CURSUL 12

8. FIZICA STRII SOLIDE

Se ocup cu studiul proprietilor corpurilor n stare solid. Acestea pot fi: cristaline
sau amorfe.
a) Corpurile cristaline pot fi considerate ca o dispunere ordonat, infinit n spaiu n
orice direcie, de puncte geometrice numite noduri de reea n care sunt plasai
atomi, sau grupuri de atomi, care formeaz baza cristalului respectiv. Deci:
CRISTAL = REEA + BAZ;
b) Corpurile amorfe nu au o dispunere ordonat infinit n tot spaiul, ci numai local,
ca n cazul lichidelor. Ele se obin din starea topit a materialului respectiv prin
rcire rapid cu viteze de ordinul 10
6
K/s, astfel nct s nu aib timp s se
formeze dispunerea ordonat. Materialele amorfe au proprieti fizice deosebite,
precum maleabilitate mare, proprieti magnetice bune ( -permeabilitatea
magnetic mare), sau pot fi semiconductori.
Dispunerea ordonat a atomilor n nodurile unei reele cristaline nseamn c aceasta
(reeaua) prezint unele proprieti de simetrie. n primul rnd, reelele cristaline prezint
proprietatea de simetrie n raport cu translaiile n spaiu. Pentru a defini o translaie n
spaiu, se aleg trei vectori ne-coliniari , , , c b a
r
r
r
numii vectori de translaie (fig.1).
Operaia de translaie se definete prin expresia:
,
3 2 1
c n b n a n T
r
r
r
r
+ + =
unde ( )
3 2 1
, , n n n sunt numere ntregi (positive, negative sau zero). Printr-o translaie T
r
,
vectorul de poziie r
r
al unui punct (nod) din reea trece n r
r
, care este vectorul de
poziie al unui alt punct (nod) din reea:
2



Celul elementar
(primitiv)



Fig.1. Celula elementar a unei reele cristaline
c n b n a n r T r r
r
r
r r
r
r r
3 2 1
+ + + = + = .
Aplicnd diferite operaii de translaie unui punct sau nod oarecare din reea, se genereaz
toate nodurile reelei respective. Vectorii de translaie , , , c b a
r
r
r
numii i axe cristaline,
determin un element de volum de form paralelipipedic, numit celul elementar
(primitiv) a reelei cristaline respective (fig.1). Aceast celul are noduri numai n
vrfurile sale. Prin dispunerea unor astfel de celule una lng alta, n toate direciile din
spaiu, se genereaz ntreaga reea cristalin. Exist i alte tipuri de celule, funcie de
simetriile reelei cristaline considerate.
Pe lng simetria la translaii n spaiu, o reea cristalin are i alte proprieti de
simetrie n raport cu operaiile: rotaii n jurul unei axe, inversiuni fa de un punct (nod)
din reea, etc. Pe baza acestor proprieti de simetrie se arat c mulimea tuturor tipurilor
posibile de cristale poate fi clasificat n 7 sisteme cristaline, care conin 14 tipuri de
reele distincte (numite reele Bravais) (vezi Tabelul 1).



a
r

b
r

c
r

3
Tabelul 1. Sistemele cristaline i reelele Bravais corespunztoare
Nr.
crt.
Sistemul i
numrul de reele
Simbolul
celulei
Natura axelor i
a unghiurilor
Axele i unghiurile
de specificat
1 TRICLINIC 1 P ; c b a , , ; , , c b a
2 MONOCLINIC 2 P
C
0 0
90 ; 90 ; = = c b a

c b a , ,

3 ORTOROMBIC 4 P
C
I
F
0
90 = = =


c b a

c b a , ,
4 TETRAGONAL 2 P
I 0
90 = = =
=

c b a

c a,
5 TRIGONAL 1 P
0
120 ; < = = = = c b a
, a
6 HEXAGONAL 1 P
0
0
120
90 ;
=
= = =

c b a

c a,
0
90 ; = = = = = c b a
a 7 CUBIC 3 P
I
F
P-primitiv; C-cu baze centrate; I-cu volum centrat;
F-cu fee centrate

