Electronica digitala– 2.

Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

DETERMINAREA CARACTERISTICILOR DE REGIM STATIC ŞI DINAMIC

PENTRU UN INVERSOR REALIZAT CU UN TRANZISTOR BIPOLAR CU
JONCTIUNI NPN (TBJ)

I. Analiza regimului static

Toate informațiile vor fi obținute pe baza caracteristicii statice de transfer (CST)
care va fi obținută si vizualizată la rândul ei printr-o analiză de cc (DC Sweep) a unui
inversor elementar cu un TBJ de tip npn, în conexiunea Emitor Comun, având ieșirea în
gol (deci curentul de ieșire este nul) şi alimentat la tensiunea de 5V(VCC).
Se va determina tensiunea de prag VP a inversorului, se va mai vizualiza evoluția
curentului de intrare Iin şi a curentului de alimentare Icc pentru a pune în evidentă
dependența acestora de nivelele logice ale intrării (sau ieșirii).
Se vor modifica unele din proprietățile circuitului pentru a pune în evidentă
dependența unora din caracteristicile anterioare de aceste proprietăți (valori).
Numele componentelor sunt alese astfel încât să fie cat mai sugestive: VCC – sursa
de tensiune constanta care oferă tensiunea de alimentare a circuitului, VIN- sursa care
oferă tensiunea de intrare, utilizată pentru analiza de curent continuu, RB - rezistența de bază,
RC - rezistența de colector (de sarcină) si CL – un capacitor de sarcină (load), relevant doar
pentru regimul dinamic.

Etapele de lucru sunt următoarele:

I.1 Se lansează Capture CIS Demo (Start -> Programs -> Cadence -> Orcad 16.6
Lite -> -> Orcad Capture CIS Demo); se generează un nou proiect (File -> New ->
Project); se furnizează numele (Name) noului proiect, calea/locația (Location) unde
proiectul se va memora şi se alege opţiunea "Analog or Mixed A/D" (Checkbox-ul bifat!).
I.2 Se va construi circuitul din figura anterioară. Procedurile utilizate sunt cele din
exemplele anterioare. Se stabilesc proprietăţile dispozitivelor (valori, nume). Condensatorul
de sarcină CL nu are nici o semnificaţie pentru acest tip de analiză, fiind utilizat (si eventual
adăugat) doar la analiza de tranzitoriu.
Tranzistorul bipolar npn utilizat Q1 (se va alege modelul/dispozitivul numit
QbreakN3 sau QbreakN din biblioteca BREAKOUT) are proprietăţile modelului implicit
(Default), acesta fiind modelul utilizat pentru analiza iniţială.

1
Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

I.3 Pentru obţinerea CST sursa din intrare VIN îşi va modifica valoarea între 0 şi 5V
(=Vcc - tensiunea de alimentare a inversorului), cu pasul de 0.1V, prin configurarea
corespunzătoare a analizei de cc. Parametrii analizei nu se vor mai modifica în continuare.
Pentru configurarea analizei de cc se procedează astfel:
- din meniul "PSpice", se alege "New Simulation Profile"; se va introduce numele
simulării(Ex: "Analiza de tip DC Sweep");
- în fereastra de dialog "Simulation Settings", opţiunea "Analysis", se realizează
următoarele setări: tipul analizei (Analysis Type): "DC Sweep"; parametrii analizei
(Options): "Primary DC"; tipul şi numele sursei (Sweep Variables): "Voltage Source" cu
numele "VIN";
- tipul şi parametrii (Sweep Type):"Linear" cu parametrii: Start value: 0V,
Increment: 0.1 şi End value: 5V;

I.4 Se lansează analiza ("Run" din meniul "PSPICE"). SPICE va lansa automat
fereastra de vizualizare rezultate ("Probe window"), care nu va conţine nici o caracteristică
grafică. Pentru afişarea graficul care reprezintă imaginea CST, din meniul "Trace" se alege
opţiunea "Add Trace...". Din lista de variabile din partea stîngă se selectează (Click)
V(VOUT).
Se vor identifica nivelele logice de intrare VIL, VIH (delimitare zone de stabilitate
0..VIL max şi VIH min..Vcc) respectiv ieşire VOL, VOH (valori unice în acest caz).

