Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Rs=18
fs=48Hz
fj=25kHz
Mj.dat =1.4dB
Ms.dat =0.9dB
Ka.dat=1%
S=15dB
Esurs=1mV
Rsurs=0.4k
Tm.min=-10C
Tm.max=50C
Calculul etajului final contratimp fr transformator echipat cu
tranzistoricomplementari n regimul clasa B alimentat de la o singur surs de
alimentare (fig. 2.3) se efectueaz pentru un singur bra, spre exemplu, pentru cel de sus
care formeaz repetorul pe emitor iar datele obinute snt folosite i pentru cel de-al
doilea bra. Aceasta se admite dac parametrii tranzistorilor braelor de sus i de jos nu
difer mai mult de (1020)%.
Calculul se ncepe cu alegerea tranzistorilor de ieire, pentru ce iniial se determin
un ir de mrimi electrice.
1. Se gsete puterea care trebuie s-o asigure tranzistorii etajului final cu
considerenta pierderilor n reeaua de reacie negativ.
P~2EA1,1P~ie
P~2EA=2.2W
2. Se determin valoarea amplitudinii tensiunii colector de curent alternativ a
tranzistorului VT2 (valoarea amplitudinii tensiunii de semnal dintre colectorul i
emitorul VT2):
Um.C2=(2P2EARs) (3.1)
Um.C2= 2 2.2 18 6 2.2 8.89V
3. Se determin tensiunea colector de curent continuu n punctul static de
funcionare a tranzistorului VT2:
U0C2=Um.C2+uCmin2 , (3.2)
U0C2=8.89+0.72=9.61V,
uCmin2=1.20.6=0.72V,
unde uCmin2tensiunea colector minimal care desparte poriunea neliniar a
caracteristicilor de ieire a tranzistorului, egal aproximativ cu (1,2...1,3)U sat, i
care nu depete (1...2)V.
4. Se determin valoarea tensiunii de alimentare a tranzistorilor :
Eal2U0C2 (3.3)
Eal=2 U0C2=19.22V,
Eal24V
i se alege cea mai apropiat de valoarea din standardul nominal dar nu mai mic
dect valoarea obinut prin calcule, conform urmtorului tabel:
Eal, (V) 6 9 12 18 24 36 48 60
iC2
iB.max2
RC=RS
iB2
iC.max2
i0B2
i0C2
U0C2
Fig. 3.1
IB.max2Im.B2
i0B2
uB2
U0B2 UB.max2
Fig. 3.2
iC1
iC.max1 iB.max1
R C
Im.C1
i0B1
iB1
R=C1RC1+RE1
i0C1
iB.min1
iB1
uC2=0 uC2=5V
IB.max1
I"m.B1
PSF
I'm.B1
i0B01
iB.min1 uB1
'
uB.min1 U m.B1 uB.max1
U0B1 U"m.B1
Fig. 3.4
n acest caz calculul mrimilor electrice necesare pentru alegerea
tranzistorului VT1 i calculul etajului prefinal n ntregime se face n felul urmtor.
La alegerea tensiunii colector de curent continuu U0C1 a tranzistorului VT1
ne conducem de aceleai relaii (3.24) i (3.25) ca i n cazul precedent.
Pentru determinarea curentului continuu colector i0C1 a tranzistorului VT1, n
loc de relaiile (3.26) i (3.28) principale n calculul precedent, se vor folosi
relaiile:
i0C1ImC1+iCmin1=ImB1+ImRC1+iCmin1=ImB2+UmB2/RC1+iCmin1, (3.38)
care snt principale pentru varianta etajului final cu circuit RC (vezi fig. 2.5).
Acest curent, n schema etajului prefinal cu circuit RC, care introduce n
circuitul colector al tranzistorului VT1 tensiunea Um.ie de pe sarcina Rs a etajului
final, va fi semnificativ mai mic dect curentul obinut din formulele (3.28) pentru
etajul prefinal fr un astfel de circuit RC. Aceasta se explic prin faptul c
curentul ImRC1 ce curge prin rezistorul R1, n schema etajului prefinal cu circuit RC,
determinat de expresia ImRC1=UmB2/RC1, va fi semnificativ mai mic, dect n schema
fr circuit RC unde el este egal cu:
ImRC1=Um.intr2/RC1=(UmB2+Um.ie)/RC1.
Pentru calculul curentului i0C1 dup formula (3.38) se cere cunoscut
valoarea rezistenei RC1, care la etapa actual a calculului nc nu este cunoscut.
Deaceea, avnd n vedere c n etajul prefinal cu circuit RC, valoarea curentului
continuu colector i0C1 a tranzistorului VT1 poate fi aleas ntr-o gam foarte larg
prin pstrarea principalelor proprieti ale etajelor, atunci acest curent n
corespundere cu (3.38) poate fi considerat egal cu:
I0C1>(1,3...1,5)ImB2 , (3.39)
dar valoarea definitiv aleas pentru i0C1 nu trebuie s fie mai mic de (2...3)mA,
deoarece la cureni de valori mai mici se nrutesc considerabil parametrii de
amplificare i de frecven.
Puterea de disipare pe colectorul VT1 se determin de expresia analogic
(3.29). n schema etajului prefinal cu circuit RC aceast putere va fi mai mic dect
n schema fr circuit RC din cauza valorii mai mici a curentului i0C1.
Amplitudinea curentului de semnal ImRC1 ce curge prin RC1, amplitudinea
componentei alternative sumare a curentului colector imC1, valoarea maximal a
curentului colector iCmax.1, a tranzistorului VT1 vor fi respectiv:
ImR1=UmB2/RC1;
ImC1=ImB2+ImRC1;
i =i0C1+ImC1;
De menionat c n schema Cmax1
cu circuit RC aceste mrimi vor fi mai mici dect
n schema fr circuit RC.
Dup formulele analogice (3.33), se alege tranzistorul VT1 cu o tensiune de
saturaie mic. El va fi de o putere ceva mai mare dect n cazul fr circuit RC.
