Sunteți pe pagina 1din 39

P~ie=2W

Rs=18
fs=48Hz
fj=25kHz
Mj.dat =1.4dB
Ms.dat =0.9dB
Ka.dat=1%
S=15dB
Esurs=1mV
Rsurs=0.4k
Tm.min=-10C
Tm.max=50C
Calculul etajului final contratimp fr transformator echipat cu
tranzistoricomplementari n regimul clasa B alimentat de la o singur surs de
alimentare (fig. 2.3) se efectueaz pentru un singur bra, spre exemplu, pentru cel de sus
care formeaz repetorul pe emitor iar datele obinute snt folosite i pentru cel de-al
doilea bra. Aceasta se admite dac parametrii tranzistorilor braelor de sus i de jos nu
difer mai mult de (1020)%.
Calculul se ncepe cu alegerea tranzistorilor de ieire, pentru ce iniial se determin
un ir de mrimi electrice.
1. Se gsete puterea care trebuie s-o asigure tranzistorii etajului final cu
considerenta pierderilor n reeaua de reacie negativ.
P~2EA1,1P~ie
P~2EA=2.2W
2. Se determin valoarea amplitudinii tensiunii colector de curent alternativ a
tranzistorului VT2 (valoarea amplitudinii tensiunii de semnal dintre colectorul i
emitorul VT2):
Um.C2=(2P2EARs) (3.1)
Um.C2= 2 2.2 18 6 2.2 8.89V
3. Se determin tensiunea colector de curent continuu n punctul static de
funcionare a tranzistorului VT2:
U0C2=Um.C2+uCmin2 , (3.2)
U0C2=8.89+0.72=9.61V,
uCmin2=1.20.6=0.72V,
unde uCmin2tensiunea colector minimal care desparte poriunea neliniar a
caracteristicilor de ieire a tranzistorului, egal aproximativ cu (1,2...1,3)U sat, i
care nu depete (1...2)V.
4. Se determin valoarea tensiunii de alimentare a tranzistorilor :
Eal2U0C2 (3.3)
Eal=2 U0C2=19.22V,
Eal24V
i se alege cea mai apropiat de valoarea din standardul nominal dar nu mai mic
dect valoarea obinut prin calcule, conform urmtorului tabel:
Eal, (V) 6 9 12 18 24 36 48 60

Aici trebuie de menionat, c, dup cum a fost spus n capitolul 2, rezerva de


Eal este necesar nu pentru etajul final, ci pentru etajul prefinal care se alimenteaz
tot de la aceast surs de alimentare, pentru a obine n el U m.ie1>Um.ie - pentru a
putea alege o valoare dorit a rezistenei RE din punct de vedere al stabilizrii
emitor, pe care se va pierde o parte din tensiunea E al. Cu toate acestea trebuie de
contientizat c n etajul final majorarea Eal va duce la micorarea coeficientului de
utilizare a tensiunii colector ie=Um.ie/U0C2(3) i a randamentului a circuitului de
ieire ie.circ=Pie/P02(3), cu ce trebuie s ne conformm.
5. Se calcul amplitudinea curentului alternativ colector al tranzistorului VT2:
ImC2=UmC2/RsiCmax2 (3.4)
ImC2=8.89/18=0.49AiCmax2.
6. Se calcul puterea maxim disipat pe colectorul tranzistorului VT2:
PCmax20,202P2EA (3.5)
PCmax20,2022.2 0.444W.
7. Se alege tranzistorii VT2 i VT3 (KT 815A si KT 814A) dup urmtorii
parametri:
a) dup Uc(admis)1.2(2U0C2)1,2Eal
25V 23.064V 28.8V
b) dup IC(admis)(1,2...1,3)iCmax2
1.5A 0.637A (3.6)
c) dup PC(admis la t med.max.admis)PCmax2
1W0.444W
d) dup valoarea frecvenei limit fh21(2...4)fs
3MHz 0.1MHz.
Deci aceti tranzistori verific condiiile necesare.
Dac condiia d va fi greu de realizat, deoarece tranzistorii de putere posed nite
caracteristici de frecven mai joase , atunci valoarea frecvenei superioare se
gsete dup relaia:
fh21Efs/(M2sVT2-1) (3.7)
unde coeficientul de distorsiuni de frecven M sVT2 (n ori) induse de tranzistorul
VT2 (sau VT3) pot fi luate egale sau mai mari dect M s.dat (n ori), admisibile n
sarcina de proiectare a ntregului amplificator, ceea ce este permis, deoarece
distorsiunile de frecven a braelor etajelor nu vor fi de valori prea mari datorit
prezenei reaciei negative locale n tensiune.
La asigurarea condiiei c trebuie de inut cont c puterea tolerat disipat
pe colector PCmax indicat n ndrumare este adevrat pentru anumite valori
determinate de temperaturile pozitive pentru tranzistorii de putere mic pn la
(40...50)C i de (25...30)C pentru tranzistorii de putere mare. Cu creterea
temperaturii aceast putere se micoreaz i, la temperatura Tm.max dat n sarcina
de proiectare, ea se determin dup relaia:
PC.adm.Tm.max=(Tj.max-Tm.max)/Rj-C (pentru tranzistorii fr radiator) (3.8a)
PC.adm.Tm.max=(Tj.max-Tm.max)/(Rj-c+Rc-m) (pentru tranzistorii cu radiator) (3.8b)
unde:
Tj.max temperatura maxim admisibil a jonciunii (se indic n ndrumar);
Rj-m rezistena termic jonciunemediu (din ndrumar);
Rj-c rezistena termic jonciunecarcas (din ndrumar);
Rc-m rezistena termic carcasmediu, care depinde de eficacitatea de
disipare a temperaturii de la carcasa tranzistorului; pentru tranzistorii de
putere la Tm.max<50C, Rc-m nu trebuie s depeasc (12)C/W.
Tranzistorul trebuie utilizat cu radiator n cazul n care puterea de disipare pe
colector n regimul ales PCmax2 este mai mare dect puterea de disipare permis
PCperm.Tm.max a tranzistorului fr radiator, adic determinat dup relaia 3.8, sau
altfel spus Tj.max=Tm.max+PCmax2Rj-m depete temperatura maximal admisibil a
jonciunii Tj.max a tranzistorului dat indicat n ndrumar. Suprafaa necesar a
radiatorului poate fi determinat dup relaia:
S(cm2)=1400PCmax2/(Tj.max-Tm.max-PCmax2Rj-c)
obinut n relaia 3.8 pentru PC.adm.Tm.max a tranzistorului cu radiator, unde se admite
ca PC.adm.Tm.max=PC.max, iar Rc-m=1400/S(cm2).
8. Dup alegerea tranzistorilor pe familia de caracteristici statice de ieire
(fig.3.1), se construiete dreapta de sarcin n curent alternativ pentru rezistena
braului RB=Rs, ducnd aceast dreapt prin punctele cu coordonatele :
U0C2=0,5Eal; iC2=0; iCmax2; uC2=U0C2-UmC2.
9. Menionm, c n figura 3.1 este prezentat o metod de construire a
graficului pentru determinarea valorii maxime a coeficientului de utilizare a
tensiunii colector:
max=UmC2/U0C2, la care UC2=UCmin2.
10. Se evideniaz coordonatele punctului static de funcionare U0C2=0,5Eal,
i0C2 (fig.3.1). Valoarea curentului n punctul static de funcionare se alege din
urmtoarele considerente. Pentru ridicarea randamentului regimului clasa B
curentul de repaus se alege ct mai mic, ns micorarea curentului i 0C2 este limitat
de apariia distorsiunilor neliniare de tip treapt la valori mici a semnalului. De
regul curentul i0C2 se alege:
i0C2(0,01...0,05) iCmax2 (3.9)
i0C2(0,01...0,05)0,49=0,0147A.
11. Se calculeaz valoarea medie a curentului i puterii consumate de la sursa de
alimentare de ctre circuitele colector ale tranzistorilor VT2 i VT3 la puterea de
ieire nominal:
iCmed2-3 iCmax2/ (3.10)
iCmed2-30,49/3,140,156A
P02-3 Eal iCmed2-3 (3.11)
P02-3240,1563,74W
12. Din fig. 3.1 se gsete curentul de repaus baz i 0B2, curentul baz maxim iBmax2
i de asemenea cea mai mare amplitudine de curent alternativ baz a tranzistorului
VT2:
ImB2= iBmax2- i0B2 iBmax2 (3.12)
13. n lipsa caracteristicilor aceti cureni pot fi determinai din relaiile:
i0B2= i0C2/h21Emin ; (3.13)
i0B2=0,0147/40=0,367mA
iBmax2= iCmax2/h21Emin ; (3.14)
iBmax2=0,49/40=12,25mA
ImB2=ImC2/h21Emin ; (3.15)
ImB2=0,49/40=12,25mA,
unde valoarea minim a coeficientului de amplificare h 21Emin se utilizeaz cu scopul
considerrii mprtierii parametrilor tranzistorilor.
14. n continuare se construiete caracteristica dinamic de intrare a tranzistorului
VT2 dup curent alternativ. Aici se ia n vedere c la majoritatea tranzistorilor
caracteristicile de intrare practic nu depind de tensiunea uC, i deaceea curbele
curentului bazei iB=f(uB) pentru toate tensiunile de lucru, practic se suprapun i
formeaz o singur curb care se indic n ndrumare pentru u C=5 V.
Corespunztor, caracteristica dinamic de intrare practic va corespunde cu
caracteristica static la tensiunea uC=5V. Pe aceast caracteristic se noteaz
curenii baz i0B2 i iBmax2 i se gsesc mrimile U0B2 i uBmax2 (fig. 3.2).
Amplitudinea tensiunii alternative la intrarea tranzistorului VT2 (ntre baz i
emitor) va fi:
UmB2=uBmax2-U0B2 (3.16)
UmB2=5-1,2=3,8V
15. Se determin rezistena de intrare n curent alternativ a tranzistorului
VT2 (ntre electrozii baz - emitor):
RintVT2=UmB2/ImB2 (3.17)
RintVT2=3,8V/12,25mA=310
16. Se determin amplitudinea tensiunii de excitare pentru braele de sus i
de jos a etajului final:
Um.intr.2=UmB2+Um.ie (3.18)
Um.intr.2=3,8+6=9,8V
Um.ie= P R 2 18 6V

ies s

17. Se calcul rezistena de intrare pentru fiecare bra de etaj final:


Rintr2=Um.intr2/ImB2 (3.19)
Rintr2=9,8/0,01225=800
18. Se calcul puterea necesar pentru excitarea etajului final:
Pintr2-3=0,5Um.intr2ImB2 (3.20)
Pintr2-3=0,59,80,01225=60mW
19. Se calcul coeficienii de amplificare n putere i n tensiune a etajului
final:
KP.fin.ie=Pie/Pint2-3 (3.21)
KP.fin.ie=2W/60mW
KU.fin.ie=Um.fin.ie/Um.int2<1 (3.22)
KU.fin.ie=6/9.8=0,6<1
Reieind din valoarea necesar a tensiunii de polarizare sumar a
tranzistorilor VT2 i VT3 U0B2-3=U0B2+U0B3, care, dup cum s-a artat n capitolul
2, se obine cu ajutorul termorezistorului R T i a rezistorului R, conectai n
circuitul colector al tranzistorului VT1 a etajului prefinal i conectai paralel la
intrrile tranzistorilor VT2 i VT3 se calculeaz rezistena rezultant R T=RTR/
(RT+R) conform relaiei:

iC2

iB.max2

RC=RS

iB2
iC.max2

i0B2
i0C2

uC.min2 Um.C2=Um.ie uC2

U0C2

Fig. 3.1

U0B2-3=U0B2+U0B3=RT i0RT=RT(i0C1-i0B2) , (3.23)


