Tranzitoare PDF

CAPITOLUL
Tranzistoare bipolare -
caracteristici statice
10 mA 9.9 mA 20 mA 19.8 mA
IE IC IE IE IC I E
_ _
IB + IB +
0.6 V _ 10 V 0.62 V _ 10 V
+ + foarte mic
foarte mic
0.1 mA 0.2 mA
4.1. Conexiunea baz comun 83

4.2. Conexiunea emitor comun 113
4.1. Conexiunea baz comun

1.A. Tranzistoare: structur, simboluri i mod de funcionare 83
1.B. Caracteristica de intrare 88
1.C. Carcteristicile de transfer 89
1.D. Caracteristica de ieire 90
1.E. Saturaia tranzistorului 93
1.F. Depirea dificultilor conexiunii cu baz comun 95
1. G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare 97
Probleme rezolvate 102, probleme propuse 106
Lucrare experimental 108
82 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea activa
robinetul controleaza
IC (mA) debitul
10 A
6 N
regiunea de saturatie IB
4 M
robinetul nu mai
controleaza debitul
2
O
0 IB
0 2 4 6 8 10
VCE (V) Valim
rezervor 2 rezervor 1
regimul de blocare
robinet complet inchis
4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configuraia cu emitor comun 113
2.B. Caracteristica de intrare 117
2.C. Caracteristicile de transfer 118
2.D. Caracteristica de ieire 120
2.E. Saturaia tranzistorului 123
2.F. Date de catalog 126
Probleme rezolvate 131, probleme propuse 135
Lucrare experimental 137
Cap. 4. Tranzistoare bipolare - caracteristici statice 83
4.1. Conexiunea baz comun
1. A. Tranzistoare: structur, simboluri i mod de funcionare
Am vzut c dioda, acionnd ca i supapa n circuitele n care circul fluide, permite curentului s
treac ntr-un singur sens, ca un ntreruptor care s-ar deschide i nchide singur, dup sensul curentului. Un
alt dispozitiv esenial n circuitele cu fluide este robinetul, care controleaz debitul conform unei aciuni
externe, mecanice.
Pentru circuitele electrice, o aciune asemntoare o are releul electromagnetic, care controleaz
trecerea unui curent de intensitate mare, fiiind comandat electric cu un curent mult mai mic. Releul
electromagnetic are dou proprieti care l fac s mai fie nc utilizat n unele aplicaii: curentul de scurgere n
starea "ntrerupt" este extrem de mic iar rezistena n starea de conducie este infim. Cu toate acestea, el are
dou dezavantaje majore. n primul rnd, pentru c are piese mecanice n micare, este prea lent, neputnd fi
utilizat la frecvene de peste cteva sute de Hz. Pe de alt parte, el nu permite controlul gradual al curentului
ci doar unul de tipul tot sau nimic (on-off n limba englez). Un control gradual l putem realiza cu un rezistor
reglabil ('poteniometru") dar acesta trebuie acionat mecanic.
Primul dispoztiv care putea controla gradual curentul i era comandat printr-o tensiune a fost un tub
electronic, trioda. Tuburile erau ns mari, grele i fragile, i aveau nevoie de puteri electrice mari. Din acest
motiv, inventarea tranzistorului n 1947 de ctre John Bardeen i Walter Brattain de la Bell Laboratories a
marcat un pas important n dezvoltarea electronicii; n Fig. 4.1 a) putei admira primul tranzistor realizat, cu
contacte punctiforme. Bazat pe conducia electric la suprafaa cristalului i pe contacte punctiforme cu fire
metalice, acest "tranzistor de tip A" era instabil i nu functiona de dou ori la fel; n plus curentul controlat era
puternic afectat de zgomot. Primul tranzistor utilizabil, cu jonciuni (Fig. 4.1 b), este pus la punct n 1950 i
n 1951 laboratoarele Bell l fac cunoscut public 1. Electronica modern putea ncepe. Ulterior apare
posibilitatea integrrii mai multor tranzistoare ntr-un circuit integrat i revoluia tehnologic schimb faa
secolului XX.
a) b)
Fig. 4.1 a) i b). Primul tranzistor cu contacte punctiforme i primul tranzistor cu jonciuni.
Imaginat nc din 1948 de ctre William Shockley, tranzistorul bipolar cu jonciuni (prescurtat
BJT - Bipolar Junction Transistor n lb. eng.) este un dispozitiv semiconductor de tip sandwich, a crui
structur fizic conine trei regiuni semiconductore distincte: emitorul, baza i colectorul, aa cum se vede n
Fig. 4.1 c) i d) Pentru tranzistoarele PNP, emitorul i colectorul sunt de tip p, adic purttorii majoritari sunt
1 O istorie fascinant a inventrii tranzistorului bipolar putei gsi la www.pbs.org/transistor/index.html.

golurile, pe cnd baza este de tip n, aici purttorii majoritari fiind electronii. Dei de acelai tip, emitorul i
colectorul difer prin concentraia de purttori majoritari, care este mult mai mare n emitor. La tranzistoarele
NPN tipurile sunt inversate, emitorul i colectorul fiind de tip n iar baza de tip p. Elementele cheie n
funcionarea tranzistorului sunt grosimea mic a bazei i nivelul ei sczut de dopare (conductivitate redus).
emitor baza colector emitor baza colector

p n p n p n
3.7 mm 3.7 mm
m m
E C E C
IE + - IC IE - + IC
- + + -
B IB B IB
PNP NPN
c) d)
e)
Fig. 4.1 c), d) i e). Tranzistoare bipolare, structur, simboluri i cteva dintre tipurile de capsule utilizate.
n figur sunt date i simbolurile pentru cele dou tipuri de tranzistoare.
Sgeata arat care este terminalul emitorului; sensul ei este sensul n care conduce jonciunea emitor
baz, jonciune care controleaz starea "robinetului"
Primele tranzistoare cu jonciuni erau fabricate prin extragerea unui monocristal de tip bar dintr-o
topitur de germaniu dopat n; n timpul extragerii, extrem de lente, regiunea bazei era dopat p. Au aprut
apoi alte tehnologii mai perfecionate care au mbuntit performanele tranzistoarelor bipolare obinute.
Astzi se realizeaz o gam foarte larg de tranzistoare, pentru diferite aplicaii: joas i medie frecven,
nalt frecven, aplicaii liniare, aplicaii de comutaie, etc.. n acest manual atenia noastr va fi concentrat
asupra aplicaiilor de joas i medie frecven. n acest domeniu, capsulele tranzistoarelor (Fig. 4.1 e) sunt
diferite dup mrimea curentului maxim pe care l pot suporta (de la 100 mA la 10 A) i dup puterea termic
pe care o pot disipa (de la 300 mW la 110 W)
Deocamdat ne vom focaliza atenia numai asupra tranzistoarelor NPN; dup ce vom ntelege bine
cum funcioneaz acestea, cnd va trebui s utilizm tranzistoare PNP nu va trebui dect s inversm sensurile
tuturor tensiunilor i curenilor. Dei primul material semiconductor utilizat n construcia tranzistoarelor a
fost germaniul, datorit puternicei lor sensibiliti termice aceste tranzistoare au fost nlocuite complet de
tranzistoarele cu siliciu; din acest motiv
vom aborda n cele ce urmeaz numai tranzistoarele cu siliciu,
chiar dac nu vom meniona de fiecare dat acest lucru explicit.
E C E C E C E C
B B
circuit
extern circuit
extern
B circuit
extern B circuit
extern
f) g)
E C E C
_ _
+
0.6 V
B
10 V
+
_ + 0.6 V B
10 V
+
_
h)
Fig. 4.1 f), g) i h). Tranzistoare bipolare: echivalena cu dou diode dac numai una din jonciuni este
polarizat (e, f) i absena acestei echivalene cnd ambele jonciuni sunt polarizate (g).
Tranzistorul are dou jonciuni semiconductoare, una emitor-baz i cealalt baz-colector. Dac le
investigm separat (al treilea terminal fiind lsat n gol), ele se comport ca nite diode, aa cum se poate
observa n Fig. 4.1 f) i g). La tranzistoarele de putere mic, jonciunea emitor baz are tensiunea invers de
strpungere cobort n jur de 6 V; din acest motiv e bine s privim aceast jonciune ca o diod Zener aa cum
am figurat i noi n aceste desene. Efectul de tranzistor apare atunci cnd polarizm ambele jonciuni: cea
emitor baz n sens direct iar cea colector baz n sens invers: datorit grosimii mici a bazei, cele dou
jonciuni nu funcioneaz independent, aa cum ar fi fcut-o dou diode legate ntre ele prin conductoare (Fig.
4.1 h).
Atenie, acesta este un experiment imaginar i l-am construit ct mai simplu posibil; dac l
ncercai n practic i tensiunea sursei care polarizeaz jonciunea baz-emitor crete accidental cu
numai 0.180 V, curentul de emitor va crete de 1000 de ori i jonciunea va fi pulverizat. n circuitele
practice se utilizeaz todeauna o rezisten legat n serie, pentru limitarea curentului prin jonciune.
S vedem n ce const efectul de tranzistor. Dac dorim ca tranzistorul s funcioneze ca un robinet

controlat, cele dou jonciuni trebuie polarizate ntr-un anumit mod: jonciunea emitor baz, care va controla
robinetul, trebuie s fie direct polarizat (deschis) iar jonciunea colector baz trebuie s fie invers polarizat.
Regimul de lucru al tranzistorului cu jonciunea emitor baz deschis iar jonciunea colector baz invers
polarizat este denumit regim activ normal.
I E I CB0

IE I C
_ +
0.6 V _ 10 V
+ IB
a) b)
10 mA 9.9 mA 20 mA 19.8 mA
IE IC IE IE IC I E
_ _
IB + IB +
0.6 V _ 10 V 0.62 V _ 10 V
+ +
foarte mic foarte mic
0.1 mA 0.2 mA
c) d)
10 mA 9.9 mA 10 mA 9.9 mA
IE IC I E IE I C IE
_ _
IB + 0.6 V IB
0.6 V _ 10 V +
+ foarte mic
foarte mic
0.1 mA 0.1 mA
e) f)
Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.

Polarizm mai nti jonciunile, separat, pe rnd; aa cum am spus, n aces caz, tranzistorul se
comport ca un ansamblu de dou diode montate "spate la spate". Jonciunea emitor-baz se deschide i ntre
emitor i baz circul un curent de ordinul de ordinul mA - zeci de mA (Fig. 4.2 a). Dependena curentului de
tensiune este una exponenial
V EB
I E e mVT 1 ; (4.1)

cu m apropiat de valoarea 2, ca la o diod cu siliciu. n ceea ce privete jonciunea colector baz (desenul b),
aceasta este invers polarizat (am desenat lng simbol dioda echivalent pentru ca acest lucru s fie evident) i
curentul de colector (notat cu I CB0 pentru a arta c emitorul este "n gol") este practic nul.
Aplicm apoi simultan sursele de tensiune, ca n desenul c) al figurii, i, surpriz, curentul de emitor,
n loc s circule prin terminalul bazei, circul practic integral prin terminalul colectorului, dei jonciunea
colector baz este invers polarizat.
Aplicarea atent a legii curenilor arat c, dei curentul de baz este foarte mic, la cealalt
born a sursei de 0.6 V curentul este egal cu I E , la fel ca la borna legat n emitor. Pentru a nu complica
desenul, sgeile "groase", care sugereaz mrimea curenilor, au fost desenate numai la terminalele
tranzistorului.
Dac modificm polarizarea jonciunii emitor baz, deschiznd-o mai mult (desenul d), curenii de
emitor i colector, rmnnd n continuare practic egali ntre ei, cresc. Spre deosebire de circuitul cu dou
diode,
n tranzistor, curentul de colector este controlat de tensiunea aplicat pe jonciunea emitor baz.
Acest efect este datorat grosimii mici a bazei, mult mai mic dect lungimea de difuzie a electronilor, i doprii
sale slabe; astfel, la strbaterea acesteia, electronii injectai din emitor au foarte puine anse s ntlneasc
goluri i s se recombine cu ele.
Mai mult, la tranzistoarele de putere mic (sute de mW), curentul de baz este de sute de ori mai mic
dect ceilali i
curentul de colector este practic egal cu cel de emitor, curentul de baz fiind mult mai mic dect
acetia.
Chiar i la tranzistoarele de putere mare curentul de baz este foarte mic, de 20 -50 ori mai mic dect ceilali
doi i afirmaia anterioar rmne valabil.
Pentru I E 0 , rezult, conform afirmaiei anterioare c i curentul ar trebui s fie nul. La
polarizarea invers a jonciunii colector baz cu cel puin cteva zecimi de volt, acest lucru nu este perfect
exact pentru c jonciunea colector-baz fiind invers polarizat, vom avea n colector curentul invers I CB0 al
jonciunii. Relaia ce leag curenii de colector i emitor se scrie
I C I E I CB0
(4.2)
unde constanta se numete amplificare n curent (n conexiunea baz comn) i are valori foarte apropiate
de unitate (fiind mprtiat de la exemplar la exemplar i dup tipul tranzistorului aproximativ ntre 0.95 i
0.998).
Pentru tranzistoarele cu germaniu, curentul I CB0 nu putea fi neglijat, mai ales cnd temperatura
tranzistorului cretea, i din aceast cauz aceste tranzistoare nu se mai utilizeaz. n schimb, pentru
tranzistoarele cu siliciu, curentul invers al jonciunii colector-baz este de aproape 1000 de ori mai mic dect la
cele cu germaniu. Putem, astfel, s uitm complet de el. Ni-l vom aminti doar atunci cnd vom studia efectul
modificrii temperaturii asupra caracteristicilor tranzistoarelor. i vom trage concluzia c nu el este vinovatul
principal.
i aceasta nu e tot. Revenim la polarizarea iniial a jonciunii emitor-baz (desenul e) i modificm
acum valoarea tensiunii care polarizeaz invers jonciunea colector-baz, cobornd-o chiar la zero, cu un
scurtcircuit ntre colector i baz (desenul f). Curentul de colector rmne insensibil la manevra noastr !
n regiunea activ normal, curentul de colector este practic independent de tensiunea colector
baz.
Scopul circuitelor electronice este, n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informaiei).

Exist o pereche de borne de intrare, numit port de intrare, ntre care se aplic o tensiune variabil din
exterior. La o alt pereche ce borne, numit port de ieire este legat un consumator de energie pe post de
sarcin (eventual un alt circuit). Rolul circuitului este ca starea portului de ieire (tensiunea i curentul de
ieire) s fie controlat de starea portului de intrare, dup o anumit relaie funcional. Pe de alt parte, ne-ar
conveni ca starea portului de intrare s fie influenat ct mai puin de cea a portului de ieire.
Tranzistorul are numai trei terminale; astfel, unul dintre ele va trebui s fie comun att portului de
intrare ct i celui de ieire. n configuraia n care am investigat noi comportarea tranzistorului, baza era
terminalul comun celor dou porturi; am utilizat, deci, o configuraie cu baza comun.
n conexiunea cu baz comun, portul de intrare este ntre emitor i baz iar portul de ieire este
ntre colector i baz, baza fiind astfel comun celor dou porturi.
Aceast conexiune permite explicarea mai comod a funcionrii tranzistorului pentru c cele dou
surse de tensiune controleaz separat tensiunile pe cele dou jonciuni. n plus, conexiunea ofer anumite
avantaje n cteva tipuri de aplicaii.
Funcionarea n regim static a unui dipol poate fi descris prin dependena funcional curent-
tensiune, numit caracteristic static. Starea unui dispozitiv care are un port de intrare i unul de ieire, cum
este tranzistorul, este determinat, ns, de patru variabile, care sunt curenii i, respectiv, tensiunile la fiecare
din porturi. Vom avea nevoie, deci, de mai multe tipuri caracteristici:
- caracteristica de intrare (dependena curent-tensiune la portul de intrare)
- caracteristica de ieire (dependena curent-tensiune la portul de ieire)
- caracteristici de transfer, care leag o mrime de la ieire (curent sau tensiune) de o mrime de la
intrare. Dac dorim s nelegem cum se comport tranzistorul n circuitele n care este utilizat, va trebui s
vedem cum arat caracteristicile sale statice.
1. B. Caracteristica de intrare
Prin caracteristic de intrare nelegem dependena curent-tensiune de la portul de intrare, adic I E

n funcie de VEB . Dei baza tranzistorului este i ea legat la portul de intrare, curentul de baz nu este
curent de intrare deoarece, aa cum am subliniat anterior, la ambele borne ale sursei de tensiune care
realizeaz controlul curentul are valoarea I E . Pentru a nu complica discuia, vom nelege aici, prin tensiunea
VEB , mrimea (fr semn) a tensiunii de polarizare a jonciunii emitor baz; cu alte cuvinte, nu vom mai lsa
n seama caracteristicii de intrare s ne aminteasc polaritatea necesar pentru a ne situa n regiunea activ
normal. Acelai lucru l aplicm i pentru curentul de intrare. Aceast abordare are avantajul c forma
caracteristicii arat la fel i pentru tranzistoarele PNP.
Caracteristica de intrare trebuie trasat la anumite condiii constante la portul de ieire. Cum IC
este practic egal cu I E , nu pe el l putem pstra constant; nu avem de ales, va trebui s pstrm constant
tensiunea de ieire VCB . n aceste condiii, caracteristica de intrare I E f ( VEB ) V const . este una
CB
exponenial,
VEB
VT
I E I0 e (4.3)
tensiunea de deschidere fiind, pentru tranzistoarele bipolare cu siliciu, n jur de 0.6 V. Cnd curentului de
colector i se ofer o cale pe care s circule (colectorul nu este n gol) parametrul m este unitar deoarece baza
este foarte subire i recombinrile au loc exclusiv n regiunea neutr a colectorului. Din acest motiv numitorul
de la exponenial este exact VT i curentul de emitor se multiplic cu 10 la fiecare cretere cu 60 mV a
tensiunii emitor-baz, ca la o diod cu germaniu.
La portul de intrare, tranzistorul nu se comport ca un rezistor, caracteristica sa fiind neliniar i
similar cu aceea a unei diode. Pentru a caracteriza efectul unei mici variaii a tensiunii VEB , introducem
rezistena dinamic, ce caracterizeaz local caracteristica (depinde de punnctul unde se calculeaz)
reb d V EB d I E ; (4.4)
Din relaia (4.3) rezult c ea are expresia
reb VT I E (4.5)
fiind invers proporional cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 , pe cnd la 10 mA coboar la

2.5 .
Depinde caracteristica de intrare de tensiunea de la portul de ieire ?

