Digitally signed by

Library TUM
Reason: I attest to the
accuracy and integrity of
this document

UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

DISPOZITIVE ELECTRONICE
BAZELE FIZICE ALE ELECTRONICII
Note de curs
Partea întâi

z1

y1

y
x1

Chişinău
2018
0
 UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

FACULTATEA ELECTRONICĂ ȘI
TELECOMUICAȚII
DEPARTAMENTUL TELECOMUNICAȚII

DISPOZITIVE ELECTRONICE
BAZELE FIZICE ALE ELECTRONICII
Note de curs
Partea întâi

Chişinău
Editura „Tehnica-UTM”
2018

1
 Notele de curs la disciplina Dispozitive electronice sunt
adresate studenților Facultății Electronică și Telecomunicații,
programele de studiu 0714.1 TEHNOLOGII ȘI SISTEME DE
TELECOMUNICAȚII, 0714.2 REȚELE ȘI SOFTWARE DE
TELECOMUNICAȚII, 0710.1 INGINERIE ȘI MANAGEMENT
ÎN TELECOMUNICAȚII și 0714.3 COMUNICAȚII RADIO ȘI
TELEVIZIUNE.
Partea întâi a notelor de curs cuprinde materialul referitor la
bazele fizice ale electronicii.

Autori: conf.univ., dr. N.BEJAN

conf.univ., dr. V.MOROZOVA
Recenzent: conf.univ., dr. S.GANGAN

Redactor: E. Gheorghișteanu 
___________ ________________________________________________
Bun de tipar 03.10.18 Formatul hârtiei 60x84 1/16
Hârtie ofset. Tipar RISO Tirajul 50 ex.
Coli de tipar 6,00 Comanda nr. 75
MD-2004, UTM, Chişinău, bd. Ştefan cel Mare şi Sfânt, 168
Editura “Tehnica-UTM
MD-2045, Chişinău, str. Studenţilor, 9/9

© UTM, 2018

2
 1. REȚEAUA CRISTALINĂ ȘI FORȚELE
DE LEGĂTURĂ ÎN CRISTAL

1.1. Corpuri solide cristaline și amorfe

Pentru a descrie cum sunt plasați atomii în corpurile solide
să ne închipuim că atomii posedă forma unei sfere regulate. Plasarea
unui atom față de altul poate fi diferită. În fiecare corp solid atomii
sunt plasați într-un mod anumit.
În corpurile solide, care prezintă pentru noi interes deosebit,
plasarea atomilor corespunde repetării periodice a unui anumit
«desen» după trei direcții. Așa corpuri solide sunt numite cristale,
iar plasarea atomilor în ele se numește rețea cristalină. Ordinea în
care sunt aranjați atomii în corpul solid adeseori duce la simetria
formei lui externe și la simetria proprietăților fizice ale cristalului.
În dependență de faptul că proprietățile cristalului se modifică
odată cu schimbarea direcției se disting două tipuri de cristale:
izotrope și anizotrope. Dacă proprietățile cristalului sunt aceleași
pentru trei direcții, aceste cristale sunt numite izotrope (NaCl), iar în
caz contrar – anizotrope.
Unele materiale, de exemplu metalele, posedă structuri
cristaline simple. Majoritatea semiconductoarelor totodată au
structuri destul de simple. Dacă ne referim la compușii chimici și
materialele organice aici structurile sunt foarte complicate.
Corpurile solide pot conține domenii cu un număr mic de
atomi plasați ordonat. La trecerea de la un domeniu la altul la fel se
observă o așezare ordonată dar diferită. Despre asemenea corpuri
se spune că ele posedă numai o ordine apropiată spre deosebire de
acele corpuri care au un grad înalt de ordine extinsă în fiecare
domeniu. Această stare se numește precristalină sau mezomorfă.
Starea structurală amorfă este caracterizată printr-o dispunere
complet dezordonată a particulelor în spațiu, lipsind orice orientare
și periodicitate, de exemplu: sticlă, mase plastice. Această stare
poate fi prezentată ca un “lichid înghețat”.
Starea structurală cristalină prezintă cel mai înalt grad de
omogenitate spațială a particulelor, rezultând o aranjare periodică

3
după trei direcții spațiale. Cele mai multe substanțe solide
anorganice și unele substanțe solide organice sunt corpuri cristaline.
În faza solidă substanța există în stare de echilibru la
temperaturi mai joase decât în fază lichidă sau gazoasă. De aceea
corpurile solide trebuie să posede cel mai jos nivel de energie liberă
la aceste temperaturi reduse. În afară de aceasta ele posedă simetrie.
Rezultă că atunci când atomii sunt aranjați simetric în spațiu, nivelul
energetic trebuie să fie mai redus decât în cazul aranjării haotice.
Atomii corpului solid sunt legați puternic unul de altul și în
același timp ei nu se apropie într-atât ca densitatea corpului să
crească brusc. Astfel, modelul corpului solid trebuie să explice
apariția forțelor de atracție dintre atomi, când ei se află departe unul
de altul, și apariția forțelor de respingere, când ei se apropie foarte
mult, interacțiune ce poate fi descrisă cu modelul unor sfere din
marmură, acoperite cu „pastă lipicioasă”. Independent de natură,
aceste forțe de interacțiune pot fi reprezentate în formă grafică.
În figura 1.1 este prezentată dependența puterii F și energiei
de interacțiune U a particulelor de distanța r dintre ele.
La valori r  r0 forța de atracție este mai mare decât cea de
respingere ( Fat .  Fresp . ), iar pentru r  r0 Fresp .  Fat . . Dacă r  r0
forțele sunt egale, adică F resp .   F at . , forța rezultantă Frez .  0 și
energia de interacțiune este minimă U min  U 0 .
De aceea particulele care sunt plasate la distanța r0 una de
alta se află într-o stare de echilibru stabil. Deci ele tind să se
aranjeze într-o ordine strictă, formând un corp cu structura regulată
care și prezintă cristalul.
Această structură se păstrează atâta timp cât energia de
legătură este mai mare decât energia mișcării termice a particulelor.
La schimbarea distanței apar forțele de reacție, de aceea particulele
își păstrează poziția sa. Unica formă de mișcare a particulelor în
cristal o prezintă oscilațiile în apropierea poziției de echilibru.

4
 Dacă un sistem constă din doi atomi, starea energetică va fi
minimă când sferele se ating una de alta (figura 1.2, a), pentru trei
sfere – ele formează un triunghi, așa că fiecare sferă se atinge de
F

а)
Frez. Fresp.

0 r0 r

Fat..

b)

r0
0 r

U0

Figura 1.1. Dependența puterii F (а) și energiei de interacțiune

U a particulelor de distanța r dintre ele (b)

celelalte două (figura 1.2, b). Pentru șapte sfere (figura 1.2, c), care
se află pe un plan, starea va avea energie minimă când sferele sunt
aranjate în forma unui hexagon cu o sferă în centru. În acest caz
interacționează 12 perechi – maxim pentru 7 sfere. Așa cristale sunt
numite cristale cu împachetare compactă.

5
 Cristalele tridimensionale cu energie internă minimă constau
dintr-o mulțime de plane atomice, aranjate într-o ordine anumită.
Cea mai importantă particularitate a acestui model este că
interacțiunea are loc numai între atomii vecini, iar atomii îndepărtați
nu interacționează. Așa interacțiune este numită legătură chimică.

а) b) c)

d)
Figura 1.2. Ilustrarea împachetării compacte a cristalelor

Reprezentarea cristalului prin legături chimice explică faptul

de ce aranjarea ideală a atomilor corespunde energiei minime, iar
orice perturbare a simetriei duce la absorbția energiei.
Să presupunem că simetria este distorsionată în cel mai
simplu mod – s-a schimbat locul unui singur atom (figura 1.2, d).
În acest caz se rup 6 legături, iar la margine se restabilesc numai 2.
Așadar la tranziție este necesară o energie suplimentară destul de
majoră ce este determinat de faptul că atomii care înconjoară golul
nu se pot restructura așa ca să restabilească legăturile necesare.
Deci, aranjarea cu simetrie înaltă este configurație cu energie
minimă.

1.2. Structuri cristaline simple

Dacă unul și același desen în aranjarea atomilor se repetă de
mai multe ori atunci în cristal pot fi identificate cele mai simple
6
blocuri de construcție, care se numesc celule elementare. Din ele
poate fi construit cristalul în întregime.
Deoarece fiecare atom al planului cu împachetare
compactăeste înconjurat de un hexagon echilateral, format din alți
6 atomi, atunci poziția fiecărui atom din plan poate fi determinată
absolut precis cu ajutorul unei translații simple, adică deplasând
rombul dat în direcțiile axelor de coordonate fără rotire. Pentru un
cristal tridimensional cu împachetare compactă celula elementară
este un paralelipiped.
Din punct de vedere geometric repetarea periodică a
particulelor poate fi descrisă prin translația unei particule de-a
lungul a trei axe x, y , z la distanțele respective:
0x  a,2a,3a,..., ma ;
0y  b,2b,3b,..., nb ;
0z  c,2c,3c,..., pc ,
unde m, n, p sunt numere întregi.
Poziția particulei este determinată de vectorul
   
r  m a  nb  p c ,
  
unde [[m, n, p]] prezintă indicele nodului, iar a , b , c - vectorii
minimali de translație. Valorile numerice ale acestor vectori
prezintă perioade de translație sau constante ale rețelei cristaline.
Rețeaua construită prin deplasarea paralelă (prin translație) a
unui nod în trei direcții se numește rețea translațională sau rețea
  
Bravais. Paralelipipedul minim, construit pe vectorii a , b , c , se
numește celulă elementară a cristalului. Toate celulele elementare
ale cristalului posedă aceeași formă și volum. Toate vârfurile celulei
elementare se numesc noduri ale rețelei.
Pentru a caracteriza cristalul sunt necesare 6 valori
a, b, c, , ,  , care sunt numite parametrii celulei elementare (figura
1.3,b).
Celulele elementare în care atomii se află numai în vârfuri se
numesc simple sau primitive. Dacă atomii se află și în alte puncte
atunci celula elementară se numește compusă. Cele mai răspândite
celule elementare compuse sunt prezentate în figura 1.4.
7
 În cristalografie este dovedit că există doar 14 rețele
translaționale diferite care în dependență de simetrie se împart în 7
sisteme de simetrie – singonii.

y z
b

c
β α
x
γ a y

x
a) b)
Figura 1.3. Translarea atomului în direcția axelor cristalografice

P I C F

Figura 1.4. Sistemele de simetrie a cristalelor (singonii): P - primitivă;

I - centraslintern; C – cu baze centrate; F –cu fețe centrate

1. Тriclină (Р): a  b  c ;       900 .

2. Моnoclină (Р, С): a  b  c ;     900 ;   900 .
3. Rоmbică (P, C, I): a  b  c ;       900 .
4. Тrigonală (Р): a  b  c ;       900 .
5. Tetragonală (P, I): a  b  c ;       900 .
6. Hexagonală (С): a  b  c ;     900 ;   1200 .
7. Cubică (P, I, F): a  b  c ;       900 .
Cea mai joasă simetrie este cea triclină, cea mai înaltă -
cubică.

8
 1.3. Indicii Miller

Una din cele mai importante probleme ale cristalografiei

constă în descrierea direcției sau planului în spațiu. Pentru
rezolvarea acestei probleme vom utiliza metoda vectorială.
Poziția fiecărui nod din cristal este determinată univoc prin
definiția a trei coordonate x  ma, y  nb, z  pc , unde m, n, p sunt
numere întregi.
Pentru determinarea direcției trasăm o linie dreaptă din
originea axelor de coordonate până la primul nod în direcția dată
(figura 1.5).
z

0
y

x
Figura 1.5. Indicii direcției în cristal


Fie că proiecțiile vectorului r pe axele x, y , z sunt x0 , y 0 , z 0 .
Să măsurăm aceste proiecții în unități ale constantei rețelei. Atunci
x y z
va exista un așa număr d pentru care relațiile 0 , 0 , 0 vor forma
d d d
un șir de numere întregi minimale m, n, p .

Exemplu: x 0  3a , y 0  4a , z 0  2,5a , d  0,5a . Atunci

x y z
m  0  6 ; n  0  8 ; p  0  5 ( m  6 , n  8 , p  5 ) unde
d r r
[m, n, p] prezintă indicii direcției. Dacă aceste numere sunt
negative se scrie m , n , p .

9
 Pentru a caracteriza un plan în spațiu vom utiliza indicii
Miller, care sunt numere întregi, legate de lungimea segmentelor
care taie planul dat pe axa de coordonate (figura 1.6).
z
z1

y1

x1 y

Figura 1.6. Indicii planurilor în cristal (indicii Miller)

Fie că un plan întretaie segmentele x1 , y 1 , z 1 . Ecuația planului

este:
x y z
  1
x1 y 1 z 1
sau
hx  ky  lz  S ,
unde
S S S
h ; k ; l .
x1 y1 z1
Dacă h, k , l sunt numere minime întregi, atunci ele se numesc
indici Miller.

a
Exemplu: x1  0,5a ; y 1  2a ; z1  . Determinăm
3
1 2 1 1 3
 ;  ; z  . Căutăm S  2a . Rezultă:
x1 a y 1 2a a
2a 2a 2a  3
h  4; k   1; l  6 ;
0,5a 2a a
(h, k , l )  (4,1,6) .