U0B2-3=1,2+1,2=2,4V.
unde i0C1curentul continuu colector al tranzistorului VT1 a etajului prefinal, iar
i0RTporiunea curentului colector i0C1, care se scurge n circuitul paralel prin
rezistoarele RT i R.
Calculul rezistenei RT poate fi efectuat numai dup calculul etajului
prefinal, cnd va fi determinat valoarea curentului i0C1 (vezi paragraful 3.1.3).
n ncheierea acestui paragraf trebuie de menionat, c rezultatele calcului
circuitului baz a tranzistorilor de ieire VT2 i VT3 servesc ca date iniiale pentru
calculul etajului prefinal monociclu echipat cu tranzistorul VT1 n regimul clasa
A.
iB2
uC2=0
uC2=5V

IB.max2Im.B2

i0B2
uB2

U0B2 UB.max2

Fig. 3.2

3.1.2. Calculul etajului prefinal monociclu n regimul clasa A


n cuplare rezistiv cu etajul final

Date iniiale pentru calculul etajului prefinal monociclu echipat cu


tranzistorul VT1 n regimul clasa A cu cuplare rezistiv cu etajul final snt
rezultatele de calcul a circuitului baz a tranzistorilor etajului final i
particularitile expuse mai sus cu privire la construcia schemelor fr
transformator.
La alegerea tranzistorului VT1 a etajului prefinal ne vom conduce de
urmtoarele indicaii.
Tranzistorul etajului prefinal trebuie s asigure la intrarea etajului final o
tensiune de semnal Um.intr2, determinat de relaia (3.18) pentru schema din fig. 2.3,
adic, dup cum s-a menionat n capitolul 2, s asigure la ieirea sa o tensiune de
semnal Um.ie1=UmC1=Um.intr2, apropiat de tensiunea de alimentare 0,5Eal a fiecrui
bra. Deaceea de la tranzistorul etajului prefinal se cere o utilizare maxim a
tensiunii de alimentare colector.
1. Tensiunea colector de curent continuu U0C1 a tranzistorului VT1 pentru
schema din fig. 2.3 va fi:
U0C1=0,5Eal-U0BVT3-U0RE1 , (3.24)
U0C1=0,524-1,2-0,6=10,2V,
unde U0RE1 este cderea de tensiune pe rezistena RE1 din contul scurgerii prin
acesta a curenilor continuu colector i baz i0C1 i i0B1 a tranzistorului VT1.
2. Cu toate acestea, valoarea tensiunii U 0C1 (vezi fig. 3.3) trebuie s satisfac
condiia:
U0C1=UmC1+UCmin1Um.intr2+UC.min1 . (3.25)
U0C19,8+0,4=10,2V.
Condiia (3.25) pentru tranzistorul VT1, poate fi satisfcut la o tensiune de
saturaie mic (mai mic de (0,5...1)V) i la o variaie mic a coeficientului de
amplificare n curent Ki de la variaia curentului colector i de asemenea la o
valoare de ordinul (0,5...2)V a cderii de tensiune U0RE1 pe rezistena emitor a
acestui tranzistor.
n caz cnd se ntlnesc greuti n satisfacerea condiiilor (3.24) i (3.25) se
poate de mrit puin Eal cu o corectare corespunztoare a calculului etajelor finale.
Anume cu acest scop la nceputul paragrafului 3.1.1 n cadrul calculului etajelor
finale s-a recomandat alegerea Eal cu o oarecare rezerv (cu toate c aceasta
micoreaz ntr-o oarecare msur ie i randamentul etajelor finale).
3. Determinm rezistena rezistorului RC1 din circuitul colector a
tranzistorului VT1 pentru schema din fig. 2.3:
RC1=(0,5Eal-U0B2-Um.intr2)/(ImB2+iCmin1); (3.26)
0.5 24 1.2 9.8
RC1= 76.2 82
12.25 0.86
unde iCmin1valoarea minimal admisibil a curentului colector din punct de vedere
al asigurrii regimului liniar de lucru, egal cu:
iCmin1(0,05...0,1)ImB2(0,5...1)mA (3.27)
iCmin1(0,05...0,1)12,25mA0,86mA(0,5...1)mA
4. Se calcul curentul colector al tranzistorului VT1 pentru schema din fig.2.3:
i0C1=(0,5Eal-U0B2)/RC1 ; (3.28)
i0C1=(0,524-1,2)/82=0,131A
5. Se calcul puterea de disipare colector a tranzistorului VT1:
PCmax1=U0C1i0C1PC.adm.Tm.max. , (3.29)
PCmax1=10,20,131=1,34W,
unde PC.adm.Tm.max. se determin avnd n vedere temperatura mediului ambiant
conform relaiei (3.8).
6. Se calcul amplitudinea curentului de semnal prin RC1:
Im.RC1=Um.intr2/RC1 (3.30)
Im.RC1=9,8/82=0,12A
7. Se calcul componenta alternativ sumar al curentului colector al
tranzistorului VT1:
Im.C1=Im.B2+Im.RC1 (3.31)
Im.C1=12,25mA+120mA=132,25mA.
8. Determinm valoarea maxim a curentului colector a tranzistorului VT1:
iC.max.1=i0C1+ImC1 (3.32)
iC.max.1=0,131A+0,13225A=263,25mA
innd cont de valorile obinute ale mrimilor electrice se alege tranzistorul
VT1 (KT 815) cu tensiune mic de saturaie dup urmtorii parametri:
PCadm.Tm.max.PCmax.1;
UCadm.1,2(2U0C1)1,2Eal;
ICadm.1,4iCmax.1; (3.33)
fh21E(2...4)fs.
10W1,34W;
40V24,4828,8V;
1,5A.1,40,263250,368;
3MHz0,1MHz.
9. n continuare se calcul rezistena sarcinii colector VT1 n curent
alternativ:
RC1=RC1Rintr2/(RC1+Rintr2) (3.34)
82 800
RC1= 82 800 74.37
i pentru aceast rezisten se construiete dreapta de sarcin n curent alternativ pe
familia caracteristicilor statice de ieire a tranzistorului VT1. Ea va trece prin
punctele cu coordonatele U0C1, i0C1 i uCmin1, iCmax1 (vezi fig. 3.3), dar trebuie s se
ndeplineasc i condiia (3.25).
10. Din construcie (fig. 3.3) se determin curenii i 0B1, iBmax1, iBmin1, i de
asemenea:
ImB1=i0B1-iBmin1 i ImB1=iBmax1-i0B1.
11. n lipsa caracteristicilor de ieire aceti cureni pot fi gsii din
urmtoarele relaii: i0B1=i0C1/h21Emin;
iBmax1=iCmax1/h21Emin1;
iBmin1=iCmin1/h21Emin1;
ImB1=i0B1-iBmin1; (3.35)
i0B1
=131/40=3,275mA;
I mB1=iBmax1-i0B1;
iBmax1 =263,25/40=6,581mA;
iBmin1=0,86/40=0,0215mA;
ImB1=3,275-0,0215=3,2535mA
ImB1=6,581-3,275=3,306mA
12. Din caracteristica de intrare a tranzistorului VT1 la u C=5 V, considerat
orientativ ca caracteristic dinamic de intrare a acestuia, se gsesc U0B1, uBmax1,
uBmin1, UmB1, UmB1 (fig. 3.4).
13. Se determin rezistena de intrare a tranzistorului n curent alternativ:
Rintr.VT1=(uBmax1-uBmin1)/(iBmax1-iBmin1) (3.36)
Rintr.VT1=(5-1,5)/(6,581-0,0215)=3,5/6,5595=533
14. Puterea debitat de tranzistorului VT1 ales trebuie s satisfac relaia:
PieVT1=0,5UmC1ImC1Pintr2-3 (3.37)

P ieVT1=0,59,8132,25=648mW60mW.
Dac n procesul de calcul a etajelor amplificatoare prefinale conform
variantelor artate n fig. 2.3 vor aprea dificulti n alegerea tranzistorilor i n
obinerea Um.ie1=UmC1=Um.intr2, ImC1 i PieVT1 necesare, atunci poate fi utilizat
schema simplificat a etajului final (vezi fig.2.5).

iC1
iC.max1 iB.max1

R C
Im.C1

i0B1
iB1
R=C1RC1+RE1

i0C1

iB.min1

uC.min1 Um.C1=Um.in2 uC.max1 uC1


uC.min1 Um.C1=Um.in2
U0C1
i0C1RC1
U0C1
Fig. 3.3

iB1
uC2=0 uC2=5V

IB.max1

I"m.B1

PSF

I'm.B1
i0B01

iB.min1 uB1
'
uB.min1 U m.B1 uB.max1
U0B1 U"m.B1

Fig. 3.4
n acest caz calculul mrimilor electrice necesare pentru alegerea
tranzistorului VT1 i calculul etajului prefinal n ntregime se face n felul urmtor.
La alegerea tensiunii colector de curent continuu U0C1 a tranzistorului VT1
ne conducem de aceleai relaii (3.24) i (3.25) ca i n cazul precedent.
Pentru determinarea curentului continuu colector i0C1 a tranzistorului VT1, n
loc de relaiile (3.26) i (3.28) principale n calculul precedent, se vor folosi
relaiile:
i0C1ImC1+iCmin1=ImB1+ImRC1+iCmin1=ImB2+UmB2/RC1+iCmin1, (3.38)
care snt principale pentru varianta etajului final cu circuit RC (vezi fig. 2.5).
Acest curent, n schema etajului prefinal cu circuit RC, care introduce n
circuitul colector al tranzistorului VT1 tensiunea Um.ie de pe sarcina Rs a etajului
final, va fi semnificativ mai mic dect curentul obinut din formulele (3.28) pentru
etajul prefinal fr un astfel de circuit RC. Aceasta se explic prin faptul c
curentul ImRC1 ce curge prin rezistorul R1, n schema etajului prefinal cu circuit RC,
determinat de expresia ImRC1=UmB2/RC1, va fi semnificativ mai mic, dect n schema
fr circuit RC unde el este egal cu:
ImRC1=Um.intr2/RC1=(UmB2+Um.ie)/RC1.
Pentru calculul curentului i0C1 dup formula (3.38) se cere cunoscut
valoarea rezistenei RC1, care la etapa actual a calculului nc nu este cunoscut.
Deaceea, avnd n vedere c n etajul prefinal cu circuit RC, valoarea curentului
continuu colector i0C1 a tranzistorului VT1 poate fi aleas ntr-o gam foarte larg
prin pstrarea principalelor proprieti ale etajelor, atunci acest curent n
corespundere cu (3.38) poate fi considerat egal cu:
I0C1>(1,3...1,5)ImB2 , (3.39)
dar valoarea definitiv aleas pentru i0C1 nu trebuie s fie mai mic de (2...3)mA,
deoarece la cureni de valori mai mici se nrutesc considerabil parametrii de
amplificare i de frecven.
Puterea de disipare pe colectorul VT1 se determin de expresia analogic
(3.29). n schema etajului prefinal cu circuit RC aceast putere va fi mai mic dect
n schema fr circuit RC din cauza valorii mai mici a curentului i0C1.
Amplitudinea curentului de semnal ImRC1 ce curge prin RC1, amplitudinea
componentei alternative sumare a curentului colector imC1, valoarea maximal a
curentului colector iCmax.1, a tranzistorului VT1 vor fi respectiv:
ImR1=UmB2/RC1;
ImC1=ImB2+ImRC1;
i =i0C1+ImC1;
De menionat c n schema Cmax1
cu circuit RC aceste mrimi vor fi mai mici dect
n schema fr circuit RC.
Dup formulele analogice (3.33), se alege tranzistorul VT1 cu o tensiune de
saturaie mic. El va fi de o putere ceva mai mare dect n cazul fr circuit RC.
Apoi se determin rezistena R (vezi fig. 2.5): R(5...10)Rs, i rezistena RC1:
RC1=(0,5Eal-U0B2-i0C1R)/i0C1 ; (3.40)
Valorile obinute pentru R i RC1 trebuie s satisfac condiia:
R(0,1...0,2)RC1.
De menionat c valorile RC1 i R nu snt critice deoarece curentul continuu
colector i0C1 al tranzistorului VT1 n schema etajului final cu circuit RC poate s se
schimbe ntr-o gam foarte larg pstrnd principalele caliti ale schemei.
n continuare determinm rezistena sarcinii colector a tranzistorului VT1 n
curent alternativ, care cu considerenta influenei reaciei pozitive ce are loc prin
circuitul RC se va determina de relaia:
RC1=UmC1/ImC1=Um.intr2/ImC1=(UmB2+Um.ie)/ImC1.
Pentru obinerea valorii acestei rezistene pe familia caracteristicilor statice
de ieire a tranzistorului VT1 se construiete dreapta de sarcin n curent alternativ.
Ea trebuie s treac prin punctul cu coordonatele (U0C1, i0C1) i prin punctul cu
coordonatele (uC1=U0C1+i0C1RC1, iC1=0). Pe dreapta de sarcin obinut se depune
punctul cu coordonatele iCmax1, uCmin1. Poriunea de lucru a dreptei de sarcin
construite, dintr-o parte va fi mrginit de punctul cu coordonatele i Cmax1, UCmin1, iar
din cealalt parte de punctul cu coordonatele iCmin1, UCmax1=U0C1+Um.intr2.
Din grafic se determin curenii i 0B1, iBmax1, iBmin1, ImB2=i0B1-iBmin1 i I