n mod ideal, ar trebui ca starea portului de ieire s nu afecteze starea portului de intrare de unde se
face controlul dispozitivului. Pentru tranzistorul bipolar, acest lucru este aproximativ adevrat. Cu toate
acestea, o analiz mai atent poate constata curent de emitor (mA)
1.00
modificarea caracteristicii de intrare, dac se
schimb valoarea tensiunii VCB colector-baza la
V CB = -10 V
care este ea trasat. Acest efect, numit efect Early,
se pune n eviden mai comod pe o scar
logaritmic pentru curent (Fig. 4.3) . Astfel, dac 0.10 VCB = 0 V
VCB se modific de la 0 la 10V, caracteristica de
intrare este pur i simplu translatat n sus. Aceasta
nseamn c putem descrie efectul fie la VEB
constant, prin nmulirea curentului de emitor cu un
0.01
factor de aproximativ 1.1 (cretere de 10 %), fie la 0.50 0.55 0.60
I E constant, fiind necesar acum o tensiune VEB cu
aproximativ 2 mV mai mic. Cele mai multe texte tensiune emitor-baza (volti)
prefer a doua variant, afirmnd c la creterea Fig. 4.3. Modificarea caracteristicii de intrare la
tensiunii colector-baz scade tensiunea emitor baz, variaia tensiunii colector baz.
factorul VEB VCB fiind n valoare absolut de
ordinul a 10-4 (de cele mai multe ori informaia c aceasta se ntmpl dac pstrm constant curentul I E este
omis, producnd confuzie pentru nceptori).
Observaie: Pentru diferite valori constante ale tensiunii de ieire VCB se obin curbe diferite
I E f (VEB ) ; acest ansamblu de curbe este numit de multe ori "familia caracteristicilor" de intrare. Noi
vom continua s utilizm ns o terminologie mai simpl, vorbind despre caracteristica de intrare i
influenarea sa de ctre parametrul VCB . Acest lucru va fi valabil i pentru celelalte tipuri de caracteristici.
1.C. Caracteristicile de transfer
Mrimea de ieire care este controlat prin starea portului de intrare este curentul de colector.
Putem considera, cu egal ndreptire, c el este controlat fie de curentul de emitor (curentul de la portul de
intrare), fie de tensiunea emitor-baz (tensiunea de la portul de intrare). n ambele cazuri, parametrul care
trebuie meninut constant este tensiunea colector baz.
Aa cum am spus, la tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de colector este neglijabil i avem
ndeplinit relaia (4.2)
IC I E .
Cum 1, caracteristica de transfer IC f ( I E ) este o linie dreapt, practic identic cu prima

VCB const.
bisectoare. La modificarea tensiunii VCB , factorul de amplificare se modific extrem de puin, crescnd cam
cu 10 4 volt .
Considernd c tensiunea emitor baz controleaz curentul de colector, caracteristica de transfer
IC f (VEB ) este descris de relaia
VCB const.
VEB
VT
IC I se ; (4.6)
dac privim tranzistorul ca un robinet controlat de tensiune, funcionarea sa este foarte neliniar. Pentru
tensiuni pn la 0.6 V curentul este nesemnificativ, pentru ca apoi creterea s fie exploziv. Avem, de fapt,
aceeai comportare de la dioda cu germaniu:
dublare a curentului la fiecare cretere cu 18 mV i multiplicare cu 10 la fiecare cretere de 60 mV.
Pentru a caracteriza sensibilitatea controlului se definete un parametru dinamic, numit

transconductan dinamic
d IC
gm (4.7)
d V EB ;
se poate arta imediat c

I
gm C (4.8)
VT
unde IC este valoarea n jurul creia s-a calculat transconductana iar VT este potenialul termic (25 mV la
temperatura camerei).
1.D. Caracteristica de ieire
Pstrind constant intensitatea curentului de emitor, caracteristica de ieire IC f ( VCB ) are forma
din Fig. 4.4 a), adic o dreapt orizontal. Ecuaia care descrie caracteristica este IC I E i cum I E este
constant....Ct de constant este, ns, factorul la variaia tensiunii colector baz ? El variaz cam cu 10-4
pe volt i cum noi am produs o variaie de 10 V, curentul de colector a crescut cam cu o miime din valoare lui,
cretere insesizabil cu un aparat de msur analogic (cu ac indicator) i la fel de insesizabil pe graficul
nostru).
Tranzistorul se comport la portul de ieire ca o surs de curent aproape ideal, aa cum este artat
n desenul c) al figurii. La o valoare a curentului de 1 mA, rezistena ei echivalent este de ordinul a
10V 10V
10M . Cum la aceeai modificare a tensiunii colector-baz variaia curentului este
I E 10-3 1mA 10-3
proporional cu valoarea sa iniial, valoarea rezistenei este invers proporional cu valoarea curentului de
emitor.
IC (mA) IC (mA)
6 6
5 IC(0)5
V
4 4 rcb = CB
IC
3 IE = constant = 5 mA 3
2 2 VEB = constant
1 1
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
VCB (V) VCB (V)
a) b)
IC
C
(0) +
IC
c) rcb V CB
-
B
Fig. 4.4. Caracteristica de ieire i modelarea portului de ieire.
Ce s-ar fi ntmplat dac ne-am fi hotrt s pstrm, la portul de intrare, tensiunea emitor-baz
constant n locul curentului de emitor ? De data aceasta, n expresia IC IE , s-ar fi modificat i i
valoarea I E a curentului de emitor iar caracteristica de ieire ar fi artat ca n Fig. 4.4 b), curentul de colector
modificndu-se aproximativ cu o zecime din valoarea sa atunci cnd tensiunea colector baz variaz de la zero
la 10 V. Cnd am discutat modificarea caracteristicii de intrare la variaia tensiunii de ieire am remarcat pe
graficul din Fig . 4.3 o variaie a curentului de emitor de 10%. Cum variaz extrem de puin, aceasta este
acum cauza principal a variaiei curentului de colector. Acum portul de ieire nu mai este aa de aproape de o
surs ideal de curent: rezistena sa dinamic, calculat tot la un curent de 1 mA este n jur de
10V
100 k , performan ce este de 100 de ori mai modest dect n cazul n care menineam I E
1mA 10 -1
constant.
Cine pstreaz constant curentul de emitor n circuitele practice ?
curentul de emitor (mA)

7
RE IE IC
6
- 5
_ 1
+ IB + 4 panta = -
E VCB _ RE
+ 3
2 E
1
a) 0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
tensiunea emitor-baza (volti)

b)
N
(0)
noul PSF 0.1 I C
c)
(0)
IC
M
2 mV dreapta de
sarcina
Fig. 4.5. Modificarea PSF de la intrare la variaia tensiunii colectr-baz n cazul unui circuit
practic.
n circuitele practice nu se pstreaz nici tensiunea VEB constant (nu ne convine pentru c
performanele sunt modeste) i nici I E (ne-ar trebui o surs ideal de curent, or tocmai asta vrem s realizm
cu tranzistorul nostru). Jonciunea emitor baz este polarizat cu un circuit care conine o surs de tensiune E
i un rezistor cu rezistena RE , ca n Fig. 4.5 a). Punctul de funcionare (curentul de emitor i tensiunea emitor
baz) se gsete la intersecia caracteristicii cu dreapta de sarcin, care are panta I E VEB 1 RE , aa
cum se vede n Fig. 4.5 b).
Metoda dreptei de sarcin a fost descris pe larg n Cap. 3 la pag. 66.

Pentru a urmri cum se modific acest punct de funcionare (PSF) la schimbarea tensiunii colector-
baz, cele mai comode sunt coordonatele liniare (desenul c al figurii). S presupunem c la VCB 0 punctul
( 0)
de funcionare se gsete la ICB . La creterea tensiunii colector baz la valoarea de 10 V, avem o nou
caracteristic de intrare: cunoatem dou puncte de pe aceasta, punctul M la 2 mV la stnga pe orizontal i
( 0)
punctul M cu o zecime din ICB mai sus, pe vertical ca n desenul c) al figurii.
Este evident din figur c tensiunea emitor baz-emitor scade cu mai puin de 2 mV. Din acest motiv
vei ntlni n multe texte afirmaia c "tensiunea emitor baz scade cu 2 mV..."; aceasta trebuie neleas n
sensul cazului cel mai defavorabil: "tensiunea scade cu cel mult 2 mV..." Putem deduce imediat c valoarea
curentului de emitor crete cu mai puin de 2mV RE . Dac pe rezistena RE am fi acceptat s pierdem o
(0) 2mV
tensiune I E RE U RE , variaia relativ a curentului de emitor I E I E( 0 ) ar fi mai mic dect . Cu o
U
RE
cdere de tensiune de 2 V pe rezistena din emitor (ceea ce nu constituie o problem), curentul de emitor crete
la variaia cu 10 V a tensiunii colector baz cu numai o miime din valoarea sa; efectul este de aceeai mrime
cu cel produs de variaia factorului .
n concluzie, la o variaie de 10 V a tensiunii colector baz, curentul de colector crete cu
0.2 - 0.5 %. Aceasta este performana pe care ne-o poate oferi sursa de curent realizat cu circuitul simplu din
Fig. 4.5 a). Dac o exprimm n termeni de rezisten dinamic a portului de colector, la un curent de 1 mA,
obinem o valoare n jur de 2 - 5 M.
Rezistena dinamic obinut va fi, ns, invers proporional cu valoarea curentului.
1.E. Saturaia tranzistorului
Ce condiie trebuie s respectm pentru ca

IC (mA)
portul colector-baz s se comporte ca o surs de
jonctiunea colector-baza jonctiunea colector-baza
curent ? Din Fig. 4.4 a) rezult c dac tensiunea
polarizata direct polarizata invers
colector baz este mai mare ca zero, totul este n 1
regul. Aceast tensiune nu poate depi o anumit
valoare maxim, peste care jonciunea colector-baz se
IE = 1 mA
strpunge invers. Dar dac polaritatea tensiunii VCB se 0
schimb ? Jonciunea colector baz devine direct -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
polarizat i, dup depirea tensiunii de deschidere, VCB (V)
prin ea ncepe s treac un curent din ce n ce mai -1
mare, care are sensul invers celui determinat de
curentul de emitor. Astfel, curentul total de colector
ncepe s scad (Fig. 4.6), ajunge la zero, schimb Fig. 4.6. Caracteristica de ieie la inversarea
sensul i crete n continuare puternic (n valoare polaritii tensiunii colecor baz.
absolut), deoarece devine dominant curentul de
conducie direct al jonciunii colector-baz.
n regiunea n care jonciunea colector-baz este deschis, numit regiune de saturaie, relaia IC I E
nceteaz s mai fie respectat i curentul de colector nu mai este controlat de portul de intrare.
Pentru ca tranzistorul s se comporte sigur ca o surs de curent, tensiunea VCB trebuie s fie cuprins ntre
valoarea zero i valoarea VCB max specificat de fabricant. Aceasta este compliana de tensiune a sursei de
curent realizat cu tranzistorul nostru.
Utilizarea unei surse de curent nu se face, ns, prin cuplarea direct la bornele sale a unei surse de
tensiune ci prin intercalarea unei sarcini care s beneficieze de curentul constant al sursei de curent, ca n Fig.
4.7 a). n general, parametrul care se modific este valoarea rezistenei de sarcin i vom analiza evoluia
punctului de funcionare prin metoda dreptei de sarcin.
R s = E C I0 IC (mA) Rs = 0
sarcina R s N M
R s > E C I0
RE I0
O
IE I0
_
+ EC
+ EE _
Rs =
0
-0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
- VCB (V)
EC
a) b)
Fig. 4.7. Efectul modificrii rezistenei de sarcin cuplat la sursa de curent.
La polarizare invers a jonciunii colector baz, portul colector-baz se comport ca o surs de

curent de valoare I0 . Pe de alt parte, intersecia cu axele ale dreptei de sarcin sunt situate la EC i EC Rs .
Dac sarcina este un scurtcircuit ( Rs 0 ), dreapta este vertical i punctul de funcionare este n poziia M,
n regiunea unde portul colector-baz se comport ca o surs de curent. Pe msur ce rezistena de sarcin
crete, punctul de funcionare se deplaseaz spre stnga pe caracteristica de ieire a tranzistorului. Atunci cnd
Rs EC I0 , toat tensiunea sursei EC cade pe rezistena de sarcin i tensiunea colector-baz ajunge la
valoarea zero (punctul de funcionare N); aici, nc portul de ieire se comport ca o surs de curent.
Creterea rezistenei de sarcin peste valoarea Rs EC I0 duce, ns, la schimbarea polaritii
tensiunii colector-baz dei sursa de alimentare nu i-a modificat polaritatea (punctul O pe figur).
Jonciunea colector baz ncepe s devin direct polarizat i apoi se deschide.
Regimul de funcionare al tranzistorului cu ambele jonciuni deschise se numete regim de saturaie ;

n acest regim circuitul nceteaz s se mai comporte ca o surs de curent.
Cum structura tranzistorului este simetric, emitorul i colectorul avnd acelai tip de dopare iar ambele
jonciuni sunt deschise,
n regimul de saturaie potenialele colectorului i emitorului devin practic egale.
La creterea n continuare a rezistenei de sarcin, punctul de funcionare se deplaseaz n jos,

ajungnd la limita Rs (circuit ntreupt n colector) la valoarea IC 0 , aa cum era de ateptat. Trebuie
menionat c n regiunea de saturatie curenntul de colector nceteaz s mai fie controlat de curentul de emitor.
n concluzie,
pentru ca tranzistorul s se comporte ca surs de curent, rezistena de sarcin din colector trebuie s aib
valoarea ntre zero (scurtcircuit) i Rs EC I0 .
1.F. Depirea dificultilor conexiunii baz comun
Am vzut c efectul fundamental al tranzistorului este controlul curentului de colector (independent

de tensiunea colector baz) de ctre curentul de emitor. Caracteristica de transfer IC f (VEB )
VCB const.
este una exponenial i, pentru a putea face acest lucru, jonciunea baz-emitor trebuie, mai nti, deschis
prin aplicarea unei tensiuni n jur de 0.6 V; aceasta stabilete un curent de repaus (quiescent n lb. englez).
Operaia este numit polarizare (bias n lb. englez). Peste regimul de repaus se adun, apoi, mici variaii
provocate de o surs de semnal (de exemplu, un microfon) care modific puin tensiunea emitor-baz
VEB rbe I E , aa cum se observ n Fig. 4.8. Modificarea curentului de colector IC I E provoac,
datorit valorii mari a rezistenei RC (mult mai mari dect a rezistenei dinamice reb egal cu cteva zeci de
), variaii ale tensiunii de colector de sute de ori mai ample dect ale tensiunii de intrare.
VC
3V
15 V
R C 10 k
Vs
+5 mV
IE IC IE
0 ~ Vs
-5 mV +
IB _ 30 V
_
+ 0.6 V
Fig. 4.8. Amplificarea variaiilor tensiunii de intrare.
Tranzistorul este, fr ndoial un consumator de energie. Cu toate acestea, dac lum n

consideraie numai variaiile, acestea au la ieire o putere electric mai mare dect cea de la intrare; diferena
este, desigur, furnizat de sursa de alimentare din colector, tranzistorul controlnd numai modul n care aceast
energie este furnizat sarcinii. Pentru c reuete s "amplifice" puterea semnalului variabil, tranzistorul este
considerat n electronic un element activ de circuit. Nu trebuie s uitm, ns, c acest lucru este aparent i
valabil numai pentru variaii.
Circuitul din Fig. 4.8 prezint, ns, inconveniente majore, ce afecteaz att sursa de tensiune
continu necesar pentru polarizare ct i sursa de semnal. n ceea ce privete polarizarea, cele dou surse de
tensiune continu au polariti opuse fa de borna lor comun i va trebui obligatoriu s construim dou
surse de alimentare diferite. Aceast variant este complet neeconomic i este evitat prin deplasarea sursei
de polarizare lng terminalul bazei, ca n Fig. 4.9 a). Pentru a pstra 25 V ntre colector i baz, cretem cu
0.6V tensiunea sursei din ochiul colectorului. Aceasta dac suntem exagerat de scrupuloi; putem la fel de bine
s nu o facem deoarece tim c o variaie de 0.6 V a tensiunii colector baz nu afecteaz practic funcionarea
tranzistorului. n acest mod, am reuit s facem ca ambele surse de tensiune continu s fie legate cu borna
negativ la mas; putem s construim o singur surs de alimentare de 25 V, iar tensiunea de 0.6 V s o
realizm cu un divizor rezistiv, ca n desenul b) al figurii. Mai mult, acum curentul care strbate sursa este
curentul de baz. Merit s exprimm valoarea acestuia
I B I E IC I E (1 ) IC (1 ) ; (4.9)
cum este foarte aproape de unitate, factorul (1 ) are valori sub 1 100 . n consecin, sursa de polarizare
va trebui s debiteze un curent sub o zecime de mA, uurnd astfel realizarea divizorului rezistiv. Aceasta este
ntodeauna soluia aleas n circuitele practice.
IE IC IE IE IC IE
RC
1 mA
IB IB
+ 0.1 mA R1 +
foarte mic _ 25.6 V _ 25 V
+
0.6 V _
+
0.6 V R2
-
a) b)
IE IC IE IE IC IE
IB semnal IB
+ +
semnal ~ Vs _ 25 V ~ Vs polarizare _ 25 V
+_ 0.6 V
+
polarizare _ 0.6 V
c) d)
Fig. 4.9.
S ne ocupm acum i de sursa de semnal, care produce variaia curentului de colector. Pe circuitul
cu baz comun (Fig. 4.8) sursa de semnal trebuie s debiteze cureni I E IC egali cu cei pe care i
controleaz. Cu alte cuvinte, dac dorim s controlm curentul de nclzire de 10 A al unui cuptor, va trebui s
avem o surs de semnal capabil s vehiculeze i ea 10 A. Cam neplcut, nu ? Rezolvarea dificultii se face
deplasnd i sursa de semnal lng terminalul bazei, ca n Fig. 4.9 c). Curentul de intrare este acum curentul de
baz, curentul cerut de la sursa de semnal fiind de o sut de ori mai mic dect nainte. Putem acum controla
curentul de 10 A ai cuptorului cu un curent de numai 0.1 A; l putem obine chiar i de la o baterie de lantern.
n noua configuraie, n care emitorul este comun, curentul de colector este controlat de curentul de
baz. Dependena se obine simplu, din legea curenilor i IC I E

IC IB IB . (4.10)
1
Deoarece aceast conexiune este de departe cea mai utilizat, factorul , numit factor de amplificare n curent
n conexiunea emitor comun, este parametrul interesant n aplicaii.
Exist, ns, aplicaii unde conexiunea cu baz comun ofer anumite avantaje. n aceste cazuri, dei
sursa de polarizare s-a deplasat lng terminalul bazei, sursa de semnal rmne n ochiul emitorului (Fig. 4.10
d).
1.G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare
sarcina sarcina
RE RE
IE IC IE IC
_
IB + IB +
EE EC _ _ EC
+
+ EE
_
a) b)
Fig. 4.10 a) i b). Sursa de curent cu tranzistor NPN.

