CUPRINS

1. Filtre electrice
1.1. Generaliti
1.2. Proiectarea filtrelor pe baza parametrilor imagine
1.3. Filtre Butterworth
1.4. Filtre Cebev
1.5. Filtre obinute prin transformri de frecven
2. Amplificatoare
2.1. Generaliti
2.2. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune emitor comun
2.3. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune colector
comun
2.4. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune baz comun
2.5. Conceptul de reacie
2.6. ConFiguraii ale circuitelor cu reacie negativ
2.7. Influena reaciei negative asupra benzii de frecven, a
distorsiunilor neliniare i a impedanelor de intrare i ieire ale
amplificatorului
3. Oscilatoare
3.1. Generaliti
3.2. Oscilatoare cu reea defazoare
3.3. Oscilatoare cu reea Wieri
4. Circuite cu impulsuri
4.1. Generaliti
4.2. Circuite RC de ordinul I n regim de impulsuri
4.3. Tranzistorul bipolar n regim de comutaie
4.4. Circuitul basculant bistabil
4.5. Circuitul basculant monostabil
4.6. Circuitul basculant astabil
4.7. Circuite de tensiune liniar variabil
5. Redresoare i stabilizatoare
5.1 Generaliti
5.2. Redresoare
5.3. Stabilizatoare parametrice
5.4. Stabilizatoare cu reacie
6. Circuite integrate
6.1 Generaliti
6.2. Amplificatoare operaionale
6.3. Aplicaii ale amplificatoarelor operaionale
6.4. Comparatoare i stabilizatoare

6.5. Circuite logice bipolare

6.6. Circuite logice MOS
Bibliografie

1.Filtre electrice

1.1. Generaliti
Filtrele electrice sunt circuite de transmisie care se comport selectiv
n frecven. Un circuit de transmisie este ideal dac nu produce
distorsionarea semnalului aplicat la intrare (Fig. 1.1.). n acest caz, semnalul
de ieire y(t) se exprim n funcie de semnalul de intrare prin relaia:
y t Ax t 0
(1.1.)
unde A este factorul de scar, iar 0 este ntrzierea ce caracterizat circuitul
de transmisie ideal. Aplicnd transformata Fourier relaiei (1.1.) i mprind
ambii membri ai relaiei astfel obinute cu X(j ) se obine funcia de
transfer de frecven a circuitului de transmisie ideal:
Y j
H j
A e j
(1.2.)
X j
avnd modulul constant (Fig. 1.2. a):
H j A
(1.3.)
i faza liniar (Fig. 1.2. b):
0
(1.4.)
Atunci cnd H j are valori subunitare (semnalul de ieire este mai mic
dect cel de intrare) n locul modulului funciei de transfer se folosete
atenuarea a( ) a circuitului:
0

Fig. 1.1.
Rezult c atenuarea circuitului ideal de transmisie (Fig. 1.2. c)
trebuie s fie independent de frecven:
1
1
a ln
ln
(1.5.)
H
A
defazarea indus de aceasta (Fig. 1.2. d) trebuie s fie o funcie liniar de
frecven: b 0
(1.6.)
iar timpul de ntrziere de grup (Fig. 1.2. e):
g

db
0
d

(1.7.)

Fig. 1.2.
Filtrul ideal este un circuit de transmisie ideal care introduce o
atenuare nul ntr-un interval de frecven numit band de trecere i o
atenuare infinit n intervalul de frecven complementar numit band de
blocare. Frecvenele ce separ benzile de trecere de cele de blocare se
numesc frecvene de tiere.
Dup modul de dispunere a benzilor de trecere i de blocare, filtrele
pot fi:
- filtru trece jos (FTJ), care las s treac frecvenele joase i le blocheaz
pe cele nalte;
- filtru trece sus (FTS), care las s teac frecvenele nalte i le blocheaz
pe cele joase;
- filtru trece band (FTB), cu o band de trecere intercalat ntre dou
benzi de trecere;
- filtru oprete band (FOB), cu o band de blocare intercalat ntre dou
benzi de trecere.
n Fig. 1.3. a i b sunt prezentate grafic cu linie continu modulul H(j
) al FTJ la frecvene fizice i atenuarea. Aa cum se va arta n continuare,
un FTJ ideal nu este fizic realizabil, de aceea, pentru un filtru real,
caracteristicile impuse reprezentate cu linie punctat n Fig. 1.3. sunt date
prin relaiile:
a a max sau H min H j 1 ; n banda de trecere.
a a min sau H j H max ; n banda de blocare.
n plus, ntre banda de trecere i cea de blocare se accept un interval de
frecven numit band de tranziie pentru c un filtru fizic realizabil nu poate
realiza o selecie abrupt aa cum s-ar dori n mod ideal:

Fig. 1.3.
Caracteristicile de atenuare din Fig. 1.3. sunt cunoscute sub numele de
gabarit al filtrului i reprezint cerinele tehnice impuse filtrului la
proiectare.
Un FTJ ideal este definit n frecven prin funcia de transfer:
e j 0 , daca t

H j

(1.8.)

o, daca t

n Fig. 1.4. a sunt reprezentate cu linie continu modulul H j al

funciei de transfer i cu linie ntrerupt faza ale crei valori extreme
corespunztoare frecvenelor de tiere t s-au considerat a fi

Funcia pondere h(t) a FTJ ideal este transformata Fourier invers a

funciei de transfer (1.8.). Pentru simplificare se calculeaz mai nti
transformata Fourier invers a modulului funciei de transfer:
h0 t F 1 H j

1
2

H j e jt d

jt
e d

t
sin c t t

(1.9.)

i folosind proprietatea de deplasare n timp a transformatei Fourier se obine

funcia pondere:
t
h t F 1 H j e j h0 t 0
sin ct t 0
(1.10.)
0

reprezentat grafic n Fig.1.4. b.

Fig. 1.4.
Din Fig. 1.4. b rezult c FT ideal nu este cauzal i n consecin
irealizabil fizic, deoarece rspunsul h(t) la funcia impuls unitate t exist
i pentru t<0, deci precede excitaia.
Anterior s-a prezentat o clasificare a filtrelor din punct de vedere al
benzilor de trecere i blocare.
Un alt criteriu de clasificare al filtrelor este cel referitor la tipul
semnalelor prelucrate n funcie de care filtrele pot fi:
- filtre analogice, care prelucreaz semnale continue;
- filtre numerice, care prelucreaz semnale discrete.
Din punct de vedere al surselor de energie exist:
- filtre pasive, care au n compunere doar rezistene, bobine i
condensatoare;
- filtre active, care n afar de elementele de circuit pasive, conin
tranzistoare, amplificatoare operaionale, etc.
n continuare, prin filtru electric sau mai simplu filtru se nelege un filtru
analogic pasiv.
1.2. Proiectarea filtrelor pe baza parametrilor imagine
Aceast metod de proiectare realizeaz sinteza unei celule
elementare de filtrare pe baza unor clase de funcii complexe n s asociate
parametrilor imagine ai celulei respective. Parametrii imagine caracterizeaz
un diport (Fig. 1.5. a) pentru care s-a realizat adaptarea la ambele pori.
Pentru aceasta, impedanele terminale zg i zs trebuie s fie egale cu
impedanele imagine ale diportului date de relaiile:
z 01

u1
I1

u2
z 02
I2

z 02

u2
I2

u1
z 01
I1

(1.11.)
La un diport simetric, impedanele imagine sunt egale:
z 01 z 02 z c , unde zc se numete impedana caracteristic a diportului.
Ceilali doi parametri imagine ce caracterizeaz un diport sunt exponenii de
transfer pe imagine ntre pori n condiii de adaptare:

g 12

U I
1
ln 1 1
2 U2I2

g 21

U I
1
ln 2 2
2 U 1 I1

(1.12.)

