Elect

Tranzistoare cu efect de cmp metal oxid semiconductor
Unitatea de nvare nr. 7

Cuprins Pagina
Obiectivele unitii de nvare nr. 7 276

7.1 Preliminarii 277
7.1.1 Structur simbol notaii 277
7.1.2 Principiul de funcionare 279
7.1.3 Conexiunile TECMOS Modaliti de descriere 279
7.2 Comportarea TECMOS n regim cvasistatic de semnal mare 280
7.2.1 Caracteristici statice 280
7.2.2 Modele de semnal mare pentru TECMOS 281
7.2.3 Abateri de la teoria ideal 282
7.2.4 Limitri n funcionare 282
7.3 ComportareaTECMOS n regim cvasistatic de semnal mic 283
7.4 PolarizareaTECMOS 284
7.5 Aplicaii. Etaj surs comun 284
De reinut 287
Test de autoevaluare 288
Lucrare de verificare unitatea de nvare nr. 7 313
Rspunsuri i comentarii la ntrebrile din testele de autoevaluare 315
Recapitulare 316
Concluzii 334
Bibliografie unitatea de nvare nr. 7 335
19
Electronica curs i aplicaii
OBIECTIVELE unitii de nvare nr. 7
Principalele obiective ale Unitii de nvare nr. 7 sunt:

Familiarizarea cu funcionarea tranzistorului cu efect de
cmp metal oxid semiconductor
Sublinierea aspectelor practice legate de funcionare n
regim cvasistatic de semnal mare respectiv regim
cvasistatic de semnal mic
Recunoaterea modelelor de utilizate n regim
cvasistatic de semnal mare respectiv regim cvasistatic
de semnal mic
Aplicarea cu succes a unor elemente simple de calcul
Spre deosebire de tranzistoarele studiate pn acum, aceste tipuri de tranzistoare sunt caracterizate
de conducia de suprafa i nu de cea de volum. Din acest motiv mai poart numele de tranzistoare
cu efect de cmp de suprafa. n literatura de specialitate se ntlnesc i sub denumirea prescurtat
TECMOS (Tranzistoare cu Efect de Cmp Metal Oxid Semiconductor) sau MOSFET (Metal Oxid
Semiconductor Field Efect Tranzistor).
Ideea tranzistorului cu efect de cmp de suprafa dateaz din 1930 cnd Lillien n Statele Unite i
Heil n Anglia au propus utilizarea efectului de cmp de suprafa pentru obinerea unui dispozitiv
amplificator folosind corpul solid. Cercetri ample au fost realizate ulterior (1940) n laboratoarele Bell.
Descoperirea mai mult sau mai puin accidental a tranzistorului bipolar a determinat ns apoi o
nou direcie n cercetarea i dezvoltarea dispozitivelor semiconductoare pentru mai mult de o
decad. Apariia siliciului oxidat - una dintre cele trei mari idei care au fundamentat tehnologia planar
- a adus cu sine o cretere a posibilitii de de fabricaie a TECMOS. n 1960 Kahng i Atalla au
realizat un tranzistor cu efect de cmp utiliznd siliciul oxidat termic. Anii ce au urmat au nsemnat o
activitate extrem de intens n acest domeniu. Aceast activitate a condus pe de o parte la un nivel
nalt de cunoatere a interfeei Si-SiO2 iar pe de alt parte TECMOS a devenit unul dintre cele mai
utilizate tranzistoare, la concuren cu tranzistorul bipolar. De fapt, n multe aplicaii n special n
domeniul circuitelor integrate acest tranzistor deine primul loc ca importan.
Structura capitolului este:
Subcapitolul unu este dedicat noiunilor generale. Sunt prezentate cele dou tipuri principale;
Subcapitolul doi prezint comportarea celor dou tipuri de tranzistoare n regim cvasistatic de
semnal mare. Sunt prezentate principalele caracteristici statice precum i modele uzuale;
Subcapitolul trei prezint comportarea celor dou tipuri de tranzistoare n regim cvasistatic de
semnal mic. Sunt prezentate modelele matematice precum i modelele electrice;
Subcapitolul patru este dedicat problemelor speciale legate de polarizarea celor dou tipuri de
tranzistoare .
Subcapitolul cinci prezint o aplicatie uzual i anume etajul surs comun
20
7.1 Preliminarii
n principiu acest tranzistor are o funcionare asemntoare tranzistorului cu efect de cmp cu

jonciune. Curentul principal - curent stabilit ntre terminale care poart acelai nume, surs i dren -
circul printr-un canal, a crui conductan este modificat electric de potenialul de pe gril. Functie
de modul n care se realizeaz acest canal exist n principiu dou tipuri de tranzistoare MOS:
tranzistor MOS cu canal initial (canalul este realizat tehnologic n structur printr-o difuzie
suplimentar);
tranzistor MOS cu canal indus (canalul este indus de potentialul aplicat grilei)
Structura sucapitolului este:
1. Structur, simbol, notaii;
2. Principiul de funcionare;
3. Conexiunile tranzistoarelor;
7.1.1 Structur, simbol, notaii

a.) TECMOS cu canal iniial
Structura este prezentat n figura 7.1. S-au folosit notaiile:
S surs; terminalul de la care sunt emii purttorii;
D dren; terminalul la care sunt colectai purttorii;
G grilasau poart; terminalul care controleaz fluxul de purttori dintre gril i surs
B substrat; terminal care n anumite cazuri este conectat la surs iar n altele funcioneaz ca o
gril secundar
S G D
SiO2
n
n++ n++
canal
p
B
S
Figura 7.1
Canal regiunea prin care tranziteaz purttorii n drumul lor dintre surs i dren
SiO2 strat izolator de bioxid de siliciu; izoleaz grila de canal.