mB1=iBmax1-i0B1.
n lipsa caracteristicilor de ieire aceti cureni pot fi determinai i fr
construirea dreptei de sarcin n curent alternativ conform relaiilor analogice
(3.35).
Dup valorile obinute a curenilor baz i dup caracteristicile de intrare a
tranzistorului VT1 la UC=5 V, considerat aproximativ ca caracteristica dinamic
de intrare a acestuia, se gsesc, dup cum a fost artat n fig. 3.4, tensiunile U 0B1,
UBmax1, UBmin1, UmB1, UmB1.
n continuare, dup formule analogice cu (3.36) se determin rezistena de
intrare a tranzistorului VT1 n curent alternativ.
i, la sfrit, se verific ndeplinirea condiiei analogice cu (3.37).

3.1.3. Calcul a circuitelor de polarizare i stabilizare a punctului static


de funcionare a etajelor finale i prefinale

Cu considerenta celor expuse n cap.2 i 3.1.1 calculul elementelor R T i


R, care asigur tensiunea de polarizare necesar i stabilizarea curenilor de curent
continuu colector a etajului final se rezum la urmtoarele.
Reieind din tensiunea de polarizare cerut a tranzistoarelor etajului final la
temperatura de camer normal Tm=200C, determinm rezistena rezultant a unirii
n paralel a rezistenelor RT i R pentru circuitul artat n fig.2.3, n corespundere
cu relaia (3.23):
U 0 B 2 U 0 B3
RT (3.41)
i0C1 i0 B 2
1.2 1.2 2.4 V
RT 18.3 .
131 0.367 131.367mA
Reeind din condiia c valorile curenilor de current continuu colector a
tranzistoarelor etajului final trebuie s fie constante la ridicarea temperaturii, se
gsete micorarea relativ a tensiunii de polarizare necesar pe rezistena RT, la
temperatura de lucru maxim Tm.max pentru circuitul fig.2.3:
mP 1

2.2 * 10 3 * n * Tm. max 20 0 C
, (3.42)
U 0 B 2 U 0 B3

mP 1

2.2 10 3 2 50 0 C 20 0 C
1 0.055 0.945 ,
1.2 1.2
unde n numrul de tranzistoare, polarizate de tensiunea de pe rezistena R T: n
circuitul din fig.2.3, n=2.
Din ndrumar alegem un termorezistor cu o aa valoare a coeficientului
negativ de temperatur a rezistenei T() la 10C, ca micorarea relativ a
rezistenei lui mT la nclzire pn la Tm.max ,
0
mT T 0 Tm. max 20 0 C (3.43)
100
mT
3
100
50 0 C 20 0 C 0.9
s satisfac condiia mT<mP.
S-a ales termorezistorul CT 3-6 cu T()=-(2,8-3,2) i rezistena ntre 6,2-8,2k.
n continuare se determin valoarea rezistenei R i a termorezistorului RT la
temperatura Tm=200C:
RT 1 mT
R ; (3.44)
m P mT
18.31 0.9
R 40.66 42.2 ;
0.945 0.9
RT RT
RT 20 0 C ; (3.45)
R RT
18.3 8k
RT 200 C 6.2k .
42.2 18.3
Mai departe se calcul electro-componentele circuitelor de obinere a
polarizrii i stabilizrii curentului continuu colector i 0C1 a tranzistorului VT1 din
etajul prefinal. n procesul de calcul trebuie inut cont de faptul c termostabilitatea
curentului i0C1 trebuie s fie destul de nalt n comparaie cu valoarea mic a
tensiunii remanente a colectorului uC.min.1 a tranzistorului VT1 i dependenei
eficacitii de termocompensare n etajul de ieire de gradul de termostabilitate a
curentului i0C1.
n corespundere cu cele expuse n cap.2 i 3.1.2, scopul final al calculelor
va fi n determinarea rezistenelor R1 i R2 a divizorului de tensiune baz a VT1, cu
ajutorul cruia obinem tensiunea de polarizare a bazei U 0B1 a lui VT1, i
determinarea rezistenei RE1 din circuitul emitor a tranzistorului VT1. Totodat,
trebuie de contientizat faptul c deoarece procesele de obinere a tensiunii de
polarizare U0B1 i stabilizare a curentului continuu colector i0C1 sunt strns legate,
atunci i calculul rezistenelor RE1, R1 i R2 vor fi interdependente.
Calculul se ncepe cu alegerea rezistenei rezistorului R E1, care se determin
de relaia:
U 0 RE1
R E1 ,
i 0 C 1 i 0 B1
(3.46)
0.6V
R E1 4.46 4.7
(131 3.275) mA
unde U0RE1 cderea de tensiune pe rezistena R E1, condiionat de curenii i0C1 i
i0B1, ce-l parcurg.
Fiind c cu ct este mai mare R E1, cu att mai mare este gradul de reacie
negativ local 1RNL n curent continuu i ca urmare este mai efectiv stabilizarea
curentului colector i0C1 n punctual static de funcionare (PSF), n calculul
rezistenei RE1 trebuie prestabilit o valoare maxim de U0RE1. n circuitul etajului
prefinal cu cuplare rezistiv cu etajul final U0RE1 se determin de relaia (3.24)
U 0 RE1 0.5E al U 0 B VT 3 U 0C1 ,
U 0 RE1 0.5 24 1.2 10.2 0.6V
sau ceea ce d acelai rezultat:
U 0 RE1 E al U 0C1 i0C1 RC1 i0 C1 i0 B 2 RT (3.47)
U 0 RE1 24 10.2 0.131 82 0.131 0.00036718.3 0.66V
i trebuie s fie de aproximativ (0.5...2)V.
Menionm, c anume cu scopul de a obine o valoare maxim a tensiunii
U0RE1 i s-a recomandat la nceputul calculului etajului final (vezi 3.1.1) ca E al s
fie aleas cu o oarecare rezerv (nectnd c aceasta condiioneaz o oarecare
reducere a coeficientului de utilizare i a randamentului () etajului final).
Mai departe se trece la calculul rezistenelor R 1 i R2 a divizorului de
tensiune baz. Pentru calculul divizorului exist mai multe metode. Cea mai
complet din ele, n calculele inginereti se bazeaz pe determinarea variaiei
admisibile i0C.adm a curentului continuu colector i0C1 n prezena stabilizrii i
variaiei maxime i0C.max.1 a acestui curent n absena stabilizrii i folosirea lor n
calculul gradului de reacie negativ local 1RNL n curent continuu, n
corespundere cu care, i cu considerenta valorilor R E1 i U0B1, determinate anterior,
calculm R1 i R2.
Pentru a calcula i0C.adm se construiete dreapta de sarcin n curent continuu
folosind familia de caracteristici statice de ieire a tranzistorului VT1 (vezi fig.3.3).
Ea va trece prin punctele cu coordonatele U 0C1, i0C1 i iC1=0, uC1=U0C1+i0C1R=C1,
unde R=C1 rezistena de sarcin a tranzistorului VT1 n curent continuu:
R C1 RC1 RT RE1 (3.48)
La creterea temperaturii de lucru a tranzistorului VT1, curentul i0C1 va crete
i PSF se va deplasa n sus pe dreapta de sarcin. Variaia admisibil a curentului
repaus i0C .adm i0 C1 i0C1 (vezi fig.3.3) se determin de scderea tensiunii
remanente a colectorului uC.min.1 pn la mrimea minim admisibil uC . min .1 (mai
mic de 0.51 V) i se gsete nemijlocit pe dreapta de sarcin sau din formula:
E al U 0C1 E al U 0C1 E al U mC1 u C . min 1 E al U mC1 u C . min 1
i0C .adm.1 i0C1 i0C1
R C1 R C1 R C1 R C1
uC . min1 uC . min 1
, ( 3.49 )
R C1
0.4 0.3
i0C .adm.1 9.5mA ,
73.37
unde R C1 se determin din relaia (3.48).
Asigurarea anume acestei valori de curent n circuit se asigur printr-o
reacie negativ local n curent continuu prin rezistena R E1. Pentru calculul
gradului necesar de reacie 1RNL n afar de i0C .adm.1 trebuie evaluat variaia
maxim a curentului colector i0C . max .1 la temperatura maxim de lucru n lipsa
circuitului de stabilizare:
i0C . max 1 i0C . max 1 i0C (3.50)
Aici
i0C . max 1 h21E . max 1i0 B1 1 h21E . max 1 * I 0CB max 1 , (3.51)

unde
T j . max 1 T j .indr .1
I 0CB. max I 0CB * 2 100 C

T j . max 1 T j .indr .1
sau I 0CB. max I 0CB * 3 100 C


- curentul nedirijat pentru VT din Ge (sau Si), i
T j . max Tm. max R jm1 PC . max1 Tm. max R jm1U 0C1i0C1
- valoarea maxim a temperaturii jonciunii colector.
Gradul necesar de reacie negativ local n curent continuu se calculeaz
din relaia:
i0 C . max 1
1RNL
i0C .adm1
(3.52)
Gradul reaciei negative locale n etajul prefinal condiionat de RE1 se
determin de relaia:
1 h21EVT1 * R E1
1RNL 1 , (3.53)
R D1 Rint .VT 1
care se obine din relaia general pentru RN:
1RNL 1 1k1 1 1k int .circ1k i .VT 1 ,
substituind n ea mrimile 1 , K circ . int .1 , K i.VT 1 pentru circuitul precutat de reacie
negativ local:
1
u RE1

