Capitolul 4

4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP

4.1. Prezentare general

Tranzistorul cu efect de cmp a aprut pe pia n anii 60, dup
tranzistorul bipolar cu jonciuni, deoarece tehnologia lui de fabricaie a fost mai
greu de pus la punct. Dac pentru tranzistorul bipolar cu jonciuni se folosete
notaia TBJ, pentru tranzistorul cu efect de cmp se folosesc notaiile TEC
Tranzistor cu Efect de Cmp sau FET Field Effect Transistor.
La TEC conducia este asigurat de un singur tip de purttori de sarcin,
electroni sau goluri, acetia fiind purttorii majoritari. De aceea, acest tranzistor
se mai numete i tranzistor unipolar sau dispozitiv cu purttori majoritari.
Tranzistorul cu efect de cmp are ca principiu de funcionare efectul de cmp,
adic controlul valorii curentului prin tranzistor se obine cu un cmp electric
care modific conducia cii de trecere a curentului prin dispozitiv. Calea de
trecere se numete canal i este partea activ a unui TEC.
TEC poate fi de dou feluri din punctul de vedere al tipului de canal:
1) Cu canal n atunci cnd curentul prin dispozitiv este asigurat de electroni
ca sarcini electrice;
2) Cu canal p atunci cnd curentul prin dispozitiv este asigurat de goluri ca
sarcini electrice.
Cmpul ce controleaz valoarea curentului prin dispozitiv este creat de o
tensiune aplicat ntre dou terminale ale tranzistorului, dintre care unul este
terminalul de control care se numete poart sau gril. TEC este un dispozitiv
electronic comandat n tensiune, spre deosebire de TBJ care este comandat n
curent.
41
Tranzistoarele cu efect de cmp se mpart n dou categorii dup modul n
care se controleaz valoarea curentului prin canal:
o Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciuni (TECJ) sau Junction Field
Effect Transistor (JFET);
o Tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (MOSFET).
MOS corespunde denumirii de Metal Oxide Semiconductor, deoarece
electrodul de comand al tranzistorului este constituit dintr-un strat de metal
separat de semiconductor printr-un strat izolator foarte subire din oxid de
siliciu. Tranzistoarele MOSFET reprezint n prezent componentele de baz din
circuitele integrate dedicate electronicii numerice. Prezentarea pe larg a
MOSFET poate fi gsit n [? EEE-Steriu, ? DCE-Dnil, ? E-Vasilescu].
n continuare se vor trata numai tranzistoarele cu efect de cmp cu
jonciuni (TECJ sau JFET).


4.2. Principiul de funcionare al tranzistorului cu efect
de cmp cu jonciuni

Simbolurile utilizate pentru reprezentarea tranzistorului cu efect de cmp
cu jonciuni n schemele electronice sunt artate n figura 4.1.







Fig. 4.1.

Cele trei terminale ale tranzistorului se numesc dren (D), surs (S) i
gril (G).
S
D
G
Canal n
S
D
G
Canal p
42
Structura unui TECJ este reprezentat n figura 4.2 a, unde s-a considerat
un TECJ cu canal n. Aceast figur este util pentru nelegerea funcionrii
TECJ.





















I
D
G G
S +
+
U
GS
p p
C
a
n
a
l


n
n
n
U
DS
D
Zona de
sarcin
spaial
a)
I
D

Fig. 4.2.

Un TECJ poate fi privit, ca i un TBJ, ca fiind alctuit din doi dipoli:
1. dipolul gril-surs (G-S) care joac rolul unui dipol de comand. Prin
grila TECJ circul un curent de intensitate mic, de ordinul nano-
amperilor.
G G
S +
+
U
GS
p p
n
n
U
DS
D
Zona de
sarcin
spaial
b)
43
2. dipolul dren-surs (D-S) care joac rolul unui dipol comandat de ctre
dipolul gril-surs. Dipolul dren-surs implic cureni mult mai mari
dect cei de gril.
Curentul de dren I
D
este dat de electronii care se deplaseaz de la surs
spre dren atunci cnd tensiunea dren-surs U
DS
este pozitiv.
Grila corespunde zonelor de tip p care mrginesc zona n i care sunt
legate electric mpreun prin exterior. Limea efectiv a canalului depinde de
extinderea celor dou zone de sarcin spaial, deci de tensiunea U
GS
aplicat.
Jonciunile gril-canal se polarizeaz invers i de aceea curentul de gril este
extrem de mic, practic neglijabil, ceea ce reprezint unul din principalele
avantaje ale TECJ.
Atunci cnd tensiunea U
GS
= 0, tranzistorul este deschis i curentul I
D
are
o anumit valoare.
Dac tensiunea invers aplicat ntre gril i canal crete n valoare
absolut, atunci zonele de sarcin spaial se extind mai mult, limea efectiv a
canalului scade i n consecin rezistena acestuia crete (fig. 4.2 b). Dac
tensiunea U
DS
se menine constant (alimentarea circuitului se face din surs de
tensiune continu stabilizat), atunci curentul I
D
se micoreaz. Aceasta este
manifestarea efectului de cmp la TECJ.
Pentru o anumit valoare a tensiunii U
GS
, numit tensiune de prag U
P
a
tranzistorului, cele dou zone de sarcin spaial se ntlnesc (fig. 4.2 b), canalul
dintre surs i dren dispare i curentul de dren I
D
= 0.
Nu se recomand ca tensiunea U
GS
s devin pozitiv.
Rezult c dipolul dren-surs al TECJ se comport ca o rezisten
variabil, a crei valoare depinde de tensiunea de comand U
GS
aplicat.
Tranzistorul poate fi utilizat ca amplificator deoarece, ca i n cazul TBJ, pentru
variaii mici ale mrimii de comand U
GS
au loc variaii mari ale mrimii
comandate I
D
.
Se poate afirma c TECJ este n conducie maxim atunci cnd U
GS
= 0.

