MINISTERUL EDUCAȚIEI ȘI CERCETĂRII AL REPUBLICII MOLDOVA

I.P.CENTRUL DE EXCELENȚĂ ÎN ENERGETICĂ ȘI ELECTRONICĂ

CATEDRA „ Electrotehnică”

RAPOARTE
LA LUCRĂRI DE LABORATOR

Disciplina: Electronică de Putere

Elaborat elevul Cheptănari Daniel

grupa EN-0221

Verificat profesor,
grad didactic, superior Veaceslav CEAUȘ

Chișinău 2023
 L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r.1
Tema: CERCETAREA DIODELOR SEMICONDUCTOARE DE REDRESARE ÎN
BAZA PROGRAMULUI ELECTRONICS WORKBENCH
Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.
Competenţe vizate de lucrare:
Competenţa specifică: determinarea şi verificarea funcţionalităţii dispozitivelor
electronice discrete într-un montaj.
Competenţe derivate: elevii vor dobândi competenţele:
Cd1 – să studieze procesele fizice care se produc în diodele redresoare cu
semiconductori;
Cd2 – să ridice tensiuni şi curenţi din circuitul dat;
Cd3 – să traseze caracteristicile curent-tensiune, adică Idir = f(Udir) şi Iind = f(Uind);
Cd4 – să determine parametrii de bază; S, Rdir, Rind şi Kred.
Cd5 – să interpreteze rezultatele obţinute.
În figura1 sunt reprezentate schemele de cercetare.

Figura 1 – Schemele de cercetare a diodelor redresoare

a – polarizarea directă a diodei redresoare; b – polarizarea indirectă a diodei

Figura 2 – Circuitul de ridicare a caracteristicilor curent-tensiune Idir = f(Udir)

 Idir, Udir, Idir, Udir,

Uoffset
Uoffset
mA mV mA mV

0
0
0 0 0 0

1
1

0,416 583,6 0,766 294

2
2

1,352 648,5 1,657 343,1

3
3

2,320 680,5 2,630 370,2

4
4

3,297 702,8 3,611 389,1

5
5

4,280 720,4 6 4,596 403,8

6

5,265 735,3 5,584 415,8

7
7

6,252 748,3 6,574 426,0

Diodă din siliciu Si

8
8
Diodă din germaniu Ge

7,240 760,0 7,565 435,0

9
9

8,229 770,8 8,557 442,9

10
10

9,219 780,8 9,550 450,1

11
11

10,21 790,3 10,54 456,7

Tabelul 1 – Rezultatele caracteristicilor curent-tensiune adică Idir=f(Udir)

12
12

11,20 799,2 11,54 462,8

13
13

Figura 3 – Circuitul de ridicare a caracteristicilor indirecte adică Iind = f(Uind)

12,19 807,8 12,53 468,5
14
14

13,18 816,0 13,53 473,8

Figura 4- caracteristicile curent-tensiune la polarizarea directă a diodelor redresoare

Formule pentru calcule:

 Panta caracteristicii S:

;
 Iind, Uind, Iind, Uind,

Uoffset
Uoffset
µA V µA V

0
0
0 0 0 0

0,01
0,01
0,001 0,01 0,647 0,01


0,03
0,03
0,002 0,03 1,645 0,03

0,05
0,05
0,003 0,05 2,345 0,05

1
0,005 1,000 3,999 1,000 1

4
4

0,005 4,000 4,000 4,000

Dioda din siliciu Si

8
8
Dioda din germaniu Ge

0,005 8,000 4,000 8,000

12
12

0,005 12,00 4,000 12,00

Rezistenţa la polarizarea directă Rdir:

16
16

0,005 16,00 4,000 16,00

20
20

0,005 20,00 4,000 20,00

Tabelul 2 – Rezultatele caracteristicilor curent-tensiune adică Iind=f(Uind)

24
24

0,005 24,00 4,000 24,00

28
28

0,006 28,00 4,000 28,00

 Figura
5 -

Caracteristica curent - tensiune la polarizarea inversă a diodei din Si

Figura 6 - Caracteristica curent – tensiune la polarizarea inversă a diodei din Ge

  Rezistenţa la polarizarea indirectă Rind:

 Factorul de redresare Kred:

Concluzie:
 În rezultatul efectuării lucrării de laborator nr1 am studiat, ridicat şi construit
caracteristicile curent tensiune pentru diodele din germaniu şi siliciu, am determinat
parametrii de bază, sa demonstrat că la polarizarea directă căderea de tensiune pe dioda din
siliciu ete mai mare ca la cea din germaniu iar la polarizarea indirectă curentul mai mic la
dioda din siliciu adică mai pronunţată proprietatea de bază – conducţia unidirecţională.

