Electronica - Teorie Si Aplicatii

a
c
ni
r
ct
el
c
ni
r
ct
el
CONSTANTIN ST NESCU
ELECTRONIC . TEORIE I
APLICA II
EDITURA UNIVERSIT
2009
II DIN PITE TI
ISBN: 978-973-690-948-1
c
ni
r
ct
el
Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii
Editura Universittii din Pitesti

Str. Trgu din Vale, nr.1,
110040, Pite ti, jud. Arge
tel/fax: 40248 21.64.48
Copyright 2009 Editura Universit ii din

Pite ti
Toate drepturile asupra acestei edi ii sunt rezervate
Editurii Universit ii din Pite ti.
Nici o parte din acest volum nu poate fi reprodus
sub orice form , f permisiunea scris a autorilor.
Editor: lector univ. dr. Sorin FIANU

Referen i tiin ifici:
- prof. univ. dr. Ion Iorga Sim n

- conf. univ. dr. Dumitru Chirle an
ISBN: 978-973-690-948-1
c
ni
r
ct
el
CUPRINS
CUVNT NAINTE............................................................................................. 6
1. NO IUNI DE FIZICA SOLIDULUI ............................................................ 8
1.1. Re ele cristaline ...................................................................................... 8
1.2. Structura energetic a corpului solid ....................................................... 8
1.3. Concentra ia de purt tori n metale ....................................................... 12
1.4. Conduc ia electric la metale ................................................................ 15
1.5. Concentra ia de purt tori n semiconductori .......................................... 17
1.5.1. Semiconductori intrinseci .............................................................. 17
1.5.2. Semiconductori extrinseci .............................................................. 19
1.6. Conduc ia electric la semiconductori ................................................... 24
1.7. Curen i de difuzie n semiconductori..................................................... 24
1.8. Fenomene optice n semiconductori ...................................................... 28
1.9. Tehnici de ob inere a semiconductorilor intrinseci i extrinseci ............. 31
1.10.
Aplica ii directe ale materialelor semiconductoare............................. 32
1.11.
Aplica ii ............................................................................................ 33
1.11.1.
No iuni introductive pentru laboratorul de electronic ................ 33
1.11.2.
Elemente pasive de circuit .......................................................... 36
1.11.3.
Tuburi electronice ...................................................................... 40
2. DIODA SEMICONDUCTOARE ................................................................ 48
2.1. Jonc iunea p n .................................................................................... 48
2.2. Parametrii diodei semiconductoare ....................................................... 56
2.3. Schema echivalent a diodei semiconductoare ...................................... 58
2.4. Metode de ob inere a jonc iunilor semiconductoare............................... 59
2.5. Tipuri de diode semiconductoare .......................................................... 60
2.6. Fenomene optice n jonc iunea p-n........................................................ 63
2.7. Aplica ii................................................................................................ 66
2.7.1. Dioda semiconductoare.................................................................. 66
3. CIRCUITE DE REDRESARE .................................................................... 71
3.1. Generalit i ........................................................................................... 71
3.2. Redresorul monoalternan monofazat cu sarcin rezistiv .................... 72
3.3. Redresorul monofazat bialternan cu sarcin rezistiv ......................... 74
3.4. Redresorul monofazat cu sarcin RL..................................................... 77
3.5. Redresorul monofazat cu sarcin RC .................................................... 78
3.6. Redresorul cu dublare de tensiune ......................................................... 79
3.7. Filtre de netezire a tensiunii redresate ................................................... 80
3.8. Stabilizatoare de tensiune ..................................................................... 81
3.8.1. Stabilizatoare parametrice .............................................................. 82
3.8.2. Stabilizatoare cu compensare ......................................................... 83
3.8.3. Stabilizatoare cu reac ie ................................................................. 84
3
c
ni
r
ct
el

3.9. Aplica ii................................................................................................ 84
3.9.1. Redresarea curentului alternativ ..................................................... 84
3.9.2. Dioda stabilizatoare (ZENER) ....................................................... 89
4. TRANZISTORUL BIPOLAR ..................................................................... 94
4.1. Construc ie; principiu de func ionare .................................................... 94
4.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar .................................... 98
4.3. Circuite echivalente statice liniarizate ................................................. 101
4.4. Polarizarea tranzistorului bipolar; stabilizarea termic ........................ 102
4.5. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar; scheme echivalente108
4.5.1. Ecua iile i schema echivalent cu parametrii Z ........................... 108
4.5.2. Ecua iile i schema echivalent cu parametrii Y ........................... 109
4.5.3. Ecua iile i schema echivalent cu parametrii hibrizi, h................ 110
4.5.4. Circuitul echivalent natural (Giacoletto) ...................................... 111
4.6. Tranzistorul bipolar n regim de comuta ie .......................................... 112
4.7. Alte dispozitive semiconductoare cu jonc iuni .................................... 114
4.7.1. Tranzistorul unijonc iune (TUJ) ................................................... 114
4.7.2. Tiristorul ..................................................................................... 117
4.7.3. Triacul i diacul ........................................................................... 120
4.8. Aplica ii.............................................................................................. 122
4.8.1. Tranzistorul bipolar. Caracteristici statice .................................... 122
4.8.2. Tranzistorul bipolar. Parametrii hibrizi ........................................ 126
4.8.3. Repetorul pe emitor ..................................................................... 128
4.8.4. Tiristorul ..................................................................................... 131
5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP ............................................... 137
5.1. Tranzistorul cu poart (gril ) jonc iune (TEC-J).................................. 137
5.1.1. Construc ia TEC-J ....................................................................... 137
5.1.2. Func ionarea TEC-J ..................................................................... 138
5.1.3. Caracteristicile TEC-J.................................................................. 143
5.2. Tranzistorul cu poart (gril ) izolat (TEC-MOS) ............................... 145
5.3. Parametrii de semnal mic ai TEC. Schema echivalent ....................... 148
5.4. Polarizarea TEC ................................................................................. 149
5.5. Aplica ii.............................................................................................. 150
5.5.1. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart -jonc iune (TEC-J) .......... 150
5.5.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS) ....... 156
6. AMPLIFICATOARE ................................................................................ 160
6.1. No iuni generale. Clasificare ............................................................... 160
6.2. Parametrii amplificatoarelor................................................................ 161
6.3. Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC ........................................ 162
6.4. Amplificatoare de putere..................................................................... 165
6.5. Principiul reac iei; reac ia n amplificatoare ........................................ 167
6.6. Influen a reac iei asupra parametrilor amplificatoarelor ...................... 169
6.7. Amplificatorul diferen ial ................................................................... 170
6.8. Amplificatoare opera ionale ................................................................ 172
4
c
ni
r
ct
el

6.8.1. Descriere; func ionare .................................................................. 172
6.8.2. Aplica ii ale amplificatoarelor opera ionale .................................. 175
6.9. Aplica ii.............................................................................................. 178
6.9.1. Amplificatorul de tensiune cu tranzistor n montaj emitor comun. 178
6.9.2. Principiul reac iei. Reac ia negativ ............................................. 182
6.9.3. Amplificatorul diferen ial ............................................................ 186
6.9.4. Amplificatoare opera ionale ......................................................... 189
7. GENERATOARE DE SEMNAL .............................................................. 194
7.1. Oscilatoare ......................................................................................... 194
7.1.1. Parametri; clasificare ................................................................... 194
7.1.2. Oscilatoare cu reac ie ................................................................... 195
7.1.3. Oscilatoare cu rezisten negativ ................................................ 198
7.2. Impulsuri ............................................................................................ 200
7.2.1. Circuite de formare a impulsurilor ............................................... 200
7.2.2. Circuite basculante ...................................................................... 202
7.3. Aplica ii.............................................................................................. 207
7.3.1. Oscilatoare .................................................................................. 207
7.3.2. Circuite basculante ...................................................................... 210
C. Circuitul astabil ........................................................................................ 212
8. CIRCUITE LOGICE................................................................................. 214
8.1. Elemente de algebr boolean ............................................................. 214
8.2. Circuite logice cu dispozitive semiconductoare ................................... 218
8.3. Circuite basculante utilizate ca circuite logice ..................................... 221
8.4. Circuite logice secven iale .................................................................. 225
8.5. Aplica ii.............................................................................................. 227
8.5.1. Circuite logice ............................................................................. 227
8.5.2. Num toare i registre de deplasare ............................................ 231
C. Num toare............................................................................................. 235
9. MICROPROCESOARE I CALCULATOARE ELECTRONICE ............ 238
9.1. Calculatoare electronice numerice ...................................................... 238
9.2. Microprocesoare ................................................................................. 242
9.3. Scurt istorie a calculatoarelor electronice .......................................... 245
c
ni
r
ct
el
CUVNT NAINTE
Prezenta lucrare a fost scris ini ial ca un curs destinat studen ilor care nu au
ca specializare electronica din Facultatea de tiin e a Universit ii din Pite ti,
devenind ulterior o carte cu acoperire mai larg , ce poate fi util i altor categorii,
cum este cazul profesorilor care doresc s se perfec ioneze n vederea sus inerii
unor concursuri i examene de grad precum i a tuturor celor care doresc s capete
cuno tin ele de baz din domeniul electronicii. Evident, nu au fost abordate toate
aspectele proceselor, acest lucru fiind datorat, n primul rnd, faptului c lucrarea
de fa i propune s abordeze bazele electronicii fizice, f
a intra n aspecte de
detaliu.
Am scris aceast lucrare avnd mereu n minte ideea de a o prezenta sub o
form ct mai clar i ct mai simpl (nu simplificatoare), f
a insista prea mult
pe aspectul matematic al chestiunilor abordate, pornind de la ideea c nv area nu
nseamn n primul rnd achizi ionarea unui volum ct mai mare de date ci
ob inerea unei viziuni de ansamblu ct mai corecte asupra fenomenelor care au loc.
De aceea, am insistat ct mai pu in posibil pe aspectul formal al faptelor prezentate
i, mai ales pe aspectul calitativ, fenomenologic al acestora. Este mult mai pu in
important s memor m o formul dect s tim s o interpret m corect i s o
folosim cnd este cazul. Din aceast cauz , s-ar putea ca, uneori, rigurozitatea
prezent rii unor demonstra ii i aspecte formale s fi avut de suferit dar aceast
eventual pierdere este compensat cu siguran de formarea unei imagini clare a
fenomenelor. Pentru cei care doresc s aprofundeze domeniul, exist numeroase
lucr ri (unele din ele indicate n bibliografia de la sfr itul lucr rii) care detaliaz
unele sau altele din problemele abordate.
Fiec rei teme i-au fost ata ate i unele aplica ii experimentale, care pot fi
realizate n laborator. Acestea sunt structurate n patru p i:
- o prim parte cuprinde prezentarea sumar a unor no iuni teoretice, absolut
necesare pentru desf urarea aplica iilor;
- cea de-a doua parte prezint scopul aplica iei experimentale i descrierea
montajului experimental utilizat i a celorlalte materiale, aparate etc.
6
c
ni
r
ct
el

necesare; n general, se folose te o machet de baz , care, mpreun cu alte
aparate, de obicei de fabrica ie industrial , permit desf urarea lucr rii;
- a treia parte prezint , pe etape, modul de lucru, indicndu-se opera iile
necesare pentru atingerea scopului propus; n general, indica iile nu sunt
rigide, l snd loc i laturii creative, euristice, a activit ii;
- a patra parte cuprinde cteva ntreb ri la care trebuie s se r spund , ele
constituindu-se ca o concluzie final a activit ii; de i n mod evident,
pentru a putea r spunde la aceste ntreb ri, trebuie s se fi parcurs n
prealabil materialul oferit de aplica ie, totu i, acesta nu este ntotdeauna
suficient, motiv pentru care este necesar i consultarea altor materiale
bibliografice.
Machetele tuturor aplica iilor au fost realizate i testate n cadrul
laboratorului catedrei de fizic , folosindu-se numai piese recuperate din aparate
defecte, de regul de fabrica ie romneasc .
Tuturor celor care vor avea ocazia s consulte aceast lucrare le adresez
rug mintea de a-mi transmite observa iile lor cu privire la diferitele aspecte ale
lucr rii, mul umindu-le cu anticipa ie.
Autorul
c
ni
r
ct
el

CAPITOLUL I
1. NO IUNI DE FIZICA SOLIDULUI

1.1.
Re ele cristaline
Starea solid cristalin este caracterizat prin leg turi stabile ntre fiecare
particul constituent i cele vecine precum i printr-o ordonare la distan a
acestor particule. Pentru descrierea structurii cristaline, se folose te o reprezentare
spa ial a pozi iei particulelor constituente prin puncte, numite noduri, a c ror
pozi ie este dat de vectorul de pozi ie:
r m a 1 na 2 pa 3
(1. 1)
unde a 1 , a 2 , a 3 sunt vectorii de pozi ie ai celui mai apropiat nod fa de nodul
considerat drept origine, pe cele trei direc ii n sistemul tridimensional ales, numi i
vectori fundamentali (de baz ), iar m, n, p sunt numere ntregi.
Poliedrul format de ace ti vectori fundamentali se nume te celul
elementar (figura 1.1). Prin translatarea cu multipli ntregi ai vectorilor
fundamentali pe direc iile lor, a acestei celule, se ob ine o re ea tridimensional .
z
a3
x
a1
a2
y
1.2.
Fig.1.1
Structura energetic a corpului solid
Din considerente ce au fost ar tate pe larg n cursul de fizica corpului solid,

structura energetic discret a atomului izolat, a a cum rezult ea din rezolvarea
ecua iei Schrdinger, nu mai este valabil i pentru atomii grupa i n sisteme
cristaline, cnd apar interac iuni, dintre care cele mai importante sunt cele dintre
electronii periferici ai atomilor. Ca urmare a acestui fapt, teoria cuantic arat c
fiecare nivel energetic discret se despic n mai multe subniveluri, foarte apropiate
ntre ele, al c ror num r este egal cu num rul atomilor din re ea, aceste subniveluri
formnd o band energetic . Pentru un num r suficient de mare de atomi n re ea,
se poate considera o distribu ie continu a nivelurilor energetice dintr-o band .
turile electronice ale atomilor determin astfel de benzi energetice ocupate cu
8
c
ni
r
ct
el
electroni, separate ntre ele prin zone n care energia electronilor nu poate lua
valori, numite benzi interzise.
Dup modul de ocupare a benzilor energetice cu electroni, apare deosebirea
dintre diferitele solide, fiind posibil i clasificarea acestora.
Dac n solid sunt N celule elementare, fiecare avnd s atomi, num rul
atomic al acestora fiind Z, num rul total de electroni din solid va fi atunci NsZ.
Num rul st rilor energetice ( innd cont de dubla valoare a spinului electronic)
este egal cu. Vom face, mai nti, o analiz la T = 0 K. Atunci:
dac electronii, n num r de NsZ, ocup complet un anumit num r de benzi
(adic energia celui mai nalt nivel energetic ocupat coincide cu limita superioar
a ultimei benzi ocupate), banda de deasupra acesteia, separat de ea printr-o
band interzis , va fi complet goal (figura 1.2).
Pentru a crea un curent electric printr-un solid, ar trebui ca electronii (sau cel
pu in o parte din ei) s treac n st ri energetice superioare celor n care se g sesc
(ceea ce nseamn ruperea lor din leg turile pe care le au cu atomii c rora le
apar in i trecerea lor n stare liber n solid), sub ac iunea unui cmp electric
exterior. Procesul nu poate avea loc ns n cazul solidelor cu structura descris
mai sus sub ac iunea unui cmp electric obi nuit, electronilor fiindu-le necesar o
energie mare (cel pu in egal cu l rgimea benzii interzise, Eg ) pentru a s ri1
peste banda interzis i a trece ntr-o stare neocupat , aflat n banda de deasupra,
ini ial goal (care se nume te band de conduc ie, deoarece n ea se pot afla ace ti
electroni, care pot participa la conduc ia electric ). Ultima band complet ocupat
se nume te band de valen , con innd electronii de valen ai atomilor solidului.
Ca urmare a celor expuse, solidul este un dielectric (izolator), el neputnd
1
De multe ori, pentru simplificare, se folose te expresia trecerea electronului de pe un nivel

energetic pe altul, sau altele asem toare. Facem aici precizarea c este doar o exprimare
formal , nefiind nicidecum vorba de un salt real, fizic, dintr-un loc n altul al electronului ci doar de
o schimbare a st rii energetice a acestuia, care nu implic n mod necesar o modificare a pozi iei lui
n spa iu.
c
ni
r
ct
el
permite trecerea unui curent electric dect n prezen a unui cmp electric foarte
8
intens (de ordinul a 10 V/m), cnd se produce fenomenul de str pungere electric .
dac electronii nu ocup complet ultima band energetic , nivelul energetic cel
mai nalt ocupat aflndu-se n interiorul acesteia, atunci ei pot trece foarte u or,
chiar i sub ac iunea unui cmp electric foarte slab, n st ri energetice superioare
(aflate la valori infinit mici deasupra celor ini iale) ceea ce asigur trecerea lor n
stare liber n cristal1 i posibilitatea de a forma un curent electric.
Structura energetic n acest caz este prezentat n figura 1.3 i ea
corespunde solidelor numite conductori, la care, la T = 0 K, ultima band ocupat
(par ial) este banda de conduc ie. Nivelul energetic maxim al st rilor ocupate cu
electroni este nivelul Fermi.
Deci, la T = 0 K, solidele sunt fie conductori fie dielectrici (izolatori).

La T > 0 K, dielectricii cu o l rgime Eg a benzii interzise mic (< 3 eV), pot
prezenta o conduc ie electric , datorit fluctua iilor termice, care permit ob inerea
energiei necesare, de c tre unii electroni, pentru a trece n banda de conduc ie. La
conduc ia electric a acestor solide particip i golurile formate n banda de valen
prin trecerea unor electroni n st ri energetice superioare, din banda de conduc ie.
Astfel de solide sunt numite semiconductori. Pentru un cristal cu un singur atom
pe celul , num rul benzilor ocupate (rezultat ca raport dintre num rul total de st ri
energetice ocupate, NZ/2, i num rul de st ri dintr-o band , N) este Z/2.
Dac Z este impar, ultima band este incomplet ocupat , solidul respectiv
fiind un conductor (metal), cum sunt, de exemplu, metalele monovalente: alcaline
(Li, Na, K, Rb, Cs) i nobile (Cu, Ag, Au), care au o band ocupat pe jum tate, ca
i cele trivalente (Al, Ga).
Elementele cu Z par nu sunt ns ntotdeauna dielectrici, a a cum ar rezulta,
ca urmare a faptului c ultima band ocupat este complet ocupat . Astfel, datorit
suprapunerii par iale a benzii de valen cu cea de conduc ie, elementele bivalente
sunt, toate, metale (de exemplu, Be, Mg, Ca, Hg, Zn). Unele dintre acestea sunt
1
Electronul respectiv nu este complet liber ci se poate mi ca "liber" n cmpul periodic al re elei
solidului, f a putea s -l p seasc (aceasta ntmplndu-se numai n condi ii deosebite).
10
c
ni
r
ct
el

ns slabi conductori, ca urmare a unei suprapuneri mici a benzilor energetice. Tot
datorit suprapunerii benzilor energetice, elementele pentavalente (As, Sb, Bi etc.)
sunt metale, de i, avnd doi atomi n celula elementar , ultima band este complet
ocupat . La aceste elemente se observ o conduc ie mixt (de electroni i de
goluri), ele fiind semimetale.
n aceste cazuri, nivelul Fermi este plasat n zona de suprapunere a benzilor
(figura 1.4).
Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai

interesant fiind cel al staniului, care, prezentnd dou faze solide, este metal ntruna i semiconductor n cealalt . De asemenea, carbonul, cu structura de diamant,
este un izolator, pe cnd ca grafit este un semiconductor. Din aceea i categorie, a
elementelor tetravalente, Ge i Si sunt semiconductori standard, iar Pb este
metal.
Cu excep ia cazurilor amintite, elementele cu Z par sunt dielectrici.
O problem ce merit a fi amintit aici este i cea a a a-numitelor st ri
locale, datorate unor defecte structurale ale re elei, de tipul celor descrise n cursul
de fizica corpului solid. Aceste defecte determin apari ia, pe lng benzile de
energie permise, normale, ale solidului i a unor niveluri energetice discrete,
plasate uneori n interiorul benzilor permise, alteori n interiorul benzilor interzise.
Aceste niveluri energetice, corespunz toare st rilor locale, sunt foarte importante,
ntruct electronii din aceste st ri pot fi excita i i pot trece n st ri din benzile
permise, modificnd concentra ia purt torilor de sarcin electric liberi n solid i,
n acest fel, numeroase propriet i ale acestuia. Legat de aplica iile practice, cel
mai cunoscut exemplu este cel al semiconductorilor cu impurit i (extrinseci).
n concluzie, din punctul de vedere al conduc iei electrice, n func ie de
structura celor trei benzi energetice (de valen - BV, de conduc ie - BC i
interzis ), la temperaturi normale, cristalele se clasific n:
1. izolatori (dielectrici), la care l rgimea benzii interzise este cuprins ntre 3
i 10 eV;
2. semiconductori, care au banda interzis de l rgime mai mic dect 3 eV;
11
c
ni
r
ct
el

3. conductori, la care banda interzis are o l rgime practic neglijabil sau, n
unele cazuri, banda de valen i cea de conduc ie se suprapun par ial.
1.3.
Concentra ia de purt tori n metale
Considernd, pentru simplificare, o re ea unidimensional , energia poten ial

n re ea poate fi reprezentat conform figurii 1.5, n care n1, n2,... reprezint
nodurile re elei. Poten ialul la marginea cristalului a fost ales cu valoarea zero.
Se observ c un electron cu energia W1 nu poate fi liber n cristal, neputnd

si groapa de poten ial n care se afl . El poate trece doar la un atom vecin, pe
acela i nivel energetic, fiind astfel un electron legat, care nu poate participa la
conduc ia electric . n schimb, un electron cu energia W2 se poate deplasa liber n
interiorul metalului, el fiind un electron de conduc ie. Pentru a putea p si
metalul, unui electron nu i este ns suficient energia W2, ntruct, dup cum se
poate vedea n figur , el ntlne te la marginea cristalului o barier de poten ial.
Numai electronii cu valori pozitive ale energiei, cum este W3, p sesc metalul
devenind liberi n exteriorul acestuia. n mod obi nuit, electronii metalului nu au
energii care s le permit p sirea acestuia.
Electronii liberi din metal sunt distribui i pe diverse niveluri energetice din
banda de conduc ie conform rela iei:
dn = f(w) N(w) dw
(1. 2)
unde dn este concentra ia de electroni cu energii cuprinse n intervalul energetic
dw, f(w) este probabilitatea ca starea cuantic de energie w s fie ocupat de un
electron, iar N(w) este densitatea de st ri energetice din banda de conduc ie
(num rul de st ri energetice din unitatea de volum i pe unitatea de energie).
12
c
ni
r
ct
el
consider m un metal de form cubic , de latur a, n interiorul c ruia

poten ialul este considerat constant1, bariera de poten ial la marginea acestuia fiind
suficient de nalt pentru ca nici un electron s nu poat p si cristalul. n acest
caz, func ia de und asociat electronului (func ia Bloch2) este nul n exteriorul
metalului ceea ce este posibil numai dac unda asociat este sta ionar , avnd un
minim de amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca
dimensiunea cristalului, a, s fie un multiplu ntreg al semilungimii de und a
h
undei asociate electronilor liberi din cristal, adic a = f
i, cum p = , rezult :
2
h
p=f
(1. 3)
2a
p2
f 2h2
w=
(1. 4)
2 m 8ma 2
Pentru cele trei direc ii, rela ia 1.3 devine:
px = fx h/2a, py = fy h/2a, pz = fz h/2a
Electronii liberi din metal sunt caracteriza i deci de patru numere cuantice:
fx, fy, fz i s (num rul cuantic de spin).
ntr-o reprezentare n spa iul impulsurilor, innd cont de principiul de
excluziune al lui Pauli i de cele dou valori posibile ale lui s, densitatea
3
electronilor n acest spa iu este 2(2a/h) deci num rul electronilor cu impulsul
cuprins n intervalul (p, p + dp) este:
1
2a
2
8
h
4 p 2 dp
8 a3 2
p dp
h3
Cum p = 2mw ,
p dp = m dw i p2 dp = 2 m 3 w dw ,
se poate scrie:
8 p 2 dp
N(w) dw =
h3
4 2m
h3
3
2
w dw
Dac se noteaz :
4 2m
C=
h3
rezult :
N(w) = C
3
2
= 6,82 1027 eV 2 m 3 ,
(1. 5)
Trebuie precizat c n toat aceast discu ie, m reprezint masa efectiv a

electronilor, a a cum a fost ea definit n cursul de fizica corpului solid.
1
n realitate el are forma din figura 1.5 dar, pentru electronii liberi din metal aproxima ia f cut este
suficient de bun .
2
a se vedea cursul de fizica solidului.
13
c
ni
r
ct
el
Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel nct

probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este dat de rela ia:
1
f(w) =
(1. 6)
w WF
kT
1 e
unde WF este energia Fermi, T - temperatura absolut a cristalului i k constanta
Boltzmann.
Se vede c , la T = 0 K, pentru w > WF, f(w) = 0 i pentru w < WF, f(w) = 1,
ceea ce semnific faptul c , la 0 K, toate st rile energetice aflate sub nivelul Fermi
sunt ocupate, iar cele de deasupra sunt, toate, libere. La T > 0 K, cnd w = WF,
f(w) = 1/2, ceea ce d posibilitatea unei alte interpret ri a nivelului Fermi (nivelul
energetic a c rei probabilitate de ocupare este 50 %). n figura 1.6 este reprezentat
grafic expresia f(w) N(w) la diferite temperaturi.
Num rul total de electroni din unitatea de volum (concentra ia de electroni)

este:
1
3
2
(1. 7)
C WF 2
0
3
Se constat c , la metale, concentra ia electronilor de conduc ie este practic
constant , nedepinznd de temperatur . Rezult c , ntruct mobilitatea
electronilor este invers propor ional cu temperatura, conductivitatea metalelor
este i ea invers propor ional cu temperatura (rezistivitatea este direct
propor ional cu temperatura).
Pentru a scoate un electron din metal, dup cum s-a v zut anterior, este
necesar ca energia sa s fie cel pu in egal cu n imea barierei de poten ial de la
marginea cristalului. Energia electronilor la 0 K este ns cel mult egal cu energia
Fermi. Ca atare, pentru extrac ia unui electron este nevoie, n medie, de o energie
egal cu diferen a dintre nivelul barierei de poten ial de la marginea cristalului i
energia Fermi, valoarea respectiv fiind o caracteristic a fiec rui metal, numit
n=
WF
Cw 2 dw
14
c
ni
r
ct
el
energie de extrac ie1. Aceast energie poate fi primit de unii din electronii de
conduc ie ai metalului pe diferite c i.
De exemplu, prin nc lzirea metalului, cum se poate vedea din figura 1.6,
unii din electroni pot avea energii mai mari dect WF i pot dep i astfel bariera de
poten ial, ie ind din metal. Din calcule, rezult c , prin emisia electronilor din
metal ca urmare a nc lzirii acestuia la temperatura T (fenomen numit emisie
termoelectronic ),se formeaz un curent termoelectronic a c rui densitate este
dat de:
2
Wext
kT
j = AT e
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscut
legea Richardson-Dushman.
1.4.
(1. 8)
i sub numele de
Conduc ia electric la metale
Din cele v zute anterior, rezult c , la temperaturi obi nuite, electronii de

valen ai metalelor se g sesc n banda de conduc ie; acest lucru nseamn c ei
sunt liberi s se mi te n interiorul cristalului, nemaiapar innd unui atom anume i
constituind astfel purt tori de sarcin electric liberi. Ace ti electroni se comport
ca un gaz n care este scufundat re eaua cristalin .
Sub ac iunea unui cmp electric exterior, de intensitate E , electronii de
conduc ie cap
o mi care ordonat , ce se constituie ntr-un curent electric de
densitate:
dQ
E
j
(1. 9)
dS dt E
unde dQ este sarcina electric transportat n intervalul de timp dt prin suprafa a
transversal de arie dS, pe direc ia cmpului electric.
Aceast mi care dirijat se suprapune peste agita ia termic a purt torilor i
are loc cu o vitez medie constant , numit vitez de drift.
consider m un electron de conduc ie; asupra sa ac ioneaz cmpul electric
exterior, de intensitate E , cu for a F
eE , imprimndu-i o accelera ie a . Ca
urmare, viteza electronului cre te pn cnd acesta ciocne te plastic un ion al
re elei, cedndu-i ntreaga energie, dup care mi carea se reia n acela i mod, cu o
vitez ini ial nul . Presupunnd c ciocnirile se succed la intervale de timp egale
(acest lucru nsemnnd c distan a parcurs ntre dou ciocniri consecutive este
egal cu drumul liber mediu), dependen a de timp a vitezei electronului este de
forma din figura 1.7, n care tC este timpul dintre dou ciocniri consecutive, iar
vmax este dat de rela ia:
et C
v max at C
E
mn
1
Adesea, se folose te termenul de lucru mecanic de extrac ie
15
c
ni
r
ct
el
Viteza medie a acestei mi

vm
ri este dat de rela ia:

v max
et C
E,
2
2m n
din care se vede c vm (care este viteza de drift) este constant , deci mi carea este
uniform .
n realitate, ciocnirile nu au loc la intervale egale de timp dar formula se
poate folosi considernd o valoare medie a acestor intervale de timp dintre dou
ciocniri consecutive, t Cm. Atunci, viteza de drift a electronilor de conduc ie are
expresia:
et C
(1. 10)
vn
E
nE
2m n
rimea n reprezint mobilitatea electronilor de conduc ie. Densitatea de
curent va fi deci:
dQ E
en dS d E
j
env n en n E
dS dt E
dS dt E
nlocuind:
1
en n = =
(1. 11)
unde
este conductivitatea electric a metalului, iar
este rezistivitatea
electric a acestuia, densitatea de curent se scrie sub forma:
(1. 12)
j
E
care reprezint forma local a legii lui Ohm.
Acest model clasic d rezultate n concordan cu datele experimentale la
temperaturi obi nuite. La temperaturi sc zute ns , acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesar o tratare cuantic .
16
c
ni
r
ct
el
1.5. Concentra ia de purt tori n semiconductori

1.5.1.
Semiconductori intrinseci
Dup cum s-a v zut n paragraful 1.2, la semiconductori, banda de valen
este (la 0 K) complet ocupat i separat de banda de conduc ie (liber la 0 K)
printr-o band interzis cu o l rgime de maxim 3 eV. n tabelul 1.1 este dat
valoarea l rgimii benzii interzise pentru unele materiale semiconductoare. La
temperaturi sc zute, semiconductorii se comport deci, ca un izolator, nedispunnd
de purt tori de sarcin electric liberi, care s formeze un curent electric sub
ac iunea unui cmp electric exterior.
TABELUL 1.1. L rgimea benzii interzise a unor semiconductori
Semiconductor Eg (eV) Semiconductor Eg (eV)
Si
1,1
CdS
2,4
Se
0,8
PbS
0,41
Ge
0,67
PbSe
0,23
Te
0,34
PbTe
0,6
Sn
0,1
GaP
2,24
InSb
0,32
GaAs
1,35
InAs
0,39
SiC
2,8
InP
1,25
HgSe
0,6
InSb
0,18
Al2O3
2,5
AlSb
1,5
Cu2O
1,5
CdSe
1,8
ZnO
3,2
Crescnd ns temperatura, are loc a a-numitul proces de generare termic

intrinsec a purt torilor de sarcin electric liberi, ca urmare a faptului c un
anumit num r de electroni din banda de valen vor c ta suficient energie (prin
intensificarea agita iei termice) pentru a rupe leg turile covalente la formarea
rora particip i a deveni liberi n interiorul cristalului. Din punct de vedere
energetic, acest lucru nseamn trecerea acestor electroni din banda de valen n
banda de conduc ie, energia minim necesar fiind egal cu l rgimea benzii
interzise. Este evident c , spre deosebire de metale, concentra ia electronilor de
conduc ie la semiconductori depinde de temperatur , avnd n vedere c tocmai ea
este cauza apari iei acestor electroni.
Leg turile covalente corespunz toare electronilor trecu i n banda de
conduc ie r mn nesatisf cute, echivalnd cu o regiune de sarcin electric
pozitiv , numit gol care, la rndu-i, particip la conduc ie, ca urmare a deplas rii
sale n sensul cmpului electric exterior. Acest proces are loc prin saltul pe care l
poate face un electron "legat" (situat energetic n banda de valen ) de la un atom
vecin, electron care ocup golul (situat, de asemenea, n banda de valen ),
ref cnd leg tura covalent rupt i l snd n locul s u un alt gol. nlocuirea
deplas rii reale a electronilor din banda de valen cu deplasarea n sens invers a
17
c
ni
r
ct
el

golurilor l sate de ace tia permite simplificarea studierii fenomenului de conduc ie
electric la semiconductori.
Deci generarea termic intrinsec const n apari ia electronilor de conduc ie
(prin excitarea acestora din banda de valen n cea de conduc ie) concomitent cu
formarea golurilor n banda de valen . Fiec rui electron din banda de conduc ie i
corespunde un gol n banda de valen ceea ce nseamn c i concentra ia
electronilor de conduc ie este egal cu cea a golurilor, fapt caracteristic
semiconductorilor puri (intrinseci), a c ror conduc ie electric este numit
conduc ie intrinsec .
Procesul de generare este dublat de un proces invers, de recombinare
electron-gol, astfel nct, la o temperatur constant cele dou procese se
echilibreaz , concentra ia (egal ) de electroni de conduc ie i de goluri, ni, numit
concentra ie intrinsec , r mnnd constant .
Pentru determinarea concentra iei intrinseci se procedeaz ca n cazul
metalelor cu precizarea c energia golurilor se m soar n sens invers ca cea
electronilor de conduc ie. Conform figurii 1.8, energia cinetic a electronilor, Wkn,
i cea a golurilor, Wkg, au expresiile: Wkn = w WC, respectiv Wkg = WV w,
unde WC este limita inferioar a benzii de conduc ie, iar Wv este limita superioar
a benzii de valen .
Atunci, densitatea st rilor energetice pentru electroni i goluri sunt date de

expresiile:
3
1
1
4
Nn(w) = 3 2m n 2 w WC 2 C n w WC 2
h
3
1
1
4
Np(w) = 3 2m p 2 WV w 2 C p WV w 2
h
Probabilitatea de ocupare a unei st ri este dat tot de func ia Fermi-Dirac.
Pentru electronii din banda de conduc ie, expresia este tot cea dat de rela ia 1.6,
care, la temperaturi obi nuite, ntruct f(w) << 1, se poate aproxima sub forma:
18
c
ni
r
ct
el
WF w
kT
f w e
, ceea ce ne arat c , n aceste condi ii, func ia de distribu ie se
reduce la una de tip clasic (Maxwell-Boltzamnn). Concentra ia de electroni este:
n=
WC
N n w f w dw
W
WC
F
3
2
2 e kT
2
m
kT
n
h3
Analog, pentru goluri,
n=
p=
WV
Cn
NC e
WC
w WC e
w WF
kT
WF WC
kT
dw
(1. 13)
N p w f w dw , unde f(w) = 1 f(w),
ceea ce deriv din faptul c o stare energetic poate fi ocupat fie de un electron,
fie de un gol, deci suma probabilit ilor de ocupare a acelei st ri cu un electron,
respectiv de un gol este egal cu unitatea. Evident, cum
f(w) << 1, f(w) e
w WF
kT
Atunci,
WV WF
WV WF
3
2
p = 3 2 m p kT 2 e kT
N V e kT
h
ntruct la un semiconductor extrinsec,
n = p = ni, m n
de unde rezult :
mp
W WC 3
kT ln
WF = V
2
4
mn
3
2
WF WC
kT
WV
Eg
2
(1. 14)
mp
3
2
WV WF
kT
mp
3
kT ln
4
mn
(1. 15)
unde Eg = WC WV este l rgimea benzii interzise.

Din rela ia de mai sus, se vede c , dac mn = mp sau T = 0 K, nivelul Fermi
este situat chiar la mijlocul benzii interzise; dac mn < mp, nivelul Fermi este mai
aproape de banda de conduc ie, n timp ce, dac mn > mp, el este mai aproape de
banda de valen . Calculnd n p = n 2i , rezult concentra ia intrinsec :
Eg
ni = N C N V e
2 kT
(1. 16)
1.5.2.
Semiconductori extrinseci
Introducerea unor impurit i n propor ie foarte redus ntr-un semiconductor
se nume te dopare. Folosind drept impurit i elemente pentavalente, cum sunt Sb,
As, P, Bi, numite impurit i donoare, se ob ine un semiconductor extrinsec de
tip "n" n timp ce, folosind drept impurit i elemente trivalente, ca B, Al, Ga, In,
numite impurit i acceptoare, se ob ine un semiconductor extrinsec de tip "p".
Aceste impurit i fiind ntr-o concentra ie foarte redus (1014 1018
atomi/cm3) nu modific structura cristalin a semiconductorului, comportndu-se
ca impurit i substitu ionale, adic substituind n re ea atomii de semiconductor i
19
c
ni
r
ct
el

fiind deci obligate s se comporte ca ace tia (s formeze patru leg turi covalente
cu cei patru atomi de semiconductor vecini).
Atomii de impurit i donoare dispun astfel de un electron n plus fa de
num rul necesar realiz rii configura iei electronice complete pe stratul de valen ,
electron care este foarte slab legat (energia de leg tur fiind de ordinul a 102 eV).
Prezen a impurit ilor donoare determin apari ia unor st ri locale nso ite de un
nivel energetic discret situat n banda interzis , n imediata apropiere a benzii de
conduc ie, numit nivel energetic donor, c ruia i corespunde energia WD. La 0 K,
acest nivel este complet ocupat cu cte un electron provenit de la fiecare atom de
impuritate donoare. Chiar i la temperaturi mai sc zute, unii din electronii afla i pe
nivelul donor pot trece n banda de conduc ie, ntruct energia de care au nevoie
pentru aceasta, numit energie de activare, este foarte mic , n compara ie cu
energia necesar procesului de generare intrinsec . Evident, afla i n banda de
conduc ie, electronii respectivi sunt electroni de conduc ie ns locul gol, l sat de
ace tia pe nivelul donor nu este un gol care s poat participa la conduc ia
electric . Acest proces, de apari ie a electronilor de conduc ie prin excitarea
electronilor de pe nivelul donor n banda de conduc ie (proces nenso it de apari ia,
corespunz tor fiec rui electron de conduc ie, a unui gol n banda de valen , ca la
conduc ia intrinsec ) se nume te generare termic extrinsec a electronilor de
conduc ie. Fizic, procesul const n ruperea electronului slab legat de atomul c ruia
i apar ine, el devenind astfel liber n cristal. Concomitent cu acest proces, are loc
i procesul invers, de trecere a electronilor de conduc ie pe nivelul donor, astfel
nct, la o temperatur constant , concentra ia electronilor de conduc ie genera i
extrinsec se men ine constant , ca urmare a stabilirii unui echilibru dinamic n
cristal.
n cazul impurific rii semiconductorului cu impurit i acceptoare, acestea au
o leg tur nesatisf cut , ca urmare a faptului c nu dispun dect de trei electroni de
valen , care, mpreun cu cei patru pu i n comun de cei patru atomi vecini, nu pot
asigura configura ia electronic complet , de octet. Aceast leg tur nesatisf cut
creeaz o stare local , caracterizat de un nivel energetic discret, situat n banda
interzis , n imediata apropiere a benzii de valen , nivel care la 0 K este complet
liber. Leg tura poate fi saturat prin acceptarea unui electron legat, de la un atom
vecin, acesta r mnnd legat de atomul de impuritate, deci nedevenind electron
liber. Locul l sat liber de acest electron la atomul c ruia i-a apar inut este ns un
gol care poate participa la conduc ie, prin procesele ar tate anterior. Energetic,
procesul const n excitarea unui electron din banda de valen pe nivelul donor i
apari ia unui gol n banda de valen , proces care se poate petrece chiar i la
temperaturi mai sc zute, ntruct energia de care este nevoie pentru aceasta este
foarte mic , n compara ie cu energia necesar procesului de generare intrinsec .
Acest proces, de apari ie a golurilor n banda de valen prin excitarea unor
electroni din banda de valen pe nivelul acceptor (proces nenso it de apari ia,
corespunz tor fiec rui gol, a unui electron n banda de conduc ie, ca la conduc ia
intrinsec ) se nume te generare termic extrinsec a golurilor. Concomitent cu
20
c
ni
r
ct
el

acest proces, are loc i procesul invers, de trecere a electronilor de pe nivelul donor
n banda de valen , astfel nct, la o temperatur constant , concentra ia golurilor
generate extrinsec se men ine constant , ca urmare a stabilirii unui echilibru
dinamic n cristal.
n ambele situa ii, peste procesele descrise, se suprapune i cel de generare
termic intrinsec i, ca urmare, oricnd, n semiconductorii impurifica i vor exista
ambele tipuri de purt tori de sarcin electric liberi, electroni de conduc ie i goluri
dar concentra iile lor nu mai sunt egale, ca la conduc ia intrinsec . Semiconductorii
impurifica i cu impurit i donoare (semiconductori extrinseci de tip n) vor avea o
concentra ie mai mare de electroni de conduc ie dect de goluri (motiv pentru care
electronii de conduc ie sunt purt tori majoritari, iar golurile purt tori
minoritari), conduc ia electric realizat n acest caz numindu-se conduc ie
extrinsec de tip n, iar cei impurifica i cu impurit i acceptoare (semiconductori
extrinseci de tip p) vor avea o concentra ie mai mare de goluri dect cea a
electronilor de conduc ie (n acest caz golurile sunt majoritare i electronii
minoritari). Procesele descrise mai sus sunt reprezentate n figura 1.9.
consider m acum un semiconductor extrinsec de tip n. ntruct, la 0 K,

nivelul donor este complet ocupat, rezult c nivelul Fermi este situat ntre acest
nivel i limita inferioar a benzii de conduc ie: WC > WF > WD.
La o temperatur oarecare, n banda de conduc ie se g sesc electroni
proveni i att prin generare intrinsec dar i prin generare extrinsec , n
concentra ie n = nD + ni, unde ni este concentra ia de purt tori genera i prin procese
intrinseci, iar nD este concentra ia de electroni genera i prin procese extrinseci.
La temperaturi mici, generarea intrinsec este neglijabil , ni 0 i, deci n nD.
Concentra ia electronilor de conduc ie genera i extrinsec este egal cu concentra ia
de atomi donori ioniza i i care, printr-un calcul analog celor anterioare, se arat c
are expresia:
21
c
ni
r
ct
el
WD WF
nD = ND e kT
(1. 17)
unde ND este concentra ia de atomi donori.
Pe de alt parte, n paragraful anterior s-a dedus rela ia 1.11, care exprim
concentra ia de electroni din banda de conduc ie i care este valabil indiferent de
modul de apari ie a acestora:
WF WC
innd cont c n
trat , se ob ine:
n = NC e kT .
nD, nmul ind cele dou rela ii i extr gnd r
cina
WC WD
2 kT
n = NCN D e
Un calcul mai exact d valoarea:
WC WD
NC N D
e 2 kT
(1. 18)
n=
2
La temperaturi de ordinul a 102 K, practic to i atomii donori sunt ioniza i i,
ntruct nc ni 0, n ND, deci concentra ia electronilor de conduc ie r mne
practic constant . Temperatura la care practic to i donorii sunt ioniza i se nume te
temperatur de epuizare, TE.
La temperaturi i mai mari, peste o valoare Ti,1 generarea termic intrinsec
ncepe s se manifeste n mod evident i, cum concentra ia atomilor de
semiconductor este mult mai mare dect cea a atomilor de impurit i, i
concentra ia electronilor de conduc ie proveni i din generarea intrinsec va fi mult
mai mare dect cea a electronilor de conduc ie proveni i prin generarea extrinsec ,
astfel nct ni >> ND i, deci, n ni.
n graficul din figura 1.10 este reprezentat varia ia cu temperatura a
concentra iei electronilor de conduc ie ntr-un semiconductor extrinsec de tip n, de
unde se poate constata c exist un domeniu de temperaturi destul de larg (n
domeniul de temperaturi ale mediului ambiant) n care aceasta este constant , fapt
pe care se bazeaz
i majoritatea aplica iilor materialelor semiconductoare
extrinseci. Pentru compara ie, s-a reprezentat cu linie mai groas , varia ia cu
temperatura a concentra iei de electroni de conduc ie ntr-un semiconductor
intrinsec. Zona I, la temperaturi sub temperatura de epuizare, este zona de
conduc ie extrinsec , n care concentra ia cre te exponen ial cu temperatura,
exponentul fiind ns mic. Zona a II - a, la temperaturi cuprinse ntre TE i Ti, este
zona de epuizare, n care concentra ia de purt tori r mne constant . Zona a III-a,
la temperaturi peste Ti, este zona de conduc ie intrinsec , unde concentra ia
1
De fapt, nu exist o temperatur exact la care putem spune c to i donorii sunt complet epuiza i
sau la care generarea intrinsec devine evident , deci TE i Ti nu sunt n realitate valori exacte ci
domenii de valori ale temperaturii. Formal, este mai comod ns s le consider m drept valor
exacte.
22
c
ni
r
ct
el

purt torilor cre te din nou exponen ial ns mult mai rapid, exponentul fiind mult
mai mare. Mai exact, n aceast zon concentra ia este dat practic de rela ia 1.16,
unde exponentul este propor ional cu Eg = WC WV (Eg ~ 1 eV), n timp ce, n
prima zon , concentra ia este dat de rela ia 1.18, n care exponentul este
2
propor ional cu WC WD (WC WD ~ 10 eV).
n mod analog se produc i procesele ntr-un semiconductor extrinsec de tip

p, n care ns purt torii majoritari sunt golurile, provenite din generarea termic
intrinsec i din generarea termic extrinsec (n acest caz electronii provin numai
prin generare termic intrinsec ). La temperaturi mici, concentra ia golurilor ntrun semiconductor extrinsec de tip p este dat de rela ia:
p = 2N V N A e
WC WD
2 kT
(1. 19)
unde NA este concentra ia de impurit i acceptoare. Un grafic asem tor celui din
figura 1.10 se poate trasa i pentru concentra ia de goluri dintr-un semiconductor
extrinsec de tip p.
n tabelele 1.2 i 1.3 sunt date valorile energiei de activare la germaniu i
siliciu dopa i cu diferite impurit i.
TABELUL 1.2. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopa i cu impurit i
donoare
impuritate Sb P As
donoare
WC WD
semiconductor
Si
43 45 53
(103 eV)
Ge
10 12 13
23
c
ni
r
ct
el
TABELUL 1.3. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopa i cu impurit i

acceptoare
impuritate
B
Al
Ga
In
acceptoare
WA WV
semiconductor
Si
44
68
72 155
(103 eV)
Ge
10,4 10,2 10,8 11,2
1.6.
Conduc ia electric la semiconductori
Considera iile expuse n paragraful 1.4 sunt valabile i n cazul

semiconductorilor, numai c aici trebuie s inem seama c exist dou tipuri de
purt tori: electronii (cu sarcin negativ ) i golurile (cu sarcin pozitiv ). Ace tia
se vor deplasa sub ac iunea unui cmp electric exterior cu viteza de drift 1:
et cm
et cm
vn
E
E
(1. 20)
nE ; vp
pE
2m n
2m p
Se constat c viteza de drift a golurilor este n sensul cmpului electric, n
timp ce viteza de drift a electronilor este n sens invers acestuia. Fiecare tip de
purt tor va crea un curent electric cu densitatea:
(1. 21)
jn = en n E = n E ; jp = en p E = p E
Sensul celor doi curen i, determina i de cele dou tipuri de purt tori, este
acela i cu sensul cmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin
suprapunerea lor are densitatea:
j jn jp = e(n n + p p) E = ( n + p) E = E
(1. 22)
rimea
= e(n n + p p)
(1. 23)
reprezint conductivitatea electric a semiconductorului, rela ia 1.23 fiind
cunoscut sub denumirea de formula conductivit ii unui semiconductor cu
impurit i.
1.7.
Curen i de difuzie n semiconductori
Am v zut c ntr-un cristal (metal sau semiconductor), n prezen a unui cmp

electric exterior, apare un curent electric, numit curent de cmp sau de drift.
Cmpul electric exterior nu este ns singura cauz care poate produce o deplasare
dirijat a purt torilor de sarcin electric liberi. Aceasta poate fi produs i de
existen a unui gradient de concentra ie a purt torilor, datorat fie unui gradient de
temperatur , fie injec iei ntr-o anumit zon a unor noi purt tori, fie ac iunii unor
radia ii care produc generarea de noi purt tori etc. Acest gradient de concentra ie
na tere unui curent de difuzie, analog cu procesul de difuzie a gazelor.
n continuare, pentru electroni vom folosi indicele n i pentru goluri indicele p
24
c
ni
r
ct
el
consider m un semiconductor n care exist un gradient de concentra ie

de electroni de conduc ie. Acesta d na tere unei difuzii a electronilor din zona de
concentra ie mai mare spre cea de concentra ie mai mic , tinznd spre
uniformizarea concentra iei n toat masa cristalului. Deplasarea dirijat a
purt torilor ca urmare a gradientului de concentra ie reprezint un curent de
difuzie, a c rui densitate este dat de rela ia:
(1. 24)
jn = eDn n r
unde Dn este coeficientul de difuzie al electronilor, o constant ce depinde de
material.
2
Dar cum n p = ni , nseamn c , paralel cu gradientul de electroni, exist i
un gradient de goluri, ce determin , la rndul s u, un curent de difuzie de
densitate1:
jp = eDp p r
(1. 25)
Ca urmare a difuziei, n regiunile p site de electroni, respectiv goluri,
mn sarcini electrice imobile necompensate (regiunea din care au difuzat
electronii este s cit n sarcini electrice negative, deci are un surplus de sarcini
pozitive, iar cea din care au difuzat golurile are un surplus de sarcini negative), de
semn opus. Aceast distribu ie de sarcin electric determin apari ia unui cmp
electric intern n cristal, E int 2, care determin , la rndul s u, apari ia unui curent
electric de drift, att pentru electroni ct i pentru goluri. Conform rela iei 1.21.
ace tia au expresiile:
jnd en n E int ; jpd ep p E int
Se observ c cei doi curen i de drift au sens opus (vezi nota de subsol)
sensului curen ilor de difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echilibru
dinamic, ntruct efectul (curentul de drift) se opune cauzei (gradientul de
concentra ie i curentul de difuzie). Echilibrul se stabile te cnd cei doi curen i, de
difuzie, respectiv de drift, sunt egali n modul, deci cnd curentul total este nul.
Densit ile totale de curent de electroni i respectiv de goluri sunt date de rela iile:
J n jn jnd e D n n n n E int
(1. 26)
Jp
jp
jpd
e D p p p p E int
(1. 27)
a cum sunt scrise cele dou rela ii, 1.24 i 1.25, sensul pozitiv ales este sensul lui grad n (care
are, la rndul s u, sensul de la zona de concentra ie de electroni mai mic spre cea de concentra ie
mai mare) deci i jn i jp au sens pozitiv; grad p are sens negativ.
2
Sensul cmpului intern este de la zona din care au difuzat electronii liberi (unde a r mas un surplus
de sarcin electric pozitiv imobil ) spre cea n care au difuzat ace tia; cum difuzia are loc din
zona de concentra ie mai mare spre cea de concentra ie mai mic , sensul cmpului electric intern
este invers sensului gradientului concentra iei de electroni (care este de la zona de concentra ie mai
mic spre cea de concentra ie mai mare) deci, conform conven iei, negativ.
25
c
ni
r
ct
el

Un semiconductor izolat ajunge deci la echilibru cnd J n i J p sunt egali cu
zero. Considernd, pentru simplificare, un gradient unidimensional, condi ia de
mai sus pentru curentul de electroni se scrie:
dn
n nEint = Dn
(1. 28)
dx
Concentra ia electronilor de conduc ie este dat de rela ia 1.13:
WF WC
n0 = NC e kT .
Dac ns exist i un cmp electric (cmpul electric intern, n cazul de fa ),
la energia WC trebuie ad ugat un termen suplimentar, eU, care provine din faptul
energia minim a electronilor de conduc ie este mai mare ca urmare a
acceler rii lor n diferen a de poten ial, U, creat de cmpul electric respectiv.
Concentra ia electronilor de conduc ie este, n acest caz:
WF WC eU
eU
n = NC e kT = n0 e kT
(1. 29)
dU
, putem scrie:
Cum Eint =
dx
eU
dn
e dU
en
n 0 e kT
E int
(1. 30)
dx
kT dx
kT
nlocuind rela ia 1.30 n 1.28, rezult :
kT
Dn =
(1. 31)
n
e
Printr-un calcul analog, se ob ine i:
kT
Dp =
(1. 32)
p
e
a cum am ar tat anterior, la echilibru termic, concentra ia purt torilor n
orice punct din semiconductor este constant n timp, ca urmare a echilibrului
dinamic ce se stabile te ntre cele dou procese inverse: generarea termic i
recombinarea purt torilor.
Se definesc viteza de generare, G, respectiv viteza de recombinare, R, ca
fiind num rul de purt tori genera i, respectiv recombina i n unitatea de volum i n
unitatea de timp (dn/dt sau dp/dt). La echilibru, R = G.
De asemenea. se define te timpul de via mediu al purt torilor, n i p,
ca intervalul de timp mediu ntre momentul gener rii i cel al recombin rii.
Este evident c viteza de recombinare depinde, pe lng al i factori, direct
propor ional de concentra iile celor dou tipuri de purt tori care se recombin .
Astfel, putem scrie: R ~ n p, rela ie care, n cazul unor semiconductori extrinseci,
la temperaturi medii cap forma:
R ~ ND p0 pentru semiconductori de tip n
R ~ NA n0 pentru semiconductori de tip p
26
c
ni
r
ct
el

unde ND i NA sunt concentra iile (constante) de impurit i donoare, respectiv
acceptoare.
innd cont i de defini ia vitezei de recombinare, putem scrie expresiile
vitezei de recombinare a purt torilor minoritari:
R = p0/ p pentru semiconductori de tip n
R = n0/ n pentru semiconductori de tip p
consider m acum un semiconductor de tip n, n care, la echilibru,
concentra ia de purt tori minoritari (goluri) este pno.
Dac , printr-un mijloc oarecare, are loc cre terea acestei concentra ii la
valoarea pno + p0, se produce o stare de neechilibru, la ncetarea cauzei care a
produs surplusul de purt tori, concentra ia acestora sc znd spre valoarea ini ial ,
pno ( p 0).
Valoarea pn = pno + p reprezint concentra ia purt torilor de
neechilibru, p fiind concentra ia purt torilor n exces. Ecua ia ce descrie acest
proces este; prin integrare, rezult :
t
pn(t) = pn0 + p0 e p
(1. 33)
unde pn(t) este concentra ia purt torilor de neechilibru la momentul t dup
ncetarea cauzei care a produs dezechilibrul, iar p0 este concentra ia ini ial a
purt torilor n exces. ntr-un mod asem tor, se poate scrie i o rela ie care s
exprime concentra ia purt torilor de neechilibru ntr-un semiconductor de tip p:
t
np(t) = np0 + n0 e
(1. 34)
consider m acum o por iune paralelipipedic , de arie transversal A i

lungime dx (figura 1.11) dintr-un semiconductor de tip n, prin care trece un curent
transversal de purt tori minoritari, de densitate j.
Dac n acest volum se produce generarea de noi purt tori, cu viteza de
generare G = p0/ p, ntr-o regiune infinit mic n interiorul volumului respectiv
vom avea o concentra ie p, de purt tori minoritari, proveni i, pe de o parte din
27
c
ni
r
ct
el
generare, pe de alt parte prin transport de c tre curentul j, concentra ie mai mare
dect p0 i dependent de pozi ie. Recombinarea purt torilor are loc cu viteza R =
p/ p i este evident c , urmare a faptului c R > G, densitatea de curent la ie irea
din volumul considerat va fi diminuat cu o valoare dj. Din conservarea sarcinii
electrice n volumul respectiv, putem scrie:
p
p
dp
e dx A
+ e dx A 0 dj A
= e dx A
dt
p
p
Dar
dp
A dj = A e Dp
+ Aep pE
dx
(a se vedea rela ia 1.27) i, deci:
2
pn
pn pn0
pn
pn E
(1. 35)
Dp
p
2
t
x
x
p
Rela ia de mai sus reprezint ecua ia de transport Boltzmann.
2
pn
p n pn pn0
Dac E = 0 i
= 0, rela ia de mai sus devine:
, cu solu ia:
t
x2
Dp p
pn(x) = pn0 + pn(0) e
x
Lp
(1. 36)
unde
Lp = D p
(1. 37)
se nume te lungime de difuzie i reprezint distan a medie str tut de un gol

injectat pn la recombinarea lui cu un electron.
Rela ia 1.36 exprim sc derea concentra iei de goluri (n general, de purt tori
minoritari injecta i ntr-o zon din semiconductor) exponen ial cu distan a fa de
locul de injectare.
1.8.
Fenomene optice n semiconductori
Dac asupra unui material semiconductor cade o radia ie electromagnetic , o

parte din aceasta este absorbit , restul fiind reflectat sau transmis . Interac ia
radia iei electromagnetice cu semiconductorul poate consta n absorb ia energiei
fotonilor de c tre electroni, care poate avea drept consecin , atunci cnd energia
fotonilor absorbi i este cel pu in egal cu energia de extrac ie, emisia n exterior a
unui flux de electroni, fenomen cunoscut sub numele de efect fotoelectric extern.
Dac energia fotonilor absorbi i este mai mic dect energia de extrac ie, se poate
produce, prin mai multe mecanisme, efectul fotoelectric intern, care const n
crearea n semiconductor a unor purt tori de sarcin electric liberi n exces, fapt
ce duce, evident, la cre terea conductivit ii electrice a acestuia.
Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este
generarea optic intrinsec a perechilor electron liber-gol, ca urmare a excit rii
prin absorb ia fotonilor de c tre unii din electronii din banda de valen i trecerea
28
c
ni
r
ct
el

lor n banda de conduc ie, concomitent cu formarea corespunz toare a unor goluri
n banda de valen . Acest fenomen se poate produce indiferent de tipul
semiconductorului cu condi ia ca energia fotonului s fie cel pu in egal cu
rgimea benzii interzise, adic h
Eg, ceea ce impune pentru lungimea de und
a radia iei electromagnetice, o valoare maxim (lungimea de und de prag):
hc
(1. 38)
m=
Eg
Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel de
generare optic extrinsec , prin excitarea electronilor din banda de valen pe
nivelul acceptor, cu apari ia corespunz toare a unor goluri n banda de valen sau
prin excitarea electronilor de pe nivelul donor n banda de conduc ie. Evident,
acest mecanism se poate produce numai n semiconductorii dopa i, la care exist
nivelurile energetice discrete donor i/sau acceptor.
Condi ia necesar producerii fenomenului este ca energia fotonului absorbit
fie cel pu in egal cu energia de activare, adic h
WC WD pentru
generarea optic extrinsec a electronilor de conduc ie, respectiv h
WA WV,
pentru generarea optic extrinsec a golurilor. i n aceste cazuri se poate scrie o
rela ie asem toare rela iei 1.38, care s exprime lungimea de und maxim
necesar producerii fenomenului.
Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic n figura 1.12. n
tabelul 1.4, sunt date valorile lungimii de und de prag pentru siliciu sau germaniu
dopat cu diferite impurit i.
TABELUL 1.4 Valoarea lungimii de und de prag pentru diferi i semiconductori

impuritate B
Al Ga In Bi As P Sb Cu Zn semiconSi
28
18 17 8 18 23 28 29
1,1
m ( m)
ductor
Ge
108
104
30 38 1,8
29
c
ni
r
ct
el