Apoi se determin rezistena R (vezi fig. 2.5): R(5...10)Rs, i rezistena RC1:
RC1=(0,5Eal-U0B2-i0C1R)/i0C1 ; (3.40)
Valorile obinute pentru R i RC1 trebuie s satisfac condiia:
R(0,1...0,2)RC1.
De menionat c valorile RC1 i R nu snt critice deoarece curentul continuu
colector i0C1 al tranzistorului VT1 n schema etajului final cu circuit RC poate s se
schimbe ntr-o gam foarte larg pstrnd principalele caliti ale schemei.
n continuare determinm rezistena sarcinii colector a tranzistorului VT1 n
curent alternativ, care cu considerenta influenei reaciei pozitive ce are loc prin
circuitul RC se va determina de relaia:
RC1=UmC1/ImC1=Um.intr2/ImC1=(UmB2+Um.ie)/ImC1.
Pentru obinerea valorii acestei rezistene pe familia caracteristicilor statice
de ieire a tranzistorului VT1 se construiete dreapta de sarcin n curent alternativ.
Ea trebuie s treac prin punctul cu coordonatele (U0C1, i0C1) i prin punctul cu
coordonatele (uC1=U0C1+i0C1RC1, iC1=0). Pe dreapta de sarcin obinut se depune
punctul cu coordonatele iCmax1, uCmin1. Poriunea de lucru a dreptei de sarcin
construite, dintr-o parte va fi mrginit de punctul cu coordonatele i Cmax1, UCmin1, iar
din cealalt parte de punctul cu coordonatele iCmin1, UCmax1=U0C1+Um.intr2.
Din grafic se determin curenii i 0B1, iBmax1, iBmin1, ImB2=i0B1-iBmin1 i I
mB1=iBmax1-i0B1.
n lipsa caracteristicilor de ieire aceti cureni pot fi determinai i fr
construirea dreptei de sarcin n curent alternativ conform relaiilor analogice
(3.35).
Dup valorile obinute a curenilor baz i dup caracteristicile de intrare a
tranzistorului VT1 la UC=5 V, considerat aproximativ ca caracteristica dinamic
de intrare a acestuia, se gsesc, dup cum a fost artat n fig. 3.4, tensiunile U 0B1,
UBmax1, UBmin1, UmB1, UmB1.
n continuare, dup formule analogice cu (3.36) se determin rezistena de
intrare a tranzistorului VT1 n curent alternativ.
i, la sfrit, se verific ndeplinirea condiiei analogice cu (3.37).
mP 1
2.2 10 3 2 50 0 C 20 0 C
1 0.055 0.945 ,
1.2 1.2
unde n numrul de tranzistoare, polarizate de tensiunea de pe rezistena R T: n
circuitul din fig.2.3, n=2.
Din ndrumar alegem un termorezistor cu o aa valoare a coeficientului
negativ de temperatur a rezistenei T() la 10C, ca micorarea relativ a
rezistenei lui mT la nclzire pn la Tm.max ,
0
mT T 0 Tm. max 20 0 C (3.43)
100
mT
3
100
50 0 C 20 0 C 0.9
s satisfac condiia mT<mP.
S-a ales termorezistorul CT 3-6 cu T()=-(2,8-3,2) i rezistena ntre 6,2-8,2k.
n continuare se determin valoarea rezistenei R i a termorezistorului RT la
temperatura Tm=200C:
RT 1 mT
R ; (3.44)
m P mT
18.31 0.9
R 40.66 42.2 ;
0.945 0.9
RT RT
RT 20 0 C ; (3.45)
R RT
18.3 8k
RT 200 C 6.2k .
42.2 18.3
Mai departe se calcul electro-componentele circuitelor de obinere a
polarizrii i stabilizrii curentului continuu colector i 0C1 a tranzistorului VT1 din
etajul prefinal. n procesul de calcul trebuie inut cont de faptul c termostabilitatea
curentului i0C1 trebuie s fie destul de nalt n comparaie cu valoarea mic a
tensiunii remanente a colectorului uC.min.1 a tranzistorului VT1 i dependenei
eficacitii de termocompensare n etajul de ieire de gradul de termostabilitate a
curentului i0C1.
n corespundere cu cele expuse n cap.2 i 3.1.2, scopul final al calculelor
va fi n determinarea rezistenelor R1 i R2 a divizorului de tensiune baz a VT1, cu
ajutorul cruia obinem tensiunea de polarizare a bazei U 0B1 a lui VT1, i
determinarea rezistenei RE1 din circuitul emitor a tranzistorului VT1. Totodat,
trebuie de contientizat faptul c deoarece procesele de obinere a tensiunii de
polarizare U0B1 i stabilizare a curentului continuu colector i0C1 sunt strns legate,
atunci i calculul rezistenelor RE1, R1 i R2 vor fi interdependente.
Calculul se ncepe cu alegerea rezistenei rezistorului R E1, care se determin
de relaia:
U 0 RE1
R E1 ,
i 0 C 1 i 0 B1
(3.46)
0.6V
R E1 4.46 4.7
(131 3.275) mA
unde U0RE1 cderea de tensiune pe rezistena R E1, condiionat de curenii i0C1 i
i0B1, ce-l parcurg.
Fiind c cu ct este mai mare R E1, cu att mai mare este gradul de reacie
negativ local 1RNL n curent continuu i ca urmare este mai efectiv stabilizarea
curentului colector i0C1 n punctual static de funcionare (PSF), n calculul
rezistenei RE1 trebuie prestabilit o valoare maxim de U0RE1. n circuitul etajului
prefinal cu cuplare rezistiv cu etajul final U0RE1 se determin de relaia (3.24)
U 0 RE1 0.5E al U 0 B VT 3 U 0C1 ,
U 0 RE1 0.5 24 1.2 10.2 0.6V
sau ceea ce d acelai rezultat:
U 0 RE1 E al U 0C1 i0C1 RC1 i0 C1 i0 B 2 RT (3.47)
U 0 RE1 24 10.2 0.131 82 0.131 0.00036718.3 0.66V
i trebuie s fie de aproximativ (0.5...2)V.
