Proprietati electrice

investigate
prin tehnica AFM
 MICROSCOPIA DE FORTA ATOMICA (AFM)

Moderna
Precisa
Simpla
Eficienta
Spectaculoasa
Rezolutie spatiala pana la nivel de atom

Gerd BINNIG and Heinrich ROHRER

invented the Scanning Tunneling
Microscope in 1981 working at IBM Investigarea morfologiei
Zurich. Binnig also invented the Atomic suprafetelor
Force Microscope with Calvin Quate in Proprietati locale:
1986 while spending a year at Stanford
magnetice
University. Binnig and Rohrer received
the electrice
NOBEL PRIZE termice
for physics in 1986 mecanice

 Microscop
optic calculatorul

Platforma
pentru
proba

Masa
antivibratii
Sistem
de iluminare

Electronica SISTEM AFM-COMPONENTE PRINCIPALE

de control
 Schema general a microscopului de for atomic

Imaginea schematic a unei sonde AFM

MICROSCOPIA DE FORTA ELECTRICA
(EFM)

DISTRIBUTIA
DISTRIBUTIA
CAPACITATII
POTENTIAL DE
ELECTRICE
SUPRAFATA
C(x,y) (x,y)

MICROSCOPIA
METODA
DE
KELVIN
CAPACITATE
 imaginea SEM imaginea SEM a
a unui vrf AFM standard unui vrf AFM acoperit
cu un film conductor
 Circuitul pentru msurarea
interaciunii electrice dintre vrf i prob

dielectric,
semiconductor

U0
U ~ U 1 sin t
 U U 0 U1 sin t x, y tensiune varf-proba

CU 2
E F grad E
forta electrica
2 de interactiune
E 1 2 C varf-proba
Fz U
z 2 z
Componenta z a forei electrice care acioneaz asupra vrfului din partea probei:

1 1 2 1 2 C

2
Fz U x , y U U x , y U sin t U cos 2 t
2
0 1 0 1 1
2 4 z

1 1 2 C
Fz 0 U 0 x, y U 1 componenta constanta
2

2 2 z
C
Fz U 0 x, y U 1 sin t componenta cu frecventa
z
1 C
Fz 2 U12 cos 2t componenta cu frecventa 2
4 z
 1 2 C 1 2 R2
VARF-SUPRAFATA FPS U U 2
2 z 2 h

R - raza caracteristic rotunjirii vrfului

h - distana dintre vrf i suprafa

1 2 C 1 2 LW
SUPRAFATA-VARF FCS U U 2
2 z 2 H

L - lungimea cantileverului
W - limea cantileverului
H - nlimea vrfului msurat de la
mijlocul bazei cantileverului
 (100 m)
(30 m)

(30 m)

forta VARF-SUPRAFATA > forta SUPRAFATA-VARF

FPS FCS

R 2 LW R2 H 2
2
h (h < 10nm)
h H LW
 Tehnica dublei treceri n microscopia de for electric

VARFUL SUPRAFATA
CONDUCTIV PROBEI

COULOMB

FAZA
FRECVENTA
AMPLITUDINEA

IMAG. SP
IMAG. EFM
(x,y)
C(x,y)
Amplitudinea
frecventa 2 de oscilatie cu
frecventa
Uo=(x,y)
 APLICATII
ale microscopiei de for electric
i ale
nregistrrii potenialului de
suprafa

proba aluminiu, 8m x 8m

> 160 mV

TOPOGRAFIA IMAG. SP
 Detectare a contaminarii materialului
si a defectelor de fabricatie

insule de tungsten (200nm) pe substrat de siliciu, 76m x 76m

reziduu
ramas
in urma
decaparii

TOPOGRAFIA IMAG. SP
EFM detecteaza regimul de saturatie al tranzistorului

circuit integrat acoperit cu un strat decapant, 80m x 80m

TOPOGRAFIA IMAG. EFM

semanlul electric arata ca

tranzistorul din stanga
este in saturatie
 Bariera de potential a limitei granulare

celule solare
aluminiu-cupru, 20m x 20m
senzori de gaz
rezistori

TOPOGRAFIA
IMAG. SP

Rezistenta electrica prin structura granulara de suprafata

poate fi de pana la 1000 ori mai mare decat a unei granule
 Pozitionarea structurii granulare
Masurarea caderii de potential (~350mV)

varistor pe baza de ZnO, 10m x 10m

+4V

0V

-4V

IMAG. SP
Gradient al campului electric mai ridicat

nanofire in matrice dielectrica Al2O3, 1,7m x 1,7m

TOPOGRAFIA IMAG. EFM