iE1 RE1

1 ki.VT 1 RE1
;
u RC1 u RE1 iC1 RC1 iE1 RE1 k i.VT 1 RC1 1 k i.VT 1 RE1
u RC1 u RE1 iC1 RC1 iE1 RE1 k i .VT 1 RC1 1 k i.VT 1 RE1
k i .VT 1 ;
u BE .VT 1 iB1 Rint .VT 1 Rint .VT 1
Rint .VT 1
u RE1 *
u BE .VT 1 R D1 Rint .VT 1 Rint .VT 1 .
k int .circ1
u RE1 u RE1 R D1 Rint .VT 1
Din formula (3.53) determinm rezistena divizorului de polarizare baz a
tranzistorului VT1
RD1
1 h21E .VT 1 * RE1 R
int .VT 1 (3.54)
1RNL 1
Rezistena sumar RD1 cu rezistenele R1 i R2 se gsete n relaia:
R1 R2
RD1 (3.55)
R1 R2
RR 332 187
R D1 1 2 210.
R1 R2 332 187
n afar de condiia (3.55) rezistenele R 1 i R2 se determin i de condiiile
de asigurare a tensiunii i curentului de polarizare necesare U0B1 i i0B1 pentru VT1:
U 0 B1 U 0 RE1
R2 ; (3.56)
i D .1
3.25 0.6
R2 178.2 187 ;
21.6
0.5E al iD .1 R2
R1 ;
i0 B1 iD1
(3.57)
0.5 24 21.6 187
R1 320 332 ;
3.275 21.6
iD1=(3...10)i0B1;
iD1=(3...10)3,275mA=21,6mA,
unde iD1 curentul continuu ce curge prin divizorul de polarizare baz a VT1.
Prin soluionarea sistemului de 3 ecuaii (3.55), (3.56) i (3.57) n care
necunoscutele sunt R1, R2 i iD1, putem gsi la nceput iD1, iar apoi R2 din (3.56) i
R1 din (3.57). Deseori se procedeaz altfel: se d o valoare curentului divizorului n
limitele (3...10)i0B1 i se calculeaz R2 conform (3.56) i R1 din (3.57), iar apoi se
introduc acestea n (3.55) cu scopul de verificare.
Dac condiia (3.55) se ndeplinete, atunci calculul rezistenelor R 1 i R2 se
poate considera finisat, deoarece satisfacerea condiiilor garanteaz obinerea
gradului de reacie negativ n curent continuu conform relaiei (3.53) i respectiv a
mrimii calculate i0C.adm1.
Din contul instabilitii ideale a curentului continuu colector i0C1 a VT1
i0C .adm1
*100 0 0 (3.58)
i0 C 1
9.5
* 100 0 0 7.2%,
131
va avea loc mrirea nedorit a tensiunii de polarizare la bazele tranzistoarelor VT2,
VT3 (fig.2.3) la temperatura de lucru maxim, care se compenseaz de obicei prin
alegerea experimental a rezistenelor RT i R (prin micorarea rezistenei RT i
mrirea rezistenei R) n procesul ajustrii amplificatorului.
La rnd cu metoda analizat mai sus de calcul a divizorului baz gsesc
utilizare i metode mai simple. Una din ele este, de fapt, o parte din metoda de mai
sus i se rezum la calculul rezistenelor R2 i R1 conform formulelor (3.56) i
(3.57) cu considerenta rezistenei RE1 aleas din (3.46), fr calculul preventiv a
mrimilor i0C .adm1 , iC . max1 , 1RNL , RD1 cu verificarea ulterioar a ndeplinirii
condiiei (3.55).
n caz de utilizare a metodei simplificate calculul se pornete de la aceea c
dac la calculul rezistenei RE1 dup formula (3.46) impunnd cderea de tensiune
U0RE1 pe ea, iar n calculul rezistenelor R 2 i R1 dup formulele (3.56) i (3.57),
prestabilind curentul necesar al divizorului iD1, atunci practic se va asigura
funcionarea destul de efectiv a schemei de stabilizare emitor a curentului de
repaus colector a tranzistorului VT1.
Aceast metod se folosete n etajele ce lucreaz n regim de amplificare a
semnalelor de valori mici, cnd caracteristicile statice i dinamice de tranzistor se
utilizeaz incomplet n tensiune, curent i putere.
n ce privete etajul prefinal studiat mai sus n baza tranzistorului VT1, n
care caracteristicile statice i dinamice se folosesc aproape integral n tensiune,
atunci folosirea acestei metode simplificate cere o atenie deosebit, i n particular
cere ca n scopul garantrii valorii minime admisibile a tensiunii uC . min1 , de impus
n procesul de calcul a rezistenei R E1 conform (3.46) o valoare U0RE1 nu mai mic
de 0,2Eal (prin mrirea tensiunii Eal), iar la calculul rezistenelor R2 i R1 dup
(3.56) i (3.57) un curent iD1 al divizorului R1, R2 la valoarea (5..10) i0B1.

3.1.4. Calculul coeficienilor de armonici a etajelor final i prefinal


i a gradului de reacie negativ global necesar n asigurarea
factorului de armonici impus

Dup cum urmeaz din calculul etajelor finale i prefinale, tranzistorii lor
lucreaz n regim de semnal mare, adic n condiiile utilizrii depline (sau aproape
depline) a caracteristicilor statice i dinamice. Deaceea n aceste etaje pot aprea
eseniale distorsiuni neliniare, condiionate de CVA a tranzistorului.
Coeficientul de armonici a acestor etaje, cu ajutorul crora se apreciaz
distorsiunile neliniare a amplificatorului proiectat, pot depi valorile admisibile.
Din aceast cauz asigurarea factorului de armonici de valoare prestabilit este o
problem acut. De regul valoarea admisibil de distorsiuni se obine prin
intermediul unei reacii negative.
Mai jos este dat ordinea de calcul aproximativ a coeficientului de
armonici i a gradelor reaciei negative necesare. Coeficientul de armonici a
etajelor finale i prefinale KA.fin i KA.pref se determin prin metoda grafo-analitic
de 5 ordonate construite pe caracteristicile dinamice de trecere a acestor etaje.
Caracteristica dinamic de trecere a unui bra iC .VT 2 f esurs.VT 2 a etajului
final echipat cu tranzistori complementari n regim clasa B conform fig.2.3 se
construiete dup punctele dreptei de sarcin (vezi fig.3.1) i a caracteristicilor
dinamice de intrare (vezi fig.3.2) cu folosirea ecuaiei pentru FEM a sursei
echivalente de semnal a fiecrui bra din etajul final esurs .VT 2 (care ine cont de
VT2, VT3 n conectare CC), adic care i-a n consideraie aciunea n acest etaj a
unei RNL paralele fa de ieire n tensiune i serie fa de intrare. Pentru schema
din fig.2.3 aceast ecuaie are forma:
esurs .VT 2 uint .VT 2 i B.VT 2 Rsurs.VT 2 u B.VT 2 iC .VT 2 RS i B.VT 2 Rsurs.VT 2 (3.59)
unde Rsurs.VT 2 RC1 .
Pentru construirea caracteristicilor dinamice de trecere (vezi fig.3.5) este
deajuns s lum 5..7 puncte n limitele de lucru a dreptei de sarcin i caracteristica
dinamic de intrare i pentru ele de calculat esurs .VT 2 . Aadar de exemplu, pentru
valoarea maximal a iC . max .VT 2 a FEM dup (3.59) vom avea:
esurs. max .VT 2 u B . max .VT 2 iC . max .VT 2 RS iB . max .VT 2 Rsurs.VT 2
esurs. max .VT 2 5 0.49 18 0.01225 82 14.82V
unde iC . max .VT 2 i corespunztor lui i B . max .VT 2 se iau nemijlocit de pe dreapta de
sarcin, iar u B. max .VT 2 se culege nemijlocit din caracteristica dinamic de intrare
pentru i B . max .VT 2 .
esurs. min .VT 2 u B. min .VT 2 iC . min .VT 2 RS i B. min .VT 2 Rsurs.VT 2
esurs. min .VT 2 1.2 0.0147 18 0.367 0.082 1.5V
Pe caracteristica dinamic de trecere obinut a unui bra a etajului de ieire
(fig.3.5), mprim n jumtate poriunile pe abscis de la esurs. max .VT 2 pn la
, i1, i0 dup care calculm 5 valori momentane a
esurs.0.VT 2 i gsim curenii imax
curentului de ieire a celor dou brae a etajului cu considerenta coeficientului de
asimetrie b a braelor etajului:
imax imax 1 b
i1 i1 1 b
i0 i0 2b (3.60)
i2 i1 1 b
1 b
imin imax
i max 490 1 0.18 578.2mA
i1 252.35 1 0.18 297.77mA
i0 14.7 2 0.18 5.29mA
i 2 252.35 1 0.18 206.92mA
i min 490 1 0.18 401.8mA
'
imax 490mA
i1' 252.35mA
i0' 14.7 mA
unde b se alege n limitele de 0.15...0.2 (b=0.18).
Mai departe, dup formulele metodei celor 5 ordonate se calculeaz
amplitudinea curentului de ieire a frecvenei de baz I m.1.ies i amplitudinea
armonicilor curentului de ieire I m 2.ies , I m 3.ies , I m 4.ies i deasemenea valoarea
medie a curentului de ieire imed .ies :
IC.VT2

i 0

Fig.3.5
imax
IC.VT1

i1

i0

i2

imin

Em .surs Em .surs e' surs.VT 1


e' surs. min .VT 1 e' surs.0.VT 1 e' surs. maxVT 1
Em .surs

Fig.3.6
imax imin i1 i2
I m1.ies ;
3
i i 2i0
I m 2.ies max min ;
4
i i 2(i1 i2 )
I m 3.ies max min ; (3.61)
6
i i 4(i1 i2 ) 6i0
I m 4.ies max min ;
12
i i 2(i1 i2 )
imed .ies max min .
6
578.2 401.8 297.77 206.92
I m1.ies 494.896mA;
3
578.2 401.8 2 5.29
I m 2.ies 41.455mA;
4
578.2 401.8 2( 297.77 206.92)
I m 3.ies 4.89 mA;
6
578.2 401.8 4( 297.77 206.92) 6 5.29
I m 4.ies 12.94mA;
12

578.2 401.8 2( 297.77 206.92)


i med .ies 59.68mA.
6
Corectitudinea calculelor dup formula (3.61) se apreciaz dup cum se
satisface ecuaia:
imax imed .ies I m1.ies I m 2.ies I m 3.ies I m 4.ies (3.62)
imax 59.68 494.896 41.455 4.89 12.94 578.2mA
n care fiecare mrime se pune cu semnul (sensul) ei.
Coeficientul de armonici a etajului de ieire se calcul dup relaia:
I m2 2.ies I m2 3.ies I m2 4.ies
K a.ies *100 0 0 (3.63)
I m1.ies
41.455 2 4.89 2 12.94 2
K a.ies * 100 0 0 8.8%
494.896
Coeficientul de armonici KA.pref a etajului prefinal, care lucreaz cu
tranzistorul VT1 n regimul clasa A, se calculeaz prin metoda celor 5 ordonate
dup caracteristica dinamic de trecere iC .VT 1 f esurs .VT 1 a etajului n regimul clasa
A (vezi fig.3.6), constant dup punctele dreptei de sarcin (fig.3.3) i
caracteristicii dinamice de intrare (fig.3.4) a etajului n limitele poriunii lucrtoare
a caracteristicii de la iC.max.VT1 pn la iC.min.VT1 cu considerenta:

\
esurs .VT 1 u B.VT 1 i B.VT 1 Rsurs .VT 1 (3.64)
. max VT 1 5 6.581 92.08 5.6V
'
e surs
1
1 1 1
R surs.VT 1 92.08
187 332 400
. min VT 1 1.5 0.0215 92.08 1.5V
'
e surs

1
1 1 1
unde Rsurs .VT 1
R

R

R
, iar pentru excitarea schemei din fig.2.3 de la
2 1 surs

etajul preliminar precedent Rsurs.VT 1 RC . pref .


