Memorii nevolatile

Memorie flash
• Principiul: poarta suplimentara, neconectata,
cu potential flotant (floating gate)
• Daca nu e incarcata cu sarcina: tranz se
deschide cand pe poarta de comanda se aplica
VDD. Daca este incarcata (cu electroni): tranz.
NU se deschide cand pe poarta de comanda se
aplica VDD.
 Memorie flash - celula
G2 (control)
G1 (flotanta)
Sursa Drena

Mecanisme incarcare:
- camp puternic longitudinal si transversal – hot carrier injecton
- camp puternic transveral, cu + pe G2 (cg), efect de tunelare
(Fowler-Nordheim), datorita grosimii mici a izolatorului
Descarcarea de sarcina : camp puternic transveral, cu + pe sursa,
efect de tunelare (Fowler-Nordheim), datorita grosimii mici a
izolatorului peste sursa
 Principiul
• Divizor capacitiv

𝐶𝑐𝑓
• 𝑉𝑓𝑔 = 𝑉𝑐𝑔 = 𝑉𝑐𝑔 ∗ 𝑎
𝐶𝑐𝑓 +𝐶𝑓𝑠

𝐶𝑐𝑓
• 𝑉𝑓𝑔 = 𝑉𝑐𝑔 − 𝑉𝑓𝑔 ≪ 𝑉𝑐𝑔 ∗ 𝑎
𝐶𝑐𝑓 +𝐶𝑓𝑠 𝑖𝑛𝑖𝑡
Principiul

Echivalent cu:
Vp crescut mult daca
exista sarcina pe FG

NU va conduce la Vcg
uzuale
(conduce pt Vcg mari –
dar nu intereseaza)
 Coventie
• FG: cu electroni – nu conduce = valoare
memorata “1”
• FG: fara electroni – conduce = valoare
memorata “0”
• Programare (scriere) = pus electroni pe FG (1)
• Stergere = eliminat electroni din FG (0)

• OBS e conventia intuitiva, folosita si invers

Mecanisme - comparatie
 Tunelare
• Pt tunelare, probabilitatea:
16𝐸(𝑈0 −𝐸) −2𝑘𝐿
• 𝑇= 2 𝑒
𝑈0
cu
2𝑚𝑒
– 𝑘 = 2𝜋 𝑈0 − 𝐸 , E = energie electron,
ℎ2
– U0 > E bariera de potential, L grosimea izolatorului
• Depinde f. mult de L!
Flash NOR structura
Flash NAND - structura
NAND - structura
NOR-NAND dimensiune celula
 Citire
• Ambele detectie variatie linie
 Citire
• NOR:
– Bit line: precharge
– Selectie rand (celelalte randuri blocate)
– Detectie variatie
– Citire rand (cuvant/ cateva cuvinte)
• NAND:
– Bit line: precharge
– Selectie rand (i.e. pagina); celelalte: Vpass > Vp1 (deschise) < Vprog
– Detectie variatie – mai lenta (cadere de tensiune pe celelalte
tranzistoare)
– Citire pagina (zeci/ sute cuvinte) – buffer similar cu DRAM
• Cu tot cu decodificare, etc: NAND ~ 100 ori mai lenta pt acces
random
• Viteze similare pentru acces pe bloc!
 Programare NOR
• HCI
• Ex de valori
– VD=4.5V
– VCG=9V
– VS=0 (VB=0)

• In paralel, pentru toti bitii de pe cuvant

 Programare NAND Flash
• Selectie pagina; aplicata Vcg f
mare (VPROG)
• Pt celula in care trebuie scris
1, string = 0, GSL on -> canalul
la 0 V -> tunelare FN
• Pt celula in care NU trebuie
scris 1, string=VDD, iar GSL
OFF -> V canal = Vdrena =
VDD-Vp
• Vprog*a – (VDD-Vp) nu e
suficenta pt tunelare
 Stergere NOR/NAND
• Vcg=0V
• VB=20V (substratul este accesibil si poate fi
legat la masa sau Vmare)
• VD, VS – floating (SSL, GSL off)

• Pt tot blocul (toate paginile din bloc)

 Folosire NOR/ NAND
• NOR: mai rapida pentru accesul pe cuvant/
grupuri mici de cuvinte
• Densitate mai mica/ cost mai mare
• Folosita pentru flash intern uC (program, ev unele
date)
• NAND: desitate mare/ cost mic
• Relativ rapida pentru “grupuri” de date
(secventiale) – similar cu DRAM
• Stocare (informatie in fisiere mari)
 MLC Flash
• In fct de sarcina stocata: nu doar 0/1, ci 4/8
valori (2 sau 3 biti)
• Presupune detectie mai precisa a descarcarii –
citirea mai lenta (2-3 ori)
• Scade durata de viata (nr de cicli stergere/
scriere) – aprox 10 ori (10k vs 100k)
• Creste mult densitatea
 Erori; ECC
• NAND – apar erori la scriere/ citire
• De ex datorita perturbarii sarcinii stocate in
celulele vecine la programare/ citire
• Solutia: ECC (diversi algo) – extra valori salvate
separat pt detectie + recovery
– Regiune suplimentara de stocare pt ECC
• Erori: relativ putine pentru SLC, mai multe
pentru MLC