Se vede c lungimea de und de prag este mai mic pentru semiconductorii
puri, dect pentru aceia i semiconductori dopa i, lucru de altfel simplu de explicat.
n schimb, la ace tia fenomenul de generare optic nu se poate petrece dect la
temperaturi sc zute (~ 10 K), la temperaturi medii impurit ile fiind deja ionizate
prin fenomenul de generare termic .
Procesul de generare optic nu se produce n mod uniform n tot volumul
semiconductorului, acesta fiind cu att mai intens, cu ct el se produce mai aproape
de suprafa .
Viteza de absorb ie a fotonilor la o adncime x n semiconductor (num rul
de fotoni absorbi i n unitatea de timp i n unitatea de volum) este dat de rela ia:
A = I(x) = I0e x,
unde este coeficientul de absorb ie, ce depinde de energia de activare sau de
rgimea benzii interzise (n func ie de mecanismul de absorb ie), I(x) este
intensitatea radia iei la adncimea x n semiconductor, iar I0 este intensitatea
radia iei la suprafa a acestuia.
Nu to i fotonii absorbi i produc generarea optic a unor purt tori; pe de alt
parte, este posibil ca un singur foton s genereze mai mul i purt tori. Din aceast
cauz , viteza de generare a purt torilor sub ac iunea radia iei electromagnetice
absorbite este doar propor ional cu viteza de absorb ie: G = A, unde este
randamentul de generare (randament cuantic), definit ca num rul mediu de
purt tori de un anumit tip, genera i prin absorb ia unui singur foton. Atunci,
G(x) = I(x) = I0e x = G0e x
(1. 39)
Din rela ia de mai sus, se vede c viteza de generare optic a purt torilor
scade exponen ial cu adncimea n semiconductor, ceea ce nseamn c procesul
de generare optic este semnificativ doar ntr-un strat sub ire de la suprafa a
semiconductorului.
Dup cum am ar tat anterior, fenomenul de generare este compensat de
fenomenul invers, de recombinare, la un flux constant al radia iei incidente
stabilindu-se un echilibru ntre cele dou fenomene (R = G), astfel nct
concentra ia purt torilor n exces r mne constant ( n = R n sau p = R p),
ad ugndu-se celei de echilibru. Acest lucru duce la cre terea conductivit ii
semiconductorului:
= e[ n(n + n) + p(p + p)] =
= e(n n + p p) + e( n n + p p) = 0 + f
(1. 40)
unde
este conductivitatea la ntuneric i f este fotoconductivitatea
semiconductorului.
n anumite situa ii, se poate produce recombinarea radiativ a purt torilor,
care este un fenomen invers celui de absorb ie a radia iei electromagnetice. Dac
procesul de recombinare radiativ are loc lent (durata de 1 104 s), fenomenul de
emisie optic se nume te fosforescen , iar dac el are loc rapid (105 108 s),
emisia optic se nume te fluorescen . n fapt, este vorba de tranzi ia electronic
de pe un nivel energetic superior, Wi, pe unul inferior, Wf, avnd ca urmare emisia
30
c
ni
r
ct
el
unui foton de energie h = Wi Wf. Mecanismele prin care poate avea loc emisia
optic sunt:
- recombinarea radiativ direct , adic trecerea unui electron de conduc ie
direct n banda de valen i emisia unui foton;
- recombinarea radiativ indirect , cnd trecerea electronului de conduc ie n
banda de valen nu se face direct ci prin intermediul unui nivel energetic
discret existent n banda interzis , corespunz tor unei st ri locale, ceea ce
determin emisia a doi fotoni, evident cu respectarea conserv rii energiei; acest
caz are ns o probabilitate de producere mult mai mic dect recombinarea
radiativ direct .
- recombinarea radiativ prin alipire, care, spre deosebire de celelalte dou
tipuri de recombinare radiativ , se produce numai n semiconductorii extrinseci
i const n captarea de c tre un ion de impuritate a unui purt tor de semn
contrar i emisia unui foton.
1.9.
Tehnici de ob inere a semiconductorilor intrinseci

i extrinseci
a cum se va vedea n continuare, materialele semiconductoare au

numeroase aplica ii, motiv pentru care o importan deosebit o au metodele i
tehnicile de fabricare a acestora. n prezent se cunoa te un num r foarte mare de
substan e semiconductoare, care se pot clasifica n mai multe categorii:
substan e simple (elemente): Si, Ge, Se, Sn etc.
compu i binari
- de tip III - V: GaAs, InSb, InPb
- de tip II - VI: ZnO, CdS, CdSe, ZnS
- de tip IV - IV: SiC
- de tip II - IV: TiO2, VO2,
precum i al ii, mai pu in importan i
compu i ternari
- de tip I - IV - V: AgBiSe
- de tip II - IV - V: MgGeP2
- de tip I - IV - VI: CuSi2P3
- de tip IV - IV - VI: PbSnTe etc.
compu i cuaternari: CuPbAsS3
solu ii solide: Ge - Si, InAs - InSb, PbSe - PbTe etc.
Prima problem ce se pune n practic la fabricarea diferitelor dispozitive
semiconductoare este ob inerea semiconductorului cu o puritate ct mai mare i cu
defecte ale re elei ct mai reduse. Urmeaz apoi, dac este cazul, o impurificare
controlat , pentru ob inerea unui semiconductor intrinsec cu caracteristicile dorite.
Pentru aceasta, mai nti se ob ine un monocristal, printr-una din metodele
obi nuite de cre tere a cristalelor. O metod foarte des utilizat este cea de
cre tere epitaxial a unui strat monocristalin pe un suport cu rol de germene, cnd
31
c
ni
r
ct
el
are loc transportul unor atomi din faz solid , lichid sau gazoas la suprafa a unui
monocristal, astfel nct stratul nou depus continu structura cristalin a
substratului. Prin aceast metod , se pot cre te straturi epitaxiale de natur chimic
diferit de cea a substratului, cu condi ia ca amndou straturile s aib acela i tip
de re ea, cu parametrul re elei foarte apropiat i cu coeficien i de dilatare
aproximativ egali.
Metodele de purificare utilizate sunt metode fizice, bazate pe trecerea lent a
semiconductorului din faza lichid n faza solid , cnd are loc o redistribuire a
impurit ilor aflate ini ial n materia prim , acestea r mnnd n cea mai mare
parte n faza lichid .
Impurificarea controlat (doparea) cu impurit i donoare sau acceptoare se
poate realiza fie concomitent cu cre terea cristalului, prin introducerea in contact
cu materia prim semiconductoare (care trebuie s aib o puritate suficient de
mare), aflat n stare de topitur , solu ie sau vapori, a unei cantit i
corespunz toare de impuritate, fie prin difuzia atomilor de impurit i, afla i n stare
de vapori, n monocristalul solid de semiconductor (aceast metod se folose te n
mod special cnd este necesar realizarea unor straturi multiple de semiconductor
extrinsec cu tip de conduc ie diferit, a c ror grosime trebuie controlat n mod
strict).
1.10. Aplica ii directe1 ale materialelor semiconductoare

Propriet ile deosebite pe care le au semiconductorii intrinseci sau extrinseci
fac ca ace tia s fie folosi i n construc ia unor dispozitive semiconductoare printre
care sunt i cele care vor fi descrise n continuare.
Termistorul este un dispozitiv construit dintr-o plachet de semiconductor
intrinsec sau extrinsec, a c rui rezisten electric este variabil cu temperatura.
Varia ia rezisten ei cu temperatura este datorat , evident, varia iei exponen iale a
concentra iei purt torilor i/sau varia iei liniare a mobilit ii acestora cu
temperatura.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea termistorilor sunt oxizii unor
metale ca Fe, Mn, Mg, Ti, Co, Cr, Ni, Cu etc.
rimea caracteristic a acestui dispozitiv este coeficientul termic al
rezisten ei:
1 dR
=
(1. 41)
R dT
Termistorul este folosit la m surarea temperaturii precum i pentru
compensarea sc derii rezisten ei rezistorilor la cre terea temperaturii.
Fotorezistorul este un dispozitiv semiconductor a c rui rezisten electric
se modific sub ac iunea radia iei electromagnetice incidente. El poate fi construit
din semiconductor intrinsec sau extrinsec i func ioneaz pe baza fenomenului de
n acest paragraf ne vom referi la acele aplica ii ale semiconductorilor n care nu apar jonc iuni.
32
c
ni
r
ct
el
generare optic ce duce, a a cum s-a v zut, la modificarea conductivit ii

materialului i deci a rezisten ei sale.
Caracteristica esen ial a unui fotorezistor este curba spectral de r spuns,
R = R( ), n func ie de care se stabile te domeniul de utilizare a dispozitivului
respectiv. De asemenea, raportul
0 este o m rime caracteristic ce ne arat
sensibilitatea dispozitivului la ac iunea radia iei incidente.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt, pentru
vizibil i ultravioletul apropiat: CdS, CdSe, Tl2S, iar pentru infraro u: PbS, PbSe,
PbTe, InSb.
Aplica ia de baz a fotorezistorilor este cea de convertor opto-electric.
Un caz particular, este cel cnd dispozitivul este utilizat ca detector de
radia ii nucleare1, materialele semiconductoare utilizate n acest scop fiind, de
regul , Si sau Ge intrinsec.
Materialele semiconductoare mai sunt utilizate i n construc ia sondelor Hall
(Ge, InSb, InAs, HgSe), a termocuplelor i ca materiale piezoelectrice (CdS, CdSe,
ZnO, GaAs).
1.11. Aplica ii
1.11.1. No iuni introductive pentru laboratorul de electronic
a) M rimi fizice utilizate n electronic
n descrierea func ion rii circuitelor electronice sunt utilizate de regul
rimi fizice definite n cadrul capitolului de electricitate i magnetism.
Tensiunea electric reprezint diferen a de poten ial dintre dou puncte.
Cum poten ialul este definit pn la o constant arbitrar aleas , n circuitele
electrice se alege un poten ial de referin , egal cu zero (masa circuitului) fa de
care, diferitele puncte din circuit vor avea poten iale diferite, pozitive sau negative,
care sunt egale cu tensiunea dintre acele puncte i masa circuitului (de aceea,
uneori se spune tensiune ntr-un punct al circuitului cu sensul de tensiune dintre
acel punct i mas ).
Intensitatea curentului electric este m rimea fizic fundamental definit
conform rela iei:
dQ
I
(1. 42)
dt
unde dQ este sarcina electric ce trece printr-o sec iune transversal a circuitului n
Q
intervalul de timp dt. Pentru un curent constant, I
adic intensitatea
t
curentului electric este numeric egal cu sarcina electric ce trece n unitatea de
timp printr-o sec iune transversal a conductorului str tut de curent. n
electronic se utilizeaz foarte mult submultiplii unit ii de m sur a intensit ii
1
Fenomenele ce se petrec n acest caz sunt mai complexe dar nu vom intra n detalii.
33
c
ni
r
ct
el

curentului electric n S.I. (amperul), n mod special miliamperul i microamperul
(1mA = 103 A i 1 A = 106 A).
Se mai folose te, de asemenea i o alt m rime, densitatea de curent:
d 2Q
dI
(1. 43)
j
dS dt dS
numeric egal cu intensitatea curentului ce str bate unitatea de arie a suprafe ei
transversale a conductorului. Unitatea de m sur a acestei m rimi este:
[j]SI = 1A/m2.
Sensul conven ional al curentului electric este sensul de deplsare n circuit
a unei sarcini electrice pozitive, sub ac iunea cmpului electric imprimat de sursa
de t.e.m.
Curen ii alternativi, variabili sinusoidal, sunt descri i de expresia analitic :
s(t) = Sm sin( t+ )
(1. 44)
unde s(t) reprezint valoarea instantanee a tensiunii sau intensit ii, Sm valoarea
maxim (amplitudinea), = 2 pulsa ia i faza ini ial .
Frecven a a curentului electric alternativ, m surat n her i (Hz) poate lua
valori ntr-o gam foarte larg , de la cele joase, ale curentului alternativ din re eaua
de 50 Hz, pn la valori de ordinul sutelor de MHz, n cazul curen ilor de
radiofrecven . De altfel, conform unei mp iri nu foarte exacte, se vorbe te de
domeniul de joas frecven (JF) sau audiofrecven (AF) i domeniul de
radiofrecven (RF), mp it la rndul lui n subdomeniile: nalt frecven (IF),
foarte nalt frecven (FIF) i ultranalt frecven (UIF). Primul dintre aceste
domenii corspunde undelor radio din gama undelor lungi, medii i scurte iar
celelalte dou gamei undelor radio ultrascurte.
b) Semnale
ntruct n circuitele electronice intervin tensiuni i curen i variabili, aceste
forme de varia ie n timp a m rimilor respective se numesc n mod generic
semnale.
n practic ntlnim diverse tipuri de semnale dintre care amintim:
- semnle sinusoidale, descrise de expresia (3)
- semnale dreptunghiulare, de forma reprezentat n figura 1.13.
Aceste impulsuri sunt definite prin durat

i amplitudine. Dac
impulsurile se succed la intervale constante de timp atunci se define te i o
perioad de repeti ie a acestora (figura 1.14). n general, se define te i factorul de
34
c
ni
r
ct
el
umplere, ca raport dintre durata Ti a unui impuls i perioada T de repeti ie a

impulsurilor.
semnale dinte-de-fer str u sunt semnale periodice (a se vedea

func ionarea osciloscopului) de forma din figura 1.14.a.
- semnale triunghiulare sunt reprezentate n figura 1.14.b.
Evident n afara acestor exemple din cele mai des ntlnite exist i alte
forme de semnale, inclusiv cele cu varia ie ntmpl toare, numite zgomote.
c) Instrumente utilizate n electronic
Pe lng instrumentele de m sur utilizate i n laboratorul de electricitate
(voltmetre, ampermetre, multimetre, ohmetre etc.), n laboratorul de electronic
sunt utilizate i alte aparate i instrumente ca: voltmetrul electronic (cu impedan
mare de intrare), generatorul de semnale, frecven metrul, osciloscopul i altele.
Aici ne vom opri asupra celui mai important aparat, osciloscopul, prin
intermediul c ruia se pot vizualiza diferite semnale i se pot efectua m sur tori ale
unor m rimi (amplitudini, frecven e etc.).
Schema bloc a unui osciloscop este dat n figura 1.15.
Partea principal a osciloscopului este tubul catodic - o incint vidat ,

avnd n partea posterioar un tun electreonic iar n partea anterioar un ecran
fluorescent. Sistemul mai dispune de dou perechi de pl ci deflectoare (pe
orizontal i pe vertical ), pe care, dac se aplic o tensiune, fasciculul de electroni
este deviat. Tubul catodic dispune i de al i electrozi i circuite auxiliare care
35
c
ni
r
ct
el

asigur accelerarea fasciculului de electroni, focalizarea acestuia i reglarea
intensit ii luminoase i a pozi iei pe ecran a spotului luminos produs de impactul
fasciculului de electroni cu ecranul fluorescent. n lipsa tensiunii aplicate pe
pl cu ele de deflexie, pe ecran apare un punct (spot) luminos; dac pe pl ci se
aplic o tensiune, spotul se va deplasa pe orizontal sau vertical cu o distan
propor ional cu m rimea tensiunii aplicate. Dac tensiunea este alternativ , pe
ecran se ob ine un segment de dreapt . Pentru a vizualiza corect un astfel de
semnal, acesta se aplic pe pl cile de deflexie vertical , pe cele de deflexie
orizontal aplicndu-se o tensiune dinte-de-fer str u cu frecven a strict
sincronizat cu cea a semnalului studiat, ob inut de la un generator intern
(generatorul bazei de timp) sau extern. Exist i variante mai complicate de
osciloscoape, cu dublu spot, cu memorie etc.
1.11.2. Elemente pasive de circuit
1. No iuni generale
Cele mai des ntlnite elemente pasive de circuit sunt rezistorul,
condensatorul i bobina.
Rezistorul este caracterizat printr-o rela ie de propor ionalitate ntre
tensiunea aplicat la bornele sale i intensitatea curentului ce trece prin el (legea lui
Ohm: I = U/R).
Principalul parametru al unui rezistor este rezisten a nominal . n practic
se utilizeaz rezistori cu valori ale rezisten elor standardizate. De obicei, fabrican ii
adopt un ir de valori (10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43,
47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91, 100) care, nmul ite cu puteri ale lui 10, asigur
rezisten e n limitele 10
- 10 M . Prin combinarea (legare serie sau paralel)
unora din aceste valori, se pot ob ine toate celelalte valori care lipsesc din serie.
Alegerea s-a f cut innd seama de un alt principiu al rezisten elor: toleran a, care
indic , n procente, precizia valorii nominale a rezisten ei. Cu seria de valori dat
mai sus, se asigur prin fabricare o abatere de cel mult 5% de la valoarea nominal
nscris pe rezistor. Dac din serie se elimin valorile 11, 13, 16, 20, 24, 27, 30, 36,
43, 51, 62, 75 i 91 se ob in valori care asigur o precizie de cel pu in 10%, iar
dac se p streaz numai valorile 10, 15, 22, 23, 47, 68, 100, aceast serie are valori
precizate cu o eroare de maxim 20%.
Se poate verifica faptul c , pentru fiecare serie, o valoare plus toleran a
respectiv este egal (aproximativ) cu valoarea imediat superioar minus toleran a.
De exemplu:
56 + 5% 62 5%
39 + 10% 47 10%
33 + 20% 47 20%
Pentru cazuri deosebite, se construiesc i folosesc i rezistori cu toleran e
mai mici (2%, 1% i 0,5%).
36
c
ni
r
ct
el

Pe fiecare rezistor, fabricantul nscrie obligatoriu valoarea nominal a
rezisten ei i toleran a. Aceasta se poate face fie n clar, fie utiliznd un cod literal,
fie unul al culorilor.
Codurile literale pot fi diferite n func ie de fabricant dar cel mai des
ntlnit folose te simbolurile:
R - unit i
K - kilo
M - mega
F - toleran 1%
G - toleran 2%
I - toleran 5%
K - toleran 10%
M - toleran 20%
De exemplu, nota ia 1R5F semnific 1,5
toleran 1%, nota ia 4K7I
semnific 4,7 k
5%, iar nota ia 2M2K semnific 2,2 M
10 %
Dac litera corespunz toare toleran ei lipse te, sau dac aceasta nu este
nscris n clar, ea se consider 20%.
Codul culorilor utilizeaz benzi de diferite culori cu semnifica ii bine
precizate (figura 1.16). Prima band se consider cea care este cea mai apropiat
de unul din capetele rezistorului.
Primele dou benzi (I i II) reprezint cifre semnificative, a treia - num rul
de zerouri (puterea lui 10 cu care se nmul te num rul citit pe primele dou
benzi) i ultima - toleran a., conform celor prezentate n tabelul urm tor:
Culoare
NEGRU
MARO
RO U
PORTOCALIU
GALBEN
VERDE
ALBASTRU
VIOLET
GRI
ALB
AURIU
ARGINTIU
Cifr
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
37
Toleran
1%
2%
5%
10%
c
ni
r
ct
el

Dac a patra band lipse te, toleran a este 20%.
Rezistoarele sunt caracterizate i de al i parametri:
- puterea disipat (cele mai uzuale sunt de 0,5 W).
- coeficientul de stabilitate cu temperatura etc.
Din punct de vedere constructiv, rezistoarele pot fi construite cu pelicul de
carbon (cele mai uzuale), cu pelicul metalic i bobinate (de puteri mai mari).
Condensatorul are drept principal parametru capacitatea nominal . Ca i
la rezistoare, valoarea nominal a capacit ii este determinat cu o anumit
toleran .
Un alt parametru este coeficientul de temperatur , care ne arat varia ia
capacit ii la varia ie a temperaturii conform rela iei:
C = C0(1 + T)
(1. 45)
De regul , coeficientul de varia ie a capacit ii cu temperatura,
avnd
valori foarte mici, se exprim n 106 grd1.
i la marcarea condensatoarelor se poate utiliza nscrierea n clar sau n
codul culorilor. n acest ultim caz se folosesc cinci benzi colorate (figura 1.17).
Prima band este cea dinspre firele de conexiune i are semnifica ia de

coeficient de temperatur , cu valorile posibile:
VERDE: 330, VIOLET: 750, AURIU: +100 (exprimate n 10-6 grd-1)
Benzile 2, 3 i 4 au aceea i semnifica ie ca la benzile 1, 2, 3 de la rezistori
(codul culorilor fiind acela i), citirea dnd valoarea capacit ii exprimat n pF.
Banda 5 exprim toleran a cu semnifica iile:
NEGRU: 20%, ALB: 10%, VERDE: 5%, PORTOCALIU: 3%, RO U: 2%,
MARO: 1%.
Dac pe condensator sunt nscrise numai 3 benzi, acestea sunt benzile 2, 3
i 4, toleran a fiind 20%.
Al i parametri ai condensatoarelor sunt tensiunea nominal , rezisten a de
izola ie, curentul de fug .
Constructiv, condensatoarele sunt realizate n mai multe moduri, n func ie
de dielectricul folosit. Astfel, ntlnim condensatori ceramici tubulari (n general
de capacit i mici, pn la 100 pF), condensatori ceramici de tip disc i plachet
(10 pF 1 F), condensatori cu polistiren etc. Tensiunile nominale sunt de ordinul
zecilor sau sutelor de vol i. O categorie aparte o constituie condensatoarele
electrolitice (pot avea capacit i mai mari, de ordinul mF) dar i gabarit mai mare.
La introducerea n circuit, este esen ial respectarea polarit ii condensatorului.
38
c
ni
r
ct
el

Condensatoarele cu tantal au propriet i asem toare celor electrolitice dar au un
gabarit redus.
n afar de rezistoare i condensatoare, n circuitele electronice se ntlnesc
i alte elemente pasive ca bobine, transformatoare i altele.
surarea rezisten elor se face prin metode descrise n cadrul laboratorului
de electricitate dintre care cele mai precise sunt cele de punte. Capacit ile se
soar prin metode asem toare, diferen a fiind c puntea trebuie alimentat n
curent alternativ.
2. Scopul lucr rii; montaj experimental
Lucrarea are ca scop cunoa terea diverselor tipuri de rezistoare i
condensatoare, familiarizarea cu modul de nscriere a parametrilor acestora i
surarea unor rezisten e i capacit i.
n acest scop se folose te o machet pe care sunt dispuse mai multe
rezistoare i condensatoare. Pentru m surarea rezisten elor i capacit ilor acestora
se folose te o punte R-C care, n principiu, este alc tuit din patru elemente de
circuit caracterizate de o anumit impedan , legate n punte. Unul dintre aceste
elemente este cel a c rui rezisten sau capacitate se m soar , iar altul are
impedan a variabil , celelalte fiind fixe. Pe o diagonal a pun ii se aplic un
semnal sinusoidal furnizat de un generator, iar pe cealalt diagonal se afl
elementul de nul care poate fi un ampermetru de c.a. sau, n cazul unor frecven e
audio, o casc telefonic sau un difuzor.
ntreg dispozitivul este ncorporat ntr-o carcas , panoul frontal fiind
reprezentat n figura 1.18.b, figura 1.18.a reprezentnd schema de principiu a
pun ii R-C.
3. Modul de lucru
1. Se citesc valorile nscrise n codul culorilor pe rezistoarele i condensatoarele
de pe machet . Se nscriu n tabel.
2. Prin fire de leg tur , se conecteaz pe rnd elementele la bornele
corespunz toare ale pun ii; folosind pentru nceput o sensibilitate mic , se
39
c
ni
r
ct
el
3.
4.
5.
6.
7.
regleaz butonul sc rii de m sur a pun ii pn cnd semnalul nu se mai aude

n difuzor;
rind sensibilitatea, se ajusteaz pozi ia butonului la nivelul intensit ii
minime a semnalului;
Se cite te pe scala aparatului valoarea m surat i se nscrie n tabel;
Se compar cu valoarea citit .
Rezisten ele se m soar din nou, cu un ohmetru. Se compar cele dou
sur tori.
Toate rezultatele se trec ntr-un tabel de forma urm toare:
Nr. det.
R ( C ) citit
toleran
R ( C ) m surat
cu puntea cu ohmmetrul
1.
4. ntreb ri
1. Care sunt sursele de erori n m sur torile f cute ?
2. Se poate utiliza metoda de m surare cu puntea pentru m surarea inductan ei
bobinelor ? Dac da, ce modific ri ar trebui aduse montajului ?
3. Ce concluzii se pot trage din compararea celor dou serii de m sur tori ale
rezisten elor, cu puntea i cu ohmetrul ? Care metod este mai precis ?
1.11.3. Tuburi electronice1
1. No iuni teoretice
A. Dioda cu vid
Dioda cu vid este un dispozitiv compus din doi electrozi dispu i coaxial ntro incint vidat : catodul (emitorul electronic) filiform, plasat pe axa incintei i
anodul (colectorul), de form cilindric . Catodul este nc lzit 2 la temperaturi ntre
700 C i 1400 C i, ca urmare, temperatura ridicat permite acestuia s emit , pe
baza fenomenului de emisie electronic , electroni (figura 1.19).
De i tuburile electronice nu mai sunt de mult folosite n aplica ii practice, totu i fenomenele care
au loc la func ionarea acestora sunt n continuare de interes, motiv pentru care a fost introdus acest
paragraf.
2
nc lzirea catodului se poate face direct, cnd catodul este un filament adus la incandescen prin
trecerea unui curent electric prin el sau indirect, cnd catodul este un cilindru foarte sub ire, nc lzit
prin radia ie termic de la un filament aflat n interiorul s u.
40
c
ni
r
ct
el
Fenomenul de emisie termoelectronic are loc datorit cre terii energiei

cinetice de agita ie termic a electronilor liberi din solid pe seama energiei termice
exterioare. Curentul de emisie cre te cu cre terea temperaturii. n vecin tatea
suprafe ei nc lzite se formeaz un nor de electroni care se agit haotic. Acest gaz
electronic nu se ndep rteaz de suprafa a metalului deoarece electronii extra i las
n metal o sarcin pozitiv , echivalent , care i atrage.
Prin aplicarea unui cmp electric accelerator, peste o valoare critic a
acestuia vor fi cule i to i electronii din norul electronic, curentul de emisie
atingnd valoarea de satura ie.
Richardson i Dushman au stabilit c densitatea de curent a curentului de
emisie este dat de:
W0
2
j A T e kT
(1. 46)
unde W0 reprezint lucrul mecanic (energia) de extrac ie, care este o constant
caracteristic materialului electronoemisiv, iar A o constant ce depinde de natura
i starea suprafe ei catodului. Folosind schema principial din figura 1.19, se pot
trasa caracteristicile statice ale diodei (figura 1.20).
Aceste caracteristici prezint trei zone:

- zona I (zona de lansare sau zona tensiunilor negative) curentul anodic
IA este foarte mic i se poate neglija, el fiind datorat unui num r mic de
electroni cu viteze ini iale mari, care pot nvinge cmpul electric
frnant, ajungnd la anod. n practic , se consider c aceste
caracteristici pornesc chiar din origine, zona I fiind foarte greu de pus
n eviden .
- zona a II-a (regiunea de sarcin spa ial ) este zona caracteristicii
anodice unde este valabil legea 3/2:
3
IA K U A2
(1. 47)
- zona a III-a (regiunea de satura ie). IA atinge valoarea maxim ,
conform rela iei Richardson i Dushman.
Pentru o diod se pot defini parametrii:
41
c
ni
r
ct
el
rezisten a intern static (n curent continuu), R,

UA
(1. 48)
R
IA
- rezisten a dinamic (n curent alternativ) Ri:
du A
(1. 49)
Ri
diA
B. Trioda
La triod , n afar de catod i anod intr n componen
i un al treilea
electrod - grila de comand , care este un electrod cilindric dintr-o plas metalic
rar sau un fir metalic n spiral , plasat ntre anod i catod, n imediata apropiere a
acestuia din urm (figura 1.21).
Prin poten ialul electric i pozi ia acesteia fa de catod rezult principalul rol
al grilei: acela de comand a curentului anodic.
Curentul total de emisie (curentul catodic) este dat de rela ia1:
iC
K u E2
K uG
f uA
(1. 50)
iA iG
unde uE este tensiunea echivalent anod-catod iar f - factorul de p trundere al
grilei.
iC
n acest paragraf, s-au notat valorile instantanee cu iA, uA, uG etc., componentele variabile ale
acestora fiind notate cu ia, ua, ug etc.
42
c
ni
r
ct
el
n general, iG este foarte mic deci iC iA.

Pentru o triod , se pot trasa caracteristicile anodice, i A
1.22.a) i de gril , i A
f uG
u A ct
f uA
u G ct
(figura
(figura 1.22.b). Caracteristicile anodice ale unei
triode sunt, calitativ, acelea i cu ale unei diode. Caracteristicile de gril arat c
acest al treilea electrod poate controla curentul anodic prin varia ia poten ialului
aplicat pe el; astfel, la valori negative (fa de catod, considerat la poten ial nul) ale
poten ialului de gril , mai mari dect o valoare numit tensiune de stopare,
curentul anodic este nul, deoarece cmpul electric de frnare, dintre gril i catod,
este att de intens, nct nici un electron din norul electronic din jurul catodului nu
are suficient energie pentru a-l nvinge i a ajunge la anod. La valori peste
tensiunea de stopare ale poten ialului de gril , curentul anodic cre te, la ncepul
mai lent, apoi liniar odat cu cre terea acestui poten ial, pn cnd se intr n
regiunea de satura ie, cnd curentul anodic nu mai cre te, ba chiar ncepe s scad
or, datorit faptului c grila este suficient de puternic pozitivat pentru a atrage
ea ns i electroni, ceea ce nseamn cre terea curentului de gril i, implicit
sc derea celui anodic.
Pentru por iunea liniar a caracteristicii de gril , a c rei zon de mijloc se
se te de obicei la valori negative ale poten ialului grilei, se pot defini parametrii
triodei: panta S, rezisten a intern Ri i factorul de amplificare, ..
di A
S
(1. 51)
du G u ct
A
Ri
1
di A
du A
du A
du G
(1. 52)
u G ct
(1. 53)
i A ct
Cum iA = f(uA, uG), se poate scrie:

di A
di A
du G
du G
di A
du A
du A
sau
di A
S du G
1
du A
Ri
Pe de alt parte, ntruct

iA = IA + ia ; uA = UA + ua ; uG = UG + ug
i, deci:
diA = ia, duG = ug, duA = ua,
43
c
ni
r
ct
el
ia
ua
Ri
S ug
(1. 54)
sau
Ri ia = Ri S ug + ua = ug + ua
Pentru montajul din figura 1.21, n lipsa semnalului alternativ de gril (ug =
0), m rimile electrice au expresiile:
uG = Eg; iA = IA; uA = UA = EA RA IA
rimile de mai sus determin regimul static de func ionare a triodei.
n prezen a componentei alternative, ug = Ugm sin t, m rimile au
expresiile:
uG = EG + ug = EG + ug = Ugm sin t
iA = IA + ia = IA + ug = Iam sin t
uA = UA + ua = EA ua = EA ug = Uam sin t
uA = EA RA iA = EA RA(IA + ia) = EA RA IA RA ia = UA - ua
Deci,
RA
(1. 55)
ua
R A ia
ug
Ri RA
ug
RA
(1. 56)
S ug
Ri R A
Ri
Rela iile de mai sus permit nlocuirea schemelor reale ale circuitului cu
triod cu circuite echivalente. Astfel, rela ia (1.55) conduce la schema echivalent
cu generator de tensiune constant , cu t.e.m. egal cu ug i rezisten intern Ri,
ce debiteaz pe o sarcin RA (figura 1.23.a) iar rela ia (1.56) conduce la schema
echivalent n care tubul apare ca generator de curent constant, S ug, cu rezisten a
intern Ri n paralel (figura 1.23.b).
ia
; ia 1
Din rela iile (1.55) sau (1.56) i schemele echivalente rezult

ua
amplificarea montajului, A
este dat de rela ia:
ug
44
c
ni
r
ct
el
(1. 57)
Ri
1
RA
C. Tuburi multigril
Cre terea factorului de amplificare al triodei nu se poate face peste o anumit
valoare deoarece m rirea lui duce i la m rirea lui Ri. Pentru eliminarea acestui
neajuns s-a apelat la modificarea tubului, introducnd ntre grila de comand i
anod o a doua gril (gril ecran) ob inndu-se astfel tubul numit tetrod , care poate
avea un factor de amplificare mai mare f
cre terea rezisten ei interne. Pe de alt
parte ns , caracteristica anodic a tetrodei prezint o por iune de rezisten
negativ (efectul dinatron), care face instabil func ionarea n regim de
amplificator.
Eliminarea rezisten ei negative se poate face prin construirea tetrodelor cu
fascicul dirijat sau prin introducerea unei noi grile (grila supresoare) ntre anod i
grila ecran, legat la catod sau la un poten ial negativ ob inndu-se astfel pentoda.
Scopul lucr rii este studiul func ion rii diodei i triodei i trasarea
caracteristicilor tuburilor respective. Se folose te una din cele dou triode ale
dublei triode 6N1, ea fiind utilizat i ca diod prin scurtcircuitarea grilei la mas .
Montajul experimental se realizeaz pe macheta prezentat n figura 2.6,
utilizndu-se, de asemenea, urm toarele:
- surs de tensiune continu , reglabil , n domeniul 0 200 V pentru
alimentarea circuitului anodic;
- surs de tensiune continu , reglabil n domeniul 0 10 V, pentru
alimentarea circuitului de gril ;
- voltmetru pentru m surarea tensiunii anodice;
- voltmetru pentru m surarea tensiunii de gril ;
- miliampermetru pentru m surarea curentului anodic;
- microampermetru pentru m surarea curentului de gril .
n locul fiec ruia din cele patru instrumente de m sur se pot utiliza
multimetre.
A
45
c
ni
r
ct
el
3. Mod de lucru
A.Trasarea caracteristcii diodei
- se scurtcircuiteaz bornele 5 i 6, ntre 9 i 10 se leag un
miliampermetru, iar ntre 11 i 12 un voltmetru;
- la bornele 7 i 8 se aplic o tensiune alternativ de 6,3 V;
- la bornele 13 i 14 se aplic tensiunea anodic (plusul la borna 13)
variabil , m surat cu voltmetrul legat ntre bornele 11 i 12; valorile
tesiunii anodice se iau din 5 n 5 V, n intervalul 0 150 V;
- pentru fiecare valoare a tensiunii anodice se cite te curentul anodic
surat de miliampermetru;
- se ntocme te tabelul:
UA (V)
IA (mA)
-
se traseaz graficul IA = IA(UA);
se calculeaz pervean a tubului cu rela ia: K
IA
3
U A2
B. Trasarea caracteristicii de gril a triodei

ntre bornele 5 i 6 se monteaz voltmetrul ce m soar UG, ntre 3 i 4
un microampermetru pentru m surarea lui IG, iar ntre 9 i 10
miliampermetrul pentru m surarea lui IA;
se aplic o tensiune alternativ de 6,3 V la bornele 7 i 8;
la bornele 13 i 14 se aplic o tensiune continu constant de 100 V
(plusul la borna 13); se pot alege i alte valori, n jurul acesteia;
se aplic o tensiune continu la bornele 1 i 2 cu valori diferite (ntre 5
V i +5 V) din 0,1V n 0,1V i se m soar pentru fiecare valoare a lui
UG, curentul anodic IA;
se ntocme te tabelul:
UG (V)
IA (mA)
1.
se repet determin rile pentru o alt tensiune anodic , ce difer cu cel

pu in 20 V de prima;
- se traseaz graficele IA = IA(UG) pentru cele dou tensiuni anodice, pe
aceea i h rtie milimetric ;
- din grafice se determin panta caracteristicii de gril S, rezisten a
intern , Ri i factorul de amplificare, ;
- se verific ecua ia triodei: = S Ri.
4. ntreb ri
se explice apari ia zonei I de la caracteristica triodei.
46
c
ni
r
ct
el
2.
se explice saturarea curentului anodic al unei diode la tensiuni anodice

suficient de mari.
3.
se explice forma caracteristicii de gril a unei triode pe baza comport rii
electronilor emi i de c tre catod.
4. Care este rolul grilei i cum ac ioneaz ea ?
47
c
ni
r
ct
el
CAPITOLUL II
2. DIODA SEMICONDUCTOARE
2.1.
Jonc iunea p n
Jonc iunea p-n este o al turare de dou zone semiconductoare de tip de n,

respectiv p, unde, deci, are loc trecerea brusc de la conduc ia extrinsec de tip n,
la cea de tip p. Ea se poate realiza fie n acela i semiconductor, n care se creeaz
dou regiuni al turate cu tip de conduc ie diferit, caz n care ea se nume te
homojonc iune, fie al turnd doi semiconductori diferi i ca tip de conduc ie sau ca
rgime a benzii interzise, caz n care se nume te heterojonc iune.
Pentru n elegerea fenomenelor ce se desf oar ntr-o jonc iune trebuie s se
in seama de faptul c , ntotdeauna cnd se al tur dou materiale diferite care
dispun de purt tori de sarcin electric liberi, are loc un transfer de sarcin dintr-un
material n altul pn cnd energiile Fermi ale acestora se egaleaz 1.
consider m o homojonc iune p-n (figura 2.1). F cnd, deocamdat ,
abstrac ie de purt torii minoritari, ini ial, cele dou zone con in:
- ioni donori (pozitivi) i electroni liberi - zona n
- ioni acceptori (negativi) i goluri - zona p.
Ca urmare a gradientului de concentra ie a purt torilor, are loc difuzia

acestora ntre cele dou zone: electronii liberi difuzeaz din zona n spre zona p, iar
golurile n sens invers, difuzia tinznd s uniformizeze concentra ia celor dou
tipuri de purt tori n cele dou zone. Acest lucru nu se ntmpl totu i deoarece,
prin difuzia care are loc, zonele din care difuzeaz purt torii (aflate la suprafa a de
contact dintre cele dou regiuni, p i n) r mn s cite n sarcini electrice de
1
Explica ia poate fi dat n acela i mod cu explica ia paramagnetismului Pauli (vezi cursul de fizica
corpului solid), ca urmare a tendin ei de minimizare a energiei sistemului.
48
c
ni
r
ct
el

semnul celor ale purt torilor difuza i, deci vor con ine sarcini electrice imobile
necompensate (ale ionilor de impurit i). Astfel, n regiunea n, zona din care au
difuzat electronii de conduc ie va r mne cu un surplus de sarcini electrice
pozitive, iar n regiunea p, zona p sit de goluri va r mne cu un surplus de
sarcini electrice negative. Aceast zon n care exist o s cire n sarcini electrice
mobile, electrizat pozitiv n regiunea n i negativ n regiunea p, se nume te
regiune de s cire, de tranzi ie sau de sarcin spa ial . Formarea ei determin
reducerea difuziei purt torilor dintr-o regiune n cealalt pn la stabilizarea
grosimii sale. Fenomenul are loc n felul urm tor: distribu ia de sarcin spa ial
creeaz un cmp electric intern (orientat de la zona n la zona p) care este cu att
mai intens cu ct sarcina electric imobil acumulat n regiunea de tranzi ie este
mai mare, deci cu ct un num r mai mare de purt tori au difuzat dintr-o zon n
alta. Acest cmp electric intern se opune difuz rii n continuare a acestor purt tori,
prin crearea unei bariere de poten ial; cu ct el este mai intens, deci bariera de
poten ial mai nalt , cu att fluxul de difuzie a purt torilor va fi mai mic, pentru c
numai purt torii cu energii mari vor mai putea nvinge aceast barier .
Cmpul electric intern, dup cum s-a v zut n capitolul anterior, determin
apari ia unui curent de drift, n sens opus curentului de difuzie, stabilindu-se astfel
un echilibru dinamic, la care curentul de difuzie prin jonc iune este compensat de
curentul de drift n sens invers.
Pn acum ne-am referit numai la purt torii majoritari, neglijnd existen a
celor minoritari, a c ror concentra ie este mult mai mic . Totu i existen a
purt torilor minoritari nu poate fi neglijat , ei suferind acelea i procese ca i cei
majoritari. Pe de alt parte, purt torii majoritari care au difuzat n cealalt regiune
devin minoritari n aceasta. De aceea, se poate observa c purt torii majoritari
formeaz curentul de difuzie, iar cei minoritari curentul de drift. Purt torii
minoritari fiind n concentra ie mic , i curentul de drift este foarte slab; de aceea,
curentul de difuzie la care se stabile te echilibrul este i el foarte mic, ceea ce se
ob ine n momentul cnd cmpul electric intern are o valoare suficient de mare.
Regiunea de sarcin spa ial la care se stabile te echilibrul se nume te strat
de baraj i este n practic foarte sub ire, de ordinul a 106 m. Acesta este i
motivul pentru care nu se poate ob ine o jonc iune p-n prin simpla al turare a doi
semiconductori cu tip de conduc ie diferit, cnd continuitatea re elei este ntrerupt
pe o grosime de cel pu in acela i ordin de m rime, procedeul real de fabricare fiind
descris ntr-un paragraf ulterior.
Toate fenomenele descrise mai sus, pn la formarea stratului de baraj de
grosime stabil , au loc ntr-un timp extrem de scurt, la fabricarea jonc iunii, dup
care se stabile te echilibrul dinamic (descris n figura 2.1), ce nu mai poate fi
modificat dect prin interven ia unor cauze exterioare.
n figura 2.1 sunt reprezenta i ionii de impurit i i purt torii majoritari din
cele dou zone, p i n, stratul de baraj, de l rgime , cu distribu ia de sarcini
imobile ce creeaz cmpul electric intern, precum i curen ii de difuzie a
49
c
ni
r
ct
el

electronilor majoritari din zona n n zona p, jndif, i a golurilor majoritare din zona
p n zona n, jpdif, precum i curen ii de drift, jnd i jpd.
Evident, aceast reprezentare este simplificat fa de situa ia real , pentru c

ea presupune o concentra ie constant a electronilor n zona n i a golurilor n zona
p i o valoare nul a acestora n stratul de baraj i n zona p, respectiv zona n. n
realitate, varia ia concentra iei purt torilor este de forma reprezentat n figura
2.2.a, n care se vede c , ntr-adev r, la distan mai mare de stratul de baraj (de
50
c
ni
r
ct
el

rgime p n zona p i n n zona n), concentra iile sunt constante dar trecerea de
la aceast valoare la una foarte mic n zona opus se face treptat i nu brusc. n
figura 2.2.b este reprezentat distribu ia de poten ial al cmpului intern n
jonc iune. Din punct de vedere energetic, stratul de baraj reprezint o zon de salt,
ca urmare a prezen ei cmpului electric intern ap rnd o decalare cu valoarea eV0 a
structurilor energetice ale celor dou zone, p i n, dup cum se poate vedea n
figura 2.2.c.
Ne propunem n continuare s determin m distribu ia poten ialului (numit
poten ial de contact) i a intensit ii cmpului electric intern n interiorul stratului
de baraj precum i l rgimea acestuia.
La echilibru, curentul total de electroni este nul, ceea ce nseamn c
densitatea curentului electronic de difuzie este egal n modul ( i de sens contrar)
dif
cu densitatea curentului electronic de drift: jn = jnd. Acela i lucru se poate spune
dif
i despre curen ii de goluri, deci jp = jpd. Ca urmare, sunt valabile rela iile:
kT
kT
eDp dp = e ppEint ; eDn dn = e nnEint, unde Dp =
p ; Dn =
n.
e
e
dx
dx
Rezult :
kT dp
kT dn
= pEint ;
= nEint
e dx
e dx
sau, innd seama c
dV kT dp
kT dn
Eint =
,
= dV.
= dV ;
dx e p
e n
Acestea sunt dou ecua ii diferen iale de ordinul I, care se rezolv prin
separarea variabilelor i integrare ntre cele dou limite ale stratului de baraj, de la
zona p (x = p), unde, la echilibru, concentra ia golurilor majoritare este ppo i
cea a electronilor minoritari npo, la zona n (x = n), unde, la echilibru, concentra ia
golurilor minoritare este pno, iar a electronilor majoritari nno. Varia ia poten ialului
este de la zero n zona p la V0 n zona n. Rezult :
kT p p 0 kT n n 0
(2. 1)
V0 =
ln
ln
e
pn0
e
n p0
Din ecua ia de mai sus, se pot scrie rela iile:
eV0
kT
eV0
kT
pno = pp0 e
; npo = nn0 e
(2. 2)
Pentru calculul distribu iei poten ialului de contact, al intensit ii cmpului
electric intern precum i al l rgimii stratului de baraj, pornim de la ecua ia Poisson,
d2V
, unde este densitatea de sarcin electric a distribu iei ce creeaz
dx 2
cmpul electric i este permitivitatea electric a mediului (semiconductor).
51
c
ni
r
ct
el

Vom considera, pentru simplificare, c n domeniul 0 < x < n, este egal
cu +enno, iar n domeniul p < x < 0 este egal cu eppo. Atunci, ecua ia Poisson
se scrie:
en n 0
d2V
n zona n,
2
dx
respectiv
ep p 0
d2V
n zona p.
dx 2
Dup cum se tie, solu ia general a unei ecua ii de tip Poisson este de forma
V(x) = Ax2 + Bx + C, constantele A, B i C determinndu-se din condi iile la
limit i din valoarea constantei cu care este egal derivata a doua a poten ialului.
Astfel, condi iile la limitele stratului de baraj impun ca V( p) = 0 i V( n) = V0.
De asemenea,
dV
= Eint = 0 pentru x = p i x = n.
dx
Rezult c poten ialul i cmpul n stratul de baraj au expresiile:
A. n zona n ( 0 < x < n):
en
en
V = V0 n 0 n x)2
;
Eint = n 0 n x)
(2. 3)
2
2
B. n zona p ( n < x < 0):
ep p 0
ep
2
;
Eint = p 0 p + x)
(2. 4)
V=
p + x)
2
2
Punnd, de asemenea, condi ia ca, pentru x = 0, cele dou solu ii s coincid ,
rezult grosimea (l rgimea) stratului de baraj, L = n + p:
2 V0 n n 0 p p 0
Lp p 0
Ln n 0
L=
; n=
(2. 5)
; p=
en n 0 p p0
n n 0 p p0
n n 0 p p0
Se poate constata c , cu ct concentra ia purt torilor este mai mare, cu att
stratul de baraj are n zona respectiv o grosime mai mic .
Dac din exterior se aplic un cmp electric, Eext, c ruia i corespunde o
tensiune exterioar V, atunci stratul de baraj i modific grosimea, ea devenind:
2 V0 V n n 0 p p 0
L=
(2. 6)
en n 0 p p0
unde V are semnul "+", respectiv "", dup cum cmpul electric exterior are
acela i sens sau sens invers celui al cmpului electric interior, adic tensiunea de
polarizare este direct (plusul pe zona p), respectiv invers (plusul pe zona n).
52
c
ni
r
ct
el

Folosind formulele 2.2, rezult c , la aplicarea unei tensiuni exterioare
directe, concentra iile purt torilor minoritari de neechilibru, np i pn vor cre te,
conform rela iilor:
e V0 V
eV
e V0 V
eV
pn = pp0 e kT = pn0 e kT ; np = nn0 e kT = np0 e kT

(2. 7)
Apari ia acestui num r suplimentar de purt tori minoritari reprezint o
injec ie de purt tori n jonc iunea p-n. Cum concentra iile purt torilor minoritari
variaz exponen ial cu distan a fa de locul de injectare (a se vedea rela ia 1.36),
rezult c i densit ile curen ilor datora i acestora, care sunt propor ionale cu
gradientul de concentra ie, scad exponen ial cu distan a fa de jonc iune.
Reprezentarea grafic a curen ilor prin jonc iune este dat n figura 2.3, curentul
total prin jonc iune fiind dat de expresia j = (jnp + jpn)x = 0
i reprezentat prin
linia punctat , paralel cu axa Ox din figur .
Se constat c , pentru x < 0, jpp(x)= j jnp(x). Dac x < 0 i este suficient de

mare, curentul total este numai un curent de goluri (jnp 0), adic de purt tori
majoritari.
Analog, n zona n (x > 0), jnn(x) = j jpn(x) i, cnd x este suficient de
mare, curentul total este numai un curent de electroni (jpn 0). Acest fapt este
datorat fenomenului de recombinare a golurilor din zona p cu electronii injecta i
din zona n i a electronilor din zona n cu golurile injectate din zona p.
La aplicarea unei tensiuni de polarizare direct a jonc iunii, concentra ia de
goluri n exces la limita de separare dintre zona neutr n i zona de sarcin spa ial
(x = n) este:
eV
pn = pn pn0 = pn0 e kT 1
Analog, la limita de separare dintre zona neutr p i zona de sarcin spa ial
(x = p), concentra ia electronilor n exces are expresia:
53
c
ni
r
ct
el
eV
np = np np0 = np0 e kT 1
La o distan x > n, concentra ia de goluri n exces scade exponen ial cu
distan a dup rela ia (a se vedea formula 1.36):
eV
pn(x) = pn0 e kT
1e
Lp
(2. 8)
La o distan x < p, n zona neutr n, concentra ia de electroni n exces are

expresia:
np(x) = np0 e
eV
kT
1e
Ln
(2.8)
n zona n, la x = n, curentul de goluri are expresia:

d pn x
dp
jp x
eD p
eD p
x n
dx x n
dx
adic :
jp x
eD p p b0
x
Lp
eV
kT
(2. 9)
Analog, n zona p, la x = p, curentul de electroni are expresia:

eD n n p 0 eV
jn x x
e kT 1
(2.9)
p
Ln
Curentul total prin jonc iune este dat, deci, de expresia:
eV
eD p p n 0 eD n n p0
e kT 1
j = jp + jn =
Lp
Ln
Notnd:
jS =
eD p p n 0
eD n n p 0
Lp
Ln
(2. 10)
unde js se nume te curent de satura ie, rela ia de mai sus devine:

eV
j = jS e kT 1
(2. 11)
Rela ia 2.11 reprezint ecua ia diodei ideale. Ea este valabil i la tensiuni

de polarizare inverse. Trebuie subliniat, de asemenea, c ecua ia diodei ideale a
fost ob inut n condi ii simplificatoare, dintre care cea mai important este cea de
neglijare a proceselor de recombinare a purt torilor n regiunea de sarcin spa ial .
Avnd n vedere aceste procese, ecua ia diodei reale cap
o form pu in
modificat :
54
c
ni
r
ct
el
j = jS e
eV
kT
(2. 12)
n aceast rela ie, reprezint factorul de diod , un parametru cu valoarea

egal cu 1 1,5 pentru germaniu i 2 - 3 pentru siliciu. Evident, o rela ie analoag
rela iei 2.12 poate fi scris i pentru intensitatea curentului prin diod :
eV
I = IS e kT 1
(2.12)
Reprezentat grafic, ecua ia diodei ideale arat ca n figura 2.4. Se constat

, la polarizare direct (plusul pe zona p), curentul prin jonc iune cre te
exponen ial cu tensiunea aplicat , n timp ce, la tensiuni inverse (minusul pe zona
p) curentul tinde rapid spre o valoare de satura ie, Is, foarte mic (de ordinul 106
109 A). Rezult , deci, o proprietate esen ial a jonc iunii p-n, aceea de conduc ie
unilateral a curentului electric, rezisten a acesteia la polarizare direct fiind
foarte mic , iar la polarizare invers - foarte mare.
V
Fig.2.4
Realizarea practic a unei jonc iuni p-n este un dispozitiv electronic numit
diod semiconductoare, a c rei caracteristic este prezentat n figura 2.5.
I
V
z
I
s
V
d
V
Fig.2.5
55
c
ni
r
ct
el
Forma practic a caracteristicii unei diode semiconductoare, diferit n

anumite privin e de cea a diodei ideale, se explic astfel:
la polarizare direct , curentul este diferit de zero (dioda se deschide) doar
dac tensiunea de polarizare este cel pu in egal cu o valoare Vd, numit
tensiune de deschidere; la diodele cu siliciu V d are valoarea 0,5 0,8 V, iar

la cele cu germaniu 0,2 0,4 V.
pentru temperaturi obi nuite (~ 300 K), factorul e/kT (inversul s u se
nume te tensiune termic , egal cu aproximativ 0,02 V) are o valoare de
-1
aproximativ 40 V . La tensiuni pozitive mai mari dect tensiunea de
deschidere intensitatea curentului prin diod se poate exprima prin rela ia
aproximativ :
I = IS e40V
(2. 13)
curentul invers este practic constant i egal cu - Is, valoare neglijabil n
aplica iile practice. IS are o valoare mai mic la diodele cu siliciu i mai mare
la cele cu germaniu.
la aplicarea pe diod a unor tensiuni negative cel pu in egale cu o valoare VZ
se produce str pungerea acesteia (fenomen ce va fi analizat ulterior),
curentul putnd cre te nelimitat.
2.2.
Parametrii diodei semiconductoare
Ca orice dispozitiv electronic, dioda semiconductoare este caracterizat de

mai mul i parametri de func ionare, dintre care cei mai importan i sunt:
1. Rezisten a static a diodei, care se define te pentru un punct oarecare de
func ionare al acesteia:
U
R= d
(2. 14)
Id
n conduc ie direct , rezisten a static are valori foarte mici, n timp ce, n
conduc ie invers , ea are valori foarte mari. Putem spune deci c , n general,
rezisten a static a diodei variaz ntr-un domeniu foarte larg de valori, n func ie
de punctul de func ionare al diodei, motiv pentru care ea este un parametru mai
pu in util.
2. Rezisten a dinamic
dU d 1
Ri =
(2. 15)
dI d
S
S este panta caracteristicii diodei n punctul de func ionare. Este evident c i
rezisten a dinamic este dependent de punctul de func ionare, ea caracteriznd
ns comportarea diodei n regim dinamic, adic atunci cnd tensiunea aplicat
diodei ( i curentul prin ea) are varia ii rapide. A a cum se va vedea mai departe, n
schemele echivalente liniarizate ale diodei, rezisten a dinamic este considerat un
parametru constant, deci mult mai util.
56
c
ni
r
ct
el
3. Capacitatea stratului de baraj