10
 Să formulăm legitățile generale pentru determinarea indicilor
Miller.
1. Pentru plane paralele, orientate la fel, indicii Miller (h, k , l )
sunt aceeași. Pentru indicii direcțiilor analogic: indicii șirurilor
atomice paralele sunt egali.
2. Planul paralel cu una din axele de coordonate posedă indicele
0 pentru această direcție.
3. Planul care trece prin originea axelor de coordonate se înscrie
cu ajutorul indicilor unui plan paralel, care taie pe axe segmente de
lungime finită (figura 1.7).
z (1,0,0) z (0,1,0) (1,1,0) z (1,1,1)

y y y y

x x x x
z (0,0,1)

(0,1,0)
y
x (1,1,1)
Figura 1.7. Indicii Miller pentru unele planuri ale cristalului cu
structura cubică

1.4. Legături chimice de bază în semiconductori

1. Legătura ionică.
Formarea învelișurilor electronice închise joacă rolul
principal atât în teoria de construcție a atomului, cât și în teoria
legăturilor chimice. De exemplu, învelișuri închise sunt în gazele
inerte. Ultimul înveliș conține 2s și 6p electroni. Deci ultimul
înveliș este complet închis, conținând 8 electroni. Toate nivelurile
permise sunt completate, pe toate nivelurile sunt câte 2 electroni cu

11
spini antiparaleli. Această configurație este stabilă și posedă nivel
energetic redus.
Legătura pur ionică are loc în materiale cu formula generală
I VII
AB - NaCl, KI , LiF . Atomul de Na conține la învelișul
extern un electron, iar Cl - șapte. La apropierea acestor atomi un
electron al Na trece pe ultimul înveliș al Cl -lui ce duce la
completarea învelișurilor ambelor elemente. Între acești ioni
acționează forța culonică electrostatică de atracție. Ea este
echilibrată de forța de respingere, determinată de faptul, că
învelișurile închise opun rezistență la pătrundere reciprocă,
deoarece în fiecare din ele toate stările sunt ocupate și nu mai există
locuri libere pentru electroni suplimentari.
Particularitățile principale ale cristalelor ionice sunt
transparența lor în regiunea vizibilă a spectrului și conductivitatea
electrică joasă (fiind dielectrici). Ele absorb bine razele ultraviolete.
2. Legătura covalentă nepolară.
Această legătură poate fi explicată doar cu utilizarea
noțiunilor din mecanica cuantică. Drept analogie o prezintă
molecula de hidrogen H 2 .
În mecanica cuantică e dovedit că redistribuirea de doi
electroni dintre doi atomi de același tip duce la o legătură puternică
când spinii electronilor sunt orientați contrar și la o respingere
puternică când spinii sunt orientați la fel. Aceste forțe posedă natură
cuantomecanică, iar astfel de interacțiune se numește interacțiune
de schimb.
Folosind noțiunea de interacțiune de schimb și ținând cont de
tendința spre formare a învelișurilor închise din opt electroni este
ușor de înțeles natura legăturilor chimice în semiconductorii
elementari ( C , Si , Ge ,   Sn ) .
Aceste elemente posedă câte patru electroni de valență: doi
electroni în starea s și doi în starea p . La formarea corpului solid
electronii sunt distribuiți între atomii vecini în așa mod că fiecare
atom este înconjurat de opt electroni. Legătura este formată din

12
electronii cu spini contrari și se numește covalentă nepolară (figura
1.8, a).
În structura tridimensională patru atomi formează un tetraedru
cu un atom în centru (figura 1.8, b). Astfel de rețea poartă
denumirea de rețea tip diamant.

a) b)

c)

Figura1.8. Ilustrarea legăturilor chimice în cristale: a) legătură

covalentă nepolară; b) legătură covalentă polară;
c) cristal tridimensional

3. Legătura covalentă polară.

În semiconductorii A III B V și A II B VI legătura chimică are un
caracter combinat – ionic cu partea covalentă. Caracteristicile
principale depind de faptul ce tip de legătură predomină – ionică sau
covalentă. În compușii A III B V predomină partea covalentă dar și în
ei există o componentă ionică a legăturii. Structura este
asemănătoare cu structura semiconductoarelor grupei a patra, iar în
nodurile tetraedrului se află ioni. Structura se numește blendă. De

13
exemplu: GaP , GaAs, InSb , AlAs .În emiconductorii A II B VI ionii
în vârfuri posedă sarcina  2 , deci predomină partea ionică în
legătură față de partea covalentă ( PbS , ZnTe, PbTe ). Structura
cristalină este cubică ca și la cristalele A I B VII . Din punct de vedere
al legăturii chimice materialul poate fi considerat semiconductor
dacă pentru ruperea legăturii și eliberarea electronilor care pot
participa mai departe în conducție este necesară o energie redusă de
ordinul Eg  2,5 eV . Dacă Eg  2,5 eV materialul se socoate
dielectric la temperatura camerei.

1.5. Cristale ideale. Tipurile de imperfecțiuni structurale

Noțiunea de cristal ideal presupune periodicitate ideală de la
  până la   în trei direcții. În realitate așa ceva nu există
deoarece în fiecare cristal real sunt multe defecte. În cristale
deosebim patru grupe de defecte și anume:
1. Defecte puncte – atomi internodali și vacansii (defecte
Frencel și defecte Shottky), impurități în soluție solidă și
de înlocuire, soluție solidă de introducere, deviere de
stehiometrie.
2. Defecte liniare – dislocații marginale și dislocații în
spirală.
3. Defecte plane – suprafață liberă, granițele grăunțelor,
defecte de împachetare.
4. Defecte de volum – distorsiuni mecanice majore.

a) atomi internodali și vacansii

Dacă unul din atomii cristalului nu nimerește în locul său,
determinat de periodicitatea rețelei cristaline, ci într-un loc
intermediar (între noduri) atunci asemenea defect este numit defect
internodal. În al doilea caz în locul unde trebuie să se afle atomul,
acesta lipsește. Rezultă că există o vacansie. Aceste defecte pot
interacționa unul cu altul formând defecte mai complexe.
Distingem defecte Frenkel și defecte Schottky. Defectele
Schottky prezintă o vacansie singulară, iar defectul Frenkel – o
14
pereche vacansie-defect internodal. Concentrația de echilibru a
defectelor în cristal depinde, în primul rând, de temperatură, fiind
fapt că la majorarea temperaturii crește și numărul de atomi energia
cărora este mai mare decât energia de legătură chimică.
Conform legii lui Boltzman numărul lor este proporțional cu
U
exp( def . ) , unde U def . este energia formării unui defect, iar
nkT
n  1  2 . Pentru defectele Frenkel
U
N F  NN1 exp( F ) ,
2kT
unde N este numărul nodurilor, iar N1 - numărul locurilor
internodale.
Pentru defecte Schottky
U
N S  N exp( S ) .
kT
U f  U S dat fiind faptul că pentru ca atomul să încapă în spațiul
internodal ceilalți atomi trebuie să fie îndepărtați din poziția sa.
Defectele Frenkel pot avea loc practic în cristale care constau
din atomi de două tipuri diametrele cărora diferă esențial unul de
altul. De exemplu, în cristalele ionice. În cristalele cu împachetare
compactă asemenea defecte practic nu există.
În afară de vacansii singulare există și bivacansii, trivacansii,
deoarece destul de des aceasta este mai convenabil din punct de
vedere energetic.
În compușii binari de tip AIIIBV și AIIBVI apariția vacansiei
atomilor A sau B duce la deviere de la stehiometrie și la apariția
unui surplus de atomi de a doua componentă. Surplusul atomilor
AIII duce la formarea acceptorilor, iar surplusul de atomi de tip BV –
a donorilor.
Toate defectele se pot deosebi după semnul sarcinii și
dimensiuni, adică pot capta unul sau mai mulți electroni sau goluri.
Cu ridicarea temperaturii defectele devin mobile. În cristal se
stabilește un echilibru termodinamic. La temperaturi joase timpul de
stabilire a echilibrului este major. Din aceste considerente este
15
posibilă “înghețarea” defectelor când numărul și felul lor depind de
prelucrarea termică anterioară.
Numărul de defecte poate fi micșorat printr-un proces care se
numește “recoacere” – adică menținerea cristalului la temperaturi
înalte un timp anumit cu răcire foarte lentă în timp.

b) impurități
În orice cristal există o mulțime de impurități, adică atomi
străini în rețeaua cristalină. De obicei concentrația impurităților este
de ordinul 1014…1017 cm-3, iar concentrația atomilor de bază – circa
1023 cm-3. Rezultă că unui atom de impurități îi revin circa 109
atomi de bază. Impuritățile în cristal pot fi în stare dizolvată sau sub
formă de diferite incluziuni. Procesul de dizolvare prezintă
introducerea impurităților în locuri internodale sau substituirea
nodurilor rețelei. Aceasta duce la formarea soluției de introducere
sau a soluției de înlocuire (figura 1.9).

А А А
В
А А А

А В А
Figura 1.9. Ilustrarea impurităților incluse și de substituite

16
 Deoarece dimensiunile atomilor străini diferă de dimensiunile
atomilor de bază, atunci ei întotdeauna aduc la perturbarea rețelei
cristaline.
Impuritățile prezintă centre efective de împrăștiere. Ele
determină rezistența metalelor la temperatura T  0K dacă metalul
nu trece în stare de supraconductor. Prezența impurităților în
semiconductori duce la apariția conducției extrinsece.

c) Defecte liniare
Există două feluri de defecte liniare: dislocații marginale și
dislocații în spirală.
Dacă un plan atomic se rupe în interiorul cristalului, marginea
acestui plan formează un defect liniar care se numește dislocație
marginală (figura 1.10). Astfel de plan este numit extra-plan. Șirul
atomic 1 (figura 1.10, b) conține cu un atom mai mult decât șirul 2.
Odată cu îndepărtarea de la acest șir perturbarea rețelei se
micșorează și peste câteva șiruri atomice ea dispare, iar în planul M
dislocația trece prin cristalul întreg și iese la suprafață.
Dacă extra planul se află în partea de sus a cristalului,
dislocația se numește pozitivă (  ) , în alt caz – negativă (T).
Dislocațiile cu același semn care se află într-un plan atomic se
resping, iar cu semne contrare – se atrag ca și sarcinile electrice.
М
М

1 0
1
0 2 2
0

М
а) b) c)
Figura 1.10. Schema dislocației marginale. а) marginea planului М,
care se rupe în interiorul cristalului, formează dislocația marginală;
b) plasarea atomilor în centrul 0 al dislocației pozitive; c) același
lucru în centrul dislocației negative. Punctat este indicată regiunea
acțiunii dislocației
17
 Dislocații în spirală. Dacă sub acțiunea unor tensiuni
tangențiale are loc deplasarea unei părți a cristalului față de alta,
atunci apare dislocația în spirală (figura 1.11).
A

D F tan .

Figura 1.11. Formarea dislocației în spirală

Până la linia AD rețeaua cristalină nu este distorsionată, iar

după ea atomii sunt deplasați unul față de altul. AD prezintă axa
dislocației. În regiunea dislocației apar tensiuni elastice și se
acumulează energia elastică suplimentară a rețelei distorsionate.
Prezența unui câmp de forță în jurul dislocației conduce la
interacțiunea acestora cu atomii de impurități și cu alte defecte. Ca
rezultat distorsiunile sunt înconjurate de nori Kottrel formați de
atomii impurităților. Acești nori influențează asupra tuturor
proprietăților cristalului. Dislocațiile sunt locuri de scurgere pentru
vacansii. Ele se observă pe suprafața cristalului prin tratare cu acizi.
Densitatea dislocațiilor prezintă numărul de linii de dislocații
care intersectează o unitate de suprafață a cristalului. Pentru cele
mai perfecte cristale densitatea dislocațiilor este 102…103 cm-2, iar
pentru cristalele deformate această cifră este de ordinul 1011…1013
cm-2.
Se consideră că dislocațiile apar la formarea cristalului sau în
rezultatul prezenței crăpăturilor la suprafață. Dislocațiile apărute
odată pot trece liber prin cristal. Din cauza mișcării multor dislocații
în cristal apar multe microdistorsiuni.
În cristale dislocațiile se află în stare de mișcare cu viteză
enormă. Dacă pentru această mișcare se cere multă energie, ele se

18
opresc. Datorită acestui mecanism cristalele imperfecte ale
metalelor posedă rigiditate înaltă.
Cristalele fierului curat sunt moi însă la introducerea unei
cantități reduse de atomi străini se pot crea destule defecte pentru a
stopa mișcarea dislocațiilor. De exemplu, dacă avem Fe : C
obținem oțelul. La răcirea bruscă a fierului dopat cu carbon ultimul
se separă în formă de granule și se formează o mulțime de
microdistorsiuini. Aceasta, la rândul său, nu permite dislocațiilor să
se deplaseze și metalul devine extrem de dur. Absolut identic se
comportă și cuprul curat care este foarte moale. Însă el poate fi
“călit” prin îndoiri și dezdoiri. În rezultatul acestui exercițiu se
formează o mulțime de dislocații care interacționează una cu alta și
limitează mobilitatea lor.
Metalul “călit” poate fi transformat din nou în metal moale
prin procedura numită “recoacere”. Mișcarea termică a atomilor
conduce la creșterea mobilității dislocațiilor.

d) Defecte plane
Suprafața liberă
Fiecare suprafață liberă a cristalului prezintă un defect planar,
deoarece la ruperea rețelei cristaline se formează legături rupte
nesaturate.
Granițele grăunțelor
Aceste defecte există în cristalele cu structură mozaică.
Granițele blocurilor și a grăunțelor sunt purtătoare de energie liberă
de surplus. Aceasta, la rândul său, determină viteza înaltă a
reacțiilor chimice, difuziei și a altor procese. Aceste defecte prezintă
centre efective de împrăștiere a particulelor care determină
rezistivitatea cristalului.
Defecte de împachetare
Ele se formează la creșterea cristalului dacă planurile atomice
sunt aranjate incorect.
Defecte de volum
La ele se referă distorsiunile mecanice majore în cristal, adică
gropile, adânciturile, crăpăturile etc.

19
 1.6. Oscilații normale ale rețelei cristaline
Distanța de echilibru dintre atomii cristalului r0 este
determinată de egalitatea forțelor de atracție și respingere. La valori
r  r0 forțele sunt echilibrate și energia de interacțiune este minimă
(figura 1.12). La îndepărtarea atomilor la distanță mai mare decât r0
forțele de atracție încep să predomine față de forțele de respingere,
iar la apropierea atomilor – invers, predomină forțele de respingere.
U

r0 Nivelul dislocațiilor

r
r3
T3
U0
r2
T2

r1
T1

T0

Figura 12. Dependența energiei de interacțiunea

atomilor ca funcție de distanța dintre aceștia

Dacă r tinde spre infinit forțele de atracție tind spre zero.

Respectiv când r tinde spre zero forțele de respingere cresc până la
infinit. Așadar dependența forței și energiei de interacțiune a
atomilor de distanța dintre atomi are un caracter asimetric (figura
1.12). În figura 1.12 r0 prezintă distanța de echilibru la temperatura
T  0K , iar r1 ...r4 - distanțele de echilibru la temperaturile T1 ...T4 .
20
 Forța de atracție a atomilor poartă caracter culonic. Forța de
respingere apare din următoarele considerente: primul - respingere
culonică a electronilor, al doilea - majorarea energiei cinetice a
electronilor la apropierea atomilor.
Din principiul de nedeterminitate al lui Haizenberg rezultă
că,cu cât mai reduse sunt dimensiunile liniare ale regiunii unde este
localizat electronul, cu atât mai major este impulsul lui și cu atât
mai mare este energia lui cinetică
p 2
U cin .  .
2m 0
Legătura dintre variația impulsului p și variația coordonatei este
determinată de relația Haizenberg
 p x  x  h ; p y  y  h ;  p z   z  h .
Așadar cu cât mai aproape trece orbita electronului față de
nucleu, cu atât mai mică este energia lui potențială și cu atât mai
mare este energia cinetică. Rezultă că energia totală nu poate deveni
nulă
U  U pot .  U cin .  0 .
Din condiția minimului energiei totale se poate determina
starea cea mai joasă a particulei în groapa de potențial de orice
formă. Din aceste considerente rezultă că energia oscilatorului
cuantic nu poate deveni nulă nici la valori nule ale temperaturii
(T=0 K), ci este egală cu energia oscilațiilor nule. Energia minimă
a oscilațiilor oricărei particule în groapa de potențial poate fi
estimată din condiția că în groapa de potențial să încapă cel puțin o
semiundă. Pentru următorul nivel – două semiunde și energia totală
să crească. Dacă sub acțiunea unei forțe externe atomul este scos
din poziția sa de echilibru, atunci el va efectua o mișcare oscilatorie.
Deoarece toți atomii corpului solid sunt legați unul de altul prin
forțe elastice, oscilațiile fiecărui atom se transmit atomului vecin și
în așa mod prin cristalul întreg se propagă unde elastice în trei
direcții. Aceste unde diferă una de alta nu numai prin direcția de
propagare, dar și prin lungimea de undă, defazajul atomilor,
polarizare.
21
 Deoarece caracterul oscilațiilor este complicat din cauza
interacțiunii atomilor, pentru examinarea oscilațiilor se utilizează o
aproximație care se numește aproximație armonică. Considerăm că
deplasarea atomului din poziția de echilibru este mică în comparație
cu constanta rețelei cristaline a : S n  a . Atunci se poate considera
că forțele de interacțiune sunt proporționale deplasării

Fn   f  S n ,

unde S n prezintă deplasarea atomului n ; f - constanta elastică; Fn -
forța rezultantă. Rezultă că cristalul poate fi considerat drept o rețea
în nodurile căreia se află sfere legate între ele prin arcuri elastice
ideale (figura 1.13). Oscilațiile unei sfere se transmit altora și se
propagă în formă de undă elastică.