Menionm, c caracteristica dinamic de trecere n regimul clasa A, spre
deosebire de regimul clasa B se primete pentru ambele semiperioade de
semnalul, adic n limitele de la esurs . min .VT 1 pn la esurs . max .VT 1 (vezi fig.3.6).
Iat de ce, n conformitate cu metoda celor 5 ordonate, sectorul pe abscis de
la surs. min .VT 1 pn la esurs. max .VT 1 se mparte n 4 segmente egale i se gsesc 5
e
valori momentane a curentului de ieire a tranzistorului VT1 imax , imin , i0 , i1 , i2 (5
ordonate), cum este artat n fig.3.6.
i max 263.25mA
i1 197.65mA
i 0 132.05mA
i 2 66.45mA
i min 0.86mA

Dup cele 5 ordonate gsite se calculeaz amplitudinea curentului colector la


frecvena de baz I m1. pref , amplitudinea armonicilor I m 2. pref , I m3. pref , I m 4. pref i
valoarea medie I med . pref a curentului colector a etajului prefinal. Calculele se fac
dup formulele metodei celor 5 ordonate (3.61), ns cu nlocuirea indicelui ies
cu pref n partea stng a relaiei.
263.25 0.86 197.65 66.45
I m1. pref 131.77mA;
3
263.25 0.86 2 132.05
I m 2. pref 0.0025mA;
4
263.25 0.86 2(197.65 66.45)
I m 3. pref 0.0016mA;
6
263.25 0.86 4(197.65 66.45) 6 132.05
I m 4. pref 0.00083mA;
12
263.25 0.86 2(197.65 66.45)
i med . pref 132.05mA.
6
Coeficientul de armonici a etajului prefinal va fi:
I m2 2. pref I m2 3. pref I m2 4. pref
K a . pref *100 0 0 (3.65)
I m1. pref
0.0025 2 0.0016 2 0.00083 2
K a . pref *100 0 0 0.000023 100% 0.0023%
131.77
Coeficientul rezultat pentru etajele finale i prefinale dup schemei din
fig.2.3 va fi:
K K K a . rez (3.66)
2
a . fin
2
a . pref

K a .rez 0.088 2 0.0000232 0.088


Din comparaia celor primite din (3.66), valoarea coeficientului de armonici
K a . pref cu valoarea dat de sarcina de proiectare K a.dat se gsete mrimea
necesar a gradului de reacie negativ n curent alternativ, care, dup cum s-a
artat n cap.2, la descrierea schemei fig.2.3, se formeaz cu ajutorul reelei R 1R2 i
cuprinde etajele finale i prefinale:
K a.rez .calc.
gen

.K 1 10 K a.rez .calc. K a.dat (3.67)
a
K a.dat
0.088
gen

.K 1 10 0.088 0.01 8.8 1.78 15.66 ,
a
0.01
unde i K a.dat se iau n ori.
K a.rez .calc
Cum se arat n cap.2, aceast reacie negativ general, micornd
distorsiunile neliniare, va micora totodat i distorsiunile liniare (de AF i FF).
n paragraful urmtor se d calculul distorsiunilor de frecven (distorsiunile
de faz n APFJ nu se normeaz) cu considerenta reaciei negative generale i se
rezolv ntrebarea despre valoarea acesteia, din punct de vedere a valorilor de
mrimi date a coeficienilor distorsiunilor de frecven la frecvena maxim f s i
minim f j a gamei de frecvene lucrtoare.

3.1.5. Calculul distorsiunilor de frecven a amplificatorului de putere


(AP) cuprins de o reea de reacie negativ global

Dup cum se tie, distorsiunile de frecven nalt sunt cauzate de ineria


tranzistoarelor i influena capacitilor de montaj. n majoritatea cazurilor, din
cauza numrului mic a capacitilor de montaj, de valori mici (mai ales n
schemele integrate) influena lor se neglijeaz. innd cont de acest fapt, n
determinarea distorsiunilor de frecven a schemei din fig.2.3 la frecvena maxim
de lucru se va ine cont numai de influena tranzistoarelor etajelor final i prefinal
M s. gen M s . EC . pref * M s.CC . fin (3.68)

unde
2
fs
M s. EC . pref 1 (3.69)
f h 21E1
2
0.025
M s . EC . pref 1 1.000035
3
- coeficientul distorsiunilor de frecven a tranzistorului VT1 din etajul prefinal,
conectat n schema cu EC,
M s .CC . fin M s . EC . fin K fin M s. EC . fin 1 (3.70)
M s.CC . fin 1.000035 0.61.000035 1 1.000014
- coeficientul distorsiunilor de frecven a tranzistorului unui bra a etajului final n
contratimp n conectarea lor CC, unde K fin - coeficientul de transfer n tensiune a
etajului final (3.22).
Coeficientul de frecven M s. EC . fin din partea drept a formulei (3.70) a
tranzistorilor unui bra a etajului final n contratimp la conectarea EC se calculeaz
dup formula(pentru schema din fig.2.3):
2
fs
M s. EC . fin M s. EC .VT 2 1 1.000035 (3.71)
f h 21E 2
M s . gen 1.000035 * 1.000014 1.000049
Coeficientul distorsiunilor de frecven, calculat dup formulele de mai sus,
va fi micorat de RNG, care cuprinde etajele final i prefinal. Valoarea ei a fost
calculat anterior prin formula (3.67) din punct de vedere a asigurrii
coeficientului armonicilor dat. La acest grad de RNG coeficientul distorsiunilor de
frecven la frecvena superioar de lucru f s va fi:
M s . gen 1
M s . gen.RNG 1 (3.72)
gen

. Ka

1.000049 1
M s. gen. RNG 1 1.0000031
15.66
Evident, c M s. gen. RNG nu trebuie s depeasc valoarea dat de sarcina tehnic a
M s .dat :
M s . gen. RNG M s .dat (3.73)
1.0000031 1.11
n subgama de frecvene joase, distorsiunile de frecven sunt condiionate
de capacitile C d . int , C d .ies i C E1 . Ele la frecvena minim de lucru determin
coeficienii respectivi M j .Cd .int , M j .Cd .ies , M j .C (n ori). E1

Coeficientul global de distorsiuni de frecven (n ori) este:


M j .Cd . int 0.4dB 1.04
M j .Cd .ies 0.4dB 1.04
M j .C E 1 2dB 1.25
M j . gen. RN M j .Cd . int * M j .Cd .ies * M j .CE 1 . RN , (3.74)
M j . gen. RN 1.04 * 1.04 * 1.016 1.098
unde
M j .CE 1 1
M j .CE 1 . RN 1 (3.75)
gen

. Ka

1.25 1
M j .C E 1 . RN 1 1.016
15.66
- coeficientul distorsiunilor de frecven condiionate de capacitatea C E1 , n
prezena reaciei negative globale, deoarece C E1 este inclus n aceast reea.
Valorile admisibile ale mrimilor M j .Cd .int i M j .Cd .ies nu trebuie s
depeasc (0.51.5)dB. n ceea ce privete M j .C , deoarece condensatorul C E1 E1

este cuprins de o RN, valoarea admisibil a coeficientului M j .C poate fi luat E1

puin mai mare (de ordinul 23dB): datorit RN aceste valori nu vor fi mari. La
aa valori a coeficienilor M j .Cd .int , M j .Cd .ie i M j .C , condensatoarele C d .int , E1

C d .ie , C E1 vor avea valori i mrimi admisibile.


Trebuie de remarcat c, orientndu-ne la valorile de M recomandate , trebuie
de vzut ca M j . gen. RNG s nu depeasc valoarea dat de sarcina tehnic :
M j . gen. RNG M j . dat (3.76)
1.098 1.17
Satisfacerea condiiilor (3.73) i (3.76) va nsemna c gradul de RN, calculat
anterior dup formula (3.67) din punct de vedere a asigurrii coeficientului de
armonici admisibil, ndeajuns i pentru asigurarea coeficientului de distorsiuni de
frecven la frecvenele superioare i inferioare a gamei de frecvene lucrtoare
corespunztoare.
n aa caz reeaua de RNG trebuie calculat astfel ca ea s asigure gradul de
reacie necesar.
Nesatisfacerea condiiilor (3.73) i (3.76) va nsemna c gradul de RNG
gen. Ka , calculat din punctul de vedere a micorrii coeficientului armonicilor i

folosit la calculul distorsiunilor de frecven, nu este destul pentru micorarea


necesar a distorsiunilor de frecven.
n acest caz se calculeaz valoarea necesar a RNG din punct de vedere a
asigurrii distorsiunilor de frecven la frecvenele superioare f s i inferioare f j a
gamei de frecvenelor lucrtoare dup formulele:
M s. gen 1
gen

(max) (3.78)
M s .dat 1

gen


M j .Cd . int * M j .Cd .ies * M j .CE 1 1
(min) (3.79)
M j .dat M j .Cd . int * M j .Cd .ies
Ca rezultat final se ia valoarea cea mai mare din cele 3 obinute din relaiile
(3.67), (3.78) i (3.79) a valorii de RNG, care i trebuie asigurat la proiectarea
reelei de RNG.

3.1.6. Calculul reelelor de reacie


negativ global (RNG) n AP bietaje

n conformitate cu cele expuse n 3.1.4 i 3.1.5, parametrii circuitului de


RNG trebuie s fie astfel, ca s asigure ori gradul de RN gen.
Ka , calculat n 3.1.4

dup formula (3.67) din punct de vedere de a micora distorsiunile de frecven


pn la valoarea necesar, dar ca s fie de ajuns i pentru satisfacerea condiiilor
(3.73) i (3.76) din 3.1.5 pentru distorsiunile de frecven, ori cea mai mare
valoare obinut dintre cele formule obinute (3.67), (3.78) i (3.79) valori de RN,
dac gen.

Ka din formula (3.67), este de ajuns din punct de vedere a micorrii

coeficientului Ka, insuficient pentru micorarea distorsiunilor de frecven.


Formula de calcul pentru gradul RNG, ce se asigur cu ajutorul circuitului
R1 R2 i care cuprinde etajele final i prefinal (vezi fig.2.3), se obine din formula
de baz pentru determinarea gradului de RN de trecere 1 K :
R
gen

1 K gen 1 K gen , (3.80)
R1 R
K gen 6 / 1.75 3.43
1
1 1 1
R 102.84
533 187 400
102.84
gen

1 3.43 1.81 ,
332 102.84
unde U mRN

/U m.ies R / R1 R - coeficientul de transfer a tensiunii de RN de la

ieirea schemei fig.2.3 pn la intrarea tranzistorului VT1 ( U mRN - tensiunea de RN
la intrarea tranzistorului VT1);
1
1 1 1
R
R

R

R
- rezistena rezultant n curent alternativ ntre baza VT1
int .VT 1 2 surs
i punctul comun al schemei din fig.2.3;
K gen U m.ies / U m. B1 - coeficientul de amplificare general n tensiune a etajelor final i
prefinal din schema fig.2.3.
Dac gradul de RNG, calculat dup formula (3.80) cu considerenta
rezultatelor obinute n calculele din 3.1.3 dup formulele (3.56) i (3.57) R 1 i R2,
este mai mare sau egal cu cele obinute din formulele (3.67), (3.78) i (3.79)
pentru gradul RNG, atunci calculul circuitului de RN la aceasta se termin.
Nesatisfacerea ns a acestei condiii nseamn c gradul de RNG n curent
alternativ, dup calculele precedente R1 i R2 , nu este de ajuns.
n acest caz, dup cum este artat n cap.2 (la descrierea schemei fig.2.4),
poate fi exclus cu ajutorul filtrului decuplator R1C f din reeaua de RNG,
nlocuind rezistorul R1 prin dou rezistoare R1 R1 R1 (unde R'1 5..10 Rint .VT 1
i R1 5..10 RS ), condensatorul decuplator C f , ce include, dup cum este artat n
fig.2.4, (RN dup tensiune continu rmne). RN de tensiune alternativ se
introduce cu ajutorul rezistorului R i a condensatorului C d . (vezi fig.2.4).
Rezistena R se calculeaz dup formula analogic cu (3.80), ns nlocuirea R 1
cu R:
R
gen

1 K gen , (3.81)
R R
n care valoarea mrimii gen
este cea mai mare dintre cele trei obinute dup
formulele (3.67), (3.78) i (3.79) de valori a RN.
Capacitatea condensatorului C d . se calculeaz dup formula
1 R
, dat n cap.2 la descrierea schemei din fig.2.4.
j Cd . 50..100
Deoarece gen gen se calculeaz gradul de reacie RNG necesar pentru
* *
. Ka

asigurarea nivelului de distorsiuni de amplitudine frecven.