Observaie Figura 7.1 prezint un TECMOS cu canal iniial de tip n. Exist i structura
complementar i anume TECMOS cu canal iniial de tip p.
Figura 7.2 prezint simbolul unui TECMOS cu canal iniial de tip n, iar figura 7.3 prezint simbolul
unui TECMOS cu canal iniial de tip
21
iG D iG D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vDS iS vSD iS
S
S
Figura 7.2 Figura 7.3

S-au folosit notaiile:
iD curent de drena
iS curent de surs
iG curent de gril
vGS tensiunea gril surs;
vDS tensiunea dren surs;
vDG tensiunea dren gril .
Att pentru tensiuni ct i pentru cureni s-au prezentat sensurile fizice.
b.) TECMOS cu canal indus
Structura este prezent n figura 7.4
S G D
SiO2
++
n n++
canal
p
B
S
Figura 7.4
Notaiile sunt identice cu cele de la figura 7.1. n plus, se observ c de aceast dat canalul nu este
fizic realizat.
Observaie Figura 7.4 prezint un TECMOS cu canal indus de tip n. Exist i structura
complementar i anume TECMOS cu canal iniial de tip p.
Figura 7.5 prezint simbolul unui TECMOS cu canal indus de tip n, iar figura 7.6 prezint simbolul
unui TECMOS cu canal indus de tip p
iG iG
D D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vGS iS vSG iS
S S

Notaiile sunt identice cu cele folosite la simbolurile TECMOS-urilor cu canal intial.
22
Observaie: Ca i n cazul celorlalte tranzistoare, n continuare va fi prezentat numai comportarea

tranzistoarelor cu canal de tip n.
7.1.2 Principiul de functionare
n principiu aceste tranzistoare au o funcionare asemntoare tranzistorului cu efect de cmp cu
jonciune. Curentul principal - curent stabilit ntre terminale care poart acelai nume, surs i dren -
circul printr-un canal, a crui conductan este modificat electric de potenialul de pe gril.
Deosebirile apar numai la mecanismele care dau natere canalului, precum i faptul c acest canal
se afl pe suprafaa structurii. Astfel:
n cazul TECMOS cu canal iniial, potenialul grilei modific concentraia purttorilor din canal i prin
aceasta rezistena canalului. De altfel acest tranzistor mai poart numele D-MOS (Depletion MOS).
n cazul TECMOS cu canal indus, potenialul grilei n condiiile n care este suficient de ridicat
datorit fenomenului de atracie electrostatic, atrage la interfaa dintre siliciu i bioxidul de siliciu
purttorii i astfel este generat canalul. i n acest caz modificarea potenialului grilei duce la
modificarea concentraiei purttorilor din canal i prin aceast a rezistenei canalului Acest tranzistor
mai poart numele E-MOS (Enhancement MOS).
Ca i n cazul TECJ, fr a mai intra n detalii trebuie spus c se pot pune n eviden cel puin trei
dou moduri distincte de lucru pentru acsre tranzistoare:
1. Rezisten comandat. I mare este vorba de mecanismul amintit. Despre tranzistor se sune c
lucrez n regim liniar;
2. Generator de curent comandat. n aceast situaie canalul este trangulat, dar purttorii injectai
de surs pot ajunge la dren. Despre tranzistor se spune c lucrez n regim saturat;
3. Circuit ntrerupt. n aceast situaie canalul este trangulat, iar purttorii injectai de surs nu mai
pot ajunge la dren. Despre tranzistor se spune c lucrez n regim blocat;
7.1.3 Conexiunile TECMOS. Modaliti de descriere.
Ca i n cazul TECJ i aici se pun n eviden trei topologii fundamentale. Se vor prezenta schematic
numai structurile cu TECMOS cu canal iniial, cele cu canal indus fii.d identice.
Conexiunea surs comun (figura 7.7) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - surs i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - surs i curentul de dren. Pentru aceast conexiune
sensurile convenionale ale curenilor i tensiunilor coincid cu cele fizice.
iO
iO
iIN iO iIN
iIN vO
vO
vIN vIN vO vIN
Figura 7.7. Figura 7.8 Figura 7.9

Conexiunea gril comun (figura 7.8) are ca mrimi de intrare tensiunea surs - gril i curentul de
surs, iar ca mrimi de ieire tensiunea dren - gril i curentul de dren. Pentru aceast conexiune
sensurile convenionale ale curenilor i tensiunilor nu coincid cu cele fizice
Conexiunea dren comun (figura 7.9) are ca mrimi de intrare tensiunea gril - dren i curentul de
gril, iar ca mrimi de ieire tensiunea surs - dren i curentul de surs. Nici pentru aceast
conexiune sensurile convenionale ale curenilor i tensiunilor nu coincid cu cele fizice.
n mod uzual TECMOS-urie indiferent de tip, ca i TECJ-urile de altfel, sunt descrise de dou ecuaii
de forma:
iG=iG(vGS,vDS) (7.1)
23
iD=iD(vGS,vDS) (7.2)
ntruct grila este izolat prin construcie de drena, (7.1) devine:
iG0 (7.3)
7.2 Comportarea TECMOS n regim cvasistatic de semnal mare
Dupa cum a mai fost amintit de deja, n regim cvasistatic de semnal mare orice tranzistor este integral
descris de dou i numai dou ecuaii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt,
caracteristici statice. n mod uzual acestea sunt ecuaiile 7.2 i 7.3 Prezentul subcapitol ii propune
s prezinte formele explicite ale acestor caracteristici, iar pe baza lor s dezvolte modele
aproximative pentru TECMOS. Suplimentar, este prezentat modul de definire al valorilor limit ale
parametrilor electrici ce pot fi suportate de aceste tranzistoare n consecint, structura subcapitolului
este:
1. Caracteristici statice;
2. Modele de semnal mare pentru TECJ
3. Abateri de la teoria ideal
4. Limitri n funcionare.
7.2.1 Caracteristici statice
Urmnd metodologia din capitolul precedent se vor prezenta cele dou caracteristici statice uzuale:
a.) Caracteristica de ieire
Figura 7.10 prezint caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal iniial tip n, iar figura 7.11
caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip n. Se constat c alura
caracteristicilor este asemnatoare, diferind domeniul tensiunilor de comand vGS.
Ca atare se pot pune n eviden, i n acest caz, existena mai multor regiuni:
iD
Regiune vGS-v T
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V
liniara
vGS=2V
Regiune de
vGS=0V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
Figura 7.10
24
iD
vGS-vT
Regiune
de cot
Regiune vGS=8V
liniara
vGS=6V
Regiune de vGS=4V
blocare
vGS=2V
vGS=VT
vDS
Figura 7.11
I.) Regiunea liniar este regiunea n care tranzistorul se comport ca rezisten comandat; valorile
acestei rezistene sunt n general mici lucru atestat de panta caracteristicii; n aceast regiune
dependena curentului de dren de tensiunea dren-surs poate fi aproximat de o dreapt.
II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziie; de obicei tranzistoarele nu funcioneaz n acest
regiune; caracteristica se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaie; n aceast regiune tranzistorul funcioneaz ca generator comandat;
comanda este dat prin intermediul tensiunii gril surs.
IV.) Regiunea de blocare; n aceast regine tranzistorul se comport ca un circuit ntrerupt; este
caracterizat de faptul c tensiunile pe trazistor pot lua orice valori (n limitele normale), dar curentul
este nul.
b.) Caracteristica de intrare

