1.

Tehnologia de fabricare a
tranzistorului KT – 608
La etapa actuală există diferite metode de fabricare ale tranzistoarelor.
În dependenţă de tipul tranzistorului, destinaţia lui se deosebesc următoarele
metode de fabricare:
 Metoda de aliere

 Metoda difuziei

 Metoda de conversie

 Metoda planară

 Metoda mesa – planară

 Metoda epitaxial – planară

Tranzistorul KT – 608 reprezintă un tranzistor de tip n-p-n. Metoda de

fabricare a acestui tranzistor este metoda planară.
În continuare vom analiza această metodă.
Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate
cu aceea că toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a plachetei,
de aceea şi electrozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte.
Masca în formă de oxid de siliciu SiO2 , o primim prin metoda oxidării
termice a suprafeţelor de siliciu, care posedă următoarele proprietăţi:
1) Masca de oxid este legată organic cu suprafaţa plachetei, având un
contact trainic cu ea, ceea ce exclude pătrunderea difuzorului în locul
dintre mască şi suprafaţă.
2) Grosimea măştii de oxid (aproximativ un micron) este destul pentru
apărarea părţilor respective a plachetei împotriva atomilor ce difuzează.
3) Stratul d oxid în acelaşi timp cu funcţia de mascare îndeplineşte şi
funcţia de apărare (înseamnă şi a p-n joncţiunii, care iese la suprafaţă)
de la influienţa diferitor factori externi. În cazul, tehnologiilor de aliere
şi mesa pentru asta este nevoie de a folosi metode speciale de protecţie.
În continuare vom prezenta ciclul de fabricare a tranzistorului prin
metoda planară. Se ea o plachetă din Si tip-n, care în structura rezultantă
joacă rolul de colector. Pe această plachetă peste prima mască de oxid se
efectuiază difuzia acceptorului (de obicei bor) şi se primeşte stratul p al bazei.
Apoi peste a doua mască se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel
primim stratul emitorului. În sfârşit cu ajutorul celei de-a treia măşti de oxid
se conectează contactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi şi în
continuar esunt lipite la aceste contacte sârmuliţe subţiri care joacă rolul de
picioruşe ale tranzistorului.
 În varianta considerată placheta este aleasă cu o rezistenţă destul de
mare, pentru a asigura o tensiune de străpungerea a joncţiunii colectorului
necesară.
Structura unui tranzistor obţinut prin metoda planară este arătată în
fig.1.1.

E B C

n+

Fig.1.1
Structura tranzistorului bipolar obţinut prin metoda planară

Principala caracteristică a metodei planare este universalitatea, ce

permite pe unele şi aceleaşi dispozitive de fabricat tranzistoare cu diferiţi
parametri.
 2.Procedee fizice în
tranzistorul n –p –n
În fig.2.1 este prezentată structura tipică a unui tranzistor bipolar n-p-n
cu diagramele n(x), Q(x), E(x) şi W(x). În continuare vom analiza această
structură.
În structura n-p-n analizată concentraţia golurilor în regiunea p este mai
mare decît concentraţia lor în regiunile n, pp > pn, iar concentraţia electronilor
din regiunile n este mai mare decît concentraţia electronilor din regiunea
p(fig.2.1, b).
-
-
-
a)
-

b)

c)

d)
 E

W EC
e)
EF
EV
x

Fig.2.1

În regim normal de funcţionare tranzistorul trebuie să fi conectat astfel

încît joncţiunea emitorului să fie polarizată direct, iar cea a colectorului –
indirect.
În regim activ curentul total al emitorului IE = IEn + IEp + IErec este alcătuit din
curentul IEn de electroni, injectaţi din emitor în bază, curentul IEp a golurilor,
injectaţi din bază în emitor, şi curentul IErec de recombinare a purtătorilor de
sarcină în joncţiunea emitorului. În această sumă numai primul curent este
folositor, deoarece anume el influenţează asupra curentului colectorului,
celelalte componente sunt dăunătoare, şi se tinde de obţinut valorile lor cît
mai mici. Mişcarea electronilor, injectaţi în bază este condusă de
recombinarea unei părţi e electronilor, de aceea curentul electronilor ICn ce se
apropie de joncţiunea colectorului, este mai mic ca curentul IEn cu mărime