Convertoare CC – CC

In acest capitol trebuie sa invatam urmatoarele :

• Modelarea BJT, MOSFET, IGBT în SPICE şi specificarea
parametrilor model.
• Modelarea de control PWM în SPICE si ca un bloc de ierarhie
• Efectuarea de analize tranzitorii ale convertoarelor de curent
continuu( DC-DC )
• Evaluarea performantei ale convertoarelor DC-DC
• Efectuarea de analize "in cazul cel mai nefavorabil" (worst - case) a
diodei redresoare pentru variatiile parametrice ale modelelor
parametrilor si a tolerantelor.

8.1 Introducere

Într-un convertor DC-DC, tensiunile de intrare şi de ieşire sunt continue

DC. Acesta utilizează dispozitivele semiconductoare ca un comutator
pentru a porni şi opri alimentarea DC catre sarcina. Acţiunea de comutare
poate fi pusă în aplicare de către un BJT, un MOSFET, sau un IGBT.
Un convertor DC-DC cu un singur comutator este adesea cunoscut ca un
chopper DC.
8.2 Chopper comutator de curent continuu
Un chopper cu comutator este reprezentat in Figura 8.1(a). În cazul în
are comutatorul este deschis, tensiunea de alimentare este conectata la sarcina.
În cazul în care comutatorul este inchis,curentul inductiv de sarcina , este fortat să
circule prin dioda . Tensiunea de ieşire şi curentul de sarcină sunt prezentate în
Figura 8.1(b). Parametrii comutatorului pot fi ajustati pentru a modela căderea de
tensiune a choper-ului. Noi folosim parametrii comutatorului RON = 1M, ROFF =
10E+6, VON = 1V, VOFF = 0V şi parametrii diodei sunt IS= 2.22E-15, BV = 1200V,
CJO = 0F, şi TT = 0. Elementele parazite ale diodei sunt neglijate; cu toate ca, ele
vor afecta comportamentul tranzitoriu.

Exemplul 8.1 Gasirea performantei unui convertor in curent continuu cu

comutator controlat in tensiune

Un chopper in curent continuu cu comutator este prezentat in Figura 8.2(a).

Tensiune de intrare DC este = 220V. rezistenţă de sarcină R este de 5 Ω, iar
inductivitatea de sarcină L = 7.5mH. Frecvenţă choper-ului este pentru = 1kHz
şi raportul choperrului este k = 50%. Tensiunea de control este prezentată în
figura 8.2(b). Utilizaţi PSpice pentru graficele (a) tensiunii instantanee ,
curentului de sarcina şi curentului prin dioda , (b) se calculează coeficienţii
Fourier a curentului de sarcină şi (c) se calculează coeficienţii Fouriera
curentului de intrare .
Figura 8.1 Chopper cu comutator in curent continu (a) circuitul (b) Tensiunea si curentul de
iesire

Figura 8.2 Chopper de curent continuu in simularea PSpice (a) circuit (b) circuit - poarta de
tensiune
Solutie
Tensiunea de alimentare in CC V S  220V , k=0.5, f o  1kHz ,T  1 f  1m sec si
o
t on  k  T  0.5  1m sec  0.5m sec .
Schema corespunzatoare in PSpice este reprezentata in Figura
8.3(a).Comparand un semnal triunghiular Vref cu un semnal transportor Vcr
genereaza o forma de unda PWM. Generatorul PWM este implementat printr-o
ierarhie descendenta asa cum este reprezentat in Figura 8.3(b). Un dispozitiv ABM2
Care compara cele doua semnale produce o forma de iesire patratica între 0 - 1 V
La comandarea(transmite) tensiunii comutatorului de control. Variind tensiunea
V_Duty_Cycle poate varia raportul ciclic al comutatorului si tensiunea medie de
iesire.
Parametrii model pentru comutator şi dioda freewheeling sunt după cum
urmeaza:

.MODEL SMD VSWITCH (RON=1M ROFF=10E6 VON=1V VOFF=0V)

.MODEL DMD D(IS=2.22E-15 BV=1200V CJO=1PF TT=0US))
Figura 8.3 Schema PSpice pentru Exemplul 8.1 (a) Schema (b) comparator
ierarhizat descendent
 Fisierul circuitului are urmatoarea lista :

(a) Graficele PSpice a curentului de intrare instantaneu I(VY), curentul prin diodă
I(DM), şi tensiunea de ieşire V(3) sunt prezentate în Figura 8.4.Curentul de sarcina
se ridica atunci cand comutatorul este pornit şi cade atunci când este oprit.
(b) Coeficienţii Fourier a curentului de sarcină sunt:
(c) Coeficientii Fourier a curentului de intrare sunt :
Figura 8.4 Graficele pentru Exemplul 8.1
8.5 Modelul spice BJT

SPICE genereaza un model complex de BJT. Ecuatiile model care sunt utilizate
de SPICE sunt descrise in Referinta 1 şi Referinta 2. Daca un model complex un
este necesar, mai multi parametri model pot fi ignorati de catre utilizatori şi PSpice
atribuie valori implicite pentru ei. Modelul PSpice, care se bazeaza pe modelul
complex de incarcare si control al lui Gummel şi Poon [1,2], este prezentat în
Figura 8.5(a).Modelul static (DC) care este generat de PSpice este prezentat în
Figura 8.5(b).
Declaratia model pentru tranzistorii NPN are forma generala :
.MODEL QNAME NPN (P1=V1 P2=V2 P3=V3 … PN=VN)
si forma generala pentru tranzistorii PNP este :
.MODEL QNAME PNP (P1=V1 P2=V2 P3=V3 … PN=VN)
unde QNAME este numele modelului BJT. NPN si PNP sunt tipurile de simboluri
pentru tranzistorii NPN respectiv PNP. QNAME,este numele modelului,se poate
incepe cu orice caracter şi dimensiunea acestui cuvânt este în mod normal limitată
la opt caractere. P1, P2, ... şi V1, V2, ... sunt parametrii si valorile lor. Tabelul 8.1
prezinta parametrii modelului BJT. In cazul în care anumiti parametri nu sunt
specificati, PSpice presupune model simplu al lui Ebers şi Moll [3],care se arată în
figura 8.5(c).
Figura 8.5 Modelul BJT in PSpice
(a) Modelul Gummel si Poon
(b)Modelul in CC
(c) Modelul Ebers-Moll
 Pentru acei parametri care au denumiri alternative, cum ar fi VAF şi VA (numele
alternativ este indicat in paranteze),oricare nume poate fi folosit.Parametrii
ISE(C2) şi CSA(C4) pot fi setati pentru a fi mai mari de 1. In acest caz, ei sunt
interpretati ca multiplicatori IS in loc de curenti absoluti: în cazul ISE> 1, se
înlocuieste cu ISE*IS, în mod similar pentru ISC.Modelul in CC este definit prin
(1)parametrii BF, C2, IK şi NE, care determina castigul curentului .
Parametrii care afecteaza comportamentul de comutare a unui BJT sunt cele
mai cele mai importante aplicatii pentru electronica de putere: IS, BF, CJE, CJC şi
TF. Simbolul unui tranzistor jonctiune bipolar (BJT) este Q. Numele unui tranzistor
bipolar trebuie sa inceapa cu Q si acesta ia forma generala :
Q<name>NC NB NE NS QNAME [(area) value]
unde NC, NB, NE si NS reprezinta colector, bază, emitor şi respectiv noduri
substrat. QNAME ar putea fi orice nume de până la opt caractere. Nodul substrat
este opţional: dacă nu este specificat este legat la masa. Curentul pozitiv
estecurentul care curge intr-un terminal. Asta este, curentul din colector, prin
dispozitiv, la emitor pentru BJT NPN.
8.4 Parametrii BJT