Menionm, c anume cu scopul de a obine o valoare maxim a tensiunii
U0RE1 i s-a recomandat la nceputul calculului etajului final (vezi 3.1.1) ca E al s
fie aleas cu o oarecare rezerv (nectnd c aceasta condiioneaz o oarecare
reducere a coeficientului de utilizare i a randamentului () etajului final).
Mai departe se trece la calculul rezistenelor R 1 i R2 a divizorului de
tensiune baz. Pentru calculul divizorului exist mai multe metode. Cea mai
complet din ele, n calculele inginereti se bazeaz pe determinarea variaiei
admisibile i0C.adm a curentului continuu colector i0C1 n prezena stabilizrii i
variaiei maxime i0C.max.1 a acestui curent n absena stabilizrii i folosirea lor n
calculul gradului de reacie negativ local 1RNL n curent continuu, n
corespundere cu care, i cu considerenta valorilor R E1 i U0B1, determinate anterior,
calculm R1 i R2.
Pentru a calcula i0C.adm se construiete dreapta de sarcin n curent continuu
folosind familia de caracteristici statice de ieire a tranzistorului VT1 (vezi fig.3.3).
Ea va trece prin punctele cu coordonatele U 0C1, i0C1 i iC1=0, uC1=U0C1+i0C1R=C1,
unde R=C1 rezistena de sarcin a tranzistorului VT1 n curent continuu:
R C1 RC1 RT RE1 (3.48)
La creterea temperaturii de lucru a tranzistorului VT1, curentul i0C1 va crete
i PSF se va deplasa n sus pe dreapta de sarcin. Variaia admisibil a curentului
repaus i0C .adm i0 C1 i0C1 (vezi fig.3.3) se determin de scderea tensiunii
remanente a colectorului uC.min.1 pn la mrimea minim admisibil uC . min .1 (mai
mic de 0.51 V) i se gsete nemijlocit pe dreapta de sarcin sau din formula:
E al U 0C1 E al U 0C1 E al U mC1 u C . min 1 E al U mC1 u C . min 1
i0C .adm.1 i0C1 i0C1
R C1 R C1 R C1 R C1
uC . min1 uC . min 1
, ( 3.49 )
R C1
0.4 0.3
i0C .adm.1 9.5mA ,
73.37
unde R C1 se determin din relaia (3.48).
Asigurarea anume acestei valori de curent n circuit se asigur printr-o
reacie negativ local n curent continuu prin rezistena R E1. Pentru calculul
gradului necesar de reacie 1RNL n afar de i0C .adm.1 trebuie evaluat variaia
maxim a curentului colector i0C . max .1 la temperatura maxim de lucru n lipsa
circuitului de stabilizare:
i0C . max 1 i0C . max 1 i0C (3.50)
Aici
i0C . max 1 h21E . max 1i0 B1 1 h21E . max 1 * I 0CB max 1 , (3.51)
unde
T j . max 1 T j .indr .1
I 0CB. max I 0CB * 2 100 C
T j . max 1 T j .indr .1
sau I 0CB. max I 0CB * 3 100 C
- curentul nedirijat pentru VT din Ge (sau Si), i
T j . max Tm. max R jm1 PC . max1 Tm. max R jm1U 0C1i0C1
- valoarea maxim a temperaturii jonciunii colector.
Gradul necesar de reacie negativ local n curent continuu se calculeaz
din relaia:
i0 C . max 1
1RNL
i0C .adm1
(3.52)
Gradul reaciei negative locale n etajul prefinal condiionat de RE1 se
determin de relaia:
1 h21EVT1 * R E1
1RNL 1 , (3.53)
R D1 Rint .VT 1
care se obine din relaia general pentru RN:
1RNL 1 1k1 1 1k int .circ1k i .VT 1 ,
substituind n ea mrimile 1 , K circ . int .1 , K i.VT 1 pentru circuitul precutat de reacie
negativ local:
1
u RE1
iE1 RE1
1 ki.VT 1 RE1
;
u RC1 u RE1 iC1 RC1 iE1 RE1 k i.VT 1 RC1 1 k i.VT 1 RE1
u RC1 u RE1 iC1 RC1 iE1 RE1 k i .VT 1 RC1 1 k i.VT 1 RE1
k i .VT 1 ;
u BE .VT 1 iB1 Rint .VT 1 Rint .VT 1
Rint .VT 1
u RE1 *
u BE .VT 1 R D1 Rint .VT 1 Rint .VT 1 .
k int .circ1
u RE1 u RE1 R D1 Rint .VT 1
Din formula (3.53) determinm rezistena divizorului de polarizare baz a
tranzistorului VT1
RD1
1 h21E .VT 1 * RE1 R
int .VT 1 (3.54)
1RNL 1
Rezistena sumar RD1 cu rezistenele R1 i R2 se gsete n relaia:
R1 R2
RD1 (3.55)
R1 R2
RR 332 187
R D1 1 2 210.
R1 R2 332 187
n afar de condiia (3.55) rezistenele R 1 i R2 se determin i de condiiile
de asigurare a tensiunii i curentului de polarizare necesare U0B1 i i0B1 pentru VT1:
U 0 B1 U 0 RE1
R2 ; (3.56)
i D .1
3.25 0.6
R2 178.2 187 ;
21.6
0.5E al iD .1 R2
R1 ;
i0 B1 iD1
(3.57)
0.5 24 21.6 187
R1 320 332 ;
3.275 21.6
iD1=(3...10)i0B1;
iD1=(3...10)3,275mA=21,6mA,
unde iD1 curentul continuu ce curge prin divizorul de polarizare baz a VT1.
Prin soluionarea sistemului de 3 ecuaii (3.55), (3.56) i (3.57) n care
necunoscutele sunt R1, R2 i iD1, putem gsi la nceput iD1, iar apoi R2 din (3.56) i
R1 din (3.57). Deseori se procedeaz altfel: se d o valoare curentului divizorului n
limitele (3...10)i0B1 i se calculeaz R2 conform (3.56) i R1 din (3.57), iar apoi se
introduc acestea n (3.55) cu scopul de verificare.