Figura 7.12 prezint caracteristicile de intrare pentru un TECMOS cu canal iniial tip n, iar figura
7.13 caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip n. i de .
unde:
iD iD
IDSS
VT vGS VT vGS

IDSS curentul de dren corespunztor tensiunii gril surs nul
VT tensiunea de prag
i de acest data, caracteristicile pot fi aproximate prin parabole deosebirile fiind legate de domeniul
n care poate varia tensiunea vGS.
7.2.2. Modele de semnal mare pentru TECMOS
Modele uzuale utilizate pentru cele dou tipuri de tranzistoare MOS sunt practic identice. Din aceast
cauz n acest subcapitol nu se vor face referiri speciale la unul dintre ele.
1.) Regim de blocare. Ecuaiile (7.2) i (7.3) care reprezint modelul matematic general al TECMOS
capt forma:
25
iG=0 (7.4)
iD=0 (7.5)
G D
vGS vDS
S
Figura 7.14
Schema echivalent corespunztoare este prezentat n figura 7.14.
2.) Regim saturat. Modelul matematic este:
iG=0 (7.6)

i D vGS VT
2
(7.7)
2
Observaie: Coeficientul din relaia (7.7) este un coeficient a crui valoare care depinde de
geometria tranzistorului i nu are legtur cu cel definit n cazul tranzistorului bipolar. Schema
echivalenta este prezentat n figura 7.15
3.) Regim liniar. Tranzistoarele au comportare de rezisten comandat dup cum se poate observa
G D

vG S v GS V T 2
2
S
Figura 7.15
din schema echivalent prezentat n figura (7.16):
G D
vGS
R
S
Figura 7.16
7.2.3. Abateri de la teoria ideal
Problemele care apar n cazul TECMOS sunt practic aceleai cu cele care prezentate n subcapitolul
6.2.3 astfel c nu vor fi reluate.
7.2.4. Limitri n funcionare
Ca i n cazul TECJ problemele care apar n cazul TECMOS sunt practic aceleai cu cele care
prezentate n subcapitolul 6.2.4. Ca atare, concluziile care s-au impus n subcapitolul mentionat
rmn valabile i pentru TECMOS.
7.3 Comportarea TECMOS in regim cvasistatic de semnal mic
Liniariznd Taylor relatiile (7.5 i (7.7) se obine:

ig=0 (7.8)
26
id=gmvgs (7.9)
unde
ig curent de gril (valoare instantanee de semnal)
id curent de dren (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar
di D
gm v GS VT
dv DS QP
(7.10)
poart numele de tranconductan mutual. Schema echivalent corespunztore este prezentat n
figura 7.17.
7.4 Polarizarea TECMOS
Sarcinile circuitului de alimentare n curent continuu pentru TECMOS sunt aceleai ca i n cazul
TECJ. i n acest caz nu se mai pune problema ambalrii termice, dar rmne cea a dispersiei de
parametrii. Diferenele apar ns dac se observ c in funcionare normal un TECMOS cu canal de
tip n indus, are nevoie de o tensiune pozitiv ntre gril i surs (figura 7.13), iar un TECMOS cu
canal n iniial suport ntre gril i surs att valori pozitive ct i negative pentru polarizare (figura
G D
vgs gmvgs
Figura 7.17
7.12). Ca atare pentru TECMOS cu canal indus s-au impus scheme de tipul celei din figura 6.21, iar
pentru TECMOS cu canal iniial scheme de tipul celei din figura 6.22. Se poate observa c singura
deosebire dintre cele dou scheme este dat de absena respectiv prezena rezistenei R S. ntruct
pe rezistena RS se obine o tensiune generat de curentul propriu al tranzistorului, soluiile ce
ntroduc aceast rezisten poart numele de circuite cu polarizare automat.
ED ED
R1 RC R1 RC
VGS
VGS VDS
VDS
R2 R2 RS
Analiza detaliat a acestor circuite este practic identic cu cea efectuat n capitolul 5.5. Acesta este
motivul pentru care nu va mai fi prezentat.
27
De altfel i circuitele care au n structur tranzistoare cu efect de cmp MOS, au aceeai comportare
formal cu circuitele care au n compunere tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune. Ca atare nici
circuitele fundamentale de tip surs comun, dren comun sau gril comun nu vor fi prezentate.
7.5 Aplicaii. Etaj surs comun
Ca i n cazul tranzistorului bipolar, i pentru pentru aceste tranzistoare se pun n eviden trei 3
structuri topologice cunoscute n literatura de specialitate sub numele de etaje fundamentale:
etaj surs comun;
etaj gril comun;
etaj dren comun.
Prezenta seciune prezint numai etajul surs comun. Pentru acest etaj semnalele de intrare se
aplic ntre gril i surs, iar semnalul de ieire se culege ntre dren i surs.
a.) schema este prezentat n figura 7.20
ED ED E D
iD iD ED
iD
v GS V 2
RD RD 2
T
R RD
D
G
D G D G D
S v IN vGS vO
vIN vO vIN vO vIN vGS R vO
S S
Figura 7.20 Figura 7.21 Figura 7.22 Figura 7.23

