Aplicaiile tehnice ale electrostaticii

Dioda semiconductoare
1.1. Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a caror functionare se bazeaza pe controlul miscarii purtatorilor de sarcina n diferite medii (gaz, solid, lichid). Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces, prin intermediul carora se realizeaza controlul purtatorilor de sarcina. n conditiile n care are 2 borne de acces se numeste dipol (figura 1.1, a), iar daca are 4 borne de acces se numeste cuadripol (figura 1.1, b). Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre exemplu tranzistorul) se trateaza ca si un cuadripol, una din borne fiind comuna intrarii si iesirii. n figura 1.1,b borna 3 este notata cu 1' borna de intrare si cu 2' care este borna de iesire.

a)

b)

Fig. 1.1 Bornele de acces sunt numite de intrare (si notate cu 1) sau de iesire (notate cu 2) n functie de sensul transferului de putere sau n functie de sensul de circulatie al semnalului. La bornele de intrare se conecteaza sursa de semnal iar la bornele de iesire se percepe rezultatul prelucrarii semnalului de catre cuadripol. n figura 1.1 sensul circulatiei puterii este figurat prin sageti. Descrierea functionarii circuitului n regim static se face prin intermediul unor functii numite caracteristici statice, care exprima dependenta marimilor de iesire de semnalul aplicat la intrare si de structura interna a circuitului. Regimul static precizeaza faptul ca marimile sunt constante n timp, ceea ce nseamna ca timpul nu este o variabila - toate marimile ramn la aceeasi valoare din momentul cnd s-a aplicat semnalul la intrare 20320k1022u si pna la infinit. Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate n mai multe moduri: - prin intermediul unor relatii analitice (matematice); prin intermediul unor relatii grafice. Caracteristicile statice reprezinta un mod de exprimare a modelului circuitului . Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regula sunt neliniare, ceea ce nseamna ca si caracteristicile statice vor fi la fel. Liniaritatea se refera la faptul ca marimile de iesire depind de marimile de intrare printr-o relatie de forma: marime de iesire = (coeticient1) x (marime de intrare) + (coeficient2), unde cei doi coeficienti depind de structura circuitului. n cazul modelelor neliniare cei doi coeficienti depind de structura circuitului si de marimile de intrare (uneori nici nu poate fi explicitata marimea de iesire, ca n relatia de mai sus). Spre exemplu n figura 1.2,a este prezentat un dipol (o dioda semiconductoare) pentru care caracteristica statica poate fi exprimata prin relatia .

Daca relatia ntre intrare si iesire este liniara caracteristica statica poate fi exprimata grafic ca n figura 1.2,c ceea ce nseamna ca dioda poate fi definita prin rezistenta interna R. Caracteristica statica se exprima analitic prin relatia (de definitie a rezistentei electrice) , unde G este conductanta. Att modelele matematice ct si caracteristicile statice nu sunt unice (spre exemplu exista modele matematice specifice zonelor de functionare). Uneori, putem avea un model matematic general si o caracteristica statica unica, dar datorita complexitatii modelului se prefera a se utiliza modelele matematice mai simple care sa fie valabile pentru anumite zone de functionare.

Tipuri de diode semiconductoare cu jonctiune

n prezentul paragraf se trec n revista principalele tipuri de diode utilizate curent n aplicatii. Diferentierea se face n functie de zona de functionare pe care o foloseste aplicatia [3, 4, 26 ] A. diode la care se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea n conductie a diodei, cealalta ramura a caracteristicii fiind utilizata pentru blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistenta sa fie infinita) B. diode se utilizeaza caracteristica statica de la polarizarea inversa a diodei, cealalta ramura nefiind utilizata (dioda Zener) Notatii: - curentul la polarizare directa; - caderea de tensiune la polarizarea directa; - tensiunea inversa maxima ; - curentul la polarizare inversa. A. Diode n polarizare directa Diode de comutatie - sunt caracterizate prin viteza mare de raspuns, pentru ca evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra la frecvente mari ale tensiunii de alimentare. ; Diode de uz general ; ; ;

; ; ; ; Diode de nalta tensiune - sunt caracterizate prin faptul ca suporta tensiuni mari de polarizare inversa. Spre exemplu TV13, TV18, s.a. ; ; Diode de putere - sunt realizate pentru a vehicula puteri mari si foarte mari. ; ; ; ; ;

B. Diode n polarizare inversa Diode stabilizatoare - sunt realizate asa fel nct sa poata functiona n zona reversibila de strapungere. Este cunoscuta sub numele de dioda Zener. ; ; ; Puteri disipate 0,4W | 1W | 4W | 10W | 20W.

n figura 1.29 este prezentata caracteristica statica a diodei Zener. Zona de polarizare inversa, corespunzatoare strapungerii reversibile poate fi aproximata prin ecuatia , n care apar Vz0 - tensiunea de stabilizare si rz - rezistenta interna a diodei.