Figura 1.13. Modelul dinamic al cristalului

Sub acțiunea unei forțe elastice corpul efectuează oscilații

armonice. Ecuația de mișcare este MS   F , unde M este masa
n n

particulei; S - accelerația ei; F - forța rezultantă care acționează

n n
asupra acestei particule.
Ecuații de acest fel în cristalul cu N atomi vor fi 3N ,
deoarece există trei grade de libertate. Pentru a determina soluția
sistemului din 3N ecuații se utilizează încă o aproximație: se
examinează mișcarea colectivă a particulelor în cristal. Mișcarea
colectivă în formă de undă se numește oscilație normală sau modul
22
normal al rețelei. În fiecare din 3N module normale participă toți
atomii cristalului și fiecare atom participă în 3N module normale
ale rețelei.
z


P2
y

 P1
x P3

Figura 1.14. Vectorii de polarizare

Fiecare undă care se propagă prin cristal este caracterizată

prin următorii parametri (figura 1.14):
1. Lungimea de undă  și direcția de propagare. În teoria

oscilațiilor de obicei se introduce noțiunea de vector de undă k ,
care este egal după valoarea numerică cu un număr de unde care
 2
încap într-o unitate de lungime de undă 2 , adică k  , iar

direcția vectorului coincide cu direcția de propagare a undei.

2. Vectorul de polarizare P

 p1 II k - undă longitudinală
Pi ( i 1, 2,3) :  
p2,3  k - undă transversală
 
3. Frecvența undei care în caz general depinde de k și p , adică
 
 (p , k ) .
4. Viteza de propagare. Se cunosc două viteze: de fază
v f   / k și de grup v gr .  d / dk . Pentru unda monocromatică cu
amplitudine constantă care se propagă în direcția ecuației undei
plane este de forma   A sin(kx  t ) , unde   2 . Atunci

23
viteza de fază care este viteza de propagare în spațiu a punctului
cu faza constantă  este:

  kx  t  const . ,

adică
  dx  2
x  t ; vf      .
k k dt k 2

Viteza de propagare a unui pachet de undă cu lungimile de

undă apropiate
d
v gr .  .
dk
În teoria de propagare a undelor rolul principal îl joacă
dispersia, adică dependența frecvenței și a vitezei de propagare a

undei în funcție de lungimea ei și direcția de propagare, adică (k )
și ( ) care este numită relație de dispersie. Pentru a găsi relația
de dispersie trebuie rezolvat un sistem de ecuații pentru atomii ce
oscilează. În aproximare armonică, dependența energiei ca funcție
de distanța dintre atomi se socoate pătratică, iar a puterii – liniară.

1.7. Oscilații acustice și optice. Fononi

Pentru un lanț liniar de atomi cu lungimea L pot avea loc

oscilațiile prezentate în figura 1.15 și anume:

v v v
1.  max  2L ; min  2  2  ;
 2L 

v
2.  min  2a ; max   .
a

24
 2a

1) 2)
Figura 1.15. Ilustrarea oscilațiilor acustice în cristalul
format de un singur fel de atomi

În al doilea caz  min și max depind de constanta rețelei

cristaline și viteza de propagare a undei, adică prezintă caracteristici
specifice cristalului dat. În cristalul format de un singur tip de atomi
sunt posibile doar așa oscilații.
Dacă cristalul este compus din două tipuri de atomi, în el apar
oscilații de același fel când atomii vecini oscilează în aceeași fază,
adică analogic unui lanț omogen (figura 1.16, a).

M m ω1 ω2

L
а) b) c)
ω


0 k
d)

Figura 1.16. Oscilații armonice

25
 În afară de aceasta, pentru lungimile de undă scurte este
posibilă apariția a două oscilații cu frecvențe diferite 1   2
(figura 1.16, b, c) fiindcă frecvența oscilațiilor este determinată de

masa atomilor ce oscilează. La valori    , k  0 -
  0 (figura 1.16, d). Astfel de oscilații sunt numite acustice.
Absolut altfel va fi în cazul când avem oscilații a două
lanțuri de atomi sau a două subrețele ale cristalului. Atomii vecini
oscilează în contrafază. Așa oscilații sunt numite optice (figura
1.17, a), fiindcă ele joacă un rol important în procesele de
interacțiune a luminii cu rețeaua cristalină.

În așa caz atunci când    , k  0 -   max (figura
1.17, b). Astfel în lanțul compus din două tipuri de atomi apar două
ramuri de oscilații acustice și optice. În funcție de direcția

vectorului de polarizare P , aceste ramuri se divizează în
longitudinale și transversale: LA , TA , LO , TO .
ω

Ramura optică
 II
1  Ramurile
2 acustice

L
- π/a

k
а) b)
Figura 1.17. Oscilații optice (а) și curbele de dispersie (b)

Fiecare oscilație normală prezintă o porție de energie și

impuls. Se poate demonstra că energia oscilațiilor normale este
egală cu energia oscilatorului care posedă masa echivalentă cu masa
atomilor ce oscilează și care oscilează cu frecvența egală frecvenței
oscilațiilor normale. Astfel de oscilatoare sunt numite normale.

26
 Energia totală a cristalului este egală cu suma energiilor a
3N oscilatoare independente
3N
Etot .   Ei .
i 1
Oscilatoarele normale nu au nimic comun cu atomii reali în
afară de masă. Oscilatorul prezintă una din oscilațiile normale ale
rețelei în care iau parte toți atomii cristalului care oscilează cu
aceeași frecvență  .
Energia oscilatorului cuantic este cuantificată, adică poate fi
scrisă sub forma:
1
E  (n  ) , n  0, 1, 2, ... ,
2
unde  / 2 prezintă energia oscilației nule ( T  0 K ). Rezultă că
nu pot exista oscilatoare ale rețelei cristaline care nu oscilează.
Prin urmare, este cuantificată și energia oscilațiilor normale.
ε   - prezintă porțiunea minimă a energiei, cuantum, denumit
fonon. Analogic cu fotonii cristalul poate fi considerat ca o ladă
umplută cu un complex de cuanți ai oscilațiilor normale – fononi.
 
Fononul posedă energie și impuls p  k . Această particulă
apare drept rezultat al cuantizării energiei oscilațiilor normale. În
aproximare armonică la care oscilațiile normale sunt independente
putem neglija cu interacțiunea dintre fononi și presupune că ei
formează un gaz ideal. Din aceste considerente cristalul poate fi
tratat ca un gaz ideal format din fononi.
Funcția de distribuție a fononilor coincide cu funcția de
distribuție Boze-Einstein
f (E)  [1 /(e / kT  1) .
Ea prezintă numărul mediu de fononi cu energia  la
temperatura T. Rezultă că fononii formează un gaz Boze degenerat.

27
 2. BAZELE TEORIEI BENZILOR ENERGETICE

2.1. Simetria. Degenerarea. Înlăturarea degenerării

Dacă un sistem posedă câteva stări diferite cu aceeași energie
atunci aceste stări sunt numite degenerate. De exemplu, conform
principiului lui Pauli, pe un nivel energetic pot fi plasați maxim doi
electroni cu spinii contrari, adică așa nivel este dublu degenerat.
Încălcarea simetriei determină eliminarea parţială sau totală a
degenerării: niveluri degenerate se divizează într-o serie de
subniveluri nedegenerate (figura 2.1).
Divizarea nivelelurilor energetice sub acţiunea câmpului
electric se numeşte efect Stark, iar sub influența unui câmp
magnetic - efect Zeeman. Influența câmpurilor externe ameliorează
degenerarea. Îndepărtarea procedurii de regenerare poate fi totală
sau parţială.
E0
E2

E1
 
 vx vx
+ - - -
E2=E0+ΔE E1=E0-ΔE

 E  qε x  x ~ ε x .

Figura 2.1. Nivelurile energetice ale electronului: nivel dublu

degenerat Е0, niveluri nedegenerate Е1 и Е2, Е2-Е1=2∆Е

2.2. Formarea benzilor energetice în cristal

Să analizăm trei atomi de litiu Li , plasați la distanță unul

de altul (figura 2.2, a). Dacă atomii se apropie unul de altul până la
distanța reală, din cristalul de litiu nivelurile se descompun,
formând bandă energetică (figura 2.2, b).
28
 E

2s1

1s2
а)

2s
ΔE
b) 1s

Figura 2.2. Nivelurile electronilor în atomul de litiu:

а) sistemul triplu degenerat din trei atomi de Li independenți;
b) benzi energetice 1s și 2s

În atare caz distanța dintre benzile 1s și 2s E este mult

mai mare decât între subniveluri.
În orice corp solid distanțele dintre atomi sunt mici și fiecare
atom se află sub acțiunea câmpului electromagnetic al atomilor
vecini. Aceasta, la rândul său, duce la înlăturarea degenerării și
formarea benzilor energetice.
Fie că N atomi de Na sunt plasați la distanța r  a unul de
altul. Atunci putem neglija interacțiunea dintre ei și analiza N
atomi independenți în fiecare dintre care distribuția electronilor pe
stări corespunde formulei 1s 2 2s 2 2p 6 3s1 (figura 2.3). Electronul în
atom se află în groapa de potențial. Gropile de potențial sunt
divizate una față de alta prin bariere de potențial cu lățimea r .
Înălțimea barierei pentru diverse niveluri este diferită – ea prezintă
distanța dintre nivelul definit și nivelul nul. Transferul electronului
de la un atom la altul este imposibil din cauza barierei de potențial
înalte.
Acum vom apropia atomii până la distanța r  a (figura
2.4). Curbele de potențial ale atomilor vecini se suprapun parțial, iar

29
curba potențialului rezultant se plasează nu numai mai jos decât
nivelul nul, ci și mai jos decât nivelul 3s . Se micșorează atât
înălțimea, cât și lățimea barierei de potențial.

Figura 2.3. Nivelurile energetice ale electronilor în atomii izolați de

natriu. Pe desen r - prezintă distanța dintre atomi, iar
a - constanta rețelei cristaline a cristalului de Na

Figura 2.4.. Modificarea stării electronilor la apropierea

atomilor de Na

30
 Electronii de pe nivelul 3s devin liberi și se pot deplasa de la
un atom la altul. Funcțiile lor de undă se suprapun, formând un nor
electronic cu densitate echiprobabilă ceea ce corespunde cu
socializarea deplină a electronilor de valență, la care probabilitatea
de a-i depista în orice punct al cristalului este aceeași. Stările
energetice ale electronilor interni practic nu se modifică. Electronii
colectivizați se numesc liberi. Aceștia sunt liberi de atomul
particular, dar nu și de câmpul cristalului. Colectivizarea prezintă o
consecință a echivalenței fizice a tuturor ionilor rețelei cristaline.
Din aceste considerente fiecare electron aparține simultan tuturor
ionilor rețelei. Acești electroni formează în cristal gazul electronic.

2.3. Caracterul de bandă al spectrului energetic al

electronilor în cristal

În atomul izolat spectrul energetic al electronilor este

discret. Electronii sunt distribuiți pe niveluri energetice în
conformitate cu principiul lui Pauli, adică pe fiecare nivel Ei sunt
plasați până la doi electroni cu spini antiparaleli. În cristalul format
de N atomi astfel de niveluri sunt N adică fiecare nivel N aste
degenerat cu gradul de degenerare N . Degenerarea este îndepărtată
atunci când atomii se apropie unul de altul datorită influenței lor
reciproce. Astfel, fiecare nivel energetic al atomului izolat este
divizat în N subniveluri care formează banda energetică (figura
2.5).
De exemplu, nivelul s formează o bandă energetică în care
sunt N subniveluri și 2N electroni, iar nivelul p formează o bandă
p care conține 3N subniveluri și 6N electroni. Distanța dintre
subniveluri este foarte mică (circa 1022 eV), astfel încât zonele
energetice pot fi considerate practic continue. Concomitent trebuie
să ne amintim că numărul de niveluri în bandă este limitat, ceea ce
înseamnă, desigur, că și numărul de electroni din fiecare bandă este
limitat.
O influență majoră asupra electronilor din exterior o exercită
câmpul atomilor vecini. Din aceste considerente stările lor se
31
modifică mai puternic. Benzile energetice, formate de înfășurările
electronice exterioare, sunt cele mai late. Electronii interiori se
confruntă cu doar un slab efect perturbator dirijat de acțiunea
atomilor vecini. Din aceste considerente nivelurile lor energetice se
extind slab.

Benzile
energetice, Niveluri
formate discrete
din ale
niveluri ale atomilor
atomilor izolați

Distanța dintre atomi

Figura 2.5. Clivajul nivelurilor energetice și formarea benzilor

energetice în cristal la apropierea atomilor

Astfel fiecărei stări cuantice a atomului izolat, caracterizat

prin numerele cuantice n , l , m , s , în cristal îi corespunde o bandă
de niveluri permise. Benzile energetice permise sunt divizate cu
benzi interzise. Cu cât mai mare este viteza electronilor, cu atât mai
largă este banda permisă corespunzătoare. Din aceste considerente
din nivelurile adânci ale atomilor se formează benzi energetice
înguste, divizate prin intervale majore de energie.
Nivelurile superioare ale atomilor formează benzi permise
destul de largi cu intervale destul de reduse ale benzilor interzise.
Aceste benzi permise pot să se suprapună între ele.
Altfel se formează benzile în materialele A IV , unde are loc sp -
hibridizarea (figura 2.6). Benzile s și p pentru început se
32
suprapun, apoi iarăși se descompun. Pentru carbon ( C ) – astea sunt
nivelurile 2s și 2p , pentru siliciu ( Si ) - 3s și 3p , pentru germaniu
( Ge ) – stările 4s и 4p .

