Intrebari pentru promovare materiale

1. Ce este o retea cristalina ideala? Definirea defectelor de retea. Expresia concentratiei

de defecte Schottky.
La temperature T=0K, un corp are energia libera minima daca particulele lui
constitutive(moleculele, atomii, ionii)au asezarea cea mai compacta, respective o
ordonare stricta la mare distanta. Aceasta este structura cristalina ideala.
O retea cristalin ideala reprezinta o reproducere ordonata la mare distanta a
unitatii structurale la 0K, orice abatere reprezinta un defect de retea.
Structura cristalina ideala nu se poate realize in corpuri la temperaturile uzuale
T≠0K. In general, aceasta prezinta abateri, defecte de retea, care pot fi:
-punctuale(zerodimensionale)
-liniare(unidimensionale)
-de suprafata(bidimensionale)
-de volum(tridimensionale)
-w d s / K T
Ns=Ne
2.Importanta cunoasterii undei associate electronului.
Unda asociata – nu are semnificatie fizica, nu transporta energie, nu gasim o
interpretare fizica
- este o functie matematica complexa
- are semnificatia fizica patratul modulului ei
- patratul modului ei reprezinta densitatea probabilitatilor
ca particular sa se afle in punctul M
- P=∫D |Ψ(λ)²dv Daca P=1->cu certitudine
particular se afla in punctual M.
- E important sa cunoastem unda pentru a studia miscarea
electronilor in crystal.
3.Teoriile electronilor legati, liberi si cvasiliberi: ipotezele de plecare si
informatiile finale privind valorile energiei electronilor.
Electronii legati – nu se deplaseaza in interstitii
- au stari care se presupun a fi descries de functii de unde
Hestler
- energia electronilor puternic legati este situate doar in
benzile premise
Electronii liberi – se considera electronii care au parasit atomii si se deplaseaza in
interstitii care formeaza gazul electronilor liberi
- nu interactioneaza cu ionii pozitivi din retea
- se deplaseaza in crystal
- energia unui electron liber variaza parabolic cu numarul
de unde(nr de unde ia doar valori discrete)
Electronii cvasiliberi – liberi in interstitii
- interactioneaza cu ionii din nodurile retelei
- starile lor sunt descries de functia de unda Bloch
- au valori constante in interstitii si valori mai mari in
vecinatatea nodurilor
 - energiile lor sunt situate in interiorul unor benzi
premise despartite de benzi interzise
4.Care sunt electronii din cristale care pot participa la procesul de conductie electrica?
Electronii care pot participa la procesul de conductie electrica sunt aceia care au
energia in intervalul limita fermic.
5.Ce sunt conductoarele, semiconductoarele, si izolatoarele(in functie de structura
benzilor de energie)?
Izolatoarele - au banda interzisa fermic foarte mare3->9eV
-nu are electroni disponibili la un process de conductie
Semiconductoare – intrinseci au benzile de energie asemanatoare izolatoarelor,
dar banda interzisa Fermi este sufficient de ingusta 10¯² eV pentru a putea fi excaladata
de un numar relative mare de electroni, stabilinduse astfel un current electric neglijabil
prin corp.
- extrinseci au banda interzisa Fermi relative larga 1.1eV la siliciu, 0.7eV la
germanium. Prin dopare cu atomi de impuritati se pot realiza insa niveluri premise
aditionale de tip donor sau receptor, situate in banda interzisa Fermi si care confera
caracteristici superioare de conductie materialului.
Conductoare – nivelul WF trece prin mijlocul unei benzi premise deci contine
electroni de conductie.
6.Expresia conductivitatii electrice a metalelor.
σ=Noqo²τ/mo* unde:
- σ conductivitatea metalului
- No concentratia de electroni cvasiliberi
- τ durata de relaxare a electronului(intervalul de timp
dintre 2 ciocniri)
- mo* masa efectiva a electronului
- qo = 1,6*10(la -19) C
7.Variatia conductivitatii electrice a metalelor cu temperature, cu starea de agregare, cu
solicitarile mecanice cu continutul de impuritati(explicatii pe baza undei associate
electronului Ψ)
- cu temperature daca temperature creste amplitudinea undei creste=>regiunea
comprimata scade=> σ(conductivitatea) scade
- orice defect al retelei micsoreaza conductivitatea electrica deoarece prin imprastieri,