Modul n care este distribuit sarcina spa ial din stratul de baraj face ca
acesta s poat fi asem nat cu un condensator plan, pe pl cile c ruia se aplic o
tensiune V + V0. Considernd c sarcina spa ial este distribuit n dou straturi de
grosime neglijabil , aflate la distan a L (l rgimea stratului de baraj), se poate
calcula capacitatea stratului de baraj cu formula capacit ii condensatorului plan, C
S
=
deci:
d
en n 0 p p0
C=S
(2. 16)
2 V0 V n n 0 p p0
4. Capacitatea de difuzie
Dup cum s-a v zut anterior, cnd dioda este polarizat direct, curentul de
difuzie cre te, un num r mai mare de purt tori majoritari putnd str punge stratul
de baraj. Trecnd n cealalt zon , ei devin minoritari; la distan a x de stratul de
baraj, concentra ia purt torilor minoritari de neechilibru este dat de rela ia (1.36).
Varia ia concentra iei purt torilor de difuzie determin o varia ie a sarcinii
electrice acumulate de o parte i de alta a stratului de baraj, ap rnd deci o
dQ
capacitate suplimentar , numit capacitate de difuzie: Cd =
. S consider m,
dV
pentru nceput, difuzia electronilor n zona p, a c ror sarcin electric total este:
Q = eS
np 0 e
x
Ln
dx = eSLnnp(0).
dQ
dn 0
= eSLn p .
dV
dV
innd cont de rela ia (2.9'), putem scrie expresia curentului prin diod ,
eSD n n p 0
I L
datorat difuziei electronilor: In =
, de unde np(0) = n n .
Ln
wSD n
Atunci, Cd =
L2n dI n
L n dI n
Atunci,
. Dar L2n = nDn, de unde,
i Cd =
D n dV
dV
eSD n dV
dI
e
Cd = n n
In n
(2. 17)
dV kT
Lund n considerare i difuzia golurilor, capacitatea de difuzie total are
expresia:
e
Cd =
(In n + Ip p)
(2. 18)
kT
La polarizare direct , capacitatea de difuzie este mult mai mare dect cea a
stratului de baraj, care este neglijabil fa de prima. n schimb, la polarizare
invers , capacitatea de difuzie este neglijabil , importan deosebit c tnd
capacitatea stratului de baraj.
dn p 0
57
c
ni
r
ct
el
n afara acestor parametri, diodele mai au i al ii, cum sunt timpul de

comutare direct (intervalul de timp n care curentul prin diod cre te de la 10%
la 90 % din valoarea nominal ), timpul de comutare invers
i al ii, mai
importan i n cazul diodelor cu destina ie special .
2.3.
Schema echivalent a diodei semiconductoare
Un model ce caracterizeaz destul de bine dioda la semnale mici i frecven e

joase este cel care aproximeaz caracteristica diodei reale cu una liniar pe por iuni
(figura 2.6).
Conform acestuia, o diod real echivaleaz cu un circuit serie format dintrun rezistor cu rezisten a egal cu rezisten a dinamic a diodei (presupus
constant ), o diod ideal (rezisten nul la polarizare direct , rezisten infinit la
polarizare invers ) i o surs de tensiune cu t.e.m. egal cu tensiunea de deschidere
a diodei, care polarizeaz dioda invers.
La frecven e mai mari, capacitatea diodei joac un rol foarte important i, ca
urmare, schema echivalent utilizat n acest caz este cea din figura 2.7 n care Ri
este rezisten a ohmic a jonc iunii, celelalte m rimi avnd semnifica ia cunoscut .
Schema de mai sus se poate simplifica, n func ie de polarizare. Astfel, la
polarizare invers , Cb >> Cd, iar Ri este foarte mare ceea ce nseamn c dioda
echivaleaz cu o capacitate de valoare Cb. La polarizare direct , Cd devine
semnificativ , Ri este foarte mic , scurtcircuitnd capacitatea diodei, aceasta
echivalnd cu un rezistor de rezisten Rj.
58
c
ni
r
ct
el
2.4.
Metode de ob inere a jonc iunilor semiconductoare
O parte din problemele legate de ob inerea unor dispozitive

semiconductoare, a a cum este i cazul diodelor semiconductoare, au fost
prezentate n paragraful 1.9. Avnd n vedere ns c o jonc iune este format din
dou zone de semiconductor cu tip de conduc ie diferit, lucrurile sunt ceva mai
complexe. n continuare vom prezenta pe scurt cele mai importante din aceste
probleme. Practica a consacrat trei metode de impurificare a semiconductorului:
1. Difuzia este cea mai utilizat metod , ea realizndu-se astfel: o plachet
semiconductoare (de regul de forma unui disc cu diametrul de c iva cm i
grosimea de cteva zecimi de mm) se introduce ntr-o incint ce con ine un
amestec gazos format dintr-un gaz inert i atomi de impuritate, n concentra ie
bine determinat . Gradientul de concentra ie a atomilor de impuritate duce la
apari ia procesului de difuzie a acestora din mediul gazos c tre mediul
semiconductor. Pentru m rirea vitezei acestui proces, el are loc la o temperatur
bine controlat , cu valoarea de 800 1300 C. Amestecul gazos se poate realiza
n diferite feluri: fie prin plasarea unei surse solide de impurit i ce se evapor
chiar n incinta de difuzie, fie prin trecerea gazului inert printr-o surs lichid de
impurit i nainte de intrarea n incinta de difuzie, fie prin transport chimic,
cnd impuritatea este introdus prin asigurarea condi iilor de declan are a unei
reac ii chimice la surs .
Pentru realizarea jonc iunii, dup difuzia ntr-un strat mai gros a unui tip de
impuritate, se realizeaz o nou difuzie, cu impurit i de tip opus, ntr-un substrat
(numit strat epitaxial) al stratului ini ial dopat1.
Pe o singur plachet de semiconductor se realizeaz un num r mare de
jonc iuni, lucru posibil prin utilizarea unor a a-numite
ti de difuzie, ob inute
prin procedee litografice. Astfel, pe suprafa a plachetei se depune un strat omogen,
de grosime convenabil , dintr-un material prin care impurit ile difuzeaz mult mai
lent (constituind astfel, practic, un baraj mpotriva difuziei impurit ilor n
semiconductor), iar peste acesta, un al doilea strat, dintr-un material special,
denumit n mod generic fotorezist. Fotorezistul este sensibil la radia ii ultraviolete,
el putnd fi de dou feluri: fotorezist pozitiv (un polimer care sufer o reac ie de
depolimerizare sub ac iunea razelor ultraviolete) i fotorezist negativ (un
monomer care sufer o reac ie de polimerizare sub ac iunea razelor ultraviolete).
Stratul de fotorezist este supus ac iunii unui flux de radia ie ultraviolet prin
intermediul unei m ti (o plac cu zone opace i transparente, corespunz tor
1
A a cum s-a v zut, pentru c l rgimea stratului de baraj este foarte mic , jonc iunea nu se poate
realiza prin al turarea fizic a dou buc i de semiconductori diferi i ca tip de conduc ie, motiv
pentru care ea trebuie realizat ntr-un monocristal semiconductor. Procesul de realizare a jonc iunii
ntr-un monocristal semiconductor prin dopare succesiv cu donori i acceptori este posibil datorit
efectului de compensare (a se vedea cursul de corp solid) care apare ntr-un semicondutor dopat cu
ambele tipuri de impurit i n concentra ii Na, respectiv Nd, ca urmare a c ruia acesta se comport
ca i cum ar fi dopat doar cu impuritatea de concentra ie mai mare, n concentra ie egal cu
diferen a dintre concentra iile reale.
59
c
ni
r
ct
el
zonelor ce urmeaz a fi impurificate). Dup expunere, zonele de fotorezist expuse

sunt dizolvate cu un solvent organic ales corespunz tor, pentru ca el s nu dizolve
i zonele de fotorezist neexpuse ac iunii radia iei ultraviolete. Astfel, primul strat
depus pe placheta de semiconductor va r mne n unele zone (acolo unde a
ac ionat radia ia ultraviolet ) neacoperit cu fotorezist. n aceste zone el este
corodat (cu un agent coroziv care nu trebuie s atace fotorezistul) i ndep rtat de
pe suprafa a semiconductorului, dup care fotorezistul r mas este i el ndep rtat
cu un solvent corespunz tor. n acest fel, pe suprafa a semiconductorului s-a
format o masc de difuzie, care permite difuzia impurit ilor doar n anumite zone.
Dup o prim impurificare, urmeaz o a doua, cu impurit i de tip opus, folosinduse acela i procedeu al m tii de difuzie i apoi decuparea jonc iunilor astfel
ob inute, rezultnd n acest mod buc i mici de cristal semiconductor, numite cipuri1, cu suprafa a de cel mult 1 mm2, care, dup verificare, se ncapsuleaz i devin
n acest fel diode semiconductoare.
2. Implantarea ionic este un alt procedeu de impurificare, prin bombardarea
semiconductorului cu un fascicul nefocalizat de ioni de impuritate accelera i la
tensiuni de ordinul a 1 100 kV. Jonc iunile sunt realizate folosind tot tehnica
tilor, ca la difuzie.
3. Alierea este un procedeu prin care o anumit cantitate de impuritate se plaseaz
pe o plachet de semiconductor, sistemul fiind nc lzit la o temperatur
convenabil , care s asigure topirea impurit ii dar nu i a semiconductorului,
atomii de impuritate p trunznd astfel n semiconductor. Urmeaz apoi o r cire
lent , care s reduc la minim posibil apari ia defectelor de structur n
semiconductor.
2.5.
Tipuri de diode semiconductoare
1. Diode cu contact punctiform (Schottky2)

Acest tip de diod este de fapt o jonc iune metal-semiconductor (cu
propriet i asem toare jonc iunii p-n) realizat printr-un contact punctiform ntre
un fir metalic (din wolfram) foarte ascu it i un monocristal semiconductor
extrinsec (de obicei, Ge de tip n), ntregul ansamblu fiind nchis ntr-o capsul .
Pentru formarea jonc iunii, se aplic o serie de impulsuri de curent de scurt durat
cu mult peste valoarea admis , fapt ce produce nc lzirea pn la topire a regiunii
de contact. Se formeaz astfel o microjonc iune3 cu capacitatea stratului de baraj
de ordinul a 0,1 pF, diodele construite n acest fel fiind utilizate la frecven e nalte
pentru procesul de detec ie i ca diode de comuta ie.
n limba englez , chip = f rm , a chie

Teoria difuziei, care descrie fenomenele din jonc iunile metal-semiconductor a fost dezvoltat de
W. Schottky (1938). Diodele Schottky pentru frecven e foarte nalte au o tehnologie de construc ie
mai complex dect cea descris mai sus.
2
-4
Suprafa a unei astfel de jonc iuni este de ordinul a 10 mm .
60
c
ni
r
ct
el
2. Diode redresoare
Aceste diode sunt construite cu jonc iuni obi nuite, de tipul celor descrise
mai sus, realizate de obicei prin difuzie. Func ioneaz numai la frecven e joase,
parametrii caracteristici cei mai importan i fiind: curentul mediu redresat, curentul
de vrf maxim admis, tensiunea invers maxim admis (de obicei, 50 - 80 % din
tensiunea de str pungere), c derea de tensiune direct pentru un curent de valoarea
curentului mediu redresat, curentul invers (106 - 109 A), rezisten a termic ,
puterea disipat
i al ii. Aceste diode sunt folosite la redresarea curentului
alternativ i la detec ie i comuta ie la frecven e joase.
3. Diode tunel (Esaki1)
Aceste diode au ambele regiuni dopate foarte puternic ceea ce face ca
rgimea stratului de baraj s fie mult mai mic dect la o diod obi nuit (~ 108
m). n aceste condi ii, la aplicarea unei tensiuni de polarizare direct , purt torii
majoritari pot traversa stratul de baraj prin efect tunel, adic i n situa ia cnd
energia lor este mai mic dect n imea barierei de poten ial. Datorit acestui
fapt, caracteristica diodei tunel este cea din figura 2.8 (n care este dat i simbolul
folosit pentru reprezentarea n scheme electronice a acestui tip de diod ), din care
se vede c ea are o regiune de pant negativ , ntre punctele A i B, adic la
tensiuni pozitive cuprinse ntre VA i VB.
Rezisten a negativ a diodei tunel este de ordinul zecilor de ohmi. La

tensiuni negative, dioda tunel prezint o caracteristic liniar (I ~ V), ceea ce
semnific faptul c , spre deosebire de diodele obi nuite, ea nu are proprietatea de
conduc ie unilateral . ntruct influen a temperaturii este foarte slab i dioda
poate func iona pn la frecven e foarte mari (~ 1010 MHz), ea se folose te ca
amplificator, convertor i generator de oscila ii n domeniile FIF i UIF sau n
circuite de comutare rapid i de formare a impulsurilor de foarte scurt durat .
Materialul semiconductor folosit pentru construc ia diodelor tunel este Ge sau
GaAs, iar tehnologia de realizare a jonc iunii este, de obicei, alierea.
1
Primele studii i cercet ri practice n leg tur cu dioda tunel au fost f cute de L. Esaki, ncepnd
cu anul 1958.
61
c
ni
r
ct
el

4. Diode varicap (varactor)
Acest tip de diod func ioneaz pe baza dependen ei capacit ii stratului de
baraj de tensiune (a se vedea rela ia 2.16), fiind folosit la polarizare invers
(pentru a avea o rezisten foarte mare). Simbolul folosit precum i schema
echivalent sunt prezentate n figura 2.9.
Diodele varicap au capacit i de ordinul picofarazilor sau zecilor de

picofarazi, materialul semiconductor folosit la construc ia lor fiind siliciul care
asigur o rezisten mai mare la polarizare invers i curen i inver i mai mici dect
alte materiale. Sunt folosite n circuite de acord, reglare automat a frecven ei,
modulatoare de frecven etc.
5. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)
Dup cum s-a ar tat n paragraful 2.1 (a se vedea figura 2.5), la polarizare
invers , aplicnd o tensiune peste o anumit valoare, se produce fenomenul de
str pungere a jonc iunii p - n, fenomen ce const n cre terea foarte mare a
curentului invers, la o varia ie foarte mic a tensiunii de polarizare. Str pungerea
se poate produce pe dou c i:
mecanismul Zener (tunelare) este datorat trecerii electronilor din banda de
valen n banda de conduc ie, traversnd banda interzis , n prezen a unui
cmp electric intens, cel pu in egal cu o valoare critic , caracteristic
materialului semiconductor (de exemplu, la siliciu, intensitatea cmpului
electric critic la care se produce str pungerea prin mecanism Zener este de
8
ordinul a 10 V/m). Fenomenul apare n jonc iuni cu dopare mare,
tensiunea de str pungere fiind relativ mic . Pentru puteri disipate sub o
anumit limit , el este reversibil.
mecanismul str pungerii n avalan apare n jonc iuni mai slab dopate,
tot n prezen a unui cmp electric exterior, a c rui valoare minim (critic )
este mai mic dect cea necesar producerii mecanismului Zener (la siliciu,
~ 107 V/m). Acest mecanism se produce ca urmare a acceler rii purt torilor
n cmpul electric la energii la care ace tia, interac ionnd cu re eaua
cristalin a semiconductorului, produc noi perechi de purt tori, care i ei
vor fi accelera i i vor produce al i purt tori, procesul continund n
avalan , astfel nct num rul de purt tori este multiplicat, determinnd o
cre tere rapid a curentului prin jonc iunea polarizat invers.
n general, ntr-o jonc iune str pungerea se produce prin ambele mecanisme,
preponderen a unuia sau altuia dintre acestea fiind determinat de caracteristicile
62
c
ni
r
ct
el
jonc iunii. De i, teoretic, orice diod poate fi folosit ca diod stabilizatoare de

tensiune, n practic se construiesc n acest scop diode speciale, folosind siliciul, la
care intrarea n regiunea de str pungere se face abrupt i care rezist la temperaturi
mai mari, ceea ce permite disiparea unor puteri mai mari. Tensiunea de
str pungere, Vz a unei diode Zener poate avea valoarea cuprins ntre 3 i 400 V,
odat atins aceast valoare, ea men inndu-se aproape constant (fluctua iile
nedep ind 0,5 - 1,5 %) pentru curen i inver i prin jonc iune de zeci i chiar sute
de miliamperi. Puterea disipat de diodele Zener poate avea i ea valori cuprinse
n limite largi, de la 0,25 pn la 50 W. Rezisten a dinamic a diodei Zener n
du
regiunea de str pungere, RZ = , are valori n domeniul 10 - 100 . Se constat
di
(lucru evident, de altfel), o dependen a tensiunii de str pungere de temperatur ,
fapt ce poate fi caracterizat de coeficientul termic al tensiunii stabilizate, c:
1 dVZ
c=
(2. 19)
VZ dT
Diodele stabilizatoare de tensiune (Zener), a a cum le spune i numele, sunt
utilizate n circuitele de stabilizare a tensiunii sau a curentului, fie direct (cum se
va vedea n capitolul urm tor), fie ca element de referin , n scheme mai
complexe.
n afara tipurilor de diode descrise mai sus, n practic se ntlnesc i altele
cum sunt dioda de comuta ie (diode construite special pentru a trece rapid din
starea blocat n cea de conduc ie i invers), dioda Gunn1 (de fapt, un cristal
semiconductor de tip n, f
jonc iune p-n, prezentnd n caracteristica curenttensiune, ca i dioda tunel, o regiune de rezisten negativ , folosit la generarea
oscila iilor de UIF), dioda IMPATT (structuri de tip p+-n-i-n+, caracterizate de o
rezisten negativ , folosite n generarea oscila iilor cu frecven e n domeniul
sutelor de GHz, cu puteri de ordinul wa ilor), dioda PIN (structuri de tip p+-i-n+,
comportndu-se ca un rezistor cu rezisten invers propor ional cu curentul prin
el, folosite n circuite de comuta ie sau modula ie, la frecven e foarte nalte, n
special n domeniul microundelor).
2.6.
Fenomene optice n jonc iunea p-n
a cum s-a v zut n paragraful 1.8, sub ac iunea radia iei electromagnetice
incidente, n semiconductor are loc generarea unor purt tori de neechilibru care,
ntr-o jonc iune pn determin apari ia unui curent suplimentar fa de curentul de
polarizare, curent pe care l vom numi fotocurent, de intensitate IL, dat de o
expresie de forma:
1
Efectul Gunn, observat n 1963 la GaAs, apoi i la al i semiconductori compu i care prezint mai
multe minime n banda de conduc ie pentru anumite direc ii n cristal, const n producerea
microundelor ntr-un semiconductor aflat ntr-un cmp electric exterior, mai mare dect o valoare
de prag, caracteristic semiconductorului.
63
c
ni
r
ct
el
e
(2. 20)
h
unde
este eficien a cuantic (num rul de purt tori genera i de un foton
absorbit), h constanta Planck,
fluxul radia iei incidente i frecven a acesteia,
mai mare sau cel pu in egal cu frecven a de prag. n aceste condi ii, curentul
electric total prin diod are expresia:
IL =
eV
I = IS e kT 1 IL
(2. 21)
Se poate constata c , n scurtcircuit (f polarizare din exterior, V = 0), prin

diod circul un curent egal cu fotocurentul, I = IL. Un astfel de dispozitiv,
posednd o jonc iune p - n sensibil la radia ia electromagnetic se nume te
fotodiod .
De obicei, fotodioda se folose te n circuite electronice ca traductor optic,
permi nd comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui flux
luminos, a a cum se poate vedea n figura 2.10 a. Ea se mai poate folosi i n
circuite de m surare a m rimilor fotometrice (fotometre, luxmetre, exponometre),
caz n care la bornele fotodiodei se leag un galvanometru (a se vedea figura 2.10
b) ce m soar direct fotocurentul propor ional cu fluxul incident i, deci cu
iluminarea. Puterea debitat de o fotodiod este mic .
Dac jonc iunea fotosensibil este n circuit deschis (I = 0), atunci se

constat c , sub ac iunea radia iei electromagnetice, la bornele acesteia apare o
tensiune electromotoare, VL, avnd expresia:
kT
I
(2. 22)
1 L
e
Is
n acest caz, dispozitivul se nume te fotoelement, celul fotovoltaic sau
celul solar , reprezentnd o surs de tensiune electromotoare ce converte te
direct energia luminoas n energie electric . Pentru o eficien ct mai mare,
fotoelementele trebuie s aib o suprafa de recep ie a luminii ct mai mare (mult
mai mare dect cea a unei fotodiode). Puterea debitat n mod obi nuit de un
fotoelement este de ordinul a 102 W, iar randamentul de conversie (raportul dintre
V0 =
64
c
ni
r
ct
el
puterea electric disipat i fluxul energetic incident) atinge 21% utiliznd GaAs i
18% utiliznd Si.
Evident, att fotodiodele ct i fotoelementele trebuie construite n capsule
transparente n domeniul spectral al radia iei electromagnetice la care ele
func ioneaz .
O alt categorie de diode n care se produc fenomene optice este cea a
diodelor electroluminescente1, n care jonc iunea pn este polarizat direct cu o
tensiune suficient pentru a excita electronii din banda de valen , astfel ca, apoi,
se produc fenomenul de recombinare radiativ (a se vedea paragraful 1.8). Este
necesar ca aceasta s se produc cu o probabilitate suficient de mare (n compara ie
cu recombin rile neradiative) pentru a se ob ine un randament de conversie a
energiei electrice n energie luminoas suficient de bun. Cele mai bune materiale
semiconductoare, din acest punct de vedere, sunt cele compuse, de tipul III - V,
cum sunt GaAs, GaP i SiC. Pentru ca radia ia emis s fie n domeniul vizibil,
este necesar ca diferen a dintre nivelurile energetice ntre care ale loc tranzi ia
electronilor s fie mai mare dect 1,7 eV. L rgimea benzii interzise a GaAs este de
1,43 eV, ceea ce face ca radia ia emis s fie n domeniul infraro u ( = 9200 ),
n timp ce l rgimea benzii interzise a GaP este de 2,1 eV, astfel nct radia ia emis
este n domeniul vizibil, de culoare verde ( = 5600 ). Dac se realizeaz o
solu ie solid a celor dou materiale, se pot ob ine radia ii de diferite culori,
ntruct l rgimea benzii interzise depinde de propor ia celor dou materiale n
solu ie. Cteva exemple sunt date n tabelul 2.1.
n condi ii speciale, ntr-o jonc iune pn se poate ob ine o inversie de
popula ie care, combinat cu un fenomen de emisie stimulat , face ca radia ia
emis s fie o radia ie LASER, cu binecunoscutele propriet i de coeren ,
monocromaticitate2, unidirec ionalitate i intensitate mare. n acest caz,
dispozitivul se nume te diod laser, folosit n numeroase domenii cum sunt
transmiterea optic a informa iei prin fibre optice i citirea-scrierea informa iilor
pe compact-discuri.
TABEL 2.1.
Semiconductor
( ) domeniu spectral
GaAs
9200
infraro u
ro u
0,6 GaAs - 0,4 GaP 6600
6100
orange
0,5 GaAs - 0,5 GaP
galben
0,2 GaAs - 0,8 GaP 5900
GaP
5600
verde
1
Ele sunt mai cunoscute sub denumirea de LED - uri (nu diode LED, ceea ce este un pleonasm !),
LED fiind ini ialele cuvintelor din limba englez "Light Emitting Diode", ceea ce nseamn "diod
emi toare de lumin "
2
Monocromaticitatea diodelor laser nu este att de net ca n cazul altor categorii de laseri, ca
urmare a tranzi iilor care nu au loc ntre niveluri discrete, radia ia emis avnd lungimea de und
cuprins intr-un interval ngust.
65
c
ni
r
ct
el
2.7.
Aplica ii
2.7.1.
Dioda semiconductoare
Dioda semiconductoare este o jonc iune p-n, reprezentnd zona de trecere de
la un semiconductor cu conduc ie de tip p la unul cu conduc ie de tip n n aceea i
re ea cristalin continu . Ca urmare a difuziei purt torilor majoritari dintr-o zon
n alta, n proximitatea jonc iunii se formeaz o sarcin fix pozitiv n zona n i
negativ n zona p, ceea ce creeaz o barier de poten ial ce se opune difuziei n
continuare a purt torilor majoritari. La o temperatur constant , procesul devine
sta ionar cnd curentul purt torilor majoritari (cu sensul de la zona p la n) devine
egal ca valoare cu cel al purt torilor minoritari (cu sensul de la n la p):
Im0 = Is0
La aplicarea unei tensiuni U, de polarizare direct (poten ial mai mare) pe
zona p (anod) sau invers , curentul purt torilor majoritari cre te, respectiv scade,
conform rela iei:
eU
e kT
I m Is 0
(2. 23)
unde e este sarcina electric a port torilor (electroni sau goluri), k - constanta
Boltzman, T - temperatura absolut i U tensiunea (pozitiv sau negativ ) aplicat
pe diod .
Curentul total va fi: I = Im + Is, adic :
Is 0
eU
e kT
(2. 24)
rela ie care reprezint ecua ia diodei.

Aceast rela ie poate fi aproximat pe por iuni prin rela ii mai simple:
Is 0
eU
e kT
pentru U
0,1 V
(2. 25)
Is 0
pentru U
0,1 V
O diod este caracterizat de mai mul i parametri (date de catalog):
- coeficientul de temperatur :
U
T I ct
- tensiunea invers de vrf repetitiv , VRRM
- tensiunea de str pungere, Ustr
- curentul direct maxim, Imax
- timpul de comutare invers , trr (timpul necesar trecerii diodei din stare
de conduc ie n stare de blocare) etc.
66
c
ni
r
ct
el
consider m circuitul din figura 2.11.
Putem scrie:
E=RI+U
(2. 26)
Aceasta este o func ie liniar , reprezentat printr-o dreapt , n coordonate (I,U)
numit dreapt de sarcin . Intersec ia acesteia, cu caracteristica diodei este un
punct, P(U0, I0), numit punct static de func ionare (PSF) (figura 2.12).
Dac varia ia curentului sau a tensiunii este mic n raport cu componenta

continu (valoarea medie) a respectivei m rimi, se spune c dioda func ioneaz la
semnal mic. n acest caz, n jurul PSF, caracteristica diodei se poate aproxima cu o
dreapt , astfel nct acest lucru permite determinarea rezisten ei dinamice, definit
ca:
du
rd
(2. 27)
di
Pentru un punct static de func ionare dat, la polarizare direct , rd se poate
determina astfel:
rd
dU
dI
1
; dar I
dI
dU
Is
eU
e kT
Pentru t = 25 C, coeficientul lui U de la exponent are valoarea
e
kT
40 V
i atunci:
Is e40 U
dI
de unde
40 Is e 40 U
dU
Deci:
I
(2. 28)
40 I .
67
c
ni
r
ct
el
1
(2. 29)
40 I 0
pentru punctul static de func ionare de ordonat I0.
2. Scopul lucr rii; dispozitiv experimental
n aceast lucrare se urm re te trasarea caracteristicii diodei, determinarea
rezisten ei dinamice a acesteia i vizualizarea pe osciloscop a caracteristicii diodei.
Se folose te macheta ce are montat pe ea o diod i alte elemente necesare
determin rilor, conform figurii 2.13.
rd
n afara machetei mai sunt necesare:

- surs de c.c. de tensiune variabil 0 30 V;
- AVO - metru (voltmetru);
- transformator 222 V/5 20 V;
- osciloscop;
- generator de semnal sinusoidal JF;
- fire de leg tur .
3. Mod de lucru
a) Trasarea caracteristicii diodei
- folosind macheta i fire de leg tur , se realizeaz montajul din figura
2.14;
se aplic diferite tensiuni E ntre 0 i 20 V (din volt n volt) i pentru

fiecare se m soar U. n locul m sur rii lui I se prefer calcularea cu
formula
E U
I
R
se schimb polaritatea sursei i se repet m sur torile pentru E ntre 0 i
20 V din 2 n 2 V;
se completeaz tabelul:
68
c
ni
r
ct
el
E (V)
U(V)
I(mA)
.
.
.
- se traseaz pe hrtie milimetric graficul I = I(U)
b) Vizualizarea caracteristicii pe osciloscop
- se realizeaz montajul din figura 2.15.
Tensiunea aplicat la bornele Y este propor ional cu intensitatea curentului

prin diod , iar cea de la bornele X este propor ional cu tensiunea pe diod .
Cuplajul se va face n curent continuu.
- se calibreaz osciloscopul pe vertical (mA/div) i orizontal (V/div) i
se reproduce caracteristica vizualizat pe hrtie milimetric .
- se compar cu cea trasat anterior.
c) Determinarea rezisten ei dinamice
- se realizeaz montajul din figura 2.16;
se stabile te un PSF (E ntre 3 i 10 V);

se m soar cu AVO - metrul U0 i se determin I0;
se calculeaz rezisten a dinamic , cu rela ia (2.29);
se aplic un semnal sinusoidal cu amplitudinea de ordinul vol ilor i
frecven a de 1 5 kHz;
ug
se determin curentul i
;
Rg
69
c
ni
r
ct
el
tensiunea variabil pe diod se m soar cu osciloscopul n c.a., cu o

sensibilitate minim de 0,02 V/div;
u
se calculeaz rd
;
i
se compar cele dou valori ob inute i se repet opera iile de mai sus
pentru nc dou PSF diferite;
rezultatele se trec n tabelul:
E(V)
U0(V)
I0(mA)
rd ( )
ug(V)
i(mA)
u(V)
rd( )
.
.
.
1.
2.
3.
4.
4. ntreb ri
Ce concluzii se pot trage din analiza caracteristicii trasate i din compararea ei
cu cea vizualizat la osciloscop ?
Dac la vizualizarea caracteristicii pe osciloscop intrarea Y se trece pe c.a.,
imaginea apare dedublat . De ce ?
La determinarea rd, dac se fixeaz ug = ct. i se variaz E, se constat c u este
invers propor ional cu E. De ce ?
Cnd se m soar u cu osciloscopul, dac intrarea Y se trece pe c.a. imaginea
dispare. De ce ?
70
c
ni
r
ct
el
CAPITOLUL III
3. CIRCUITE DE REDRESARE
3.1.
Generalit i
Datorit propriet ii de conduc ie unilateral a diodei, acesta poate fi folosit

n procesul de redresare a curentului alternativ, ob inndu-se, astfel, curent
continuu1. Schema-bloc a unui redresor este dat n figura 3.1 i cuprinde
urm toarele p i (blocuri) componente: T - transformatorul, cu rol de separare
galvanic a redresorului de re eaua de alimentare cu energie electric i de ob inere
a tensiunii alternative de o valoare corespunz toare, R - redresorul propriu-zis,
alc tuit din unul sau mai multe dispozitive redresoare, prin intermediul c rora se
realizeaz procesul de redresare, prin care se ob ine un curent electric continuu, cu
valoare variabil (pulsant) i F - filtrul de netezire, cu rol de mic orare a
amplitudinii pulsa iilor tensiunii redresate, pentru ob inerea unei tensiuni ct mai
apropiate de cea constant .
Pentru frecven e sc zute ale curentului alternativ se pot folosi redresoare

mecanice dar practica a consacrat, datorit avantajelor din toate punctele de
vedere, redresoarele electronice, acestea putndu-se clasifica astfel:
1. dup num rul de faze ale tensiunii redresate:
redresoare monofazate;
redresoare polifazate (de exemplu, trifazate).
2. dup num rul alternan elor redresate:
redresoare monoalternan ;
redresoare bialternan .
3. dup posibilitatea controlului tensiunii redresate:
redresoare necomandate;
redresoare comandate (reglabile).
4. dup natura sarcinii:
redresoare cu sarcin rezistiv ;
1
Redresarea curentului alternativ reprezint procesul de transformare a acestuia ntr-un curent

continuu. Trebuie s subliniem (pentru evitarea oric ror confuzii posibile), c un curent continuu
nseamn acel curent ce i p streaz mereu acela i sens, spre deosebire de cel alternativ, care i
schimb periodic sensul. Cu alte cuvinte, un curent continuu nu este neap rat i constant, adic
intensitatea acestuia poate s se modifice de la un moment la altul, doar sensul p strndu-se mereu
acela i.
71
c
ni
r
ct
el
redresoare cu sarcin inductiv ;

redresoare cu sarcin capacitiv ;
redresoare cu sarcin mixt .
3.2.
Redresorul monoalternan monofazat cu sarcin

rezistiv
Schema unui astfel de redresor este prezentat n figura 3.2.a i cuprinde un

transformator care asigur n secundar tensiunea alternativ instantanee u i dioda
redresoare, tensiunea redresat , us, fiind aplicat rezistorului de sarcin , de
rezisten Rs.
Pentru analiza func ion rii redresorului, este util schema echivalent
montajului, prezentat n figura 3.2.b. n aceasta, r are expresia:
n2
r = r2 + r 1
(3. 1)
n1
n care r1 i r2 sunt rezisten ele bobinei primare, respectiv secundare ale
transformatorului, n1 i n2 fiind num rul de spire ale acestora.
Al doilea termen al rela iei (3.1) reprezint rezisten a reflectat de primar n
secundar. Tot n schema echivalent , Ri este rezisten a dinamic a diodei, Vd
tensiunea de deschidere a acesteia, iar Rs rezisten a de sarcin . Not m:
R = Ri + r
(3. 2)
Aplicnd teorema a II-a lui Kirchhoff n ochiul de re ea al schemei
echivalente, rezult :
u = (R + Rs) i + Vd = Um sin t,
de unde:
U sin t Vd
i= m
(3. 3)
R Rs
Evident, rela ia de mai sus este valabil numai att timp ct dioda conduce,
n restul timpului curentul n circuit fiind nul. Varia iile n timp1 a tensiunii u =
1
Mai exact, pentru comoditate, s-a reprezentat varia ia m rimilor respective n func ie de t = 2
72
t.
c
ni
r
ct
el

Umsin t i a curentului i sunt reprezentate n figura 3.3, n care u este figurat cu
linie punctat , iar i cu linie continu .
Se observ c , ntre momentele t = 0 i t1, de i u este pozitiv, i = 0, acest

lucru fiind datorat tensiunii de deschidere, diferite de zero, a diodei (pentru
deschiderea acesteia, tensiunea trebuie s dep easc valoarea Vd). Unghiul 1,
(unghiul de deschidere) corespunz tor momentului t1 al intr rii n conduc ie a
diodei, se ob ine tocmai din condi ia ca i, dat de rela ia 3.3, s se anuleze. Deci:
Vd
(3. 4)
1 = t 1 = arcsin
Um
n mod analog, momentului t2, cnd dioda nceteaz s mai conduc , i
corespunde unghiul 2 (unghiul de nchidere):
1
(3. 5)
2 = t2 =
Diferen a = 2 1 reprezint unghiul de conduc ie al diodei. Tensiunea
redresat , us, la bornele rezistorului se sarcin , este:
us = i RS
(3. 6)
i, evident, are aceea i form cu cea a lui i. Curentul mediu redresat are valoarea:
2
2
Vd
U0
1
1 U m sin t Vd
Um
I0 =
i d t
d t
2 0
R RS
2 0
R RS R RS R RS
(3. 7)
Um
unde U0 =
Vd.
n cursul unei perioade dioda suport o tensiune invers maxim egal cu
Um, n timpul perioadei negative, cnd dioda nu conduce. Curentul maxim suportat
Um
de diod este Imax =
.
R RS
Dac se neglijeaz tensiunea Vd (care, de altfel, este mic ), unghiul de
deschidere, 1, este nul i atunci:
73
c
ni
r
ct
el
RS
U m sin t pentru 0
t
(3. 8)
uS = R R S
0
pentru
t 2
Aceast tensiune, ca func ie matematic , se poate descompune n serie
Fourier, dup cum urmeaz :
U R 1 1
2
2
sin t
cos 2 t
cos 4 t
uS = m S
(3. 9)
R RS
2
3
15
Se constat c us con ine o component continu cu valoarea:
UmRS
U= =
R RS
(ceea ce s-a ob inut i n rela ia 3.7), peste care se suprapun o infinitate de
componente de componente alternative, din care, neglijnd termenii de ordin
superior, re inem componenta fundamental , cu pulsa ia egal cu cea a tensiunii de
alimentare i amplitudinea:
UmRS
U~ =
.
2 R RS
Raportnd aceast amplitudine la valoarea componentei continue, se
define te factorul de ondula ie:
U
= ~
(3. 10)
U
2
Randamentul procesului de redresare, ca raport dintre puterea util de curent
continuu, P i puterea medie primit de circuitul redresor, Pm, se poate calcula
(pentru o diod ideal ), astfel:
2
U2 1
1
1 U m sin t
U 2m
P = 2m
ui d t
d t
= U0I0 ; Pm =
2 0
2 0
RS
RS
4R S
Deci:
U 2 1 4R S 4
= 2m
= 40,6 %
(3. 11)
2
R S U 2m
a cum se observ , randamentul este destul de sc zut, fapt datorat prezen ei
armonicilor superioare sau, din punct de vedere fenomenologic, neutiliz rii uneia
din alternan e. La un redresor real randamentul este, de fapt, chiar mai sc zut.
3.3.
Redresorul monofazat bialternan

rezistiv
cu sarcin
Pentru mbun irea randamentului redres rii, este necesar redresarea

ambelor alternan e, fapt ce se poate realiza folosind montajul din figura 3.4 a.
Forma tensiunii redresate, us, este cea din figura 3.4.b. (s-a neglijat valoarea
tensiunii de deschidere, Vd).
74
c
ni
r
ct
el
Curentul prin Rs este dat de suma curen ilor furniza i de cele dou sec iuni
ale redresorului, care func ioneaz n contratimp, pe cte o semiperioad a
tensiunii de alimentare. De fapt, se poate considera c redresorul dubl alternan
este alc tuit din dou redresoare monoalternan care folosesc aceea i nf urare
primar a transformatorului i debiteaz pe aceea i sarcin . La acest tip de
redresor, tensiunea invers maxim pe parcursul unei perioade, suportat de fiecare
diod , este dublul tensiunii maxime dintr-o sec iune a secundarului
transformatorului, adic Uinv max = 2Um. Evident, curentul mediu prin fiecare diod
este jum tate din curentul redresat.
cnd analiza Fourier a tensiunii redresate, ntr-un mod asem tor celui de
la redresorul monoalternan , se ob ine tensiunea redresat :
U R 2 4
4
cos 2 t
cos 4 t
uS = m S
(3. 12)
R RS
3
15
Aceasta con ine o component continu cu valoarea:
2U m R S
U= =
R RS
(dubl fa de cea de la redresarea monoalternan ) i o serie de componente
alternative dintre care re inem numai pe cea fundamental , cu frecven a dubl 1 fa
de cea a curentului alternativ de alimentare i cu amplitudinea:
4U m R S
U~ =
.
3 R RS
n acest caz, expresia factorului de ondula ie este:
4U m
2
= 66,7 %
(3. 13)
= 3
2U m 3
Dac se face o compara ie ntre redresorul dubl alternan
i cel
monoalternan , rezult c primul este evident mai avantajos: randamentul s u este
dublu, iar factorul de ondula ie se reduce aproximativ la jum tate. Totu i, sunt i
1
Se poate considera c , fa de redresarea monoalternan , componenta fundamental a tensiunii

redresate a fost nl turat , r mnnd numai armonicile. n acest mod, se poate explica reducerea
factorului de ondula ie.
75
c
ni
r
ct
el

unele dezavantaje: are un gabarit mai mare (nf urarea secundar a
transformatorului dubl ) i folose te dou diode n loc de una, acestea avnd
tensiunea invers maxim dubl fa de cea a diodei redresorului monoalternan .
Pentru a elimina i aceste dezavantaje, n practic se folose te un alt tip de

redresor dubl alternan : redresorul n punte (figura 3.5.a). A a cum se poate
vedea, pe una din alternan e curentul circul prin diodele D4 i D2, celelalte dou
fiind blocate (figura 3.5.b), iar pe cealalt alternan rolurile se inverseaz : diodele
D4 i D2 sunt blocate, curentul circulnd prin diodele D3 i D1 (figura 3.5.c), astfel
nct, permanent, prin rezistorul de sarcin sensul curentului r mne acela i.
Valorile tensiunii medii redresate i curentului mediu redresat sunt acelea i ca la
redresorul dubl alternan clasic, n schimb tensiunea invers maxim suportat
de fiecare diod este numai Um. Transformatorul avnd numai o singur nf urare
secundar , ca la redresorul monoalternan , rezult c redresorul n punte are un
singur dezavantaj fa de redresorul monoalternan : folosirea a patru diode, n loc
de una, ceea ce nseamn un pre de cost mai mare. Cum pre ul diodelor este mic,
comparativ cu pre ul total al redresorului, iar redresorul n punte p streaz toate
avantajele redres rii ambelor alternan e, este evident de ce, n practic , folosirea
redresorului n punte s-a generalizat. De altfel, fabrican ii de dispozitive
semiconductoare pun n prezent la dispozi ia utilizatorilor pun i redresoare
integrate, con innd toate cele patru diode ntr-o singur capsul , ntr-o gam larg
de variante, cu parametri de func ionare diver i.
76
c
ni
r
ct
el
3.4.
Redresorul monofazat cu sarcin RL
Schema corespunz toare acestui tip de redresor, n varianta monoalternan

este prezentat n figura 3.6. Inductan a L poate fi con inut n sarcin sau poate fi
adi ionat acesteia pentru o mai bun filtrare (efectul fiind analizat n continuare).
Ca urmare a faptului c prin aceast inductan trece un curent variabil, se

produce fenomenul de autoinduc ie, constnd n apari ia la bornele elementului
inductiv a unei tensiuni autoinduse, date de rela ia:
di
e= L
(3. 14)
dt
Aplicnd a doua teorem a lui Kirchhoff n circuitul de redresare pentru
timpul ct dioda, presupus ideal , conduce, se ob ine:
di
U = L + iRS = Umsin t
(3. 15)
dt
Aceasta este o ecua ie diferen ial de ordinul I neomogen , a c rei solu ie
este dat de suma dintre solu ia general a ecua iei omogene corespunz toare
(componenta tranzitorie) i o solu ie particular a ecua iei neomogene:
i=
Um
R S2
sin
sin
RS
t
L
(3. 16)
n care,
L
(3. 17)
RS
Pentru o valoare suficient de mare a inductan ei L, valoarea Rs/L este mic ,
astfel nct al doilea termen al rela iei 3.16 este, practic, constant, peste acesta
suprapunndu-se o component alternativ , dat de primul termen (amplitudinea
acestei componente este cu att mai mic , cu ct L este mai mare). Forma
curentului redresat, i, este dat n figura 3.7.
Punnd n rela ia 3.16 condi ia i = 0, se poate calcula unghiul de conduc ie,
care cre te odat cu sc derea raportului L/Rs, ceea ce nseamn o mai bun
filtrare la cre terea valorii lui L, rezultat ob inut i mai sus.
tg =
77
c
ni
r
ct
el
De aceea, n practic , pentru filtrare se folosesc bobine cu inductan ct mai

mare, singurele limit ri fiind impuse de gabaritul acestora i de ob inerea unui
factor de calitate al lor ct mai ridicat.
3.5.
Redresorul monofazat cu sarcin RC
Schema corespunz toare acestui tip de redresor, n varianta monoalternan

este prezentat n figura 3.8.a, n figura 3.8.b fiind dat forma tensiunii la bornele
rezistorului de sarcin .
Dup cum se poate vedea, capacitatea C este legat n paralel cu rezistorul de

sarcin , putnd fi con inut chiar n consumator sau putnd fi ad ugat pentru
reducerea pulsa iilor tensiunii redresate.
Procesul care are loc este urm torul: condensatorul se ncarc atunci cnd
dioda conduce, desc rcndu-se pe Rs cnd dioda este blocat , n acest fel
ob inndu-se netezirea prin repartizarea mai uniform n timp a energiei electrice
consumate de sarcin . De fapt, condensatorul, avnd o capacitate mare, deci o
reactan capacitiv mic , scurtcircuiteaz n curent alternativ rezistorul de sarcin ,
astfel nct prin acesta circul numai componenta continu a tensiunii redresate i
o foarte mic parte din cea alternativ , restul trecnd prin condensator.
Tensiunea la bornele diodei este ud = u us, astfel nct aceasta este
polarizat att pozitiv ct i negativ. Dioda conduce numai att timp ct este
78
c
ni
r
ct
el

polarizat pozitiv, deci cnd u > us, n rest ea este blocat i condensatorul se
descarc pe Rs.
Practic, dioda se deschide doar pe vrful alternan ei pozitive, cnd
u > us U=.
du
dq
dq
Din rela iile: C =
; iC = , rezult : iC = C C .
dt
dt
du C
Dac dioda (presupus ideal ) conduce, i = iR + iC, unde
du
U
iC = C C = CUmcos t ; iR = m sin t.
dt
RC
Dup nlocuirea expresiilor lui iR i ic, rezult :
1
2
i = Um
(3. 18)
C sin t
2
RS
unde
tg = CRS
(3. 19)
n restul timpului, ct dioda nu conduce, condensatorul se descarc pe Rs,
tensiunea variind la bornele sale conform rela iei:
t
uC = uS = UC e CR S
(3. 20)
unde Uc este tensiunea maxim de nc rcare a condensatorului. n condi ia n care
C este suficient de mare, constanta de timp CRs este i ea mare, astfel nct
desc rcarea condensatorului se face suficient de lent pentru ca tensiunea uc s nu
scad prea mult pn la o nou nc rcare. n cazul redresorului dubl alternan ,
efectul de netezire a pulsa iilor tensiunii redresate de c tre condensator este i mai
pronun at, ca urmare a reducerii timpului de desc rcare.
n analiza sumar a fenomenului, nu s-a luat n considerare rezisten a
secundarului i nici cea a diodei. Dac se ine cont i de acestea, se constat c
unghiul de conduc ie al diodei ( i a a destul de mic) se reduce foarte mult,
impulsurile curentului redresat devin foarte scurte dar cresc n amplitudine, fapt
care duce la cre terea valorii efective a tensiunii redresate.
3.6.
Redresorul cu dublare de tensiune
Schema de principiu a unui astfel de redresor este prezentat n figura 3.9.

Dup cum se vede, ea deriv din cea a unui redresor n punte, la care dou din
diodele redresoare au fost nlocuite cu cte un condensator. Func ionarea acestui
redresor este urm toarea: cnd se aplic tensiunea de alimentare a pun ii, apare un
regim tranzitoriu n care pe una din alternan e se ncarc un condensator, iar pe cea
de-a doua, cel lalt condensator (mai exact, cnd conduce dioda D1 se ncarc
condensatorul C1 la tensiunea Um, iar cnd conduce dioda D2 se ncarc
condesatorul C2 la tensiunea Um).
79
c
ni
r
ct
el
Tensiunea la bornele lui Rs este egal cu cea la bornele grup rii n serie a celor
dou condensatoare deci, dac rezisten a proprie a redresorului este mult mai mic
dect Rs, constanta de timp la desc rcare este mult mai mare dect cea la nc rcare,
astfel nct pe rezisten a de sarcin va exista permanent o tensiune doar cu pu in
mai mic dect dublul tensiunii maxime furnizate de secundarul transformatorului.
3.7.
Filtre de netezire a tensiunii redresate
Pentru asigurarea unui factor de ondula ie corespunz tor, se pot utiliza filtre
de netezire. Configura iile acestora sunt diverse dar se pot reduce ntotdeauna la
configura ia de baz , prezentat n figura 3.10.
Tensiunea furnizat de redresor, u, i aplicat filtrului, are dou componente:

una continu , Uo, cealalt alternativ , cu valoarea efectiv U. Tensiunea la bornele
lui Rs, us, (adic la ie irea filtrului) va avea i ea o component continu , Uso i una
alternativ , cu valoarea efectiv Us. Pentru o filtrare perfect , s-ar impune ca Uso =
Uo i Us = 0 dar, n realitate, condi iile nu pot fi asigurate dect cu aproxima ie,
adic Uso Uo i Us << U. ntre cele patru m rimi exist rela iile:
Z2 R S
US0 = U 0
(3. 21)
Z1 Z 2 R S 0
US = U
Z2 R S
(3. 22)
Z1 Z 2 R S
Din condi iile impuse, rezult :

80
c
ni
r
ct
el
Z2 R S
Z2 R S
Z1
(3. 23)
Z1
(3. 24)
Dac factorul de ondula ie al redresorului (la intrarea filtrului) este , atunci,

la ie irea filtrului, acesta este:
Z2 R S
S
Z1 Z 2 R S
(3. 25)
Z2 R S
Z1 Z 2 R S
Explicitnd n func ie de configura ia filtrului impedan ele complexe Z1 i

Z2, n baza rela iei (3.25), se poate calcula factorul de ondula ie n diferite cazuri
particulare.
3.8.
Stabilizatoare de tensiune
Stabilizatorul este un dispozitiv electronic cu impedan

variabil ,
comandat de varia ia unei m rimi electrice (tensiune, curent) de la intrarea sa,
astfel nct aceast varia ie este compensat prin varia ia c derii de tensiune pe
impedan , la ie irea stabilizatorului m rimea electric respectiv p strndu- i o
valoare constant .
Stabilizatoarele se pot clasifica, dup diferite criterii, astfel:
a) dup parametrul electric stabilizat:
- stabilizatoare de tensiune
- stabilizatoare de curent
b) dup metoda de stabilizare:
- stabilizatoare parametrice
- stabilizatoare prin compensare
- stabilizatoare cu reac ie
c) dup modul de conectare a elementului de stabilizare:
- stabilizatoare serie
- stabilizatoare paralel
Pentru a caracteriza eficien a unui stabilizator, se define te1 factorul de
stabilizare n tensiune, ca raport ntre varia iile relative ale tensiunii la intrare,
respectiv la ie ire:
Defini ia s-a f cut pentru un stabilizator de tensiune. Evident, pentru unul de curent,
formulele se adapteaz n mod corespunz tor. De altfel, n cele ce urmeaz ne vom referi
numai la stabilizatoarele de tensiune.
81
c
ni
r
ct
el
U in
U in
F=
US
US
(3. 26)
R S ct .
De asemenea, se poate utiliza coeficientul de stabilizare, definit astfel:

U in
(3. 27)
S=
U S R ct .
S
n cele dou rela ii, Uin este tensiunea la intrarea stabilizatorului, iar Us cea
de la ie irea acestuia, adic tensiunea la bornele rezistorului de sarcin .
3.8.1.
Stabilizatoare parametrice
Stabilizatoarele parametrice folosesc n componen a lor elemente neliniare,
caracterizate printr-un parametru variabil n func ie de tensiunea la intrare. Un
astfel de element este dioda Zener, schema unui stabilizator de tensiune parametric
utiliznd o diod Zener fiind dat n figura 3.11.
n figura 3.11.a este prezentat schema de principiu a stabilizatorului,

alc tuit numai din dioda Zener i rezistorul de balast, R, n figura 3.11.b este dat
schema echivalent a stabilizatorului, iar n figura 3.11.c este prezentat
caracteristica liniarizat a diodei Zener la polarizare invers , pe care sunt
reprezentate punctele de func ionare A, la tensiune minim
i B, la tensiune
maxim . Sursa de alimentare (redresorul) furnizeaz tensiunea continu Ur i are
rezisten a intern Rr.
Analiznd figura 3.11.c, se poate constata c , la varia ii mari ale curentului
prin dioda Zener, ntre Iz max i Iz min, are loc o varia ie foarte mic a tensiunii Uz, de
la Uz max la Uz min, ca urmare a pantei foarte abrupte a caracteristicii diodei Zener.
Astfel, chiar dac punctul de func ionare se deplaseaz destul de mult (de la A la B
82
c
ni
r
ct
el

sau invers, ca urmare a varia iei rezisten ei de sarcin sau a tensiunii Ur), varia ia
curentului I va fi preluat n cea mai mare parte prin dioda Zener. Se poate scrie:
UZ
Uin = RI + US = R(IZ + IS) + UZ = R I Z
+ UZ
(3. 28)
RS
Calculnd coeficientul de stabilizare, se ob ine:
U in
U in
IZ
1
1
1
R
1 R
S=
1
US
UZ
UZ RS
rZ R S
Deci:
1
1
S = 1 +R
(3. 29)
rZ R S
R
Cum, de obicei, rz este foarte mic (r z << Rs), se poate aproxima S = 1 + ,
rZ
ceea ce ne permite s scriem:
U
US
R US
(3. 30)
F=S S
1
U in U in
rZ U in
Se poate constata c pentru a ob ine o stabilizare mai bun , adic un
coeficient de stabilizare mai mare, trebuie s creasc rezisten a de balast, R, ceea
ce duce ns la o pierdere de energie n circuit, deci la o utilizare ineficient a
acesteia.
3.8.2.
Stabilizatoare cu compensare
n figura 3.12 este prezentat schema-bloc a unui stabilizator cu compensare,
n varianta serie (figura 3.12.a), respectiv paralel (figura 3.12.b).
Func ionarea are loc astfel: detectorul de eroare, DE, este un dispozitiv care
compar permanent tensiunea de la intrarea stabilizatorului, Uin, cu o tensiune de
referin , Uref, de valoare ct mai constant , furnizat de un dispozitiv electronic
(poate fi o diod Zener polarizat invers, ce func ioneaz la tensiunea de
str pungere). Diferen a dintre cele dou tensiuni este amplificat de amplificatorul
de eroare, AE, tensiunea ob inut la ie irea acestuia aplicndu-se elementului de
83
c
ni
r
ct
el

reglaj, ER, cu rezisten variabil , n func ie tocmai de aceast tensiune. C derea
de tensiune pe elementul de reglaj compenseaz varia ia tensiunii de intrare, astfel
nct la ie irea stabilizatorului se ob ine o tensiune practic constant .
n schemele mai simple, amplificatorul de eroare poate s lipseasc , diferen a
dintre cele dou tensiuni comparate comandnd direct elementul de reglaj. Acest
tip de stabilizator este mai eficient dect cel anterior, utiliznd energia sursei de
tensiune cu un randament sporit dar are dezavantajul c nu reac ioneaz dect la
varia iile tensiunii de intrare, nu i la cele ale rezisten ei de sarcin .
3.8.3.
Stabilizatoare cu reac ie
Cele dou variante constructive, serie i paralel, ale schemei-bloc a
stabilizatorului cu reac ie sunt prezentate n figura 3.13.a, respectiv 3.13.b.
Se poate constata asem narea cu schema stabilizatorului cu compensare,

doar c tensiunea de referin , Uref, este comparat direct cu tensiunea de ie ire, Us,
semnalul rezultat din aceast comparare i (eventual) amplificare fiind aplicat
elementului de reglaj.
n acest caz, procesul de stabilizare are loc indiferent de cauza ce produce
varia ia tensiunii de ie ire, adic i n cazul varia iei tensiunii de intrare i n cel al
varia iei rezisten ei de sarcin , efectul de stabilizare fiind deci mult mai eficient.
3.9.
Aplica ii
3.9.1.
Redresarea curentului alternativ
Montajul care, alimentat cu energie n curent alternativ, furnizeaz la ie ire
energie n curent continuu se nume te redresor. n general, acesta are trei p i:
transformatorul, care modific valoarea tensiunii alterntive a re elei astfel nct la
ie irea redresorului s se ob in tensiunea dorit , elementul redresor (unul sau mai
multe dispozitive neliniare cu conduc ie unilateral ) i filtrul de netezire, cu rol de
a reduce pulsa iile tensiunii redresate, avnd n componen elemente pasive
reactive (condensatoare i bobine), uneori rezistoare.
84
c
ni
r
ct
el
A. Redresorul monoalternan
Schema dispozitivului este prezentat n figura 3.14. Curentul circul prin
diod atta timp ct ea este polarizat direct.
Rezisten a total din circuitul diodei, n afar de rezisten a de sarcin , este:

2
n2
(3. 31)
R t R i r2
r1
n1
unde Ri este rezisten a intern (dinamic ) n conduc ie direct a elementului
redresor (dioda D), iar r1 i r2 sunt rezisten a primarului respectiv a secundarului
transformatorului.
Ultimul termen din rela ia (3.31) reprezint rezisten a reflectat de primar n
secundarul transformatorului.
Se vede c :
Rs
u 2 pentru u 2 0
R t Rs
(3. 32)
u
0
pentru u 2 0
unde u2 = U2 sin t reprezint tensiunea alternativ la bornele secundarului.
Tensiunea redresat , u, va fi de forma din figura 3.15.
Media tensiunii redresate pe o perioad ( componenta continu a acestei

tensiuni) este:
U0
1
T
u dt
0
1
2
Rs
R
0 t
Rs
U 2 sin t d ( t )
85
1 R s U2
R t Rs
(3. 33)
c
ni
r
ct
el
Rs U2
este amplitudinea tensiunii redresate, u.
Rt Rs
Curentul redresat are valoarea:
U0
U
U2
(3. 34)
I0
Rs
Rs
R t Rs
u se poate dezvolta n serie Fourier:
2
1 1
cos 2 t
sin t
u U
(3. 35)
3
2
i, neglijnd termenii de ordin superior,
U U
u
(3. 36)
sin t
2
Se constat c tensiunea redresat are dou componente: o component
U
U
continu , U 0
.
i o component alternativ cu amplitudinea egal cu
2
Se define te factorul de ondula ie:
U~
(3. 37)
U
ca fiind raportul dintre amplitudinea componentei alternative i valoarea
componentei continue.
Pentru redresorul analizat,
U
1,57
2 U 2
Sc derea valorii factorului de ondula ie, ceea ce duce la ob inerea unei
tensiuni redresate mai apropiat ca form de cea continu
i la cre terea
randamentului redresorului, se face folosind un filtru. Cel mai simplu filtru este un
condensator legat n paralel cu rezistorul de sarcin , tensiunea filtrat avnd n
acest caz forma din figura 3.16.
deci U 0
, unde U
Acest lucru este datorat faptului c are loc o reducere a amplitudinii

componentei alterntive ce trece prin Rs, o parte din aceasta trecnd prin
condensator. Cu ct reactan a condensatorului este mai mic , cu att filtrarea este
mai bun . Mai concret, lucrurile se ntmpl astfel: ntr-un interval de timp t
relativ mic fa de T, dioda conduce (u2 > u), u avnd aceea i form cu u2,
condensatorul se ncarc la valoarea U2. n restul timpului, u2 < u, dioda nu
86
c
ni
r
ct
el

conduce i condensatorul se descarc pe Rs (desc rcare exponen ial cu constanta
de timp C Rs), tensiunea u sc znd de la valoarea U la U u ( u se nume te
tensiune de ondula ie).
Calculul capacit ii condensatorului care asigur un factor de ondula ie dorit
se poate face astfel: sarcina cu care se ncarc condensatorul este q = C u,
sarcin ce formeaz curentul mediu de desc rcare al condensatorului n timpul:
U
T t T; q I T ; I
Rs
deci:
U
U
.
C u
T ;C
Rs
Rs u
u
u
unde U 0 U
Dar
U , deci
2 U0
2
1
(3. 38)
2
C Rs
B. Redresorul dubl alternan
Schema dispozitivului este cea din figura 3.17.a, n figura 3.17.b fiind
reprezentat forma tensiunii pe Rs. Cum tensiunile pe cele dou jum i ale
secundarului sunt n antifaz , cnd D1 conduce, D2 este blocat i invers.
Factorul de ondula ie al acestui redresor f