Figura 2.6. Formarea benzilor energetice în

semiconductoarele grupei a patra

2.4. Umplerea benzilor energetice cu electroni

La un număr limitat de electroni, în cristal sunt umplute doar

câteva benzi energetice permise.
Conform caracterului de umplere a benzilor energetice cu
electroni corpurile solide se împart în două grupe (figura 2.7).
La primul grup (figura 2.7, a) se referă corpurile în care
deasupra nivelurilor saturate se plasează banda umplută parțial.
Astfel de bandă apare atunci, când nivelul atomului din care ea este
formată este umplut parțial. De exemplu, nivelul 3s pentru
Na este umplut doar pe jumătate. Respectiv, banda 3s la fel este
umplută doar pe jumătate. Benzile completate parțial pot apărea și
din cauza suprapunerii benzilor completate pe deplin cu benzi goale
sau completate doar parțial. Prezența benzilor umplute doar parțial
este caracteristică pentru metale. În atare bandă electronii sunt liberi
în toate corpurile solide. Dacă nu există câmp ei se mișcă liber.
33
Divizarea electronilor după viteze este simetrică, adică dacă există

un electron cu viteza v , atunci totdeauna mai este un electron cu
 
viteza  v . Dacă aplicăm la cristal un câmp exterior ε , atunci
 
asupra electronului acționează puterea F  q ε , care încalcă
regulile de simetrie și distribuția electronilor conform vitezei. Adică
o parte de electroni sunt accelerați în câmp, iar alta – frânați, ce este
legat de modificarea energiei electronilor. Ei sunt transferați pe
niveluri noi, cu energie mai mare sau mai mică. Acest lucru poate
avea loc doar în benzile unde sunt și electroni, și stări energetice
libere, adică banda este umplută parțial.

a) b) c)

Figura 2.7. Umplerea benzilor cu electroni în metale (а),

izolatoare (b) și semiconductoare (c)

La grupul al doilea (figura 2.7, b,c) se referă corpurile solide în

care deasupra benzilor umplute se plasează doar benzi libere (Si,
Ge). La acest grup se referă toți semiconductorii și dielectricii. În
atare caz ultima bandă umplută se numește de valență (V), iar prima
liberă – de conducție (C). Intervalul de energie dintre ele se numește
lărgimea benzii interzise (Eg). Câmpul exterior nu poate să modifice
caracterul mișcării electronilor în banda de valență, iar energia lui
nu este suficientă pentru a-i transfera în banda de conducție. Din
aceste considerente curent nu apare. La temperatura T  0K
semiconductorii și dielectricii posedă conductibilitate nulă   0 . Aceștia
sunt izolatori buni. La majorarea temperaturii din cauza excitării termice o
34
porțiune de electroni sunt transferați în banda de conducție, adică ambele
benzi sunt parțial umplute și pot conduce curent. Cu cât mai redusă este
valoarea Eg și cu cât mai mare este temperatura, cu atât mai mulți
electroni sunt transferați în banda de conducție și cu atât mai multe locuri
vacante apar în banda de valență. Analogic influenței temperaturii
electronul poate fi transferat în banda de conducție cu radiația optică dacă
h  Eg . Pentru a descrie mișcarea electronilor în banda de valență
introducem noțiunea de gol. Golul prezintă o particulă fictivă care posedă
sarcina +q.
Din punct de vedere al structurii benzilor energetice materialul este
socotit semiconductor dacă valoarea lărgimii benzii interzise este
Eg  2,5 eV . Dacă Eg  2,5 eV , atunci materialul este socotit
dielectric la temperatura camerei. La majorarea temperaturii și reducerea
valorii pentru Eg fiecare dielectric devine semiconductor.

2.5. Mișcarea electronului în câmpul

periodic al cristalului

Conform ipotezei De Broglie electronului liber, care posedă impulsul

 
p  m0 v ,

unde: m 0 prezintă masa de repaus a electronului liber, iar v - viteza lui
de mișcare, îi corespunde unda cu lungimea
h h
  ,
p m0 v
și frecvența
E
ν ,
h
unde: E prezintă energia electronului, iar h - constanta lui Plank.
În atare caz impulsul electronului poate fi prezentat în forma:
 h 2 
p   k ,
 

35
unde:
h  2
 ; k  .
2 

Fiindcă impulsul electronului este vector, atunci și k - este
  
vector și p  k . Vectorul k este numit vector de undă. Direcția
lui corespunde cu direcția de propagare a undelor de Broglie.
Electronul liber posedă doar energie cinetică. Din această cauză
energia lui este:
2
2
p 2  k
E  .
2m 0 2m 0

Dependența E(k ) este numită relație de dispersie. Pentru
electronul liber această dependență este prezentată în figura 2.8.
Vectorul de undă al electronului liber primește orice valoare,
adică electronul liber poate să se miște în orice direcție cu orice viteză.
Să analizăm mișcarea electronului în câmpul periodic al ionilor plasați
în nodurile rețelei cristaline (figura 2.9).


0 k
Figura 2.8. Curba de dispersie a electronului liber

36
 Figura 2.9. Câmpul periodic al rețelei cristaline

Probabilitatea de depistare a electronului în orice punct al

cristalului trebuie și ea să prezinte o funcție periodică cu perioada
a , adică potențialul periodic al rețelei se modifică la fel cu perioada
a . Această periodicitate nu numai că acționează asupra spectrului
energetic al electronului în cristal, ci și modifică curba de dispersie
care, pentru electronii liberi, are forma unei parabole.
Calculele efectuate pentru un cristal unidimensional cu perioada
a indică, că în fiecare dintre benzile energetice permise energia

electronului este funcție periodică de vectorul de undă k (figura
2.10).
În interiorul fiecărei benzi permise energia crește odată cu
 
majorarea k . La valori k   n ( n  1,2,3,... ) apare decalaj în
a

funcția E(k ) , care provoacă apariția benzilor interzise.

37
  2 
Relațiile k  n  , n  2a , a  n poartă denumirea
a  2
de condiții Vulf-Bragg: pe intervalul 2a se poate plasa un număr
întreg de unde, sau pe distanța dintre planurile rețelei cristaline se
poate plasa un număr întreg de semiunde.
Aceasta este condiția de reflecție completă a undei electronului
de la planurile rețelei la valoarea unghiului de cădere 900.

Figura 2.10. Curbele de dispersie pentru electroni în cristal.

Schema benzilor extinse

În așa mod discontinuități apar la respectarea condiției de

reflecție Bragg a undei electronului de la planurile rețelei cristaline.
Aceasta înseamnă că astfel de undă nu mai poate să se propage în
cristal adică ea suferă reflexie internă completă. Mișcarea
electronului în cristal devine interzisă. Rezultă că pentru valori

k  n(  / a) nu putem neglija unda reflectată.

38
 Concluzii

1. Energia electronului în cristal cu potențial periodic

primește un șir de valori din gama benzilor permise.
2. Spectrul energetic al electronului constă dintr-o serie de
benzi permise și interzise.
3. Modelarea permite calculul aproximativ al formei

dependenței E(k ) în limitele fiecărei benzi energetice permise.

4. Dacă nu luăm în considerare limitarea după k , atunci
nivelurile energetice trebuie să umple benzile permise. Introducerea
condițiilor de limită (cristalul este finit) duce la aceea, că în
interiorul fiecărei benzi permise nivelurile energetice sunt discrete,
iar numărul acestopa – limitat.

2.6. Noțiunea de zone Brillouin


Intervalele valorilor vectorului de undă k , în limitele cărora
energia electronului se modifică continuu, iar la frontiere apar
discontinuități, se numesc zone Brillouin (figura 2.11).
Schema benzilor extinse nu este convenabilă pentru utilizare.
Din aceste considerente se utilizează așa-numita schemă a benzilor
reduse față de prima zonă Brillouin (figura 2.12).
Pentru construirea schemei benzilor reduse deplasăm porțiunile
permise la distanță multiplă 2 / a . Atunci punctul A corespunde
punctului A , B  B , C  C , D  D .
Astfel toate benzile energetice sunt aliniate la prima zonă
Brillouin. La toate benzile impare în centru se plasează minimul
funcției, la frontiere – maximumul. Pentru benzile pare – invers.
Pentru cristalul tridimensional benzile respective se
construiesc analogic. Însă, dacă a  b  c , atunci discontinuități
  
apar în punctul k x  n x , k y  n y , k z  n z . Din această
a b c
cauză o regiune a energiilor, interzise pentru o direcție, poate să se

39
suprapună cu regiunea permisă a energiilor pentru altă direcție și
spectrul energetic poate deveni continuu.

a)

I-Bendă
Brillouin
II-Bendă
Brillouin
III-Bendă
b) Brillouin c)

Figura 2.11. Zonele Brillouin: а) pentru un lanț liniar de atomi;

b) pentru rețea bidimensională: c) pentru o rețea
cubică cu fețe centrate

Schema extinsă Schema redusă

Figura 2.12. Schemele benzilor extinsă și redusă

40
 Figura 2.13. Benzile energetice în cristalul tridimensional

2.7. Masa efectivă a electronului

Să analizăm mișcarea electronului în cristal sub acțiunea

câmpului exterior ε . Asupra electronului acționează forța cu
  
intensitatea Fext.  q ε . În cristal în afară de forța Fext. asupra
electronului mai influențează și câmpul periodic al rețelei cristaline.
Din această cauză mișcarea electronului va fi mult mai complicată
decât mișcarea electronului liber. Viteza de mișcare a electronului
în cristal:
d 1 dE
v gr   ,
dk  dk
unde   E /  , v gr . prezintă viteza de grup de propagare a undelor
de Broglie.

În perioada de timp dt forța exterioară Fexter. efectuează
lucrul privind mișcarea electronului:
F dE
dE  v gr  dt  Fexter.  dt ,
 dk
de unde:
dk d(k ) dp
Fexter.     .
dt dt dt
41
  
În atare caz p  k prezintă impulsul electronului.
Accelerația electronului:
 dv gr 1 d 2E dk 1 d 2E F
w  2  2   2  2  Fexter.  exter. ,
dt  dk dt  dk m
unde
2
m 
d 2E
dk 2
este un coeficient numit masa efectivă a electronului.
Pentru electronul liber funcția de dispersie
 2k 2  2k 2
E , m  2  m0 ,
2m 0 de
dk 2
unde m 0 prezintă masa simplă.
Noțiunea de masă efectivă m * este introdusă pentru comoditatea
de a descrie comportamentul electronului în câmpul periodic al cristalului
sub acțiunea câmpului exterior aplicat. Aceasta nu prezintă o masă
obișnuită și nu definește proprietățile de gravitație ale electronului, sau
proprietățile lui de inerție. m * poate fi >0, așa și <0 (figura 2.14).
Fie că electronul este plasat în banda de conducție în punctul

k  0 . Sub acțiunea câmpului exterior electronul este accelerat,
acesta se deplasează pe nivelurile energetice superioare. La valori
 2
reduse pentru k E ~ k .
Atunci
1
2 d E 
  2
v  k ~ k ; w  const ; m*    2   const .
m*  dk 

În punctul de inflexiune al funcției E(k ) , punctul А,
 
v gr .  max , w  0 , m*   . În punctul dat Fint er .  -Fexter . Pe
 
porțiunea AB Fint er . devine mai mare decât Fextern. . Viteza se

42
micșorează, accelerarea și masa efectivă își modifică semul la
negativ.

Figura 2.14. Ilustrarea determinării masei efective a electronului în cristal

Paradoxul noțiunii de masă efectivă:

1) masa efectivă se comportă straniu: se modifică în limite
majore de la   până la   , schimbă semnul în punctul de

inflicțiune al funcției E(k ) ;
2) accelerarea electronului la fel își modifică semnul, adică
sub acțiunea uneia și aceleiași forțe își schimbă direcția pe cea
inversă. În punctul de inflicțiune accelerarea este nulă, adică parcă
forța exterioară nu acționează. La modificarea de mai departe a

valorii k comportarea electronului estre caracteristică unei
43
particule pozitive, adică electronul se comportă ca particulă cu
sarcina +q, deci se transformă în gol.
Atare caracter de comportare a electronul se lămurește prin
modificarea raportului dintre forțele exterioară și interioară. Pe
   
porțiunea 0 A : Fext.  Fint . . În punctul A : Fext .  Fint . . Pe porțiunea
 
AB : Fext.  Fint . . În punctul B electronul este reflectat de planul
rețelei cristaline (refracția Bragg) ce duce la apariția lui în punctul
B . Apoi totul se repetă în direcție inversă.
Noțiunea de masă efectivă m * este valabilă doar pentru valori
 
k în apropierea de 0,  n . În regiunea unde m*   , modelul nu
a
este valabil.

a) b)

Figura 2.15. Modelul care lămurește acțiunea câmpului

electric asupra electronului (a) și golului (b)

În figura 2.15 este ilustrat modelul care lămurește acțiunea

câmpului electric asupra electronului și golului. Electronilor le
corespund picăturile de apă, iar golurilor bule de aer. Când nu este
aplicat câmp eprubetele sunt plasate orizontal. Înclinația lor
corespunde acțiunii câmpului electric.
Masa efectivă diferă foarte mult de la cristal la cristal și este

definită de curbura funcției E(k ) , adică invers proporțională
curburii. Cu cât este mai lată banda permisă – cu atât curbura
funcției este mai mare și mai mică masa efectivă m * . La nivel
discret m*   , fiindcă curbura este egală cu zero. În atare caz

44
mișcarea electronului nu este posibilă. În benzile superioare
electronul posedă mobilitate majoră și valoarea m * poate fi < m 0 .
Masa efectivă caracterizează gradul de libertate de trecere a
particulelor prin bariera de potențial. În cazul barierelor largi m *
este majoră și, invers.

2.8. Stări localizate ale electronilor în cristale

cu multe impurități
În orice cristal sunt prezente multe defecte. Ele influențează
asupra mișcării electronului. Prezența defectelor rețelei cristaline
provoacă și perturbarea periodicității potențialului în cristal. Din
această cauză la apropierea de defect are loc modificarea traiectoriei
de mișcare a electronului. Destul de des prezența impurităților
micșorează înălțimea barierei de potențial care, la rândul său, duce
la apariția gropilor de potențial în surplus. Mișcarea electronului se
frânează, sau el poate fi captat și localizat pe defect. În așa mod apar
niveluri energetice locale (figura 2.16).
În germaniul dopat cu arsenură unul din electroni este legat cu
As mult mai slab, decât ceilalți patru (figura 2.16, а).

а) b)
Figura 2.16. Impuritate donor (а) și acceptor(b) în germaniu

Din aceste considerente pentru a-l rupe de la atom este

necesară energia Ed  Eg . La rupere se ivesc electroni liberi în
banda de conducție. În Ge permeabilitatea dielectrică ε  16 ,
45
adică forța de atracție este de ε mai redusă, iar energia de
legătură de ε mai mică decât în vid. În afară de aceasta se
micșorează și m*  m 0 și sarcina efectivă q*  q / ε  q / 4 . În
Ge: As m*  0,2m 0 , iar energia de legătură Ed  0,01 eV. În așa
mod, oferind electronului energia 0,01 eV, obținem un electron
liber. Din punct de vedere al teoriei benzilor energetice, acest lucru
poate fi ilustrat prin apariția unui nivel în banda interzisă în
apropiere de banda de conducție (figura 2.17, a). La eliberarea
electronului, atomul de arseniu se încarcă pozitiv, formând un ion
pozitiv.

а) b)

Figura 2.17. Semiconductori cu nivel energetic donor (а) și acceptor (b)

Temperatura la care are loc ionizarea atomului

T  Eg / k  120  150K ,
unde k este constanta Boltzman.
La atare temperatură toți electronii formați de impurități în
germaniu sunt liberi și participă la conducție. Impuritățile care la
ionizare furnizează electroni în banda de conducție sunt numiți de
donori, iar nivelurile – donoare (tip-n). Să analizăm cazul când una
din legăturile atomului de impuritate nu este completată. Ea poate fi
completată în acel caz, când un electron de la Ge se va transfera pe
locul liber la In (figura 2.16, b). Indiul se încarcă negativ ( In  ), iar
lângă Ge se formează o vacansie încărcată pozitiv – gol. Acest
lucru poate fi ilustrat prin apariția unui nivel energetic în apropierea

46
benzii de valență la distanța Ea de nivelul E V (figura 2.17, b). Din
banda de valență electronii au posibilitatea de a se transfera pe
nivelul Ea la temperaturi destul de reduse. Legându-se cu In , ei
nu se mai mișcă prin rețeaua cristalină. În atare caz conductibilitatea
poate fi din cauza transferului electronului prin salt de la un atom de
Ge la altul. Impuritățile care acaparează electronii din banda de
valență sunt denumite acceptori. Ele formează niveluri acceptoare
în banda interzisă (tip-p).
Este posibilă situația cu impurități care posedă doi electroni. În
atare caz vom obține două niveluri energetice în banda interzisă.
Impuritățile pot oferi concomitent niveluri donoare și acceptoare.
Astfel de impurități în germaniu sunt Au , Fe , Ni .
Conform gradului de dopare putem distinge:
1) dopare slabă – impurități sunt puține, pe diagrama
energetică este un singur nivel E d ;
2) dopare medie – concentrație destul de mare a
impurităților. Apare probabilitatea tranzițiilor de tip tunel între
diferiți atomi. Se formează banda de impurități E d .
3) dopare puternică – impurități sunt foarte multe. Banda de
impurități se lărgește și se contopește cu cea mai apropiată bandă
permisă (figura 2.18, а, b, c).

