , introducem
rezisten\a dinamic`, ce caracterizeaz` local caracteristica (depinde de punnctul unde se calculeaz`)
reb = d VEB d I E ;
(4.4)
Din rela\ia (4.3) rezult` c` ea are expresia
reb = VT I E
(4.5)
fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 , pe c[nd la 10 mA coboar`

la 2.5 .
Depinde caracteristica de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ?
{n mod ideal, ar trebui ca starea portului de ie]ire s` nu afecteze starea portului de intrare de unde se
face controlul dispozitivului. Pentru tranzistorul bipolar, acest lucru este aproximativ adev`rat. Cu toate
acestea, o analiz` mai atent` poate constata
curent de emitor (mA)
1.00
modificarea caracteristicii de intrare, dac` se
schimb` valoarea tensiunii VCB colector-baza la
care este ea trasat`. Acest efect, numit efect Early,
se pune [n eviden\` mai comod pe o scar`
logaritmic` pentru curent (Fig. 4.3) . Astfel, dac` 0.10
VCB se modific` de la 0 la 10V, caracteristica de
V CB = -10 V
VCB = 0 V
intrare este pur ]i simplu translatat` [n sus. Aceasta

[nseamn` c` putem descrie efectul fie la VEB
constant, prin [nmul\irea curentului de emitor cu un
0.01
factor de aproximativ 1.1 (cre]tere de 10 %), fie la
0.50
0.55
0.60
IE constant, fiind necesar` acum o tensiune VEB
tensiune emitor-baza (volti)
cu aproximativ 2 mV mai mic`. Cele mai multe
texte prefer` a doua variant`, afirm[nd c` la
Fig. 4.3. Modificarea caracteristicii de intrare la
cre]terea tensiunii colector-baz` scade tensiunea
varia\ia tensiunii colector baz`.
emitor baz`, factorul VEB VCB fiind [n
valoare absolut` de ordinul a 10-4 (de cele mai multe ori informa\ia c` aceasta se [nt[mpl` dac` p`str`m
constant curentul IE este omis`, produc[nd confuzie pentru [ncep`tori).
90
Observa\ie: Pentru diferite valori constante ale tensiunii de ie]ire VCB se ob\in curbe diferite
I E = f (VEB ) ; acest ansamblu de curbe este numit de multe ori "familia caracteristicilor" de intrare. Noi
vom continua s` utiliz`m [ns` o terminologie mai simpl`, vorbind despre caracteristica de intrare ]i
influen\area sa de c`tre parametrul VCB . Acest lucru va fi valabil ]i pentru celelalte tipuri de caracteristici.
1.C. Caracteristicile de transfer

M`rimea de ie]ire care este controlat` prin starea portului de intrare este curentul de colector.
Putem considera, cu egal` [ndrept`\ire, c` el este controlat fie de curentul de emitor (curentul de la portul de
intrare), fie de tensiunea emitor-baz` (tensiunea de la portul de intrare). {n ambele cazuri, parametrul care
trebuie men\inut constant este tensiunea colector baz`.
A]a cum am spus, la tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de colector este neglijabil ]i avem
[ndeplinit` rela\ia (4.2)
IC = I E .
este o linie dreapt`, practic identic` cu prima
Cum 1, caracteristica de transfer IC = f(IE )
VCB = cons.
bisectoare. La modificarea tensiunii VCB , factorul de amplificare se modific` extrem de pu\in, cresc[nd
cam cu 104 vol.

Consider[nd c` tensiunea emitor baz` controleaz` curentul de colector, caracteristica de transfer
IC = f(VEB )
este descris` de rela\ia
VCB = cons.
IC = I se
VEB
VT
(4.6)
dac` privim tranzistorul ca un robinet controlat de tensiune, func\ionarea sa este foarte neliniar`. Pentru
tensiuni p[n` la 0.6 V curentul este nesemnificativ, pentru ca apoi cre]terea s` fie exploziv`. Avem, de fapt,
aceea]i comportare de la dioda cu germaniu:
dublare a curentului la fiecare cre]tere cu 18 mV ]i multiplicare cu 10 la fiecare cre]tere de 60 mV.
Pentru a caracteriza sensibilitatea controlului se define]te un parametru dinamic, numit
transconductan\` dinamic`
gm =
d IC
d VEB ;
(4.7)
se poate ar`ta imediat c`
I
gm = C
VT
(4.8)
91
unde IC este valoarea [n jurul c`reia s-a calculat transconductan\a iar VT este poten\ialul termic (25 mV la
temperatura camerei).
1.D. Caracteristica de ie]ire

P`strind constant` intensitatea curentului de emitor, caracteristica de ie]ire IC = f(VCB ) are forma
din Fig. 4.4 a), adic` o dreapt` orizontal`. Ecua\ia care descrie caracteristica este IC = IE ]i cum IE este
constant....C[t de constant este, [ns`, factorul la varia\ia tensiunii colector baz` ? El variaz` cam cu 10-4
pe volt ]i cum noi am produs o varia\ie de 10 V, curentul de colector a crescut cam cu o miime din valoare
lui, cre]tere insesizabil` cu un aparat de m`sur` analogic (cu ac indicator) ]i la fel de insesizabil` pe graficul
nostru).
Tranzistorul se comport` la portul de ie]ire ca o surs` de curent aproape ideal`, a]a cum este ar`tat
[n desenul c) al figurii. La o valoare a curentului de 1 mA, rezisten\a ei echivalent` este de ordinul a
10V
10V
=
= 10 M . Cum la aceea]i modificare a tensiunii colector-baz` varia\ia curentului
I E 10-3 1mA 10-3
este propor\ional` cu valoarea sa ini\ial`, valoarea rezisten\ei este invers propor\ional` cu valoarea
curentului de emitor.
IC (mA)
IC (mA)
6
5
4
3
2
1
0
6
IC(0)5
IE = constant = 5 mA
4
6
VCB (V)
10
4
3
2
1
0
V
rcb = CB
IC
VEB = constant
a)
10
b)
IC
(0)
IC
c)
4
6
VCB (V)
rcb
C
+
V CB
B
Fig. 4.4. Caracteristica de ie]ire ]i modelarea portului de ie]ire.

Ce s-ar fi [nt[mplat dac` ne-am fi hot`r[t s` p`str`m, la portul de intrare, tensiunea emitor-baz`
constant` [n locul curentului de emitor ? De data aceasta, [n expresia IC = IE , s-ar fi modificat ]i ]i
valoarea IE a curentului de emitor iar caracteristica de ie]ire ar fi ar`tat ca [n Fig. 4.4 b), curentul de colector
92
modific[ndu-se aproximativ cu o zecime din valoarea sa atunci c[nd tensiunea colector baz` variaz` de la zero
la 10 V. C[nd am discutat modificarea caracteristicii de intrare la varia\ia tensiunii de ie]ire am remarcat pe
graficul din Fig . 4.3 o varia\ie a curentului de emitor de 10%. Cum variaz` extrem de pu\in, aceasta este
acum cauza principal` a varia\iei curentului de colector. Acum portul de ie]ire nu mai este a]a de aproape de
o surs` ideal` de curent: rezisten\a sa dinamic`, calculat` tot la un curent de 1 mA este [n jur de
10V
= 100k , performan\` ce este de 100 de ori mai modest` dec[t [n cazul [n care men\ineam IE
1mA 10-1
constant.
Cine p`streaz` constant curentul de emitor [n circuitele practice ?
curentul de emitor (mA)
RE
IE
IC
6
5
_
+
IB
+
_
VCB
panta = -
4
3
1
RE
E
2
1
a)
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
tensiunea emitor-baza (volti)

b)
(0)
0.1 I C
noul PSF
c)
(0)
IC
2 mV
dreapta de
sarcina
Fig. 4.5. Modificarea PSF de la intrare la varia\ia tensiunii colectr-baz` [n cazul unui circuit
practic.
{n circuitele practice nu se p`streaz` nici tensiunea VEB constant` (nu ne convine pentru c`
performan\ele sunt modeste) ]i nici IE (ne-ar trebui o surs` ideal` de curent, or tocmai asta vrem s` realiz`m
cu tranzistorul nostru). Jonc\iunea emitor baz` este polarizat` cu un circuit care con\ine o surs` de tensiune E
]i un rezistor cu rezisten\a RE , ca [n Fig. 4.5 a). Punctul de func\ionare (curentul de emitor ]i tensiunea
emitor baz`) se g`se]te la intersec\ia caracteristicii cu dreapta de sarcin`, care are panta
IE VEB = 1 RE , a]a cum se vede [n Fig. 4.5 b).
Metoda dreptei de sarcin` a fost descris` pe larg [n Cap. 3 la pag. 66.
Pentru a urm`ri cum se modific` acest punct de func\ionare (PSF) la schimbarea tensiunii colectorbaz`, cele mai comode sunt coordonatele liniare (desenul c al figurii). S` presupunem c` la VCB = 0 punctul
93
(0)
de func\ionare se g`se]te la ICB
. La cre]terea tensiunii colector baz` la valoarea de 10 V, avem o nou`
caracteristic` de intrare: cunoa]tem dou` puncte de pe aceasta, punctul M la 2 mV la st[nga pe orizontal` ]i
(0)
punctul M cu o zecime din ICB
mai sus, pe vertical` ca [n desenul c) al figurii.
Este evident din figur` c` tensiunea emitor baz`-emitor scade cu mai pu\in de 2 mV. Din acest
motiv ve\i [nt[lni [n multe texte afirma\ia c` "tensiunea emitor baz` scade cu 2 mV..."; aceasta trebuie
[n\eleas` [n sensul cazului cel mai defavorabil: "tensiunea scade cu cel mult 2 mV..." Putem deduce imediat
c` valoarea curentului de emitor cre]te cu mai pu\in de 2mV RE . Dac` pe rezisten\a RE am fi acceptat s`
(0)
pierdem o tensiune IE
RE = U RE , varia\ia relativ` a curentului de emitor IE IE(0)ar fi mai mic` dec[t
2mV
. Cu o c`dere de tensiune de 2 V pe rezisten\a din emitor (ceea ce nu constituie o problem`), curentul
U RE
de emitor cre]te la varia\ia cu 10 V a tensiunii colector baz` cu numai o miime din valoarea sa; efectul este
de aceea]i m`rime cu cel produs de varia\ia factorului .
{n concluzie, la o varia\ie de 10 V a tensiunii colector baz`, curentul de colector cre]te cu
0.2 - 0.5 %. Aceasta este performan\a pe care ne-o poate oferi sursa de curent realizat` cu circuitul simplu din
Fig. 4.5 a). Dac` o exprim`m [n termeni de rezisten\` dinamic` a portului de colector, la un curent de 1 mA,
ob\inem o valoare [n jur de 2 - 5 M.
Rezisten\a dinamic` ob\inut` va fi, [ns`, invers propor\ional` cu valoarea curentului.
1.E. Satura\ia tranzistorului

Ce condi\ie trebuie s` respect`m pentru ca
portul colector-baz` s` se comporte ca o surs` de
curent ? Din Fig. 4.4 a) rezult` c` dac` tensiunea
colector baz` este mai mare ca zero, totul este [n
regul`. Aceast` tensiune nu poate dep`]i o anumit`
valoare maxim`, peste care jonc\iunea colector-baz`
se str`punge invers. Dar dac` polaritatea tensiunii VCB
IC (mA)
jonctiunea colector-baza jonctiunea colector-baza
polarizata direct
polarizata invers
1
IE = 1 mA
0
-0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
se schimb` ? Jonc\iunea colector baz` devine direct

polarizat` ]i, dup` dep`]irea tensiunii de deschidere,
VCB (V)
-1
prin ea [ncepe s` treac` un curent din ce [n ce mai
mare, care are sensul invers celui determinat de
curentul de emitor. Astfel, curentul total de colector
[ncepe s` scad` (Fig. 4.6), ajunge la zero, schimb` Fig. 4.6. Caracteristica de ie]ie la inversarea
sensul ]i cre]te [n continuare puternic ([n valoare polarit`\ii tensiunii colecor baz`.
absolut`), deoarece devine dominant curentul de
conduc\ie direct` al jonc\iunii colector-baz`.
{n regiunea [n care jonc\iunea colector-baz` este deschis`, numit` regiune de satura\ie, rela\ia IC = IE
[nceteaz` s` mai fie respectat` ]i curentul de colector nu mai este controlat de portul de intrare.
Pentru ca tranzistorul s` se comporte sigur ca o surs` de curent, tensiunea VCB trebuie s` fie cuprins` [ntre
valoarea zero ]i valoarea VCB max specificat` de fabricant. Aceasta este complian\a de tensiune a sursei de
curent realizat` cu tranzistorul nostru.
94
Utilizarea unei surse de curent nu se face, [ns`, prin cuplarea direct` la bornele sale a unei surse de
tensiune ci prin intercalarea unei sarcini care s` beneficieze de curentul constant al sursei de curent, ca [n
Fig. 4.7 a). {n general, parametrul care se modific` este valoarea rezisten\ei de sarcin` ]i vom analiza evolu\ia
punctului de func\ionare prin metoda dreptei de sarcin`.
R s = E C I0
sarcina R s
IC (mA)
N
R s > E C I0
RE
Rs = 0
M
I0
O
IE
_
+
I0
+
_
EE
EC
Rs =
-0.8
-0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
EC
a)
2.0
- VCB (V)
b)
Fig. 4.7. Efectul modific`rii rezisten\ei de sarcin` cuplat` la sursa de curent.

La polarizare invers` a jonc\iunii colector baz`, portul colector-baz` se comport` ca o surs` de
curent de valoare I0 . Pe de alt` parte, intersec\ia cu axele ale dreptei de sarcin` sunt situate la EC ]i EC Rs.
Dac` sarcina este un scurtcircuit ( Rs = 0), dreapta este vertical` ]i punctul de func\ionare este [n pozi\ia M,
[n regiunea unde portul colector-baz` se comport` ca o surs` de curent. Pe m`sur` ce rezisten\a de sarcin`
cre]te, punctul de func\ionare se deplaseaz` spre st[nga pe caracteristica de ie]ire a tranzistorului. Atunci c[nd
Rs = EC I0 , toat` tensiunea sursei EC cade pe rezisten\a de sarcin` ]i tensiunea colector-baz` ajunge la
valoarea zero (punctul de func\ionare N); aici, [nc` portul de ie]ire se comport` ca o surs` de curent.
Cre]terea rezisten\ei de sarcin` peste valoarea Rs = EC I0 duce, [ns`, la schimbarea polarit`\ii
tensiunii colector-baz` de]i sursa de alimentare nu ]i-a modificat polaritatea (punctul O pe figur`).
Jonc\iunea colector baz` [ncepe s` devin` direct polarizat` ]i apoi se deschide.
Regimul de func\ionare al tranzistorului cu ambele jonc\iuni deschise se nume]te regim de
satura\ie ; [n acest regim circuitul [nceteaz` s` se mai comporte ca o surs` de curent.
Cum structura tranzistorului este simetric`, emitorul ]i colectorul av[nd acela]i tip de dopare iar ambele
jonc\iuni sunt deschise,
[n regimul de satura\ie poten\ialele colectorului ]i emitorului devin practic egale.
La cre]terea [n continuare a rezisten\ei de sarcin`, punctul de func\ionare se deplaseaz` [n jos,
ajung[nd la limita Rs = (circuit [ntreupt [n colector) la valoarea IC = 0, a]a cum era de a]teptat. Trebuie
men\ionat c` [n regiunea de saturatie curenntul de colector [nceteaz` s` mai fie controlat de curentul de
emitor.
{n concluzie,
95
pentru ca tranzistorul s` se comporte ca surs` de curent, rezisten\a de sarcin` din colector trebuie s` aib`
valoarea [ntre zero (scurtcircuit) ]i Rs = EC I0 .
1.F. Dep`]irea dificult`\ilor conexiunii baz` comun`

Am v`zut c` efectul fundamental al tranzistorului este controlul curentului de colector (independent
de tensiunea colector baz`) de c`tre curentul de emitor. Caracteristica de transfer IC = f(VEB )
VCB = cons.
este una exponen\ial` ]i, pentru a putea face acest lucru, jonc\iunea baz`-emitor trebuie, mai [nt[i, deschis`
prin aplicarea unei tensiuni [n jur de 0.6 V; aceasta stabile]te un curent de repaus (quiescent [n lb. englez`).
Opera\ia este numit` polarizare (bias [n lb. englez`). Peste regimul de repaus se adun`, apoi, mici varia\ii
provocate de o surs` de semnal (de exemplu, un microfon) care modific` pu\in tensiunea emitor-baz`
VEB = rbe I E , a]a cum se observ` [n Fig. 4.8. Modificarea curentului de colector I C = I E provoac`,
datorit` valorii mari a rezisten\ei RC (mult mai mari dec[t a rezisten\ei dinamice reb egal` cu c[teva zeci de
), varia\ii ale tensiunii de colector de sute de ori mai ample dec[t ale tensiunii de intrare.
VC
3V
15 V
R C 10 k
Vs
+5 mV
0
-5 mV
Vs
IB
_
+
IC IE
IE
+
_
30 V
0.6 V
Fig. 4.8. Amplificarea varia\iilor tensiunii de intrare.