Pentru diporii pasivi, datorit proprietii de reciprocitate, este valabil

relaia: g12 g 21 g .
Un diport pasiv este deci caracterizat de trei parametri imagine: z01, z02
i g, iar n cazul n care este i simetric, doar de z c i g. Pentru s=j este util
s separm prile real i imaginar ale exponentului de transfer:
j arg
1 U 1 I 1
g j ln
e
2 U2I2

U 1 I1

U 2 I 2

a jb

s j

unde partea real:

a

U 1 I1
1
ln
2
U2I2

(1.13.)

s j

reprezint atenuarea pe imagini;

U 1 I1

U2I2

1
iar partea imaginar: b 2 arg

s j

(1.14.)

reprezint defazarea pe imagini. Dei (1.13.) i (1.14.) sunt valabile doar

atunci cnd s=j , n continuare, aceasta nu se va mai scrie explicit n
formule.
Se demonstreaz c pentru un diport n X simetric (Fig. 1.5. b) sunt
adevrate relaiile [8]:
zc

z a zb

q th

za
zb

(1.15.)

unde za i zb sunt impedanele serie i respectiv paralel ale diportului n X iar

q o rotaie a tangentei hiperbolice a exponentului de transfer pe jumtate.

Fig. 1.5.
Metoda de proiectare a filtrelor pe baza parametrilor imagine folosete
urmtoarele ipoteze:
- filtrul este un diport LC ideal; efectele pierderilor sunt luate n considerare
ulterior;
- filtrul este definit prin parametrii imagine z01, z02 i g i lucreaz cu
terminaii rezistive Rg i Rs (Fig. 1.6. a); n banda de trecere, atenuarea
trebuie s fie nul a( )=0 i s existe adaptarea z01=Rg i z02=Rs, iar n
banda de blocare, atenuarea trebuie s fie infinit a( )= ;

- filtrul este format dintr-un lan adaptat de n dipori LC elementari (Fig. 1.6.
b); adaptarea cu Rg i Rs este impus diporilor terminali; atenuarea imagine
a filtrului este suma atenurilor fiecrui diport:
n

a ai
i 1

Fig. 1.6.
Cei n dipori din Fig. 1.6. b se numesc celule elementare ale filtrului i
trebuie s aib o schem ct mai simpl. Studiul filtrelor se poate reduce
astfel la studiul celulelor elementare considerate pentru simplificare ca fiind
simetrice.
Deoarece schema n X este cea mai general schem de diport
simetric (conform teoremei biseciunii demonstrat n [8], orice diport
simetric poate fi echivalat cu o schem n X simetric), este raional s se
analizeze o celul elementar n X. Considernd filtrul ca fiind un diport LC
ideal, rezult c impedanele celulei n X simetrice sunt de forma:
z a j jX a ;
z b j jX b .
n banda de trecere, impedana caracteristic zc trebuie s fie real
pentru a realiza adaptarea cu o sarcin rezistiv, iar q s fie pur imaginar
pentru ca atenuarea s fie nul. ntr-adevr, din 1.15. rezult:
1 q

1 q

g ln

i pentru

q jq

(1.16.)
din (1.16.) se obine:

a Re g ln

1 j q
1 j q

ln

1 j q
1 j q

ln 1 0

1 j q
arg 1 j q arg 1 j q 2arctg q
b Im g arg

1 j q

(1.17.)
(1.18.)

innd seama de condiiile impuse pentru z c i q n banda de trecere,

din (1.15.) rezult c n acest caz trebuie ca:
sign Z a j sign Z b j .
n banda de blocare, q trebuie s fie real pentru ca atenuarea a( ) s fie
diferit de 0 i deci: sign Z a j sign Z b j , de unde rezult c n acest
caz, impedana caracteristic Zc va fi imaginar.
Pentru g=1 din (1.16.) se obine a iar defazarea circuitului n
banda de blocare prezint un salt de radiani cci:


1 g 2 , dacaq 1, q 1

b arg
1

, dacaq 1, q 1
2

(1.19.)

Consideraiile de mai sus sunt redate grafic n Figura 1.7. a, n cazul

unui FTJ, iar n Fig. 1.7. c sunt reprezentate cele mai simple celule FT n X
ce rspund prescripiilor din Fig. 1.7. a mpreun cu diagramele pz
corespunztoare.

Fig. 1.7.
Considernd celula elementar din Fig. 1.7. b, se determin
impedanele serie i respectiv paralel
Z a jLa ;

Z b jLb

jL 2 t2
1
b
,
jC b

1
Lb C b

i folosind (1.15.) rezult:

Zc

La Lb t2 2

th

La
q
j

2
2
Lb t 2

(1.20.)

Pentru simplificarea relaiilor de calcul pentru a obine modele de

studiu mai comode, n teoria filtrelor se utilizeaz normarea impedanelor i
a frecvenelor.
Normarea impedanelor const n raportarea acestora la o constant R 0
numit rezisten de normare. Impedanele normate se noteaz cu litere mici
corespunztoare celor nenormate notate cu majuscule astfel:
z j

Z j
R0

Normarea frecvenelor const n raportarea frecvenei curente

complexe s sau a frecvenei fizice la o frecven fizic de referin 0
astfel:

sn

s
0

Dac se normeaz impedanele i frecvenele, atunci valorile

elementelor de circuit trebuie modificate n mod corespunztor, nlocuindule cu valori normate.
De exemplu, inductana normal l se obine din relaia:
L
ZL
jL
0 L

j n 0 j n l
R0
R0
0 R0
R0

zl

Procednd similar n cazul rezistenei i capacitii, rezult:

L

R
R0

0
; l R ; c 0 CR0
0
Dac se normeaz frecvena n raport cu frecvena de tiere:

(1.21.)

(1.22.)

Lb C b

i impedanele n raport cu valoarea impedanei caracteristice n curent

L

continuu: R0 Z c 0 t La Lb Ca
b
relaiile din (1.20.) devin:

(1.23.)
(1.24.)

Z c 1 n2

q th

jm n
q

2
1 n2

(1.25.)

unde parametrul m de numete modulul filtrului i este dat de:

m t La C b

La
Lb

(1.26.)

Plecnd de la (1.21.) i folosind relaiile (1.22.), (1.23.) i (1.26.) se obin

valorile elementelor de circuit normate:
l a m ; lb

1
; Cb m
m

1 n2 , daca n 1

Din (1.24.) rezult: Z c

(1.27.)

