Modelarea celulei fotovoltaice

cu ajutorul programului PSpice

Loredana DOROBANU, Mihai O. POPESCU, Claudia POPESCU
Abstract
In this paper are presented the basic models of photovoltaic cell made with PSpice program. The I(V)
characteristic, in light and dark conditions is analytically described by the used models. Initially, they are simple,
consisting of a diode and a power source, and become more complex by taking into account resistive losses
series, shunt and losses due to recombination and high temperature.
Keywords: solar cells, circuit, heating, model, losses, simulation, temperature

1. Introducere
n aceast lucrare sunt prezentate
ecuaiile de baz ale celulei fotovoltaice.
Caracteristica I(V), n condiiile de lumin i
ntuneric, este descris analitic de ctre
modelele folosite n PSpice.
Pentru nceput, acestea sunt simple,
alctuite dintr-o diod i o surs de curent.
Sunt
definii
parametrii
electrici
fundamentali ai celulei:
curentul de scurtcircuit (Isc),
tensiunea de mers n gol (Voc),
puterea maxim (Pmax)
factorul de umplere (FF).
Acest model simplu este apoi generalizat
lundu-se n considerare pierderile rezistive
serie i unt i pierderile din cauza
recombinrilor i a temperaturii.
Cu ajutorul acestor modele, se pot face
simulri pentru diferite valori ale temperaturii
i iradianei.
2. Circuitul ideal echivalent
O celul fotovoltaic poate fi descris
printr-un model de ordinul nti, aplicnd
principiul superpoziiei asupra celor dou
excitaii: tensiunea i lumina.
Ecuaia ce caracterizeaz curentul din
celula fotovoltaic este urmtoarea:

Loredana DOROBANU, PhD.Stud., loredana.dorobantu@upb.ro;

Mihai
O.
POPESCU,
Prof.Dr.Ing,
mo_popescu@topdigital.ro;
Claudia
POPESCU,
Prof.Dr.Ing.,
claudia.popescu@upb.ro:
Univesitatea
Politehnica Bucureti-Facultatea de Inginerie Electric,
Splaiul Independenei, nr. 313, Corp EA, 060042-Bucureti.

J = J sc J 0 (e

V
VT

1)

(1)

Aceast ecuaie ne d densitatea de

curent a celulei fotovoltaice n funcie de
iradina i tensiune. Din ea rezult curentul
generat de celula fotovoltaic:
V

I = I sc I 0 (e VT 1)

(2)

unde Isc i I0 sunt n relaie de

proporionalitate direct cu Jsc i J0, dup
cum urmeaz:
I sc = A J sc

(3)

I = A J0

(4)

unde A este aria util a celulei, iar aria

acoperit cu metal a fost neglijat.
Pentru nceput, vom considera c Isc nu
depinde de temperatur.
3. Modelul PSpice al celulei
fotovoltaice ideale
Pentru fiecare celul solar, s-a
implementat un subcircuit fcnd astfel
uoar legarea acestora n serie sau n
paralel.
Curentul de scurtcircuit al celulei
proporional cu iradiana este implementat in
PSpice cu ajutorul surselor de curent
comandate n tensiune. Acest subcircuit
apare n fig. 1(a) i este descris de ecuaia
(2).

20

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr. 2

Rezult fiierul .cir urmtor:

Figura 1. (a) Subcircuitul Cell_1.lib al celulei solare;

(b) diagrama bloc

Sursa de curent comandat n tensiune

am denumit-o girrad:
girrad =

J sc A
G
1000

(5)

unde G este valoarea iradianei n W/m2, iar

Jsc are valoarea pentru condiii standard
(AM 1.5, G = 1000 W/m2, Tcelul = 25 C).
Ecuaia (5) returneaz valoarea curentului
de scurtcircuit pentru orice valoare a
iradianei.
Pentru subcircuitul din fig. 1(a), s-a
realizat programul urmtor:
.subckt cell_1 300 301 302 params: area=1, j0=1,
jsc=1
girrad 300 301 value={(jsc/1000)*v(302)*area}
d1 301 300 diode
.model diode d(is={j0*area})
.ends cell_1