Răspunsuri adăugătoare:
1. Curentul direct în joncţiune este mai mare ca cel indirect datorită faptului că se
bazează pe micşorarea majoritarilor – cel indirect datorită minoritarilor;
2. Rezistenţa indirectă este mai mare deoarece la polarizarea inversă cîmpul extern,
creşte bariera de potenţiale, rezistenţa creşte.

L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r. 2

Tema: CERCETAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR ÎN CONEXIUNEA EC ÎN

BAZA PROGRAMULUI ELECTRONICS WORKBENCH

Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.

Competenţe vizate de lucrare:
Competenţa specifică: determinarea şi verificarea funcţionalităţii dispozitivelor
electronice discrete într-un montaj.
Competenţe derivate: elevii vor dobândi competenţele:
Cd1 – să studieze proprietăţile tranzistorului bipolar în conexiunea EC pe baza
programului Electronics Workbench;
Cd2 – să ridice tensiuni şi curenţi din circuitul dat;
Cd3 – să traseze familiile caracteristicilor de intrare şi ieşire pentru conexiunea EC,
adică Ib = f(Ub-e) / Uc-e = const şi Ic = f(Uc-e) / Ib = const.;
Cd4 – să determine h - parametrii pentru conexiunea EC;
Cd5 – să interpreteze rezultatele obţinute.
În figura1 este reprezentată schema de cercetare.
 Figura 1 – Schema de cercetare a tranzistorului bipolar în conexiunea EC

Figura 2 – Circuitul de ridicare a caracteristicilor de intrare Ib = f(Ub-e)/Uc-e = const.

Tabelul 1 – Rezultatele familiei caracteristicilor de intrare adică Ib = f(Ub-e)/Uc-e = const.

Offset
Uc-e, V
0 1 2 3 4 5 6 8 10 12

Ib, µA
1130
39,6

136,

234,

333,

432,

532,

731,

930,
0

0
Ub-e,mV
603,

637,

652,

662,

680,

677,

687,

695,

703,
0

5 Ib, µA
1120
31,0

127,

225,

324,

423,

522,

721,

921
0

8
 689,1

729,4

745,9

756,6

764,7

771,3

781,8

790,2

797,4
Ub-e,mV

Figura 3 – Circuitul de ridicare a caracteristicilor de ieşire adică Ic = f(Uc-e)/Ib = const.

Tabelul 2 – Rezultatele familiei caracteristicilor de ieşire adică Ic = f(Uc-e)/Ib = const.

Offset
0 1 2 3 4 5 6 8 10 12 14 16 18 20
Ib = 10µA
0,58

1,98

2,98

3,98

4,98

5,98

7,98

9,98

11,9

13,9

15,9

17,9

Uc-e,V 19,9
0

8
1,265

1,300

1,334

1,369

1,403

1,438

1,507

1,576

1,645

1,714

1,783

1,852

1,921

Ic, mA
0

Ib = 50µA
0,928

1,927

2,924

3,923

4,920

5,919

7,915

9,917

11,91

13,90

15,90

17,90

19,90

Uc-e,V
0
 Uc-e,V
Uc-e,V
Uc-e,V

Ic, mA
Ic, mA
Ic, mA
Ic, mA

0 0 0 0 0 0 0

26,23 0,737 20,38 0,796 13,82 0,859 7,155

26,92 1,730 20,92 1,790 14,20 1,856 7,346

27,62 2,724 21,44 2,785 14,70 2,854 7,537

28,32 3,717 22,01 3,780 15,18 3,848 7,728

29,02 4,710 22,55 4,774 15,55 4,844 7,981

29,71 5,700 23,09 5,769 15,93 5,840 8,110

Ib = 200µA
Ib = 150µA
Ib = 100µA

31,11 7,689 24,18 7,758 16,68 7,824 8,492

32,51 9,675 25,26 9,754 17,43 9,826 8,874

33,90 11,66 26,35 11,74 18,17 11,80 9,250

35,30 13,69 27,43 13,73 18,92 13,81 9,630

36,65 15,63 28,52 15,71 19,67 15,80 10,02

38,50 18,09 29,60 17,70 20,42 17,80 10,40

39,48 19,48 30,69 19,69 21,17 19,79 10,78

Figura 2 – Familia caracteristicilor de intrare Ib = f(Ub-e)/Uc-e = const.