Tranzistorul este, f`r` [ndoial` un consumator de energie. Cu toate acestea, dac` lu`m [n
considera\ie numai varia\iile, acestea au la ie]ire o putere electric` mai mare dec[t cea de la intrare; diferen\a
este, desigur, furnizat` de sursa de alimentare din colector, tranzistorul control[nd numai modul [n care
aceast` energie este furnizat` sarcinii. Pentru c` reu]e]te s` "amplifice" puterea semnalului variabil,
tranzistorul este considerat [n electronic` un element activ de circuit. Nu trebuie s` uit`m, [ns`, c` acest
lucru este aparent ]i valabil numai pentru varia\ii.
Circuitul din Fig. 4.8 prezint`, [ns`, inconveniente majore, ce afecteaz` at[t sursa de tensiune
continu` necesar` pentru polarizare c[t ]i sursa de semnal. {n ceea ce prive]te polarizarea, cele dou` surse de
tensiune continu` au polarit`\i opuse fa\` de borna lor comun` ]i va trebui obligatoriu s` construim dou`
surse de alimentare diferite. Aceast` variant` este complet neeconomic` ]i este evitat` prin deplasarea
sursei de polarizare l[ng` terminalul bazei, ca [n Fig. 4.9 a). Pentru a p`stra 25 V [ntre colector ]i baz`,
cre]tem cu 0.6V tensiunea sursei din ochiul colectorului. Aceasta dac` suntem exagerat de scrupulo]i; putem
la fel de bine s` nu o facem deoarece ]tim c` o varia\ie de 0.6 V a tensiunii colector baz` nu afecteaz` practic
func\ionarea tranzistorului. {n acest mod, am reu]it s` facem ca ambele surse de tensiune continu` s` fie
legate cu borna negativ` la mas`; putem s` construim o singur` surs` de alimentare de 25 V, iar tensiunea de
96
0.6 V s` o realiz`m cu un divizor rezistiv, ca [n desenul b) al figurii. Mai mult, acum curentul care str`bate
sursa este curentul de baz`. Merit` s` exprim`m valoarea acestuia
IB = IE IC = IE (1 ) IC (1 ) ;
(4.9)
cum este foarte aproape de unitate, factorul (1 ) are valori sub 1100. {n consecin\`, sursa de polarizare
va trebui s` debiteze un curent sub o zecime de mA, u]ur[nd astfel realizarea divizorului rezistiv. Aceasta
este [ntodeauna solu\ia aleas` [n circuitele practice.
IC IE
IE
IC IE
IE
RC
0.6 V
+
_
IB
foarte mic
+
_
IB
0.1 mA
25.6 V
+
0.6 V
-
a)
+
_
25 V
R2
b)
IC IE
IE
1 mA
R1
IB
semnal
Vs
polarizare
+
_
0.6 V
IC IE
IE
+
_
IB
semnal
25 V
c)
Vs
polarizare
+_
0.6 V
+
_
25 V
d)
Fig. 4.9.
S` ne ocup`m acum ]i de sursa de semnal, care produce varia\ia curentului de colector. Pe circuitul
cu baz` comun` (Fig. 4.8) sursa de semnal trebuie s` debiteze curen\i IE = IC egali cu cei pe care [i
controleaz`. Cu alte cuvinte, dac` dorim s` control`m curentul de [nc`lzire de 10 A al unui cuptor, va trebui
s` avem o surs` de semnal capabil s` vehiculeze ]i ea 10 A. Cam nepl`cut, nu ? Rezolvarea dificult`\ii se
face deplas[nd ]i sursa de semnal l[ng` terminalul bazei, ca [n Fig. 4.9 c). Curentul de intrare este acum
curentul de baz`, curentul cerut de la sursa de semnal fiind de o sut` de ori mai mic dec[t [nainte. Putem
acum controla curentul de 10 A ai cuptorului cu un curent de numai 0.1 A; [l putem ob\ine chiar ]i de la o
baterie de lantern`.
{n noua configura\ie, [n care emitorul este comun, curentul de colector este controlat de curentul
de baz`. Dependen\a se ob\ine simplu, din legea curen\ilor ]i IC = IE
IC =
IB = IB .
1
97
(4.10)
Deoarece aceast` conexiune este de departe cea mai utilizat`, factorul , numit factor de amplificare [n
curent [n conexiunea emitor comun, este parametrul interesant [n aplica\ii.
Exist`, [ns`, aplica\ii unde conexiunea cu baz` comun` ofer` anumite avantaje. {n aceste cazuri,
de]i sursa de polarizare s-a deplasat l[ng` terminalul bazei, sursa de semnal r`m[ne [n ochiul emitorului (Fig.
4.10 d).
1.G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare

sarcina
sarcina
RE
IC
IE
_
+
RE
EE
IB
EC
a)
IC
IE
+
_
IB
+
_
+
_
EC
EE
b)
Fig. 4.10 a) ]i b). Sursa de curent cu tranzistor NPN.

Am v`zut c` dac` polariz`m jonc\iunea emitor-baz` trec[nd curentul de emitor printr-un rezistor pe
care pierdem c[\iva vol\i, portul de ie]ire dintre colecor ]i baz` se comport` ca o surs` de curent cu rezisten\a
echivalent` de ordinul M. S` relu`m schema circuitului, ca [n Fig. 4.10 a) unde am desenat ]i o sarcin`,
care nu este neap`rat liniar` ]i care se poate modifica [n timp. Circuitul prezint` un inconvenient pe care
tocmai l-am discutat: cele dou` surse au polarit`\i diferite fa\` de borna comun` (baza). Utiliz`m trucul
prezentat acolo, deplas[nd una din surse de-a lungul ochiului de circuit, ca [n desenul b) al figurii. Realiz`m
apoi aceast` surs` cu un divizor rezistiv (Fig. 4.10 c). Nu mai r`m[ne dec[t s` redesen`m schema mai elegant,
cu linia de poten\ial ridicat [n partea de sus a figurii, s` alegem ca nod de mas` borna negativ` a sursei de
alimentare ]i, [n final, s` renun\`m la desenarea explicit` a sursei de alimentare, trec[nd doar valoarea ei.
Ceea ce am ob\inut (desenul d) este configura\ia tipic` [n care ve\i g`si [n scheme sursa de curent cu
tranzistor NPN.
Va trebui s` [nv`ta\i s` o desena\i [n aceast` form` ]i s` [n\elege\i func\ionarea sa [n aceast`
form`. Aceasta este extrem de simpl`: curentul de baz` fiind foarte mic, divizorul format din rezistoarele R 1
]i R2 este practic ne[nc`rcat ]i men\ine constant` tensiunea notat` pe schem` cu U 2. Cum ]i tensiunea
emitor baz` este practic constant`, rezult` c` tensiunea pe rezistorul din emitor este constant`, deci curentul
de emitorul este men\inut constant. {n final nu trebuie dec[t s` v` aminti\i c` valoarea curentului de colector
este practic egal` cu aceea a curentului de emitor:
UV
W
U 1 = const
.
U RE = const
. IE = const
. IC = cons.
VEB = const
.
98
+ V alim
sarcina
RE
+ V alim
sarcina
R1
IC
IE
IB
R2
R1
V alim
+
_
+
U2
+
0.6 V R2
IC
IE
sarcina
RE
complianta de tensiune : VE < VC V alim

c)
d)
Fig. 4.10 c) ]i d). Sursa de curent cu tranzistor NPN, realizare practic`.

V alim
}i acum, merit` s` ne aducem aminte

+
+
c` exist` ]i tranzistoare bipolare PNP la care
RE
V alim
sensurile tensiunilor ]i curen\ilor sunt inverse R 1
U1 fat` de cele de la tranzistoarele NPN. Cu un
IE
_ UEB +
asemenea tranzistor NPN, sursa de curent arat`
ca [n Fig. 4.11. {ntre cele dou` surse de curent
IC
exist` o deosebire esen\ial`: sursa cu tranzistor
PNP debiteaz` curent [nspre nodul de mas` R 2
(fiind legat` cu o born` la alimentarea pozitiv`)
sarcina
sarcina
[n timp ce sursa cu tranzistor NPN absoarbe
curent [nspre nodul de mas`, fiind legat` cu o
born` la mas`. Din acest motiv, aceasta din urm`
se mai nume]te uneori [n limba englez` "current
complianta de tensiune : 0 VC < VE
sink" (absorbant de curent).
Trebuie s` ne [ntreb`m, pentru aceste
Fig. 4.11. Surs` de curent cu tranzistor PNP.
surse, c[t de mare este complian\a de tensiune. Pe
de o parte poten\ialul colectorului poate s`
ajung` p[n` la borna sursei de alimentare, cea de mas` [n circuitul cu tranzistor PNP ]i, respectiv, cea de
poten\ial pozitiv [n circuitul cu tranzistor NPN. Pe de cealalt` parte, excursia acestui poten\ial este limitat` de
intrarea [n satura\ie a tranzistorului, prin deschiderea jonc\iunii colector baz`. {n am[ndou` circuitele,
indiferent de tipul tranzistorului, la satura\ie poten\ialul colectorului devine practic egal cu cel al emitorului,
aceasta fiind a doua limit` a domeniului permis pentru poten\ialul colectorului.
Procedur` de proiectare
Cum proiect`m o surs` de curent cu tranzistor NPN ca cea din Fig. 4.10, alimentat` la 12 V ]i care
s` debiteze un curent I0 = 2 mA ? Mai [nt[i ne hot`r[m c[t de mare s` fie tensiunea pierdut` pe rezisten\a
din emitor. Dac` va fi prea mic`, sursa va fi mai departe de idealitate, deoarece a]a cum am v`zut c[nd am
99
discutat caracteristica de ie]ire, curentul de emitor va suferi varia\ii mai mari. Pe de alt` parte, dac` aceast`
c`dere de tensiune va fi prea mare, va diminua complian\a de tensiune a sursei de curent. Astfel, o tensiune
de 1- 2 vol\i pierdut` pe rezisten\a din emitor este o alegere rezonabil`.
Cunoa]tem, deci, poten\ialul emitorului. Din legea lui Ohm rezult` imediat valoarea rezisten\ei din
emitor
RE = VE I0 = 2 V 2 mA = 1 k .
Tot din poten\ialul emitorului rezult` poten\ialul bazei, cu 0.6 V mai ridicat,
VB = VE + 0.6 V= 2.6 V.
Mai r`m[ne s` proiect`m divizorul rezistiv. Cum valoarea curentului de baz` va fi cam de
IB = I0 I0 100, valoarea curentului prin divizor va trebui s` fie de cel pu\in 10 ori mai mare, adic`
I0 10. Rezult`, astfel, suma celor dou` rezisten\e
R1 + R2 < 10 Valim I0 = 60 k .
Raportul celor dou` rezisten\e se ob\ine cu regula de trei simpl`, din raportul tensiunilor care cade pe ele
R1 Valim VB 9.4 V
=
=
= 3.6.
R2
VB
2.6 V
Putem opta, de exemplu, pentru valorile R2 = 12 k ; R1 = 43 k , care sunt standardizate.
{n Fig. 4.12, ave\i reprezentat` sugestiv procedura de proiectare pe care am utiliazt-o.
+ V alim
sarcina
R1
I0
3. VB = VE + 0.6 V
4.
R 1 + R 2 < 10 V alim
R 1 R 2 = V alim
VB
I0
VB - 1
VE
1. alegem potentialul VE
de 1-2 volti
R2
RE
2.
R E = VE I0
complianta de tensiune : VE < VC V alim
Fig. 4.12. Procedura de proiectare a unei surse de curent cu tranzistor NPN.
100
Enun\uri frecvent utilizate

(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
-Tranzistorul bipolar cu jonc\iuni (BJT) este constituit din trei regiuni semiconductoare,
emitorul, baza ]i colectorul. Tipul de dopare al emitorului ]i al colectorului este diferit de cel al bazei,
care este foarte sub\ire. Apar astfel, dou` jonc\iuni, emitor-baz` ]i colector-baz`.
-Dup` tipul regiunilor, exist` tranzistoare PNP ]i tranzistoare NPN, pentru care se utilizeaz`
C
PNP
PNP
E
E
]i
. S`geata arat` [ntodeauna sensul [n care conduce
simbolurile
jonc\iunea emitor baz`; de aici pute\i determina u]or sensurile curen\ilor de emitor ]i de baz`.
-Func\ionarea tranzistorului [n regiunea activ` normal` este cu jonc\iunea emitor-baz` direct
polarizat` (deschis`) iar jonc\iunea colector-baz` invers polarizat`.
-{n aceast` situa\ie IC = IE , curentul de colector fiind practic egal cu cel de emitor (cu o
precizie [n jur de 1 %); pute\i, de aici, s` gasi\i sensul curentului de colector, dac` cel de emitor intr`
[n tranzistor, cel de colector trebuie s` ias` ]i reciproc (din legea curen\ilor).
- {n conexiunea cu baza comun`, portul de intrare este [ntre emitor ]i baz` iar portul de ie]ire
este [ntre colecor ]i baz`: baza este, astfel, comun` celor dou` porturi.
- Portul de intrare se comport` ca o diod`, caracteristica sa fiind foarte pu\in afectat` de
valoarea tensiunii de ie]ire (colector baz`).
- La portul de ie]ire, tranzistorul se comport` ca o surs` de curent comandat` de starea
portului de intrare. Comportarea este foarte apropiat` de aceea a unei surse de curent constant ideale
dac` se men\ine constant curentul de emitor. {n circuitele practice, [n care polarizarea jonc\iunii
emitor baz` se face cu o surs` de tensiune ]i un rezistor, performan\ele nu sunt mult [nrùt`\ite,
rezisten\a echivalent` av[nd valori de ordinul M.
- Dac` rezisten\a sarcinii are valori prea mari, tranzistorul ajunge [n regiunea de satura\ie,
unde jonc\iunea colector baz` se deschide ]i rela\ia IC = IE nu mai este respectat`.
- Circuitele cu tranzistoare PNP ]i respectiv NPN, cu care se realizeaz` [n practic` surse de
curent au configura\iile:
V alim
R1
V alim
RE
R1
I0
tranzistor
PNP
sarcina
tranzistor
NPN
I0
R2
R2
sarcina
RE
-Cel cu tranzistor PNP trimite spre mas` un curent constant pe c[nd cel cu tranzistor NPN
absoarbe [nspre mas` un curent constant.
101
Termeni noi
-tranzistor bipolar cu jonc\iuni
-tranzistoare PNP
-tranzistoare NPN
-factorul
-port
-conexiunea baz` comun`
-caracteristic` de intrare
-caracteristic` de ie]ire
-conexiunea emitor comun

-factorul
- satura\ie
- polarizarea tranzistorului
(bias)
- curent de repaus
(quiescent)
dispozitiv semiconductor constituit din trei regiuni, emitorul, baza

]i colectorul [ntre care se formeaz` dou` jonc\iuni, emitor-baz` ]i
colector-baz`; baza trebuie s` aib` grosimea foarte mic` ]i s` fie
mult mai slab dopat`;
tranzistoare bipolare cu jonc\iuni la care emitorul ]i colectorul sunt
de tip p iar baza de tip n;
tranzistoare bipolare cu jonc\iuni la care emitorul ]i colectorul sunt
de tip n iar baza de tip p;
factorul de propor\ionalitate [ntre curentul de colector ]i cel de
emitor, [n func\ionare normal` (factor de amplificare [n curent [n
conexiunea baz` comun`); are valori [ntre 0.95 ]i 0.995;
pereche de borne [ntre care se aplic` sau se extrage un semnal de
tensiune;
configura\ia [n care tranzistorul bipolar este legat astfel [nc[t baza
s` fie comun` at[t portului de intrare (emitor-baz`) c[t ]i celui de
ie]ire (colector-baz`)
dependen\a curent-tensiune la portul de intrare, [n condi\ii ale
portului de ie]ire bine precizate (adesea tensiune constant`);
dependen\a curent-tensiune la portul de ie]ire, [n condi\ii ale
portului de ie]ire bine precizate (adesea tensiune constant` sau
curent constant);
configura\ia [n care tranzistorul bipolar este legat astfel [nc[t
emitorul s` fie comun at[t portului de intrare (baz`-emitor) c[t ]i
celui de ie]ire (colector-emitor);
factorul de propor\ionalitate [ntre curentul de colector ]i cel de
baz`, [n func\ionare normal` (factor de amplificare [n curent [n
conexiunea emitor comun); are expresia = (1 )av[nd
valori peste o sut`;
regim de func\ionare al tranzistorului [n care jonc\iunea colectorbaz` ajunge s` fie deschis`; [n acest regim curentul de
colector nu mai este controlat de curentul de emitor;
stabilirea unui regim de curent continuu, prin deschiderea
jonc\iunii baz`-emitor, regim peste care se suprapun apoi varia\iile
ce reprezint` semnalul care con\ine informa\ia;
curentul regimului de curent continuu produs de polarizare; poate
fi m`surat [n absen\a varia\iilor produse de sursa de semnal;
102
Probleme rezolvate
Problema 1.
Circuitul din Fig. 4.13 este o surs` de curent. Schema este desenat` a]a cum o pute\i [nt[lni [n
textele de electronic` ]i pentru a o [n\elege trebuie s` facem c[teva preciz`ri asupra conven\iilor utilizate de
;
electroni]ti. {n primul r[nd, observ`m o mul\ime de elemente legate cu un cap`t la un simbol de forma
este simbolul pentru nodul de mas`, toate aceste puncte sunt legate [ntre ele prin firul (sau planul) de mas`
care nu se mai deseneaz` explicit pentru a nu complica schema. O alt` deosebire fa\` de schemele
desenate de noi p[n` acum apare [n privin\a surselor de alimenatre care nu se mai deseneaz` nici ele
explicit, cu simbolurile corespunz`toare lor. Cum ele sunt legate [ntodeauna cu un cap`t la mas`, se
deseneaz` pur ]i simplu un cercule\ (dac` se mai deseneaz` ]i acela) ]i se scrie valoarea tensiunii sursei,
fa\` de mas`. Ultima observa\ie este legat` de valoarea rezisten\elor: atunci c[nd se utilizeaz` un prefix (kilo
sau mega) nu se mai trece simbolul . De multe ori, a]a cum se [nt[mpl` la marcarea rezistoarelor, prefixul
[nlocuie]te delimitatorul zecimal: 2k2 [nseamn` 2.2 k iar M22 [nseamn` 0.22 M.
V alim
V alim
15 V
RE
5.1 k
R1
4.7 k
+
R1
4.7 k
10.2 V
IB -
I0
R2
10 k
sarcina
15 V
RE
5.1 k
10.8 V
IE 0.82 mA
I0
0.82 mA
R2
10 k
sarcina
b)
a)
Fig. 4.13. Surs` de curent.