2
j n 1, daca n 1

deci impedana caracteristic este rezistiv n banda de trecere i are caracter

R

s
inductiv n banda de blocare (Fig. 1.8. a). Notnd cu rs R rezistena de
0
sarcin normat din Fig. 1.8. a, se observ c n banda de trecere adaptarea

se poate realiza doar dac Rs<R0 i numai la o frecven na . Din (1.25.)

jm n
, daca n 11.28.

2
1n
rezult: q m
n

, daca n 11.29.
2
n 1

i conform (1.17.) atenuarea este nul n banda de trecere, deoarece aa cum

rezult din (1.28), n acest caz q este pur imaginar.

Fig. 1.8.
1 g

Din (1.1.6) rezult: a Re g ln 1 g i nlocuind (1.29) n relaia de mai

sus se obine atenuarea n banda de blocare:
n2 1 m n

a ln

n2 1 m n

n 1

(1.30.)

Atenuarea are n banda de blocare un pol care se obine din (1.30.) anulnd
numitorul:

1 m2

; m 1

(1.31.)

Acest pol exist pentru m subunitar i este cu att mai apropiat de frecvena
de tiere cu ct m este mai mic.
La frecvene mari, atenuarea scade tinznd asimptotic ctre:
lim ln

n2 1 m n
1 m n
2
n

ln

1 m
1 n
ln
1 m
1 n

, m 1

(1.32.)

Din (1.31.) rezult c pentru m=1, polul se deplaseaz la infinit b i

aa cum se observ din Fig. 1.8. b, aceasta implic o atenuare redus la
frecvenele inferioare din banda de blocare i creterea acesteia la frecvene
mari dar cu pant redus:
Pentru m 1 , celula de filtrare are performane inferioare din punct de
vedere al atenurii n banda de blocare, iar la frecvene mari, aa cum rezult
din (1.32.), aceasta tinde asimptotic ctre:

ln

1 m
m 1
ln
, m 1.
1 m
m 1

Defazarea b() indus de celula de filtrare nu este important n cazul

semnalelor de audiofrecven sau radiofrecven, n schimb, pentru

semnalele n impuls, este necesar ca n banda de trecere, defazarea s fie o

funcie liniar de frecven.
Conform (1.18.) n care q este dat de (1.28.), n banda de trecere
m

n
defazarea este: b 2actg 1 2 ; n 1
(1.33.)
n
n banda de blocare, aa cum rezult din (1.19.), defazarea prezint salturi de
radiani la frecvena corespunztoare polului atenurii atunci cnd m este
subunitar.
Aa cum se poate observa i din Fig. 1.8. c, n cazul filtrrii
semnalelor n impuls, din punct de vedere al defazrii, cazul cel mai
favorabil este cel pentru care m 1 .
Consideraiile de mai sus se refer la celula FTJ din Fig. 1.7. b. n
comparaie cu aceasta, pentru celula din Fig.1.2. c, se demonstreaz c
impedana caracteristic este invers cu cea dat de (1.24.) iar q este identic
cu cel dat de (1.25.), deci cele dou celule sunt duale.
n Fig. 1.9. a sunt reprezentate schemele normate ale celor dou
celule. Schema n X a acestor dou celule este cea mai general dar nu este
economic datorit numrului mare de elemente componente. De aceea, n
practic se folosesc celule echivalente n T i respectiv n . n Fig. 1.9. b
sunt reprezentate aceste celule echivalente pentru m=1 numite i celule FTJ
prototip.

Fig. 1.9.
n practic se folosesc i semicelule elementare de filtrare (Fig. 1.9.
c), obinute prin secionarea celulelor din Fig. 1.9. b i care introduc numai
jumtate din atenuarea acestora n banda de blocare.
1.3. Filtre Butterworth
Metoda de proiectare prezentat n paragraful anterior se bazeaz n
esen pe ideea conectrii n cascad a unui numr de celule elementare,
fizic realizabile obinnd n final un filtru realizabil fizic i care rspunde
cerinelor de atenuare i defazare impuse. O alt modalitate de abordare a

problemei este aceea de aproximare a funciei de transfer a F.T.J. ideal, dat

de (1.8) printr-o funcie de transfer realizabil fizic, urmat de sinteza
circuitului corespunztor. n general funcia de circuit aproximat este
descrisa prin ptratul modulului H ( j ) 2 i respectiv argumentul ( ) . n
cazul filtrului LC acestea sunt de forma :
H ( j ) 2

( ) = arctg

bm 2 m .... b1 2 b0
=
a n 2 n .... a1 2 a0
d j 2 j 1 .... d1 3 d 0
c k 2 k 1 .... c1 3 c 0

Diferena dintre funcia de transfer ideal i funcia aproximat

reprezint eroarea de aproximare. Pentru F.T.J., plecnd de la (1.8) rezult
eroarea relativ la modul :

1 H ( j ) 2 daca t

H( )=

1 H ( j ) daca t

(1.34)
i eroarea relativ la faz : ( ) =- 0 ( ) .
Erorile de aproximare i ordinul de complexitate al funciei
aproximante reprezint indicii de calitate ai procesului de aproximare, fiind
de dorit ca acestea s fie ct mai mici. Intervalul de aproximare reprezint
mulimea punctelor de pe axa frecvenelor fizice pentru care se realizeaz
aproximarea funciei de transfer ideale. n cazul general acest interval
coincide cu axa frecvenelor. Uneori acesta se reduce doar la banda de
trecere sau la cea de blocare. Funcie de repartiia erorii n intervalul de
aproximare exist mai multe criterii de aproximare. Criteriul aplatizrii
maxime numit i criteriul maximplat determin parametrii funciei
aproximate prin dezvoltarea erorii H ( ) n serie Taylor n jurul unui punct
0 .
Prin anularea primelor derivate ale funciei eroare se obin ecuaiile
necesare pentru determinarea parametrilor funciei aproximante. n acest
mod eroarea este nul n punctul 0 i crete spre capetele intervalului
(Fig. 1.10.a).Acest criteriu este convenabil pentru benzi nguste de frecven.
Criteriul Cebev numit i criteriul mini-max permite aproximarea
funciei de transfer ideale cu o eroare H ( ) ce nu depete o limit de
pe ntreg intervalul de aproximare. Extremele erorii sunt egale i alternante
ca semn(Fig. 1.10.b).
Un astfel de criteriu este convenabil pentru intervale mari de
aproximare(benzi de frecven largi).