Foaia de catalog pentru tranzistorul de putere 2N6546 este prezentat în Figura

8.6. Parametrii SPICE nu sunt disponibili in fisa de date. Unele versiuni ale SPICE (de
exemplu, PSpice) suporta fisiere din biblioteca cu dispozitive. Piesele software ale
lui PSpice pot genera modele SPICE din foile de catalog ale parametrilor
tranzistorilor si diodelor. Desi PSpice permite sa specificam mai multi parametri,
vom folosi numai acei parametri care afecteaza în mod semnificativ iesirea unui
convertor de putere [8,9]. Din fisa de catalog avem :
I C ( rated )  10 A
VBE  0.8V la I C  2 A
Presupunand ca n  1 si VT  25.8mV , putem aplica Ecuatia 7.1 pentru a afla
curentul de saturatie I S :
Figura 8.6 Fisa de catalog
pentru tranzistorul
2N6546
 VBE
I C  I S (e nVT
 1)
(8.1)
0.8
( 25.8103 )
2  I S (e  1)
Care da I S  2.33E  27 A. Castigul curentului continuu la 10ª este hFE 6-30. Luand
media geometrica avem BF  BR  6  30  13 .
Figura 8.6
Continuare
 Capacitatea de intrare la jonctiunea baza-emitor este foarte mica si
valoare tipica este de 0.2 - 1 pF.
Sa presupunem ca C je  CJE  1 pF . Capacitate de iesire,C obo  125  500 pF
la VCB  10V , I E  0 (revers partinitoare). Luând valoarea geometrica
inseamna ca C obo  C   125  500  250 pF . C o poate fi gasit din :
C o
(8.2) C   m
1  VCB 
 V0 

Figura 8.6
(Continuare)
Caracteristice
electrice tipice
Din figura precedenta analizam:
1
Unde m  3
si V 0  0.75V . Din ecuatia 8.2, C  0  CJC  607.3 pF si VCB  10V .

f  6 MHz V  10V I  500mA

Frecventa de tranzitie T (min) la CE , C .
 T  1  2  6MHz   26,528.8 p sec
Perioada de tranzitie este .
Astfel VCB  VCE  V BE  10  0.7  9.3V din ecuatia 8.2 avem C  255.7 pF .
g IC 500mA
Transconductanta m g
este : (8.3) m    19.38 A / V
VT 25.8mV
Figura 8.6
Continure
Perioada de tranzitie  T are legatura cu timpul direct de tranzitie  F prin :
C je C ? 1 pF 255.7 pF
(8.4)  T   F   sau 26,525.8 p sec   F  
gm gm 19.38 19.38

care da valoarea lui  F  26,12.6 p sec . Declaratia in PSpice a tranzistorului care are
modelul 2N6546 este :
.MODEL 2N6546 NPN (IS=6.83E14 BF=13 CJE=1 PF CJC=607.3PF TF=26.5NS)

Acest model poate fi folosit pentru a obtine graficele caracteristicilor MOSFET.

Ar putea fi necesar sa se modifice valorile parametrilor pentru a se ajusta cu caracteristicile
reale.
Nota: Aceasta este adesea necesara sa se ajusteze baza de rezistenta RB sau baza (de
control) de tensiune V g astfel incat tranzistorul este condus în saturatie.
8.5 EXEMPLE DE CHOPPERE BJT

Aplicatii ale modelului SPICE BJT sunt ilustrate prin cateva exemple.

