Jonctiunea p-n

Jonctiunea p-n sta la baza multor dispozitive conductoare.

Fazorul de tensiunea

Jonctiunea p-n reprezinta un material semiconductor heterogen in care

o regiune este dopata cu impuritati de tip p iar cealalta cu impuritati de
tip n. Materialele semiconductoare care stau la baza acestor diode sunt
siliciu si germaniul.

Dioda semiconductoare
Diodele semiconductoare:
-de mica putere
-de putere
Diodele cu germaniu avand caderi de tensiune in conductie directa.
Caracteristica statica a diodei cu jonciune p-n
Repreentarea lui I in functie de u in regim de curent continuu

p-concentratia poitiva
Regiunea de tip p este impurificata cu atomi de tip acceptori iar
regiunea n este impurificata cu atomi pentavalenti.
Datorita diferentei de concentratie dintre regiuniile p si n in materialul
semiconductor apare un curent de difuie generat de purtatorii de tip
goluri in regiunea p si respectiv de tip n in regiunea n.
Curentul furnizat difueaa la granita dintre cele 2 zone numita zona de
trecere.
Acest lucru produce la nivelul zonei de trecere un camp electric care
favorizeaa purtatori minoritari dintr-o regiune in alta, formand un curent
de drift.
a)
Jocntiunea p-n nepolarizata

Is-curent de saturatie
Pr-putere
La polariarea inversa a diodei si atingerea zonei de strapungere are loc
un proces de ionizare puternica, purtatorii de sarcina se multiplica in
avalansa, curentul prin dispozitiv incepe sa creasca brusc.
Daca punctul de functionare atinge hiperbola Pr dispozitivul se poate
distruge
Ecuatia diodei:
M-coeficient de multiplicare in avalanse
Is-curent de saturatie

Liniarizarea caracteristici volt-amperica

Ri-rezistenta interna staica a diodei

Ppo-concentatia de tip majoritar in regiunea p

Ia-curentul generat de purtatori mobili
IM-componenta difuzie
Im-componenta de drift.
b)
Jonctiunea p-n polarizata indirect
Prin punct static de functionare intelegem un punct M
In jurul caruia se desfasoara intreaga functionare a diodei
Puterea disipata pe dioda:
Puterea pe dioda are urmatoarele componente:

Faptul ca bariera de potential

ajunge de la
conduce la
miscarea componentei minoritare a curentului anodic.
Jonctiunea p-n polarizata invers
Creste componenta de drift