Dac condiia (3.55) se ndeplinete, atunci calculul rezistenelor R 1 i R2 se
poate considera finisat, deoarece satisfacerea condiiilor garanteaz obinerea
gradului de reacie negativ n curent continuu conform relaiei (3.53) i respectiv a
mrimii calculate i0C.adm1.
Din contul instabilitii ideale a curentului continuu colector i0C1 a VT1
i0C .adm1
*100 0 0 (3.58)
i0 C 1
9.5
* 100 0 0 7.2%,
131
va avea loc mrirea nedorit a tensiunii de polarizare la bazele tranzistoarelor VT2,
VT3 (fig.2.3) la temperatura de lucru maxim, care se compenseaz de obicei prin
alegerea experimental a rezistenelor RT i R (prin micorarea rezistenei RT i
mrirea rezistenei R) n procesul ajustrii amplificatorului.
La rnd cu metoda analizat mai sus de calcul a divizorului baz gsesc
utilizare i metode mai simple. Una din ele este, de fapt, o parte din metoda de mai
sus i se rezum la calculul rezistenelor R2 i R1 conform formulelor (3.56) i
(3.57) cu considerenta rezistenei RE1 aleas din (3.46), fr calculul preventiv a
mrimilor i0C .adm1 , iC . max1 , 1RNL , RD1 cu verificarea ulterioar a ndeplinirii
condiiei (3.55).
n caz de utilizare a metodei simplificate calculul se pornete de la aceea c
dac la calculul rezistenei RE1 dup formula (3.46) impunnd cderea de tensiune
U0RE1 pe ea, iar n calculul rezistenelor R 2 i R1 dup formulele (3.56) i (3.57),
prestabilind curentul necesar al divizorului iD1, atunci practic se va asigura
funcionarea destul de efectiv a schemei de stabilizare emitor a curentului de
repaus colector a tranzistorului VT1.
Aceast metod se folosete n etajele ce lucreaz n regim de amplificare a
semnalelor de valori mici, cnd caracteristicile statice i dinamice de tranzistor se
utilizeaz incomplet n tensiune, curent i putere.
n ce privete etajul prefinal studiat mai sus n baza tranzistorului VT1, n
care caracteristicile statice i dinamice se folosesc aproape integral n tensiune,
atunci folosirea acestei metode simplificate cere o atenie deosebit, i n particular
cere ca n scopul garantrii valorii minime admisibile a tensiunii uC . min1 , de impus
n procesul de calcul a rezistenei R E1 conform (3.46) o valoare U0RE1 nu mai mic
de 0,2Eal (prin mrirea tensiunii Eal), iar la calculul rezistenelor R2 i R1 dup
(3.56) i (3.57) un curent iD1 al divizorului R1, R2 la valoarea (5..10) i0B1.
Dup cum urmeaz din calculul etajelor finale i prefinale, tranzistorii lor
lucreaz n regim de semnal mare, adic n condiiile utilizrii depline (sau aproape
depline) a caracteristicilor statice i dinamice. Deaceea n aceste etaje pot aprea
eseniale distorsiuni neliniare, condiionate de CVA a tranzistorului.
Coeficientul de armonici a acestor etaje, cu ajutorul crora se apreciaz
distorsiunile neliniare a amplificatorului proiectat, pot depi valorile admisibile.
Din aceast cauz asigurarea factorului de armonici de valoare prestabilit este o
problem acut. De regul valoarea admisibil de distorsiuni se obine prin
intermediul unei reacii negative.
Mai jos este dat ordinea de calcul aproximativ a coeficientului de
armonici i a gradelor reaciei negative necesare. Coeficientul de armonici a
etajelor finale i prefinale KA.fin i KA.pref se determin prin metoda grafo-analitic
de 5 ordonate construite pe caracteristicile dinamice de trecere a acestor etaje.
Caracteristica dinamic de trecere a unui bra iC .VT 2 f esurs.VT 2 a etajului
final echipat cu tranzistori complementari n regim clasa B conform fig.2.3 se
construiete dup punctele dreptei de sarcin (vezi fig.3.1) i a caracteristicilor
dinamice de intrare (vezi fig.3.2) cu folosirea ecuaiei pentru FEM a sursei
echivalente de semnal a fiecrui bra din etajul final esurs .VT 2 (care ine cont de
VT2, VT3 n conectare CC), adic care i-a n consideraie aciunea n acest etaj a
unei RNL paralele fa de ieire n tensiune i serie fa de intrare. Pentru schema
din fig.2.3 aceast ecuaie are forma:
esurs .VT 2 uint .VT 2 i B.VT 2 Rsurs.VT 2 u B.VT 2 iC .VT 2 RS i B.VT 2 Rsurs.VT 2 (3.59)
unde Rsurs.VT 2 RC1 .
Pentru construirea caracteristicilor dinamice de trecere (vezi fig.3.5) este
deajuns s lum 5..7 puncte n limitele de lucru a dreptei de sarcin i caracteristica
dinamic de intrare i pentru ele de calculat esurs .VT 2 . Aadar de exemplu, pentru
valoarea maximal a iC . max .VT 2 a FEM dup (3.59) vom avea:
esurs. max .VT 2 u B . max .VT 2 iC . max .VT 2 RS iB . max .VT 2 Rsurs.VT 2
esurs. max .VT 2 5 0.49 18 0.01225 82 14.82V
unde iC . max .VT 2 i corespunztor lui i B . max .VT 2 se iau nemijlocit de pe dreapta de
sarcin, iar u B. max .VT 2 se culege nemijlocit din caracteristica dinamic de intrare
pentru i B . max .VT 2 .