Fig. 1.10
Pentru F.T.J. funcia aproximant de tip Butterworth, obinut pentru
0 este dat de relaia :
2

H ( j )

1
1 2n

(1.35)

nlocuind (1.35) n (1.34) se obine eroarea de aproximare :

2n
2n daca 1
( ) 1
1 daca 1
1 2n

(1.36)

n (1.35), (1.36) precum i n relaiile deduse din acestea s-au omis,

pentru a nu aprea confuzii, indicele inferior n ce specific frecvena
normat fa de t .
n Fig.1.11 sunt reprezentate grafic caracteristica tip Butterworth i
respectiv eroarea pentru frecvenele pozitive ale axei frecvenelor. Indiferent
de ordinul n al filtrului se observ c eroarea este nul la frecvena 0 i
maxim la frecvena de tcere.
Dac gradul n al funciei aproximante (1.35) se mrete, caracteristica
F.T.J. se mbuntete.
Figura 1.11
Din (1.35) se poate obine atenuarea :
1
a ( ) 20 log
10 log(1 2n ) dB
(1.37)
H ( j )
n banda de blocare la frecvene mari (1.37) devine :
a ( ) 10 log 2 n 20n log( )

(1.38)
Dac se consider frecvenele 1 i 2 din banda de blocare situate
la distana de o octav ntre ele 2 2 1 din (1.38) rezult panta de cretere
a caracteristicii de atenuare :
a ( 2 ) a ( 1 ) 20n(log 2 log 1 ) 20n log 2 6n dB/octav
Aproximarea de tip Butterworth nu permite realizarea cerinelor
filtrului pentru banda de trecere i banda de blocare n mod independent.
Funcia aproximant (1.35) este definit de un singur parametru n care se
determin fie din condiiile impuse benzii de trecere, fie din cele impuse
benzii de blocare.
n Fig. 1.12 sunt reprezentate grafic cerinele impuse ptratului
modulului funciei de transfer i respectiv atenurii unui F.T.J. i care sunt
date analitic de relaiile :

 H m H ( j ) 2 1si0 a( ) a M daca0 p

0 H ( j ) H M sia m a( ) daca b

1
1
a m 10 log
;
HM
Hm .
Frecvenele p i b reprezint limitele benzilor de
respectiv de blocare iar intervalul b p este banda de tranziie.

unde :

a M 10 log

trecere,

Presupunnd gabaritul de atenuare reprezentat n Fig. 1.12 b ca fiind

dat n dB din (1.37) rezult:
p
bp 2 M

a M 10 log 1 ( ) 2 n ; a m 10 log 1 (
)

t
t

(1.39)

unde s-a inut cont c aM i am corespund frecvenelor p respectiv b .

Figura 1.12
Din (1.39), explicitnd rapoartele p / t i b / t i mprind
membru cu membru relaiile astfel obinute rezult :
b

10 am / 10 1

10 aM / 10 1

Introducnd notaiile :

(1.40)

ka

10 am / 10 1
10 aM / 10 1

kf

b
p

(1.41)

relaia (1.40) devine : ka=(kf)m

(1.42)

Fiind impuse deci extremele benzii de tranziie p i b i atenurile

corespunztoare aM i am , cu (1.41) se calculeaz ka i kf , iar din (1.42)
rezult ordinul filtrului :
log k a

n log k

(1.43)

Se alege pentru n cea mai mic valoare ntreag ce satisface relaia de

mai sus.
Frecvena teoretic de tiere rezult din oricare din relaiile (1.39)
astfel : t

(10

a M / 10

1)

1/ 2n

(10

b
1)1 / 2 n

(1.44)

a M / 10

Cunoscnd ordinul n al filtrului relaia (1.35) determin ptratul

modulului funciei de transfer H ( j ) ce corespunde unui F.T.J. care
respect gabaritul din Fig. 1.12.b i care n plus ester realizabil fizic. Plecnd
de la H ( j ) se pot obine schema i valorile elementelor de circuit ale
filtrului corespunztor prin metode riguroase (algoritmice). O prim etap
const n deducerea funciei de circuit H (s ) a filtrului realizabil fizic
2
plecnd de la H ( j ) dup care printr-o metod de sintez ce nu constituie
obiectul cursului se obine filtrul propriu-zis.
2

1.4 Filtre Cebev

Aproximarea n sens Cebev const n determinarea funciei de
transfer care s admit o repartiie uniform de tip mini-max a erorii n
intervalul de aproximare(Fig.1.10 b).
Dac aproximarea se realizeaz :
- n banda de trecere se obin filtre de tip Cebev ;
- n banda de blocare se obin filtre de tip Cebev invers;
- att n banda de trecere ct i n cea de blocare se obin filtre de tip CauerCebev numite i filtre eliptice.
n continuare se vor studia F.T.J. de tip Cebev. n acest caz pentru a obine
o distribuie de tip mini-max a erorii funcia aproximant este :
2

H ( j ) =

1
1 C n2 ( )

(1.45)

unde C n ( ) este un polinom Cebev de ordinul n i unde pentru frecvena

normat s-a omis indicele inferior.
Polinoamele Cebev sunt polinoame raionale definite n domeniul
frecven prin relaia de recuren :
C n 1 ( ) 2C n ( ) C n 1 ( ) ; C 0 1; C1
C 2 2 2 1

Din relaia de mai sus rezult :

C 3 4 3 3
C 4 8 4 8 2 1

(1.46)

C 5 16 5 20 3 5

n Fig.1.13 sunt reprezentate grafic polinoamele Cebev de ordin 1,2

i 3 , respectiv ptratul acestora.
Fig. 1.13
Din Fig. 1.13 se observ c n intervalul de aproximare -1 1
polinoamele Cebev aproximeaz cu o eroare mini-max de 1 valoarea 0 .
Polinomul C n ( ) are n zerouri n intervalul de aproximare i n+1 extreme
alternnd ca semn. n afara intervalului de aproximare panta de cretere
(descretere) este cu att mai mare cu ct n e mai mare. Se poate arta c nu
exist alt polinom de grad n care s aproximeze zeroul in intervalul[-1,1] cu
o eroare mai mic dect 1 i s aib o pant de cretere sau scdere mai
mare n afara acestui interval . n acest sens polinoamele Cebev sunt
optime. Pe baza reprezentrii din Fig. 1.13.b a polinoamelor C n2 ( ) se obin

n Fig. 1.14.a graficele funciilor aproximante date de (1.45) pentru n=2 i

n=3.
n banda de trecere eroarea este:
2

( ) 1 H ( j )

2 C n2 ( )
1 2 C n2 ( )

iar valoarea maxim a acestei erori se obine pentru max [ C n2 ( ) ]=1 adic:
M

2
.
1 2

Funcia aproximant (Fig. 1.14.a) variaz ntre limitele:

Hmax=1 ; Hmin=1- H

1
1 2

lund la 0 valorile Hmax sau Hmin dup cum n este par sau impar i
valoarea Hmin la 1 .
innd seama de (1.45) atenuarea este :
2
a ( ) 10 log H ( j ) 10 log1 2 C n2 ( )
(1.47)
2
2
n banda de blocare C n ( ) 1 iar la frecvene foarte mari comportarea
lui C n2 ( ) este n principal dat de termenul avnd rangul cel mai mare i
care aa cum rezult din (1.46) este de forma 2 n 1 n
n aceste condiii (1.47) devine:
a ( ) 20 log C n ( ) 20 log 2 n 1 n 20 log 6(n 1) 20n log , 1 .
Dimensionarea funciei aproximante (1.45) , adic alegerea
parametrilor si n se face plecnd de la gabaritul filtrului reprezentat n
Fig. 1.14.b . n aceeai Fig.ur s-a reprezentat grafic i caracteristica de
atenuare a unui filtru Cebev de ordinul 3.
Fig. 1.14
Pentru filtrele tip Cebev se alege frecvena extrem a benzii de
trecere egal cu frecvena de tiere , adic p t 1 i deoarece C n2 (1) 1 ,
din (1.47) rezult:
aM=10log(1+ )
de unde se obine prima relaie de dimensionare:
(1.48)
10 a / 10 1
Atenuarea minim n banda de blocare se obine la limita inferioar a
M