4U
2
3
0,67
2U 3
filtru este:
(3. 39)
O alt variant de redresor dubl alternan este cea a redresorului n punte

(figura 3.18).
Avantajul fa de schema clasic este reducerea gabaritului transformatorului
(se utilizeaz o singur nf urare n secundar). Pe alternan a pozitiv conduc
diodele D2 i D4 iar D1 i D3 sunt blocate i pe alternan a negativ , invers.
87
c
ni
r
ct
el

Se poate constata c frecven a tensiunii redresate la redresoarele dubl
alternan este dublul tensiunii alternative, iar prin compara ie, factorul de
ondula ie cnd se utilizeaz un condensator legat n paralel cu Rs este:
1
(3. 40)
4
C Rs

Lucrarea are ca scop studiul func ion rii redresorului mono i dubl
alternan
precum i determinarea factorului de ondula ie pentru diferite
condensatoare. n acest scop se utilizeaz macheta din figura 3.19, care cuprinde
urm toarele elemente: o diod redresoare legat la bornele A B, o punte
redresoare integrat , legat la bornele C D E F, trei condensatoare de
capacit i diferite (25 F, 100 F i 200 F) i rezistorul de sarcin , de 5 k /2W.
Conectarea n circuit a unuia sau altuia dintre cele trei condensatoare se face
cu ajutorul comutatorului K.
Se mai folosesc:
- osciloscop cu dou spoturi;
- transformator 220/24 V;
- fire de leg tur ;
3. Mod de lucru
A. Se realizeaz redresorul monoalternan .
88
c
ni
r
ct
el
se vizualizeaz simultan tensiunea u la bornele rezistorului de sarcin ,

R2 i u2 la bornele secundarului, aplicndu-le la intr rile Y1 i Y2 ale
osciloscopului;
- se reproduc u i u2 pe hrtie milimetric ;
- se introduc n schem pe rnd cele trei condensatoare i se vizualizeaz
u, reprezentndu-se pe hrtie milimetric ; se m soar pe osciloscop u;
B. Se realizeaz redresorul dubl alternan n punte.
- se repet opera iile de la punctul A;
- se calculeaz pentru fiecare valoare a capacit ii i pentru fiecare din
cele dou scheme factorul de ondula ie cu formula (3.38), respectiv
(3.40);
- se compar valorile ob inute mai sus cu cele determinate experimental,
u
pe baza formulei (3.37), unde U ~
i U= se m soar direct la
2
bornele rezistorului de sarcin cu un voltmetru de curent continuu sau
cu osciloscopul, prin trecerea succesiv a acestuia din pozi ia c.c. n
pozi ia c.a. i determinarea deplas rii imaginii.
Aten ie: nu se vizualizeaz simultan tensiunile u1 i u2.
- Rezultatele se trec ntr-un tabel de forma:
Redresor
monoalternan
Redresor dubl
alternan
1.
2.
3.
4.
C ( F)
25
100
200
25
100
200
U= (V)
u (V)
calculat
m surat
4. ntreb ri
Ce concluzii se pot trege din compararea valorilor calculate cu cele determinate
experimental ale factorului de ondula ie ?
De ce se deplaseaz pe vertical imaginea de pe ecranul osciloscopului ce
vizualizeaz tensiunea redresat la trecerea acestuia din pozi ia c.c n pozi ia
c.a ?
De ce nu este permis vizualizarea concomitent a tensiunilor u1 i u2 ?
Se poate efectua lucrarea dac osciloscopul nu ar dispune de dou intr ri, Y1 i
Y2 ?
3.9.2.
Dioda stabilizatoare (ZENER)
O diod semiconductoare suport o anumit tensiune invers maxim , care,
dep it , duce la distrugerea jonc iunii. Dioda stabilizatoare prezint un fenomen
de str pungere nedistructiv , caracterizat prin cre terea puternic a curentului
invers, la o valoare aproape constant a tensiunii inverse pe jonc iune, fenomen
89
c
ni
r
ct
el

determinat n esen de dou efecte: efectul Zener i multiplicarea n avalan a
purt torilor de sarcin electric .
Efectul Zener se produce la tensiuni inverse ntre 2,7 V i 5 V cnd, datorit
dop rii puternice a zonelor n i p bariera de poten ial este redus , fiind posibil
trecerea purt torilor prin jonc iune. n cazul unei dop ri mai reduse se produce
cel lalt efect iar tensiunea de str pungere este peste 7 V. n acest caz, electronii
sunt puternic accelera i n cmpul electric intens din jonc iune i ciocnirile lor cu
atomii din re ea duc la formarea altor perechi electron-gol, prin repetarea acestui
proces ob inndu-se multiplicarea n avalan a purt torilor.
O diod stabilizatoare (Zener) este folosit n aplica ii polarizat invers n
regiunea de str pungere. Caracteristica diodei n aceast regiune este reprezentat
n figura 3.20.
Se observ c , pentru un domeniu larg de valori ale curentului prin diod ,

tensiunea r mne practic constant , VZ. n fapt, se observ o u oar cre tere a
u
tensiunii odat cu cre terea curentului, rezisten a dinamic a diodei, rZ
i
avnd valori mici (120 ). Tensiunea VZ poate avea valori ntre c iva vol i pn
la cteva sute de vol i, valoarea exact fiind determinat de tehnologia de
construc ie a diodei.
n aplica iile practice, curentul invers prin dioda Zener nu trebuie s

dep easc o valoare maxim , caracteristic diodei respective.
90
c
ni
r
ct
el

Pentru u urin a studiului teoretic, este util modelul liniar al diodei, n care
caracteristica este aproximat conform figurii 3.21.a, schema echivalent fiind
prezentat n figura 3.21.b.
Principala aplica ie a diodei Zener este stabilizatorul de tensiune, care
asigur o tensiune de sarcin constant n condi ia varia iei ntre anumite limite a
tensiunii de intrare i curentului de sarcin .
Schema unui stabilizator simplu este cea din figura 3.22.a:
Pentru ca us s fie practic egal cu uz este necesar dimensionarea corect a

valorii R. Considernd modelul liniar al diodei, putem scrie:
u u g u U z i z rz
u U z i z rz
R
U z i z rz
i
i z is
iz
Rs
sau
u U z i z rz
R
(3. 41)
Uz
rz
is 1
Rs
Rs
Ecua ia dreptei de sarcin este:
U
R Rs
(3. 42)
iz
uz
R
R Rs
Cum u, iz i Rs variaz ntre anumite limite, valoarea lui R se va calcula
utiliznd valorile medii ale celor trei m rimi sau se vor calcula limitele intervalului
de valori ale lui R. Limitele lui iz sunt impuse de tipul diodei (Iz min - valoarea
minim a curentului la care se produce str pungerea, Iz max - valoarea maxim a
curentului invers), iar ale lui u i Rs de aplica ia practic n care se folose te dioda.
Stabilizatorul de tensiune este caracterizat de doi parametri: factorul de
stabilizare i rezisten a la ie ire.
Varia ia tensiunii pe dioda Zener poate fi produs de modificarea tensiunii de
intrare, u i a curentului de sarcin , is.
Putem scrie:
91
c
ni
r
ct
el
u = R (iz + is) + uz
iz
uz
Uz
rz
de unde,
rz
R rz
R
Uz
R rz
R rz
R rz
Ultimul termen fiind constant (Uz = ct), rezult :
rz
R rz
uz
u
is
R rz
R rz
Definim:
factorul de stabilizare:
u
u
R rz
s
u s i ct
u z i ct
rz
uz
rezisten a de ie ire:
us
re
is u ct
is
(3. 43)
(3. 44)
uz
is
u ct
R rz
R rz
(3. 45)
Se vede c :
u
is re
(3. 46)
s
Pentru ca stabilizatorul s fie eficient trebuie ca s s fie ct mai mare, iar r e
ct mai mic .
Lucrarea are ca scop studiul diodei Zener (vizualizarea caracteristicii diodei
Zener la osciloscop) i studiul experimental al stabilizatorului cu diod Zener.
Se utilizeaz urm toarele materiale:
- macheta ce are montate pe ea elementele necesare experimentelor (figura
3.23):
us
uz
Se mai folosesc:
osciloscop;
- transformator 220V/20V;
- fire de leg tur .
92
c
ni
r
ct
el
3.Mod de lucru
se realizeaz cu macheta din figura 3.23 montajul pentru vizualizarea
caracteristicii diodei Zener (figura 3.24);
se vizualizeaz caracteristica celor trei diode de pe machet ;

se determin Uz pentru fiecare din cele trei diode Zener;
se realizeaz cu macheta montajul din figura 3.25;
se vizualizeaz la osciloscop tensiunea u pe intrarea c.c. Pe intrarea c.a. se

determin valorile Umax i Umin i se calculeaz
u;
- se vizualizeaz pe intrarea c.c. us iar pe c.a. se determin us. Se compar us
cu valoarea calculat , tiind c rz = 4 ;
- se calculeaz s experimental i se compar cu cel teoretic;
- se calculeaz iz, cunoscnd Uz.
4. ntreb ri
1. Dac n montajul experimental din figura 5.4 se nlocuie te condensatorul de
filtraj de 100 F cu unul cu capacitatea de 20 F, se constat c us nu mai este
stabilizat . De ce ? S se calculeze limitele de varia ie ale lui Is.
2. n condi iile ntreb rii 1, nlocuind Rs = 510 cu un rezistor cu rezisten a de 3
k , tensiunea us este din nou stabilizat . De ce ?
93
c
ni
r
ct
el

CAPITOLUL IV
4. TRANZISTORUL BIPOLAR
4.1.
Construc ie; principiu de func ionare
Tranzistorul bipolar (numit astfel deoarece, la procesele ce au loc particip

ambele tipuri de purt tori) este construit dintr-un monocristal semiconductor,
mp it n trei zone, al c ror tip de conduc ie alterneaz , formndu-se, astfel, dou
jonc iuni p-n. Este evident c exist dou variante constructive, p-n-p i n-p-n, a a
cum se arat i n figura 4.1, n care se prezint i simbolul folosit n schemele
electronice pentru acest dispozitiv.
Zona central se nume te baz , cele laterale emitor i, respectiv, colector.

Pentru func ionarea corect i apari ia efectului de tranzistor, baza trebuie s aib o
grosime foarte mic , iar emitorul trebuie s fie mult mai puternic dopat dect
colectorul.
94
c
ni
r
ct
el
Diagrama benzilor de energie i structura jonc iunilor ntr-un tranzistor p-np1 sunt prezentate n figura 4.2.a, respectiv 4.2.b.
Montarea tranzistoarelor n circuite poate fi f cut n trei feluri diferite,
numite: conexiune cu baza comun , cu emitor comun i respectiv cu colectorul
comun, dup cum unul din cei trei electrozi este comun circuitelor de intrare i
ie ire (figura 4.3).
consider m configura ia cu baz comun , din figura 4.3.a, pentru un

tranzistor p-n-p; jonc iunea E-B fiind polarizat direct, are loc injectarea golurilor
din emitor n baz , acestea difuznd mai departe, spre colector. n condi ia n care
grosimea bazei este mic ( 5 10-6 m), cu excep ia unui mic num r de goluri care
se recombin n baz , celelalte vor trece n colector. Mai exact, pentru ca acest
lucru s se produc este necesar ca grosimea bazei s fie mai mic dect lungimea
de difuzie a golurilor n baz .
n acest fel, deci, curentul ce apare n jonc iunea B-C este aproape egal cu cel
prin jonc iunea E-B. Cum aceasta din urm este polarizat direct, rezisten a sa
fiind foarte mic , n timp ce jonc iunea B-C este polarizat invers, rezisten a sa
fiind foarte mare, putem spune c , n condi iile precizate, are loc un transfer,
practic f
pierderi, al unui curent dintr-un circuit de rezisten mic ntr-unul de
rezisten mare. Acesta reprezint efectul de tranzistor (de unde i numele
dispozitivului, ob inut din combinarea a dou cuvinte: TRANsfer - reZISTOR).
determin m acum expresiile curen ilor prin tranzistor. Pentru regiunea
bazei, din formula (1.35), n condi iile E = 0 i p/ t = 0, rezult :
2
p p pB
DB 2
0
(4. 1)
x
B
De asemenea,
p
jp = eDB
; jn = j jp
(4. 2)
x
unde jn, jp i j sunt densit ile de curent de electroni, de goluri i respectiv total n
baz , DB coeficientul de difuzie al golurilor n baz , B timpul de via al golurilor
1
Fenomenele n tranzistoarele n-p-n se petrec n acela i mod.
95
c
ni
r
ct
el
n baz i pB concentra ia de goluri n baz la echilibru (n lipsa injec iei de goluri

din emitor). Dac not m l rgimea bazei cu w, atunci, la limitele dinspre emitor,
respectiv colector ale acesteia, concentra ia de goluri are expresiile:
p0
pB e
eVEB
kT
pw
eVBC
kT
(4. 3)
Rezolvnd ecua ia 4.1 n condi iile la limit 4.3, rezult :

p(x) = pB + C1 e
x
LB
+ C2 e
x
LB
(4. 4)
unde
C1 =
pw
p0e
w
LB
w
LB
; C2 =
w
LB
pw
p0e
w
LB
w
LB
w
LB
e
e
e
e
n aceste rela ii, LB = D B B este lungimea de difuzie a golurilor n baz . Se
poate observa c , dac l rgimea bazei este prea mare (w >> LB), rela ia 4.4 se
x
LB
reduce la p(x) = pB + p(0) e , expresie ce caracterizeaz jonc iunea E-B f nici

o influen din partea jonc iunii B-C, deci ca n cazul cnd cele dou jonc iuni sunt
complet separate, ceea ce arat c n aceast situa ie efectul de tranzistor nu se mai
produce.
Concomitent cu difuzia golurilor, are loc o injectare de electroni din baz n
emitor, electroni extra i, la rndul lor, din colector. Concentra iile acestora la
marginile bazei (condi iile la limit ) sunt date de expresiile:
xE
nE e
eVEB
kT
n xC
eVBC
kT
(4. 5)
Rezolvnd i ecua ia de continuitate pentru electroni (analoag cu rela ia

4.1), rezult :
n(x) =
nE
xE e
x xE
LE
pentru x
xE
(4. 6)
x xC
LC
nC n xC e
pentru x x C
unde nE i nC sunt concentra iile de electroni la echilibru n emitor, respectiv
colector, iar LE i LC sunt lungimile de difuzie ale electronilor n emitor, respectiv
colector. Utiliznd rela ia 4.2 i echivalentul ei pentru electroni, se calculeaz jn i
jp i considernd c suprafa a transversal a bazei are aria S, rezult curen ii:
w
D p e LB
IE = eS B B w
LB
e LB
e
e
w
LB
w
LB
eV EB
kT
1
e
eVBC
kT
w
LB
96
1
e
w
LB
eS
DE p E eVkTEB
e
LE
(4. 7)
c
ni
r
ct
el

w
LB
DBpB e
IC = eS
L B Lw
e B
e
e
w
LB
w
LB
e
e
eVEB
kT
w
LB
eVBC
kT
w
LB
w
LB
1
e
w
LB
D p
eS C C e
LC
eVEB
kT
(4. 8)
Pentru a ob ine un efect de tranzistor ct mai pronun at, este necesar ca
partea de curent de goluri din jonc iunea E-B care nu circul prin colector s fie ct
mai mic . Se define te factorul de injec ie al emitorului:
curent de goluri n emitor
1
(4. 9)
w
w
curent total n emitor
n E D E L B e L B e LB
1
w
p B D B L E Lw
LB
B
e
e
Se define te, de asemenea, factorul de transport:
curent de goluri ajunse la colector
1
(4. 10)
T
w
w
curent de goluri injectate n baz
LB
LB
e
e
care, n condi ia w << Lb devine:
2
1 w
1
(4. 11)
T
2 LB
Acum putem defini factorul de amplificare n curent al tranzistorului
pentru configura ia cu baz comun , ca raport dintre curentul de goluri n colector
i curentul total n emitor:
IC
=
(4. 12)
T =
IE
n figura 4.4 este reprezentat procesul form rii curen ilor ntr-un tranzistor
pnp, n care InE i IpE sunt componentele electronic i respectiv de goluri ale
curentului de emitor, Ir curentul de recombinare a golurilor n baz , ICB0 curentul
rezidual de colector cu emitorul n gol (cu jonc iunea E-B nepolarizat ), iar IE
este curentul de goluri injectate din emitor n colector.
Se poate constata c :
IB = InE + Ir ICB0
(4. 13)
i
IE = IB + IC
(4. 14)
Rela ia 4.13 este cunoscut ca prima ecua ie fundamental a tranzistorului.
De asemenea, este evident , din figura 4.4, a doua ecua ie fundamental a
tranzistorului:
97
c
ni
r
ct
el
IC = IE + ICB0
(4. 15)
n rela ia de mai sus, ICB0 este mult mai mic dect primul termen, astfel nct,
de multe ori, ea se scrie: IC
IE. Dac n ecua ia 4.14 se nlocuie te IE din rela ia
4.13, se exprim IC n func ie de IB, rezultnd:
I CB 0
IC =
IB
.
1
1
I
Termenul ICE0 = CB 0 reprezint curentul rezidual de colector cu baza n
1
gol1, iar factorul
=
(4. 16)
reprezint factorul de amplificare n curent n conexiune emitor comun. Pentru

aceast conexiune, a doua rela ie fundamental a tranzistorului se scrie sub forma:
IC = IB + ICB0
(4. 17)
De obicei, are valori cuprinse ntre 0,95 i 0,995, iar ntre 30 i 800.
4.2.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Analiznd figura 4.3, se poate constata c tranzistorul bipolar, indiferent de

modul de conexiune, poate fi reprezentat ca un cuadripol (figura 4.5), pentru care,
n general, pot fi definite trei categorii de caracteristici:
1.
caracteristici de intrare, care exprim varia ia curentului de intrare n
func ie de tensiunea la intrare, Ii = f(Ui), cnd unul din cei doi parametri de
ie ire (Ie sau Ue) este constant.
Se constat c , n conexiune emitor comun, curentul rezidual de colector, ICE0, este mult mai mare
(de aproximativ ori) dect curentul rezidual de colector n conexiune baz comun , ICB0, dar este
totu i de dou -trei ordine de m rime mai mic dect IC, astfel nct i el poate fi, de cele mai multe
ori, neglijat, putndu-se scrie: IC = IB.
98
c
ni
r
ct
el
2.
3.
4.
caracteristici de ie ire, care exprim varia ia curentului de ie ire n func ie

de tensiunea de ie ire, Ie = f(Ue), cnd unul din cei doi parametri de intrare (Ii
sau Ui) este constant.
caracteristici de transfer, care exprim dependen a curentului de ie ire n
func ie de unul din cei doi parametri de intrare, Ie = f(Ui) sau Ie = f(Ii), pentru
o tensiune de ie ire constant .
caracteristici de reac ie, care exprim dependen a tensiunii de intrare n
func ie de unul din cei doi parametri de ie ire, Ui = f(Ue) sau Ui = f(Ie) pentru
un curent de intrare constant.
consider m configura ia baz comun (fig.4.3.a). n acest caz,

caracteristicile de ie ire sunt IC = f(UCB) la IE = ct. i IC = f(UCB) la UEB = ct., cele
de intrare sunt IE = f(UEB) la IC = ct. i IE = f(UEB) la UCB = ct., cele de transfer: IC
= f(UEB) la UCB = ct. i IC = f(IE) la UCB = ct., iar cele de reac ie sunt UEB =
=f(UCB) la IE = ct. i UEB = f(IC) la IE = ct. O parte din ele sunt reprezentate n
figura 4.6.
Astfel, n figura 4.6.a este reprezentat o familie de caracteristici de ie ire
IC=f(UCB) la IE = ct. Caracteristica pentru IE = 0 corespunde unui curent de colector
IC = ICB0. Se observ trei regiuni distincte:
a) regiunea activ normal , pentru UCB < 0 i UEB > 0, corespunz toare
func ion rii normale a tranzistorului;
b) regiunea de t iere, pentru UCB < 0, UEB 0 i IE 0. n acest caz, ambele
jonc iuni sunt polarizate invers, ceea ce are ca urmare faptul c prin
tranzistor circul curen i reziduali, de valoare foarte mic , el fiind practic
blocat.
c) regiunea de satura ie1, pentru UCB > 0 i IE > 0, corespunz toare
func ion rii tranzistorului cu ambele jonc iuni polarizate direct.
Se constat c panta acestor curbe este practic nul , acest lucru semnificnd
independen a curentului de colector de tensiunea de polarizare a jonc iunii C-B, ca
urmare a rezisten ei foarte mari a circuitului de ie ire.
Exist i o a patra regiune, regiunea activ invers , cnd jonc iunea E-B este polarizat invers i
jonc iunea C-B direct, ceea ce echivaleaz cu faptul c emitorul i colectorul i inverseaz rolurile.
Avnd ns n vedere diferen ele constructive dintre cei doi electrozi (emitorul mai puternic dopat,
colectorul cu o suprafa mai mare), nu este recomandat utilizarea tranzistorului n acest regim.
99
c
ni
r
ct
el
Analiznd prin compara ie i figura 4.6.b, care prezint familia de

caracteristici de ie ire IC = f(UCB) la UEB = ct, se vede c rezisten a circuitului de
intrare este mult mai mic dac intrarea este n scurtcircuit(UEB = ct.) dect dac ea
este n gol(IE = ct.).
n figurile 4.6.c i 4.6.d sunt prezentate caracteristicile de intrare, IE = f(UEB)
la IC = ct. i IE = f(UEB) la UCB = ct. Acestea sunt foarte asem toare i relev o
varia ie exponen ial a curentului de emitor n func ie de tensiunea de polarizare a
jonc iunii E-B, ceea ce este firesc (varia ia curentului printr-o jonc iune p-n
polarizat direct este exponen ial ). ntruct curbele sunt foarte apropiate, rezult o
influen foarte slab a tensiunii de ie ire asupra celei de intrare.
ntruct IC practic egal cu IE, este evident c IC = f(UEB) la UCB = ct. va ar ta
la fel cu IE = f(UEB) la UCB = ct., motiv pentru care nu a mai fost reprezentat .
Ultima caracteristic , cea din figura 4.6.e, are, de asemenea, o configura ie foarte
evident , avnd n vedere c este reprezentarea grafic a rela iei 4.14.
n numeroase cazuri, pentru simplificare, se reprezint doar caracteristicile
cele mai importante, pe un singur grafic, n felul urm tor: pe axa absciselor, n sens
pozitiv, se reprezint tensiunea de ie ire, iar n sens negativ curentul de intrare; pe
axa ordonatelor, n sens pozitiv se reprezint curentul de ie ire, iar n sens negativ
tensiunea de intrare. Vom exemplifica acest lucru n cazul configura iei emitor
comun (figura 4.7).
100
c
ni
r
ct
el
Dup cum se vede n aceast figur , n cadranul I este reprezentat

caracteristica de ie ire, n cadranul II caracteristica de transfer n curent, n
cadranul III caracteristica de intrare, iar n cadranul IV caracteristica de reac ie n
tensiune. De remarcat c panta caracteristicii de ie ire este mai mare dect cea
corespunz toare n cazul conexiunii BC, ceea ce semnific faptul c rezisten a de
ie ire este mai mic dect n cazul conexiunii BC.
4.3.
Circuite echivalente statice liniarizate
Dac tensiunile i curen ii prin tranzistor sunt constan i sau foarte lent
variabili (a a-numitul regim static de func ionare), studiul fenomenelor se poate
simplifica prin utilizarea unor modele statice, liniariznd caracteristicile statice.
Astfel, n cazul conexiunii B-C, putem scrie:
0
pentru U EB U D
IE = U EB U D
(4. 18)
pentru U EB U D
Re
unde UD este tensiunea de deschidere a jonc iunii B-E, iar Re este dat de rela ia
aproximativ :
kT 1
Re =
(4. 19)
e IE
Circuitul echivalent ce se ob ine pe baza rela iilor (4.17), valabil numai
pentru regiunea activ , este prezentat n figura 4.8. El cuprinde n circuitul de
intrare rezisten a Re i o diod ideal nseriat cu un generator de tensiune UD, iar
n circuitul de ie ire un generator de curent comandat de IE.
101
c
ni
r
ct
el
Pentru configura ia cu emitor comun, se procedeaz de asemenea la

liniarizarea caracteristicilor de intrare dar aici intervine o alt rezisten . Pentru c
I
IB = E , aceast rezisten are valoarea:
1
kT 1
Rb = ( - 1)Re ; Rb =
(4. 20)
e IB
Circuitul echivalent este valabil n regiunea activ i n cea de t iere, fiind
prezentat n figura 4.9.
4.4.
Polarizarea tranzistorului bipolar; stabilizarea

termic
Func ionarea tranzistorului, ca de altfel a oric rui dispozitiv semiconductor,

este afectat de varia ia temperaturii la care se afl acesta. Acest fapt se manifest
prin modificarea unor m rimi, dintre care cele mai importante sunt curentul
rezidual de colector, ICB0 (ICE0), factorul de amplificare n curent, tensiunea de
deschidere, UD, a jonc iunii B-E.
102
c
ni
r
ct
el
De exemplu, curentul rezidual de colector, ICB0, cre te odat cu cre terea

temperaturii ntr-un ritm destul de rapid, practic el dublndu-se la fiecare cre tere
de 9 10 grade n cazul germaniului, respectiv 5 6 grade n cazul siliciului.
Acesta din urm este totu i preferat n construc ia tranzistoarelor, ntruct, chiar
dac cre terea lui ICB0 cu temperatura este mai rapid , valoarea lui la temperatura
camerei este mult mai mic (~ 109 A) fa de cea pentru germaniu (~ 106 A).
La rndul ei, temperatura de lucru a dispozitivului se poate modifica fie
datorit modific rii condi iilor exterioare, ale mediului ambiant, fie datorit
degaj rii de c ldur ca urmare a efectului caloric produs la trecerea curentului
electric prin jonc iunile acestuia. Ca urmare, un parametru important din punct de
vedere practic este puterea disipat maxim admisibil , dat de rela ia:
Tj max Ta
Pd max =
(4. 21)
Rt
unde Tjmax este temperatura maxim admisibil a jonc iunii B-C1, Ta temperatura
mediului ambiant i Rt rezisten a termic , reprezentnd un parametru de catalog
al tranzistorului respectiv, ce depinde de modelul constructiv al acestuia. Aceast
ultim m rime are n general valori de ordinul 1 50 C/W pentru tranzistoarele
de putere i 100 500 C/W pentru tranzistoarele de mic putere.
Func ionarea tranzistorului n regiunea activ normal este determinat de

a-numitul punct static de func ionare (PSF), avnd coordonatele (IC, UCE) ntrun sistem de axe ortogonale, conform figurii 4.10. Pozi ia sa este limitat n acest
plan de mai multe condi ii restrictive, care determin o arie cuprins ntre zonele
ha urate. Astfel, IC ICmax, UCE UCEmax, iar ICUCE Pd max2.
1
85 C pentru germaniu, 150 200 C pentru siliciu

Curba IC UCE = Pd max se nume te hiperbol de disipa ie
103
c
ni
r
ct
el

n locul perechii de valori (IC, UCE), se mai pot folosi perechile (IC, UCB),
(UCB, UEB) sau (UCE, UBE). Pentru fixarea PSF n regiunea activ normal , se pot
folosi diferite scheme de polarizare a jonc iunilor tranzistorului, dintre care, o
prim variant este cea cu dou surse (figura 4.11).
Pentru stabilirea valorilor corespunz toare func ion rii n regiunea activ
normal , se procedeaz astfel (schema din figura 4.11.a):
E
U EB
E
U EB
IE = EB
; IC = IE + ICB0, IC = EB
+ ICB0.
RE
RE
Rezult :
E EB U EB
UCB = EBC + ICRC = EBC +
+ RCICB0.
RE
n regiunea admis , UCB < 0 (sau UBC > 0), ceea ce impune:
RC
R C I CB0
RC
U EB
E BC
>
1
RE
E EB
E EB
RE
E EB
Analog, se procedeaz i pentru cazul schemei din figura 4.11.b.
Schemele de polarizare cu dou surse se dovedesc n practic incomode,
motiv pentru care, pentru simplificare, se utilizeaz scheme cu o singur surs ,
varianta cea mai simpl fiind cea din figura 4.12 (montaj emitor comun), la care
polarizarea ambelor jonc iuni se face de la aceea i surs .
Pentru analiza circuitului, se utilizeaz caracteristicile statice de ie ire ale
tranzistorului (figura 4.13). Pentru schema respectiv , se poate scrie:
E UCE = ICRC
(4. 22)
E UBE = IBRB
(4. 23)
Aceste ecua ii permit dimensionarea rezisten elor RB i RC.
104
c
ni
r
ct
el
Ecua ia 4.21 reprezint dreapta de sarcin , trasat i n figura 4.13,

intersec ia acesteia cu caracteristica de ie ire corespunz toare unui curent IB dat
fiind punctul static de func ionare M, de coordonate IC, UCEE.
Panta dreptei de sarcin are valoarea 1/RC. La o varia ie a lui UBE, se poate
constata din ecua ia 4.22 c are loc i o varia ie a lui IB i. deci, o deplasare a PSF
pe dreapta de sarcin . Acela i lucru se petrece i la o varia ie a temperaturii. Astfel,
din ecua ia diodei, putem scrie:
IE = Is e
eU BE
kT
1 .
Pe de alt parte, IC = IE + ICB0. De aici, rezult c IC depinde de ICB0, UBE i

, to i ace ti factori fiind, la rndul lor, dependen i de temperatur . Astfel,
105
c
ni
r
ct
el
IC =
IC
I CB0
I CB0
T
IC
U BE
U BE
T
IC
T
Se definesc factorii de sensibilitate la temperatur ai curentului de

colector n raport cu ICB0, UBE i respectiv :
IC
IC
IC
(4. 24)
S1
; S2
; S3
I CB 0
U BE
Este evident c , pentru o bun stabilitate cu temperatura, cei trei factori
trebuie s aib valori ct mai mici. De exemplu, pentru schema din figura 4.12, S1=
+ 1, care este o valoare foarte mare, ceea ce nseamn c montajul are o
instabilitate pronun at la varia ii ale temperaturii, concretizat n faptul c , la o
varia ie dat a lui ICB0, varia ia lui IC este de +1 ori mai mare (tranzistorul i
amplific propriul curent rezidual).
Pentru o stabilizare termic a PSF mai eficient , se utilizeaz una din
schemele prezentate n figurile 4.14 i 4.15.
Pentru schema din figura 4.14, se ob ine:

RB
1 1
RC
S1 =
(4. 25)
RB
1
RC
Alegnd un raport ntre RB i RC cu valoarea 5 10, valoare lui S1 este de
aproximativ 10 ori mai mic dect n cazul precedent, ceea ce arat o stabilitate
termic mai pronun at .
106
c
ni
r
ct
el
Cea mai des folosit schem ( i cea mai eficient din punct de vedere al
termostabiliz rii PSF) este cea din figura 4.15, n care, neglijnd IB fa de curentul
care circul prin divizorul de tensiune R1 R2, se poate exprima poten ialul bazei
ER 2
fa de mas cu expresia: VB =
, de unde se vede c acesta este practic
R1 R 2
independent de ICB0. De asemenea, S1 este dat tot de expresia 4.24, n care RB este
rezisten a echivalent leg rii n paralel a lui R1 cu R2. Prin alegerea convenabil a
acestora se poate ob ine o valoare mic a lui S1 ct i valoarea dorit a tensiunii de
polarizare a jonc iunii B-E. n situa ii deosebite, cnd se cere o stabilitate termic
foarte mare a PSF (de exemplu n montaje care func ioneaz n condi ii de varia ii
mari de temperatur ), se pot utiliza scheme cu compensare termic , a a cum sunt
cele din figura 4.16.
n figura 4.16.a, compensarea termic a curentului ICB0 se face folosind o

diod polarizat invers, conectat ntre baz i mas , aleas astfel nct s aib
curentul invers egal cu ICB0 i aceea i varia ie cu temperatura, ceea ce face ca orice
107
c
ni
r
ct
el
varia ie cu temperatura a curentului rezidual de colector s fie compensat prin

varia ia n sens contrar a curentului invers al diodei. Rezisten a RE stabilizeaz (ca
i n cazul figurii 4.15) PSF fa de varia ia lui
i permite polarizarea invers a
diodei. Schema din figura 4.16.b folose te n locul diodei un termistor, care
realizeaz o compensare mai general , incluznd toate cauzele de instabilitate la
varia ia temperaturii.
n func ie de aplica ia practic n care se utilizeaz tranzistorul, se pot ntlni
i alte scheme (n afara celor prezentate aici) de polarizare a jonc iunilor acestuia
care s asigure o stabilitate a PSF la diver i factori perturbatori. De asemenea, este
evident c analiza prezentat aici pe cteva situa ii mai des ntlnite, se poate
extinde i particulariza i n alte cazuri.
4.5.
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar;

scheme echivalente
a cum s-a ar tat n paragraful 4.2, tranzistorul bipolar poate fi echivalat, n

oricare din modurile de conexiune ale sale cu un cuadripol (vezi figura 4.5). S
consider m c att tensiunea i curentul de intrare, ct i tensiunea i curentul de
ie ire sunt m rimi variabile, avnd amplitudini mici (de unde i expresia semnal
mic). Aceste m rimi variabile, pe care le vom nota cu u1 i i1 la intrare i cu u2 i i2
la ie ire, nu sunt independente ci pot fi exprimate unele fa de altele prin scrierea
teoremelor lui Kirchhoff n cele dou circuite ale cuadripolului (circuitul de intrare
i cel de ie ire) sub forma unor ecua ii de gradul I care con in patru coeficien i care
caracterizeaz func ionarea tranzistorului la semnale variabile de amplitudine
mic . n func ie de m rimile alese ca fiind independente, se pot stabili trei categorii
de parametri mai des utiliza i, a a cum se poate vedea n cele ce urmeaz .
4.5.1.
Ecua iile i schema echivalent cu parametrii Z
n acest caz, ca variabile independente se aleg i1 i i2; atunci,
u1 Z11i1 Z12 i 2
(4. 26)
u 2 Z 21i1 Z 22 i 2
Se constat u or c parametrii Z se pot ob ine din ecua iile 4.25, astfel:
u
u
u
u
Z11 = 1
; Z12 = 1
; Z21 = 2
; Z22 = 2
i1 i 0
i2 i 0
i1 i 0
i2 i 0
2
Se mai poate constata c parametrii Z au natura unor impedan e,

semnifica iile acestora fiind:
Z11 - impedan a de intrare, cu ie irea n gol;
Z12 - impedan a de reac ie, cu intrarea n gol; caracterizeaz influen a
curentului de ie ire asupra tensiunii de intrare;
Z21 - impedan a de transfer, cu ie irea n gol; caracterizeaz influen a
curentului de intrare asupra tensiunii de ie ire;
108
c
ni
r
ct
el
Z22 - impedan a de ie ire, cu intrarea n gol;

Se poate observa c , potrivit rela iilor 4.25, la intrarea cuadripolului,
tensiunea u1 se aplic pe Z11 str tut de i1 n serie cu un generator de tensiune cu
valoarea Z12 i2. La ie ire avem tensiunea u2, aplicat impedan ei Z22 n serie cu un
generator de tensiune cu valoarea Z21 i1. Pe baza acestor observa ii, se poate alc tui
schema echivalent a tranzistorului pentru parametrii Z, ca n figura 4.17.
4.5.2.
Ecua iile i schema echivalent cu parametrii Y
Alegnd ca variabile independente u1 i u2, ecua iile care exprim curen ii
sunt:
i1
Y11 u1 Y12 u 2
i 2 Y21 u 1 Y22 u 2
Parametrii Y se ob in astfel:
i
i
Y11 = 1
; Y12 = 1
u1 u 0
u2
2
(4. 27)
; Y21 =
u1 0
u2
i1
; Y22 =
i2 0
u2
i2
i1 0
Natura lor este cea a inverselor unor impedan e, adic sunt admitan e: Y
1
, [Y]SI = ohm1 = siemens.
Z
Semnifica ia fizic a parametrilor Y este:
Y11 - admitan a de intrare, cu ie irea n scurtcircuit;
Y12 - admitan a de reac ie, cu intrarea n scurtcircuit; caracterizeaz influen a
tensiunii de ie ire asupra curentului de intrare;
Y21 - admitan a de transfer, cu ie irea n scurtcircuit; caracterizeaz influen a
tensiunii de intrare asupra curentului de ie ire;
Y22 - admitan a de ie ire, cu intrarea n scurtcircuit;
Conform rela iilor 4.26, la intrarea schemei echivalente avem dou ramuri,
una con innd o impedan corespunz toare lui Y11 i cealalt un generator de
curent cu valoarea Y12u2, iar la ie ire, de asemenea dou ramuri, una con innd o
impedan corespunz toare lui Y22 i cealalt un generator de curent de valoare
Y21u1. n figura 4.18 este dat schema echivalent a tranzistorului cu parametrii Y.
109
c
ni
r
ct
el
4.5.3.
Ecua iile i schema echivalent cu parametrii hibrizi, h
Unele dezavantaje ale sistemelor prezentate mai sus au impus adoptarea unui
al treilea, folosind parametrii hibrizi (numi i astfel, ntruct natura lor fizic nu este
aceea i pentru to i), n care drept variabile independente se aleg curentul de intrare,
i1 i tensiunea de ie ire, u2. Sistemul de ecua ii ce exprim celelalte dou variabile
este urm torul:
u1 h11i1 h 12 u 2
(4. 28)
i 2 h 21i1 h 22 u 2
Este evident c :
u
u
i
i
h11 = 1
; h12 = 1
; h21 = 2
; h22 = 2
i1 u 0
u2 i 0
i1 u 0
u2 i 0
2
Parametrii hibrizi nu sunt defini i prin acela i tip de condi ie (de scurtcircuit
sau de gol), natura lor fiind i ea diferit . Astfel, semnifica ia lor este urm toarea:
h11 - impedan a de intrare, cu ie irea n scurtcircuit;
h12 - factorul de reac ie n tensiune, cu intrarea n gol; caracterizeaz influen a
tensiunii de ie ire asupra celei de intrare;
h21 - factorul de amplificare (de transfer) n curent, cu ie irea n scurtcircuit;
caracterizeaz influen a curentului de intrare asupra celui de ie ire;
h22 - admitan a de ie ire, cu intrarea n gol;
Schema echivalent a tranzistorului, cu parametrii hibrizi este dat n figura
4.19.
n toate cele trei moduri de descriere i caracterizare a tranzistorului, cei
patru parametri (Z, Y sau h) pot fi defini i n trei variante diferite, dup tipul de
configura ie: cu baza comun , cu emitorul comun sau cu colectorul comun. Dac
se cunosc parametrii de un anumit tip pentru o anumit configura ie, se pot calcula
parametrii i pentru celelalte configura ii. Astfel, ntre parametrii hibrizi defini i
pentru conexiunea cu emitor comun, respectiv cu baz comun , exist rela iile:
h
h
h 22 b
h 21 b
h
h11e = 11 b ; h12e = 11b
; h21e =
; h22e = 12 b
1 h 21 b
1 h 21b
1 h 21 b
1 h 21 b
110
c
ni
r
ct
el
De asemenea, ntre ace ti parametri dinamici i cei statici ai tranzistorului

bipolar, se pot stabili leg turi aproximative. Astfel,
h21b ; h21e
(4. 29)
4.5.4.
Circuitul echivalent natural (Giacoletto)
Un circuit echivalent valabil ntr-un larg domeniu de frecven e i care
reflect mai bine procesele fizice din tranzistor este circuitul echivalent natural
hibrid (Giacoletto).
consider m un tranzistor p-n-p n conexiune emitor comun. Dac peste
tensiunea de polarizare a jonc iunii E-B, UEB, se suprapune o tensiune variabil ,
ueb, tensiunea total va fi: uEB = UEB+ueb, variabil i ea. Acest fapt determin
varia ia curentului de colector, IC, ca urmare a varia iei curentului de difuzie al
purt torilor minoritari prin baz dar i varia ia curentului IB, ca urmare a varia iei
curentului de purt tori injecta i din baz n emitor i a varia iei curentului de
recombinare n baz datorit varia iei num rului de purt tori n exces n zona
neutr a bazei. Curentul de colector este: iC = IC + ic, n care componenta variabil ,
ic, are expresia:
e
iC =
I C ueb = gmueb
(4. 30)
kT
rimea
e
gm =
IC
(4. 31)
kT
se nume te conductan mutual sau transconductan .
Pe de alt parte, componenta variabil a curentului din baz , ib, este dat de:
du
ib = g ube + Cd be
(4. 32)
dt
n care g este conductan a de intrare la semnal mic, dat de rela ia:
g
g = m
(4. 33)
iar Cd este capacitatea de nc rcare a bazei, la semnal mic (cu valori de 5 200 pF
pentru curen i de colector de ordinul a 1 mA)
Rela iile 4.29 i 4.31 permit construirea circuitului echivalent, a a cum este
prezentat n figura 4.20.a. innd cont i de alte procese care au loc n tranzistorul
111
c
ni
r
ct
el

bipolar func ionnd n regim dinamic, cum ar fi varia ia sarcinii electrice stocate n
regiunile de tranzi ie ale jonc iunilor tranzistorului (se introduc capacit ile Cbc =
C i Cbe), c derea de tensiune ntre contactul ohmic al bazei i centrul regiunii
active a bazei (se introduce rezisten a rx), rezult forma final a circuitului
echivalent Giacoletto, din figura 4.20.b, n care s-a notat C = Cd + Cbe.
Acest circuit este valabil pentru toate cele trei configura ii i, n func ie de
domeniul de frecven e n care func ioneaz tranzistorul, el poate fi simplificat, prin
eliminarea unor elemente care pot fi neglijate.
4.6.
Tranzistorul bipolar n regim de comuta ie
Regimul de comuta ie const n procesele care au loc la trecerea brusc a

tranzistorului din starea de blocare n cea de conduc ie i invers. A a cum s-a ar tat
anterior ( 4.2), starea de blocare se ob ine la un tranzistor cnd ambele jonc iuni
sunt polarizate invers, curentul de colector avnd o valoare foarte mic (ICB0), deci
practic neglijabil . Starea de conduc ie se alege n regiunea de satura ie sau la
limita dintre regiunea de satura ie i cea activ normal (a se vedea figura 4.10).
ntruct, n acest caz, tensiunea dintre colector i emitor, UCE, este de maxim
cteva zecimi de volt, practic curentul de colector este egal (pentru conexiunea
emitor comun) cu raportul dintre tensiunea de alimentare i suma rezisten elor de
colector i emitor, fiind deci independent de valoarea curentului prin baz .
consider m un tranzistor p-n-p n conexiune emitor comun, aflat n stare
blocat (figura 4.21.a). Evident, pentru aceasta, E trebuie s aib o valoare
pozitiv . Fie +E1 aceast valoare. La momentul ini ial, t = 0, tensiunea E sufer un
salt brusc de la valoarea +E1 la o valoare negativ , -E2, corespunz toare st rii de
conduc ie. Curentul de baz i cel de colector sufer i ei varia ii, fapt ce se petrece
i la saltul brusc n sens invers, de la -E2 la +E1, a tensiunii E. Reprezentarea
grafic a acestor varia ii este cea din figura 4.21.b. Analiznd varia ia n timp a
curentului de colector, se constat c , de la t = 0 pn la t = td, acesta r mne cu
valoare nul , fapt datorat necesit ii ca primii purt tori injecta i s difuzeze prin
baz i s ajung la colector, ceea ce implic o anumit ntrziere (iner ie).
112
c
ni
r
ct
el
Intervalul de timpul necesar pentru apari ia modific rilor n curentul de

colector, t d, numit timp de ntrziere sau timp de tranzit prin difuzie, este dat de
expresia:
w2
td =
(4. 34)
2DB
unde w este l rgimea bazei i DB coeficientul de difuzie al purt torilor minoritari
n baz .
Curentul de colector ncepe s creasc de la momentul td pn la o valoare
E
maxim sta ionar , ICS, egal (n cazul circuitului analizat) cu C .
RC
Intervalul de timp tc = t1 td, n care curentul de colector cre te de la zero
pn la valoarea maxim sta ionar , ICS1, se nume te timp de cre tere. Acest
interval de timp pentru atingerea curentului de colector corespunz tor este datorat
procesului de desc rcare a capacit ii jonc iunii colector-baz ca urmare a
schimb rii sensului de polarizare a acesteia.
Se define te timpul de comutare direct ca fiind intervalul de timp din
momentul aplic rii comenzii de comutare pn cnd curentul de colector atinge
90% din valoarea maxim sta ionar , ICS. Este evident rela ia:
tcd = td + tc
(4. 35)
Tranzistorul r mne n starea de conduc ie att timp ct E i p streaz
valoarea. Dac la un moment t2 E sufer un salt brusc de la E2 la +E1, curentul din
1
Mai exact, pn la 0,9 (90%) din ICS, valoare la care se poate considera c tranzistorul se g se te n
stare de conduc ie.
113
c
ni
r
ct
el
baz sufer i el un salt brusc, curentul de colector r mnnd ns constant nc un

interval de timp, ts = t3 t2, numit timp de stocare, necesar evacu rii surplusului
de sarcin electric stocat n baz . Dup trecerea acestui interval de timp, curentul
de colector scade la zero1 ntr-un interval de timp t f = t4 t3, numit timp de
sc dere, necesar renc rc rii capacit ii jonc iunii colector-baz .
Timpul scurs de la aplicarea comenzii de comutare invers pn cnd
curentul de colector scade la 0,1 (10%) din valoarea maxim sta ionar , ICS, se
nume te timp de comutare invers :
tci = ts + tf
(4. 36)
Cunoa terea proceselor tranzitorii, ce au loc atunci cnd tranzistorul trece din
stare blocat n stare de conduc ie sau invers, are o mare importan , n mod
special pentru aplica iile acestuia n circuitele logice.
4.7.
Alte dispozitive semiconductoare cu jonc iuni
4.7.1.
Tranzistorul unijonc iune (TUJ)
Tranzistorul unijonc iune este un dispozitiv semiconductor alc tuit conform
figurii 4.22.a, dintr-o zon semiconductoare de tip n (p) i o alta, al turat , cu tip
de conduc ie diferit, p (n), la contactul dintre cele dou zone realizndu-se singura
jonc iune a dispozitivului.
Cei trei electrozi ai acestuia sunt baza 1 (B1), baza 2 (B2) i emitorul (E). n
figura 4.22.b. este dat simbolul tranzistorului unijonc iune, iar n figura 4.22.c,
modul de alimentare al acestuia.
Constructiv, tranzistorul unijonc iune se realizeaz utiliznd, de exemplu, o
bar de siliciu de tip n slab dopat, jonc iunea fiind ob inut prin sudarea, n zona de
mijloc a barei, a unui fir de aluminiu. Atomii acestui metal difuzeaz n siliciu ca
Mai exact, pn la 10% din ICS, valoare la care se poate considera c tranzistorul este deja blocat.
114
c
ni
r
ct
el

impurit i acceptoare, formndu-se, astfel, o zon de tip p, la contactul dintre cele
dou zone ap rnd, evident, o jonc iune p-n.
ntre B1 i B2, bara semiconductoare este omogen . Att timp ct jonc iunea
p-n nu este polarizat , zona dintre cele dou baze se comport (la temperatur
constant ) ca un rezistor liniar. Dac ns jonc iunea este polarizat cu o tensiune
Ve, se produc anumite fenomene, pe care le putem descrie mai u or utiliznd
schema echivalent a tranzistorului unijonc iune, prezentat n figura 4.23.b.
consider m, pentru nceput, c Ve = Vee REIe = 0. Bara de siliciu fiind

omogen , c derea de tensiune (datorat aplic rii tensiunii Vb) ntre baza B1
(considerat legat la mas , adic la poten ial nul) i un punct oarecare P din
interior, este propor ional cu distan a de la acel punct la baza B1 (datorit
distribu iei uniforme a poten ialului).
Dac jonc iunea, considerat punctiform , se g se te la mijlocul distan ei
dintre cele dou baze, Rb1 = Rb2 i c derea de tensiune pe Rb1 este jum tate din Vb.
n general ns , jonc iunea nu se g se te dispus simetric fa de cele dou baze,
astfel nct Rb1 Rb2. Cele dou rezistoare formeaz o punte divizoare de tensiune:
R b1
Vb
R b1
R b1
(4. 37)
R b 2 Vb
Vb
R b1 R b 2 R b
rimea se nume te raport intrinsec i are de obicei valoarea de 0,45
0,60. innd cont de acest fapt, c derea de tensiune pe Rb1, datorat aplic rii
tensiunii Vb ntre cele dou baze este egal cu Vb.
vedem acum ce se ntmpl cnd se aplic i o tensiune Ve, a a cum se
arat n figura 4.22.c. La valori mici ale acesteia, cnd Ve < Vb + Vd, unde Vd este
tensiunea de deschidere a jonc iunii, aceasta este polarizat invers, prin ea trecnd
deci un curent foarte slab, curentul invers de satura ie. Cnd Ve devine cu pu in
mai mare dect Vb + Vd, jonc iunea este polarizat direct, ceea ce determin un
curent direct, de valoare mare (cresc toare odat cu tensiunea de polarizare direct
a jonc iunii). Acest lucru determin o injec ie de goluri n bar , n zona dintre
emitor i B1, fapt ce duce la sc derea rezisten ei R1, ceea ce determin i sc derea
115
c
ni
r
ct
el

tensiunii Vb i cre terea, n consecin , a tensiunii de polarizare a jonc iunii (f
fie nevoie, pentru aceasta, s creasc i Ve), ceea ce duce la cre terea i mai
mare a curentului Ie i la o injec ie mai puternic de goluri n bar , i a a mai
departe. Putem sublinia acest fapt dac scriem:
Ve(descresc toare) = Vee(constant ) REIe(cresc toare).
Aceast cre tere a curentului Ie, concomitent cu sc derea tensiunii de emitor
determin o rezisten dinamic negativ de intrare a dispozitivului, a a cum
rezult i din figura 4.23.a, n care este reprezentat caracteristica de intrare a
tranzistorului unijonc iune. Analiznd aceast caracteristic , se constat
urm toarele: crescnd u or tensiunea Ve (curentul Ie fiind foarte mic), aceasta
trece printr-un maxim, numit tensiune de pic, Vp, apoi scade pn la o valoare
numit tensiune de vale, Vv, ntre aceste dou valori curentul Ie crescnd rapid.
Dac , de la valoarea Vv se cre te din nou tensiunea Ve, curentul Ie cre te n
continuare i el, trecndu-se n regiunea de satura ie. Este evident faptul c , ntre
pic i vale, rezisten a dinamic de intrare a tranzistorului unijonc iune este
negativ .
Practic, Vp
Vb + Vd., iar n vecin tatea punctului de vale Vee REIe, ceea
ce nseamn c Ie este limitat numai de RE.
Tranzistorul unijonc iune este folosit n mai multe aplica ii, cum sunt releele
de timp, circuite pentru comanda tiristoarelor precum i oscilatoare de relaxare,
schema unui astfel de circuit, precum i forma semnalelor generate fiind prezentate
n figura 4.24.
Func ionarea oscilatorului de relaxare are loc astfel: dac ini ial
condensatorul C este desc rcat, el se ncarc cu o constant de timp 1 = RC (R =
100 200 ), att timp ct jonc iunea TUJ este blocat . n momentul cnd
tensiunea uc la bornele condensatorului atinge valoarea Vp, jonc iunea se deschide,
curentul ie cre te rapid i condensatorul C se descarc rapid prin Rb1 i R1 (cu
constanta de timp 2 = (Rb1 + R1)C).
Tensiunea uc descre te, de asemenea rapid, pn la valoarea Vv. n acest
moment, jonc iunea este din nou blocat , condensatorul ncepnd din nou s se
ncarce, fenomenele repetndu-se periodic. Tensiunea de ie ire, us, la bornele
rezistorului R1, este o tensiune n impulsuri, cu o perioad dat de:
116
c
ni
r
ct
el

T = RC ln
Vb
Vb
Vv
Vp
Considernd Vv
(4. 38)
0 i Vp
Vb/2, rezult T
0,7 RC.
4.7.2.
Tiristorul
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor avnd o structur p-n-p-n, a a
cum este prezentat n figura 4.25a, n figura 4.25.b fiind dat simbolul utilizat
pentru acest dispozitiv.
Dup cum se constat , structura cu conduc ie alternant dispune de trei

electrozi, numi i anod - A, catod - K i poart - P. acesta din urm fiind un
electron de comand , care poate lipsi, caz n care dispozitivul se nume te diod
Shockley. Cele patru straturi semiconductoare cu conduc ie alternant au
urm toarele caracteristici:
stratul anod, A, din semiconductor de tip p, cu grosime i dopare medii;
stratul de blocare, C, din semiconductor de tip n, de grosime mic i dopare
slab ;
stratul poart , P, din semiconductor de tip p, de grosime mic i cu dopare
medie;
stratul catod, K, din semiconductor de tip n, sub ire i cu dopare puternic .
Trecnd de la anod spre catod, ntlnim 3 jonc iuni, p-n, n-p i p-n, pe care,
pentru identificare, le vom nota JAC, JCP i respectiv JPK. ntr-o prim aproxima ie,
din punct de vedere al conduc iei, tiristorul poate fi echivalat cu trei diode legate n
serie, dintre care cea din mijloc are sens de conduc ie invers fa de celelalte.
117
c
ni
r
ct
el

urm rim figura 4.26.a. Dac anodul este la un poten ial mai mare dect
cel al catodului, adic uA > 0, se spune c tiristorul este polarizat direct. Dac , n
aceast condi ie, uP = 0, jonc iunea JAC este n stare de conduc ie dar JCP este
blocat . Aplicnd o tensiune direct uA moderat (cteva sute de vol i), curentul iA
mne foarte sc zut. (sub 1 A), el reprezentnd curentul invers al jonc iunii JCP.
Tiristorul r mne deci n stare blocat , rezisten a lui ntre anod i catod
avnd valori de cel pu in 100 M . Dac tensiunea direct cre te, la o anumit
valoare critic , Uam jonc iunea se deschide, c derea de tensiune pe tiristor sc znd
drastic (la valoarea de aproximativ 1 V), rezisten a acestuia fiind i ea de numai
cteva sutimi de ohm. Se spune c tiristorul s-a amorsat, tensiunea Uam la care se
produce acest lucru fiind tensiunea de amorsare la un curent iP = 0. Dup
amorsare curentul iA nu mai este limitat dect de rezisten a circuitului exterior.
Dac se mic oreaz tensiunea direct aplicat , uA, tiristorul r mne amorsat att
timp ct curentul iA se men ine peste o valoare limit , care este curentul de
men inere, Im, cu o valoare de ordinul a cteva zeci de mA. Sub aceast valoare
limit , tiristorul se dezamorseaz i trece n stare blocat , pentru reamorsare fiind
necesar aplicarea unei tensiuni cel pu in egal cu valoarea de amorsare.
La aplicarea unei tensiuni inverse, uA < 0, jonc iunile JAC i JPK fiind
polarizate invers, curentul invers prin tiristor este foarte mic, (sub 1 A), el fiind
de fapt egal cu curentul invers al jonc iunii JAC. Crescnd tensiunea invers , la o
anumit valoare, Us, se produce str pungerea tiristorului, aceast valoare fiind de
fapt determinat de condi ia ca partea din ea ce reprezint c derea de tensiune pe
jonc iunea polarizat invers care are tensiunea de str pungere mai mare s fie egal
cu aceasta.
n concluzie, la polarizare direct , tiristorul prezint dou st ri stabile: starea
blocat , cnd tiristorul se comport ca un ntrerup tor deschis i starea de
conduc ie (sau amorsat ), cnd tiristorul echivaleaz cu un ntrerup tor nchis.
Trecerea de la starea blocat la cea de conduc ie se nume te, a a cum am precizat,
amorsare. Caracteristica iA - uA este prezentat n figura 4.26.b.
consider m acum c pe un tiristor este aplicat o tensiune direct , mai
mic dect tensiunea de amorsare, Uam. tiristorul fiind deci blocat. Dac se aplic i
o tensiune u P pozitiv (poarta la un poten ial mai mare dect catodul, vezi figura
4.26.a), care asigur un curent iP, se constat c amorsarea se produce dac acest
curent are o anumit valoare minim . La iP > 0 (cu valori de zeci de mA),
caracteristica iA uA are acela i aspect calitativ ca n cazul cnd iP = 0, dar
tensiunea de amorsare are o valoare mai mic . Cu ct curentul iP este mai mare, cu
att tensiunea de amorsare este mai sc zut . Dac , dup amorsare curentul iP se
anuleaz , tiristorul r mne amorsat att timp ct curentul iA este mai mare dect Im.
n concluzie, aplicnd pe un tiristor tensiuni de valori normale de
func ionare, la polarizare invers el r mne blocat, pe cnd la polarizare direct el
se poate amorsa, trecnd n stare de conduc ie, n condi iile prezentate mai sus.
Amorsarea tiristorului se poate face prin aplicarea unei tensiuni pe poart , care s
asigure un curent minim iP, ceea ce semnific faptul c trecerea din stare de
118
c
ni
r
ct
el

blocare n stare de conduc ie a acestui dispozitiv se poate comanda prin
intermediul por ii, care este electrodul de comand al tiristorului.
Explicarea fenomenelor care au loc este urm toarea: la iP = 0, la polarizare
direct , jonc iunile JAC i JPK fiind polarizate direct, deci deschise, practic ntreaga
tensiune uA aplicat pe tiristor este aplicat ntre stratul de blocaj i cel al por ii.
Aceasta produce n jonc iunea JCP un cmp electric intens care accelereaz
put torii minoritari (electronii) din stratul por ii, aceast accelerare fiind suficient
(cnd uA = Uam) pentru ca ea s determine str pungerea jonc iunii JCP, cu sc derea
brusc a c derii de tensiune pe aceasta i cre terea concomitent a curentului iA,
ceea ce determin amorsarea tiristorului. Dac se suprim tensiunea de polarizare
direct , recombinarea electronilor genera i la str pungere cu ionii pozitivi ai re elei
determin anularea curentului prin tiristor i reconstituirea jonc iunii JCP. n cazul
n care, pe lng tensiunea de polarizare direct , uA, se aplic i o tensiune
pozitiv , uP, pe poart , curentul de poart (care mai este numit curent de
comand ), iP, determin trecerea electronilor din stratul catodului n stratul por ii
i, ntruct aceasta este sub ire, majoritatea acestor electroni sunt injecta i mai
departe, n stratul de blocaj, sub ac iunea cmpului electric produs n jonc iunea
JCP de c tre tensiunea de polarizare direct , uA. Ace ti electroni fiind n num r mai
mare dect n lipsa curentului iP, este evident c fenomenele de str pungere a
jonc iunii JCP i amorsarea tiristorului se vor produce mai u or, la o tensiune de
amorsare mai mic . Cre terea lui iP determin cre terea num rului de electroni i
amorsarea se va produce la un cmp i o tensiune de amorsare cu valoarea i mai
mic , cre terea num rului de electroni compensnd sc derea energiei lor
individuale, c tate prin accelerare.
O explica ie mai riguroas a fenomenelor poate fi dat dac se echivaleaz
structura tiristorului cu cea a dou tranzistoare, dup cum se poate vedea n figura
4.27.
consider m c facem o sec ionare arbitrar printr-un tiristor, ca n figura