a) Calcula\i valoarea curentului furnizat de aceast` surs`. ]tiind c` tranzistorul are factorul de cel
pu\in 100.
b) Modifica\i apoi circuitul astfel [nc[t s` ob\ine\i o surs` de curent de 5 mA.
Rezolvare
a) Desen`m sensurile curen\ilor, ca [n Fig. 4.13 b). Pentru aceasta ne aducem aminte c` sensul
s`ge\ii de pe simbolul tranzistorului ne d` sensul curentului [n jonc\iunea baz` emitor. Avem, deci, sensul
curentului de baz` ]i al celui de emitor. Curentul intr` [n emitorul tranzistorului ]i, cum curentul de colector
este practic egal cu cel de emitor, curentul de colector iese din tranzistor.
Divizorul format din rezisten\ele R1 ]i R2 determin` poten\ialul bazei. Trebuie s` afl`m, mai [nt[i
dac` putem s` consider`m c` el este practic ne[nc`cat de curentul cerut de baz`. Pentru aceasta estim`m rapid
curentul de baz`. Curentul de colector (egal practic cu cel de emitor) nu poate fi mai mare de
15 V 5.1 k 3 mA (ar lua aceast` valoare dac` pe sarcin` ]i [ntre colector ]i emitor nu ar c`dea de loc
IB = IC
> 100, rezult` c`, [n func\ionare normal`,
]i
tensiune).
Deoarece
103
IB < 3 mA 100= 0.03 mA = 30 A . Pe de alt` parte, prin divizorul ne[nc`rcat ar circula un curent de
15 V (10 k + 4.7 k ) 1 mA . Acesta este mai mare de 1 0.03 33 ori dec[t curentul cerut de baza
tranzitorului. Cu o aproxima\ie rezonabil` (1 33 3% ) putem considera c` divizorul nu este [nc`rcat de
curentul bazei.
Cu aceasta, poten\ialul bazei rezult` aplic[nd regula de trei simpl`
VB =
10 k
15 V= 10.2V ;
10 k + 4.7 k
cel al emitorului fiind cu aproximativ 0.6 V mai sus
VE = 10.8 V.
Nu mai avem dec[t s` aplic`m legea lui Ohm pe rezisten\a RE
V
V
15 V-10.8 V
IE = a lim E =
= 0.82 mA
RE
5.1 k
]i s` ne aducem aminte c` [n colector curentul este egal practic cu cel din emitor
IC = IE = 0.82 mA .
b) Trebuie s` modific`m circuitul astfel [nc[t sursa de curent s` debiteze 5 mA. Avem dou`
variante, fie modific`m divizorul rezistiv, fie modific`m valoarea rezistorului din emitor. Cea de-a dou` este
mai tentant`, at[t calculele c[t ]i [nlocuirea efectiv` fiind mai simpl`, deoarece este vorba de o singur`
rezisten\`. Cum valoarea sursei de curent este egal` cu intensitatea curentului din emitor, scriem din nou
legea lui Ohm pe rezisten\a RE
V
V
15 V-10.8 V
IE = 5 mA = a lim E =
RE
RE
de unde rezult` RE = 0.84 k = 840 .
{n aceste condi\ii, curentul de baz` ajunge 0.05 mA, de 20 de ori mai mic dec[t curentul prin
divizor, care poate fi considerat [n continuare ne[nc`rcat. Valoarea 840 nu este standardizat` [n seria E12
(vezi Anexa 1), cea mai apropiat` fiind cea de 820 . Cu ea sursa de curent debiteaz` 5.1 mA; dac` dorim s`
avem o valoare mai precis`, \in[nd seama ]i de faptul c` noi am f`cut [n calcul o seam` de aproxima\ii
(divizorul ne[nc`rcat, tensiunea emitor baz` egal` cu 0.6 V), cel mai bine este s` realiz`m rezistorul RE
dintr-o combina\ie serie: o rezisten\a semireglabil` de 250 (mai mic` este greu de g`sit) ]i una fix`,
standardizat`, de 680 . {n acest fel, valoarea lui RE va putea fi ajustat` [ntre 680 ]i 930 "la cald", [n
timp ce m`sur`m cu un miliampermetru curentul furnizat de sursa de curent.
Problema 2.
Circuitul din Fig. 4.14 este utilizat [ntr-un amplificator de anten` pentru recep\ia de televiziune,
func\ion[nd [n banda FIF, canalul 6 (aproximativ 175-180 MHz). Alimentarea este realizat` cu o surs` de
6 V, legat` cu minusul la mas` ]i cu borna pozitiv` la cap`tul comun al rezisten\elor R 1 ]i R2.
104
in
C 1 1 nF
IE
IC
R1
1k
C2
1 nF
IB
L1
L2
C 6 3.3 pF out
C4
5.6 pF
R2
R3
2.2k
2.2k
C5
R4
5.6 pF
1k
C3
33 pF
+6 V
Fig. 4.14. Amplificator de anten` TV.

a) Determina\i, cu aproxima\ie de c[teva procente, punctul static de func\ionare al tranzistorului.
Calcula\i, apoi, rezisten\ele dinamice ale porturilor emitor-baz` ]i colector-baz`. Tranzistorul este cu siliciu ]i
putem miza pe un factor de amplificare [n curent de cel pu\in 50 (tranzistoarele de [nalt` frecven\` au
factori de amplificare mai mici).
b) {ncerca\i s` explica\i rolul fiec`ruia dintre condensatoarele C 1 C 6 . (numai pentru curio]i,
ceilal\i pot omite acest punct la prima lectur`).
Rezolvare
a) Rezistoarele R2 ]i R3 formeaz` un divizor rezistiv; [n absen\a curentului de baz`, ele ar fi
parcurse de un curent de 6 V 4.4 k = 1.4 mA . Este curentul de baz` suficient de mare pentru a modifica
semnificativ aceast` situa\ie ? {l putem estima imediat: curentul de emitor ar avea valoarea maxim` dac`
poten\ialul emitorului s-ar duce la cea mai cobor[t` valoarea posibil`, adic` la zero (la mas`). {n acest caz el
ar fi 6 V R1 = 6 mA , iar curentul de baz` ar avea valoarea 6 mA = 0.12 mA . El ar fi, astfel, sub o
zecime din curentul de 1.4 mA care parcurge divizorul: efectul cupl`rii bazei tranzistorului [n nodul
comun al rezisten\elor R2 ]i R3 poate fi neglijat [n aproxima\ia [n care lucr`m. Cel care a proiecat
circuitul ]tia ce face, spre deosebire de mul\i autori de culegeri de probleme.
Astfel, am ajuns la un prim rezultat: poten\ialul bazei este la jum`tate din tensiunea de alimentare,
adic` la + 3V (regula de trei simpl` aplicat` pe divizorul rezistiv), VB = +3 V . Cum colectorul este legat [n
curent continuu direct la mas` prin bobina L 1, poten\ialul sù este nul, VC = 0, ]i jonc\iunea colector
baz` este invers polarizat`, a]a cum este necesar pentru a avea tranzistorul [n regiunea activ`.
De aici lucrurile devin at[t de simple c` pot p`rea plictisitoare: jonc\iunea emitor baz` este
polarizat` direct ]i tranzistorul este cu siliciu, deci poten\ialul emitorului este cu 0.6 V mai sus,
VE = +3.6 V. Legea lui Ohm aplicat` pe R 1 conduce imediat la IE =
6V 3.6V
= 2.4mA ]i, deoarece
R1
curentul de colector este egal cu acesta, IC = 2.4mA .

{ntruc[t factorul nu este cunoscut cu precizie, ]tiind despre el c` este pe undeva peste 50, curentul
de baz` poate fi numai estimat IB < 2.4mA 50 0.05mA . Aceasta [nseamn` mai pu\in de 4% din
curentul divizorului; cam cu at[t ne-am [n]elat c[nd am calculat poten\ialul bazei.
{n ceea ce prive]te rezisten\a dinamic` a portului emitor-baz` rdEB = dVEB d IE , calculat` [n
jurul punctului de func\ionare determinat anterior IE = 2.4mA , ea rezult` simplu din formula
rdEB = VT IE = 25mV 2.4mA 10 . Pentru rezisten\a dinamic` dintre colector ]i baz` nu putem s`
facem dec[t o estimare. Contribu\ia factorului , conform celor spuse la sec\iunea C, va fi
10M 2.4 4M . {n plus, varia\ia curentului de emitor datorat varia\iei lui VEB va mai produce un efect
105
ce poate fi modelat cu o rezisten\a dinamic` tot de aproape 4 M (c`derea de tensiune pe rezisten\a din
emitor este de 2.4 V, aproximativ egal` cu cea din exemplul discutat la sec\iunea 1.C). Cele dou` rezisten\e
apar [n paralel (sunt dou` varia\ii de curent, produse de dou` mecanisme diferite, care se adun`), a]a c`
rezisten\a dinamic` [ntre colector ]i baz` va fi pe undeva pe la 2 M .
Observa\ie: [n func\ionarea amplificatorului, la frecven\e mari, [n paralel cu aceste rezisten\e
dinamice (calculate pentru varia\ii cuasistatice) trebuie considerate capacit`\ile echivalente emitor-baz` ]i
colector-baz`. Cea dintre emitor ]i baz` nu conteaz` pentru c` este [n paralel cu o rezisten\` dinamic`
foarte mic` (10 [n cazul nostru) dar cea dintre colector ]i baz` are un rol esen\ial [n func\ionare. Pentru
un tranzistor de [nalt` frecven\` aceasta este de ordinul a 0.5 pF. Astfel, la frecven\a de lucru de 180 MHz,
ea are o reactan\` de numai 1.8 k..
b) Am v`zut c`, pentru a putea amplifica, tranzistoarele bipolare trebuie polarizate, adic` aduse
[ntr-un anumit punct static de func\ionare caracterizat prin valorile curen\ilor ]i poten\ialelor de repaus. C[nd
circuitul con\ine mai multe etaje, polarizarea se rezolv` ([n general) separat pentru fiecare etaj. Ce trebuie s`
facem pentru ca la cuplarea etajelor [ntre ele rezultatul efortului nostru de a polarizara etajele s` nu se
spulbere ? S` [mpiedic`m curentul continuu s` circule [ntre diferite etaje. Varia\iile (semnalul), care
trebuie amplificate, trebuie, totu]i s` treac`. Acest rol [l [ndeplinesc condensatoarele de separare C 1 ]i C 6.
Condensatorul C 2 este cuplat [ntre alimentarea pozitiv` ]i mas`, adic` [ntre terminalele sursei de
alimentare. El ne aminte]te de condensatorul de filtraj care avea rolul s` furnizeze consumatorului varia\iile
bru]te de curent. La frecven\a de lucru, inductan\ele firelor care merg la sursa de alimentare nu pot fi
neglijate ]i ele se comport` ca ni]te ]ocuri [mpiedic[nd varia\iile rapide ale curentului. Din acest motiv aceste
varia\ii trebuie furnizate de undeva din apropierea tranzistorului, cu un condensator capabil s` lucreze la
frecven\e mari (cu inductan\` proprie foarte mic`): acesta este rolul lui C 2, care de multe ori este unul f`r`
terminale.
Condensatoarele C 4 ]i C 5 sunt legate [n paralel pe ni]te inductan\e, form[nd ni]te circuite
rezonante. Aceasta deoarece circuitul este destinat s` amplifice numai o band` [ngust` de frecven\e.
A mai r`mas condensatorul C3. Pentru a [n\elege rolul lui trebuie s` ne [ntreb`m mai [nt[i ce fel de
configura\ie are amplificatorul, cu emitorul comun sau cu baz` comun`. Pentru a r`spunde la [ntrebare,
cùt`m bornele de intrare ]i ie]ire ale semnalului (varia\iilor). Ie]irea este legat`, prin transformatorul
L 1 L2 , [n colector, a]a cum ne a]teptam ([ntodeauna curentul de colector este m`rimea controlat` la un
tranzistor bipolar). Borna de intrare, prin C 1, este legat` [n emitor. A mai r`mas un singur terminal, baza.
Amplificatorul este, deci, cu baz` comun`. Acest terminal trebuie \inut la poten\ial constant, pentru ca acolo
varia\iile s` fie nule ]i varia\iile de la intrare (ale poten\ialului VE ) s` se reg`seasc` integral [n varia\iile
tensiunii emitor baz` ( VEB = VE VB = VE 0 = VE ) deoarece tranzistorul este controlat de
tensiunea emitor-baz`. Pentru a \ine practic constant poten\ialul bazei, de]i curentul de baz` variaz` [n timp,
solu\ia este legarea unui condensator [ntre baz` ]i mas`. Datorit` rezervei sale de sarcin`, el va furniza
varia\iile de curent f`r` s`-]i modifice semnificativ tensiunea de [nc`rcare. Acesta este rolul condensatorului
C3. El scurtcircuiteaz`, numai [n curent alternativ, baza la mas` ]i este numit [n jarrgonul electroni]tilor
condensator de decuplare.
106
Probleme propuse
10 V
P 4.1.1. Un coleg a [nceput desenarea unei scheme, pe care

nu a mai continuat-o, astfel c` multe informa\ii lipsesc (Fig. 4.15).
}tiind c` simbolurile pentru tranzistoare au fost utilizate corect ]i c`
tranzistorele se g`sesc [n regiunea normal` de func\ionare, completa\i
schema cu polaritatea surseei de alimentare ]i sensurile curen\ilor prin
terminalele tranzistoarelor. De ce tip sunt tranzistoarele ?
P 4.1.2. De fapt, colegul vostru a [nceput s` deseneze mai
multe scheme; a]a c` mai ave\i de lucru. Completa\i ]i schema din
Fig. 4.16 a), cu acelea]i informa\ii ca la problema precedent`.
T2
T1
Fig. 4.15.
15 V
20 V
560
R B1
T
T2
sarcina
Rs
4.7 k
Rs
R E1
T1
R B2
R E2
b)
a)
Fig. 4.16.
P 4.1.3 }i, [n sf[r]it, ultima schem`,care trebuie completat` cu polaritatea sursei de alimentare ]i
sensurile curen\ilor: aceea din Fig. 4.16 b).
P 4.1.4. Relua\i schema din Fig. 4.16 a) pe care tocmai a\i completat-o. A\i recunoscut ce este ?
}tiind c` cele trei diode sunt din siliciu, calcula\i poten\ialul din baza tranzistorului. Determina\i apoi
poten\ialul emitorului ]i curentul din emitor. C[t este curentul din colector ? Dac` nu a\i recunoscut de la
[nceput ce este circuitul, aceasta este ultima ]ans`: a intervenit [n calcularea curentului de colector m`rimea
rezisten\ei de sarcin` ? Ce semnifica\ie are acest lucru ?
P 4.1.5. {n circuitul de la problema precedent`, [nlocui\i cele trei diode cu un rezistor, astfel [nc[t
valoarea curentului de colector s` r`m[n` nemodificat`. Pentru tranzistor pute\i conta pe un factor de cel
pu\in 100.
P 4.1.6. Ave\i dou` circuite care [ndeplinesc aceea]i func\ie. Considera\i acum c` tensiunea de
alimentare are o varia\ie de 10 % ]i determina\i efectul asupra curentului de colector, pentru fiecare din
circuite. Formula\i o concluzie.
P 4.1.7. Utiliz[nd un tranzistor NPN cu factorul mai mare dec[t 100 ]i o surs` de alimentare de
12 V, proiecta\i o surs` de curent care s` absoarb` spre mas` un curent de intensitate 5 mA. Stabili\i
107
poten\ialul bazei cu un divizor rezistiv, ca [n procedura de proiectare din Fig. 4.12.. Determina\i complian\a
de tensiune a sursei proiectate.
P 4.1.8. Relua\i aceea]i problem` de proiectare dar rezolva\i stabilirea poten\ialului bazei cu trei
diode [n serie, inspir[ndu-v` din Fig. 4.16 a)
P 4.1.9. Am v`zut c` la modificarea tensiunii colector baz`,
V alim
valoarea curentului de colector nu r`m[nea perfect constant` din dou`
+20 V
motive: varia\ia lui cu VCB ]i varia\ia curentului de emitor cu VCB .
sarcina
Apropierea maxim` de sursa de curent ideal` avea loc dac` valoarea 10 k

curentului de emitor putea fi men\inut` constant`. Circuitul din
Fig. 4.17 [ncearc` s` fac` acest lucru. Mai [nt[i, neglij[nd curen\ii bazelor,
T1
calcula\i poten\ialele celor dou` baze. Determina\i apoi poten\ialele
emitoarelor ]i, [n final, curen\ii de emitor ]i colector ai celor dou` 5 k
tranzistoare.
T2
P 4.1.10. Cu o valoare a rezisten\ei de sarcin` de 5 k,
determina\i poten\ialul de colector al tranzistorului T1. S` presupunem,
4.3 k
acum, c` rezisten\a de sarcin` se modific`, schimb[nd poten\ialul de 5 k
colector tocmai calculat. {ntre ce limite se poate modifica aceast`
rezisten\a, f`r` s` aduc` tranzistorul T1 [n satura\ie ?
P 4.1.11. Afecteaz` varia\ia rezisten\ei de sarcin` tensiunea
Fig. 4.17.
colector baz` a tranzistorului T2 ? Ce pute\i spune, [n aceste condi\ii
despre varia\ia curentului sù de colector ?
P 4.1.12. Afecteaz` varia\ia rezisten\ei de sarcin` tensiunea colector baz` a tranzistorului T1 ?
Consider[nd c` poten\ialul colectorului a efectuat [ntreaga varia\ie permis` f`r` a aduce tranzistorul [n
satura\ie, [ncerca\i s` estima\i varia\ia curentului sù de colector. Nu uita\i c` [n emitorul sù curentul este
exact curentul de colector al tranzistorului T2 .
P 4.1.13. {ncerca\i o compara\ie [ntre performan\ele sursei de curent cu un singur tranzistor ]i
performan\ele sursei de curent perfec\ionate pe care tocmai a\i analizat-o.
108
Lucrare experimental`
Preg`tirea experimentelor
tranzistor
PNP
C
E
RE
500
mA
mA
I aparat
VA1
6V
+
_
IC
IV
_
V
VA2
0 ... 10 V
Fig. 4.18. Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

Desena\i-v` pe caiet circuitul din Fig. 4.18, pe care [l ve\i utiliza pentru trasarea caracteristicilor
statice. Determina\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru aparatele de m`sur` ]i completa\i
schema cu aceste informa\ii. Realiza\i apoi circuitul.
Sursa V A2 , legat` direct [ntre colector ]i baz`, va men\ine constant` tensiunea VCB iar
miliampermetrul va m`sura valoarea curentului de colector. Sursa V A1 ]i rezisten\a RE vor asigura
deschiderea jonc\iunii emitor-baz`. Pentru controlul mai fin al punctului de func\ionare a mai fost montat un
poten\iometru pe plan]et`. Voltmetrul m`soar` tensiunea tensiunea VEB [ntre baz` ]i emitor. Cunosc[nd
tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabili\i scala pe care va trebui utilizat voltmetrul ]i
nota\i aceasta pe schema desenat`.
Pentru determinarea curentului de emitor a fost intercalat un miliampermetru. El nu m`soar` [ns`
curentul de emitor ci suma dintre acesta ]i curentul prin voltmetru
V
Iaparat= IE + EB ;
RV
dac` al doilea termen este semnificativ, va trebui s` face\i corec\ia necesar`.
Determina\i rezisten\a voltmetrului, decupl[nd emitorul tranzistorului (leg[nd miliampermetrul
numai la voltmetru) ]i ajust[nd sursa V A1 astfel [nc[t tensiunea pe voltmetru s` fie pe scala de 1V, acolo
unde voltmetrul va fi utilizat. Compara\i valoarea aflat` cu cea [nscris` pe aparat.
109
Experimentul 1. Caracteristica de intrare