) a ( b ) i innd
t
p

a m 10 log[1 2 C n2 ( b )] .
p

acesteia :

a m a(

seama de (1.47) rezult:

de unde explicitnd ptratul polinomului Cebev de ordin n se obine:

C n2 (

b
10 am / 10 1
)
.
p
2

Dac n relaia de mai sus se nlocuiete dedus anterior prin (1.48)

i se extrage rdcina ptrat se obine:

Cn (

b
10 am / 10 1
)
p
10 aM / 10 1

Deoarece la frecvene nalte comportarea lui

termenul 1n 1 n rezult:
Cn (

(1.49)
C n ( )

este dictat de

) 2 n 1 ( b ) n , 1
p
p

innd seama de aproximaia de mai sus i folosind notaiile (1.41)

introduse n paragraful anterior, (1.49) devine:
2 k a ( 2k f ) n

ceea conduce la a doua relaie de dimensionare:

log 2k a

n log 2k

(1.50)

unde pentru n se alege cea mai mic valoare ntreag ce satisface relaia de
mai sus.
n concluzie funcia (1.45) determin un F.T.J. de tip Cebev
realizabil fizic i care aproximeaz F.T.J. ideal cu o precizie impus prin
gabaritul filtrului (Fig. 1.14.b).
n expresia funciei aproximante (1.45) intervin doi parametrii i n ,
ceea ce permite dimensionarea acesteia n mod independent prin cerinele
impuse n banda de trecere i respectiv n banda de blocare . ntr-adevr cu
relaia (1.48) se determin plecnd de la atenuarea maxim a M admis n
banda de trecere iar cu relaia (1.50) se determin n funcie de atenuarea
minim a m impus n banda de blocare.
1.5.Filtre obinute prin transformri de frecven
n paragrafele anterioare s-au analizat exclusiv filtre sau celule de
filtrare de tip trece jos . n sinteza circuitelor se demonstreaz c dac
Z(s) i F(s) sunt reactane, atunci i Z[F(s)] este o reactan.
Aceast teorem permite obinerea altor tipuri de filtre plecnd de la
F.T.J. astfel:
- se alege o funcie F(s) tip reactan care transform axa a F.T.J. n axa
corespunztoare altor tipuri de filtre (F.T.S., F.T.B., F.O.B.);
- impedana Z(s) a F.T.J. se transform n impedana Z[F(s)] a tipului de
filtru ales;
- schema i gabaritul filtrului transformat se obin direct din cele ale F.T.J.
Substituirea variabilei s normate a F.T.J. cu funcia F(s) de tip reactiv
realizeaz o transformare de frecven i de reactan n acelai timp.
Trecerea de la F.T.J. la F.T.S. poate fi obinut dac se utilizeaz
transformarea sF.T.J.=F(sF.T.J.) dat de relaia:

F(s)=

1
s

sF.T.J.=

1
s F .T . S .

(1.51)
unde sF.T.J. i sF.T.S. sunt frecvenele complexe normate corespunztoare celor
dou filtre.
La frecvenele fizice s=j i explicitnd frecvena normat a F.T.S.,
(1.51) devine:
F.T.S.=-

F .T . J .

(1.52)
Relaia de mai sus transform axa frecvenelor fizice F.T.J. n axa
frecvenelor fizice F.T.S. aa cum se observ n Fig. 1.15a (cu linie ngroat
s-au reprezentat benzile de trecere).
Pentru simplificare, n Fig.ur s-a redat grafic doar corespondena
dintre semiaxa negativ F.T.J. i semiaxa pozitiv F.T.S.
Schimbarea de variabil (1.51) modific reactanele F.T.J. Astfel, de
exemplu, inductana normat din schema F.T.J. devine capacitiv n
schema F.T.S.:
Ze =

sF.T.J. *

1
*
s F .T .S .

1
1
s F .T .S . *

CF.T.S. =

Transformrile de reactan la trecerea F.T.J. F.T.S. sunt redate n

Fig.1.15.b:
Fig.1.15
Deoarece funcia de atenuare (1.30) este par de rezult c fiind dat
gabaritul unui F.T.S. se poate obine gabaritul F.T.J. de referin, ambele
reprezentate pe ntreaga ax a frecvenelor. n Fig.1.16 este artat
corespondena gabaritelor respective:
Fig.1.16
Trecerea de la F.T.J. la F.T.B. poate fi obinut dac se folosete
transformarea sF.T.J.=F(sF.T.B) dat de relaia:
F(s)

s2 1
s

sF.T.J.

s F2 .T . B . 1
s F .T . B .

(1.53)
unde este o constant real i pozitiv.
Corespondena ntre axa frecvenelor fizice F.T.J. i axa F.T.B. se obine
din (1.53) pentru s=j:
F.T.J.
(1.54)

F2 .T . B. 1
F .T . B.

Dac n (1.54) se nlocuiesc frecvenele de tiere normate F.T.S. = 1

ale F.T.J se obine ecuaia:
2 1 0
(1.55)
unde pentru simplificare s-a suprimat indicele inferior, iar aparine axei
F.T.B.
Soluiile ecuaiei (1.55) reprezint frecvenele de tiere normate ale
F.T.B.:

t1

; t 2

1
4
2

(1.56)

Transformarea de frecven (1.54) nu este biunivoc deoarece datorit

termenului la puterea a doua pe care l conine, unei frecvene F.T.J. i
corespund dou frecvene F.T.B. ntr-adevr celor dou frecvene de tiere
F.T.J. = 1 ale F.T.J. le corespund cele patru frecvene de tiere (1.56)
dispuse simetric fa de origine ale F.T.B. De asemenea, dac n (1.54) se
nlocuiete F.T.J. = 0 rezult originea axei F.T.J. devine F.T.B. = 1 . n
Fig.1.17.a este reprezentat transformarea de frecven F.T.J. F.T.B unde
pentru simplificare s-a redat doar corespondena dintre axa F.T.J. i semiaxa
pozitiv F.T.B. Din (1.56) rezult c diferena dintre frecvenele de tiere
normate ale F.T.B. este:
t2-t1=
(1.57)
deci parametrul din transformarea (1.53) reprezint banda de trecere
normat a F.T.B. Aa cum se poate4 observa i din Fig. 1.17.a. benzile de
trecere ale F.T.B. sunt simetrice fa de frecvena F.T.B. = 1 . Aceasta
rezult din faptul c (1.53) nu se modific prin nlocuirea lui s cu 1/s.
Rezult c dou frecvene complexe ale F.T.B. al cror produs este unitar,
provin din aceeai frecven a F.T.J. De exemplu frecvenele de tiere ale
F.T.B.:
(-t1)*(t2) = 1
provin din frecvena pozitiv de tiere F.T.J. =1 a F.T.J. Rezult deci c
pentru F.T.B. frecvena de normare 0 depinde de frecvenele sale de tiere
nenormate :
02 = t1*t2 /nenormate.
Schimbarea de variabil (1.53) modific reactanele F.T.J. De exemplu
inductana normat a unui F.T.J. se transform ntr-un circuit LC serie n
schema F.T.B. ntr-adevr impedana echivalent a unui uniport LC serie
este:
sL+

1
s 2 LC 1

sC
sC

i folosind relaia (1.53) rezult:

2
* s F .T . B. 1
s
1

*
Ze=sF.T.J.* * s
;

F .T . B .
s F .T .B .