Am vzut c dac polarizm jonciunea emitor-baz trecnd curentul de emitor printr-un rezistor pe
care pierdem civa voli, portul de ieire dintre colecor i baz se comport ca o surs de curent cu rezistena
echivalent de ordinul M. S relum schema circuitului, ca n Fig. 4.10 a) unde am desenat i o sarcin, care
nu este neaprat liniar i care se poate modifica n timp. Circuitul prezint un inconvenient pe care tocmai l-
am discutat: cele dou surse au polariti diferite fa de borna comun (baza). Utilizm trucul prezentat acolo,
deplasnd una din surse de-a lungul ochiului de circuit, ca n desenul b) al figurii. Realizm apoi aceast surs
cu un divizor rezistiv (Fig. 4.10 c). Nu mai rmne dect s redesenm schema mai elegant, cu linia de potenial
ridicat n partea de sus a figurii, s alegem ca nod de mas borna negativ a sursei de alimentare i, n final, s
renunm la desenarea explicit a sursei de alimentare, trecnd doar valoarea ei. Ceea ce am obinut (desenul d)
este configuraia tipic n care vei gsi n scheme sursa de curent cu tranzistor NPN.
Va trebui s nvtai s o desenai n aceast form i s nelegei funcionarea sa n aceast
form. Aceasta este extrem de simpl: curentul de baz fiind foarte mic, divizorul format din rezistoarele R 1
i R2 este practic nencrcat i menine constant tensiunea notat pe schem cu U 2 . Cum i tensiunea emitor
baz este practic constant, rezult c tensiunea pe rezistorul din emitor este constant, deci curentul de
emitorul este meninut constant. n final nu trebuie dect s v amintii c valoarea curentului de colector este
practic egal cu aceea a curentului de emitor:
U1 const.
U RE const. I E const. I C const.
VEB const.
sarcina + V alim
RE + Valim
sarcina
IE IC R1
IC sarcina
IB V alim
R2
R1
+
_
+
+
0.6 V - IE

U2 R2
RE
complianta de tensiune : VE < VC V alim

c) d)
Fig. 4.10 c) i d). Sursa de curent cu tranzistor NPN, realizare practic.
V alim
i acum, merit s ne aducem aminte c + +
exist i tranzistoare bipolare PNP la care RE V alim
sensurile tensiunilor i curenilor sunt inverse fat R 1 U1 -
de cele de la tranzistoarele NPN. Cu un asemenea IE
_ UEB +
tranzistor NPN, sursa de curent arat ca n Fig.
4.11. ntre cele dou surse de curent exist o
deosebire esenial: sursa cu tranzistor PNP
-
IC

debiteaz curent nspre nodul de mas (fiind R
2
legat cu o born la alimentarea pozitiv) n timp sarcina sarcina
ce sursa cu tranzistor NPN absoarbe curent
nspre nodul de mas, fiind legat cu o born la
mas. Din acest motiv, aceasta din urm se mai
numete uneori n limba englez "current sink"
complianta de tensiune : 0 VC < VE
(absorbant de curent).
Trebuie s ne ntrebm, pentru aceste
Fig. 4.11. Surs de curent cu tranzistor PNP.
surse, ct de mare este compliana de tensiune. Pe
de o parte potenialul colectorului poate s ajung
pn la borna sursei de alimentare, cea de mas n circuitul cu tranzistor PNP i, respectiv, cea de potenial
pozitiv n circuitul cu tranzistor NPN. Pe de cealalt parte, excursia acestui potenial este limitat de intrarea
n saturaie a tranzistorului, prin deschiderea jonciunii colector baz. n amndou circuitele, indiferent de
tipul tranzistorului, la saturaie potenialul colectorului devine practic egal cu cel al emitorului, aceasta fiind a
doua limit a domeniului permis pentru potenialul colectorului.
Procedur de proiectare
Cum proiectm o surs de curent cu tranzistor NPN ca cea din Fig. 4.10, alimentat la 12 V i care
s debiteze un curent I0 2 mA ? Mai nti ne hotrm ct de mare s fie tensiunea pierdut pe rezistena din
emitor. Dac va fi prea mic, sursa va fi mai departe de idealitate, deoarece aa cum am vzut cnd am
discutat caracteristica de ieire, curentul de emitor va suferi variaii mai mari. Pe de alt parte, dac aceast
cdere de tensiune va fi prea mare, va diminua compliana de tensiune a sursei de curent. Astfel, o tensiune de
1- 2 voli pierdut pe rezistena din emitor este o alegere rezonabil.
Cunoatem, deci, potenialul emitorului. Din legea lui Ohm rezult imediat valoarea rezistenei din
emitor
RE VE I0 2 V 2 mA = 1 k .
Tot din potenialul emitorului rezult potenialul bazei, cu 0.6 V mai ridicat,
VB VE 0.6 V = 2.6 V .
Mai rmne s proiectm divizorul rezistiv. Cum valoarea curentului de baz va fi cam de
I B I0 I0 100 , valoarea curentului prin divizor va trebui s fie de cel puin 10 ori mai mare, adic
I0 10 . Rezult, astfel, suma celor dou rezistene
R1 R2 10 Valim I0 60 k .
Raportul celor dou rezistene se obine cu regula de trei simpl, din raportul tensiunilor care cade pe ele
R1 Valim VB 9. 4 V
3. 6 .
R2 VB 2.6 V
Putem opta, de exemplu, pentru valorile R2 12 k ; R1 43 k , care sunt standardizate.

n Fig. 4.12, avei reprezentat sugestiv procedura de proiectare pe care am utiliazt-o.
+ V alim
sarcina
R1
I0
3. VB = VE + 0.6 V
VB 1. alegem potentialul VE
4.
VE de 1-2 volti
R 1 + R 2 < 10 V alim I0
R2
R 1 R 2 = V alim VB - 1
RE
2. R E = VE I0
complianta de tensiune : VE < VC V alim
Fig. 4.12. Procedura de proiectare a unei surse de curent cu tranzistor NPN.

Enunuri frecvent utilizate

(att de frecvent nct merit s le memorai)
-Tranzistorul bipolar cu jonciuni (BJT) este constituit din trei regiuni semiconductoare,
emitorul, baza i colectorul. Tipul de dopare al emitorului i al colectorului este diferit de cel al bazei,
care este foarte subire. Apar astfel, dou jonciuni, emitor-baz i colector-baz.
-Dup tipul regiunilor, exist tranzistoare PNP i tranzistoare NPN, pentru care se utilizeaz
C C
B B
PNP PNP
E E
simbolurile i . Sgeata arat ntodeauna sensul n care conduce
jonciunea emitor baz; de aici putei determina uor sensurile curenilor de emitor i de baz.
-Funcionarea tranzistorului n regiunea activ normal este cu jonciunea emitor-baz direct
polarizat (deschis) iar jonciunea colector-baz invers polarizat.
-n aceast situaie IC I E , curentul de colector fiind practic egal cu cel de emitor (cu o
precizie n jur de 1 %); putei, de aici, s gasii sensul curentului de colector, dac cel de emitor intr n
tranzistor, cel de colector trebuie s ias i reciproc (din legea curenilor).
- n conexiunea cu baza comun, portul de intrare este ntre emitor i baz iar portul de ieire
este ntre colecor i baz: baza este, astfel, comun celor dou porturi.
- Portul de intrare se comport ca o diod, caracteristica sa fiind foarte puin afectat de
valoarea tensiunii de ieire (colector baz).
- La portul de ieire, tranzistorul se comport ca o surs de curent comandat de starea portului
de intrare. Comportarea este foarte apropiat de aceea a unei surse de curent constant ideale dac se
menine constant curentul de emitor. n circuitele practice, n care polarizarea jonciunii emitor baz se
face cu o surs de tensiune i un rezistor, performanele nu sunt mult nrutite, rezistena echivalent
avnd valori de ordinul M.
- Dac rezistena sarcinii are valori prea mari, tranzistorul ajunge n regiunea de saturaie, unde
jonciunea colector baz se deschide i relaia IC I E nu mai este respectat.
- Circuitele cu tranzistoare PNP i respectiv NPN, cu care se realizeaz n practic surse de
curent au configuraiile:
V alim V alim
RE
R1 R1 sarcina
I0
tranzistor tranzistor
PNP NPN
I0
R2 R2
sarcina RE
-Cel cu tranzistor PNP trimite spre mas un curent constant pe cnd cel cu tranzistor NPN
absoarbe nspre mas un curent constant.
Termeni noi
-tranzistor bipolar cu jonciuni dispozitiv semiconductor constituit din trei regiuni, emitorul, baza
i colectorul ntre care se formeaz dou jonciuni, emitor-baz i
colector-baz; baza trebuie s aib grosimea foarte mic i s fie
mult mai slab dopat;
-tranzistoare PNP tranzistoare bipolare cu jonciuni la care emitorul i colectorul sunt
de tip p iar baza de tip n;
-tranzistoare NPN tranzistoare bipolare cu jonciuni la care emitorul i colectorul sunt
de tip n iar baza de tip p;
-factorul factorul de proporionalitate ntre curentul de colector i cel de
emitor, n funcionare normal (factor de amplificare n curent n
conexiunea baz comun); are valori ntre 0.95 i 0.995;
-port pereche de borne ntre care se aplic sau se extrage un semnal de
tensiune;
-conexiunea baz comun configuraia n care tranzistorul bipolar este legat astfel nct baza
s fie comun att portului de intrare (emitor-baz) ct i celui de
ieire (colector-baz)
-caracteristic de intrare dependena curent-tensiune la portul de intrare, n condiii ale
portului de ieire bine precizate (adesea tensiune constant);
-caracteristic de ieire dependena curent-tensiune la portul de ieire, n condiii ale
portului de ieire bine precizate (adesea tensiune constant sau
curent constant);
-conexiunea emitor comun configuraia n care tranzistorul bipolar este legat astfel nct
emitorul s fie comun att portului de intrare (baz-emitor) ct i
celui de ieire (colector-emitor);
-factorul factorul de proporionalitate ntre curentul de colector i cel de
baz, n funcionare normal (factor de amplificare n curent n
conexiunea emitor comun); are expresia (1 ) avnd
valori peste o sut;
- saturaie regim de funcionare al tranzistorului n care jonciunea colector-
baz ajunge s fie deschis; n acest regim curentul de
colector nu mai este controlat de curentul de emitor;
- polarizarea tranzistorului stabilirea unui regim de curent continuu, prin deschiderea
(bias)jonciunii baz-emitor, regim peste care se suprapun apoi
variaiile ce reprezint semnalul care conine informaia;
- curent de repaus curentul regimului de curent continuu produs de polarizare; poate
(quiescent) fi msurat n absena variaiilor produse de sursa de semnal;
Probleme rezolvate
Problema 1.
Circuitul din Fig. 4.13 este o surs de curent. Schema este desenat aa cum o putei ntlni n
textele de electronic i pentru a o nelege trebuie s facem cteva precizri asupra conveniilor utilizate de
electroniti. n primul rnd, observm o mulime de elemente legate cu un capt la un simbol de forma ;
este simbolul pentru nodul de mas, toate aceste puncte sunt legate ntre ele prin firul (sau planul) de mas
care nu se mai deseneaz explicit pentru a nu complica schema. O alt deosebire fa de schemele desenate
de noi pn acum apare n privina surselor de alimenatre care nu se mai deseneaz nici ele explicit, cu
simbolurile corespunztoare lor. Cum ele sunt legate ntodeauna cu un capt la mas, se deseneaz pur i
simplu un cercule (dac se mai deseneaz i acela) i se scrie valoarea tensiunii sursei, fa de mas. Ultima
observaie este legat de valoarea rezistenelor: atunci cnd se utilizeaz un prefix (kilo sau mega) nu se mai
trece simbolul . De multe ori, aa cum se ntmpl la marcarea rezistoarelor, prefixul nlocuiete delimitatorul
zecimal: 2k2 nseamn 2.2 k iar M22 nseamn 0.22 M.
V alim V alim
15 V 15 V
+ RE
RE
5.1 k
R1 5.1 k R1
4.7 k - 10.8 V
4.7 k
+ I E 0.82 mA
IB -
10.2 V
I0 I0
R2 R2 0.82 mA
10 k 10 k
sarcina sarcina
a) b)
Fig. 4.13. Surs de curent.

a) Calculai valoarea curentului furnizat de aceast surs. tiind c tranzistorul are factorul de cel
puin 100.
b) Modificai apoi circuitul astfel nct s obinei o surs de curent de 5 mA.
Rezolvare
a) Desenm sensurile curenilor, ca n Fig. 4.13 b). Pentru aceasta ne aducem aminte c sensul
sgeii de pe simbolul tranzistorului ne d sensul curentului n jonciunea baz emitor. Avem, deci, sensul
curentului de baz i al celui de emitor. Curentul intr n emitorul tranzistorului i, cum curentul de colector
este practic egal cu cel de emitor, curentul de colector iese din tranzistor.
Divizorul format din rezistenele R1 i R2 determin potenialul bazei. Trebuie s aflm, mai nti
dac putem s considerm c el este practic nenccat de curentul cerut de baz. Pentru aceasta estimm rapid
curentul de baz. Curentul de colector (egal practic cu cel de emitor) nu poate fi mai mare de
15 V 5.1 k 3 mA (ar lua aceast valoare dac pe sarcin i ntre colector i emitor nu ar cdea de loc
tensiune). Deoarece I B IC i 100 , rezult c, n funcionare normal,

I B 3 mA 100 0. 03 mA = 30 A . Pe de alt parte, prin divizorul nencrcat ar circula un curent de
15 V (10 k 4. 7 k ) 1 mA . Acesta este mai mare de 1 0. 03 33 ori dect curentul cerut de baza
tranzitorului. Cu o aproximaie rezonabil (1 33 3% ) putem considera c divizorul nu este ncrcat de
curentul bazei.
Cu aceasta, potenialul bazei rezult aplicnd regula de trei simpl
10 k
VB 15 V = 10.2V ;
10 k 4. 7 k
cel al emitorului fiind cu aproximativ 0.6 V mai sus
VE 10. 8 V .
Nu mai avem dect s aplicm legea lui Ohm pe rezistena RE
V VE 15 V -10.8 V
I E a lim 0. 82 mA
RE 5.1 k
i s ne aducem aminte c n colector curentul este egal practic cu cel din emitor
IC I E 0.82 mA .
b) Trebuie s modificm circuitul astfel nct sursa de curent s debiteze 5 mA. Avem dou variante,
fie modificm divizorul rezistiv, fie modificm valoarea rezistorului din emitor. Cea de-a dou este mai
tentant, att calculele ct i nlocuirea efectiv fiind mai simpl, deoarece este vorba de o singur rezisten.
Cum valoarea sursei de curent este egal cu intensitatea curentului din emitor, scriem din nou legea lui Ohm pe
rezistena RE
V VE 15 V -10.8 V
I E 5 mA = a lim
RE RE
de unde rezult RE 0.84 k = 840 .

n aceste condiii, curentul de baz ajunge 0.05 mA, de 20 de ori mai mic dect curentul prin divizor,
care poate fi considerat n continuare nencrcat. Valoarea 840 nu este standardizat n seria E12 (vezi
Anexa 1), cea mai apropiat fiind cea de 820 . Cu ea sursa de curent debiteaz 5.1 mA; dac dorim s avem
o valoare mai precis, innd seama i de faptul c noi am fcut n calcul o seam de aproximaii (divizorul
nencrcat, tensiunea emitor baz egal cu 0.6 V), cel mai bine este s realizm rezistorul RE dintr-o
combinaie serie: o rezistena semireglabil de 250 (mai mic este greu de gsit) i una fix, standardizat,
de 680 . n acest fel, valoarea lui RE va putea fi ajustat ntre 680 i 930 "la cald", n timp ce msurm
cu un miliampermetru curentul furnizat de sursa de curent.
Problema 2.
Circuitul din Fig. 4.14 este utilizat ntr-un amplificator de anten pentru recepia de televiziune,
funcionnd n banda FIF, canalul 6 (aproximativ 175-180 MHz). Alimentarea este realizat cu o surs de
6 V, legat cu minusul la mas i cu borna pozitiv la captul comun al rezistenelor R 1 i R2 .
C1 L1 L2 C 6 3.3 pF out
in 1 nF IE IC
C4 C5 R4
R1 IB
1k
5.6 pF 1k
5.6 pF
R2 R3
C2
1 nF C3
2.2k 33 pF
2.2k
+6 V
Fig. 4.14. Amplificator de anten TV.