esurs. min .VT 2 u B. min .VT 2 iC . min .VT 2 RS i B. min .VT 2 Rsurs.VT 2
esurs. min .VT 2 1.2 0.0147 18 0.367 0.082 1.5V
Pe caracteristica dinamic de trecere obinut a unui bra a etajului de ieire
(fig.3.5), mprim n jumtate poriunile pe abscis de la esurs. max .VT 2 pn la
, i1, i0 dup care calculm 5 valori momentane a
esurs.0.VT 2 i gsim curenii imax
curentului de ieire a celor dou brae a etajului cu considerenta coeficientului de
asimetrie b a braelor etajului:
imax imax 1 b
i1 i1 1 b
i0 i0 2b (3.60)
i2 i1 1 b
1 b
imin imax
i max 490 1 0.18 578.2mA
i1 252.35 1 0.18 297.77mA
i0 14.7 2 0.18 5.29mA
i 2 252.35 1 0.18 206.92mA
i min 490 1 0.18 401.8mA
'
imax 490mA
i1' 252.35mA
i0' 14.7 mA
unde b se alege n limitele de 0.15...0.2 (b=0.18).
Mai departe, dup formulele metodei celor 5 ordonate se calculeaz
amplitudinea curentului de ieire a frecvenei de baz I m.1.ies i amplitudinea
armonicilor curentului de ieire I m 2.ies , I m 3.ies , I m 4.ies i deasemenea valoarea
medie a curentului de ieire imed .ies :
IC.VT2
i 0
Fig.3.5
imax
IC.VT1
i1
i0
i2
imin
Fig.3.6
imax imin i1 i2
I m1.ies ;
3
i i 2i0
I m 2.ies max min ;
4
i i 2(i1 i2 )
I m 3.ies max min ; (3.61)
6
i i 4(i1 i2 ) 6i0
I m 4.ies max min ;
12
i i 2(i1 i2 )
imed .ies max min .
6
578.2 401.8 297.77 206.92
I m1.ies 494.896mA;
3
578.2 401.8 2 5.29
I m 2.ies 41.455mA;
4
578.2 401.8 2( 297.77 206.92)
I m 3.ies 4.89 mA;
6
578.2 401.8 4( 297.77 206.92) 6 5.29
I m 4.ies 12.94mA;
12
\
esurs .VT 1 u B.VT 1 i B.VT 1 Rsurs .VT 1 (3.64)
. max VT 1 5 6.581 92.08 5.6V
'
e surs
1
1 1 1
R surs.VT 1 92.08
187 332 400
. min VT 1 1.5 0.0215 92.08 1.5V
'
e surs
1
1 1 1
unde Rsurs .VT 1
R
R
R
, iar pentru excitarea schemei din fig.2.3 de la
2 1 surs
unde
2
fs
M s. EC . pref 1 (3.69)
f h 21E1
2
0.025
M s . EC . pref 1 1.000035
3
- coeficientul distorsiunilor de frecven a tranzistorului VT1 din etajul prefinal,
conectat n schema cu EC,
M s .CC . fin M s . EC . fin K fin M s. EC . fin 1 (3.70)
M s.CC . fin 1.000035 0.61.000035 1 1.000014
- coeficientul distorsiunilor de frecven a tranzistorului unui bra a etajului final n
contratimp n conectarea lor CC, unde K fin - coeficientul de transfer n tensiune a
etajului final (3.22).
Coeficientul de frecven M s. EC . fin din partea drept a formulei (3.70) a
tranzistorilor unui bra a etajului final n contratimp la conectarea EC se calculeaz
dup formula(pentru schema din fig.2.3):
2
fs
M s. EC . fin M s. EC .VT 2 1 1.000035 (3.71)
f h 21E 2
M s . gen 1.000035 * 1.000014 1.000049
Coeficientul distorsiunilor de frecven, calculat dup formulele de mai sus,
va fi micorat de RNG, care cuprinde etajele final i prefinal. Valoarea ei a fost
calculat anterior prin formula (3.67) din punct de vedere a asigurrii
coeficientului armonicilor dat. La acest grad de RNG coeficientul distorsiunilor de
frecven la frecvena superioar de lucru f s va fi:
M s . gen 1
M s . gen.RNG 1 (3.72)
gen
. Ka
1.000049 1
M s. gen. RNG 1 1.0000031
15.66
Evident, c M s. gen. RNG nu trebuie s depeasc valoarea dat de sarcina tehnic a
M s .dat :
M s . gen. RNG M s .dat (3.73)
1.0000031 1.11
n subgama de frecvene joase, distorsiunile de frecven sunt condiionate
de capacitile C d . int , C d .ies i C E1 . Ele la frecvena minim de lucru determin
coeficienii respectivi M j .Cd .int , M j .Cd .ies , M j .C (n ori). E1
1.25 1
M j .C E 1 . RN 1 1.016
15.66
- coeficientul distorsiunilor de frecven condiionate de capacitatea C E1 , n
prezena reaciei negative globale, deoarece C E1 este inclus n aceast reea.
Valorile admisibile ale mrimilor M j .Cd .int i M j .Cd .ies nu trebuie s
depeasc (0.51.5)dB. n ceea ce privete M j .C , deoarece condensatorul C E1 E1
puin mai mare (de ordinul 23dB): datorit RN aceste valori nu vor fi mari. La
aa valori a coeficienilor M j .Cd .int , M j .Cd .ie i M j .C , condensatoarele C d .int , E1
gen
M j .Cd . int * M j .Cd .ies * M j .CE 1 1
(min) (3.79)
M j .dat M j .Cd . int * M j .Cd .ies
Ca rezultat final se ia valoarea cea mai mare din cele 3 obinute din relaiile
(3.67), (3.78) i (3.79) a valorii de RNG, care i trebuie asigurat la proiectarea
reelei de RNG.
Dup cum s-a artat n cap.2, n etajul final, dac sursa de semnal cu FEM
E m. sursi rezistena intern Rsurs nu asigur la intrarea acestor scheme valoarea
necesar a curentului i tensiunii (vezi de exemplu fig.2.7), atunci la intrarea
fiecrei scheme de APFJ, artate n fig.2.3 (sau 2.1, 2.2, 2.4, 2.5), se conecteaz
etajele prefinale cu unire galvanic sau RC.
ntrebarea privind necesitatea etajelor prefinale se rezolv n consecutivitatea
urmtoare.