2
F .T . B .

F .T . B.

; cF.T.B.=

Transformrile de reactan la trecerea F.T.J. F.T.B. sunt redate n

Fig. 1.17.b.
Fig.1.17
Corespondena ntre F.T.J. i F.T.S. ilustrat n Fig. 1.15.a. ne
sugereaz faptul c acestea sunt complementare. Deoarece F.O.B. este i el
complementar cu F.T.B. rezult c F.O.B. poate fi obinut din F.T.S. cu o
relaie de tipul (1.53), astfel:
F(s)

s2 1
*s

sF.T.S.

s F2 .O. B. 1
s F .O . B .

(1.58)
Corespondena axelor frecvenelor fizice pentru F.T.S. i F.O.B.
precum i transformrile de reactan corespunztoare trecerii F.T.S.
F.O.B. sunt redate n Fig. 1.18.
Fig.1.18
Expresiile frecvenelor de tiere (1.56) i relaiile stabilite la F.T.B.
rmn valabile cu specificaia c pentru F.O.B. parametrul specificat de
(1.57) reprezint banda de blocare normat.
Prin urmare, calculul F.T.S., F.T.B. i F.O.B. rezultate prin
transformri de frecven cuprinde ca prim etap obinerea F.T.J. de
referin. Acestea se proiecteaz conform metodelor ilustrate n paragraful
anterior. n continuare schema normat a F.T.J. se transform n schema
normat a filtrului dorit folosind transformrile de reactan
corespunztoare. n final prin denormare se obin valorile reale ale
elementelor de circuit corespunztoare filtrului dorit.

2. Amplificatoare
2.1 Generaliti
Cea mai important i din aceast cauz cea mai utilizat funcie a
dispozitivelor electronice este cea de amplificare: un semnal de comand, de
mic putere este utilizat pentru a obine la ieire un semnal de aceeai form
avnd puterea mult mai mare. Exist o mare varietate de amplificatoare care
difer prin natura semnalului, dispozitivului utilizat, cuplajului ntre etaje,
clasa de funcionare, banda de frecvene, etc.

Ne vom ocupa n cele ce urmeaz de amplificatoare de tensiune de

semnal mic sau liniare, la care impedana de sarcin sau reelele de cuplaj nu
conin circuite selective: amplificatoare de audiofrecven i o larg
categorie de amplificatoare utilizate in diferite domenii de cercetare
tiinific, aparatur de msur i control, etc.
n aceeai categorie de amplificatoare de semnal mic, pot fi incluse i
amplificatoarele de band larg fr circuite de corecie.
n Fig.2.1 este reprezentat un amplificator pentru care x 1(t) este
semnal de intrare iar x2(t) este semnal de ieire. x 1(t) i x2(t) pot fi mod
independent unul de cellalt sau cureni.
Fig.2.1.
Este necesar ca semnalul de ieire s aib aceeai form ca i semnalul
de intrare, eventual o anumit ntrziere:
X2(t) =Ax1(t-0)
(2.1)
Amplificatoarele au drept caracteristic faptul c semnalul de la ieire
are o putere mai mare dect cel de la intrare. Amplificarea n putere poate fi
realizat cu ajutorul tuburilor electronice, al tranzistoarelor sau al diodelor
cu rezisten negativ. De exemplu, tranzistorul joac rolul unui ventil
care comand, n ritmul semnalului aplicat, puterea debitat n sarcin de o
surs de tensiune continu.
Pentru a sigura proporionalitatea semnalului de ieire cu semnalul de
intrare, conform relaiei (2.1) este necesar ca amplificatorul s funcioneze
liniar. Se consider c dispozitivele electronice funcioneaz liniar n condiii
de semnal mic.
Pentru orice fel de etaj din amplificatoare cu tranzistor bipolar,
tranzistor cu efect de cmp sau tub electronic funcionnd liniar n regim
sinusoidal, se pot defini trei coeficieni de amplificare: de tensiune
Au, de curent Ai si de putere AP , dup cum urmeaz:
Au

U2
A u e jQ
U1

Ai

I2
A i e j
I

(2.2)

Ap

P 2 U 2 I 2 cos 2

;
P1 U 1 I 1 cos 1

unde: U2 si I1 sunt tensiunea si curentul de intrare (fazori, mrimi complexe),

U2 si I2 sunt tensiunea si curentul de ieire, 1 este defazajul dintre U1 si I1
iar 2 este defazajul dintre U2 si I2 .
Pentru caracterizarea unui amplificator ce conine n etaje de
amplificare se definesc coeficieni globali A T ; A T ; A T ;
u

ATu Au1 Au 2 ..... Au n Au1 Au 2 ..... Au n e j (1 2 ...n ) ;

ATi Ai1 Ai2 ..... Ain Ai1 Ai2 ..... Ain e j ( 1 2 ... n ) ;
cos n 1
A p1 A p 2 ..... A p n AT AT
;
cos1

AT p

(2.3)

unde n1 este defazajul dintre U n 1 si I n1 .

Fig.2.2
De exemplu pentru amplificarea
n tensiune, n cazul unui
amplificator cu trei etaje (Fig.2.2)vom avea:
ATu

U4 U4 U3 U2

Au 3 Au 2 Au1 .
U1 U 3 U 2 U1

(2.4)

Pentru exprimarea rapoartelor a diferite mrimi se utilizeaz notaia n

decibeli (dB). Logaritmul zecimal al raportului P2/P1 poart numele de Bell.
P2

P1

P2
P1

log

(2.5)

Belul este o unitate relativ mare i de aceea n electronic,

telecomunicaii i acustic se folosete o unitate de zece ori mai mic
(decibell);
P2

P1

10 log

dB

P2
P1

(2.6)

Puterea la ieire i la intrare poate fi exprimat n felul urmtor:

2

U
P1 1 cos1
Z int
2

P2

U2
cos 2
Z ie

(2.7)

nlocuind relaiile (2.7) n relaiile (2.6) i presupund c impedanele

au caracter rezistiv cos 1 cos 2 1 se obine:
P2

P1

20 log
dB

U2
R
10 log int
U1
Ries

(2.8)

i analog:
P2

P1

20 log
dB

I2
R
10 log int
I1
Ries

(2.9)