I.5 Se va determina tensiunea de prag a inversorului ca fiind valoarea tensiunii de

intrare pentru care VOUT=VIN ( dată de intersecţia dreptei de ecuaţie Vout=Vin cu CST ).
Pentru aceasta cel mai simplu este să facem vizibilă pe grafic şi evoluţia potenţialului nodului
de intrare - care este borna '+' a sursei VIN (Trace -> Add Trace..., V(VIN:1)). Punctul de
intersecţie se proiectează pe axa orizontală (VIN), rezultând tensiunea de prag VP.

I.6 Se va vizualiza evoluţia curentului de intrare IIN = f(VIN) Pentru aceasta, din
meniul "Plot" se alege opţiunea "Add Plot to Window"; din meniul "Trace" se alege
"Add Trace..."; în linia de comandă a dialogului se introduce/alege expresia: -I(VIN).
Semnul minus este necesar pentru a da sensul real al curentului prin raportare la nodul de
intrare al inversorului. I(VIN) este curentul care intră în borna + a sursei.
Se vor identifica cei doi curenţi de intrare în cele două stări logice: IIL şi IIH max .

I.7 Se va vizualiza evoluţia curentului de alimentare ICC= f(VIN) Pentru aceasta cu:
"Trace", "Add Trace..."; se introduce în linia de comandă a dialogului expresia: -I(VCC).
Semnul minus este necesar pentru a da sensul real al curentului prin raportare la nodul de
alimentare al inversorului. Se vor identifica cei doi curenţi de alimentare în cele două stări
logice ale ieşirii (H sau L): ICCL şi ICCH .
OBSERVATIE Pentru comoditate se pot utiliza markerii de tensiune (V) si respectiv
curent(I). Atenţie la semnul corect al tensiunilor si curenţilor.

2
 Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

VOH

VOL

VIH min
VIL max
VP

Icc Icc max = ICCL

Icc min =ICCH

3
 Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

IIN
IIL (max)

IIH (min)

I.8 Se vor pune în evidenţă o serie de mărimi caracteristice ale circuitului care
condiţionează CST.
I.8.1 Parametrii tranzistorului(modelului TBJ)
Pentru început se vor modifica parametrii modelului implicit Spice pentru tranzistorul
bipolar, astfel încât modelul să fie asemănător tranzistoarelor utilizate, în tehnologie
monolitică, la realizarea circuitelor digitale. Se selectează transistorul (Click pe tranzistor),
iar din meniul "Edit" se alege opţiunea "PSpice model".

Se va lansa un nou program - PSpice Model Editor Lite.

Observație Si acest program se lansează lent si tipic apare minimizat in bara de jos:

Acesta program permite construirea modelelor Spice ale componentelor. În partea stângă, în
lista de modele, va apărea numele modelului: QBreakn. În partea dreaptă, este prezentată

4
Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

sintaxa, care defineşte proprietăţile modelului QBreakn: " .model Qbreakn NPN ". Aceasta
"spune" că tranzistorul QBreakN este un tranzistor NPN şi că toţi parametrii (42 la număr)
sunt setaţi la valorile lor implicite. În Anexă sunt prezentaţi parametrii tranzistorului şi
valorile lor implicite.
Din fericire numai o mică parte din aceşti parametrii sunt relevanţi (pentru scopurile
noastre) într-o o analiză de cc, acelaşi lucru putându-se spune şi despre analiza de tranzitoriu.
Restul parametrilor pot rămâne la valorile modelului implicit. Valorile modificate (curent de
saturaţie, βF , rezistenţe ohmice, coeficient dependenţă de temperatură a lui β ) sunt: IS=1E-
14, BF=20, RB=50, RC=30, XTB=1.
Sintaxa noului model al tranzistorului este:
.model QbreaknDC NPN IS=1e-14 BF=20 RB=50 RC=30 XTB=1

După modificarea parametrilor se salvează noul model şi se închide programul de editare

model.
Numele noului nostru dispozitiv/model este QbreaknDC si trebuie să apară ca atare pe
schemă, lângă dispozitiv. Dacă dorim să revenim la modelul implicit este suficient să
alegem din nou modelul implict Qbreakn.
Se repetă simularea cu vizualizarea doar a CST (VOUT). Se repetă analiza şi se
determină din nou mărimile: VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.

