Sunteți pe pagina 1din 31

MINISTERUL EDUCAIEI I CERCETRII

COLEGIUL TEHNIC NR 2 TG-JIU

PROIECT
DE
SPECIALITATE
pentru examenul de certificare
a competenelor profesionale
Filiera: Tehnologic
Profilul: Tehnic
Specializarea: Tehnician n automatizri

Elev:

STANILA DAN-ROBERT

Profesor ndrumator:

Prof. Ing. SOFEI CARMEN

2016

MINISTERUL EDUCAIEI I CERCETRII

COLEGIUL TEHNIC NR 2 TG-JIU

PROIECT
DE
SPECIALITATE
TRANZISTOARE

Elev:

STANILA DAN-ROBERT

Profesor ndrumator:

Prof. Ing. SOFEI CARMEN

2016

Proiectul de specialitate trebuie s conin urmtoarea structur:

1. Titlul proiectului pentru atestarea competenelor profesionale;


2. Argumentul proiectului, desfurat pe 1-2 pagini: se ncadreaz problema aflat n
studiu, n problematica general a domeniului de pregtire profesional, punndu-se n
eviden importana temei n domeniul general al pregtirii tehnicii de specialitate;
3. Cuprinsul propriu-zis al lucrrii: va fi dezvoltat i structurat tema lucrrii i
acolo unde este cazul vor fi incluse norme de securitate a muncii specifice, calculul
tehnico-economic (unde este cazul), studii de eficien, exemple practice, sau studii
teoretice, care se pot concretiza ulterior n realizri practice;
4. Anexe, unde, n funcie de tema lucrrii, vor fi incluse exemple de utilizare, scheme,
rezultate ale unor msurtori, grafice, date de catalog etc., toate acestea menite s
ilustreze i s menin concluziile finale ale lucrrii;
5. Formulare specifice (doar n cazul studiilor componentelor de circuit);
6. Necesarul de materiale i echipamente (pentru eventualele exemple practice);
7. Bibliografia i cuprinsul.

CUPRINS
3

Argument ______________________________________________________________

5
Tranzistoare unipolare (cu efect de cmp)____________________________________ 6
Clafificarea TEC _______________________________________________________________ 6
Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J)__________________________
7
Funcionarea TEC-J cu canal de tip p____________________________________________ 8
Funcionarea TEC-J cu canal de tip n____________________________________________ 10
Principalii parametrii folosii pentru TEC-J n conexiunea surs-comun_________________ 12
Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS)______________________ 15
Tetroda TEC-MOS______________________________________________________________ 18
Aplicaii ale TEC______________________________________________________________ 20
Comutatoare analogice___________________________________________________________ 20
Atenuatorul controlat____________________________________________________________ 22
Protecia muncii_______________________________________________________________ 24
ANEXE_______________________________________________________________________ 26
Bibliografie____________________________________________________________________ 31

ARGUMENT
4

Lumea modern, dominat de efectele ultimelor descoperiri tehnico-tiinifice, de


mobilitatea profesiunilor i a forei de munc, solicit astzi, mai mult ca oricnd, formarea
personalitilor rapid adaptabile la noile schimbri, ca posibile s caute soluii originale la
problemele din ce n ce mai complexe i mai neprevzute.
Evoluia rapid a civilizaiei impune colii contemporane pregtirea generaiilor tinere
astfel nct acestea s se poat integra, fr dificulti, n societatea informaional de mine.
Automatizarea i cibernetizarea implic tot mai multe procesele intelectuale n
prelucrarea i interpretarea datelor oferite de computere intensificnd domeniile concepiei,
comenzii, controlului, i organizrii muncii.
Tehnologia condiioneaz cercetarea tiinific modern, devenind totodat o component
indispensabil a culturii generale.
Educaiei i revine, mai mult ca oricnd, un rol decisiv n dezvoltarea social i
transformrile calitative ale vieii.
Ca urmare, programul de instruire n coal trebuie s fie conceput din perspectiva
pedagogiei prospective, tinerii fiind nvai s descopere noi instrumente ale cunoaterii, s
pun noi probleme, s gseasc noi soluii.
Orizontul de cultur general nu mai este complet fr modulul tehnic i cel tehnologic,
care permit absolvenilor nu numai policalificri rapide ci i nelegerea mai profund a sensului
marilor invenii i descoperiri, stimulndu-le curiozitatea tiinific, spiritul de cercetare i
descoperire.
n acest context, electronica este disciplina de nvmnt creia i revine o
responsabilitate deosebit.
Extraordinara sa dezvoltare, ptrunderea n toate domeniile de activitate tiinificotehnice, industriale i economico-sociale impun pregtirea unei fore de munc, att la nivel
mediu ct i la nivel superior, n rezonan cu cerinele actuale ale societii.
n lucrarea de fa, se expune tranzistorul cu efect de cmp, prezentndu-se
caracteristicile sale, modul de funcionare, iar la sfrit nite aplicaii ale acestuia.

TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)


Denumirea de tranzistoare unipolare provine de la faptul c la procesul de conducie
particip numai un singur tip de purttori de sarcin: electroni sau goluri. Acetia circul
printr-un canal de tip p sau n. Funcionarea tranzistoarelor unipolare se bazeaz pe variaia
rezistenei unui strat de material semiconductor, prin care curentul este obligat s circule, cu
ajutorul unui cmp electric transversal pe direcia de curgere a purtatorilor de sarcin, produs
de semnalul de comand. De aceea, aceste tranzistoare se mai numesc i trazistoare cu efect de
cmp (TEC n limba romn sau FET field-effect transistor in limba englez.)
Tranzistorul cu efect de cmp este un dispozitiv cu trei terminale:
Sursa electrodul de unde pleac sarcinile electrice
Drena electrodul ctre care se ndreapt sarcinile electrice
Poarta electrodul care comand comportarea dispozitivului
Exist trei principale tipuri de tranzistoare cu efect de cmp:
Tranzistoare cu efect de cmp cu jonctiune (TEC-J)
Tranzistoare cu efect de cmp cu structur metal-oxid-semiconductor (TEC MOS)
Tranzistoare cu pturi subiri
Deoarece tranzistorul cu pturi subiri este de fapt tot un tranzistor de tip MOS, se vor
prezenta numai primele dou tipuri de tranzistoare cu efect de cmp.
Datorit urmtoarelor proprieti, TEC sunt preferate sau de nenlocuit cu tranzistoare
bipolare:
Ca dispozitive comandate n tensiune TEC prezint impedan de intrare foarte
mare chiar peste 1014 M
TEC pot fi utilizate ca rezistene comandate n tensiune i ocup, n tehnologie
integrat, o arie mai mic dect rezistena echivalent.

TEC au o arie mic n raport cu tranzistoarele bipolare; de aici rezult


avantaje pentru fabricarea circuitelor complexe, ca de exemplu microprocesoare,
memorii, etc.

CLASIFICAREA TEC
Clasificarea tranzistoarelor cu efect de cmp este complicat suplimentar de un alt aspect
constructiv. Un tip de tranzistoare conduc pn cnd se face ceva care s le micoreze curentul:
sunt tranzistoarele care au canal iniial (depletion mode n englez). Toate tranzistoarele TEC-J
i anumite tranzistoare TEC-MOS funcioneaz dup acest principiu.
Tranzistoarele de cellalt tip sunt proiectate astfel nct s nu conduc dect dac se
aplic un cmp care s "sape" un canal conductor. Acestea sunt tranzistoarele care au canal
indus (enhancement mode n englez). Marea majoritate a tranzistoarelor TEC-MOS au canal
indus.
Dac mai inem seama de felul de dopare al canalului, care poate fi n sau p, am avea n
total 8 tipuri de tranzistoare cu efect de cmp. Dintre acestea, ase ar putea fi realizate, cinci
sunt chiar produse i numai patru sunt importante. Arborele familiei de tranzistoare cu efect de
cmp poate fi vazut n ANEXA 1, FIG 1. Din cauza jonciunii porii care trebuie s fie
ntotdeauna invers polarizat, tranzistoarele TEC-J (cu poart jonciune) nu pot fi realizate
6

dect cu canal iniial. Tranzistoarele cu poart izolat pot avea oricare dintre aceste tipuri de
canale, dar cele cu canal iniial nu au dect cteva aplicaii particulare. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP CU JONCIUNE (TEC-J)


Un tranzistor de tip TEC-J este format dintr-un bloc semiconductor, de anumit tip, p sau
n. n extremitile acestui bloc se depun dou contacte ohmice numite sursa (S), i respectiv
dren (D). n zona central dintre surs i dren se formeaz prin impurificare o regiune de tip
opus blocului semiconductor, al crei contact metalic se numete poart (P). O zon de acelai tip
ca i al porii (un substrat) se creeaz de cealalt parte a blocului semiconductor, contactul
corespunztor fiind numit baz (B). Electrozii porii i bazei sunt legai electric ntre ei (FIG. 1).
Prin aplicarea unei surse de alimentare ntre surs i dren prin canalul de trecere
format ntre ele i mrginit de regiunile porii i bazei, circul purttorii majoritari de tipul
corespunztor blocului semiconductor central (goluri n cazul blocului p, electroni pentru blocul
de tip n). Datorit formrii acestui canal, tranzistoarele cu efect de cmp, cu bloc central de tip p
se numesc cu canal de tip p iar cele de tip n , cu canal de tip n. n cazul primei categorii, de
tip p, tensiunea de alimentare se aplic cu polul pozitiv pe surs i negativ pe dren, iar la cele cu
canal de tip n, cu polul negativ pe surs i cel pozitiv pe dren. Deci, polarizarea sursei
corespunde tipului blocului central.
Fenomenele ce apar ntr-un TEC-J sunt asemntoare la cele dou tipuri, dar curentul
este dat de purttorii diferii: de goluri la tipul p i de electroni la tipul n.