a) Determinai, cu aproximaie de cteva procente, punctul static de funcionare al tranzistorului.
Calculai, apoi, rezistenele dinamice ale porturilor emitor-baz i colector-baz. Tranzistorul este cu siliciu i
putem miza pe un factor de amplificare n curent de cel puin 50 (tranzistoarele de nalt frecven au factori
de amplificare mai mici).
b) ncercai s explicai rolul fiecruia dintre condensatoarele C 1 C6 . (numai pentru curioi,
ceilali pot omite acest punct la prima lectur).
Rezolvare
a) Rezistoarele R2 i R3 formeaz un divizor rezistiv; n absena curentului de baz, ele ar fi

parcurse de un curent de 6 V 4. 4 k = 1. 4 mA . Este curentul de baz suficient de mare pentru a modifica
semnificativ aceast situaie ? l putem estima imediat: curentul de emitor ar avea valoarea maxim dac
potenialul emitorului s-ar duce la cea mai cobort valoarea posibil, adic la zero (la mas). n acest caz el ar
fi 6 V R1 6 mA , iar curentul de baz ar avea valoarea 6 mA 0.12 mA . El ar fi, astfel, sub o zecime
din curentul de 1.4 mA care parcurge divizorul: efectul cuplrii bazei tranzistorului n nodul comun al
rezistenelor R2 i R3 poate fi neglijat n aproximaia n care lucrm. Cel care a proiecat circuitul tia ce
face, spre deosebire de muli autori de culegeri de probleme.
Astfel, am ajuns la un prim rezultat: potenialul bazei este la jumtate din tensiunea de alimentare,
adic la + 3V (regula de trei simpl aplicat pe divizorul rezistiv), VB +3 V . Cum colectorul este legat n
curent continuu direct la mas prin bobina L 1 , potenialul su este nul, VC 0 , i jonciunea colector baz
este invers polarizat, aa cum este necesar pentru a avea tranzistorul n regiunea activ.
De aici lucrurile devin att de simple c pot prea plictisitoare: jonciunea emitor baz este polarizat
direct i tranzistorul este cu siliciu, deci potenialul emitorului este cu 0.6 V mai sus, VE 3.6 V . Legea lui
6V 3.6V
Ohm aplicat pe R 1 conduce imediat la I E 2. 4 mA i, deoarece curentul de colector este
R1
egal cu acesta, IC 2. 4mA .
ntruct factorul nu este cunoscut cu precizie, tiind despre el c este pe undeva peste 50, curentul
de baz poate fi numai estimat I B 2.4mA 0 0. 05mA . Aceasta nseamn mai puin de 4% din curentul
divizorului; cam cu att ne-am nelat cnd am calculat potenialul bazei.
n ceea ce privete rezistena dinamic a portului emitor-baz rdEB d VEB d I E , calculat n
jurul punctului de funcionare determinat anterior I E 2. 4 mA , ea rezult simplu din formula
rdEB VT IE 25mV 2. 4mA 10 . Pentru rezistena dinamic dintre colector i baz nu putem s
facem dect o estimare. Contribuia factorului , conform celor spuse la seciunea C, va fi
10 M 2. 4 4 M . n plus, variaia curentului de emitor datorat variaiei lui VEB va mai produce un efect
ce poate fi modelat cu o rezistena dinamic tot de aproape 4 M (cderea de tensiune pe rezistena din
emitor este de 2.4 V, aproximativ egal cu cea din exemplul discutat la seciunea 1.C). Cele dou rezistene
apar n paralel (sunt dou variaii de curent, produse de dou mecanisme diferite, care se adun), aa c
rezistena dinamic ntre colector i baz va fi pe undeva pe la 2 M .
Observaie: n funcionarea amplificatorului, la frecvene mari, n paralel cu aceste rezistene

dinamice (calculate pentru variaii cuasistatice) trebuie considerate capacitile echivalente emitor-baz i
colector-baz. Cea dintre emitor i baz nu conteaz pentru c este n paralel cu o rezisten dinamic
foarte mic (10 n cazul nostru) dar cea dintre colector i baz are un rol esenial n funcionare. Pentru
un tranzistor de nalt frecven aceasta este de ordinul a 0.5 pF. Astfel, la frecvena de lucru de 180 MHz,
ea are o reactan de numai 1.8 k..
b) Am vzut c, pentru a putea amplifica, tranzistoarele bipolare trebuie polarizate, adic aduse ntr-
un anumit punct static de funcionare caracterizat prin valorile curenilor i potenialelor de repaus. Cnd
circuitul conine mai multe etaje, polarizarea se rezolv (n general) separat pentru fiecare etaj. Ce trebuie s
facem pentru ca, la cuplarea etajelor ntre ele, rezultatul efortului nostru de a polarizara etajele s nu se
spulbere? S mpiedicm curentul continuu s circule ntre diferite etaje. Variaiile (semnalul), care trebuie
amplificate, trebuie, totui s treac. Acest rol l ndeplinesc condensatoarele de separare C 1 i C6 .
Condensatorul C2 este cuplat ntre alimentarea pozitiv i mas, adic ntre terminalele sursei de
alimentare. El ne amintete de condensatorul de filtraj care avea rolul s furnizeze consumatorului variaiile
brute de curent. La frecvena de lucru, inductanele firelor care merg la sursa de alimentare nu pot fi neglijate
i ele se comport ca nite ocuri mpiedicnd variaiile rapide ale curentului. Din acest motiv aceste variaii
trebuie furnizate de undeva din apropierea tranzistorului, cu un condensator capabil s lucreze la frecvene
mari (cu inductan proprie foarte mic): acesta este rolul lui C2 , care de multe ori este unul fr terminale.
Condensatoarele C4 i C5 sunt legate n paralel pe nite inductane, formnd nite circuite
rezonante. Aceasta deoarece circuitul este destinat s amplifice numai o band ngust de frecvene.
A mai rmas condensatorul C3 . Pentru a nelege rolul lui trebuie s ne ntrebm mai nti ce fel de
configuraie are amplificatorul, cu emitorul comun sau cu baz comun. Pentru a rspunde la ntrebare,
cutm bornele de intrare i ieire ale semnalului (variaiilor). Ieirea este legat, prin transformatorul
L 1 L2 , n colector, aa cum ne ateptam (ntodeauna curentul de colector este mrimea controlat la un
tranzistor bipolar). Borna de intrare, prin C 1 , este legat n emitor. A mai rmas un singur terminal, baza.
Amplificatorul este, deci, cu baz comun. Acest terminal trebuie inut la potenial constant, pentru ca acolo
variaiile s fie nule i variaiile de la intrare (ale potenialului VE ) s se regseasc integral n variaiile
tensiunii emitor baz ( VEB VE VB VE 0 VE ) deoarece tranzistorul este controlat de
tensiunea emitor-baz. Pentru a ine practic constant potenialul bazei, dei curentul de baz variaz n timp,
soluia este legarea unui condensator ntre baz i mas. Datorit rezervei sale de sarcin, el va furniza
variaiile de curent fr s-i modifice semnificativ tensiunea de ncrcare. Acesta este rolul condensatorului
C3 . El scurtcircuiteaz, numai n curent alternativ, baza la mas i este numit n jarrgonul electronitilor
condensator de decuplare.
Probleme propuse
10 V
P 4.1.1. Un coleg a nceput desenarea unei scheme, pe care nu
a mai continuat-o, astfel c multe informaii lipsesc (Fig. 4.15). tiind
c simbolurile pentru tranzistoare au fost utilizate corect i c
T2
tranzistorele se gsesc n regiunea normal de funcionare, completai
schema cu polaritatea surseei de alimentare i sensurile curenilor prin T1
terminalele tranzistoarelor. De ce tip sunt tranzistoarele ?
P 4.1.2. De fapt, colegul vostru a nceput s deseneze mai
multe scheme; aa c mai avei de lucru. Completai i schema din
Fig. 4.16 a), cu aceleai informaii ca la problema precedent.
Fig. 4.15.
15 V
20 V

R E1 Rs
R B1
T
T2
T1
4.7 k sarcina
Rs R B2 R E2
a) b)
Fig. 4.16.
P 4.1.3 i, n sfrit, ultima schem,care trebuie completat cu polaritatea sursei de alimentare i

sensurile curenilor: aceea din Fig. 4.16 b).
P 4.1.4. Reluai schema din Fig. 4.16 a) pe care tocmai ai completat-o. Ai recunoscut ce este ?
tiind c cele trei diode sunt din siliciu, calculai potenialul din baza tranzistorului. Determinai apoi
potenialul emitorului i curentul din emitor. Ct este curentul din colector ? Dac nu ai recunoscut de la
nceput ce este circuitul, aceasta este ultima ans: a intervenit n calcularea curentului de colector mrimea
rezistenei de sarcin ? Ce semnificaie are acest lucru ?
P 4.1.5. n circuitul de la problema precedent, nlocuii cele trei diode cu un rezistor, astfel nct
valoarea curentului de colector s rmn nemodificat. Pentru tranzistor putei conta pe un factor de cel
puin 100.
P 4.1.6. Avei dou circuite care ndeplinesc aceeai funcie. Considerai acum c tensiunea de
alimentare are o variaie de 10 % i determinai efectul asupra curentului de colector, pentru fiecare din
circuite. Formulai o concluzie.
P 4.1.7. Utiliznd un tranzistor NPN cu factorul mai mare dect 100 i o surs de alimentare de
12 V, proiectai o surs de curent care s absoarb spre mas un curent de intensitate 5 mA. Stabilii
potenialul bazei cu un divizor rezistiv, ca n procedura de proiectare din Fig. 4.12.. Determinai compliana de
tensiune a sursei proiectate.
P 4.1.8. Reluai aceeai problem de proiectare dar rezolvai stabilirea potenialului bazei cu trei
diode n serie, inspirndu-v din Fig. 4.16 a)
P 4.1.9. Am vzut c la modificarea tensiunii colector baz,
valoarea curentului de colector nu rmnea perfect constant din dou V alim
motive: variaia lui cu VCB i variaia curentului de emitor cu VCB. +20 V
sarcina
Apropierea maxim de sursa de curent ideal avea loc dac valoarea 10 k
curentului de emitor putea fi meninut constant. Circuitul din
Fig. 4.17 ncearc s fac acest lucru. Mai nti, neglijnd curenii bazelor, T1
calculai potenialele celor dou baze. Determinai apoi potenialele
emitoarelor i, n final, curenii de emitor i colector ai celor dou 5 k
tranzistoare. T2
P 4.1.10. Cu o valoare a rezistenei de sarcin de 5 k,
determinai potenialul de colector al tranzistorului T1. S presupunem,
acum, c rezistena de sarcin se modific, schimbnd potenialul de 5 k 4.3 k
colector tocmai calculat. ntre ce limite se poate modifica aceast

rezistena, fr s aduc tranzistorul T1 n saturaie ?
P 4.1.11. Afecteaz variaia rezistenei de sarcin tensiunea Fig. 4.17.
colector baz a tranzistorului T2 ? Ce putei spune, n aceste condiii
despre variaia curentului su de colector ?
P 4.1.12. Afecteaz variaia rezistenei de sarcin tensiunea colector baz a tranzistorului T1 ?
Considernd c potenialul colectorului a efectuat ntreaga variaie permis fr a aduce tranzistorul n
saturaie, ncercai s estimai variaia curentului su de colector. Nu uitai c n emitorul su curentul este
exact curentul de colector al tranzistorului T 2 .
P 4.1.13. ncercai o comparaie ntre performanele sursei de curent cu un singur tranzistor i
performanele sursei de curent perfecionate pe care tocmai ai analizat-o.
Lucrare experimental
Pregtirea experimentelor
tranzistor
RE PNP
500 E C IC
mA mA
I aparat
VA1 + B
_ IV _
6V VA2
V + 0 ... 10 V
Fig. 4.18. Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

Desenai-v pe caiet circuitul din Fig. 4.18, pe care l vei utiliza pentru trasarea caracteristicilor
statice. Determinai sensurile curenilor i polaritile necesare pentru aparatele de msur i completai
schema cu aceste informaii. Realizai apoi circuitul.
Sursa V A2 , legat direct ntre colector i baz, va menine constant tensiunea VCB iar
miliampermetrul va msura valoarea curentului de colector. Sursa V A1 i rezistena RE vor asigura
deschiderea jonciunii emitor-baz. Pentru controlul mai fin al punctului de funcionare a mai fost montat un
poteniometru pe planet. Voltmetrul msoar tensiunea tensiunea VEB ntre baz i emitor. Cunoscnd
tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabilii scala pe care va trebui utilizat voltmetrul i notai
aceasta pe schema desenat.
Pentru determinarea curentului de emitor a fost intercalat un miliampermetru. El nu msoar ns
curentul de emitor ci suma dintre acesta i curentul prin voltmetru
V
I aparat I E EB ;
RV
dac al doilea termen este semnificativ, va trebui s facei corecia necesar.
Determinai rezistena voltmetrului, decuplnd emitorul tranzistorului (legnd miliampermetrul

numai la voltmetru) i ajustnd sursa V A1 astfel nct tensiunea pe voltmetru s fie pe scala de 1V, acolo
unde voltmetrul va fi utilizat. Comparai valoarea aflat cu cea nscris pe aparat.
Experimentul 1. Caracteristica de intrare
Caracteristica de intrare este dependena curentului de emitor n fncie de tensiunea baz-

emitor. Ea trebuie trasat meninnd constant tensiunea colector-baz, care este parametrul la care se
traseaz caracteristica.
Vei modifica valoarea curentului de emitor ntre 0 i 10 mA. Stabilii la 10 V tensiunea VCB i apoi
variai polarizarea jonciunii emitor-baz, observnd deschiderea jonciunii emitor-baz i faptul c ea
controleaz curentul de colector. nainte s trasai caracteristica, determinai aproximativ tensiunea de
deschidere. Pentru a trasa caracteristica de intrare n scar liniar, determinai 10-12 puncte experimentale,
pe ct posibil cu valori I E echidistante. Msurai, n acelai timp, i valorile curentului de colector, trecnd
datele ntr-un tabel de forma
VEB (V) I aparat (mA) IV VEB RV (mA) I E Iaparat IV (mA) IC (mA) IC I E

0 0 0 0 0
Completai apoi tabelul, fcnd msurtori la valori mult mai mici ale curenilor. Utilizai, pentru
valorile curentului de emitor, secvena 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01 mA, 0.005
mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor aprea practic echidistante pe scar logoritmic.
Modificai acum tensiunea colector-emitor la valoarea 0 V scond firele de alimentare de la bornele
sursei V A2 i legndu-le ntre ele. Refacei msurtorile tensiunii VEB la valorile 10 mA, 1 mA,
0.1 mA ale curentului de emitor.
Reprezentai, apoi, grafic, n coordonate liniare, ncepnd de la VEB 0 , caracteristica
I E f ( VEB ) ridicat la VEB 10V . Se comport portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici variaii n
jurul unui punct de funcionare, putem introduce rezistena dinamic reb VEB I E . Calculai, din
grafic, valorile ei la curent de colector de 0.1 mA i 1 mA.
Desenai pe acelai grafic i punctele experimentale ridicate la VCB 0V . Cum depinde
comportarea portului de intrare de tensiunea de la portul de ieire ? Dac ai avut un voltmetru digital,
ncercai s punei n eviden deosebirile dintre cele dou grafice reprezentnd n detaliu o regiune a
carcteristicii de la cureni mari, pe care tensiunea emitor baz nu variaz cu mai mult 50 mV.
Dac nu ai avut un voltmetru digital, mprumutai unul i, la curentul de emitor constant de
10 mA, msurai tensiunea emitor baz cu VCB 10 V i apoi cu VCB 0 V . Determinai cu ct s-a
modificat tensiunea emitor baz n aceste condiii.
Verificai acum c expresia caracteristicii de intrare este una exponenial. Pentru aceasta desenai
caracteristica I E f ( VEB ) cu o scar logaritmic pentru curent. Ce form are graficul obinut ? Ce
concluzie tragei de aici ? Determinai pe ce interval de variaie a tensiunii curentul crete cu o decad (se
multiplic cu un factor de 10). Din aceast valoare calculai potenialul termic VT , utiliznd relaia (4.3).
curentul de emitor (mA)
10 1
10 0
10 -1
10 -2
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80
tensiunea emitor-baza (volti)
Experimentul 2. Caracteristica de transfer IC f ( I E )
Avei, n tabelul completat la primul experiment, date asupra curentului de emitor i a celui de
colector. Estimai mai nti eroarea absolut cu care ai determinat aceste valori. Apoi comparai ntre ele
valorile I E i IC i formulai o concluzie asupra valorii factorului .
Experimentul 3. Caracteristica de ieire
Mutai voltmetrul din ochiul emitorului n acela al colectorului, astfel nct s msoare tensiunea
colector-baz; atenie la polaritate ! Fixai apoi I E la o anumit valoare (s zicem 2 mA) i micorai gradual
tensiunea VCE de la 10 V pn la 0 V, urmrind evoluia curentului de colector. Cum sursa V A2 nu coboar
tensiunea exact pn la zero, pentru obinerea acestei valori desfacei firele de la surs i legai-le ntre ele.
Reconectai sursa i refacei experimentul pentru alte cteva valori ale curentului de emitor (4 mA, 6 mA, 8
mA) . Desenai aceste dependene I C f (VCB ) I E const. pe acelai grafic, obinnd o parte din familia de
caracteristici de ieire. Cunoscnd eroarea absolut cu care ai msurat curentul de colector, estimai valoarea
rezistene dinamice dintre colector i baz. Este ea concordant cu predicia fcut pe baza cunoaterii cderii
de tensiune pe rezistena RE (pag. 93) ?
Experimentul 4. Ohmmetrul electronic
Multimetrele electronice digitale ofer, n afara funciilor de voltmetru i ampermetru, i pe aceea de

ohmmetru. Principiul de funcionare pentru aceasta din urm este foarte simplu: prin rezistena de valoarea
necunoscut se trece un curent constant, de valoare cunoscut, furnizat de la o surs de curent i se msoar
tensiunea. Vei realiza i dumneavoastr un ohmetru electronic de acest tip. Mai nti, desenai-v schema
sursei de curent din Fig. 4.19 a) i calculai potenialul bazei, potenialul emitorului i valoarea curentului de
colector.
Calculul pe care l-ai fcut este numai unul aproximativ deoarece nu cunoatem cu suficient
precizie valoarea rezistenei din emitor i caracteristcile statice neliniare ale diodelor i tranzistorului. Din acest
motiv, sursa de curent trebuie "etalonat" (calibrat) la cald, adic n stare de funciune. Pentru aceasta,
alimentai circuitul de pe planet, conectai un miliampermetru analogic i ajustai rezistena reglabil din
emitor pentru a obine un curent de 100 A. Montai apoi n serie cu miliampermetrul diferite valori de
rezistene i verificai ct de "ideal" este sursa de curent.
Ohmmetrul nostru este gata, nu mai rmne dect s conectm un voltmetru electronic i rezistena de
valoare necunoscut (Fig. 4.19 b). Msurai, astfel, valorile rezistenelor necunoscute existente pe planet.
15 V 15 V
Si } 12 k } 12 k
T T
4.7 k mA 4.7 k V rezistenta

necunoscuta
ohmetru
a) b)
Fig. 4.19. Ohmmetru electronic.
Ce se ntmpl dac ncercm s msurm "rezistena" n polarizare direct a unor diode ? Avei pe
planet dou diode cu care putei experimenta acest lucru. Formulai o concluzie.
Pagin distractiv
Ani buni de munc le-au fost necesari cercettorilor de la Bell Laboratories ca s realizeze primele
tranzistoare cu jonciuni. Cum sandwich-ul are trei straturi, ntre acestea exist dou jonciuni
semiconductoare. Mult mai eficieni, specialitii notri autori de manuale2 inventeaz dintr-un condei
tranzistorul bipolar cu trei jonciuni, cea suplimentar fiind ntre colector i emitor :
Este de mirare cum aa refereni serioi i o aa competent comisie de avizare a Ministerului nu au

valorificat aceast prioritate romneasc. Punem acest lucru pe seama caracterului lor modest, modest ...
Noutate plutea ns n aer nc de la pagina anterioar, unde simbolul tranzistorului este printete
tras de urechi pentru a nu arta sensul curentului prin jonciunea baz-emitor dect n conexiunea emitor
comun :
"n simbolul tranzistorului, sgeata indic sensul conduciei n prima jonciune (E-B), n montaj cu emitorul
comun ...."
Ce trebuie s fac simbolul n celelalte conexiuni este treaba lui, ori sgeata dispare, ori, mai bine, arat
todeauna nspre aceti autori inventivi.
C treaba este serioas i tranzistorul acestor domni autori este ceva cu totul nou, ne putem convinge
imediat. Cum credei c se comport "jonciunea colector-emitor ? Aa e c nu ghicii ? Ca un rezistor : "Dac
un tranzistor se deschide ..., atunci rezistena dintre colector i emitor ( RCE ) scade foarte mult...." i asta nu e
nc nimic, pentru c "U CE devine neglijabil (zecimi de volt) cnd curentul I C atinge valorile maxime
admise (notate n cataloagele de dispozitive semiconductoare)". Trebuie s recunoatem c acest tranzistor,
care se uit n cataloage ca s tie s intre n saturaie cnd curentul I C atinge "valorile maxime admise" este
ntr-adevr ceva revoluionar.
i comportarea sa n circuite este la
fel de revoluionar. De exemplul, n cel din
figura alturat: "Cnd fotorezistena FR este
luminat, rezistena ei scade, tranzistorul
intr puternic n conducie i ....". Oricare alt
tranzistor NPN s-ar fi blocat la scderea
rezistenei R2 , cel al autorilor citai "intr
puternic n conducie". Numai s fie
fotorezistena "luminat", vorba
(inconfundabil) a acestor autori.
Ca orice realizare important i
inventarea acestui tranzistor a necesitat o
pregtire anterioar. Gndii-v numai prin
cte cri or fi cutat pn au gsit simbolurile
stranii pe care le folosesc pentru rezistoare, becuri i diode. Sau poate ne nelm noi, le-au gsit n prima (i
singura) ....
2 ***, "Fizic", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educaional, Bucureti, 2000.
4.2. Conexiunea emitor comun