componenta medie a vitezei electronilor pe directia campului electric se micsoreaza.
8. Definitia starii de supraconductie.
La temperature foarte joase (in general mai mici de 20 K) si in campuri magnetice slabe,
a fost pusa in evidenta experimental, pentru anumite metale, starea de
supraconductibilitate, caracterizata, mai ales, prin proprietatea ca, la stabilirea ei,
rezistivitatea electrica a metalului se anuleaza(sau devine aproape nula).
Prin supraconductivitate se intelege fenomenul de anulare a rezistivitatii electrice a unui
corp atunci cand temperature acestuia scade sub o valoare critica (Tc)(temperature de
tranzitie)T<Tc, intensitatea campului magnetic in care se afla corpul este mai mica decat
o vaoare critica (Hc)(B<Bo)
9.Fenomene associate starii de supraconductoare: variatia rezistiviatii electrice cu
temperature, anularea starii supraconductoare, efecte Meissner, isotopic si Josephson,
cuantificarea fluxului magnetic.
 a)Anularea rezistivitatii electrice cu temperatura ΔT - 10 la -4 – 10 la -3 intr-un cristal
fara defecte
b)Anularea starii de supraconductibilitate in campuri magnetice: Starea de
supraconductbilitate dispare daca inductia magnetica depaseste Bc sau Hc. B>Bc; H>Hc.
c)Efectul isotopic: In cazul unui element chimic care are mai multi izotopi, cu cat masa
izotopica creste, cu atat temperatura scade
d)Efectul Meissner: Consta in expulzarea liniilor de camp magnetic dintr-un corp atunci
cand corpul trece in starea de supraconductibilitate
e)Cuantificarea fluxului magnetic: ф=nфo фo=h/2qo (фo- cuanta de flux)
10.Teoria BCS(intuitiv, prin deformarea retelei cristaline la temperaturi joase.
Explica supraconductivitatea prin interactiunea dintre elementele retelei la
temperature scazute.
Se explica cu ajutorul fizicii cuantice.
Explica anularea rezistivitatii electrice intr-un corp prin interactiunea electronilor
cu reteaua atunci cand temperatura tinde spre 0K.
Se aplica unui corp care nu contine defecte.
La T=300K ionul efectueaza miscari in jurul nodului wion=(3/α) kT; electronii
interactioneaza cu ionul prin forta electrostatica winteractiune<<wion ; cand T->0, wion->0 =>
winteractiune>wion ; datorita fortei de interactiune ionii se deplaseaza inspre centrul
interstitiului, campul electric creste
11.Aplicatii ale supraconductivitatii electrice.
- transportul energiei la distanta(ρ->0);
- transportul feroviar->trenuri ultrarapide pe perna magnetica
- motoare de dimensiuni reduse
- generatoare sincroane de puteri foarte mari pana la 5GVA
- campuri magnetice interne pentru cercetare si medicina
- electronica->circuite si dispozitive de dimensiuni reduse
- stocarea energiei electrice
- masurarea campurilor electrice slabe 10 la -15 T
12.Supraconductia la temperaturi ridicate: structura si caracteristicile . materialelor
supraconductoare la temperaturi ridicate.
Structura – structurile cupratilor supraconductori deriva din cea a
perovskitilor(CaTiO3). Exista mai multe familii din care 2 sunt cele mai studiate.
-de culoare neagra, zgrunturoase, amizotrope
-structura lamelara
-structura din grupuri de straturicare au structura titanatului de calciu(CaTiO3)
-doar cele de cupru sunt incomplete
-inductile critice sunt reduse
-latimea banzii interzise este de 10 ori mai mare decat la metale
-pot avea mai multe temperature critice
-utilizarea este problematica deoarece sunt greu de realizat
13.Expresia conductivitatii intrinseci si extrinseci.
Intrinseca-se datoreaza deplasarii electronilor liberisi golurilor generate de la
atomii proprii
-variaza exponential cu temperature
-daca latimea wi scade atunci conductivitatea intrinseca creste
 Extrinseca-conductia asociata impuritatilor introduce voit(controlat) in cristalele
semiconductoare
-semiconductoarele care prezinta conductie extrinseca se numesc semiconductoare cu
impuritati
-semiconductoare de tip->n-purtatoti majoritari de electroni liberi.
->p-purtatori majoritari de goluri
De tip n-> conductivitatea creste exponential cu temperature datorita impuritatilor
->numarul de electroni liberi este mai mare decat numarul de goluri