Pentru sistemul cubic cele trei reele Bravais sunt artate n figura 2.
P I F




P-cubic simpl (cs) I-cubic cu volum centrat (cvc) F-cubic cu fee centrate (cfc)
Fig. 2. Sistemul cubic cu trei reele Bravais

8.1. Modelul zonelor de energie pentru cristale
n cele ce urmeaz vom arta modul de formare a zonelor de energie permise n cristale.
4
Fig.3. Modelul zonelor de energie pentru un cristal
Atunci cnd atomii unei substane se gsesc la distane mari ntre ei, nu interacioneaz
unii cu alii, i lor le corespund nivele energetice discrete. Dac atomii se apropie pn la
distane mici, de ordinul m A d
10
10 1

= =
o
ct este distana dintre nodurile reelei, atunci
nivelele energetice discrete se descompun n mai multe subnivele (fig.3) datorit
interaciunilor dintre atomi. Dac reeaua cristalin conine N atomi atunci fiecare nivel
se descompune exact n N subnivele. La distana de echilibru dintre cei doi atomi (n
nodul de reea), electronilor acestor atomi le corespund energii situate n anumite
intervale 1s, 2s, 2p.... numite zone de energie permise. Acestea sunt separate ntre ele prin
zone interzise.
Electronii atomilor populeaz diferite zone de energie, ncepnd cu cele mai de
jos posibile 1s, 2s, 2p.... Dac ultima zon de energie populat este parial ocupat, atunci
ea se numete zon de conducie (cazul metalelor) i se noteaz prin simbolul ZC.

Zone de
energie
5
Dac ultima zon de energie populat cu electroni este complet ocupat, ea este numit
zon de valen (ZV), iar zona de energie imediat superioar este zona de conducie (ZC)
(este cazul cristalelor izolatoare i semiconductoare). Intervalul energetic dintre zona de
valen i zona de conducie se numete zon interzis (ZI); energia corespunztoare
zonei interzise se noteaz prin E i se numete energie de activare. Msurtorile
experimentale arat c:
- pentru metale energia de activare este nul: 0 = E ;
- pentru cristale izolatoare: eV E 5 > ;
- pentru cristale semiconductoare: . 10 6 , 1 1 ; 1
19
J eV eV E

=
De exemplu, pentru siliciu (Si) eV E 1 , 1 = iar pentru germaniu (Ge) eV E 7 , 0 = .
ntr-o zon de energie permis pentru un cristal dat se poate afla un numr
maxim de electroni dat de expresia: ( ) atom electroni l N / 1 2 2
max
+ = .
Exemple:
. / 10 2
; / 6 1
; / 2 0
atom electroni N l
atom electroni N l
atom electroni N l
= =
= =
= =

8.2. Semiconductori
Sunt materiale cristaline, de regul din grupa a IV-a a sistemului periodic al
elementelor chimice. Cele mai reprezentative dintre acestea sunt Si i Ge.
Semiconductorii pot fi:
a) intrinseci (fr impuriti);
b) extrinseci (cu impuriti).
c) Semiconductorii intrinseci
Pentru aceti semiconductori, lrgimea zonei interzise, E are valori mici de ordinul
6
Fig.4. Zonele de energie ale unui semiconductor i funcia de distribuie Fermi
eV 1 i este posibil ca, la temperaturi obinuite, unii electroni s treac din zona de
valen n zona de conducie ( ZC ZV ) pe seama energiei lor termice. Pentru o
temperatur dat T, distribuia electronilor dup energie este descris de o funcie de
distribuie ( ) E f
F
numit funcia de distribuie Fermi:
( )
1
1
+
=

kT
E E
F
F
e
E f , (1)

unde
F
E este energia Fermi a semiconductorului respectiv i este caracteristic fiecrui
semiconductor n parte. Energia Fermi se definete ca fiind energia ultimului nivel
energetic care, la temperatura K T 0 = , mai este populat cu electroni.
7
La temperaturi obinuite, se ndeplinete condiia >> kT E E
F
funcia de
distribuie Fermi poate fi aproximat prin expresia:
( ) .
kT
E E
F
F
e E f

= (2)
Pe baza acestei expresii se poate calcula concentraia n a electronilor i p a golurilor din
zona de conducie, respectiv zona de valen. Aceste mrimi sunt definite ca reprezentnd
numrul de electroni din unitatea de volum (n) i respectiv numrul de goluri din unitatea
de volum (p). Unitatea de msur pentru ele este:
[ ]
[ ] ,
;
3
3 .
3
3
. .