2.A. Configuraia cu emitor comun
Structura i modul de funcionare ale tranzistorului bipolar cu jonciuni au fost descrise n seciunea 4.1.
n regimul de funcionare activ normal, jonciunea emitor-baz este direct polarizat (deschis), n timp ce
jonciunea colector-baz este invers polarizat. n aceste condiii, curentul de colector este dat de relaia
IC I E ICB 0 ; (4.11)
deorece I CB0 (curentul invers rezidual colector-baz cu emitorul n gol) este complet neglijabil la tranzisoarele
moderne cu siliciu, iar factorul este extrem de aproape de unitate, curentul de colector este practic egal cu
cel de emitor, aa cum se poate constata i n Fig. 4.20.
IE I C I E + I CB0 I E =0 I CB0
_
IB + 10 V +
0.6 V _ _ 10 V
+ foarte mic
a) b)
Fig. 4.20. Curenii n regiunea activ normal (a) i semnificaia curentului rezidual ICB0 .
Configuraia cu baz comun din figura precedent prezint dou dezavantaje:

- cele dou surse au polariti opuse n raport cu masa i, de aceea, nu se utilizeaz aproape niciodat
pentru regimul de curent continuu (polarizare);
- curentul de emitor are valori egale cu acelea ale curentului pe care l comand; din acest motiv, pentru
regimul de variaii (prelucrarea semnalelor) configuraia cu baz comun este utilizat numai n puine
aplicaii.
I C I E + I CE0
IE I C I E + I CB0
IB foarte mic
+
IB _
foarte mic +
_ + 10.6 V
0.6 V + _ 0.6 V
_ 10.6 V
a) b)
Fig. 4.21. Conexiunea cu emitor comun.

Prin deplasarea sursei de tensiune de 0.6 V de-a lungul buclei de circuit, se ajunge la configuraia cu
emitorul comun din Fig. 4.21 a) care este cea mai utilazt configuraie pentru tranzistoarele bipolare. Pentru a
avea portul de intrare n stnga, schema trebuie redesenat ca n Fig. 4.21 b), aa cum o vei ntlni ntodeana n
aplicaii.
n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este ntre baz i emitor iar cel de ieire este ntre colector
i emitor, terminalul de emitor fiind comun.
Dei perechea de borne de intrare este aceeai ca la conexiunea baz comun, curent de intrare este
acum curentul bazei, care este de cel puin o sut de ori mai mic dect cel de emitor. Prin aplicarea legii
curenilor i utilizarea relaiei (4.11), curentul de colector poate fi exprimat n funcie de curentul de baz prin
1
IC IB ICB0 . (4.12)
1 1
Factorul

(4.13)
1
este esenial pentru descrierea funcionrii acestei configuraii i se numete factor de amplificare a curentului
n conexiunea emitor comun. Cum este foarte apropiat de unitate, factorul are valori mari, de ordinul
sutelor. Numai n cazul tranzistoarelor de mare putere factorul are valori mai mici, de ordinul
20 - 50.
Deoarece la numitorul relaiei (4.13) este o diferen ntre dou numere foarte apropiate, valoarea ei este
extrem de sensibil la variaiile lui . Difereniind relaia, putem arta c
d 1 d d d
( 1) ; (4.14)
1
astfel
variaiile relative ale factorului provoac variaii relative ale factorului de sute de ori mai mari.
Din acest motiv, dei factorul este controlat tehnologic rezonabil de bine,
factorul are o mprtiere tehnologic foarte mare.
Astfel, n practic, la montarea unui tranzistor ntr-un circuit, asupra lui exist o incertitudine destul de mare,
extremitile acestui interval fiind cel puin n raportul 1:2. De exemplu, la BC 171A factorul este ntre 125
i 260 (litera A nseamn ca productorul a fcut deja o sortare prealabil, dac ai cumprat
BC 171 putei s v ateptai la valori ntre 40 i 1000). Din aceast cauz,
orice circuit cu tranzistoare ale crui performane (punct static de funcionare, amplificri, etc) depind
puternic de factorul este contraindicat n aplicaiile practice.
Observaie: Ai scpat, astfel, de rezolvarea unui mare numr de probleme din culegerile scrise de o
serie de autori romni, specialiti n "electronic teoretic".
Exprimnd cu ajutorul factorului relaia (4.12), avem
I C I B ( 1) I CB 0 ;
dac definim curentul rezidual colector-emitor (cu baza n gol) prin I CE0 ( 1) I CB0 , relaia anterioar
capt forma
I C I B I CE0 . (4.15)
La siliciu curenii reziduali sunt extrem de mici; de exemplu, chiar la un tranzistor de curent mare
(15 A) cum e 2N3055, curentul ICE0 este sub 20 nA la temperatura camerei i abia ajunge spre 100 A dac
l nclzim la 130 oC. Putem, deci, scrie cu foarte bun aproximaie
IC I B (4.16)
iar cu o aproximaie mai bun de un procent
IC I E . (4.17)
Curentul de colector este practic egal cu cel de emitor i de ori mai mare dect curentul de baz.
S privim acum un tranzistor NPN ntr-o schem V alim

practic cu emitorul comun (Fig. 4.22). Funcionarea sa
poate fi neleas cu un model extrem de simplu. ntre baz RC
i emitor exist o jonciune semiconductoare care se I C I B
comport ca o diod: curentul poate s treac numai ntr- +
R B 0.6 V VC _ V alim
un singur sens, dac tensiunea baz emitor depete
tensiunea de prag, egal cu 0.6-0.7 V. Peste aceast IB
+
valoare, curentul crete foarte abrupt (valoarea sa _ EB IE IC
multiplicndu-se cu 10 la fiecare variaie de aproximativ
60 mV). Putem astfel considera, n prim aproximaie, c
dup deschidere, tensiunea baz-emitor rmne
Fig. 4.22. Tranzistorul NPN ntr-un circuit
constant, valoarea curentului de baz fiind determinat
practic cu emitorul comun.
de circuitul exterior;
n absena unei rezistene de limitare a curentului, polarizarea jonciunii baz-emitor direct cu o surs de
tensiune cu rezisten mic este o cale sigur pentru distrugerea tranzistorului.
Dac ntre colector i emitor s-ar face scurtcircuit (manevr absolut inofensiv pentru tranzistor), am
obine o valoare maxim a curentului
V
I Cmax alim ; (4.18)
RC
ndeprtnd scurtcircuitul, curentul de colector nu poate fi dect mai mic sau egal cu aceast valoare
0 IC ICmax . Tranzistorul se comport ca un robinet controlat: el nu produce curent ci numai las s
treac unul de valoare I C I B , indiferent de circuitul extern (tensiunea de alimentare Valim i rezistena
RC ), atta timp ct circuitul extern poate furniza aceast valoare de curent, aa cum se poate vedea n
Fig. 4.23. Putem nlocui rezistena RC cu o diod conectat n polarizare direct (desenul b): valoarea
curentului de colector va rmne practic neschimbat, se va modifica numai potenialul colectorului, de la
Valim IC RC la Valim 0.6 V . La fel de bine putem s o nlocuim cu un scurtcircuit, potenialul
colectorului se va duce la Valim dar curentul de colector va rmne nemodificat (desenul c).
V alim V alim V alim

+10 V +10 V +10 V
+ +
5V 500 0.6 V
- 10 mA - 10.5 mA 10.5 mA
0.6 V 0.6 V 0.6 V
5V 9.4V 10V
5 A 5 A 5A
Fig. 4.23. n regiunea activ normal curentul de colector este practic constant (egal cu I B )
indiferent de dispozitivul conectat n colector.
Funcia tranzistorului este controlul curentului de colector, control efectuat prin starea portului de
intrare. S ne ntoarcem la situaia din desenul a) al figurii precedente, n care avem o rezisten legat n
colector, i s cretem curentul bazei, ca n Fig. 4.24 a). Tranzistorul acioneaz ca un robinet controlat
permind ca un curent mai mare s fie absorbit din rezistena de colector. n acelai timp ns, conforme
relaiei VC Valim RC IC , potenialul colectorului coboar, aa cum se ntmpl cu nivelul lichidului din
rezervorul 2 din echivalentul hidraulic reprezentat n desenul b). n circuitul hidraulic, nivelul rezervorului 1
este presupus constant, aa cum este meninut potenialul de +10 V, iar debitul prin conducta ce leag
rezervoarele este aproximativ proporional cu diferena de nivel n cele dou rezervoare (echivalentul legii lui
Ohm pe rezistena din colector).
V alim V alim
+10 V +10 V
+ +
5V 500 7.5 V 500
a) - 10 mA - 15 mA
0.6 V 0.6 V
5V 2.5V
5 A 7.5 A
b)
Fig. 4.24. Creterea curentului de baz deschide mai mult tranzistorul, provocnd creterea curentului de
colector i coborrea potenialului colectorului.
2.B. Caracteristica de intrare
Aa cum spuneam, portul de intrare este echivalent cu o diod, caracteristica sa static I B f (VBE )
fiind aproximativ exponenial i foarte puin influenat de tensiunea colector-emitor, atunci cnd valoarea
acesteia este modificat ntre 1 V i cteva zeci de voli (pn la valoarea maxim garantat de fabricant). Nu
discutm aici situaia n care colectorul este lsat n gol ( IC 0 ) pentru c aceasta nu se ntlnete n
aplicaii. Cnd VBE este mai mic dect tensiunea de deschidere (n jur de 0.6 V), curentul de baz este practic
nul; dup depirea tensiunii de deschidere el crete foarte rapid, astfel nct la valorile permise pentru I B
tensiunea VBE este aproximativ constant.
Dac efectum msurtori mai precise, constatm c mrirea tensiunii colector-emitor deplaseaz
extrem de puin caracteristica de intrare. Pentru aceeai valoare a curentului de baz, tensiunea necesar ntre
baz i emitor este un pic mai mare. Pentru o variaie VCE ntre 1 i 11 voli, aceasta, care are valori pe la 600
mV, crete cu mai puin de 1mV ! Dac meninem constant tensiunea emitor-baz, la aceeai variaie a lui
VCE , curentul de baz scade cu mai puin de 3%.
2.C. Caracteristicile de transfer
Vom pstra constant tensiunea colector-emitor, la

o valoarea care asigura funcionarea in regiunea activ. 200 DC
Mrimea de ieire este curentul de colector dar, ca
mrime de intrare avem de ales ntre curentul de baz i 150
tensiunea baz emitor. Dac alegem curentul de baz,
conform relaiei IC I B , ne ateptm la o linie 100
dreapt care trece prin origine. Dac pe graficul 50
IC f ( I B ) e puin probabil s observm (cu ochiul
liber) o abatere de la linia dreapt, calcularea raportului 0
I C I B DC , numit factor static de amplificare (n 1E-3 0.01 0.1 1 10 100
curent continuu), arat c acesta nu rmne constant. Pe
I C (mA)
o scar lin-lin acest fenomen nu este evident deoarece
este localizat foarte aproape de originea axelor. Din acest Fig. 4.25. Variaia factorului DC cu
motiv, e mai bine s reprezentm chiar dependena lui intensitatea curentului de colector la tranzistorul
DC n funcie de curentul de colector. La un tranzistor 2N2222.
de mic putere, ea are forma din Fig. 4.25. Se observ c
dac tranzistorul este operat la cureni de colector foarte mici, n domeniul microamperilor, factorul de
amplificare DC scade aproape la o zecime din valoarea sa maxim.
Observaie: n cataloage, factorul de amplificare static DC este notat adesea cu hFE ("h" pentru c
este considerat unul din parametrii hibrizi, "F" de la forward i "E" de la emitor comun). Indicele "FE" este
scris cu litere mari pentru a arta c factorul este definit la curent continuu.
Cum dependena I C f ( I B ) nu este strict liniar, este clar c nici panta ei nu este constant. Se
d IC
definete, din acest motiv, factorul dinamic de amplificare n curent AC , pentru a caracteriza
dIB
funcionarea tranzistorului la variaii mici n jurul unui anumit punct de funcionare. Evoluia acestui factor
dinamic n funcie de curentul de colector este similar cu variaia celui static: are valori mici la valori foarte
coborte ale lui I C i trece printr-un maxim puin nainte ca I C s ajung la valoarea maxm admis.
Observaie: Factorul dinamic de amplificare AC este notat n cataloage cu h fe .
Strict vorbind, n modelele pentru variaii ar trebui s apar AC iar la calculul polarizrii (curent
continuu) ar trebui s utilizm factorul static DC . Dar chiar pentru tranzistoare sortate de fabricant, aceti
factori au valori cu o mprtiere tehnologic att de mare nct distincia dintre ei este un academism complet
inutil. Pentru c nu-i tim dect foarte aproximativ, i vom considera ntodeauna egali i i vom nota de
aici nainte, simplu, cu .
Am ales anterior, ca mrime de intrare, curentul I B . Dac alegem ca mrime de intrare tensiunea baz-
emitor, n regiunea activ caracteristica de transfer respect o lege exponenial
I C I s eVBE VT (4.19)
pe aproape apte decade de variaie a curentului; ca i pn acum, VT este potenialul termic, egal cu
aproximativ 25 mV la temperatura camerei. Astfel,
curentul de colector se dubleaz la fiecare cretere cu 18 mV a tensiunii baz-emitor i se multiplic cu zece

la fiecare cretere de 60 mV.
curent de colector (mA) curent de colector (mA)

100 10
80
V CE = 20 V
60
1
V CE = 10 V
40
20
0 0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 0.55 0.60 0.65
tensiune baza-emitor (V) tensiune baza-emitor (V)
a) b)
Fig. 4.26. Caracteristica de transfer I C f (VBE ) .

Reprezentat n coordonate liniare, caracteristica de transfer are forma din Fig. 4.26 a) i arat c
modul n care este controlat robinetul este foarte neliniar. Sensibilitatea controlului poate fi descris cu un
parametru diferenial, numit transconductan dinamic (adesea numit simplu transconductan), definit prin
viteza de cretere a curentului n raport cu tensiunea de control
d IC
gm ; (4.20)
d VBE
din relaia (4.19) se obine imediat c transconductana nu depinde dect de curentul de colector la care
opereaz tranzistorul,
I
gm C . (4.21)
VT
Cu alte cuvinte,
dac am stabilit valoarea curentului de colector, orice tranzistor are aceeai transconductan, indiferent de
parametrii si I s i .
Diferenele n parametrii Is i afecteaz numai modul n care trebuie polarizm tranzitorul pentru a obine
curentul de colector IC dorit: modificarea lui Is va cere o tensiune VBE uor diferit, iar variaia lui va
conduce la o alt valoare a curentului absorbit de baza tranzistorului.
Mai mult, aa cum se vede n desenul b) al figurii, modificarea tensiunii colector-baz nu face dect s
translateze caracteristica n coordonate logaritmice, adic s afecteze numai factorul multiplicativ Is din
relaia (4.19). Astfel, modificarea transconductanei la variaia tensiunii de ieire coletor-baz are loc numai
prin variaia curentului IC la care este operat tranzistorul, conform relaiei (4.21).
2.D. Caracteristica de ieire
Pstrnd constant tensiunea baz-emitor, caracteristica de ieire IC f ( VCE ) are forma din
Fig. 4.27 a). Constatm c valoarea curentului de colector este aproximativ independent de VCE numai
pentru valori ale lui VCE mai mari de cteva zecimi de volt. Aceasta este numit regiune activ normal.
8 I C (mA) 8 I C (mA)
V BE = 0.65 V
V BE = 0.65 V
6 6
4 V BE = 0.63 V 4 V BE = 0.63 V
2 2
regiunea de saturatie
0 0
0 5 10 0.0 0.1 0.2

