1

CAPITOLUL 1
INTRODUCERE N ELECTRONIC
1.1. Definiii. Scurt istoric
Electronica este un domeniu al ingineriei care are la baz cercetrile i realizrile
tiinifice din chimie, fizic, matematic i tehnologie.
Termenul de electronic este asociat mecanismului electronic de conducie electric.
Prin component electronic se nelege realizarea fizic a unui element electric indi-
vidual, ntr-un corp fizic independent, care nu poate fi redus mai departe sau divizat, fr a
distruge posibilitatea de a ndeplini funcia pentru care a fost realizat.
Componentele electronice se mpart n dou categorii: pasive i active.
Componentele pasive sunt elemente disipative (consum putere activ i o transform
n cldur) i nu pot controla fluxul de energie dintr-un circuit electric. Exemple: rezistoare,
condensatoare, bobine de inductan, transformatoare etc. Circuitele formate numai din
componente pasive nu pot efectua cea mai important funcie electronic: amplificarea.
Aceasta poate fi realizat de componentele active, care sunt elemente ce pot comanda sau
modula fluxul de energie dintr-un circuit. Exemple: dioda semiconductoare, tranzistoare, tu-
buri cu vid sau cu gaz, dispozitive optoelectronice etc. Uzual, pentru componentele pasive
se folosete termenul de componente, iar pentru cele active, termenul de dispozitive.
Dispozitivele electronice se bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n
corpul solid (de regul n semiconductoare), n gaze sau n vid.
Circuitele electronice sunt circuitele electrice care utilizeaz dispozitive electronice.
Ele realizeaz diverse funcii electronice: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii i a
curentului, generarea de oscilaii armonice, modularea, demodularea etc. Circuitele electro-
nice se mpart n dou categorii:
1) Circuite analogice, la care semnalul de ieire variaz continuu n timp, urmrind du-
p o anumit lege variaia semnalului de intrare. Dup natura funciei de transfer, adic a re-
laiei dintre mrimea de intrare i cea de ieire, circuitele analogice se mpart n circuite lini-
are i neliniare.
2) Circuite digitale (numerice, logice) care prelucreaz semnale binare, adic semnale
care pot avea numai dou valori (0 sau 1).
Dispozitivele electronice sunt n general neliniare, dar ele pot fi considerate suficient
de liniare n domenii de funcionare limitate.
Tubul electronic a fost primul dispozitiv folosit n electronic. nc din anul 1883,
Thomas Edison, a studiat i a construit o lamp cu filament de carbon, atrgndu-i atenia
nnegrirea tubului de sticl dup cteva ore de funcionare. Cu intenia de a capta unele din
particulele care nnegreau sticla, a introdus n balonul de sticl o plac metalic i a fost
surprins s descopere c dac fcea placa pozitiv n raport cu filamentul, n circuit aprea
un curent. Timp de douzeci de ani nimeni nu a tiut c acest efect termoelectronic numit
efect Edison, era datorat electronilor emii de filamentul cald i captai de anodul (placa)
ncrcat pozitiv. nnegrirea lmpii a fost studiat i de Ambrose Fleming, cercetnd realiza-
rea unui detector evoluat pentru undele radio ale lui Marconi. n 1904 el i-a patentat tubul
oscilator cu doi electrozi (dioda) care permitea trecerea curentului ntr-o singur direcie.
Lee de Forest a construit n 1907 un tub electronic cu o gril (reea) metalic ntre catod i
anod, numit triod. Urmeaz tetroda (Schottky, 1919), pentoda (Tellegen, 1928) etc.
n anii 30 au aprut redresoarele cu diode metal-semiconductor (cu seleniu, cu oxid
cupros), apoi cu germaniu (Ge) i cu siliciu (Si). Primul tranzistor bipolar a fost cel cu con-
tacte punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain n 1948, dar nu s-a impus din cauza pute-
2
rii foarte mici. Tranzistorul bipolar cu jonciuni (Bipolar Transistor BT) a fost inventat de
William Shockley n 1949. Acelai Shockley a explicat funcionarea tranzistorului cu efect
de cmp cu gril jonciune (Junction Field Effect Transistor JFET), n 1947, pe baza pa-
tentelor anterioare ale lui Julius Edgar Lilienfeld (1925) i Oscar Heil (1934). Ulterior a fost
dezvoltat tranzistorul cu efect de cmp metaloxidsemiconductor (MetalOxideSemicon-
ductor Field Effect Transistor MOSFET) de ctre Davon Kahng n 1960.
Cu excepia unor aplicaii specializate (n emitoarele radio, tuburile catodice), tubu-
rile electronice au fost nlocuite dup 1960 de dispozitivele semiconductoare discrete i inte-
grate.
Un circuit integrat este o unitate constructiv inseparabil de microelemente interco-
nectate electric, plasate n volumul sau pe suprafaa unui substrat comun. Primul care a pro-
pus i patentat integrarea componentelor n aceeai unitate funcional a fost inginerul ger -
man Werner Jacobi de la Siemens AG (1949). Contribuii i-a mai adus i cercettorul en-
glez Geoffrey Dummer (1952), dar cel cruia i se atribuie calitatea de inventator este ameri-
canul Jack Kilby (Premiul Nobel, pentru Fizic, 2000), care a nregistrat n 1958 un dispozi-
tiv integrat cu o structur asemntoare celei actuale.
Din punct de vedere tehnologic, circuitele integrate pot fi realizate sub form monoli-
tic sau sub form hibrid. Circuitele integrate monolitice se obin integral pe aceeai plcu-
(chip sau microchip) de material semiconductor. Cele hibride conin i unele elemen-
te neintegrabile (condensatoare i inductane mari).
Tehnologiile moderne permit integrarea unui numr impresionant de componente
echivalent pe acelai suport (10
6
10
8
), fapt care a condus la dezvoltarea i implementarea
acestora n marea majoritate a aplicaiilor militare, aerospaiale, industriale i casnice.
1.2. Clasificarea mrimilor electrice
O clasificare a mrimilor electrice se poate efectua dup modul de obinere al energi-
ei de msurare, dup aspectul dimensionalspaial i dup modul de variaie n timp.
1. Dup modul de obinere al energiei de msurare
a) Mrimile active sunt acele mrimi care au asociat o energie, din care o parte
poate fi utilizat n procesul de msurare. Raportul ntre energia total, pe care o are mri-
mea respectiv i energia folosit pentru msurare trebuie s fie ct mai mare, astfel nct s
nu fie afectat valoarea mrimii msurate. Exemplu de mrimi active: temperatura, tensiu-
nea electric, intensitatea curentului electric.
b) Mrimile pasive sunt acele mrimi care nu au o energie proprie pe care s o fur-
nizeze. Pentru msurarea lor este necesar s se recurg la o surs de energie auxiliar.
Exemple de mrimi pasive: masa, rezistena, capacitatea, inductivitatea.
2. Dup aspectul dimensionalspaial
a) Mrimi scalare, care sunt complet determinate printr-un singur numr.
b) Mrimi vectoriale, care sunt caracterizate prin: modul (intensitate), direcie i
sens.
c) Mrimi tensoriale. Tensorul este o mrime ataat unui punct din spaiu i care
este alctuit dintr-un ansamblu ordonat de componente scalare. Exemplu: tensorul efortu-
rilor ce apar ntr-un corp solid deformat.
3. Dup modul de variaie n timp
Dup modul de variaie n timp, mrimile scalare pot fi constante sau variabile n
timp, figura 1.2.1.
a) Mrimea constant nu i modific valoarea n timp, avnd doar doi parametrii,
amplitudine i polaritate.
3
b) Mrimea determinist este mrimea a crei evoluie n timp este previzibil, pu-
tnd fi descris printr-o funcie matematic i la care imprevizibilul intervine ntr-o mic
msur.
c) Mrimea aleatoare prezint variaii neprevizibile, valorile pe care le ia n diverse
momente de timp fiind ntmpltoare, figura 1.2.2. Aceste mrimi nu pot fi caracterizate de-
ct n sens probabilistic cu ajutorul metodelor statistice, prin valoarea medie i valoarea
efectiv.
Valoarea medie (componenta continu) a unei mrimi aleatoare, ntr-un anumit inter-
val de timp (t
1
t
2
) este dat de relaia:
dt x(t)
) t (t
1
=
X
2
1
t
t
1 2
med

}
(1.2.1)
Valoarea efectiv (eficace) sau va-
loarea RMS (Root Mean Square) a unei m-
rimi aleatoare este:
dt (t) x
) t (t
1
=
X
2
t
t
1 2
ef
2
1

}
(1.2.2)
unde (t
1
t
2
) reprezint timpul de integrare sau timpul de msur.
d) Mrimea periodic are proprietatea c valorile pe care le ia la anumite momente,
se repet dup intervale egale de timp. Astfel pentru o mrime periodic, valoarea sa instan-
tanee (momentan) x(t), satisface relaia:
x(t) = x(t + kT) (1.2.3)
unde T este perioada i f = 1/T este frecvena.
Valoarea medie a unei mrimi periodice este:
dt x(t)
T
1
=
X
T t
t
med
0
0

}
+
(1.2.4)
Figura 1.2.2. Mrime aleatoare
t
X
med
t
1
t
2
x(t)
Mrime electric
constant variabil
aleatoare determinist
periodic neperiodic
(aperiodic)
alternativ
pulsatorie
sinusoidal
Figura 1.2.1. Clasificarea mrimilor electrice dup
modul de variaie n timp
4
Un alt parametru utilizat pentru caracterizarea mrimilor periodice este valoarea
efectiv:
dt (t) x
T
1
=
X
2
T t
t
ef
0
0

}
+
(1.2.5)
e) Mrimea alternativ este mrimea periodic a crei valoare medie pe perioad
este nul.
Exemple de mrimi alternative din domeniul electric sunt prezentate n figura 1.2.3.
Fa de tensiunea i de curentul continuu, ale cror valori n timp sunt n general sta-
bile i nu alterneaz n polaritate, figura 1.2.4(a), tensiunea alternativ alterneaz n polarita-
te, figura 1.2.3, iar curentul alternativ alterneaz n direcie, figura 1.2.4(b).
Amplitudinea (intensitatea) unei mrimi alternative se determin prin msurarea va-
lorii de vrf sau a valorii vrf la vrf, figura 1.2.5:
X
vv
= X
max
(X
max
) = 2 X
max
(1.2.6)
Fiecare dintre aceste valori poate furniza in-
formaii eronate dac se compar dou tipuri diferite
de und. Astfel, o tensiune dreptunghiular cu valoa-
rea de vrf de 10V este evident o valoare mai mare n
timp dect valoarea de vrf de 10V a unei tensiuni
triunghiulare, efectul acestor dou tensiuni ce alimen-
teaz aceeai sarcin fiind diferit, figura 1.2.6.
O alt valoare important, ce ofer informaii referitoare la puterea electric, a unei
mrimi electrice este valoarea efectiv (eficace sau RMS). Valoarea efectiv a unei tensiuni
electrice alternative este egal cu valoarea tensiunii continue care determin pe o aceeai
x(t)
X
max
X
max
X
vv
= 2X
max
t
Figura 1.2.5. Valoarea maxim i
valoarea vrf la vrf
(a) (b)
I
I I
Figura 1.2.4. Curent continuu (a) i curent alternativ (b)
I
Figura 1.2.3. Forme de und alternative
t
U arii egale
(a) Und sinusoidal
t
U arii egale
(c) Und triunghiular
t
U arii egale
(c) Und dreptunghiular
t
U arii egale
(d) Und n dini de fierstru
T T
T
T
5
sarcin, aceeai putere electric. n cele dou circuite din figura 1.2.7, cele dou surse de
tensiune, una alternativ i una continu, determin un anumit curent prin sarcina de 2O. Se
regleaz sursa de curent continuu pn se obine aceiai putere disipat, sub form de cldu-
r, ca i pe rezistena alimentat n curent alternativ. Dac valoarea tensiunii continue este
de 10V, atunci valoarea efectiv a tensiunii alternative este tot de 10V, respectiv valoarea
efectiv a curentului I
ef
= 10V/2O = 5A.
Raportul dintre valoarea de vrf (maxim) i valoarea efectiv a unei mrimi (semnal)
electrice se numete factor de vrf:
K
v
=
ef
max
X
X
(1.2.7)
f) Mrimea pulsatorie este mrimea periodic a crei valoare instantanee nu-i
schimb semnul, figura 1.2.8.
g) Mrimea neperiodic (aperiodic)
nu mai este caracterizat de relaia (1.2.3).
Aceast mrime evolueaz n timp dup legi
predeterminate, dar valorile pe care le ia nu
au un caracter periodic. Exemplu de astfel de
mrimi: parabole, hiperbole, exponeniale
(cazul descrcrii/ncrcrii unui condensa-
tor) etc.
h) Mrimea sinusoidal este o mrime alternativ dat de relaia:
x(t) = X
m
sin( t + ) (1.2.8)
unde: x(t) valoarea momentan (instantanee);
X
m
valoarea maxim (de vrf);
et faza;
U
max
=
= 10V
Energie (putere)
termic disipat
mare
Figura 1.2.6. Efectul alimentrii aceleiai sarcini cu dou tensiuni diferite, dar avnd
aceeai valoare maxim
10V
t
U
max
=
= 10V
Energie (putere)
termic disipat
mai mic
Figura 1.2.7. Analogie ntre valorile efective i continui ale tensiunii i curentului
10V
RMS
50W putere
disipat
5A
RMS
5A
RMS
10V
50W putere
disipat
5A
5A
t
T
x(t)
x(t)
t
T
Figura 1.2.8. Mrimi pulsatorii
6
faza iniial;
e = 2tf pulsaia;
f = 1/T frecvena;
T = 2t/e - perioada.
Deci practic o mrime alternativ sinusoidal este definit prin trei parametrii: ampli-
tudine, frecven i faz.
Se observ c valoarea medie pe o perioad (componenta continu) a mrimii sinuso-
idale este nul, iar valoarea efectiv este dat de relaia:
X
ef
=
2
X
m
(1.2.9)
n tabelul 1.2.1 sunt prezentate principalele semnale electrice i parametrii acestora.
Tipul semnalului Form de und Valoare efectiv Factor de vrf Valoare medie
Continuu
X 1 X
Sinusoidal
2
X
max
2
0
Sinusoidal redresat
2
X
max
2

2
X
max
Dreptunghiular
alternativ
X
max
1 0
Dreptunghiular
unipolar
2
X
max
2
2
1
X
max
n impulsuri
T

X
max

T
T

X
max
Tabelul 1.2.1. Parametrii unor semnale (mrimi) electrice
X
t
X
max
t
X
max
t
X
max
t
X
max
t
X
max
t
T

x(t)
t
t = T/e = 2t/e
(a)
/e
X
m
X
m
x(t)
et
et = T= 2t
(b)

X
m
X
m
Figura 1.2.9. Reprezentarea unei mrimi sinusoidale: (a) n timp, (b) n faz
7
1.3. Analiza circuitelor electronice
Analiza circuitelor electronice se poate efectua cu ajutorul legilor fundamentale ale
circuitelor (legea lui Ohm, teoremele lui Kirchhoff), precum i a unor teoreme (superpozii-
ei, generatoarelor echivalente Thvenin, Norton etc.).
1. Teorema superpoziiei poate fi enunat n dou forme: una pentru reele cu im-
pedane Z i cealalt pentru reele cu admitane Y.
n orice reea liniar de impedane i generatoare, curentul dintr-o ramur este egal
cu suma curenilor ce strbat acea ramur datorit fiecrui generator considerat separat, cu
toate celelalte generatoare nlocuite prin impedanele lor interne Z
in
(operaia de pasivizarea
a circuitului). n exemplul din figura 1.3.1, circuitul de baz (a) se poate echivala cu dou
circuite, (b) respectiv (c), n care s-au anulat pe rnd efectele sursei E
3
respectiv E
1
, acestea
fiind nlocuite cu impedanele (rezistenele) lor interne, R
3
respectiv R
1
. Se cere curentul I
2
.
3 2
3
3 2
3 2
1
1
2
R R
R
R R
R R
R
E
I
+

+
= ' =
5 2
2
2 5
2 5
6
12
+

+
= A
13
6
;
2 1
1
2 1
2 1
3
2
2
R R
R
R R
R R
R
E
I
+

+
= ' ' =
6 5
6
5 6
5 6
2
6
+

+
= A
13
9
A 15 , 1 I I I
2 2 2
= ' ' + ' = .
A doua modalitate de exprimare a teoremei superpoziiei este: n orice reea de ad-
mitane i generatoare de curent, potenialul de-a lungul unei ramuri este egal cu suma po-
tenialelor de-a lungul acestei ramuri datorate fiecrui generator considerat ca acionnd se-
parat, cu toate celelalte generatoare nlocuite prin admitanele lor interne Y
in
.
2. Teoremele generatoarelor echivalente
Se consider un dipol activ A, la bornele cruia este conectat un rezistor R, figura
1.3.2(a). Dipolul se poate transfigura n dou moduri: n surs echivalent de tensiune (b)
sau n surs echivalent de curent (c), la bornele sale de acces 1'-1''.
R
1
6
(a) Circuitul de baz (b) Efectul sursei E
1
(b) Efectul sursei E
2
Figura 1.3.1. Aplicarea teoremei superpoziiei
I
1
I
E
1
12V