FUNCIONAREA TEC-J CU CANAL DE TIP P


Se va examina un tranzistor cu efect de cmp, avnd un canal de tip p, tensiunea de
alimentare este legat cu polul pozitiv la surs i cel negativ la dren. Studiul comportrii
tranzistorului trebuie fcut n trei situaii:
a) Cu poart nepolarizat (liber);
b) Cu poart legat la polaritatea sursei;
c) Cu poart polarizat separat.
a)
n cazul tranzistorului cu canal p considerat, la aplicarea sursei de alimentare
ntre surs i dren, n blocul semiconductor central apare un curent dat de goluri purttori
majoritari ai regiunii canalului.
La variarea tensiunii continue aplicate, curentul variaz n mod proporional,
tranzistorul comportndu-se ca o rezisten de valoare constant.
b)
Poarta se leag direct la surs, polarizarea ntre surs i dren fiind cea
descris anterior. n aceast situaie, datorit trecerii curentului ntre surs i dren, n
interiorul semiconductorului apare o cdere de tensiune, astfel nct fiecare punct are un
potenial negativ fa de surs, de o anumit valoare absolut, ce descrete ntre dren i surs.
n dreptul porii, respectiv al bazei se formeaz dou jonciuni pn polarizate invers. ntre
regiunile p i n ale fiecrei jonciuni se formeaz regiuni de trecere ce constituie izolatoare
pentru curentul electric. Poriunea din blocul central delimitat de regiunile de trecere ale celor
dou jonciuni se numete canal. Curentul electric poate circula doar prin canal, a crei form se
poate observa n FIG. 1. Deoarece grosimea regiunii de trecere crete odat cu creterea tensiunii
inverse, rezult un canal, a crui seciune este mai mare spre surs avnd limea cea mai mic
n apropierea drenei, la aceeai valoare a tensiunii de dren aplicat. Din acest motiv rezistena
canalului, care variaz invers proporional cu seciunea, este mai mare i curentul de dren este
mai mic dect n cazul cnd poarta era liber, pentru o aceeai tensiune aplicat ntre surs i
dren.
Dac se variaz aceast tensiune, seciunea canalului scade i mai mult. Curentul ce
rezult continu s creasc, pn cnd mrimea tensiunii produce o extindere att de mare a
celor dou regiuni de trecere nct acestea aproape c se ating, situaie ce corespunde valorii
minime a canalului. ncepnd din acest punct creterea tensiunii de dren nu mai este nsoit de
o mrire a curentului, care i pstreaz constant valoarea maxim atins. Deoarece curentul
nu mai variaz la variaia tensiunii, se spune c tranzistorul a intrat n regiunea de saturaie
(FIG. 2). Tensiunea de dren nu poate produce o strangulare complet a canalului, deoarece
aceasta ar ntrerupe curentul, ceea ce ar duce la anularea cderii de tensiune din interiorul
blocului p, deci jonciunile nu ar fi polarizate invers, ci ar reveni la forma iniial.
c) Tranzistorul TEC-J are n acest ultim caz dou surse de polarizare aplicate: una ntre
surs i dren ( E D ) i a doua ntre poart i surs ( E p ), cu polul pozitiv pe poart i cel negativ
pe surs (FIG. 1). Variia curentului de dren poate fi urmrit n dou situaii:
Se pstreaz tensiunea de poart E p constant, variind tensiunea de dren E D ,
pentru diferite valori ale tensiunii de poart (caracteristici de ieire);
Se pstreaz tensiunea de dren E D constant i se variaz cea de poart E p ,
pentru diverse valori ale tensiunii de dren (caracteristici de transfer).

1. Dac se pstreaz tensiunea de poart constant, variind tensiunea de dren au loc


fenomenele descrise anterior. Caracteristica curent-tensiune este reprezentat in FIG. 2.a. Se
observ c regiunea de saturaie apare la o tensiune de dren mai mic i c pe msur ce crete
tensiunea negativ pe poart, scade valoarea curentului de dren corespunztor aceleiai
tensiuni de dren. Mrind tensiunea de dren peste o anumit valoare, curentul prin tranzistor
crete brusc, datorit apariiei fenomenului de multiplicare n avalan a purttorilor de
sarcin.
2. n cazul n care se urmrete variaia curentului de dren la variaia tensiunii de
poart, pentru o anumit valoare a tensiunii de dren, se obin caracteristicile reprezentate n
FIG. 2.b. n cazul cnd tensiunea de poart este zero, curentul este maxim. Valoarea acestui
maxim este cu att mai mare cu ct tensiune de dren este mai mare. La creterea tensiunii de
poart, datorit polarizrii inverse puternice, regiunile de trecere se mresc i curentul scade
pn la zero, cnd regiunile de trecere se ating.

FUNCIONAREA TEC-J CU CANAL DE TIP N


Vom examina i tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune cu canal de tip n. n FIG. 4.
este reprezentat simbolul geometric al TEC-J cu canal de tip n, montat n conexiunea cu sursa
comun (SC), mpreun cu sensurile pozitive alese pentru semnalele de la cele dou pori.
Semnalele de intrare sunt tensiunea dintre poart i surs ( V PS ) i curentul de poart I P , iar
cele de ieire sunt tensiunea dintre dren i surs ( V DS ) i curentul de dren I D .
Pentru ca jonciunea pn a porii (jonciunea de comand) s fie polarizat invers i s nu
consume putere, TEC-J cu canal n lucreaz cu tensiuni de dren pozitive i tensiuni de poart
negative ( V DS 0, V PS 0 ). n aceste condiii curentul de dren este pozitiv, iar cel de poart
este att de mic, nct se admite c este nul; una dintre cele dou relaii caracteristice TEC-J este
IP 0
aadar :
Pentru descrierea complet a comportrii TEC-J este deci sufiecient o singur familie de
caracteristici statice, care poate fi familia caracteristicilor statice de ieire, avnd ca parametru
tensiunea de intrare (FIG. 5.a.)
Pentru tensiuni de poart mai mici sau egale cu tensiunea de prag ( VPS V p 0 ),
curentul de dren se anuleaz i tranzistorul se afl n regiunea de blocare. Pentru tensiuni de
poart mai mari dect V p (tensiunea de prag) i tensiuni de dren foarte mici, VDS V p ,
tranzistorul se afl n regiunea liniar, reprezentat n FIG. 5.b. Caracteristicile sunt aici drepte
prin origine. Pentru tensiuni de dren ceva mai mari , dar mai mici dect valoarea de cot (
VDS cot VPS V p ), tranzistorul se afl n
regiunea de cot, iar pentru VDS VDS cot , n
regiunea de strangulare (numit astfel fiindc
TEC-J funcioneaz cu canalul strangulat).
n FIG. 5.a. sunt reprezentate regiunile
liniare, de cot i de strangulare pentru
caracteristica V PS 0 . n aceeai figur se
vede c prelungirile caracteristicilor din
regiunea de strangulare intersecteaz axa