De tip p->conductivitatea variaza liniar cu temperature

14.Ce sunt electronii liberi si golurile? De unde provin in cazul conductoarelor intrinseci?
Dar la cele extrinseci?
Electronii liberi sunt purtatorii de sarcina negative rupti din legaturi iar golurile
sunt purtatorii de sarcina pozitiva.
In cazul conducatoarelor intrinseci provin din atomii proprii prin ruperea
legaturilor electronilor.
La cei extrinseci provin atat d la atomii proprii cat si de la impuritati, astfel
conductia fiind mai bine definita.
15.Definitia mobilitatii purtatorilor de sarcina.
Prin aparitia unui legaturi libere, electronii cuplati din alti atomi se pot rupe
pentru a reface legatura libera, rezultand astfel o miscare a electronilor legati pentru
refacerea legaturilor libere. Aceasta deplasare a electronilor legati se poate echivala cu
deplasarea unei sarcini fictive in sens contrar, dar avand semnul “+”.
16.Dependenta semiconductoarelor de tip n de temperature.
Primii electroni care trec in banda de conductie sunt cei din impuritati, fiind
urmati de cei din banda de valenta la o temperature mai mare
Exista 2 praguri de temperatura:
- temperatura la care toti electronii din impuritati trec in
banda de conductie(T1 este de gradul sutelor de K)
- temperatura la care toti electronii din banda de valenta
trec in banda de conductie(T2 este de gradul miilor de
K)
17.Ce este efectul Hall? Utilizari.
Efectul Hall apare in semiconductie si conductie in prezenta campului magnetic.
Efectul Hall consta in deformarea liniilor de current electric la stabilirea unui camp
magnetic si in aparitia unei diferente de potential intre 2 puncte ale corpului care ar fi
avut acelasi potential in absenta campului magnetic.
Constanta Hall este mai mare la semiconductori decat la conductori.
Prezenta efectului Hall in semiconductoare si variatia constantei Hall in functie de
natura semiconductorului si a purtatorilor predominanti, justifica importanta acestuia in
studiul si aplicatiile semiconductoarelor
18.Explicarea fenomenului de redresare (pe baza jonctiunii pn)
 Variatiile marimilor raportate
Id/Is si Ii/Is in functie de Ud/Us
si Ui/Ussunt reprezentate in
figura. La o aceeasi valoare
absoluta a marimilor Ud si Ui,
curentul direct este mult mai
intens decat cel invers.
Jonctiunea prezinta, deci, o
rezistenta electrica mult mai
mare la aplicarea tensiunii
inverse decat la aplicarea
tensiunii directe. Acest effect
numit unidirectionalitate, este
folosit in circuite electrice pentru redresarea curentului alternative. Dispozitive
semiconductoare(diode, tranzistoare, etc.) functioneaza pe baza acestui efect.
19.Care sunt mecanismele de conductie electrica in izolatori?
In izolatori se intalnesc 2 tipuri de conductie: conductie electronica realizata de
electroni si conductie ionicarealizata de ioni.
Daca cristalul are impuritati care formeaza in banda interzisa Fermi niveluri
aditionale de tip donor sau acceptor, atunci are loc o conductie asigurata de electroni sau
de goluri; ca in cazul semiconductorilor.
Intr-un isolator suficient de pur., concentratia de electroni sau de goluri de
conductie este foarte mica si ea este independenta de campul electric pentru E<10 la 6
V/m. in campuri electrice intense cand E>10 la 6 V/m concentratia de purtatori de sarcina
creste mult si conductivitatea creste exponential cu intensitatea campului electric.
Conductivitatea ionica nu depinde de intensitatea campului electric.
20.Expresia conductivitatii ionice a izolatorilor solizi.