b.) rolul elementelor; notaii folosite
RD rezistor de sarcin;
vIN tensiune de intrare (valoare instantanee total);
iIN curent de intrare (valoare instantanee total);
vO tensiune de ieire (valoare instantanee total);
c.) analiza de semnal mare
Obiectivul acestei analize const n explicitarea caracteristicii de intrare (7.11);
vO=vO(vIN) (7.11)
Procedura aplicat este identic cu procedura prezentat n capitolul 6.:
I. Pentru
vGS<VT (7.12)
i
vGD<VT (7.13)
tranzistorul este blocat. Circuitul din figura 7.20 se modeleaz ca n figura 7.21. Se constat c:
vO=ED (7.14)
Observaie: Condiiile (7.2) i (7.3) sunt satisfcute dac:
vIN , VT (7.15)
II. Pentru:
vGS>VT (7.16)
i
vGD<VT (7.17)
tranzistorul este n regiunea de saturaie. Circuitul din figura 7.20 se modeleaz ca n figura 7.22:
Expresia tensiunii de ieire este:
vO=ED-iDRD (7.18)
iar.
28

iD vGS VT 2 (7.19)
2
vGS=vIN (7.20)
nlocuind (7.20) n (7.19), iar (7.19) n (7.18) se obine:

vO ED RD vIN VT
2
(7.21)
2
Aceast expresie este valabil pentru:
1 1 2 RD ED
VT vIN VT (7.22)
RD
III. Pentru:
vGS>VT (7.23)
and
vGD>VT (7.24)
tranzistorul opereaz n regiunea liniar. Circuitul din figura 7.20 se modeleaz ca n figura 7.23. Prin
simpl inspecie se constat c expresia tensiunii de ieire este:
R
v O ED 0 (7.25)
R RD
Tensiunea de intrare trebuie s satisfac condiia
1 1 2 RD E D
vIN VT
RD
(7.26)
innd cont de relaiile (7.14), (7.21) i (7.25) caracteristica de transfer capt alura din figura (7.24):
vO
Regiune de
blocare
ED Regiunea de
saturaie
Regiunea
liniar
VT ED vIN
1 1 2 RD E D
VT
RD
Figura 7.24
d) etaj de amplificare n conexiunea surs comun
Acest seciune trateaz comportarea n semnal mic a acestei coneciuni.
d1) schema este prezentat n figura 7.25.
d2) rolul elementelor
RG1 RG2 RS circuit de polarizare.
C1, C2 condensatoare de cuplaj.
CS condensator de decuplare; pune sursa la mas n regim de semnal.
RD sarcin.
d3.) analiza de semnal mic
Se vor analiza:
1. amplificarea n tensiune;
2. rezistena de intrare;
3. rezistena de ieire.
29
1.) Amplificarea n tensiune

Este definit ca:
Vot
AV
Vt
(7.27)
unde:
Vt tensiune de intrare aplicat la intrare; (amplitudine);
Vot rspunsul n tensiune al circuitului la tensiunea de test. (amplitudine).
Circuitul din figura 7.25 se modeleaz ca n figura 7.26.
ED
R G1 RD
It G D Id
Iin C1
C2 Ir
Vo
Vt RG Vgs gmVgs R DL Vot
Vin
R G2 RS CS S

S-au folosit notatiile.
R G1R G2
R G R G1 R G2 (7.28)
R G1 R G2
R DR L
R D,L R D R L (7.29)
RD RL
Se gseste:
Vot=-gmVgsRD,L (7.30)
Vt=Vds (7.31)
Introducnd (7.30) i (7.31) n (7.27) amplificarea n tensiune devine:
A v g m R D,L
(7.32)
Concluzii:
ctigul n tensiune este ridicat;
diferena de faz dintre tensiuneade intrare i cea de ieire este 1800 (semnul minus).
2.) Rezistena de intrare.
Este definit de:
Vt
R in (7.33)
It
Din figura 7.26 prin simpl inspecie.

Rin=RG (7.34)
Concluzie: rezistena de intrare este egal cu RG i poate lua valori ridicate.
30
3.) Rezistena de ieire;

Este definit ca n (7.35):
Et
Ro (7.35)
It
Vin 0
Figura 7.27 arate modul n care este plasat sursa de test precum i modul n care se realizeaz
scurtcircuitul, prin intermediul condensatorului Cs. Circuitul este modelat n figura 7.28. Observnd c
ED
G D It It
R G1 RD +
It +
C1 C2 RB Vbg gmVgs RD Et RD Et
Et s - -
S
Cs R G2 RS CS
Figure 7.27 Figure 7.28 Figure 7.29

Vgs=0 (7.36)
circuitul din figura 7.28 se reduce la cel din figura 7.29. n consecin rezistena de ieire devine:
Ro=RD (7.37)
Concluzie: rezistena de ieire are o valoare moderat.
De reinut!
Canal N Canal P
Simbol ANSI Simbol DIN Simbol ANSI Simbol DIN
D-
TECMOST
E-
TECMOS
Tranziztor MOS Simboluri
Regim cvasistatic semnal mare

Schema echivalent Model matematic
31
iG 0

iD v GS VT 2
2
Regiunea de saturaie Regiunea de saturaie
iG 0
v DS
iD
R
Regiunea liniar Regiunea liniar
iG 0
iD 0
Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Tranzistor cu effect de camp, canal N
Regim cvasistatic semnal mic.