ΔIb = Ibc – Iba = 1100 – 65 = 1035[µA];

ΔUb-e = Ub-eb – Ub-ea = 704 – 610 = 94[mV];

ΔUc-e = Uc-e2 – Uc-e1 = 5 – 0 = 5[V].

Figura 3 – Familia caracteristicilor de ieşire Ic = f(Uc-e) / Ib = const.

ΔIc = Icp’ – Icp = 26,2 – 18 = 8,2[mA];

ΔUc-e = Uc-ek – Uc-em = 16,8 – 6 = 10,8 [V];

ΔIb = Ib3 – Ib2 = 150 – 100 = 50 [µA];

ΔI’c = Icn – Ick = 20 – 16 = 4 [mA].

Calculele lucrării:
 Rezistenţa de intrare;

 Factorul de reacţie;

 Factorul de amplificare оn curent;

 Conductibilitatea de ieєire:

Concluze:În rezultatul efecuarii lucrării de laborator nr 2 am studiat tranzistorul bipolar

în conexiunea EC, am ridicat şi trasat caracteristicile de intrare şi ieşire şi am determinat h
parametrii, care corespund datelor teoretice.

Răspunsuri adăugătoare:
1 În tranzistorul bipolar curentul bazei trebuie dus la valoarea minimală deoarece în
conexiunea EC, cea mai des răspândită, raportul dintre curentul de ieşire adică Ic la cel de
intrate adică Ib reprezintă factorul de amplificare şi ca el să fie cât mai mare I b trebuie să fie
minimal. Pentru aceasta regiunea bazei se face cât mai îngustă şi săracă în purtători.

2 Conexiunea emitor comun posedă de amplificare în curent tensiune şi putere, are mare
rezistenţă de intrare şi mare de ieşire. Ca dezavantaje pot fi socotite; îngustă gamă de
permisiune în frecvenţă şi influenţată de variaţia temperaturii.

Lucrarea de laborator Nr __3__

Tema: CERCETAREA PREAMPLIFICATORULUI ÎN CONEXIUNEA EC PE BAZA
PROGRAMULUI ELECTRONICS WORKBENCH

Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.

Competenţe vizate de lucrare:

Competenţe specifice: a) citirea circuitelor cu dispozitive electronice din
echipamentele de automatizări; b) interpretarea parametrilor și caracteristicilor circuitelor
date.
Competenţe derivate: elevii vor dobândi competenţele:
Cd1 – să studieze preamplificatorul cu tranzistor pe baza programului Electronics
Workbench.
Cd2 – să ridice tensiuni şi forme de undă din circuitul dat;
Cd3 – să traseze caracteristicile amplitudinilor adică Uieş = f (Uin) /f, Rs = const. și
caracteristicilor amplitudine-frecvenţă adică k = f(F)/Uin = const. cu ajutorul programului
Electronics Workbench.
Cd4 – să determine parametrii de bază;
Cd5 – să interpreteze rezultatele obţinute.
În figura1 este reprezentată schema de cercetare.

Figura 1 – Schema de cercetare a preamplificatorului în conexiunea

EC în baza programului Electronics Workbench
 Tabelul 1- Rezultatele pentru caracteristicile amplitudinilor Uieș =f(Uin)/F=const

F = 1000 Hz, Rs = Rs1

Um,g, mV 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50
3,53
Uin,mV 0 7,072 10,61 14,14 17,68 21,21 24,75 28,29 35,36
6
0,33
Uieş,V 0 0,665 0,984 1,284 1,564 1,823 2,059 2,275 2,581
6
F = 1000 Hz, Rs = Rs2
0,44
Uieş,V 0 0,89 1,314 1,714 2,088 2,431 2,279 2,865 3,106
9
F = 1000 Hz, Rs = 
0,67
Uieş,V 0 1,337 1,973 2,575 3,040 3,309 3,533 3,679 3,863
5

Tabelul 2- Rezultatele pentru caracteristicile amplitudine frecvență adică

Ku = f(lnF)/Uin = const

Cazul I Um.g = 10mV, Rs = Rs1, C1 = 5µ F, C2 =10µF, C3 = 100µF, C4 = 3,3nF

F, Hz 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000
lnF 2,3 3,0 3,9 4,6 5,3 6,2 6,9 7,6 8,5 9,2 9,9 10,8 11,5
Uin,mV 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07
Uieş,V 0,095 0,189 0,402 0,557 0,634 0,662 0,666 0,664 0,646 0,590 0,458 0,235 0,124
Ku 13,46 26,70 56,80 78,78 89,67 93,63 94,20 93,91 91,37 83,45 64,78 33,23 17,53