R
gen

1 K gen 1 K gen 16
R1 R
gen

1 16 1
4.37
K gen 3.43
R
4.37
R1 R
1
1 1 1
R 106.65
533 200 400
R
R1 R
4.37

3.1.7. Calculul factorului de amplificare n tensiune i a


numrului de etaje amplificatoare preliminare necesare

Dup cum s-a artat n cap.2, n etajul final, dac sursa de semnal cu FEM
E m. sursi rezistena intern Rsurs nu asigur la intrarea acestor scheme valoarea
necesar a curentului i tensiunii (vezi de exemplu fig.2.7), atunci la intrarea
fiecrei scheme de APFJ, artate n fig.2.3 (sau 2.1, 2.2, 2.4, 2.5), se conecteaz
etajele prefinale cu unire galvanic sau RC.
ntrebarea privind necesitatea etajelor prefinale se rezolv n consecutivitatea
urmtoare.
Mai nti se determin parametrii principali a APFJ, ca valorile necesare a
tensiunii i curentului de semnal, rezistena i capacitatea de intrare cu
considerenta RN n curent alternativ, avnd n vedere, c n raport cu intrarea ea
este paralel. Aceste date sunt iniiale pentru calculul canalului de semnal, care
stau naintea APFJ.
Mai departe se apreciaz tensiunea i curentul de semnal, care le poate
asigura sursa de semnal, fiind aplicat la intrarea acestor scheme.
Apoi comparm tensiunile i curenii ce pot fi asigurai de surs cu cei
necesari, pentru excitarea destul a APFJ i conform rezultatelor obinute
apreciem, dac snt sau nu etaje preliminare.
Conform teoriei RN paralele fa de intrare:
1. Tensiunea necesar la intrarea acestor scheme U m.int .nec n caz de RNG
paralel la intrare va fi aceiai ca i cea calculat n 3.1.2 fr RN U mR1 :
u B. max1 u B. min 1
U m.int .nec U mR1 (3.82)
2
5 1.5
U m. int .nec U mR1 1.75 V
2
2. Curentul de intrare necesar din cauza prezenei la intrare a RN, I m.int .nec
va fi mai mare ca cel calculat fr RN I mR1 I mR 2 cu valoarea curentului ce curge
prin reeaua de reacie I mRN .R : 1

I m.int .nec I m. R1 I mR 2 I mRN . R1 ,


(3.83)
I m. int .nec 3.5 9.8 15 28.3mA

unde
U mR1 1.75
I mR1 3.5mA ;
Rint .VT 1 491
U 1.75
I mR 2 mR1 9.8mA ; (3.84)
R2 178
U U m1. int 1.75 3.25
I mRN . R1 mR1 15mA
R1 332
3. Impedana de intrare din cauza RN paralel la intrare va fi mai mic ca cea
fr reacie:
1 1
Rint 1 (3.85)
Yint 1 Yint .VT 1 YR 2 YRN . R1
i cu considerenta celor calculate n p.1 i 2 a valorilor U m.int .nec i I m. int .nec poate fi
calculat din relaia:
U m. int 1.nec
Rint 1 .
I m. int .nec
1.75 V
Rint 1 61.8
28.3mA
4. Capacitatea de intrare cu RNG paralel la intrare va fi mai mare ca fr
reacie:
Cint 1 Cint .din1 Ctrec . R1 1 K gen , (3.86)
unde Cint .din1 C BE .VT 1 C BC .VT 1 1 KVT 1 - capacitatea dinamic de intrare a
tranzistorului VT1;
1 1 1
C BE .VT 1 - capacitatea static de
2 * rBE f h 21E 2 * rE 1 h21E f h 21E 2 * rE f gran
intrare a tranzistorului VT1;
rE 0.026 / i C 01 [mA]- rezistena jonciunii emitor;
f h 21E , f gran - frecvena limit i de grani respectiv a VT1 (parametrii de
ndrumar);
C B E .VT 1 C C .VT 1 - capacitatea de trecere a VT1 (parametru de ndrumar);
K VT 1 U m. int .2 ( 3) / U mB1 - coeficientul de amplificare n tensiune a etajului pe VT1
(3.18);
Ctrec . R 1 pF - capacitatea de trecere a rezistorului R1 n schema din fig.2.3 (sau
1

R n schema fig.2.4);
K gen U m.ies / U mB1 - coeficientul general de amplificare n tensiune a etajelor finale
i prefinale a APFJ.
Amplitudinea curentului de semnal I m.int 1 i amplitudinea tensiunii de
semnal U m.int 1 , asigurate de sursa de semnal la intrarea acestor scheme, vor fi:
Em.surs
I m.int 1
Rsurs Rint 1
(3.87)
1mV
I m. int 1 2.1A
400 61.8
Rint 1
U m. int 1 I m. int 1 Rint1 E m.surs * (3.88)
Rsurs Rint 1
U m. int 1 2.1A 61.8 0.13mV
Dac condiiile:
I m. int 1 I m. int 1.nec i U m. int 1 U m. int .nec (3.89)
2.1A 28.3mA
i 0.13mV 1.75V
nu se ndeplinesc, n scheme se introduc etaje preliminare cu cuplare RC sau
galvanic, numrul crora trebuie s fie destul pentru obinerea mrimilor U m.int .nec
i I m.int .nec .
Coeficienii de amplificare n curent i tensiune necesari a etajelor
preliminare, cu considerenta coeficientului de rezerv (1.31.5), corespunztor va
fi:
I m.int .nec
K i . prel . gen 1.3..1.5 * (3.90)
I m.int 1. prel
28.3mA
K i . prel . gen 1.3..1.5 * 59 10 3
0.72 A
U m.int .nec
KU . prel . gen 1.3..1.5 * (3.91)
U m.int . prel
1.75V
K U . prel . gen 1.3..1.5 * 3.64 10 3
0.72mV
Aici amplitudinea intensitii curentului de intrare i a tensiunii semnalului
de intrare se determin conform relaiilor:
E m.surs
I m1.int . prel ;
Rsurs Rint . prel
(3.92)
1mV
I m1. int . prel 0.72A
0.4 1k
Rint . prel
U m. int . prel I m.int . prel Rint . prel E m.surs ; (3.93)
Rsurs Rint . prel
U m. int . prel 0.72A 1k 0.72mV
unde Rint . prel - rezistena de intrare a primului etaj preliminar, care, de exemplu, n
cazul folosirii n etaj a tranzistorului bipolar n conectare EC (variant des
ntlnit) poate fi ales aproximativ de 1k (n alte cazuri aceast valoare poate fi
alta).
Calculul ulterior al numrului etajelor preliminare poate fi fcut ori din
valoarea necesar K i. prel . gen (3.90), ori din valoarea cerut K i. prel . gen . Cnd etajele
snt echipate cu tranzistori bipolari, calculul numrului de etaje preliminare
necesare e mai comod de a le calcula reeind din valoarea cerut de amplificare n
curent K i. prel . gen . n acest caz n baza valorii obinute de K i. prel . gen (3.90) i relaia
(3.91)
K i . prel . gen K i1. prel K i 2. prel K i 3. prel ...K i .n. prel , (3.94)
care n caz de etaje cu amplificare identic (sau aproape identic) n curent (ceea ce
poate avea loc la utilizarea n etaje cu cuplare RC sau galvanic a tranzistoarelor cu
coeficieni statice identice sau apropiate de amplificare n curent h21E n
conectarea lor EC sau CC) ia forma:
K i. prel . gen K n i1. prel , (3.95)
numrul de etaje preliminare n ce determin, alegnd din ndrumar tranzistoare
de putere joas i h21E convenabil i avnd n vedere c, n etajele cu cuplare RC
sau galvanic, la conectarea tranzistorului EC sau CC are loc egalitatea:
K i1. prel 0.8...0.9 h21E .
(3.96)
Frecvena limit h 21E a tranzistoarelor alese trebuie s satisfac condiia
f
f h 21E 2...4 f s .
La calculul ulterior a etajelor preliminare (vezi 3.2) tipurile de tranzistori de
putere joas alei se verific de asemenea i la ndeplinirea condiiilor:
PC . adm.Tm . max PC . max1
U C .adm 1.2 2U 0C1 1.2 E al
I C .adm 1.4iC . max
Dac n etajele preliminare se vor folosi tranzistori cu efect de cmp (TEC),
care, dup cum se tie, sunt dirijai de tensiune i se caracterizeaz de coeficientul
de amplificare n tensiune, atunci calculul numrului de etaje trebuie efectuat,
reieind din valoarea necesar K prel . gen (3.91) i S, avnd n vedere c coeficientul
de amplificare n tensiune a unui etaj echipat cu TEC, n conectare, de exemplu,
surs comun (cel mai des), se determin de relaia
S
K S D * RC * RC
RC
1
Ries.VT
unde
RC * Rint .urm
RC .
RC Rint .urm
n acelai timp, n etajul care lucreaz la valori mici de Rint .urm a AP bietaj, poate
fi RCRint.urm, iar n etajul care ca sarcin are la intrarea etajului preliminar urmtor
echipat cu TEC, rezistena RC poate fi RCRC (15)k.
n final trebuie de menionat c n calitate de etaj preliminar poate fi folosit un
microcircuit () ales din ndrumar cu amplificarea general corespunztoare.

3.1.8. Calculul capacitilor condensatoarelor decuplatoare Cd.ies i


Cd.int i a condensatorului de blocaj CE1 utilizat n AP

n conformitate cu cele expuse n cap.2 i 3.1.5 capacitatea


condensatoarelor decuplatoare C d .ies , C d .int i a condensatorului de blocaj C E1
trebuie s fie de valori mari pentru ca ele ndeplinind funciile sale directe la
frecvene inferioare de lucru f j distorsiunile de frecven condiionate de ele s nu
depeasc valoarea admisibil, iar condensatorul Cd .ies , care concomitent
ndeplinete i rolul sursei de alimentare pentru braul inferior a etajului final n
semiperioade de semnal cnd braul de jos se deschide, iar cel de sus se nchide, n
afar de aceasta s nu furnizeze distorsiuni neliniare cauzate de micorarea pe el a
tensiunii alimentar n urma descrcrii lui n aceste semiperioade.
Din aceste considerente, capacitatea Cd .ies se determin reieind nu numai
din valoarea admisibil de distorsiuni de frecven, ci i din posibile distorsiuni
neliniare.
Din punct de vedere a distorsiunilor de frecven admisibile la frecvena
inferioar de lucru f j a semnalului M j .Cd .ies (vezi 3.1.5), capacitatea acestui
condensator trebuie s fie:
1
C d .ies
2 * f j * Ries .VT . RN Rs * M 2j .Cd .ies 1 , (3.97)
unde Ries.VT . RN - rezistena de ieire a tranzistorului VT2 (n schema din fig.2.3), cu
considerenta RNL paralel la intrare (n schema din fig.2.3), n etajul final (din
cauza conectrii tranzistorului dup schema cu CC) i cu considerenta RNG
paralel la ieire (adic n tensiune), care cuprind etajele final i prefinal.
Conform teoriei reaciei negative rezistena Ries.VT . RN va fi considerabil mai
mare ca rezistena de ieire a tranzistorului respectiv Ries.VT fr RN. Ea se
determin de relaia:
Ries.VT . RNL Ries.VT / gen

. MG 2 Ries.VT
Ries.VT .RN
gen

. MG 2
gen. MG 2
1 K
RNL . MG 2 1 K

gen. MG 2 , (3.98)
unde Ries .VT - rezistena de ieire a tranzistorului respectiv fr RN, care este
uC . min 2
Ries.VT 2 n schema fig.2.3:
I mC 2
- amplificarea n bucl la RNL, calculat la mers n gol a ieirii de circuit:
Ries.VT RS
K

RNL. MG 2 K RNL *
RS
(3.99)
- amplificarea n bucl la RNG, calculat la mers n gol a ieirii de circuit, cu
considerenta aciunii RNL.