Ig 0
I d g m Vgs
N channel N channel
Tranzistor cu effect de camp , canal N
Test de autoevaluare 7.1
1. Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp metal oxid

semiconductor cu canal initial este prezentat n figura notat cu:
2p
a) b)
S G D S G D
SiO2 SiO2
n
p++ n++ n++ n++
canal canal
n p
B
B
S
S
c) d)
32
jonciune G jonciune S G D
p-n p-n
SiO2
n p n n
n++ n++
S D
canal canal
p
p
G B
S S
2. Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp de cmp metal oxid

semiconductor cu canal indus este prezentat n figura notat cu:
2p
a) b)
S G D S G D
SiO2 SiO2
n
p++ n++ n++ n++
canal canal
n p
B
B
S
S
c) d)
jonciune G jonciune S G D
p-n p-n
SiO2
n p n n
n++ n++
S D
canal canal
p
p
G B
S S
3. Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se
1p
numete:
S G D
SiO2
n
n++ n++
canal
p
B
S
Figura 6.1
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat
33

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se
1p
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se
1p
numete:

cmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se
1p
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat
Rspuns corect d)

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se
1p
numete:
S G D
SiO2
n++ n++
canal
p
B
S
Figura 6.2
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se
1p
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat
34

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se
1p
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat

cmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se
1p
numete:
a) surs;
b) dren;
c) gril;
d) substrat
11 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D
G B G G B G
B B
S S S S
12 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D
G B G B G B G B
S S S
S
13 Simbolul unui TECMOS cu canal inial tip n este:

1p
a.) b.) c.) d.)
35
D D D D
G B G B G B G B
S S S
S
14 Simbolul unui TECMOS cu canal iniial tip p este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D
G B G B G B G B
S S S
S
15. n cazul unui TECMOS canalul este situat:

2p
a) la suprafaa structurii (interfaa Si-SiO 2), fcnd legatura dintre
drena i surs;
b) n volumul structurii, fcnd legatura dintre drena i surs;
c) la suprafaa structurii (interfaa Si-SiO 2), dar numai n partea
dinspre dren;
d) n volumul structurii, dar numai n partea dinspre dren;
16. Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de

cmp:
1p
a) numai cu canal n:
b) numai cu canal p;
c) att cu canal n ct i cu canal p;
d) tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau
TECMOS).
17. Curentul principal din TECMOS se stabilete ntre:

2p
a) gril i dren;
b) surs i dren;
c) surs i gril;
d) gril i dren.
18. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabilete ntre surs
36
2p i dren. El este constituit din:

a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.
19. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabilete ntre surs

i dren. El este constituit din:
2p
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.
20 Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circul ntre surs i

dren - circul printr-un canal, a crui conductan este modificat
3p
electric de potenialul de pe gril. n cazul TECMOS cu canal iniial:
a) potenialul grilei modific lungimea canalului i prin aceasta
rezistena canalului;
b) potenialul grilei modific seciunea canalului i prin
aceasta rezistena canalului;
c) potenialul grilei modific limea canalului i prin aceasta
rezistena canalului;
d) potenialul grilei modific concentraia purttorilor din canal
i prin aceasta rezistena canalului.
21. Conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este
prezentat n figura notat:
1p
a) b)
iO
iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
22 Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

1p
a) b)
37
iO
iIN iO
iIN vIN vO
vO
vIN
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
23. Conexiunea gril comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este
1p
a) b)
iO
iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
24. Conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
1p
a) b)
iO
iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
38
25. Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
1p
a) b)
iO
iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
26. Conexiunea gril comun a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
1p
a) b)
iO
iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO
c) d)
iO
iIN iIN iO
vO
vIN vIN vO
27. ntruct grila unui TECMOS este izolat de canal printr-un strat de
bioxid de siliciu curentul de gril este:
2p
a) iG iG (vDS )
U GS const .
b) iG iG (vGS )
U GS const .
c) iG 0
vDS
d) iG
rDS
28. Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

iniial de tip n. Cu I a fost notat:
1p
39
iD
vGS-vT
III.
IV.
II. vGS=0.1V
vGS=0V
I. vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
Figura 6.3
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaie.

iniial de tip n. Cu II a fost notat:
1p
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;

iniial de tip n.Cu III a fost notat:
1p
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;

iniial de tip n. Cu IV a fost notat:
1p
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;

indus de tip n. Cu I a fost notat:
1p
iD
vGS-vT
III.
IV.
II. vGS=8V
vGS=6V
I. vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT
vDS
40
Figura 6.4
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;

indus de tip n. Cu II a fost notat:
1p
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;

indus de tip n.Cu III a fost notat:
1p
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;

indus de tip n. Cu IV a fost notat:
1p
b) regiunea liniar;
c) regiunea de cot;
36. Un TECMOS care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca

2p
a) rezisten comandat;
b) un generator de curent comandat;
c) un circuit ntrerupt;
d) un generator de tensiune comandat.
37. Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca

2p
38. Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de saturaie se comport ca

2p
41
39. Caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

3p
a) b)
iD iD
Regiune vGS-vT vGS-vT
Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=V T vGS=VT
vDS vDS
c) d)
iD iC
Regiune vGS-vT
de cot vCB=0 iB4
Regiunea activ normal
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara saturatie
vGS=0V iB2
Regiune de Regiunea de
vGS=2V iB1
blocare blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS vCE
40. Caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

3p
a) b)
iD iD
Regiune vGS-vT vGS-vT
Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=V T vGS=VT
vDS vDS
c) d)
iD iC
Regiune vGS-vT
de cot vCB=0 iB4
Regiune de saturatie Regiunea activ normal
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara saturatie
vGS =0V
Regiune de iB2
vGS =2V Regiunea de
blocare
vGS=-4V blocare iB1
vGS=VT
vDS
vCE
41. Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniial n este

3p
a) b)
iD iD
IDSS
VT vGS
VT 1V vGS
42
c) d)
iD iB
vCE1
vCE2>vCE1
IDSS
VT 1V vGS vBE
V
42. Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este prezentat

n figura notat:
3p
a) b)
iD iD
IDSS
VT vGS
VT 1V vGS
c) d)
iD iB
vCE1
vCE2>vCE1
IDSS
VT 1V vGS vBE
V
43. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaz n

regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 i iD=0

b) iG=0 i iD vGS VT 2
2
v
1
2
c) iG=0 i i D Go 1 GS u DS
VT

v BE IS v
d) iC I S exp i iB exp BE
eT F eT

regiunea de saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 i iD=0

2
v
1
2
VT

43
v BE IS v
eT F eT

regiunea liniar - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) iG=0 i iD=0