Pentru cazul particular Rint=Ries rezult:

P2

P1

20 log
dB

U2
I
20 log 2
U1
I1

(2.10)

In practica rapoartele de tensiuni i cureni se exprim n db chiar i

atunci cnd Rint Ries , dar n acest caz nu mai este valabil egalitatea (2.10).
Pe baza consideraiilor anterioare, se definete ctigul de putere n
tensiune i n curent:
G dB 10 log A
G dB 20 log A
(2.11)
G dB 20 log A
Astfel un ctig n tensiunea de 60dB corespunde unei amplificri n
tensiunea Av=1000.
Relaia (2.4) se poate scrie:
G dB G dB G dB G dB
(2.12)
Exist referine standard (valori pentru P1) utilizate pentru exprimarea
puterii in dB, de exemplu:
- 1nW/600 i corespunde o tensiune de 0,77V;
- 1nW fr specifica valoarea impedanei; se noteaz dBn;
- 6nW/500 i corespunde o tensiune de 1,732V.
De exemplu, presupunnd ultima variant de referin, vom exprima
puterea att n dB ct i n W:
P

I0

Tu

u1

u2

u3

P dB
P W
P dB 24dB 10 log
P W 6nW10 10 6nW10 2 , 4 1,5W
6nV

In cazul amplificatorului real are loc schimbarea formei semnalului de

ieire, numita distorsiune. Aceasta modificare a formei semnalului are drept
semnificaie fizica schimbarea compoziiei spectrale a semnalului.
Distorsiunile pot fi neliniare sau liniare.
Distorsiunile neliniare apar din cauza neliniaritii caracteristicilor
dispozitivului utilizat n amplificator. Din cauza acestei neliniariti
semnalul de ieire conine armonici suplimentare fa de cele coninute de
semnalul de intrare se schimba forma semnalului.
Acest tip de distorsiuni este caracterizat prin coeficientul de
distorsiuni neliniare definit prin relaia:
K

P2 P3 ... Pn
P1

(2.13)

unde p1 este puterea corespunztoare frecventei fundamentale;

p2;p3,pn sunt puterile armonicelor superioare.
Daca impedana de sarcin nu se modific cu frecventa se poate scrie:
K

U 22 U 32 ... U n2
I 2 I 32 ... I n2
; K 2
U1
I1

(2.14)

Valorile maxime admise pentru coeficientul de distorsiuni neliniare:

K 0,01 0,05% n aparatura de msur si control;
K 1 5% n radiocomunicaii, radiodifuziune si TV;
K 5 15% n telefonie .

Semnalele amplificate pot fi afectate de distorsiuni liniare, chiar dac

amplificatorul lucreaz la semnale mici.
Semnalul sinusoidal este singurul semnal nedistorsionat se ctre un
circuit liniar cu o funcie de transfer K(jw), unde:
K(jw)=K(w)ej(w)
In cazul unui semnal periodic nesinusoidal, componentele Fourier ale
acestuia vor fi amplificate si defazate in mod diferit, producnd modificarea
formei semnalului de ieire, adic apariia distorsiunilor liniare.
Se demonstreaz un rspuns de forma (2.1) se obine numai dac sunt
ndeplinite condiiile:
K(w)= constant, independent de w;
d/dw=constant, independent de w.
Aa cum se arata n cap.1.Filtrele electrice (1.1.Generalitati) variaia
fazei cu frecventa trebuie sa fie o funcie liniara (relaia 1.4.) pentru ca
timpul de ntrziere de grup d/dw sa fie o constant independent de w.
Daca aceste condiii sunt satisfcute apar urmtoarele dou categorii
de distorsiuni liniare:
- distorsiuni de amplitudine, datorate amplificrii inegale a
componentelor de frecvente diferite aloe unui semnal (de exemplu
armonicele unui semnal periodic nesinusoidal);
- distorsiuni de faz sau de ntrziere datorate modificrii relaiei de
faz ntre componentele de frecvente diferite ale semnalului.
In Fig.2.3. este reprezentata caracteristica amplitudine frecven a
unui amplificator. Se definete o amplificare in bandasau la frecvente
medii Au Au 0 corespunztoare platoului din Fig.ur. Se admite o scdere
a modulului amplificrii la fraciunea a<1 din amplificarea:

Fig.2.3
1
0,707 .
2
Au aAu 0 definete

Au0, unde de obicei

Condiia
frecventa limita inferioara fi, frecventa
limita superioara fs si banda de lucru a amplificatorului:
B B 2 f s fi
(2.17)
B

f
De regula fs>>fi si atunci 2 s .

De obicei frecventele limita fi si fs sunt frecvente pentru cere

amplificarea scade de 2 ori fata de Au0. Utiliznd unitile logaritmice
aceasta scdere este egala cu 3 dB (puterea semnalului la frecventele f i si fs
scade de2 ori ).Variaia amplificrii cu 3dB in limitele benzi de lucru este
acceptabila pentru aparatura de audio frecventa, dar n domeniul aparaturii
de msura si control aceasta variaie numit neuniformitate in banda, nu
poate depi 0,5 1dB .
Se definete gama dinamic a unui amplificator:
DdB 20 log

U 2 max
U 2 min

(2.18)

U2max si U2min fiind semnalul maxim respectiv minim nedistorsionat

la ieirea amplificatorului. U2max este limitat de distorsiunile liniare iar
U2min de zgomotele proprii (interne) ale circuitului (componentelor)si de
semnale parazite culese la intrarea amplificatorului. Pentru un amplificator
de calitate DdB 60 65dBU 2 max/ U 2 min 100 1778 .
Cuplarea etajelor ntre ele, cu sursa de semnal sau cu sarcina se poate
face direct prin condensator sau prin transformator.
Cuplajul direct este singurul care poate fi utilizat n cazul
amplificatoarelor de curent continuu.
Are dezavantajul interdependentei punctelor statice de funcionare
care face proiectarea mai dificil. Acest dezavantaj poate fi nlturat cu
ajutorul unei reacii de curent continuu. Acest tip de cuplaj se utilizeaz
aproape n exclusivitate n circuitele integrate, unde nu pot fi folosite
condensatoare.

Fig.2.4
Cuplajul prin condensator sau cuplajul RC (Fig.2.4) mpiedic
trecerea componentei continue asigurnd astfel separarea in curent continuu
i atenueaz frecventele joase, deoarece condensatorul de cuplaj formeaz cu
rezistena de intrare n etajul urmtor (R) un circuit RC care are
comportarea unui filtru trece sus. Existenta unor astfel de condensatoare de
cuplaj ntre etaje, este una din cauzele care determina scderea amplificrii
la frecvene joase.