I.8.2 Valorile de rezistenţe (controlul saturaţiei)

Se păstrează caracteristicile tranzistorului (modelul QbreakDC) şi modifică rezistenţa
externă RC la RC=1K. Micșorarea ei duce la mărirea curentului de saturație, astfel ca este
posibil ca tranzistorul sa nu mai poată fi saturat, in condițiile date, circuitul ne mai fiind util
ca inversor numeric!
Se repetă analiza; comentați rezultatul; pentru această situaţie cum trebuie modificat RB
pentru a obţine practic aceiaşi caracteristică statică ca la I.8.1 ?

I.8.3 Influența temperaturii de lucru asupra caracteristicii statice de transfer

În condiţiile de la 8.1 (valorile iniţiale de rezistenţe) se va realiza simularea la două
temperaturi mult diferite; temperatura implicită este 27oC. Pentru aceasta:
- în fereastra de dialog "Simulation Settings", "Analysis", se selectează: "DC Sweep";
- în lista de opţiuni (Options) se selectează: "Temperature Sweep";
- se specifică parametrii analizei; se activează check-boxul "Repeat the simulation for each
of the temperatures" şi se introduce lista de temperaturi(separate prin spațiu): -55 +27 +125.

5
Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

- se repetă analiza; se determină din nou mărimile: VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.
Comentați rezultatele: cum anume sunt afectate de temperatura de lucru aceste mărimi?

II. Analiza regimului dinamic

Scopul analizei este de a determina răspunsul în domeniul timp al circuitului, sau

mai concret determinarea timpului de propagare (intarziere) al inversorului şi a factorilor
care îl condiţionează. Rezultatele şi comentariile se vor centraliza sub forma unui tabel.
Se va utiliza circuitul inițial cu următoarele modificări:
- sursa de tip constant din intrare, utilizată in analiza/schema anterioară, se va
înlocui acum cu o sursă de tip de tip impuls VPULSE (biblioteca SOURCE) ale cărei
caracteristici vor fi date în continuare; atenție la polaritatea sursei (borna + la intrarea
inversorului- către baza tranzistorului) !
- se va utiliza din nou modelul implicit al tranzistorului: se selectează transistorul
(Click pe tranzistor), iar din meniul "Edit" se alege opţiunea "PSpice model"; în OrCAD
Model Editor se definește (se revine la) sintaxa modelului implicit:
.model Qbreakn NPN
- deocamdată nu se introduce condensatorul de sarcină CL (sau se păstrează cel din
schema inițială, de valoare foarte mică, de ex. CL=0.001P ), circuitul fiind iniţial practic cu
ieşirea în gol şi în regim dinamic

6
 Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

II.1 Parametrii semnalului de tip impuls oferit de sursa din intrare se stabilesc la :
valoare iniţială: V1 = 0V; amplitudine impuls: V2 = 5V; întârziere iniţială (Delay): TD=
15N; timp de creştere (Rise): TR = 5N; timp de cădere (Fall): TF = 5N; lățime impuls
(Width): PW = 80N; perioada (Period): PER = 240N;
Se stabilesc parametrii analizei de tranzitoriu:
- din meniul "PSpice", se alege "New Simulation Profile"; se va introduce numele
simulării (Ex: "Transient1");
- în fereastra de dialog "Simulation Settings", opţiunea "Analysis", se realizează
următoarele setări: tipul analizei (Analysis Type): "Time Domain (Transient)"; momentul
de început al vizualizării (Start saving data after): 0ns; momentul de terminare a simulării
(Run to time): 260ns; pasul maxim de timp pentru simulare (Maximum step size): 4ns; se
păstrează toţi ceilalţi parametrii nemodificaţi şi se iese cu OK;