10

absciselor n acelai punct, dar de semn contrar: V DS V B ; valorile tipice ale V B sunt de
ordinul a -100V.

Pentru comoditatea analizei TEC-J n regiunea de strangulare se folosesc deseori i


caracteristicile statice de transfer, corespunztoare acestei regiuni (FIG. 5.c).
Observaie. Regiunea de strangulare este numit de multe ori i regiune de saturaie a
TEC-J (i n general a oricrui tip de TEC).

Principalii parametrii folosii pentru TEC-J n conexiunea surs-comun:


Conductana static de ieire g OS este definit prin g OS :

ID
. Definit ntr-un punct
V DS

Q(V DS , I D ) din planul caracteristicilor de ieire, ea reprezint panta dreptei OQ.


Rezistena static de ieire rOS este inversa conductanei g OS . n aplicaiile TEC (TECJ, TEC-MOS) prezint interes valorile minim i maxim ce se pot obine pentru rOS , notate
respectiv rOS on i rOS off . Valoarea minim se obine n regiunea liniar i este cuprins ntre
2 i 1000 , iar cea maxim n regiunea de blocare i este cuprins ntre 10 8 i 10 12 .
i D
| v PS const. Definit
Conductana diferenial de ieire g os este definit prin: g os :
v DS
n punctul Q(V DS , I D ) al caracteristicii de ieire de parametru v PS V PS , ea reprezint panta
acelei caracteristici n punctul Q.
Rezistena diferenial de ieire ros este invers conductanei g os .
n aplicaii prezint interes valorile rezistenei difereniale de ieire n regiunile rectilinii
ale caracteristicilor statice de ieire: regiunea liniar i regiunea de strangulare. n interiorul
11

oricreia dintre ele ros este constant pentru o caracteristic de ieire dat. Valorile ei tipice
sunt de ordinul 100 k n regiunea de strangulare.
Transconductana diferenial cu ieirea n scurtcircuit (pentru variaii de semnal, numit
i D
| v DS const .
i panta TEC-J, este definit prin: g m :
v PS
Definit n punctul Q (V DS , I D ) al caracteristicii de transfer de parametru v DS V DS ,
ea reprezint panta acelei caracteristici n punctul Q. Domeniul de valori uzuale ale g m este
cuprins ntre 0,1 i 10 mS.
n analiza i proiectarea circuitelor cu tranzistori se utilizeaz des ecuaii simplificate ale
caracteristicilor statice.
Considernd c valoarea conductanei difereniale de ieire a TEC-J n conexiunea
surs-comun este nul n regiunea de strangulare (caracteristicile de ieire sunt orizontale n
aceast regiune), familia de caracteristici statice de transfer pentru aceast regiune (FIG. 5.c.) se
reduce la o singur caracteristic (FIG. 6.a.). Ea este aproximat cu erori mici de ecuaia:
v
i D I DSS (1 PS ) 2 dac V P v PS 0 , v DS v DS cot
VP
I DSS : i D | v PS 0 dac v DS v DS cot .
unde am notat

Aplicnd definiia g m :

i D
| v DS const , obinem expresia transconductanei difereniale n
v PS

aceeai regiune.
I DSS
VP

v PS
VP

dac v DS v DS cot .

Ea variaz liniar cu v PS , nu este negativ pentru valorile permise ale v PS i are valoarea
2 I DSS
maxim g mss
pentru v PS 0 (FIG. 6.b.). La un TEC-J cu I DSS 1 mA i V P -2V
VP
g m 2

obinem g mss 1 mS.


12

Se poate demonstra teoretic c


parametrii TEC-J au urmtoarea
proprietate interesant:
Transconductana diferenial n
regiunea de strangulare este egal cu
conductana diferenial de ieire n
regiunea liniar i deci cu conductana
static de ieire n regiunea liniar,
pentru o valoare dat a tensiunii v PS :
g m | v DS v DS

cot

= g os | v DS v DS

cot

= g OS | v DS v DS

cot

Simbolul tranzistorului cu efect de cmp cu jonciune este redat n FIG. 7.


