UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN BUCURESTI

FACULTATEA DE TRANSPORTURI

Referat: Fizica si dispotivele electronice ale viitorului-Tranzistorul

NENU RAZVAN IONUT

GRUPA 8217

TRANZISTORUL

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel
puin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legtura la regiuni diferite ale
cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica i a comuta semnale
electronice i putere electric.Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru
care sunt destinate. n 2013 nc unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe
sunt gsite ncorporate n circuite integrate.
Tranzistorul este componenta fundamental a dispozitivelor electronice moderne, i este
omniprezent n sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltrii sale la nceputul anilor
1950, tranzistorul a revoluionat domeniul electronicii, i a deschis calea pentru
echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare,
telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere i altele.
ISTORIC: Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6
decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley.
Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din
cele mai mari descoperiri ale erei moderne.
CONSTRUCTIE: Tranzistorii se realizeaz pe un substrat semiconductor (n general
siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare difer n funcie de tipul
tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizeaz pe un substrat de
tip P, n care se creeaz prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care
va constitui baza tranzistorului. Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone
semiconductoare extrinseci (pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Fiecare
zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei terminale se numesc
emitor E, baz B i colector C. Denumirile sugereaz funcia pe care o ndeplinete
fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice,
colectorul colecteaz sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care
ajunge la colector. Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare,
respectiv colectoare.

O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia electric particip sarcini

electrice de ambele polariti, goluri i electroni, cu contribuii diferite la curent n funcie
de tipul de tranzistor. n funcie de ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp
sau npn.

Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou particulariti:

emitorul este mult mai puternic dopat dect baza
lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor
majoritari din emitor (aprox. 10m).
Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea emitoare trebuie
polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens invers. n practic polarizarea
jonciunilor se face cu o singur surs de alimentare.

UTILIZARE: Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente

discrete n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de
instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare
liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea
ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.
Simbolurile folosite n mod curent pentru tranzistori:

Tranzistor bipolar PN

Fototranzistor NPN

Tranzistor unijonciune (TUJ)

Tranzistor JFET canal N

Tranzistor IGFET canal

Tranzistor tetrod IGFET canal N

Chiar si in circuitele integrate structura tranzistorului ocupa un loc foarte important.

Exista doua tipuri fundamentale de tranzistoare cu jonctiuni:bipolare,bazata pe
conductia simultana a electronilor si a golurilor si unipolare, bazate pe conductia unui
singur tip de purtatori, fie numai a electronilor, fie numai a golurilor.
In cele ce urmeaza se vor prezenta numai tranzistoarele bipolare, acestea
regasindu-se in schemele puse in discutie ulterior.
Structura de tranzistor permite obtinerea unor surse controlate intr-un dispozitiv
semiconductor format din trei regiuni, in ordinea pnp sau npn(de unde si tipul de
transistor),realizate in acelasi monocristal. Regiunea din mijloc,numita baza, este foarte
subtire si foarte putin dopata in comparatie cu celelalte doua (extreme), numite emitor si
respectiv colector. In cadrul structurii de tranzistor se formeaza doua jonctiuni pn, una
intre baza si emitor, numita jonctiunea emitorului si alta intre baza si colector numita
jonctiunea colectorului .
Trecerea unui curent mare printr-o jonctiune polarizata invers, aflata in vecinatatea
unei jonctiuni polarizate direct, poarta numele de efectul tranzistorului.

Structural tranzistorul poate fi asemuit cu doua diode montate in opozitie (fig 2.13) insa
un tranzistor nu se comporta ca doua diode conectate in opozitie, tocmai din cauza
cuplajului celor doua jonctiuni ce explica efectul tranzistorului.

Pentru tipul npn explicatia este identica, cu exceptia schimbarii rolurilor electronilor si
golurilor.
Controlul efectuat de jonctiunea emitorului asupra curentului ce strabate
jonctiunea colectorului confera structurii de tranzistor functia de amplificare ( functionare
in regim de amplificare), adica o variatie mica a tenisiunii aplicate jonctiunii emitorului
(U ) produce o modificare insemnata a curentului prin jonctiunea colectorului, deoarece
EB

variata curentului de colector este aproximativ egala cu cea a curentului de emitor. Cand
curentul de emitor este 0 (I =0) curentul de colector (I =I ) se numeste curent
residual( curent invers de colector) si are valoare foarte mica(de oridinul micro Amperi) :
el reprezinta curentul de polarizare inversa a jonctiunii colectorului:
E

CB0

I -I -I =0
Cum I este foarte mic,se poate scrie : I ~ I
In functie de regimul de functionare,prin polarizarea tranzistoarelor se intelege
dimensionarea unor elemente de circuit(rezistente, condensatoare, diode etc) care in
regim de amplificare trebuisa sa fixeze un punct static de functionare convenabil ales( in
lipsa semnalului de comanda) iar in regim de impulsuri sa provoace blocarea si saturarea
sigura a tranzistorului.
In functie de caracteristici si performante, tranzistoarele bipolare se pot clasifica
dupa divere criterii, in mai multe categorii: tranzistoare de mica putere, de medie putere,
de joasa frecventa, de inalta frecventa, tranzistoare de comutatie rapida etc
Utilizarea tranzistoarelor in regim de amplificare va fi exemplificata pe
amplificatoare si oscilatoare:
AMPLIFICATORUL poate fi considerat ca un circuit electronic ce furnizeaza la iesirea
sa un semnal electric cu o putere mai mare decat a semnalului de intrare.
Folosind tehnica circuitelor integrate s-au obtinut amplificatoare cu parametrii ce se
apropie de modelul ideal de amplificator, acestea numindu-se amplificatoare
operationale(ele pot efectua si anumite operatii matematice ca : insumarea, divizarea,
multiplicarea etc)
E