а) b) c)

Figura 2.18. Diagramele energetice pentru trei grade de dopare a

semiconductorului: a – dopare slabă; b – dopare medie;
c – dopare puternică

47
 Conform caracterului de schimb cu banda respectivă distingem:
1) niveluri de alipire - sunt plasate în apropierea graniței benzii
și interacționează activ cu ea. Electronii fiind activați termic sunt
transferați în banda permisă și apoi iarăși captați de capcană. Un proces
similar are loc și pentru golurile de lângă banda de valență. Aceasta
duce la majorarea timpului efectiv de viață al purtătorilor de sarcină
(figura 2.19, а);
2) niveluri adânci - sunt plasate departe de marginea benzii.
Joacă un rol extrem de important în procesele de recombinare.
Transferul invers în banda corespunzătoare este puțin probabil (figura
2.19, b);
3) excitoni. La excitarea electronului, acesta nu rupe legătura
de gol ci se transferă pe o orbită superioară (figura 2.19, c).
Concomitent se păstrează interacțiunea cu caracter electric (culon)
între electron și gol. Excitonul prezintă o analogie a atomului de
hidrogen unde golul prezintă nucleul, iar electronul se rotește în jurul
centrului de greutate comun. Orbita electronului depinde de nivelul de
excitare. Astfel de stare nu poate exista mult timp. La anihilare energia
excitonului este transferată altui electron și iarăși apare un exciton,
adică excitonul migrează prin cristal iar curentul lipsește. El este
neutru, adică sarcina excitonului este nulă. Tranzițiile excitonice se văd
pe spectrele de iradiere ale cristalului (luminescență excitonică).

а) b) c)

Figura 2.19. Modalități ale nivelurilor energetice ale electronilor

în semiconductoare: a) niveluri de alipire;
b) niveluri adânci; c) niveluri excitonice

Distrugerea excitonului provoacă apariția surplusului de

electroni și goluri care, la rândul său, majorează valoarea
conductivității cristalului.

48
 Capitolul 3. STATISTICA ELECTRONILOR ȘI A
GOLURILOR ÎN SEMICONDUCTORI

3.1. Funcția de distribuție

Funcția de densitate a stărilor
Pentru a determina concentrația purtătorilor de sarcină în
semiconductoare sunt utilizate legile statistice. Pentru aceasta este
necesar a determina numărul stărilor cuantice și probabilitatea de
umplere a acestora cu particule. Presupunem că într-o unitate de
volum a cristalului semiconductor în gama energiilor de la E până
la E  dE există dg stări cuantice. Să notăm prin g(E) densitatea
stărilor, adică numărul de stări pe o unitate de energie într-o unitate
de volum. Atunci g(E)  dg / dE prezintă densitatea stărilor. Să
notăm prin fn (E) probabilitatea de umplere a stărilor cu electroni.
Atunci numărul electronilor într-o unitate de volum cu energia în
gama ( E , E  dE ) este:
dn  fn (E)g(E)dE .
Concentrația totală a electronilor în gama de la E1 la E 2 se
determină prin integrarea după toate stările în această gamă
E2

n 0   fn (E)g(E)dE ,
E1

adică pentru calculul concentrației trebuie să cunoaștem forma

concretă a funcțiilor fn (E) și g(E) .
Se disting două modalități de colective: degenerate și ne-
degenerate.
Colectivele în care este puțin probabil ca particulele să se
plaseze pe aceleași stări energetice din cauza unui număr mare
de stări vacante sunt denumite ne-degenerate.
Dacă numărul stărilor este aproximativ egal cu numărul
particulelor, colectivul este numit degenerat.
Se disting colective degenerate de bozoni (fotoni, fononi) și
fermioni (electroni, protoni).

49
 Statistica colectivelor ne-degenerate o prezintă statistica
clasică Maxwell-Boltzmann. Funcția de distribuție Maxwell-
Boltzmann este:
1
fМ  B  E   .
e kT
Statistica bozonilor prezintă statistica Bose-Einstein:
1
fB  E  E   .
e kT
1
Distribuția electronilor după stările energetice ale statelor de
energie este supusă principiului Pauli. Funcția de distribuție care
definește probabilitatea de ocupare cu electroni a nivelurilor cu
energia E la temperatura T se numește funcție de distribuție Fermi-
Dirac:
1
fF  D  E   .
e kT
1
În toate expresiile de mai sus pentru funcțiile de distribuție E
prezintă energia stării energetice;  - parametru al funcției. În cazul
nostru  prezintă potențialul chimic al sistemului
 E 
  ,
 N  T , V
care exprimă modificarea energiei interioare a sistemului la variația
numărului de particule în el cu una singură și valori constante ale
temperaturii și volumului.
Să analizăm condițiile de echilibru ale sistemului, numărul
total al particulelor, care rămâne constant, însă particulele pot să se
transfere dintr-un corp în altul.
De exemplu, două metale ce se află în contact la temperatura
T  const . Fie potențialul chimic al primului este 1 , iar pentru al
doilea -  2 . Atunci 1N   2N , unde  1N prezintă majorarea
energiei primului corp din cauza tranziției în el a N particule
dintr-al doilea corp;  2N micșorarea energiei corpului doi din
50
cauza plecării a N particule. Atunci 1   2 prezintă condiția de
echilibru a sistemului – egalitatea potențialelor chimice în toate
regiunile sistemului.
Să determinăm funcția densității stărilor g n (E) . Valorile

admise pentru vectorul de undă al electronilor k în fiecare din benzi
corespunde cu valorile vectorilor de undă ale undelor elastice în

cristal. Pentru ele numărul de valori permise ale lui k în intervalul
 
k  k  dk este dg  ( Vk 2dk ) / 2 2 , unde V prezintă volumul
cristalului. Spre deosebire de undele elastice, fiecărei valori permise

pentru k a electronilor corespund două stări cu diferiți spini. Prin
urmare, pentru electronii din cristal numărul de stări în gama
 
k  k  dk este egal cu dg  ( V /  2 )k 2dk . Relația de dispersie în
partea de jos a benzii de conducție E  ( 2k 2 ) /( 2m *n ) , adică
k  ( 2m *n E) / h 2 , dE  ( 2 2kdk ) /( 2m *n ) , kdk  (m *n dE) /  2 .
Atunci funcția densității stărilor pentru electroni în cristal are forma:
dg V ( 2m*n )3
g n (E)     E – numărul stărilor pentru
dE  2 3
intervalul energetic unitate. Pentru goluri în partea de sus a benzii
de valență
E   E g  [( 2k 2dk ) /( 2m *p )] .
Rezultă:
V ( 2m*p )3
g p (E)  2   Ev  E .
 3
În figura 3.1 este prezentată funcția de densitate a stărilor în
banda de conducție și banda de valență ale unui semiconductor.
dg V ( 2m*n )3
g n ( E)     E,
dE  2 3
V ( 2m*p )3
g p (E)  2   Ev  E .
 3
51
 Figura 3.1. Funcția de densitate a stărilor în
banda de conducție și banda interzisă

3.2. Noțiunea de nivel Fermi

Caracterul distribuției statistice a electronilor la temperatura
T  0K poate fi determinat din următoarele considerente. Metalul
pentru electronii liberi prezintă o groapă de potențial, pentru
părăsirea căreia este necesar a înfrunta puterile care mențin
electronul în metal. Drept nivelul «0» este socotită energia în afara
metalului, unde câmpul format de ionii pozitivi este nulă. Fiindcă
electronii sunt fermioni, atunci, conform principiului Pauli, fiecare
dintre ei ocupă nivelul său, începând cu cel de mai jos. Ultima stare
ocupată va fi N / 2 , unde N este numărul electronilor în metal.
Nivelul energetic  , care corespunde acestei stări, este denumit
nivel Fermi (figura 3.2). Față de «0»   0 .

Electronii de pe nivelul Fermi vor poseda energie cinetică maximă.

Această energie se măsoară din partea de jos a gropii și întotdeauna
EF  0 . Destul de des în loc de  se utilizează EF .
Să analizăm cum sunt distribuiți electronii după stările
energetice în funcție de temperatură. Când T  0 toate nivelurile în
banda de valență ( V ) sunt ocupate, iar toate nivelurile în banda de
conducție ( C ) - libere. Umplerea nivelurilor în banda de valență
V corespunde funcției de distribuție a densității stărilor energetice.

52
 Figura 3.2. Ilustrarea nivelului Fermi în metale

Funcția de distribuție Fermi-Dirac (figura 3.3) este:

 1, E  EF , T  0
1 
f n (e )  E EF
  0, E  EF , T  0 .
e kT
 1 1/ 2, E  EF , t  0

Graficul dependenței f n (e) pentru diferite temperaturi este

prezentat în figura 3.3.

Figura 3.3. Funcția de distribuție Fermi-Dirac pentru

diferite temperaturi

53
 Suma probabilităților:
fn  fp  1 ,
unde f n prezintă probabilitatea ocupării nivelului cu electron, iar f p -
probabilitatea ocupării nivelului cu gol.
Atunci
1
fp  1  fn  E F  E .
e kT  1

Din punct de vedere al statisticii, nivelul Fermi prezintă

nivelul, probabilitatea de umplere a căruia la orice temperatură
diferită de zero este 1 / 2 .
La T  0K în semiconductorul intrinsec în care n  p nivelul
Fermi este plasat în apropiere de mijlocul benzii interzise ( Eg ). La
majorarea temperaturii fn (E) se destramă într-o curbă lină (vezi
figura 3.4).

Figura 3.4. Funcția de distribuție în semiconductorul intrinsec

Când T  0 probabilitatea apariției electronilor în banda de

conducție C și a golurilor în banda de valență V diferă de zero.
Probabilitățile sunt egale, adică n  p . Cu cât mai mare este energia
nivelului în banda permisă, cu atât este mai redusă probabilitatea că

54
el va fi ocupat de electron sau gol. La majorarea temperaturii
această probabilitate crește, adică se majorează energia medie a
electronului. Nu trebuie să ne deranjeze faptul că funcția fn  0 și în
banda interzisă. Ea poate fi utilizată doar acolo unde sunt niveluri
energetice.
În semiconductorul de tip- n un număr mare de electroni se
transferă în banda de conducție C de pe niveluri donoare. Fiind fapt
că apariția unor astfel de electroni nu este legată de apariția
vacansiilor în banda de valență V , probabilitatea că electronii vor
apărea în banda C este mai mare decât probabilitatea apariției
golurilor în banda V , iar aceasta, la rândul său, provoacă
deplasarea nivelului Fermi spre banda de conducție.
Cu cât este mai mare concentrația donorilor, cu atât este
plasat mai sus nivelul Fermi (figura 3.5, a).

а) b)
Figura 3.5. Funcția de distribuție în semiconductoarele de tip-n (a) și tip-p (b)

. În semiconductoarele de tip- p nivelul Fermi se deplasează

către banda de valență (figura 3.5, b) la creșterea concentrației
acceptorilor. Dacă E  EF  3kT , atunci cu «1» în expresia pentru
funcția de distribuție putem neglija. Astfel obținem:
EF  E
1
fn  E  E F  e kT .
e kT

55
 Aceasta prezintă funcția de distribuție pentru statistica clasică
Maxwell-Boltzmann pentru semiconductorul non-degenerat.

3.3. Concentrația electronilor și a golurilor

în semiconductoare

Expresia pentru concentrația electronilor și a golurilor în

semiconductoare o putem obține dacă luăm integrala:
E EF  E 
1 C max
V E Cmin
n g(E)f (E)dE  N ce kT
 N ce kT
,

unde:
  EF  Ec ;

2( 2m*nkT)3 / 2
Nc  ;
h3
Pentru goluri
E v EF (Eg   )

p  N ve kT
 N ve kT
;

     E g ;

   E g   ;

2( 2m*pkT)3 / 2
Nv  ,
h3

iar N C , N V - densitatea de stări efective dată la partea de jos sau de

sus a benzii permise, adică numărul de stări într-o gamă restrânsă de
energie, umplută de electroni și goluri.

56
Figura 3.6. Nivelul Fermi pentru electroni și goluri în semiconductoare

3.4. Statistica purtătorilor de sarcină

în semiconductorul intrinsec

În caz general:
n  p ;  n   p (figura 3.7).

Figura 3.7. Cvasinivelurile Fermi pentru semiconductor în caz de neechilibru

Atunci
n p
 n  kT ln ;  p  kT ln .
Nc Nv
La echilibru în semiconductorul intrinsec

n  p ; n  p   .
Deci
 (Eg  )

N ce kT  N ve kT
.

57
Transformând această egalitate obținem:
*
E kT N v E 3kT m p
 g  ln  g  ln * .
2 2 Nc 2 4 mn
Pentru T  0K din această ecuație primim:
E
 g .
2

Odată cu majorarea temperaturii nivelul Fermi în

semiconductorul intrinsec crește lent la un raport m*n  m*p sau
descrește lent când m*n  m*p (figura 3.8).

Figura 3.8. Dependența poziției nivelului Fermi în funcție de

temperatură în semiconductorul intrinsec

Concentrația electronilor în semiconductorul intrinsec

 Eg 1 N v Eg
  ln 
n i  N ce kT
 N ce 2 kT 2 N c
 NcN v e 2 kT
.

58
 Dependența concentrației n i de temperatură este prezentată
în figura 3.9.

Figura 3.9. Dependența concentrației purtătorilor de sarcină

liberi în funcție de temperatură în semiconductorul
intrinsec

3.5. Statistica purtătorilor de sarcină în

semiconductorii cu impurități

1) Semiconductorul donor (tip- n ).