Deoarece curentul prin tranzistor este comandat de tensiunea de poart prin extinderea
regiunilor de trecere polarizate invers, rezult c impedana de intrare a tranzistorului este de
ordinul rezistenelor inverse dintre baz-colector, adic de ordinul sutelor de k sau chiar
M . Curentul de intrare al TEC-J este foarte mic, de ordinul 10 9 10 12 A .
Deci, fa de tranzistoarele obinuite, tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciuni
prezint urmtoarele deosebiri:
Sunt comandate n tensiune (cele obinuite fiind comandate n curent)
Au curent de intrare mult mai mic
Au impedan de intrare mult mai mare.
Pe aceast ultim proprietate se bazeaz numeroase aplicaii ale trazistorului cu efect de
cmp.
Deoarece funcionarea acestui tip de tranzistor cu efect de cmp se bazeaz pe
extinderea regiunilor de trecere srcite n purttori, se spune c ele funcioneaz n regim de
srcie.

13

TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP CU POART


IZOLAT(TEC-MOS)
Aceste tranzistoare au o structur metal oxid semiconductor. Structura unui astfel de
tranzistor este reprezentat n FIG. 8., mpreun cu tensiunile de polarizare necesare.

14

Pentru exemplificare s-a ales un tranzistor cu canal de tip p.


ntr-un substrat de semiconductori de tip n se creeaz prin impurificare dou regiuni de
tip p, surs (S) i dren (D), separate ntre ele i avnd fiecare cte un contact metalic. Pe
substratul de tip n , aflat ntre cele dou regiuni p, se depune un strat izolant de dioxid de siliciu,
apoi se scoate contactul metalic P al porii.
Datorit succesiunii straturilor de metal, oxid i semiconductor care formeaz poarta,
tranzistorul se numete MOS. n circuit se aplic o tensiune surs-dren, cu polul pozitiv pe
surs i cel negativ pe dren.
Comportarea acestui tranzistor se studiaz n trei situaii:
a) Cu poart nepolarizat (liber);
b) Cu poarta legat la surs;
c) Cu poarta polarizat separat;
a) n acest caz poarta nu este polarizat (pe ea nu se aplic nici o tensiune). n circuit nu
apare curent de dren, deoarece nu exist continuitate (circuitul nu este nchis), regiunile p fiind
separate de un strat n.
b) Se circuiteaz poarta de la surs , deci la polul pozitiv al tensiunii de dren E D . Se
constat c nici n acest caz nu exist curent de dren, deoarece drena fiind legat la polul
negativ al sursei E D , jonciunea schemei este polarizat invers, deci mpiedic poate mai mult
nchiderea circuitului.
c) Dac se aplic o tensiune de polarizare E P cu polarizarea din FIG. 8., structura MOS se
comport ca un condensator plan, elementele lui fiind:
Pelicula exterioar i substratul n reprezint cele 2 armturi;
15

Stratul de dioxid de siliciu reprezint dielectricul dintre plci


Pe contactul metalic, care reprezint una din plci, apar sarcini negative, ceea ce
determin ca, prin influen electrostatic, pe cealalt plac, adic n substrat, s apar sarcini
pozitive. Fenomenul de influen electrostatic provoac respingerea electronilor majoritari din
straturile superficiale ale semiconductorului de tip n i concentrarea de goluri n locul lor. Apare
astfel o inversiune local a tipului semiconductorului; se spune c se induce un canal de tip p
ntre sursa i drena semiconductorului de tip n.
Prin acest canal ncepe s treac curent ntre regiunile de tip p ale sursei i drenei.
Curentul de dren apare numai atunci cnd tensiunea de poart E P depete o anumit
valoare de prag U pr .
Trasarea variaiei curentului prin tranzistor se face n dou cazuri (FIG.9.a. i FIG.9.b.):
n funcie de variaia tensiunii de dren, prin valori constante ale tensiunii de
poart E P (caracteristici de ieire);
n funcie de variaia tensiunii de poart E P , pentru valori constante ale tensiunii
de dren E D (caracteristici de transfer).

16

Se observ n caracteristicile de transfer (FIG.9, b)creterea curentului odat cu creterea


tensiunii de poart E P , atunci cnd tensiunea de dren E D se menine constant. De asemenea,
se constat c, la variaia tensiunii de dren E D , meninnd E P constant, apare o saturaie a
curentului de dren asemntoare celei de la tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune.
Datorit principiului su de funcionare, tranzistorul MOS descris se numete cu canal
indus. El este cel mai rspndit tip de TEC. Simbolul TEC-MOS este reprezentat n FIG. 10.
Deoarece funcionarea sa se bazeaz pe mrimea local a concentraiei de purttori
minoritari, se spune ca TEC-MOS cu canal p indus funcioneaz n regim de mbogire, ceea ce
constituie una din deosebirile existente ntre cele dou tipuri de TEC.
Alte deosebiri constau n faptul c, la TEC-MOS, curentul de dren crete la mrirea
tensiunii de poart, cu aceeai tensiune aplicat ntre dren i surs, respectiv I D 0 pentru
I p 0 i crete cu E p .
Asemnrile ntre cele dou tipuri de TEC (TEC-J, respectiv TEC-MOS) sunt:
Ambele sunt comandate n tensiune;
Au curentul de intrare mic (la MOS, i D 10 12 A);
Au impedana de intrare foarte mare (la TEC-MOS, unde poarta este izolat
prin dielectric de SiO2 , impedana este de ordinul 1012...1018 );
Au frecvene de lucru foarte mari ( 10 7...10 8 Hz).
TEC-MOS au dimensiuni extrem de mici, ceea ce le face s fie foarte apreciate n aplicaii
legate de circuite integrate.
17