4.27.a, astfel nct se formeaz dou structuri de tip p-n-p (dreapta-sus), respectiv
119
c
ni
r
ct
el

n-p-n (stnga-jos), care pot fi asimilate cu doi tranzistori, a a cum se poate vedea
n figurile 4.27.b i 4.27.c.
Dac pe tiristor se aplic o tensiune uA, adic ntre emitorul primului
tranzistor (T1) i emitorul celui de-al doilea tranzistor (T2), jonc iunea central , JCP
este str tut de trei curen i: un curent de goluri injectate din emitorul
tranzistorului T1 n colectorul acestuia, IC1, un curent de electroni, injectat de
emitorul tranzistorului T2 n colectorul acestuia, IC2 i curentul invers propriu
jonc iunii JCP, polarizat invers, Iso. Acesta poate fi considerat ca fiind suma dintre
curen ii inver i de colector ai celor dou tranzistoare, adic :
Iso = IC01 + IC02
Putem scrie, de asemenea, rela iile:
IE1 = IA ; IK = IE2 ; IK = IA + IP
Atunci, curentul total prin jonc iunea JCP, egal cu curentul IA, este date de:
IA = 1IE1 + 2IE2 + Iso,
unde 1 i 2 sunt factorii de amplificare n curent ai celor dou tranzistoare. Din
rela ia de mai sus, rezult :
I C01 I C02
2 I p I s0
2 Ip
IA =
(4. 39)
1
1
1
2
1
2
Rela ia 4.38 explic comportarea tiristorului i forma caracteristicii acestuia.
Amorsarea se produce cnd IA
, adic atunci cnd numitorul expresiei 4.38
tinde spre zero, deci cnd = 1 + 2
1. Dac 1 + 2 < 1 tiristorul este blocat,
iar dac 1 + 2 > 1 tiristorul este n stare de conduc ie. Aceste condi ii pot fi
ndeplinite la anumite valori ale tensiunii aplicate ntre anod i catod, ntruct 1 i
2 sunt m rimi caracteristice func ion rii celor dou tranzistoare n regim dinamic
(diferi i de factorii statici de amplificare n curent continuu) i fiind deci
dependente de curentul prin tiristor.
Influen a tensiunii aplicate pe poart i deci a curentului iP asupra tensiunii
de amorsare se poate vedea dac , din rela ia 4.39, prin derivare, se scrie:
di a
di p 1
1
2
n condi ia de amorsare, 1 + 2
1, o cre tere mic a lui iP determin o
cre tere infinit a lui iA.
a intra n detalii, este evident din comportarea tiristorului, c acesta
poate fi folosit drept comutator electronic comandat dar i n alte domenii, cum
este cazul redresoarelor comandate i al controlului vitezei de rota ie a unui motor
de curent continuu sau alternativ.
4.7.3.
Triacul i diacul
Problema practic ce poate s apar n anumite cazuri este aceea de a
dispune de un comutator electronic comandat care s permit conduc ia n ambele
sensuri, ceea ce, evident nu este cazul tiristorului. Aceast problem poate fi
120
c
ni
r
ct
el
rezolvat prin utilizarea unui dispozitiv a c rui construc ie rezult din cele ce
urmeaz . A a cum am v zut n paragraful anterior, tiristorul este o structur p-n-pn, care poate fi comandat pentru a trece din stare blocat n stare de conduc ie
(unilateral ) prin intermediul unui curent slab aplicat pe poarta dispozitivului. n
afar de modul de construc ie al tiristorului prezentat n paragraful de mai sus, care
este un tiristor P, acesta se poate construi i n varianta tiristor N, care difer de
prima prin faptul c poarta este fixat pe stratul interior n, vecin cu anodul. n acest
caz, tiristorul poate fi comandat printr-un curent de poart , iP, negativ, func ionarea
dispozitivului explicndu-se n mod analog cu cea din cazul prezentat anterior.
Asociind doi tiristori, unul de tip P, cel lalt de tip N, se poate ob ine o structur
semiconductoare numit triac1, a a cum se arat n figura 4.28, n care se prezint
i simbolul dispozitivului.
n figura 4.28.b este prezentat structura unui triac, n care se vede c mai
apare o zon n, difuzat n zona p ce constituie electrodul 2 (E2), necesar pentru
ca cele dou por i ale celor dou tiristoare de la care s-a pornit s constituie un
singur electrod. n acest fel, prin schimbarea pozi iei por ii tiristorului din dreapta,
prin poart pot fi injecta i att electroni, prin partea din dreapta, ct i goluri, prin
partea din stnga, injec ie ce poate determina trecerea n stare de conduc ie a
triacului ntr-un sens sau n altul. Caracteristica I V a triacului este o
caracteristic simetric , avnd n cadranul I exact aspectul caracteristicii unui
tiristor, form ce se repet , evident cu schimbarea sensurilor, i n cadranul III.
Rezult c un triac se comport exact ca un tiristor, cu singura deosebire c aceast
comportare este valabil n ambele sensuri ale curentului. Rezult deci c triacul
are proprietatea de conduc ie bidirec ional i poate fi comandat s treac n stare
de conduc ie (amorsat) printr-o tensiune de comand aplicat pe poart . Comanda
1
de la expresia TRIode Alternative Current (n limba englez )
121
c
ni
r
ct
el
se poate aplica n patru moduri: normale, cnd impulsul de comand este pozitiv
dac electrodul vecin por ii este polarizat negativ sau cnd impulsul de comand
este negativ dac electrodul vecin por ii este polarizat pozitiv i, respectiv inverse,
n cazul cnd impulsul de comand este pozitiv, ca i polarizarea electrodului vecin
por ii sau cnd impulsul de comand este negativ, ca i polarizarea electrodului
vecin por ii.
Cele mai importante aplica ii ale triacului sunt cele de reglare a intensit ii
efective a unui curent alternativ i n comanda reversibil a motoarelor electrice.
n cazul n care poarta lipse te, amorsarea f cndu-se numai prin cre terea
tensiunii U aplicate ntre electrozii E1 i E2, se ob ine un alt dispozitiv, numit diac1,
folosit n mod special la comanda tiristoarelor i a triacelor.
4.8.
Aplica ii
4.8.1.
Tranzistorul bipolar. Caracteristici statice
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic alc tuit dintr-o structur
alternant de semiconductor cu tip de conduc ie diferit (npn figura 4.29.a sau
pnp figura 4.29.b), formnd dou jonc iuni.
Cele trei zone se numesc emitor (E), baz (B) i colector (C). Placheta de
semiconductor pe care se realizeaz tranzistorul este introdus ntr-o capsul care
poate avea diferite forme (n prezent majoritatea firmelor au standardizat aceste
capsule) din care ies cele trei terminale, E, B i C.
Constructiv, baza are o grosime mult mai mic (~ 1 m) dect lungimea de
difuzie a purt torilor prin jonc iune i este mai slab dopat dect emitorul. Acesta,
ca i colectorul au grosimi mult mai mari dect lungimea de difuzie.
Pentru o func ionare corect , cele dou jonc iuni se polarizeaz astfel:
jonc iunea E-B direct, jonc iunea C-B invers. Nota iile uzuale sunt cele din figura
4.30.
de la expresia DIode Alternative Current (n limba englez )
122
c
ni
r
ct
el
UCE = VC VE = UEC
UCB = VC VB = UBC
UBE = VB VE = UEB
Conform preciz rii anterioare, cnd UBE > 0 i UBC < 0, tranzistorul lucreaz
n regiunea activ , cnd se produce efectul de tranzistor: purt torii majoritari din
emitor, injecta i n baz trec n colector (prin jonc iunea B-C se comport ca
purt tori majoritari) formnd curentul de colector.
IE = IC + IB
(4. 40)
Definim factorul de amplificare n curent n montaj emitor comun, n mod
obi nuit cu valori de 10 1000:
IC
(4. 41)
IB
Circuitul de colector se comport ca un generator de curent, dependent de
curentul IB.
nlocuind n rela ia 4.39 IC = IB, putem scrie:
IC
IE
(4. 42)
IE
Unde
(4. 43)
1
cu valori de ordinul 0,98 0,998, se nume te factor de amplificare n curent n
montaj baz comun .
Ca urmare, n practic se consider c IC IE .
Se poate ob ine astfel, modelul static pentru un tranzistor n regiunea activ
(figura 4.31). Modelul prezentat n figura 4.31 este pentru un tranzistor npn.
Pentru tranzistoarele pnp trebuie inversate sensurile curen ilor i al diodei.
123
c
ni
r
ct
el

Tranzistorul poate fi utilizat ntr-un montaj astfel nct unul din electrozi este
comun circuitelor de intrare i ie ire, rezultnd n acest mod cele trei configura ii:
emitor (EC), baz comun (BC), sau colector comun (C.C.) (figura 4.32).
Conexiunea E.C. este cea mai des ntlnit i modelul static de mai sus este
pentru aceast conexiune.
Caracteristicile statice pentru conexiunea E.C. exprim IC n func ie de UCE
pentru un curent IB constant.
Pe aceste caracteristici, se observ trei zone: la valori mici ale lui UCE (< 0,2
V), IC cre te rapid cu cre terea lui UCE (regiunea de satura ie); la UCE mari (~ 45
V) apare o cre tere brusc a lui IC (regiunea de str pungere n avalan ); ntre
aceste zone exist zona activ , unde se observ o u oar cre tere a lui IC la
cre terea lui UCE.
analiz m urm torul circuit (figura 4.33.a). Se observ c :
EC = ICRC + UCE
(4. 44)
ceea ce reprezint ecua ia dreptei de sarcin .
Punctul static de func ionare (PSF) se afl la intersec ia dreptei de sarcin
cu caracteristica corespunz toare unui curent de baz IB dat .
E B U BE
(4. 45)
IB
RB
Se poate constata c , la o modificare a lui IB, PSF se deplaseaz i el. Se
define te panta dreptei de sarcin :
IC
1
(4. 46)
U CE
RC
124
c
ni
r
ct
el

Scopul lucr rii este trasarea caracteristicilor statistice de ie ire n
conexiunea E.C. pentru un tranzistor de mic putere. n acest scop se folose te o
machet (figura 4.34). Mai sunt necesare:
- dou surse de tensiune c.c., cu tensiunea reglabil n gama 0 20 V;
- un microampermetru;
- un voltmetru.
3. Mod de lucru
- se realizeaz montajul de lucru, prin cuplarea sursei EB ntre bornele AB, a sursei EC ntre bornele G-H, a unui microampermetru ntre bornele
C-D i a unui voltmetru ntre bornele E-F.
- se fixeaz un curent IB = 10 A ; pentru aceasta, se calculeaz tensiunea
EB necesar cu rela ia (4.45), n care UBE UBE0 = 0,6 V, se fixeaz
aceast valoare, dup care se ajusteaz pentru ob inerea curentului IB
exact la valoarea dorit ;
- se aplic tensiuni EC cu valorile: 0,2 V; 0,4 V; 0,6 V; 0,8 V; 1V; 2V;
3V; 4V; 5V; 6V; .... 12V;
- se m soar UCE pentru fiecare valoare a lui EC;
- se calculeaz IC pentru fiecare valoare a lui UCE cu formula (4.44);
- se repet m sur torile pentru un curent IB = 20 A;
- se reprezint grafic cele dou caracteristici i dreapta de sarcin pentru
EC = 7 V;
- se determin grafic PSF pentru cei doi curen i IB;
- se determin
IC i UCE dintre cele dou PSF i se verific rela ia
(4.46);
- se determin
pentru cele dou PSF.
4. ntreb ri
1. Depinde determinat de PSF ?
2. Dac generatorul de curent din modelul static ar fi ideal (rezisten intern
IC
infinit ) ar rezulta o pant nul a caracteristicii:
0 . Ce se constat
U CE
practic ? Ce semnifica ie are acest fapt ?
125
c
ni
r
ct
el
4.8.2.
Tranzistorul bipolar. Parametrii hibrizi
Cel mai des ntlnit caz n aplica iile practice n func ionarea tranzistorului
este cel n regim dinamic, cu semnal aplicat la intrare, de amplitudine mic . n
acest caz, toate caracteristicile dinamice ale tranzistorului pot fi considerate liniare,
acesta putnd fi nlocuit cu un circuit echivalent format numai din elemente liniare.
La frecven e suficient de joase se pot neglija capacit ile interne ale tranzistorului
i iner ia de deplasare a purt torilor, caz n care se ob ine regimul de func ionare n
curent alternativ cu semnal de joas frecven i de amplitudine mic .
Conform celor trei configura ii de conexiune a tranzistorului, acesta poate fi
asimilat cu un cuadripol (figura 4.35).
rimile u1, i1, u2, i2, se pot scrie sub forma unor rela ii (teoremele
Kirchhoff) care sunt ecua ii de gradul I cu patru coeficien i ce reprezint parametrii
de semnal mic ai tranzistorului.
u1 = h11 i1 + h12 u2
(4. 47)
i2 = h21 i1 + h22 u2
(4. 48)
Cei patru parametri se numesc hibrizi ntruct natura lor nu este omogen . Se
observ c :
u1
h11
(ie ire n scurtcircuit)
(4. 49)
i1 u 0
2
h12
h 21
h 22
-
u1
u2
i2
i1
i2
u2
(intrare n gol)
(4. 50)
(ie ire n scurtcircuit)
(4. 51)
(intrare n gol)
(4. 52)
i1 0
u2 0
i1 0
h11 reprezint impedan a de intrare, cu ie irea n scurtcircuit;

h12 reprezint factorul de reac ie n tensiune cu intrarea n gol; este
adimensional;
h21 reprezint factorul de amplificare n curent cu ie irea n scurtcircuit;
este adimensional;
126
c
ni
r
ct
el
h22 reprezint admitan a de ie ire cu intrarea n gol;
1
reprezint
h 22
impedan a de ie ire.
Ace ti parametri se pot defini pentru fiecare mod de conexiune: emitor
comun, baz comun sau colector comun.
Se poate observa c :
h21B
h21E
Analiznd ecua iile n care apar parametrii hibrizi, se observ c prima
ecua ie este o ecua ie de tensiuni (legea a doua a lui Kirchhoff aplicat n circuitul
de intrare) iar a doua, o ecua ie de curen i (legea nti a lui Kirchhoff pe nodul de
re ea din circuitul de ie ire). Considernd cunoscute m rimile i1, u1, i2, u2, se poate
construi schema echivalent , cu parametri hibrizi, a tranzistorului (figura 4.36).

Scopul lucr rii este determinarea parametrilor hibrizi ai tranzistorului n
montaj emitor comun. Se folose te o machet conform figurii 4.37.
Se mai utilizeaz :
- dou surse de c.c.
- generator de semnal sinusoidal cu amplitudinea de c iva vol i v.v.;
- voltmetru electronic;
- osciloscop.
3. Mod de lucru
- se execut montajul i se verific ;
- se fixeaz un PSF pentru: UCE = 5 V i IC = 2 mA;
- tensiunea EC se calculeaz cu rela ia:
127
c
ni
r
ct
el
EC = IC (RC + RE) + UCE

tensiunea se estimeaz (pentru h21E 200) cu epresia:
IC
EB R B
U BE R E I C
h 21E
se regleaz EB n jurul valorii calculate pn se ob ine PSF dorit;
tensiunea UCE se m soar cu un voltmetru electronic;
se aplic la intrare un semnal sinusoidal de ordinul a c iva vol i vrf la
vrf cu frecven a de 1 kHz;
se m soar uCE (cteva zeci de mV);
u CE
se calculeaz iC
;
RC
se m soar uBE (5 10 mV);
uint .
;
se calculeaz i B
Rg
ic
u BE
i h12E i h22E cu rela iile ce
; h11E
iB
iB
i iC n func ie de parametrii hibrizi. Rezultatele se trec
se determin : h 21E
exprim uBE
ntr-un tabel.
4. ntreb ri
1. Conform defini iei, h21E . n practic se constat ns c la IB mici cele
dou m rimi au valori diferite (de exemplu, la BC 171B, h21E = 330, = 290).
De ce ?
2. De ce factori depind parametrii hibrizi ?
3.
se realizeze schema echivalent a montajului utilizat n lucrare.
4.8.3.
Repetorul pe emitor
Schema de baz a unui astfel de circuit este cea din figura 3.38.a, n care, a a
cum se vede, tranzistorul lucreaz n conexiune colector comun, schema
echivalent a circuitului, cu care se poate studia comportarea acestuia la semnal
mic fiind dat n figura 4.38.b.
Se alege un PSF dat de IC i UCE. Pentru asigurarea unei excursii maxime
simetrice a tensiunii de ie ire se alege VE = UCE. Rezult :
EC
VE
RE
VE
IC
RB
EC
U CE
(4. 53)
U BE
VE
IC
128
c
ni
r
ct
el
Amplificarea n tensiune a montajului este:

ue
1 h 21E R E
h 21E R E
Au
u i h11E 1 h 21E R E h11E h 21E R E
(4. 54)
Practic, circuitul repet la ie ire varia iile tensiunii de intrare, att ca

amplitudine ct i ca faz , n condi ia n care reactan ele condensatoarelor din
circuit sunt neglijabile. Rezisten a de intrare Ri, n baza tranzistorului, este:
R E Rs
(4. 55)
R i h 21E
RE Rs
Rezisten a de ie ire cu intrarea n scurtcircuit se calculez conform schemei
echivalente:
u*
Re
i * eg 0
Dar
unde R G
u* R E i B h 21E
Rg RB
.
Rg R B
i * ; iB
u * RG
h11E ,
Atunci,
R G h 21E
h 21E
(4. 56)
Re
R G h 21E
RE
h 21E
Se observ c rezisten a de ie ire are o valoare mic , n timp ce cea de intrare
are o valoare mare. Apare astfel evident calitatea circuitului, aceea de adaptor de
impedan e pentru un transfer maxim de tensiune.
Considernd un astfel de circuit interpus ntre un etaj de amplificare cu
rezisten de ie ire mare, A1 i un altul cu rezisten de ie ire mic , A2, schema
echivalent este cea din figura 4.39.
RE
129
c
ni
r
ct
el
Considernd Rg = 1 k
i RS = 100 , rezult : Ri = 100 k
Atunci,
ue
RS
Ri
0,67
eg R e R S R i R g
In lipsa repetorului, rezult :
ue
RS
0,09
eg R g R S
i Re
35
(4. 57)
(4. 58)
Scopul lucr rii este studiul comport rii repetorului pe emitor i verificarea
rezultatelor teoretice. Montajul eperimental este realizat pe o machet , conform
figurii 4.40.
Mai sunt necesare:
- surs de c.c.;
- generator de semnal sinusoidal (1 5 kHz);
- osciloscop;
- voltmetru electronic.
3. Mod de lucru
- se realizeaz montajul din figura 4.40, aplicnd tensiunea EC =
10 V i un semnal sinusoidal (1 5 kHz) ntre borna A i mas ;
- se variaz RB pn cnd VE 5 V, ceea ce asigur un PSF n
mijlocul regiunii active;
130
c
ni
r
ct
el

-
se vizualizeaz pe osciloscop ui i ue i se determin

amplificarea montajului, pentru mai multe frecven e;
se verific dac ui i ue sunt n faz cu ajutorul osciloscopului;
se aplic semnalul de intrare la borna B, caz n care rezisten a
intern a generatorului se neglijeaz ;
se m soar cu osciloscopul eg i ui i se determin Ri, utiliznd
formula:
eg
Ri R g
1
ui
se repet determinarea lui Ri conectnd la ie ire RS (se leag
borna D la mas ). Dac la conectarea lui RS apare o limitare a
semnalului la ie ire, se reduce ui pn cnd ue este sinusoidal;
se calculeaz Re cu formula:
ui
Re RS
1
u*
surnd pentru aceasta u*.
4. ntreb ri
1. Cum se pot justifica rela iile de mai sus, pentru calcularea lui RI i Re ?
2. De ce, prin introducerea lui RS, este posibil apari ia unei limit ri a semnalului
de ie ire ?
4.8.4.
Tiristorul
Tiristorul este o structur semiconductoare care se utilizeaz n mod special
ca dispozitiv de comutare la curen i mari, de pn la cteva sute de amperi.
Structura unui astfel de dispozitiv este alc tuit din patru straturi alternative
semiconductoare de tip p, respectiv n, a a cum este prezentat n figura 4.41.a. n
figura 4.41.b este prezentat simbolul utilizat n circuite. Cele trei terminale ale
tiristorului sunt: anodul (A), catodul (C) i poarta (P). Dispozitivul conduce numai
ntr-un singur sens, de la anod la catod i poate comuta din starea blocat n cea de
conduc ie prin aplicarea unui puls pozitiv pe poart .
Caracteristica curent-tensiune a unui tiristor este prezentat n figura 4.2. n

sens direct, aceasta prezint trei regiuni: regiunea 1 corespunde st rii blocate, de
131
c
ni
r
ct
el

impedan mare, regiunea 2 este regiunea de rezisten negativ iar regiunea 3 este
regiunea de impedan mic , corespunz toare st rii de conduc ie.
Dac tiristorul este polarizat direct, el poate comuta din starea blocat n cea
de conduc ie i invers, func ionnd ca un ntrerup tor. n punctul A de pe
caracteristica I-V, se definesc tensiunea de comutare (amorsare), Va i curentul de
comutare, IC, iar n punctul B, tensiunea de sus inere (men inere), VS i curentul
de sus inere, IS = IC. n sens invers, tiristorul se comport ca o jonc iune obi nuit ,
polarizat invers, caracteristica ar tnd n mod corespunz tor: o regiune de
blocare, 4, caracterizat de curen i inver i practic neglijabili i o regiune de
str pungere, 5, c reia i corespunde tensiunea de str pungere, Vst.
Analiznd mai n detaliu comportarea tiristorului, se poate constata c ,
aplicnd o tensiune direct , V > 0, moderat (cteva sute de vol i), curentul I
mne foarte sc zut (sub 1 A), el reprezentnd curentul invers al jonc iunii
catod-poart . Tiristorul r mne deci n stare blocat , rezisten a lui ntre anod i
catod avnd valori de cel pu in 100 M . Dac tensiunea direct cre te, la o
anumit valoare critic , Va, tiristorul se deschide, c derea de tensiune pe acesta
sc znd drastic (la valoarea de aproximativ 1V), rezisten a acestuia fiind i ea de
numai cteva sutimi de ohm. Se spune c tiristorul s-a amorsat (a comutat din
starea blocat n cea de conduc ie), tensiunea Va la care se produce acest lucru
fiind tensiunea de amorsare la un curent de poart , IP nul. Dup amorsare, curentul
I nu mai este limitat dect de rezisten a circuitului exterior. Dac se mic oreaz
tensiunea direct aplicat , V, tiristorul r mne amorsat att timp ct curentul I se
men ine peste o valoare limit , care este curentul de sus inere (men inere), Is, cu o
valoare de ordinul a cteva zeci de mA. Sub aceast valoare limit , tiristorul se
dezamorseaz i trece n stare blocat , pentru reamorsare fiind necesar aplicarea
unei tensiuni cel pu in egale cu valoarea de amorsare.
La aplicarea unei tensiuni inverse, V < 0, curentul invers prin tiristor este
foarte mic, (sub un A). Crescnd tensiunea invers , la o anumit valoare, Vst, se
produce str pungerea tiristorului.
n concluzie, la polarizare direct , tiristorul prezint dou st ri stabile: starea
blocat , c nd tiristorul se comport ca un ntrerup tor deschis i starea de
conduc ie (sau amorsat ), cnd tiristorul echivaleaz cu un ntrerup tor nchis.
Trecerea de la starea blocat la cea de conduc ie se nume te, a a cum am precizat,
amorsare.
132
c
ni
r
ct
el

Scopul lucr rii este studiul func ion rii tiristorului, trasarea caracteristicii
curent-teniune a acestuia i determinarea unor parametri. Pentru ridicarea punct cu
punct a caracteristicii I-V, se folose te o machet care, mpreun cu alte elemente
necesare, permite construc ia montajului din figura 4.43.
Mai sunt necesare:

- 2 miliampermetre;
- 1 voltmetru (n locul celor trei instrumente se pot folosi trei multimetre);
- dou surse de tensiune continu reglabil , EA i EG.
Aceea i caracteristic poate fi ob inut i prin vizualizarea pe osciloscop,
folosind montajul din figura 4.44 i un osciloscop.
La montajul din figura 4.44 tensiunea pe rezisten a de 10 , propor ional
cu I, se aplic pe pl cile de deflexie vertical iar tensiunea pe tiristor, V, se aplic
pe pl cile de deflexie orizontal .
Dac tensiunea de alimentare este alternativ , de forma:

E = E0 sin t
133
c
ni
r
ct
el

reprezentat n figura 4.45.a, m rimile I, V i VG au forma din figura 4.45.b,
4.45.c, respectiv 4.45.d.
Din figura 4.45.b se observ c I apare la un anumit moment de timp, t,

rimea corespunz toare, t = numindu-se unghi de deschidere. Acesta este
unghiul pentru care este valabil rela ia:
E0 sin = Va
(4. 59)
unde Va este tensiunea de comutare (amorsare). Pentru aceast valoare a
momentului de timp, tensiunea V scade la valoarea de sus inere, VS. Starea de
conduc ie a tiristorului se realizeaz ntre momentele de timp corespunz toare
unghiurilor
i , timpul de conduc ie fiind dat de expresia:
T
tc
(4. 60)
2
unde T este perioada tensiunii alternative.
Tensiunea pe poart n circuitul din figura 4.44 este:
R2
(4. 61)
VG
E
R1 R 2
Comutarea se produce cnd VG =VGp, unde VGp este tensiunea de poart de
prag, adic tensiunea de poart minim la care se produce comutarea.
Curentul anodic maxim este dat de rela ia:
E 0 Va
(4. 62)
Ip
Rs R3
Curentul de poart minim, IGp, se calculeaz cu rela ia:
VG VGc
(4. 63)
I Gp
RG
unde VGc este tensiunea de poart n timpul ct tiristorul este n stare de conduc ie.
Curentul mediu redresat este dat de rela ia:
134
c
ni
r
ct
el
I
Iap
1
2
sin t d
1 cos
2
(4. 64)
Pentru determinarea tensiunii minime de poart i a curentului de poart

minim se folose te montajul din figura 4.46 iar pentru determinarea tensiunii de
comutare se folose te montajul din figura 4.47, cu care se poate determina i
tensiunea de str pungere la polarizarea invers a tiristorului.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicii curent-tensiune a tiristorului, se folose te
montajul din figura 4.43. Se parcurg urm toarele etape:
se verific montajul realizat pe machet , identificndu-se
elementele acestuia i conexiunile;
se leag n circuit instrumetele de m sur (un voltmetru de
curent continuu i dou miliampermetre de curent continuu) precum i dou
surse de tensiune continu , reglabile (se pot folosi surse de tensiune fixe,
cuplate la un montaj poten iometric);
se alimenteaz montajul de la cele dou surse de tensiune
variabil , EA i EG;
se asigur un curent de poart IG = 0,5 mA i, pentru diferite
valori V, se m soar I;
rezultatele se trec ntr-un tabel de forma urm toare:
I (mA)
V (V)
-
cu valorile din tabelul de mai sus, se traseaz graficul I = f(V).

Se vor alege tensiuni V ntre 0 i 50 V, lund valori ct mai dese n
intervalul 0 10 V;
din graficul ob inut, se determin tensiunea de comutare, Va;
utiliznd montajul din figura 4.44, se vizualizeaz caracteristica
tiristorului i se compar cu cea trasat punct cu punct;
135
c
ni
r
ct
el
utiliznd montajul din figura 4.46, se determin tensiunea de

comutare, Va, la polarizare direct i tensiunea de str pungere, Vst, la
polarizare invers . Pentru aceasta, se procedeaz astfel:
se trece comutatorul K n pozi ia 1 i, prin vizualizare pe
osciloscop, se determin Va;
se trece comutatorul pe pozi ia 2 i, prin vizualizare pe
osciloscop, se determin Vst;
utiliznd montajul din figura 4.47, se determin tensiunea de
poart minim , m surndu-se tensiunea de poart pentru care tiristorul
comut , cu voltmetrul V, la o tensiune EG = 0 30 V;
se determin apoi curentul de poart minim cu comutatorul n

pozi ia 1, m surnd acest curent cu microampermetrul;
se compar valoarea Va, determinat anterior, cu cea rezultat
din grafic.
4. ntreb ri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicii I-V a tiristorului trasat
punct cu punct cu cea ob inut prin vizualizarea pe osciloscop ?
2. Corespund valorile Va, Vst determinate pe grafic cu cele m surate direct ?
3.
se explice func ionarea montajelor din figurile 4.44, 4.46 i 4.47.
136
c
ni
r
ct
el
CAPITOLUL V
5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

5.1.
Tranzistorul cu poart (gril ) jonc iune (TEC-J)
5.1.1.
Construc ia TEC-J
Tranzistoarele cu efect de cmp sunt tranzistoare unipolare (func ionarea lor
este determinat de un singur tip de purt tori - cei majoritari) i sunt de dou feluri,
dintre care primul este descris n acest paragraf. Structura i simbolul folosit n
schemele electronice pentru tranzistorul cu poart jonc iune (TEC-J1) sunt
prezentate n figura 5.1.
Dup cum se poate constata, sunt dou variante constructive, cu canal n

(figura 5.1.a) i cu canal p (figura 5.1.b), ambele fiind construite pe un cristal
semiconductor (de tip n, respectiv p), la capetele c ruia se afl contactele la cei doi
electrozi numi i surs - S i dren - D i ntre care se formeaz un canal. Cel de-al
treilea electrod este grila (poarta) - G, format , a a cum se vede n figura 5.1, pe
un substrat semiconductor cu tip de conduc ie diferit de cel al stratului n care s-a
realizat canalul, ceea ce nseamn c ntre gril i canal se formeaz o jonc iune pn. Grila este puternic dopat , n timp ce sursa i drena sunt mai slab dopate.
Tranzistoarele cu efect de cmp mai sunt cunoscute i sub numele de FET-uri (de la "Field Effect
Transistor", n limba englez ). n cazul TEC-J ele se noteaz J-FET, iar n cazul TEC-MOS, se
noteaz MOS-FET.
137
c
ni
r
ct
el

5.1.2.
Func ionarea TEC-J
Fenomenul principal care se petrece ntr-un TEC-J este deplasarea
purt torilor majoritari de la surs spre dren prin canal, a c rui l rgime se poate
modifica prin tensiunea aplicat pe poart , dispozitivul comportndu-se ca o
rezisten comandat prin aceast tensiune.
Pentru a n elege mai bine func ionarea TEC-J, s reamintim cteva lucruri.
Am v zut c atunci cnd o jonc iune p-n este polarizat invers (poten ialul zonei p
este mai mic dect cel al zonei n), regiunea s cit n purt tori (regiunea de
sarcin spa ial , stratul de baraj) se l rge te. L rgirea este cu att mai mare cu ct
tensiunea de polarizare invers este mai mare (n valoare absolut ).
De asemenea, se poate constata c , dac doparea este foarte diferit ntre cele
dou zone (de exemplu, N A >> ND), regiunea de sarcin spa ial este mult mai
extins n zona slab dopat (zona n, n exemplul nostru) dect n cea puternic
dopat .
consider m un TEC-J cu canal n la care doparea este foarte puternic n
regiunea grilei i slab n canal, ceea ce face ca jonc iunea ce apare ntre gril i
canal s prezinte o regiune de sarcin spa ial extins practic numai n canal.
A. Consider m mai nti situa ia n care poten ialul por ii este nul, VGS = 0.
n aceast situa ie, s analiz m ce se ntmpl cnd, ntre dren i surs , se aplic o
tensiune VDS > 0, cresc toare. La valori mici ale acestei tensiuni, apare un curent
ID, propor ional cu VDS, situa ie n care tranzistorul se comport ca o rezisten
constant . Crescnd valoarea tensiunii VDS, se produce urm torul fenomen:
diferen a de poten ial dintre canal i gril este mai mare n vecin tatea drenei i
mai mic n vecin tatea sursei (ca urmare a distribu iei poten ialului de-a lungul
canalului). Ca urmare, tensiunea de polarizare a jonc iunii formate ntre gril i
canal este mai mic n vecin tatea sursei i mai mare n vecin tatea drenei, ceea ce
impune i faptul c regiunea de sarcin spa ial din canal este mai larg n
vecin tatea drenei i mai ngust n vecin tatea sursei. Cu alte cuvinte, canalul se
ngusteaz n apropierea drenei (figura 5.2), ceea ce nseamn cre terea rezisten ei
sale.
138
c
ni
r
ct
el

Ca urmare, cre terea curentului ID odat cu cre terea tensiunii VDS se face
din ce n ce mai lent, pn cnd, la un moment dat, pentru o valoare Vp, numit
tensiune de prag, canalul se nchide complet. De i acest lucru s-ar putea interpreta
ca o reducere la zero a curentului prin canal, n realitate acest lucru nu se ntmpl ,
datorit unor fenomene pe care le putem descrie simplificat i pe scurt, astfel: cnd
canalul se ngusteaz , densitatea de curent n zona n care acesta este foarte ngust
cre te dar, logic, aceast cre tere nu poate avea loc la infinit, astfel nct curentul
ID cap
o valoare constant , de satura ie, IDs. Varia ia ID = f(VDS) este dat n
figura 5.3.
B. S consider m acum situa ia n care ntre gril i surs se aplic o tensiune

VGS < 0.
Dac VDS = 0, l rgimea canalului este constant pe toat lungimea lui, dar
mai mic dect n cazul cnd VGS = 0. La cre terea tensiunii VDS, se vor produce
acelea i fenomene ca n situa ia analizat mai sus, caracteristica ID = f(VDS) avnd
aceea i form (calitativ) ca n cazul anterior, dar curentul de satura ie va avea o
valoare mai mic (a se vedea tot figura 5.3).
Cu ct VGS este mai mare (n valoare absolut ), cu att curentul de dren de
satura ie, IDs, este mai mic, astfel nct, pentru o anumit tensiune VGS = Vp,
numit tensiune de prag (de nchidere), curentul IDs se anuleaz .
Rezult astfel c , prin poten ialul aplicat pe gril , se poate controla l rgimea
canalului, tranzistorul comportndu-se ca o rezisten comandat n tensiune.
Putem face un studiu simplificat, astfel: pentru tensiuni VDS < Vp, poten ialul
sursei este VDS, iar cel al drenei este VDS + VGS. Este evident c , n acest caz,
obturarea canalului i saturarea lui ID se ob in cnd:
VGS + VDS = Vp
(5. 1)
consider m c n canalul tranzistorului, de lungime L, purt torii mobili au
o sarcin electric total Q. Deplasarea acestora ntre surs i dren , care are loc n
timpul , numit timp de tranzit, determin curentul de dren :
C
C
ID = VDS = Vp VGS ,
139
c
ni
r
ct
el

unde C este capacitatea jonc iunii create ntre poart i canal.
Dar tensiunea VGS nu este uniform distribuit de-a lungul canalului ci cre te
de la VGS la surs , la VGS + VDS la dren .
1
Lund o valoare medie, egal cu VGS + VDS, curentul de dren are
2
expresia:
C
1
VDS
Vp VGS
(5. 2)
ID =
2
Se poate determina timpul de tranzit din rela ia:
VDS
L
v= = E=
,
L
unde E este intensitatea cmpului electric creat ntre surs i dren ce determin
deplasarea purt torilor n canal cu viteza de drift v.
Din rela ia de mai sus rezult :
L2
=
(5. 3)
VDS
nlocuind rela ia 5.3 n 5.2, ob inem:
C
1 2
(5. 4)
VDS
ID = 2 Vp VDS VGS VDS
L
2
La satura ie, cnd VGS + VDS = Vp, rela ia 5.4 devine:
2
C
ID = 2 Vp
L
VGS
I DS0
VGS
1
Vp
(5. 5)
Rela ia de mai sus este o rela ie aproximativ , ob inut

simplificatoare c tensiunea cre te liniar de-a lungul canalului.
n situa ia
Un studiu mai detaliat se poate face dup cum urmeaz , n condi ia n care
facem urm toarele presupuneri ini iale:
- concentra ia de impurit i donoare, ND este constant n canal
- zona de sarcin spa ial se ntinde numai n zona n (n canal)
- n regiunea de sarcin spa ial , poten ialul nu depinde dect de coordonata
y (figura 5.4.a)
140
c
ni
r
ct
el

- considernd sec iunea canalului de form dreptunghiular , l imea
canalului este egal cu unitatea, n imea lui este 2H i lungimea L.
Fie h, grosimea regiunii de sarcin spa ial n punctul de abscis x. Cum V
q
d2V q
nu depinde dect de y, ecua ia Poisson, V = , se scrie:
care, prin
dy 2
dV q
integrare, d
y ct. n aceast rela ie, Q reprezint densitatea de sarcin
dy
electric n canal, q = eND. Pentru determinarea constantei de integrare, inem cont
la y = 0 avem o zon de poten ial constant (ntruct nu exist sarcin spa ial ),
dV
deci
) 0, ceea ce ne conduce la rela ia:
dy y 0
dV q
y
(5. 6)
dy
Integrnd a doua oar ntre limitele y = 0 i y = h, rezult :
1q 2
V(h) V(0) =
h
(5. 7)
2
Poten ialul V(h) este cel al punctului A, iar V(0) al punctului B, din figura
5.4 a. Considernd poten ialul sursei egal cu zero, atunci V(h) este diferen a de
poten ial ntre A i S, iar V(0) diferen a de poten ial ntre B i S, adic diferen a de
poten ial ntre gril i surs , VGS.
Pentru c VGS este negativ, vom nota VGS = VGS . Putem scrie, deci:
1q 2
V(h) =
h VGS
(5. 8)
2
Dac not m n mobilitatea electronilor n canal i ID curentul n punctul de
dV
abscis x, putem scrie: ID = nq
2 H h , de unde,
dx
ID
ID
dV
1
1
(5. 9)
h
dx
2 nq H h
2 n qH
1
H
Din rela ia 5.8 exprim m
2
h=
V VGS ,
q
de unde:
dV
1
1
dx 2 n qH
2
1
V VGS
qH 2
i, prin integrare:
141
c
ni
r
ct
el
3
2 2
I Dx
2
V
V
ct.
GS
2
3 qH
2 n qH
Pentru determinarea constantei de integrare, inem cont c :
la x = 0, V = VDS, deci:
3
2 2
2
VDS
V
V
ct.
DS
GS
3 qH 2
la x = L, V = 0, deci:
3
2 2
IDL
2
V
ct
GS
2
3 qH
2 n qH
Rezult :
3
3
LI D
2 2
2
2
VDS
V
V
V
DS
GS
GS
2 n qH
3 qH 2
Pentru VGS = 0, rela ia de mai sus devine:
3
LI D
2 2
VDS
VDS 2
2
2 n qH
3 qH
Din derivarea ei, se poate ob ine maximul curbei ID = f(VDS).
dI D
dVDS
2 n qH
1
L
2
qH 2
VDS
(5. 10)
(5. 11)
(5. 12)
(5. 13)
(5. 14)
1
2
Curba ID = f(VDS) pentru VGS = 0 prezint un maxim (adic ID cap

valoarea de satura ie maxim , IDSmax) la:
qH 2
VDS = Vp =
(5. 15)
2
Valoarea curentului de satura ie maxim,IDSmax, este:
2 n qH qH 2
IDsmax =
L
2
2 2
qH 2
3 qH 2 2
3
2
2 n qH Vp
L
3
Rela ia 5.13 se scrie, n aceste condi ii, sub forma:

3
3
Vp I D
2 1
VGS 2 VDS VGS 2
VDS
3 I Ds max
3 Vp
(5. 16)
(5. 17)
sau
ID
I Ds max
V
3 DS
Vp
VGS
Vp
3
2
VDS
Vp
142
VGS
Vp
3
2
(5. 18)
c
ni
r
ct
el
5.1.3.
Caracteristicile TEC-J
Pentru a u ura discu iile, n rela ia 5.17 vom face nlocuirile:
I
V
V
z = D ; x = DS ; y = GS
I Ds max
Vp
Vp
Cu aceste nlocuiri, rela ia respectiv devine:
3
y ) 3x + 2 y 2 2(y + x) 2
A. ID = f VDS VGS ct . . Studiem func ia z = f(x) cu y parametru constant.
Tensiunea de prag se ob ine cnd derivata acestei func ii se anuleaz , adic
dz
= 0. Acest lucru nseamn :
dx
1
y = 1 x, zp = 2 + 3x + 2(1 x) 2 .
33 y x=0
Putem scrie deci:
ID
2 3
I Ds max
VDS
Vp
2 1
VDS
Vp
3
2
(5. 19)
Rela ia de mai sus exprim varia ia curentului de satura ie, IDs, n func ie de
VDS (curba punctat din figura 5.5)
Pentru valori mici ale lui VDS, caracteristicile sunt practic rectilinii:
y = 3x + 2z
ID
I Ds max
3
2
2z
3 1
3
2
x
1
y
VGS
Vp
3
2
3x +2y 2 2y 2 + ... + 1
VDS
Vp
3
3x
= 3x 1 y 2
2y
(5. 20)
143
c
ni
r
ct
el
VDS
ID
Vp
I Ds max
(5. 21)
VGS
3 1
Vp
Vp
, putem considera TEC-J ca un rezistor de rezisten

3I Ds max
dependent de VGS, conform rela iei:
r0
r)
(5. 22)
VGS
1
Vp
Punnd r0 )
B. IDs = f VGS
VDS ct .
r,
. IDs se ob ine cnd x = 1 y, de unde:

3
zs = 3(1 y) + 2y 2 2 = 1 3y + 2y 2
ID
I Ds max
1 3
VGS
Vp
VGS
3
2
(5. 23)
Vp
Curba ce reprezint rela ia de mai sus este cea din cadranul al II-lea din
figura 5.5. Se poate constata din aceasta c IDs = 0 cnd VGS = Vp
Utiliznd aceea i metod de trasare a caracteristicilor ca cea de la figura 4.7,
se ob in toate caracteristicile unui TEC-J, a a cum se poate vedea n figura 5.6.
Analiznd aceste caracteristici, se pot extrage cteva observa ii:

144
c
ni
r
ct
el
din caracteristicile de ie ire (cadranul I), rezult c TEC-J func ioneaz ca o

rezisten (variabil liniar) comandat n tensiune la tensiuni VDS < Vp (canalul
deschis) i respectiv ca un dispozitiv cu curent constant (canal nchis) la V DS >
Vp.
din caracteristica de transfer (cadranul II) rezult c se poate face o analogie
foarte bun ntre comportarea TEC-J (la VGS < 0) i cea a unei triode.
caracteristica de intrare (cadranul III) relev un curent IG foarte mic (~1010A)
ca urmare a polariz rii inverse a jonc iunii dintre gril i canal.
caracteristica de reac ie (cadranul IV) relev o influen neglijabil a tensiune
de ie ire, VDS, asupra curentului de intrare.
5.2.
Tranzistorul cu poart (gril ) izolat (TEC-MOS)
Acest tip de tranzistor este construit pe baza unei structuri metal-oxidsemiconductor1, n dou variante: cu canal ini ial i cu canal indus, care poate fi, la
rndul lui, de tip p sau n. Modul de construc ie i simbolul folosit n schemele
electronice pentru TEC-MOS cu canal indus sunt prezentate n figura 5.6, iar cele
pentru TEC-MOS cu canal ini ial n figura 5.7.
Dup cum rezult din figura 5.6, construc ia TEC-MOS cu canal indus este
urm toarea: pe un substrat semiconductor de tip n (figura 5.6.a), respectiv de tip p
(figura 5.6.b) se creeaz prin difuzie dou regiuni de tip p (figura 5.7.a), respectiv
n (figura 5.7.b), la o distan L = 5 50 m una de alta, regiuni care formeaz una
sursa, cealalt drena. Zona substratului fiind slab dopat , cele dou jonc iuni ce se
formeaz ntre surs i substrat i ntre dren i substrat joac un rol nensemnat
(ceea ce nu se ntmpl n cazul TEC-J). Pe fa a superioar a substratului ntre
1
De la ini ialele acestor trei cuvinte provine i denumirea: MOS
145
c
ni
r
ct
el

surs i dren se depune un strat de SiO2, care este un foarte bun izolator, iar peste
acesta un electrod metalic - poarta (grila). La cei trei electrozi (surs , dren i
gril ) se mai adaug nc unul - baza, reprezentat de stratul metalic depus pe
substrat i care, de regul , se leag la surs .
n mod asem tor este realizat i TEC-MOS cu canal ini ial (figura 5.7),
deosebirea constnd n faptul c , dac la TEC-MOS cu canal indus regiunea sursei
este complet separat de cea a drenei, la TEC-MOS cu canal ini ial se realizeaz de
la bun nceput un canal de conduc ie cu acela i tip de conduc ie ca cel al sursei. n
ambele cazuri, stratul izolator de SiO2 are grosimi de ordinul 500 2000 Prin
poten ialul aplicat pe poart , se poate controla sarcina spa ial mobil dintre surs
i dren i deci curentul dintre ace ti doi electrozi.
consider m un TEC-MOS cu canal ini ial de tip n; ntre drena i sursa

acestuia se aplic o tensiune VDS, de valoare mic . Pentru o tensiune VGS nul ,
dispozitivul func ioneaz ca un TEC-J, curentul de dren , ID, fiind cresc tor odat
cu cre terea lui VDS, pn la atingerea satura iei. Dac pe gril se aplic o tensiune
pozitiv , VGS, n canal vor fi atra i mai mul i purt tori (electroni, n acest caz) din
substrat, astfel c (n condi ia c VDS este constant i mai mic dect Vp) ID cre te la
cre terea lui VGS. La tensiuni VGS negative, efectul este invers, curentul ID scade la
cre terea n valoare absolut a lui VGS, ceea ce ne permite s tragem concluzia c
TEC-MOS func ioneaz , ca i TEC-J, ca o rezisten comandat prin tensiunea
VGS, aplicat por ii. Rela iile deduse pentru TEC-J sunt, ca urmare, valabile i
pentru TEC-MOS, cu singura deosebire c acesta din urm poate func iona i la
tensiuni UGS pozitive, ceea ce nu este cazul la TEC-J.
Caracteristicile TEC-MOS sunt i ele asem toare cu cele ale TEC-J,
deosebirea esen ial constatndu-se numai la caracteristica de transfer, ID = f(VGS),
care este prezentat n figura 5.8. n plus, se mai constat i unele deosebiri
146
c
ni
r
ct
el
cantitative, n ceea ce prive te curentul IG foarte mic (~ 1012 A) i rezisten a de

intrare foarte mare (1010 1013 ), datorit stratului foarte bun izolator.
La TEC-MOS cu canal indus, func ionarea se datoreaz fenomenelor de

suprafa care au loc la interfa a oxid-semiconductor unde, ca urmare a ntreruperii
re elei, atomii de semiconductor din aceste zone se comport ca ni te impurit i
acceptoare1 care determin apari ia unor niveluri energetice discrete n banda
interzis . Existen a acestor st ri de suprafa ale electronilor determin apari ia
unei sarcini de suprafa ce creeaz un cmp electric superficial i, corespunz tor,
o diferen de poten ial ntre suprafa a semiconductorului i interiorul s u.
Densitatea st rilor de suprafa poate fi crescut prin adsorb ia unor atomi de
impurit i la suprafa a semiconductorului.
consider m un TEC-MOS cu canal indus, avnd substratul bazei de tip p.