= =
= =
m
m
goluri de numarul
p
m
m
electroni de numarul
n
I S
I S

n - concentraia electronilor, p - concentraia golurilor.
Pentru un semiconductor intrinsec se ndeplinete condiia esenial
. p n = (3)
Pe baza legilor fizicii cuantice se arat c:
( ) ,
2
2
2 / 3
2 / 3
2
kT
F
E
C
E
n
e m
h
kT
n

=

(4)
( ) .
2
2
2 / 3
2 / 3
2
kT
V
E
F
E
p
e m
h
kT
p

=

(5)
n aceste relaii, T este temperatura absolut a semiconductorului, s J h . 10 62 , 6
34
=
este constanta lui Planck,
K
J
k
23
10 38 , 1

= este constanta lui Boltzmann, iar

n
m i

p
m
se numesc mase efective ale electronilor respectiv golurilor i se definesc prin relaia:
,
a
F
m =

(6)
8
unde F este fora exterioar care acioneaz asupra purttorilor de sarcin din semi -
conductori, iar a este acceleraia pe care o capt purttorii de sarcin att datorit forei
exterioare ct i datorit cmpului intern al cristalului creat de atomul din nodurile de
reea.
Observaie: Se constat c pentru acelai cristal semiconductor, de regul
,

>
n p
m m adic golurile sunt particule mai inerte dect electronii.
Folosind condiia (3) i expresiile (4), (5) putem exprima concentraiile n i p n funcie
de energia de activare a semiconductorului E :
( ) ,
2
4
2 / 3
3
2
2 2
kT
E
p n
e m m
h
kT
p n np

= = =


unde
F C
E E E = este energia de activare a semiconductorului respectiv.
Extrgnd rdcina ptrat din ambii membri ai relaiei de mai sus, obinem:
( ) .
2
2
2
4 / 3
2 / 3
2
kT
E
p n
e m m
h
kT
p n

= =

(7)
Pe baza acestui rezultat, putem calcula conductivitatea electric,

1
= a
semiconductorului respectiv, folosind legea lui Ohm scris sub forma local: E j
r r
= .
Aici,
- rezistivitate; [ ] m
I S
=
. .
; - conductivitate electric [ ]
1 1
. .

= m
I S
.
iar
( ) , E e n j
r r
= [ ]
2 . .
m
A
j
I S
= , (8)
9
este densitatea de curent; E
r
- intensitatea cmpului electric aplicat semiconductorului;
- mobilitatea electronilor sau a golurilor, definit prin raportul dintre viteza v a
electronilor (sau a golurilor):

=
s V
m
. E
v
2
(9)
Comparnd relaia (8) cu legea lui Ohm sub form local E j
r r
= , rezult:
ne = . (10)
Deci, pentru electronii din ZC conductivitatea electric are expresia
,
n n
ne =
n
- mobilitatea electronilor (11)
,
p p
pe =
p
- mobilitatea golurilor (12)
Observaie: msurtorile experimentale arat c pentru un semiconductor dat ,
p n
>
adic electronii sunt particule mai mobile dect golurile.
Conductivitatea electric total a semiconductorului intrinsec (prin electroni i
goluri)
( ) .
p n p n
ne + = + = (13)
ntr-un semiconductor intrinsec, conductivitatea electric se realizeaz att prin electroni
ct i goluri, dar n proporii (procente) diferite:

( )
,
1
1
n
p
p n
n
p n
n
p n
n n
e
ne
e n
f

+
=
+
=
+
=
+
= = (14)
e
f - fraciunea de curent electric prin electroni, iar
.
1
1
) (
p
n
p n
p
p n
p
p n
p p
g
ne
e p
f

+
=
+
=
+
=
+
= =
10
g
f - fraciunea de curent electric prin goluri.
Observaie: , 1 = +
g e
f f i n general
g e
f f > pentru un semiconductor dat.