Olteanu Mirela

Facultatea de Electronică,Telecomunicații și Tehnologia Informației

Master Inginerie electronică,an II
Strada George Barițiu,nr.25

PROIECT
de activitate didactică
Data:10.05.2021 Lecţia: Efecte termice în componentele electronice active
Clasa: Anul:II,Sem 1
Disciplina: Proiectare pentru compatibilitate termică
Profesor: Olteanu Mirela
Tipul lecţiei Teoretică și aplicativă
Motivaţia Familiarizarea cu principalele concepte despre efectele termice în principalele
De ce componente active (diode și tranzistoare bipolare)
voi
face? Competenţele
specifice Noțiuni teoretice despre diodă
derivate Calculul puterii disipate pe diodă
Noțiuni teoretice despre tranzistoare bipolare
Noțiuni teoretice despre efectul termic în diodă respectiv în tranzistorul bipolar
Calculul curentului de bază,colector și emitor pentru tranzistorul bipolar
Calculul factorului de amplificare în curent pentru tranzistorul bipolar

Modulul:Proiectare pentru compatibilitate termică

Ce voi Conţinuturi Unitatea de învăţare: Efecte termice în componente precum diodă și tranzistor bipolar
face?
Spaţiul: sala de laborator S01
Cu ce Mijloace materiale:Calculator,videoproiector,manual,tablă,material pdf
voi Managementul
face? resurselor: Mijloace procedurale: Explicația,Conversația, Discuția,Observația,Exerciții individuale

Timp: 1h 50 min
Evocarea:

Utilizarea tehnicilor de conversație și explicație pentru a defini dioda

Utilizarea tehnicilor de conversație și explicație pentru a defini efectele termice care apar
în diodă.
Utilizarea tehnicilor de conversare pentru a definii tranzistorul bipolar
Utilizarea tehnicilor de conversație și explicație pentru a defini efectele termice care apar
în tranzistorul bipolar
Utilizarea tehnicii discuției și a conversației pentru a face asocierea cu cunoștințele avute
anterior despre diodă și tranzistor bipolar.

Realizarea sensului:
Cum voi
face? Activităţi de Stabilirea termenilor și definirea noțiunilor despre diodă
învăţare Prezentarea principalelor efecte termice care apar în diodă
Prezentarea unei secțiuni longitudinale și a unei secțiuni transversale prin diodă
Prezentarea recombinării electronilor și a golurilor în cadrul diodei
Prezentarea formulelor pentru calculul curentului care străbate dioda și pentru calculul
puterii diodei
Stabilirea termenilor și Definirea tranzistorului bipolar
Prezentarea unei secțiuni prin tranzistorul bipolar
Definirea principalelor efecte termice care apar în tranzistorul bipolar
Prezentarea formulelor pentru calculul curentului de bază,emitor și colector pentru
transistorul bipolar
 Prezentarea formulelor pentru calculul factorului de aplificare în curent pentru
tranzistorul bipolar

Reflexia:

Recapitularea noțiunilor printr-o discuție în grup despre conceptele învățate în timpul

orei

Forme de evaluare:
Cât s-a Evaluare
realizat? Rezolvarea exercițiilor individuale din acest document de către studenți
Adresarea unor întrebări cu scopul de a stimula atenția

Metode şi instrumente de evaluare:

Rezolvarea exerciților și la tablă de către studenți,

Răspunsul la intrebari

Itemi: (tema
pentru acasă) Realizarea unor exerciții pentru a calcula puterea disipată pe diodă și a unui exercițiu
pentru a calcula factorul de aplificare în curent pentru tranzistorul bipolar

SUPORT DE LECŢIE

I. MODULUL:Efecte termice în componentele electronice active

II. UNITATEA DE ÎNVĂŢARE:Proiectare pentru compatibilitate termica
II. LECŢIA: Efecte termice în componente precum diodă și tranzistor bipolar
IV. COMPETENŢE CARE TREBUIE DOBÂNDITE DE CĂTRE ELEV:

-Dobândirea cunoștiințelor despre efectul termic în componenta activă-diodă

- Dobândirea cunoștiințelor despre efectul termic în componenta activă-tranzistor bipolar
- Dobândirea cunoștiințelor despre o secțiune transversală printr-o diodă
- Dobândirea cunoștiințelor despre o secțiune trasnversală print-un tranzistor bipolar
- Dobândirea cunoștiințelor despre calculul puterii disipate pe o diodă
- Dobândirea cunoștiințelor despre calculul curentul de colector,bază,emitor pentru un tranzistor
bipolar
- Dobândirea cunoștiințelor despre calculul factorul de amplificare în curent pentru un tranzistor
bipolar

V. DESFĂŞURAREA LECŢIEI:

1.1 Dioda
Ce este dioda?

Dioda este realizată din două tipuri de materiale semiconductoare,aflate în contact(un semiconductor de
tip în contact cu un semiconductor de tip p).