Aplicnd o tensiune pozitiv , VGS, ntre poart i surs , electronii afla i n substrat
vor fi atra i spre interfa a oxid-semiconductor, unde vor ocupa st rile de suprafa ;
crescnd valoarea tensiunii VGS, la un moment dat toate st rile de suprafa vor fi
ocupate, n continuare electronii acumulndu-se n aceast zon , ini ial nc rcat
1
Acest fapt se petrece ntruct atomii respectivi au octetul incomplet (cel pu in un atom vecin
lipsind din re ea) ei putnd accepta deci electroni pe un nivel energetic discret, asem tor celui
determinat de impurit ile acceptoare.
147
c
ni
r
ct
el

cu sarcin pozitiv , i electriznd-o negativ. Stratul format, numit strat de
inversiune, mbog it n electroni, constituie un canal (de tip n) care permite
trecerea curentului electric ntre surs i dren , n momentul aplic rii unei tensiuni
VDS. n mod asem tor func ioneaz i TEC-MOS cu canal indus de tip p.
Caracteristicile TEC-MOS cu canal indus arat la fel cu cele ale TEC-MOS
cu canal ini ial sau ale TEC-J, singura deosebire esen ial fiind la caracteristica de
transfer, care arat conform figurii 5.9.
5.3.
Parametrii de semnal mic ai TEC. Schema

echivalent
Func ionarea TEC poate fi caracterizat prin valoarea a dou tensiuni, VDS i
VGS i a doi curen i, IG i ID. A a cum s-a v zut, IG este practic constant deci ID
depinde numai de cele dou tensiuni, astfel nct putem scrie:
I
ID
dID = D dVGS
(5. 24)
dVDS
VGS
VDS
Se definesc urm torii parametri:

transconductan a (conductan a mutual )
I
gm = D
VGS V ct .
(5. 25)
DS
conductan a de dren
ID
1
gD =
rD
VDS V ct .
(5. 26)
GS
factorul de amplificare static

VDD
=
VGS I ct .
(5. 27)
ntre cei parametri se poate stabili rela ia:

gmrD =
148
(5. 28)
c
ni
r
ct
el

n regiunea nesaturat , datorit liniarit ii caracteristicilor, se poate scrie
(pentru m rimi alternative):
iD = gmuGS + gDuds
(5. 29)
Pornind de la rela ia 5.28, se poate stabili schema echivalent a TEC (figura
5.10) valabil att pentru TEC-J ct i pentru TEC-MOS, valorile parametrilor
fiind ns deduse prin rela ii specifice fiec rui tip de MOS.
5.4.
Polarizarea TEC
n aplica iile practice, la fel ca n cazul tranzistoarelor bipolare, i la

tranzistoarele cu efect de cmp se pune problema asigur rii polariz rii
corespunz toare, folosind o singur surs .
n cazul TEC-J i TEC-MOS cu canal ini ial, ntre care exist o mare
asem nare func ional , polarizarea corect de la o singur surs se ob ine prin
metoda polariz rii automate a por ii (analog cu metoda negativ rii automate a
grilei la tuburi electronice).
Schema folosit este cea din figura 5.11.a. Elementul esen ial este rezisten a
RS, prin care trece curentul ID, ce produce o c dere de tensiune la bornele acesteia,
poten ialul mai mare (pozitiv) fiind la surs i cel mai mic (negativ) la mas . Cum
grila este practic legat la mas (IG este practic nul, deci c derea de tensiune pe RG
este i ea nul ), ea se afl la un poten ial mai mic (mai negativ) dect cel al sursei,
asigurndu-se astfel tensiunea VGS negativ necesar :
VGS = RSID ; E = VDS + ID(RD + RS)
Capacitatea CS scurtcircuiteaz rezisten a RS n curent alternativ, astfel nct
numai componenta continu a curentului de dren s treac prin RS, ceea ce
asigur o tensiune de polarizare a grilei constant .
Reprezentnd grafic rela ia VGS = RSID, se ob ine o dreapt care se
intersecteaz cu caracteristica de transfer ID = f(VGS) n punctul M (figura 5.11.b)
care, proiectat pe dreapta de sarcin , ob inut prin reprezentarea grafic a rela iei E
= VDS + ID(RD + RS), d punctul N.
149
c
ni
r
ct
el

Pentru TEC-MOS cu canal indus, la care func ionarea se face n mod normal
cu tensiuni VGS de acela i semn cu VDS, polarizarea cu o singur surs se
realizeaz prin scheme asem toare cu cele de la polarizarea tranzistorului
bipolar (figura 5.12), cu deosebirea c , pentru a folosi avantajul TEC (rezisten
foarte mare de intrare), rezisten ele divizorului de polarizare vor avea i ele valori
mari.
5.5.
Aplica ii
5.5.1.
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart -jonc iune
(TEC-J)
Tranzistoarele cu efect de cmp sunt tranzistoare unipolare (func ionarea lor
este determinat de un singur tip de purt tori - cei majoritari), structura i simbolul
folosit n schemele electronice fiind prezentate n figura 5.13. A a cum se vede n
aceast figur , sunt dou variante constructive, cu canal n (figura 5.13.a) i cu
canal p (figura 5.13.b), ambele fiind construite pe un cristal semiconductor (de tip
n, respectiv p), la capetele c ruia se afl contactele la cei doi electrozi numi i surs
- S i dren D, ntre care se formeaz un canal. Cel de-al treilea electrod este
grila (poarta) - G, format pe un substrat semiconductor cu tip de conduc ie diferit
de cel al stratului n care s-a realizat canalul, astfel nct ntre gril i canal se
formeaz o jonc iune p-n. Grila este puternic dopat , n timp ce sursa i drena sunt
mai slab dopate.
Fenomenul principal care se petrece ntr-un TEC-J este deplasarea
purt torilor majoritari de la surs spre dren prin canal, a c rui l rgime se poate
modifica prin tensiunea aplicat pe poart , dispozitivul comportndu-se ca o
rezisten comandat prin aceast tensiune.
150
c
ni
r
ct
el
consider m un TEC-J cu canal n la care doparea este foarte puternic n

regiunea grilei i slab n canal, ceea ce face ca jonc iunea ce apare ntre gril i
canal s prezinte o regiune de sarcin spa ial extins practic numai n canal.
analiz m mai nti situa ia n care poten ialul por ii este nul, VGS = 0. n
aceast situa ie, ntre dren i surs , se aplic o tensiune VDS > 0, cresc toare. La
valori mici ale acestei tensiuni, apare un curent ID, propor ional cu VDS, situa ie n
care tranzistorul se comport ca o rezisten constant . Diferen a de poten ial
dintre canal i gril este mai mare n vecin tatea drenei i mai mic n vecin tatea
sursei (ca urmare a distribu iei poten ialului de-a lungul canalului). Ca urmare,
tensiunea de polarizare a jonc iunii formate ntre gril i canal este mai mic n
vecin tatea sursei i mai mare n vecin tatea drenei, ceea ce impune i faptul c
regiunea de sarcin spa ial din canal este mai larg n vecin tatea drenei i mai
ngust n vecin tatea sursei. Cu alte cuvinte, canalul se ngusteaz n apropierea
drenei (figura 5.14), ceea ce nseamn cre terea rezisten ei sale.
Ca urmare, cre terea curentului ID odat cu cre terea tensiunii VDS se face
din ce n ce mai lent, pn cnd, la un moment dat, pentru o valoare Vp, numit
tensiune de prag sau tensiune de nchidere, canalul se nchide complet. Cnd
151
c
ni
r
ct
el
canalul se ngusteaz , densitatea de curent n zona n care acesta este foarte ngust
cre te dar aceast cre tere nu poate avea loc la infinit, astfel nct curentul ID
cap
o valoare constant , de satura ie, IDs. Varia ia ID = f(VDS), este dat n
figura 5.15, ea reprezentnd caracteristica de dren a TEC-J.
Cum curentul ce trece prin canal, IDs, depinde de l rgimea acestuia, rezult
se poate controla acest curent prin tensiunea aplicat pe poart (gril ). Aceast
tensiune trebuie s aib o astfel de polaritate astfel nct jonc iunea p-n s fie
polarizat invers: pentru TEC-J cu canal n grila este polarizat negativ fa de
surs , pentru TEC-J cu canal p, pozitiv fa de surs .
Dac VDS = 0, l rgimea canalului este constant pe toat lungimea lui, dar
mai mic dect n cazul cnd VGS = 0. La cre terea tensiunii VDS, se vor produce
acelea i fenomene ca n situa ia analizat mai sus, caracteristica ID = f(VDS) avnd
aceea i form (calitativ) ca n cazul anterior, dar curentul de satura ie va avea o
valoare mai mic (a se vedea tot figura 5.15).
Cu ct VGS este mai mare (n valoare absolut ), cu att curentul de dren de
satura ie, IDs este mai mic, astfel nct, pentru o anumit tensiune VGS = Vp,
curentul IDs se anuleaz .
Rezult astfel c , prin poten ialul aplicat pe gril , se poate controla l rgimea
canalului, tranzistorul comportndu-se ca o rezisten comandat n tensiune.
Pentru descriera func ion rii TEC - J, se definesc urm torii parametri:
- panta caracteristicii de dren :
dVDS
r DS
(5. 30)
dI D V 0 i V 0
DS
gm
GS
- conductan a mutual (transconductan a)

dID
dVGS V V
DS
Transconductan a este maxim la VGS = 0, cnd:
152
(5. 31)
c
ni
r
ct
el
g m0
2 IDs0
Vp
(5. 32)
unde IDs0 este valoarea curentului ID cnd VGS = Vp, la scurtcircuit ntre dren
surs .
n regiunea de satura ie, curentul de dren este dat de expresia:
IDs
I Ds0
VGS
1
Vp
(5. 33)
de unde se poate exprima VGS:

I
VGS Vp 1 Ds
(5. 34)
IDs0
De asemenea, n aceea i regiune, transconductan a este dat de rela ia:
gm
g m0 1
VGS
Vp
gm0
I Ds
IDs0
(5. 35)

Lucrarea are drept scop studiul func ion rii unui TEC-J i trasarea
caracteristicilor statice ale acestuia.
Pentru trasarea punct cu punct a caracteristicilor statice ale TEC-J se
folose te montajul din figura 5.16, care reprezint macheta, instrumentele de
sur i sursele de tensiune utilizate.
n afara machetei din figura 5.16, se mai utilizeaz :

- machet pentru vizualizarea caracteristicilor de dren (figura 5.17);
153
c
ni
r
ct
el
machet pentru vizualizarea caracteristicilor de transfer (figura 5.18);
- patru AVO-metre (multimetre), folosite n schema din figura 5.16;

- un osciloscop;
- dou surse de c.c. cu valoare variabil 0 20 V, ED i EG.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicilor TEC-J se folose te montajul din figura 5.16,
tranzistorul folosit fiind de tipul BF 245. Se parcurg urm toarele etape:
- se verific montajul realizat pe machet , identificndu-se elementele
acestuia i conexiunile;
- se leag n circuit instrumetele de m sur , care sunt: dou voltmetre de
curent continuu i dou miliampermetre de curent continuu (toate cele
patru instrumente de m sur pot fi multimetre digitale) precum i dou
surse de tensiune continu , reglabile (se pot folosi surse de tensiune
fixe, cuplate la un montaj poten iometric).
- se alimenteaz montajul de la cele dou surse de tensiune variabil , ED
i E G.
154
c
ni
r
ct
el
pentru trei valori constante ale lui VGS, n domeniul de tensiuni sub
tensiunea de prag i la diferite tensiuni VDS, se m soar curen ii ID .
Rezultatele se trec n tabelul urm tor:
- VGS (V)
0
ID (mA)
0,5
ID (mA)
1
ID (mA)
1,5
ID (mA)
2
ID (mA)
2,5
ID (mA)
3
ID (mA)
-1
-0,9
-0,8
-0,5
-0,3
-0,1
0
0,1
0,3
0,5
1
1,5
2
5
10
VDS
(V)
se traseaz caracteristicile statice de ie ire, ID

de transfer, ID
VDS ct
i cele
VGS ct
, folosind datele din tabelul ntocmit;
pentru VDS = 0, se m soar IG la diferite tensiuni VDS, rezultatele

trcndu-se n tabelul urm tor:
VGS (V)
IG
-
f VGS
f VDS
0,5
1,5
se traseaz caracteristica de intrare, IG
f VGS
2,5
VDS 0
, folosind datele
din tabelul de mai sus;

din caracteristicile trasate, se determin Vp, gm i IDs0 i, cu valorile
determinate, se verific rela ia (5.32);
- folosind montajele din figurile 5.17 i 5.18, se vizualizeaz la
osciloscop caracteristicile de ie ire i de transfer i se compar cu cele
trasate punct cu punct.
4. ntreb ri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicilor de ie ire i de transfer
trasate punct cu punct, respectiv vizualizate la osciloscop ?
2. Cum func ioneaz montajul din figura 5.17 ? Dar cel din figura 5.18 ?
-
155
c
ni
r
ct
el

5.5.2.
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TECMOS)
Tranzistoarul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS) se deosebe te
de TEC-J prin faptul c poarta este izolat fa de canal printr-un strat de oxid, care
este un dielectric. Principial, TEC-MOS este construit conform figurii 5.19;
tranzistorul reprezentat n aceast figur este cu canal de tip n, putndu-se realiza,
binen eles, i varianta cu canal de tip p.
De asemenea, canalul poate fi realizat ini ial sau indus. Indiferent de varianta
constructiv , un TEC MOS are patru electrozi: sursa (S), drena (D), grila
(poarta) (G) i baza (B), care, de regul , fiind un electrod auxiliar, se leag la
surs .
Dac pe poart nu se aplic tensiune, curentul de dren este ID = 0 n cazul
cnd canalul este indus. Aplicnd o tensiune negativ de polarizare pe poart , VGS,
curentul ID depinde de acesta a a cum rezult din figura 5.20.
La o anumit valoare, Vp, a acestei tensiuni, numit tensiune de prag,

curentul ID devine diferit de zero, datorit inducerii unui canal ntre surs i dren ;
peste aceast valoare, curentul cre te odat cu cre terea tensiunii VGS.
Pentru VGS = ct., peste valoarea de prag, curentul ID este dependent de
tensiunea VDS conform graficului din figura 5.21.
156
c
ni
r
ct
el
TEC MOS cu canal ini ial se comport asem

f(VGS) este cea din figura 10.4.
tor dar caracteristica ID =
Se vede c , n acest caz, la VGS = 0, exist un curent ID diferit de zero, care

se poate anula prin aplicarea unei tensiuni VGS pozitive. Deci, TEC MOS cu
canal ini ial poate func iona i la tensiuni VGS pozitive, spre deosebire de cel cu
canal indus, care func ioneaz numai la valori negative ale acestei tensiuni.
Lucrarea are drept scop studiul func ion rii unui tranzistor cu efect de cmp
cu poart izolat (TEC-MOS) i trasarea caracteristicilor statice ale acestuia.
Pentru trasarea punct cu punct a caracteristicilor statice ale TEC-MOS se

folose te montajul din figura 5.23, care reprezint macheta, instrumentele de
157
c
ni
r
ct
el
sur i sursele de tensiune utilizate. Se folose te un tranzistor de tipul ROS 01,

care este un TEC MOS cu canal de tip p indus.
n afara machetei din figura 5.23, se mai utilizeaz :
- o machet pentru vizualizarea caracteristicilor de dren , ID = f(VDS)
(figura 5.24);
o machet pentru vizualizarea caracteristicilor de transfer, ID = f(VGS)

(figura 5.25);
- patru AVO-metre (multimetre), folosite n schema din figura 5.23;

- un osciloscop;
- dou surse de c.c. cu valoare variabil 0 20 V, ED i EG.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicilor TEC-MOS se folose te montajul din figura
5.23. Se parcurg urm toarele etape:
- se verific montajul realizat pe machet , identificndu-se elementele
acestuia i conexiunile;
- se leag n circuit instrumetele de m sur , care sunt: dou voltmetre de
curent continuu i dou miliampermetre de curent continuu (toate cele
patru instrumente de m sur pot fi multimetre digitale) precum i dou
158
c
ni
r
ct
el
surse de tensiune continu , reglabile (se pot folosi surse de tensiune

fixe, cuplate la un montaj poten iometric).
se alimenteaz montajul de la cele dou surse de tensiune variabil , ED
i E G.
pentru diferite valori constante ale lui VGS i la diferite tensiuni VDS, se
soar curen ii ID . Rezultatele se trec n tabelul urm tor:
- VGS (V)
0
ID (mA)
0,5
ID (mA)
1,5
ID (mA)
2
ID (mA)
2,5
ID (mA)
3
ID (mA)
-1
-0,9
-0,8
-0,5
-0,3
-0,1
0
0,1
0,3
0,5
1
1,5
2
5
10
VDS
(V)
se traseaz caracteristicile statice de ie ire, ID

de transfer, ID
1
ID (mA)
f VGS
VDS ct
f VDS
VGS ct
i cele
, folosind datele din tabelul ntocmit;
se determin :
gm
dI D
dVGS
i gd
VDS ct
dI D
dVDS
VGS ct .
n punctul VDS = - 10 V i ID = - 10 mA.

- folosind montajele din figurile 5.24 i 5.25, se vizualizeaz la
osciloscop caracteristicile de ie ire i de transfer i se compar cu cele
trasate punct cu punct.
4. ntreb ri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicilor de ie ire i de transfer
trasate punct cu punct, respectiv vizualizate la osciloscop ?
2. Cum func ioneaz montajul din figura 10.6 ? Dar cel din figura 10.7 ?
159
c
ni
r
ct
el

CAPITOLUL VI
6. AMPLIFICATOARE
6.1.
No iuni generale. Clasificare
Definit n modul cel mai general, un amplificator este un cuadripol la

intrarea c ruia dac se aplic un semnal variabil, la ie ire se ob ine un semnal de
aceea i form i frecven dar cu amplitudine mai mare. Este evident c sporul de
putere la ie irea amplificatorului este ob inut datorit unei surse de energie
electric cu care este prev zut acesta.
Amplificatorul este deci, n sens larg, un cuadripol activ caracterizat de
perechile de m rimi ui i ii - la intrare i ue i ie - la ie ire, ntre care se stabile te o
rela ie biunivoc (unei perechi de valori ui, ii i corespunde o pereche i numai una
de valori ue, ie). De regul , se impune ca m rimile de intrare s fie ct mai pu in
influen ate de m rimile de ie ire.
Clasificarea amplificatoarelor se poate face dup mai multe criterii:
1. dup natura semnalului amplificat
- amplificatoare de tensiune
- amplificatoare de curent
- amplificatoare de putere
Primelor dou tipuri li se aplic la intrare semnale de amplitudini mici, motiv
pentru care se mai numesc i amplificatoare de semnal mic. Al treilea tip necesit
lucrul cu puteri mari, motiv pentru care amplificatoarele din aceast categorie se
mai numesc i amplificatoare de semnal mare.
2. dup tipul elementelor active utilizate
- amplificatoare cu tuburi electronice
- amplificatoare cu tranzistoare
- amplificatoare cu circuite integrate
3. dup frecven a semnalelor amplificate
- amplificatoare de curent continuu
- amplificatoare de joas frecven (JF) sau audiofrecven (AF), care
lucreaz n gama de frecven e 10 105 Hz
- amplificatoare de nalt frecven (F) sau radiofrecven (RF), care
lucreaz n gama de frecven e 105 107 Hz
- amplificatoare de foarte nalt frecven (FIF) i de ultranalt
frecven (UIF), care lucreaz n gama de frecven e 108 1010 Hz
4. dup l rgimea benzii de frecven e n care lucreaz
- amplificatoare de band ngust (~ 10 kHz)
- amplificatoare de band larg (~ 106 Hz)
5. dup tipul cuplajului ntre etaje de amplificare
- amplificatoare cu cuplaj RC
- amplificatoare cu circuite acordate
- amplificatoare cu cuplaj prin transformator
160
c
ni
r
ct
el
amplificatoare cu cuplaj rezistiv (galvanic)
6.2.
Parametrii amplificatoarelor
Dintre multitudinea de parametri care caracterizeaz un amplificator, i

enumer m aici pe cei mai importan i:
1. parametri de intrare
a) gama de tensiuni de intrare
b) impedan a de intrare
u
Zi = i
(6. 1)
ii
2. parametri de ie ire
a) gama de tensiuni de ie ire
b) gama de curen i de ie ire
c) impedan a de ie ire
d) puterea maxim la ie ire
3. parametri de transfer
a) coeficientul de amplificare (amplificare, c tig)
i. amplificarea n tensiune:
u
Au = e
(6. 2)
ui
ii. amplificarea n curent:
ie
Ai =
(6. 3)
ii
iii. amplificarea n putere:
Pe
AP =
(6. 4)
Pi
Se mai folosesc formulele:
u
u
(6. 5)
Au = 20 lg e ; Au = ln e
ui
ui
i cele analoage, pentru amplificarea n curent i putere1. Unitatea de m sur a
amplific rii este n cazul primei formule din 6.5 decibelul (dB), iar n cazul celei
de-a doua formule neperul2 (Np).
b) caracteristica amplitudine-frecven
Aceast m rime reprezint curba A = f( ). Se definesc: frecven a limit
inferioar , m i, respectiv, frecven a limit superioar , M, care reprezint
1
frecven ele la care amplificarea scade la
din valoarea acesteia n mijlocul
2
1
n acest caz, factorul din prima formul este 10 i nu 20, iar n a doua formul logaritmul natural se
multiplic cu factorul 1/2.
2
1 Np = 8,686 dB
161
c
ni
r
ct
el
benzii de frecven e a amplificatorului. Diferen a B = M m reprezint banda de

frecven e a amplificatorului.
c) distorsiunile amplificatorului
La amplificatoarele reale, semnalul de ie ire nu reproduce identic semnalul
de intrare, datorit neliniarit ii caracteristicii de transfer sau apari iei unor
armonici. Astfel, ntlnim distorsiuni ale amplitudinii n func ie de frecven ,
pentru care definim factorul de distorsiuni de amplitudine, M:
A
M=
(6. 6)
A0
distorsiuni ale fazei n func ie de frecven , distorsiuni armonice i de
intermodula ie. Pentru distorsiunile armonice, se define te factorul de distorsiuni
armonice:
U 12
U 22
=
(6. 7)
U0
unde U1, U2, ... reprezint amplitudinile armonicilor i U0 amplitudinea semnalului
fundamental.
d) raportul semnal-zgomot
Aceast m rime reprezint raportul dintre tensiunea semnalului util i cea a
zgomotului propriu 1.
e) gama dinamic
Gama dinamic reprezint raportul dintre semnalul de putere maxim i
respectiv de putere minim pe care le poate furniza amplificatorul. Limita
superioar a puterii furnizate este determinat de puterea amplificatorului, iar cea
inferioar de raportul semnal-zgomot.
f) sensibilitatea
Aceast m rime se define te ca fiind tensiunea minim la intrare care asigur
la ie ire puterea util nominal n sarcin .
6.3.
Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC
Schema acestui tip de amplificator este prezentat n figura 6.1.a (folosind un

tranzistor bipolar), respectiv n figura 6.1.b (folosind un TEC). n schema din
figura 6.1.a, rezisten ele R1, R2 i R3 au rol n polarizarea tranzistorului (a se vedea
paragraful 4.4), n timp ce R4 are rol att n polarizare, ct i, mpreun cu R5, la
constituirea rezisten ei de sarcin . Condensatoarele C1 i C3 permit cuplarea
amplificatorului, att la intrare ct i la ie ire, numai n curent alternativ, iar C2
scurtcircuiteaz R3 n curent alternativ. Acest amplificator este inversor, n sensul
semnalul de la ie ire este defazat cu 180 fa de cel de la intrare.
Zgomotul propriu reprezint semnalul existent la ie irea amplificatorului atunci cnd la intrarea
sa semnalul este nul.
162
c
ni
r
ct
el
n mod analog, n schema din figura 6.1.b, R1, R2 i R3 asigur polarizarea

tranzistorului, R2 alc tuind n acela i timp, mpreun cu R5, rezisten a de sarcin a
amplificatorului. Condensatoarele C1, C2 i C3 au i ele acela i rol cu cele
corespunz toare din schema 6.1.a. i acest amplificator este inversor. S analiz m
acum func ionarea amplificatorului din schema 6.1.a, pe baza schemei echivalente
a tranzistorului, a a cum a fost ea configurat cu parametrii hibrizi.
Rezisten a de sarcin a amplificatorului este R4 dac avem un singur etaj de
R 4R b
amplificare sau Rs =
, unde Rb este rezisten a de intrare a tranzistorului
R4 Rb
din etajul urm tor, legat n paralel cu cele dou rezisten e de polarizare a bazei
acestuia. Schema echivalent cu parametrii hibrizi a montajului este dat n figura
6.2. La frecven e medii, reactan ele condensatoarelor de cuplaj se pot considera
practic nule, n timp ce capacitatea parazit , Cp are o reactan infinit . Curentul la
ie irea amplificatorului este: i2 = h21 i2 + h22h2, unde i1 este curentul la intrare i u2
tensiunea la ie ire. Pe de alt parte, u2 = Rsi2, de unde: i2(1 + h22Rs) = h21 i1, rela ie
care ne permite s calcul m amplificarea n curent:
i
h 21
Ai = 2
(6. 8)
i1 1 h 22 R S
Impedan a de intrare, considerat pur rezistiv , este dat de:

163
c
ni
r
ct
el
Ri =
u1
i1
h 11
h 11 h 22 h 12 h 21 R S
1 h 22 R S
(6. 9)
Amplificarea n tensiune este dat
de: Au =
u2
u1
R Si 2
R i i1
Ai
RS
Ri
i,
nlocuind expresia lui Ai din (6.8), se ob ine:

h 21 R S
Au =
(6. 10)
h 11 h 11 h 22 h 12 h 21 R S
Putem scrie, de asemenea: u1 = Rgi1, unde Rg este rezisten a intern a
generatorului ce furnizeaz semnalul de intrare i u1 = h11 i1+h12u2. Eliminnd u1
din aceste dou rela ii i folosind i rela ia (6.8), putem calcula impedan a de
ie ire, considerat pur rezistiv :
h11 R g
Re =
(6. 11)
h 22 R g h11h 22 h 12 h 21
Formulele astfel ob inute sunt valabile pentru semnale de frecven e medii. n
cazul frecven elor joase, efectul capacit ilor de cuplaj nu mai poate fi neglijat i,
ca atare, n expresia amplific rii va ap rea i influen a capacit ii C3. Ref cnd
calculele, rezult :
2
Auj = Au
1
C3 R 4
= Au 1
Rb
1
2
(6. 12)
unde s-a notat:

1
(6. 13)
2 C3 R 4 R b
a cum se poate constata, la frecven e joase, amplificarea scade odat cu
sc derea frecven ei. Definim frecven a limit inferioar , j, frecven a dat de
rela ia (6.13), la care amplificarea scade de 2 ori fa de valoarea la frecven e
medii. De asemenea, se observ i faptul c frecven a limit inferioar este cea la
care reactan a capacit ii de cuplaj, C3, este egal cu rezisten a echivalent a leg rii
n serie a lui R4 cu Rb.
La frecven e mari, capacit ile de cuplaj au efecte neglijabile, n schimb
capacitatea parazit , Cp, influen eaz evident func ionarea amplificatorului.
Aceast capacitate parazit este capacitatea echivalent a grup rii n paralel a
capacit ii colector-emitor, a capacit ii de intrare a etajului urm tor i a capacit ii
conexiunilor montajului. innd cont de aceast influen , dup efectuarea
calculelor se ob ine amplificarea la frecven e nalte:
j
Au = Au
Cp R S
= Au 1
(6. 14)
164
1
2
c
ni
r
ct
el

unde s-a notat:
1
(6. 15)
=
2 Cp R S
i n acest caz se poate vedea c se define te o frecven limit superioar ,
2 ori fa de valoarea la
i, ce reprezint frecven a la care amplificarea scade de
frecven e medii i la care reactan a capacit ii parazite este egal cu rezisten a Rs.
La frecven e nalte mai intervin i alte fenomene, ca urmare a influen ei
capacit ilor Cbe i Cbc, care determin sc derea amplific rii, acestea ac ionnd ca
i Cp (putnd fi, de altfel, incluse n Cp). n mod special capacitatea Cbc, care are
valori de ordinul 3 6 pF, ac ioneaz ca un circuit de reac ie negativ , ce limiteaz
amplificarea la frecven e mari, acest fenomen fiind cunoscut sub numele de efect
Miller sau reac ie intern .
rimea: B = - j se nume te band de trecere (de frecven e) a
amplificatorului, reprezentnd domeniul de frecven e n care amplificatorul
amplific semnalele aplicate la intrare.
6.4.
Amplificatoare de putere
Dac la intrarea unui amplificator se aplic un semnal variabil de o anumit

putere, iar la ie ire se ob ine semnalul amplificat la o putere mai mare,
amplificatorul respectiv este un amplificator de putere. Fa de amplificatorul de
tensiune, amplificatorul de putere necesit la intrare un semnal mare, iar impedan a
de sarcin este de cteva zeci sau sute de ori mai mic .
Amplificatoarele de putere se pot clasifica dup mai multe criterii. Astfel, n
func ie de tensiunea de polarizare a bazei i de amplitudinea semnalului la intrare,
amplificatoarele pot func iona n trei clase de func ionare:
clas A, cnd elementul activ este n stare de conduc ie pe toat durata
semnalului de la intrare, semnalul de la ie ire reproducnd n totalitate semnalul
de intrare;
clas B, cnd timpul n care elementul activ este n stare de conduc ie este
jum tate din perioada semnalului aplicat la intrare;
clas C, cnd timpul n care elementul activ este n stare de conduc ie este mai
mic dect o semiperioad .
De asemenea, n func ie de tipul de cuplaj al amplificatorului cu sarcina,
ntlnim:
amplificator cu cuplaj prin transformator;
amplificator cu cuplaj capacitiv;
amplificator cu cuplaj direct (galvanic).
165
c
ni
r
ct
el
n figura 6.3 este prezentat schema unui amplificator de putere func ionnd
n clas A, cu cuplaj prin transformator. Pentru u urin a n elegerii func ion rii
acestui amplificator, vom folosi i diagrama din figura 6.4.
Dac la intrare se aplic un semnal sinusoidal, punctul de func ionare se

deplaseaz pe dreapta de sarcin , de o parte i de alta a punctului static de
func ionare, ales prin polarizarea tranzistorului, ntre tensiunile UCEmax i UCEmin i,
respectiv ntre valorile curentului ICmax i ICmin. Practic, se poate scrie:
U
U CE min
UCE = CE max
(6. 16)
2
Tensiunea de alimentare, EC, se alege practic egal cu UCE, iar curentul de
colector corespunz tor punctului static de func ionare respectiv se alege astfel
nct puterea disipat de tranzistor n acest punct s nu dep easc puterea maxim
disipat admisibil . n aceste condi ii, Puterea maxim util a amplificatorului este:
1
Pu = UCEIC
(6. 17)
2
166
c
ni
r
ct
el
iar puterea absorbit de la sursa de alimentare:

PC = ECIC UCEIC
(6. 18)
Randamentul amplificatorului este deci:
P
= u = 50 %
(6. 19)
Pc
Acesta este randamentul maxim posibil, n realitate ap rnd pierderi i n
transformator i pe alte c i, astfel nct randamentul este n realitate mai mic.
Totu i, acest tip de amplificator are avantajul introducerii unor distorsiuni neliniare
neglijabile.
Dezavantajul amplificatorului de clas A, n ceea ce prive te randamentul

sc zut, se poate evita prin folosirea amplificatoarelor de clasa B la care, datorit
func ion rii doar pe o semiperioad , sunt necesare de fapt dou etaje care
func ioneaz n contratimp. Schema unui astfel de amplificator este dat n figura
6.5. Astfel de amplificatoare au un randament ridicat, ajungnd la 80 %,
distorsiunile armonice sunt i ele reduse, fiind posibil i eliminarea folosirii
transformatoarelor.
6.5.
Principiul reac iei; reac ia n amplificatoare
Reac ia reprezint procesul de aducere a unei p i din semnalul de la ie irea

unui amplificator la intrarea acestuia, prin intermediul unei bucle de reac ie.
Schema general de realizare a reac iei este prezentat n figura 6.6.
167
c
ni
r
ct
el
Re eaua de reac ie asigur atenuarea corespunz toare a semnalului de la

ie ire i, dac este cazul, o defazare corespunz toare, m rimea caracteristic a
acesteia fiind factorul de reac ie, . Semnalul la intrarea amplificatorului este: s
= s i + s r = s i + s 0. Pe de alt parte: s 0 = A 0 s
Din cele dou rela ii se ob ine:
A0
si
s0 =
(6. 20)
1 A0
Rezult deci c amplificarea sistemului amplificator-circuit de reac ie este:
s
A0
A= 0
(6. 21)
si 1 A 0
Se vede c pentru A0 suficient de mare, amplificarea A tinde spre o valoare
egal cu inversul factorului de reac ie, , deci devine independent fa de
amplificarea amplificatorului de baz . Se spune c amplificarea amplificatorului cu
reac ie este desensibilizat fa de amplificarea amplificatorului de baz . Dup
modul de readucere a semnalului de la ie ire la intrare, se disting patru configura ii
tipice de realizare a reac iei: serie-serie, serie-paralel, paralel-serie, paralel-paralel.
Acestea sunt prezentate n figura 6.7. n func ie de configura ie, m rimile care apar
n rela iile de mai sus au semnifica ii diferite, dup cum urmeaz :
- reac ia serie-serie:
A 0y
i
i
u
A0y = 0 ; Ay = 0
(6. 22)
; y= r
u i 1 A0y y
u
i0
- reac ia serie-paralel:
u
A0 u
u
A0u = 0 ; Au = 0
ui 1 A0 u
u
- reac ia paralel-paralel:
u
A 0z
u
A0z = 0 ; Az = 0
i i 1 A 0z
i
- reac ia paralel-serie:
i
A 0i
i
A0i = 0 ; Ai = 0
i i 1 A 0i
i
ur
u0
(6. 23)
ir
u0
(6. 24)
;
i
ir
i0
168
(6. 25)
c
ni
r
ct
el
n general, se disting urm toarele trei situa ii:

1 A 0 < 1 - reac ie pozitiv ;
1 A 0 = 0 - amplificatorul devine oscilator (vezi 7.2)
1 A 0 > 1 - reac ie negativ
6.6.
Influen a reac iei asupra parametrilor

amplificatoarelor
Prezen a reac iei negative la un amplificator determin modific ri ale

parametrilor acestuia, a a cum se poate vedea n cele ce urmeaz :
1. Influen a reac iei negative asupra amplific rii
Dup cum se poate constata din rela ia (6.21), amplificarea unui amplificator
cu reac ie negativ scade; pe de alt parte, ns cre te stabilitatea amplific rii, lucru
pe ce poate fi ar tat n modul urm tor: dac amplificarea f
reac ie A 0 sufer o
varia ie dA 0 << A 0, atunci A 0 devine A 0 + dA 0, iar A devine A + dA.
Diferen iind rela ia 6.21, se ob ine:
dA 0
(6. 26)
dA =
2
1 A0
Atunci,
dA
1 dA0
A 1 A0 A0
(6. 27)
169
c
ni
r
ct
el

Din rela ia de mai sus, se vede c varia ia relativ a amplific rii cu reac ie
este mai mic de 1 A 0 ori dect cea f
reac ie, stabilitatea n amplificare a
amplificatorului crescnd deci de 1 A 0 ori prin utilizarea reac iei negative.
2. Influen a reac iei negative asupra benzii de frecven
ntruct, pe de o parte, produsul band -amplificare este constant, i, pe de
alt parte, amplificarea cu reac ie negativ scade de 1 A 0 ori, rezult c banda
de frecven e a amplificatorului cu reac ie cre te de 1 A 0 ori.
3. Influen a reac iei negative asupra impedan elor de intrare i de ie ire
ale amplificatorului i asupra distorsiunilor neliniare.
Se poate demonstra c impedan a de intrare a amplificatorului cu reac ie
negativ cre te, iar cea de ie ire scade, n compara ie cu m rimile corespunz toare
ale amplificatorului f
reac ie, de 1 A 0 ori. De asemenea, se arat c
factorul de distorsiuni se reduce i el cu acela i factor, cnd se utilizeaz reac ia
negativ .
6.7.
Amplificatorul diferen ial
Amplificatorul diferen ial este un amplificator simetric, func ionnd ca

amplificator de semnale variabile sau de curent continuu i care permite eliminarea
practic total a influen ei derivei termice asupra parametrilor s i. Schema de
principiu este cea din figura 6.8 i din ea se vede c amplificatorul diferen ial
dispune de dou intr ri simetrice i una sau dou ie iri.
Dac la cele dou intr ri se aplic semnalele ui1 i, respectiv ui2, se definesc:
- semnalul de intrare diferen ial:
ud = ui2 ui1
(6. 28)
- semnalul de intrare de mod comun:
u
u i2
umc = i1
(6. 29)
2
Din rela iile de mai sus, se pot exprima, invers, semnalele de intrare n
func ie de cel diferen ial i cel de mod comun:
170
c
ni
r
ct
el
ud
(6. 30)
2
Pentru studiul func ion rii amplificatorului diferen ial se utilizeaz schema
echivalent , care este dat n figura 6.9.
ui1 = umc
Considernd c amplificatorul diferen ial analizat este perfect simetric, vom

nota:
RC1 = RC2 = RC, h21E1 = h21E2 = h21E, h11E1 = h11E2 = h11E, re=
h 11e
.
h 21e
Atunci:
R u
R C u mc
ue1 = C d
(6. 31)
2re
2 R E re
R Cud
R C u mc
ue2 =
(6. 32)
2 re
2 R E re
R u
(6. 33)
ue = ue1 ue2 = C d
re
Se poate constata cu u urin c , n timp ce semnalele de ie ire ue1 i ue2
con in att semnalul de intrare diferen ial ct i semnalul de intrare de mod comun,
semnalul de ie ire diferen ial, ue con ine numai componenta diferen ial de intrare.
Aceasta reprezint caracteristica esen ial a amplificatorului diferen ial, care i
permite acestuia s func ioneze f
a fi influen at de factori variabili, cum ar fi
deriva termic , zgomotul etc. ntruct ace tia apar numai n semnalul de intrare de
mod comun, nu i n cel diferen ial, unde, prin sc derea celor doi termeni care sunt
semnalele la cele dou intr ri, se reduc.
Definim amplificarea diferen ial i pe cea de mod comun, astfel:
R
RC
Ad = C ; Amc =
(6. 34)
2re
2 R E re
Cu aceste rela ii, expresiile (6.31), (6.32) i (6.33) devin:
ue1= Adud Amcumc ; ue2= Adud Amcumc ; ue= 2Adud
(6. 35)
171
c
ni
r
ct
el
n aplica iile practice, este de dorit ca amplificarea diferen ial s fie ct mai
mare, iar cea de mod comun ct mai mic , ideal chiar nul . Evident, acest lucru nu
se poate realiza la un amplificator diferen ial real, la care amplificarea de mod
comun este subunitar dar nu nul . Abaterea amplificatorului diferen ial real de la
situa ia ideal este caracterizat de factorul de rejec ie a modului comun, notat
cu CMRR1:
A
2 R E re R E
CMMR = d
(6. 36)
A mc
2re
re
Cu ct CMRR este mai mare, cu att amplificatorul diferen ial real se
apropie mai mult de cel ideal. Pentru a cre te CMRR, trebuie s creasc foarte
mult RE, fapt ce necesit o tensiune de alimentare mare, ceea ce face ca valoarea
lui RE s fie limitat . Cre terea CMRR peste limita impus de valoarea lui RE se
poate face prin utilizarea unor elemente active, cum este generatorul de curent
constant cu tranzistor, montat n circuitul de emitor, ca n figura 6.10, prin care
valoarea factorului de rejec ie a modului comun este substan ial crescut .
n general, la amplificatorul diferen ial semnalul de intrare de mod comun

poate varia n limite largi, n schimb, pentru a avea distorsiuni reduse la ie ire,
semnalul diferen ial trebuie s fie mic, de obicei de ordinul zecilor de mV.
6.8.
Amplificatoare opera ionale
6.8.1.
Descriere; func ionare
Amplificatorul opera ional - a c rui denumire vine de la faptul c poate
efectua diferite opera ii matematice, de unde au ap rut i primele aplica ii - este
alc tuit n principiu dintr-un etaj diferen ial urmat de un etaj de amplificare, n
prezent el fiind realizat sub form integrat , ca un dispozitiv electronic de sine
1
Nota ia CMRR vine de la denumirea n limba englez : "Common-Mode Rejection Ratio"
172
c
ni
r
ct
el
st tor, avnd calit i deosebite, cum sunt impedan a de intrare foarte mare, deriv
a tensiunii neglijabil , impedan de ie ire foarte mic , amplificare foarte mare.
Vom studia n cele ce urmeaz amplificatorul opera ional ideal, care este un
amplificator prev zut cu dou intr ri (intrarea neinversoare, "+" i intrarea
inversoare, "", a a cum se vede n figura 6.11) i care are urm toarele propriet i:
dac la intr ri se aplic semnalele ui+ i ui, la ie ire se ob ine semnalul
ue = lim A0(ui+ ui)
(6. 37)
A0
dac ue = 0, atunci ui+ = ui

impedan a de ie ire este nul
amplificarea A0 este constant n toat banda de frecven e i A0
impedan a de intrare este infinit
CMRR este infinit
timpii de tranzi ie sunt nuli.
n mod obi nuit, amplificatoarele opera ionale reale func ioneaz cu reac ie
negativ , ceea ce reduce amplificarea dar, n acela i timp duce la cre terea
stabilit ii, a benzii de frecven e i a imunit ii fa de semnale parazite.
Exist trei moduri de utilizare a amplificatorului opera ional (AO): ca
amplificator neinversor, amplificator inversor sau amplificator diferen ial,
schemele respective fiind prezentate n figura 6.12.
1. n cazul amplificatorului neinversor (figura 6.12.a), tensiunea de intrare se
aplic la intrarea neinversoare (ui = ui+) i reac ia negativ se realizeaz pe
intrarea inversoare, la care avem tensiunea: ui = ue Z1 . Cum ue este
Z1 Z 2
dat de rela ia (6.37), dup efectuarea calculelor, rezult :
Z2
ue = ui 1
(6. 38)
Z1
Func ia de transfer este dat de raportul ue/ui care, dac impedan ele sunt pur
rezistive, reprezint amplificarea n bucl nchis :
173
c
ni
r
ct
el
Aneinv = 1
R2
R1
(6. 39)
Se constat c semnalul la ie irea amplificatorului neinversor este

propor ional cu cel de la intrare i n faz cu acesta.
2. n cazul amplificatorului inversor, (figura 6.12.b), considernd impedan a
de intrare infinit , rezult c ii
0 i, deci, i1 = i2. Pe de alt parte, i1 = ii
u
u
= i ; i2 = e , de unde,
Z1
Z2
Z
(6. 40)
ue = ui 2
Z1
Func ia de transfer, dat de raportul ue/ui, este deci egal cu Z2/Z1 i, n cazul
cnd impedan ele sunt pur rezistive, coincide cu amplificarea n bucl nchis
pentru amplificatorul inversor:
R
Ainv = 2
(6. 41)
R1
Dup cum se poate constata, semnalul la ie irea amplificatorului inversor
este propor ional cu cel de la intrarea lui dar defazat fa de acesta cu 1800.
3. Pentru amplificatorul diferen ial (figura 6.12.c), se poate scrie:
e ui
ue ui
ii = i1+i2 i 1
i i 0 . Punnd condi iile: ii = ii+ = 0 i ud = 0,
Z1
Z2
rezult : ue = ui 1
Z
e Z
Z2
= e1 2 . Pe de alt parte, ui+ = ii+Z4 = 2 4 = ui .
Z1
Z3 Z 4
Z1
Atunci,
174
c
ni
r
ct
el
ue = e2 1
Z2
Z4
Z1 Z 3 Z 4
e1
Z2
Z1
Alegnd impedan ele astfel nct
(6. 42)
Z1
Z2
Z3
, se ob ine:
Z4
R2
(6. 43)
R1
Func ia de transfer este n acest caz egal cu raportul impedan elor, Z2/Z1 i,
dac acestea sunt pur rezistive, ea este egal cu amplificarea n bucl nchis :
R
Adif = 2
(6. 44)
R1
ue = e 2 e1
6.8.2.
Aplica ii ale amplificatoarelor opera ionale
Pe baza rezultatelor ob inute la analiza func ion rii amplificatorului
opera ional ca amplificator neinversor, inversor sau diferen ial, rezult i o prim
serie de aplica ii ale acestuia, utiliznd schemele corespunz toare, conform figurii
6.12. n afar de aceste opera ii, amplificatorul opera ional poate efectua i altele,
dup cum urmeaz :
1. SUMATOR INVERSOR I NEINVERSOR
Aplicnd la intrarea unui amplificator opera ional montat ca amplificator
neinversor (figura 6.13.a), respectiv inversor (figura 6.13.b) mai multe tensiuni, la
ie irea acestuia se ob ine o tensiune ce poate fi calculat astfel:
a) pentru amplificatorul neinversor, la intrarea neinversoare se poate scrie:

e ui
i1 + i2 +...+ in = ii+ = 0 , unde ik = k
, k = 1, 2, ..., n .
Rk
Dac R1 = R2 = ... = Rn = R, atunci e1 + e2 +...+ en = n ui+ .
175
c
ni
r
ct
el
Dar ui+ = ui = R S
ue
RS
Rb
. Punnd condi ia: Ra + Rb = n Ra, se ob ine:
ue =
(6. 45)
ek
k 1
b) pentru amplificatorul inversor, la intrarea inversoare se poate scrie:

ue
e
i1 + i2 +...+ in + ir = ii = 0 . Dar ir =
, ik = k , k = 1, 2, ... n
R
Rk
n
ek
ue
. Punnd condi ia R1 = R2 = ... = Rn = R, rezult :
De aici, rezult :
R
k 1 Rk
n
ue =
(6. 46)
ek
k 1
2. SUBSTRACTOR
Circuitul substractor este un circuit care efectueaz opera ia de sc dere a
dou tensiuni. El se poate realiza pornind de la circuitul amplificator diferen ial
(figura 6.12.c), la care, n plus, se pune condi ia: R1 = R2. n acest caz, din rela ia
(6.43), se ob ine:
ue = e1 e2
(6. 47)
3. MULTIPLICATOR I DEMULTIPLICATOR
Circuitul multiplicator (demultiplicator) este un circuit ce realizeaz opera ia
de nmul ire (mp ire) a valorii unei tensiuni cu o valoare constant . El se poate
realiza pornind de la circuitul amplificator inversor (figura 6.12.b), la care, n plus,
se pune condi ia: R2 = k R1. n acest caz, din rela ia (6.40), se ob ine:
ue = k ui
(6. 48)
Dup cum constanta k este supraunitar , respectiv subunitar , se realizeaz
opera ia de nmul ire cu k, respectiv de mp ire cu 1/k. Un caz particular este cel
la care k = 1, cnd se ob ine circuitul repetor, la care ue = ui.
4. INTEGRATOR
Circuitul integrator este un circuit ce realizeaz opera ia de integrare a
valorilor unei tensiuni aplicate la intrare pe un interval de timp, schema acestui
circuit, prezentat n figura 6.14, fiind realizat plecnd de la circuitul amplificator
inversor.
176
c
ni
r
ct
el
ntruct ui+ = ui, la intrarea inversoare avem:

du
i1 = i2 = iC . Dar iC = C C .
dt
1
Atunci, uC =
i C dt . Cum uC = ue, rezult :
C
t
t
1
1
i i dt
u i dt .
ue =
C0
RC 0
Alegnd valorile lui R i C astfel nct RC = 1, se ob ine:
t
u i dt
ue =
(6. 49)
5. DERIVATOR
Circuitul derivator este un circuit ce realizeaz opera ia de derivare a unei
tensiuni aplicate la intrarea circuitului, schema acestuia, prezentat n figura 6.15,
fiind realizat plecnd de la circuitul amplificator inversor.
ntruct ui+ = ui, tensiunea la bornele condensatorului este chiar u i. Pe de

alt parte, ue = R iC . Din aceste dou rela ii, se ob ine:
du
ue = RC i .
dt
Alegnd R i C astfel ca RC = 1, avem:
du
ue = i
(6. 50)
dt
n afara acestor aplica ii, amplificatoarele opera ionale sunt folosite i n alte
circuite, cum sunt: filtre active, comparatoare, limitatoare, circuite de m surare etc.
O ultim precizare se impune a fi f cut : n toate discu iile de pn acum, s-a
lucrat n condi iile unui amplificator opera ional ideal. Amplificatoarele
opera ionale reale au propriet i care se abat de la cele ale unui amplificator
opera ional ideal, ceea ce face ca n aplica iile reale s apar unele aspecte
suplimentare, de care trebuie s se in seama. Astfel, un amplificator opera ional
177
c
ni
r
ct
el

real nu este niciodat echilibrat perfect, ceea ce face ca, atunci cnd la intr ri se
aplic tensiuni egale, la ie ire tensiunea s nu fie nul . Pentru a ob ine la ie ire o
tensiune nul , la intrare trebuie aplicat o tensiune diferen ial , numit tensiune de
ofset, cu valori uzuale de ordinul a c iva mV. Evident, acest lucru determin i un
curent n circuitul de intrare, numit curent de ofset.
6.9.
Aplica ii
6.9.1.
Amplificatorul de tensiune cu tranzistor n montaj
emitor comun
Amplificatorul de tensiune are rolul de a amplifica semnalul de intrare - cu
distorsiuni n limita impus - pn la un nivel dat, f
a debita practic putere. De
regul , cuplajul ntre astfel de amplificatoare se face prin circuite RC. Punctul de
func ionare se stabile te la jum tatea dreptei de sarcin , plaja de varia ie a
semnalului ncadrndu-se pe lungimea acesteia. Un astfel de amplificator, se spune
func ioneaz n clas A.
Schema clasic a unui astfel de amplificator este cea din figura 6.16.
Dac amplificatorul este cuplat cu alt etaj, n paralel cu rezisten a de

sarcin a etajului, RC, apare i rezisten a RB, format la rndul ei, din legarea n
paralel a trei rezisten e: Ri - rezisten a de intrare a tranzistorului urm tor i R1 i R2
- rezisten ele de polarizare a bazei acestuia. Noua rezisten de sarcin va fi atunci:
RC RB
(6. 51)
Rs
RC RB
ceea ce duce la faptul c dreapta de sarcin ce trece prin punctul static de
func ionare (UCE, IC) face cu axa tensiunii unghiul , dat de rela ia:
Ie
1
(6. 52)
tg
Ue R S
Punctul de func ionare se va deplasa pe aceast dreapt ntre dou limite
determinate de condi ia:
178
c
ni
r
ct
el
iC = IC + IC
(6. 53)
Schema echivalent a montajului este cea din figura 6.17, unde C1 i RB
apar in etajului de amplificare urm tor iar Cp este capacitatea parazit total a
etajului, care se compune din capacitatea de ie ire colector-emitor Ce1, capacitatea
de intrare a etajului urm tor, Ci2 i capacitatea conexiunilor montajului, C m.
Cp = Ce1 + Ci2 + Cm
La frecven e medii, efectele condensatoarelor sunt neglijabile i, n acest

caz, C1 i Cp se pot elimina din schema echivalent . Considernd impedan a
intern a generatorului de natur pur rezistiv , putem scrie:
RC RB
ui = ug Rg ii ; ue = RS Ie ; R S
RC RB
Dar
u i h11 ii h12 u e
ie
h 21 ii
h 22 u e
ie
amplificarea n curent, se ob ine:
ii
h 21
Ai
1 h 22 R S
Dac h22 0, Ai h21.
ui
Impedan a de intrare este dat de R i
i are expresia:
ii
h11 h11 h 22 h12 h 21 R S
Ri
1 h 22 R S
Pentru h12 h22 0, Ri h11.
ue
Amplificarea n tensiune, A u
, are expresia:
ui
R i
RS
Au . S e
Ai
R i ii
Ri
de unde,
Notnd Ai
179
(6. 54)
(6. 55)
c
ni
r
ct
el
Au
h11
h11
Pentru h12
h22
h 21 R S
h 22 h12 h 21 R S
h 21
0, A u
Rs
h11
Impedan a de ie ire, R e
Re
ue
ie
(6. 56)
S RS
, are expresia:
ug 0
h11 R g
h 22 R g
h11 h 22 h12 h 21
(6. 57)
Dac
h12 h22 0, Re
.
La frecven e joase, capacit ile parazite, Cp, nu intervin dar se simte efectul
capacit ii C1. Notnd cu Aj amplificarea la frecven e joase i cu A0 amplificarea la
frecven e medii (dedus anterior), se arat c :
Aj
1
(6. 58)
2
A0
j
1
unde
1
(6. 59)
C RC RB
reprezint pulsa ia limit inferioar .
A0
, rezult c
=
2
j, ceea ce ne permite s interpret m pulsa ia limit inferioar ca fiind pulsa ia la
care amplificarea montajului se reduce de 2 ori fa de cea de la pulsa ii
(frecven e medii).
La frecven e mari, C este neglijabil, ns intervine Cp care va avea o
reactan din ce n ce mai mic la cre terea frecven ei, scurtcircuitnd din ce n ce
mai accentuat RS, ceea ce are drept efect atenuarea m rit a semnalului de ie ire.
Notnd cu A amplificarea la frecven e nalte, se ob ine:
A
1
(6. 60)
2
A0
1
Punnd condi ia ca amplificarea Aj s scad la valoarea
unde
1
Cp R p
(6. 61)
180
c
ni
r
ct
el
reprezint pulsa ia limit superioar , adic pulsa ial la care A scade de 2 ori fa
de amplificarea A0 la frecven e medii.
Rp se calculeaz cu rela ia:
1
1
1
1
(6. 62)
R p R e RC R B
rimea
(6. 63)
f f j
2
reprezint banda de frecven e a amplificatorului, adic domeniul de frecven e n
A
care amplificarea acestuia nu scade sub valoarea 0 .
2
2. Scopul lucr rii; montaj eperimental
Scopul lucr rii este studiul amplificatorului de tensiune cu tranzistor n montaj
emitor comun.
Montajul eperimental este realizat pe o machet conform schemei din figura
6.18.
B
Mai sunt necesare:

- surs de c.c - 10 V;
- generator de semnal sinusoidal de frecven variabil ;
- osciloscop.
3. Mod de lucru
- se realizeaz montajul de amplificare, aplicnd un semnal cu frecven a
de 1 KHz la intrarea amplificatorului (bornele 1-2);
- se vizualizeaz pe osciloscop semnalul de intrare i cel de ie ire, se
determin amplitudinile acestora i se determin amplificarea
montajului;
- se observ defazajul dintre cele dou semnale. Pentru aceasta, se aplic
mai nti semnalul de la intrare la ambele intr ri, X i Y ale
osciloscopului i se observ pozi ia segmentului ob inut; se aplic apoi
semnalul de intrare la bornele X i cel de ie ire la bornele Y i se
observ din nou pozi ia segmentului;
181
c
ni
r
ct
el
se ridic caracteristica de frecven a amplificatorului i se reprezint

grafic; pentru aceasta, se aplic un semnal sinusoidal de amplitudine
constant (1 V) la intrare i se modific frecven a. Pentru fiecare
valoare a frecven ei se m soar cu osciloscopul amplitudinea
semnalului de ie ire. Se determin fj i f i B. Se compar cu valorile
rezultate din calcul, ob inute cu rela iile (6.59) i (6.61).
4. ntreb ri
1. Ce se ob ine cnd se analizeaz defazajul dintre semnalul de intrare i cel de
ie ire ? Pe ce se bazeaz metoda utilizat ?
2. Ce se ntmpl dac la intrarea amplificatorului din figura 12.3 se nlocuie te
condensatorul de capacitate 1 F cu altul de capacitate de 1 nF ? Dar dac ntre
bornele 3 4 se conecteaz un condensator de capacitate 1 nF ?
3. Cum se pot determina rezisten ele de intrare, Ri i ie ire, Re, folosind metoda
de mai sus ?
6.9.2.
Principiul reac iei. Reac ia negativ
Reac ia (feed - back) const n aducerea la intrarea unui amplificator a unei
i din energia semnalului de ie ire, conform schemei, proces care este redat n
schema din figura 6.19.
Semnalul de ie ire, e, este readus la intrare printr-o re ea de reac ie ce aplic

la intrare semnalul:
r = e ( < 1)
(6. 64)
care se suprapune peste semnalul de intrare, i, rezultnd semnalul:
=i r=i
e
(6. 65)
se nume te factor de reac ie, fiind caracteristic re elei de reac ie.
Amplificarea amplificatorului f reac ie este:
e
A
(6. 66)
iar amplificarea cu reac ie este:
e
Ar
(6. 67)
i
Folosind rela iile (6.64), (6.65) i (6.66), expresia amplific rii cu reac ie
devine:
182
c
ni
r
ct
el
(6. 68)
1
A
Dac
= i + r, adic semnalul readus de la ie ire este n faz cu cel de la
1
sistemul func ioneaz ca un
intrare, reac ia este pozitiv i dac i = 0 i
A
oscilator.
Dac
= i r, adic semnalul readus de la ie ire este n antifaz cu cel de la
intrare, reac ia este negativ .
1
Dac A este foarte mare (A
), A r
, adic , practic, amplificarea cu
Ar
reac ie este independent de amplificarea de baz , ceea ce reprezint un avantaj n

aplica iile practice.
Folosirea reac iei negative n amplificatoare are ns i alte avantaje. De
exemplu, raportul dintre semnalul util i semnalul parazit (datorat insuficientei
filtr ri a tensiunii de alimentare, zgomotului termic al componentelor etc.), numit
raport semnal-zgomot, S/Z, este mbun it n cazul utiliz rii reac iei negative.
n func ie de modul de aplicare a semnalului r la intrare, se pot ob ine patru
configura ii de reac ie:
- reac ia de tensiune serie;
- reac ie de tensiune paralel;
- reac ie de curent serie;
- reac ie de curent paralel.
consider m schema echivalent a unui amplificator cu reac ie negativ

de tensiune serie (figura 6.20). Rezisten a de intrare n prezen a reac iei, Rir, este:
ui u u r u
A r ui
(6. 69)
R ir
ii
ii
ii
iar cea n lipsa reac iei, Ri,
u
(6. 70)
Ri
ii
Din conpararea celor dou rela ii de mai sus, se ob ine:
183
c
ni
r
ct
el

Rir = Ri (1 + A)
(6. 71)
n mod analog, se arat c la reac ia de tensiune paralel, rezisten a de
intrare este dat de rela ia:
Ri
R ir
(6. 72)
1
A
Pentru reac ia de tensiune serie, rezisten a de ie ire este:
u e n gol
Ar ui
R er
u
ie n scurtcircuit
A
Rr
de unde (dac ue = 0, ur = 0, u = ui ):
Re
R er
(6. 73)
1
A
n mod analog, la reac ia de tensiune paralel:
Rer = Re (1 + A)
(6. 74)
Rezult deci c , prin modificarea configura iei de reac ie, se pot modifica
n sensul dorit rezisten ele de intrare i ie ire ale amplificatorului.
Reac ia negativ are influen asupra benzii de frecven , n sensul cre terii
acesteia, ca urmare a sc derii amplific rii, ntruct la un amplificator, produsul
amplificare-band de frecven r mne constant n lipsa sau n prezen a reac iei.
De asemenea, distorsiunile neliniare sunt reduse prin folosirea reac iei negative.
Scopul lucr rii este studiul reac iei negative i influen a sa asupra
func ion rii unui amplificator. Montajul eperimental este realizat pe o machet , a a
cum se poate vedea n figura 6.21.
Mai sunt necesare:

- surs de c.c., reglabil ;
- generator de semnal sinusoidal IF, cu frecven reglabil ;
- multimetru electronic;
184
c
ni
r
ct
el
- osciloscop.
Se va studia reac ia tensiune paralel i curent paralel.
3. Mod de lucru
- se leag bornele 1 i 2 ntre ele;
- se alimenteaz montajul cu o tensiune continu de 15 V i cu P1 se
regleaz VE pentu T1 la valoarea de 4 V;
- se m soar VE pentru T2;
- se m soar VC pentru T1 i T2;
- se calculeaz :
VE1
VE 2
;VCE1 = VC1 VE1; VCE2 = VC2 VE2;
IC1 I E1
; IC 2 I E 2
R4
R6
- se realizeaz configura ia de amplificator cu reac ie tensiune paralel,
culegnd semnalul de ie ire la borna C sau curent paralel, culegnd
semnalul de ie ire la borna B;
- se aplic la intrarea montajului (borna A) un semnal sinusoidal de 10
kHz cu valoare efectiv US = 3 V;
- se vizualizeaz pe osciloscop semnalul n colectorul i emitorul lui T2;
- se m soar cu voltmetrul electronic tensiunile efective Ui, U0 i U;
- se determin amplificarea pentru cele dou configura ii:
a) pentru reac ia tensiune - paralel:
U
(6. 75)
Ar
US
b) pentru reac ia curent paralel:
U0
I0 R 3
U0
(6. 76)
Au
; Ai
US
Ii R 7 US U i
- se determin rezisten a la intrare:
Ui
Ui
(6. 77)
R ir
R3
Ii
Us Ui
- se completeaz tabelul:
Reac ie
P.S.F.
US (V)
Ui (V)
U (V)
U0 (V)
Au
Ai
Ri
-
IC1 =
tensiune - paralel
IC2 =
IC1 =
curent paralel
IC2 =
se decupleaz punctele 1 i 2, rezultnd amplificatorul f

185
reac ie;
c
ni
r
ct
el
se m soar din nou U, Ui i U0 ;

se calculeaz amplificarea f reac ie:
U
(6. 78)
A
US
- se calculeaz rezisten a la intrare:
Ui
(6. 79)
Ri R3
US Ui
- se verific rela iile (6.68) i (6.71).
4. ntreb ri
1. Ce efecte are reac ia negativ asupra func ion rii unui amplificator ?
2. Ce defazaj trebuie s asigure o re ea de reac ie utilizat la un amplificator de
tensiune cu tranzistor n montaj emitor comun pentru a se ob ine o reac ie
negativ ?
6.9.3.
Amplificatorul diferen ial
Amplificatorul diferen ial este un montaj simetric, alc tuit din dou
amplificatoare, a c rui schem de principiu este prezentat n figura 6.22.
Montajul are dou intr ri i una sau dou ie iri. Se pot defini dou semnale
de intrare:
- semnalul de intrare diferen ial:
ud = ui2 ui1
(6. 80)
- semnalul de intrare n mod comun:
u i1 u i 2
u mc
(6. 81)
2
Astfel, se pot exprima semnalele la cele dou intr ri:
ud
ud
u i1 u mc
; u i 2 u mc
(6. 82)
2
2
186
c
ni
r
ct
el
Dac se consider un amplificator perfect simetric (RC1 = RC2 = RC; h21E1 =

h21E2 = h21E ; h11E1 = h11E2 = h11E ), se poate scrie:
RC
RC
(6. 83)
u e1
ud
u mc
2 re
2 R E re
RC
RC
(6. 84)
ue2
ud
u mc
2 re
2 R E re
RC
(6. 85)
u e u e1 u e 2
ud
re
h11E
unde re
.
h 21E
Se constat c tensiunea culeas ntre cele dou colectoare (simetric), ue, este
propor ional doar cu semnalul de intrare diferen ial, n timp ce tensiunile culese
ntre colector i mas (asimetric), ue1 i ue2, con in n plus i o component de mod
comun.
Se define te amplificarea diferen ial , Ad:
RC
(6. 86)
Ad
2 re
i amplificarea de mod comun, Amc:
RC
(6. 87)
A mc
2 R E re
Din calculele practice rezult c amplificarea de mod comun are valori
subunitare, fiind, de fapt o atenuare. Cazul ideal, pentru Amc = 0 ar nsemna c
tensiunile de ie ire asimetrice ar fi pur diferen iale. Abaterea de la aceast situa ie
se caracterizeaz prin factorul de rejec ie a modului comun, CMRR1:
Ad
RE
(6. 88)
CMRR
A mc
re
Tensiunile de ie ire asimetrice sunt de amplitudine egal i n antifaz , iar
tensiunea de ie ire simetric are o amplitudine dubl fa de acestea. Semnalul ud
este limitat ca valoare (~ 25 mV), n timp ce umc poate varia n limite largi,
determinate de limitele regiunii active a tranzistoarelor. Rezult astfel proprietatea
esen ial a amplificatorului diferen ial: aceea de a extrage semnale utile slabe din
semnale perturbatoare puternice care ac ioneaz pe modul comun.
Scopul lucr rii este proiectarea i studiul func ion rii amplificatorului
diferen ial. Montajul experimental este realizat pe o machet prezentat n figura
6.23.
De la expresia n limba englez : Common Mode Rejection Ratio
187
c
ni
r
ct
el
Mai sunt utilizate:

- surs de c.c. 10 V;
- osciloscop;
- generator de semnal sinusoidal.
3. Mod de lucru
- cu valorile din schem , se calculeaz :
VE
E
(6. 89)
I
RE
Se consider c , tranzistoarele func ionnd n regiunea activ , VE 0,6 V.
I
- se calculeaz IC1 IC 2
;
2
- se calculeaz UCE = E VE I RC ;
- se aplic tensiunea de alimentare montajului i se m soar UCE1 i UCE2
i se compar cu valorile calculate. Dac cele dou tensiuni nu sunt
egale, se ac ioneaz asupra poten iometrului de 100 pn la egalarea
lor;
- se calculeaz Ad i Amc;
- se pune la mas una din intr ri i se aplic un semnal sinusoidal la
cealalt intrare; cu osciloscopul, se m soar amplitudinea semnalului de
intrare i a celui de ie ire i se se determin Ad;
- se conecteaz mpreun cele dou intr ri se li se aplic un semnal
sinusoidal (cu amplitudinea de 1 2 V); cu osciloscopul se m soar
amplitudinea semnalului de intrare i a celui de ie ire; se determin
Amc;
- se compar valorile m surate cu cele calculate.
4. ntreb ri
1. Cum se poate justifica neglijarea c derilor de tensiune pe RB1 i RB2 n calculul
efectuat pentru UCE ?
188
c
ni
r
ct
el

2. Dac osciloscopul i generatorul de semnal sinusoidal au masa comun prin
re eaua de alimentare, tensiunea ntre cele dou colectoare ale amplificatorului
diferen ial nu poate fi vizualizat . De ce ?
3. Ce concluzii se desprind din compararea valorilor calculate cu cele
determinate?
6.9.4.
Amplificatoare opera ionale
1.No iuni teoretice
Amplificatorul opera ional este un amplificator care are dou intr ri: una,
numit intrare neinversoare (+) i cealalt intrare inversoare (). Tensiunea de
ie ire este propor ional cu diferen a dintre cele dou tensiuni de intrare:
ue = A0 (up un)
unde A0 este amplificarea n bucl deschis a montajului, care are o valoare mare
dar este dependent de frecven .
Teoretic, dac , up = un, ue = 0 dar n practic ue 0, fapt explicat prin
existen a unei tensiuni de decalaj (offset) ntre cele dou intr ri, cu o valoare de
c iva milivol i.
La amplificatorul opera ional este posibil aplicarea simultan a reac iei
pozitive i negative. Principalele configura ii ale amplificatorului opera ional sunt
urm toarele:
A. Amplificator inversor cu reac ie
Configura ia este prezentat n figura 6.24.
Dup cum se poate constata montajul are o bucl de reac ie negativ ,

amplificarea cu reac ie fiind:
ue
Rr
(6. 90)
Ar
ui
R1
ue este n antifaz cu cel de la intrare iar amplificarea este practic invers factorului
Rr
de reac ie,
.
R1
189
c
ni
r
ct
el

Rezisten a R2 se alege cu valoarea R 2
R1 R r
pentru o compensare
R1 R r
optim a erorilor datorate curen ilor de polarizare.