Dup cum se poate observa, s-au atribuit

valori unitare pentru parametrii subcircuitului,
acestea urmnd s fie nlocuite cu valorile
furnizate de circuitul n care va fi integrat.
Modelul diodei include parametrul is
care rezult din produsul dintre densitatea
curentului de saturaie J0 i suprafaa A.
Dup cum se poate observa, exist un nod
de referin (300), prin care se furnizeaz
tensiunea de intrare care este numeric egal
cu valoarea iradianei (302), i un nod ce
conecteaz celula la circuit (301).
Subcircuitul fotovoltaic este conectat ntr-un
circuit de msur pentru a se obine
caracteristica I(V). Acest circuit, prezentat n
fig. 2, este pentru o celul fotovoltaic cu
diametrul de 12,7 cm (5), densitatea
curentului de scurtcircuit de 34,3 mA/cm2 i
J0 = 1x10 11 A/cm2.

Figura 2. Circuitul de msurare a caracteristicii I(V) a

celulei fotovoltaice

20

*cell_1.cir
.include cell_1.lib
xcell1 0 31 32 cell_1 params: area=126.6 j0=1e-11
jsc=0.0343
vbias 31 0 dc 0
virrad 32 0 dc 1000
.plot dc i(vbias)
.probe
.dc vbias -0.1 0.6 0.01
.end

Dup cum se poate observa, circuitul

conine o surs DC vbias care ia valori
ntre 0,1 V i +0,6 V. Rezultatul este artat
n fig. 3.
5.0A

2.5A

0A
-100mV
0V
I(vbias)

100mV

200mV

300mV

400mV

500mV

600mV

vbias

Figura 3. Caracteristica I(V) a modelului celulei

fotovoltaice din fig. 2

Intersecia graficului cu axa y ne d

valoarea curentului de scurtcircuit a celulei
fotovoltaice. n acest caz, ea fiind de
4,642 A,
reprezint
produsul
dintre
0,0343 126,6 = 4,342 A.
4. Tensiunea de mers n gol
n afara curentului de scurtcircuit, un alt
punct important pe caracteristic este cel
constituit de intersecia caracteristicii I(V) cu
axa x. Acesta indic valoarea tensiunii de
mers n gol pentru un curent nul. Din relaia
(6) rezult V0C :
V 0 C = VT ln(1 +

I sc
)
I0

(6)

Se poate observa c valoarea tensiunii de

mers n gol este direct proporional cu
logaritmul raportului Isc / I0. Acest lucru arat
c, la temperaturi constante, tensiunea de
gol crete logaritmic cu creterea curentului
de scurtcircuit care crete liniar cu iradiana.
Deci tensiunea de mers n gol este n relaie
logaritmic cu iradiana. Din acest motiv,
variaia iradianei are un efect mult mai mare
asupra curentului de scurtcircuit dect
asupra tensiunii de gol.
V0C = VT ln(1 +

J sc
)
J0

(7)

21

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr. 2

Din relaia (7), rezult c tensiunea V0c

este independent de suprafaa celulei.
Ceea ce nseamn c, sub aceeai iluminare
i la aceeai temperatur, tensiunea de gol
este aceeai pentru orice dimensiune a
suprafeei celulei fotovoltaice.
n exemplul urmtor, vom considera o
celul cu diametrul de 15,20160 cm (6),
Jsc = 34,3 A/cm2, J0 = 1x10-11 A/cm2.
Vom calcula tensiunea de mers n gol
pentru valori ale iradianei de 200, 400, 600,
800 i 1000 W/m2 i caracteristica I(V).
*irradiance.cir
.include cell_1.lib
xcell1 0 31 32 cell_1 params: area=126.6 j0=1e-11
jsc=0.0343
vbias 31 0 dc 0
.param IR=1
virrad 32 0 dc {IR}
.step param IR list 200 400 600 800 1000
.plot dc i(vbias)
.probe
.dc vbias -0.1 0.6 0.01
.end

Considernd fig. 1, puterea din orice punct al

caracteristicii este dat de ecuaia:
V

(8)

P = V I = V [ I L I 0 (e VT 1)]

