Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
PROIECT
DE
SPECIALITATE
pentru examenul de certificare
a competenelor profesionale
Filiera: Tehnologic
Profilul: Tehnic
Specializarea: Tehnician n automatizri
Elev:
STANILA DAN-ROBERT
Profesor ndrumator:
2016
PROIECT
DE
SPECIALITATE
TRANZISTOARE
Elev:
STANILA DAN-ROBERT
Profesor ndrumator:
2016
CUPRINS
3
Argument ______________________________________________________________
5
Tranzistoare unipolare (cu efect de cmp)____________________________________ 6
Clafificarea TEC _______________________________________________________________ 6
Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J)__________________________
7
Funcionarea TEC-J cu canal de tip p____________________________________________ 8
Funcionarea TEC-J cu canal de tip n____________________________________________ 10
Principalii parametrii folosii pentru TEC-J n conexiunea surs-comun_________________ 12
Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)______________________ 15
Tetroda TEC-MOS______________________________________________________________ 18
Aplicaii ale TEC______________________________________________________________ 20
Comutatoare analogice___________________________________________________________ 20
Atenuatorul controlat____________________________________________________________ 22
Protecia muncii_______________________________________________________________ 24
ANEXE_______________________________________________________________________ 26
Bibliografie____________________________________________________________________ 31
ARGUMENT
4
CLASIFICAREA TEC
Clasificarea tranzistoarelor cu efect de cmp este complicat suplimentar de un alt aspect
constructiv. Un tip de tranzistoare conduc pn cnd se face ceva care s le micoreze curentul:
sunt tranzistoarele care au canal iniial (depletion mode n englez). Toate tranzistoarele TEC-J
i anumite tranzistoare TEC-MOS funcioneaz dup acest principiu.
Tranzistoarele de cellalt tip sunt proiectate astfel nct s nu conduc dect dac se
aplic un cmp care s "sape" un canal conductor. Acestea sunt tranzistoarele care au canal
indus (enhancement mode n englez). Marea majoritate a tranzistoarelor TEC-MOS au canal
indus.
Dac mai inem seama de felul de dopare al canalului, care poate fi n sau p, am avea n
total 8 tipuri de tranzistoare cu efect de cmp. Dintre acestea, ase ar putea fi realizate, cinci
sunt chiar produse i numai patru sunt importante. Arborele familiei de tranzistoare cu efect de
cmp poate fi vazut n ANEXA 1, FIG 1. Din cauza jonciunii porii care trebuie s fie
ntotdeauna invers polarizat, tranzistoarele TEC-J (cu poart jonciune) nu pot fi realizate
6
dect cu canal iniial. Tranzistoarele cu poart izolat pot avea oricare dintre aceste tipuri de
canale, dar cele cu canal iniial nu au dect cteva aplicaii particulare. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p.
10
absciselor n acelai punct, dar de semn contrar: V DS V B ; valorile tipice ale V B sunt de
ordinul a -100V.
ID
. Definit ntr-un punct
V DS
oricreia dintre ele ros este constant pentru o caracteristic de ieire dat. Valorile ei tipice
sunt de ordinul 100 k n regiunea de strangulare.
Transconductana diferenial cu ieirea n scurtcircuit (pentru variaii de semnal, numit
i D
| v DS const .
i panta TEC-J, este definit prin: g m :
v PS
Definit n punctul Q (V DS , I D ) al caracteristicii de transfer de parametru v DS V DS ,
ea reprezint panta acelei caracteristici n punctul Q. Domeniul de valori uzuale ale g m este
cuprins ntre 0,1 i 10 mS.
n analiza i proiectarea circuitelor cu tranzistori se utilizeaz des ecuaii simplificate ale
caracteristicilor statice.
Considernd c valoarea conductanei difereniale de ieire a TEC-J n conexiunea
surs-comun este nul n regiunea de strangulare (caracteristicile de ieire sunt orizontale n
aceast regiune), familia de caracteristici statice de transfer pentru aceast regiune (FIG. 5.c.) se
reduce la o singur caracteristic (FIG. 6.a.). Ea este aproximat cu erori mici de ecuaia:
v
i D I DSS (1 PS ) 2 dac V P v PS 0 , v DS v DS cot
VP
I DSS : i D | v PS 0 dac v DS v DS cot .
unde am notat
Aplicnd definiia g m :
i D
| v DS const , obinem expresia transconductanei difereniale n
v PS
aceeai regiune.