Exemplu 8.2 Gasirea performantei unui Convertor CC-CC cu comutator BJT

Un chopper Buck BJT este prezentat in Figura 8.7(a). Tensiunea de intrare

DC este V S  12V . Rezistenta de sarcina R este de 5Ω. Inductanta filtrului este f c  25kHz
L=145.84μH, şi capacitatea filtrului este C=200μF.Frecvenţa chopperului este si
raportul chopperului este k=42%. Tensiunea de control este prezentata în Figura
8.7(b). Utilizati PSpice pentru a obtine graficele (a) curentului de sarcina
instantaneu i o , curent de intrare i S , tensiunea diodei v D , tensiunea de ieşire v C
(b) calcularea coeficientilor Fourier a curentului de intrare i S . Se traseaza raspunsul
in frecventa a tensiunii de iesire a convertorului de la 10 kHz la 10 MHz şi de a gasi
frecventa de rezonanta.
SOLUTIE
Tensiunea de alimentare in CC VS  12V ,k=0.42, f c  25kHz ,
T  1  40  sec sit on  k  T  16.7  sec . O valoare initiala este atribuita pentru
fc
C pentru a ajunge mai repede la stare de echilibru.
Schema PSpice este prezentata in Figura 8.8. O sursa de tensiune comandata
in tensiune, cu un castig de 30 de unitati conduce comutatorul BJT. Generatorul
PWM este implementat ca o ierarhie descendenta după cum se arată în Figura
8.3(b). Parametrii model pentru comutatorul BJT şi dioda freewheeling sunt:
.MODEL QMOD NPN(IS=6.83E-14 BF=13 CJE=1pF CJC=607.3PF TF=26.5NS)
.MODEL DMD D(IS=2.22E-15 BV=1200V CJO=1PF TT=0US))
Figura 8.7 Chopperul Buck BJT pentru simularea in PSpice
(a)Circuitul
(b) Tensiunea de control
Figura 8.8 Schema in PSpice pentru Exemplul 8.2
Fisierul circuitului are urmatoarea lista :
Retineţi urmatoarele:
(a) graficele in PSpice ale curentului de sarcina instantaneu I(VX), curentului de
intrare I(VY), tensiunii prin dioda V(3) şi tensiunii de iesire V(5) sunt prezentate in
Figura 8.9(a).
(b) coeficientii Fourier a curentului de intrare sunt:
Exemplu 8.3 Gasirea performantei unui Convertor Buck-Boost CC-CC cu comutator
BJT
Un chopper BJT Buck-boost este prezentat în Figura 8.10(a). Tensiunea de intrare
DC este S  12V
. Rezistenta
V de sarcina R este de 5 Ω. Inductanta este L=150μH si
capacitanta filtrului este C=200μF. Frecventa chopperului este si raportul
ciclic al chopperului este k = 25%. Tensiunea de control este prezentata înfFigura
c  25kHz
8.10(b). Utilizaţi PSpice pentru graficele tensiunii de iesire instantanee , curent
capacitiv , curentul
vC inductiv şi itensiunea inductiva iSeL
reprezinta graficele v L
c
raspunsului in frecventa a tensiunii de ieşire a convertorului de la 100 kHz la 10
MHz si de a gasi frecventa de rezonanta.
SOLUTIE
Tensiunea de alimentare in CC V  12V,k=0.25, f c  25kHz T  ,1  40 secsi
S fc
ton  k  T  10 sec .
Schema PSpice este prezentata in Figura 8.11. O sursa de tensiune comandata in
tensiune, cu un castig de 40 de unitati conduce comutatorul BJT. Generatorul
PWM este implementat ca o ierarhie descendenta după cum se arată în Figura
8.3(b). Parametrii model pentru comutatorul BJT şi dioda freewheeling sunt:
.MODEL QMOD NPN(IS=6.83E-14 BF=13 CJE=1pF CJC=607.3PF TF=26.5NS)
.MODEL DMD D(IS=2.22E-15 BV=1200V CJO=1PF TT=0US))
Fisierul circuitului are urmatoarea lista :
 Graficele in PSpice ale tensiunii de iesire instantanee V(5), curentul capacitiv
I(C), curentul inductiv I(L) si tensiunea inductiva V(3) sunt prezentate in Figura
8.12(a).
Figura 8.12(b) da frecventa de rezonanta a lui f res  872.15Hz cu un castig de
rezonanta la varf Ao ( peak )  3.2 .

