3.

STUDIUL EFECTULUI HALL

1. Consideraţii teoretice
Efectul Hall constă în apariția unei tensiuni electrice continue, numită tensiune Hall, într-o
placuță conductoare sau semiconductoare parcursă de un curent electric continuu și care este plasată
într-un câmp magnetic perpendicular pe direcţia curentului electric (Fig. 1).

Fig.1. Reprezentarea schematică a apariţiei efectului Hall

Asupra electronilor liberi dintr-o placă semiconductoare cu dimensiunile a, b şi h (figura 1)
parcursă de curent de intensitate I1 şi plasată într-un câmp magnetic omogen de inducţie magnetică
  
B, acţionează forţa Lorentz FL  e( v  B) datorită căreia faţa laterală S4 se încarcă negativ iar faţa
opusă S3 se încarcă pozitiv. Ca urmare, între cele două feţe se stabileşte câmpul electric Hall EH şi
diferenţa de potenţial Hall sau tensiunea electrică Hall, U H :
UH  EH  b (1)
În prezenţa câmpului magnetic, electronii de conducţie din metal vor fi suferi o deviaţie de la
 
direcţia iniţială de deplasare, perpendiculară pe planul format de vectorii v şi B , datorită apariţiei
forţei de tip Lorentz:
  
FL  e( v  B) (2)
Modulul fortei Lorentz va fi:
FL  evB (3)
Iar sensul și direcția acesteia este dată de regula burghiului drept (Fig. 1).

1
 Procesul de încărcare cu sarcini electrice ale feţelor opuse S3 şi S4 încetează atunci când forţa
Lorentz, FL, este echilibrată de forţa electrică FE, care acţionează în sens opus:

FE  eE H (4)
și are modulul dat de relația:
FE  eEH (5)
iar sensul forței electrice este invers sensului câmpului electric Hall, EH.
Din egalarea forței Lorentz dată de relația (3) cu forța electrică, dată de relația (4), rezultă:
evB  eEH (6)
E H  vB (7)
UH  vB  b (8)
unde v este viteza electronilor.
Considerând conductibilitatea exclusiv electronică, pentru care densitatea de curent este:
I
j 1 (9)
S1
unde S1 este suprafața transversală a placuței semiconductoare: S1=bh.
Pe de altă parte densitatea de curent se poate exprima în funcție de concentrația și viteza
electronilor, prin relația:
j  nev (10)
Rezultă, succesiv:
I1
 nev (11)
bh
I1  nevbh (12)
I
vb  1 (13)
neh
Înlocuind relația (13) în relația (8), rezultă:
IB
UH  1 (14)
neh
Dacă în relația (14) se introduce mărimea RH , numită constanta Hall a materialului
semiconductor:
1
RH  (15)
ne
şi ţinând cont de relația (14), se obţine tensiunea Hall:
IB
UH  R H 1 (16)
h
Rezultă că din relația (16) se poate determina constanta Hall dacă se cunosc valorile
curentului electric I1, inducției magnetice B, tensiunii Hall și grosimii plăcuței semiconductoare, h:
U h
RH  H [m3/As] (17)
I1B
Din relația (15) se determină concentrația electronilor, n:
1
n [m-3] (18)
R He
unde e=1,6 10-19 C este sarcina electronului
Pentru semiconductori de tip n, conductivitatea electrică, , este dată de relația:
  ne [-1m-1] (19)
unde  este mobilitatea purtătorilor de sarcină, care reprezintă viteza electronului imprimată de
un câmp electric unitar (1V/m). Pentru proba studiată în acestă lucrare se cunoaște =0,238 m2/Vs.
Dimensiunile placuței semiconductoare studiate (Fig 2), sunt:
- grosimea: h=1 mm,
- lățimea: b=1 cm
- lungimea: a=2 cm
2
 Fig. 2. Dimensiunile placuței semiconductoare

Dispozitivul experimental
Schema bloc a dispozitivului experimental se compune din trei părţi distincte (Fig 3):
a) un montaj de alimentare a electromagnetului de la care se obţine câmpul magnetic B;
b) un montaj de alimentare a plăcuţei semiconductoare pe direcţie longitudinală (S1 – S2);
c) un montaj de măsurare a tensiunii Hall, UH, pe direcţia transversală (S3 – S4).

Fig. 3. Dispozitivul experimental

2. Modul de lucru
1. Cu ajutorul potențiometrului P2 (Fig. 3) se reglează curentul I2 din bobine, stabilindu-se un
câmp magnetic de inducție B.
2. Pentru fiecare valoare a curentului I2 se fixează cu ajutorul potențiometrului P1 valorile
curentului electric I1 prin plăcuţa semiconductoare.
3. Se citesc valorile tensiunii Hall, UH, pentru fiecare valoare a curentului I1 prin placuța
semiconductoare și la aceeași valoare a inducției câmpului magnetic B.
4. Cu ajutorul relaţiilor (17), (18) şi (19) se calculează: constanta Hall, RH, concentraţia
electronilor n și conductivitatea electrică  a placuței semiconductoare.
5. Se calculează valorile medii RH, n şi .
6. Rezultatele măsurătorilor se trec în tabelul de date experimentale.

3
Tabel de date experimentale
Nr. B I1 UH RH n 
(mT) (mA) (mV) (m3/As) (m-3) (-1m-1)
1 20
2 30
3 75 40
4 50
5 60
6 20
7 30
8 100 40
9 50
10 60
11 20
12 30
13 125 40
14 50
15 60
16 20
17 30
18 150 40
19 50
20 60
21 20
22 30
23 175 40
24 50
25 60
26 20
27 30
28 200 40
29 50
30 60
Valorile medii pentru RH, n şi 