I
2
I
3
II
R
2
5
E
3
6V
R
3
2
R
1
6
I
1
'
I
E
1
12V
+
I
2
'
I
3
'
II
R
2
5
R
3
2
R
1
6
I
1
''
I I
2
'
'
I
3
''
II
R
2
5
E
3
6V
R
3
2
(b)
1'
R U
I
A
(a)
1''
R
in
E
0
I
R U
1'
1''
G
in G
U
I
1''
1'
I
s0
(c)
Figura 1.3.2. Transfigurarea unui dipol activ (a) n surs
echivalent de tensiune (b) sau surs echivalent de curent (c)
I
in
8
Teorema lui Thvenin (teorema generatorului echivalent de tensiune/teorema lui
Helmholz-Thvenin) arat c: orice dipol activ este echivalent cu o surs de tensiune avnd
o tensiune electromotoare E
0
, egal cu tensiunea U
0
la bornele dipolului n regim de funcio-
nare n gol, i o rezisten (impedan) electric intern R
in
(Z
in
), egal cu rezistena (impe-
dana) echivalent a dipolului (n raport cu bornele sale de acces).
Se aplic teorema a II-a a lui Kirchhoff n ochiul de reea din figura 1.3.2(b):
R I + R
in
I = E
0
(1.3.1)
Deoarece U
0
= E
0
la funcionarea n gol, rezult:
in
0
R R
U
I
+
= , (1.3.2)
unde R reprezint rezistena de sarcin (consumatorul), n regim de funcionare n sarcin.
Teorema lui Norton (teorema generatorului echivalent de curent) se refer la regimul
de funcionare n scurtcircuit (R = G
1
= 0, U = 0) cnd curentul I
sc
debitat de dipol este
egal cu curentul I
s0
al sursei ideale de curent, figura 1.3.2(c). Teorema arat c: orice dipol
activ este echivalent cu o surs de curent avnd intensitatea I
s0
, egal cu intensitatea I
sc
a cu-
rentului debitat de dipol n regim de funcionare n scurtcircuit i o conductan electric in-
tern G
in
, egal cu conductana echivalent a dipolului.
Se aplic teorema I a lui Kirchhoff n nodul 1' din figura 1.3.2(c):
I
s0
= I
in
+ I, (1.3.3)
sau:
I
s0
= G U + G
in
U (1.3.4)
Deoarece la funcionarea n scurtcircuit I
s0
= I
sc
, rezult:
in
sc
G G
I
U
+
= (1.3.5)
Influena sarcinii electrice
Sistemele electrice i electronice sunt alctuite
din mai multe circuite interconectate. Sarcina unui astfel
de circuit este circuitul conectat la ieirea sa, simbolizat
printr-o rezisten R sau o conductan G. Circuitul din
figura 1.3.2(b) se poate transpune ntr-un model n care
se noteaz cu U
x
ieirea circuitului n gol, pentru o anu-
mit variabil de intrare x, i cu U
y
tensiunea de ieire cnd se conecteaz sarcina R
s
, figura
1.3.3. Se constat c U
y
< U
x
deoarece, aplicnd teorema lui Thvenin, se obine:
x
s x
s
y
U
R R
R
U
+
= (1.3.3)
***
R
x
I
Figura 1.3.3. Sarcina unui circuit
R
s
U
y U
x
9
CAPITOLUL 2
DISPOZITIVE ELECTRONICE
2.1. Materiale semiconductoare. Jonciunea semiconductoare pn
Din punct de vedere al conductibilitii electrice materialele se mpart n conductoa-
re, semiconductoare i izolatoare. Asemnarea fundamental ntre cele trei categorii const
n faptul c toate au structura intern bazat pe atomi, constituii la rndul lor din nucleu i
electroni. Cu ct orbitele electronilor sunt mai departe de nucleu, forele de legtur cu
acesta sunt mai slabe i astfel electronii pot fi ndeprtai mai uor prin aplicarea unei
energii exterioare. Electronii de pe ultimul strat (orbit) se numesc electroni de valen. n
figura 2.1.1. sunt prezentate diagramele energetice ale celor trei categorii de materiale.
Prin aplicarea unei energii exterioare un numr de electroni din banda de valen
(BV) pot fi smuli devenind electroni liberi. Sub aciunea unui cmp electric exterior care i
dirijeaz ei formeaz curentul electric, trecnd n banda de conducie (BC). Dac energia
exterioar aplicat unui semiconductor este mai mic dect pragul necesar trecerii n BC,
electronii de valen trec n aa numita band interzis (BI) dup care ei revin napoi n BV.
Semiconductorii sunt materiale care stau la baza realizrii componentelor active
(exemplu: diode, tranzistoare etc.). La acestea, spre deosebire de conductoare i izolatoare,
conductibilitatea depinde foarte mult de temperatur, iluminare sau de impurificarea cu ma-
teriale sau cu atomi strini.
Materialele semiconductoare uzuale sunt germaniu i siliciu, ambele fcnd parte din
grupa a IV A, avnd deci 4 electroni de valen pe ultima orbit.
Semiconductorul pur (intrinsec), figura 2.1.2, la rece, se comport ca un izolator.
BC
BC BC
BI
BV
BV
BV
BI
(a) (b) (c)
Figura 2.1.1. Benzile energetice pentru materiale:
(a) conductoare, (b) semiconductoare, (c) izolatoare
Ge
Ge
Ge
Ge Ge
Figura 2.1.2. Semiconductor pur
10
Electronii de valen sunt bine fixai asigurnd legturile dintre atomi. Ca urmare nu
exist purttori de sarcin (electroni sau goluri) liberi.
Semiconductorul de tip n const dintr-un semiconductor pur din germaniu (Ge) n
a crui reea cristalin s-au introdus atomi cu 5 electroni de valen din grupa a V-a (exem-
plu: arseniu As), figura 2.1.3(a), devenind semiconductor extrinsec. Patru legturi de va-
len ai arseniului asigur legturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea
rmnnd slab legat de atomul su devine disponibil (liber) i chiar la temperaturi obinuite
poate cpta o micare liber. Aceti atomi capabili s produc electroni liberi se numesc
donori.
Semiconductorul de tip p se obine prin dotarea semiconductorului pur (intrinsec)
din siliciu (Si) cu atomi din grupa a III-a, cu 3 electroni de valen (exemplu: iridiu Ir). n
acest caz una din legturile reelei rmne nesatisfcut, astfel nct dac un electron dintr-o
legtur vecin primete o cantitate foarte mic de energie (prin agitare termic) el poate
completa legtura lips lsnd n urma sa un gol. Golul format poate fi completat la rndul
su de un electron vecin care i prsete propria legtur lsnd un alt loc gol. Cu alte cu-
vinte, un atom bivalent a dat natere unui gol mobil n semiconductor. Aceti atomi care pot
capta electroni se numesc atomi acceptori.
Concluzionnd, semiconductorul de tip n conine sarcini negative n exces (elec-
troni), iar semiconductorul de tip p are sarcini pozitive n exces (goluri) care se pot depla-
sa prin reeaua cristalin a semiconductorului sub influena unor cauze energetice aplicate
din exterior (cldur, lumin, for electromotoare, etc).
Doparea semiconductorilor puri se poate face prin diverse procedee tehnologice ca:
alierea, difuzia, implantarea ionic etc.
1. Realizarea unei jonciuni semiconductoare pn
Dac ntr-un cristal semiconductor se creeaz prin dopare (impurificare) dou zone
vecine, una de tip p i alta de tip n se obine o jonciune pn, figura 2.1.4(a). Aceast
jonciune nu se poate obine printr-o simpl alipire a dou regiuni impurificate de tip p i
respectiv n, deoarece metodele tehnologice actuale de alipire fac ca distana dintre cele
dou regiuni s fie foarte mare (distana interatomic la Si i Ge are ordinul de mrime 10
10
m). n aceste condiii fenomenele de trecere dintr-o zon n alta a purttorilor de sarcin ar fi
mpiedicat, cele dou regiuni rmnnd astfel izolate. n situaia cnd jonciunii pn nu i
se aplic nici o tensiune, golurile din zona p vor difuza n zona n, iar electronii din zona
n difuzeaz n zona p. Golurile care trec n zona n se vor combina cu o parte a elec-
tronilor majoritari din aceast zon, iar electronii care trec n zona p se recombin cu o
parte a golurilor care sunt purttori majoritari n aceast zon. Datorit plecrii golurilor din
As
Ge
Ge
Ge
Ge
electron liber
(a) Semiconductor de tip n (b) Seminonductor de tipp
Figura 2.1.3. Semiconductori extrinseci
Ir
Si
Si
Si
Si
Gol
11
zona p rmn atomi acceptori necompensai care sunt ncrcai negativ iar prin plecarea
electronilor din zona n, rmn atomi donori necompensai care sunt ncrcai pozitiv. ntre
zona n i zona p ia natere un cmp electric ndreptat de la zona pozitiv din n spre
zona negativ din p. Acest cmp acioneaz ca o barier asupra purttorilor majoritari m-
piedicndu-i s mai nainteze. Acest strat se mai numete i strat de barier (zon de barie-
r B), figura 2.1.4(b). Valoarea diferenei de potenial dintre cele dou zone ale stratului
de barier este de (0,20,3) V pentru germaniu i de (0,550,7) V pentru siliciu. n conse-
cin n cazul jonciunii pn libere (nepolarizat) dup o micare iniial de purttori ma-
joritari se realizeaz un echilibru electric, n care jonciunea prezint dou zone (de tip p
i de tip n) separate printr-o zon (strat) de barier situat de o parte i de alta a suprafeei
de separaie, caracterizat printr-un anumit potenial de barier specific tipului de semicon-
ductor folosit.
2. Jonciunea pn semiconductoare polarizat invers
Dac la extremitile jonciunii pn se aplic o surs exterioar de tensiune, cu bor-
na negativ pe regiunea p i cu borna pozitiv pe regiunea n atunci electronii sunt atrai
de borna pozitiv iar golurile de borna negativ a barierei, figura 2.1.5(a).
Stratul de barier se lrgete i jonciunea pneste blocat, adic este polarizat
invers. Cu toate c jonciunea pn este polarizat invers apare totui un curent de valoare
foarte mic I
inv
datorat deplasrii golurilor din regiunea n spre regiunea p, respectiv
electronilor din p spre n. Acest curent se numete curent invers.
3. Jonciunea pn semiconductoare polarizat direct
Dac la capetele jonciunii pn se aplic o surs exterioar de tensiune, cu borna
pozitiv pe regiunea p i cu cea negativ pe regiunea n atunci jonciunea este polarizat
direct, figura 2.1.5(b). Cmpul electric datorat sursei fiind de sens contrar potenialului de
barier, golurile din zona p vor migra spre borna negativ iar electroni din zona n spre
p n
B
p n
Figura 2.1.4. Jonciunea pn nepolarizat
B
p
n
I
inv
I
inv
(a) Polarizare invers (b) Polarizare direct
Figura 2.1.5. Jonciunea pn polarizat
I
dir
I
dir
p n
12
cea pozitiv astfel c prin circuitul exterior se va nchide un curent I
dir
numit curent direct.
Stratul de barier al jonciunii pn, lipsit de purttori de sarcin mobili, se compor-
t ca un izolator perfect ceea ce permite definirea unei capacitii electrice, numit capacita-
te de barier C
b
:
B
b
d
S
C
c
= (2.1.1)
unde: c este permitivitatea electric a materialului semiconductorului, S suprafaa jonciu-
nii, d
B
grosimea stratului de barier.
2.2. Diode semiconductoare
2.2.1. Caracteristica curenttensiune a diodei semiconductoare
Diodele semiconductoare sunt alctuite dintr-o jonciune pn la care s-au ataat
dou contacte, figura 2.2.1. Din motive de protecie fa de mediul exterior, jonciunea este
introdus ntr-o capsul metalic, din sticl sau din material plastic. Regiunea p se nume-
te anodul diodei iar regiunea n catodul diodei.
Comportarea jonciunii pn polarizate poate fi descris matematic printr-o relaie
I
D
= f(U
D
), care aproximeaz destul de bine funcionarea ei att n polarizare direct dar i
invers, care reprezint ecuaia diodei ideale:

|
|
.
|

= 1
U
U
exp I I
T
D
S D
(2.2.2)
unde: I
D
curentul prin diod, U
D
tensiunea anod-catod la borne, I
S
curent de saturaie
sau curent invers, U
T
=
q
T k
tensiunea termic: k = 1,38 10
-23
J K
-1
- constanta lui
Boltzmann, T [K] temperatura jonciunii, q = 1,6 10
-19
C sarcina electronului.
Regimul ales pentru polarizarea diodei este cel continuu (sau cu variaii lente ale ten-
siunii U
D
).
n zona de polarizare direct (U
D
> 0) curentul crete rapid cu creterea tensiunii U
D
,
figura 2.2.2. n aceast zon relaia (2.2.2) se poate aproxima astfel:
|
|
.
|

=
T
D
S D
U
U
exp I I , pentru U
D
>> 0 (2.2.3)
Caracteritica diodei ideale este puternic dependent de temperatur, figura 2.2.2(a).
Dependena de temperatur a curentului de saturaie este dat de relaia:
C 10
C 25 T
C 25 S ) T ( S S
2 I I I

= = (2.2.4)
A K
p n
K A
(a) Structur semiconductoare (b) Simbol
Figura 2.2.1. Dioda semiconductoare
13
Relaia de mai sus arat c pentru o jonciune de germaniu curentul I
S
se dubleaz fa-
de valoarea sa la temperatura de 25
o
C pentru fiecare cretere cu 10
o
C. La siliciu I
S
se du-
bleaz pentru fiecare 6,5
o
C. Se poate observa c pentru aceeai valoare a curentului I
D
, c-
derea de tensiune se reduce odat cu creterea temperaturii. Se definete coeficientul de
temperatur la polarizare direct:
T
U
K
D
U
A
A
= , cnd I
D
= const. (2.2.5)
Pentru germaniu K
U
= 2,2mV/
o
C, iar pentru siliciu K
U
= 1,8mV/
o
C.
Dac aplicm diodei, o tensiune continu U
D
cu plusul pe anod i minusul pe catod,
dup depirea unei anumite valori U
D0
(tensiune de prag), dioda ncepe s se deschid i
prin ea va circula un curent I
d
(curent direct), curent care crete parabolic cu creterea tensi-
unii U
D
. Aplicnd o tensiune continu cu minusul pe anod i cu plusul pe catod, dioda este
blocat sau este polarizat invers, curentul prin diod avnd o valoare mic. Dac tensiu-
nea invers depete o anumit valoare U
str
(tensiune de strpungere), curentul prin diod
crete brusc ducnd la distrugerea diodei prin efect termic.
Forma caracteristicii reale determinat prin msurri experimentale difer de cea ide-
al, figura 2.2.2(b). La polarizarea direct dioda ncepe s conduc numai de la o anumit
tensiune U
D0
numit tensiune de deschidere. Valoarea tensiunii de deschidere este diferit
pentru diferite materiale de semiconductor. Astfel la siliciu U
D0
= 0,55V iar la germaniu
U
D0
= 0,2V0,3V. La polarizarea invers prin diod trece un curent de valoare extrem de
mic (I
S
de ordinul A pentru germaniu i de ordinul nA pentru siliciu).
2.2.2. Tipuri de diode semiconductoare
Dup utilizarea lor practic diodele semiconductoare pot fi: diode redresoare (anali-
zate n par. 2.2.1), diode stabilizatoare (Zener), diode varicap, diode de comutaiedetecie
modulaie, fotodiode, diode electroluminiscente (LED) etc.
2.2.2.1. Diode stabilizatoare
Diodele stabilizatoare (Zener) utilizeaz proprietatea jonciunii pn de a avea un
T
2
> T
1
T
1
u
D
U
D01
U
D02
u
D
U
str
I
s
(a) Caracteristica ideal (b) Caracteristica real
Figura 2.2.2. Caracteristica static curenttensiune a diodei semiconductoare
i
D
I
D0
U
D
> 0 U
D
> 0 U
D
< 0 U
D
< 0
U
D0
i
D
14
regim de conducie invers n zona de strpungere, astfel c tensiunea este constant la bor-
ne independent de valoarea curentului, fr a depi valori maxime admisibile. Strpungerea
controlat se datoreaz efectului Zener i multiplicrii prin avalan: perechile electrongol
generate termic pot cpta ntre dou ciocniri energii suficient de mari pentru a rupe o leg-
tur covalent genernd o nou pereche electrongol, procesul continund n avalan, fapt
ce va determina o cretere rapid a curentului prin jonciunea polarizat invers.
Caracteristica curenttensiune (IV) a unei diode Zener din figura 2.2.3(a) pune n
eviden parametrii electrici din regiunea corespunztoare polarizrii inverse n care lucrea-
z dioda (cadranul III): I
Zm
curentul invers minim corespunztor tensiunii Zener minime,
U
Zm
, la care fenomenul de strpungere este stabil; I
ZT
curentul invers pentru care se indic
tensiunea Zener nominal (tipic) U
ZT
, tensiune la care are loc fenomenul de strpungere
(U
Z
= 2180V); I
ZM
curentul invers maxim corespunztor tensiunii Zener maxime U
ZM
,
care se poate calcula cunoscnd puterea P
Z
pe care dioda o poate disipa (I
ZM
= P
Z
/ I
Z
) i
curba de disipaie maxim C.
Rezistena dinamic a diodei Zener se calculeaz cu relaia:
Zm ZM
Zm ZM
Z
Z
Z
I I
U U
I
U
r