Ries.VT . RNL RS
K
gen. MG 2 K gen *
RS
(3.100)
Amplificarea n bucl la RNL (3.99), i la RNG (3.100) cnd sarcina R S
este dat, se calculeaz respectiv gradul de RNG i RNL corespunztor:
K RNL RNL

1 (3.101)
K gen gen 1 ,

(3.102)
unde gradul de RNG, a fost calculat mai sus, innd cont de distorsiunile neliniare
i de frecven (vezi 3.1.4 i 3.1.5), iar gradul de RN RNL
se determin de relaia:
RNL

1 K RNL 1
1 K i.ies RS
Ries Rint .VT 2
, (3.103)

RNL

1
1 0.49 / 0.0122518 1.93
82 310
unde K i .ies- coeficient de amplificare n curent a etajului final, valoarea cruia n
schema din fig.2.3 se gsete din formula K i.ies 2 I mC 2 / I mB 2 ;
Rint .VT 2 - rezistena de intrare a tranzistorului VT2, valoarea cruia pentru
schema din fig.2.3 se determin n 3.1.1.
Ries1 -
rezistena de ieire a etajului prefinal, care n fiecare schem din fig.2.3 se
determin de relaia:
Ries.VT 1 * RC1
Ries1 , (3.104)
Ries.VT 1 RC1
care la condiia RC1 Ries.VT 1 (care deseori se ndeplinete) i-a aspectul Ries1 RC1 .
Din punct de vedere a distorsiunilor neliniare admisibile, capacitatea
condensatorului Cd .ies n schema fig.2.3 trebuie s fie nu mai mic de :
iC . max .VT 2
C d .ies , (3.105)
2 * f j * E
unde pentru prentmpinarea distorsiunilor neliniare, ce pot depi valoarea
admisibil, modificrile tensiunii de alimentare, E a tranzistorului VT3 (n
schema din fig.2.3), a braului de jos ntr-o durat de timp, egal cu semiperioada
frecvenei inferioare de semnal f j , nu trebuie s depeasc valoarea:
E al
E 0.1...0.15
2
(3.106)
Din cele dou valori a capacitii C d .ies , obinute din formulele (3.97) i
(3.105) se alege cea mai mare.
Capacitatea condensatorului C d .int se determin din punct de vedere a
distorsiunilor de frecven admisibile la frecvena minim de lucru f j a
semnalului M j .Cd .int (vezi 3.1.5)
1
C d . int , (3.107)
2 * f j Ries. prel Rint 1 M 2j .Cd . int 1
unde Rint 1 - rezistena de intrare a schemei fig.2.3, cu considerenta influenei RNG
paralel n raport cu intrare, care s-a determinat n 3.1.7;
Ries. prel - rezistena de ieire a canalului precedent intrrii schemei din
fig.2.3, care n dependen de varianta obinut n ce privete etajele preliminare
conform 3.1.7 se consider egal, ori cu impedana intern a sursei de semnal
Rsurs (dac la intrarea schemei fig.2.3 se aplic o surs de semnal), ori egal cu
impedana de ieire a ultimului etaj de amplificare preliminar Ries. prel (dac la
intrarea schemei din fig.2.3 se cupleaz etaje preliminare echipate cu tranzistoare
bipolare sau TEC), sau impedana de ieire a microcircuitului integrat (dac
n calitate de etaje preliminare se folosete un ).
Capacitatea condensatorului de blocaj C E1 se determin, reieind din
distorsiunile de frecven admisibile M j .C (vezi 3.1.5) la frecvena minim de
E1

lucru:
1 h21E .VT 1
C E1 , (3.108)
2 * f j * Rsurs
Rint .VT 1 M 2j .CE 1 1

Ries . prel Rd 1
'
Ries ,
Ries. prel Rd 1
unde Ries - impedana de ieire a tractului, ce st naintea intrrii n tranzistorul
VT1;
Ries. prel - rezistena de ieire a canalului, ce se gsete naintea intrrii schemei din
fig.2.3, care a fost determinat mai nainte, cnd s-a calculat capacitatea Cd .int
(3.107);
RD1 R1 R2 / R1 R2 - rezistena rezultant a divizorului n circuitul baz a
tranzistorului VT1;
Rint .VT 1 - rezistena de intrare a tranzistorului VT1, determinat de relaia (3.36);
h 21E .VT 1 - coeficientul static de amplificare n curent a tranzistorului VT1.

3.2. Calculul circuitelor etajelor preliminare a AP


fr transformator

3.2.1. Introducere

Paragraful 3.2 este continuarea paragrafului 3.1.7, n care s-a determinat


amplificarea necesar i numrul de etaje preliminare a APFJ fr transformator. n
el se precaut ordinea aproximativ de calcul a diferite variante de scheme a
etajelor preliminare, menionate n 3.1.7. Acestea sunt etaje echipate cu
tranzistoare bipolare sau TEC, n regimul clasa A.
Datele iniiale de baz pentru calculul oricrei variante de schem a etajelor
preliminare sunt:
1. Tipul tranzistorului ales ulterior i schema lui de conectare;
2. Frecvenele maximal (fs) i minimal (fj) limit a gamei de frecvene
lucrtoare;
3. Coeficienii de distorsiuni de frecven admisibili corespunztor la frecvena
maxim (Ms) i minim (Mj);
4. Amplitudinea tensiunii i curentului semnalului la intrarea urmtorului etaj
U m. int .urm i I m. int .urm , rezistena i capacitatea de intrare a urmtorului etaj
Rint .urm i Cint .urm . Dac etajul calculat va fi conectat nemijlocit la APFJ,
atunci mrimile numite n p.4 vor fi mrimile calculate n 3.1.7 U m. int .1.nec
(3.82), I m.int .1.nec (3.83), Rint 1 (3.85) i Cint 1 (3.86). Dac ns etajul
preliminar calculat se unete nemijlocit cu alt etaj preliminar (de exemplu la
intrarea repetorului pe emitor nainte de APFJ, cum este artat n fig.2.7),
atunci acestea vor fi datele de intrare a acestui etaj preliminar.
5. Tensiunea sursei de alimentare Eal , aleas mai nainte n calculul APFJ.
3.2.2. Calculul etajului preliminar n conectare rezistiv-capacitiv
(de tip RC), echipat cu tranzistori bipolari n conectare EC

Dup cum s-a menionat n 3.1.7, cele mai utilizate etaje preliminare sunt
etajele RC echipate cu tranzistoare bipolare (VT) (n-p-n sau p-n-p n dependen
de polaritatea sursei Eal ), n conectare EC. n fig.3.7 este artat schema de
principiu electric a unui asemenea etaj echipat cu tranzistori de structur n-p-n, n
regimul clasa A. Etajul este echipat cu filtru R f C f , care separ etajele n ce
privete circuitul de alimentare i suplimentar filtreaz pulsaiile tensiunii de
alimentare Eal [1,2]. Filtrul R f C f poate fi introdus sau n circuitul de alimentare a
etajului (vezi fig.3.7 R f C f cu linii continue), sau n circuitul de polarizare a
tranzistorului (vezi fig.3.7 R f C f cu linii punctate).
Problema privind utilizarea filtrului la general se hotrte cu considerenta
numrului de etaje inversoare i neinversoare i locul amplasrii acestui etaj n
amplificatorul multietaj, i de asemenea cu considerenta tipului sursei de
alimentare (redresor sau surs chimic) i rezervei tensiunii de alimentare Eal .
+
Rf=R1 Cf Rf Eal
R1= R1+ R1 Cf
RC
Cd.ies.prel
R1
Im.int.urm
Rint.urm
Cint.urm
Cd.int.prel Um.ies.prel
R2
RE CE
Um.int.prel

Fig.3.7

Amintim [1,2], c n aceast schem cu ajutorul rezistoarelor R1 , R2 se


asigur polarizarea bazei tranzistorului VT, cu ajutorul R E - stabilizarea emitor n
curent continuu a VT, bazat pe RNG n curent continuu n baza rezistenei R E , cu
ajutorul condensatorului CE se exclude reacia negativ n curent alternativ (se
blocheaz cderea de tensiune n curent alternativ pe rezistena RE), cu ajutorul
capacitilor C d .int . prel , C d .ies. prel se divizeaz tranzistorul n curent continuu i se
cupleaz n curent alternativ cu sursa de semnal i sarcina extern, iar cu ajutorul
rezistorului RC sarcina intern a VT n curent continuu i alternativ.
Se recomand urmtoarea ordine de calcul a schemei din fig.3.7.
1. Calculul se ncepe cu alegerea componentei de curent continuu colector
i0 C i a tensiunii de curent continuu colector U 0 C , a componentei de curent
continuu baz (curent de polarizare) i0 B i tensiunii de curent continuu baz fa
de emitor U 0 B a tranzistorului VT.
Curentul de repaus a colectorului i0C a etajului preliminar trebuie s fie de
cteva ori mai mare ca amplitudinea curentului de semnal la intrarea urmtorului
etaj I m. int .urm U m. int .urm / Rint .urm i n acelai timp nu mai mic de aproximativ 1mA,
deoarece la valori mici a curentului continuu colector se nrutesc performanele
amplificatoare i de frecven a tranzistorului:
1,0 mA i0C 1.5..3 I m.int .urm .
(3.109)
Cel mai des valoarea curentului i0C se alege n limitele (15)mA.
Tensiunea colector de curent continuu U 0C a etajului preliminar trebuie s
ntreac de cteva ori amplitudinea semnalului U m.int .urm la intrarea urmtorului
etaj:
U 0C 1.2...1.3U sat 1.5...3U m.int .urm ,
(3.110)
unde sat este de aproximativ (12)V.
U
Pentru aceasta este de ajuns de ales tensiunea U 0C n limitele (3...5)V. Cel
mai comod este de ales U 0C 5V (valoarea tipic), deoarece se indic parametrii
tranzistorului n ndrumar, pentru aceast tensiune.
Curentul de polarizare se determin conform relaiei:
i0C
i0 B , (3.111)
h21E
unde h21E h21E . min h21E . max coeficientul static mediu de amplificare n curent a
tranzistorului, determinat din ndrumar.
Tensiunea de polarizare U 0 B , pentru curentul de polarizare calculat i0 B se
culege din caracteristica de intrarea a tranzistorului, dat n ndrumar pentru
uC=5V (fig.3.8). IB
uC= 5V

I0B

uBE
U0B
Fig.3.8
n absena caracteristicilor de intrare pentru calcul se permite de luat
orientativ U 0 B 0.5V , ceea ce admisibil pentru tranzistoare de putere mic i
curent de repaus de civa mA.
2. n continuare se determin rezistena colector (rezistorului de legtur)
RC , pentru ce la nceput se determin valoarea rezistenei echivalente Rech. a
etajului de ieire, admisibil din punct de vedere a asigurrii coeficientului de
distorsiuni de frecven, condiionate de circuitul de ieire M s.C .ies [1,2]: 0

M 2
s .C0 .ies 1
Rech. , (3.112)
2 * f s C0.ies
unde M s.C .ies 1.05...1.1 valoarea aproximativ a coeficientului de frecven (n
0

ori), dat pentru circuitul de ieire a etajului;


C 0ies Cies .VT C m Cint .urm capacitatea echivalent ce unteaz circuitul de intrare a
etajului la frecvene nalte;
Cies.VT CC .VT capacitatea de ieire a tranzistorului dat n ndrumar;
C m 5 pF capacitatea de montaj.
Pentru Rech. determinat de relaia (3.112), se folosete relaia:
1 1 1 1
, (3.113)
Rech. Ries.VT RC Rint .urm
n care conductana 1/Ries.VT poate fi neglijat din cauza valorii mari a rezistenei
Ries.VT, se apreciaz valorile admisibile de RC.
Rech. * Rint .urm
RC
Rint .urm Rech.
(3.114)
Amintim c Ries.VT se determin din familia de caracteristici statice de ieire
n punctul de repaus ca Ries.VT=UC/iC ,pentru iB i0 B const (fig.3.9).