2
v
1
2
VT

v BE IS v
eT F eT
46. Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea liniar -

regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE F iB R
E S
c) d)
G D G D
vGS
S
vGS VT 2 vGS vDS
2 S
47. Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea de

saturaie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE F iB R
E S
c) d)
44
G D G D
vGS
S
vGS VT 2 vGS vDS
2 S
48. Schema echivalent a unui TECMOS care lucreaz n regiunea de

blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
3p
a) b)
iB G D
B C
vGS
vBE F iB R
E S
c) d)
G D G D
vGS
S
vGS VT 2 vGS vDS
2 S
49. Pentru un TECMOS, o dat cu creterea temperaturii:

3p
iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ
VT2 VT1 VGZ vGS
Figura 6.5
a) IDSS scade iar VT crete;

b) IDSS crete iar VT scade;
c) IDSS i cresc;
d) IDSS i VT scad.
Pentru notaii vezi figura 6.4
50. Pentru un TECMOS, o dat cu creterea temperaturii:

3p
a) iD scade dac iD>IZ;
b) iD crete dac iD>IZ;
c) iD scade dac iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
Pentru notaii vezi figura 6.4
51. O dat cu variaia temperaturii caracteristicile de ieire ale unui

45
3p TECMOS se modific ca n figura notat (urmrii relaia dintre T1 i T2):

a) b)
iD iD
T1 T1
T2<T1 IDSS1 T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ
VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS
c) d)
T1 T2 iD T1 T2 iD
T1 T1
IDSS1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ
VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS
52. Un posibil model matematic pentru un TECMOS pentru regimul

cvasistatic de semnal mic este:
3p
a) id=0 i id=gmvds
b) ig=0 i id=gmvgs
c) id=0 i id=gmvds
d) ig=0 i id=gmvgs
unde
ig curent de gril (valoare instantanee de semnal)
id curent de dren (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de gril-sursa (valoare instantanee de
semnal) vds tensiune de dren-sursa (valoare instantanee
de semnal)
2I D
gm
VGS VT
53. Tranconductan mutual a unui TECMOS are expresia:

3p
a) g m vGS VT ;
2
2I D
b) g m ;
Vgs VT
c) g m vGS VT ;
2I d
d) g m .
Vgs VT
54. Schema echivalent ce corespunde modelului matematic
46
3p ig=0
id=gmvgs
al unui TECMOS pentru regimul cvasistatic de semnal mic este
prezentat n figura:
a) b)
G D G D
vgs gmvgs vgs gmvgs
S
S
c) d)
G D G D
vgs gmvgs gmvgs vgs
S S
55. Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:

2p
a) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea
punctului static de funcionare funcie de dispersia parametrilor,
dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
b) polarizarea direct a joncinii poart canal, stabilitatea
dar nu i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
c) polarizarea invers a joncinii poart canal, stabilitatea
precum i stabilitatea punctului static funcie de variaia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcie de variaia temperaturii;
56. Pentru a funciona ca amplificator, tensiunea dintre grila i sursa unui

TECMOS cu canal indus de tip n:
3p
a) este ntotdeauna pozitiv;
b) este ntotdeauna negativ;
c) poate fi att pozitiv ct i negativ;
d) este ntotdeauna zero.

TECMOS cu canal indus de tip p:
3p
47
Rspuns corect b)

TECMOS cu canal iniial de tip n:
3p

TECMOS cu canal iniial de tip p:
3p
60. Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de

polarizare de tipul celei din figura notat:
3p
a) b)
+ED +ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
c) d)
-ED -ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
61. Pentru un TECMOS cu canal inial de tip n s-au impus scheme de

polarizare de tipul celei din figura notat:
3p
a) b)
48
+ED +ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
c) d)
-ED -ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
62. Figura 6.6 prezint schema de principiu a unui etaj surs comun
construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Tranzistorul este blocat
2p
dac:
ED
iD
RD
vIN vO
Figura 6.6
a) vIN<VT
b) vIN>VT : i vDS>vDSsat
c) vIN>VT : i vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Tranzistorul este n
2p
regiunea de saturaie dac:
a) vIN<VT
d) vIN<VT : sau vDS<vDSsat
construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Tranzistorul este n
2p
regiunea liniar dac:
a) vIN<VT
49
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul este
2p
blocat schema se modeleaz ca n figura notat:
a) b)
ED E
iD D
iD

RD v GS V T 2
2 R D
D
G G D
S
vIN vO v IN vGS vO
c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD iD
uIN uGS uO
S
iIN E
G D G D R Figura 5.35
vIN vGS R vO vIN vGS vO

S
construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul
2p
opereaz n regiunea de saturaie schema se modeleaz ca n figura
notat:
a) b)
ED E
iD D
iD

RD v GS V T 2
2 R D
D
G G D
S
vIN vO v IN vGS vO
c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD iD
uIN uGS uO
S
iIN E

S
2p
50
opereaz n regiunea liniar schema se modeleaz ca n figura notat:

a) b)
ED E
iD D
iD

RD v GS V T 2
2 R D
D
G G D
S
vIN vO v IN vGS vO
c) d)
ED
ED ED
RD
iIN
G D
RD
uIN uGS u
S
iIN E

S
4p
opereaz n regiunea liniar tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;

RD vIN VT ;
2
b) vO ED
2
R
c) vO= ED ;
R RD

RD vIN VT .
2
d) vO E D
2
2p
opereaz n regiunea de saturaie tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;

RD vIN VT ;
2
b) vO ED
2
R
c) vO= ED ;
R RD

RD vIN VT .
2
d) vO E D
2
construit cu un TECMOS cu canal iniial de tip n. Dac tranzistorul este
2p
blocat tensiunea de ieire are expresia:
a) vO=ED;

RD vIN VT ;
2
b) vO ED
2
51
R
c) vO= ED ;
R RD

RD v IN VT .
2
d) vO E D
2
71. Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n

conexiunea surs comun este prezentat n figura notat:
2p
a) b)
+ED -ED
RG1 RD RG1 RD
Iin C1 Iin C1
C2 C2
Vo Vo
Vin Vin
RG2 RS RG2 RS
c) d)
+ED -ED
RG1 RD RG1 RD
Iin C1 Iin C1
C2 C2
Vo Vo
Vin Vin
RG2 RS CS RG2 RS CS

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul R G1
1p
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
b) este rezistor de sarcin;
c) este rezistor de limitare;
d) asigur valoarea necesar a rezistenei de ieire.