Observaie: pentru TECJ cu canal p funcionarea este similar, dar sensul
curentului I
D
i polaritile tensiunilor trebuie schimbate.

44
4.3. Conexiuni fundamentale ale tranzistorului cu
efect de cmp

Conexiunile fundamentale ale tranzistorului cu efect de cmp n montajele
electronice sunt urmtoarele: surs comun (SC), dren comun (DC) i gril
comun (GC) (fig. 4.3).








Fig. 4.3.








Fig. 4.4.

Se poate face o analogie cu conexiunile fundamentale ale tranzistorului
bipolar cu jonciuni (EC, CC i BC) dac fiecruia din cele trei terminale ale
tranzistorului cu efect de cmp asociem electrodul corespunztor de la cellalt
tip de tranzistor (fig. 4.4).



S
D
G
S D
S
G
D
S
G
D
G
SC DC GC
TBJ
E emitor
B baza
C colector
TECJ
S sursa
G grila
D drena
45
4.4. Caracteristici statice ale tranzistorului cu efect
de cmp cu jonciuni

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor cu efect de cmp reprezint
modul de variaie a curentului de dren I
D
n funcie de tensiunile dren-surs
U
DS
i gril-surs U
GS
. Cele mai utilizate caracteristici statice sunt caracteristicile
de ieire
.
) (
ct U
DS D
GS
U f I
=
= i caracteristicile de transfer
.
) (
ct U
GS D
DS
U f I
=
= .










0 -1 -2 U
P
I
DSS
U
GS
= -2V
U
GS
= -1V
U
GS
= 0
U
GS
[V] U
DS
[V]
I
D
[mA]

Fig. 4.5.

n figura 4.5 s-au reprezentat trei caracteristici statice de ieire din familia
de caracteristici a TECJ (partea din dreapta) i o singur caracteristic static de
transfer (partea din stnga).
Se poate remarca asemnarea caracteristicilor statice de ieire ale TECJ cu
cele ale TBJ, cu remarca c aici mrimea de comand nu mai este un curent ci o
tensiune. Poriunea din caracteristica static unde curentul de dren atinge un
palier se numete zon de saturaie, iar poriunea corespunztoare valorilor
reduse ale U
DS
se numete zona ohmic sau zona nesaturat.
Dac se crete mult valoarea tensiunii U
DS
atunci TECJ se poate
strpunge.
Valoarea maximal a curentului de dren, obinut cu tensiunea U
GS
= 0,
se noteaz I
DSS
i este de obicei de ordinul a civa miliamperi. n notaia
46
curentului de dren I
DSS
semnificaia simbolurilor utilizate este urmtoarea:
primul S corespunde la surs comun, iar cel de-al doilea S corespunde la
scurt circuit deoarece se scurtcircuiteaz grila prin legarea ei la surs.
Tensiunea de prag U
P
i curentul I
DSS
sunt cei doi parametri caracteristici
ai TECJ.
n zona de saturaie, curentul de dren este dat de relaia teoretic
urmtoare:
2
1

=
P
GS
DSS D
U
U
I I . (4.1)

Pentru TECJ cu canal p tensiunile de polarizare i curentul de dren sunt
inversate n raport cu cele pentru TECJ cu canal n.


4.5. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp

Polarizarea cea mai simpl i mai economic a unui TECJ se poate
asigura cu ajutorul montajului din figura 4.6, care conine o singur surs de
alimentare +E
D
. Rezistena R
G
, care poate s aib o valoare orict de mare
dorim, fixeaz potenialul grilei la zero (la TECJ curentul de gril este nul).









I
D
R
S
R
G
R
D
+E
C
U
DS
U
GS
I
D
I
DSSmax
'
Q
I
DSSmin

Fig. 4.6. Fig. 4.7.

U
GS U
Pmin
U
Pmax

Q
47
n surs se pune rezistena R
S
care asigur polarizarea invers a jonciunii
gril-surs. La acest tip de tranzistor I
G
= 0, deci prin R
G
nu trece curent i nu va
exista cdere de tensiune la borne. Se aplic teorema II a lui Kirchhoff pe ochiul
de circuit format din jonciunea gril-surs, R
S
i R
G
i se obine

D S GS
I R U = (4.2)

relaie care reprezint ecuaia dreptei de polarizare. Punctul de lucru Q al
montajului este situat la intersecia caracteristicii de transfer a tranzistorului cu
dreapta de polarizare de pant
S
R
tg
1
= (vezi figura 4.7). Dac se alege R
S

mic, atunci unghiul este mare i implicit I
D
poate varia mult. Dac se alege R
S

mare, atunci unghiul este mic i implicit I
D
poate varia puin. Deci alegnd R
S
de valoare mare se asigur stabilizarea punctului static de funcionare a
tranzistorului.
Se face precizarea c la TECJ cea mai important variaie a punctului
static de funcionare se datorete dispersiei parametrilor tranzistorului (exist o
plaje de variaie a parametrilor U
p
i I
DSS
.

48