Nanolitografie

Termenul de nanolitografie este derivat din cuvintele grecești “nanos” (mic), “lithos” (piatră), respectiv
„grapho” (a scrie). Nanolitografia este procedeul de gravare, scriere sau imprimare pentru a modifica sprafețele
unor materiale cu structuri sub 100 nm. Nanolitografierea utilizează lumini, ioni încărcați sau fascicule de
elecroni pentru a transfera un model geometric de la o mască realizată anterior la un strat de fotorezist.
Diferența dintre diferitele abordări ale nanolitografierii este dată de tipul radiației utilizate (fotoni, electroni
sau ioni) pentru a transfera modelul. Lunigimea de undă a radiației este cheia către rezolția spațială a tehnicii.
Aceste tehnici au demonstrat capacitatea de a fabrica structuri sub 10 nm. [1]

Fotolitografia constă în modelarea unui substrat prin

interacțiunea dintre fascicolul de fotoni sau particule cu materialul țintă.
Un sistem de fotolitografiere constă într-o sursă de lumină, o mască
(șablon) și un sistem optic. Fotorezistul este un material sensibil la
radiație, format de obicei dintr-o fază foto-sensibilă, una polimerică și un
solvent. Straturile de fotorezist pot fi clasificate în funcție de solubilitatea
acestora după expunerea la radiație: resist pozitiv (crește solubilitatea în
zonele expuse) și rezist negativ (scade solubilitatea în zonele expuse).
Figura 1 arată schematic procesul de fotolitografiere.

Fig.1. Reprezentare schematică a

procesului de fotolitografiere

Litografia cu fascicol de electroni (EBM) utilizează un fascicol de electoni orientat scanat pe surafața
unui substrat. În mod tipic, EBM cu rezoluție ultra înaltă este utilizată la începutului unei tehnici cu etape
multiple cu o abordare top-down pentru a transfera nanostructura în substrat sau pentru a construi ulterior un
dispozitiv prin metode aditive (layer by layer).
EBM prezintă următoarele avantaje: rezoluția nu este limitată de difracție, posibilitatea scrierii unor structuri
mai mici decât în cazul fotolitografiei sau litografiei cu raze X, folosirea tehnicii pentru a dezolvta dizpozitive
specializate și prototip, timp scurt de procesare, implicarea unui fascicol de electroni preferabilă fața de fotoni.
Dezavantajele acestei tehnici implică însă ineficacitatea procesului pentru procesare la nivel industrial, costul
ridicat al echipamentelor, complexitatea ridicată a sistemului față de fotolitografie.

Etapele procesului sunt:

a. Prepararea rezistului
b. Expunerea zonelor selectate
c. Îndepărtarea rezistului din zona expusă [2]
Fig. 2. Procesul schematic al EBM
 Litografia cu raze X (XRL) este o extensie a litografiei optice la lungimi de undă mai mici. Din cauza
diferențelor de penetrare și reflecție, XRL este efectuată într-un mod de imprimare diferit de cel de tip mască,
utilizat de litografia optică. O mască cu zone de absorbție ale radiațiilor X diferite este utlizată pentru a defini
modelul care urmează a fi replicat pe materialul rezist depus anterior pe un substrat. În funcție de natura chimică
a materialului rezist, zonele expuse la radiații X pot reticula (rezist pozitiv) sau pot suferi scindarea legăturilor
(rezist negativ). Zonele expuse ale unui rezist pozitv se vor dizolva, iar celelalte vor reticula. Alternativ, pentru
un rezist negativ, zonele expuse vor reticula, iar cele neexpuse se vor dizolva în solvent.
Avantajele XRL sunt: lipsa problemelor legate de difracție, utilizarea unor lungimi de undă mai mici (0.1 – 10
nm) și posibilitatea modelării unor structuri mai mici.
Dezavantajele acestei tehnici sunt legate de deformarea în timpul procesului, vibrațiile apărute și timpul ridicat
de procesare. [3]
Litografia nano-imprint (NIL) reprezintă un proces prin care se pot realiza diferite modele prin
utilizarea unei matrițe pentru a grava un strat de fotorezist. În această tehnică, rezoluția depinde de dimensiunea
minima a structurilor matriței. Principiul litografiei nano-imprint se bazează pe modificarea și deformarea unui
film subțire de polimer datorită unei matrițe care conține modele nanometrice, sub acțiunea radiațiilor
ultraviolete UV-NIL (a) sau a unor modificări termo-mecanice T-NIL (b)

Fig. 3. Reprezentare schematică a litografiei UV-NIL (stânga) și T-NIL (dreapta)

Tehnica de nanolitografie Dimensiunea elemntelor Capacitate de procesare

Fotolitografie 2-3 µm Foarte ridicată

EBM < 5 nm Foarte scăzută
XRL 15 nm Scăzută

NIL 6-40 nm Ridicată

Tabel 1.Comparație între diferite tehnici de litografie

Bibliografie
[1] Nanotechnology – Enhanced Orthopedic Materials, Fabrication, Applications and Future Trends, Lei Yang

[2] S.-J. Nanolithography. Advances in Micro/Nano Electromechanical Systems and Fabrication Technologies, Venugopal, G., & Kim

[3] X-ray lithography: Some history, current status and future prospects, Juan R. Maldonado, Martin Peckerar Microelectronic Engineering,
Volume 161, 1 August 2016, Pages 87-93

[4] Nanolithography: Processing Methods for Nanofabrication Development, Ruchita, Richa Srivastava* & B.C.Yadav, Imperial Journal of
Interdisciplinary Research (IJIR) Vol-2, Issue-6, 2016