Nota: Tensiunea a crescut la 40 V pentru a reduce distorsiunile de pe

comutatorul de tensiune si tensiunea de iesire a convertorului. Tensiunea de iesire
este negativa. Pentru un raport ciclic de k = 0,25, tensiunea medie de sarcina este
kVS
de Vo ( av )   0.25  12
1  k  1  0.25  4V (PSpice ofera 3.5V). Tensiunea de
sarcina nu a atins inca valoarea starii de echilibru.
Figura 8.9 Graficele pentru Exemplu 8.2 (a) Graficele tranzitorii
(b) Raspunsul in frecventa
Figura 8.9 (Continuare)
 (a)

(b)
Figura 8.10 Simularea in PSpice pentru Chopperul BJT buck-boost

(a)Circuitul (b)tensiunea controlata

Figura 8.11 Schema in PSpice pentru Examplul 8.3
Figura 8.12 Graficele pentru Exemplul 8.3 (a) Graficele tranzitorii
(b) Raspunsul in frecventa
Exemplul 8.4 Gasirea performantei Convertor Cuk in CC cu comutator BJT

Un chopper BJT Cuk este prezentat în Figura 8.13(a). Tensiunea de intrare DC

este VS  12V . Rezistenta de sarcina R este de 5 Ω. Inductantele sunt L1  200H
şi L2  150H .Capacitatile sunt C1  200F si C 2  220 F . Frecvenţa chopperului
este f c  25kHz , şi raportul ciclic al chopperului este k=25%.
Tensiunea de control este prezentata in figura 8.13(b). Utilizati PSpice pentru a
reprezenta curentul capacitiv instantaneu i C1 , curentul capacitiv iC 2 , curentul
inductiv i L1 ,curentul inductiv i L 2 şi tensiunea tranzistorului vT . Se traseaza
raspunsul in frecventa a tensiunii de iesire a convertorului de la 100Hz la 4kHz
şi de a gasi frecventa de rezonanta.
 Figura 8.13 Simularea in PSpice a unui Chopper BJT Cuk
(a) Circuit (b) tensiunea de control

Generatorul PWM este implementat ca o ierarhie descendenta după cum se arată în

Figura 8.3(b). Parametrii model pentru comutatorul BJT şi dioda freewheeling sunt:
.MODEL QMOD NPN(IS=6.83E-14 BF=13 CJE=1pF CJC=607.3PF TF=26.5NS)
.MODEL DMD D(IS=2.22E-15 BV=1200V CJO=1PF TT=0US))
 Figura 8.14 Schema PSpice pentru Exemplul 8.4

SOLUTIE
Tensiunea de alimentare in CC VS  12V .O tensiune capacitiva initialaVC  3V
,k=0.25, f c  25kHz , T  1  40 sec si t on  k . T  0.25  40  10 sec
cf
Fisierul circuitului are urmatoarea lista :
 Graficele in PSpice ale curentii capacitivi I(C1),I(C2) curentii inductivi I(L1), I(L2)
si tensiunea tranzistorului V(3) sunt prezentate in Figura 8.15(a).
Figura 8.15(b) da frecventa de rezonanta a lui f res  833.28 Hzcu un castig de
rezonanta la varf Ao ( peak )  6.8 .

Nota: Tensiunea unitatii de baza a crescut la 40 V pentru a reduce distorsiunile

de pe comutatorul de tensiune si tensiunea de iesire a convertorului. Tensiunea de
iesire este negativa. Pentru un raport ciclic de k = 0.25, tensiunea medie de sarcina
kV
este de Vo ( av )  S 1  k   0.25  12 1  0.25  4V(PSpice ofera 3.5V). Tensiunea de

sarcina nu a atins inca valoarea starii de echilibru. Daca vom da drumul la simulare

pentru un timp mai lung ca in Figura 8.15, putem afla de oscilatia tensiunii de

iesire a convertorului si frecventa sa naturala.