Expresia pentru dependența poziției nivelului Fermi  de
temperatură în semiconductorul donor poate fi obținută dacă în
dependența (T) pentru semiconductorul intrinsec se substituie
Eg cu Ed și N V cu N d . Acest lucru este posibil fiindcă în
semiconductorul donor purtătorii de sarcină se transferă de pe
nivelul donor Ed pe nivelul EC (figura 3.10, a).
Atunci expresia pentru concentrația electronilor în funcție de
temperatură are forma:
Ed

n  NcNd e 2 kT
,

59
iar dependența poziției nivelului Fermi în funcție de temperatură

Ed kT N d
  ln .
2 2 Nc

μ(T ln n
E Ec E Ec
Ed Ed ln ni
Ei μi= Ei
1 2 3
Ev Ev 3 2 1

0 Ts Ti T 0 1/Ti 1/Ts 1/T

а) b) c)

Figura 3.10. Diagrama energetică (a), dependența energiei Fermi (b) și

concentrația electronilor în semiconductorul tip-n (c) de temperatură
( Ei – mijlocul benzii interzise)

Vom analiza două cazuri:

a) dopaj slab, adică N d  N C la valori reduse ale temperaturii unde
N d prezintă concentrația impurității de tip n .
b) dopaj puternic când N d  N C .
În ambele cazuri pentru valori T  0K   Ed / 2 , adică nivelul
Fermi este plasat la mijloc între E d și EC . La majorarea temperaturii N C
crește proporțional T 3 / 2 iar N d rămâne constant. În caz de dopaj slab,
nivelul Fermi se va micșora lent odată cu majorarea temperaturii. În al
doilea caz nivelul Fermi pentru început se va ridica în sus, apoi se va
deplasa în jos (figura 3.10, b). În ambele cazuri odată cu majorarea
temperaturii nivelul Fermi se deplasează spre poziția nivelului Fermi al
semiconductorului intrinsec  i  EG / 2 .
În figura 3.10,c este prezentată dependența concentrației
purtătorilor de sarcină de temperatură în semiconductorul dopat care
conține trei intervale de temperatură: 1 – regiunea conducției prin

60
impurități; 2 – regiunea epuizării impurităților; 3- regiunea de
conducție intrinsecă.
2) Semiconductorul acceptor (tip- p ).
În acest caz în expresia pentru nivelul Fermi în
semiconductorul intrinsec putem substitui Eg cu Ea și N C cu N a ,
unde N a prezintă concentrația acceptorilor. În atare caz are loc
schimbul cu purtători de sarcină dintre nivelul acceptor Ea și nivelul
E V (vezi figura 3.11, a).

E E
Ec Ec
μ(T
Ei Ei
Ea
Ev Ev
0 Ts Ti T

а) b)
Figura 3.11. Diagrama energetică (a) și dependența energiei Fermi (b)
de temperatură pentru semiconductorul de tip-p
( Ei – mijlocul benzii interzise)

Astfel obținem expresia pentru concentrația golurilor:

 Ea

p  N ve kT  N v N a e 2 kT

și dependența poziției nivelului Fermi de temperatură

E kT N v
 a  ln .
2 2 Na
Analizăm acum două cazuri analogice ale semiconductorului
donor: a) dopaj slab, adică N a  N V la valori reduse ale
temperaturii și b) N a  N V - dopaj puternic.
Analogic semiconductorului donor, la dopaj slab nivelul
Fermi la majorarea temperaturii se va deplasa lent în sus, iar la
dopaj puternic – se va deplasa în jos, apoi se va deplasa în sus
61
tinzând spre nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec (figura
3.11, b).
3) Semiconductoare în care sunt prezente ambele tipuri de
impurități, semiconductoare compensate (figura 3.12).
Dacă în semiconductor sunt niveluri donor Ed și acceptoare
Ea atunci electronii de pe nivelul Ed vor fi captați de nivelul Ea
(figura 3.12, a). În atare caz concentrația purtătorilor de sarcină
liberi și tipul lor va fi definită de relația dintre N d și N a , unde
N d prezintă concentrația donorilor, iar N a - concentrația
acceptorilor.

E
Ec E
Ec
Ed
Eg/2
Ea
Ev Ev

Nd(Na=0) 0 Na(Nd=0)

а) б)
Figura 3.12. Diagrama energetică a semiconductorului compensat (a)
și dependența energiei Fermi de concentrația impurităților
donor și acceptoare (b)

Dacă N d  N a semiconductorul este numit compensat total.

Astfel de semiconductor se comportă ca un semiconductor intrinsec.
În figura 3.12, b este prezentată dependența nivelului Fermi în
semiconductoare care conțin ambele tipuri de impurități în funcție
de raportul dintre N d și N a . La valori N d  N a nivelul Fermi
EF   EG / 2  Ei . Dacă N a se micșorează până la zero, nivelul
Fermi se deplasează în sus (semiconductor donor), iar la micșorarea
N d se deplasează în jos (semiconductor acceptor).

62
 3.6. Purtătorii de sarcină majoritari și minoritari.
Legea acțiunii de masă

Purtătorii de sarcină concentrația cărora prevalează sunt

numiți purtători de sarcină majoritari (electronii în
semiconductoare de tip-n și golurile în semiconductoare tip-p).
Ceilalți purtători de sarcină sunt numiți minoritari – golurile în
semiconductorul tip-n și electronii în semiconductorul tip-p. În
stare de echilibru concentrația purtătorilor de sarcină se notează în
modul următor:
nn0 - purtători majoritari în semiconductor de tip-n;
pp0 - purtători majoritari în semiconductor de tip-p;
np0 - purtători minoritari în semiconductor de tip-n;
pn0 - purtători minoritari în semiconductor de tip-p.

La echilibru:
 (Eg   )

n 0  N ce kT
; p 0  N ve kT
.
Atunci
Eg

n 0p 0  N c N v e kT
 n i2 ,
unde
Eg

ni  NcN v e kT

prezintă concentrația purtătorilor de sarcină în semiconductorul

intrinsec.
Legea acțiunii maselor:
n n 0p n 0  p p 0n p 0  n i2

În stare de echilibru produsul concentrației purtătorilor

majoritari la concentrația purtătorilor de sarcină minoritari este
egal cu pătratul concentrației purtătorilor de sarcină în
semiconductorul intrinsec la temperatura dată.

63
 3.7. Purtătorii de sarcină de ne-echilibru
În afară de excitarea termică sunt și alte metode de apariție a
electronilor și golurilor libere: generarea cu iradiere optică,
radiația, injectarea prin contact. Acest lucru duce la apariția
purtătorilor de sarcină în surplus față de concentrația purtătorilor de
sarcină la echilibru.
În acest caz este necesară energiea care se utilizează pentru
excitarea purtătorilor de sarcină. Concomitent energia termică a
rețelei cristaline rămâne neschimbată.
Din această cauză purtătorii de sarcină nu se află în stare de
echilibru termic cu rețeaua cristalină și sunt numiți purtători de
sarcină de ne-echilibru. Spre deosebire de cei de echilibru ei pot fi
distribuiți neuniform în volumul cristalului, localizați în regiuni
separate. Cu timpul din cauza interacțiunii cu rețeaua, energia lor se
micșorează și se echilibrează cu energia purtătorilor la echilibru și
energia rețelei cristaline. Relaxarea are loc în perioada de timp
t  med . , unde  med . - timpul mediu de viață al purtătorilor de
sarcină de ne-echilibru.
La acțiunea factorului exterior asupra semiconductorului
concentrația purtătorilor de sarcină de surplus crește rapid, apoi
creșterea încetinește din cauza procesului invers – recombinării.
Apare echilibrul staționar atunci când rata de generare este egală cu
rata de recombinare.
Concentrația purtătorilor de sarcină de ne-echilibru se notează
n  n  n 0 , p  p  p 0
unde n și p sunt concentrații totale; n 0 și p 0 - concentrații de
echilibru.
Dacă în cristal nu este sarcină spațială, atunci:
  q(  n   p )  0 ,
adică n  p - condiția de electroneutralitate.
Concentrația electronilor și golurilor la echilibru este
determinată de nivelul Fermi la echilibru și de temperatură:
 (Eg   )

n 0  N Ce , p 0  N V e
kT kT
.
64
 În acest caz nivelul Fermi pentru electroni și goluri este același
n  p   .
În condiții de ne-echilibru
n  n 0  n ; p  p 0  p ;  n   p   .
 n și  p sunt numite cvasinivelurile Fermi.
La echilibru
Eg

n 0p 0  N c N v e kT
 n i2 .

În condiții de ne-echilibru
n (Eg  p )

n  N ce ; p  N v e
kT kT
.
Atunci produsul concentrațiilor totale
Eg n p n p

n  p  N c N ve kT
e kT
 n 0p 0 e kT
,
iar
np np
 n   p  kT ln  kT ln 2 ;
n 0p 0 ni

n p
 n    kT ln ;  p    kT ln .
n0 p0

Deci  n și  p cu atât mai puternic diferă unul de altul și de nivelul

Fermi la echilibru cu cât este mai majoră concentrația purtătorilor
de sarcină de ne-echilibru n și p .

3.8. Modalitățile de recombinare a purtătorilor de sarcină

Să analizăm două modalități de recombinare a purtătorilor de
sarcină:
1) recombinare interbandă;
2) recombinare prin centre locale.

65
 La recombinare interbandă în condiții de echilibru termic
viteza de recombinare este proporțională cu n 0 și p 0 și este egală cu
viteza de generare
R 0 ~ n0 и p0 ; R 0  g0 ,
atunci
R 0  n 0p 0  n i2  g 0 ,
g
unde   02 prezintă coeficientul de recombinație.
ni
La acțiunea factorilor exteriori, adică în condiție de
neechilibru:
n  n  n 0 ,
p  p  p 0 .
În acest caz viteza de recombinare
R 0  r  g  g 0   (n 0  n )(p 0  p ) 
g
 02 (n 0p 0  p 0 n  n 0 p  n  p ) .
ni
Pentru un nivel redus de excitație concentrația purtătorilor de
surplus este cu mult mai mică decât concentrația purtătorilor de ne-
echilibru.
R 0  R   n 0 p 0    n( n 0  p 0   n ) ,
iar viteza de recombinare a purtătorilor de exces
g g
R  02 n(n 0  p 0  n )  02 n(n 0  p 0 ) ,
ni ni
adică la nivel redus de excitație viteza de recombinare ~ n . În
atare caz recombinarea se numește liniară.
Pentru recombinarea liniară timpul de viață
n n n  n i2
    f ( n ) ,
R g g 0  n( n 0  p 0 )
adică nu depinde de concentrația purtătorilor de exces și de
intensitatea excitării (figura 3.13)
La nivel înalt de excitare n  n 0  p 0 :
66
 g0
R ( n ) 2 .
n i2
Așa recombinare se numește pătratică.

n n2 1
  i  .
R g 0  n n
În acest caz viteza recombinării R ~ n 2 , iar timpul de viață
este invers proporțional concentrației purtătorilor de surplus.

Figura 3.13. Dependența vitezei de recombinare de nivelul de excitare

Degajarea de energie poate avea loc sub formă de cuante de

lumină h - recombinare radiativă, sau sub formă de căldură (fononi)
– recombinare fotonică. Recombinarea radiativă este mai probabilă la
temperaturi înalte în semiconductoare cu bandă interzisă îngustă.
Pentru semiconductoarele cu bandă largă este caracteristică
recombinarea neradiativă care are loc prin centrele locale (figura 3.14).
Ec
1 3

2
Ev
Figura 3.14. Recombinarea prin nivel local în banda interzisă

67
 Nivelul local poate acapara electronul, transformându-se în ion
cu sarcină negativă. Apoi electronul recombină cu golul din banda
de valență.
Are loc procesul probabilitatea căruia este mai mare - 2 sau 3
din figura 3.14. Probabilitatea acestei recombinări este mult mai
mare decât a recombinării «bandă – bandă».
Dacă nivelul este plasat adânc în banda interzisă atunci el
prezintă un centru efectiv de recombinare.
Dacă sunt câteva căi de recombinare, care nu depind una de
alta, atunci probabilitatea recombinării este egală cu suma
probabilităților recombinărilor prin diferite canale, iar timpul
efectiv de viață
1 1
 ,
 ef . k k

adică este determinat de recombinarea cu cel mai scurt timp de

viață.
În procesul de recombinare participă toate nivelurile de
recombinare, însă rolul principal îl joacă nivelul plasat în apropierea
nivelului Fermi.

3.9. Ecuația de continuitate

Comportarea purtătorilor de surplus în semiconductor este
descrisă de ecuația de continuitate.
Să analizăm cazul unidimensional. Fie că avem gradient al
concentrației purtătorilor de sarcină grad n în direcția axei
x (figura 3.15). Fie că acest gradient este format, de exemplu, prin
injectarea purtătorilor de sarcină prin contact și, concomitent,

acționează câmpul εx  0 . Vom analiza un strat cu grosimea dx și
suprafața S  1 сm2. Volumul stratului V  1  dx  dx .Fie
că n( x, t ) - concentrația electronilor în stratul dx în momentul de
timp t . Atunci n( x, t  dt ) - concentrația electronilor în stratul dx
în momentul de timp (t  dt ) . Modificarea numărului de particule
în stratul dx pentru perioada de timp dt poate fi scrisă ca:

68
 n
[n( x, t  dt )  n( x, t )]dx   dt  dx ,
t
n
 0.
x

dx 
n1 n2 ε x

Jn(x) Jn(x+dx)

x x+dx x
n1>n2
Figura 3.15. La deducerea ecuației de continuitate

Această modificare este determinată de patru procese:

1. Generarea: în perioada de timp dt în stratul dx se
generează gdxdt purtători de sarcină.
2. Recombinarea: în perioada de timp dt în stratul dx se
n  n0
combină Rdtdx  dtdx purtători de sarcină.
n
3. Difuzia: are loc din cauza gradientului n( x) .

4. Driftul: are loc sub acțiunea câmpului εx . Ultimele
două procese provoacă modificarea fluxului de
purtători de sarcină în direcția axei x :

I n ( x )  I n ( x  dx ) ,
unde I n ( x  dx ) este fluxul purtătorilor în punctul ( x  dx ) . Atunci
I
[I n ( x )  I n ( x  dx )]dt   n  dx  dt .
x
69
 Modificarea numărului total de purtători de sarcină în stratul
dx pentru perioada de timp dt este:
n I
 dt  dx   n  dx  dt  g  dx  dt  R  dx  dt .
t x
Pentru electroni:
n I n  n0
 n g .
t x n
Analogic pentru goluri:
p I p  p0
 p g .
t x p
Fluxul particulelor este legat cu curentul prin relația
j j
In   n , Ip  p ,
q q
unde jn , jp prezintă densitățile curenților electronilor și golurilor.
Acești curenți sunt definiți de două componente: curentul
ohmic jn și curentul de difuziune jnD . Curentul total pentru
electroni
n
jn  jn  jnD  qn n  x  qDn ,
x
iar curentul de goluri
p
jp  jp  jpD  qp p  x  qDp ,
x
unde Dn , Dp prezintă coeficienții de difuziune pentru electroni și
goluri.
Semnul «minus» este definit de faptul, că difuzia golurilor
este îndreptată împotriva gradientului grad p , adică în direcția
unde goluri sunt mai multe:

n  2n n n  n0
 Dn 2   n  x g - pentru electroni;
t x x n

70
 p  2p p p  p0
 Dp 2   p  x g - pentru goluri.
t x x p
Pentru cazul tridimensional ecuația continuității are forma
n n  n0
 Dn 2n   n  x grad(n )  g  ;
t n
p p  p0
 Dp 2p   p  x grad(p )  g  ,
t p
unde:
2 2 2
2    ;
x 2 y 2 z 2
     
grad  i j k ,
x y z
  
i , j , k - vectorii unitate în direcțiile axelor x , y , z .
În condiții staționare

n p
 0,  0.
t t

Atunci ecuația de continuitate exprimă legea conservării numărului

de particule:

n  n0
 ( Dn 2n   n  x grad n )  g  ;
n

p  p0
 ( Dp 2p   p  x grad p )  g  .
p

În așa mod în caz staționar numărul de particule care rezultă

dintr-o unitate de volum într-o unitate de timp este egal cu numărul
particulelor generate în acest volum minus numărul de particule ce
recombină în acest volum într-o unitate de timp.
71
 3.10. Utilizarea ecuației de continuitate
Să analizăm două cazuri de rezolvare a ecuației de continuitate.