Practic,acesta se realizează astfel:

➢ Impurificând cu impurități acceptoare o zonă a unui semiconductor de tip n ,astfel încât în zona
respectivă,impuritățile acceptoare să devină majoritare(aceasta este metoda cea mai utilizată)
➢ Impurificând cu impurități acceptoare o zonă a unui semiconductor de tip p,astfel încât în zona
respectivă,impurtățile donore să devină majoritare.
 Figura.1 Joncțiune p-n

În zona joncțiunii,electronii liberi se recombină cu golurile astfel rezultă o zonă sărăcită în purtători de
sarcină,dar cu ioni pozitivi în zona n și ioni negativi în zona p.Această regiune îngustă(aproximativ 0.5-1
um),creează o barieră de potențial.Când dioda este polarizată direct,purtătorii de sarcină pot depăși bariera de
potențial și curentul va trece .
Dacă dioda este polarizată invers,lățimea barierei de potențial crește și trecerea curentului prin diodă este
blocată.Rămâne doar curentul invers,de saturație Is.Acest curent nu depinde de tensiunea inversă aplicată(practic
pentru tensiuni mai mici de -75mV este constant ),dar depinde de concentrație și mobilitatea purtătorilor.

Figura.3 Recombinarea electronilor și a golurilor

Curentul prin dioda ideală este dat de relația:

qU
(ekT −1)
I = IS (1)

Unde I este curentul prin diodă

Is este curentul invers de saturație
Q=1.6*10−19 𝐶
U este tensiunea pe diodă
k=1.38*10−23 𝐽/𝐾=8.625*10−5 𝑒𝑉/𝐾 este constanta lui Boltzaman
T este temperatura în K

În realitate,relația dintre curent și tensiune este influențată de:

 ➢ Căderea de tensiune pe diodă
➢ Rata de generare și de recombinare a prechilor electron- gol în zona joncțiunii
➢ Curentul de pierderi(scurgeri) prin suprafața joncțiunii
Într-o diodă ideală putem aproxima curentul invers de saturație ca fiind:
Eg
3 −
Is ≈ C t ∗ T ∗ e 2kT (2)

Unde:Ct este o constantă

ni este concentrația intrinsecă de purtători [m−3 ]
Eg este lățimea benzii interzise (1.12 eV la 300k pt Si)
K=8.625*10−5 eV/K este constanta lui Boltzman in Ev

Puterea disipată pe diodă în conducție este dată de relația:

PD = rON ∗ ID2 (3)

1.2 Tranzistoare bipolare

Tranzistoarele bipolare au trei zone și două joncțiuni:

➢ Zona emitorului(E) este cea mai dopată,
➢ urmată de regiunea bazei (B).
➢ zona colectorlui (C)- cea mai slab dopată.

Sunt două tipuri de tranzistoare:npn și pnp

Figura.4 Tranzistor bipolar

Există 4 stări de funcționare ale tranzistoarelor:

➢ Regiunea activă normala

➢ Blocată
➢ Saturată
➢ Polarizată invers

Relația dintre curentul de emitor și curentul de bază și colector este:

IE = IC + IB (4)
Ținând cont și de recombinări:

qU
IC = −αIE + ICO (1 − ekT CB ) (5)
Unde:
𝐼𝐶 −𝐼𝐶𝑂
𝛼= este amplificarea în curent în conexiunea BC
𝐼𝐸
IE este curentul de emitor
ICBO curentul collector bază cu emitor în gol
UCB tensiunea colector-bază
𝛼 ia valori cuprinse între 0.9 și 0.99

Factorul de amplificare în curent este dat de relația:

α
β= (6)
1−α
Exerciții propuse:

Ex.1 Calculați puterea disipată pe o diodă pentru care se cunoaște rezistența este de 10 Ω iar curentul
prin diodă este de 10 A respectiv 15 A.

Rezolvare:

𝑃𝐷 = 𝑅 ∗ 𝐼

𝑃𝐷1 = 10 ∗ 10 = 100 𝑊

𝑃𝐷2 = 10 ∗ 15 = 150 𝑊

Ex.2 Calculati curentul care străbate dioda pentru o putere de 200 W și o rezistența de 5 Ω.
Rezolvare:
𝑃𝐷
I=
𝑅

200 𝑊
I= = 40 𝐴
5Ω

Ex.3 Calculati factorul de aplificare in curent pentru transitorul bipolar dacă se cunoaște 𝛼 = 0.94

Rezolvare:

α
β=
1−α
0.94 0.94
β= = = 15.66
1−0.94 0.06

Temă de casă:

1.Calculați puterea disipată pe o diodă pentru I=15 mA și R=150 Ω

2.Calculati factorul de amplificare în curent pentru tranzistorul bipolar dacă se cunoaște 𝜶 =
𝟎. 𝟗𝟕