21.Explicati mecanismele de strapungere electronica (cred ca vroia sa scrie electrica) si

termica.
Strapungerea (pur) electrica se clasifica in strapungere intriseca si in strapungere
in avalansa. Ambele se desfasoara de purate mult mai scurte decat strapungerea termica.
Strapungerea intriseca se datoreaza actiunii pe care o au electronii din banda de
conductie, puternic acclelerati pe camplul electric, asupra retelei cristaline. Ea se produce
in 10-7 ÷ 10-8 secunde, fiind deci independenta de forma tensiunii. Nu depinde de
dimensiunile probei, de forma, natura si distanta dintre electrozi. Se admite ca distrugerea
materialului se face prin acumulari locale importante de energie transferata de electroni
atomilor.
Strapungerea in avalansa se datoreaza formarii avalanselor de electroni. Ea
depinde de distanta dintre electrozi, deoarece formarea avalansei se face pe parcursul
dintre acestia. Intre strapungerea in avalansa si cea intriseca nu se poate face separare.
Strapungerea termica. In izolanti se dezbolta caldura, datorita pierderilor prin
histerezis dielectric si prin efect Joule-Lenz, care cresc exponential cu temperatura. Din
aceasta cauza, in materialele masive, in care raportul dintre aria frontierei si volum este
mic, dezvoltarea caldurii se poate face mai repede decat evacuarea ei si se produc, astfel,
supraincalziri locare care maresc conductivitatea electric, favorizand formarea
avalanselor, duce la carbonizarea materialului si implicit la strapungerea sa. Strapungerea
termica este favorziata de cresterea temperaturii, deci rigiditatea dielectrica a materialului
scade cu temperatura.

22.Ce este polarizabilitatea electrica? Dar polarizatia electrica?

Polarizabilitatea electrica<α> caracterizeaza capacitatea unitatii structurale a
corpului de a se polariza.
Polarizabilitatea este raportul dintre momentul electric indus si campul electric.
α =|p|/| Bo|=momentul electric indus/campul electric
<α>=F*m²
23.Explicati mecanismele de polarizatie electronica, ionica, de orientare si de
neomogenitate.
Polarizarea electronica-se realizeaza prin deformarea invelisului electronic al
structurii care constituie dielectricul sub actiunea campului electric. Este specifica
corpurilor cu structura atomica si gazelor mobile. Este o polarizare temporara.
Polarizarea ionica-este intalnita, mai ales, in cristalele ionice si rezulta prin
deplasarea in sens contrar a ionilor de semen opuse. Acest mechanism de polarizare se
stabileste mai lent decat polarizarea electronica si se manifesta pana la frecvente din
domeniul infrarosu.(10 la 13->10 la 14 Hz)
Polarizarea de orientare-se realizeaza in corpurile care au molecule polare(cu
moment electric permanent) prin rotirea acestora in campul electric. O molecula este
polara doar daca prezinta moment electric diferit de 0.
Polarizarea de neomogenitate-este o polarizare suplimentara care apare in
campurile neomogene datorata campului electric produs de sarcinile electrice accumulate
pe suprafetele care separa regiunile omogene ale dielectricilor.
24. Expresia permitivitatii relative in campuri electrice statice pentru polarizarile de
deformare si de orientare:

 r  1  e ,
unde χe este susceptivitatea electrica.

Atat in campuri electrice deformante (fie electronice fie ionice) cat si in cele de
orientare, din expresia campului electric Ē0 = Ē + (1/3ε0) P unde P este vectorului de
polarizatie electrica si expresia polarizatiei temporare P t   0  e E rezulta expresia:
N e e /  0
e   r  1 
1  N e e /  0
( P e  N e e E 0 )
pentru campul electric deformant electronic (analog celalate, doar ca se schimba indicele
e al lui N, α in i la polarizatie ionica, respectiv o la polarizatia de orientare.

ε0 – permitivitatea vidului (10-9/36π [F/m])

N – numarulde atomi din unitatea de volum
α – polarizabilitate (de tip electronic, ionic sau de orientare)
 χe – susceptivitate electrica

25. Dependenta permitivitatii relative a dielectricilor de temepreatura si de frecventa

campului electric.
Influenta intensitatii si a frecventei campului electric: Marind intensitatea
campului electric se obtin valori mai mari ale polarizatiilor si deci ale componentelor
permitivitatii. Variatii mai importante ale permitivitatii au loc pentru materialele
feroelectrice sau neomogene unde, se produc fenomene noi, care modifica structura
fizico-chimica a corpului.
Influenta temperaturii: Polarizatia electronica este putin influentata de
temperatura (prin modificarea concentratiei particulelor), variatii mai importante ale
permitivitatii obtinandu-se doar cand corpurile isi schimba starea de agregare. In cazul
corpurilor care prezinta doar polarizatie ionica permitivitatea creste cu temperatura
deoarece prin intensificarea agitatiei termice, sunt favorizate deplasarile ionilor in campul
electric.