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul R G2
1p

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul R S
1p
52

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistorul R D
1p

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Condensatorul C 1
1p
a) n curent continuu pune sursa la mas, n curent alternativ
neavnd nici un efect.
b) separ n curent alternativ etajul blocnd componenta alternativ,
dar las s treac componenta continu.
c) condensator de decupare; n curent alternativ pune sursa la mas,
n curent continuu neavnd nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separ n curent continuu etajul blocnd
componenta continu, dar las s treac componenta alternativ.

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Condensatorul C 2
1p

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Condensatorul C S
1p

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Amplificarea n
3p
Vo
tensiune definit prin: AV este:
Vin
53
a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS
80. Schema unui etaj de amplificare n conexiunea surs comun este

prezentat n figura 6.6. Schema echivalent de semnal mic regim
3p
cvasistatic este prezentat n figura notat:
a) b)
Iin Iin
G D Io G D Io
Vin RG Vgs gVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
S S
c) d)
Iin Iin
G D Io G D Io
Vin RG Vgs gmVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
S S

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistena de
3p
intrare este:
RG1 RG 2
a) Rin RG1 RG 2
RG1 RG 2
b) Rin=RS
RG1 RG 2
c) Rin RG1 RG 2
RG1 RG 2
d) Rin=RS

conexiunea surs comun este prezentat n figura 6.6. Rezistena de
3p
ieire este:
a) Ro=RD
b) Ro=RD
c) Ro=RS
d) Ro=RS
Rspunsuri
1. Rspuns corect d) 33. Rspuns corect b)

2. Rspuns corect b) 34. Rspuns corect c)
54
3. Rspuns corect a) 35. Rspuns corect d)

4. Rspuns corect c) 36. Rspuns corect a)
7. Rspuns corect d) 39. Rspuns corect c)
8. Rspuns corect a) 40. Rspuns corect b)
9. Rspuns corect c) 41. Rspuns corect c)
10. Rspuns corect b) 42. Rspuns corect b)
13. Rspuns corect a) 45. Rspuns corect a)
15. Rspuns corect a) 47. Rspuns corect c)
16. Rspuns corect c) 48. Rspuns corect d)
17. Rspuns corect b) 49. Rspuns corect d.)
18. Rspuns corect a) 50. Rspuns corect a.)
20. Rspuns corect d) 52. Rspuns corect d.)
21. Rspuns corect a) 53. Rspuns corect c)
23. Rspuns corect b) 55. Rspuns corect a)
25. Rspuns corect c) 57. Rspuns corect b)
27. Rspuns corect c) 59. Rspuns corect c)
32. Rspuns corect a) 64. Rspuns corect b)
65. Rspuns corect a)
66. Rspuns corect b)
67. Rspuns corect c)
55

76. Rspuns corect d)
81. Rspuns corect a.)
82. Rspuns corect a.)
Lucrare de verificare la Unitatea de nvare nr. 7

1 2 Simbolul unui tranzistor cu efect de cmp metal oxid semiconductor
. p (TECMOS) cu canal initial de tip n este prezentat n figura notat:
a.) b.) c.) d.)
2 3 Curentul principal dintr-un tranzistor cu efect de camp se stabilete ntre:

. p
a.) gril i dren b.) surs i dren c.) surs i gril d.) gril i
substrat
3 4 Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n este constituit din:
. p
a.) electroni b.) goluri c. ioni pozitivi d.) ioni negativi
4 5 In funcionarea normal curentul de gril al unui tranzistor cu efect de
p camp este:
56
v DS v GS
a.) i G b.) i G c.) i G 0 d.) i G
rDS rDS
5 3 Un tranzistor cu efct de camp care funcioneaz n regiunea de saturaie se
. p comport ca
c.) d.)
a.) b.)
un circuit un generator de
o rezisten un generator de ntrerupt tensiune
comandat; curent comandat
comandat
6 4 Caracteristica de intrare a unui tranzistor cu efect de camp cu canal indus
. p de tip n este prezentat n figura notat:
a.) b.)
iD iD
IDSS
VT 1V vGS VT vGS
c.) d.)
iD iB
vCE1
vCE2>vCE1
IDSS
VT 1V vGS
V vBE
7 4 Pentru a funciona ca amplificator, tensiunea dintre grila i sursa unui

p TECMOS cu canal indus de tip n:
a.) b.) c.) d.)
este ntotdeauna este ntotdeauna poate fi att este ntotdeauna
pozitiva negativ pozitiv ct i zero
negativ
8 5 Schema unui etaj de amplificare n regim cvasistatic de semnal mic n
p conexiunea surs comun a unui TECMOS cu canal initial de tip n este
a.) b.) c.) d.)
57
+ED -ED +ED -ED
RG1 RD RG1 RD RG1 RD RG1 RD
Iin Iin Iin Iin C1

C1 C1 C1 C2
C2 C2 C2
Vo Vin Vo V Vo Vin Vo
Vin in
RG2 RS RG2 RS CS RG2 RS CS
RG2 RS
Rspunsuri i comentarii la ntrebrile din testele

de autoevaluare
1. Rspuns corect a)
2. Rspuns corect b)
3. Rspuns corect b)
4. Rspuns corect c)
5. Rspuns corect b)
6. Rspuns corect b)
7. Rspuns corect a)
8. Rspuns corect c)
Recapitulare
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
Concluzii
Canal N Canal P
Simbol Simbol Simbol Simbol
ANSI DIN ANSI DIN
D-
TECMOST
E-
TECMOS
Tranziztor MOS Simboluri
Regim cvasistatic semnal mare

iG 0

iD v GS VT 2
2
Regiunea de saturaie Regiunea de saturaie
iG 0
v DS
iD
R
Regiunea liniar Regiunea liniar
iG 0
iD 0
Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Tranzistor cu effect de camp, canal N
Regim cvasistatic semnal mic.

