Dei exist multe aplicaii faine pentru componentele pasive, cea mai spectaculoas parte a

electronicii ncepe abia atunci cnd ai de-a face cu tranzistoare . Explicaia este simpl: cu
ajutorul tranzistoarelor putem controla curentul electric i efectele sale practic n toate modurile
pe care i le poi imagina. Sun interesant ? Atunci hai s vedem cu ce se mnnc tranzistorul.
Subiectele de astzi sunt:

Ce este un tranzistor ?

Tranzistorul Bipolar

Tranzistorul cu Efect de Cmp cu Poart Jonciune (JFET)

Tranzistorul cu Efect de Cmp cu Poart Izolat (MOS-FET)

Ce este un tranzistor ?

Este o component electronic a crei rezisten electric poate fi controlat cu ajutorul unui
semnal electric numit semnal de comand. Cea mai important meniune referitoare la aceast
definiie este faptul c tranzistorul ne permite s controlm un curent electric mare cu ajutorul
unui cantiti foarte mici de energie electric. Din acest motiv, una din principalele aplicaii ale
tranzistorului este cea de amplificator.
Echivalentul mecanic al tranzistorului ar putea fi robinetul de gaz de la aragaz cu ajutorul unui
semnal de comand (fora minii tale) controleaz cantitatea de gaz care iese pe ochiul respectiv
i implicit intensitatea flcrii.
Aa cum se observ i n figura 1, pentru a putea func iona normal, tranzistorul are nevoie s fie
conectat simultan n dou circuite i anume:

un circuit de intrare prin intermediul cruia tranzistorului i se aplic semnalul electric

de comand de la o surs de tensiune (pe care o voi prescurta S.C.In);

un circuit de ieire prin care circul curentul electric controlat prin intermediul
tranzistorului. Acest curent este generat de o alt surs de tensiune (pe care o voi
prescurta S.C.Out).

Figura 1. Circuitul de intrare i circuitul de ieire al tranzistorului.

Not: n figura 1 tranzistorul este simbolizat ntr-un mod simplificat, valabil doar n acea figur.
Aa c ai grij s nu confunzi acel simbol cu simbolurile reale pe care le voi prezenta n
subcapitolele urmtoare.
Considernd schema din figura 1, tranzistorul se poate afla la un moment dat n una din
urmtoarele situaii:

tranzistor blocat. Fr semnal de comand n circuitul de intrare, tranzistorul blocheaz

complet trecerea curentului prin circuitul de ieire. Alfel spus, dac nu bagi nimic la
intrare, nu obii nici un curent prin circuitul de ieire. n acest caz, rezistena electric
dintre bornele de ieire ale tranzistorului este foarte mare (de cel puin cteva sute de
k);

tranzistor n regiunea activ. De ndat ce cretem puterea semnalului de comand,

tranzistorul se va deschide puin cte puin permind astfel trecerea curentului electric
prin circuitul de ieire. n acest caz, intensitatea curentului de ieire este dictat de
puterea semnalului de comand. Cu alte cuvinte, cu ct semnalul de comand este mai
puternic, cu att mai mare va fi i curentul din circuitul de ieire;

tranzistor saturat. Dac vom crete n continuare puterea semnalului de comand, vom
observa c la un moment dat valoarea curentului din circuitul de ieire nu mai crete.
Acest fenomen apare atunci cnd, n prezena unui semnal de intrare suficient de
puternic, rezistena electric dintre bornele de ieire ale tranzistorului scade pn la 0.

Tranzistorul Bipolar

Din punct de vedere fizic, tranzistorul bipolar este format din dou jonciuni PN, dispuse spate
n spate, aa ca n figura 2. Denumirea de bipolar vine de la faptul c este compus din dou
tipuri de materiale semiconductoare, care pot forma un tranzistor NPN (cu o felie de
semiconductor de tip P pus ntre dou felii de semiconductori de tip N) sau un tranzistor PNP

(cu o felie de semiconductor de tip N pus ntre dou felii de semiconductoare de tip P).
Simbolizarea fiecruia din aceste tipuri este de asemenea prezentat n figura 2.

Figura 2. Structura i simbolizarea unui tranzistor bipolar.