La aceast configura ie, rezisten a de intrare este relativ mic i practic egal
cu R1. Montajul poate fi folosit i ca sumator.
B. Amplificator neinversor cu reac ie
Amplificarea acestui montaj, a c rui schem este prezentat n figura 6.25,
este:
Rr
(6. 91)
Ar 1
R1
R1 R r
iar R2 se alege cu valoarea R 2
.
R1 R r
A0
, avnd valori foarte mari.
Ar
Dac Rr = 0 i R1 =
sau Rr = R2 i R1 = , factorul de reac ie este unitar,
deci A = 1, circuitul fiind un repetor de tensiune.
C. Amplificator diferen ial cu reac ie
La cele dou intr ri se aplic tensiunile uip i uin. Pentru ca circuitul s fie
sensibil la diferen a de tensiune dintre cele dou intr ri trebuie ca:
R1 R 3
Rr R2
caz n care amplificarea este:
Ue
Rr
Ar
(6. 92)
Uip Uin
R1
Rezisten a de intrare este: R i
R2
La toate cele trei configura ii, rezisten a de ie ire este:

Ar
Re R0
A0
unde R0 este rezisten a de ie ire n bucl deschis .
190
c
ni
r
ct
el
D. Integrator
n cazul acestei configura ii, tensiunea la ie ire este integrala tensiunii de
intrare:
1
ue
(6. 93)
u i t dt
RC
E. Derivator
Tensiunea de ie ire este derivata tensiunii de intrare:
du i t
ue
RC
dt
(6. 94)

Scopul lucr rii este studiul amplificatorului opera ional i realizarea unor
configura ii caracteristice.
Montajul experimental este realizat pe o machet pe care este montat un
amplificatorul opera ional de tipul A 741.
191
c
ni
r
ct
el
1.
2.
3.
1.
2.
Mai sunt necesare:

- osciloscop;
- surs de tensiune continu stabilizat
10 V;
- generator de semnal sinusoidal A.F.;
- generator de semnal dreptunghiular;
- generator de semnal triunghiular;
- voltmetru electronic;
3. Mod de lucru
Se realizeaz configura ia din figura 6.24, n care se vor lua ca valori: R1 =
1k , Rr = 10 k , R2 = 0.
- se alimenteaz montajul cu 10 V;
- se aplic un semnal sinusoidal ui de 1 kHz i 1V vrf la vrf, la intrarea
montajului;
ue
- se m soar ue i se determin amplificarea n tensiune, A r
;
ui
- se vizualizeaz la osciloscop tensiunea de ie ire, observndu-se
defazajul acesteia fa de cea de la intrare.
Se realizeaz configura ia de integrator (figura 6.27) lundu-se ca valori: R =
10 k , C = 10 nF; n paralel cu C se leag o rezisten auxiliar , Ra = 10 M
- se aplic la intrare un semnal dreptunghiular, ui de 2 V vrf la vrf
(componenta continu nul );
- se vizualizeaz ue.
Se realizeaz configura ia de derivator (figura 6.28), n care R = 100 k , C =
10 nF; n serie cu C se leag o rezisten adi ional , Ra = 1 k i, n paralel cu
R, un condensator auxiliar Ca = 100 pF;
- se aplic la intrare un semnal triunghiular ui (1 kHz) i se vizualizeaz
semnalul la ie ire; Ce form are acesta?
- se scot pe rnd i apoi simultan elementele auxiliare din circuit i se
observ efectul asupra tensiunii de ie ire.
4. ntreb ri
Ce defazaj este ntre uI i ue la montajul de la punctul 1 ?
Ce form are ue la montajul de la punctul 2 ?
192
c
ni
r
ct
el

3. Ce form are ue la montajul de la punctul 3 ?
4. Cum se poate folosi un amplificator opera ional ca sumator ? S se realizeze
schema acestuia.
5. Cum depinde poten ialul intr rii inversoare de tensiunea ui, aplicat la intrarea
amplificatorului opera ional din figura 6.25, n care R2 = 0 iar Rr = 3 R1 ?
193
c
ni
r
ct
el

CAPITOLUL VII
7. GENERATOARE DE SEMNAL
Circuitele electronice care, n func ionarea lor, genereaz un anumit semnal
se numesc generatoare de semnal i, dup cum este produs acesta, ele sunt de
dou tipuri: oscilatoare i generatoare comandate.
7.1.
Oscilatoare
7.1.1.
Parametri; clasificare
Oscilatoarele reprezint circuite electronice neliniare care genereaz semnale
electrice (oscila ii electrice ntre inute) cu o frecven caracteristic , utiliznd n
acest scop energia electric furnizat de o surs de alimentare.
Principalii parametri ce caracterizeaz un oscilator sunt:
- forma semnalului generat;
- frecven a(domeniul de frecven e) semnalului generat;
- amplitudinea semnalului generat;
- impedan a de ie ire a sursei echivalente;
- impedan a de sarcin pe care oscilatorul debiteaz semnalul;
- stabilitatea n frecven a semnalului generat;
- stabilitatea n amplitudine a semnalului generat;
- coeficientul de distorsiuni al semnalului generat;
- tensiunea i curentul de alimentare;
- randamentul de utilizare a energiei sursei de alimentare.
Clasificarea oscilatoarelor se poate face dup mai multe criterii:
1. dup forma semnalului generat:
oscilatoare sinusoidale;
oscilatoare nesinusoidale.
2. dup frecven a (domeniul de frecven e) semnalului generat:
oscilatoare de joas (audio) frecven (JF, AF);
oscilatoare de nalt (radio) frecven (F, RF);
oscilatoare de foarte nalt frecven (UIF, FIF).
3. dup principiul de func ionare
oscilatoare cu reac ie;
oscilatoare cu reac ie negativ .
4. dup tipul re elei de reac ie
oscilatoare RC;
oscilatoare LC;
oscilatoare cu cuar etc.
5. dup tipul elementelor neliniare folosite
oscilatoare cu tuburi electronice;
oscilatoare cu tranzistoare;
oscilatoare cu circuite integrate etc.
194
c
ni
r
ct
el

7.1.2.
Oscilatoare cu reac ie
analiz m schema din figura 7.1, ce reprezint un amplificator cu reac ie
pozitiv , asigurat prin circuitul de reac ie cu func ia de transfer
Amplificarea
u0
proprie a amplificatorului este A0 = .
u
n prezen a reac iei, amplificarea este:

u
A0
A= 0
u i 1 A0
(7. 1)
Dac u i = 0, se poate ob ine semnal diferit de zero la ie irea circuitului dac :

A0 = 1
(7. 2)
Rela ia (7.2) este cunoscut sub numele de condi ia Barkhausen de
ntre inere a oscila iilor. innd cont c factorul de transfer (de reac ie) ca i
amplificarea sunt m rimi complexe, rela ia (7.2) se poate scrie:
i
A0 = e
A 0 e i A = 1,
ceea ce implic :
A0 = 1
(7.2)
i
A
= 1,de unde
ie
A = 2k .
Pentru k = 0, rezult :
(7.2)
A=0
Rela iile (7.2) i (7.2) arat c , pentru amorsarea i ntre inerea oscila iilor,
este necesar ca factorul de reac ie al re elei de reac ie s fie egal n modul cu
inversul modulului amplific rii proprii a amplificatorului i defazajul introdus de
re eaua de reac ie la semnalul readus la intrare s fie astfel nct acest semnal s fie
n faz cu semnalul de intrare.
Configura ia general a unui oscilator cu reac ie este dat n figura 7.2.
Re eaua de reac ie, format de impedan ele Z 1, Z 2, Z 3 trebuie s asigure o
inversare de faz la frecven a de lucru, ntruct, dup cum s-a v zut, la ie irea
amplificatorului cu tranzistor, semnalul este defazat cu fa de cel de intrare.
195
c
ni
r
ct
el
Impedan a de sarcin a montajului este:

Z Z Z3
ZS = 2 2
.
Z1 Z 2 Z 3
Amplificarea montajului este:
Z1 Z 3
h
.
A = 21 ZS = S ZS == S Z2
Z1 Z 2 Z 3
h11
Factorul de reac ie are expresia:
u
Z1
= BE
.
u CE Z1 Z 3
Atunci, din condi ia Barkhausen, rezult :
Z1 Z 2
= 1,
S
Z1 Z 2 Z 3
sau:
Z 1+ Z 2 + Z 3+ Z 1 Z 2 S = 0
(7. 3)
Rela ia (7.3) reprezint condi ia de oscila ie a montajului din figura 7.2.
Considernd impedan ele Z 1 i Z 2 pur reactive i de aceea i natur , din (7.3)
rezult rela iile:
R3
S=
(7.3)
X1X 2
X1 + X2 + X3 = 0
(7.3)
Din rela ia (7.3) rezult c panta S a tranzistorului trebuie s aib o valoare
minim dat de rela ia respectiv , iar din (7.3) c Z 3 este de natur opus
celorlalte dou , astfel nct, oscilatoarele cu aceast configura ie pot fi (figura 7.3):
oscilatoare Colpitts, cu Z 1 i Z 2 capacitive i Z 3 inductiv .
oscilatoare Hartley, cu Z 1 i Z 2 inductive i Z 3 capacitiv .
Din rela ia (7.3) se poate deduce frecven a de oscila ie a montajului. De
exemplu, pentru oscilatorul Colpitts (figura 7.3.b), avem:
1
1
X1 =
, X2 =
, X3 = i L
i C1
i C2
i, nlocuind n (7.3), ob inem:
196
c
ni
r
ct
el
0L
1
i
C1 C 2
C1 C 2
= 0,
de unde,
0
LC1C 2
C1 C 2
(7. 4)
De asemenea, pentru oscilatorul Hartley (figura 7.3.a),

1
X1 = i L1, X2 = i L2 i X3 =
.
i C
nlocuind n aceea i rela ie, (7.3), se ob ine:
1
= 0,
i (L1 + L2) +
i C
de unde:
(7. 5)
0 = C L1 L 2
Din schema de baz , din figura 7.2, deriv i alte variante, cum sunt
oscilatoarele cu cuplaj magnetic, la care, ntre Z 1 i Z 2, care sunt de natur
inductiv , se realizeaz un cuplaj mutual.
n mod asem tor se pot construi oscilatoare RC, la care re eaua de reac ie
este alc tuit din rezistoare i condensatoare. Acestea sunt utilizate n mod special
ca oscilatoare de joas frecven , ntruct oscilatoarele LC ar necesita la frecven e
joase bobine cu inductan e mari i, deci cu un gabarit i consum de material mare.
Oscilatoarele LC se utilizeaz pentru generarea frecven elor radio, la care re elele
de tip RC ar necesita capacit i de valori foarte mici, greu sau chiar imposibil de
realizat practic.
Configura iile re elelor RC pot fi foarte diverse dar fiecare trebuie s
ndeplineasc condi ia Barkhausen, att de amplitudine, ct i de faz . Dac la
oscilatoarele LC frecven a de oscila ie a acestora este chiar frecven a de rezonan
a circuitului LC, la oscilatoarele RC circuitul de reac ie se comport n mod
selectiv, condi ia de faz fiind satisf cut numai pentru o anumit frecven ,
aceasta fiind frecven a de oscila ie a oscilatorului.
n figura 7.4 sunt prezenta te cele mai des utilizate re ele RC.
197
c
ni
r
ct
el
Rela iile care caracterizeaz aceste re ele sunt urm toarele:

re eaua trece-jos:
2
1
RC 6
R 2C2
=
;
= arctg
2
2 2 2
2 2 2 2
1 5 2 R 2C2
1 5 2 R 2C2
R C 6
R C
re eaua trece-sus:
3 3 3
2
R C
3
RC 5
R 2C2
=
;
=
arctg
2
2 2 2
2 2 2 2
2
1 6 2 R 2C2
1 6 2 R 2C2
R C 5
R C
re eaua Wien:
RC
R 2C
2 2
R 2C 2
arctg
3 RC
2 2 2
1
R C
7.1.3.
Oscilatoare cu rezisten negativ
Acest tip de oscilator folose te pentru generarea oscila iilor un element
neliniar a c rui caracteristic static curent-tensiune prezint o regiune de pant
negativ , adic o regiune n care rezisten a dinamic (diferen ial ) este negativ .
Cum rezisten a static n regiunea respectiv este pozitiv , elementul neliniar
respectiv absoarbe energie n curent continuu, genernd energie sub form de
oscila ii. Aceast proprietate de conversie a energiei de curent continuu n energie
de curent alternativ este folosit pentru ntre inerea oscila iilor ntr-un circuit
oscilant, n care pierderea de energie prin disiparea ei pe rezisten a proprie este
compensat prin energia generat de elementul neliniar.
Elementele neliniare cu rezisten dinamic negativ sunt de dou tipuri:
198
c
ni
r
ct
el
dispozitive VNR1, avnd caracteristica de tipul celei din figura 7.5.a.

dispozitive CNR2, avnd caracteristica de tipul celei din figura 7.5.b.
Este evident, dup modul de control al fiec ruia dintre cele dou tipuri, c
dispozitivele VNR se conecteaz n paralel cu circuitul oscilant, iar cele CNR n
serie cu acesta. Ca dispozitive VNR se pot da ca exemplu tetroda i dioda tunel, iar
ca dispozitiv CNR - tranzistorul unijonc iune.
Schemele de principiu ale unui oscilator cu element cu rezisten negativ
sunt prezentate n figura 7.6.
Indiferent de tipul oscilatorului, o problem important n proiectarea i

construc ia unui astfel de circuit este cea privind stabilitatea frecven ei i a altor
parametri ai semnalului generat fa de varia iile de temperatur , de tensiune de
alimentare, de valoare ale m rimilor R, L, C ale circuitului oscilant etc. Pentru o
stabilitate ct mai bun , se folosesc metode de compensare (utiliznd termistori) i
de protec ie prin termostatare. De asemenea, utilizarea cristalelor de cuar (sau a
altor cristale piezoelectrice) permite ob inerea unor performan e deosebite din
punctul de vedere al stabilit ii semnalului generat.
Denumirea vine din englez : "Voltage controlled Negative Resistor", adic dispozitiv cu
rezisten negativ controlat prin tensiune.
2
Denumirea vine din englez : "Current controlled Negative Resistor", adic dispozitiv cu
rezisten negativ controlat prin curent.
199
c
ni
r
ct
el
7.2.
Impulsuri
Impulsul este o varia ie rapid de tensiune sau curent. Durata unui impuls
este foarte scurt comparativ cu intervalul de succesiune dintre impulsuri i cu
procesele tranzitorii generate de acesta n circuit.
Principalii parametri ce caracterizeaz impulsurile (figura 7.7) sunt:

amplitudinea, A, durata, ti (intervalul de timp dintre momentele de timp
corespunz toare atingerii unei valori egale cu jum tate din amplitudine), durata
pauzei, tp (intervalul de timp ntre sfr itul unui impuls i nceputul celui urm tor),
perioada de succesiune, T (intervalul dintre dou impulsuri succesive), timpul de
cre tere, ta (sau durata frontului anterior - intervalul de timp n care tensiunea sau curentul - cre te de la o zecime din valoarea amplitudinii la nou zecimi din
valoarea acesteia), timpul de c dere, tc (sau durata frontului posterior - intervalul
de timp n care tensiunea - sau curentul - scade de la o nou zecimi din valoarea
amplitudinii la o zecime din valoarea acesteia), coeficientul de umplere, (raportul
dintre durata i perioada impulsului, t i/T).
Impulsurile pot fi ob inute fie prin formare (din semnale de alt form , cu
circuite specializate), fie prin generare (cu montaje care genereaz direct astfel de
semnale).
7.2.1.
Circuite de formare a impulsurilor
n general, pentru formarea impulsurilor se pleac de la semnale periodice de
alt form (de obicei, sinusoidal ) care se aplic la intrarea unui circuit de formare,
la ie irea c ruia se ob ine semnalul dorit. Circuitele de formare a impulsurilor pot
fi liniare (avnd n componen elemente pasive R, L, C) sau neliniare (avnd n
componen elemente neliniare).
Cele mai importante tipuri de circuite de formare a impulsurilor sunt
circuitele de limitare, circuitele de derivare i circuitele de integrare.
200
c
ni
r
ct
el

Pentru exemplificare, s analiz m cteva din cele mai utilizate circuite,
dintre care face parte i circuitul de limitare cu diode, prezentat n figura 7.8.a.
Dac la intrarea acestui circuit se aplic o tensiune sinusoidal , la ie ire, forma

semnalului este cea din figura 7.8.b., fapt datorat propriet ii de conduc ie
unilateral a diodelor din montaj. Se constat c , n acest fel, semnalul ob inut este
(cu o foarte bun aproxima ie) de form dreptunghiular .
La circuitul de derivare (figura 7.9.a), prin aplicarea la intrare a unui semnal
dreptunghiular, la ie ire se ob ine un semnal de forma celui din figura 7.9.b.
Lucrurile se petrec n felul urm tor: la cre terea brusc a tensiunii de intrare,
ui, de la zero la valoarea maxim , tensiunea de ie ire, ue, sufer de asemenea un
salt brusc, de la zero la valoarea maxim , dup care scade exponen ial n timp
(rapid, dac RC << t i), lucrurile petrecndu-se la fel dar cu schimbarea polarit ii
semnalului de ie ire la sc derea semnalului de intrare de la valoarea maxim la
zero.
La circuitul de integrare (figura 7.10.a), aplicnd un semnal dreptunghiular la
intrare, ui, din momentul saltului brusc al tensiunii de intrare de la zero la valoarea
maxim , condensatorul se ncarc pn la tensiunea maxim , dup care, din
momentul cnd semnalul de intrare scade brusc la zero, semnalul de la ie ire scade
exponen ial la zero Dac constanta de timp a circuitului este mult mai mare dect
durata impulsului (RC >> ti), semnalul de ie ire are o form aproximativ
triunghiular (figura 7.10.b)
201
c
ni
r
ct
el
Ca circuite de limitare neliniare, se pot folosi amplificatoarele limitatoare

care utilizeaz n func ionare regiunea de satura ie a tranzistoarelor.
Pentru exemplificare, prezent m n continuare circuitul de limitare cu
amplificator opera ional (figura 7.11), a c rui caracteristic de transfer (tensiunea
diferen ial de ie ire, u, n func ie de tensiunea diferen ial de intrare, ud = u+ - u),
prezentat (idealizat) n figura 7.11.b, prezint zone de saturare att la tensiuni
diferen iale de intrare negative ct i pozitive.
Aplicnd la intrarea amplificatorului opera ional o tensiune sinusoidal cu

amplitudine de ordinul a 1V, acesta taie sinusoida, realiznd acela i efect ca
circuitul de limitare cu diode.
7.2.2.
Circuite basculante
Circuitele basculante sunt circuite electronice de generare a impulsurilor 1,
caracterizate prin dou sau mai multe st ri cvasistabile (de acumulare), trecerea de
la o stare la alta (bascularea) f cndu-se foarte rapid, curen ii i tensiunile din
circuit avnd i ei varia ii foarte rapide.
Circuitele basculante sunt, de fapt, amplificatoare cu reac ie pozitiv i, dup
num rul st rilor stabile pe care le au, sunt de trei feluri: circuite bistabile, circuite
monostabile i circuite astabile. Pentru n elegerea func ion rii lor, s urm rim
schema general , prezentat n figura 7.12, alc tuit din dou etaje de amplificare
cuplate ntre ele prin impedan ele Z1 i Z2, care asigur astfel bucla de reac ie
1
Aceasta este doar una din aplica ii, existnd ns

202
i altele, a a cum se va vedea ulterior
c
ni
r
ct
el

pozitiv . La conectarea sursei de alimentare, datorit imperfec iunilor simetriei
montajului, unul din cei doi tranzistori prime te pe baz un impuls negativ (de
exemplu, T2), acesta se va deschide par ial, tensiunea negativ din colectorul s u
va sc dea, ceea ce echivaleaz cu producerea unui impuls pozitiv transmis bazei
tranzistorului T1 prin Z2 ; n acest fel, tranzistorul T1 se blocheaz , curentul s u de
colector sc znd, ceea ce duce la cre terea tensiunii negative pe colector, aceast
tensiune transmi ndu-se tranzistorului T2, i a a mai departe, astfel nct, ntr-un
timp foarte scurt T2 este complet deschis i T1 complet nchis. n func ie de natura
impedan elor Z1 i Z2, se ob in cele trei tipuri de circuite basculante.
1. Circuitul basculant bistabil

Circuitul basculant bistabil (CBB), a c rui schem este cea din figura 7.13,
prezint dou st ri stabile egal posibile. Func ionarea circuitului poate fi descris
pe baza celor discutate mai sus.
La conectarea tensiunii de alimentare, unul din cei doi tranzistori trece n

stare de conduc ie (la satura ie) cel lalt fiind blocat, starea men inndu-se un timp
nelimitat dac condi iile se men in acelea i, deci starea este stabil . Dac pe baza
tranzistorului aflat n stare de conduc ie se aplic un puls de tensiune negativ ,
203
c
ni
r
ct
el

circuitul basculeaz rapid ntr-o stare complementar , n care tranzistorul aflat
ini ial la satura ie se blocheaz , iar cel lalt trece n stare de conduc ie, stare de
asemenea stabil , din care circuitul poate bascula n cealalt stare prin aplicarea
unui nou impuls negativ pe baza tranzistorului aflat n stare de conduc ie. n
colectorul fiec ruia din cei doi tranzistori se ob in semnale dreptunghiulare de
polarit i opuse, avnd durata egal cu intervalul dintre dou impulsuri succesive
de comand a bascul rii, aplicate pe bazele tranzistoarelor. Pentru o basculare mai
rapid , n paralel cu rezistoarele R3 i R4 se poate monta cte un condensator care
asigur astfel o form ct mai apropiat de cea ideal , dreptunghiular , a
semnalelor. Dup modul de comand a bascul rii, se pot reliza mai multe variante
constructive, a a cum se va vedea n capitolul urm tor.
2. Circuitul basculant monostabil
Schema circuitului basculant monostabil (CBM) este prezentat n figura
7.14., ea derivnd din cea a circuitului bistabil, la care R4 din figura 7.13 se
nlocuie te cu un condensator.
La aplicarea tensiunii de alimentare, prin fenomenele tranzitorii descrise

anterior, se ajunge n starea stabil , n care T1 conduce, iar T2 este blocat. Aplicnd
un impuls negativ pe baza lui T2, acesta este adus n stare de conduc ie, iar T1 se
blocheaz . Aceast stare este ns instabil , deoarece condensatorul C ncepe s se
ncarce, tensiunea pe baza lui T1 ncepe s creasc cu polaritate negativ i
circuitul basculeaz n starea stabil , n care T1 conduce i T2 este blocat. Timpul
de revenire din starea instabil n cea stabil este determinat de constanta de timp
de nc rcare a grup rii condensatorului.
204
c
ni
r
ct
el
3. Circuitul basculant astabil

Schema circuitului basculant astabil (CBA) este cea din figura 7.15 i din
analiza ei se vede c se poate considera c deriv din schema circuitului basculant
bistabil, prin nlocuirea rezistoarelor R3 i R4 din figura 7.13 cu condensatoare.
Dac la momentul ini ial T1 conduce i T2 este blocat, C1 ncepe s se ncarce prin
R2, n final asigurnd o tensiune negativ pe baza lui T2 care duce la trecerea
acestuia n stare de conduc ie, circuitul basculnd n starea n care T1 este blocat i
T2 conduce. n aceast stare, circuitul r mne pn la nc rcarea lui C2, cnd
circuitul comut din nou, lucrurile repetndu-se astfel la infinit, circuitul neavnd
nici o stare stabil . S facem acum i o analiz cantitativ a proceselor din acest
circuit. Pentru aceasta, consider m momentul to ca fiind momentul cnd T2 tocmai
a trecut n stare de conduc ie. VCE1 cre te brusc de la -E la 0, i acest salt pozitiv de
tensiune este transmis prin C1 la baza lui T2, VBE2 crescnd brusc de la 0 la +E,
ceea ce duce la blocarea ferm a lui T2. Condensatorul C2, cu tensiunea ini ial
zero, se ncarc exponen ial (constanta de timp fiind R4C2) la tensiunea -E prin R4.
VCE2, n acela i timp ajunge de la 0 la E, C1, la rndul s u desc rcndu-se de la
tensiunea ini ial +E (plusul pe baza lui T2) la 0 i nc rcndu-se apoi cu polaritate
schimbat prin R2 (constanta de timp fiind R2C1). Cnd, la momentul t1, VBE2 trece
prin valoarea 0 spre valori negative, T 2 trece n stare de conduc ie; T1 prime te n
baz un puls de tensiune cu valoarea +E blocndu-se, deci circuitul basculeaz n
noua stare, n care va r mne un timp scurt, determinat de constanta de timp R3C2.
Curentul de nc rcare a lui C1 prin R2 este:
t1 t 0
R 2 C1
E e
.
R3
La t1, cnd VBE2 = 0, c derea de tensiune pe R2 este:
i=
E = iR2 = 2E e
t1 t 0
R 2C1
De aici, rezult :
t1 t0 = R2 C1 ln2
i, analog,
205
c
ni
r
ct
el

t2 t1 = R3 C2 ln2.
Deci, perioada semnalelor ce se ob in la colectoarele celor doi tranzistori, de
aceea i form dar n opozi ie de faz , este:
T = (R2 C1 + R3 C2) ln2 = 0,693 (R2 C1 + R3 C2)
(7. 6)
Forma semnalelor generate de circuitul basculant astabil, numit i
multivibrator, este cea din figura 7.16.
4. Circuitul basculant Schmitt

Schema acestui circuit este cea din figura 7.17, din care rezult c el este un
circuit asimetric, cuplajul ntre etaje realizndu-se prin rezisten a comun de
emitor, R6 care introduce o reac ie pozitiv ca urmare a c reia starea circuitului
depinde de tensiunea aplicat pe baza tranzistorului T1.
consider m c n starea ini ial T1 este blocat i T2 n stare de conduc ie la

satura ie. Aceast stare se p streaz att timp ct poten ialul pe baza lui T1 r mne
mai mare dect cel al emitorului. Dac acesta scade sub poten ialul emitorului, T1
ncepe s conduc , pe colectorul acestuia apare un puls pozitiv de tensiune, care se
206
c
ni
r
ct
el
transmite la baza lui T2, blocndu-l. Rezult deci c circuitul basculant Schmitt
este un circuit cu dou st ri stabile care pot fi comutate prin aplicarea la intrare a
unei tensiuni cu varia ia continu care trebuie s dep easc un prag critic.
De remarcat faptul c circuitul Schmitt prezint o comportare cu caracter de
histerezis, tensiunea de prag de comutare invers fiind, n general, diferit de cea
de comutare direct .
Forma de varia ie a tensiunii de comuta ie poate fi oarecare. Caracteristicile
specifice ale acestui circuit fac ca el s fie utilizat cu mai multe func ii, dintre care
cele mai importante sunt cea de formator de impulsuri dreptunghiulare din semnale
sinusoidale, cea de memorator de impulsuri aplicate la intrare i cea de
discriminator de amplitudine a unor impulsuri.
n afara circuitelor prezentate aici mai sunt i altele, multe din acestea
fabricndu-se n prezent sub form integrat , cu caracteristici specifice tipului de
aplica ie n care sunt folosite.
7.3.
Aplica ii
7.3.1.
Oscilatoare
Se tie c , dac la un amplificator cu reac ie, reac ia este pozitiv i dac
1
semnalul la intrare este nul iar,factorul de reac ie este
, sistemul
A
func ioneaz ca un generator de semnal (oscilator).
Re eaua de reac ie poate avea diverse cofigura ii, ea ns trebuind s asigure
condi ia de amorsare a oscila iilor.
analiz m re eaua din figura 7.18 (re eaua Wien). Func ia de transfer a
re elei este:
Z2
1 U2
(7. 7)
U1 Z1 Z2
unde:
Z1
1
i C1
R1
i Z2
207
R2
1 i R 2C 2
c
ni
r
ct
el
Defazajul introdus este nul numai dac
0 R1C 2
1
, de unde:
0 R 2 C1
1
(7. 8)
2
2
R1R 2C1C2
n acest caz, func ia de transfer are valoarea:
1 U2
1
(7. 9)
U1 1 R1 C1
R 2 C2
Dac R1 = R2 = R i C1 = C2 = C, frecven a de rezonan a re elei devine:
1
(7. 10)
0
2 RC
O astfel de re ea poate fi folosit ca re ea de reac ie pozitiv pentru ob inerea
unui generator de semnal sinusoidal (figura 7.19).
0
n aceast schem se folose te un amplificator opera ional, la a c rui intrare

neinversoare este cuplat re eaua Wien. Amplificarea f
re ea a montajului este
stabilit de reac ia negativ format din gruparea R3 R4.
R3
(7. 11)
A 1
R4
Dac R1 = R2 = R i C1 = C2 = C, din condi ia pentru amorsarea oscila iilor
rezult c R3 = 2 R4. Pentru stabilizarea amplitudinii oscila iilor, n practic nu este
posibil men inerea unei valori constante a amplific rii i atunci n re eaua de
reac ie negativ se introduce un element neliniar (bec cu incandescen , termistor,
diod , tranzistor J-FET etc.) cu rol de rezisten variabil controlat prin tensiunea
de ie ire.
Scopul lucr rii l reprezint studiul caracteristicii de transfer a re elei Wien
i al func ion rii unui oscilator cu re ea Wien. Montajul experimental este realizat
pe o machet , ca n figura 7.20.
208
c
ni
r
ct
el
Mai sunt necesare:

surs dubl de tensiune stabilizat 0 12 V;
multimetru electronic;
generator JF;
osciloscop;
frecven metru
3. Mod de lucru
se aplic un semnal sinusoidal u1 la bornele A M; acest semnal se aplic la
bornele de deflexie X ale osciloscopului, semnalul u2, cules la bornele B M
aplicndu-se la bornele Y ale acestuia;
se variaz frecven a semnalului astfel nct pe ecranul osciloscopului s apar o
dreapt , caz n care, dup cum se tie, cele dou semnale, u1 i u2 sunt n faz ;
se m soar frecven a la care se ob ine dreapta cu un frecven metru i se
compar cu cea calculat cu formula 7.10;
se aplic un semnal de frecven e diferite la intrarea re elei, n domeniul
0
20 0 , men innd o valoare eficace constant (100 mV) a semnalului

20
de intrare;
- pentru 20 frecven e diferite, repartizate uniform n domeniul de frecven e
respectiv, se m soar tensiunea eficace la ie irea re elei;
- se traseaz graficul modulului func iei de transfer, n func ie de frecven :
u2
f
u1
- se realizeaz montajul de oscilator, cuplnd punctele B D, A C i aplicnd
tensiunea de alimentare amplificatorului opera ional;
- se culege semnal la bornele E M i se vizualizeaz pe osciloscop. Se
calculeaz amplificarea A cu rela ia 7.11 i se verific condi ia de amorsare a
oscila iilor.
4. ntreb ri
1. Care este condi ia pentru ca un amplificator de tensiune liniar c ruia i se aplic
o reac ie ntre intrare i ie ire s func ioneze ca oscilator ?
209
c
ni
r
ct
el

2. Ce se poate spune din analiza reprezent rii grafice a varia iei func iei de
transfer a re elei Wien n func ie de frecven ?
7.3.2.
Circuite basculante
Un circuit basculant este format din dou etaje de amplificare, conectate ntre
ele prin componente pasive (rezistori sau condensatori). Vom analiza situa ia cnd
circuitul este realizat cu tranzistori, ace tia func ionnd n regim de comuta ie
cnd unul este blocat cel lalt este saturat. Circuitul are dou st ri, trecerea dintruna n cealalt f cndu-se printr-un proces de basculare.
A. Circuitul bistabil
Schema unui astfel de circuit este cea din figura 7.21.
ntruct, n practic , simetria montajului nu este perfect , la conectarea

tensiunii de alimentare unul dintre tranzistori se va g si n stare de conduc ie,
cel lalt n stare blocat , stare ce se va men ine i n continuare, ea fiind deci o stare
stabil (de exemplu, T1 saturat, T2 blocat). Dac tranzistorul T1 este blocat (de
exemplu prin aplicarea unui impuls negativ pe baz sau prin scurtcircuitarea de
scurt durat la mas a bazei lui T1 sau a colectorului lui T2), curentul n baza lui
T1 sc znd brusc, poten ialul colectorului lui cre te brusc, determinnd apari ia
unui curent n baza lui T2, care trece astfel n stare de conduc ie. Acest lucru duce
la sc dera poten ialului colectorului lui T2, ceea ce determin men inerea n stare
blocat a lui T1, stare care este stabil .
Pentru ca, n conduc ie, tranzistorii s se satureze, este necesar o
dimensionare corespunz toare a componenetelor, astfel:
E U BE1
I B1
R2 R4
E
Considernd R2 << R4 i neglijnd UBE1, I B1
. De asemenea,
R4
E U CE1 sat .
E
IC1
R1
R1
210
c
ni
r
ct
el
La satura ie, trebuie ca I B1
Analog,
R2
R3
h 21E
I C1
, adic :
h 21E
R4
h 21E 1
R1
B. Circuitul monostabil
Schema circuitului este dat n figura 7.22.
Se observ c circuitul deriv dintr-un bistabil n care s-a nlocuit rezisten a

R3 cu un condensator i baza lui T2 se polarizeaz prin legarea lui R3 direct la
tensiunea de alimentare. La conectarea acesteia, T 2 este saturat i T1 blocat, stare
care este stabil .
Dac se aplic un impuls negativ n baza lui T 2, circuitul basculeaz , T2
blocndu-se i T1 devenind saturat. Ca urmare, tensiunea la bornele
condensatorului sufer un salt negativ cu valoarea ~ E. Aceast stare este ns
instabil deoarece condensatorul se ncarc prin R3, poten ialul bazei lui T2
crescnd i ducnd la deschiderea acestuia, circuitul basculnd n starea ini ial ,
stabil .
Durata st rii instabile, T, se calculeaz astfel: condensatorul se ncarc n
starea stabil la tensiunea:
U = (E UBE2)
iar n cea instabil la tensiunea:
U* = UBE2 UCE1 UBE2
nc rcarea se face exponen ial prin R3, tensiunea pe condensator sc znd
conform rela iei:
u BE 2 t
E UBE 2
1 e
La t = T, uBE2(T) = UBE2, de unde:
211
t
R3 C
E U BE 2
c
ni
r
ct
el

T = R3 C ln2
0,7 R3 C
(7. 12)
C. Circuitul astabil
Schema circuitului este prezentat n figura 7.23.
Se observ c schema este simetric , cele dou condensatoare realiznd st ri

instabile. Rezult o basculare permanent din starea T1 saturat i T2 blocat n
starea T1 blocat i T2 saturat i invers. Durata bascul rii este mult mai mic
dect durata st rilor instabile, tensiunile n colectorii celor dou tranzistoare fiind
de forma din figura 7.24.
Durata fiec rei st ri instabile este dat de rela ia:

T1 0,7 R3 C1
(7. 13)
T2 0,7 R4 C2
(7. 14)
Scopul lucr rii este studiul func ion rii circuitelor basculante. Montajul
eperimental cuprinde macheta care permite constituirea celor trei tipuri de circuite
(figura 7.25). Starea de satura ie sau de blocare a unuia din tranzistori se constat
prin aprinderea, respectiv stingerea becului din colectorul s u.
Mai sunt necesare:
- o surs de c.c.;
- osciloscop cu dou canale.
3. Mod de lucru
A. se realizeaz circuitul bistabil (borna 1 se leag la borna B i borna 2 la
borna A).
212
c
ni
r
ct
el
se observ starea circuitului dup aplicarea tensiunii de alimentare

(max 5V);
- se basculeaz circuitul, prin scurtcircuitarea de scurt durat la mas
a bazei tranzistorului aflat n stare de satura ie sau a colectorului
celuilalt tranzistor (blocat) i se observ noua stare a circuitului.
B. se realizeaz circuitul monostabil (borna 1 se leag la borna B, borna 2
la borna C i borna 4 la borna A).
- se repet opera iile de la punctul A
C. se realizeaz circuitul astabil (borna 1 se leag la borna D, borna 2 la
borna C, borna 3 la borna B i borna 4 la borna A).
- se vizualizeaz uB1 i, uB1, apoi uC1 i, uC2;
- se m soar experimental duratele celor dou st ri;
- se calculeaz duratele celor dou st ri cu formulele (7.13) i (7.14)
i se compar cu cele experimentale.
4. ntreb ri
1. Cum se explic rotunjirea semnalului vizualizat pe oscilocscop, comparativ cu
semnalul dreptunghiular, teoretic ?
2. De unde trebuie cules semnalul audio de la un circuit astabil folosit ca
generator de joas frecven ?
213
c
ni
r
ct
el
CAPITOLUL VIII
8. CIRCUITE LOGICE
8.1.
Elemente de algebr boolean

1
Algebra boolean , numit i algebra logicii binare, opereaz cu variabile

care pot avea numai dou valori numerice, 0 i 1, c rora le corespund valorile
logice NU, FALS, NIMIC, respectiv DA, ADEV RAT, TOT.
Func iile logice de baz sunt urm toarele:
1. nega ia sau complementul logic sau func ia logic NU (NOT) face ca unei
variabile binare x s i corespund variabila binar x , cu proprietatea:
(8. 1)
x x =1
Tabela de adev r a acestei func ii este:
x
x
0
1
1
0
2. intersec ia sau produsul logic sau func ia logic

de adev r este urm toarea:
x
0
1
0
1
y
1
0
0
1
I (AND), a c rei tabel
y
0
0
0
1
3. reuniunea sau suma logic sau func ia logic SAU (OR), a c rei tabel de
adev r este urm toarea:
x
0
1
0
1
y
0
0
1
1
y
0
1
1
1
Aceste func ii logice au urm toarele propriet i:

1) x y z = (x y) z = x (y z)
2) x
(y z) = (x
y)
(x
(8. 3)
(8. 2)
z)
3) x = x
(8. 4)
4) x
(8. 5)
5) x
(8. 6)
1
Algebra boolean a fost elaborat de matematicianul englez Boole n secolul al XIX-lea;

ea a fost folosit n tehnica de calcul pentru prima dat de c tre Shannon, n 1938.
214
c
ni
r
ct
el

Ultimele dou rela ii sunt cunoscute sub numele de teoremele lui de Morgan.
Mai pot fi demonstrate i rela iile:
x x x ...=x
(8. 7)
x x x ...=x
(8. 8)
x x =0
(8. 9)
x 0 = x (elementul neutru fa de sum )
(8. 10)
x 1 = x (elementul neutru fa de produs)
(8. 11)
x (x y) = x
(8. 12)
x ( x y) = x y
(8. 13)
Pentru reprezentarea grafic a func iilor logice de baz , se utilizeaz
simbolurile grafice (logigramele) din figura 8.1.
Folosind func iile logice de baz , se pot defini i alte func ii auxiliare:
1. func ia logic NICI (SAU-NU, NOR) are simbolul grafic i tabela de
adev r prezentate n figura 8.2 (se folose te rela ia 8.5)
2. func ia logic I-NU (NAND) are simbolul grafic

prezentate n figura 8.3 (se folose te rela ia 8.6)
i tabela de adev r
3. func ia logic SAU-EXCLUSIV (XOR) sau adunarea modulo doi are

simbolul grafic i tabela de adev r prezentate n figura 8.4.
215
c
ni
r
ct
el
Func ia SAU-EXCLUSIV se define te astfel:

x y = (x y) (x y)
(8. 14)
4. func ia logic COINCIDEN
(SAU-EXCLUSIV-NU) are simbolul
grafic i tabela de adev r prezentate n figura 8.5 i este definit prin
rela ia:
x
(8. 15)
n discu iile de pn acum, s-au considerat func ii logice realizate cu numai

dou variabile binare, x i y. n general, n practic se ntlnesc func ii realizate cu
mai multe variabile logice, caz n care func ia respectiv se poate exprima prin a anumi ii termeni P i S. Termenii produs (P) reprezint o func ie care ia valoarea
logic 1 pentru o singur combina ie de valori ale variabilelor, scriindu-se ca
produs al tuturor variabilelor (fiecare din acestea putnd fi negat sau nenegat );
termenii sum (S) reprezint o func ie care ia valoarea logic 0 pentru o singur
combina ie de valori ale variabilelor, scriindu-se ca o sum a tuturor variabilelor
(fiecare din acestea putnd fi negat sau nenegat ).
Exprimarea func iilor logice de mai multe variabile se face sub forma unei
sume logice de termeni P sau a unui produs de termeni S, aceste forme numindu-se
forme canonice.
consider m urm torul exemplu: se d func ia de trei variabile x, y, z, a
rei tabel de adev r este dat mai jos. Scrierea n form canonic cu termeni P
216
c
ni
r
ct
el

sau S a func iei f(x, y, z) se face astfel: pentru scrierea cu termeni P, se iau acele
combina ii de variabile pentru care func ia ia valoarea 1, combina iile fiind
produse ale tuturor variabilelor, negate dac au valoarea 0 i respectiv nenegate
dac au valoarea 1; pentru scrierea cu termeni S se iau acele combina ii de
variabile pentru care func ia ia valoarea 0, combina iile fiind suma tuturor
variabilelor, negate dac au valoarea 1, respectiv nenegate dac au valoarea 0.
x
0
0
0
1
0
1
1
1
y
0
0
1
0
1
1
0
1
z
0
1
0
0
1
0
1
1
f(x, y, z)
1
0
0
0
1
0
1
1
Astfel, pentru func ia a c rei tabel de adev r este cea de mai sus, formele
canonice cu termeni P i S sunt:
fP = ( x y
z ) ( x y z) (x y z) (x y z)
fS = ( x
z ) ( x y z) (x y z) (x y z )
y
Scrierea func iei sub form canonic permite implementarea ei ntr-o schem
logic . Pentru func ia de mai sus, schema logic este cea din figura 8.6.a (cu
termeni P), respectiv 8.6.b (cu termeni S).
Dup cum se vede, schemele logice rezultate sunt destul de complicate;
pentru simplificarea lor, se poate face minimizarea func iei, pe baza rela iilor
(8.3), (8.5), (8.6) i (8.12). Dac num rul variabilelor nu este prea mare, se poate
folosi minimizarea prin metoda diagramelor Karnaugh, aceste fiind matrice cu 2 n
su e (n fiind num rul variabilelor), fiecare c su corespunznd unei anume
combina ii de valori ale variabilelor i avnd nscris n ea valoarea combina iei
respective. Rezult c fiec rei c su e i corespunde un termen P sau S (dup cum a
fost exprimat func ia). Pentru func ia de mai sus, diagrama Karnaugh este cea de
mai sus. Pentru minimizarea func iei, se procedeaz astfel: se grupeaz cmpurile
adiacente avnd valoarea 1 n dreptunghiuri sau p trate cu laturile egale cu una,
dou sau patru c su e, urm rindu-se ca toate cmpurile cu valoarea 1 s fie
cuprinse n cel pu in o grupare, iar grup rile s aib suprafa a maxim .
217
c
ni
r
ct
el
Func ia logic
minimizat
se ob ine prin nsumarea termenilor
corespunz tori grupurilor realizate.
Conform acestei metode, func ia luat ca exemplu se poate scrie sub forma
minimizat astfel:
f = (x y
z ) (x y z) (y z) =
(x
z)
(x
z)
(x
z) =
= (x y
z ) (x y) z
Schema logic prin care se implementeaz func ia minimizat astfel ob inut
este reprezentat n figura 8.7.
Pentru func ii de dou variabile, diagrama Karnaugh are dimensiunea 2 2,

pentru patru variabile 4 4, iar pentru cinci variabile se construiesc dou diagrame
cu dimensiunea 4 4 pentru patru din cele cinci variabile, fiecare corespunznd
uneia din cele dou st ri ale celei de-a cincea variabile.
8.2.
Circuite logice cu dispozitive semiconductoare
Dup modul de realizare a lor, circuitele logice cu componente

semiconductoare sunt de mai multe feluri: circuite logice cu rezisten e i diode
(RDL), circuite logice cu rezisten e i tranzistori (RTL), circuite logice cu diode i
tranzistori (DTL), circuite logice cu tranzistori (TTL).
218
c
ni
r
ct
el

Dintre acestea nu vom descrie aici dect ultima categorie, avnd n vedere
, att din punct de vedere al performan elor ct i din punct de vedere al
tehnologiei de fabrica ie acestea sunt cu mult superioare celorlalte, motiv pentru
care primele categorii nici nu se mai folosesc n practic .
Indiferent de tipul lor, circuitele logice func ioneaz n a a fel nct starea
logic 0 are asociat un nivel de tensiune sc zut (poten ialul masei, care se
consider 0), iar starea logic 1 are asociat nivelul de tensiune ridicat. Dup cum
poten ialul nivelului logic 1 este pozitiv, respectiv negativ fa de mas , spunem c
se lucreaz n logic pozitiv , respectiv negativ .
Circuitele logice cu tranzistori se realizeaz pe baza schemelor din figura
8.8.
Circuitul NU se bazeaz pe proprietatea tranzistorului de a comuta din starea

de conduc ie n cea blocat i invers sub ac iunea unor semnale aplicate pe baz .
Ini ial, n logica pozitiv aceasta este polarizat cu o mic tensiune negativ , VB,
ceea ce determin blocarea tranzistorului. Curentul de colector este deci ICB0,
foarte mic, deci VCE EC, la ie ire ob inndu-se nivelul logic 1. Aplicnd un
semnal pozitiv pe baz , apare un curent IB, ca urmare IC = IB i VCE = EC IC RC,
la ie ire ob inndu-se nivelul de tensiune sc zut, corespunz tor nivelului logic 0. n
acest fel, circuitul realizeaz func ia logic NU. Pentru ca nivelul logic sc zut s
fie practic nul, adic VCE 0, trebuie ca IC = EC/RC, ceea ce nseamn func ionarea
tranzistorului n regiunea de satura ie. Utiliznd un tranzistor p-n-p i schimbnd
polaritatea tensiunilor n circuit, se ob ine un circuit NU n logic negativ .
n acela i mod se pot analiza i circuitele I i SAU, din figura 8.8.b,
respectiv 8.8.c, realizate tot n logic pozitiv .
n prezent dezvoltarea tehnologiei de fabricare a dispozitivelor
semiconductoare a permis realizarea circuitelor electronice integrate, astfel nct, i
n domeniul circuitelor logice acestea s-au impus definitiv. Cele mai avansate
tipuri de circuite logice integrate sunt circuitele logice TTL realizate cu tranzistori
multiemitor, bipolari sau cu efect de cmp. Cel mai comun circuit logic integrat
TTL este circuitul I-NU, numit i poart elementar , cu ajutorul c ruia se pot
219
c
ni
r
ct
el

sintetiza toate tipurile de circuite logice. Schema standard a unui astfel de circuit
este prezentat n figura 8.9.
Nivelul logic de intrare este 0 dac Ui < 0,8 V i 1 dac Ui > 2 V, iar cel de
ie ire este 0 dac Ue < 0,8 V i respectiv 1 dac Ue > 2,4 V.
Dac jonc iunile nseriate BC1, BE2 i BE3 sunt deschise, poten ialul bazei
lui T1 este 2,1 V (tensiunea de deschidere a unei jonc iuni p-n cu siliciu este
aproximativ 0,7 V). Dac una din cele dou jonc iuni BE1 este deschis prin
aplicarea unui nivel logic 0 (legare la mas ), poten ialul bazei lui T1 este de maxim
0,7 V. Aplicnd la ambele intr ri un semnal de nivel logic 1 (Ui > 2 V), VB = 2,1 V
i, ca urmare, jonc iunea BE1 este blocat , n timp ce T2 este saturat, iar curentul de
colector al lui T3 este, de asemenea, la satura ie, lucru asigurat de T4 i D3, ceea ce
determin o valoarea a lui Ue sub 0,4 V, adic 0 logic. Aplicnd unei intr ri o
tensiune de nivel logic 0, adic mai mic dect 0,8 V, jonc iunea BE1 este
polarizat direct i poten ialul bazei lui T1 este de maxim 1,5 V, cele trei jonc iuni
BC1, BE2 i BE3 r mnnd blocate i, cum T4 este men inut n stare de satura ie,
tensiunea la ie ire va fi mai mare dect 2,4 V, deci de nivel logic 1, indiferent de
nivelul logic aplicat celeilalte intr ri. Se constat deci c circuitul are la ie ire
nivelul logic 1 dac cel pu in una din intr ri este la nivel logic 0 i, respectiv
nivelul logic 0 dac ambele intr ri sunt la nivel logic 1; circuitul realizeaz deci
func ia logic
I-NU. Cu acest circuit se pot sintetiza i celelalte circuite
fundamentale, a a cum se poate vedea n figura 8.10.
n general, sinteza se poate realiza folosind formulele lui de Morgan i

celelalte propriet i ale func iilor logice. Avnd realizate func iile logice de baz
220
c
ni
r
ct
el
(NU, SAU, I), se pot astfel sintetiza orice fel de circuite logice, utiliznd numai
circuite I-NU, adic por i elementare TTL.
Un exemplu de aplica ie a celor discutate mai sus, s lu m cazul
calculatoarelor electronice, care lucreaz n sistemul de numera ie binar, pentru
aceasta utilizndu-se circuite de adunare a numerelor binare, conform regulilor:
0+0=0; 0+1=1+==1;
1 + 1 = 10.
Se poate vedea c rezultatul adun rii poate fi un num r binar format din dou
cifre, dintre care cea mai pu in semnificativ (prima din dreapta), numit bit-sum
se poate ob ine cu func ia logic SAU-EXCLUSIV, iar cea mai semnificativ (cea
din stnga), numit transport, se poate ob ine cu func ia logic I . Circuitul care
rezolv adunarea binar a dou cifre binare, numit semisumator, (reprezentat n
figura 8.11.a), se poate sintetiza cu por i elementare TTL, ca n figura 8.11.b.
8.3.
Circuite basculante utilizate ca circuite logice
Circuitele logice prezentate n paragraful anterior, numite circuite logice

combina ionale, realizeaz sinteza unor opera ii logice. Pentru aceasta, este ns
necesar ca variabilele s fie memorate (temporar sau permanent), n circuite logice
specializate. Ca circuite de memorie pot fi utilizate circuitele basculante bistabile
care, dup modul de func ionare pot fi asincrone, la care tranzi iile la ie ire
urm resc acela i ritm cu cele de la intrare, indiferent de momentul producerii
acestora i sincrone, cnd tranzi iile la ie ire au loc numai la momente de timp bine
determinate de un semnal de comand , numit tact. Circuitele basculante, mai ales
cnd sunt folosite n circuite de memorie, pot fi realizate cu circuite logice de baz ,
care, la rndul lor, se pot sintetiza cu por i elementare TTL.
Cel mai simplu bistabil se poate realiza cu dou por i inversoare, ca n figura
8.12, el fiind ns impropriu pentru utilizarea ca memorie, ntruct el nu poate fi
comandat.
221
c
ni
r
ct
el

Pentru a rezolva aceast problem , se poate utiliza schema din figura 8.13.a,
cu circuite SAU-NU, sau 8.13b, cu circuite I-NU. n figura 8.13.c. este dat
tabela de adev r pentru schema cu circuite I-NU.
Bistabilul astfel realizat este un bistabil R-S asincron, el comutnd la orice

modificare a st rii la intrare. n echipamentele numerice este ns nevoie ca
diversele opera ii s se execute sincron i, pentru aceasta, se completeaz schema
din figura 8.13.b dup cum se arat n figura 8.14, ob inndu-se un bistabil R-S
sincron (cu tact).
Dup cum se poate constata analiznd schema de mai sus, datorit circuitelor
I, bascularea nu este posibil dect dac semnalul se aplic la intrare sincron cu
semnalul de tact. Pentru nl turarea nedetermin rii ap rute la ie irea acestui tip de
bistabil cnd intr rile sunt la nivel logic 0 (sau 1 la bistabilul R-S f
tact), cele
dou intr ri pot fi legate ntre ele prin intermediul unei por i inversoare,
eliminndu-se astfel posibilitatea ca cele dou intr ri s se afle la acela i nivel
logic n acela i timp. Se ob ine n acest fel un bistabil latch D, cu o singur intrare
de date, avnd schema din figura 8.15. La acest circuit apare ns inconvenientul
, n timp ce linia de tact trece din starea logic 1 n starea logic 0, poate ap rea
o comutare a intr rii de date.
Un alt circuit care elimin nedeterminarea de la circuitul R-S este circuitul

bistabil J-K, derivat dintr-un circuit R-S, a a cum se poate vedea n figura 8.16.
222
c
ni
r
ct
el
Dac intr rile J i K sunt simultan la nivelul logic 1 i se aplic impulsul de tact,
ie irea i modific starea.
O variant cu o singur intrare de date a bistabilului J-K este bistabilul T,

prezentat n figura 8.17, la care starea la ie ire nu se modific dect dac intrarea
de date, Td, este anterior aplic rii impulsului n starea logic 1, realizndu-se astfel
un ciclu complet la ie ire pentru dou cicluri la intrare, deci o divizare cu 2.
n practic , pentru evitarea comut rii ntr rilor de date n timp ce linia de tact
trece de la nivelul logic 0 la nivelul logic 1, mai nti se determin starea intr rilor,
se deconecteaz intr rile i apoi se modific ie irile conform st rii intr rilor. Acest
lucru se poate realiza prin conexiunea "master-slave"1 sau prin tehnica declan rii
pe front.
Circuitul bistabil R-S "master-slave" este reprezentat n figura 8.18 n
care este dat i tabela de adev r.
Func ionarea lui are loc astfel: cnd intrarea de tact trece din starea logic 0
n starea logic 1, por ile 5 i 6 se blocheaz , deschizndu-se ns por ile 1 i 2,
ceea ce permite transferul datelor de intrare c tre primul bistabil R-S, numit
"master", format de por ile 3 i 4. La tranzi ia intr rii de tact din starea logic 1 n
starea logic 0, mai nti are loc blocarea por ilor 1 i 2, ntrerupndu-se leg tura
dintre intr rile de date i bistabilul "master", dup care se deschid por ile 5 i 6,
ceea ce permite transferul con inutului ie irilor "master"-ului c tre bistabilul R-S,
numit "slave", format de por ile 7 i 8. Separarea complet a ie irilor Q i Q de
intr rile R i S precum i comanda i transferul de date pe palierul semnalului de
tact, fac ca acest bistabil s prezinte o mare imunitate la zgomot.
"st pn-sclav", n limba englez .