Un dezavantaj al TEC-MOS este fragilitatea lui fa de apariia unor tensiuni accidentale


de poart. Grosimea foarte mic a stratului de dioxid de siliciu impune ca tensiunile ntre poart
i ceilali electrozi s nu depeasc anumite valori, de ordinul zecilor de voli. Cum capacitatea
depunerii metalice a porii fa de ceilali electrozi este foarte mic (de ordinul 10 12 ), sarcini
extrem de mici, accidentale ( 10 10 C) pot determina tensiuni de ordinul 10 2 V care pot
distruge tranzistorul. Din aceast cauz, n utilizarea TEC-MOS trebuie luate precauii speciale ,
de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau contact (ciocan de lipit, mas de lucru, chiar
operatorul), iar n timpul transportului i manipulrii, cei doi electrozi se scurtcircuiteaz ntre
ei.
n FIG.10 este reprezentat simbolul convenional al TEC-MOS:

TETRODA TEC-MOS
Tetroda TEC-MOS reprezint o form special de transistor MOS cu canal n. Are dou
pori plasate una dup alta. Amplificarea este mare i zgomotul mic, fiind recomandat a fi
utilizat n domeniul FIF i n special UIF. n FIG. 11. se prezint simbolul i schema de
conectare ntr-un etaj ARF-FIF.

18

Impedana de sarcin, care este filtrul de band acordat cu diode varicap, se conecteaz
n c.a ntre dren i surs. Semnalul de RF se aplic pe poarta G1 care este polarizat la +4,5V
cu ajutorul divizorului R1 , R2 (FIG. 11. a).
Tensiunea de RAA se aplic similar ca la un tranzitor PNP pe poarta G 2 iar sursa S este
polarizat extern prin R3 , R4 .
n situaia fr semnal avem : U G2 9V , U S 4,5V , U G2 S 9 4,5 4,5V .
La semnalul maxim admis tensiunile sunt : U G 1V , U S 3V , U G S 1 3 2V .
Curentul de lucru al tetrodei variaz de la circa 8 mA n situaia fr semnal, pn la 0
mA la semnal maxim. Variaia de amplificare este de peste 40 dB.
Tipurile reprezentative de tetrode TEC-MOS sunt : BF 907, BF 910, BF 960, BF 961.
n concluzie, menionez un aspect de ordin practic legat de utilizarea tranzistoarelor
MOS. Datorit impedanei foarte mare de intrare, exist riscul de strpungere al stratului de
oxid (rezist pn la circa 100V) prin acumulri de sarcini electrostatice mari. De aceea,
stocarea se face n cutii din material conductor electric astfel ca toate terminalele s fie
scurtcircuitate mpreun.
Cnd se repar circuite n care exista tranzistore MOS, ciocanele de lipit trebuie s fie
conectate la pmnt (mpmntare). Unele tipuri, cum ar fi BF 960, BF 961 sunt prevzute cu
circuite interne limitatoare a suprasarcinilor (FIG. 11, b)
2

Datorit avantajelor menionate i a altora, ca de exemplu, zgomot propriu redus,


dependen mai mic fa de temperatur, tranzistoarele cu efect de cmp sunt
considerate dispozitive semiconductoare cu mare importan n viitor.

19

APLICAII ALE TEC


1. Comutatoare analogice
De foarte multe ori trebuie s fie ntrerupt i apoi s fie restabilit aplicarea unui
semnal (tensiune variabil n timp) la bornele unei sarcini. Curenii i puterile implicate sunt
mici dar curentul este alternativ, trebuind s circule prin sarcin n ambele sensuri. Se poate
rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca n FIG. 12 a). Cnd contactul este fcut,
comutatorul are rezistena
, iar pe sarcin ajunge fraciunea
din semnalul
aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). ntrerupnd contactul, comutatorul prezint o
rezisten
foarte mare, astfel nct pe sarcin tensiunea este practic nul. Dei au rezistena
extrem de mic, comutatoarele mecanice sunt lente i nu pot fi comandate electronic dect
prin complicarea dispozitivului (releu electromagnetic).
Pentru aceast aplicaie nu se poate folosi un tranzistor bipolar deoarece tensiunea ntre
colector i emitor nu coboar la zero fiind limitat la tensiunea de saturaie, iar tranzistorul nu
se comport ca un rezistor ohmic.
ncercnd cu un tranzistor MOS, care nu are jonciuni ntre poart i canal (FIG. 12.b)
presupunem c tensiunea sursei de semnal evolueaz ntre -5 V i + 5 V iar rezistena de sarcin
are valoarea
; astfel, curentul prin sarcin evolueaz ntre -0.1 mA i +0.1 mA. Drept
comutator utilizm un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea
ofer o rezisten dren-surs de 200 W i un curent
prag garantat de fabricant este de cel mult 2 V.

. Pentru el, tensiunea de

FIG. 12. Comutatoare analogice.