Tot n figura 1 se observ c fiecare din cele 3 materiale semiconductoare care compun un
tranzistor bipolar au denumiri specifice: Baz (B), Emitor (E) i Colector (C). Aceste denumiri
au fost inspirate de rolurile pe care aceste materiale l joac n funcionarea tranzistorului.
Pentru a te face s nelegi cum func ioneaz tranzistorul bipolar, prima dat te invit s arunci o
privire peste figura 3, unde este schiat principiul de funcionare al unui tranzistor NPN.
Ca s evit orice confuzie, menionez c n figura 2 jonciunile PN sunt reprezentate ntr-un mod
simplificat iar n figura 3 sunt desenate aa cum apar ele n realitate. Pentru a nelege de ce este
nevoie ca aceste jonciuni s fie construite att de ntortocheat trebuie s ii minte urmtoarele:

emitorul (E): este fabricat dintr-un semiconductor de tip N, foarte puternic dopat, ceea ce
nseamn c dispune de o mare cantitate de electroni liberi;

colectorul (C): este fabricat tot dintr-un semiconductor de tip N ns care este mai slab
dopat, ceea ce nseamn c are mai puini electroni liberi. Pe lng acestea, colectorul
este cea mai voluminoas zon tranzistorului;

baza (B) este fabricat dintr-un semiconductor de tip P tiat sub forma unei foie foarte
subiri. Baza este plasat ntre emitor i colector crend bariere de potenial la zonele de
contact cu acetia (vezi liniile roii din figura 3).

Figura 3. Funcionarea unui tranzistor bipolar

n figura 3 stnga, respectnd schema sugerat n figura 1, am conectat terminalele tranzistorului
ntr-un circuit de intrare i respectiv ntr-unul de ieire. innd cont c acum ne referim la sensul
real al curentului electric, hai s ne uitm cu atenie n imaginea din figura 3 dreapta. Am
polarizat n sens direct jonciunea B-E cu o tensiune mai mare dect tensiunea de deschidere a
acesteia i astfel am anulat bariera de potenial a acestei jonciuni. Asta nseamn c electronii
liberi din emitor vor putea trece n golurile din baz i de acolo mai departe ctre borna + (plus) a
sursei de alimentare, formnd un curent electric numit curent de baz (IB). Toate par bune i
frumoase pn aici, ns exist o mic problem: baza, fiind fabricat (intenionat) de forma unei
foie foarte subiri, nu va permite prea uor trecerea electronilor liberi prin ea. Astfel, pe traseul
dintre emitor i baz, electronii liberi circula cu greu, ceea ce nseamn c baza are acum un
surplus de electroni liberi. Acum i intr n rol colectorul, despre care am spus deja c, fiind slab
dopat, are mai puini electroni liberi dect cei nghesuii n baz. n plus, colectorul este legat la
borna + (plus) a sursei de alimentare din circuitul de ieire, motive pentru care o parte din
electronii liberi din baz sunt atrai i absorbii de ctre colector. Electronii care sunt atrai n
colector formeaz un curent electric ce poart numele de curent de colector (I C). Cum att
curentul de colector ct i cel de baz sunt formai din electroni provenii din emitor, curentul de
emitor (IE) este dat de suma dintre IC i IB .
tiind toate aceste lucruri, acum i poti da seama c:

terminalul emitor (E) i trage denumirea de la faptul c reprezint sursa tuturor sarcinilor
electrice care circula prin tranzistor;

terminalul colector (C) se numete asa deoarece colecteaz sarcini electrice din zona
bazei;

terminalul baz (B) se numete aa pentru c la primele tranzistoare, baza reprezenta

suportul ntregii structuri a tranzistorului.

n practic, componentele tranzistorului bipolar sunt optimizate n asa fel nct cea mai mare
parte a electronilor plecai din emitor ajung prin baz n colector. Cu alte cuvinte, curentul de

colector este mult mai mare decat cel de baz. Raportul dintre curentul de baz i curentul de
colector poart denumirea de factor (beta), care mai este numit i factor de amplificare al
tranzistorului. n general, factorul este cuprins n gama 10-1000.
Te-ai putea ntreba, bine, dar jonciunea B-C din figura 3 nu este cumva polarizat invers ? Cum
de totui conduce curentul electric ?. Specialitii spun c responsabil de aceast anomalie este
faptul c emitorul este mult mai puternic dopat dect colectorul, dar i faptul c baza are o
grosime foarte mic. Altfel spus, datorit motivelor menionate, bariera de potenial din
jonciunea B-C devine parial transparent.
n toat prezentarea de mai sus, am considerat c circuitul de comand al tranzistorului este
conectat pe jonciunea B-E. Trebuie ns s menionez c circuitul de comand poate fi aplicat
foarte bine i pe jonciunea B-C (adic n figura 3 poi inversa colectorul cu emitorul). Acest mod
de legare nu este prea practic deoarece conduce la transformarea tranzistorului din amplificator
(IB<IC) n atenuator (IB>IC).
Tranzistorului PNP, aa cum poi vedea n figura 2, este compus dintr-o baz fabricat dintr-un
semiconductor de tip N care este aezat ntre un emitor i un colector fabricai din
semiconductoare de tip P. Din acest motiv, curenii electrici IB, IC i IE circul n sens invers fa
de sensul avut n tranzistorul NPN. n rest, baza, colectorul i emitorul tranzistorului PNP au
aceleeai configuraii ca i la tranzistorul NPN.
La fel ca n orice alt jonciune PN, tensiunea direct de pe jonciunea B-E nu va putea fi
niciodat ridicat prea mult peste tensiunea de deschidere a acestea, singurul lucru care poate fi
crescut fiind doar intensitatea curentului care trece prin ea, adic IB. Asta nseamn c
tranzistorul bipolar este un tranzistor comandat n curent, conform urmtoarei reguli: cu ct este
mai puternic semnalul de intrare (IB), cu att mai mare este i curentul pe care l determin n
circuitul de ieire (IC).
Tranzistorul cu Efect de Cmp cu Poart Jonciune (JFET)