VCE (V) VCE (V)
a) Caracteristici de iesire la V BE constant
8 I C (mA) 8 I C (mA)
I B = 34 A
6 I B = 34 A
6
4 I B = 17 A 4
2 2
regiunea de saturatie I B = 17 A
0 0
0 5 10 0.0 0.1 0.2
VCE (V) VCE (V)
b) Caracteristici de iesire la I B constant
Fig. 4.27. Caracteristici de ieire n conexiunea emitor comun.
Ce se ntmpl la valori mai mici ? n plus fa de jonciunea baz-emitor, tranzistorul mai are o
jonciune ntre baz i colector, jonciune care n mod normal este invers polarizat (Fig. 4.28 a). Cnd
tensiunea colector emitor coboar sub 0.6 V, potenialul colectorului coboar sub potenialul bazei (Fig. 4.28
b) i jonciunea baz-colector ncepe s fie direct polarizat, iar la poteniale de colector sub 0.1 V ncepe chiar
s se deschid, curentul produs prin acest mecanism ieind prin terminalul de colector i diminund progresiv
curentul total de colector, aa cum se poate observa n desenul b) al figurii.. n final, la VCE 0 , curentul de
emitor este practic nul ntregul curent de baz ieind prin colector ( IC este negativ), ca n desenul c) al figurii.
Trebuie notat c nici n acest regim tranzistorul nu se comport ca i cum ar fi alctuit din dou diode montate
"spate la spate", jonciunea baz-colector acaparnd tot curentul de baz, dei cealalt jonciune este polarizat
cu exact aceeai tensiune. Deschiderea nedorit a jonciunii colector baz, cunoscut sub numele de saturaie,
este un dezavantaj congenital al tranzistoarelor bipolare.
IC
IC IC
B C C B C
IB IB B IB
E
E IE IC E
IE = 0
IE = I C
VC > VB VC < VB VC = VE = 0
V B ~~ 0.6 V
regiunea activa normala regiunea de saturatie
a) b) c)
Fig. 4.28. Intrarea n saturaie la coborrea potenialului de colector; potenialul bazei este meninut la
0.6 V.
n circuitele practice nu tensiunea baz-emitor este meninut constant, ci curentul de baz
(aproximativ constant). n aceste condiii, caracteristicile de ieire au forma din Fig. 4.27 b). Ele difer de cele
trasate la VBE const . doar n regiunea de saturaie, deoarece acum potenialul bazei nu mai este fixat.
Astfel, curentul de colector scade la zero pentru VCE 0 , fr s mai ajung la valori negative.
n oricare din situaii ns, n regiunea de saturaie sensibilitatea controlrii curentului de colector scade
dramatic, astfel c putem afirma c, practic, acest curent nceteaz s mai fie controlat de starea portului de
intrare.
n conexiunea emitor comun, saturaia tranzistorului se manifest prin imposibilitatea de a controla

curentul de colector prin valoarea curentului de baz.
S ne ocupm acum i de cealalt regiune a caracteristicii de ieire, numit activ normal. Spuneam c
aici practic curentul de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor: la portul de ieire tranzistorul nu se
comport ca un rezistor. La o privire mai atent, constatm ns o uoar cretere a curentului de colector
atunci cnd cretem tensiunea colector-emitor. Ea apare la fel, indiferent dac meninem VBE const . sau
I B const. , deci nu putem da vina pe modificarea caracteristicii de intrare produs de variaia tensiunii de
ieire VCE . Cu I B const. curentul ar trebui s fie I C I B , indiferent de valoare tensiunii VBE ; rezult
c aceast nclinare a caracteristicii de ieire este provocat de variaia lui cu VCE .
La conexiunea baz comun, pstrnd curentul de intrare I E constant, curentul de colector se modific
extrem de puin la variaia tensiunii de ieire. De ce oare n conexiunea emitor comun efectul este mult mai
mare ? n cazul conexiunii baz comun, variaia curentului I C I E este produs datorit variaiei
factorului care se modific extrem de puin, cam cu 0.01 % (10-4) pe volt. n cazul conexiunii emitor
comun, IC I B i, dac meninem constant curentul de baz, curentul de colector se modific numai
datorit variaiei factorului . Am vzut ns anterior c o variaie a lui provoac o variaie relativ a lui
de ori mai mare, deci de cteva sute de ori mai mare. Vom avea, deci, pe fiecare volt de variaie a
tensiunii VCE , o variaie a curentului de colector de cel puin 1%; aceasta nseamn, pe un interval de zece
voli, o variaie apreciabil : 10 %. Sursa de curent echivalent este de o sut de ori mai modest dect aceea de
la baz comun.
Presupunnd o variaie liniar (de gradul nti) a lui n funcie de VCE
0 1 VCE VEA (4.22)
cu valoarea VEA constant, ajungem la o expresie a curentului de colector
I C 0 I B 0 I B VCE V EA I C( 0 ) I C( 0 ) VCE VEA (4.23)
( 0)
unde am notat cu I C 0 I B curentul de colector "extrapolat" la VCE 0 (Fig. 4.29 a).
IC C
8 I C (mA) I B = 34 A
(0)
extrapolare IC
6 (0) rce
IC
VCE
4 r ce =
IC VCE
2
E
0
0 5 10
V CE (V)
a) b)
Fig. 4.29. Efectul Early n conexiunea emitor comun.
Rezistena dinamic n regiunea activ se obine simplu
VCE VEA
rce ( 0) (4.24)
IC IC
fiind invers proporional cu valoarea curentului de colector. n regiunea activ normal, portul de ieire
(0)
poate fi echivalat cu o surs ideal de curent de valoare IC I B n paralel cu un rezistor cu rezistena
rce VEA IC( 0) , ca n Fig. 4.26 b).
Relaia (4.23) are i o consecin geometric. S calculm intersecia cu axa orizontal a carateristicii
extrapolate; punem IC 0 i obinem intersecia la
VCE VEA (4.25)
indiferent de valoarea lui I B . n consecin, aa cum se poate vedea n Fig. 4.30,

toate prelungirile caracteristicilor se ntlnesc ntr-un singur punct, la tensiunea VEA , numit tensiune Early;
aceasta are valori de ordinul a o sut de voli.
IC
extrapolari
ale regiunii
active
- V EA 0 10
VCE (V)
Fig. 4.30. Toate dreptele obinute prin extrapolarea caracteristicii din regiunea activ se ntlnesc ntr-un
singur punct.
Mai rmne s discutm al treilea regim de funcionare, acela n care curentul de colector este nul.
Cnd curentul de colector este nul, tranzistorul se afl n regiunea de blocare (tiere).
Practic, cel mai adesea, blocarea este rezervor 2 rezervor 1

realizat prin aducerea la zero a tensiunii baz- V alim
emitor sau polarizarea invers a acestei +10 V
+
jonciuni. n principiu, ns, deoarece la
0V 500
tranzistoarele cu siliciu curentul rezidual de
- curent nul
colector este neglijabil, aducerea tranzistorului
0V
n regiunea de blocare se poate face i prin 10V
lsarea n gol a bazei ( I B 0 ) .
Aa cum se poate constata n robinet inchis
Fig. 4.31, unde am reprezentat circuitul cu
emitor comun i echivalentul su hidraulic,
a) b)
cderea de tensiune pe rezistorul din colector
devine nul (legea lui Ohm) i potenialul Fig. 4.31. Regimul de blocare.
colectorului devine egal cu cel al alimentrii
pozitive, ca i cum tranzistorul nu ar exista.
Prin blocarea tranzistorului, potenialul su de colector urc la nivelul potenialului alimentrii.

2.E. Saturaia tranzistorului
Pentru trasarea caracteristicilor am legat ntre colector i emitor o surs ideal de tensiune care s
menin ntre aceste puncte tensiunea la valoarea dorit de noi. Astfel, intrarea n saturaie s-a fcut prin
coborrea tensiunii acestei surse care, continuat, cobor la
zero curentul de colector. V alim
n circuitele practice n care tranzistorul este utilizat
RC
(i nu studiat, cum am fcut noi pn acum), lucrurile stau
cu totul altfel, aa cum se vede n Fig. 4.32. Diferena I C I B +
esenial este c sursa Valim nu mai menine constant RB 0.6 V _ V alim
VC
tensiunea ntre colector i emitor ci potenialul "n amonte"
IB
de rezistena RC . Astfel, tensiunea colector emitor este +
_ EB I E IC
dictat de legea lui Ohm
VCE VC Valim IC RC . (4.26)

Fig. 4.32. Circuit cu emitor comun.
rezervor 1
rezervor 2
rezervor 1
rezervor 2
regiunea activa
robinetul controleaza
IC (mA) debitul
10 IB A
8 A
6 N A
regiunea de saturatie
4 M
robinetul nu mai A
controleaza debitul
2 IB A
O
0 IB
0 2 4 6 8 10
VCE (V)
VCE act I C act R C rezervor 2 rezervor 1
Valim
regimul de blocare
robinet complet inchis
Fig. 4. 33. Regimurile de funcionare a tranzistorului.

Putem urmri starea tranzistorului pe familia de caracteristici de ieire, prin metoda dreptei de sarcin.
Aceast dreapt intersecteaz axele la Valim i Valim RC , aa cum se vede n Fig. 4.33. S presupunem c
am stabilit curentul de baz la 20 A i punctul de funcionare se gsete n poziia M de pe desen. Se vede c
tensiunea colector-emitor nu este ntreaga tensiune de alimentare, cantitatea RC I C act cznd pe rezistena
din colector, conform relaiei precedente. Mrirea sau micorarea curentului de baz deschide mai mult sau
mai puin robinetul de curent, modificnd simultan valoarea curentului de colector i tensiunea colector emitor
(echivalentul nivelului din rezervorul 2). Aceasta este regiunea activ. Aici curentul de colector i potenialul
colectorului sunt controlate de curentul de baz
IC I B
(4.27)
VC Valim RC I B
tranzistorul putnd fi utilizat ca un amplificator. I C (mA)

Dac valoarea curentului de baz este 10
Valim RC
adus la zero, i curentul de colector devine
zero, robinetul fiind complet nchis (punctul O
de pe desen); n consecin, potenialul a) 5
colectorului urc la nivelul tensiunii de
alimentare. Am ajuns, astfel, n regimul de
blocare.
Ce se ntmpl ns dac mrim prea mult 0
curentul de baz ? Deplasndu-se spre stnga de- 0 IB
Valim ( R C )
a lungul dreptei de sarcin, punctul de
funcionare ajunge, n poziia N, n regiunea de
saturaie a tranzistorului, figurat cu un VC
Valim
dreptunghi haurat. Aici curentul de colector
nceteaz s mai depind practic de curentul de
baz; degeaba cretem noi curentul de baz de
b)
la 40 A la 60 A, punctul de funcionare
rmne practic tot n poziia N, la un curent de
colector foarte puin sub valoarea Valim RC la
care dreapta de sarcina intersecteaz axa
vertical. 0
0 IB
Dac desenm dependena curentului de
colector n funcie de curentul de baz, obinem Fig. 4.34. Saturaia curentului de colector n raport cu cel de
graficul din Fig. 34 a). ncepnd de la o valoare baz.
a curentului de baz egal cu
V
I B sat alim (4.28)
RC
curentul de colector nceteaz s mai creasc, plafonndu-se la o valoare de

V
IC sat alim ; (4.29)
RC
astfel,
valorile curenilor (de baz i de colector) la care tranzistorul ajunge n saturaie depind numai de circuitul
extern.
Dac n locul rezistenei RC am fi legat colectorul direct la tensiunea de alimentare, dreapta de sarcin
din Fig. 4.33 ar fi devenit vertical, deoarece potenialul colectorului nu s-ar fi clintit de la Valim. n
consecin, orict am fi mrit curentul de baz, tranzistorul ar fi rmas n regiunea activ, urmnd ca la un
moment dat s se distrug prin supraclzire, fr s fi ajuns s afle ce nseamn saturaia.
n circuitele practice, tranzistorul poate ajunge n saturaie datorit dipolului legat n colector: la
creterea curentului, pe acest dipol cade o tensiune din ce n ce mai mare, tensiunea ntre colector i emitor
putnd astfel scdea pn spre valoarea nul.
n general, atunci cnd o mrime y , care depinde de o alta, x , nceteaz practic s mai creasc la
mrirea lui x , spunem c avem saturaia lui y n raport cu x .
n cazul tranzistoarelor bipolare, prin saturaie neleem saturaia curentului de colector n raport cu cel
de baz.
Vom vedea c, parc pentru a ncurca lucrurile, n cazul tranzistoarelor cu efect de cmp, prin
saturaie se ntelege cu totul altceva.
Potenialul de la captul inferior al rezistenei RC ar fi ajuns la zero i dac am fi controlat curentul cu

un rezistor reglabil sau un tranzistor cu efect de cmp. Ce aduce n plus tranzistorul este impedimentul legat de
jonciunea sa baz-colector: la valori ale potenialului de colector de cteva zecimi de volt aceasta se deschide
i mpiedic potenialul de colector s ajung la zero voli, aa cum se observ n Fig. 4.4 b). Aceast tensiune
rezidual poate fi micorat puin prin mrirea exagerat a curentului de baz (se spune c tranzistorul intr
adnc n saturaie) dar ea rmne i reprezint o dificultate pentru unele tipuri de circuite cu tranzistoare
bipolare. De exemplu, la cureni de zeci de amperi, valoarea ei ajunge spre 1 V, ceea ce produce o disipaie de
putere de cteva zeci de wai pe tranzistorul deschis.
2.F. Date de catalog
Utilizatorul gsete informaiile relevante despre tranzistoarele pe care dorete s le foloseasc n foile
da catalog oferite de productor. Dei pentru unii dintre parametri sunt date definiiile, majoritatea au
semnificaia acceptat n manuale sau alte publicaii care standardizeaz terminologia. Prezentm, n
continuare, extrase din foia de catalog tranzistoarelor BC107 - BC108, limitnd comentariile la mrimile care
au fost prezentate n acest capitol sau a cror semnificaie este evident. Ali parametri importani vor fi
discutai n capitolele ulterioare, cnd ne vom ocupa de circuitele n care sunt utilizate tranzistoarele.
Foaia de catalog ncepe cu prezentarea succint a tranzistoarelor: amplificatoare (aplicaii liniare) de
uz general (general purpose) la frecvene joase (audio), avnd n plus specificaia particular de zgomot
redus (low noise). Urmeaz apoi cteva rnduri din care aflm c tranzistoarele sunt de tip NPN, cu siliciu, i
tipul capsulei. Ni se dau, de asemenea, cteva sugestii de aplicaii, complementarele lor PNP i simbolu
tranzistorului. De aici aflm un lucru important, care trebuie reinut: i foile de catalog pot conine erori. n
aceast foaie, de la SGS Thomson Microelectronics, simbolul desenat este al unui tranzistor PNP !.
Primele date numerice prezentate sunt acelea ale valorilor maxime admise; pentru exemplificare, ne vom
referi numai la BC107. Tensiunea invers maxim ntre colector i baz este de 50 V (este invers pentru c
este definit ca VCB0 i este pozitiv, deci potenialul colectorului este mai ridicat). ntre colector i emitor
tensiunea nu trebuie s depeasc 45 V iar jonciunea baz-emitor strpunge invers dac cretem tensiunea
peste 6 V. Curentul maxim de colector este de 100 mA.
Valorile maxime pentru VCE i I C nu pot fi obinute simultan deoarece puterea disipat (egal cu
produsul lor) nu poate depi 300 mW i aceasta numai dac aerul ambiant nu are o temperatur mai mare de
25oC. Tranzistorul poate disipa o putere mai mare (750 mW) dac reuim s meninem capsula sub 25oC.
Ultimele linii din tabel se refer la temperaturile de depozitare i funcionare. Aflm astfel c performanele
sunt garantate pn la o temperatur a jonciunii de +175oC.
Urmeaz grupa parametrilor legai de funcionare, "caracteristicile electrice". Dintre ele menionm
curentul rezidual colector baz, care este de 15 nA dar crete la 15 A dac jonciunea ajunge la 150oC.
Pentru jonciunea baz-emitor este dat cderea de tensiune n conducie direct VBE ( on ) . Recunoatem apoi
factorii de amplificare a curentului n conexiunea emitor comun, att cel static hFE DC ct i cel dinamic
h fe AC . Observm c pentru cel dinamic sunt date numai valorile tipice, nu i intervalul de mprtiere
tehnologic.
Acelai lucru se ntmpl i pentru alt parametru important, impedana de intrare n conexiune emitor
comun hie (la VCE constant). Situaia poate conduce la confuzii, mai ales pentru nceptori, deoarece, n
realitate, aceti parametri h fe i hie au aceeai dispersie tehnologic ca i factorul de amplificare static.
Enunuri frecvent utilizate

(att de frecvent nct merit s le memorai)
- n conexiunea cu emitorul comun, portul de intrare este ntre baz i emitor iar portul de ieire
este ntre colector i emitor; colectorul este, astfel, comun celor dou porturi.
- Cel mai frecvent, tranzistoarele bipolare sunt utilizate n conexiunea emitor comun.
- Portul de intrare se comport ca o diod, caracteristica sa fiind foarte puin afectat de valoarea
tensiunii de ieire (colector-baz).
- Curentul de colector este controlat exponenial de tensiunea baz-emitor; fiecare cretere de 60
mV produce o multiplicare cu 10 a curentului.
- Sensibilitatea acestui control poate fi caracterizat de un parametru dinamic numit
transconductan, gm d IC d VBE ; transconductana nu depinde dect de valoarea curentului de
colector n jurul creia s-a efectuat mica variaie, conform relaiei gm IC VT , unde VT este tensiunea
termic (25 mV la temperatura camerei).
- Pe de alt parte, valoarea curentului de colector este proporional cu valoarea curentului de
baz. Factorul de amplificare are valori peste o sut i are o mprtiere tehnologic mare.
- La portul de ieire, tranzistorul se comport aproximativ ca o surs de curent. Comportarea este
mai deprtat de idealitate n comparaie cu situaia de la conexiunea baz comun, deoarece factorul
sufer variaii relative de 100 ori mai mari dect factorul .
- Rezistena dinamic a portului de ieire este invers proporional cu valoarea curentului de
colector, conform relaiei rce V EA I C , unde parametrul VEA este tensiunea Early; aceast tensiune
are valori de ordinul a 100 V.
- Regimul n care curentul de colector este controlat de starea portului de intrare se numete regim
activ normal.
- Prin aducerea la zero a tensiunii baz-emitor, curentul de colector se anuleaz i tranzistorul
ajunge n regimul de blocare; curentul de colector poate fi adus foarte aproape de zero i prin anularea
curentului de baz.
- Dac n colector este montat o rezisten i dac valoarea curentului de baz crete n aa fel
nct practic ntreaga tensiune de alimentare s cad pe rezisten, tranzistorul ajunge n regiunea de
saturaie, potenialul colectorului devenind practic egal cu cel al emitorului. n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare, fiind stabilit de circuitul extern la
IC sat Valim RC .
Termeni noi
- factorul factorul de amplificare a curentului n conexiunea emitor comun;

este egal cu (1 ) i are valori peste 100, prezentnd o
mprtiere tehnologic mare;
- transconductan parametru dinamic ce caracterizeaz sensibilitatea cu care
tensiunea baz-emitor controleaz curentul de colector, definit ca
gm d IC d VBE ;
- tensiune Early parametru care caracterizeaz dependena liniar a factorului de
tensiunea colector baz; este utilizat la exprimarea rezistenei
dinamice ntre colector i emitor prin relaia rce VEA I C i
are valori de ordinul a 100 V;
- saturaie regim de funcionare a tranzistorului n care jonciunea colector-
baz ajunge s fie n conducie direct; n acest regim, curentul de
colector nu mai este controlat de starea portului de intrare;
- curent de colector de saturaie valoare a curentului de colector la care tranzistorul ajunge n
saturaie; este stabilit de circuitul extern IC sat Valim RC ;
- tensiune de saturaie colector valorea tensiunii colector-emitor n regimul de saturaie; depinde
emitor de curentul de colector la care a aprut saturaia
- regim de blocare regim de funcionare a tranzistorului n care curentul de colector
este nul;
Probleme rezolvate
Problema 1. Circuitul din Fig. 4.35 reprezint o variant de
polarizare, cunoscut n multe texte de limb romn ca "polarizare fix". + 12 V
a) Tranzistorul are factorul egal cu 200. Determinai punctul static
de funcionare.
3.3 k
b) Reluai calculul de la punctul precedent n situaiile n care 1 M
factorul are valorile 100 i, respectiv, 400. Formulai o concluzie asupra
sensibilitii potenialului de colector la modificarea factorului .
c) Revenind la valoarea de 200 a factorului , calculai care este
efectul asupra potenialului de colector produs de modificarea cu 0.2 V a
tensiunii baz-emitor (datorit, de exemplu, mprtierii tehnologice a
curentului I s ).
Fig. 4.35.
Rezolvare
a) Emitorul este legat la mas, tranzistorul este din siliciu, deci potenialul bazei va fi pe undeva pe la
tensiunea de deschidere de 0.6 V. Legea lui Ohm aplicat pe rezistorul din baz conduce la valoarea curentului
la acest terminal
12 V - 0.6 V
IB 11. 4 A ;
1 M
de aici calculm imediat curentul de colector
IC I B 200 11. 4 A = 2.3 mA .
Pe rezistena din colector va cdea tensiunea U R 2.3 mA 3.3 k = 7.6 V , aa c potenialul din
C
colector este
VC 12 V - 7.6 V = 4. 4 V .
b) Cu valoarea 100 pentru factorul obinem IC 1.1 mA , U RC 3. 6 V i VC 8. 4 V .