II.2 Se lansează analiza ("Run" din meniul "PSpice"). Pentru a vizualiza, simultan,
pe aceeaşi axă a timpului, intrarea şi ieşirea circuitului: Trace -> Add Trace... şi din lista de
variabile din partea stângă se selectează (Click): V(VOUT) şi V(VIN:+);
Determinarea celor două componente ale timpului de propagare tpHL şi tpLH se face
ca la 50% din amplitudinea – valoarea vârf la vârf vv - celor două impulsuri V OUTVV
V IN VV) ca in figura următoare unde cele două forme de undă sunt suprapuse. Numai dacă
cele două impulsuri au aceiaşi amplitudine se poate duce o orizontală comună la 50% şi se
determină punctele de intersecţie (la noi, unde amplitudinea este practic de 5V se poate
materializa orizontala cu: Trace, Add Trace..., Add Expression şi se introduce în linia de
comandă constanta 2.5).
Deoarece modelul implicit (Default) al TBJ este idealizat din punct de vedere al
comutaţiei (capacităţile regiunilor golite nule şi timpi de tranzit ai purtătorilor minoritari
nuli) şi datorită absenţei practic a sarcinii capacitive, iniţial timpii de propagare trebuie să fie
nesemnificativi (aproape nuli).

VIN
VIN VV

tpLH

50% din
VIN VV si V OUTVV
V OUTVV
= 2.5V tpHL
VOUT

II.3 Păstrând încă modelul implicit pentru tranzistor se adaugă/mărește condensatorul

de sarcină la CL=5PF şi se repetă analiza. Se măsoară timpii de propagare; comentaţi
diferenţa între cei doi timpi determinaţi.

7
Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

II.4 Se modifică unii din parametrii modelului (capacităţi ale regiunilor golite şi
timpi de tranzit) care condiționează regimul de comutație al TBJ. Se selectează transistorul
(Click), iar din meniul "Edit" se alege opţiunea "PSpice model"; în OrCAD Model Editor
se defineşte sintaxa modelului implicit:
.model QbreaknTr NPN IS=1e-14 BF=20 RB=50 RC=30 XTB=1 CJE=1P TF=0.7N
CJC=1P TR=5P .
Nu confundați rezistenţele intrinseci aferente modelului tranzistorului bipolar (RB, RC)
cu rezistenţele externe RB, RC utilizate in circuit !
Numele noului nostru model este QbreaknTr si va apărea pe schemă lângă dispozitiv.
Se repetă analiza şi se măsoară timpii de propagare.
II.5 Se păstrează modelul QbreaknTr si se modifică rezistenţele la RC=1K şi RB=4K;
se repetă analiza şi se măsoară timpii de propagare;
Păstrând valorile de rezistenţe repetaţi analiza folosind din nou modelul implicit al
tranzistorului .model Qbreakn NPN;
Comparaţi, comentaţi şi justificaţi modificările timpilor de propagare.

Sinteza mărimilor determinate si a vizualizărilor

I.4, I.5 Caracteristica statică de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.
I.6 Caracteristica de intrare Iin=f(Vin), valori IIL şi IIH max .
I.7 Caracteristica de alimentare Icc=f(Vin), valori ICCL şi ICCH
I.8.1 Caracteristica statica de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.
I.8.3 Caracteristicile statice de transfer pentru cele 3 temperaturi (pe acelaşi grafic), valori
VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP pentru fiecare temperatură, justificare influente.
II.2 Doar formele de undă.
II.3 Forme de undă şi timpii de propagare.
II.4 Forme de undă şi timpii de propagare.
II.5 Doar timpii de propagare.