Rezistenta interna se defineste prin relatia . Tensiunea de stabilizare se modifica cu temperatura conform ecuatiei: , n care coeficientul de variatie cu temperatura are valori din domeniul Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n domeniul 1,5...,200V. cu tensiunea < 5V avem negativ pentru ca predomina fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V este pozitiv pentru ca predomina fenomenul de avalansa.

TRANZISTORUL BIPOLAR 1. SCOPUL LUCRRII Lucrarea are ca scop studiul caracteristicilor tranzistorului bipolar, trasarea caracteristicilor statice, determinarea punctului static de funcionare (PSF) i influena temperaturii asupra caracteristicilor de intrare i de ieire ale tranzistorului bipolar. 2. BREVIAR TEORETIC La tranzistoarele bipolare mecanismul conduciei este determinat de distribuia de purttori majoritari ct i de purttorii minoritari din tranzistor. Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni formate dintr-o succesiune de trei zone: npn sau pnp.

Figura 1. Tranzistorul bipolar. Structur i simbol. Zona din mijloc a tranzistorului se numete BAZ (B), este foarte ngust i cu o dopare cu impuriti mult mai mic fa de zonele laterale. Celelalte dou zone se numesc EMITOR (E) (are concentraia de impuriti cea mai mare) i COLECTOR (C). Jonciunile formate se numesc jonciunea emitorului i jonciunea colectorului. Tranzistorul bipolar se evideniaz prin proprietile de amplificare care se obin la funcionarea n regiunea activ a caracteristicilor statice. n aceast regiune jonciunea emitorului este polarizat n sens direct iar jonciunea colectorului n sens invers. 3.CARACTERISTICI STATICE n circuitele electronice tranzistorul este tratat ca un cuadripol activ, avnd dou borne de intrare i dou borne de ieire. Tranzistorul fizic avnd doar trei borne, este necesar ca o born s fie comun att circuitului de intrare ct i circuitului de ieire. Funcie de electrodul utilizat ca born comun se disting trei scheme de utilizare.

Figura 2. Scheme de conectare ale tranzistorului. La simbolul tranzistorului sgeata nclinat indic prezena unei jonciuni. Sensul ei corespunde sensului n care este injectat curentul. S-au figurat i sensurile normale ale curenilor i tensiunilor pentru polarizarea tranzistorului n regiunea activ.

Figura 3. Tranzistorul bipolar n conexiune EC. Caracteristicile descriu funcionarea unui dispozitiv semiconductor prin cunoaterea dependenei dintre mrimile macroscopice msurabile la borne, fcnd abstracie de fenomenele fizice din dispozitiv. Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprim legturile dintre curenii prin tranzistor i tensiunile aplicate, n regim staionar (de curent continuu). Dei se pot exprima analitic (ecuaiile EBERS-MOLL), cel mai frecvent caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar se dau i se utilizeaz sub forma grafic Cele mai folosite caracteristici sunt : - caracteristicile de intrare, reprezentnd dependena curentului din circuitul de intrare n funcie de tensiunea de intrare i de tensiunea la bornele de ieire iB=f(uBE,uCE). - caracteristicile de ieire, reprezentnd dependena curentului din circuitul de ieire n funcie de tensiunea la bornele de ieire i de curentul din circuitul de intrare: iC=f(uCE,iB). Caracteristicile tranzistorului depind de schema de conexiune a acestuia. Cea mai utilizat este schema de conectare cu emitorul comun (EC). n figura 4.b sunt puse n eviden regiunea de saturaie i regiunea de blocare. n regiunea de saturaie, caracteristicile de ieire sunt foarte apropiate reducndu-se practic la o dreapt apropiat de axa curenilor (axa Y), numit dreapta de saturaie.

Regiunea de blocare corespunde situaiilor de polarizare invers a jonciunii emitor-baz i a jonciunii baz-colector. Riguros, regimul de tiere se obine pentru iB=-IBCO (curentul rezidual de colector).