Cazul II Um.g = 10mV, Rs = Rs1, C1 = 5µ F, C2 = 10 µF, C3 = 500µF, C4 = 3,3nF

F, Hz 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000
lnF 2,3 3,0 3,9 4,6 5,3 6,2 6,9 7,6 8,5 9,2 9,9 10,8 11,5
Uin,mV 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07
Uieş,V 0,292 0,475 0,652 0,656 0,665 0,668 0,667 0,665 0,646 0,590 0,458 0,235 0,123
Ku 41,30 67,18 92,22 92,78 94,05 94,48 94,34 94,05 91,37 83,45 64,78 33,20 17,39

Cazul III Um.g = 10mV, Rs = Rs1, C1 = 10µ F, C2 = 0,47 µF, C3 = 500µF, C4 = 1nF
F, Hz 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000
lnF 2,3 3,0 3,9 4,6 5,3 6,2 6,9 7,6 8,5 9,2 9,9 10,8 11,5
Uin,mV 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07 7,07
Uieş,V 0,293 0,475 0,622 0,656 0,665 0,668 0,668 0,668 0,666 0,660 0,636 0,521 0,351
Ku 41,86 67,18 87,97 92,78 94,05 94,48 94,48 94,48 94,20 93,35 89,95 73,69 49,64
Ku,dB 32,44 36,4 38,8 39,2 38,4 39,5 39,5 39,5 39,48 39,4 39,0 37,2 33,8
 Calcule:
 Rezistenţa din circuitul emitorului RE:

URe ≈ (0,1 .... 0,25) ∙ Ec= 0,1∙12 =1,2V Ie ≈ Ic = 984,3μA =

0,0009843A;
Re = URe/Ie = 1,2/0,00009843 = 1219,14Ω = 1,219kΩ;
 Rezistenţa din circuitul colectorului (sarcina colectorului) Rc:

Rc = (Ec – Uc-e – URe)/Ic = (12 – 5,4 – 1,2) / 0,0009843 = 5486,13Ω = 5,486kΩ;

 Rezistenţa braţului de jos a divizorului R1 – R2 R2:

IR2 ≈ (20 ... 50) ∙ Ib;

pentru tranzistorul dat β = 200.

Ib ≈ Ic / β = 0,0009843/200 = 0,000009843A = 9,843µA;
IR2 ≈ (20…50) · Ib ≈ 20 · 0,000009843 = 0,00009843A = 98,43µA;
R2 = (Ub-e + URe)/IR2 = (0,00707 + 1,2)/0,00009843 = 12266,972Ω =12,267kΩ;
 Rezistenţa braţului de sus a divizorului R1 – R2 R1:
IR1 = IR2 + Ib.
IR1 = IR2 + I b = 0,00009843 + 0,000009843 = 0,0001033515A = 103,351µA;
R1 = (Ec – Ub-e – URe)IR2 = (12 – 0,00707 – 1,2)/0,00009843 = 109648,425Ω = 109,648kΩ;
 Factorul de amplificare Ku:
 ; Ku.dB = 20 ∙ lgKu
= 20∙lg41,86 = 32,44[dB].

Concluzii: în rezultatul efectuării lucrării de laborator nr 3 am am realizat

experimental paşii propuşi la început. Conform formelor de undă observăm: cu cât se măreşte
Umg cu atât partea de jos a formelor de undă se distorsionează se abat de la formă sinusoidală. La
preamplificator in conexiunea EC semnalul de ieşire este amplificat şi defazat la 180°.
Joncţiunea emitor se polarizează mai puternic în sens direct, ca rezultat cresc curenţii.

Răspunsuri adăugătoare:
1 Distorsiunile de la frecvenţele joase se datoresc condensatoarele Cs1, Cs2 şi Ce.
Distorsiunile de la frecvenţele înalte apar din cauza capacităţilor „parazitare”, capacităţile
montajului şi ale tranzistorului.
2 În electronică şi telecomunicaţii pentru exprimarea valorii amplificării se folosesc
unităţi logaritmice. Unitatea bazată pe logaritmii zecimali se exprimă în decibeli (dB) iar cea în
naturali în Neperi (Np). Introducerea lor se bazează pe necesitatea de a trasa grafice intr-un
domeniu mare de frecvenţe şi a opera cu numere mai mici.