Caracteristica de intrare este dependen\a curentului de emitor [n fnc\ie de tensiunea bazèmitor. Ea trebuie trasat` men\in[nd constant` tensiunea colector-baz`, care este parametrul la care se
traseaz` caracteristica.
Ve\i modifica valoarea curentului de emitor [ntre 0 ]i 10 mA. Stabili\i la 10 V tensiunea VCB ]i
apoi varia\i polarizarea jonc\iunii emitor-baz`, observ[nd deschiderea jonc\iunii emitor-baz` ]i faptul c` ea
controleaz` curentul de colector. {nainte s` trasa\i caracteristica, determina\i aproximativ tensiunea de
deschidere. Pentru a trasa caracteristica de intrare [n scar` liniar`, determina\i 10-12 puncte experimentale,
pe c[t posibil cu valori IE echidistante. M`sura\i, [n acela]i timp, ]i valorile curentului de colector, trec[nd
datele [ntr-un tabel de forma
VEB (V)
Iapara (mA)
IV = VEB RV (mA)
IE = Iaparat IV (mA)
IC (mA)
= IC IE
Completa\i apoi tabelul, f`c[nd m`sur`tori la valori mult mai mici ale curen\ilor. Utiliza\i, pentru
valorile curentului de emitor, secven\a 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01 mA, 0.005
mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor ap`rea practic echidistante pe scar` logoritmic`.
Modifica\i acum tensiunea colector-emitor la valoarea 0 V sco\[nd firele de alimentare de la bornele
sursei V A2 ]i leg[ndu-le [ntre ele. Reface\i m`sur`torile tensiunii VEB la valorile 10 mA, 1 mA,
0.1 mA ale curentului de emitor.
Reprezenta\i, apoi, grafic, [n coordonate liniare, [ncep[nd de la VEB = 0, caracteristica
IE = f(VEB ) ridicat` la VEB = 10V . Se comport` portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici varia\ii [n
jurul unui punct de func\ionare, putem introduce rezisten\a dinamic` reb = VEB IE . Calcula\i, din
grafic, valorile ei la curent de colector de 0.1 mA ]i 1 mA.
Desena\i pe acela]i grafic ]i punctele experimentale ridicate la VCB = 0V . Cum depinde
comportarea portului de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ? Dac` a\i avut un voltmetru digital,
[ncerca\i s` pune\i [n eviden\` deosebirile dintre cele dou` grafice reprezent[nd [n detaliu o regiune a
carcteristicii de la curen\i mari, pe care tensiunea emitor baz` nu variaz` cu mai mult 50 mV.
Dac` nu a\i avut un voltmetru digital, [mprumuta\i unul ]i, la curentul de emitor constant de
10 mA, m`sura\i tensiunea emitor baz` cu VCB = 10 V ]i apoi cu VCB = 0 V. Determina\i cu c[t s-a
modificat tensiunea emitor baz` [n aceste condi\ii.
Verifica\i acum c` expresia caracteristicii de intrare este una exponen\ial`. Pentru aceasta desena\i
caracteristica IE = f(VEB ) cu o scar` logaritmic` pentru curent. Ce form` are graficul ob\inut ? Ce
concluzie trage\i de aici ? Determina\i pe ce interval de varia\ie a tensiunii curentul cre]te cu o decad` (se
multiplic` cu un factor de 10). Din aceast` valoare calcula\i poten\ialul termic VT , utiliz[nd rela\ia (4.3).
110
curentul de emitor (mA)

10 1
10 0
10 -1
10 -2
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
tensiunea emitor-baza (volti)
Experimentul 2. Caracteristica de transfer IC = f ( I E )

Ave\i, [n tabelul completat la primul experiment, date asupra curentului de emitor ]i a celui de
colector. Estima\i mai [nt[i eroarea absolut` cu care a\i determinat aceste valori. Apoi compara\i [ntre ele
valorile IE ]i IC ]i formula\i o concluzie asupra valorii factorului .
Experimentul 3. Caracteristica de ie]ire

Muta\i voltmetrul din ochiul emitorului [n acela al colectorului, astfel [nc[t s` m`soare tensiunea
colector-baz`; aten\ie la polaritate ! Fixa\i apoi IE la o anumit` valoare (s` zicem 2 mA) ]i mic]ora\i
gradual tensiunea VCE de la 10 V p[n` la 0 V, urm`rind evolu\ia curentului de colector. Cum sursa V A2 nu
coboar` tensiunea exact p[n` la zero, pentru ob\inerea acestei valori desface\i firele de la surs` ]i lega\i-le
[ntre ele. Reconecta\i sursa ]i reface\i experimentul pentru alte c[teva valori ale curentului de emitor (4 mA, 6
mA, 8 mA) . Desena\i aceste dependen\e IC = f (VCB ) I E = const. pe acela]i grafic, ob\in[nd o parte din
familia de caracteristici de ie]ire. Cunosc[nd eroarea absolut` cu care a\i m`surat curentul de colector,
estima\i valoarea rezisten\e dinamice dintre colector ]i baz`. Este ea concordant` cu predic\ia f`cut` pe baza
cunoa]terii c`derii de tensiune pe rezisten\a RE (pag. 93) ?
Experimentul 4. Ohmmetrul electronic

Multimetrele electronice digitale ofer`, [n afara func\iilor de voltmetru ]i ampermetru, ]i pe aceea
de ohmmetru. Principiul de func\ionare pentru aceasta din urm` este foarte simplu: prin rezisten\a de
valoarea necunoscut` se trece un curent constant, de valoare cunoscut`, furnizat de la o surs` de curent ]i se
m`soar` tensiunea. Ve\i realiza ]i dumneavoastr` un ohmetru electronic de acest tip. Mai [nt[i, desena\i-v`
schema sursei de curent din Fig. 4.19 a) ]i calcula\i poten\ialul bazei, poten\ialul emitorului ]i valoarea
curentului de colector.
Calculul pe care l-a\i f`cut este numai unul aproximativ deoarece nu cunoa]tem cu suficient`
precizie valoarea rezisten\ei din emitor ]i caracteristcile statice neliniare ale diodelor ]i tranzistorului. Din
acest motiv, sursa de curent trebuie "etalonat`" (calibrat`) la cald, adic` [n stare de func\iune. Pentru aceasta,
alimenta\i circuitul de pe plan]et`, conecta\i un miliampermetru analogic ]i ajusta\i rezisten\a reglabil` din
111
emitor pentru a ob\ine un curent de 100 A. Monta\i apoi [n serie cu miliampermetrul diferite valori de
rezisten\e ]i verifica\i c[t de "ideal`" este sursa de curent.
Ohmmetrul nostru este gata, nu mai r`m[ne dec[t s` conect`m un voltmetru electronic ]i rezisten\a
de valoare necunoscut` (Fig. 4.19 b). M`sura\i, astfel, valorile rezisten\elor necunoscute existente pe
plan]et`.
15 V
15 V
Si
12 k
4.7 k
12 k
mA
4.7 k
rezistenta
necunoscuta
ohmetru
a)
b)
Fig. 4.19. Ohmmetru electronic.

Ce se [nt[mpl` dac` [ncerc`m s` m`sur`m "rezisten\a" [n polarizare direct` a unor diode ? Ave\i pe
plan]et` dou` diode cu care pute\i experimenta acest lucru. Formula\i o concluzie.
112
Pagin` distractiv`
Ani buni de munc` le-au fost necesari cercet`torilor de la Bell Laboratories ca s` realizeze primele
tranzistoare cu jonc\iuni. Cum sandwich-ul are trei straturi, [ntre acestea exist` dou` jonc\iuni
semiconductoare. Mult mai eficien\i, speciali]tii no]tri autori de manuale2 inventeaz` dintr-un condei
tranzistorul bipolar cu trei jonc\iuni, cea suplimentar` fiind [ntre colector ]i emitor :
Este de mirare cum a]a referen\i serio]i ]i o a]a competent` comisie de avizare a Ministerului nu au
valorificat aceast` prioritate romneasc`. Punem acest lucru pe seama caracterului lor modest, modest ...
Noutate plutea [ns` [n aer [nc` de la pagina anterioar`, unde simbolul tranzistorului este p`rinte]te
tras de urechi pentru a nu ar`ta sensul curentului prin jonc\iunea baz`-emitor dec[t [n conexiunea emitor
comun :
"{n simbolul tranzistorului, s`geata indic` sensul conduc\iei [n prima jonc\iune (E-B), [n montaj cu emitorul
comun ...."
Ce trebuie s` fac` simbolul [n celelalte conexiuni este treaba lui, ori s`geata dispare, ori, mai bine, arat`
todeauna [nspre ace]ti autori inventivi.
C` treaba este serioas` ]i tranzistorul acestor domni autori este ceva cu totul nou, ne putem convinge
imediat. Cum crede\i c` se comport` "jonc\iunea colector-emitor ? A]a e c` nu ghici\i ? Ca un rezistor :
"Dac` un tranzistor se deschide ..., atunci rezisten\a dintre colector ]i emitor ( RCE ) scade foarte mult...." }i
asta nu e [nc` nimic, pentru c` "U CE devine neglijabil` (zecimi de volt) c[nd curentul IC atinge valorile
maxime admise (notate [n cataloagele de dispozitive semiconductoare)". Trebuie s` recunoa]tem c` acest
tranzistor, care se uit` [n cataloage ca s` ]tie s` intre [n satura\ie c[nd curentul IC atinge "valorile maxime
admise" este [ntr-adev`r ceva revolu\ionar.
}i comportarea sa [n circuite este la
fel de revolu\ionar`. De exemplul, [n cel din
figura al`turat`: "C[nd fotorezisten\a FR este
luminat`, rezisten\a ei scade, tranzistorul
intr` puternic [n conduc\ie ]i ....". Oricare alt
tranzistor NPN s-ar fi blocat la sc`derea
rezisten\ei R2 , cel al autorilor cita\i "intr`
puternic [n conduc\ie". Numai s` fie
fotorezisten\a
"luminat`",
vorba
(inconfundabil`) a acestor autori.
Ca orice realizare important` ]i
inventarea acestui tranzistor a necesitat o
preg`tire anterioar`. G[ndi\i-v` numai prin
c[te c`r\i or fi cùtat p[n` au g`sit simbolurile
stranii pe care le folosesc pentru rezistoare, becuri ]i diode. Sau poate ne [n]el`m noi, le-au g`sit [n prima (]i
singura) ....
***, "Fizic`", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educa\ional, Bucure]ti, 2000.
113
4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configura\ia cu emitor comun
Structura ]i modul de func\ionare ale tranzistorului bipolar cu jonc\iuni au fost descrise [n sec\iunea
4.1. {n regimul de func\ionare activ normal, jonc\iunea emitor-baz` este direct polarizat` (deschis`), [n timp
ce jonc\iunea colector-baz` este invers polarizat`. {n aceste condi\ii, curentul de colector este dat de rela\ia
IC = IE + ICB 0;
(4.11)
deorece I CB0 (curentul invers rezidual colector-baz` cu emitorul [n gol) este complet neglijabil la
tranzisoarele moderne cu siliciu, iar factorul este extrem de aproape de unitate, curentul de colector este
practic egal cu cel de emitor, a]a cum se poate constata ]i [n Fig. 4.20.
I C = I E + I CB0
IE
_
+
+
_
IB
foarte mic
0.6 V
I CB0
I E =0
+
_
10 V
a)
10 V
b)
Fig. 4.20. Curen\ii [n regiunea activ` normal` (a) ]i semnifica\ia curentului rezidual ICB 0 .
Configura\ia cu baz` comun` din figura precedent` prezint` dou` dezavantaje:
- cele dou` surse au polarit`\i opuse [n raport cu masa ]i, de aceea, nu se utilizeaz` aproape niciodat`
pentru regimul de curent continuu (polarizare);
- curentul de emitor are valori egale cu acelea ale curentului pe care [l comand`; din acest motiv,
pentru regimul de varia\ii (prelucrarea semnalelor) configura\ia cu baz` comun` este utilizat` numai [n pu\ine
aplica\ii.
I C = I E + I CE0
I C = I E + I CB0
IE
IB foarte mic
0.6 V
+
_
IB
foarte mic
10.6 V
+
_
+
_
+
_
10.6 V
0.6 V
a)
b)
Fig. 4.21. Conexiunea cu emitor comun.

Prin deplasarea sursei de tensiune de 0.6 V de-a lungul buclei de circuit, se ajunge la configura\ia cu
emitorul comun din Fig. 4.21 a) care este cea mai utilazt` configura\ie pentru tranzistoarele bipolare. Pentru
114
a avea portul de intrare [n st[nga, schema trebuie redesenat` ca [n Fig. 4.21 b), a]a cum o ve\i [nt[lni
[ntodeana [n aplica\ii.
{n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este [ntre baz` ]i emitor iar cel de ie]ire este [ntre colector
]i emitor, terminalul de emitor fiind comun.
De]i perechea de borne de intrare este aceea]i ca la conexiunea baz` comun`, curent de intrare este
acum curentul bazei, care este de cel pu\in o sut` de ori mai mic dec[t cel de emitor. Prin aplicarea legii
curen\ilor ]i utilizarea rela\iei (4.11), curentul de colector poate fi exprimat [n func\ie de curentul de baz` prin
IC =
IB +
ICB 0.
1
1
(4.12)
(4.13)
Factorul
este esen\ial pentru descrierea func\ion`rii acestei configura\ii ]i se nume]te factor de amplificare a curentului
[n conexiunea emitor comun. Cum este foarte apropiat de unitate, factorul are valori mari, de ordinul
sutelor. Numai [n cazul tranzistoarelor de mare putere factorul are valori mai mici, de ordinul
20 - 50.
Deoarece la numitorul rela\iei (4.13) este o diferen\` [ntre dou` numere foarte apropiate, valoarea ei
este extrem de sensibil` la varia\iile lui . Diferen\iind rela\ia, putem ar`ta c`
d
1 d
d
d
=
= ( + 1)

;
1
(4.14)
astfel
varia\iile relative ale factorului provoac` varia\ii relative ale factorului de sute de ori mai mari.
Din acest motiv, de]i factorul este controlat tehnologic rezonabil de bine,
factorul are o [mpr`]tiere tehnologic` foarte mare.
Astfel, [n practic`, la montarea unui tranzistor [ntr-un circuit, asupra lui exist` o incertitudine destul de mare,
extremit`\ile acestui interval fiind cel pu\in [n raportul 1:2. De exemplu, la BC 171A factorul este [ntre
125 ]i 260 (litera A [nseamn` ca produc`torul a f`cut deja o sortare prealabil`, dac` a\i cump`rat
BC 171 pute\i s` v` a]tepta\i la valori [ntre 40 ]i 1000). Din aceast` cauz`,
orice circuit cu tranzistoare ale c`rui performan\e (punct static de func\ionare, amplific`ri, etc) depind
puternic de factorul este contraindicat [n aplica\iile practice.
Observa\ie: A\i sc`pat, astfel, de rezolvarea unui mare num`r de probleme din culegerile scrise de o
serie de autori rom`ni, speciali]ti [n "electronic` teoretic`".
115
Exprim[nd cu ajutorul factorului rela\ia (4.12), avem
IC = I B + ( + 1) I CB0 ;
dac` definim curentul rezidual colector-emitor (cu baza [n gol) prin ICE0 = ( + 1) I CB0 , rela\ia anterioar`
cap`t` forma
IC = I B + I CE0 .
(4.15)
La siliciu curen\ii reziduali sunt extrem de mici; de exemplu, chiar la un tranzistor de curent mare
(15 A) cum e 2N3055, curentul ICE 0 este sub 20 nA la temperatura camerei ]i abia ajunge spre 100 A
dac` [l [nc`lzim la 130 oC. Putem, deci, scrie cu foarte bun` aproxima\ie
IC = IB
(4.16)
IC IE .
(4.17)
iar cu o aproxima\ie mai bun` de un procent
Curentul de colector este practic egal cu cel de emitor ]i de ori mai mare dec[t curentul de baz`.
S` privim acum un tranzistor NPN [ntr-o schem`

practic` cu emitorul comun (Fig. 4.22). Func\ionarea sa
poate fi [n\eleas` cu un model extrem de simplu. {ntre
baz` ]i emitor exist` o jonc\iune semiconductoare care se
comport` ca o diod`: curentul poate s` treac` numai [ntrun singur sens, dac` tensiunea baz` emitor dep`]e]te
tensiunea de prag, egal` cu 0.6-0.7 V. Peste aceast`
valoare, curentul cre]te foarte abrupt (valoarea sa
multiplic[ndu-se cu 10 la fiecare varia\ie de aproximativ
60 mV). Putem astfel considera, [n prim` aproxima\ie, c`
dup` deschidere, tensiunea baz`-emitor r`m[ne
constant`, valoarea curentului de baz` fiind determinat`
de circuitul exterior;
V alim
RC
R B 0.6 V
+
_
EB
IB
IC = IB
VC
+
_
V alim
IE IC
Fig. 4.22. Tranzistorul NPN [ntr-un circuit