nainte de toate vreau s-i clarific urmtorul lucru: tranzistor cu efect de cmp TEC (sau Field
Effect Transistor -FET) reprezint orice tranzistor n care controlul curentului din circuitul de
ieire se realizeaz prin modificarea unui cmp electric din acel tranzistor. Cu alte cuvinte, pentru
a comanda un tranzistor cu efect de cmp, nu ai nevoie de curent electric ci doar de un cmp
electric corespunztor. Asta nseamn c un FET este sensibil la prezena unei tensiuni n
circuitul de intrare sau pur i simplu la cmpurile electrostratice care pot apare prin zon (ca de
exemplu acela care te electrocuteaz cnd te dai jos din main i atingi prile metalice ale
acesteia).
Revenind la tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (Junction Field Effect Transistor
JFET ), putem spune c este format prin crearea unor jonciuni PN pe un bloc de material
semiconductor, aa cum este artat n figura 4. Se observ c terminalele JFET-ului se numesc
diferit fa de cazul tranzistorului bipolar, i anume: poart, surs i dren. Cu toate acestea, din
punct de vedere al rolului funcional, echivalena ntre terminalele celor dou tipuri de
tranzistoare este practic total:

sursa, la fel ca i emitorul, are rolul de a furniza toi purttorii de sarcin cu care
funcioneaz tranzistorul;

drena, la fel ca i colectorul, are rolul de a capta, colecta, absorbi purttorii de sarcin din
surs;

poarta, la fel ca i baza, are rolul de a introduce semnalul de comand n tranzistor i

implicit, de a controla ct de muli purttori de sarcin ajung din surs n dren. Important
de menionat este faptul c n practic de multe ori poarta se noteaz cu G, care este
prescurtarea de la gate (denumirea din limba englez a porii).

n funcie de tipul semiconductorului pe care sunt create acele jonciuni PN, JFET-ul poate fi cu
canal P sau cu canal N. n acest context, canal este denumirea dat spaiului dintre cele dou
jonciuni PN, pe unde poate trece curentul electric. Numele de canal P sau de canal N, arat tipul
de semiconductor din care sunt formate sursa i drena (sau tipul de semiconductor conectat la
bornele circuitului de ieire).
Dup cum se observ n figura 4 , ct timp JFET-ul nu este conectat nicieri, jonciunile PN
formeaz bariere de potenial normale, care nu deranjeaz cu nimic circulaia curentului electric
ntre surs i dren.

Figura 4. Structura i simbolizarea unui tranzistor cu efect de cmp cu poart jonciune (JFET)
Cnd ns JFET-ul este polarizat corespunztor ntr-un circuit de intrare i unul de ieire,
rezistena electric dintre surs i dren crete. Pentru a nelege mai bine fenomenul, hai s ne
uitam n figura 5 unde este reprezentat funcionarea unui JFET cu canal N. n primul rnd
observm c sursa de alimentare a circuitului de ieire este conectat ntre surs i dren, i c
aceasta creeaz un curent electric prin semiconductorul de tip N. Apoi, se observ c zonele P ale
jonciunilor PN sunt legate la un loc de borna (negativ) a sursei de alimentare a circuitului de