Mai nti se determin parametrii principali a APFJ, ca valorile necesare a
tensiunii i curentului de semnal, rezistena i capacitatea de intrare cu
considerenta RN n curent alternativ, avnd n vedere, c n raport cu intrarea ea
este paralel. Aceste date sunt iniiale pentru calculul canalului de semnal, care
stau naintea APFJ.
Mai departe se apreciaz tensiunea i curentul de semnal, care le poate
asigura sursa de semnal, fiind aplicat la intrarea acestor scheme.
Apoi comparm tensiunile i curenii ce pot fi asigurai de surs cu cei
necesari, pentru excitarea destul a APFJ i conform rezultatelor obinute
apreciem, dac snt sau nu etaje preliminare.
Conform teoriei RN paralele fa de intrare:
1. Tensiunea necesar la intrarea acestor scheme U m.int .nec n caz de RNG
paralel la intrare va fi aceiai ca i cea calculat n 3.1.2 fr RN U mR1 :
u B. max1 u B. min 1
U m.int .nec U mR1 (3.82)
2
5 1.5
U m. int .nec U mR1 1.75 V
2
2. Curentul de intrare necesar din cauza prezenei la intrare a RN, I m.int .nec
va fi mai mare ca cel calculat fr RN I mR1 I mR 2 cu valoarea curentului ce curge
prin reeaua de reacie I mRN .R : 1
unde
U mR1 1.75
I mR1 3.5mA ;
Rint .VT 1 491
U 1.75
I mR 2 mR1 9.8mA ; (3.84)
R2 178
U U m1. int 1.75 3.25
I mRN . R1 mR1 15mA
R1 332
3. Impedana de intrare din cauza RN paralel la intrare va fi mai mic ca cea
fr reacie:
1 1
Rint 1 (3.85)
Yint 1 Yint .VT 1 YR 2 YRN . R1
i cu considerenta celor calculate n p.1 i 2 a valorilor U m.int .nec i I m. int .nec poate fi
calculat din relaia:
U m. int 1.nec
Rint 1 .
I m. int .nec
1.75 V
Rint 1 61.8
28.3mA
4. Capacitatea de intrare cu RNG paralel la intrare va fi mai mare ca fr
reacie:
Cint 1 Cint .din1 Ctrec . R1 1 K gen , (3.86)
unde Cint .din1 C BE .VT 1 C BC .VT 1 1 KVT 1 - capacitatea dinamic de intrare a
tranzistorului VT1;
1 1 1
C BE .VT 1 - capacitatea static de
2 * rBE f h 21E 2 * rE 1 h21E f h 21E 2 * rE f gran
intrare a tranzistorului VT1;
rE 0.026 / i C 01 [mA]- rezistena jonciunii emitor;
f h 21E , f gran - frecvena limit i de grani respectiv a VT1 (parametrii de
ndrumar);
C B E .VT 1 C C .VT 1 - capacitatea de trecere a VT1 (parametru de ndrumar);
K VT 1 U m. int .2 ( 3) / U mB1 - coeficientul de amplificare n tensiune a etajului pe VT1
(3.18);
Ctrec . R 1 pF - capacitatea de trecere a rezistorului R1 n schema din fig.2.3 (sau
1
R n schema fig.2.4);
K gen U m.ies / U mB1 - coeficientul general de amplificare n tensiune a etajelor finale
i prefinale a APFJ.
Amplitudinea curentului de semnal I m.int 1 i amplitudinea tensiunii de
semnal U m.int 1 , asigurate de sursa de semnal la intrarea acestor scheme, vor fi:
Em.surs
I m.int 1
Rsurs Rint 1
(3.87)
1mV
I m. int 1 2.1A
400 61.8
Rint 1
U m. int 1 I m. int 1 Rint1 E m.surs * (3.88)
Rsurs Rint 1
U m. int 1 2.1A 61.8 0.13mV
Dac condiiile:
I m. int 1 I m. int 1.nec i U m. int 1 U m. int .nec (3.89)
2.1A 28.3mA
i 0.13mV 1.75V
nu se ndeplinesc, n scheme se introduc etaje preliminare cu cuplare RC sau
galvanic, numrul crora trebuie s fie destul pentru obinerea mrimilor U m.int .nec
i I m.int .nec .
Coeficienii de amplificare n curent i tensiune necesari a etajelor
preliminare, cu considerenta coeficientului de rezerv (1.31.5), corespunztor va
fi:
I m.int .nec
K i . prel . gen 1.3..1.5 * (3.90)
I m.int 1. prel
28.3mA
K i . prel . gen 1.3..1.5 * 59 10 3
0.72 A
U m.int .nec
KU . prel . gen 1.3..1.5 * (3.91)
U m.int . prel
1.75V
K U . prel . gen 1.3..1.5 * 3.64 10 3
0.72mV
Aici amplitudinea intensitii curentului de intrare i a tensiunii semnalului
de intrare se determin conform relaiilor:
E m.surs
I m1.int . prel ;
Rsurs Rint . prel
(3.92)
1mV
I m1. int . prel 0.72A
0.4 1k
Rint . prel
U m. int . prel I m.int . prel Rint . prel E m.surs ; (3.93)
Rsurs Rint . prel
U m. int . prel 0.72A 1k 0.72mV
unde Rint . prel - rezistena de intrare a primului etaj preliminar, care, de exemplu, n
cazul folosirii n etaj a tranzistorului bipolar n conectare EC (variant des
ntlnit) poate fi ales aproximativ de 1k (n alte cazuri aceast valoare poate fi
alta).