L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r. 4

Tema: CERCETAREA REDRESORULUI MONOFAZAT

NECOMANDAT PE BAZA PROGRAMULUI ELECTRONICS WORKBENCH

Posedând de permis, efectuați lucrarea.

Competenţe vizate de lucrare:

 Competenţe specifice: a) citirea circuitelor cu dispozitive electronice din echipamentele
de automatizări; b) interpretarea parametrilor şi caracteristicilor circuitelor date.

Competenţe derivate: elevii vor dobândi competenţele:

Cd1 – să studieze principiul de funcţionare a redresorului monofazat pe baza programului

Electronics Workbench;

Cd2 – să ridice tensiuni şi curenţi pentru caracteristicile de sarcină a redresorului

monofazat monoalternanţă şi în punte, fără şi cu filtru, adică Uo = f (Io) cu ajutorul programului
Electronics Workbench;
Cd3 – să traseze caracteristicile de sarcină a redresorului monofazat monoalternanţă şi în
punte, fără şi cu filtru, adică Uo = f (Io);
Cd4 – să ridice formele de undă de la intrarea şi ieşirea redresorului cu ajutorul
programului Electronics Workbench; determinarea parametrilor de bază.
Cd5 – să determine parametrii de bază şi să interpreteze rezultatele obţinute.

În figura1 este reprezentată schema de structură a redresorului monofazat.

Figura 1 - Schema de structură a redresorului monofazat

Figura 2 – Circuitul redresorului monofazat monoalternanţă

 În circuit sunt utilizate:

 G1 – în calitate de generator de semnale pentru aplicarea tensiunii Uin;

 PA1 – miliampermetru pentru măsurarea valorii efective a curentului din primar
– I1;
 PV1 – voltmetru pentru măsurarea valorii efective a tensiunii din primar – U1;
 PA2 – miliampermetru pentru măsurarea valorii efective a curentului din
secundar – I2;
 PV2 – voltmetru pentru măsurarea valorii efective a tensiunii din secundar – U2;
 PA3 – miliampermetru pentru măsurarea curentului sarcinii – Io;
 PV3 – voltmetru pentru măsurarea tensiunii pe sarcină – Uo;
 H1 – osciloscop pentru ridicarea formelor de undă de la intrarea şi ieşirea
redresorului.

Tabelul 1 – Rezultatele redresorului monofazat monoalternanţă

Redresor monofazat monoalternanţă fără filtru

Rs, % 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10
U1, V 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
I1, mA 26,89 27,25 27,7 28,3 29,3 30,6 32,8 36,5 43,3 58,4
U2, V 19,9 19,9 19,9 19,9 19,9 19,9 19,9 19,8 19,77 19,9
I2, mA 19,47 21,4 23,7 26,7 30,7 25,8 42,9 53,5 71,2 106
U0, V 8,92 8,9 8,9 8,8 8,9 8,8 8,7 8,7 8,7 8,7
I0, mA 16,17 17,8 19,8 22,2 25 29,3 35 43,7 58,3 87
Cu filtru capacitiv C Cu filtru Г - LC
Rs, % 100 80 60 40 20 100 80 60 40 20
U1, V 35 35 35 35 35 35 35 35 35 35
I1, mA 54,14 65,7 73,6 88,7 107,5 34,6 37,09 40 44,2 51,43
U2, V 17,38 17,39 17,37 17,32 17,22 17,45 17,45 17,44 17,42 17,42
I2, mA 108,7 132,3 150,9 184 227,3 34,3 38,5 43,94 52,47 65,03
U0, V 22,77 20,59 19,71 18,3 15,87 14,6 13,46 12,48 11,6 9,3
I0, mA 41,4 45,78 56,3 73,3 105,8 26,5 29,9 35,68 46,46 62,53
Cu filtru П – LC Cu filtru П – RC
Rs, % 100 80 60 40 20 100 80 60 40 20
U1, V
I1, mA