practic cu emitorul comun.
[n absen\a unei rezisten\e de limitare a curentului, polarizarea jonc\iunii baz`-emitor direct cu o surs` de
tensiune cu rezisten\` mic` este o cale sigur` pentru distrugerea tranzistorului.
116
Dac` [ntre colector ]i emitor s-ar face scurtcircuit (manevr` absolut inofensiv` pentru tranzistor), am
ob\ine o valoare maxim` a curentului
V
I Cmax = alim ;
RC
(4.18)
[ndep`rt[nd scurtcircuitul, curentul de colector nu poate fi dec[t mai mic sau egal cu aceast` valoare
0 I C ICmax . Tranzistorul se comport` ca un robinet controlat: el nu produce curent ci numai las` s`
treac` unul de valoare I C = I B , indiferent de circuitul extern (tensiunea de alimentare Valim ]i rezisten\a
RC ), at[ta timp c[t circuitul extern poate furniza aceast` valoare de curent, a]a cum se poate vedea [n
Fig. 4.23. Putem [nlocui rezisten\a RC cu o diod` conectat` [n polarizare direct` (desenul b): valoarea
curentului de colector va r`m[ne practic neschimbat`, se va modifica numai poten\ialul colectorului, de la
Valim I C RC la Valim 0. 6 V . La fel de bine putem s` o [nlocuim cu un scurtcircuit, poten\ialul
colectorului se va duce la Valimdar curentul de colector va r`m[ne nemodificat (desenul c).
+
5V
0.6 V
5 A
V alim
+10 V
500
10 mA
5V
+
0.6 V
0.6 V
5 A
V alim
+10 V
V alim
+10 V
10.5 mA
9.4V
10.5 mA
0.6 V
10V
5 A
Fig. 4.23. {n regiunea activ` normal` curentul de colector este practic constant (egal cu IB )
indiferent de dispozitivul conectat [n colector.
Func\ia tranzistorului este controlul curentului de colector, control efectuat prin starea portului de
intrare. S` ne [ntoarcem la situa\ia din desenul a) al figurii precedente, [n care avem o rezisten\` legat` [n
colector, ]i s` cre]tem curentul bazei, ca [n Fig. 4.24 a). Tranzistorul ac\ioneaz` ca un robinet controlat
permi\[nd ca un curent mai mare s` fie absorbit din rezisten\a de colector. {n acela]i timp [ns`, conforme
rela\iei VC = Valim RC IC , poten\ialul colectorului coboar`, a]a cum se [nt[mpl` cu nivelul lichidului din
rezervorul 2 din echivalentul hidraulic reprezentat [n desenul b). {n circuitul hidraulic, nivelul rezervorului 1
este presupus constant, a]a cum este men\inut poten\ialul de +10 V, iar debitul prin conducta ce leag`
rezervoarele este aproximativ propor\ional cu diferen\a de nivel [n cele dou` rezervoare (echivalentul legii lui
Ohm pe rezisten\a din colector).
V alim
+10 V
+
a)
5V
-
500
7.5 V
-
10 mA
0.6 V
0.6 V
5V
V alim
+10 V
500
15 mA
2.5V
7.5 A
5 A
rezervor 1
rezervor 2
117
rezervor 1
rezervor 2
b)
Fig. 4.24. Cre]terea curentului de baz` deschide mai mult tranzistorul, provoc[nd cre]terea curentului de
colector ]i cobor[rea poten\ialului colectorului.
2.B. Caracteristica de intrare

A]a cum spuneam, portul de intrare este echivalent cu o diod`, caracteristica sa static` IB = f(VBE )
fiind aproximativ exponen\ial` ]i foarte pu\in influen\at` de tensiunea colector-emitor, atunci c[nd valoarea
acesteia este modificat` [ntre 1 V ]i c[teva zeci de vol\i (p[n` la valoarea maxim` garantat` de fabricant). Nu
discut`m aici situa\ia [n care colectorul este l`sat [n gol ( IC = 0) pentru c` aceasta nu se [nt[lne]te [n
aplica\ii. C[nd VBE este mai mic dec[t tensiunea de deschidere ([n jur de 0.6 V), curentul de baz` este practic
nul; dup` dep`]irea tensiunii de deschidere el cre]te foarte rapid, astfel [nc[t la valorile permise pentru IB
tensiunea VBE este aproximativ constant`.
Dac` efectu`m m`sur`tori mai precise, constat`m c` m`rirea tensiunii colector-emitor deplaseaz`
extrem de pu\in caracteristica de intrare. Pentru aceea]i valoare a curentului de baz`, tensiunea necesar` [ntre
baz` ]i emitor este un pic mai mare. Pentru o varia\ie VCE [ntre 1 ]i 11 vol\i, aceasta, care are valori pe la
600 mV, cre]te cu mai pu\in de 1mV ! Dac` men\inem constant` tensiunea emitor-baz`, la aceea]i varia\ie a
lui VCE , curentul de baz` scade cu mai pu\in de 3%.
118
2.C. Caracteristicile de transfer

Vom p`stra constant` tensiunea colector-emitor,
la o valoarea care asigura func\ionarea in regiunea 200
activ`. M`rimea de ie]ire este curentul de colector dar,
ca m`rime de intrare avem de ales [ntre curentul de baz` 150
]i tensiunea baz` emitor. Dac` alegem curentul de baz`,
conform rela\iei IC = IB , ne a]tept`m la o linie 100
DC
dreapt` care trece prin origine. Dac` pe graficul 50

I C = f ( I B ) e pu\in probabil s` observ`m (cu ochiul
liber) o abatere de la linia dreapt`, calcularea raportului 0
IC I B = DC , numit factor static de amplificare ([n
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
curent continuu), arat` c` acesta nu r`m[ne constant. Pe
I C (mA)
o scar` lin-lin acest fenomen nu este evident deoarece
este localizat foarte aproape de originea axelor. Din
Fig. 4.25. Varia\ia factorului DC cu
acest motiv, e mai bine s` reprezent`m chiar dependen\a intensitatea curentului de colector la tranzistorul
lui DC [n func\ie de curentul de colector. La un
2N2222.
tranzistor de mic` putere, ea are forma din Fig. 4.25. Se
observ` c` dac` tranzistorul este operat la curen\i de colector foarte mici, [n domeniul microamperilor,
factorul de amplificare DC scade aproape la o zecime din valoarea sa maxim`.
Observa\ie: {n cataloage, factorul de amplificare static DC este notat adesea cu hFE ("h" pentru c`
este considerat unul din parametrii hibrizi, "F" de la forward ]i "E" de la emitor comun). Indicele "FE" este
scris cu litere mari pentru a ar`ta c` factorul este definit la curent continuu.
Cum dependen\a I C = f ( I B ) nu este strict liniar`, este clar c` nici panta ei nu este constant`. Se
define]te, din acest motiv, factorul dinamic de amplificare [n curent AC =
d IC
, pentru a caracteriza
dI B
func\ionarea tranzistorului la varia\ii mici [n jurul unui anumit punct de func\ionare. Evolu\ia acestui factor
dinamic [n func\ie de curentul de colector este similar` cu varia\ia celui static: are valori mici la valori foarte
cobor[te ale lui IC ]i trece printr-un maxim pu\in [nainte ca IC s` ajung` la valoarea maxm` admis`.
Observa\ie: Factorul dinamic de amplificare AC este notat [n cataloage cu h fe .
Strict vorbind, [n modelele pentru varia\ii ar trebui s` apar` AC iar la calculul polariz`rii (curent
continuu) ar trebui s` utiliz`m factorul static DC . Dar chiar pentru tranzistoare sortate de fabricant, ace]ti
factori au valori cu o [mpr`]tiere tehnologic` at[t de mare [nc[t distinc\ia dintre ei este un academism complet
inutil. Pentru c` nu-i ]tim dec[t foarte aproximativ, [i vom considera [ntodeauna egali ]i [i vom nota de
aici [nainte, simplu, cu .
Am ales anterior, ca m`rime de intrare, curentul I B . Dac` alegem ca m`rime de intrare tensiunea bazèmitor, [n regiunea activ` caracteristica de transfer respect` o lege exponen\ial`
IC = I s eVBE VT
(4.19)
pe aproape ]apte decade de varia\ie a curentului; ca ]i p[n` acum, VT este poten\ialul termic, egal cu
aproximativ 25 mV la temperatura camerei. Astfel,
119
curentul de colector se dubleaz` la fiecare cre]tere cu 18 mV a tensiunii baz`-emitor ]i se multiplic` cu zece

la fiecare cre]tere de 60 mV.
curent de colector (mA)
curent de colector (mA)

100
10
80
V CE = 20 V
60
1
V CE = 10 V
40
20
0
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.55
tensiune baza-emitor (V)
0.60
tensiune baza-emitor (V)
0.65
b)
a)
Fig. 4.26. Caracteristica de transfer IC = f (VBE ) .

Reprezentat` [n coordonate liniare, caracteristica de transfer are forma din Fig. 4.26 a) ]i arat` c`
modul [n care este controlat robinetul este foarte neliniar. Sensibilitatea controlului poate fi descris` cu un
parametru diferen\ial, numit transconductan\` dinamic` (adesea numit simplu transconductan\`), definit
prin viteza de cre]tere a curentului [n raport cu tensiunea de control
gm =
d IC
;
dVBE
(4.20)
din rela\ia (4.19) se ob\ine imediat c` transconductan\a nu depinde dec[t de curentul de colector la care
opereaz` tranzistorul,
I
gm = C .
VT
(4.21)
Cu alte cuvinte,
dac` am stabilit valoarea curentului de colector, orice tranzistor are aceea]i transconductan\`, indiferent de
parametrii sì Is ]i .
Diferen\ele [n parametrii Is ]i afecteaz` numai modul [n care trebuie polariz`m tranzitorul pentru a ob\ine
curentul de colector IC dorit: modificarea lui Is va cere o tensiune VBE u]or diferit`, iar varia\ia lui va
conduce la o alt` valoare a curentului absorbit de baza tranzistorului.
Mai mult, a]a cum se vede [n desenul b) al figurii, modificarea tensiunii colector-baz` nu face dec[t s`
translateze caracteristica [n coordonate logaritmice, adic` s` afecteze numai factorul multiplicativ Is din
rela\ia (4.19). Astfel, modificarea transconductan\ei la varia\ia tensiunii de ie]ire coletor-baz` are loc numai
prin varia\ia curentului IC la care este operat tranzistorul, conform rela\iei (4.21).
120
2.D. Caracteristica de ie]ire

P`str[nd constant` tensiunea baz`-emitor, caracteristica de ie]ire IC = f(VCE ) are forma din
Fig. 4.27 a). Constat`m c` valoarea curentului de colector este aproximativ independent` de VCE numai
pentru valori ale lui VCE mai mari de c[teva zecimi de volt. Aceasta este numit` regiune activ` normal`.
I C (mA)
I C (mA)
V BE = 0.65 V
V BE = 0.65 V
6
V BE = 0.63 V
4
2
V BE = 0.63 V
0
0
0.0
10
(V)
VCE
0.1
0.2
VCE (V)
a) Caracteristici de iesire la V BE constant
I C (mA)
I B = 34 A
I C (mA)
I B = 34 A
6
I B = 17 A
4
2
4
2
I B = 17 A
0
0
10
0.0
VCE (V)
b) Caracteristici de iesire la
0.1
0.2
VCE (V)
I B constant
Fig. 4.27. Caracteristici de ie]ire [n conexiunea emitor comun.

Ce se [nt[mpl` la valori mai mici ? {n plus fa\` de jonc\iunea baz`-emitor, tranzistorul mai are o
jonc\iune [ntre baz` ]i colector, jonc\iune care [n mod normal este invers polarizat` (Fig. 4.28 a). C[nd
tensiunea colector emitor coboar` sub 0.6 V, poten\ialul colectorului coboar` sub poten\ialul bazei (Fig. 4.28
b) ]i jonc\iunea baz`-colector [ncepe s` fie direct polarizat`, iar la poten\iale de colector sub 0.1 V [ncepe
chiar s` se deschid`, curentul produs prin acest mecanism ie]ind prin terminalul de colector ]i diminu[nd
progresiv curentul total de colector, a]a cum se poate observa [n desenul b) al figurii.. {n final, la VCE = 0 ,
curentul de emitor este practic nul [ntregul curent de baz` ie]ind prin colector ( IC este negativ), ca [n desenul
c) al figurii. Trebuie notat c` nici [n acest regim tranzistorul nu se comport` ca ]i cum ar fi alc`tuit din dou`
diode montate "spate la spate", jonc\iunea baz`-colector acapar[nd tot curentul de baz`, de]i cealalt`
jonc\iune este polarizat` cu exact aceea]i tensiune. Deschiderea nedorit` a jonc\iunii colector baz`, cunoscut`
sub numele de satura\ie, este un dezavantaj congenital al tranzistoarelor bipolare.
121
IC
IC
IB
IC
IB
IB
E
E
IE IC
VC > VB
VC = VE = 0
VC < VB
regiunea activa normala

a)
IE = 0
IE = IC
b)
V B ~~ 0.6 V
c)
Fig. 4.28. Intrarea [n satura\ie la cobor[rea poten\ialului de colector; poten\ialul bazei este men\inut la
0.6 V.
{n circuitele practice nu tensiunea baz`-emitor este men\inut` constant`, ci curentul de baz`
(aproximativ constant). {n aceste condi\ii, caracteristicile de ie]ire au forma din Fig. 4.27 b). Ele difer` de
cele trasate la VBE = cons.doar [n regiunea de satura\ie, deoarece acum poten\ialul bazei nu mai este fixat.
Astfel, curentul de colector scade la zero pentru VCE = 0 , f`r` s` mai ajung` la valori negative.
{n oricare din situa\ii [ns`, [n regiunea de satura\ie sensibilitatea control`rii curentului de colector scade
dramatic, astfel c` putem afirma c`, practic, acest curent [nceteaz` s` mai fie controlat de starea portului de
intrare.
{n conexiunea emitor comun, satura\ia tranzistorului se manifest` prin imposibilitatea de a controla
curentul de colector prin valoarea curentului de baz`.
S` ne ocup`m acum ]i de cealalt` regiune a caracteristicii de ie]ire, numit` activ` normal`. Spuneam
c` aici practic curentul de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor: la portul de ie]ire tranzistorul
nu se comport` ca un rezistor. La o privire mai atent`, constat`m [ns` o u]oar` cre]tere a curentului de
colector atunci c[nd cre]tem tensiunea colector-emitor. Ea apare la fel, indiferent dac` men\inem
VBE = cons.sau IB = cons., deci nu putem da vina pe modificarea caracteristicii de intrare produs` de
varia\ia tensiunii de ie]ire VCE . Cu IB = cons. curentul ar trebui s` fie I C = I B , indiferent de valoare
tensiunii VBE ; rezult` c` aceast` [nclinare a caracteristicii de ie]ire este provocat` de varia\ia lui cu VCE .
La conexiunea baz` comun`, p`str[nd curentul de intrare IE constant, curentul de colector se modific`
extrem de pu\in la varia\ia tensiunii de ie]ire. De ce oare [n conexiunea emitor comun efectul este mult mai
mare ? {n cazul conexiunii baz` comun`, varia\ia curentului I C = I E este produs` datorit` varia\iei
factorului care se modific` extrem de pu\in, cam cu 0.01 % (10-4) pe volt. {n cazul conexiunii emitor
comun, IC = IB ]i, dac` men\inem constant curentul de baz`, curentul de colector se modific` numai
datorit` varia\iei factorului . Am v`zut [ns` anterior c` o varia\ie a lui provoac` o varia\ie relativ` a lui
de ori mai mare, deci de c[teva sute de ori mai mare. Vom avea, deci, pe fiecare volt de varia\ie a
tensiunii VCE , o varia\ie a curentului de colector de cel pu\in 1%; aceasta [nseamn`, pe un interval de zece
vol\i, o varia\ie apreciabil` : 10 %. Sursa de curent echivalent` este de o sut` de ori mai modest` dec[t aceea
de la baz` comun`.
122
Presupun[nd o varia\ie liniar` (de gradul [nt[i) a lui [n func\ie de VCE
= 0 1 + VCE VEA
(4.22)
cu valoarea VEA constant`, ajungem la o expresie a curentului de colector
IC = 0 I B + 0 I B VCE VEA = I C( 0) + I C( 0) VCE VEA
(4.23)
( 0)
unde am notat cu IC = 0 I B curentul de colector "extrapolat" la VCE = 0 (Fig. 4.29 a).
extrapolare
(0)
IC
I C (mA)
(0)
IC
rce =
IC
I B = 34 A
rce
VCE
IC
VCE
2
E
0
0
5
V CE
10
(V)
a)
b)
Fig. 4.29. Efectul Early [n conexiunea emitor comun.
Rezisten\a dinamic` [n regiunea activ` se ob\ine simplu
rce =
VCE VEA
= ( 0)
IC
IC
(4.24)
fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului de colector. {n regiunea activ` normal`, portul de ie]ire
poate fi echivalat cu o surs` ideal` de curent de valoare IC(0) = IB [n paralel cu un rezistor cu rezisten\a
rce = VEA I C( 0) , ca [n Fig. 4.26 b).

Rela\ia (4.23) are ]i o consecin\` geometric`. S` calcul`m intersec\ia cu axa orizontal` a carateristicii
extrapolate; punem IC = 0 ]i ob\inem intersec\ia la
VCE = VEA
(4.25)
indiferent de valoarea lui IB . {n consecin\`, a]a cum se poate vedea [n Fig. 4.30,
toate prelungirile caracteristicilor se [nt[lnesc [ntr-un singur punct, la tensiunea VEA , numit` tensiune
Early; aceasta are valori de ordinul a o sut` de vol\i.
123
IC
extrapolari
ale regiunii
active
10
0
VCE (V)
- V EA
Fig. 4.30. Toate dreptele ob\inute prin extrapolarea caracteristicii din regiunea activ` se [nt[lnesc [ntr-un
singur punct.
Mai r`m[ne s` discut`m al treilea regim de func\ionare, acela [n care curentul de colector este nul.
C[nd curentul de colector este nul, tranzistorul se afl` [n regiunea de blocare (tìere).
rezervor 2
Practic, cel mai adesea, blocarea
rezervor 1
este realizat` prin aducerea la zero a
V alim
tensiunii baz`-emitor sau polarizarea
+10 V
+ la tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de colector este neglijab
invers` a acestei jonc\iuni. {n principiu, [ns`, deoarece
500
A]a cum se poate constata [n
0V
Fig. 4.31, unde am reprezentat circuitul cu
curent nul
emitor comun ]i echivalentul sù 0 V
10V
hidraulic, c`derea de tensiune pe
rezistorul din colector devine nul` (legea
robinet inchis
lui Ohm) ]i poten\ialul colectorului devine
egal cu cel al aliment`rii pozitive, ca ]i
cum tranzistorul nu ar exista.
a)
b)
Fig. 4.31. Regimul de blocare.