=
A
A
= (2.2.6)
Diodele Zener se utilizeaz n stabilizatoare de mic i medie putere, n circuite de
protecie i n generatoare de zgomot alb.
n figura 2.2.4 este prezentat o schem de principiu a unui stabilizator de tensiune
tip derivaie (elementul de control dioda Zener, este conectat n paralel cu sarcina R
s
).
La variaii mari ale curentului prin diod I
Z
, datorate unor variaii mari ale tensiunii de in-
trare U
in
se obine o variaie mic a tensiunii la bornele diodei i deci i la bornele sarcinii
U
Z
= U
s
= const. Se pot stabiliza tensiuni de ordinul 4-50V, pentru cureni de sarcin de
10-500mA. Pentru a obine tensiuni stabilizate mai mari se pot conecta mai multe diode Ze-
ner n serie. Rezistena R limiteaz curentul prin diod la valori cuprinse ntre I
Zm
i I
ZM
.
i
Z
u
Z
U
Zm
U
ZT
U
ZM
I
Zm
I
ZT
I
ZM
C
(a) Caracteristica IV (b) Simboluri
Figura 2.2.3. Dioda Zener
III
I II
A
K
A K
U
Z
= U
s R
s
I
s
I
Z
U
in
R
D
Z
I
in
Figura 2.2.4. Stabilizator de
tensiune cu diod Zener
15
2.2.2.2. Dioda cu capacitate variabil (varicap)
Dioda cu capacitate variabil (varicap) utilizeaz proprietatea jonciunii pn de a
prezenta la polarizarea invers o capacitate de barier C
b
(1...30...150 pF), dependent de
tensiunea aplicat u
I
, figura 2.2.5(a). Ele se construiesc astfel nct s aib o capacitate de
barier ct mai mare i o valoare foarte mare a rezistenei inverse, care apare n paralel cu
C
b
n schema echivalent a diodei. n lipsa polarizrii capacitatea jonciunii este C
b0
.
Diodele varicap se utilizeaz n acordul automat al frecvenei, mixare, detecie, mo-
dulaie n frecven, multiplicatoare de frecven etc.
2.3. Tranzistoare
Denumirea de tranzistor (englez transistor) provine din combinaia de cuvinte:
transfer resistor (transfer de rezisten).
2.3.1. Tranzistoare bipolare
2.3.1.1. Structuri semiconductoare
La tranzistoarele bipolare conducia curentului electric se realizeaz prin participarea
ambelor tipuri de purttori de sarcin, majoritari i minoritari (goluri sau electroni). Un tran-
zistor bipolar este constituit din trei regiuni alternante ca dotare, pnp sau npn, realizate
pe acelai monocristal de Si sau Ge. Regiunea central este foarte subire comparativ cu cele
extreme i se numete baz (B). Regiunile extreme se numesc emitor (E) i respectiv colec-
tor (C). Din punct de vedere a conductibilitii exist dou tipuri de tranzistoare bipolare:
npn i pnp, figura 2.3.1.
Datorit modului de realizare, apar dou jonciuni pn: jonciunea E-B (denumit
i jonciunea emitoare JE) i jonciunea B-C (jonciunea colectoare JC).
(a) Caracteristica C
b
= f(u
I
) (b) Simbol
Figura 2.2.5. Dioda varicap
C
b
[pF]
C
b0
u
I
[V]
0
A K
(a) Tranzistor npn (b) Tranzistor pnp
Figura 2.3.1. Tranzistoare bipolare
n
p
n
B
C
E
C
E
B
p
n
p
B
C
E
C
E
B
E
B
C E
B
C
I
B
I
C
I
C
I
E
I
B
I
E U
EB
U
EB
U
CB
U
CB
U
CB
> 0, U
CE
> 0, U
EB
< 0 U
CB
< 0, U
CE
< 0, U
EB
> 0
I
B
> 0, I
C
> 0, I
E
< 0 I
B
< 0, I
C
< 0, I
E
> 0
16
Structura de tranzistor bipolar (prescurtat TB) prezint urmtoarele particulariti:
1. Grosimea bazei este mult mai mare dect lungimea de difuzie a purttorilor minori-
tari (1...10 m).
2. Zonele E i C au (de regul) grosimi mult mai mari dect lungimea de difuzie a pur-
ttorilor minoritari.
3. Emitorul este mult mai puternic dopat dect baza.
4. Jonciunile E i C sunt plane i paralele ntre ele; de aceea toate mrimile electrice
variaz n structur numai dup o perpendicular pe jonciuni.
Terminalul emitorului este pus n eviden printr-o sgeat orientat dup sensul re-
al (de fapt cel convenional: de la plus la minus) al curentului de emitor n polarizare nor-
mal (JE polarizat direct i JC polarizat invers). Sensurile pentru cureni i tensiuni sunt
aceleai pentru tranzistoarele bipolare pnp ct i pentru cele npn. Curenii se consider pozi-
tivi cnd ntr n tranzistor i negativi n caz contrar. Tensiunile se msoar fa de unul din
terminale i se noteaz cu doi indici: primul indic terminalul a crui tensiune se msoar,
iar al doilea indic terminalul luat ca referin de potenial.
2.3.1.2. Funcionarea tranzistorului bipolar. Caracteristici statice.
Polarizri. Regimul de comutaie
I. Funcionarea tranzistorului bipolar
n funcionarea normal, JE este polarizat direct, iar JC invers. Funcionarea TB nu
poate fi dedus ns considerndu-l echivalent cu dou jonciuni independente. Schema cu
dou diode, echivalent, este util doar pentru msurri cu ohmmetrul, figura 2.3.1. Distana
ntre cele dou jonciuni fiind mic, ele se influeneaz reciproc: apare efectul de tranzistor.
ntre tranzistorul bipolar pnp i npn exist o analogie perfect. Se va analiza funcio-
narea tranzistorului bipolar pnp, ns toate rezultatele ce se vor obine sunt aplicabile i la
TB npn, cu urmtoarele precizri:
- se schimb toate mrimile referitoare la goluri n mrimile referitoare la electroni i
invers;
- polaritatea tensiunilor i mrimile reale ale curenilor sunt inverse, figura 2.3.1.
n funcie de tensiunile aplicate unui tranzistor bipolar se deosebesc 4 regiuni (zone
de funcionare):
1: regiunea activ normal, n care jonciunea emitoare (JE) este polarizat direct iar
jonciunea colectoare (JC) este polarizat invers;
2: regiunea de blocare, n care ambele jonciuni sunt polarizate invers;
3: regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni sunt polarizate direct;
4: regiunea activ invers, n care colectorul ia locul emitorului i invers, deci JC este
polarizat direct n timp ce JE este polarizat invers.
Efectul de tranzistor apare n regiunea activ normal.
Pentru a studia acest efect se consider funcionarea unui tranzistor pnp, n regiunea
activ normal, figura 2.3.2.
Polarizrile celor dou jonciuni se fac cu circuite de polarizare exterioare tranzisto-
rului (rezistene R
B
, R
C
i surse E
B
, E
C
). Datorit polarizrii directe a jonciunii emitoare,
purttorii majoritari ai acestuia (golurile) vor difuza masiv n volumul bazei formnd curen-
tul I
pE
, iar electronii din baz vor difuza n emitor formnd curentul I
nB
. Deoarece baza este
foarte subire i slab impurificat (dopat) cea mai mare parte a golurilor din emitor vor
ajunge n JC. Aceast jonciune fiind polarizat invers cu tensiunea E
C
, apare un cmp elec-
tric care accelereaz deplasarea golurilor spre borna minus a sursei E
C
. Doar o mic parte
din golurile injectate n baz nu trec n colector, recombinndu-se cu electronii din baz i
17
formnd curentul I
pB
. Curentul I
CB0
este curentul purttorilor minoritari din colector (elec-
troni) care difuzeaz n baz datorit polarizrii inverse a jonciunii colectorului. I
CB0
este
foarte mic, de ordinul a 1nA (Si) i 1A (Ge), motiv pentru care de multe ori se neglijeaz.
De menionat c sensul convenional al curenilor de electroni I
nB
i I
CB0
este invers
sensului deplasrii electronilor.
Efectul de tranzistor este efectul de comand a curentului prin jonciunea polarizat
invers (JC) cu ajutorul curentului unei jonciuni polarizate direct i plasat n apropiere (JE).
Din sistemul de ecuaii (obinut prin aplicarea teoremei I a lui Kirchhoff):

+ =
+ =
+ =
0 CB nB pB B
0 CB pC C
nB pE E
I I I I
I I I
I I I
(2.3.1)
rezult:
I
C
+ I
B
= I
pC
+ I
pB
+ I
nB
= I
pE
+ I
nB
= I
E
(2.3.2)
Ca urmare, se obine prima relaie fundamental a unui tranzistor:
I
E
= I
C
+ I
B
(2.3.3)
Factorul de transport o se definete astfel:
o =
pE
pC
I
I
, o = 0,990,998 (2.3.4)
Neglijnd I
nB
n raport cu I
pE
n relaia (2.3.2), se obine:
I
C
= o I
pE
+ I
CB0
(2.3.5)
I
C
= o (I
C
+ I
B
) + I
CB0
(2.3.6)
I
C
(1 o) = o I
B
+ I
CB0
I
C
=
0 CB B
I
1
1
I
1

o
+
o
o
(2.3.7)
Se definete factorul de amplificare n curent |:
I
nB
I
pE
I
pC
I
CB0
I
pB
p p n
I
B
I
E
I
C
E
E
E
C
Figura 2.3.2. Funcionarea tranzistorului pnp
n regiunea activ normal de lucru
R
C
R
B
18
o
o
= |
1
, | = 101000 (2.3.8)
| + =
o
o
+
o
o
=
o
1
1 1
1
1
1
(2.3.9)
I
C
= | I
B
+ (1 + |) I
CB0
(2.3.10)
Ecuaia (2.3.10) reprezint a doua relaie fundamental a unui tranzistor.
n multe calcule practice, ntruct I
CB0
este foarte mic ultimul termen al relaiei se ne-
glijeaz astfel nct:
I
C
= | I
B
(2.3.11)
Aceast relaie evideniaz c, curentul de colector nu depinde de elementele circui -
tului exterior ci doar de curentul de baz. De aceea tranzistorul este folosit ca element de
amplificare.
Curentul rezidual dintre emitor i colector I
EB0
cnd baza n gol se calculeaz astfel:
I
EB0
= ( + 1) I
CB0
(2.3.12)
II. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
Caracteristicile statice exprim dependena grafic dintre curenii continui prin tran-
zistor i tensiunile continue aplicate n terminale, n regim static.
Pentru calculul circuitelor cu tranzistoare bipolare (TB) se folosesc fie caracteristici
statice trasate experimental, fie unele modele simplificate pentru TB. n aceste montaje cu
TB se disting dou circuite: un circuit de intrare, n care se aplic semnalul de prelucrat i
un circuit de ieire, n care se obine semnalul prelucrat. TB avnd numai 3 borne, una din
bornele sale trebuie s fac parte din ambele circuite. De obicei terminalul comun se ia ca
referin de potenial. Dup terminalul comun, exist urmtoarele conexiuni posibile pentru
TB, indiferent de tipul tranzistorului, pnp sau npn:
a) baza comun (BC), n care tensiunea de polarizare se aplic nemijlocit pe cele dou
jonciuni, figura 2.3.3(a);
b) emitor comun (EC) n care JE este polarizat direct de la sursa respectiv, iar polari-
zarea JC se obine ca diferen ntre potenialele C i B: U
CB
= U
CE
U
BE,
figura 2.3.3(b);
c) colector comun (CC), n care JC este polarizat direct de la surs, iar polarizarea JE
se obine ca diferen ntre E i B: U
EB
= U
EC
U
BC
, figura 2.3.3(c).
n tabelul 2.3.1 se dau principalele caracteristici ale conexiunilor.
Pentru definirea punctului de funcionare (PSF) al TB sunt necesare patru mrimi:
curenii la terminalele de intrare i ieire i tensiunile ntre aceste terminale i terminalul co-
mun. Tensiunea ntre terminalul de intrare i cel de ieire precum i curentul la terminalul de
referin rezult din aplicarea teoremelor lui Kirchhoff:
C E
B
Figura 2.3.3. Conexiunile tranzistorului bipolar
I
C
I
E
U
EB
U
CB
(a) Conexiunea BC
C
B
E
I
C
I
B
U
BE
U
CE
(b) Conexiunea EC
E
B
C
I
E
I
B
U
BC
U
EC
(c) Conexiunea CC
19

= + +
= + +
0 u u u
0 i i i
CE BC EB
B C E

=
=
pnp EB npn BE
pnp E npn E
| U | U
| I | I
(2.3.12)
Caracteristicile statice cele mai importante din punct de vedere practic sunt:
1) Caracteristicile de ieire care exprim dependena I
ieire
(U
ieire
), avnd ca parametru
I
intrare
(sau U
intrare
).
2) Caracteristicile de transfer, care exprim dependena I
ieire
(I
intrare
sau U
intrare
), avnd
ca parametru U
ieire
.
3) Caracteristicile de intrare, care exprim dependena I
intrare
(U
intrare
), avnd ca para-
metru U
ieire
.
4) Caracteristicile de reacie, care exprim dependena U
intrare
(U
ieire
), avnd ca para-
metru I
intrare
.
n figura 2.3.4 sunt reprezentate familiile de caracteristici statice ale TB npn n cone-
xiunea EC (cea mai des utilizat). Caracteristicile sunt identice cu cele ale TB tip pnp, mri-
mile fiind trecute ntre paranteze cu semnul minus. n fiecare cadran sunt trasate dependen-
ele dintre dou mrimi, cea de a treia fiind meninut constant (parametru).
n cadranul I este dat familia caracteristicii de ieire i
C
= f (u
CE
) la curent de baz I
B
= constant. Pentru I
B
= 0, valoarea pentru care curba este aproximativ orizontal este I
CB
.
Punctul M (U
CE
, I
C
), prin care trece dreapta de sarcin, reprezint punctul static de funcio-
nare (PSF) a tranzistorului.
Tip conexiune
Parametru
BC EC CC
Rezistena de intrare R
in
foarte mic mic mare
Rezistena de ieire R
ie
mare mare mic
Amplificarea n curent mic (= 1) mare mare
Amplificarea n tensiune foarte mare mare mic (= 1)
Amplificarea n putere mare foarte mare mare
Frecvena de lucru mare mic foarte mare
Tabelul 2.3.1. Caracteristicile conexiunilor tranzistorului bipolar
i
C
(i
C
)
i
B
(i
B) u
CE
(u
CE
)
u
BE
(u
BE
)
U
BM
U
CEM
U
C
0 U
CES
U
CE
= ct.
U
CE
= ct.
I
CM
I
CS
U
C
/ R
C
3
M
I
B
= ct.
I
B
= 0
hiperbola de
disipaie - P
DM
dreapta de
sarcin
I
BS
I
B
Figura 2.3.4. Familiile de caracteristici statice ale
tranzistorului bipolar n conexiune emitor comun
I
CB0
I
B
= 0
I
B
I
B
= ct.
U
CE
= 0
I
II
III
IV
2
1
20
Cadranul al II-lea conine caracteristica de transfer n curent ntre intrare i ieire, i
C
=
= f (i
B
) la U
CE
= const. Raportul I
C
/I
B
= arat ctigul n curent realizat de tranzistor n co-
nexiunea EC.
n cadranul al III-lea apare caracteristica de intrare i
B
= f (u
BE
) la U
CE
= const. Curba
trasat pentru U
CE
= 0 reprezint caracteristica jonciunii JE, polarizat direct.
n cadranul al IV-lea sunt redate caracteristicile de reacie n tensiune intrareieire
u
CE
= f (u
BE
) la I
B
= constant.
Familia caracteristicii de ieire prezint neliniariti pe anumite poriuni ale curbelor
i conine zonele de funcionare posibile ale tranzistorului: 1 (regiunea de saturaie, n care
I
CS
i U
CES
sunt valori la saturaie), 2 (regiunea activ normal) i 3 (regiunea de blocare). n
regiunile 1 i 3 tranzistorul funcioneaz n regim de comutaie (saturatblocat). Zona admi-
s de funcionare (fr distrugerea tranzistorului) este delimitat de hiperbola de disipaie
pentru valorile maxime admisibile I
CM
, U
CEM
, P
DM
, pe care le poate suporta tranzistorul:
P
DM
= U
CE
I
C
(2.3.13)
III. Polarizarea tranzistorului i stabilizarea punctului static de funcionare
n figura 2.3.5 sunt prezentate circuite de polarizare a tranzistorului bipolar i de sta-
bilizare a punctului static de funcionare.
Cel mai simplu circuit de polarizare conine rezistena n baz R
B
i o singur surs
de polarizare E
C
, figura 2.3.5(a). Ecuaia dreptei de sarcin care trece prin PSF (M) din figu-
ra 2.3.4, se obine aplicnd teorema a II-a Kirchhoff n ochiul circuitului de ieire:
E
C
= R
C
I
C
+ U
CE
, de unde:
C
CE C
C
I
U E
R

= (2.3.14)
Cu ajutorul ecuaiei (2.3.14) se aleg condiiile de funcionare a circuitului.
Dac se utilizeaz conturul exterior al circuitului se obine ecuaia circuitului de in-
trare de forma:
E
C
= R
B
I
B
+ U
BE
(2.3.15)
de unde folosind caracteristicile statice de intrare se determin I
B
i U
BE
, cu ajutorul crora
se calculeaz rezistena din baz:
B
BE C
B
I
U E
R