3.10.1. Lungimea de difuziune a purtătorilor de sarcină

Fie la un capăt al semiconductorului se menține constantă o
concentrație constantă de purtători de sarcină în exces (figura
3.16), de exemplu cu iluminare.

Figura 3.16. Deducerea formulei pentru lungimea de

difuziune a purtătorilor de sarcină

Să determinăm cum se distribuie purtătorii de sarcină de surplus în

direcția axei x , utilizând ecuația de continuitate:
n  2n n n  n0
 Dn 2   nε x g .
t x x n
n
În caz staționar  0 . Pentru cazul analizat generarea și câmpul
t
electric lipsesc g  0 , εx  0 .
Astfel se obține:
d 2n n  n 0 d 2n n  n 0
Dn  , 
dx 2 n dx 2 Dn  n
și, rezolvând ecuația pentru condițiile de limită:
x  0 ; n  n 0 ; x   ; n  0 ,
x

Dn  n
obținem:  n   n 0e .
72
 Această relație prezintă legea de reducere a numărului
purtătorilor de sarcină de exces în volumul semiconductorului.
Expresia Dn  n posedă unitatea de măsură a lungimii și se
notează ca:
L n  Dn  n , L p  Dp  p ,
iar L n , L p poartă denumirea lungimii de difuzie a purtătorilor de
sarcină.
Sensul fizic al parametrilor L n , L p : aceștia prezintă distanța cu
care concentrația purtătorilor în exces se micșorează de e ori sau
distanța medie pe care o parcurg purtătorii în exces pe perioada
vieții.

3.10.2. Relația lui Einstein

Curentul ohmic în semiconductor poate apărea și fără aplicarea

tensiunii. Fie de-a lungul semiconductorului există distribuție
neuniformă a impurităților (figura 3.17). În atare caz apare curentul
electronilor I nD și curentul de difuzie a golurilor jnD sub acțiunea
grad n . Aceasta provoacă apariția regiunii de sarcină spațială,
determinată de donorii ionizați (+) și electronii (-), care s-au
deplasat în partea stângă (figura3.17).
Drept rezultat apare câmpul electric εx și curentul ohmic jnε .
Procesul are loc până nu se stabilește echilibrul dintre curentul
dinamic și de difuzie
 
jn   jnD
sau
dn
qn( x) nε x   qDn .
dx

73
 Figura 3.17. Deducerea relației lui Einstein
pentru coeficientul de difuziune

Această ecuație se poate obține și din ecuația de continuitate

n  2n n n  n0
 Dn 2   nε x g ,
t x x n
la condiția că
n n  n0
 0; g  0;  0,
t n
adică cazul este staționar și lipsesc generarea și recombinarea.
Obținem:
d 2n dn
D n 2    nε x ,
dx dx
sau
dn
Dn    n εxn( x) .
dx
În câmpul electric εx electronii posedă energia
E  qV( x) , unde V( x ) - potențialul câmpului în punctul x .

74
 În condiții de echilibru din ecuația lui Boltsman

E qV ( x )

n( x )  C  e kT
 Ce kT
;
E

Ce kT
 n( x ) ,

unde C prezintă o constantă.

Intensitatea câmpului

dV ( x) dn q
 ε x ;   n( x )   εx .
dx dx kT

În atare mod obținem relațiile lui Einstein pentru coeficienții

de difuzie a electronilor și golurilor și pentru mobilitatea
electronilor și golurilor:

kT
Dn  n ;
q

kT
Dp  p ;
q

q
n  Dn ;
kT

q
p  Dp .
kT

75
 Capitolul 4. FENOMENE DE CONTACT

4.1. Contact metal-semiconductor

La apropierea atomilor și formarea cristalului, barierele de
potențial ale electronilor, care separă atomii adiacenți, se
micșorează și se îngustează. Bariera de potențial de la suprafața
cristalului rămâne neschimbată (figura 4.1, a).

Nivelul
Нулевой nul al vidului
уровень вакуума
x
+ + + +

Барьер у поверх-
ности кристалла
Внутренние
барьеры
Bariere la
Bariere
suprafața
interne
cristalului
U
а)
-q -
x

-x
+q +
b)

Figura 4.1. Emisia electronului din metal:

а) bariera de potențial pentru electroni la
suprafața cristalului;
b) imaginea electrică a sarcinii pe suprafața metalului

Din aceste considerente electronii în cristal parcă sunt

plasați în groapa de potențial. Pentru a ieși din ea este necesar a
înfrunta puterea cu care acționează câmpul cristalului asupra
electronului. Natura acestei puteri este legată de faptul, că electronul
la ieșirea din metal și aflându-se lângă suprafața lui, induce în
76
metal sarcina  q , care acționează asupra electronului în așa mod de
parcă ar fi plasată în metal la adâncimea ( x ) . Sarcina indusă este
numită imagine electrică a sarcinii  q , iar forța de interacțiune cu
electronul care a părăsit metalul - forță de imagine (figura 4.1, b):
q2
F  ,
16 0 x 2
unde  0 – permitivitatea dielectrică a vidului.
În sistemul metal-vid energia minimă, necesară pentru
transferul electronului de pe nivelul Fermi în vid, este numită lucru
de ieșire (  0 ). Pentru metale  0 ~ 2  6 eV.
Lucrul efectuat pentru transferul electronului din infinit în
punctul x , adică lucrul efectuat pentru a depăși forța de imagine
(figura 4.2, a) este:
x
q2
E( x )   Fdx  .

16  0 x
Dacă aplicăm un câmp electric cu intensitatea ε energia
potențială sumară va fi (figura 4.2, b):
q2
PE( x)   qεx .
16 0 x
Micșorarea nivelului lucrului de ieșire  din cauza forțelor
de imagine se numește efect Schottky.
Mărimea  și punctul xm în care începe să se micșoreze
bariera se determină din condiția:
d q
[PE( x )]  0 ; xm  ;
dx 16 0 ε

qε
   2εxm ,
4 0
adică  ~ ε.

77
 E

0 Nivelul zero

Energia potențială
a forțelor de
χ0 Δχ imagine

Energia potențială
în câmp exterior

d
μ

xm а) x

0 Nivelul zero

χ0 Δχ

Tunelarea
electronilor

μ d

xm x

б)
Figura 4.2. Influența câmpului exterior la înălțimea și forma barierei de
potențial la frontiera metal-vid: în lipsa tunelării (a) și în caz
că apare tunelare la micșorarea înălțimii și lățimii barierei de
potențial (b)

78
 Din aceste considerente la valori majore ale câmpului se
manifestă o micșorare vădită a barierei și valorii lucrului de ieșire
din metal. Apare tunelarea electronilor prin bariera de potențial
(figura 4.2, b).
Dacă substituim vidul cu semiconductor, atunci câmpul este
maxim la frontiera de separare. În formulele pentru xm și  este
necesar a utiliza  s în loc de  0 , unde  s este permitivitatea
dielectrică a semiconductorului. Fiindcă  s   0 , atunci pentru
semiconductor  și xm vor avea valori mult mai reduse decât
pentru vid.
Să analizăm diagrama energetică a contactului metal-
semiconductor în caz ideal (figura 4.3).
Fie un metal care posedă lucrul de ieșire  0M este contactat cu
un semiconductor cu lucrul de ieșire  0S (figura 4.3, a). Dacă
 0 M   0S , electronii se transferă din semiconductor în metal atât
timp, până când potențialele chimice nu se vor echilibra (  M   S )
și nu se va instala echilibrul. Între metal și semiconductor apare
diferență de potențial egală cu  0M   0S  qVк (figura 4.3, b). În
așa mod în contactul metal-semiconductor echilibrarea potențialelor
chimice poate avea loc doar din cauză că electronii se transferă pe
suprafața metalului din regiunea semiconductorului, plasată lângă
frontiera de separare d (figura 4.3, c).
Toată diferența de potențial se află în semiconductor și nu pe
decalaj sau metal. Se formează un strat de sarcină spațială care
practic nu conține electroni – strat însărăcit. El posedă o rezistență
enormă. Din aceste considerente astfel de contact este denumit
contact de blocaj (figura 4.3, c).
În lipsa diferenței de potențial de contact nivelurile energetice
EC și E V prezintă linii orizontale, adică energia electronului pe
nivelul dat este în toate punctele una și aceeași – nu depinde de x .
La apariția diferenței de potențial de contact asupra electronului
acționează forța care tinde să-l excludă din strat.

79
 E
E Vid - +
Χc.ex. χ0S φ0 φ(x) qVk
χ0M Ec χ0M
Ec
χ0M—χc.ex.

μn μM μп
μM

Ev Ev
М n
d x
а) b)

- + +
-
+ +
М -- n
+ +
-
c) - + +
- + +
d

Figura 4.3. Diagrama energetică a contactului metal-semiconductor (a,b)

și distribuția sarcinii în contactul de blocaj metal-semiconductor (c)

Pentru a înfrunta această forță este necesar a efectua un lucru,

echivalent energiei potențiale a electronului. Din această cauză la
deplasarea electronului în interiorul regiunii de sarcină spațială
energia lui potențială ( x ) se majorează până la valoare maximă,
egală cu  max ( x)   0  qVк la frontiera cu semiconductorul. În așa
mod câmpul provoacă îndoirea zonelor energetice în
semiconductor.

4.2. Caracteristica curent-tensiune a

contactului metal-semiconductor
Ecuația lui Poisson pentru semiconductor:
d 2 V( x) ( x)
 ,
dx 2
 0

80
unde: V ( x ) prezintă potențialul câmpului electric;, ( x ) –
densitatea sarcinii spațiale;  – permitivitatea dielectrică relativă a
semiconductorului.
Energia potențială a electronului în câmp electric:
( x )   qV ( x ) .
Presupunem că toți donorii sunt ionizați și concentrația lor este
egală cu N d . Atunci sarcina spațială
d 2 q 2
  qN d ,  Nd .
dx 2  0
Condițiile de limită pentru rezolvarea ecuației lui Poisson:
d
(d )  0 ;  0 , adică câmpul la x  d lipsește.
dx x  d
Rezultă:
q2Nd
( x )  (d  x ) 2 ,
2 0
adică ( x ) se micșorează conform legii parabolice.
La x  0 ; (0)   0   0m   0S și lățimea sarcinii spațiale
2 0 0 2 0 0
d  .
q2Nd q 2n n 0
În așa mod valoarea d se majorează odată cu creșterea  0 / q ,
care depinde de lucrul de ieșire din metal și semiconductor și se
micșorează cu creșterea n n 0 - concentrația purtătorilor de sarcină în
semiconductor la echilibru.
Dacă  0 M   0S , atunci electronii în cazul de contactări se
transferă din metal în semiconductor și formează în el o sarcină
negativă. Concomitent cu apropierea de suprafață energia potențială
a electronului ( x ) se va micșora, benzile energetice se îndoaie în
direcție opusă (figura 4.4). Concentrația electronilor la suprafața
semiconductorului crește, formând un strat îmbogățit cu purtători
de sarcină.

81
 E
Ec
μ μ

Ev

M n

Figura 4.4. Diagrama energetică a contactului

metal-semiconductor tip-n (regim anti-blocaj)

Pentru semiconductorul de tip-p totul se desfășoară invers. La

aplicarea câmpului electric grosimea stratului d se micșorează la
polarizare directă și se majorează la polarizare indirectă (figura 4.5).
Înălțimea barierei de potențial la frontiera de separare în
punctul x  0 (0)   0  qV se majorează la polarizare indirectă
și (0)   0  qV se micșorează la polarizare directă.
Grosimea stratului sarcinii spațiale:
2 0 ( 0  qV )
d .
q 2n n 0
În echilibru fluxurile electronilor din metal în semiconductor și
din semiconductor în metal sunt egale I мs   I sм și opuse după
direcție. Densitatea curentului la echilibru js  jмs  jsм .
La aplicarea tensiunii de polarizare inversă fluxul Isм se
micșorează de exp(qV / kT) ori, Iмs nu se modifică, fiind fapt că
nu se schimbă bariera de potențial. Atunci densitatea curentului:
qV qV
 
jind  jse kT
 js  js (e kT
 1) .

82
 φМ
φМ φ0 μМ
μМ Ec -
- + qVin.
+ Ec
µS
µS

Ev Ev

а) b)

φ0- qVdir. Ec
φ0М - + µS
qVdir.
μМ

Ev

c)
Figura 4.5. Diagrama energetică a contactului redresor metal-semiconductor la
echilibru (a), la polarizare indirectă Vind. (b) și directă Vdir. (c). Cu
săgeți sunt indicate fluxurile electronilor

La polarizare directă fluxul electronilor din semiconductor în

metal crește de exp(qV / kT) ori. Din această cauză:
qV
jsм  jse kT .
Densitatea curentului la polarizare directă:

qV qV
jdir  jse kT  js  js (e kT  1) .

Din aceste considerente ecuația pentru caracteristica curent-

tensiune are forma (figura 4.6):
83
 qV

j  js (e kT
 1) ,
unde js prezintă densitatea curentului de saturație.

Vindir

Vdir

Figura 4.6. Caracteristica ideală curent-tensiune a diodei

Schottky metal-semiconductor

Tot ce a fost expus mai sus se referă la contactul ideal fără

decalaj dielectric și stări energetice de suprafață la frontiera de
separare.
Dacă la frontiera de separare apare un strat dielectric atunci o
parte de tensiune cade pe el. Acest lucru trebuie luat în considerare
la studiul acestor contacte.

4.3. Caracteristica curent-tensiune

a diodei semiconductoare
Diodă semiconductoare este numit dispozitivul electronic cu
două borne, la baza căruia stă structura semiconductoare p-n, care
conține două regiuni tip-p și tip-n, divizate între ele prin joncțiunea
p-n. Una din regiunile joncțiunii p-n – denumită emitor, posedă o
concentrație a purtătorilor de sarcină mult mai mare decât regiunea
denumită bază. În figura 4.7 sunt prezentate două modalități de
construire a diodelor semiconductoare – prin aliere (figura 4.7, a) și
planar-epitaxială (figura 4.7, b).

84
 Joncțiune p-n Emitor Joncțiune p-n M(metal)

Baza-n

а) b)

Figura4.7. Construcția diodelor cu joncțiune p-n:

а) diodă obținută prin aliere;
b) diodă planar-epitaxială

Baza și emitorul diodei cu ajutorul electrozilor care formează

contacte ohmice sunt conectate la bornele metalice cu ajutorul
cărora dioda se conectează în circuitele electronice.
Dioda obținută prin aliere utilizează un semiconductor tip-n,
dopat la nivel de 1014  1016 cm-3, și un material cu conductibilitate
de tip-p (Ge dopat cu In). În procesul tehnologic de aliere se
formează o peliculă de Ge tip- p , dopată cu indiu până la
concentrația de ordinul 1018 cm-3. După prelucrarea chimică
structura este montată într-un corp metalic care asigură protecția
împotriva influenței mediului înconjurător.
Dioda planar-epitaxială este fabricată prin crearea pe suprafața
substratului semiconductor (siliciu tip-n+) a unei pelicule
semiconductoare din Si subțirie de tip-n care repetă structura
cristalină a substratului. Această peliculă se numește strat epitaxial.
Stratul epitaxial se acoperă cu o peliculă de SiO 2 (grosimea circa 1
µm). Apoi în SiO 2 utilizând tratarea în acizi se decapează o
fereastră prin care este efectuată difuzia borului sau aluminiului.
Drept rezultat se obține joncțiunea p-n.