26. Ce este factorul de pierderi? Expresia pierderilor dielectrice specifice si a puterii

active si reactive absorbite de un condesator.
Daca in interiorul unui dielectric se stabileste un camp electric stationar sau
variabil, se produc dezvoltari de caldura, deci pierderi, prin efect Joule – Lenz, deoarece
conductivitatea materialului este nenula. In campurile electrice variabile, se mai porduc
pierderi si datorita faptului ca polarizatia electrica nu variaza in faza cu intensitatea
campului electric. Factorul de pierderi se noteaza cu tgδ si este curba data de valorile
permitivitatii dielectricului aflat intr-un camp electric armonic, variind in functie de ω.

tg  tg h 
 0 r' 
Pierderile specifice (suma pierderilor prin histerezis si prin conductie electrica) se poate
scrie si astfel: p   0  r E ef tg
' 2

Puterea activa absorbita de un condensator: P  CU 2 tg

Puterea reactiva: Q  CU 2

27. Definitia magnetizatiei si a particulei magnetic polare. Conditia de existenta a

particulei magnetic polare.

Magnetizarea este proprietatea unor materiale care descrie in ce masura sunt

afectate de campurile magnetice si care determina deasemenea campul magnetic pe care
acestea il produc. Magnetizarea este definita ca fiind momentul magnetic pe unitatea de
volum:
dm
M 
dV
M  mH
Unde m – moment magnetic
χm – susceptivitate magnetica
 H – campul magnetic

Particule magnetic polare: Moleculele, atomii sau ionii care prezinta momente
magnetice spontane, adica momente nenule chiar si in absenta campurilor magnetice
exterioare se numesc magnetic polare; celalalte se numesc nepolare. Momentul magnetic
al unei molecule este egal cu suma momentelor magnetice orbitale si de spin ale
electronilor si a momentului magnetic de spin al nucleului.
Calitatea unui atom de a fi magnetic polar este determinata de momentele
magnetice de spin ale electronilor din atom. Sunt magnetic polari, adica au moment
magnetic spontan, atomii cu substraturi interioare incomplet ocupate de electroni (sau in
care se produc astfel de substraturi superioare, datorita interactiunilor atomilor cu alti
atomi sau cu campurile exterioare).

28. Ce este dimagnetismul, paramagnetismul, fero-, feri- si antiferomagnetismul.

Dimagnetismul este o forma de magnetizare prezenta in toate corpurile, inclusiv
in cele cu atomi magnetic polari. Se datoreaza momentului magnetic orbital al
electronilor legati. Ponderea in magnetizatia totala insa este foarte mica. (ex: Cu, Ag, Au,
Zn, Pb)
Paramagnetismul. Se regaseste in corpurile a caror atomi prezinta momente
spontane permanente m p . In absenta unui camp magnetic exterior, momentele
magnetice m p ale particulelor constitutive sunt orientate aleator, din cauza agitatiei
termice a materialului si corpul este nemagnetizat. La aparitia unui camp magnetic H,
momentele m p au tendinta de a se orienta dupa directia locala a campului, iar corpul
devine magnetizat. Pentru fiecare atom, momentul m p se poate scrie ca suma a
momentelor de spin ale electronilor, momentele de spin ale nucleului si momentul
magnetic orbital al electronilor. Susceptivitatea magnetica χ m este slaba, ceea ce
determina o magnetizatie deasemenea slaba, insa mai puternica decat magnetizatia
diamagnetica. Materialele paramagnetice sunt neliniare. (ex: Al, Cr, Mn, Na)
Feromagnetismul. Materialele feromagnetice sunt formate din atomi magnetici
polari. Caracteristica M(H) este neliniara si depinde de starile anterioare ale materialului.
Materialele feromagnetice prezinta histerezis magnetic, iar proprietatea lor caracteristica
este ca prezinta o magnetizatie spontana Mr chiar si in absenta campurilor magnetice
exterioare. Proprietatea este explicata de existenta unor regiuni submicronice cu momente
magnetice omoparalele, care formeaza materialul feromagnetic, denumite domenii Weiss.
Domeniile magnetice sunt despartite intre ele de zone de tranzitie, numite pereti Bloch. In
absenta campului magnetic, domeniile Weiss sunt orientate aleator iar corpul nu este
magnetizat. (ex: Fe, Co, Ni, Gd)
Feri- si antiferomagnetismul. Corpurile feri si antiferomagnetice sunt formate din
atomi polari. Ele sunt similare corpurilor feromagnetice, si prezinta domenii magnetice
(domenii Weiss) si sunt separate de pereti Bloch. Spre deosebire, insa, de corpurile
feromagnetice, orientarile momentelor magnetice apartinand atomilor diferiti sunt
antiparalele.