Legm substratul la un potenial mai cobort dect orice potenial din circuit, de exemplu
-10 V i aranjm s putem comuta potenialul porii ntre - 10 V i +10 V. Cu poarta legat la -10
V, potenialul acesteia este n orice moment mai cobort dect potenialele drenei i sursei, care
pot fi aduse de ctre sursa de semnal numai pn la - 5V (FIG. 13 a). n aceste condiii,
tranzistorul este tot timpul blocat, rezistena ntre dren i surs avnd valori imense, de ordinul
GW. Rezult, astfel, c tensiunea care ajunge pe sarcin este practic nul; de fapt, prin
capacitatea parazit existent ntre dren i surs o anumit tensiune ajunge totui pe sarcin.

20

F
IG. 13. Funcionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul
n conducie cu tensiunea de intrare -5 V (b) i tranzistorul n conducie cu tensiunea de intrare
+5 V (c).
Legm acum poarta la potenialul de + 10 V. n momentul n care tensiunea semnalului
ajunge la -5 V, ca n FIG. 13b), avem o tensiune poart-surs de +15 V i putem conta pe o
rezisten dren-surs, de
.
Cum rezistena de sarcin are 50 kW, pe sarcin ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de
intrare.
n cealalt situaie, tensiunea semnalului este de +5 V i tensiunea poart-surs scade la
+5 V, ca n desenul c) al figurii. Acum, rezistena tranzistorului este de 530 W i pe sarcin
ajunge 98.9 % din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o uoar distorsionare a semnalului, de
aproape 0.9 %, datorit variaiei rezistenei comutatorului. Verificm, n final c tranzistorul
rmn n regiunea de rezisten controlat. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii
dren-surs; este exact valoarea tensiunii care nu ajunge pe sarcin, adic ntre 0.2 % i 1.1 %
din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV ! Tranzistorul este, cu siguran, n
regiunea de rezistena controlat.
Conform desenelor b) i c) ale figurii 13, constatm c drena i sursa i inverseaz
rolurile ntre ele. De fapt, la un tranzistor cu efect de cmp, drena i sursa sunt echivalente la
curent continuu i pot fi interschimbate; ele difer numai la curent alternativ, drena avnd o
capacitate mai mic fa de poart.
Comutatorul prezentat mai sus are ns un dezavantaj major: tensiunea semnalului nu se
poate apropia prea mult de tensiunea de alimentare pozitiv, altfel nu ar mai rmne o tensiune
suficient pentru meninerea deschis a tranzistorului. Soluia const n utilizarea unui
comutator cu dou tranzistoare MOS complementare (CMOS -complementary MOS), adic
unul cu canal n i unul cu canal p, ca n FIG. 14.
Ca s blocm ambelor tranzistoare este suficient s aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS i la +5 V poarta tranzistorului PMOS. Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizeaz un inversor logic, care ofer la ieirea sa nivelul continuu de -5 V cnd
intrarea sa este la +5 V i invers.

21

FIG. 14. Comutator analogic CMOS.


Atunci cnd semnalul trebuie s treac prin comutator, poarta tranzistorului NMOS este
meninut la alimentarea pozitiv iar poarta tranzistorului PMOS este adus la alimentarea
negativ. Dac semnalul se apropie de +5 V, tranzistorul NMOS se blocheaz, dar se deschide
puternic tranzistorul PMOS. Din contr, cnd semnalul se apropie de -5 V, situaia este
inversat i tranzistorul NMOS este cel care conduce.
Comutatoare analogice CMOS sunt disponibile ca circuite integrate. Astfel, circuitul
4066 conine patru asemenea comutatoare independente. La o alimentare cu -5 V i +5 V,
rezistena n starea ON a comutatorului este aproximativ 75 W i nu variaz cu mai mult de 20
W dei semnalul poate evolua pe ntregul interval dintre potenialele alimentrilor. Pentru
aplicaii profesionale, comutatoarele AD7510 sau cele din seria 1H5140 ofer, la o alimentare de
5 V, o rezisten sub 100 W, variaia sa fiind redus la un raport 1:1.25.
n circuitele cu tranzistoare TEC se obinuiete s se noteze potenialul cel mai ridicat al
alimentrii cu
iar potenialul cel mai cobort al alimentrii cu
. Astfel, n circuitul din
FIG. 14,
i
pentru c avem o alimentare simetric fa de mas.
Circuitul funcioneaz ns i cu o singur surs de alimentare, adic cu
i
.
n aceeai tehnologie CMOS se realizeaz circuite integrate logice (digitale) n care
semnalul nu poate avea dect dou stri, starea HIGH (de potenial ridicat) i starea LOW (de
potenial cobort). Circuitele digitale CMOS depesc ca performane (vitez, consum de putere
mic, imunitate la zgomot, etc.) circuitele digitale cu tranzistoare bipolare i le nlocuiesc treptat
n aparatura proiectat astzi.

2. Atenuatorul controlat
Se poate folosi un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continu de valoare
convenabil. Acelai dispozitiv poate fi utilizat, ns, i ca atenuator, pentru a aplica pe o
rezisten de sarcin un semnal de tensiune de amplitudine mai mic dect cel produs de
generator (FIG.15 a).
O aplicaie standard este poteniometrul de volum cu care se face reglajul intensitii
semnalului sonor la un amplificator audio.

22

FIG.15. Atenuator cu divizor rezistiv (a) i atenuator cu tranzistor TEC-J (b).