Figura 4. Caracteristicile de intrare-ieire ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC. 4. DREAPTA DE SARCIN Dreapta de sarcin descrie funcionarea tranzistorului n legtur cu circuitului exterior tranzistorului. Ea se reprezint pe caracteristica de ieire a tranzistorului i este locul geometric al punctelor de funcionare a tranzistorului, n cazul n care rezistena din colector Rc rmne constant. Referitor la figura 3, scriind teorema pentru tensiuni a lui Kirchhoff n circuitul de ieire obinem: VCC - UCE IC= (1) RC n planul caracteristicilor (iC,uCE) relaia (1) reprezint ecuaia unei drepte reprezentat n figura 5. Interseciile cu axele sunt la VCC/RC i VCC. 5. PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE Punctul static de funcionare (PSF) caracterizeaz funcionarea tranzistorului, n cazul cnd nu se aplic dect tensiuni continue i se obine prin rezolvarea sistemului de ecuaii: iC=f(uCE,iB) IC=(VCC-UCE)/RC (ecuaia dreptei de sarcin) Soluia sistemului de mai sus (iC0,uCE0) reprezint punctul de intersecie dintre dreapta de sarcin i caracteristica de ieire corespunztoare valorii date a curentului de baz IB0.

DISPOZITIVE DE COMUTATIE
Circuitele electronice n comutaie sunt circuite a cror stare se modific rapid de la o stare extrem la alt stare extrem (spre exemplu din conducie n blocare sau invers) .

Circuitele electrice digitale primesc la intrare semnale care au doua valori distincte numite zero logic i unu logic, semnale care condiioneaz starea ieirii circuitului. Nu se aleg valori de tensiune fixe pentru valorile logice (zero logic i unu logic) ci se aloc domenii de tensiune V pentru fiecare semnal logic, domenii separate ntre ele printr-un interval de tensiune .
V 1 V2

V1

Fig. 1.1. Spre exemplu, n figura 1.1 toate tensiunile sub limita inferioar V1 sunt interpretate drept zero logic, iar toate valorile de tensiune care depesc limita superioar V2 , sunt interpretate drept unu logic. Circuitele electrice i modific starea n funcie de semnalele de la intrare i n funcie de alte elemente (spre exemplu n funcie de stare anterioar a ieirii). Circuitele electrice n comutaie primesc la intrare un continuu de valori i i modific starea pentru anumite nivele (specifice circuitului ) aplicate la intrare. n clasa circuitelor electrice analogice n comutaie se ncadreaz: - comparatoarele electronice, care n funcie de semnalul de la intrare i modific ieirea ntre dou nivele externe (nivelele logice alocate semnalului zero logic sau semnalului unu logic); - comutatoarele electronice, care transfer la ieire sau blocheaz semnalul aplicat la intrare, n funcie de starea logic a unui semnal de comand.
Procesul de comutaie a dispozitivelor semiconductoare const n tranziia din starea de transfer a curentului electric de conducie (de la intrarea la ieirea dispozitivului) , numit stare "de conducie" la starea "de blocare" a curentului electric i invers.

Deoarece toate dispozitivele au o caracteristic static, ca n figura 1.2 , coninnd o zon liniar OA i o zon de saturaie AB a curentului, starea de conducie poate fi: - la saturaie, cnd PSF este pe AB; - la saturaie incipient, cnd PSF este n A; - n zona liniar, cnd PSF este pe OA.
Starea de blocare situeaz PSF n zona OC, aproape de punctul O. Dac PSF se ndeprteaz de O ctre valori negative, starea de blocare este "profund". I Is A B

Vs

Fig. 1.2.

Principalele dispozitive semiconductoare utilizate n procesul de comutare a curenilor se bazeaz fie pe proprietile dinamice ale unei jonciuni semiconductoare fie pe efectele cmpului electric (i uneori magnetic) asupra purttorilor de sarcin.

Comutarea diodei semiconductoare

n figura 1.3 este schematizat o jonciune P-N i profilul concentraiei de goluri.
P j N

Pp0 q Pn0

Fig. 1.3.
Polarizarea direct a jonciunii conduce la injectarea de purttori minoritari (goluri n zona N i electroni n zona P). se noteaz +q sarcina n exces fa de concentraia la echilibru ( pp0 n zona P i respectiv pn0) a purttorilor de sarcin. Variaia sarcinii acumulate are loc prin intermediul curentului i , care este format din trei componente: componenta datorat golurilor i electronilor care traverseaz jonciunea component exprimat prin viteza de variaie a sarcinii
dq ; dt

componenta datorat recombinrii purttorilor n exces (golurilor) din zona N cu purttorii majoritari din respectiva zon semiconductoare (electronii) component invers proporional cu timpul de via p : componenta datorat ncrcrii /descrcrii capacitii jonciunii Cj cu purttorii majoritari
i= dv dq q + + c j ak dt F dt

Curentul datorat purttorilor majoritari s-a exprimat n funcie de capacitatea jonciunii

dq dq = dt dv j dv j dt = dv ak q dv ak =c j v ak dt dt

Comutarea diodei semiconductoare din blocare n conducie poate fi exemplificat pe baza montajului din figura 1.4.
P VF Vi N i RL VL

Vi VF t i IF, F t

Fig. 1.4.