223
c
ni
r
ct
el
Singura problem r mne nedeterminarea pentru R i S n starea logic 1

concomitent; ea se poate rezolva prin introducerea unei reac ii, ob inndu-se astfel
circuitul basculant bistabil J-K "master-slave", care este prezentat n figura
8.19.
n anumite cazuri, este necesar ca transferul unor date s se fac ntrziat cu

un impuls de tact1. n acest scop, se utilizeaz circuitul bistabil D2 cu ac ionare pe
front. Schema circuitului este prezentat n figura 8.20.
de exemplu, la registrele de deplasare

D provine de la ini iala cuvntului delay = ntrziere (n limba englez )
224
c
ni
r
ct
el

n general, circuitele bistabile de diferite tipuri, realizate sub form integrat ,
sunt prev zute n plus cu intr ri asincrone de comand , prin care se poate ac iona
direct asupra ie irilor: intrarea preset pozi ioneaz starea ini ial dorit la ie ire i
intrarea clear terge datele nscrise la ie ire. Aplica ia lor cea mai important este
n realizarea memoriilor pentru tehnica de calcul, a a cum se va ar ta n capitolul
urm tor.
8.4.
Circuite logice secven iale
Spre deosebire de circuitele logice combina ionale, la care m rimile de ie ire

sunt func ii numai de m rimile aplicate la intrare, circuitele logice secven iale sunt
circuite la care m rimile de ie ire depind att de cele de intrare ct i de starea
anterioar a sistemului. Acestea pot func iona sincron, cnd tranzi iile se produc
simultan, n ritmul semnalelor de tact sau asincron, tranzi iile producndu-se n
acest caz la momente de timp diferite.
Registre
Acestea sunt circuite ce permit nscrierea (memorarea) unor informa ii
(valori logice) i transferarea la cerere a acestora. n func ie de modul de
introducere i citire a datelor, (simultan n toate celulele registrului sau succesiv,
pozi ie cu pozi ie), registrele pot fi:
- cu scriere paralel (scrierea se face simultan n toate celulele) sau serie
(scrierea se face succesiv, fiind comandat prin impulsurile de tact, cte unul
pentru fiecare cifr binar - bit);
- cu citire paralel sau serie .
Prin combinarea acestor moduri de citire i scriere se pot ob ine registre de
tip serie-serie, paralel-paralel, serie-paralel i paralel-serie. Modul de scriere-citire
al acestora este ar tat n figura 8.21.
scriere
citire
citire
1 2 . . . . . n scriere 1 2 . . . . . n
a) registru serie-serie
b) registru serie-paralel
scriere
scriere
1 2 . . . . . n
citire
c) registru paralel-paralel
1 2 . . . . . n citire
d) registru paralel-serie
Fig. 8.21
Pentru construirea registrelor se folosesc bistabili D. Un exemplu de registru

serie-serie cu patru celule este cel din figura 8.22. Pentru nscrierea informa iei,
mai nti, la intrarea de reset (R) se aplic un puls avnd ca efect trecerea tuturor
ie irilor n starea logic 0 ( tergere), dup care la fiecare impuls de tact se aplic
concomitent la intrare bi ii de informa ie.
225
c
ni
r
ct
el
La primul impuls de tact, dac primul bit este 0, ie irea Q1 r mne 0, dac
aceasta este 1, Q1 trece, de asemenea, n 1. La al doilea impuls de tact aceast
valoare nscris la ie irea primului bistabil va fi transferat la ie irea celui de-al
doilea bistabil, la ie irea primului fiind acum nscris valoarea de la intrare aplicat
n timpul celui de-al doilea impuls de tact. Dup aplicarea celui de-al treilea
impuls, respectiv a celui de-al patrulea, primul bistabil va con ine informa ia
transmis la intrare n timpul celui de-al patrulea impuls de tact, al doilea pe cea
din timpul celui de-al treilea impuls, al treilea bistabil pe cea din timpul celui de-al
doilea impuls i al patrulea bistabil pe cea din timpul primului impuls. Astfel, la
fiecare impuls de tact informa ia nscris ntr-un bistabil se deplaseaz la
urm torul, astfel de registre numindu-se registre de deplasare.
Dac bistabilii sunt prev zu i i cu intr ri de preset, acestea se pot folosi la
scrierea paralel a informa iei. Informa ia este citit n mod serial, n ritmul
impulsurilor de tact, la ie irea serie. Unele registre permit deplasarea i n sens
invers a informa iei, ele numindu-se registre reversibile; de asemenea, registrele
construite n form integrat pot fi mixte, permi nd accesul la intrare i/sau ie ire
att n format serie ct i paralel. Dup cum se poate constata, citirea serial este
distructiv , informa ia distrugndu-se n timpul acestui proces, n timp ce citirea
paralel este nedistructiv .
Num toare
Num toarele sunt circuite logice secven iale care permit num rarea
impulsurilor aplicate la intrare i memorarea rezultatului. Num rarea se bazeaz pe
faptul c un circuit bistabil, prin aplicarea la intrare a unui impuls, i schimb
starea, la aplicarea impulsului urm tor revenind n starea ini ial . Num rarea se
face n sistemul de numera ie binar.
urm rim func ionarea circuitului din figura 8.23, realizat cu patru
bistabili.
Intr rile J i K ale fiec rui bistabil sunt legate mpreun i men inute n
starea logic 1, iar ie irea Q este legat la intrarea de tact a bistabilului urm tor.
226
c
ni
r
ct
el

Impulsurile de num rat se aplic la intrarea de tact a primului bistabil. Un astfel de
num tor este asincron, tranzi ia ie irii bistabilului n fiind ntrziat fa de
momentul aplic rii impulsului de tact cu timpul necesar propag rii semnalului prin
n bistabili.
Pentru a m ri frecven a de lucru se utilizeaz num toare sincrone, la care
to i bistabilii sunt controla i de acela i impuls de tact, transportul f cndu-se
paralel.
Pentru num rarea n sistem zecimal sau sexagesimal (sau n orice alt sistem
de numera ie), trebuie ca num torul s fie prev zut cu posibilitatea de revenire la
zero dup un num r prestabilit de impulsuri, lucru realizabil prin utilizarea unor
combina ii de circuite logice adecvate.
Num toarele pot func iona i invers (con inutul scade la fiecare impuls
aplicat) sau reversibil (att ca num tor direct ct i ca num tor invers, avnd
cte o intrare pentru fiecare mod de lucru).
8.5.
Aplica ii
8.5.1.
Circuite logice
A. No iuni de algebr boolean
Microprocesorul unui calculator efectuez opera ii cu numere exprimate n
sistemul de numera ie binar. Regulile de calcul n acest caz sunt:
0 + 0 = 0 ; 0 + 1 = 1 ; 1 + 1 = 10
Regulile generale ce stau la baza algebrei booleene sunt:
A. Adunare (func ia logic SAU):
1) A A = A (A A = A)
2) A B = B A
3) A (B C) = (A B) C
4) A (B C) = (A B) (A C)
5) 0 A = A
6) 1 A = 1
7) A A = 1
8) A = A
B. nmul ire (func ia logic I)
1) A A = A (A A = A)
2) A B = B A
3) A (B C) = (A B) C
4) A (B C) = A B A C
5) 0 A = 0
6) 1 A = A
7) A A = 0
n aceste condi ii, sunt valabile formulele lui De Morgan:
227
c
ni
r
ct
el

(18. 1)
A B C A B C
(18. 2)
A B C A B C
Func iile logice (SAU, I) pot fi realizate de circuite logice cu dou st ri,
corespunznd lui 0 logic i 1 logic.
analiz m circuitul din figura 8.24.a. Acesta poate func iona ca un

inversor, realiznd func ia logic NU. Dac UI = 0, tranzistorul este blocat, UE
EC = 5 V. Dac UI = 5 V, tranzistorul este saturat, UE 0. Considernd tensiunile
de 0 i 5 V nivelurile 0 i 1 logic, circuitul realizeaz ntr-adev r func ia logic
nega ie (NO, NU), a c rei tabel de adev r este dat n figura 8.24.b, simbolul de
circuit fiind cel din figura 8.24.c.
Circuitul din figura 8.25 realizeaz func ia I NU. Dac cel pu in una din
tensiunile UA sau UB este (aproximativ) egal cu zero, n punctul P poten ialul este
VP = 0,6 V, iar la ie ire UE 5 V. Numai dac UA i UB sunt egale cu 5 V
simultan, diodele D1 i D2 sunt blocate, tranzistorul se satureaz i UE = 0. Tabela
de adev r a circuitului este dat n figura 8.25.b, simbolul de circuit fiind cel din
figura 8.25.c.
n general, n prezent se utilizeaz por i de tipul NU, I NU i altele,

realizate n tehnologie integrat , de regul capsula con innd mai multe por i. De
exemplu, circuitul integrat CDB 400 con ine 4 por i I NU, CDB 404 6 por i
NU, CDB 413 - 2 por i I NU cu cte 4 intr ri.
B. Poarta elementar TTL
O poart elementar realizat n tehnologie integrat bipolar , n logic tranzistor
- tranzistor (TTL) este reprezentat n figura 8.26. Tranzistorul T1 este un
228
c
ni
r
ct
el

tranzistor multiemitor, n func ie de num rul de intr ri. La acestea (A i B n cazul
prezentat), se aplic tensiuni cu valori:
0,8 V nivel log ic 0
UI
2 V nivel log ic 1
La ie ire, se ob ine o tensiune UE:
0,4 V nivel log ic 0
UE
2 ,4 V nivel log ic 1
Dac ambelor intr ri li se aplic o tensiune UI = 2 V, poten ialul n baza lui

T1 este 2,1 V i jonc iunile B-C 1, B-E 2 i B-E 3 sunt polarizate direct prin R1.
Jonc iunea B-E 1 este blocat . Curen ii din circuitele de intare sunt mici (~ 40 A).
Dac UI dep
te 2 V, tensiunea pe B-E 1 scade, putnd deveni negativ ,
men innd aceast jonc iune blocat . T2 este saturat iar IE este:
IE = (EG1 UCE3) RG2
Dac IE < 3 IB3, T3 se satureaz , asigurnd nivelul zero la ie ire. Dac la
una din intr ri UI < 0,8 V, jonc iunea B-E 1 este polarizat direct prin R1. La
intare, curentul este:
U C U BE1 E G1
II
R1 R G1
cu condi ia: EG1 I1 RG1 < 0,8 V. Poten ialul pe baza lui T1 are o valoare de
maxim 1,5 V i jonc iunile B-C 1, B-E 2 i B-E 3 r mn blocate. T4 este saturat iar
curentul de ie ire este:
U C U CE 4 U D E G 2
IE
R 4 R G2
Pentru ca ie irea s fie la nivelul logic 1, trebuie ca: EG2 IE RG2 > 2,4 V.
Nivelul logic aplicat celeilalte intr ri nu influen eaz nivelul ie irii n starea
respectiv .
Se observ deci, c acest circuit realizeaz func ia logic I-NU, fiind
echivalent cu circuitul din figura 8.25.
Cu ajutorul por ilor I-NU se pot realiza i celelalte configura ii, dup cum
se arat n figura 8.27.
229
c
ni
r
ct
el

Scopul lucr rii este studiul func ion rii unei por i I-NU i modelarea altor
circuite cu ajutorul acesteia.
Montajul experimental cuprinde o machet pe care este plasat circuitul
CDB 400, care con ine patru por i elementare I-NU ntr-o capsul cu 14 pini cu
alimentare de 5 V, polaritate pozitiv la pinul 14, masa la pinul 7.
Se utilizeaz , de asemenea, o sond TTL, cu ajutorul c reia se pot verifica
nivelurile logice.
Schema acesteia este prezentat n figura 8.28, iar func ionarea ei este
urm toarea: dac UI < 0,8 V, D1 i D3 conduc, T1 i T2 sunt blocate, LED2 este
aprins i indic 0 logic, LED1 este stins ; dac Ui > 2 V, D1 i D3 sunt blocate, T1
i T2 sunt saturate, LED1 este aprins i indic 1 logic, LED2 este stins ; pentru
0,8 V < Ui < 2 V, D1 conduce i D3 este blocat , LED1 i LED2 sunt stinse. Deci,
diodele luminiscente, LED1 (ro u) i LED2 (verde) indic nivelul logic.
Macheta este prezentat n figura 8.29.
3. Mod de lucru
se fac conexiunile A - M i B - N i se alimenteaz montajul;
230
c
ni
r
ct
el
aplicnd 0 logic (K1, respectiv K2 nchis) sau 1 logic (K1, respectiv K2 deschis)
la fiecare intrare a por ii, se verific tabelul de adev r, cu ajutorul sondei
logice;
- se realizeaz func iile logice I, SAU, SAU-NU i se ntocmesc tabelele de
adev r.
4. ntreb ri
1. Dac o intrare a unei por i I-NU este l sat n vnt, cu ce nivel logic
echivaleaz acest lucru ?
2. Ce func ie logic realizeaz circuitul din figura 8.30 ? S se realizeze tabela de
adev r.
8.5.2.
Num toare i registre de deplasare
A. Circuite basculante
Dac se conecteaz dou por i inversoare ca n figura 8.31.a, se ob ine un
circuit basculant bistabil, st rile ie irilor fiind complementare (Q i Q ).
Pentru a controla st rile bistabilului, putem nlocui inversoarele cu dou por i

I NU, ob innd n acest fel un bistabil de tip R S (figura 19.1.b). Intr rile de
comand sunt S (set) i R (reset). Dac st rile logice la intr rile S i R sunt 1,
atunci starea bistabilului nu este influen at . Dac S are nivelul logic 0, Q va avea
nivelul logic 1, deci, la ie irea por ii 2, dac R are nivelul 1, Q va fi la nivelul 0.
Dac S trece n 1, bistabilul memoreaz pn la o nou comand trecerea
anterioar a lui S din 1 n 0. Analog, pentru R . Dac S i R trec simultan n 0,
ie irile Q i Q vor trece n starea 1. La trecerea simultan a lui S i R i n 1,
starea bistabilului nu se poate prevedea ca urmare a regimului tranzitoriu
necontrolabil. De aceea, nu se utilizeaz n practic comanda simultan a intr rilor.
Tabelul de adev r al bistabilului R S este urm torul:
231
c
ni
r
ct
el

S
0
0
1
1
Q
NEDETERMINATE
1
0
0
1
MEMORATE
R
0
1
0
1
Acest tip de bistabil este asincron, dar ntr-un echipament numeric, unde
diversele opera ii sunt comandate sincron, se genereaz un ir de impulsuri numite
semnale de tact, folosindu-se bistabili R - S cu tact (figura 8.32).
Starea unui astfel de bistabil se poate modifica nuumai dac linia de tact este
n stare logic 1.
De asemenea, nedeterminarea ie irii pentru R i S simultan n 0, se poate
elimina folosind circuitul din figura 8.33, cnd se ob ine o singur intrare,
bistabilul fiind de tipul latch D.
Un alt bistabil, cel de tip MASTER SLAVE, este prezentat n figura 8.34.
Dup cum se vede, este vorba de doi bistabili R - S cu tact interconecta i, cu
intr rile de tact n antifaz i cu reac ie pentru a rezolva nedeterminarea de la
intr rile R i S.
Primul bistabil, MASTER (st pn), i poate modifica starea dac la intrarea
T nivelul este 1, timp n care bistabilul al doilea, SLAVE (sclav), are starea
nemodificat (intrarea T2 este n starea 0). Dac T trece n 0, se declan eaz
232
c
ni
r
ct
el

bistabilul SLAVE i din ie irile MASTER-ului semnalele se nscriu la intr rile
SLAVE-ului, primul fiind blocat n starea respectiv .
Tabelul de adev r al bistabilului de tip J - K MASTER SLAVE este
urm torul:
J
K
Qn + 1
0
0
Qn
0
1
0
1
0
1
1
1
Qn
Qn este starea Q naintea impulsului de tact, iar Qn + 1 este starea Q dup
impulsul de tact.
Un circuit integrat ce realizeaz func ia de circuit bistabil MASTER
SLAVE J K CDB 476 care con ine doi bistabili J - K.
Un alt tip de bistabil este bistabilul D cu declan are pe front (figura 8.35),
care transfer con inutul intr rii D la ie irea Q numai n momentul tranzi iei
impulsului de tact din 0 n 1 i este realizat prin interconectarea a trei bistabili R S.
n sfr it, bistabilul T este ob inut dintr-un bistabil R S cu intr rile aflate
permanent n starea 1, starea ie irii Q putndu-se comuta n complementara ei prin
impulsul de tact.
B. Registre de deplasare
Registrele sunt circuite logice secven iale avnd fie un rol de stocare a
informa iei primite la intrare, fie un rol de stocare i deplasare a informa iei primite
de-a lungul registrului, n func ie de tactul de deplasare (registre de deplasare).
Structural, registrele sunt alc tuite dintr-un lan de circuite basculante
bistabile conectate n serie (ie irea unui circuit basculant este legat la intrarea
urm torului), activarea circuitelor f cndu-se simultan prin impulsul de tact (cum
233
c
ni
r
ct
el

este cazul registrelor de stocare i de deplasare), sau avnd n comun numai
anumite intr ri de comand (cazul registrelor de stocare a informa iei).
Din punct de vedere al transferului de informa ie de la intrare la ie ire
registrele pot func iona n patru moduri diferite:
- serie serie, caz n care informa ia este introdus la intrarea primului
circuit bistabil din lan i este furnizat la ie irea ultimului circuit, dup
un num r de impulsuri de tact egal cu lungimea lan ului;
- serie paralel, caz n care informa ia este introdus la intrarea
primului circuit basculant din registru, dar furnizarea ei se face grupat,
simultan la ie irile circuitelor basculante ce formeaz registrul;
- paralel serie, caz n care informa ia este introdus simultan la
intr rile circuitelor bistabile din registru, furnizarea ei f cndu-se ns
la ie irea ultimului circuit din lan , pas cu pas, cu ajutorul impulsurilor
de tact;
- paralel paralel, caz n care informa ia este introdus simultan la
intr rile circuitelor basculante ce formeaz registrul i este citit tot
simultan la ie irile circuitelor, putnd fi deplasat sau nu de-a lungul
lan ului de circuite.
n func ie de structura sa intern , un registru poate lucra ntr-unul sau mai
multe sau chiar n toate aceste moduri de transfer ale informa iei.
consider m circuitul din figura 8.36.
Linia R (reset) permite tergerea bistabililor (cu 0 la toate ie irile) dac

nivelul logic la starea R este 0. n timpul func ion rii, R se afl n starea 1 (linia
este activat ). Intrarea serial de date (Is) fiind n starea 1, pe primul front cresc tor
de tact, Q1 trece n 1, pe al doilea Q2 trece n 1, i a a mai departe. Dac Is trece n
0, pe urm torul ciclu de impulsuri de tact (n num r egal cu num rul bistabilililor)
ie irile acestora trec succesiv n 0. Ie irile celor n bistabili formeaz un "cuvnt"
binar de n bi i, secven a fiind nc rcat succesiv, serial i este accesibil n regim
paralel (registru serie paralel). Intr rile Pr1 , Pr 2 , Pr 3 ,
sunt intr ri de preset,
prin care registrul se poate nc rca paralel n combina ia dorit , care poate fi
extras pe linia Es n format serial, n ritmul impulsului de tact, cnd circuitul
func ioneaz ca registru paralel serie. Circuite asem toare pot fi realizate i cu
bistabili de tip R - S sau J - K.
234
c
ni
r
ct
el

Func ionarea n regim serie serie sau serie paralel este sincron pe cnd
cea n regim paralel serie sau paralel paralel, informa ia fiind introdus
simultan pe intr rile circuitelor, func ionarea este asincron .
Se folosesc, de asemenea, circuite de acela i tip, numite registre de stocare
(numai n configura ie paralel paralel) cu rol de stocare temporar a informa iei
(memorie tampon).
C. Num
toare
Prin conectarea n serie a mai mul i bistabili J K (figura 8.37), se realizeaz

un num tor.
Intrarea de num rare este T. Aplicnd pe intrarea de reset (R) un semnal,

ie irile bistabililor teec n 0. Impulsurile aplicate intr rii T se nscriu succesiv n
bistabili, la ie irile acestora formndu-se un num r binar, cea mai nesemnificativ
cifr citindu-se la ie irea Q1, cea mai semnificativ la ie irea ultimului bistabil.
Intr rile J i K sunt men inute n starea 1, bistabilii func ionnd ca bistabili de tip
T.
Num torul func ioneaz asincron ca urmare a ntrzierii tranzi iei ie irilor
dintr-o stare n alta fa de impulsul de tact. Un alt tip de num tor este cel din
figura 8.38, care func ioneaz sincron, prin aplicarea simultan a impulsului de tact
la to i bistabilii.

Scopul lucr rii este studiul func ion rii circuitelor integrate num toare i
registre de deplasare; montajul experimental este realizat n dou module: modulul
235
c
ni
r
ct
el

A (figura 8.39.a) este un registru de deplasare i modulul B (figura 19.9.b) este un
num tor decadic.
Circuitul din figura 8.39.a este un CDB 495 care este un registru de
deplasare integrat, a c rui schem este dat n figura 8.40.
Dup cum se vede, sunt interconecta i patru bistabili J K formnd un

registru cu transfer paralel paralel, avnd ns i posibilitatea de nc rcare serie
(la intrarea n serie). n plus nc rcarea este ireversibil , semnalul de tact putnd fi
aplicat la dou intr ri de tact (RS - right shift - la nc rcarea serie semnalul se
deplaseaz spre dreapta; LS - left shift - semnalul se deplaseaz la stnga).
Circuitul din figura 8.39.b este un num tor decadic alc tuit din circuitul
CDB 490 - num tor zecimal (cu 10 st ri) a c rui schem este dat n figura 8.41,
cuplat cu un sistem de afi are cu LED-uri.
Circuitul CDB 490 este compus dintr-un divizor cu 2 (A) i un divizor cu 5
(B, C, D). Intr rile R01 i R02 execut , prin trecera n 1, resetarea num torului, iar
Rg1 i Rg2 execut , prin trecerea n 1, pozi ionarea la ie iri a combina iei 1001.
Pentru num rare, cel pu in cte una din intr rile celor dou por i . I NU trebuie
fie n 0. La ie ire se ob ine un num r ntre 0 i 9, codificat binar pe patru linii,
num rul citindu-se dup formula:
236
c
ni
r
ct
el

n = QA 23 + QB 22 + QC 21 + QD 20
unde QA, QB, QC i QD au valoarea:
1 pentru LED aprins;
0 pentru LED stins.
3. Modul de lucru
A. Studiul registrului de deplasare.
- se alimenteaz montajul (modulul A) cu o tensiune de 5 V c.c (aten ie
la polaritate);
- intrarea MC se leag la mas ;
- intrarea serie se leag la + 5 V (nivel 1);
- se aplic semnal de tact (prin ap sarea repetat a ntrerup torului) pe
intrarea de tact RS;
- se observ deplasarea semnalului de intrare de nivel 1 logic prin
aprinderea succesiv a LED-urilor;
- se leag intrarea serie la mas ;
- se aplic semnal de tact (prin ap sarea ntrerup torului) pe intrarea LS;
- se observ stingerea succesiv a LED-urilor de la dreapta spre stnga.
B. Studiul num torului.
- se alimenteaz montajul (modulul B) cu 5 V c.c.;
- se aplic impulsuri la intrare prin ap sarea repetat a ntrerup torului;
- se observ afi area num rului de impulsuri.
4. ntreb ri
1. Ce se ntmpl dac , la registrul de deplasare studiat, intrarea fiind la nivel 1,
se aplic mai mult de patru impulsuri ? De ce ?
2. Num torul decadic studiat poate num ra cel mult 9 impulsuri. Cum se pot
num ra mai multe impulsuri ? S se alc tuiasc schema unui num tor pn la
1000.
237
c
ni
r
ct
el

CAPITOLUL IX
9. MICROPROCESOARE I CALCULATOARE
ELECTRONICE
9.1.
Calculatoare electronice numerice
Un sistem de calcul trebuie s ndeplineasc urm toarele func ii:

a) func ia de comand i control (realizat de unitatea de comand i control);
Aceast func ie asigur extragerea instruc iunilor de program din memoria
intern , analiza acestora, comanda execut rii fiec rei opera ii, extragerea datelor
necesare din memoria intern , depozitarea rezultatelor n memorie i, n general,
ini ierea i controlul oric rei opera ii realizate de celelalte componente.
b) func ia de prelucrare (realizat de unitatea aritmetico-logic );
Ea asigur executarea opera iilor aritmetice i logice.
c) func ia de memorare (asigurat de memoria calculatorului);
Func ia const n stocarea informa iilor.
d) func ia de intrare-ie ire (realizat cu ajutorul dispozitivelor periferice).
Prin aceast func ie, este asigurat comunicarea dintre utilizator i
calculator: introducerea datelor n memoria intern i prezentarea rezultatelor.
Partea hardware a unui sistem de calcul este compus din totalitatea
echipamentelor fizice care formeaz un calculator.
Partea software este format din totalitatea programelor care asigur
func ionarea interdependent a componentelor hardware.
De i calculatoarele electronice se prezint ntr-o mare diversitate, ele con in
anumite blocuri constructive comune, arhitectura unui calculator cuprinznd, n
general, urm toarele blocuri de baz (figura 9.1):
238
c
ni
r
ct
el
unitatea central de calcul sau unitatea aritmetico-logic (UAL)1

realizeaz opera ii aritmetice, func ii logice i transferuri de date ntre
registrele interne sau n exterior, prin magistrala de date. Operarea se face cu
cuvinte binare cu lungimea de 4 pn la 64 bi i2, n func ie de tipul
calculatorului (pentru minicalculatoare, de obicei, 16 bi i). Opera iile sunt
executate pe baza unui program, care constituie o succesiune de comenzi
pentru rezolvarea problemei date. n acest scop, sistemul folose te datele
stocate n memorie, unde depune i rezultatele execut rii programului.
2.
blocul de comand i control (BCC) este n leg tur cu toate celelalte
blocuri, asigurnd efectuarea automat a tuturor opera iilor de la introducerea
datelor pn la ob inerea rezultatelor precum i controlul oper rii corecte a
calculatorului. De obicei, microcalculatoarele au realizate aceste dou blocuri
de baz (UAL i BCC) sub form integrat (LSI, VLSI3), dispozitivul astfel
realizat numindu-se microprocesor, care mai include n plus registre interne.
3.
memoria este partea constructiv a unui calculator electronic n care sunt
stocate date sub form binar . Ea poate fi de dou feluri: memorie ROM
(Read-Only Memory) sau memorie permanent , adic memorie ce nu poate
fi tears sau inscrip ionat , ci numai citit , n care sunt nscrise cuvintele
instruc iunilor de program i alte informa ii necesare func ion rii
calculatorului, acestea neputnd fi terse i memorie RAM (Random-Access
Memory) sau memorie volatil , adic memorie cu acces aleatoriu, n care se
poate nscrie, citi i terge informa ie. Datele sunt nmagazinate n memorie
sub form binar n diferite celule de memorie (loca ii), unei loca ii
corespunzndu-i un bit, i o adres de identificare. Capacitatea memoriei este
dat de num rul maxim de loca ii i se exprim n octe i.
n afara loca iilor, sistemul de memorie mai cuprinde un registru de date i
unul de adrese. Pentru nc rcarea memoriei, mai nti informa ia este introdus n
registrul de date apoi adresa este i ea nc rcat n registrul de adrese, iar prin
comanda de nscriere a datelor are loc transferul informa iei la loca ia stabilit . La
citire, etapele sunt acelea i dar se desf oar n ordine invers .
De obicei, sistemele de calcul utilizeaz o memorie intern , de capacitate
mic (la microcalculatoarele din primele genera ii era de cel mult 64 sau 128 Kb,
ajungndu-se la cele din categoria IBM-PC pn la valori de 128 Mb) i vitez
mare de operare i o memorie extern , cu capacitate mare dar vitez de operare
mai mic .
1.
se mai utilizeaz i prescurtarea CPU - de la expresia (n limba englez ) "central

processing unit".
2
bit-ul este cea mai mic unitate de informa ie, reprezentat de o cifr binar care poate
avea valoarea 0 sau 1. Multiplii bit-ului sunt: 1 byte (octet) = 23 bi i = 8 bi i; 1Kb
(kilobyte) = 210 bi i = 1024 bi i; 1Mb (megabyte) = 220 bi i; 1 Gb (gigabyte) = 230 bi i; 1
Tb (terabyte) = 240 bi i
3
(V)LSI reprezint ini ialele cuvintelor expresiei (n limba englez ) "(Very) Large Scale
Integrated", ceea ce nseamn "integrare pe scar (foarte) larg "
239
c
ni
r
ct
el

Dimensiunea memoriei interne nu poate avea orice valoare, ntruct
procesorul, prin construc ia sa, nu poate accesa dect un anumit volum de
memorie. De regul , pentru calculatoarele prev zute cu microprocesoare 8086 sau
mai evoluate, acest volum este de 1 Mb. Din acesta, o parte de 384 Kb, care
alc tuie te memoria superioar (high memory) este rezervat de un pachet de
programe speciale (rutine de intrare-ie ire) cunoscut sub numele de BIOS (Basic
Input Output System, adic Sistem de Baz pentru Intr ri i Ie iri). Restul, de 640
Kb reprezint memoria de baz , care este la dispozi ia programelor aplicative. Pe
sur ce aceste programe au devenit din ce n ce mai complexe, capacitatea
memoriei de baz s-a dovedit nesatisf toare. Pentru a nu o m ri, ceea ce ar fi
complicat foarte mult arhitectura microprocesorului, s-a recurs la un artificiu.
Astfel, pornind de la constatarea c n zona de memorie superioar , unde este
rezident BIOS-ul, exist zone libere, care ar putea fi folosite, s-a ajuns la instalarea
unui nou tip de memorie, numit memorie expandat (EMS), care ar putea avea
teoretic o dimensiune infinit . Practic, ea func ioneaz astfel: n zonele libere ale
memoriei superioare, "alunec " pe rnd diferite p i ale memoriei expandate, n
func ie de necesit i. Evident, pentru acest lucru, este nevoie de un soft (program)
special - gestionarul de memorie. Dimensiunea memoriei expandate este numai
teoretic infinit , practic ea fiind limitat de capacitatea registrelor de adrese ale
microprocesorului. Dac microprocesorul poate accesa fizic o capacitate de
memorie mai mare de 1 Mb, partea acesteia de peste 1 Mb este numit memorie
extins (XMS). Memoria expandat poate fi o parte a memoriei extinse sau o parte
din memoria extern .
n afara acestor tipuri de memorie, la calculatoarele din genera iile mai noi
exist i o a a-numit memorie cache, care este o memorie special , legat de
microprocesor ntr-un mod mai direct dect memoria intern i care func ioneaz
ca memorie tampon ntre aceste dou elemente, permi nd transferul mai rapid al
datelor i instruc iunilor, deci o vitez de lucru m rit . Dimensiunea acesteia poate
ajunge pn la 512 Kb.
Memoria extern este, a a cum i spune i numele, o memorie cu dimensiuni
practic infinite, exterioar calculatorului, realizat pe diverse medii de stocare.
Din punctul de vedere al realiz rii fizice, memoriile pot fi de diverse tipuri.
Dac la nceputurile tehnicii de calcul se foloseau relee, memorii cu ferit , circuite
basculante cu tuburi electronice i apoi cu tranzistori, n prezent memoria intern a
calculatorului este constituit de circuite basculante (un circuit reprezentnd o
unitate de memorie) realizate prin integrarea pe scar larg , pe principiile
microminiaturiz rii, astfel nct ea are dimensiuni foarte mici la o capacitate mare
(de ordinul chiar al sutelor de Mb) i o vitez de lucru de asemenea foarte mare.
Memoria extern are o varietate mai mare de forme de realizare, ncepnd cu cele
mai vechi (banda i cartela perforat , banda magnetic , cu densitate i vitez de
lucru mici) i ajungnd pn la cele actuale, care sunt discurile magnetice i CDurile n diverse variante. Discurile magnetice sunt medii de stocare a datelor
(memorii) care pot fi citite, terse i nscrise (prin tehnica obi nuit a nregistr rii
240
c
ni
r
ct
el

pe suport feromagnetic), fiind realizate sub diverse forme, mp ite n dou mari
categorii: hard-disk-uri (discuri fixe), cu capacit i de pn la mii de Gb, care sunt
unit i de memorie instalate n interiorul calculatoarelor, pe suportul lor
func ionnd i memoria expandat i floppy-disk-uri, realizate ca unit i de
memorie independente, cu capacit i de stocare mai mici (de pn la 100 Mb, la
floppy-disk-urile de tip ZIP). Acestea din urm au fost practic eliminate, odat cu
dzvoltarea memoriilor de tip flash.
Compact-disk-urile (CD) reprezint medii de stocare mai recent realizate.
Prima variant ap rut a fost CD-ROM-ul care, a a cum i spune numele, este o
un mediu de memorie permanent , care nu poate fi ters sau rescris, ci numai citit.
Datele sunt stocate pe suprafa a de aluminiu depus pe un suport de material
plastic, (sub forma unor mici g uri corespunznd valorii 1, lipsa acestora,
reprezentnd 0 logic) i citite prin reflexie cu ajutorul fasciculului emis de o diod
laser. Alte variante ulterioare sunt CD-R (CD-Recordable), un CD special pe care
se pot nscrie i apoi citi date pe un suport organic, CD-RW (CD-Rewritable), i,
mai nou din punct de vedere tehnologic, DVD (Digital Versatile Disk).
CD-RW este un disc pe care este aplicat un strat reflectorizant de aluminiu i
deasupra acestuia un strat de oxid teluric. O raz laser provenit de la o diod laser
transform la nregistrare structura cristalin a oxidului teluric ntr-o faz amorf ,
modificndu-se astfel coeficientul de reflexie al suprafe ei, ceea ce permite
inscrip ionarea datelor. Pentru a se ob ine schimbarea de faz a oxidului teluric, la
nregistrare suprafa a respectiv este nc lzit local puternic pentru o perioad
scurt prin intermediul razei laser. Pentru tergere, ntregul strat de oxid este
nc lzit un timp mai lung, necesar recristaliz rii acestuia. Citirea se face n mod
obi nuit, ca la un CD-ROM. Capacitatea unui CD (indiferent de tipul lui) este de
650 Mb, rata de transfer a datelor fiind de ordinul a 300-600 Kb/s.
DVD-ul este un disc de concep ie mai recent , care a fost i el realizat sub
diferite forme (DVD, DVD-R, DVD-RAM), din necesitatea stoc rii unei cantit i
mai mari de informa ie, pentru a putea folosi mediul de stocare ca disc video.
Astfel, DVD-RAM const dintr-un disc cu mai multe straturi de stocare ce se pot
inscrip iona de mai multe ori pe ambele fe e, citirea f cndu-se cu capete de citire
multiple, f
a fi nevoie s se ntoarc discul de pe o parte pe cealalt . Avnd o
rat de transfer de 1300 Kb/s i o capacitate de 2,6 17 Mb, acest tip de unitate de
stocare a datelor s-a impus n domeniul profesional pentru stocarea imaginilor
video i ca mediu de arhivare.
4. interfa a de intrare/ie ire (I/O adic input/output). mpreun cu
perifericele (tastatur , display, imprimant , perforator i cititor de cartele i
benzi etc.) permite utilizatorului s comunice cu calculatorul.
5. magistralele reprezint suportul fizic de transmitere a informa iei, acestea
fiind: magistrala de date, magistrala de adrese i magistrala de
comand . De obicei, acest suport este constituit din cabluri electrice
mpreun cu alte dispozitive speciale dar n ultimul timp, n tehnica e calcul
a p truns i are o dezvoltare deosebit transmisia datelor prin fibre optice.
241
c
ni
r
ct
el
9.2.
Microprocesoare
Microprocesorul reprezint creierul unui calculator electronic, el fiind un

circuit integrat pe scar larg (LSI), ce permite efectuarea opera iilor aritmetice i
logice prin intermediul unui program. Schema-bloc a unui microprocesor este dat
n figura 9.2
Unitatea aritmetico-logic (UAL) este partea propriu-zis de efectuare a
opera iilor aritmetice i logice. Opera ia fundamental efectuat este adunarea,
efectuat prin intermediul unor circuite semisumatoare. Sc derea se face tot prin
intermediul opera iei de adunare dar n locul num rului respectiv se adun
complementul s u; nmul irea se reduce la o adunare repetat , iar mp irea se
face prin sc deri repetate. O component important a UAL este un registru
special, acumulatorul care p streaz ini ial unul din operanzi i n final rezultatul
opera iei. Alte circuite din UAL sunt indicatorii de condi ie care memoreaz
condi iile specifice prin care trece sumatorul n urma efectu rii opera iilor
aritmetice i logice: indicatorul de transport (CY), indicatorul de rezultat zero
(Z), indicatorul de semn (S), indicatorul de paritate (P) etc.
O alt parte a microprocesorului o constituie registrele, conectate la

magistrala de date prin intermediul unui multiplexor. Acestea sunt registre cu
destina ie general , care p streaz operanzi sau rezultate intermediare, registre de
adresare, dintre care cel mai important este num torul de adrese (care con ine
adresa instruc iunii care urmeaz s fie executat ), registre de instruc iuni etc.
n sfr it, blocul cel mai complex, cu rol de generare a secven ei de semnale
necesare pentru execu ia fiec rei opera ii, este unitatea de comand i control
(UCC).
Modul de lucru al microprocesorului este urm torul: pentru executarea unui
program se execut succesiv instruc iunile aflate n zona de memorie-program.
242
c
ni
r
ct
el

Dup execu ia unei instruc iuni, num torul-program se incrementeaz cu o
unitate dup care, pentru execu ia urm toarei instruc iuni, microprocesorul
transmite pe magistrala de adrese adresa loca iei de memorie la care se afl nscris
aceast instruc iune, cite te con inutul loca iei (instruc iunea), l decodific ,
genernd apoi semnalele necesare pentru execu ie. Astfel, microprocesorul
parcurge repetat cicluri de extragere a instruc iunii i execu ie a ei, lucrnd
secven ial (algoritmic), ritmul de efectuare a fiec rei opera ii fiind dat de un
generator de tact.
Fiecare procesor este alc tuit intern din mai multe micromodule,
interconectate prin intermediul unor c i de comunica ie, adev rate autostr zi
informa ionale, dotate cu mai multe benzi. Aceste c i de comunica ie sunt numite
magistrale interne, care pot transfera date i instruc iuni sau comenzi.
Datele i instruc iunile formeaz codul unui program ce este rulat pe un
sistem de calcul i reprezint informa ia care este procesat . Comenzile reprezint
informa ia ce ajut la aceste proces ri, prin ac iunile hard i soft pe care le
determin .
Procesorul unui sistem de calcul joac rolul unui adev rat motor, iar
arhitectura lui se bazeaz pe 3 componente esen iale i anume:
1. motorul de execu ie: reprezint componenta principal a procesorului,
asigurnd prelucrarea instruc iunilor i datelor necesare, prin intermediul
unit ii aritmetico-logice ncorporate, precum i furnizarea rezultatelor ob inute
n urma proces rilor f cute.
2. registrele interne: reprezint zone de memorie interne, de mici dimensiuni, a
ror accesare, de c tre UAL i celelalte module ale procesorului, este foarte
rapid .
Din punct de vedere fizic, registrele sunt circuite electronice realizate dintrun num r mare de celule basculante bistabile (CBB) i au rolul de a primi, stoca i
transfera informa ia binar . n func ie de num rul de bi i manevra i de un registru,
ace tia pot fi de 4, 8, 16, 32 sau 64 bi i. O alt clasificare a registrelor se face dup
natura elementului ce realizeaz func ia de memorare efectiv :
registre statice, la care func ia de memorare este realizat de circuitele
basculante ale circuitului, prin setarea (valoarea 1) sau resetarea (valoarea 0) a
acestora.
registre dinamice, la care func ia de memorare este realizat de
condensatoare, iar informa ia este stocat sub form de sarcin electric pe aceste
condensatoare, existen a sarcinii corespunznd valorii binare 1, iar absen a sarcinii
corespunznd valorii binare 0.
Registrele interne ale microprocesorului sunt clasificate i folosite de
microprocesor astfel:
registre de date (generale) sunt folosite pentru manipularea datelor; n
general aceste registre sunt utilizate de instruc iunile logice i aritmetice i pot fi de
16 bi i la procesoarele 8086 i 80286, 32 de bi i la procesoarele 80386 i 80486 i
64 de bi i la procesoarele Pentium.
243
c
ni
r
ct
el

registre de pointer i index sunt utilizate de c tre instruc iunile pentru
transfer de date, adres ri indexate i stiv .
registre de segment, folosite n acces rile de memorie i transferuri de date
con in adresele de segment pentru program, date curente, extrasegment i stiv
registrul indicator de instruc iune indic instruc iunea curent n cadrul
unui program n curs de execu ie
registrul de stare, prin intermediul c ruia se poate verifica efectul execu iei
anumitor instruc iuni sau st ri ale microprocesorului.
3. modulul interfa .
Modulul interfa (controlerul de magistral intern ) reprezint dispozitivul
ce controleaz transferurile de intrare/ie ire (magistralele sistemului), lucrnd
similar cu un controller extern de magistral ; el semaforizeaz aceste transferuri
pe bus i genereaz ntr-o zon de memorie intern (buffer) o structur de tip stiv
pentru re inerea instruc iunilor ce vor fi procesate de modulul executor.
Magistralele interne ale microprocesorului sunt c i de comunica ie ntre
modulele ce alc tuiesc intern microprocesorul, deosebit de rapide, cu l imi de 8,
16, 32, 64, 128 sau 256 de bi i, n func ie de microprocesor, realizate la nivel
microscopic.
Modul de lucru general al unui sistem de calcul este urm torul: sistemul de
operare (SO) ncarc programul n memoria de lucru (operativ ) a calculatorului
(memoria RAM), informnd microprocesorul, prin intermediul modulului
interfa , despre adresele la care acesta a fost plasat n RAM. Acest modul va
ini ializa registrele de segment la valorile corespunz toare, setnd pointerul de
instruc iune la offset-ul primei instruc iuni a programului respectiv, n segmentul
de cod.
Prin intermediul magistralelor sistemului, acest modul preia instruc iunile
i operanzii corespunz tori secven ial, incrementnd simultan i indicatorul de
instruc iune, astfel nct acesta s se plaseze la instruc iunea urm toare din
program.
Orice ac iune intern a unui microprocesor (preluarea datelor, procesarea
instruc iunilor, etc.) este guvernat de un semnal de baz periodic, stabil n
frecven , dat de un circuit special numit ceas, sau generatorul semnalului de tact.
Acest ceas reprezint elementul principal ce influen eaz viteza de lucru a
sistemului n ansamblu, deoarece, crescnd frecven a acestui semnal, num rul de
ac iuni-procesor (transferuri, proces ri de instruc iuni, etc.) ntr-o unitate de timp
va cre te propor ional.
Acest circuit con ine:
1) cristalul de cuar , ce este elementul ce poate genera un semnal cu frecven a de
ordinul MHz;
2) convertorul analog-digital ce este realizat cu un circuit specializat;
3) divizorul de frecven , ce este un element ce asigur divizarea frecven ei
primare n diverse frecven e secundare.
244
c
ni
r
ct
el
Cristalul de cuar este componenta activ principal a ceasului, genernd un

semnal sinusoidal (deci un semnal analogic) cu frecven deosebit de stabil n
timp, numit frecven master sau principal . Este folosit efectul piezoelectric, ce
reprezint fenomenul de apari ie a unei tensiuni, n momentul n care un cristal de
cuar sufer o deformare mecanic ; fenomenul invers apare prin aplicarea unei
tensiuni la arm turile cristalului, acesta suferind o microdeformare. Semnalul
analogic este preluat de circuitul convertor analog-digital, care va realiza
transformarea semnalului primar analogic n semnal digital.
Divizorul de frecven , n func ie de tip, mparte frecven a master n
frecven e secundare cu diferite valori, folosite de microprocesor i de celelalte
circuite ale sistemului.
Microprocesoarele folosesc semnalul digital generat de ceas, mp indu-l
n a a-numitele cicluri instruc iune, adic intervale de timp bine definite, n care
procesorul va executa cte o instruc iune. Un ciclu instruc iune este divizat n trei
i numite cicluri ma in . Aceste cicluri ma in stabilesc timpul pentru:
preluarea codului de opera ie (OP Code Fetch);
citirea memoriei (Memory Read);
scrierea memoriei (Memory Write)
Un astfel de ciclu ma in are o durat variabil , n func ie de num rul de
tacturi ce l compun i de tipul procesorului.
Familia microprocesoarelor Intel 80X86 permite cuplarea, extern sau
intern, cu unit i specializate n opera ii matematice n virgul mobil , a a anumitelor coprocesoare matematice (notate i80X87) programabile prin propriul lor
set de instruc iuni.
Prin folosirea unui astfel de tandem microprocesor-coprocesor matematic,
se ob ine sporirea vitezei de lucru, sesizabil mai ales n situa ia rul rii unui
program ce prelucreaz date n virgul mobil , deci calcule matematice ce se
doresc foarte precise.
Microprocesoarele Intel ncepnd cu Pentium, nglobeaz coprocesorul n
aceea i capsul , renun ndu-se definitiv, la variantele cu coprocesor separat.
Toate instruc iunile pe care un procesor le poate executa formeaz setul de
instruc iuni ale procesorului. Acest set este proiectat i optimizat pentru fiecare
procesor n parte. Toate procesoarele Intel 80X86, inclusiv Pentium, au setul de
instruc iuni complet compatibil n jos cu versiunile anterioare.
9.3.
Scurt istorie a calculatoarelor electronice
Primul calculator electronic numeric a fost construit n 1944, la comanda

firmei americane IBM, de c tre profesorul Howard Aitken, de la Universitatea
Harvard. Func ionnd cu relee electromecanice i tuburi electronice, el putea
nmul i dou numere de cte 23 de cifre n 5 secunde. Urma ul s u, construit n
1946, se numea ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Calculator) i a fost
folosit n domeniul militar, la calculul traiectoriilor tragerilor de artilerie. Avnd n
245
c
ni
r
ct
el
componen 18000 tuburi electronice, 70000 rezistoare i 10000 condensatoare,

ocupnd volumul unei camere mari, acest calculator putea realiza 5000 de adun ri
pe secund . n 1947 existau n ntreaga lume doar 6 calculatoare.
Odat cu inventarea, n 1948, a tranzistorului, de c tre Bardeen, Brattain i
Shockley, s-a intrat n era dispozitivelor semiconductoare, ceea ce a permis
miniaturizarea i a dat un nou impuls tehnicii de calcul. Sillicon Valley, din
California, ale c rei baze au fost puse de Shockley, a devenit centrul mondial al
fabric rii dispozitivelor semiconductoare i locul unde (cel pu in n domeniul
microelectronicii) se construia viitorul. Compania IBM a devenit liderul mondial al
construc iei calculatoarelor, pozi ie pe care o men ine i n prezent, n ciuda
apari iei concuren ei celei mai performante. Al turi de ea, alte companii au adus
contribu ii esen iale la dezvoltarea rapid a tehnicii de calcul. Astfel, n 1965,
Digital Equipament Corporation a produs primul minicalculator, numit PDP-8,
ocazie cu care s-a introdus definitiv utilizarea tastaturii ca periferic. Un pas
important nainte a fost f cut n 1971, cnd firma Intel a realizat primul
microprocesor. A urmat, n 1974 punerea la punct a microprocesorului 8008 i a
lui 8080, realizat de Ed Roberts, n cadrul firmei sale, MITS. n 1975 se
nfiin eaz firma Microsoft, de c tre William Gates i Paul Allen, prima firm de
soft, care a nceput s creeze programe aplicative pentru minicalculatoare n
limbajul BASIC. n prezent firma Microsoft, autoarea sistemului de operare MSDOS-Windows de ine o mare parte din pia a de soft, iar Gates este unul din cei
mai boga i oameni din lume.
Evolu ia microprocesoarelor1 este prezentat succint n tabelul de mai jos.
Odat cu evolu ia microprocesoarelor a avut loc i dezvoltarea mini i
microcalculatoarelor din categoria personal computer. Astfel, n 1981, IBM
lanseaz modelul IBM PC, cu 16 Kb memorie RAM i o unitate de floppy-disk.
Urmeaz , n 1983, modelul PC-XT (extended technology), cu 128 Kb RAM i
hard-disk de 10 Mb, iar n 1984, PC-AT (advanced technology), dotat cu procesor
80286 i avnd ca sistem de operare sistemul DOS 3.0, elaborat de Microsoft. n
1987 apare PS/2, prilej cu care produsul soft Windows, dezvoltat din 1985 de
Microsoft ca o extensie a sistemului de operare DOS (Disk Operating System), s-a
impus definitiv. Din acel moment, dezvoltarea s-a produs rapid, ea continund i n
prezent n acela i ritm. S mai subliniem faptul c ceea ce am descris pe scurt
reprezint doar o parte din dezvoltarea tehnicii de calcul, anume cea a "home
computer"-elor, existnd ns
i o alt latur , cea a computerelor de mare
capacitate, care a avut i ea o dezvoltare la fel de rapid , r mnnd ns mai pu in
cunoscut , datorit aplica iilor strict tiin ifice i profesionale.
Este vorba de procesoarele fabricate de cel mai mare produc tor din lume, firma Intel.
Al turi de acesta, al i produc tori, dintre care el mai cunoscut este AMD, au dezvoltat
tehnologii performante i asem toare, de fabricare a microprocesoarelor.
246
c
ni
r
ct
el
Procesor
Frecven
de tact
(MHz)
Registru
intern
(bi i)
8088
4,77
16
Magistral de
date
(bi i)
8
80286
6; 8; 10;
12; 16; 20
16; 20; 25;
33
16; 20; 25;
33
16; 20; 25;
33; 40; 50
25; 33; 50
16
16
24
16
134000
32
16
24
16
275000
32
32
32
4000
275000
32
32
32
4000
1185000
32
32
32
4000
1200000
40; 50; 66;

80
75; 100;
120
50; 66
32
32
32
4000
1400000
32
32
32
4000
1600000
32
64
32
4000
16
3100000
75;90;100;
120; 133;
166; 200
150; 180;
200
233; 266
32
64
32
4000
16
3300000
32
64
36
64000
16
5500000
32
64
36
64000
32
7500000
386SX
386DX
486SX
486DX
486DX/2
486DX/4
Pentium
Pentium
Pentium
Pro
Pentium
II
Magistral de
adrese
(bi i)
20
Mem.
max.
admin.
(MB)
1
Mem.
cache
(KB)
niv. I
0
Nr.
tranzistoare
Data
apariiei
29000
iunie
1979
feb.
1982
iunie
1988
oct.
1985
apr.
1991
apr.
1989
mart.
1992
feb.
1994
mart.
1993
mart.
1994
247
sept.
1995
mai
1977
c
ni
r
ct
el
BIBLIOGRAFIE
1. Blakeslee, Th., Proiectarea cu circuite logice MSI i LSI standard, Editura
Tehnic , Bucure ti, 1988
2. Bostan, I., Metode clasice si moderne in studiul circuitelor digitale - lucr ri
practice de laborator, Ed. MatrixRom, Bucure ti, 2006
3. Brezeanu Gh., s.a., Probleme de dispozitive i circuite electronice, Partea I, Ed.
Rosetti, Bucure ti, 2001
4.
tuneanu, V.M., s.a. Tehnologie electronic , E.D.P., Bucure ti, 1984
5. Cordo E., Marian I., Electronica pentru chimi ti,
Ed. tiin ific
i
Enciclopedic , Bucure ti, 1978
6. Damachi E., .a., Electronic , Ed. Didactic i Pedagogic , Bucure ti, 1979
7. Dasc lu, D., s.a., Dispozitive i circuite electronice, Ed. didactic i pedagogic ,
Bucure ti, 1982
8. Dasc lu, D., s.a., Dispozitive i circuite electronice. Probleme, Ed. didactic i
pedagogic , Bucure ti, 1982
9. Dasc lu D., Turic L., Hoffman I., Circuite electronice, Ed. Didactic i
Pedagogic , Bucure ti, 1981
10.
nil Th., .a., Dispozitive i circuite electronice, Ed. Didactic i
Pedagogic , Bucure ti, 1982
11. Dima I., Munteanu I., Materiale i dispozitive semiconductoare, Ed.
Didactic i Pedagogic , Bucure ti, 1980
12. Dolocan V., Fizica dispozitivelor cu corp solid, Ed. Academiei, Bucure ti,
1978
13. Dolocan V., Fizica jonc iunilor cu semiconductoare, Ed. Academiei,
Bucure ti, 1982
14. Dolocan V., Fizica electronic a st rii solide, Ed. Academiei, Bucure ti,
1984
15. Dragomirescu, O., Moraru, D., Componente i circuite electronice pasive,
Ed. BREN, Bucure ti, 2003
16. Dr nescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnic , Bucure ti, 1972
17. Dr gul nescu, N., Miroiu, C., Moraru, D., ABC. Electronica n imagini.
Componente pasive, Ed. Tehnic , Bucure ti, 1990.
18. Dr gul nescu, N., Agenda radioelectronistului (ed. a II a), Ed. Tehnic ,
Bucure ti, 1989
248
c
ni
r
ct
el

19. Gheorghe V., .a., Dispozitive i circuite electronice, Centrul de multiplicare
al Univ. Bucure ti, 1985
20. Gon ean, A., B bi , M., Structuri logice programabile, Editura de Vest,
Timi oara, 1996
21. Gray E.P., Searle L.C., Bazele electronicii moderne, Ed. Tehnic , Bucure ti,
1973
22. Grove A.S, Fizica i tehnologia dispozitivelor semiconductoare, Ed.
Tehnic , Bucure ti, 1973
23. Ionel S., Munteanu R., Introducere practic n electronic , Ed. Facla,
Timi oara, 1988
24. Miron C., Introducere n circuite electronice , Ed. Dacia, Cluj-Napoca, 1983
25. Mure an, T., .a., Circuite integrate numerice Aplica ii, Editura de Vest,
Timi oara, 1996
26. Nicolau E., .a.,
sur ri electronice, Ed. Tehnic , Bucure ti, 1979
27. Sandu D. D, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Didactic i Pedagogic ,
Bucure ti, 1975
28. Simion E., Miron C., Fe til L., Montaje electronice cu circuite integrate
analogice, Ed. Dacia, Cluj-Napoca, 1986
29. Spnulescu I., Fizica straturilor sub iri, Ed. tiin ific i Enciclopedic ,
Bucure ti, 1975
30. Spnulescu I., Fizica tranzistorilor i principiile microminiaturiz rii, Ed.
Didactic i Pedagogic , Bucure ti, 1973
31. Spnulescu I., Dima I., Prvan R.,
Metode electronice n fizica
experimental , Ed. Didactic i Pedagogic , Bucure ti, 1975
32. Spnulescu I, Prvan R, Principiile fizice ale microelectronicii, Ed. Tehnic ,
Bucure ti, 1981
33.
tefan, Gh., Func ii i structuri n sisteme digitale, Ed. Academica,
Bucure ti, 1991
34. Toac e, G., Necula, D., Electronic digital , Ed. Teora, Bucure ti, 1994
35. Vasilescu G., Lungu S., Electronic , Ed. Didactic i Pedagogic , Bucure ti,
1981
36.
escu A., .a. Dispozitive semiconductoare, Ed. Tehnic , Bucure ti,
1975
37.
escu A., .a. Circuite integrate liniare, Ed. Tehnic , Bucure ti, 1979
(vol. I), 1980 (vol. II), 1984 (vol III)
38. Wakerly, J.F., Circuite digitale Principiile i practicile folosite n
proiectare, Ed. Teora, Bucure ti, 2003
249

Electronica - Teorie Si Aplicatii

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronica - Teorie Si Aplicatii

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

a

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Editura Universittii din Pitesti

Copyright 2009 Editura Universit ii din

Editor: lector univ. dr. Sorin FIANU

- prof. univ. dr. Ion Iorga Sim n

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

1. NO IUNI DE FIZICA SOLIDULUI

Structura energetic a corpului solid

Din considerente ce au fost ar tate pe larg n cursul de fizica corpului solid,

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

De multe ori, pentru simplificare, se folose te expresia trecerea electronului de pe un nivel

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Deci, la T = 0 K, solidele sunt fie conductori fie dielectrici (izolatori).

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Concentra ia de purt tori n metale

Considernd, pentru simplificare, o re ea unidimensional , energia poten ial

Se observ c un electron cu energia W1 nu poate fi liber n cristal, neputnd

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

consider m un metal de form cubic , de latur a, n interiorul c ruia

Trebuie precizat c n toat aceast discu ie, m reprezint masa efectiv a

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel nct

Num rul total de electroni din unitatea de volum (concentra ia de electroni)

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Conduc ia electric la metale

Din cele v zute anterior, rezult c , la temperaturi obi nuite, electronii de

Adesea, se folose te termenul de lucru mecanic de extrac ie

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Viteza medie a acestei mi

ri este dat de rela ia:

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

1.5. Concentra ia de purt tori n semiconductori

Crescnd ns temperatura, are loc a a-numitul proces de generare termic

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Atunci, densitatea st rilor energetice pentru electroni i goluri sunt date de

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

N p w f w dw , unde f(w) = 1 f(w),

unde Eg = WC WV este l rgimea benzii interzise.

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

consider m acum un semiconductor extrinsec de tip n. ntruct, la 0 K,

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

n mod analog se produc i procesele ntr-un semiconductor extrinsec de tip

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

TABELUL 1.3. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopa i cu impurit i

Conduc ia electric la semiconductori

Considera iile expuse n paragraful 1.4 sunt valabile i n cazul

Curen i de difuzie n semiconductori

Am v zut c ntr-un cristal (metal sau semiconductor), n prezen a unui cmp

n continuare, pentru electroni vom folosi indicele n i pentru goluri indicele p

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

consider m un semiconductor n care exist un gradient de concentra ie

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii

Constantin St nescu Electronic . Teorie i aplica ii