SEMICONDUCTORII

INTRINSECI
REALIZAT: CRISTAL ALINA
CREȚU CRISTIAN
CORCIU VLAD
CHIRIAC ALBERT
 INTRODUCERE
• În natură există substanţe a căror rezistivitate ia valori în
intervalul dintre limitele pentru ρc şi ρi . Aceste substanţe sunt
semiconductoarele. Se consideră că rezistivitatea lor este
cuprinsă între 10–3 Ω · m şi 107 Ω · m. Din ele fac parte
elemente chimice pure, precum siliciul Si, germaniul Ge,
seleniul Se etc., un şir de compuşi chimici: arsenura de galiu
GaAs, seleniura de cadmiu CdSe, fosfura de indiu InP, oxizi de
Mn, Cu, Co etc.
• Termorezistorul, numit şi termistor, este dispozitivul
semiconductor, la baza funcţionării căruia se află dependenţa
rezistenţei de temperatură.
• Dispozitivele care funcţionează în baza dependenţei rezistenţei
semiconductorului de iluminare sunt numite fotorezistoare.
CONDUCTIVITATEA INTRINSECA:

• Aceasta se refera la materialul pur,fara impuritati,cum ar fi

o retea cristalina de Ge .Fiecare atom de Ge este inconjurat
de alti 4 atomi,fiecare atom punand in comun 2 cate 2,cei 4
electroni de valenta.Se formeaza astfel legaturi covalente si in
jurul fiecarui atom de Ge cate un octet.Octetul si legatura
covalenta sunt foarte stabile astfel ca la plecarea unui
electron acesta devine liber lasand in urma un gol
necompensat ,purtator de sarcina pozitiva.Numarul de
electroni astfel formati va fie gal cu numarul golurilor.Sub
influenta unui camp electric,purtatorii de sarcina,electronii
liberi si golurile se vor misca in sens invers cu viteze egale.
În cazul semiconductorilor intrinseci, datorită agitaţiei termice electronii pot
trece din banda de valenţă în banda de conducţie BC, procesul numindu-se
excitare termică intrinsecă ( generare termică intrinsecă ). În urma acestui
proces apar electroni şi goluri în număr egal.
Pe de altă parte are loc şi procesul invers generării şi anume recombinarea
electronilor cu golurile, respectiv trecerea electronilor din banda de
conducţie BC în banda de valenţă BV.
Prin urmare, în regim de echilibru termodinamic la o anumită temperatură T,
numărul actelor de generare este egal cu numărul actelor de recombinare,
iar în semiconductor se va stabili o concentraţie staţionară de electroni şi
goluri libere, concentraţia electronilor liberi n0 fiind egală cu concentraţia
golurilor libere p0:
n0 = p0 = ni UNDE ni – concentraţia intrinsecă
CONDUCȚIA INTRINSECĂ • La temperaturi mai mari de 0 K, o parte a energiei
termice este preluata de catre electronii de valenta,
care, beneficiind de acest aport energetic, pot trece
de nivelele energetice din banda interzisa si ajunge
pe nivelele energetice din banda de conductie,
devenind liberi sa se deplaseze prin structura
materialului.

• Prin plecarea acestor electroni din banda de valenta,

locul ocupat initial de catre acestia pe nivelul
energetic din banda de valenta devine liber, altfel
spus - gol. Acest gol poate fi ocupat de un alt
electron de valenta, fara un aport energetic
substantial. Acest al 2-lea electron de valenta, prin
ocuparea nivelului energetic lasat liber de primul
electron, lasa la randul lui un nou loc liber, un nou
gol, pe nivelul energetic ocupat in banda de valenta.
Se constata astfel, o deplasare a golurilor in banda de
valenta, motiv pentru care si golul este un purtator
de sarcina mobil
• Acelasi fenomen poate fi explicat pe baza
structurii retelei cristaline a atomului de siliciu. La
temperatura de 0 K, atomii de siliciu sunt legati
prin legaturi covalente la care fiecare dintre
acestia participa cu cate 4 electroni de valenta. La
nivelul retelei cristaline, electronii de valenta pot
capata suficienta energie astfel incat sa rupa
legaturile covalente in care au fost fixati. Prin
ruperea legaturii covalente, electronii de valenta
devin liberi (devin electroni de conductie) si lasa in
urma, la nivelul atomului de unde au plecat un gol,
caracterizat printr-un un exces de sarcina pozitiva
la nivelul atomului respectiv. Din acest motiv, golul
respectiv poate fi echivalat, din punct de vedere
electric, cu o sarcina electrica pozitiva fictiva. In
continuare, daca un alt electron de valenta rupe o
legatura covalenta, devenind liber, poate ocupa
golul lasat de primul electron de valenta.
 Purtători mobili de sarcină electrică:
• Purtatorii mobili de sarcina electrica in semiconductoare sunt electronii de conductie si golurile. Deoarece acestia
sunt mobili, se pot deplasa prin structura semiconductorului. In cazul in care deplasarea purtatorilor de sarcina este
orientata (nu este haotica), fenomen care se poate observa, de exemplu, in cazul in care se aplica asupra
semiconductorului un camp electric, prin structura semiconductorului se observa aparitia unor fenomene de
conductie electrica (fenomene legate de generarea curentului electric).
• In consecinta, se poate spune ca intr-un semiconductor intrinsec procesul de conductie se realizeaza prin electronii
din banda de conductie si prin golurile din banda de valență, conductia astfel realizata se numeste conductie
intrinseca.
RECOMBINAREA PURTĂTORILOR DE SARCINĂ:

•În cadrul semiconductoarelor, pe lângă

mecanismul de generare a purtătorilor de sarcină este
prezent şi mecanismul invers, care duce la dispariţia
purtătorilor de sarcină. Mecanismul respectiv se
numeşte recombinare de purtători de sarcină şi este
caracterizat prin revenirea electronilor de pe un nivel
energetic superior, din banda de conducţie, pe un
nivel energetic inferior, în banda de valenţă.
•Revenirea în banda de valenţă a unui electron de
conducţie duce atât la dispariţia unui electron de
conducţie cât şi a unui gol.
•Deci, mecanismul de recombinare a purtătorilor
de sarcină duce la dispariţia în perechi a acestora.
• 
GENERAREA PURTATORILOR MOBILI DE
SARCINĂ
• Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat ca, prin ruperea
legaturilor covalente, electronii de conductie si golurile sunt
generati in perechi. Deoarece electronii de conductie si golurile
sunt generati in perechi, concentratiile de purtatori mobili de
sarcina electrica intr-un semiconductor intrinsec sunt egale.
Concentratiile de purtatori mobili de sarcina electrica intr-un
semiconductor se noteaza astfel:
n = concentratia de electroni de conductie,
p = concentratia de goluri.

• Valoarea comuna a acestor concentratii se numeste concentratie

intrinseca si se noteaza cu ni. In concluzie, pentru un
semiconductor intrinsec este valabila relatia: n=p=ni
CONCLUZIE

• Conducţia electrică a semiconductorului pur este numită conducţie intrinsecă sau proprie. Mărirea
temperaturii semiconductorului este însoţită de creşterea concentraţiei electronilor de conducţie şi a
golurilor şi, drept urmare, rezistivitatea semiconductorului se micşorează. Astfel se explică dependenţa
respectivă de temperatură. Concentraţia purtătorilor liberi de sarcină din semiconductor poate fi mărită
şi prin iluminarea acestuia. Acestea sunt influenţate şi de alte radiaţii incidente, de exemplu de razele
Röntgen sau de fluxurile de particule încărcate.