Prin blocarea tranzistorului, poten\ialul
sù de colector urc` la nivelul poten\ialului aliment`rii.
2.E. Satura\ia tranzistorului

Pentru trasarea caracteristicilor am legat [ntre colector ]i emitor o surs` ideal` de tensiune care s`
men\in` [ntre aceste puncte tensiunea la valoarea dorit` de noi. Astfel, intrarea [n satura\ie s-a f`cut prin
cobor[rea tensiunii acestei surse care, continuat`,, cobor` la zero curentul de colector.
124
{n circuitele practice [n care tranzistorul este utilizat

(]i nu studiat, cum am f`cut noi p[n` acum), lucrurile stau
cu totul altfel, a]a cum se vede [n Fig. 4.32. Diferen\a
esen\ial` este c` sursa Valim nu mai men\ine constant`
tensiunea [ntre colector ]i emitor ci poten\ialul "[n amonte"
de rezisten\a RC . Astfel, tensiunea colector emitor este
dictat` de legea lui Ohm
VCE = VC = Valim IC RC .
V alim
RC
IC = IB
R B 0.6 V
+
_
VC
IB
EB
+
_
V alim
IE IC
(4.26)
Fig. 4.32. Circuit cu emitor comun.
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea activa
robinetul controleaza
debitul
IC (mA)
10
I B = 50 A
40 A
6
robinetul nu mai
controleaza debitul
30 A
N
M
20 A
2
0
I B = 10 A
O
0
4
VCE
VCE act
6
(V)
I C act R C
10
IB = 0
rezervor 2
rezervor 1
Valim
regimul de blocare
robinet complet inchis
Fig. 4. 33. Regimurile de func\ionare a tranzistorului.

Putem urm`ri starea tranzistorului pe familia de caracteristici de ie]ire, prin metoda dreptei de sarcin`.
Aceast` dreapt` intersecteaz` axele la Valim ]i Valim RC , a]a cum se vede [n Fig. 4.33. S` presupunem c`
am stabilit curentul de baz` la 20 A ]i punctul de func\ionare se g`se]te [n pozi\ia M de pe desen. Se vede
c` tensiunea colector-emitor nu este [ntreaga tensiune de alimentare, cantitatea RC I C act c`z[nd pe
rezisten\a din colector, conform rela\iei precedente. M`rirea sau mic]orarea curentului de baz` deschide mai
125
mult sau mai pu\in robinetul de curent, modific[nd simultan valoarea curentului de colector ]i tensiunea
colector emitor (echivalentul nivelului din rezervorul 2). Aceasta este regiunea activ`. Aici curentul de
colector ]i poten\ialul colectorului sunt controlate de curentul de baz`
IC = IB
VC = Valim RC IB
(4.27)
tranzistorul put[nd fi utilizat ca un amplificator.

I C (mA)
10
Dac` valoarea curentului de baz` este
Valim RC
adus` la zero, ]i curentul de colector devine
zero, robinetul fiind complet [nchis (punctul O
de pe desen); [n consecin\`, poten\ialul
a)
5
colectorului urc` la nivelul tensiunii de
alimentare. Am ajuns, astfel, [n regimul de
blocare.
Ce se [nt[mpl` [ns` dac` m`rim prea
0
IB
0
mult curentul de baz` ? Deplas[ndu-se spre
Valim ( R C )
st[nga de-a lungul dreptei de sarcin`, punctul
de func\ionare ajunge, [n pozi\ia N, [n regiunea
VC
de satura\ie a tranzistorului, figurat` cu un
Valim
dreptunghi ha]urat. Aici curentul de colector
[nceteaz` s` mai depind` practic de curentul de
baz`; degeaba cre]tem noi curentul de baz` de
b)
la 40 A la 60 A, punctul de func\ionare
r`m[ne practic tot [n pozi\ia N, la un curent de
colector foarte pu\in sub valoarea Valim RC la
care dreapta de sarcina intersecteaz` axa
0
vertical`.
0
IB
Dac` desen`m dependen\a curentului de
colector [n func\ie de curentul de baz`, ob\inem Fig. 4.34. Satura\ia curentului de colector [n raport cu cel
graficul din Fig. 34 a). {ncep[nd de la o valoare
de baz`.
a curentului de baz` egal` cu
V
IB sat alim
RC
(4.28)
curentul de colector [nceteaz` s` mai creasc`, plafon[ndu-se la o valoare de
V
IC sat alim ;
RC
(4.29)
astfel,
valorile curen\ilor (de baz` ]i de colector) la care tranzistorul ajunge [n satura\ie depind numai de circuitul
extern.
126
Dac` [n locul rezisten\ei RC am fi legat colectorul direct la tensiunea de alimentare, dreapta de sarcin`
din Fig. 4.33 ar fi devenit vertical`, deoarece poten\ialul colectorului nu s-ar fi clintit de la Valim . {n
consecin\`, oric[t am fi m`rit curentul de baz`, tranzistorul ar fi r`mas [n regiunea activ`, urm[nd ca la un
moment dat s` se distrug` prin supra[c`lzire, f`r` s` fi ajuns s` afle ce [nseamn` satura\ia.
{n circuitele practice, tranzistorul poate ajunge [n satura\ie datorit` dipolului legat [n colector: la
cre]terea curentului, pe acest dipol cade o tensiune din ce [n ce mai mare, tensiunea [ntre colector ]i emitor
put[nd astfel sc`dea p[n` spre valoarea nul`.
{n general, atunci c[nd o m`rime y , care depinde de o alta, x, [nceteaz` practic s` mai creasc` la
m`rirea lui x, spunem c` avem satura\ia lui y [n raport cu x.
{n cazul tranzistoarelor bipolare, prin satura\ie [n\eleem satura\ia curentului de colector [n raport cu
cel de baz`.
Vom vedea c`, parc` pentru a [ncurca lucrurile, [n cazul tranzistoarelor cu efect de c[mp, prin
satura\ie se [ntelege cu totul altceva.
Poten\ialul de la cap`tul inferior al rezisten\ei RC ar fi ajuns la zero ]i dac` am fi controlat curentul cu
un rezistor reglabil sau un tranzistor cu efect de c[mp. Ce aduce [n plus tranzistorul este impedimentul legat
de jonc\iunea sa baz`-colector: la valori ale poten\ialului de colector de c[teva zecimi de volt aceasta se
deschide ]i [mpiedic` poten\ialul de colector s` ajung` la zero vol\i, a]a cum se observ` [n Fig. 4.4 b).
Aceast` tensiune rezidual` poate fi mic]orat` pu\in prin m`rirea exagerat` a curentului de baz` (se spune c`
tranzistorul intr` ad[nc [n satura\ie) dar ea r`m[ne ]i reprezint` o dificultate pentru unele tipuri de circuite cu
tranzistoare bipolare. De exemplu, la curen\i de zeci de amperi, valoarea ei ajunge spre 1 V, ceea ce produce
o disipa\ie de putere de c[teva zeci de wa\i pe tranzistorul deschis.
2.F. Date de catalog

Utilizatorul g`se]te informa\iile relevante despre tranzistoarele pe care dore]te s` le foloseasc` [n foile
da catalog oferite de produc`tor. De]i pentru unii dintre parametri sunt date defini\iile, majoritatea au
semnifica\ia acceptat` [n manuale sau alte publica\ii care standardizeaz` terminologia. Prezent`m, [n
continuare, extrase din foia de catalog tranzistoarelor BC107 - BC108, limit[nd comentariile la m`rimile care
au fost prezentate [n acest capitol sau a c`ror semnifica\ie este evident`. Al\i parametri importan\i vor fi
discuta\i [n capitolele ulterioare, c[nd ne vom ocupa de circuitele [n care sunt utilizate tranzistoarele.
Foaia de catalog [ncepe cu prezentarea succint` a tranzistoarelor: amplificatoare (aplica\ii liniare) de
uz general (general purpose) la frecven\e joase (audio), av[nd [n plus specifica\ia particular` de zgomot
redus (low noise). Urmeaz` apoi c[teva r[nduri din care afl`m c` tranzistoarele sunt de tip NPN, cu siliciu, ]i
tipul capsulei. Ni se dau, de asemenea, c[teva sugestii de aplica\ii, complementarele lor PNP ]i simbolu
tranzistorului. De aici afl`m un lucru important, care trebuie re\inut: ]i foile de catalog pot con\ine erori. {n
aceast` foaie, de la SGS Thomson Microelectronics, simbolul desenat este al unui tranzistor PNP !.
127
Primele date numerice prezentate sunt acelea ale valorilor maxime admise; pentru exemplificare, ne
vom referi numai la BC107. Tensiunea invers` maxim` [ntre colector ]i baz` este de 50 V (este invers`
pentru c` este definit` ca VCB0 ]i este pozitiv`, deci poten\ialul colectorului este mai ridicat). {ntre colector ]i
emitor tensiunea nu trebuie s` dep`]easc` 45 V iar jonc\iunea baz`-emitor str`punge invers dac` cre]tem
tensiunea peste 6 V. Curentul maxim de colector este de 100 mA.
128
Valorile maxime pentru VCE ]i IC nu pot fi ob\inute simultan deoarece puterea disipat` (egal` cu
produsul lor) nu poate dep`]i 300 mW ]i aceasta numai dac` aerul ambiant nu are o temperatur` mai mare de
25oC. Tranzistorul poate disipa o putere mai mare (750 mW) dac` reu]im s` men\inem capsula sub 25oC.
Ultimele linii din tabel se refer` la temperaturile de depozitare ]i func\ionare. Afl`m astfel c` performan\ele
sunt garantate p[n` la o temperatur` a jonc\iunii de +175oC.
Urmeaz` grupa parametrilor lega\i de func\ionare, "caracteristicile electrice". Dintre ele men\ion`m
curentul rezidual colector baz`, care este de 15 nA dar cre]te la 15 A dac` jonc\iunea ajunge la 150oC.
Pentru jonc\iunea baz`-emitor este dat` c`derea de tensiune [n conduc\ie direct` VBE ( on ) . Recunoa]tem apoi
factorii de amplificare a curentului [n conexiunea emitor comun, at[t cel static hFE = DC c[t ]i cel dinamic
h fe = AC . Observ`m c` pentru cel dinamic sunt date numai valorile tipice, nu ]i intervalul de [mpr`]tiere
tehnologic`.
Acela]i lucru se [nt[mpl` ]i pentru alt parametru important, impedan\a de intrare [n conexiune emitor
comun hie (la VCE constant). Situa\ia poate conduce la confuzii, mai ales pentru [ncep`tori, deoarece, [n
realitate, ace]ti parametri h fe ]i hie au aceea]i dispersie tehnologic` ca ]i factorul de amplificare static.
129
Enun\uri frecvent utilizate

(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)
- {n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este [ntre baz` ]i emitor iar portul de ie]ire
este [ntre colector ]i emitor; colectorul este, astfel, comun celor dou` porturi.
- Cel mai frecvent, tranzistoarele bipolare sunt utilizate [n conexiunea emitor comun.
- Portul de intrare se comport` ca o diod`, caracteristica sa fiind foarte pu\in afectat` de
valoarea tensiunii de ie]ire (colector-baz`).
- Curentul de colector este controlat exponen\ial de tensiunea baz`-emitor; fiecare cre]tere de 60
mV produce o multiplicare cu 10 a curentului.
- Sensibilitatea acestui control poate fi caracterizat` de un parametru dinamic numit
transconductan\`, gm = d IC dVBE ; transconductan\a nu depinde dec[t de valoarea curentului de
colector [n jurul c`reia s-a efectuat mica varia\ie, conform rela\iei gm = IC VT , unde VT este
tensiunea termic` (25 mV la temperatura camerei).
- Pe de alt` parte, valoarea curentului de colector este propor\ional` cu valoarea curentului de
baz`. Factorul de amplificare are valori peste o sut` ]i are o [mpr`]tiere tehnologic` mare.
- La portul de ie]ire, tranzistorul se comport` aproximativ ca o surs` de curent. Comportarea
este mai dep`rtat` de idealitate [n compara\ie cu situa\ia de la conexiunea baz` comun`, deoarece
factorul sufer` varia\ii relative de > 100 ori mai mari dec[t factorul .
- Rezisten\a dinamic` a portului de ie]ire este invers propor\ional` cu valoarea curentului de
colector, conform rela\iei rce = VEA I C , unde parametrul VEA este tensiunea Early; aceast` tensiune
are valori de ordinul a 100 V.
- Regimul [n care curentul de colector este controlat de starea portului de intrare se nume]te
regim activ normal.
- Prin aducerea la zero a tensiunii baz`-emitor, curentul de colector se anuleaz` ]i tranzistorul
ajunge [n regimul de blocare; curentul de colector poate fi adus foarte aproape de zero ]i prin anularea
curentului de baz`.
- Dac` [n colector este montat` o rezisten\` ]i dac` valoarea curentului de baz` cre]te [n a]a fel
[nc[t practic [ntreaga tensiune de alimentare s` cad` pe rezisten\`, tranzistorul ajunge [n regiunea de
satura\ie, poten\ialul colectorului devenind practic egal cu cel al emitorului. {n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare, fiind stabilit de circuitul extern la
IC sat Valim RC .
130
Termeni noi
- factorul
factorul de amplificare a curentului [n conexiunea emitor comun;

este egal cu (1 ) ]i are valori peste 100, prezent[nd o
[mpr`]tiere tehnologic` mare;
parametru dinamic ce caracterizeaz` sensibilitatea cu care
- transconductan\`
tensiunea baz`-emitor controleaz` curentul de colector, definit ca
gm = d IC dVBE ;
parametru care caracterizeaz` dependen\a liniar` a factorului de
- tensiune Early
tensiunea colector baz`; este utilizat` la exprimarea rezisten\ei
dinamice [ntre colector ]i emitor prin rela\ia rce = VEA I C ]i
are valori de ordinul a 100 V;
regim de func\ionare a tranzistorului [n care jonc\iunea colector- satura\ie
baz` ajunge s` fie [n conduc\ie direct`; [n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare;
valoare a curentului de colector la care tranzistorul ajunge [n
- curent de colector de satura\ie
satura\ie; este stabilit` de circuitul extern IC sat Valim RC ;
- tensiune de satura\ie colector
emitor
- regim de blocare
valorea tensiunii colector-emitor [n regimul de satura\ie; depinde

de curentul de colector la care a ap`rut satura\ia
regim de func\ionare a tranzistorului [n care curentul de colector
este nul;
131
Probleme rezolvate
Problema 1. Circuitul din Fig. 4.35 reprezint` o variant` de
polarizare, cunoscut` [n multe texte de limb` romn` ca "polarizare fix`".
a) Tranzistorul are factorul egal cu 200. Determina\i punctul
static de func\ionare.
b) Relua\i calculul de la punctul precedent [n situa\iile [n care 1 M
factorul are valorile 100 ]i, respectiv, 400. Formula\i o concluzie asupra
sensibilit`\ii poten\ialului de colector la modificarea factorului .
c) Revenind la valoarea de 200 a factorului , calcula\i care este
efectul asupra poten\ialului de colector produs de modificarea cu 0.2 V a
tensiunii baz`-emitor (datorit`, de exemplu, [mpr`]tierii tehnologice a
curentului Is).
+ 12 V
3.3 k
Fig. 4.35.
Rezolvare
a) Emitorul este legat la mas`, tranzistorul este din siliciu, deci poten\ialul bazei va fi pe undeva pe la
tensiunea de deschidere de 0.6 V. Legea lui Ohm aplicat` pe rezistorul din baz` conduce la valoarea
curentului la acest terminal
IB =
12 V-0.6 V
= 114
. A ;
1 M
de aici calcul`m imediat curentul de colector
IC = IB = 200 114
. A = 2.3 mA .
Pe rezisten\a din colector va c`dea tensiunea U R = 2.3 mA 3.3 k = 7.6 V, a]a c` poten\ialul
C
din colector este
VC = 12 V-7.6 V= 4.4 V.
. mA , U RC = 3.6 V ]i VC = 8.4 V.
b) Cu valoarea 100 pentru factorul ob\inem IC = 11
Potentialul de colector nu mai este pe la jum`tatea tensiunii de alimentare ci s-a apropiat de aceasta; cu toate
acestea, mai avem o rezerv` de 3.6 V p[na la regimul de blocare.
Relu`m acum calculele pentru = 400. Curentul de colector rezult` IC = 4.6 mA , de unde rezult`
U R = 15.2 V ]i ob\inem VC = 12 V-15.2 V= -3.2 V. A]a s` fie, un poten\ial negativ al colectorului
C
c[nd singura tensiune de alimentare pe care am o avem este pozitiv` ? Este clar c` am gre]it pe undeva.
Refacem calculele ]i aritmetica ne conduce la acela]i rezultat VC = -3.2 V. Verific`m acum ce rela\ii am
aplicat la fiecare pas de calcul. Tensiunea baz` emitor este sigur de ordinul a 0.6 V; ]i dac` ar fi mai mic`
poten\ialul de colector ar rezulta ]i mai negativ. Legea lui Ohm este cu siguran\` valabil` pe rezistorul de
1 M. Putem, deci, s` cont`m pe valoarea ob\inut` pentru curentul de baz`, el este de 114
. A .
Mai departe am scris c` IC = IB ; este aceast` rela\ie valabil` [ntodeauna ? Recitim textul capitolului
]i descoperim c` aceasta nu se mai [nt[mpl` dac` tranzistorul intr` [n satura\ie. Putem chiar verifica faptul
c` tranzistorul este [n satura\ie, exist` o valoare a curentului de colector fixat` de circuitul extern pe care
tranzistorul nu o poate dep`]i; aceasta se calculeaz` simplu
132
IC sat=
12 V
= 3.64 mA .
3.3 k
Or, cu rela\ia IC = IB , curentul de colector a rezultat egal cu 4.6 mA. Concluzia este una singur`, cu
= 400 tranzistorul este [n satura\ie. Din acest motiv, valoarea corect` pentru poten\ialul de colector
nu este VC = -3.2 Vcum a ie]it din calcul, ci
VC VE = 0 V;
de fapt, vom avea o tensiune de satura\ie de c[teva zecimi de volt.
Dac` am fi calculat valoarea lui I C sat de la [nceput, [n momentul [n care am fi ajuns la
IC = 4.6 mA clopo\elul ar fi sunat imediat, anun\[ndu-ne c` tranzistorul a ajuns [n satura\ie. Este bine, deci,
s` [ncepem rezolvarea unei astfel de probleme prin calcularea curentului de colector la care
tranzistorul ar ajunge [n satura\ie.
S` tragem acum concluziile. Am modificat factorul de la 200 la 100 ]i, apoi, la 400. La prima
opera\ie, poten\ialul colectorului s-a deplasat [n sus cu 4 V, dar tranzistorul a r`mas [n regiunea activ`. Prin
cre]terea la 400 [ns`, tranzistorul a intrat [n satura\ie ]i colectorul a ajuns la poten\ialul mase, tranzistorul
[ncet[nd s` mai func\ioneze ca un robinet controlat. Morala este c` polarizarea tranzistorului cu o
rezisten\` direct de la alimentare este total contraindicat`, deoarece punctul static de func\ionare
depinde puternic de parametrul .
c) Valoarea curentului de baz`, calculat [n ipoteza VBE = 0.6 V, a fost de 11.4 A. Dac` tensiunea
baz`-emitor cre]te cu 0.2 V, noua valoare va fi
IB =
12 V-0.8 V
= 112
. A
1 M
cu numai 1.8 % mai mic`. {n consecin\`, rezisten\a din baz` stabile]te

practic valoarea curentului de baz`, indiferent de parametrii tranzistorului.
O denumire mai corect` a acestei variante de polarizare ar fi "la curent de
baz` fixat".
+12 V
+
1M
Problema 2. Circuitul din problema precedent` a fost modificat ]i

acum arat` ca [n Fig. 4.36.
a) Pentru valoarea factorului de 200, calcula\i punctul static de
func\ionare. {ncerca\i s` g`si\i o cale de a reduce o parte a rezolv`rii la
cazul precdent.
b) Afla\i ce se [nt[mpl` dac` factorul se modific`, ajung[nd la 400.
3.3 k
0.6 V
+
-
1k
Rezolvare
Fig. 4.36.
a) De data aceasta nu mai cunoa]tem poten\ialul emitorului. Va
trebui s` aplic`m legea tensiunilor, efectu[nd o excursie de la nodul de
mas` prin rezisten\a din emitor, jonc\iunea emitor baz` ]i rezisten\a din baz`. Ecua\ia care rezult` este
0 + IE 1 k + 0.6 V + IB 1 M = 12 V;
dac` \inem seama c` IE IC = IB , rela\ia devine
133
0.6 V + IB 1 M + 1 k = 12 V
care conduce la
IB =
12 V - 0.6 V
11.4 V
=
= 9.5 A .
1 M + 1 k 1.2 M
De aici urm`m calea cunoscut`, IC = I B = 1.9 mA , U R = 6.3 V ]i