TEME DE CASA
A. Punctele I.4, I.5 (caracteristica statică de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL,
VOH, VP) se vor repeta si pentru următorul circuit inversor cu TBJ (cu ieşirea in gol).

VCC
RC 5Vdc

5k
RB2
Q1
RB1 D1 V
10k
VIN
1k Dbreak
0Vdc V
QbreakN

0
Parametrii tranzistorului şi ai diodei (de tip Dbreak din biblioteca BREAKOUT) sunt cei
impliciţi. In mod asemănător se vor repeta şi punctele I.6, I.7, dar cu caracteristicile de
curent reprezentate pe acelaşi grafic (sistem de axe). Comentaţi corelarea intre curentul
de alimentare şi cel de intrare.

8
Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

Mai introduceţi o diodă D2 (identică cu D1) in serie cu dioda D1 si repetati I.4, I.5. Care
mărimi sunt influenţate, în ce sens (crescător sau descrescător) şi de ce ?

B. Punctele I.4, I.5 (caracteristica statică de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL, VOH,
VP) se vor repeta si pentru următorul circuit inversor cu TBJ la care ieşirea nu mai este
în gol, fiind “încărcată“ cu două intrări de inversor similar. Parametrii modelelor
tuturor celor trei tranzistoare sunt cei impliciţi (QbreakN). Precizaţi care sunt efectele
asupra caracteristicii statice de transfer.

C. Punctele I.4, I.5 (caracteristica statică de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL,
VOH, VP) precum si I.6 (Iin=f(Vin), valori IIL şi IIHmax), I.7(Icc=f(Vin), valori ICCL şi
ICCH) se vor repeta si pentru următorul circuit inversor cu un TBJ de tip pnp (cu
iesirea in gol). Parametrii modelului tranzistorului sunt cei impliciţi (QbreakP).
Pe baza caracteristicilor de curent obţinute arătaţi ca iE=iB+iC (relaţia poate vă pare
cunoscută...).

9
Electronica digitala– 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

Anexă
Lista parametrilor care pot fi definiţi în sintaxa .MODEL pentru un tranzistor bipolar BJT.

BJT Defualt
Name
parameter value
-16
IS saturation current 10 A
BF forward current gain 100
VAF forward Early voltage Infinity
BR reverse current gain 1
VAR reverse Early voltage Infinity
NF / NR forward and reverse current emission coefficients 1 (for both)
IKF / IKR forward and reverse high-current beta roll-offs Infinity
ISE base-emitter leakage saturation current 0A
ISC base-collector leakage saturation current 0A
NE base-emitter leakage emission coefficient 1.5
NC base-collector leakage emission coefficient 2
RC collector resistance 0 ohms
RE emitter resistance 0 ohms
RB base resistance 0 ohms
RBM minimum base resistance at high currents 0 ohms
IRB current where base resistance falls halfway to its minimum value inifinity
TF ideal forward transit time 0s
TR ideal forward reverse transit time 0s
XTF coefficient for bias dependence of TF 0
VTF voltage describing VBC dependence of TF Infinity
ITF high-current parameter for effect on TF 0A
PTF excess phase associated with TF 0 degrees
CJE zero-bias base-emitter depletion capacitance 0F
VJE base-emitter built-in potential 0.75 V
MJE base-emitter junction grading coefficient 0.33
CJC zero-bias base-collector depletion capacitance 0F
VJC base-collector built-in potential 0.75 V
MJC base-collector junction grading coefficient 0.33
CJS zero-bias collector-substrate capacitance 0F
VJS substrate-junction built-in potential 0.75 V
MJS substrate-junction exponential factor 0
fraction of base-collector depletion capacitance connected to
XCJC 1
internal base node
FC coefficient for forward-bias depletion 0.5
XTB forward and reverse beta temperature coefficient 0
XT1 saturation current temperature coefficient 3
EG energy gap for temperature effect on saturation current 1.11 eV
KF flicker-noise coefficient 0
AF flicker-noise exponent 1
OBS. Unele mărimi sunt adimensionale, fiind de natura unor coeficienţi.

10