= . (2.3.16)
Circuitul din figura 2.3.5(b) are un efect stabilizator datorat prezenei rezistenei din
emitor, R
E
deoarece:
I
C
I
B
R
C
R
B
U
BE
U
CE
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.3.5. Circuite de polarizare i stabilizare a punctului static de funcionare
R
E
E
C
R
C
R
B
U
in
E
C
U
in U
ie U
ie
R
E
R
C
R
B
E
C
U
in
U
ie
R
E
R
C
R
B1
R
B2
E
C
U
in U
ie
U
BE
I
B
I
E
E
B
I
B
I
C
21
La creterea temperaturii, curenii I
C
(I
E
) tind s creasc att datorit creterii lui fac-
torului | ct i curentului I
CB0
, precum i a scderii tensiunii U
BE
.
Cderea de tensiune pe rezistena R
E
este:
U
E
= R
E
I
C
(2.3.17)
Curentul din baz I
B
scade, nu mai rmne constant ntruct:
I
B
=
B
E BE C
R
U U E
(2.3.18)
Datorit scderii curentului I
B
, I
C
scade, compensnd o parte din creterea cauzat de
variaiile lui |, I
CB0
. Avem de-a face cu o reacie negativ.
Circuitul din figura 2.3.5(c), care conine un divizor rezistiv n baz, format din rezis-
tenele R
B1
i R
B2
, este cel mai utilizat circuit de polarizare a tranzistorului bipolar.
mbuntirea rezult mai clar nlocuind divizorul din baz conform teoremei genera-
torului echivalent de tensiune (Thvenin-Helmholz) cu un generator echivalent de tensiune
E
B
, figura 2.3.5(d):
E
B
= E
C

2 B 1 B
2 B
R R
R
+
, (2.3.19)
n serie cu o rezisten echivalent R
B
:
R
B
=
2 B 1 B
2 B 1 B
R R
R R
+

, (2.3.20)
Curentul din baz va fi:
I
B
=
B
B C E BE B
R
) I I ( R U E +
(2.3.21)
Deoarece E
B
< E
C
rezult c aceeai variaie a curentului de emitor (I
E
= I
B
+ I
C
) de-
termin n montajul cu divizor n baz o variaie relativ mai mare a curentului I
B
, deci va
putea fi compensat o mai mare parte din creterea lui I
C
cauzat de creterea temperaturii.
Alt avantaj al divizorului se constat la proiectare, unde libertatea este mai mare datorit in-
troducerii unor elemente suplimentare (R
B2
).
IV. Regimul de comutaie al tranzistoarelor bipolare
Procesele fizice care au loc la comutarea tranzistoarelor bipolare sunt ca urmare a
aplicrii unui semnal pentru comutarea direct cnd se acumuleaz purttori minoritari n
regiunile neutre ale tranzistorului, iar la aplicarea semnalului pentru comutarea invers se
evacueaz aceti purttori. Timpii de comutare sunt determinai n principal de acest proces.
n regim activ normal de lucru, are loc injecia de purttori minoritari doar la jonciu-
nea emitor-baz. Deoarece regiunea bazei este mai slab dopat cu impuriti dect regiunea
emitorului rezult c sarcina de purttori minoritari injectat n emitor este mult mai mic
dect sarcina de purttori minoritari injectat n baz, astfel nct procesele de comutare vor
fi determinate n principal de sarcina de purttori minoritari din baza tranzistorului.
n regim de saturaie, ntruct ambele jonciuni sunt polarizate direct are loc injecia
la ambele jonciuni. La tranzistoarele la care regiunea colectorului este slab dopat cu impu-
riti, sarcina de purttori minoritari injectat din baz n colector poate fi comparabil cu
sarcina injectat din colector n baz, astfel c va trebui s fie luat n consideraie.
22
La tranzistoarele cu colector puternic dopat cu impuriti, sarcina injectat din baz
n colector este redus astfel nct procesele de comutare sunt determinate numai de sarcina
din baz, caz care va fi analizat n continuare.
Pentru reducerea timpului de comutare direct este avantajoas comutarea n zona de
de saturaie. Prin aceasta se mrete ns timpul de comutare invers cu timpul de stocare.
De asemenea, pentru reducerea timpului de comutare invers este necesar un curent de baz
invers de valoare ct mai mare. Rezult atunci c pentru reducerea timpilor de comutaie,
deci pentru accelerarea comutrii tranzistorului ar fi necesar pentru curentul din baz, o va-
riaie de tipul celei din figura 2.3.6.
Amplitudinea saltului de valoare I'
B1
trebuie s fie suficient de mare pentru a se obi-
ne timpul de comutaie direct dorit iar durata lui cel puin egal cu timpul de comutai e.
Curentul I
B1
trebuie s asigure meninerea punctului de funcionare a tranzistorului n
apropierea zonei de saturaie incipient pentru a se profita de avantajele prezentate de intra-
rea tranzistorului n saturaie (tensiune rezidual mic, deci amplitudine mare a semnalului
de ieire, putere disipat mic), dar i pentru a reduce timpul de stocare. Curentul de baz
I
B2
trebuie s asigure comutarea invers a tranzistorului ntr-un timp impus.
Practic, o form de und apropiat de cea ideal pentru curentul de comand se obi-
ne cu circuitul din figura 2.3.7(a) cnd la intrare se aplic un impuls dreptunghiular, figura
2.3.7(b), de la un generator de semnal cu rezistena intern R
g
.
Figura 2.3.6. Variaia n timp ideal, a
curentului de baz pentru reducerea
timpilor de comutare ai tranzistorului
i
B
I'
B1
I
BS
I
B2
I
B1
t
R
G
R
C
R
B
+E
C
E
1
E
1
/R
G
C
B
I
B
E
2
t
t
e
G
E
1
/(R
G
+R
B
)
Figura 2.3.7. Circuit pentru accelerarea comutrii tranzistorului:
(a) Schema de principiu; (b) Semnalul la intrarea circuitului;
(c) Variaia curentului de baz
(b)
(c)
(a)
23
Tranzistoarele bipolare de putere lucreaz de obicei n comutaie. Nu se lucreaz n zona
activ, deoarece sunt pierderi mari. La frecvene mari de comutaie se evit saturarea adnc pentru
micorarea timpului de blocare. Blocarea tranzistorului se face prin negativarea curentului de baz.
Circuitele de comand pe baz trebuie s asigure un curent I
B
< 0 pentru blocare i un curent I
B
> 0
pentru deschidere.
2.3.1.3. Tranzistorul unijonciune
Tranzistorul unijonciune (TUJ), denumit i diod cu baz dubl, este realizat pe un
substrat semiconductor de tip n (slab dotat cu impuriti) cu dou terminale: B
1
(baza 1) i
B
2
(baza 2). ntre aceste baze rezistena este relativ mare (kO). n zona median a substratu-
lui este difuzat o regiune de tip p (puternic dopat cu impuriti), legat la emitorul E, fi-
gura 2.3.8(a).
n figura 2.3.8(b) este trasat caracteristica static de intrare de tip N (cu rezisten
negativ). La aplicarea tensiunii u
B2B1
apare o cdere de tensiune n substratul n de la B
2
spre B
1
i implicit de-a lungul jonciunii pn. Dac tensiunea u
EB1
este de valoare mic,
toat aria jonciunii este polarizat invers, iar caracteristica este cea a unei diode polarizate
invers, reprezentat de ramura RP, corespunztoare zonei de blocare a TUJ. Punctul T este
punctul de tiere n care i
E
= 0, iar P (I
P
, U
P
) este punctul de vrf.
Atunci cnd u
EB1
crete i atinge valoarea u
EB1
0,5 u
B2B1
, ncepe polarizarea direct
a jonciunii pn (EB
1
), corespunztoare punctului P, din cauza difuzrii golurilor din re-
giunea p n regiunea n din apropierea bazei B
1
. Acest proces are ca efect scderea rezis-
tenei (mrirea conductanei) ntre B
2
i B
1
i stabilirea curentului i
E
care se nchide prin B
1
.
Tensiunea u
B2B1
scade brusc, curentul i
E
va crete la fel de brusc (ramura PV) iar u
EB1
va
scdea pn la valoarea tensiunii directe pe dioda (jonciunea) EB
1
, ce corespunde punctului
de vale V (I
V
, U
V
). Ramura PV caracterizeaz zona cu rezisten de intrare negativ (pan-
t negativ) a TUJ. Dac se mrete n continuare tensiunea u
EB1
, jonciunea se deschide pe
o suprafa tot mai mare pn cnd se polarizeaz direct i baza B
2
. Din punctul V al ramurii
VD curentul i
E
crete odat cu mrirea tensiunii u
EB1
, astfel c aceast ramur corespunde
zonei de conducie direct a unei diode polarizate direct.
Tranzistoarele bipolare se utilizeaz n amplificatoare, surse liniare de tensiune i cu-
rent, convertoare, circuite n comutaie, mixere, oscilatoare, circuite de temporizare, circuite
pentru comanda tiristoarelor, traductoare pentru semnale radiante, sisteme de securitate ba-
zate pe bariere optice, optocuploare etc.
2.3.2. Tranzistoare unipolare (cu efect de cmp)
Funcionarea tranzistoarelor unipolare (cu efect de cmp) TEC (FET: Field Effect
u
B2B1
+

n
B
1
E
n

+
B
2
E
p
u
EB1
B
2 B
1
Figura 2.3.8. Tranzistorul unijonciune
(b) Caracteristica de intrare (a) Structur i simbol
D
V
T
P
R
I
V
I
P
U
P
U
P
i
E
O
U
B2B1
= ct.
u
EB1
24
Transistor) se bazeaz pe variaia conductibilitii unui canal dintr-un material semiconduc-
tor, ale crui dimensiuni transversale pot fi controlate cu ajutorul cmpului electric creat de
tensiunea de semnal (comand), aplicat pe un electrod de control numit gril sau poart.
Cmpul electric se aplic perpendicular pe calea de trecere a curentului (numit canal). n
acest mod, TEC poate fi considerat ca un rezistor controlat n tensiune.
Spre deosebire de TB, a cror funcionare este bazat pe existena ambelor categorii
de purttori mobili (majoritari i minoritari), funcionarea TEC se bazeaz pe un singur tip
de purttori, cei majoritari; din acest motiv ele se mai numesc i tranzistoare unipolare.
Structura unui TEC conine urmtoarele regiuni:
a) canalul regiunea semiconductoare a crei conductivitate poate fi controlat i prin
care circul curentul tranzistorului (canalul este de tip n, atunci cnd purttorii sunt elec-
tronii, i de tip p, dac purttorii sunt golurile);
b) drena (notat D) regiunea semiconductoare spre care se deplaseaz purttorii de
sarcin majoritari (analog colectorului tranzistorului bipolar);
c) sursa (S) regiunea semiconductoare de la care ncepe deplasarea prin canal a pur-
ttorilor de sarcin (analog emitorului tranzistorului bipolar);
d) grila sau poarta (G) regiunea semiconductoare sau metalic, utilizat pentru con-
trolul curentului prin canal (analog bazei tranzistorului bipolar);
e) suportul sau substratul (B sau SS) domeniu pasiv, pe care se construiete tran-
zistorul.
Dup modul de realizare a grilei, TEC se mpart n dou categorii:
- cu gril jonciune (TEC-J sau J-FET);
- cu gril izolat (IG-FET) sau metal-izolant-semiconductor (TEC-MIS), sau dac izo-
lantul este bioxid de siliciu (SiO
2
) se numete TEC-MOS (MetalOxidSemiconductor).
(MOS-FET sau MOS).
TEC combin multe din avantajele tuburilor electronice (rezisten de intrare foarte
mare, stabilitate termic bun) cu cele ale TB (dimensiuni reduse, consum redus de putere,
robustee mecanic). TEC au i unele dezavantaje fa de TB: pant mic, cdere de tensiu-
ne mai mare n stare de conducie, mprtierea mare a caracteristicilor, putere mic.
2.3.2.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune (TEC-J)
I. Structura semiconductoare i funcionarea TEC-J
La acest TEC-J canalul conductor este delimitat n volumul unui semiconductor cu
ajutorul a dou jonciuni pn polarizate invers. n figura 2.3.11 se arat structura fizic
(semiconductoare) obinuit a unui TEC-J canal n, cel mai rspndit TEC-J.
S
G
D
~25
~100
n
+
n
+
p
+
a
L = (10100) a
p
+
Si
S G
D
SS/B (grila a doua)
4

m
1
0
0

m
c
o
n
e
x
i
u
n
e

i
n
t
e
r
n

n
(a) Structur semiconductoare (b) Schem de msur cu ohmmetrul
Figura 2.3.11. Tranzistor cu efect de cmp cu gril jonciune canal n
u
DS
> 0; u
GS
< 0; i
DS
> 0
u
DS
u
SG
i
DS
25
Sursa este electrodul de la care pleac purttorii mobili (e

) spre canal, iar drena este

electrodul spre care se ndreapt purttorii mobili (e

) din canal. Lungimea canalului (L)

este de 10100 ori mai mare dect grosimea sa (a).
Pentru TEC-J canal p toate regiunile sunt de tip invers celor din figura 2.3.11. For-
mal, structura TEC-J seamn cu cea a TB, dar funcionarea este cu totul diferit. n timp ce
la TB, jonciunile au rolul de a injecta i respectiv colecta purttorii de sarcin, jonciunile
TEC-J au rolul de a delimita i modula seciunea transversal a canalului prin care trece cu-
rentul. La TB curentul circul perpendicular pe suprafeele jonciunilor, iar la TEC-J paralel
cu jonciunile. Ca electrod de referin la TEC-J cel mai des ntlnit este sursa.
Pentru a urmri mai uor principiul de funcionare al TEC-J, se consider iniial c
grila este legat la surs (U
GS
= 0). Pentru ca electronii majoritari din canal s se deplaseze
de la S spre D, la TEC-J canal n, D trebuie s fie pozitiv fa de S (U
DS
> 0). Avnd n ve-
dere polaritatea tensiunii de dren, rezult c orice punct din regiunea n a canalului se afl
la un potenial pozitiv fa de surs i deci fa de gril. Cele dou jonciuni pn sunt po-
larizate invers, iar curentul transversal pe jonciuni este neglijabil (~10
-9
A) i nu intervine
n funcionarea dispozitivului. ntruct regiunile de tranziie ale dispozitivului sunt golite de
purttori mobili, curentul ntre D i S este determinat de rezistena canalului cuprins ntre
cele dou regiuni de tranziie. Regiunile de tranziie ale jonciunilor se extind practic numai
n regiunea canalului, deoarece acesta este mult mai slab dopat comparativ cu regiunile de
gril. Se va presupune c nlimea barierelor (U
0
) este aceeai la ambele jonciuni i c do-
parea canalului este uniform. Dac U
DS
<< U
0
, grosimea regiunilor de tranziie este cons-
tant n lungul canalului, canalul va avea seciune constant i se va comporta ca o rezisten-
ohmic, figura 2.3.12(a). Caracteristica de ieire I
D
(U
DS
) ncepe deci cu o poriune liniar
(poriunea OA din figura 2.3.13).
Pentru U
DS
> U
0
, canalul nu mai are seciunea uniform; potenialul n lungul canalu-
lui crescnd de la valoarea 0 n dreptul sursei la valoarea U
DS
n dreptul drenei, tensiunea de
p
+
n
p
+
S G D
U
DS
<< U
0
(a)
SS
n
p
+
S G D
U
0
< U
DS
< U
DSS
(b)
SS
p
+
n
p
+
S G D
U
DSS
(c)
SS
p
+
T
n
p
+
S G D
U
DS
> U
DSS
(d)
SS
p
+
T
U
DSS
U
DS
U
DSS
T'
E
Figura 2.3.12. Funcionarea TEC-J canal n
26
polarizare invers aplicat celor 2 jonciuni crete n valoare pe msura apropierii de dren.
Concomitent crete grosimea regiunilor de tranziie, deci scade seciunea transversal a ca-
nalului, figura 2.3.12(b). Din aceast cauz conductana canalului scade cu creterea lui
U
DS
, caracteristica devine neliniar (poriunea AB, figura 2.3.13). Crescnd n continuare
tensiunea U
DS
se ating regiunile de tranziie ale celor 2 jonciuni i canalul se nchide (la
tensiunea U
DSS
), figura 2.3.12(c). Pentru U
DS
> U
DSS
, sursa i drena sunt complet separate
printr-o zon golit de purttori mobili, figura 2.3.12(d), curentul prin canal nu se anuleaz
ns. Continuitatea curentului prin zona golit de purttori este asigurat de injecia pe care
canalul o face n punctul T, n care cele dou regiuni de tranziie se unesc. ntre dren i sur-
s exist un cmp electric E