Potentialul de colector nu mai este pe la jumtatea tensiunii de alimentare ci s-a apropiat de aceasta; cu toate
acestea, mai avem o rezerv de 3.6 V pna la regimul de blocare.
Relum acum calculele pentru 400 . Curentul de colector rezult IC 4.6 mA , de unde rezult
U RC 15. 2 V i obinem VC 12 V -15.2 V = -3.2 V . Aa s fie, un potenial negativ al colectorului
cnd singura tensiune de alimentare pe care am o avem este pozitiv ? Este clar c am greit pe undeva.
Refacem calculele i aritmetica ne conduce la acelai rezultat VC -3.2 V . Verificm acum ce relaii am
aplicat la fiecare pas de calcul. Tensiunea baz emitor este sigur de ordinul a 0.6 V; i dac ar fi mai mic
potenialul de colector ar rezulta i mai negativ. Legea lui Ohm este cu siguran valabil pe rezistorul de
1 M. Putem, deci, s contm pe valoarea obinut pentru curentul de baz, el este de 11. 4 A .
Mai departe am scris c IC I B ; este aceast relaie valabil ntodeauna ? Recitim textul capitolului
i descoperim c aceasta nu se mai ntmpl dac tranzistorul intr n saturaie. Putem chiar verifica faptul
c tranzistorul este n saturaie, exist o valoare a curentului de colector fixat de circuitul extern pe care
tranzistorul nu o poate depi; aceasta se calculeaz simplu
12 V
IC sat 3.64 mA .
3.3 k
Or, cu relaia IC I B , curentul de colector a rezultat egal cu 4.6 mA. Concluzia este una singur, cu
400 tranzistorul este n saturaie. Din acest motiv, valoarea corect pentru potenialul de colector nu
este VC -3.2 V cum a ieit din calcul, ci
VC VE 0 V ;
de fapt, vom avea o tensiune de saturaie de cteva zecimi de volt.

Dac am fi calculat valoarea lui IC sat de la nceput, n momentul n care am fi ajuns la
IC 4.6 mA clopoelul ar fi sunat imediat, anunndu-ne c tranzistorul a ajuns n saturaie. Este bine, deci,
s ncepem rezolvarea unei astfel de probleme prin calcularea curentului de colector la care tranzistorul
ar ajunge n saturaie.
S tragem acum concluziile. Am modificat factorul de la 200 la 100 i, apoi, la 400. La prima
operaie, potenialul colectorului s-a deplasat n sus cu 4 V, dar tranzistorul a rmas n regiunea activ. Prin
creterea la 400 ns, tranzistorul a intrat n saturaie i colectorul a ajuns la potenialul mase, tranzistorul
ncetnd s mai funcioneze ca un robinet controlat. Morala este c polarizarea tranzistorului cu o rezisten
direct de la alimentare este total contraindicat, deoarece punctul static de funcionare depinde puternic
de parametrul .
c) Valoarea curentului de baz, calculat n ipoteza VBE = 0.6 V , a fost de 11.4 A. Dac tensiunea
baz-emitor crete cu 0.2 V, noua valoare va fi
12 V - 0.8 V
IB 11. 2 A
1 M
cu numai 1.8 % mai mic. n consecin, rezistena din baz stabilete

practic valoarea curentului de baz, indiferent de parametrii tranzistorului. +12 V
O denumire mai corect a acestei variante de polarizare ar fi "la curent de
+
baz fixat". 3.3 k
1M
-
Problema 2. Circuitul din problema precedent a fost modificat i
acum arat ca n Fig. 4.36.
+
a) Pentru valoarea factorului de 200, calculai punctul static de 0.6 V -
funcionare. ncercai s gsii o cale de a reduce o parte a rezolvrii la +
cazul precdent. 1k
-
b) Aflai ce se ntmpl dac factorul se modific, ajungnd la 400.
Rezolvare
a) De data aceasta nu mai cunoatem potenialul emitorului. Va Fig. 4.36.
trebui s aplicm legea tensiunilor, efectund o excursie de la nodul de mas
prin rezistena din emitor, jonciunea emitor baz i rezistena din baz. Ecuaia care rezult este
0 I E 1 k 0.6 V I B 1 M = 12 V ;
dac inem seama c I E IC I B , relaia devine

0.6 V I B 1 M 1 k = 12 V
care conduce la
12 V - 0.6 V 11.4 V
IB = 9.5 A .
1 M 1 k 1.2 M
De aici urmm calea cunoscut, I C I B 1.9 mA , U RC 6.3 V i

+12 V
VC 5. 7 V . Pe de alt parte, V E I E 1 k = 1.9 V iar
VB VE 0.6 V = 2.5 V . Circuitul, cu toate valorile calculate, este 3.3 k
1M
prezentat n Fig. 4.37.
1.9 mA
Dac analizm relaia din care am obinut valoarea curentului de 9.5 A
5.7 V
baz, constatm c rezistena din emitor apare multiplicat cu i
2.5 V
adunat cu rezistena din baz. Astfel, pentru calcularea curentului din
baz am putea considera c ea dispare din emitor i apare, de mai 1.9 V
mare, n serie cu rezistena din baz. Acest truc funcioneaz numai 1k
pentru calcularea curentului din baz. Pentru etapele ulterioare ale
calculului ea trebuie s revin la locul ei n circuitul emitorului.
Fig. 4.37.
b) Cu 400 curentul de baz se obine
12 V - 0.6 V 11.4 V
IB = 8.14 A .
1 M 1 k 1.4 M
Creterea lui a micorat un pic curentul de baz dar efectul creterii rmne puternic asupra curentului de
colector, care rezult acum I C I B 3.3 mA . n acest caz, pe rezistorul din colector ar cdea tensiunea
U R 10. 7 V de unde ar rezulta c potenialul colectorului ar fi la 1.3 V. Pe de alt parte, pe rezistorul din
C
emitor ar cdea 3.3 V i emitorul ar urca la VE 3.3 V . Am ajuns la o soluie n care potenialul colectorului
(1.3 V) este mai cobort dect al emitorului. Acest lucru este imposibil, deci tranzistorul a ajuns n saturaie.
Problema 3. n circuitul din Fig. 4.38 s-a utilizat un alt mod de polarizare al bazei. Considernd n
continuare c 200 ,
a) decidei dac divizorul rezistiv din baz poate fi considerat +12 V
nencrcat i calculai punctul de static funcionare.
b) Reluai punctul precedent, pentru 400 . Formulai o concluzie. 3.3 k
50 k
Rezolvare
a) Rezistena echivalent a divizorului rezistiv este puin mai mic
+
dect valoarea rezistenei de 10 k. Dac dorii o valoare mai precis, 0.6 V -
calculai combinaia lor paralel i obinei 8.3 k. Din rezolvarea problemei +
10 k 1k
precedente am nvat c, pentru calcularea curentului de baz, putem s -
deplasm rezistena din emitor n circuitul bazei, dac o multiplicm cu .
Avem, astfel, o valoare pentru rezistena care constituie sarcina divizorului,
ea este 1 k = 200 k , de 200 8. 3 24 de ori mai mare dect Fig. 4.38.
rezistena echivalent a divizorului. n concluzie, cu o aproximaie de 4 %
putem considera c divizorul este operat n gol. Prezena cderii de tensiune pe jonciunea baz-emitor
contribuie suplimentar la micorarea curentului extras din divizor, astfel c eroarea este chiar mai mic de
4 %.
n continuare, readucem rezistena din emitor la locul ei. Apoi calculm tensiunea de ieire n gol a
divizorului, prin regula de trei simpl. Ea este identic cu potenialul bazei tranzistorului
10 k
VB 12 V = 2 V ;
60 k
de aici calculm potenialul emitorului VE VB 0. 6 V = 1. 4 V i, cu legea lui Ohm, curentul de emitor,

care este practic egal cu cel de colector, IC 1. 4 mA . Urmeaz la rnd tensiunea pe rezistena din colector
VRC 4.6 V i, n final, potenialul colectorului VC 12 V - 4.6 V = 7. 4 V . Colectorul este mai sus cu
6 V dect emitorul, tranzistorul este departe de regimul de saturaie.
b) Acum divizorul rezistiv "vede" n locul rezistenei de sarcin de 200 k una de valoare dubl, egal
cu 400 k . Dac n cazul anterior cuplarea rezistenei de sarcin cobora cu 4 % tensiunea de ieire (faa de
cea de mers n gol), acum coborrea este numai de 2 %. n concluzie, modificarea lui de la 200 la 400
produce numai o cretere a potenialului bazei de 2 % din tensiunea n gol a divizorului, adic de numai 0.04
V. Aceeai cretere se va regsi i n emitor, provocnd o cretere a curentului de colector de numai 0.04 mA,
adic sub 3 %. n consecin, potenialul de colector va cobor cu 0.13 V de la valoarea anterioar de 7.4 V.
S ne aducem aminte c, n cazul circuitulor de la problemele 1 i 2, aceeai cretere a factorului
aducea tranzistorul n saturaie, pe cnd acum modificarea potenialului de colector este practic neglijabil.
Circuitul de polarizare din Fig. 4.38, care fixeaz potenialul bazei i nu curentul de baz, este circuitul care
asigur predictibilitatea punctului static de funcionare n condiiile mprtierii mari a factorului .
Probleme propuse
P 4.2.1. ncercnd s realizai circuitul din Fig. 4.39, luai un +10 V
tranzistor din cutie i l montai. S presupunem c tranzistorul are
200 . Calculai curentul de baz, curentul de colector i 220 k 560
potenialul colectorului. Este el n regiunea activ sau n saturaie ?
P 4.2.2. Lund un alt exemplar din aceeai cutie trimis de
fabricant, tranzistorul are, s zicem, 450 . Reluai problema
precedent i stabilii n ce regiune de funcionare se gsete
tranzistorul.
P 4.2.3. Stabilii acum n ce interval trebuie s fie factorul
pentru ca potenialul colectorului s nu se apropie la mai puin de doi Fig. 4.39 .
voli de potenialul alimentrii i, de asemenea, de potenialul masei.
n cutia cu tranzistoare, valorile lui snt distribuite cu egal probabilitate ntre limitele 200 i 450. Dac
dorim s realizm un amplificator dup schema precedent, ct la sut dintre amplificatoarele realizate trebuie
aruncate pentru c nu ndeplinesc condiia asupra potenialului de colector enunat mai sus ?
P 4.2.4. Utiliznd circuitul din Fig. 4.40, prin +5 V
comutatorul K dorim s controlm aprinderea becului, care
are valorile nominale de funcionare 0.2 A i 4.5 V. n ceea R bec incandescenta
B valori nominale
ce privete tranzistorul, contm pe un factor de cel puin 0.2 A; 4.5 V
50. Ct ar trebui s fie valoarea rezistenei din baz pentru ca
becul s funcioneze normal ? Dar dac ne lum o rezerv,
pentru orice eventualitate (de exemplu, cu filamentul rece
becul absoarbe mai mult curent dect cel nominal) ? K
P 4.2.5. n circuitul din Fig. 4.41, tensiunea sursei
ideale E B a fost ajustat fin astfel nct VC Valim 2 . O
nclzire cu 8o C a tranzistorului este echivalent cu o Fig. 4.40.
cretere de aproximativ 18 mV a tensiunii baz emitor (prin
modificarea parametrului I s din ecuaia (4.19)). Utilizai ecuaia
V alim citat i calculai de cte ori crete curentul de colector. Mai rmne
tranzistorul n regiunea activ ? Este o idee bun s polarizm
RC tranzistorul n acest mod ?
P 4.2.6. Circuitul de la problema precedent mai are un
0.6 V
VC
dezavantaj. Imaginai-v c E B sufer o variaie necontrolat, de
scurt durat, de la aproximativ 0.6 V la 1 V. Calculai de cte ori ar
+ crete curentul de colector dac rezistena RC ar fi nul (sau n locul
EB _ ei s-ar afla o diod). Care ar fi consecinele ?
P 4.2.7. n Fig. 4.42 avei schema unui amplificator cu emitor
comun, cu dou etaje. Ne vom ocupa numai de polarizare (regimul de
curent continuu) aa c nu trebuie s luai n seam condensatoarele,
Fig. 4.41 . ele nu afecteaz regimul de curent continuu. Nu le tergei de pe
schem, obinuii-v s lucrai cu ele acolo i s le ignorai cnd
vorbii despre polarizare. Mai nti stabilii sensurile curenilor i estimai ct de mari ar putea fi (n cea mai
defavorabil situaie) curenii de colector.
P 4.2.8. tiind c ambele tranzistoare au factorul de amplificare mai mare de 100, decidei dac
divizorul din baza lui T1 poate fi considerat nencrcat. Calculai apoi, pentru primul tranzistor, potenialul
bazei, potenialul emitorului i curentul de colector. +20 V

Scriei aceste valori pe schem, obinuii-v s
2.2 k
lucrai n principal pe schem i s scriei ct mai 5k
puine ecuaii sub form literal. 90 k
P 4.2.9. Pentru determinarea potenialului de T2
colector al lui T1 ar trebui s cunoatem curentul de out
in
baz al lui T2, pe care nu l tim. Putei afirma, T1
ns, c el nu este mai mare dect o anumit valoare,
pentru c avei deja o estimare maximal a
10 k 1.5 k 2.5 k
curentului de colector. Suntei, astfel, n msur s
aflai i potenialul de colector al primului
tranzistor.
P 4.2.10. n sfrit, determinai, pentru al
doilea tranzistor, potenialul de emitor, curentul de Fig. 4.42.
colector i potenialul colectorului.
P 4.2.11. Am vzut c putem considera curentul de colector ca
+10 V
fiind controlat de tensiunea baz-emitor, parametrul care depinde de
tranzistorul particular pe care l folosim fiind factorul multiplicativ I s .
Acest fapt are o aplicaie important n circuite ca cel din Fig. 4.43,, 4.7 k sarcina
numit oglind de curent.
a) Determinai curentul de colector al tranzistorului T1 (curenii
de baz se pot neglija).
b) Considernd c cele dou tranzistoare sunt "mperecheate",
avnd aceeai valoare pentru parametrul I s , calculai curentul de
colector al tranzistorului T 2. T1 T2
c) Rezistena sarcinii se modific; cu ce este echivalent
tranzistorul T2 ?
Fig. 4.43.
d) Care este compliana de tensiune a sursei de curent ?
e) Este aceasta o surs cu rezisten dinamic mare ? Revedei
caracteristica de ieire cu VBE const .
+10 V P 4.2.12. Circuitul din Fig. 4.44 este o oglind de curent
perfecionat.
a) Calculai curentul de colector al tranzistorului T1.
4.2 k sarcina b) Determinai curentul de colector al tranzistorului T2,
considernd tranzistoarele identice.
c) Estimai cu ct se modific valoarea curentului de colector al
tranzistorului T2 dac parametrul su I s devine de 10 ori mai mare.
Formulai o concluzie n privina predictibilitii curentului dac
tranzistoarele nu sunt mperecheate.
T1 T2
d) Calculai ct este acum compliana de tensiune a sursei de
500 500
curent.
e) Ce se ntmpl cu valoarea rezistenei dinamice a sursei de
curent ? Indicaie: potenialul bazei lui T2 este meninut constant dar
Fig. 4.44. tensiunea baz - emitor nu mai este constant; ai ntlnit o situaie
similar atunci cnd am discutat conexiunea cu baz comun.
Lucrare experimental
Pregtirea experimentelor
Desenai-v pe caiet circuitul din Fig. 4.45. pe care l vei utiliza pentru trasarea caracteristicilor statice.
Determinai sensurile curenilor i polaritile necesare pentru aparatele de msur. Realizai apoi circuitul.
IC
mA
I ap
C
RB IB
+ A + V A2
V A1 _
_ Pot. IV B E
0 - 10 V
V VBE
Fig. 4.45 Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

Sursa V A2 , legat direct ntre colector i emitor, va menine constant tensiunea VCE iar
miliampermetrul va msura valoarea curentului de colector. Sursa V A1 i rezistena RB vor asigura
deschiderea jonciunii baz-emitor. Curentul de baz poate fi reglat din valoarea acestei surse i, mai fin, cu
poteniometrul Pot. montat pe planet. Voltmetrul msoar tensiunea tensiunea VBE ntre baz i emitor.
Cunoscnd tensiunea de deschidere (tranzistorul este cu siliciu), stabilii scala pe care va trebui utilizat
voltmetrul i notai aceasta pe schema desenat.
Pentru determinarea curentului de baz a fost intercalat un microampermetru. El nu msoar ns
curentul de baz ci suma dintre acesta i curentul prin voltmetru
V
I ap I B BE ; (3)
RV
al doilea termen fiind semnificativ, va trebui s facei corecia necesar. Determinai rezistena voltmetrului,
decuplnd baza tranzistorului (legnd microampermetrul numai la voltmetru) i ajustnd sursa V A1 astfel
nct tensiunea pe voltmetru s fie pe scala de 1V, acolo unde voltmetru va fi utilizat. Comparai valoarea
aflat cu cea nscris pe aparat.
Experimentul 1. Caracteristica de intrare
Caracteristica de intrare este dependena curentului de baz n fncie de tensiunea baz-emitor. Ea

trebuie trasat meninnd constante anumite condiii de la portul de ieire. Cum valoarea curentului de colector
este controlat de la intrare, se menine constant tensiunea colector-emitor, care este parametrul la care se
traseaz caracteristica. Modificnd valoarea parametrului, obinem familia de caracteristici de intrare.
Vom modifica valoarea curentului de baz ntre 0 i 100 A. Presupunnd c tranzistorul are un factor
de amplificare de 100, estimai valorile curentului de colector i alegei o scal adecvat pentru
miliampermetrul din colector. Stabilii la 5 V tensiunea VCE i variai curentul de baz cu ajutorul
poteniometrului, observnd deschiderea jonciunii baz emitor i faptul c ea controleaz curentul de colector.
nainte s trasai caracteristica, determinai aproximativ tensiunea de deschidere i factorul . Pentru a trasa
caracteristica de intrare n scar liniar, determinai 10-12 puncte experimentale, pe ct posibil cu valori IC
echidistante. Msurai, n acelai timp, i valorile curentului de colector, trecnd datele ntr-un tabel de forma
VBE (V) Iap (A) IV VBE RV (A) I B Iap IV (A) IC (mA) IC I B