8.6 Choppere MOSFET
Modelul PSpice al unui MOSFET cu canal-n [4-6] este prezentata in Figura
8.17(a). Modelul static (DC), care este generat de PSpice este prezentat in Figura
8.17(b). Parametrii model pentru un dispozitiv MOSFET si valorile implicit
atribuite de catre PSpice sunt prezentate în Tabelul 8.2. Ecuatiile model de
MOSFET care sunt folosite de PSpice sunt descrise in Referinta 4 si Referinta 6.
Declaratia modelului MOSFET cu canal-n are forma:
.MODEL MNAME NMOS (P1=V1 P2=V2 P3=V3 … PN=VN)
generala si declaratia pentru MOSFET cu canal-p are forma:
.MODEL MNAME PMOS (P1=V1 P2=V2 P3=V3 … PN=VN)
unde MNAME este numele modelului. Se poate începe cu orice caracter si
dimensiunea cuvantului este in mod normal limitata la opt caractere. NMOS şi
PMOS sunt simbolurile tip pentru MOSFET cu canal-n , respectiv canal-p . P1, P2,
... şi V1,V2, ... sunt parametrii şi valorile lor.
L şi W reprezinta lungimea si latimea canalului. AD si AS sunt drena si sursa ariilor de
difuzie. L a scazut de doua ori LD pentru a obţine lungimea efectiva a canalului.
W este scazut de doua ori WD pentru a obtine latimea efectiva a canalului.
L si W poate fi specificat pe dispozitiv, model, sau pe declaraţia .OPTION.
Figura 8.15 Graficele pentru Exemplul 8.4
(a) Graficele tranzitorii
(b) Raspunsul in frecventa
 Un MOSFET este modelat ca un MOSFET intrinsec cu rezistentele ohmice în
serie cu drena, sursa, poarta(grila) si substrat. Exista de asemenea, o rezistenta
(RDS), in paralel cu canalul drena-sursa. NRD, SNR, NRG şi NRB sunt
rezistivitatile relative a drenei, sursei, grilei si a substratului inpatrate. Aceste
rezistente parazite (ohmice) pot fi specificate prin RSH, care este inmultita cu
NRD, SNR, NRG, NRB sau, alternativ cu valorile absolute ale RD, RS, RG, RB si
pot fi specificate în mod direct.
Caracteristicile DC sunt definite prin parametrii VTO, KP, LAMBDA, PHI si
GAMMA, care sunt calculate de PSpice folosind parametrii procesului din
fabricatie NSUB, TOX, NSS, NFS, TPG si asa mai departe. Valorile VTO,
KP,LAMDA, PHI si GAMMA, care sunt specificate pe baza declaratiei model,
substituie valorile calculate de PSpice pe baza unor parametri procesului din
fabricatie. VTO este pozitiv pentru amplificarea MOSFET cu canal-n, precum si
pentru golire este MOSFET cu canal-p.VTO este negativ pentru amplificarea
MOSFET cu canal-p si pentru golire este MOSFET cu canal-n.
 PSpice incorporeaza trei modele MOSFET . Parametrul NIVEL(LEVEL) alege
intre diferitele modele de MOSFET intrinsec. Daca NIVEL(LEVEL)=1, este utilizat
Modelul Shichman-Hodges [5]. Daca NIVELUL(LEVEL)=2, este folosita o
versiune avansata a modelului Shichman Hodges, care este un model pe baza
al geometriei analitice si încorporeaza efecte extinse de ordinul al doilea [6].
Daca NIVELUL(LEVEL)=3, utilizeaza o versiune modificata a modelului
Shichman-Hodges, este folosit un model cu canal scurt semiempirical [7].
Modelul (LEVEL)NIVELUL-1, care solicita mai putini parametri de ajustare
,da rezultate aproximative. Cu toate acestea, este util pentru o estimare
Rapida,aproximativa a unui circuit de performanta si este în mod normal
adecvat pentru analiza circuitelor de electronica de putere.
Figura 8.17 Modelul in PSpice a unui MOSFET cu canal-n
(a) Modelul PSpice (b) Modelul in DC
 Modelul NIVELUL(LEVEL)-2, care pot lua in considerare diferiti parametri,
necesita timp de procesor considerabil pentru calcule si ar putea provoca
convergenta problemelor. Modelul NIVELUL(LEVEL)-3 introduce o eroare mai mica
decat modelul NIVELUL-2 si timpul de procesor este de aproximativ 25% mai
puţin.MODELUL NIVELUL-3 este conceput pentru MOSFET cu un canal scurt.
Parametrii care afecteaza comportamentul de comutare a unui BJT in aplicatiile
electronicii de putere sunt :
L W VTO KP CGSO CGDO
Simbolul unui metal-oxid de siliciu tranzistor cu efect de camp (MOSFET) este M.
Numele unui MOSFET trebuie sa inceapa cu M si ia forma generala:
MnameND NG NS NB MNAME
 [L=<value>] [Wvalue]
 [ADvalue] [ASvalue]
 [PDvalue] [PSvalue]
 [NRDvalue] [NRSvalue]
 [NRGvalue] [NRBvalue]
 Fisa de catalog pentru un MOSFET cu canal-n de tipul IRF150 este prezentat in
Figura 8.18. Fisierul biblioteca din versiunea student al PSpice sustine un model al
acestui MOSFET, dupa cum urmeaza :
.MODEL IRF150 NMOS (TOX=100N PHI=.6 KP=20.53U W=.3
 L=2U VTO=2.831 RD=1.031M RDS=444.4K CBD=3.229N PB=.8 MJ=.5
 CGSO=9.027N CGDO=1.679N RG=13.89 IS=194E–18 N=1 TT=288N)
Oricum o sa generam cateva valori aproximative la unii parametri[8,9]. Din fisa
de catalog avem I DSS  250A laVCS  0V ,V DS  100V .VTh  2 la 4V. Medie geometrica
(Sensul geometric), VTh  VTO  2  4  2.83V . Constanta K p poate fi gasita din
relatia : (8.5) I D  K p VGS  VTh 
2