IC

PSF
I0C
IC
UC

UC
U0C
Fig.3.9
3. Mai departe se calculeaz valoarea rezistenei de stabilizare emitor R E i
rezistena divizorului de polarizare R1,R2 a circuitului baz a tranzistorului VT.
Rezistena R E se determin reeind din dou condiii:
1) din condiia asigurrii stabilizrii necesare a curentului colector i0C ;
2) din condiia rezervei de tensiune de alimentare Eal avute;
Totodat se ia n consideraie c cu majorarea rezistenei R E se mrete
gradul de RNG de trecere n curent continuu i stabilitatea curentului i0C ,
nsi concomitent cresc pierderile tensiunii de alimentare U 0 R RE i0C i0 B pe ea. E

Practic rezistena R E se calculeaz dup relaia:


U 0 RE
RE , (3.115)
i0C i0 B
unde alegerea tensiunii U 0 R se subordoneaz condiiilor 1) i 2).
E

Pentru realizarea condiiei 1) tensiunea U 0 R se alege n modul urmtor:E

U 0 RE 0.2...0.3U 0C
(3.116)
n conformitate cu care, dup cum arat calculele, U 0 RE
este mai mare de (12)V,
iar R E este destul pentru asigurarea RNG de trecere n curent continuu i
stabilizrii curentului i0C .
Pentru a satisface condiia 2) trebuie ca valoarea aleas a tensiunii U 0 R s E

satisfac condiia Kirchoff:


U 0 R E al U 0 C i0 C RC U 0 R ,
E (3.117)
f

n care pierderile tensiunii de alimentare U 0 Rf , ce au loc pe R f a filtrului R f C f n


circuitul de alimentare general a etajului (vezi fig.3.7 R f C f cu linie continu) se
iau aproximativ n limitele:
U 0 R 0.2 E alf (3.118)
Trebuie de menionat n caz c rezerva de tensiune alimentar Eal este mare,
atunci se poate de mrit rezistena R E i ca urmare va crete RNG n curent
continuu i corespunztor va crete stabilitatea curentului i0C . n lipsa filtrului
R f C f n circuitul de alimentare a etajului, rezistena RE se alege din condiia ca

toat rezerva de tensiune de alimentar s cad pe ea, adic U 0 R Eal U 0C i0C RC . E

Rezistenele divizorului de polarizare n circuitul baz a tranzistorului VT se


gsesc din relaiile:
Eal U 0 R f U 0 B U 0 RE
R1 ; (3.119)
iD i0 B
U 0 B U 0 RE
R2 , (3.120)
iD
unde i D curentul divizorului de polarizare, care se alege n limitele
i D 5...10 i0 B .
Menionm c pentru i D mare, rezistenele R1 , R2 vor fi mai mici i mai
mare gradul de RNG de trecere n curent continuu, i deci, mai efectiv va fi
stabilitatea curentului i0C . Totui, trebuie s ne dm seama c n acelai timp
divizorul R1 , R2 va unta mai mult intrarea tranzistorului n semnal, ce micoreaz
coeficientul de transfer a circuitului de intrare n etaj.
Gradul de RNG de trecere n curent continuu se determin de relaia:
RE RE
1 K 1 1 K i * 1 h21E (3.121)
RD Rint .VT RD Rint .VT
Calculele efectuate n punctele 1,2,3 permit determinarea parametrilor de
semnal principali a etajului.
4. Rezistena de intrare a tranzistorului VT se gsete dup relaia:
0.026
Rint .VT rBB rE 1 h21E rBB 1 h21E (3.122)
i0C
unde rBB rezistena jonciunii baz, dat n ndrumar.
5. Coeficientul de amplificare n curent a etajului n circuitul colector Ki
i n ieirea schemei K i [1,2] snt:
I mC h21E R
K i K i.VT
h21E ech .
I mB R RC (3.123)
1 C
Ries .VT
RC
K i K i * , (3.124)
Rint .urm
unde RC RC Rint .urm / RC Rint .urm rezistena de sarcin colector a tranzistorului
VT n curent alternativ (n semnal).
Coeficientul de amplificare n tensiune a etajului va fi egal cu coeficientul de
amplificare n tensiune a tranzistorului VT [1,2]:
RC R
K KVT K i h21E ech. (3.125)
Rint .VT Rint .VT
6. Rezistena de intrare a etajului cu considerenta rezistenei divizorului de
polarizare (rezistena total de intrare) se determin de conectarea n paralel a
impedanei de intrare a tranzistorului i divizorului de polarizare R1 , R2 :
1
1 1 1
Rint . prel (3.126)
Rint .VT R2 R1
7. Capacitatea de intrare a etajului se determin de capacitatea de intrare a
tranzistorului VT:
1
Cint . prel Cint .din.VT C B 'E C B 'C 1 K C BC 1 K
2 * rBE f h 21E
1 1 , (3.127)
C BC 1 K C BC 1 K
2 * rE 1 h21E f h 21E 2 * rE f gran
unde f h 21E i f gran corespunztor frecvenele limit i de grani a tranzistorului
VT n conectare EC, dat n ndrumar;
rBE rE 1 h21E rezistena jonciunii emitor, recalculat la intrarea tranzistorului
VT;
rE 0.026 / i0 C rezistena jonciunii emitor a tranzistorului VT;
C BC C C capacitatea colector a tranzistorului VT, dat n ndrumar;
K coeficientul de amplificare n tensiune a etajului.
8. Se calculeaz nivelul necesar de semnal la intrarea etajului.
Amplitudinea semnalului U m.int . prel la intrarea etajului:
U m.ies . prel
U m. int . prel (3.128)
K
Amplitudinea curentului de intrare a tranzistorului VT i curentului de
intrare a etajului n ntregime (cu considerenta divizorului de polarizare) se vor
determina de relaiile corespunztoare:
I m.int .urm U m.int .urm
I m.int .VT (3.129)
K i Rint .VT
U m.int . prel
I m.int . prel (3.130)
Rint . prel
9. Calculul capacitilor C d .ies. prel i C E se efectueaz reieind din
distorsiunile de frecven admisibile M j . prel la frecvena inferioar de lucru, care
se repartizeaz egal ntre circuitul de ieire C d .ies. prel , Rint .urm i circuitul emiter
C E , R E a etajului preliminar:
M j .Cd .ies. prel M j .C M j . prel (n ori, uniti de raport)
E (3.131)
Menionm, c valorile admisibile M j .Cd .ies . prel i M j .CE n dB, de obicei se

iau n limitele (0.51.5)dB.


Conform [2]:
1
C d .ies. prel (3.132)
2 * f j Rech. p Rint .urm M 2j .Cd .ies . prel 1

1 1 S D.E. RE 2 M 2j.C
CE E
(3.133)
2 * f j RE M 2
j .C E 1
1 Ki
sau C
, (3.134)
2 * f j Rsurs Rint .VT M j .CE 1
E
2

R R
unde Rech. p R RC rezistena echivalent a Ries.VT i RC , care n curent
ies.VT C

ies .VT RC

alternativ snt unite n paralel, i care se consider aproximativ egal cu R C (fiind


c RC<<Ries.VT);
1 Ki
S D. E .
panta caracteristicii dinamice a tranzistorului VT n curentul
Rint .VT Rsurs
emitorului;
n ce privete rezistena Rsurs , se nelege rezistena echivalent la frecvene
medii ale canalului, precedent tranzistorului VT, care n cazul c se exciteaz de la
sursa de semnal E surs , Rsurs va fi:
1
1 1 1

Rsurs ,
Rsurs R2 R1
iar cnd se exciteaz de la etajul precedent va fi:
1
1 1 1

Rsurs ,
R R2 R1
ies . prec
Ries .VT . prec RC . prec
unde Ries . prec RC . prec la conectarea tranzistorului etajului
Ries.VT . prec RC . prec
precedent EC (sau BC);
Ries. prec Ries.VT . prec . RNG la conectarea tranzistorului din etajul precedent CC
(mrime foarte mic, de ordinul a zeci de ).
Trebuie de menionat c, dac etajul preliminar calculat va fi unit nemijlocit
cu intrarea APFJ, atunci capacitatea Cd .ies. prel , determinat de relaia (3.132), va
juca rolul capacitii C d .int , calculat mai sus dup (3.107) n procesul de calcul a
APFJ, adic C d .ies. prel C d .int .
10. n ce privete calculul filtrului R f C f din etajul preliminar se poate de
spus urmtoarea, c la conectarea filtrului R f C f n circuitul de alimentare general
a etajului (vezi fig.3.7 R f C f , linie continu) rezistena R f se calculeaz dup
relaia:
U 0 Rf
Rf (3.135)
i0C i0 B iD
n ce privete capacitatea Cf , ea se calculeaz, sau aproximativ dup
relaia:
1 Rf
, (3.136)
jC f 50...100
sau mai precis, din punct de vedere a asigurrii coeficientului necesar de decuplaj
d i coeficientului de redresare suplimentar a pulsaiilor p [1].
n cazul cnd filtrul R f C f este introdus n circuitul baz a tranzistorului VT
(vezi fig.3.7 R f C f , linie punctat) se procedeaz n modul urmtor. Rezistena R1,
calculat anterior dup formula (3.119), se desparte n dou pri R1 R1 R1 (
3R1 R
R1 i R1 1 ), ntre care se introduce condensatorul C f . n acest caz R1 se
4 4
folosete adugtor n calitate de R f (adic R f R1 ), iar C f se calculeaz dup
formula (3.136) sau dup mrimile d i P cerute [1].
11. Obinute n rezultatul calculelor etajului preliminar (fig.3.7) rezistena de
intrare Rint . prel (3.126), capacitatea de intrare Cint . prel (3.127) i amplitudinea
tensiunii de intrare U m.int . prel (3.128) i curentului de intrare I m.int . prel (3.130) a
semnalului se folosesc n calitate de date iniiale pentru calculul etajului preliminar
precedent. n acest caz capacitatea Cd.int.prel din fig.3.7 se va referi la etajul
precedent n calitate de capacitate de divizare de ieire.
Dac etajul preliminar precedent va fi construit conform schemei din fig.3.7,
atunci calculul lui se face n acelai mod.
Dac ns n locul etajului preliminar premergtor va fi o surs de semnal,
atunci calculul circuitului de intrare se rezum la urmtoarele.
Se verific dac sursa de semnal E surs , Rsurs asigur la intrarea etajului
preliminar amplitudinea cerut a curentului I m.int . prel (3.130) i tensiunii U m.int . prel
(3.128) de intrare a semnalului:
Em.surs
I m. int . prel (3.137)
Rsurs Rint . prel
E m. surs Rint . prel
U m. int . prel (3.138)
Rsurs Rint . prel
Dup aceasta se apreciaz coeficientul de distorsiuni de frecven a
circuitului de intrare la frecven superioar de semnal [2]:
M s .Co. int 1 j * C0. int Rech.int . prel , (3.139)
2

unde C0.int Cies .surs C m Cint . prel capacitatea echivalent care unteaz circuitul de
intrare a etajului la frecvene superioare;
Cies . surs capacitatea de ieire a sursei de semnal;
Cm 5 pF capacitatea de montaj;
Cint . prel capacitatea de intrare a etajului preliminar (3.127);
Rsurs Rint . prel
Rech. rezistena echivalent a circuitului de intrare a etajului
Rsurs Rint . prel
preliminar la frecven superioar.
Amintim c, valoarea aproximativ a M s.Co.int , dat pentru circuitul de
intrare de obicei este de aproximativ (1.051.1), (n ori).
i, n sfrit, se calculeaz capacitatea C d . int . prel din punct de vedere a
distorsiunilor de frecven eliberat pentru circuitul de intrare la frecvena minim
de lucru M j .Cd .int . prel , care de obicei se ia ca i M j .Cd .int . prel .
1
C d . int . prel
2 * f j Rsurs Rint . prel M 2j .Cd . int . prel 1 (3.140)
n finalul studierii schemei din fig.3.7 subliniem, c dac dup calculele
efectuate n 3.1.7, canalul preliminar trebuie s fie compus din cteva etaje
preliminare, atunci ele toate pot fi ndeplinite dup schema din fig.3.7 i calculate
dup metoda precutat.