C
VC = 5. 7 V . Pe de alt` parte, VE = I E 1 k = 1.9 V iar
VB = VE + 0.6 V = 2.5 V . Circuitul, cu toate valorile calculate, este
1M
prezentat [n Fig. 4.37.
Dac` analiz`m rela\ia din care am ob\inut valoarea curentului de 9.5 A
baz`, constat`m c` rezisten\a din emitor apare multiplicat` cu ]i
adunat` cu rezisten\a din baz`. Astfel, pentru calcularea curentului din 2.5 V
baz` am putea considera c` ea dispare din emitor ]i apare, de mai
mare, [n serie cu rezisten\a din baz`. Acest truc func\ioneaz` numai
pentru calcularea curentului din baz`. Pentru etapele ulterioare ale
calculului ea trebuie s` revin` la locul ei [n circuitul emitorului.
3.3 k
1.9 mA
5.7 V
1.9 V
1k
Fig. 4.37.
b) Cu = 400 curentul de baz` se ob\ine
IB =
+12 V
12 V - 0.6 V
11.4 V
=
= 8.14 A .
1 M + 1 k 1.4 M
Cre]terea lui a mic]orat un pic curentul de baz` dar efectul cre]terii r`m[ne puternic asupra curentului de
colector, care rezult` acum IC = I B = 3.3 mA . {n acest caz, pe rezistorul din colector ar c`dea tensiunea
U R = 10. 7 V de unde ar rezulta c` poten\ialul colectorului ar fi la 1.3 V. Pe de alt` parte, pe rezistorul din
C
emitor ar c`dea 3.3 V ]i emitorul ar urca la VE = 3.3 V . Am ajuns la o solu\ie [n care poten\ialul colectorului
(1.3 V) este mai cobor[t dec[t al emitorului. Acest lucru este imposibil, deci tranzistorul a ajuns [n
satura\ie.
Problema 3. {n circuitul din Fig. 4.38 s-a utilizat un alt mod de polarizare al bazei. Consider[nd [n
continuare c` = 200,
+12 V
a) decide\i dac` divizorul rezistiv din baz` poate fi considerat
ne[nc`rcat ]i calcula\i punctul de static func\ionare.
b) Relua\i punctul precedent, pentru = 400. Formula\i o concluzie.
3.3 k
50 k
Rezolvare
a) Rezisten\a echivalent` a divizorului rezistiv este pu\in mai mic`
+
dec[t valoarea rezisten\ei de 10 k. Dac` dori\i o valoare mai precis`,
0.6 V+
calcula\i combina\ia lor paralel ]i ob\ine\i 8.3 k. Din rezolvarea problemei
10 k
1k
precedente am [nv`\at c`, pentru calcularea curentului de baz`, putem s`
deplas`m rezisten\a din emitor [n circuitul bazei, dac` o multiplic`m cu .
Avem, astfel, o valoare pentru rezisten\a care constituie sarcina divizorului,
ea este 1 k = 200 k , de 2008.3 24 de ori mai mare dec[t
Fig. 4.38.
rezisten\a echivalent` a divizorului. {n concluzie, cu o aproxima\ie de 4 %
putem considera c` divizorul este operat [n gol. Prezen\a c`derii de tensiune pe jonc\iunea baz`-emitor
134
contribuie suplimentar la mic]orarea curentului extras din divizor, astfel c` eroarea este chiar mai mic` de
4 %.
{n continuare, readucem rezisten\a din emitor la locul ei. Apoi calcul`m tensiunea de ie]ire [n gol a
divizorului, prin regula de trei simpl`. Ea este identic` cu poten\ialul bazei tranzistorului
VB =
10 k
12 V= 2 V;
60 k
de aici calcul`m poten\ialul emitorului VE = VB 0.6 V= 1.4 V ]i, cu legea lui Ohm, curentul de emitor,
care este practic egal cu cel de colector, IC = 1.4 mA . Urmeaz` la r[nd tensiunea pe rezisten\a din colector
VR = 4.6 V ]i, [n final, poten\ialul colectorului VC = 12 V-4.6 V= 7.4 V. Colectorul este mai sus cu
C
6 V dec[t emitorul, tranzistorul este departe de regimul de satura\ie.

b) Acum divizorul rezistiv "vede" [n locul rezisten\ei de sarcin` de 200 k una de valoare dubl`,
egal` cu 400 k . Dac` [n cazul anterior cuplarea rezisten\ei de sarcin` cobora cu 4 % tensiunea de ie]ire
(fa\a de cea de mers [n gol), acum cobor[rea este numai de 2 %. {n concluzie, modificarea lui de la 200 la
400 produce numai o cre]tere a poten\ialului bazei de 2 % din tensiunea [n gol a divizorului, adic` de numai
0.04 V. Aceea]i cre]tere se va reg`si ]i [n emitor, provoc[nd o cre]tere a curentului de colector de numai 0.04
mA, adic` sub 3 %. {n consecin\`, poten\ialul de colector va cobor[ cu 0.13 V de la valoarea anterioar` de 7.4
V.
S` ne aducem aminte c`, [n cazul circuitulor de la problemele 1 ]i 2, aceea]i cre]tere a factorului
aducea tranzistorul [n satura\ie, pe c[nd acum modificarea poten\ialului de colector este practic
neglijabil`. Circuitul de polarizare din Fig. 4.38, care fixeaz` poten\ialul bazei ]i nu curentul de baz`, este
circuitul care asigur` predictibilitatea punctului static de func\ionare [n condi\iile [mpr`]tierii mari a
factorului .
135
Probleme propuse
+10 V
P 4.2.1. {ncerc[nd s` realiza\i circuitul din Fig. 4.39, lua\i un
tranzistor din cutie ]i [l monta\i. S` presupunem c` tranzistorul are
560
= 200. Calcula\i curentul de baz`, curentul de colector ]i 220 k
poten\ialul colectorului. Este el [n regiunea activ` sau [n satura\ie ?
P 4.2.2. Lu[nd un alt exemplar din aceea]i cutie trimis` de
fabricant, tranzistorul are, s` zicem, = 450. Relua\i problema
precedent` ]i stabili\i [n ce regiune de func\ionare se g`se]te
tranzistorul.
P 4.2.3. Stabili\i acum [n ce interval trebuie s` fie factorul
pentru ca poten\ialul colectorului s` nu se apropie la mai pu\in de
Fig. 4.39 .
doi vol\i de poten\ialul aliment`rii ]i, de asemenea, de poten\ialul
masei. {n cutia cu tranzistoare, valorile lui s[nt distribuite cu egal` probabilitate [ntre limitele 200 ]i 450.
Dac` dorim s` realiz`m un amplificator dup` schema precedent`, c[t la sut` dintre amplificatoarele realizate
trebuie aruncate pentru c` nu [ndeplinesc condi\ia asupra poten\ialului de colector enun\at` mai sus ?
P 4.2.4. Utiliz[nd circuitul din Fig. 4.40, prin
+5 V
comutatorul K dorim s` control`m aprinderea becului, care
bec incandescenta
are valorile nominale de func\ionare 0.2 A ]i 4.5 V. {n ceea R
valori nominale
B
ce prive]te tranzistorul, cont`m pe un factor de cel pu\in
0.2 A; 4.5 V
50. C[t ar trebui s` fie valoarea rezisten\ei din baz` pentru ca
becul s` func\ioneze normal ? Dar dac` ne lu`m o rezerv`,
pentru orice eventualitate (de exemplu, cu filamentul rece
becul absoarbe mai mult curent dec[t cel nominal) ?
K
P 4.2.5. {n circuitul din Fig. 4.41, tensiunea sursei
ideale E B a fost ajustat` fin astfel [nc[t VC = Valim2 . O
Fig. 4.40.
[nc`lzire cu 8o C a tranzistorului este echivalent` cu o
cre]tere de aproximativ 18 mV a tensiunii baz` emitor (prin

modificarea parametrului I s din ecua\ia (4.19)). Utiliza\i ecua\ia
V alim citat` ]i calcula\i de c[te ori cre]te curentul de colector. Mai r`m[ne
tranzistorul [n regiunea activ` ? Este o idee bun` s` polariz`m
RC
tranzistorul [n acest mod ?
P 4.2.6. Circuitul de la problema precedent` mai are un
dezavantaj. Imagina\i-v` c` E B sufer` o varia\ie necontrolat`, de
0.6 V
VC
scurt` durat`, de la aproximativ 0.6 V la 1 V. Calcula\i de c[te ori ar
cre]te curentul de colector dac` rezisten\a RC ar fi nul` (sau [n locul
+
EB
_
ei s-ar afla o diod`). Care ar fi consecin\ele ?
P 4.2.7. {n Fig. 4.42 ave\i schema unui amplificator cu emitor
comun, cu dou` etaje. Ne vom ocupa numai de polarizare (regimul de
curent continuu) a]a c` nu trebuie s` lua\i [n seam` condensatoarele,
Fig. 4.41 .
ele nu afecteaz` regimul de curent continuu. Nu le ]terge\i de pe
schem`, obi]nui\i-v` s` lucra\i cu ele acolo ]i s` le ignora\i c[nd
vorbi\i despre polarizare. Mai [nt[i stabili\i sensurile curen\ilor ]i estima\i c[t de mari ar putea fi ([n cea mai
defavorabil` situa\ie) curen\ii de colector.
P 4.2.8. }tiind c` ambele tranzistoare au factorul de amplificare mai mare de 100, decide\i dac`
divizorul din baza lui T1 poate fi considerat ne[nc`rcat. Calcula\i apoi, pentru primul tranzistor, poten\ialul
136
bazei, poten\ialul emitorului ]i curentul de colector.

Scrie\i aceste valori pe schem`, obi]nui\i-v` s`
lucra\i [n principal pe schem` ]i s` scrie\i c[t mai
90 k
pu\ine ecua\ii sub form` literal`.
P 4.2.9. Pentru determinarea poten\ialului de
colector al lui T1 ar trebui s` cunoa]tem curentul
in
de baz` al lui T2, pe care nu [l ]tim. Pute\i afirma,
[ns`, c` el nu este mai mare dec[t o anumit`
valoare, pentru c` ave\i deja o estimare maximal` a
10 k
curentului de colector. Sunte\i, astfel, [n m`sur` s`
afla\i ]i poten\ialul de colector al primului
tranzistor.
P 4.2.10. {n sf[r]it, determina\i, pentru al
doilea tranzistor, poten\ialul de emitor, curentul de
colector ]i poten\ialul colectorului.
P 4.2.11. Am v`zut c` putem considera curentul de colector ca
fiind controlat de tensiunea baz`-emitor, parametrul care depinde de
tranzistorul particular pe care [l folosim fiind factorul multiplicativ Is.
Acest fapt are o aplica\ie important` [n circuite ca cel din Fig. 4.43,,
numit oglind` de curent.
a) Determina\i curentul de colector al tranzistorului T1 (curen\ii
de baz` se pot neglija).
b) Consider[nd c` cele dou` tranzistoare sunt "[mperecheate",
av[nd aceea]i valoare pentru parametrul Is, calcula\i curentul de
+20 V
2.2 k
5k
T2
out
T1
1.5 k
2.5 k
Fig. 4.42.
+10 V
4.7 k
sarcina
T1
T2
colector al tranzistorului T2.
c) Rezisten\a sarcinii se modific`; cu ce este echivalent
tranzistorul T2 ?
Fig. 4.43.
d) Care este complian\a de tensiune a sursei de curent ?
e) Este aceasta o surs` cu rezisten\` dinamic` mare ? Revede\i
caracteristica de ie]ire cu VBE = cons.
P 4.2.12. Circuitul din Fig. 4.44 este o oglind` de curent
+10 V
perfec\ionat`.
a) Calcula\i curentul de colector al tranzistorului T1.
4.2 k
sarcina
b) Determina\i curentul de colector al tranzistorului T2,
consider[nd tranzistoarele identice.
c) Estima\i cu c[t se modific` valoarea curentului de colector al
tranzistorului T2 dac` parametrul sù Is devine de 10 ori mai mare.
Formula\i o concluzie [n privin\a predictibilit`\ii curentului dac`
tranzistoarele nu sunt [mperecheate.
T1
T2
d) Calcula\i c[t este acum complian\a de tensiune a sursei de
500
500
curent.
e) Ce se [nt[mpl` cu valoarea rezisten\ei dinamice a sursei de
curent ? Indica\ie: poten\ialul bazei lui T2 este men\inut constant dar
tensiunea baz` - emitor nu mai este constant`; a\i [nt[lnit o situa\ie
Fig. 4.44.
similar` atunci c[nd am discutat conexiunea cu baz` comun`.
137
Lucrare experimental`
Preg`tirea experimentelor
Desena\i-v` pe caiet circuitul din Fig. 4.45. pe care [l ve\i utiliza pentru trasarea caracteristicilor
statice. Determina\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile necesare pentru aparatele de m`sur`. Realiza\i apoi
circuitul.
IC
mA
I ap
RB
V A1
+
_
Pot.
C
IB
IV B
V
+
_
V A2
0 - 10 V
VBE
Fig. 4.45 Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

Sursa V A2 , legat` direct [ntre colector ]i emitor, va men\ine constant` tensiunea VCE iar
miliampermetrul va m`sura valoarea curentului de colector. Sursa V A1 ]i rezisten\a RB vor asigura
deschiderea jonc\iunii baz`-emitor. Curentul de baz` poate fi reglat din valoarea acestei surse ]i, mai fin, cu
poten\iometrul Pot. montat pe plan]et`. Voltmetrul m`soar` tensiunea tensiunea VBE [ntre baz` ]i emitor.
Cunosc[nd tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabili\i scala pe care va trebui utilizat
voltmetrul ]i nota\i aceasta pe schema desenat`.
Pentru determinarea curentului de baz` a fost intercalat un microampermetru. El nu m`soar` [ns`
curentul de baz` ci suma dintre acesta ]i curentul prin voltmetru
V
Iap = IB + BE ;
RV
(3)
al doilea termen fiind semnificativ, va trebui s` face\i corec\ia necesar`. Determina\i rezisten\a
voltmetrului, decupl[nd baza tranzistorului (leg[nd microampermetrul numai la voltmetru) ]i ajust[nd sursa
V A1 astfel [nc[t tensiunea pe voltmetru s` fie pe scala de 1V, acolo unde voltmetru va fi utilizat. Compara\i
valoarea aflat` cu cea [nscris` pe aparat.
Experimentul 1. Caracteristica de intrare

Caracteristica de intrare este dependen\a curentului de baz` [n fnc\ie de tensiunea baz`-emitor.
Ea trebuie trasat` men\in[nd constante anumite condi\ii de la portul de ie]ire. Cum valoarea curentului de
colector este controlat` de la intrare, se men\ine constant` tensiunea colector-emitor, care este parametrul la
care se traseaz` caracteristica. Modific[nd valoarea parametrului, ob\inem familia de caracteristici de intrare.
Vom modifica valoarea curentului de baz` [ntre 0 ]i 100 A. Presupun[nd c` tranzistorul are un factor
de amplificare de 100, estima\i valorile curentului de colector ]i alege\i o scal` adecvat` pentru
miliampermetrul din colector. Stabili\i la 5 V tensiunea VCE ]i varia\i curentul de baz` cu ajutorul
poten\iometrului, observ[nd deschiderea jonc\iunii baz` emitor ]i faptul c` ea controleaz` curentul de
138
colector. {nainte s` trasa\i caracteristica, determina\i aproximativ tensiunea de deschidere ]i factorul .