I DSS
VP
v PS
VP
dac v DS v DS cot .
Ea variaz liniar cu v PS , nu este negativ pentru valorile permise ale v PS i are valoarea
2 I DSS
maxim g mss
pentru v PS 0 (FIG. 6.b.). La un TEC-J cu I DSS 1 mA i V P -2V
VP
g m 2
cot
= g os | v DS v DS
cot
= g OS | v DS v DS
cot
13
14
16
TETRODA TEC-MOS
Tetroda TEC-MOS reprezint o form special de transistor MOS cu canal n. Are dou
pori plasate una dup alta. Amplificarea este mare i zgomotul mic, fiind recomandat a fi
utilizat n domeniul FIF i n special UIF. n FIG. 11. se prezint simbolul i schema de
conectare ntr-un etaj ARF-FIF.
18
Impedana de sarcin, care este filtrul de band acordat cu diode varicap, se conecteaz
n c.a ntre dren i surs. Semnalul de RF se aplic pe poarta G1 care este polarizat la +4,5V
cu ajutorul divizorului R1 , R2 (FIG. 11. a).
Tensiunea de RAA se aplic similar ca la un tranzitor PNP pe poarta G 2 iar sursa S este
polarizat extern prin R3 , R4 .
n situaia fr semnal avem : U G2 9V , U S 4,5V , U G2 S 9 4,5 4,5V .
La semnalul maxim admis tensiunile sunt : U G 1V , U S 3V , U G S 1 3 2V .
Curentul de lucru al tetrodei variaz de la circa 8 mA n situaia fr semnal, pn la 0
mA la semnal maxim. Variaia de amplificare este de peste 40 dB.
Tipurile reprezentative de tetrode TEC-MOS sunt : BF 907, BF 910, BF 960, BF 961.
n concluzie, menionez un aspect de ordin practic legat de utilizarea tranzistoarelor
MOS. Datorit impedanei foarte mare de intrare, exist riscul de strpungere al stratului de
oxid (rezist pn la circa 100V) prin acumulri de sarcini electrostatice mari. De aceea,
stocarea se face n cutii din material conductor electric astfel ca toate terminalele s fie
scurtcircuitate mpreun.
Cnd se repar circuite n care exista tranzistore MOS, ciocanele de lipit trebuie s fie
conectate la pmnt (mpmntare). Unele tipuri, cum ar fi BF 960, BF 961 sunt prevzute cu
circuite interne limitatoare a suprasarcinilor (FIG. 11, b)
2
19
20
F
IG. 13. Funcionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul
n conducie cu tensiunea de intrare -5 V (b) i tranzistorul n conducie cu tensiunea de intrare
+5 V (c).
Legm acum poarta la potenialul de + 10 V. n momentul n care tensiunea semnalului
ajunge la -5 V, ca n FIG. 13b), avem o tensiune poart-surs de +15 V i putem conta pe o
rezisten dren-surs, de
.
Cum rezistena de sarcin are 50 kW, pe sarcin ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de
intrare.
n cealalt situaie, tensiunea semnalului este de +5 V i tensiunea poart-surs scade la
+5 V, ca n desenul c) al figurii. Acum, rezistena tranzistorului este de 530 W i pe sarcin
ajunge 98.9 % din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o uoar distorsionare a semnalului, de
aproape 0.9 %, datorit variaiei rezistenei comutatorului. Verificm, n final c tranzistorul
rmn n regiunea de rezisten controlat. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii
dren-surs; este exact valoarea tensiunii care nu ajunge pe sarcin, adic ntre 0.2 % i 1.1 %
din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV ! Tranzistorul este, cu siguran, n
regiunea de rezistena controlat.
Conform desenelor b) i c) ale figurii 13, constatm c drena i sursa i inverseaz
rolurile ntre ele. De fapt, la un tranzistor cu efect de cmp, drena i sursa sunt echivalente la
curent continuu i pot fi interschimbate; ele difer numai la curent alternativ, drena avnd o
capacitate mai mic fa de poart.
Comutatorul prezentat mai sus are ns un dezavantaj major: tensiunea semnalului nu se
poate apropia prea mult de tensiunea de alimentare pozitiv, altfel nu ar mai rmne o tensiune
suficient pentru meninerea deschis a tranzistorului. Soluia const n utilizarea unui
comutator cu dou tranzistoare MOS complementare (CMOS -complementary MOS), adic
unul cu canal n i unul cu canal p, ca n FIG. 14.