Dezavantajul poteniometrului este c atenuarea sa nu poate fi controlat dect mecanic;
dac am dori s-o controlm electronic, ne-ar trebui un motora care s roteasc axul
poteniometrului. Tranzistoarele cu efect de cmp, datorit regiunii lor de rezisten controlat,
permit realizarea unor atenuatoare controlate de o tensiune electric. Tot ce avem de fcut este
s nlocuim rezistena
a divizorului cu tranzistorul TEC i s controlm tensiunea sa poartsurs (desenul b al figurii). La valoarea nul a tensiunii de control, tranzistorul prezint o
rezisten de valoare minim, egal cu
semnalelor de intrare i ieire avem relaia

. n aceste condiii, ntre amplitudinile

.
Pe de alt parte, cnd tensiunea de control, negativ, ajunge la
tranzistorul este blocat
i pe sarcin ajunge ntregul semnal de intrare. La frecvene mari se produce, totui, o atenuare
datorit capacitii tranzistorului.
Pentru a apropia i mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate
utiliza adunarea, peste tensiunea de control, a cantitii
ca n FIG.15 c). Chiar i cu acest
truc, amplitudinea semnalului nu poate fi mai mare de cteva zecimi de volt, altfel acesta va fi
distorsionat de dependena neliniar
.

23

PROTECIA MUNCII
Organizarea unui punct de lucru:

Observaii:
n afar de mijloacele de protecie menionate, la nivelul plcilor si aparatelor (mai ales
microprocesoare si calculatoare) se utilizeaz uneori i o protecie de tip soft. O astfel de
protecie const n a utiliza la intrare o poart I-NU la care una din intrari este mereu baleiat
cu un semnal paznic preluat de la ceasul microprocesorului. Cealalt intrare a porii este
rezervat semnalului util; cnd pe aceasta apare o descarcare DES (descrcare electrostatic) se
declaneaz un program care face ca ntreaga structur hard sa fie deconectat fa de intrare.
Soluia are dezavantajul c, atunci cnd DES este puternic, se distruge aceasta poart
paznic. Exist si alte soluii.
O msur suplimentar de protecie la manipularea plcilor cu mare densitate de
componente, cum sunt plcile de baz, const n a le trata cu un spray antistatic nainte de a
pune mana pe ele.

Testarea dispozitivelor disipative de la masa de lucru:


Dispozitivele trebuie controlate periodic n privina rezistenei electrice i a continuitii
legturii la pmnt. Acest control se face cu un ohmetru numeric simplu sau unul specializat pe
intervalul 0,8-20 M , n care trebuie s se ncadreze rezistenele fa de pmnt ale
dispozitivelor menionate.
O precauie special se impune la testarea brrii, dispozitiv menit a descarca pe operator,
principala surs de sarcini electrice n industria electronic i a calculatoarelor. Pentru mai
24

mult siguran adesea se recurge la controlul permanent al brrii. n acest scop brara se
construiete din dou pri. Seciunea 1 este legat la pmnt printr-o rezistena de 1 M iar
seciunea 2 este conectat la un comparator de rezistene. Cnd rezistena depete intervalul
prescris, comparatorul declaneaz o alarm sonor.

Alte precauii:
nainte de a atinge componentele sensibile la DES, operatorul uman trebuie s ating
tapetul de masa disipativ. Hainele operatorului uman sa nu se apropie i s nu ating
componentele sensibile la DES. Operatorul va putea utiliza numai mnui de bumbac, iar
persoanele nepregtite nu trebuie s se apropie de componentele sensibile.
Persoanele care manipuleaz componente sensibile nu vor face activitti fizice intense
care ar putea sa le ncarce electrostatic, iar peste ncalminte trebuie sa poarte anvelope
disipative.
Componentele sensibile la DES trebuie s rmn in cutiile lor antistatice pn n
momentul utilizrii, iar naintea scoaterii lor din cutie operatorul uman trebuie:
-s pun cutia n tapetul disipativ;
-s verifice dac brara este strans pe mn i dac e legat la pmnt;
-s ating cu mna tapetul;
Pe ct posibil, n timpul lucrului, componentele sensibile trebuie s fie n contact cu
tapetul. Dac se utilizeaz ionizatoare i umidificatoare, acestea s intre n funciune nainte de
scoaterea componentelor sensibile din cutie.
Circuitele integrate sensibile nu trebuie introduce sau scoase de pe plac n prezena
tensiunii de alimentare.
La plcile cu componente sensibile pe intrri se conecteaz rezistene adecvate spre a
limita curentul provenit din DES, iar terminalele care nu sunt folosite trebuie scurtcircuitate cu
unturi tip clam.

25

ANEXE
ANEXA 1

FIG.1. Clasificarea TEC

26

ANEXA 2

27

ANEXA 3

28

ANEXA 4

29

ANEXA 5

30

BIBLIOGRAFIE

1. Dnil T., Ionescu-Vaida M., - Componente i circuite electronice Ed.


Didactic i Pedagogic, Bucureti 1997
2. Sabin I., Munteanu R., - Introducere practic n electronic Ed. Facla,
Timioara 1985
3. Gzdaru C., Constantinescu C. - ndrumar pentru electroniti (Radio i
Televiziune) vol. 1- Ed. Tehnic, Bucureti 1986
4. http://www.scoala.fxhigh.com

31