n lungul canalului. Electronii care ajung dinspre canal n punc-

tul T sunt trecui de acest cmp n regiunea drenei. Situaia este asemntoare cu ceea ce se
petrece la jonciunea C-B a tranzistorului bipolar. Cnd U
DS
crete, punctul T se deplaseaz
spre surs, dar potenialul su rmne U
DSS
. Restul tensiunii U
DS
cade pe regiunea golit
TT'. Distana TT' este de ordinul grosimilor regiunii de tranziie, deci mult mai mic dect
lungimea canalului.
Dac lungimea canalului este aproape constant cu creterea tensiunii U
DS
atunci I
DSS
~ constant (poriunea BC din figura 2.3.13).
Pentru tensiuni U
DS
foarte mari jonciunile se strpung n dreptul drenei i curentul I
D
crete foarte mult, figura 2.3.13.
S considerm acum i efectul polarizrii grilei. n cazul TEC-J canal n, pentru ca
jonciunile G-canal s fie polarizate invers, U
GS
< 0. Datorit tensiunii de gril, regiunile de
tranziie ale jonciunilor se extind n canal, iar seciunea canalului scade, scznd i conduc-
tana, figura 2.3.14 corespunztoare cazului (a) din figura 2.3.12.
Crescnd tensiunea U
DS
fenomenele vor fi similare cazului U
GS
= 0, dar canalul se
nchide la U
DS
mai mic: U
D-sat
= U
DSS
+ U
GS
, unde U
GS
< 0; I
DS-sat
< I
DSS
. Strpungerea
jonciunilor n dreptul drenei are loc la o tensiune mai mic dect n cazul U
GS
= 0: U'
DS-str
=
= U
DS-str
+ U
GS
, unde U
GS
< 0. La o anumit valoare U
GS
= U
P
(tensiune de penetraie/prag)
O U
DSS
U
DS strpungere
u
DS
I
DSS
i
DS
U
GS
= 0
A
B C
Figura 2.3.13. Caracteristica de ieire i
D
(u
DS
)
p
+
n
p
+
S G D
U
DS
<< U
0
+|U
GS
|
Figura 2.3.14. Polarizarea grilei
SS
U
GS
< 0
27
regiunile de tranziie ale celor 2 jonciuni se ating pe ntreaga lungime a canalului, canalul
conductor dispare, I
D
= 0. Se observ c U
P
= U
DSS
. Experimental U
P
se definete ca tensi-
unea U
GS
pentru care I
D
are o anumit valoare (de exemplu 1A), i este parametru de cata-
log al tranzistorui TEC-J. Pentru TEC-J canal p, U
P
> 0, uzual |U
P
| = 110V, cel mai ade-
sea |U
P
| = 23V.
II. Caracteristici statice. Simboluri. Curentul de dren
n regiunea nesaturat canalul este continuu ntre surs i dren. n regiunea de satu-
raie canalul este obturat la captul dinspre dren. n toate punctele avem: U
DS
= U
P
|U
GS
|,
figura 2.3.15(a). n majoritatea aplicaiilor practice TEC-J lucreaz n regiunea de saturaie.
Al doilea regim de funcionare, ca importan, este cel liniar, n care TEC-J lucreaz ca re-
zisten comandat de tensiunea aplicat grilei (U
GS
).
Pentru simbolizare, figura 2.3.15(b), canalul este reprezentat printr-o bar, iar contac-
tele prin segmente perpendiculare pe canal. Pe contactul grilei se pune o sgeat care indic
jonciunile gril-canal (sensul sgeii este de la p la n ca i la TB).
Curentul de dren n regiunea de saturaie este:
I
DS
= I
DSS

n
P
GS
U
U
1
|
|
.
|

; U
DS
> U
GS
U
P
(2.3.22)
unde I
DSS
este curentul de saturaie pentru U
GS
= 0, iar coeficientul ne 1,52,5 (frecvent
n = 2). n catalog se precizeaz I
DSS max
.
n regiunea de saturaie este important caracteristica de transfer gril-dren, figura
2.3.16.
S
D
G
S D
G
SS
S
D
G
S
D
G
SS
curba de saturaie
[mA] i
DS
u
DS
U
DS-sat
20 30 [V]
0
U
GS
= 2
V
U
GS
= 1
V
U
GS
= 0
V
strpungere
saturaie
I
DSS
U
P
= 2,5V
Canal n Canal p
(a) Caracteristicile de ieire i
D
(u
DS
), U
GS
= ct. (canal n) (b) Simboluri TEC-J
Figura 2.3.15. Caracteristicile de ieire TEC-J, canal n i simbolurile TEC-J
u
DS
> 0, u
GS
< 0,
U
P
< 0, i
DS
> 0
u
DS
< 0, u
GS
> 0,
U
P
> 0, i
DS
< 0
i
DS
[mA]
u
DS
> U
D-sat
u
GS
3 2 1 [V]
5
10
15
Figura 2.3.16. Caracteristica de
transfer i
D
(u
GS
) TEC-J (n)
28
Curentul de dren n regiunea nesaturat are expresia:
] U U ) U U ( 2 [
U
I
I
2
DS DS P GS
2
P
DSS
DS
= ; U
DS
< U
GS
U
P
(2.3.23)
2.3.2.2. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TEC-MOS)
I. Structura semiconductoare, funcionarea i simbolurile TEC-MOS
Structura tipic a unui TEC cu gril izolat (cu canal n indus) este artat n figura
2.3.17. n substratul din siliciu tip p s-au format dou regiuni n
+
. Contactul ohmic la
substrat constituie baza, care se conecteaz la surs, uzual referin de potenial. Stratul de
bioxid de siliciu (SiO
2
) are o grosime de circa 0,1 m.
Cnd grila este lsat n gol sau este negativ fa de surs (U
GS
< 0), ntre surs i
dren exist dou jonciuni pn legate n opoziie. Curentul I
DS
este nul, indiferent de po-
laritatea tensiunii U
DS
.
Dac grila se pozitiveaz fa de substrat, ea va respinge golurile de la suprafaa se-
miconductorului spre interior i va atrage la suprafa electroni. Peste o anumit valoare a
tensiunii de gril, concentraia electronilor la suprafa depete pe cea a golurilor, formn-
du-se un canal de tip n ntre surs i dren. Conductana acestui canal indus de cmpul elec-
tric depinde de diferena de potenial ntre gril i surs, deci curentul care circul ntre dre-
n i surs poate fi controlat de potenialul aplicat grilei. Datorit izolrii bune realizate de
SiO
2
, n circuitul grilei va circula un curent mic (10
14
A), astfel c puterea necesar grilei
este neglijabil (I
G ~ 0
). Conducia curentului are loc ntr-un strat foarte subire la suprafaa
semiconductorului, din aceast cauz TEC-MOS se mai numesc de suprafa, pe cnd TEC-
J este TEC de volum.
Dup cum se formeaz canalul, TEC-MOS poate fi cu canal indus i cu canal iniial.
La cel cu canal p este invers dect n figura 2.3.17(a). Uneori TEC-MOS cu canal indus se
mai numesc TEC n regim de mbogire, deoarece un strat subire de la suprafaa semicon-
ductorului se mbogete cu purttori minoritari. n cazul TEC-MOS cu canal iniial, cana-
lul conductor exist chiar si cnd grila se afl la potenialul 0 fa de substrat (U
GS
= 0);
tensiunea aplicat grilei, n funcie de semnul ei, poate mri sau micora conductana cana-
lului. i n acest caz canalul poate fi de tip p sau n.
Simbolurile utilizate pentru TEC-MOS (uzual baza se conecteaz la surs) sunt date
n figura 2.3.18:
- canal indus: canalul este reprezentat ntrerupt; sgeata este de la p la n;
- canal iniial: canalul este reprezentat continuu.
curba de saturaie
i
DS
u
DS
U
DS sat 0
U
GS
= 2
V
U
GS
= 1
V
U
GS
= 0
V
canal indus
S
G D metalizare
Figura 2.3.17. Structura TEC-MOS
cu gril izolat i canal indus n
SS/B
Substrat
Si - p
n
+
n
+
10m
SiO
2
0
,
1

m
29
Un avantaj important al TEC-MOS l constituie rezistena de intrare foarte mare (10
13
...10
18
O). Legat de aceasta se impun anumite precauii n manipularea TEC-MOS. Eventua-
lele sarcini care se pot acumula pe gril, prin simpla frecare a terminalelor, nu au cale de
scurgere i determin creterea potenialului fa de substrat, capacitatea C
GS
este foarte mi-
c (1pF) i cantiti mici de electricitate determin creterea U
GS
pn la tensiunea de str-
pungere a stratului de SiO
2
. Tensiunea de strpungere este de 50100 V.
Evitarea strpungerii stratului de SiO
2
se face n dou moduri:
TEC-MOS se livreaz i se manipuleaz cu o srm (un conductor) care se scoate nu-
mai dup montarea tranzistorului n circuit. Lipirea se face cu ciocane cu transformator de
reea i mpmntare. Se folosesc mese cu tblii metalice cu mpmntare.
Pe acelai substrat cu TEC-MOS se realizeaz un sistem de protecie, realizat n dou
variante. n prima variant, pe acelai substrat i odat cu tranzistorul se realizeaz o diod
Zener cu o tensiune de strpungere de 30..50 V < U
GS
de strpungere a oxidului, figura
2.3.19(a). n a doua variant se realizeaz pe substratul tranzistorului T
1
de protejat, un al
doilea TEC-MOS (T
2
), ns cu tensiune de prag foarte mare (30 V), pentru c are stratul de
oxid gros (1m). Dac U
GS
este mare (peste 30 V), se deschide T
2
i protejeaz pe T
1.
Aces-
te protecii duc la scderea rezistenei de intrare la 10
9
10
10
O.
II. Caracteristici statice ale TEC-MOS Curentul de dren
Caracteristici statice de ieire pentru TECMOS cu canal indus
Se consider un TEC- MOS cu canal n indus, cu baza legat la sursa S care se ia ca
origine de potenial. Ca s se asigure formarea canalului, adic a stratului de inversiune, tre-
u
DS
> 0; u
GS
> 0;
u
SS
< 0; i
D
> 0
S D
G
SS
TEC-MOS cu canal indus TEC-MOS cu canal iniial
Tip n Tip p Tip n Tip p
S D
G
SS
u
DS
< 0; u
GS
< 0;
u
SS
> 0; i
DS
< 0
S D
G
SS
u
DS
> 0; u
SS
< 0;
i
D
> 0 u
GS
> 0
(u
GS
< 0)
S D
G
SS
u
DS
< 0; u
SS
> 0;
i
D
< 0 u
GS
> 0
(u
GS
< 0)
S D
G
SS
Msurtori cu ohmmetrul
G
D
S
Msurtori cu ohmmetrul
G
D
S
~100
Figura 2.3.18. Simbolizarea i msurarea TEC-MOS cu gril izolat
D
G
S
DZ
S
D
(a) Cu diod Zener (b) Cu TEC-MOS
Figura 2.3.19. Protecii la strpungere
G
T
2
T
1
30
buie ca U
DS
> 0 i U
GS
> 0. Tensiunea de prag U
P
este tensiunea la care apare stratul de in-
versiune.
Pentru U
GS
< U
P
ntre dren i surs nu circul curent, I
DS
= 0, deoarece ntre ele
exist dou jonciuni pn n opoziie.
Pentru U
GS
> U
P
apare la suprafa stratul de inversiune. Prin acest strat poate circula
curentul I
DS
ntre gril i surs.
Pentru U
DS
<< U
GS
se poate aproxima c diferena de potenial ntre G i suprafaa
substratului este constant n lungul canalului, astfel nct canalul se comport ca o conduc-
t. Deci caracteristicile statice i
DS
(u
DS
) cu U
GS
= constant, pornesc liniar din origine, figura
2.3.20. Aceast regiune este numit liniar.
La tensiuni negative TEC se comport liniar. Pe msur ce U
DS
crete, diferena de
potenial dintre gril i suprafaa substratului scade, deci scade conductana canalului g
m
(poriunea AB din figura 2.3.20). La sursa tensiunea pe izolant este U
GS
, indiferent de valoa-
rea lui U
DS
; n dreptul drenei tensiunea pe izolant este (U
GS
U
DS
). Crescnd U
DS
se ajunge
la situaia n care cderea de tensiune pe izolant n dreptul drenei scade sub limita necesar
meninerii stratului de inversiune. Tensiunea U
DS
la care se nchide canalul se numete ten-
siune de saturaie, U
DS-sat
= U
GS
U
P
. n regiunea de saturaie tensiunea de dren este U
DS
>
> U
DS-sat
, iar n vecintatea drenei nu mai exist canal ci o regiune golit de purttori. Curen-
tul prin aceast regiune este asigurat similar ca la TEC-J. La U
DS
mai mari apare fenomenul
de strpungere; caracteristicile sunt similare cu cele de la TEC-J cu excepia polaritii U
GS
.
Caracteristici statice de ieire pentru TEC-MOS cu canal iniial
n TEC-MOS cu canal iniial exist un canal la suprafaa substratului, ntre surs i
dren, avnd conductibilitate de tip opus substratului, chiar cnd U
GS
= 0. n figura 2.3.21 se
prezint caracteristicile statice i
DS
(u
DS
) pentru un TEC-MOS cu canal n iniial.
Pentru U
GS
= 0 conductana g
m
are o anumit valoare. Dac U
GS
> 0, grila atrage
electroni, regimul este de mbogire. Pentru U
GS
< 0, grila respinge electroni, regimul este
de srcire. Peste o anumit valoare U
P
< 0, canalul este golit de electroni, iar I
DS
= 0. Pen-
tru acest TEC se prefer s se lucreze cu U
GS
< 0.
ct. U
DS
DS
m
GS
u
i
g
=
=
Figura 2.3.20. Caracteristicile de ieire pentru TEC-
MOS cu gril izolat i canal indus n
curba de saturaie
i
DS
u
DS
regim de
strpungere
U
GS
= U
p
= 2,6V
Regim de saturaie
U
DS-sat
= U
GS
U
P
C
B
A
U
GS
= 3V
U
GS
= 4V
U
GS
= 1V
Figura 2.3.21. Caracteristicile de ieire pentru
TEC-MOS cu gril izolat i canal iniial n
i
DS
u
DS
regim de
srcire
U
GS
= 2V
regim de
mbogire
U
G0
= U
P
= 2,2V
C
B
A
U
GS
= 1V
U
GS
= 0
31
Caracteristicile de transfer pentru TEC-MOS
Caracteristicile de transfer: i
DS
(u
GS
) cu U
DS
> U
DS-sat
ale TEC-MOS cu gril izolat i
canal iniial respectiv indus sunt date n figura 2.3.22.
III. Curentul de dren
Curentul de dren n regiunea de saturaie (pentru U
DS
> U
DS-sat
) este:
I
DS
= K (U
GS
U
P
)
2
- pentru canal indus, K [mA/V
2
]
(2.3.24)
I
DS
= I
DSS

2
P
GS
U
U
1
|
|
.
|

- pentru canal iniial (2.3.25)