intrare. Cealalt born a acestei surse este legat la sursa JFET-ului, ceea ce nseamn c
jonciunile PN sunt polarizate invers. Dup cum tim, polarizarea invers a jonciunilor PN le
mrete bariera de potenial (zonele gri din figura 5 dreapta), fapt pentru care se ngusteaz
canalul prin care poate trece curentul electric. Dac vom crete suficient de mult tensiunea
invers pe acele jonciuni PN, se poate ajunge ca acel canal s se subieze de tot i s blocheze
complet trecerea curentului electric.
Cu alte cuvinte, funcionarea JFET-ului este similar cu situaia n care calci cu piciorul un furtun
prin care circula ap: cu ct l calci mai tare cu att apa va trece mai greu prin el. Aceast
comparaie ne sugereaz c, ntr-un JFET, curentul ntre surs i dren poate circula n ambele
sensuri, ceea ce ca principiu este adevrat. Asta mai departe nseamn c JFET-ul poate fi folosit
ca o rezistena electric a crei valoare poate fi controlat prin intermediul unei tensiuni electrice.
Cu toate acestea, n realitate exist i JFET-uri care prin optimizrile suferite n procesul de
fabricaie, nu pot conduce curentul electric n ambele sensuri.
Din prezentarea de mai sus reiese c JFET-ul nu consum curent din circuitul de intrare, ceea ce
nseamn c JFET-ul este un tranzistor care l poi comanda n tensiune dup urmtoarea
regul: cu ct este mai puternic semnalul de intrare (U PS), cu att mai mic este curentul de dren
(ID) pe care l determin n circuitul de ieire.

Figura 5. Funcionarea unui tranzistor JFET cu canal N

Funcionarea JFET-ului cu canal P are loc n acelai mod, exceptnd bineneles faptul c
polaritatea tensiunilor electrice trebuie inversat.
Tranzistorul cu Efect de Cmp cu Poart Izolat (MOSFET)

MOS-FET vine de la Metal Oxid Semiconductor- Field Effect Tranzistor, ceea ce nseamn c
este vorba despre un FET n care poarta este izolat de celelalte elemente ale tranzistorului
printr-un strat de oxid. Fiind un FET rezult c terminalele MOS-FET-ului pstreaz denumirile
folosite n cazul JFET-ului.
n figura 6 am schiat structura unui MOS-FET cu canal P. Se observ c are n componen dou
jonciuni PN care sunt plasate spate n spate la fel ca n cazul tranzistorului bipolar, motiv pentru

care barierele de potenial formate ntre acestea nu permit trecerea curentului electric ntre surs
i dren.

Figura 6. Structura i simbolizarea unui tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat (MOSFET)
Dac ns ne uitm n figura 7, observm c situaia se schimb radical cnd MOS-FET-ul este
polarizat corespunztor. Observm c poarta este conectat la borna + (plus) a sursei din circuitul
de intrare, ceea ce nseamn c electronii liberi care freac menta n jurul barierelor de potential
vor fi atrai ctre poarta MOS-FET-ului. Aceti electroni nu vor putea s ajung n zona porii
pentru c i impiedic stratul de izolator, motiv pentru care se vor aduna sub forma unei
pelicule de electroni alungit de-a lungul izolatorului (vezi zona portocalie din figura 7).
Aceast pelicul dizolv barierele de potenial deoarece n acest caz i de o parte i de alta a
jonciunilor PN exist surplus de electroni. Mai departe, observm c aceast pelicul creeaz o
punte de legatur ntre sursa i drena MOS-FET-ului.

Figura 7. Funcionarea unui tranzistor cu efect de cmp cu poart izolat (MOS-FET)

Se observ c drena i sursa MOS-FET-ului sunt simetrice i deci am putea inversa oricnd drena
cu sursa. Cu toate acestea, trucurile folosite de fabricanii de MOS-FET-uri pentru a-i mbunti
performanele, n general nu permit inversarea drenei cu sursa.
La fel ca i JFET-ul, MOS-FET-ul nu consum curent din circuitul de intrare, ceea ce nseamn
c i el este un tranzistor pe care l poi comanda n tensiune. Regula de funcionare este ns
invers: cu ct este mai puternic semnalul de intrare (U PS), cu att mai mare este curentul de
dren (ID) pe care l determin n circuitul de ieire.
Funcionarea MOS-FET-ului cu canal P are loc n acelai mod, exceptnd bineneles faptul c
polaritatea tensiunilor electrice trebuie inversat.
Exist i alte tipuri de tranzistoare, ns cel bipolar mpreun cu JFET-ul i MOS-FET-ul sunt
cele mai importante n electronic. Fizica funcionrii lor este un subiect plin de detalii care a
fost i este tratat n cri ntregi. Cu toate acestea, sper c am reuit s te fac s nelegi mcar
imaginea de ansamblu a acestui subiect.
Valoarea acestui articol se vrea a fi una teoretic, de ilustrare a unor principii de funcionare i
sunt contient c informaia prezentata aici i se poate prea prea teoretic pentru a putea folosi
tranzistorul n mod practic. Din acest motiv, n urmtorul articol vom lsa deoparte discuiile
despre fizica semiconductoarelor i vom vorbi despre tranzistoare abordnd numai informaii cu
valoare pur practic.
Dac i-a plcut acest articol, distribuie-l mai departe n grupul tu de prieteni !
Cu bine,