29. Explicarea formarii domeniilor Weiss, a peretilor Bloch si a deplasarii acestora.

 Formarea domeniilor Weiss: Pe suprafata de frontiera a unui corp magnetizat
uniform se pot defini densitati de sarcina magnetica fictiva carora le corespunde
producerea in interiorul corpului a unui camp demagnetizant. Campul demagnetizant este
opus magnetizatiei din interior, iar acesta defavorizeaza stabilirea starii de echilibru
termodinamic. Divizarea corpului in domenii Weiss micsoreaza energia proprie si reduce
astfel campul demagnetizant. Acest lucru se intampla pana cand suma energiei proprii,
energiei de schimb si a energiei de magnetostrictiune este minima. In corpurile reale,
forma si dimensiunile domeniilor, precum si orientarile lor depind de defectele retelei
cristaline precum si de impuritati si tensiuni mecanice.
Trecerea brusca de la o orientare a magnetizatiei la alta este energetic
defavorabila deoarece duce la marirea energiei de schimb. Din aceasta cauza la frontiera
dintre domenii se formeaza un strat foarte subtire, denumit perete Bloch, in care
momentele m p ale atomilor sufera rotatii treptate succesive.
Daca avem doua domenii magnetice M1 respectiv M2, orientate diferit, la aparitia
unui camp magnetic paralel cu domeniul M1, peretele Bloch dintre cele doua domenii se
deplaseaza astfel incat domeniul M1 se largeste in detrimentul domeniului M 2. In
consecinta corpul se magnetizeaza, nu prin rotatia momentelor magnetice ale domeniilor
ci prin deplasarea peretiilor Bloch, care este influentata de structura materialului si de
prezenta defectelor.
La stabilirea unui camp magnetic, peretele Bloch se deplaseaza din dreptul unui
minim al energiei corespunzator echilibrului termodinamic din starea cu H 0  0 , in
puncte vecine, escaladand valori ridicate de energie potentiala pana la ajungerea intr-un
alt punct de minim. La anularea campului magnetic, peretele tinde sa revina in pozitia
initiala.

30. Forma curbei de magnetizare

Se considera un cristal unidimensionat, nemagnetizat, format din particule

magnetic polare caruia i se aplica un camp magnetic de directie constanta care creste
pana la o anumita valoare, apoi descreste. Curba de magnetizare arata ca in figura.

31. Expresiile susceptivitatii magnetice pentru diferite clase de corpuri.

 Md
Diamagetice:  md  0 (valori intre 10-5 si 10-6) [  md  ]
H
const
Paramagnetice:  mp  (valori intre 10-3 si 10-4)
T
c  0 m 2p N
Feromagnetice:  m  , c ,   c , unde μ0 – permeabilitatea
T  K
magnetica a vidului, K- constanta Boltzmann, mp – momentul magnetic atomic

c'
Feri-, antiferomagnetice:  m  (valori intre 10-2 si 10-3)
T  '

32. Expresia pierderilor magnetice.

Pierderile totale magnetice reprezinta insumarea pierderilor prin histerezis si a
pierderilor prin curenti turbionari si au urmatoarea expresie:

2 2 2 2
Pt  Ph  Pf  fBmax
n
V  f BmaxV
6

33. Definitia materialelor compozite si a nanomaterialelor.

Materialele compozite, sunt materiale ingineresti facute din doua sau mai multe
materiale constituente de baza, cu proprietati fizice si chimice diferite, care raman
separate si distincte la un nivel macroscopic. (Ex: Fibra de sticla, fibra de carbon, bitum,
ciment, rasina polimerica, poliamida, poliester, polipropietilena).
Nanomaterialele sunt materialele folosite in nanotehnologie, a caror proprietati
sunt vast modificate datorita reducerii la o scara foarte mica a particulelor constituente.
De exemplu cuprul devine transparent, platina devine catalizator din material inert,
siliciul devine din izolator conductor.