U2, V

I2, mA

U0, V

I0, mA

Tabelul 2 – Rezultatele redresorului monofazat în punte

Redresor monofazat în punte fără filtru

Rs, % 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10
U1, V 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30
I1, mA 22,6 23,6 24,6 25,93 27,7 30,3 34 40,08 50,58 72,2
U2, V 14,93 14,92 14,90 14,90 14,89 14,87 14,85 14,81 14,75 14,63
I2, mA 26,13 28,69 31,85 35,79 40,85 47,55 56,96 70,9 94,05 139,7
U0, V 12,75 12,84 12,83 12,89 12,73 12,82 12,70 12,71 12,65 12,45
I0, mA 23,2 25,7 28,5 32,1 36,39 42,73 50,8 63,5 84,3 124,5
 Cu filtru capacitiv C Cu filtru Г - LC
Rs, % 100 80 60 40 20 100 80 60 40 20
U1, V 30,08 30,05 30,05 30,08 30,09 30 30 30 30 30
I1, mA 45,7 52,9 36,13 76,8 108,3 25,82 27,78 30,3 36,19 49,49
U2, V 14,9 14,88 14,85 14,79 14,68 14,94 14,93 14,91 14,88 14,8
I2, mA 86,6 103,1 125,7 156,3 223,4 25,37 30,17 37,86 51,4 84,5
U0, V 19,3 19,03 18,64 18,03 16,77 12,85 12,84 12,8 12,59 12,6
I0, mA 35,12 42,3 53,3 72,15 118,8 23,5 25,5 36,5 50,4 83,9
Cu filtru П – LC Cu filtru П – RC
Rs, % 100 80 60 40 20 100 80 60 40 20
U1, V 30,05 30,07 30,08 30,07 30,08 30,04 30,05 30,07 30,07 30,09
I1, mA 45,33 53,08 62,6 77,2 110,7 38,8 45,56 52,4 60,33 75,53
U2, V 14,9 14,88 14,85 14,79 14,68 14,91 14,9 14,88 14,85 14,8
I2, mA 86,2 103,6 125 157,3 228,52 70,97 86,3 102 120,2 153,5
U0, V 19,31 19,09 18,69 18,10 16,85 16,41 15,69 14,71 13,24 10,76
I0, mA 35,12 42,44 53,41 72,42 112,4 28,8 34,8 42,05 53 71,72

Figura 3 – Circuitul redresorului monofazat în punte

Tabelul 3 – Relaţiile de bază din circuitele redresoare

 Pentru Sar-
Pentru transformator Redre-sor
supape cina

Coeficientul
Redresorul

Varianta

Uin.max/U0

Uo.max/U0
Io.max/I0

Id.max/I0
U2/U0

U1/U0
S2/P0

S1/P0

S/P0
I2/I0

I1/I0

Id/I0
k2

k1

kp
m
kf
k
2,22 · kr
Catalog

1,21· kr
2,22
1,57
3,49
0,29

2,69
0,37
0,39
0,32
3,14

3,14
1,57
3,14
3,14

1,57
Monoalternanţă

1
Calculat

2,23
1,19
2,71
0,37
4,48
1,69
7,71
0,13
5,21
0,19
3,16
1,19
2,37
1,19
3,16
2,37

1,58
1
În punte

1,11 · kr
Catalog

1,11/ kr
1,11
1,11
1,23
0,81

1,23
0,81
1,23
0,81
1,57

3,14
1,57
1,57
1,57

0,67
0,5

2
Calculat

1,15
1,11
1,27
0,78
2,31
0,97
2,25
0,44
1,76
0,57
1,63
1,09
1,53
1,09
1,63
1,53

0,66
2
Formule pentru calcule:
 Puterea aparentă din primarul S1 şi secundarul transformatorului S2:
S1 = U1·I1 [V·A]; S2 = U2·I2 [V·A];
 Puterea redresată Po:
P0 = U0·I0[W];
 Puterea de gabarit a transformatorului Sgab:
Sgab =(1/2)·(S1 + S2) [V·A];
 Factorul de utilizare a primarului k1, secundarului k2 şi transformatorului în întregime k:

 Tensiunea indirectă maximală aplicată diodelor:

Uind.max = U2m [V];
unde U2m – valoarea amplitudine a tensiunii din secundarul transformatorului egală cu

 Curentul maximal prin dioda redresoare Id.max:

 L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r. 5

Tema: CERCETAREA REDRESORULUI TRIFAZAT CU PUNCT

NEUTRU (schema lui MITKEVICI) PE BAZA PROGRAMULUI
MULTISIM 10

Posedând de permis, efectuați lucrarea.

Competenţe vizate de lucrare:
 Competenţe specifice: a) citirea circuitelor cu dispozitive electronice din
echipamentele de automatizări; b) interpretarea parametrilor şi caracteristicilor circuitelor
date.