Calculul ulterior al numrului etajelor preliminare poate fi fcut ori din
valoarea necesar K i. prel . gen (3.90), ori din valoarea cerut K i. prel . gen . Cnd etajele
snt echipate cu tranzistori bipolari, calculul numrului de etaje preliminare
necesare e mai comod de a le calcula reeind din valoarea cerut de amplificare n
curent K i. prel . gen . n acest caz n baza valorii obinute de K i. prel . gen (3.90) i relaia
(3.91)
K i . prel . gen K i1. prel K i 2. prel K i 3. prel ...K i .n. prel , (3.94)
care n caz de etaje cu amplificare identic (sau aproape identic) n curent (ceea ce
poate avea loc la utilizarea n etaje cu cuplare RC sau galvanic a tranzistoarelor cu
coeficieni statice identice sau apropiate de amplificare n curent h21E n
conectarea lor EC sau CC) ia forma:
K i. prel . gen K n i1. prel , (3.95)
numrul de etaje preliminare n ce determin, alegnd din ndrumar tranzistoare
de putere joas i h21E convenabil i avnd n vedere c, n etajele cu cuplare RC
sau galvanic, la conectarea tranzistorului EC sau CC are loc egalitatea:
K i1. prel 0.8...0.9 h21E .
(3.96)
Frecvena limit h 21E a tranzistoarelor alese trebuie s satisfac condiia
f
f h 21E 2...4 f s .
La calculul ulterior a etajelor preliminare (vezi 3.2) tipurile de tranzistori de
putere joas alei se verific de asemenea i la ndeplinirea condiiilor:
PC . adm.Tm . max PC . max1
U C .adm 1.2 2U 0C1 1.2 E al
I C .adm 1.4iC . max
Dac n etajele preliminare se vor folosi tranzistori cu efect de cmp (TEC),
care, dup cum se tie, sunt dirijai de tensiune i se caracterizeaz de coeficientul
de amplificare n tensiune, atunci calculul numrului de etaje trebuie efectuat,
reieind din valoarea necesar K prel . gen (3.91) i S, avnd n vedere c coeficientul
de amplificare n tensiune a unui etaj echipat cu TEC, n conectare, de exemplu,
surs comun (cel mai des), se determin de relaia
S
K S D * RC * RC
RC
1
Ries.VT
unde
RC * Rint .urm
RC .
RC Rint .urm
n acelai timp, n etajul care lucreaz la valori mici de Rint .urm a AP bietaj, poate
fi RCRint.urm, iar n etajul care ca sarcin are la intrarea etajului preliminar urmtor
echipat cu TEC, rezistena RC poate fi RCRC (15)k.
n final trebuie de menionat c n calitate de etaj preliminar poate fi folosit un
microcircuit () ales din ndrumar cu amplificarea general corespunztoare.
Ries.VT . RNL RS
K
gen. MG 2 K gen *
RS
(3.100)
Amplificarea n bucl la RNL (3.99), i la RNG (3.100) cnd sarcina R S
este dat, se calculeaz respectiv gradul de RNG i RNL corespunztor:
K RNL RNL
1 (3.101)
K gen gen 1 ,
(3.102)
unde gradul de RNG, a fost calculat mai sus, innd cont de distorsiunile neliniare
i de frecven (vezi 3.1.4 i 3.1.5), iar gradul de RN RNL
se determin de relaia:
RNL
1 K RNL 1
1 K i.ies RS
Ries Rint .VT 2
, (3.103)
RNL
1
1 0.49 / 0.0122518 1.93
82 310
unde K i .ies- coeficient de amplificare n curent a etajului final, valoarea cruia n
schema din fig.2.3 se gsete din formula K i.ies 2 I mC 2 / I mB 2 ;
Rint .VT 2 - rezistena de intrare a tranzistorului VT2, valoarea cruia pentru
schema din fig.2.3 se determin n 3.1.1.
Ries1 -
rezistena de ieire a etajului prefinal, care n fiecare schem din fig.2.3 se
determin de relaia:
Ries.VT 1 * RC1
Ries1 , (3.104)
Ries.VT 1 RC1
care la condiia RC1 Ries.VT 1 (care deseori se ndeplinete) i-a aspectul Ries1 RC1 .
Din punct de vedere a distorsiunilor neliniare admisibile, capacitatea
condensatorului Cd .ies n schema fig.2.3 trebuie s fie nu mai mic de :
iC . max .VT 2
C d .ies , (3.105)
2 * f j * E
unde pentru prentmpinarea distorsiunilor neliniare, ce pot depi valoarea
admisibil, modificrile tensiunii de alimentare, E a tranzistorului VT3 (n
schema din fig.2.3), a braului de jos ntr-o durat de timp, egal cu semiperioada
frecvenei inferioare de semnal f j , nu trebuie s depeasc valoarea:
E al
E 0.1...0.15
2
(3.106)
Din cele dou valori a capacitii C d .ies , obinute din formulele (3.97) i
(3.105) se alege cea mai mare.
Capacitatea condensatorului C d .int se determin din punct de vedere a
distorsiunilor de frecven admisibile la frecvena minim de lucru f j a
semnalului M j .Cd .int (vezi 3.1.5)
1
C d . int , (3.107)
2 * f j Ries. prel Rint 1 M 2j .Cd . int 1
unde Rint 1 - rezistena de intrare a schemei fig.2.3, cu considerenta influenei RNG
paralel n raport cu intrare, care s-a determinat n 3.1.7;
Ries. prel - rezistena de ieire a canalului precedent intrrii schemei din
fig.2.3, care n dependen de varianta obinut n ce privete etajele preliminare
conform 3.1.7 se consider egal, ori cu impedana intern a sursei de semnal
Rsurs (dac la intrarea schemei fig.2.3 se aplic o surs de semnal), ori egal cu
impedana de ieire a ultimului etaj de amplificare preliminar Ries. prel (dac la
intrarea schemei din fig.2.3 se cupleaz etaje preliminare echipate cu tranzistoare
bipolare sau TEC), sau impedana de ieire a microcircuitului integrat (dac
n calitate de etaje preliminare se folosete un ).
