Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
(s)=
P
(s)=
Lucrarea 2 39
Se rezolv fiecare ecuaie cu o metod aleas (de exemplu bisecia) i se
completeaz tabelul 2. L
i
i L
s
se aleg astfel ca soluiile polinomului s fie
cuprinse ntre ele (de exemplu -1000 i 1000).
Tabelul 2
P
(s) L
i
s
0
L
I
P
(s) | s
1
| s
2
|
P(s) | s
1
| s
2
|
s
3
s
1
,s
2
,s
3
sunt polii funciei de transfer.
4. Se d urmtorul filtru:
Fig. 2.2. - Filtru pasiv, pentru problema 4.
Cunoscnd C
1
=100mF, C
2
=121mF, R=12.5 K si Z
1
=1/jC
1
,
Z
2
=1/jC
2
, Z
3
=Z
4
=R, s se determine modulul funciei de transfer i valoarea
frecvenei pentru care acesta este de valoare 10. Folosii la alegere una din
metodele de rezolvare numeric a ecuaiilor polinomiale.
5. S se calculeze creterea de temperatur T pentru care curentul invers al unei
jonciuni de siliciu se dubleaz (T=300K)
Indicaie:
I
r
(T)=const*T
3/2
exp(-Eg/2KT)
i
Eg/KT=1.11/0.026
Folosii metoda aproximrilor succesive, dac acest lucru este posibil.
ndrumar de laborator pentru metode numerice 40
6. Se consider un amplificator integrat, avnd n bucl deschis o amplificare de
forma:
H s
s s s
( )
.
. . .
=
+ + +
3386260295
05284 005120153 0 00096807437
3 2
S se determine polii amplificatorului.
7. Amplificarea buclei unui amplificator integrat prevzut cu reacie pur rezistiv
este:
T(s)=T
0
/(1+10s+30s
2
+20s
3
),
unde s este msurat n microsecunde
-1
. Valoarea mrimii T
0
este 12. S se
determine poziia polilor ctigului n bucl nchis pentru aceast valoare a lui
T
0
utilizndu-se metoda biseciei, metoda aproximaiilor succesive, metoda
Bairstow i metoda Newton-Raphson.
3.3. TEME DE CAS
1. Se consider o jonciune pn a crei temperatur este meninut la valoarea
T=300K. La ce tensiune direct, V
a
, aplicat acestei jonciuni, curentul este de
10 ori mai mare dect curentul rezidual?
Indicaie:
I
a
= I
o
[exp
(qVa/mKT)
-1]
i m=1...2. Folosii metoda tangentei.
2. Fie un tranzistor cu efect de cmp a crui lege este :
i
D
=I
DSS
(1-U
GS
/U
T
)
2
cu I
DSS
=9mA i U
T
=-3V, R
S
=0.25 K
a) S se determine curentul i
D.
b) ntre ce limite poate varia rezistenta R
d
astfel nct tranzistorul s
funcioneze n regiunea de saturaie? Folosii metoda biseciei.
3. Rezolvai ecuaia de la problema 2 prin metodele biseciei si tangentei i
analizai rezultatele obinute :
a) dup primii 3 pai - prin calcul numeric, fr program;
b) dup finalizarea programelor.
4. Se consider funcia de transfer a unui filtru analogic de tip Cebev dat sub
forma: H s
s s s s
( )
.
. . . .
=
+ + + +
0 04381
0 6192 061401692 020379268 0 0491588
4 3 2
Lucrarea 2 41
S se determine polii filtrului.
5. Se d ecuaia:
e x
x
- = 1 0 /
care are o soluie n intervalul [0.1, 1]. S se calculeze soluia ecuaiei aplicnd
metoda biseciei pentru ecuaii transcendente, metoda Newton-Raphson i
metoda aproximaiilor succesive. Eroarea de calcul se consider
e = 00000000001 . (ce se poate scrie i 1e-10, conform notaiei tiinifice)
pentru toate metodele. S se compare rezultatele.
6. S se determine valoarea tensiunii i a curentului prin diod, n situaia
urmtorului circuit (cel de polarizare a diodei). Ca metod de rezolvare a
ecuaiei, avnd necunoscuta u (tensiunea pe diod), se va folosi metoda direct
a Biseciei.
R
E u
Valorile de calcul pot fi:
R=10Kohm, E = 10V
I
0
= 1pA sau 1nA
V
T
= 25 mV.
7. Aplicnd metodele indirecte de rezolvare a ecuaiilor studiate n laborator -
Aproximaii succesive i metoda tangentei (Newton-Raphson) - calculai timpul
dup care tensiunea pe condensatorul din circuitul ce urmeaz, atinge valoarea
0.5*E (regimul tranzitoriu al condensatorului).
R
E C u
c
(t)
ndrumar de laborator pentru metode numerice 42
Valorile de calcul utile sunt:
E = 0, t<0 n voli.
1, t>0
s RC 1 = = t
BIBLIOGRAFIE
1. I. Rusu - Metode numerice n electronic. Aplicaii n limbaj C, Editura
Tehnic, Bucureti, 1997.
2. I. Rusu, Vlad. Al. Grosu, Grigore iplea - ndrumar de laborator pentru metode
numerice, cu aplicaii n limbaj C, Litografia UPB, ediiile 1998 i 2000.
3. W. Dorn, S. McCracken - Metode numerice cu programare in FortranIV, Ed.
Tehnic, Bucureti, 1976.
4. B. Demidovitch, I.A.Maron - Computational Mathematics, Ed. Mir, 1989
5. Catalog IPRS Bneasa - Tranzistoare cu siliciu, Bucureti, 1989.