85
 Joncțiunea p-n în stare de echilibru
și ne-echilibru

Fie volumul semiconductorului este divizat de planul M în

două regiuni – n și p (figura 4.8).

а) b)
Figura 4.8. Distribuția concentrației purtătorilor de sarcină
în joncțiunea p-n: a) simetrică; b) asimetrică

Presupunem că concentrațiile donorilor și acceptorilor sunt

egale N D  N A . La temperatura de cameră toate impuritățile sunt
ionizate. De aceea în regiunea n la o distanță majoră de la
frontiera de separare nn  N D , în regiunea-p p p  N A . Din legea
acțiunii maselor:
n np n  n i2 ; ppnp n 2i ;
n i2 n2
pn  ; np  i .
nn pp
Fiindcă electronii și golurile sunt purtători de sarcină liberi,
atunci concentrația lor nu poate să se modifice în salt cum are loc
pentru atomii donori și acceptori legați rigid de rețeaua cristalină,
adică concentrațiile se vor modifica lent de la nn până la n p și de
la p p până la pn . La frontieră apare un strat însărăcit de purtători
de sarcină majoritari care poartă denumirea de joncțiune p-n. Dacă
N D  N A , atunci curbele sunt simetrice și se intersectează în
86
punctul x  0 (joncțiune p-n simetrică – figura 4.8, а). În planul M
n  p  ni - concentrația purtătorilor de sarcină în semiconductorul
intrinsec.
Dacă N D  N A sau N D  N A atunci joncțiunea p-n este
asimetrică (figura 4.8, b).
Punctul n  p  ni se deplasează în regiunea cu concentrația
de impurități mai redusă. Drept rezultat între secțiunile M și F
apare un strat de inversie. Secțiunea M este numită frontieră
metalurgică a joncțiunii, iar secțiunea F – frontieră fizică a
joncțiunii p-n.
Din punct de vedere al fizicii formarea regiunii sarcinii spațiale
se lămurește prin difuzia purtătorilor de sarcină majoritari din cauza
gradientului concentrației. Regiunea p după difuzie se încarcă
negativ, iar regiunea n - pozitiv. Între aceste straturi apare câmp
electric. Subliniem că în afara sarcinii spațiale semiconductorul este
neutru electric.
Orice electron care se transferă din regiunea n în regiunea p
nimerește sub acțiunea câmpului electric, care tinde să-l întoarcă
înapoi în regiunea n . Electronii cu energie majoră sunt în stare să
înfrunte regiunea sarcinii spațiale și să nimerească în regiunea p .
Analogic pentru golurile cu energie înaltă. Fiind fapt că curentul în
semiconductorul izolat este nul, componenta curentului de difuzie
prin joncțiune trebuie să fie echilibrată de contra curentul de drift.
Electronii din regiunea p și golurile din regiunea n datorită
mișcării termice nimeresc în regiunea sarcinii spațiale și sunt
accelerați de câmpul electric al joncțiunii.
În așa mod fluxurile de difuzie a electronilor și golurilor care
formează componenta curentului de difuzie sunt cauzate de tranziția
purtătorilor de sarcină majoritari prin joncțiunea p-n (prin regiunea
sarcinii spațiale).
Curentul de echilibrare prezintă curentul de conducție. În așa
mod prin joncțiune vor circula concomitent 4 componente ele
curentului:

87
 jpD – componenta de difuzie a curentului golurilor;
jp   jpD – curentul de conducție a golurilor, egal după
valoare și invers după direcție curentului jpD ;
jnD – componenta de difuzie a curentului electronilor;
jn   jnD – curentul de conducție a electronilor, egal după
valoare și invers după direcție curentului jnD .
În semiconductorul izolat:
jpD  jp  jnD  jn  0 .
În figura 4.9, а este prezentată diagrama energetică a
joncțiunii p-n la echilibru, unde  prezintă nivelul Fermi, Ei -
nivelul potențialului electrostatic;  0 - diferența potențialelor de
contact și distribuția densității sarcinii spațiale în joncțiune abruptă
(figura 4.9, b) și lentă (figura 4.9, c).
Electronii cu energie mai mare decât E C și golurile cu energie
mai redusă decât (  E V ) formează curentul de difuzie al purtătorilor
de sarcină majoritari. La echilibrul termic componentele curenților
de difuzie și de drift se compensează reciproc complet.
Concluziile principale pentru joncțiunea p-n la echilibru:
1. La frontiera de separare nivelul Fermi este plasat la
mijlocul zonei interzise E g , adică semiconductorul
posedă conductibilitate proprie și o rezistență specifică
majoră în regiunea joncțiunii p-n.
2. Tranziția din regiunea n în regiunea p este posibilă
doar pentru acei electroni care posedă energie ce întrece
valoarea E C . Ei formează componenta de difuzie a
curentului electronilor care circulă prin joncțiune.
Mișcarea electronilor în sens opus formează componenta
curentului de drift.
3. Golurile cu energia E   E V se pot traversa din
regiunea p în n , formând curentul de difuzie al golurilor.

88
 În direcție opusă sub acțiunea câmpului electric se
formează curentul de drift al golurilor.
4. În regiunea joncțiunii p-n există un echilibru dinamic
dintre fluxurile electronilor și golurilor, care se mișcă
incontinuu în direcții opuse. Înălțimea barierei de
potențial este dirijată de poziția nivelului Fermi în
regiunile n și p , adică de concentrația impurităților în
aceste regiuni.
jn jn
- - EC
φ0

EV
p
n + jp +
jp
а)

ρ ρ R

+qND +qND

+ +

0 x 0 x
- -
-qNA -qNA

b) c)
Figura 4.9. Fluxurile electronilor și golurilor în joncțiunea p-n la
echilibru (a), distribuția densității sarcinii spațiale în
joncțiune abruptă (b) și lentă (c)

89
 În lipsa câmpului exterior diferența de potențial de contact
kT  p p n  kT p p n n
VK   ln  ln n   ln 2 
q  ni ni  q ni
kT n n kT p p
 ln  ln .
q np q pn
La aplicarea tensiunii starea de echilibru este perturbată.
Reducerea barierei de potențial la aplicarea tensiunii de polarizare
directă provoacă un flux al purtătorilor de sarcină majoritari:
golurilor din regiunea p în n și electronilor din regiunea n în p .
Introducerea purtătorilor de sarcină prin joncțiunea p-n sub acțiunea
câmpului electric exterior în regiunea unde ei sunt purtători
minoritari este numită injecție. La polarizare indirectă are loc
extragerea purtătorilor de sarcină din regiunile unde ei sunt purtători
minoritari. Acest proces poartă denumirea de extragere.

Curentul de saturație al joncțiunii p-n

Valoarea densității curentului de saturație jS poate fi obținută

din următoarele considerente. Curentul de saturație este format de
purtătorii de sarcină care apar la distanța de la frontiera sarcinii
spațiale ce nu întrece lungimea de difuziune L . Recombinarea
purtătorilor de sarcină minoritari, care are loc la distanță de granița
regiunii de sarcina spațială mai majoră decât L , are loc mai
devreme decât ei vor nimeri sub acțiunea câmpului electric în
regiunea de sarcină spațială.
În așa mod densitatea curentului de saturație va fi definită de
purtătorii de sarcină minoritari care apar lângă frontiera de separare
(planul R ) în paralelipipedul cu baza 1 cm2 și înălțimea L (figura
4.10).
Valoarea js va fi proporțională numărului purtătorilor de
sarcină minoritari în acest volum n p L n  1 – pentru electronii din
regiunea p și p n L p  1 – pentru golurile din regiunea n , vitezei lor

90
de generare și sarcinii purtătorilor. În stare de echilibru viteza de
generare este egală cu viteza de recombinare, care, la rândul său,
este definită de valoarea 1 /  , unde  prezintă timpul de viață al
purtătorilor de sarcină. Astfel valoarea totală pentru js este definită
de fluxul electronilor și golurilor care este îndreptat contrar:
qn p L n qp n L p
js  jsn  jsp   .
n p

1cm

1cm
Figura 4.10. La determinarea densității curentului de saturație a joncțiunii p-n

Conform legii acțiunii maselor:

n n p n  n p p p  n i2 ;
n i2 n2
np  ; pn  i .
pp nn
Lungimea de difuziune a purtătorilor de sarcină este legată cu
timpul de viață prin relația:
Ln  Dn  n ; L p  Dp  p ,
unde Dn și D p prezintă coeficienții de difuziune a electronilor și
golurilor.
Atunci putem scrie:

91
 qn p D n  n qp n D p  p qn p D n qp n D p
js     
n p n p
 D Dp 
 qn i2  n
 .
p  n  
 p n n p 

Pentru joncțiuni p-n asimetrice când concentrația purtătorilor

de sarcină majoritari dintr-o regiune este cu 2-3 ordine mai mare
decât în cealaltă, putem scrie:
 Dp 
js  qn i2   la n  p ;
 nn p  n p
 
 D 
js  qn i2  n  la p p  n n .
p L 
 p n
Fiindcă n i ~ exp( Eg / kT) , atunci curentul de saturație al
2

joncțiunii p-n se majorează exponențial la creșterea temperaturii.

Valoarea js va fi determinată în special de rezistența specifică
a materialului. Așa cum rezistența specifică este egală cu
1 1
n  ; p  ,
qn n  n qp p  p
putem scrie:
 Dn  p  p Dp  n  n 
js  q 2n i2   .
 L L 
 n p 
Cu majorarea valorii  crește și curentul de scurgere. Sensul
fizic al acestei dependențe este că la majorarea  se micșorează
concentrația purtătorilor de sarcină majoritari și crește concentrația
purtătorilor de sarcină minoritari care și determină valoarea js .

 kT
qU

Ecuația 
j  js  e  1  ,
 
92
unde
qDpp n qDnn p
js  
Lp Ln
este numită ecuația Shockley, care prezintă caracteristica curent-
tensiune (CCT) a diodei ideale. Ea descrie destul de bine CCT ale
diodelor din germaniu la valori reduse ale curentului. Concomitent
în cazul joncțiunii p-n în siliciu ( Si ) și arseniura de galiu - ( GaAs )
ecuația ideală doar calitativ se acordă cu rezultatele experienței.
Aceste neconcordanțe sunt cauzate de:
1) efectele de suprafață;
2) generarea și recombinarea purtătorilor de sarcină în
regiunea sarcinii spațiale;
3) tranziția tunel a purtătorilor de sarcină;
4) nivel înalt al injecției purtătorilor de sarcină;
5) influența rezistenței serie;
6) străpungerea joncțiunii p-n la valori majore ale tensiunii
de polarizare indirectă.
În figura 4.11 sunt prezentate CCT ideală și reală pentru
dioda semiconductoare. La curenți cu valoare redusă caracteristica
CCT reală și cea ideală coincid, iar la curenți majori (polarizare
directă) și tensiuni înalte (polarizare indirectă) diferă.
În regiunea curenților majori la polarizare directă, luând în
considerație căderea de tensiune pe rezistența distribuită a bazei și
rezistența electrozilor, CCT poate fi scrisă sub forma:
I dir  I s exp[q( U  rb I ) / kT ,
unde rb prezintă rezistența sumară a bazei, electrozilor și bornelor
diodei.
La majorarea valorii tensiunii de polarizare indirectă curentul
I ind , egal cu curentul extracție I s , nu rămâne valoare constantă, ci
se majorează treptat din cauza generației termice a purtătorilor de
sarcină în joncțiune ( I T ) și conductibilității de suprafață ( I sc –
curentul de scurgere). În așa mod curentul total este:
I ind  I s  I T  I sc .

93
 Caracteristica
ideală curent-tensiune

Caracteristica
reală curent-tensiune
Vindir

Vdir

Figura 4.11. Caracteristica ideală și reală curent-tensiune a diodei

La valori majore ale tensiunii de polarizare inversă apare

străpungerea diodei. Aici majorarea bruscă a curentului este
determinată de creșterea numărului purtătorilor de sarcină în
joncțiune din cauza ionizării prin ciocnire și multiplicării prin
avalanșă (străpungere electrică) și din cauza încălzirii joncțiunii de
curentul care circulă prin ea (străpungere termică).

94
 BIBLIOGRAFIE

1. Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы

электроники. Томск, 2009. - 128 с.
2. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. – М.: Техносфера,
2005. - 408 с.
3. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника. – Ростов н/Д: Изд-
во Феникс, 2006. - 448 с.
4. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и
электроника. – Спб.:Изд-во Питер, 2004.- 522 с.
5. Величко, Д.В. Полупроводниковые приборы и устройства:
Учеб. пособие. / Д.В. Величко, В.Г. Рубанов. – Белгород:
Политерра, 2006. - 184 с.
6. Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы: Учебник для
вузов. – 5-е изд., исправл. / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. –
СПб.: Лань, 2001. - 480 с.

95
 CUPRINS

Capitolul 1. Rețeaua cristalină și forțele de legătură în cristal............................3

1.1. Corpuri solide, cristaline și amorfe……........…..….............................3
1.2. Structuri cristaline simple…………………………..............................6
1.3. Indicii Miller…………………………….………….............................9
1.4. Legături chimice de bază în semiconductori….…..............................11
1.5. Cristale ideale. Tipurile deImperfecțiuni structurale...........................14
1.6. Oscilații normale ale rețelei cristaline…….………............................20
1.7. Oscilații acustice și optice. Fononi.................…….............................24
Capitolul 2. Bazele teoriei benzilor energetice…...............................................28
2.1. Simetria. Degenerarea. Înlăturarea degenerării……............................28
2.2. Formarea benzilor energetice în cristal……………...........................28
2.3. Caracterul de bandă al spectrului energetic al
electronilor în cristal…………….…………………............................31
2.4. Umplerea benzilor energetice cu electroni….…..…........................... 33
2.5. Mișcarea electronului în câmpul periodic
al cristalului…..……………………….……………...........................35
2.6. Noțiunea de zone Brillouin….……………………….........................39
2.7. Masa efectivă a electronului……………………..…..........................41
2.8. Stări localizate ale electronilor
în cristale cu multe impurități…………….………… ........................45
Capitolul 3. Statistica electronilor și a golurilor în semiconductori...................49
3.1. Funcția de distribuție. Funcția de densitate
a stărilor ……………………………………………........................49
3.2. Noțiunea de nivel Fermi…………………………….........................52
3.3. Concentrația electronilor și a golurilor în semiconductori…............56
3.4. Statistica purtătorilor de sarcină în semiconductorul intrinsec……..57
3.5. Statistica purtătorilor de
sarcină în semiconductorii cu impurități…………........................59
3.6. Purtătorii de sarcină majoritari și minoritari.
Legea acțiunii de masă…………………………….......................63
3.7. Purtătorii de sarcină de neechilibru………………............................64
3.8. Modalitățile de recombinare a purtătorilor de sarcină........................65
3.9. Ecuația de continuitate…………………………................................68
3.10. Utilizarea ecuației de continuitate………...………..........................72
Capitolul 4. Fenomene de contact…………….…..…........................................76
4.1. Contact metal-semiconductor………………...……...........................76
4.2. Caracteristica curent-tensiune a contactului
metal-semiconductor………..……………………............................80
4.3.Caracteristica curent-tensiune a diodei semiconductoare....................84
BIBLIOGRAFIE……………………………………..........................95

96