Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
4 Diode electroluminescente
2.4.1 Procese de emisie a radiaiei luminoase i infraroii n jonciuni i
heterojonciuni pn polarizate direct
Pentru a favoriza recombinarea radiant n jonciuni i heterojonciuni
semiconductoare, deci i procesele de emisie a radiaiei electromagnetice, este
necesar s se creeze acele stri de neechilibru n care concentraia purttorilor de
sarcin minoritari s fie mult mai mare dect concentraia lor la echilibru. n cazul
dispozitivelor electroluminescente, care transform energia electric n energie a
radiaiei luminoase, mecanismul prin care se creeaz strile de necchilibru este
injecia purttorilor de sarcin minoritari. Acesta este cazul concret al jonciunilor
i heterojonciunilor pn polarizate direct.
n figura 2.42.7 se prezint diagramele de benzi energetice ale jonciunilor
i heterojonciunilor pn la echilibru (a) i polarizate direct (b) pentru cazurile de
interes practic.
Micorarea barierei de potenial la aplicarea tensiunii directe pe jonciunea
sau heterojonciunea pn este efectul principal care face s creasc exponenial
concentraia purttorilor minoritari (injecia purttorilor de sarcin minoritari, vezi
fig. 2.8).
La o densitate de curent de 10 A/cm2 se injecteaz aproximativ 1021
purttori/cm3*s la o distan de 12 m de jonciunea pn. La un timp de via
de 10-9s rezult o concentraie a purttorilor minoritari injectai
E gn E gp :
E gp E gn :
snt mecanismele
de recombinare
unde
Ei
pe marginile lor).
h ~ E g
Eg n p
astfel c radiaia
qV
I I S exp
1 I 0 exp
1
kT
kT
(2.5)
I0
I 0 exp
kT
kT
I F I S exp
(2.6)
I F I S exp
kT
n care coeficientul
(2.7)
cnd
(2.8)
Eg
Ie