OSCILATORUL: este un circuit electronic format dintr-un amplificator si un circuit de

reactie pozitiva, ce transforma tensiunea continua a alimentarii in semnal sinusoidal sau
de alte forme(triunghiular, dreptunghiular,etc)
Polarizarea tranzistorului bipolar:
Polarizarea cu divizor de tensiune n baz:
Pentru a funciona n zona activ i a fi folosit ntr-o schem de amplificare de exemplu,
jonciunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate n curent continuu astfel nct
jonciunea emitoare s fie polarizat direct iar jonciunea colectoare s fie polarizat
invers. Polarizarea se face de la o singur surs de alimentare, existnd mai multe scheme
folosite n acest scop. Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare n curent
continuu este cea cu divizor de tensiune n baza tranzistorului,

Clasificarea tranzistoarelor:
1) Tranzistoare de mica putere: Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau
metal i nu sunt destinate montrii pe radiator.
2) Tranzistoare de putere : Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i
sunt destinate montrii pe radiator.

3) Tranzistoare de joasa frecventa : Sunt tranzistoare destinate utilizrii pn la

frecvena de circa 100kHz, n circuite audio i de control al puterii.
4) Tranzistoare de inalta frecventa: Sunt tranzistoare destinate aplicaiilor la
frecvene peste 100kHz, cum este domeniul radio TV, circuite de microunde,
circuite de comutaie etc.
Parametrii specifici tranzistoarelor:
1)Factorul de amplificare (f)
2) Temperatura maxim a jonciunilor: Valoarea temperaturii maxime a jonciunilor
pn la care tranzistorul funcioneaz normal depinde de natura
semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcioneaz
corect pn spre 200 grade C, n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate
n funcionare n jurul valorii de 100 grade C.
Observaie: La temperaturi mai mari dect cele menionate, are loc creterea
extraordinar de rapid a concentraiei purttorilor minoritari i semiconductorul se
apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzndu-si proprietile iniiale.
3) Puterea maxim disipat:
Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din
aceast putere este radiat n mediul ambiant i o parte produce nclzirea tranzistorului.
Puterea disipat de un tranzistor este , n principal, puterea disipat n cele dou jonciuni
ale acestuia:
PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.
4) Curentul de colector maxim
Reprezint valoarea maxim pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor
fr ca acesta s se distrug. El este indicat n cataloage i depinde de particularitile
tehnologice ale tranzistorului.
5) Tensiunea maxim admis:
Reprezint valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fr ca
acesta s se deterioreze. Aceast valoare este limitat de tensiunea de strpungere a
jonciunii colector baz (polarizat invers).
Acest parametru are valori diferite n funcie de conexiunea tranzistorului i este
prezentat n foile de catalog pentru fiecare situaie n parte.
Fototranzistorul:

Principiul de funcionare a unui fototranzistor se bazeaz pe efectul fotoelectric intern:

generarea de perechi electron-gol ntr-un semiconductor sub aciunea unei radiaiei
electromagnetice cu lungimea de und n domeniul vizibil sau ultraviolet. Dac
semiconductorul este supus unei diferene de potenial, atunci el va fi parcurs de un
curent a crui intensitate va depinde de mrimea fluxului luminos incident. Intensitatea
lui poate fi mrit prin utilizarea proprietii structurii de tranzistor de a amplifica
curentul.
Fototranzistorul este un tranzistor cu regiunea jonciunii emitor-baz expus iluminrii,
astfel nct rolul diferenei de potenial dintre baz i emitor este jucat de fluxul luminos
incident pe jonciunea emitoare. Generarea de perechi electron-gol contribuie la
micorarea barierei de potenial a jonciunii i deschiderea ei mai mult sau mai puin, n
funcie de numrul de fotoni incideni. Terminalul bazei poate lipsi sau, dac exist, el
permite un control suplimentar al curentului de colector.
Caracteristicile de ieire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele ale unui tranzistor
obinuit, cu deosebirea c, n locul parametrului IB apare iluminarea sau fluxul luminos.

BIBLIOGRAFIE:
1) IOAN RUCIUMAN-CIRCUITE DE CALE ELECTRONICE- EDITURA
DIDACTICA SI PEDAGOGICA BUCURESTI 1988
2) S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale
3) Vtescu, Anton; Sinnreich, Heinrich; Gavt, tefan; Stere, Roman; Piringer,
Reinhard (1971). Circuite cu semiconductoare n industrie - Amplificatoare i
oscilatoare. Bucureti: Editur technic
4)I. STAN, S.DAVID-Centralizari electrodinamice si bloc de linie automat-editura
Didactica si Pedagogica Bucuresti 1983