0 0 0 0 0
Completai apoi tabelul, fcnd msurtori la valori mult mai mici ale curenilor. Utilizai, pentru
valorile curentului de colector, secvena 5 mA, 1 mA, 0.5 mA, 0.2 mA, 0.1 mA, 0.05 mA, 0.02 mA, 0.01 mA,
0.005 mA, 0.002 mA, 0.001 mA deoarece aceste valori vor aprea practic echidistante pe scara
logoritmic.
Modificai acum tensiunea colector-emitor la valoarea 10 V i trasai din nou caracteristica de intrare
(numai msurtorile pentru scar liniar).
Reprezentai, apoi, grafic, n coordonate liniare, ncepnd de la V BE 0 , caracteristica I B f (VBE )
msurat la VCE 5 V . Se comport portul de intrare ca un rezistor ? Pentru mici variaii n jurul unui punct
de funcionare, putem introduce rezistena dinamic rbe VBE I B . Calculai valorile ei la curent de
colector de 1 mA i 10 mA.
Desenai pe acelai grafic i caracteristica ridicat la VCE 10V . Cum depinde comportarea portului
de intrare de tensiunea de la portul de ieire ? Caracterizai cantitativ aceast dependen, alegndu-v o
anumit valoare a curentului de baz (de exemplu I B 50 A ) i msurnd cu ct s-a modificat tensiunea
baz-emitor la modificarea tensiunii colector emitor; estimai factorul V BE VCE .
Experimentul 2. Caracteristicile de transfer
ncepei cu caracteristica IC f ( I B ) . Avei deja valori msurate pentru trasarea acestei caracteristici.
desenai-o i verificai c ea este apropiat de o linie dreapt. Este util n practic s cunoatem cum se abate
un tranzistor de la caracteristica ideal. Pentru aceasta, va trebui s calculai valorile factorului i s le
reprezentai n funcie de curentul de colector f ( IC ) , deoarece acest curent este cunoscut n aplicaii.
Utilizai o scar logaritmic pentru curentul de colector. Formulai o concluzie asupra dependenei factorului
de amplificare n curent .
i pentru dependena I C f (VBE ) avei deja datele. Mai nti reprezentai-o n coordonate liniare, cu
tensiunea ncepnd de la zero. Rspundei la ntrebarea: este tranzistorul bipolar un element de circuit liniar ?
Determinai transconductana sa
g m IC VBE .
la I C 1 mA i IC 10 mA i verificai c ea respect relaia gm IC VT .

Ne ateptm ca dependena s fie descris de relaia IC I S eVBE VT . Pentru a verifica aceasta,
desenai din nou caracteristica, cu o scar logaritmic pentru curent. (atenie, pe axa logaritmic "etichetele"
trebuie s arate valoarea curentului i nu a logaritmului !); alegei o scar liniar convenabil pentru tensiune,
chiar dac nu ncepe de la zero. Ce form are graficul i ce concluzie putei trage asupra dependenei
I C f (VBE ) ? Determinai pe ce interval de variaie a tensiunii baz-emitor curentul variaz cu o decad
(multiplicare cu 10). Din aceast valoare, determinai valoarea lui VT i apoi, utiliznd un punct de pe grafic,
calculai valoarea parametrului I s .
curentul de colector (mA)
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80
tensiunea baza-emitor (volti)
Desenai pe acelai grafic i dependena curentului de baz (caracteristica de intrare). Are curentul de
baz aceeai comportare ca cel de colector ?
Experimentul 3. Caracteristica de ieire
Deconectai voltmetrul din baza tranzistorului i legai-l ntre colector i emitor. Fixai I B la o anumit
valoare (s zicem 10 A) i micorai gradual tensiunea VCE de la 10 V pn la 0 V, urmrind evoluia
curentului de colector. Dac valoarea curentului de baz are tendina s se modifice fa de cea stabilit la
nceput, reajustai-i valoarea cu ajutorul poteniometrului de pe planet.
Refacei experimentul pentru alte cteva valori ale curentului de baz (20 A, 30 A, 40 A) i desenai
aceste dependene I C f (VCE ) I B const. pe acelai grafic, obinnd o parte din familia de caracteristici de
ieire. Estimai din grafic, pentru fiecare din caracteristicile de ieire, valoarea rezistene dinamice n regiunea
activ. Cum depinde ea de valoarea curentului de colector ? (desenai un grafic) Determinai, n final, valoarea
tensiunii Early, fie din valoarea rezistenei dinamice, fie prin extrapolarea caracteristicilor.
Experimentul 4. Saturaia tranzistorului n circuitele practice
Cnd am trasat caracteristica de ieire am legat o surs ideal de tensiune ntre colector i emitor, surs
care meninea tensiunea ntre aceste puncte la valoarea dorit de noi. Astfel, intrarea n saturaie s-a fcut prin
coborrea tensiunii acestei surse, care continuat, cobor la zero curentul de colector. n circuitele practice n
care tranzistorul este utilizat (i nu studiat), lucrurile stau cu totul altfel. Diferena esenial este c ntre sursa
V A2 i colector se intercaleaz intercaleaz o rezisten RC .
Stabilii la 10 V tensiunea de alimentare V A2 i modificai circuitul, cuplnd o rezisten de colector de

10 k . Calculai ct trebuie s fie valoarea curentului de colector la saturaie. Mrii, apoi, valoarea
curentului de baz i observai ce se ntmpl cu valoarea curentului de colector i cu tensiunea colector emitor.
Dup ce VCE coboar sub 1 V, msurai dependena acesteia n funcie de curentul de baz VCE sat f ( I B ) ;
cretei curentul de baz pn la 100 A.
IC
RC
mA
IB C
RB
A + V a2
+ V VCE _
V a1 _ Pot. B 10 V
E
Fig. 4.46.
Schimbai apoi rezistena de colector cu una de 1 k. Calculai curentul de colector la care se va satura
acum tranzistorul i refacei msurtorile VCE sat f ( I B ) . De data aceasta mrii curentul de baz pn la 1
mA. Desenai apoi, pe acelai grafic, ambele dependene. Pentru curentul de baz alegei o scar logaritmic
iar pentru tensiunea colector emitor utilizai o scara liniar, ntre zero i 1 V. Pe fiecare din curbe notai
valoarea curentului de colector la care a fost trasat.
V CE sat (V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10 A 100 A 1m A
IB
Pagini distractive
Am vzut, la sfritul seciunii 4.1, c, la instigarea unor autori "alternativi" 3, Ministerul Educaiei
Naionale i ordon bietului tranzistor bipolar (Ordinul nr. 4055 din 26.06.200 prin care avizeaz manualul)
s aib o jonciune ntre colector i emitor, s se satureze la valoarea maxim admis n catalog pentru
I C i, cel mai dureros, s intre n conducie la un scurtcircuit ntre baz i emitor. Supliciul la care e supus
acest dispozitiv onest nu se oprete, ns, aici. Cum specialiti de calibrul autorilor se pare c se gsesc din
belug pe la noi, suntem delectai cu o bijuterie de problem, propus la Olimpiada naional de fizic, 1998.
Pentru c al treilea punct al problemei nu cere dect reproducerea unor cuvinte de prin manuale, ne vom referi
numai la primele dou.
"ntr-un etaj de amplificare cu un tranzistor n
RC
montaj cu emitorul comun (vezi figura alturat) este
R1 1k
folosit un tranzistor n-p-n. Pentru polarizarea bazei 2
tranzistorului se folosete un divizor compus din + 12 V
rezistoarele R 1 i R2 . n lipsa semnalului electric de la 1
+
bornele de intrare 1 - 1', pentru punctul static de 0.6 V
R2 - 5 mA
funcionare, situat pe poriunea liniar a caracteristicii de
6k RE 2'
curent I C f (U CE ) , se consider cunoscui parametrii
electrici: I E 5 mA , I B 10 A , U BE 0.6 V , 1' K
R2 6 k , RC 1 k , E 12 V , r 0 , RE 1 ".
Pentru a uura discuia, ne-am permis s trecem pe
schema original valorile unora dintre "parametrii electrici" (rezistenele i curentul de emitor). S citim acum
cerinele problemei i s le rezovm cu ceea ce tim noi despre tranzistoare.
"a) Ce valoare are tensiunea U CE (ntre colectorul i emitorul tranzistorului) dac ntreruptorul K este
nchis i ce valoare va avea curentul din baz cnd K este deschis, dac U BE i I E se menin practic la
aceleai valori."
Sunt, de fapt, dou chestiuni. Tensiunea U CE rezult imediat dup ce calculm cderile de tensiune pe
rezistorul din emitor ( 5 mA 1 = 5 mV ) i pe cel din colector
U RC = (5 mA -10 A) 1 k = 4.99 V 5 V . Cum tensiunea de alimentare este de 12 V, ntre colector i
emitor mai rmne s cad 12 V - 5 V - 5 mV 6.995 V 7 V .
A doua chestiune se refer la situaia n care contactul K se ntrerupe (K deschis): ni se cere valoarea
curentului din baz, dndu-ni-se informaia suplimentar c "U BE i I E se menin practic la aceleai valori".
tim c tensiunea pe jonciunea baz-emitor nu se va modifica semnificativ dar autorul problemei i cere
tranzistorului s-i menin practic neschimbat curentul de emitor cnd contactul K se ntrerupe ! C doar
de aia este el autor naional de probleme.
Ce ar face totui un tranzistor umil, dac ar fi lsat n pace de autorul respectiv ? Observm, mai nti
c nu tim valoarea rezistenei R 1; o putem calcula, deoarece cunoatem curentul de baz i potenialul bazei.
Prin R2 curge la mas un curent de 0.605 V 6 k 0.101 mA , iar rezistena R 1 trebuie s furnizeze
suplimentar i curentul bazei, deci n total 0.101 mA + 0.01 mA = 0.111 mA . Cum pe ea cade
12 V - 0.605 V = 11.4 V , ea are valoarea 11.4 V 0.111 mA 103 k . Tot din datele problemei putem
afla factorul al tranzistorului, este 5 mA 10 A 1 501 500 . Acum avem tot ce ne trebuie. Tensiunea
de alimentare cade pe R1, pe jonciunea baz-emitor i pe rezistorul din emitor. Astfel, curentul de baz se
obine prin (12 V - 0.6 V) (103 k + 500 1 ) = 0.11 mA Cu un asemenea curent de baz, dac
tranzistorul ar mai rmne n regiunea activ, curentul de colector ar trebui s fie de 55 mA. Dar rezistena din
3***, "Fizic", Manual pentru clasa a X-a, Ed. Teora Educaional, Bucureti, 2000.
colector, de 1 k, nu permite curentului de colector s ajung dect pe la 12 mA, unde tranzistorul intr n
saturaie. Cum rezistena din emitor este extrem de mic (numai Dumnezeu poate ti de ce a ales-o aa
autorul, vom reveni n alt capitol asupra acestui lucru), n regim de saturaie emitorul st pe la 12 mV,
potenialul bazei este pe la 0.612 mV i curentul de baz este doar cu o miime mai mic dect cel calculat
anterior.
n concluzie, cnd contactul K este ntrerupt, tranzistorul este saturat la I C 12 mA iar curentul de
baz este de 0.11 mA. Curentul de emitor este, deci, de 12.1 mA. Autorul problemei i ncordeaz, ns,
muchii i oblig tranzistorul s menin curentul de emitor "practic" la aceeai valoare, adic la 5 mA.
S ne ocupm acum i de chestiunea de la punctul urmtor.
"b) Se aplic un semnal electric de tensiune u i U sin( t ) , U E , la bornele de intrare 1 -1' ale
etajului de amplificare (peste valoarea de regim static, se suprapune componenta de tensiune variabil n
timp). Se cere s se exprime dependena tensiunii de la bornele de ieire 2 -2' n funcie de valorile instantanee
ale curentului de colector iC , cnd K este nchis. Condensatoarele las semnalul variabil s treac."
Ne minunm un pic de faptul c, pentru a pune condiia de semnal mic, autorul problemei compar
amplitudinea semnalului cu tensiunea de alimentare. Noi tiam c numai 18 mV variaie a tensiunii baz-
emitor dubleaz curentul de colector i duce tranzistorul aproape de saturaie. 18 mV nu nseamn semnal mic
pentru acest amplificator, dei este de peste 600 de ori mai puin dect tensiunea de alimenatare. Nu merit s
ne minunm, totui, prea tare; fa de meninerea constant a lui I E de la punctul precedent aceast este o
otie nevinovat. Ne mai ntrebm numai de ce e nevoie s tim forma semnalului de intrare dac dependena
cerut trebuie exprimat n funcie "de valorile instantanee ale curentului de colector". S rspundem, totui la
ntrebarea problemei. Considernd variaiile de la regimul de repaus, ntoteauna VC RC I C ; dac
variaiile sunt de frecven suficient de mare, la ieirea 2 -2' tensiunea instantanee va fi egal n orice
moment cu abaterea instantanee a potenialului colectorului de la regimul de repaus u2 2' RC I C . Aici
I C ic este abaterea instantanee a curentului de colector de la valoarea de repaus. Dac dorm s apar
valoarea instantanee a curentului de colector iC , va trebui s o punem sub forma u2 2' RC iC ( t ) ICQ
unde I CQ este curentul de colector n repaus.
i acum s ncetm comentariile i s admirm rezolvarea dat de autorii manualului:
Tranzistorul este "uor n conducie" i nu se satureaz la ntreruperea lui K pentru c, dup tiina
autorilor manualului, aceasta are loc la valoarea maxim admis a lui I C . Pentru calculul tensiunii de ieire
sunt scrise o mulime de relaii complet inutile. Un lucru extraordinar ne lumineaz spre sfrit: autorii au aflat
c intensitaile curenilor de emitor i de colector sunt "de acelai ordin de mrirme".

Tranzitoare PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzitoare PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CAPITOLUL

4.1. Conexiunea baz comun 83

4.1. Conexiunea baz comun

4.2. Conexiunea emitor comun

4.1. Conexiunea baz comun

1. A. Tranzistoare: structur, simboluri i mod de funcionare

1 O istorie fascinant a inventrii tranzistorului bipolar putei gsi la www.pbs.org/transistor/index.html.

emitor baza colector emitor baza colector

vom aborda n cele ce urmeaz numai tranzistoarele cu siliciu,

chiar dac nu vom meniona de fiecare dat acest lucru explicit.

S vedem n ce const efectul de tranzistor. Dac dorim ca tranzistorul s funcioneze ca un robinet

Fig. 4.2. Efectul de tranzistor.

Scopul circuitelor electronice este, n majoritatea cazurilor, prelucrarea semnalelor (informaiei).

Prin caracteristic de intrare nelegem dependena curent-tensiune de la portul de intrare, adic I E

Din relaia (4.3) rezult c ea are expresia

fiind invers proporional cu valoarea curentului. Astfel, la 1 mA ea este de 25 , pe cnd la 10 mA coboar la

Depinde caracteristica de intrare de tensiunea de la portul de ieire ?

1.C. Caracteristicile de transfer

Cum 1, caracteristica de transfer IC f ( I E ) este o linie dreapt, practic identic cu prima

dublare a curentului la fiecare cretere cu 18 mV i multiplicare cu 10 la fiecare cretere de 60 mV.

Pentru a caracteriza sensibilitatea controlului se definete un parametru dinamic, numit

se poate arta imediat c

1.D. Caracteristica de ieire

curentul de emitor (mA)

tensiunea emitor-baza (volti)

Metoda dreptei de sarcin a fost descris pe larg n Cap. 3 la pag. 66.

Rezistena dinamic obinut va fi, ns, invers proporional cu valoarea curentului.

1.E. Saturaia tranzistorului

Ce condiie trebuie s respectm pentru ca

Fig. 4.7. Efectul modificrii rezistenei de sarcin cuplat la sursa de curent.

La polarizare invers a jonciunii colector baz, portul colector-baz se comport ca o surs de

Regimul de funcionare al tranzistorului cu ambele jonciuni deschise se numete regim de saturaie ;

n regimul de saturaie potenialele colectorului i emitorului devin practic egale.

La creterea n continuare a rezistenei de sarcin, punctul de funcionare se deplaseaz n jos,

1.F. Depirea dificultilor conexiunii baz comun

Am vzut c efectul fundamental al tranzistorului este controlul curentului de colector (independent

Fig. 4.8. Amplificarea variaiilor tensiunii de intrare.

Tranzistorul este, fr ndoial un consumator de energie. Cu toate acestea, dac lum n

1.G. Surse de curent cu tranzistoare bipolare

Fig. 4.10 a) i b). Sursa de curent cu tranzistor NPN.

complianta de tensiune : VE < VC V alim

Fig. 4.10 c) i d). Sursa de curent cu tranzistor NPN, realizare practic.

Putem opta, de exemplu, pentru valorile R2 12 k ; R1 43 k , care sunt standardizate.

complianta de tensiune : VE < VC V alim

Fig. 4.12. Procedura de proiectare a unei surse de curent cu tranzistor NPN.

Enunuri frecvent utilizate

Fig. 4.13. Surs de curent.

tensiune). Deoarece I B IC i 100 , rezult c, n funcionare normal,

cel al emitorului fiind cu aproximativ 0.6 V mai sus

Nu mai avem dect s aplicm legea lui Ohm pe rezistena RE

de unde rezult RE 0.84 k = 840 .

Fig. 4.14. Amplificator de anten TV.

a) Rezistoarele R2 i R3 formeaz un divizor rezistiv; n absena curentului de baz, ele ar fi

Observaie: n funcionarea amplificatorului, la frecvene mari, n paralel cu aceste rezistene

P 4.1.3 i, n sfrit, ultima schem,care trebuie completat cu polaritatea sursei de alimentare i

colector tocmai calculat. ntre ce limite se poate modifica aceast

Fig. 4.18. Circuit pentru trasarea caracteristicilor statice.

dac al doilea termen este semnificativ, va trebui s facei corecia necesar.

Determinai rezistena voltmetrului, decuplnd emitorul tranzistorului (legnd miliampermetrul

Experimentul 1. Caracteristica de intrare

Caracteristica de intrare este dependena curentului de emitor n fncie de tensiunea baz-

VEB (V) I aparat (mA) IV VEB RV (mA) I E Iaparat IV (mA) IC (mA) IC I E

curentul de emitor (mA)