Ig 0
I d g m Vgs
N channel N channel
Tranzistor cu effect de camp , canal N
77
Bibliografie
Blu L. Componente si dispozitive electronice (Electronic Components and

Devices) Ed. Leda Constanta 1997 ISBN 973977121-1
Blu L. Circuite electronice Ed.Metafora; Constanta 1999; ISBN 973-93-40-
25-3
Blu L. Device Modeling for Circuit Analysis; Ed. Muntenia & Leda ISBN
973-8304-50-4 973-8082- 84-6 Constanta 2002;
Blu L et. al Teste de evaluare Ed. Nautica ISBN 973-8681332 Constanta 2004
*** Designing with field-effect transistors New York : McGraw-Hill,
c1990.
Liu, William Handbook of III-V heterojunction bipolar transistors New York
Wiley, c1998
Marston, R. M Diode, transistor & FET circuits manual Oxford ; Boston : Newnes,
1991 ISBN 0750602287
Mounic, M. Transistors, problemes avec solutions, du debutant au technicien
superieur Paris, Foucher, 1967-
Neudeck, G. The bipolar junction transistor, Reading, Mass. : Addison-Wesley,
c1983
Ryter, Roland Analysis and development of high voltage bipolar transistors for
BiCMOS smart power applications Konstanz : Hartung-Gorre,, 1996
Sanborn, P. Fundamentals of transistors Garden City, N.Y., Doubleday [1970]
Schroder, D. Advanced MOS devices, Reading, Mass. : Addison-Wesley Pub. Co.,
c1987
Towers, T. D Towers' International transistor selector Blue Ridge Summit, Pa. : TAB
Books, 1982 ISBN 0830614168
Warner, R. M. Transistors : fundamentals for the integrated-circuit engineer Malabar,
Fla. : R.E. Krieger Pub. Co., 1990
Baker, R. J. CMOS circuit design, layout, and simulation 1998 New York : IEEE
Press, c1998
Foty, D. MOSFET modeling with SPICE1997 Upper Saddle River, NJ :
Prentice Hall PTR, c1997
Kano, Kanaan Semiconductor devices 1998 Upper Saddle River, N.J. : Prentice Hall,
c1998
Liou, J., Analysis and design of MOSFETs, 1998 Boston, MA : Kluwer
Academic Publishers, c1998
Pierret, R. F Field effect devices1983 Reading, MA : Addison-Wesley, c1983
Tsividis, Y. Operation and modeling of the MOS transistor, 1998 Boston :
WCB/McGraw-Hill, c1999
Warner, R. M. MOSFET theory and design 1998 New York : Oxford University
Press, 1998
Warner, R. M. Transistors, 1983 New York : Wiley, c1983.
78

Elect

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elect

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzistoare cu efect de cmp metal oxid semiconductor

Unitatea de nvare nr. 7

Obiectivele unitii de nvare nr. 7 276

OBIECTIVELE unitii de nvare nr. 7

Principalele obiective ale Unitii de nvare nr. 7 sunt:

n principiu acest tranzistor are o funcionare asemntoare tranzistorului cu efect de cmp cu

7.1.1 Structur, simbol, notaii

SiO2 strat izolator de bioxid de siliciu; izoleaz grila de canal.

Figura 7.2 Figura 7.3

Figura 7.5 Figura 7.6

Observaie: Ca i n cazul celorlalte tranzistoare, n continuare va fi prezentat numai comportarea

Figura 7.7. Figura 7.8 Figura 7.9

7.2 Comportarea TECMOS n regim cvasistatic de semnal mare

b.) Caracteristica de intrare

Figura 7.12 Figura 7.13

7.3 Comportarea TECMOS in regim cvasistatic de semnal mic

Liniariznd Taylor relatiile (7.5 i (7.7) se obine:

7.4 Polarizarea TECMOS

Figura 7.18 Figura 7.19

7.5 Aplicaii. Etaj surs comun

Figura 7.20 Figura 7.21 Figura 7.22 Figura 7.23

1.) Amplificarea n tensiune

Figura 7.24 Figura 7.26

Din figura 7.26 prin simpl inspecie.

3.) Rezistena de ieire;

Figure 7.27 Figure 7.28 Figure 7.29

Tranziztor MOS Simboluri

Regim cvasistatic semnal mare

Regiunea de blocare Regiunea de blocare

Regim cvasistatic semnal mic.

Test de autoevaluare 7.1

1. Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp metal oxid

2. Structura de principiu a tranzistor cu efect de cmp de cmp metal oxid

3. Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

4. Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

5. Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

6. Figura 6.1 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

7. Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

8. Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

9. Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

10. Figura 6.2 prezint structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

11 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

12 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

13 Simbolul unui TECMOS cu canal inial tip n este:

14 Simbolul unui TECMOS cu canal iniial tip p este:

15. n cazul unui TECMOS canalul este situat:

16. Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de

17. Curentul principal din TECMOS se stabilete ntre:

18. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabilete ntre surs

2p i dren. El este constituit din:

19. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabilete ntre surs

20 Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circul ntre surs i

22 Conexiunea dren comun a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este

28. Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

29. Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

30. Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

31. Figura 6.3 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

32. Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

33. Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

34. Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

35. Figura 6.4 prezint caracteristica de ieire a unui TECMOS cu canal

36. Un TECMOS care funcioneaz n regiunea liniar se comport ca

37. Un TECMOS care funcioneaz n regiunea de blocare se comport ca