250A A
Pentru I D  I DSS  250A siVTh  2.83V , Ecuatia 8.5 ne da K p  2.83 2  31.2
V2
Kp este in legatura cu lungimea canalului L si latimea canalului W prin :
 a Co  W 
(8.6) K p   
2 L
Unde este capacitatea pe unitatea de suprafata a stratului de oxid, o valoare
tipica pentru un MOFSET de putere fiind 3.5  10 18 F cm 2 la o grosime de0.1m si  a
este mobilitatea suprafatei cu electroni, 600 cm 2
(V  sec) . Raportul W/L pot fi gasite
din: W  2 K p  2  31.2  10  3
6

L  a Co 600  3.5  10 8
Figura 8.18 Fisa de catalog a unui MOSFET de tip IRF150. (Courtesy
of International Rectifier)
 Permite L  1m siW  300m  3mm ,C rss  350  500 pF laVGS  0 siVDS  25V .
Sensul geometric, C rss  C gd  350  500  418.3 pF laVDG  25V .

Pentru un MOSFET, valorile C gs siC gd raman relative constante cu VGS sau V DS .

Acestea sunt determinate in principal de grosimea si de tipul de izolant de oxid.
Desi curbele(formele de unda) a capacitatilor vs. tensiunea drena-sursa arata
Unele variatii de tensiune, vom presupune capacitatile constante.
Astfel, C gdo  418.3 pF siC iss  2000la300 pF .
Sensul geometric, C iss  2000  3000  2450 pF . Pentru ca C iss se masoara VGS  0V
C gs laC gso ,. Din aceste relatii  C:gso  C gd
Cissavem .