Competenţe derivate: elevii vor dobândi competenţele:

Cd1 – să studieze principiul de funcţionare a redresorului trifazat pe baza

programului Multisim 10.1.1;

Cd2 – să ridice tensiuni şi curenţi pentru caracteristicile de sarcină a redresorului

trifazat monoalternanţă cu sarcină activă (R s) şi activ-inductivă (RsLs), adică Uo = f (Io) cu
ajutorul programului Multisim 10.1.1;
Cd3 – să traseze caracteristicile de sarcină a redresorului trifazat monoalternanţă,
adică Uo = f (Io) pentru diferite sarcini;
Cd4 – să ridice formele de undă de la intrarea, ieşirea redresorului şi pe diodă cu
ajutorul programului Multisim 10.1.1;
Cd5 – să determine parametrii de bază şi să interpreteze rezultatele obţinute.

În figura1 este reprezentată schema de structură a redresorului monofazat.

 XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
SB1 XMM1

A
PA1
- + R1 L1
2.564 A

PV1 SA1
+ - PV2
- +
220.000 V PV3
256.441 V
B -
G1 PA2 256.439 V
+ - VD1 +
0.855 A R2 R3 R4 R5
100Ω 200Ω 400Ω 800Ω
G2 PA3
+ - VD2
1.238 A

XSC2
G3
VD3 R6
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

XSC3
G

A B C D

Figura 1 - Schema de cercetare a redresorului trifazat cu punct neutru

 G1, G2, G3 – în calitate de generator de tensiune sinusoidală de 220V, 50Hz

pentru aplicarea tensiunilor Uin;
 PA1 – ampermetru pentru măsurarea valorii medii redresate a curentului prin
sarcină – I0;
 PA2 – ampermetru pentru măsurarea valorii medii redresate a curentului prin
diodă – Id;
 PA3 – ampermetru pentru măsurarea valorii efective a curentului din secundarul
transformatorului – I2;
 PV1 – voltmetru pentru măsurarea valorii efective a tensiunii din secundar – U2;
 PV2 – voltmetru pentru măsurarea valorii medii a tensiunii pe diodă –
UVD;
 PV3 – voltmetru pentru măsurarea valorii medii a tensiunii pe sarcină – Uo;
 XMM1 – multimetru pentru măsurarea valorii efective a pulsaţiilor pe sarcină
U2~;
 XSC1 – osciloscop pentru ridicarea formelor de undă a tensiunii şi curentului pe
sarcină Uo şi Io;
  XSC2 – osciloscop pentru ridicarea formelor de undă a tensiunii şi prin dioda
redresoare Uvd şi Id;
 XSC3 – osciloscop pentru ridicarea formelor de undă a tensiunilor surselor de
alimentare (care emit tensiunile din secundarele transformatorului) U2.
Tabelul 1 – Rezultatele redresorului trifazat monoalternanţă
Redresor cu sarcinг activг (Rs) Sarcinг active-inductivг (RsLs)
R s, Щ
100 200 400 800 100 200 400 800
U2, V
220 220 220 220 220 220 220 220
I2, A
1,24 0,62 0,31 0,15 1,22 0,62 0,31 0,15
Uvd, V
256,4 256,4 256,4 256,4 256,4 256,4 256,4 256,4
Id, A
0,85 0,43 0,241 0,107 0,85 0,43 0,214 0,107
U0, V
356,4 356,4 356,4 356,4 356,4 356,4 356,4 356,4
I0, A
2,56 1,28 0,64 0,32 2,56 1,28 0,64 0,32

47 47 47
U2~ , V
47 33,49 41,94 45,5 46,6

Figura 2 - Formele de undă a tensiunilor surselor de alimentare (care emit

tensiunile din secundarul transformatorului) U2
 Figura 3 – Formele de undă a tensiunii și curentulu prin dioda VD UVD, ID

Figura 4 – Formele de undă a tensiunii și curentului prin sarcină Uo, Io

Concluzie: în rezultatul efectuării lucrării de laborator nr 5 am studiat redresorul trifazat
cu punct neutru, am determinat parametrii de bază și am ridicat formele de undă în
diferite puncte de circuit, am observat că redresoarele trifazate au un factor de ondulație
mai mic ca la cele monofazate deci filtrele pot avea gabarite mai mici.
Bibliografie

1 V. Ceauş „Electronică industrială”;

2 Teodor Dănilă, Monica lonescu - Vaida „Componente şi circuite electronice”;
3 E. Damachi ş. a. „Electronică”;
4 Сизых Г.Н. „Электропитание устройств связи”.