unde I
DSS
este curentul de saturaie pentru U
GS
= 0 (I
DSS
= K U
P
2
).
2.3.2.3. Tranzistoare cu efect de cmp cu simetrie complementar
(TEC-CMOS)
Structurile TECMOS cu gril izolat i canal p i n se utilizeaz i mpreun (pe
acelai suport) ntr-o conexiune denumit CMOS (tranzistoare MOS cu simetrie comple-
mentar). Aceste structuri, utilizate n construcia circuitelor integrate analogice i digitale,
au cteva caracteristici importante:
- consum redus de putere;
- imunitate ridicat la perturbaii;
- grad de integrabilitate mare;
- procesul tehnologic este mai complex dect n cazul circuitelor TEC-MOS, deoarece
este necesar izolarea celor dou structuri complementare, dar este mai simplu dect cel
aplicat circuitelor bipolare;
- utilizare pe scar larg n realizarea memoriilor electrice, microprocesoarelor, micro-
controlerelor i sistemelor electronice programabile.
n figura 2.3.23(a) se prezint circuitul logic fundamental inversor (NU) al seriei de
circuite integrate digitale CMOS.
Tranzistorul cu canal n (T
1
) are sursa i substratul conectate la mas, iar transisto-
rul cu canal p (T
2
) are sursa (S) i substratul (SS) legate la polul pozitiv al sursei de alimen-
tare U
DD
. Intrarea A a operatorului atac cele dou grile ale tranzistoarelor cu ajutorul circu-
itului de protecie. Acest circuit, constituit din diodele D
1
, D
2
, D
3
i rezistena R realizeaz
protecia inversorului mpotriva distrugerii accidentale prin acumularea de sarcini electrice
i
DS
u
GS
U
p
>0 U
p
<0
canal
indus n
canal
indus p
canal
iniial n
canal
iniial p
Figura 2.3.22. Caracteristicile de transfer
pentru TEC-MOS cu gril izolat
i
DS
u
GS
U
p
>0
canal
indus n
32
pe grilele tranzistoarelor.
Datorit procesului tehnologic, se realizeaz o mperechere foarte bun a caracteristi-
cilor de transfer individuale ale tranzistoarelor, caracterizat prin egalitatea n valoare abso-
lut ale tensiunilor de prag U
P
.
Funcionare
Dac la intrarea A se aplic un semnal logic 0 (U
I
= 0V), tensiunea U
GS
a tranzistoru-
lui TEC canal p T
2
este negativ i i asigur conducia. Tranzistorul cu canal n T
1
este
blocat deoarece U
GS
= 0V.
n aceast situaie potenialul drenei tranzistorului TEC cu canal n (T
1
) este egal cu
potenialul sursei E
DD
i la ieire se obine funcia logic f = 1 (U
O
~ E
DD
). Starea circuitului
este definit de intersecia caracteristicilor statice ale celor dou tranzistoare, pent ru A = 0,
figura 2.3.23(b).
Dac la intrarea A se aduce un semnal logic 1 (U
I
= E
DD
) tranzistorul TEC cu canal p
(T
2
) se blocheaz deoarece U
GS
= 0V iar TEC cu canal n (T
1
) intr n conducie, avnd U
GS
~ +E
DD
astfel c la ieire se obine funcia logic f = 0 (U
O
= 0V), figura 2.3.23(c).
Dup cum se observ, n cursul funcionrii fiecare din cele dou tranzistoare devine
sarcin pentru tranzistorul complementar deoarece sunt nseriate. Caracteristica de transfer a
inversorului este foarte abrupt, figura 2.3.24.
Circuitul are o rezistena de ieire sczut, indiferent de nivelul tensiunii U
O
determi-
nat de tranzistorul aflat n conducie. Prin urmare, timpii de propagare determinai de cons-
tantele de timp ale etajului de ieire sunt mult mai mici dect la circuitele logice cu TEC-
MOS.
n timpul comutrii exist un anumit interval de timp n care ambele tranzistoare sunt
deschise, iar curentul se nchide prin ele ntre sursa de tensiune de alimentare (E
DD
) i
mas (E
SS
).
2.3.2.4. Circuite de polarizare pentru tranzistoare cu efect de cmp
Polarizarea TEC este mai simpl dect a tranzistorului bipolar, deoarece caracteristi-
cile lor statice depind mai puin de temperatur iar grila nu absoarbe curent (I
G
= 10
9
A la
i
DS
u
DS
0
U
GS
= E
DD
U
GS
~ 0
TEC canal p
TEC canal n
U
I
= 0V (0)
T
2
canal p
A
+E
DD
D
1
T
1
canal n
D
2
D
3
R
circuit de
protecie
(a)
(b)
i
DS
u
DS
0
U
GS
= +E
DD
U
GS
~ 0
TEC canal n
TEC canal p
U
I
= 0V (1)
(c)
Figura 2.3.23. Poarta logic fundamental NU pentru CMOS
E
SS
f = A
33
TEC-J i 10
14
A la TEC-MOS). Dispersia de fabricaie a parametrilor este mare.
Practic, exist dou scheme de polarizare.
I. Polarizarea TEC-J i TEC-MOS cu canal iniial n regim de srcire
Circuitele de polarizare din figura 2.3.25 conin o singur surs de (E
D
) deoarece se
folosete un circuit de polarizare cu negativare automat a grilei. Negativarea grilei se reali-
zeaz prin punerea grilei (prin R
G
la potenialul masei pentru regimul de curent continuu i
polariznd sursa S pozitiv fa de mas prin cderea de tensiune pe rezistena din R
S
din cir-
cuitul sursei. Condiia de negativare este:
AU
RG
= I
G
R
G
<< I
DS
R
S
(2.3.26)
Rezistena R
G
trebuie s fie o sarcin ct mai mare pentru sursa de semnal U
in
. ntru-
ct I
G
=10
9
A rezult ca valoarea rezistenei R
G
va fi de civa civa M. Totui, o valoare
prea mare duce la modificarea punctului static de funcionare (PSF) atunci cnd crete tem-
peratura.
Exemplul 2.3.1
S se calculeze rezistenele de surs (R
S
) i de dren (R
D
) pentru ca TEC-J din figura
2.3.23(a) s lucreze n PSF cu coordonatele I
DS
= 2,5mA i U
DS
= 7V, la o tensiune de ali-
mentare E
D
= 25V. Tranzistorul are o tensiune de prag U
P
= 4V i un curent de saturaie
I
DSS
= 10mA cnd U
GS
= 0, figura 2.3.26.
Rezolvare:
n relaia curentului de dren (2.3.25) se nlocuiesc mrimile cunoscute:
R
S
R
D
R
G
E
D
U
in
U
ie
U
GS
I
G
I
DS
S
D
G
U
DS
(a) (b)
Figura 2.3.25. Circuite de polarizare pentru: (a) TEC-J canal n;
(b) TEC-MOS cu canal iniial n n regim de srcire
R
S
R
D
R
G
E
D
U
in
U
ie
U
GS
I
G
I
DS
S
D
G
U
DS
0 2 4 6 8 10 12 14 16 [V]
14
2
10
4
6
8
12
U
O
[V]
U
I
Figura 2.3.24. Caracteristica de transfer
E
DD
= 15V
E
DD
= 10V
E
DD
= 5V
16
34
I
DS
= I
DSS

2
P
GS
U
U
1
|
|
.
|

rezult: 2,5 = 10
2
GS
4
U
1
|
.
|

, de unde U
GS
= 6V
< U
P
, fapt ce condu-
ce la blocarea tranzistorului, soluia fiind inacceptabil.
Valoarea corect a tensiunii U
GS
se obine din relaia
(2.3.25)
:
|
|
.
|

=
DSS
DS
P GS
I
I
1 U U (2.3.27)
Soluia cu semnul () asigur funcionarea normal, iar cu cu semnul (+) determin
blocarea tranzistorului. Cu valorile specificate n enun se obine U
GS
= 2V, care este mai
mare dect U
P
soluie corect.
Atunci cnd se neglijeaz cderea de tensiune pe rezisten
a de gril (
AU
RG
~ 0, deoa-
rece I
G
=10
9
A), ecuaia de tensiuni din circuitul de intrare al TEC-J este:
U
GS
= R
S
I
DS
(2.3.28)
de unde:
5 , 2
2
I
U
R
DS
GS
S
= =
k = 0,8k (2.3.29)
Din ecuaia circuitului de ieire:
E
D
= U
DS
+ I
DS
(R
D
+ R
S
) (2.3.30)
rezult rezistena de dren:
=

=

=

3
3 3
DS
DS S DS D
D
10 5 , 2
10 5 , 2 10 8 , 0 7 25
I
I R U E
R
6,4 k (2.3.31)
Se verific condiia de saturaie:
U
DS-sat
= U
GS
U
P
= 2V + 4V = 2V < U
DS
(7V) (2.3.32)
Se calculeaz valoarea maxim a rezistenei R
D
pentru ca TEC-J s rmn n satura-
ie:
R
Dmax
=
3
DS
P D
DS
GS P DS D
DS
DS S sat DS D
10 5 , 2
4 25
I
U E
I
U U U E
I
I R U E

=
+
=
+
=

-6V U
P
=-4V
U
GS
=-2V
Ugs=-
R
S
I
D
10
U
GS
= R
S
I
D
i
DS
[mA]
u
GS
2,5
6 4 2 [V]
canal
ini
ial
n
Figura 2.3.26. Punctul static de funcionare
pentru TEC-MOS cu gril izolat
U
P
I
DSS
PSF
35
R
Dmax
= 8,4 k (2.3.33)
Deci: R
D
< R
Dmax
II. Polarizarea TEC-MOS cu canal indus i cu canal iniial
n regim de mbogire
n cazul tranzistoarelor TEC-MOS cu canal indus i cu canal iniial n regim de m-
bogire polarizarea se poate asigura cu un divizor la intrare (n gril), figura 2.3.27 Circui-
tul se poate utiliza i pentru celelalte tipuri de TEC (TEC-J i TEC-MOS cu canal iniial n
regim de srcire). Totodat, se asigur i o comportare mai bun la dispersia de fabricaie a
parametrilor.
Pentru mrirea rezistenei de intrare a etajului R
in
se utilizeaz rezistena adiional
R
G3
, de valoare mare (zeci de M) cu o toleran necritic, iar R
G1
, R
G2
avnd aproximativ
1M, respectiv 100k, cu precizie mare.
R
in
= R
G3
+ R
G1
|| R
G2
= R
G3
+
2 G 1 G
2 G 1 G
R R
R R

+
(2.3.34)
Deoarece I
G
= 10
14
A la TEC-MOS, acesta se poate neglija, la fel i cderea de tensi-
une pe R
G3
(AU
RG3
= I
G
R
G3
= 0), astfel c rezistena de intrare devine:
R
in
=
2 G 1 G
2 G 1 G
R R
R R

+
(2.3.35)
Ecuaiile de funcionare sunt:
2 G 1 G
2 G
D GS
R R
R
E U
+
= n circuitul de intrare (2.3.36)
E
D
= R
D
I
DS
+ U
DS
n circuitul de ieire (2.3.37)
I
DS
= K

(U
GS
U
P
)
2
curentul de dren pentru TEC-MOS cu canal indus (2.3.38)
Pentru stabilizarea PSF se utilizeaz metodele prezentate la tranzistorul bipolar (par.
2.3.1.2-pct. III).
Exemplul 2.3.2
Se consider un TEC-MOS cu canal indus n care are: U
P
= 3V, K = 0,25mA/V
2
, E
D
=
= 24V i PSF: I
DS
= 4mA, U
DS
= 8V, figura 2.3.28.
(a) (b)
Figura 2.3.27. Circuite de polarizare pentru: (a) TEC-MOS cu canal indus n;
(b ) TEC-MOS cu canal iniial n n regim de mbogire
R
D
R
G3
E
D
U
in
U
ie
R
G2
S
D
G
R
G1
U
DS
I
DS
R
D
R
G3
E
D
U
in
U
ie
R
G2
S
D
G
R
G1
U
GS
36
S se dimensioneze circuitul de polarizare (cu R
G3
= 0), care s asigure R
in
= R
G
=
= R
G1
|| R
G2
= 1M.
Rezolvare:
n relaia (2.3.24) se expliciteaz tensiunea U
GS
:
U
GS
= U
P
K
I
DS

(2.3.39)
U
GS
= 3
25 , 0
4

= 3 4 = 1V (2.3.40)
Soluia cu semnul () este incorect deoarece U
GS
= 1V < U
P
(7V) i TEC-MOS se
blocheaz.
U
GS
= 3
25 , 0
4
+
= 3 + 4 = 7V > U
P
(2.3.41)
Soluia este corect (U
GS
> U
P
), ntruct asigur prezena canalului indus n.
G1
G
D
G2 G1
G2
D GS
R
R
E
R R
R
E U =
+
= n circuitul de intrare
(2.3.42)
de unde:
7
M 1
24
U
R
E R
GS
G
D 1 G
O
= =
= 3,42M (2.3.43)
R
in
=
2 G 1 G
2 G 1 G
R R
R R

+
= R
G
= 1M (2.3.44)
1 42 , 3
42 , 3
1
R R
R
R R
G 1 G
1 G
G 2 G

=
= 1,41M (2.3.45)
4
8 24
I
U E
R
DS
DS D
D

=
= 4k n circuitul de ieire (2.3.46)
Se verific condiia de saturaie:
U
DS
I
DS
R
D
E
D
U
in
U
ie
R
G2
S
D
G
R
G1
U
GS
PSF
[mA] i
DS
u
GS
1 U
p
= 3 U
GS
= 7 [V]
canal
indus n
4
(a) Circuitul de polarizare (b) Punctul static de funionare
Figura 2.3.28. Explicativ pentru exemplul 2.3.2
37
U
DS-sat
= U
GS
U
P
= 7V 3V = 4V < U
DS
(8V) (2.3.47)
Se calculeaz valoarea maxim a rezistenei R
D
pentru ca TEC-MOS cu canal indus n
s rmn n saturaie:
R
Dmax
=
3
DS
P GS D
10 4
3 7 24
I
U U E

+
=
+
= 5k > R
D
(2.3.48)
2.3.2.5. Regimul de comutaie a tranzistoarelor cu efect de cmp
Tranzistoarel cu efect de cmp au un timp de comutaie redus (zeci de nanosecunde)
n comparaie cu durata procesului tranzitoriu al tensiunii de dren determinate de capacit-
ile parazite din schem, astfel nct la calculul duratei proceselor tranzitorii a circuitelor
TEC se poate neglija uneori timpul de comutare propriu al tranzistorului.
Regimul de comutaie al TEC-J este determinat de capacitile (neliniare) de barier
ale celor dou jonciuni ce delimiteaz canalul i de rezistenele sursei de semnal.
Procesele tranzitorii la comutaia MOS-TEC sunt complicate de faptul c intervin ca-
paciti variabile i generatoare de curent ce variaz neliniar cu tensiunile pe tranzistor.
Timpii de comutaie sunt foarte mici, valorile lor fiind determinate de capacitile parazite
ce apar ntre electrozii tranzistorului ca urmare a structurii acestuia. n conducie, datorit
funcionrii tranzistorului n zona ohmic, tensiunea de conducie (U
DSON
) este mai mare
comparativ cu tranzistorul bipolar. De aici i pierderile de putere n conducie sunt mai mari.
Pentru a micora timpul de intrare n conducie trebuie s se asigure o cretere mai rapid a
tensiunii U
GS
, adic rata dU
GS
/dt s fie ct mai mare. Pentru blocare se utilizeaz i o tensiu-
ne de polarizare din circuitul grilei (U
GG
) n scopul forrii descrcrii condensatoarelor pa-
razite. Avnd tensiune negativ pe poart, curentul I
DS
nregistreaz un vrf negativ i cu-
rentul de gril se stabilete la 0. La tranzistorul TEC-MOS cu canal p timpii de comutaie
sunt mai mari ca la cel cu canal n, datorit valorilor mai reduse pentru mobilitate i pentru
viteza maxim a golurilor n comparaie cu cea a electronilor.
Tranzistoarele TEC-MOS de putere lucreaz de obicei n comutaie. Comanda se rea-
lizeaz pe poart, deci n tensiune. Grila este un condensator care se ncarc aplicnd o ten-
siune, iar peste un potenial de prag tranzistorul se deschide.
2.3.2.7. Utilizarea dispozitivelor cu efect de cmp
Tranzistoarele TEC-J i TEC-MOS (cu gril izolat) se folosesc n:
- amplificatoare de joas frecven avnd impedana de intrare foarte mare;
- amplificatoare de sarcin pentru traductoare piezoelectrice;
- circuite de radiofrecven cu frecvene pn la 1 GHz;
- rezistene variabile comandate n tensiune.
Tranzistoarele TEC-CMOS au aplicaii n circuite integrate digitale, circuite inte-
grate analogice i sisteme electronice programabile.
Tranzistoarele IGBT se utilizeaz n circuite cu impulsuri cu modulaie, surse de
alimentare n comutaie i nclzire prin inducie.
Modulele de putere cu tranzistoare IGBT reprezint o soluie de viitor n construcia
vehiculelor electrice i autovehiculelor hibride. De altfel, Toyota utilizeaz pe modelul
Prius din a doua generaie, un invertor cu tranzistoare IGBT conectat la o baterie de acu-
mulatoare avnd o putere de 50 kW, cu care controleaz dou grupuri motor/generator de
curent alternativ. O alt aplicaie o constituie circuitele de comutare a bobinelor de aprinde-
re la motoarele cu combustie intern.
curba de saturaie
i
DS
u
DS
U
DS sat 0
U
GS
= 2
V
U
GS
= 1
V
U
GS
= 0
V
-6V U
P
=-4V
U
GS
=-2V
38
TEC-MOS cu dou grile (tetroda MOS) se folosesc n radiofrecven, n selectoare
TV, unde cu grila a doua se controleaz amplificarea sau se mixeaz i se convertete frec-
vena.
Diodele limitatoare de curent se ntrebuineaz ca sarcin pentru tranzistoare (au re-
zistena dinamic de peste 10 ori mai mare dect rezistena static, rezultnd amplificri
mari la tensiuni mici de alimentare), sau ca dispozitive de protecie sau limitare.
2.4. Dispozitive semiconductoare multi-jonciune
n afara tetrodei MOS prezentat deja, exist dispozitive cu mai multe jonciuni se-
miconductoare: dioda Shockley, tiristorul, triacul i diacul.
2.4.1. Dioda Shockley
Dioda Shockley (dioda cu patru straturi sau dinistorul), conine patru regiuni semi-
conductoare pnpn, respectiv trei jonciuni (J
1
, J
2
, J
3
), figura 2.4.1(a). Caracteristica cu-
renttensiune (I-U) din figura 2.4.1(b) conine: ramura OP, care corespunde situaiei cnd la
alimentarea diodei cu tensiune, jonciunile J
1
i J
3
sunt polarizate direct, iar J
2
polarizat in-
vers, astfel c dioda este blocat datorit impedanei mari (U
P
este tensiunea de basculare
sau de aprindere, corespunztoare punctului de vrf P (I
P
, U
P
)); ramura PV, corespunztoare
multiplicrii prin avalan, cnd curentul prin diod crete dar scade i tensiunea pe J
2
(V
(I
V
, U
V
) este punctul de vale) i ramura VD, cnd, odat atins punctul V, n care U
V
= 1V,
jonciunea J
2
se comport ca o diod polarizat direct. Comportarea diodei Shockley este
asemntoare cu cea a tranzistorului unijonciune, cu deosebirea c dioda este mai rapid iar
U
P
= 90100V.
Dioda Shockley se utilizeaz n circuite de temporizare, oscilatoare de relaxare etc.
2.4.2. Tiristorul
Tiristorul are structura semiconductoare de tip pnpn, cu trei jonciuni: J
1
, J
2
, J
3
, co-
nectate n serie, figura 2.4.2(a). El poate fi considerat ca o structur de doi tranzistori bipo-
lari complementari: pnp (regiunile p
1
n
1
p
2
), respectiv npn (n
1
p
2
n
2
), figura 2.4.2(b), cu
electrozii: anod (A), catod (K) i grila sau poarta (G)electrod de comand, figura 2.4.2(c).
Amorsarea structurii pnpn const din trecerea structurii din starea de blocare n sta-
rea de conducie: fie prin injectarea unui curent din exterior pe gril, fie prin creterea tem-
peraturii, fie prin creterea tensiunii u
AK
peste o valoare care s asigure o strpungere prin
multiplicare prin avalan a jonciunii J
2
, sau fie prin aplicarea cu o variaie foarte rapid
(desemnat prin rata de cretere du/dt) a unei tensiuni u
AK
mai mic dect tensiunea la care
are loc multiplicarea prin avalan a jonciunii J
2
.
Figura 2.4.1. Dioda Shockley
(b) Caracteristica I U (a) Structur i simbol