Pentru a trasa caracteristica de intrare [n scar` liniar`, determina\i 10-12 puncte experimentale, pe c[t posibil
cu valori IC echidistante. M`sura\i, [n acela]i timp, ]i valorile curentului de colector, trec[nd datele [ntr-un
tabel de forma
VBE (V)
Iap (A)
IV = VBE RV (A)
IB = Iap IV (A)
IC (mA)
= IC I B
Completa\i apoi tabelul, f`c[nd m`sur`tori la valori mult mai mici ale curen\ilor. Utiliza\i, pentru
valorile curentului de colector, secven\a 5 mA, 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01
mA, 0.005 mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor ap`rea practic echidistante pe scara
logoritmic`.
Modifica\i acum tensiunea colector-emitor la valoarea 10 V ]i trasa\i din nou caracteristica de intrare
(numai m`sur`torile pentru scar` liniar`).
Reprezenta\i, apoi, grafic, [n coordonate liniare, [ncep[nd de la VBE = 0 , caracteristica I B = f (VBE )
m`surat` la VCE = 5 V. Se comport` portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici varia\ii [n jurul unui
punct de func\ionare, putem introduce rezisten\a dinamic` rbe = VBE I B . Calcula\i valorile ei la curent
de colector de 1 mA ]i 10 mA.
Desena\i pe acela]i grafic ]i caracteristica ridicat` la VCE = 10V . Cum depinde comportarea portului
de intrare de tensiunea de la portul de ie]ire ? Caracteriza\i cantitativ aceast` dependen\`, aleg[ndu-v` o
anumit` valoare a curentului de baz` (de exemplu I B = 50 A ) ]i m`sur[nd cu c[t s-a modificat tensiunea
baz`-emitor la modificarea tensiunii colector emitor; estima\i factorul VBE VCE .
Experimentul 2. Caracteristicile de transfer

{ncepe\i cu caracteristica IC = f(IB ). Ave\i deja valori m`surate pentru trasarea acestei caracteristici.
desena\i-o ]i verifica\i c` ea este apropiat` de o linie dreapt`. Este util [n practic` s` cunoa]tem cum se abate
un tranzistor de la caracteristica ideal`. Pentru aceasta, va trebui s` calcula\i valorile factorului ]i s` le
reprezenta\i [n func\ie de curentul de colector = f(IC ), deoarece acest curent este cunoscut [n aplica\ii.
Utiliza\i o scar` logaritmic` pentru curentul de colector. Formula\i o concluzie asupra dependen\ei factorului
de amplificare [n curent .
}i pentru dependen\a IC = f (VBE ) ave\i deja datele. Mai [nt[i reprezenta\i-o [n coordonate liniare, cu
tensiunea [ncep[nd de la zero. R`spunde\i la [ntrebarea: este tranzistorul bipolar un element de circuit liniar ?
Determina\i transconductan\a sa
g m = I C VBE .
la IC = 1 mA ]i IC = 10 mA ]i verifica\i c` ea respect` rela\ia gm = IC VT .
Ne a]tept`m ca dependen\a s` fie descris` de rela\ia IC = I S eVBE VT . Pentru a verifica aceasta,
desena\i din nou caracteristica, cu o scar` logaritmic` pentru curent. (aten\ie, pe axa logaritmic` "etichetele"
trebuie s` arate valoarea curentului ]i nu a logaritmului !); alege\i o scar` liniar` convenabil` pentru tensiune,
chiar dac` nu [ncepe de la zero. Ce form` are graficul ]i ce concluzie pute\i trage asupra dependen\ei
IC = f (VBE ) ? Determina\i pe ce interval de varia\ie a tensiunii baz`-emitor curentul variaz` cu o decad`
(multiplicare cu 10). Din aceast` valoare, determina\i valoarea lui VT ]i apoi, utiliz[nd un punct de pe grafic,
calcula\i valoarea parametrului I s .
139
curentul de colector (mA)

10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
tensiunea baza-emitor (volti)

Desena\i pe acela]i grafic ]i dependen\a curentului de baz` (caracteristica de intrare). Are curentul de
baz` aceea]i comportare ca cel de colector ?
Experimentul 3. Caracteristica de ie]ire

Deconecta\i voltmetrul din baza tranzistorului ]i lega\i-l [ntre colector ]i emitor. Fixa\i I B la o anumit`
valoare (s` zicem 10 A) ]i mic]ora\i gradual tensiunea VCE de la 10 V p[n` la 0 V, urm`rind evolu\ia
curentului de colector. Dac` valoarea curentului de baz` are tendin\a s` se modifice fa\` de cea stabilit` la
[nceput, reajusta\i-i valoarea cu ajutorul poten\iometrului de pe plan]et`.
Reface\i experimentul pentru alte c[teva valori ale curentului de baz` (20 A, 30 A, 40 A) ]i
desena\i aceste dependen\e IC = f (VCE ) I B = const. pe acela]i grafic, ob\in[nd o parte din familia de
caracteristici de ie]ire. Estima\i din grafic, pentru fiecare din caracteristicile de ie]ire, valoarea rezisten\e
dinamice [n regiunea activ`. Cum depinde ea de valoarea curentului de colector ? (desena\i un grafic)
Determina\i, [n final, valoarea tensiunii Early, fie din valoarea rezisten\ei dinamice, fie prin extrapolarea
caracteristicilor.
Experimentul 4. Satura\ia tranzistorului [n circuitele practice

C[nd am trasat caracteristica de ie]ire am legat o surs` ideal` de tensiune [ntre colector ]i emitor, surs`
care men\inea tensiunea [ntre aceste puncte la valoarea dorit` de noi. Astfel, intrarea [n satura\ie s-a f`cut prin
cobor[rea tensiunii acestei surse, care continuat`, cobor` la zero curentul de colector. {n circuitele practice
[n care tranzistorul este utilizat (]i nu studiat), lucrurile stau cu totul altfel. Diferen\a esen\ial` este c` [ntre
sursa V A2 ]i colector se intercaleaz` intercaleaz` o rezisten\` RC .
Stabili\i la 10 V tensiunea de alimentare V A2 ]i modifica\i circuitul, cupl[nd o rezisten\` de colector de
10 k . Calcula\i c[t trebuie s` fie valoarea curentului de colector la satura\ie. M`ri\i, apoi, valoarea
140
curentului de baz` ]i observa\i ce se [nt[mpl` cu valoarea curentului de colector ]i cu tensiunea colector

emitor. Dup` ce VCE coboar` sub 1 V, m`sura\i dependen\a acesteia [n func\ie de curentul de baz`
VCE sat= f(IB ); cre]te\i curentul de baz` p[n` la 100 A.
IC
RC
mA
RB
V a1
+
_
Pot.
IB
A
C
V
VCE
+
_
V a2
10 V
Fig. 4.46.
Schimba\i apoi rezisten\a de colector cu una de 1 k. Calcula\i curentul de colector la care se va satura
acum tranzistorul ]i reface\i m`sur`torile VCE sat= f(IB ). De data aceasta m`ri\i curentul de baz` p[n` la 1
mA. Desena\i apoi, pe acela]i grafic, ambele dependen\e. Pentru curentul de baz` alege\i o scar` logaritmic`
iar pentru tensiunea colector emitor utiliza\i o scara liniar`, [ntre zero ]i 1 V. Pe fiecare din curbe nota\i
valoarea curentului de colector la care a fost trasat`.
V CE sat (V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10 A
100 A
IB
1m A
141
Pagini distractive
Am v`zut, la sf[r]itul sec\iunii 4.1, c`, la instigarea unor autori "alternativi" 3, Ministerul Educa\iei
Na\ionale [i ordon` bietului tranzistor bipolar (Ordinul nr. 4055 din 26.06.200 prin care avizeaz` manualul)
s` aib` o jonc\iune [ntre colector ]i emitor, s` se satureze la valoarea maxim` admis` [n catalog pentru
IC ]i, cel mai dureros, s` intre [n conduc\ie la un scurtcircuit [ntre baz` ]i emitor. Supliciul la care e
supus acest dispozitiv onest nu se opre]te, [ns`, aici. Cum speciali]ti de calibrul autorilor se pare c` se g`sesc
din bel]ug pe la noi, suntem delecta\i cu o bijuterie de problem`, propus` la Olimpiada na\ional` de fizic`,
1998. Pentru c` al treilea punct al problemei nu cere dec[t reproducerea unor cuvinte de prin manuale, ne
vom referi numai la primele dou`.
"{ntr-un etaj de amplificare cu un tranzistor [n
RC
montaj cu emitorul comun (vezi figura al`turat`) este
1k
R1
folosit un tranzistor n-p-n. Pentru polarizarea bazei
2
tranzistorului se folose]te un divizor compus din
+ 12 V
rezistoarele R 1 ]i R2 . {n lipsa semnalului electric de la 1
+
bornele de intrare 1 - 1', pentru punctul static de
0.6 V
5 mA
R2
func\ionare, situat pe por\iunea liniar` a caracteristicii de
6k
2'
RE
curent IC = f (U CE ) , se consider` cunoscu\i parametrii
1
electrici: I E = 5 mA , I B = 10 A , U BE = 0.6 V , 1'
K
R2 = 6 k , RC = 1 k , E = 12 V , r = 0 , RE = 1 ".
Pentru a u]ura discu\ia, ne-am permis s` trecem pe
schema original` valorile unora dintre "parametrii electrici" (rezisten\ele ]i curentul de emitor). S` citim
acum cerin\ele problemei ]i s` le rezov`m cu ceea ce ]tim noi despre tranzistoare.
"a) Ce valoare are tensiunea U CE ([ntre colectorul ]i emitorul tranzistorului) dac` [ntrerup`torul K
este [nchis ]i ce valoare va avea curentul din baz` c[nd K este deschis, dac` U BE ]i I E se men\in practic la
acelea]i valori."
Sunt, de fapt, dou` chestiuni. Tensiunea U CE rezult` imediat dup` ce calcul`m c`derile de tensiune pe
rezistorul
din
emitor
( 5 mA 1 = 5 mV )
]i
pe
cel
din
colector
U R = (5 mA -10 A) 1 k = 4.99 V 5 V . Cum tensiunea de alimentare este de 12 V, [ntre colector ]i
C
emitor mai r`m[ne s` cad` 12 V - 5 V - 5 mV = 6.995 V 7 V .

A doua chestiune se refer` la situa\ia [n care contactul K se [ntrerupe (K deschis): ni se cere valoarea
curentului din baz`, d[ndu-ni-se informa\ia suplimentar` c` "U BE ]i I E se men\in practic la acelea]i valori".
}tim c` tensiunea pe jonc\iunea baz`-emitor nu se va modifica semnificativ dar autorul problemei [i cere
tranzistorului s`-]i men\in` practic neschimbat curentul de emitor c[nd contactul K se [ntrerupe ! C`
doar de aia este el autor na\ional de probleme.
Ce ar face totu]i un tranzistor umil, dac` ar fi l`sat [n pace de autorul respectiv ? Observ`m, mai [nt[i
c` nu ]tim valoarea rezisten\ei R 1; o putem calcula, deoarece cunoa]tem curentul de baz` ]i poten\ialul
bazei. Prin R2 curge la mas` un curent de 0.605 V 6 k = 0.101 mA , iar rezisten\a R 1 trebuie s`
furnizeze suplimentar ]i curentul bazei, deci [n total 0.101 mA + 0.01 mA = 0.111 mA . Cum pe ea cade
12 V - 0.605 V = 11.4 V , ea are valoarea 11.4 V 0.111 mA = 103 k . Tot din datele problemei putem
afla factorul al tranzistorului, este 5 mA 10 A + 1 = 501 500 . Acum avem tot ce ne trebuie.
Tensiunea de alimentare cade pe R1, pe jonc\iunea baz`-emitor ]i pe rezistorul din emitor. Astfel, curentul
de baz` se ob\ine prin (12 V - 0.6 V) (103 k + 500 1 ) = 0.11 mA Cu un asemenea curent de baz`,
dac` tranzistorul ar mai r`m[ne [n regiunea activ`, curentul de colector ar trebui s` fie de 55 mA. Dar
rezisten\a din colector, de 1 k, nu permite curentului de colector s` ajung` dec[t pe la 12 mA, unde
3***,
"Fizic`", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educa\ional, Bucure]ti, 2000.
142
tranzistorul intr` [n satura\ie. Cum rezisten\a din emitor este extrem de mic` (numai Dumnezeu poate ]ti
de ce a ales-o a]a autorul, vom reveni [n alt capitol asupra acestui lucru), [n regim de satura\ie emitorul st` pe
la 12 mV, poten\ialul bazei este pe la 0.612 mV ]i curentul de baz` este doar cu o miime mai mic dec[t cel
calculat anterior.
{n concluzie, c[nd contactul K este [ntrerupt, tranzistorul este saturat la IC 12 mA iar curentul de
baz` este de 0.11 mA. Curentul de emitor este, deci, de 12.1 mA. Autorul problemei []i [ncordeaz`, [ns`,
mu]chii ]i oblig` tranzistorul s` men\in` curentul de emitor "practic" la aceea]i valoare, adic` la 5 mA.
S` ne ocup`m acum ]i de chestiunea de la punctul urm`tor.
"b) Se aplic` un semnal electric de tensiune u i = U sin( t ) , U << E , la bornele de intrare 1 -1' ale
etajului de amplificare (peste valoarea de regim static, se suprapune componenta de tensiune variabil` [n
timp). Se cere s` se exprime dependen\a tensiunii de la bornele de ie]ire 2 -2' [n func\ie de valorile
instantanee ale curentului de colector iC , c[nd K este [nchis. Condensatoarele las` semnalul variabil s`
treac`."
Ne minun`m un pic de faptul c`, pentru a pune condi\ia de semnal mic, autorul problemei compar`
amplitudinea semnalului cu tensiunea de alimentare. Noi ]tiam c` numai 18 mV varia\ie a tensiunii bazèmitor dubleaz` curentul de colector ]i duce tranzistorul aproape de satura\ie. 18 mV nu [nseamn` semnal
mic pentru acest amplificator, de]i este de peste 600 de ori mai pu\in dec[t tensiunea de alimenatare. Nu
merit` s` ne minun`m, totu]i, prea tare; fa\` de men\inerea constant` a lui I E de la punctul precedent aceast`
este o ]otie nevinovat`. Ne mai [ntreb`m numai de ce e nevoie s` ]tim forma semnalului de intrare dac`
dependen\a cerut` trebuie exprimat` [n func\ie "de valorile instantanee ale curentului de colector". S`
r`spundem, totu]i la [ntrebarea problemei. Consider[nd varia\iile de la regimul de repaus, [ntoteauna
VC = RC I C ; dac` varia\iile sunt de frecven\` suficient de mare, la ie]irea 2 -2' tensiunea instantanee
va fi egal` [n orice moment cu abaterea instantanee a poten\ialului colectorului de la regimul de repaus
u2 2' = RC I C . Aici IC = ic este abaterea instantanee a curentului de colector de la valoarea de
repaus. Dac` dorm s` apar` valoarea instantanee a curentului de colector iC , va trebui s` o punem sub forma
u2 2' = RC iC ( t ) ICQ unde ICQ este curentul de colector [n repaus.

}i acum s` [ncet`m comentariile ]i s` admir`m rezolvarea dat` de autorii manualului:
Tranzistorul este "u]or [n conduc\ie" ]i nu se satureaz` la [ntreruperea lui K pentru c`, dup` ]tiin\a
autorilor manualului, aceasta are loc la valoarea maxim` admis` a lui IC . Pentru calculul tensiunii de ie]ire
sunt scrise o mul\ime de rela\ii complet inutile. Un lucru extraordinar ne lumineaz` spre sf[r]it: autorii au
aflat c` intensita\ile curen\ilor de emitor ]i de colector sunt "de acela]i ordin de m`rirme".

Cap 4

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cap 4

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CAPITOLUL

Tranzistoare bipolare caracteristici statice

4.1. Conexiunea baz` comun` 83

4.1. Conexiunea baz` comun`

Electronic` - Manualul studentului

4.2. Conexiunea emitor comun

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

4.1. Conexiunea baz` comun`

O istorie fascinant` a invent`rii tranzistorului bipolar pute\i g`si la www.pbs.org/transistor/index.html.

Electronic` - Manualul studentului

emitor baza colector

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

Electronic` - Manualul studentului

S` vedem [n ce const` efectul de tranzistor. Dac` dorim ca tranzistorul s` func\ioneze ca un robinet

Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

Electronic` - Manualul studentului

}i aceasta nu e tot. Revenim la polarizarea ini\ial` a jonc\iunii emitor-baz` (desenul e) ]i modific`m

Scopul circuitelor electronice este, [n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informa\iei).

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

Din rela\ia (4.3) rezult` c` ea are expresia

fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 , pe c[nd la 10 mA coboar`

intrare este pur ]i simplu translatat` [n sus. Aceasta

Electronic` - Manualul studentului

1.C. Caracteristicile de transfer

cam cu 104 vol.

se poate ar`ta imediat c`

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

1.D. Caracteristica de ie]ire

Fig. 4.4. Caracteristica de ie]ire ]i modelarea portului de ie]ire.

Electronic` - Manualul studentului

tensiunea emitor-baza (volti)

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

1.E. Satura\ia tranzistorului

se schimb` ? Jonc\iunea colector baz` devine direct

Electronic` - Manualul studentului

Fig. 4.7. Efectul modific`rii rezisten\ei de sarcin` cuplat` la sursa de curent.

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

1.F. Dep`]irea dificult`\ilor conexiunii baz` comun`

Fig. 4.8. Amplificarea varia\iilor tensiunii de intrare.

Electronic` - Manualul studentului

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

1.G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare

Fig. 4.10 a) ]i b). Sursa de curent cu tranzistor NPN.

Electronic` - Manualul studentului

complianta de tensiune : VE < VC V alim

Fig. 4.10 c) ]i d). Sursa de curent cu tranzistor NPN, realizare practic`.

}i acum, merit` s` ne aducem aminte

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

complianta de tensiune : VE < VC V alim

Fig. 4.12. Procedura de proiectare a unei surse de curent cu tranzistor NPN.

Electronic` - Manualul studentului

Enun\uri frecvent utilizate

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

-tranzistor bipolar cu jonc\iuni

-conexiunea emitor comun

dispozitiv semiconductor constituit din trei regiuni, emitorul, baza

Electronic` - Manualul studentului

Fig. 4.13. Surs` de curent.

Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice

cel al emitorului fiind cu aproximativ 0.6 V mai sus

Electronic` - Manualul studentului

Fig. 4.14. Amplificator de anten` TV.