Ca s blocm ambelor tranzistoare este suficient s aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS i la +5 V poarta tranzistorului PMOS. Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizeaz un inversor logic, care ofer la ieirea sa nivelul continuu de -5 V cnd
intrarea sa este la +5 V i invers.
21
2. Atenuatorul controlat
Se poate folosi un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continu de valoare
convenabil. Acelai dispozitiv poate fi utilizat, ns, i ca atenuator, pentru a aplica pe o
rezisten de sarcin un semnal de tensiune de amplitudine mai mic dect cel produs de
generator (FIG.15 a).
O aplicaie standard este poteniometrul de volum cu care se face reglajul intensitii
semnalului sonor la un amplificator audio.
22
.
Pe de alt parte, cnd tensiunea de control, negativ, ajunge la
tranzistorul este blocat
i pe sarcin ajunge ntregul semnal de intrare. La frecvene mari se produce, totui, o atenuare
datorit capacitii tranzistorului.
Pentru a apropia i mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate
utiliza adunarea, peste tensiunea de control, a cantitii
ca n FIG.15 c). Chiar i cu acest
truc, amplitudinea semnalului nu poate fi mai mare de cteva zecimi de volt, altfel acesta va fi
distorsionat de dependena neliniar
.
23
PROTECIA MUNCII
Organizarea unui punct de lucru:
Observaii:
n afar de mijloacele de protecie menionate, la nivelul plcilor si aparatelor (mai ales
microprocesoare si calculatoare) se utilizeaz uneori i o protecie de tip soft. O astfel de
protecie const n a utiliza la intrare o poart I-NU la care una din intrari este mereu baleiat
cu un semnal paznic preluat de la ceasul microprocesorului. Cealalt intrare a porii este
rezervat semnalului util; cnd pe aceasta apare o descarcare DES (descrcare electrostatic) se
declaneaz un program care face ca ntreaga structur hard sa fie deconectat fa de intrare.
Soluia are dezavantajul c, atunci cnd DES este puternic, se distruge aceasta poart
paznic. Exist si alte soluii.
O msur suplimentar de protecie la manipularea plcilor cu mare densitate de
componente, cum sunt plcile de baz, const n a le trata cu un spray antistatic nainte de a
pune mana pe ele.
mult siguran adesea se recurge la controlul permanent al brrii. n acest scop brara se
construiete din dou pri. Seciunea 1 este legat la pmnt printr-o rezistena de 1 M iar
seciunea 2 este conectat la un comparator de rezistene. Cnd rezistena depete intervalul
prescris, comparatorul declaneaz o alarm sonor.
Alte precauii:
nainte de a atinge componentele sensibile la DES, operatorul uman trebuie s ating
tapetul de masa disipativ. Hainele operatorului uman sa nu se apropie i s nu ating
componentele sensibile la DES. Operatorul va putea utiliza numai mnui de bumbac, iar
persoanele nepregtite nu trebuie s se apropie de componentele sensibile.
Persoanele care manipuleaz componente sensibile nu vor face activitti fizice intense
care ar putea sa le ncarce electrostatic, iar peste ncalminte trebuie sa poarte anvelope
disipative.
Componentele sensibile la DES trebuie s rmn in cutiile lor antistatice pn n
momentul utilizrii, iar naintea scoaterii lor din cutie operatorul uman trebuie:
-s pun cutia n tapetul disipativ;
-s verifice dac brara este strans pe mn i dac e legat la pmnt;
-s ating cu mna tapetul;
Pe ct posibil, n timpul lucrului, componentele sensibile trebuie s fie n contact cu
tapetul. Dac se utilizeaz ionizatoare i umidificatoare, acestea s intre n funciune nainte de
scoaterea componentelor sensibile din cutie.
Circuitele integrate sensibile nu trebuie introduce sau scoase de pe plac n prezena
tensiunii de alimentare.
La plcile cu componente sensibile pe intrri se conecteaz rezistene adecvate spre a
limita curentul provenit din DES, iar terminalele care nu sunt folosite trebuie scurtcircuitate cu
unturi tip clam.
25
ANEXE
ANEXA 1
26
ANEXA 2
27
ANEXA 3
28
ANEXA 4
29
ANEXA 5
30
BIBLIOGRAFIE
31