+
J
1
J
2
J
3
K
u
D
A
p n n p
A K
D
V
P
I
V
I
P
U
V
U
P
i
D
O
u
D
39
n figura 2.4.3(a) este prezentat caracteristica anodic (de ieire) a tiristorului, i
AK
=
= f (u
AK
), la I
G
= constant, trasat n dou regimuri: polarizare direct i polarizare invers.
La polarizare direct trebuie ca u
AK
> 0, iar dac I
G
= 0, tiristorul va conduce numai la atin-
gerea valorii tensiunii de ntoarcere U
B0
(ramura OA), moment n care trece brusc n starea
de conducie (ramura AB) i curentul i
AK
poate atinge valori inadmisibile (ramura BC). Se
limiteaz acest efect prin nserierea unui rezistor cu tiristorul. Pentru I
G
0, tiristorul ntr n
conducie la tensiuni la care U
AK
< U
B0
. La polarizare invers, U
AK
< 0, tiristorul se compor-
t ca o diod polarizat invers care va strpunge peste valoarea U
BR
(ramura OD).
Figura 2.4.3(b) arat caracteristica de comand (intrare) i
G
= f (u
G
), care definete
zona de valori ale curentului de gril i
G
i tensiunii de gril u
G
pentru care amorsarea (sau
aprinderea) tiristorului este sigur. Curbele A i B sunt caracteristici de comand extreme
pentru acelai tip de tiristor.
Tiristorul funcioneaz n circuite de curent continuu sau curent alternativ (numai n
alternana pozitiv).
Tiristorul se poate bloca cu tensiune continu invers aplicat pe anod, sau natural (la
trecerea alternanei pozitive prin zero).
Tiristoarele se utilizeaz n circuite de temporizare, pentru controlul i comanda cu-
renilor industriali, n circuite de curent continuu i alternativ.
2.4.4. Triacul
Triacul este echivalent cu dou tiristoare Th
1
i Th
2
legate antiparalel, figura 2.4.5(a),
asigurnd astfel o conducie comandat n ambele sensuri (de la anod la catod i invers),
u
AK
(c) Simbol (a) Structura pnpn
Figura 2.4.2. Tiristorul
(b) Structura complementar
J
1
J
2
J
3
K A
G
n
1
p
1
n
2
p
2
K
i
C1
i
K
i
AK
A
G
i
C2
p
1
n
1
n
1
n
2
p
2
p
2
A
K
G
i
G
+
u
GK
O
B
D
C
i
AK
u
AK
I
G
I
G
= 0
A
U
H
U
B2
U
B1
U
B0
I
H
U
BR
(a) Caracteristica anodic
I
H
curent direct
de meninere
U
H
tensiune direct de meninere
U
BR
tensiune
de strpungere
0
B
[V]
u
G
I
G max
U
G max
A
(b) Caracteristica de comand
(intrare)
aprindere
sigur
hiperbola de
disipaie maxim
pe gril (P
GM
)
I
GT
U
GT
i
G
[mA]
Figura 2.4.3. Caracteristicile tiristorului
40
spre deosebire de tiristor care are o conducie comandat unilateral (numai de la anod la
catod). Cei trei electrozi ai triacului sunt: grila de comand (G), E
2
(echivalentul anodului
unui tiristor) i E
1
(echivalentul catodului unui tiristor), pentru curentul principal.
n figura 2.4.5(c) este redat caracteristica de ieire i
E2E1
= f (u
E2E1
), la I
G
= constant.
Atunci cnd I
G
= 0, triacul este blocat n ambele sensuri, dac tensiunea de ieire u
E2E1
nu
depete tensiunea de strpungere U
BR
. La I
G
0 triacul se amorseaz ntr-un sens sau altul
la aplicarea unui impuls de aprindere pozitiv sau negativ pe gril. De exemplu, n timpul
alternanei pozitive (cu semnul + pe E
2
i pe E
1
), tiristorul Th
1
este format din regiuni-
le p
4
, n
3
, p
2
, n
1
, iar grila realizeaz comanda prin intermediul zonei p
2
, cu care face contact.
Atunci cnd U
G
> 0 i I
G
> 0, funcionarea triacului corespunde formelor de und din cadra-
nul I al caracteristicii. Fenomenele se produc n mod asemntor i n timpul alternanei ne-
gative, tiristorul Th
2
fiind format din regiunile p
2
, n
3
, p
4
, n
5
+ n
2E
, iar grila comand cu aju-
torul zonei n
G
(cadranul al III-lea, pentru U
G
< 0 i I
G
< 0).
Triacul se utilizeaz pentru controlul i comanda curenilor industriali, n circuite de
curent continuu i curent alternativ.
2.5. Dispozitive pentru conversia electrooptic
Din categoria dispozitivelor care realizeaz conversia semnalelor electrice n semnale
optice fac parte, printre altele, diodele electroluminiscente (LED), optocuploarele i dispozi-
tivele cu cristale lichide.
2.5.1. Optocuplorul
Optocuplorul sau cuplorul optic este alctuit dintr-o surs de fotoni (bec cu incandes-
scen, bec cu neon, diod electroluminiscent) cuplat optic cu un fotoreceptor (fotorezis-
ten, fotodiod, fototranzistor), introduse ntr-o incint de izolare, figura 2.5.1(a).
Figura 2.4.5. Triacul
(a) Structur (b) Simbol (c) Caracteristica de ieire
O
i
E2E1
u
E2E1
I
G
> 0
I
G
= 0
U
BR
U
BR
U
BR
tensiune de
strpungere
E
1
G
n
5E
n
G
n
1
n
3
p
4
p
2
E
2
u
E2E1
n
5
E
2
E
1
G
Th
2
Th
1
I
G
s 0
n p
GaAs
radiaie
infraroie
Si
p n
intrare ieire
LED fotodiod
(a) Structur (b) Simbol
Figura 2.5.1. Optocuplorul
41
Dispozitivul confer o izolare galvanic foarte bun a circuitului de intrare de circui-
tul de ieire (de cel puin 2,5 kV) i un timp de rspuns foarte mic. Dezavantajul principal al
optocuplorului este puterea redus.
Optocuploarele se utilizeaz n special n linii de transmisie de date (pentru izolare
galvanic), telecomenzi (rezistene variabile comandate n tensiune), circuite de reglaj auto-
mat al amplificrii, relee, transformatoare de impulsuri etc.
2.5.2. Dispozitive de afiare cu cristale lichide
Afiorul cu cristale lichide (Liquid Cristal Display LCD) este un dispozitiv de afia-
re subire i plat, alctuit din pixeli color sau monocrom, dispui n faa unei surse de lumin
sau reflector. Denumirea de pixel provine de la prescurtarea n englez pentru picture ele-
ment, cnd se folosete abrevierea pix pentru picture i constituie un punct singular
(eantion) abstract dintr-o imagine grafic. Prin consens, un pixel are forma unei mici buline
(dot) sau a unui ptrel, caracterizat prin dimensiuni i intensitate. n varianta color pixe-
lii sunt formai dintr-un sistem de trei pixeli (corespunztori culorii roie, verde, respectiv
albastru), sau cu patru subpixeli (pentru cian, magenta, galben respectiv negru).
Din punct de vedere tehnologic afioarele cu cristale lichide sunt dispozitive neemisi-
ve, adic nu genereaz ele nsele lumin dar comand transmiterea sau reflectarea unei surse
externe de lumin (back-light). Un afior cu cristale lichide utilizeaz un material polarizat
cu dou straturi ntre care se afl o soluie de cristale lichide. Trecerea curentului electric
prin lichid determin alinierea cristalelor astfel nct lumina nu poate s treac prin ele. Fie-
care cristal acioneaz ca un obturator, fie permind trecerea luminii prin el, fie blocnd-o.
Afiorul cu cristale lichide modific componenta optic a luminii atunci cnd materialul din
cristale lichide este adus ntr-un cmp electric.
Un afior cu cristale lichide este definit prin forma caracterului, culoarea de fond a
afiorului i contrastul pe care l are un caracter n raport cu fondul afiorului. S-au dezvoltat
pn n prezent afioare cu cristale lichide nematice (rotite, suprarotite sau cu pelicul com-
penesat de cristale suprarotite) precum i cu cristale lichide colesterice.
Afioarele cu cristale lichide nematice rotite (LCD Twisted Nematic LCD TN) re-
prezint tipul de baz, fiind i cele mai utilizate. Ele produc caractere neagre pe un fond de
culoare gri i realizeaz cele mai mici unghiuri sub care se pot privi.
Afioarele cu cristale lichide nematice suprarotite (LCD Super Twisted Nematic
LCD STN) se folosesc pentru unghiuri de rotaie de pn la 270. Aceast suprarotaie deter-
min o form mai abrupt a caracteristicii de rspuns tensiunestrlucire a cristalului lichid
i de asemenea extinde unghiul sub care poate fi privit afiorul nainte de a se ajunge la cel
mai sczut contrast. Caracterele pot fi galbene pe fond verde cu pixeli de culoare albastru
nchis, sau gri pe fond iluminat de culoare gri cu pixeli de culoare gri (sau de culoare albas-
tru nchis).
Afioarele cu pelicul compensat de cristale lichide nematice suprarotite (LCD Film
Compensated Super Twisted Nematic LCD FSTN) reprezint ultima generaie de afioare,
avnd cel mai bun contrast. Ele produc caractere negre pe fond alb i asigur un unghi bun
de privire. Aceast tehnologie este utilizat n mod obinuit numai pentru module grafice de
dimensiuni mari.
Sursa extern de lumin (back-light) pentru afioarele cu cristale lichide poate fi
electroluminiscent, lumina furnizat de diodele LED sau de tuburile fluorescente. Primele
dou surse permit utilizarea afioarelor cu cristale lichide n orice medii luminoase, pe cnd
cea de a treia nu asigur afiarea n condiii de iluminare puternic. Dispozitivele de afiare
cu cristale lichide fr surs extern nu se pot folosi n condiii normale de iluminare.
42
n figura 2.5.2 este dat structura unui afior cu cristale lichide nematice rotite, care
reflect lumina sursei externe. Afiorul este format din:
1 filtru vertical pentru polarizarea luminii care ptrunde n interior;
2 substrat de sticl cu electrozi ITO (Inodium Tin Oxide), care este un aliaj din oxid
de indiu (90% In
2
O
3
) i oxid de staniu (10% SnO
2
). Formele (contururile) acestor electrozi
determin apariia formelor ntunecate care se instaleaz atunci cnd afiorul cu cristale li-
chide este deconectat. Striurile verticale gravate pe suprafa sunt netede.
3 cristale lichide nematice;
4 substrat de sticl cu pelicul cu electrod comun (ITO) avnd striuri orizontale, n
scopul alinierii cu filtrul orizontal;
5 filtru orizontal pentru blocarea sau transmiterea luminii;
6 suprafa reflectant pentru transmiterea luminii ctre privitor.
Figura 2.5.3 prezint structura unui subpixel color ca parte integrant a unui pixel
color. Fiecare pixel poate fi control independent, fapt ce poate determina producerea a mii
sau milioane de culori posibile pentru fiecare pixel. Componentele culorii se pot aranja n
diferite geometrii de pixeli, n funcie de utilizarea dispozitivului de afiare.
Constructiv, afiajele moderne cu cristale lichide se produc sub form de module
standard sau module inteligente.
Modulele standard sunt destinate afirii caracterelor alfanumerice sau a graficii.
Modulele standard pentru caractere pot reprezenta un numr de 8, 12, 16, 20, 24 sau 40 ca-
ractere, dispuse pe unul, dou, sau patru rnduri. Modulele standard pentru grafic au ncor-
1
2
3
4
5
6
Figura 2.5.2. Afior cu cristale lichide
nematice rotite
plci de sticl filtru vertical
filtru culoare
filtru orizontal
molecule de cristal
Figura 2.5.3. Un subpixel al afiorului color cu cristale lichide
43
porate controlere, reprezentarea grafic putnd fi asigurat de existena a 122 320 de ca-
ractere pe fiecare din cele 32 64 rnduri.
Modulele inteligente sunt prevzute cu interfa serial sau cu magistral serial
universal (USB), cu ajutorul crora se pot conecta la PC n vederea programrii. Caractere-
le pot fi n numr de 16 (dispuse pe 2 rnduri) sau de 20x4 rnduri la LCD cu interfa seria-
l respectiv 16x2, 20x2 sau 20x4 la LCD cu interfa USB.
n figura 2.5.4 este artat un afior alfanumeric inteligent. El se poate conecta la un
microcontroler pentru vizualizarea informaiilor. Afiorul conine un set de caractere ASCII
precum i simboluri japoneze, greceti i matematice, dispuse pe dou linii, fiecare linie
avnd 16 caractere (2 x 16).
Se poate comunica cu afiajul prin intermediul unei magistrale de date pe 8 bii sau
de 4 biti. Pentru o magistral de 8 bii, afiajul are nevoie de o tensiune de alimentare de +5
V i 11 linii intrareieire (I/O). Pentru o magistral de 4 bii sunt necesare doar liniile de
alimentare i 7 linii.
2.6. Circuite integrate
Primul circuit integrat, denumit uneori i cip (englez: chip), a fost realizat n anii
1950 de ctre Jack Kilby de la compania Texas Instruments (SUA) i Robert Noyce de la
firma Fairchild Semiconductor (SUA).
Circuitele integrate (prescurtat CI) sunt circuitele n care un numr de elemente de
circuit sunt asociate inseparabil i sunt interconectate electric astfel nct, n scopul testrii
i utilizrii lor, sunt considerate indivizibile.
Elementele circuitelor integrate nu au capsul i nu sunt specificate ca piese separate.
Circuitul integat este protejat n capsule din mase plastice termorigide sau din cera-
mic special.
Clasificarea circuitelor integrate
Un mod de clasificare a circuitelor integrate este prezentat n figura 2.6.1.
1) Clasificarea din punct de vedere tehnologic:
1.I) CI semiconductoare elementele sunt formate n interiorul unei plachete de mate-
rial semiconductor monocristalin sau pe suprafaa acesteia.
a) CI monolitice (CIM), la care toate elementele de circuit active (diode, tranzistoare) i
pasive (rezistoare, condensatoare) sunt formate ntr-o singur structur semiconductoare, iar
conexiunile sunt realizate pe suprafaa plachetei.
- CIM bipolare (CIMB) cu tranzistoare bipolare
- CIMMOS cu tranzistoare unipolare sau cu efect de cmp MOS (MetalOxidSemi-
conductor)
b) CI fragmentate (multicip) cu mai multe straturi monolitice interconectate ntre ele i
incluse n aceeai capsul.
Figura 2.5.4. Afior LCD inteligent
44
c) CI compatibile cu elemente active i o parte din elementele pasive formate ntr-o
singur structur semiconductoare, iar restul elementelor pasive se realizeaz pe suprafaa
acestei structuri (pentru rezistene peliculare cu valori mai mari de 200 kO).
1.II) CI peliculare (CIP) elementele se obin prin depunerea unor pelicule subiri pe
suprafaa unui dielectric.
n funcie de grosimea peliculelor depuse, exist:
a) CI cu pelicule subiri (grosime < 1...3 m);
b) CI cu pelicule groase (grosime > 5...10 m);
1.III) CI hibride (CIH) au unele elemente de circuit montate pe un substrat dielectric,
iar restul elementelor se realizeaz prin depuneri de pelicule pe suprafaa acestuia.
a) CIH cu pelicule subiri;
b) CIH cu pelicule groase.
1.IV) CI optoelectronice, formate din trei elemente de baz: sursa de lumin (laser), fo-
toreceptor (detecteaz aceast surs de lumin) i calea de transmisie pe baza jonciunii p-n.
2) Clasificarea din punct de vedere funcional:
a) CI liniare prelucreaz sau genereaz semnale cu variaie continu n amplitudine,
polaritate, faz sau frecven, pentru realizarea unor funcii analogice: generare de semnale,
amplificare, modulare, demodulare etc.;
b) CI digitale bipolare (TTL) sau unipolare (PMOS, NMOS, sau CMOS) prelucreaz
semnale cu modulaie discret pentru realizarea unor funcii logice (circuite combinaionale)
sau de memorare (circuite secveniale).
3) Clasificarea din punct de vedere a numrului de componente echivalente integrate
pe cip. Acest criteriu stabilete clasele (generaiile) de circuite integrate dezvoltate ncepnd
cu anii 1970, n funcie de gradul de integrare a componentelor sau tranzistoarelor. Numrul
de componente echivalente atribuit fiecrei clase difer de la o surs la alta.
a) Circuite SSI (Small Scale Integration) < 50 (< 100)
b) Circuite MSI (Medium Scale Integration) > 50 (100...3000)
c) Circuite LSI (Large Scale Integration) > 500 (3000...100.000)
Tehnologie de realizare Funcii Nr. componente Viteza de
- CI semiconductoare - CI liniare echivalente rspuns
- CI monolitice - CI digitale - CISSI - CI ultrarapide
- CI bipolare - CI bipolare - CIMSI - CI de mare vitez
- CIMOS - CI unipolare - CILSI - CI de vitez medie
- CI fragmentate (multicip) - NMOS - CILSI - CI lente
- CI compatibile - PMOS - CIVLSI
- CI peliculare - CMOS - CISLSI
- CI cu pelicule subiri
- CI cu pelicule groase
- CI hibride
- CI hibride cu pelicule subiri
- CI hibride cu pelicule groase
- CI optoelectronice
Figura 2.6.1. Criterii de clasificare a circuitelor integrate
CIRCUITE INTEGRATE
45
d) Circuite VLSI (Very Large Scale Integration) < 50.000 (100.000...1.000.000)
e) Circuite SLSI (Super Large Scale Integration) > 50.000 (> 1.000.000)
4) Clasificarea dup viteza (timpul) de rspuns:
a) CI ultrarapide (t < 5 ns);
b) CI de mare vitez (5...10 ns);
c) CI de vitez medie (10...50 ns);
d) CI lente (> 50 ns).
Dac n anii 1980 preponderente erau circuitele MSI, astzi se utilizeaz cu precdere
circuitele VLSI.
Referitor la posibilitile de integrare a siliciului, cofondatorul companiei Intel Cor-
poration, Gordon Moore, a enunat n anul 1965 legea care i poart numele (Legea lui
Moore): Numrul tranzistoarelor pe un cip se va dubla la fiecare doi ani.
ncepnd cu anii 1970, Intel Corporation a dezvoltat o serie de procedee dedicate
integrrii aplicaiilor logice pe cipuri semiconductoare, denumite tehnologii logice tip
350nm, 250nm, 180nm, 130nm, 90nm i respectiv, 45nm (cea mai recent), n
raport cu grosimea structurii semiconductoare.
Astzi, procesoarele Intel Pentium Itanium au deja peste 100.000.000 echivalent
tranzistoare ncorporate.
***
46
CAPITOLUL 3
CIRCUITE ELECTRONICE
3.1. Circuite de redresare
Redresoarele sau convertoarele de curent continuu (c.c.) cu intrare n curent alterna-
tiv (c.a.), realizeaz transformarea energiei electrice din c.a. n c.c.
Rolul circuitelor de redresare este de a obine un curent de un singur sens prin sarci-
n.
3.1.1. Clasificarea redresoarelor
Redresoarele pot fi clasificate n funcie de:
a) Numrul de faze redresate:
- monofazate;
- polifazate: trifazate, hexafazate, dodecafazate;
b) Numrul de alternane ale curentului alternativ pe care le redreseaz:
- monoalternan;
- dubl alternan: n punte sau cu priz median.
c) Mrimea puterii: mic putere, medie putere sau mare putere.
d) Modul de control asupra tensiunii redresate:
- redresoare necomandate, realizate numai cu diode redresoare;
- redresoare semi-comandate, construite cu diode redresoare i dispozitive semiconduc-
toare la care se poate modifica unghiul de conducie;
- redresoare comandate, alctuite numai din dispozitive semiconductoare la care se poate
modifica unghiul de conducie.
e) Existena sau nu a filtrului: fr filtru, cu filtru capacitiv, cu filtru inductiv, cu filtru
capacitivinductiv, cu filtru capacitivrezistiv.
f) Natura sarcinii conectate: pur rezistiv, rezistiv i tensiune electromotoare, capaciti-
v, pur inductiv, inductiv i tensiune electromotoare.
g) Modul de grupare a fazelor tensiunilor alternative (nfurrilor) care furnizeaz ten-
siunea redresat:
- redresoare de tip paralel (P
m
) la care cele m faze alternative (nfurri), fiecare n serie
cu dioda sa, sunt grupate n stea i apar n paralel n raport cu bornele de ieire ale redreso-
rului; redresorul conine m diode, valoarea instantanee a tensiunii redresate fiind egal cu
valoarea instantanee a celei mai pozitive tensiuni din cele m; din aceasta categorie fac parte
redresorul monofazat bialternan cu punct median (P
2
), redresorul trifazat cu punct median
(P
3
) i redresorul n stea hexafazat cu punct median (P
6
);
- redresoare de tip dublu paralel (DP
m
) la care cele m faze alternative (nfurri) sunt
grupate tot n stea, ns se utilizeaz 2m diode; valoarea tensiunii redresate n fiecare mo-
ment este egal cu diferena dintre cea mai pozitiv i cea mai negativ tensiune alternativ;
exemple sunt: redresorul monofazat bialternan n punte (DP
2
), redresorul trifazat n punte
avnd transformatorul cu secundarul n stea (DP
3
);
- redresoare de tip serie (S
m
), la care nfurrile la bornele crora apar tensiunile alter-
native sunt montate n poligon (suma celor m tensiuni este nul, deoarece tensiunile formea-
z un sistem echilibrat); redresorul de tip serie are 2m diode; de exemplu, redresorul trifazat
n punte avnd transformatorul cu secundarul n triunghi este un redre-sor de tip serie (S
3
).
posibilitatea multiplicrii tensiunii de ieire a redresorului: fr multiplicare sau cu
multiplicare.
47
3.1.2. Schema bloc a unui redresor necomandat
O schem bloc obinuit a unui redresor necomandat este dat n figura 3.1.1. n ca-
zul de fa transformatorul (TR) este monofazat dar poate fi i mfazat. Dac alimentarea
este direct de la reea transformatorul poate s lipseasc.
Circuitul de redresare cu diode (CRD) poate avea oricare din configuraiile cerute de
aplicaie. Diodele redresoare sunt proiectate i fabricare special pentru redresarea semnale-
lor alternative. Acestea prezint o rezisten mic la trecerea curentului direct (polarizare di -
rect) i o rezisten foarte mare la polarizarea invers a jonciunii.
Circuitul de sarcin (CS) sau sarcina poate fi ca atare (de natur rezistiv, capacitiv,
inductiv, cu tensiune electromotoare etc.), sau poate s conin i un filtru de netezire. n
lipsa filtrului curentul redresat este pulsatoriu. Filtrul separ componenta continu de com-
ponentele alternative ale curentului redresat.
Redresoarele monofazate se utilizeaz pentru puteri mai mici de 1kW.
3.1.2.1. Redresoare monofazate monoalternan cu sarcin rezistiv
Circuitul de redresare CRD conine o singur diod D, nseriat cu sarcina rezistiv
modelat ca o rezisten R
S
, figura 3.1.2(a).
n semialternan pozitiv a tensiunii din secundar u
2
(t) (u
2
(t) > 0), dioda este polari-
zat direct ca urmare ea conduce, iar tensiunea redresat este u
r
(t) = u
2
(t), iar curentul redre-
sat va fi i
r
(t) =
S
2
R
) t ( u
. n semialternan negativ a tensiunii u
2
(t) (u
2
(t) < 0), dioda D este
polarizat invers, ca urmare ea este blocat i u
r
(t) = 0, i
r
(t) = 0, figura 3.1.2(b).
Figura 3.1.1. Schema bloc a unui redresor necomandat
TR
u
1
u
2
u
S
i
S
(i)
i
1
i
2
CRD CS
TR
u
1
(t)
u
2
(t)
D
u
r
(t) R
S
i
r
(t)
+()
(+)
(a) Schema de redresare (b) Forme de und
Figura 3.1.2. Redresor monofazat monoalternan
u
r
,i
r
U
0
u
2
(t)
2 U
2.ef
et
et
2 U
2.ef
T/2 T
u
r
i
r
2
48
Tensiunea redresat u
r
(t) la bornele rezistenei de sarcin este alctuit dintr-o com-
ponent continu U
0
, egal cu valoarea medie a tensiunii redresate u
r
(t) i una alternativ
u
~
(t).
u
r
(t) = U
0
+ u
~
(t) (3.1.1)
Raportul dintre tensiunea continu U
0
i valoarea efectiv a tensiunii din secundarul
transformatorului U
2.ef
, se numete coeficient de redresare:
ef . 2
0
r
U
U
k = (3.1.2)
Valoarea componentei continue se determin cu relaia:
} }
e e = =
2 / T
0
ef . 2
T
0
r 0
) t ( d ) t sin( U 2
T
1
dt ) t ( u
T
1
U =
0
2 / T
ef . 2
t) ( cos
T
U 2
e
e

