Memorii nevolatile

Memorie flash
Principiul: poarta suplimentara, neconectata,
cu potential flotant (floating gate)
Daca nu e incarcata cu sarcina: tranz se
deschide cand pe poarta de comanda se aplica
VDD. Daca este incarcata (cu electroni): tranz.
NU se deschide cand pe poarta de comanda se
aplica VDD.

Memorie flash - celula

Sursa

G2 (control)
G1 (flotanta)
Drena

Mecanisme incarcare:
- camp puternic longitudinal si transversal hot carrier injecton
- camp puternic transveral, cu + pe G2 (cg), efect de tunelare
(Fowler-Nordheim), datorita grosimii mici a izolatorului
Descarcarea de sarcina : camp puternic transveral, cu + pe sursa,
efect de tunelare (Fowler-Nordheim), datorita grosimii mici a
izolatorului peste sursa

Principiul
Divizor capacitiv

Principiul

Echivalent cu:
Vp crescut mult daca
exista sarcina pe FG

NU va conduce la Vcg
uzuale
(conduce pt Vcg mari
dar nu intereseaza)

Coventie
FG: cu electroni nu conduce = valoare
memorata 1
FG: fara electroni conduce = valoare
memorata 0
Programare (scriere) = pus electroni pe FG (1)
Stergere = eliminat electroni din FG (0)
OBS e conventia intuitiva, folosita si invers

Mecanisme - comparatie

Tunelare
Pt tunelare, probabilitatea:
=

16(0 ) 2

2
0

cu
= 2

2
2

0 , E = energie electron,

U0 > E bariera de potential, L grosimea izolatorului

Depinde f. mult de L!

Flash NOR structura

Flash NAND - structura

NAND - structura

NOR-NAND dimensiune celula

Citire
Ambele detectie variatie linie

Citire
NOR:

Bit line: precharge

Selectie rand (celelalte randuri blocate)
Detectie variatie
Citire rand (cuvant/ cateva cuvinte)

NAND:
Bit line: precharge
Selectie rand (i.e. pagina); celelalte: Vpass > Vp1 (deschise) < Vprog
Detectie variatie mai lenta (cadere de tensiune pe celelalte
tranzistoare)
Citire pagina (zeci/ sute cuvinte) buffer similar cu DRAM

Cu tot cu decodificare, etc: NAND ~ 100 ori mai lenta pt acces

random
Viteze similare pentru acces pe bloc!

Programare NOR
HCI
Ex de valori
VD=4.5V
VCG=9V
VS=0 (VB=0)

In paralel, pentru toti bitii de pe cuvant

Programare NAND Flash

Selectie pagina; aplicata Vcg f
mare (VPROG)
Pt celula in care trebuie scris
1, string = 0, GSL on -> canalul
la 0 V -> tunelare FN
Pt celula in care NU trebuie
scris 1, string=VDD, iar GSL
OFF -> V canal = Vdrena =
VDD-Vp
Vprog*a (VDD-Vp) nu e
suficenta pt tunelare

Stergere NOR/NAND
Vcg=0V
VB=20V (substratul este accesibil si poate fi
legat la masa sau Vmare)
VD, VS floating (SSL, GSL off)
Pt tot blocul (toate paginile din bloc)

Folosire NOR/ NAND

NOR: mai rapida pentru accesul pe cuvant/
grupuri mici de cuvinte
Densitate mai mica/ cost mai mare
Folosita pentru flash intern uC (program, ev unele
date)
NAND: desitate mare/ cost mic
Relativ rapida pentru grupuri de date
(secventiale) similar cu DRAM
Stocare (informatie in fisiere mari)

MLC Flash
In fct de sarcina stocata: nu doar 0/1, ci 4/8
valori (2 sau 3 biti)
Presupune detectie mai precisa a descarcarii
citirea mai lenta (2-3 ori)
Scade durata de viata (nr de cicli stergere/
scriere) aprox 10 ori (10k vs 100k)
Creste mult densitatea

Erori; ECC
NAND apar erori la scriere/ citire
De ex datorita perturbarii sarcinii stocate in
celulele vecine la programare/ citire
Solutia: ECC (diversi algo) extra valori salvate
separat pt detectie + recovery
Regiune suplimentara de stocare pt ECC

Erori: relativ putine pentru SLC, mai multe

pentru MLC