Capacitatea condensatorului de blocaj C E1 se determin, reieind din
distorsiunile de frecven admisibile M j .C (vezi 3.1.5) la frecvena minim de
E1
lucru:
1 h21E .VT 1
C E1 , (3.108)
2 * f j * Rsurs
Rint .VT 1 M 2j .CE 1 1
Ries . prel Rd 1
'
Ries ,
Ries. prel Rd 1
unde Ries - impedana de ieire a tractului, ce st naintea intrrii n tranzistorul
VT1;
Ries. prel - rezistena de ieire a canalului, ce se gsete naintea intrrii schemei din
fig.2.3, care a fost determinat mai nainte, cnd s-a calculat capacitatea Cd .int
(3.107);
RD1 R1 R2 / R1 R2 - rezistena rezultant a divizorului n circuitul baz a
tranzistorului VT1;
Rint .VT 1 - rezistena de intrare a tranzistorului VT1, determinat de relaia (3.36);
h 21E .VT 1 - coeficientul static de amplificare n curent a tranzistorului VT1.
3.2.1. Introducere
Dup cum s-a menionat n 3.1.7, cele mai utilizate etaje preliminare sunt
etajele RC echipate cu tranzistoare bipolare (VT) (n-p-n sau p-n-p n dependen
de polaritatea sursei Eal ), n conectare EC. n fig.3.7 este artat schema de
principiu electric a unui asemenea etaj echipat cu tranzistori de structur n-p-n, n
regimul clasa A. Etajul este echipat cu filtru R f C f , care separ etajele n ce
privete circuitul de alimentare i suplimentar filtreaz pulsaiile tensiunii de
alimentare Eal [1,2]. Filtrul R f C f poate fi introdus sau n circuitul de alimentare a
etajului (vezi fig.3.7 R f C f cu linii continue), sau n circuitul de polarizare a
tranzistorului (vezi fig.3.7 R f C f cu linii punctate).
Problema privind utilizarea filtrului la general se hotrte cu considerenta
numrului de etaje inversoare i neinversoare i locul amplasrii acestui etaj n
amplificatorul multietaj, i de asemenea cu considerenta tipului sursei de
alimentare (redresor sau surs chimic) i rezervei tensiunii de alimentare Eal .
+
Rf=R1 Cf Rf Eal
R1= R1+ R1 Cf
RC
Cd.ies.prel
R1
Im.int.urm
Rint.urm
Cint.urm
Cd.int.prel Um.ies.prel
R2
RE CE
Um.int.prel
Fig.3.7
I0B
uBE
U0B
Fig.3.8
n absena caracteristicilor de intrare pentru calcul se permite de luat
orientativ U 0 B 0.5V , ceea ce admisibil pentru tranzistoare de putere mic i
curent de repaus de civa mA.
2. n continuare se determin rezistena colector (rezistorului de legtur)
RC , pentru ce la nceput se determin valoarea rezistenei echivalente Rech. a
etajului de ieire, admisibil din punct de vedere a asigurrii coeficientului de
distorsiuni de frecven, condiionate de circuitul de ieire M s.C .ies [1,2]: 0
M 2
s .C0 .ies 1
Rech. , (3.112)
2 * f s C0.ies
unde M s.C .ies 1.05...1.1 valoarea aproximativ a coeficientului de frecven (n
0
IC
PSF
I0C
IC
UC
UC
U0C
Fig.3.9
3. Mai departe se calculeaz valoarea rezistenei de stabilizare emitor R E i
rezistena divizorului de polarizare R1,R2 a circuitului baz a tranzistorului VT.
Rezistena R E se determin reeind din dou condiii:
1) din condiia asigurrii stabilizrii necesare a curentului colector i0C ;
2) din condiia rezervei de tensiune de alimentare Eal avute;
Totodat se ia n consideraie c cu majorarea rezistenei R E se mrete
gradul de RNG de trecere n curent continuu i stabilitatea curentului i0C ,
nsi concomitent cresc pierderile tensiunii de alimentare U 0 R RE i0C i0 B pe ea. E
U 0 RE 0.2...0.3U 0C
(3.116)
n conformitate cu care, dup cum arat calculele, U 0 RE
este mai mare de (12)V,
iar R E este destul pentru asigurarea RNG de trecere n curent continuu i
stabilizrii curentului i0C .
Pentru a satisface condiia 2) trebuie ca valoarea aleas a tensiunii U 0 R s E
1 1 S D.E. RE 2 M 2j.C
CE E
(3.133)
2 * f j RE M 2
j .C E 1
1 Ki
sau C
, (3.134)
2 * f j Rsurs Rint .VT M j .CE 1
E
2
R R
unde Rech. p R RC rezistena echivalent a Ries.VT i RC , care n curent
ies.VT C
ies .VT RC
unde C0.int Cies .surs C m Cint . prel capacitatea echivalent care unteaz circuitul de
intrare a etajului la frecvene superioare;
Cies . surs capacitatea de ieire a sursei de semnal;
Cm 5 pF capacitatea de montaj;
Cint . prel capacitatea de intrare a etajului preliminar (3.127);
Rsurs Rint . prel
Rech. rezistena echivalent a circuitului de intrare a etajului
Rsurs Rint . prel
preliminar la frecven superioar.
Amintim c, valoarea aproximativ a M s.Co.int , dat pentru circuitul de
intrare de obicei este de aproximativ (1.051.1), (n ori).
i, n sfrit, se calculeaz capacitatea C d . int . prel din punct de vedere a
distorsiunilor de frecven eliberat pentru circuitul de intrare la frecvena minim
de lucru M j .Cd .int . prel , care de obicei se ia ca i M j .Cd .int . prel .
1
C d . int . prel
2 * f j Rsurs Rint . prel M 2j .Cd . int . prel 1 (3.140)
n finalul studierii schemei din fig.3.7 subliniem, c dac dup calculele
efectuate n 3.1.7, canalul preliminar trebuie s fie compus din cteva etaje
preliminare, atunci ele toate pot fi ndeplinite dup schema din fig.3.7 i calculate
dup metoda precutat.