=
ef . 2
0
U 2
U (3.1.3)
Rezult:
45 , 0
2
k
r
=
t
= (3.1.4)
Ponderea componentei alternative n tensiunea redresat, se poate evalua prin facto-
rul de form F i prin factorul de ondulaie .
Factorul de form F reprezint raportul dintre valoarea efectiv a tensiunii redresate
U
r.ef
i valoarea componentei continue U
0
:
0
ef . r
U
U
F = (3.1.5)
}
=
T
0
2
r ef . r
dt ) t ( u
T
1
U =
}
e
2 / T
0
2 2
ef . 2
dt ) t ( sin U 2
T
1
=
2
U
dt
2
) t 2 cos( 1
U 2
T
1
ef . 2
2 / T
0
2
ef . 2
=
e
}
(3.1.6)
innd seama i de relaia (3.1.3) rezult valoarea factorului de form pentru redre-
sarea monoalternan:
ef . 2
ef . 2
0
ef . r
U
2 2 U
U
U
F
t
= = = 1,57 (3.1.7)
Cu ct factorul F este mai apropiat de unitate, cu att ponderea componentei alterna-
tive n tensiunea redresat este mai mic.
Factorul de ondulaie se definete ca raportul dintre valoarea efectiv a componentei
alternative U
~ef
i componenta continu U
0
:

0
ef ~
U
U
= (3.1.8)
49
Puterea util (puterea de curent continuu) debitat pe sarcin este:
P
2
= P
cc
= U
0
I
0
S
2
0
S
0
0
R
U
R
U
U = = (3.1.9)
Puterea absorbit de la reea de redresor, cnd se neglijeaz pierderile, este:
= ~ = = =
} } }
T
0
r 2
T
0
1 1
T
0
1 ca 1
dt ) t ( i ) t ( u
T
1
dt ) t ( i ) t ( u
T
1
dt ) t ( p
T
1
P P
S
2
ef . 2
2 / T
0 S
ef . 2
2
R 2
U
dt ) t sin(
R
U 2
) t sin( U 2
T
1
= e

e =
}
(3.1.10)
Randamentul redresorului monofazat, monoalternan va fi:
% 40 4 , 0
4
U
R 2
R 2
U 2
P
P
2 2
ef . 2
S
S
2
ef . 2
1
2
= ~
t
= = = q (3.1.11)
Randamentul slab explic, de ce aceast schem de redresare nu se utilizeaz n cazul
unor puteri mari. Pentru mbuntirea randamentului se utilizeaz schemele de redresare bi -
alternan.
Exemplul 3.1.1
Un redresor monofazat, monoalternan care alimenteaz o sarcin R = 20k, are un
transformator la intrare cu raportul de transformare n
2
/n
1
= 100/440. Considernd transfor-
matorul i dioda ideal i U
1ef
= 200V, se cer urmtoarele:
a. Valoarea de vrf a tensiunii pe sarcin U
R.max
b. Valoarea medie a tensiunii pe sarcin U
R.med
c. Valoarea de vrf a curentului prin sarcin I
R.max
d. Valoarea medie a curentului prin sarcin I
R.med
V 70 50 2 U 2 U ; V 50 220
440
100
U
n
n
U . a
ef . 2 max . R ef . 1
1
2
ef . 2
= = = = = = (3.1.12)
V 3 , 22
U
dt ) t sin( U
T
1
U . b
max . R
2 / T
0
max . R med . R
=
t
= e =
}
(3.1.13)
mA 5 , 3
10 20
70
R
U
I . c
3
max . R
max . R
=

= = (3.1.14)
mA 11 , 1
10 20
3 , 22
R
U
I . d
3
med . R
med . R
=

= = (3.1.15)
3.1.2.2. Redresoare monofazate bialternan cu sarcin rezistiv
Se utilizeaz dou scheme de redresare bialternan:
- schema de redresare cu punct median;
- scheme de redresare n punte.
O schem de redresare monofazat bialternan poate fi considerat ca fiind format
din dou circuite de redresare monoalternan, avnd circuitul de sarcin comun. Pentru a
obine o decalare de 180 a celor dou impulsuri de curent prin sarcin, tensiunile date de
50
cele dou surse trebuie s fie decalate ntre ele cu 180.
I. Redresor monofazat bialternan cu punct median
Dac cele dou surse sunt dou nfurri secundare ale unui transformator monofazat
i dac sfritul unei nfurri este legat cu nceputul celei de a doua, se obine schema de re-
dresare cu punct median, figura 3.1.3(a). n practic, punctul median reprezint priza median
a nfurrii secundare a transformatorului.
Din figura 3.1.3(b) se observ c fiecare diod conduce o semiperioad (T/2 = t), iar
numrul de pulsuri ale tensiunii redresate ntr-o perioad este 2.
Pentru ( t) e (0, ) avem u
21
> 0 > u
22
, deci dioda D
1
conduce i D
2
este blocat.
Rezult:
u
r
= u
21
= U sin( t) = 2 U
ef
sin( t) (3.1.15)
) t sin( I 2 ) t sin( I = ) t sin(
R
U 2
=
i
=
i
ef
S
ef
1 2 r
e = e e

(3.1.16)
u
D2
= u
22
u
r
= 2 2 U
ef
sin( t) (3.1.17)
Pentru ( t) e (, 2) avem u
22
> 0 > u
21
, deci dioda D
2
conduce i D
1
este blocat.
Rezult:
u
r
= u
22
= 2 U
ef
sin( t) (3.1.18)
i
r
= i
22
= 2 I
ef
sin( t) (3.1.19)
u
D1
= u
21
u
r
= 2 2 U
ef
sin( t) (3.1.20)
(a) Schema de redresare (b) Forme de und
Figura 3.1.3. Redresor monofazat bialternan cu punct median i sarcin rezistiv
u
21
u
22
u
t
2
t
2
u
D1
i
r
u
r
t
t
i
21
i
22
U
0
R
S
TR
u
1
u
21
D
1
u
r
n
2
n
1
n
2
i
1
+

u
22
D
2
u
D1
u
D2
i
r
i
21
i
22
2 U
ef
2 U
ef
2 I
ef
2 2 U
ef
51
Valoarea medie a tensiunii redresate este:
t

= e e
t
=
t
= =
} }
t t
ef
0
ef
0
r med . r 0
U 2 2
) t ( d ) t sin( U 2
1
dt ) t ( u
1
U U = 1,11 U
ef
(3.1.21)
Valoarea efectiv (eficace) a tensiunii redresate este:
}
=
T
0
2
r ef . r
dt ) t ( u
T
1
U = =

e e
t
}
t
2
1
0
2
ef
) t ( d )] t sin( U 2 [
1
=
ef
2
1
0 0
ef
U 2 ) t ( d )] t ( 2 [ cos
1
) t ( d
1
U 2 =

e e
t
e
t

} }
t t
(3.1.22)
innd cont c sarcina este rezistiv, valoarea medie a curentului redresat este:
t

t

ef
S
ef
S
med . r
med . r
I 2 2
=
R
U 2 2
=
R
U
=
I
(3.1.23)
Valoarea efectiv a curentului redresat este:
ef
S
ef
S
ef . r
ef . r
I 2 =
R
U 2
R
U
I

= = (3.1.24)
Puterea de curent continuu debitat de redresor n sarcin P
2
= P
cc
este:
S
2
2
ef
S
ef ef ef ef
med . r med . r 2 cc
R
U 8
=
R
U 2 2 U 2 2 I 2 2 U 2 2
=
I U
= P P

t
t

=
t

= (3.1.25)
innd cont c s-au neglijat pierderile de putere din redresor, puterea furnizat de
transformator redresorului P
1
= P
ca
este egal cu:
S
2
ef
T
0
r 2
T
0
1 1 ca 1
R
U
dt ) t ( i ) t ( u
T
1
dt ) t ( i ) t ( u
T
1
P P = ~ = =
} }
(3.1.26)
Randamentul redresorului monofazat bialternan va fi:
0,8
8
=
P
P
P
P
=
2
ca
cc
1
2
~
t
= q (3.1.27)
Valoarea medie a curentului prin diode I
D med
(egal cu cel printr-o nfurare secun-
dar I
2 med
) este:
2
I
I = I
med . r
med 2 med D
= , (3.1.28)
iar valoarea efectiv a lui este:
I
4
=
2
I
I I
med . r
ef . r
ef 2 ef D

t
= = (3.1.29)
52
Examinarea schemei din figura 3.1.3(a) conduce la urmtoarele observaii:
- curenii n cele dou nfurri sunt pulsatorii i decalai ntre ei cu 180, din cauza ten-
siunilor corespunztoare;
- curenii n nfurrile secundare ale transformatorului i
21
i i
22
au aceeai form cu cei
din diode, i
D1
respectiv i
D2
;
- componentele continue ale curenilor prin cele dou nfurri magnetizeaz miezul n
sens opus, astfel nct magnetizarea rezultant este dat numai de componenta alternativ.
Dezavantajul principal al schemei cu punct median este c nfurarea secundar a
transformatorului este slab utilizat, ceea ce atrage dup sine o putere de calcul mai mare pen-
tru transformator.
***