L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r. 6

Tema: CERCETAREA OPTOCUPLORULUI CU TRANZISTOR PE BAZA

PROGRAMULUI MULTISIM 10
Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.
Competenţe vizate de lucrare:
Competenţa specifică: determinarea şi verificarea funcţionalităţii dispozitivelor
electronice discrete într-un montaj.

Competenţe derivate: elevii vor dobândi competenţele:

Cd1 – să studieze proprietăţile optocuplorului cu tranzistor în baza programului Multisim

10;
Cd2 – să ridice tensiuni şi curenţi din circuitul dat;

Cd3 – să traseze caracteristicile de intrare, de transfer şi ieşire, adică Iin = f (Uin), Iieş =
f(Uin), Iieş = f(Uieş)/Iin = const şi k = f(Iin) cu ajutorul programului Multisim 10;
Cd4 – să determine parametrii de bază Rin, k, Rieş ;

Cd5 – să interpreteze rezultatele obţinute.

În figura1 este reprezentată schema de cercetare.

 Figura 1 – Schema de cercetare a optocuplorului
 GC1 – în calitate de generator de curent din circuitul de intrare;
 PA1 – miliampermetru pentru măsurarea curentului de intrare – Iin;
 PV1 – voltmetru pentru măsurarea tensiunii de intrare – Uin ;
 PA2 – miliampermetru, pentru măsurarea curentului de ieşire – Iieş;
 PV2 – voltmetru pentru măsurarea tensiunii de ieşire – Uieş .

Figura 2 – Circuitul de cercetare a optocuplorului în baza programului Multisim 10

 Tabelul 1 – Rezultatele pentru caracteristicile Iin = f(Uin), Iieş = f(Uin)şi ki =f(Iin).

Iin, mA 0,000001 5 10 15 20 25 30 35 40
Uin,V 0,010 1,12 1,16 1,19 1,21 1,23 1,25 1,28 1,29
Iieş,mA 0 0,062 0,21 0,33 0,42 0,49 0,53 0,56 0,59
ki, % 0 0,012 0,021 0,022 0,021 0,019 0,017 0,016 0,014

Tabelul 2 – Rezultatele familiei caracteristicilor de ieşire adică Iieş = f(Uieş)/Iin = const.

Iin2 =5
Rp2, % 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Uieş, V 0 0,878 1,4 2,3 3,4 4,8 6,3 8,1 10,1 12,3 15
Iieş, mA 0 6,91 10 10 10 11 11 11 11 12 13
Iin2 =15
Rp2, % 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Uieş, V 0 0,82 1,22 1,55 1,88 2,28 2,82 3,6 6,3 10,1 15
Iieş, mA 0 7,45 10 14 17 21 26 33 36 38 42
Iin6 =25
Rp2, % 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Uieş, V 0 0,81 1,2 1,52 1,85 2,25 2,7 3,55 4,82 8,32 15
Iieş, mA 0 7,6 11 14 17 21 26 33 45 58 62
Iin8 =35
Rp2, % 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Uieş, V 0 0,804 1,19 1,5 1,8 2,23 2,76 3,53 4,8 7,36 15
Iieş, mA 0 7,73 11 14 17 21 26 33 45 69 88

Formule pentru calcule:

 Factorul de transfer ki:
  Rezistenţa de intrare Rin:

 Rezistenţa de ieşire Rieş:

4 În concluzie adăugător daţi răspuns la următoarele întrebări:în rezultatul lucrarii de

laborator nr 6 am cercetat optocuplorului trifazat in bazaprogramului mutisim10
5 Care-s parametrii de bază ai optocuploarelor ?
6 Tensiune de esire maxim admisibilă și Curentul de esire maxim admisibil
 De numit tipurile şi destinaţia optocuploarelor.
 Protecții digitale in sistemele electroenergetice , microcontrolere
6 Întocmiţi referatul şi prezentaţi-l pentru susţinere.

BIBLIOGRAFIE:

1 Teodor Dănilă, Monica Ionescu – Vaida „Componente şi circuite electronice”;

2 E. Damachi s. a. “Electronică”.

3 Г. С. Гершунский «Основы электроники и микроэлектроники»;

4 Ю. А. Овечкин «Полупроводниковые приборы»;