Desigur, valoarea puterii n punctul

corespunztor scurtcircuitului este nul, la fel
i n cazul mersului n gol. ntre aceste dou
puncte, valoarea puterii este pozitiv i are
un punct de maxim numit punct de putere
maxim (MPP maximum power point) ce
are coordonatele V = Vm i I = Im. Relaia
ntre Vm i Im poate fi derivat, deoarece n
punctul de putere maxim derivata puterii
este zero:
Vm

Vm

dP
V
= 0 = I L I 0 (e VT 1) m I 0 e VT
dV
VT

(9)

Vom reprezenta grafic caracteristica astfel

obinut ca n fig. 4.
5.0A

Figura 5. Graficul produsului dintre curent i

tensiunea de-a lungul celulei, pentru diferite
valori ale iradianei

2.5A

0A
-100mV

0V
100mV
I(vbias)

200mV

300mV

400mV

500mV

600mV

vbias

Figura 4. Caracteristica I(V) a celulei fotovoltaice

pentru diferite valori ale iradianei

Pentru valorile iradianei deja stabilite, sau obinut urmtoarele valori ale curentului
de scurtcircuit i ale tensiunii de mers n gol,
prezentate n tabelul 1:
Tabelul 1.
Iradian
G (W/m2)

Curent de
scurtcircuit
Isc (A)

Tensiunea de mers
n gol
V0c

1000
800
600
400
200

4,34
3,47
2,60
1,73
0,86

0,567
0,561
0,554
0,543
0,525

Folosind fiierul irradiance.cir de mai sus,

puterea n funcie de tensiunea aplicat se
poate reprezenta grafic. Se folosete pasul
de tensiune 0,01 V, deoarece ne ofer o
precizie bun pentru modelul ales.
6. Efectele rezistenei de unt
Rezistena de unt are efect asupra
performanelor celulei fotovoltaice. Din
studiul fcut reiese c pentru valori mici ale
rezistenei de unt tensiunea de mers n gol
este uor modificat. Pe de alt parte, n
punctul de scurtcircuit, toate curbele trec prin
acelai punct. Aceasta se datoreaz faptului
c Rs = 0, J02 = 0 i V = 0 i Isc = IL, deci nu
depinde de Rsh.

5. Punctul de putere maxim

Puterea la ieirea unei celule fotovoltaice
este produsul dintre curentul furnizat sarcinii
de ctre celul i tensiunea existent de-a
lungul celulei. Dac acesta este pozitiv, se
consider c puterea este dat sarcinii, iar
dac este negativ, celula absoarbe puterea.

Figura 6. Efectul rezistenei de unt asupra

caracteristicii I(V)

21

22

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr. 2

7. Efectele diodei de recombinare

Cnd dioda de recombinare ia valori
ridicate, tensiunea de mers n gol scade
semnificativ. Acest lucru se poate vedea n
fig. 7.

5 diametru, cu Jsc = 0,343 A/cm2, J0 = 1

10-11 A/cm2, considerat ideal pentru
diferitele valori ale temperaturii, mai exact:
27 C, 35 C, 40 C, 45 C, 50 C, 55 C i
60 C. Aceast analiz presupune un curent
de scurtcircuit independent de temperatur.
Rezultatele
simulrii
pentru
diferitele
temperaturi se observ n fig. 8.

Figura 7. Efectele diodei de recombinare

Pentru a izola efectul diodei de

recombinare, am dat o valoare ridicat
rezistenei paralele i o valoare sczut
rezistenei serie. Am dat valori parametrului
J02 pentru care s-a realizat graficul: 1 108
A/cm2,
1 10-7 A/cm2,
1 10-6 A/cm2,
1 x 10-5 A/cm2, 1 10-4 A/cm2.
Caracteristicile obinute sunt puternic
scztoare att n ceea ce privete
tensiunea de mers n gol, ct i n ceea ce
privete factorul de umplere. Curentul de
scurtcircuit rmne constant.
8. Efectele temperaturii
Temperatura la care opereaz celula
fotovoltaic are un efect foarte puternic
asupra rspunsului acesteia. Avnd n
vedere c o celul se poate nclzi pn la
temperaturi de 60-65 C, modelul trebuie
adaptat, nct s in seama de coeficienii
de temperatur. Temperatura poate fi
inclus n PSpice folosind parametrii
modelului diodei implementai n program,
astfel densitatea curentului de saturaie
prezint o dependen puternic cu
temperatura i se d sub forma:

J 0 = BT XTI e

Eg

(10)

kT

unde B este o constant ce nu depinde de

temperatur, iar XTI este un parametru
PSpice care, de asemenea, nu depinde de
temperatur. Ecuaia (10) este valabil
pentru orice valoare arbitrar a temperaturii.
Pentru o temperatur de referin
nominal, Tnom, vom avea:

J 0 (Tnom ) = B(Tnom )

XTI

n urma simulrii din PSpice, s-au obinut

uor valori ale tensiunii de mers n gol pentru
o plaj variat de temperaturi, de la 35 C la
60 C, conform tabelului 2.
Tabelul 2
T(C)
V0c(mV)
V0c/T
(mV/C)

27
35
40
45
50
55
60
567,5 550 538,4 526,9 515,3 503,8 492,9
-2,18 -2,3
-2,3
-2,31 -2,31 -2,18

Se observ c valoarea coeficientului

tensiunii de mers n gol, calculat pe ultima
linie din tabel, este apropiat de 2,3 mV/ C
pentru toate cele ase temperaturi.
Deoarece curentul de scurtcircuit nu
depinde de temperatur, n aceste condiii,
acesta
este
considerat
o
mrime
independent.
5. Concluzii
Scopul acestei lucrri este de a modela
parametrii celulelor fotovoltaice de intrare,
respectiv, de ieire. Analizele fcute scot n
eviden comportamentul unei celule n
condiii limit de funcionare, dependena
tensiunii de mers n gol, a curentului de
scurtcircuit de temperatura intern, ordinul
de mrime al perderilor din circuit, cauzate
de aceste conditii nefavorabile.
Utilitatea analizei realizate se regsete n
uurina modelrii diverselor caracteristici i
n crearea de noi modele ce pot fi ajustate i
mbuntite dup nevoi i cerine.

E g (Tnom )
kTnom

(11)

n continuare, vom trasa graficul

caracteristicii I(V) a celulei de siliciu de
22

Figura 8. Efectele temperaturii

6. Referine
[1] MESSENGER RA, VENTRE J. Photovoltaic
Systems Engineering, Florida: CRC Press;
2004.

ELECTROTEHNIC, ELECTRONIC, AUTOMATIC, 60 (2012), nr. 2

[2] SICK F, ERGE Th. Book for architects and

engineers, Earthscan Publications Ltd; 2003.
[3] MAZUNDER MK. Development of a
Transparent Self-Cleaning Dust Shield for
Solar Panel, in Particulate Science and
Technology Journal. 2004 March; vol. 25,
no.1, pp. 5-21.
[4] ACCIANI G, FALCONE O, VERGURA S.
Defects in poly-Silicon and amorphous
Silicon solar cells (paper 632). in 8th Int.
Conf. ICREPQ10, 2010 March 23-25.
Granada, Spain.
[5] ACCIANI G, SIMIONE GB, VERGURA S,
Thermographic Analysis of Photovoltaic
Panels (paper 634). in 8th Int. Conf.
ICREPQ10, 2010 March 23-25. Granada,
Spain.

23

[6] CASTANER L, SILVESTRE S. Modelling

photovoltaic systems using PSpice, Wiley
Ltd.; 2002.
[7]
CRCIUNESCU A, POPESCU MO,
POPESCU CL. Monitoring results of the 30
kWp PV grid-connected power system
installed at University Politehnica of
Bucharest (paper 473), in 7th Int. Conf.
ICREPQ09, 2009 Apr 15-17. Granada,
Spain.
[8] DOROBANU L, POPESCU MO, POPESCU
CL. Studiul efectului cauzat de prezena
depunerilor
pe
suprafaa
celulelor
fotovoltaice, in EEA, Editura Electra, 2011
Apr-Jun; Vol.59, no.2, ISSN 1582-5175.

23