Cuplajul prin transformator asigura concomitent cu izolarea n curent

continuu, o eventual amplificare n tensiune sau adaptarea la rezistena de
sarcin. Se utilizeaz mai ales n amplificatoare de putere i n cele de
radiofrecven.
Clasificarea regimurilor de funcionare ale unui dispozitiv activ se
face pe criteriul intervalului de conducie. Daca se consider curentul prin
dispozitiv ca o funcie i=(wt), atunci intervalul wt 2 corespunde unei
perioade a semnalului aplicat. Se noteaz cu 2 unghiul de conducie,
corespunztor intervalului de timp n care curentul prin dispozitiv este
diferit de zero .
Pentru exemplificare vom alege tranzistorul bipolar i considernd ca
acesta este comandant n curent, vom utiliza caracteristica de transfer
i c F i B , care este liniar, plecnd aproximativ din origine i fiind limitat
de un curent de saturaie caracteristic etajului respectiv.

Fig.2.5

Figura 2.5, ilustreaz funcionarea n clasa A. Punctul static de

funcionare al tranzistorului se afla poziionat n regiunea normal de lucru
(punctul M) iar amplitudinea semnalului de intrare este redus, astfel nct n
regim dinamic punctul de funcionare s nu ajung n regiunea de blocare
sau de saturaie. Dispozitivul conduce pe toat durata perioadei semnalului
de intrare i deci 2 2 . Semnalul de ieire reproduce n ntregime
semnalul de intrare i distorsiunile semnalului de ieire vor fi determinate de
neliniaritatea caracteristicii de transfer. In locul unghiului de conducie se
utilizeaz uneori semiunghiul de conducie . Deoarece n regim static
exist un curent apreciabil prin dispozitiv n cazul ideal (nu exista nici un fel
de pierderi de energie n circuitul de colector al tranzistorului) jumtate din
puterea pe care anplificatorul o preia de la sursa de alimentare va fi regsit

n sarcina ca putere util, cealalt fiind disipat de tranzistor sub forma de

energie termic i randamentul maxim va fi 50%.
In Figura 2.5.b este ilustrat funcionarea n clasa B tranzistorului.
Punctul static de funcionare (M) se stabileste in regiunea de blocare a
tranzistorului, la limita blocare-conductie, astfel ca acesta va anplifica numai
o alternativ a semnalului de intrare unghiul de conductie fiind

2 / 2 . Daca
tranzistorul funcioneaz n clasa AB.
2

Pentru functionarea n clasa C (Fig.2.6.), punctul static de funcionare

este poziionat undeva n regiunea de taiere a tranzistorului, astfel nct s fie
amplificat numai o poriune din semialternana semnalului aplicat la intrare.
Se lucreaz cu un unghi de conducie 2 / 2 .

Fig.2.6
In clasele B, AB si C curentul de colector este sub forma unor
impulsuri de curent, astfel ca semnalul amplificat este puternic distorsionat.
Pentru amplificatoarele funcionnd n cele trei clase se utilizeaz
tehnici speciale de circuit pentru refacerea formei semnalului n sarcin.
Deoarece randamentul obinut in clasele B,AB si C este mai mare
dect n clasa A, aceste clase sunt utilizate pentru amplificatoare de putere i
de mare putere, de joasa i de nalt frecven.
Pentru un circuit dat (cu o carcas dinamica de transfer data) clasa de
funcionare depinde att de alegerea punctului static de funcionare ct i de
amplitudinea semnalului de intrare. De exemplu dac punctul de funcionare
este ales n regiunea normala de lucru (pentru clasa A de funcionare) i
semnalul crete n amplitudine, se poate trece din funcionare n clasa A n
clasa AB etc.
Creterea semnalului n scopul mririi puterii sale i pentru a obine
un randament mrit al amplificatorului, este din pcate nsoit de

distorsionarea acestuia din cauza neliniaritii caracteristicilor dispozitivului

activ utilizat i ca urmare a trecerii dintre clasa de funcionare nalt.
Criterii de clasificare a amplificatoarelor:
1) tipul de dispozitiv electronic cu care este echipat amplificatorul:
- cu tuburi electronice;
- cu tranzistoare bipolare;
- cu tranzistoare cu efect de cmp;
- cu diode tunel;
- cu diode Gunn (si alte dispozitive speciale pentru microunde);
- cu elemente magnetice.
2) numrul de etaje:
- un etaj;
- mai multe etaje.
3) tipul reelei de cuplaj intre etaje:
- cuplaj rezistiv sau direct;
- cuplaj RC sau capacitiv;
- prin transformator sau inducie.
4) natura semnalelor de intrare sau ieire:
- amplificator de tensiune; semnalul de intrare este furnizat de un
generator ideal de tensiune avnd Zg<<Zint, iar amplificatorul se comport
fa de sarcin de asemenea ca un generator ideal de curent cu Z ies>>s.
Aceste amplificatoare sunt de obicei echipate cu tranzistoare bipolare
comandate in curent;
- amplificator de putere are loc amplificare att n tensiune ct i n
curent; se urmrete obinerea unei puteri utile de ieire ct mai mare pentru
alimentarea unei anumite sarcini, difuzoare, antena, instalaie de reglare
industriala, etc.
In cazul amplificatoarelor reale de tensiune exist i o amplificare n
curent, deci acestea amplific i n putere. Similar, amplificatoarele reale de
curent prezint i o amplificare n tensiune, deci amplifica i n putere.
5) mrimea semnalului de ieire:
- amplificatoare de semnal mic pentru analiza i proiectare se
utilizeaz modelul liniar al caracteristicilor dispozitivelor electronice;
- amplificatoare de semnal mare se utilizeaz modelul liniarizat pe
poriuni ;
6) clasa de funcionare : A ; B ; AB ; C ; D ; etc. .
7) gama de frecventa (sau aspectul caracteristicii de frecventa):
- amplificatoare a perioadei (neacordate) ce pot fi:
- de audiofrecvena, avnd banda de lucru cuprinsa ntre cva
Hz (de regula 20 Hz) si 20 KHz; distorsiunile de faz sunt neimportante (nu
sunt sesizate de urechea omului) sunt de obicei constituite din dou blocuri:

un preamplificator (amplificator de semnal mic) i un amplificator de putere

(care lucreaz n regim de semnal mare);
- de video frecventa sau de band larg, sau de impulsuri care
au banda de lucru cuprins ntre cva Hz i zeci de MHz; sunt utilizate n
televiziune si radiolocaie; distorsiunile de faza prezint importanta i trebuie
sa fie ct mai reduse;
- de curent continuu (cu cuplaj rezistiv), care amplific
semnalele lent variabile n timp (de frecven infrasonor);
- amplificatoare selective (acordate) care funcioneaz ntr-o gam
ngust de frecven i sunt de dou tipuri:
- de radiofrecven (RF) cu circuite codate LC;
- de joasa frecven (JF) cu circuite selective de tip RC.
In cazul amplificatoarelor de putere se urmrete obinerea unei puteri
utile la ieire ct mai mari, n condiiile unui randament ridicat.
Puterea maxima este limitata de coeficientul de distorsiuni neliniare
(cu cat amplitudinea semnalului este mai mare, cu att neliniaritatea
caracteristicilor statice e mai pronunata si Kf are valori mai mari) i de
putere disipata maxima admisa pentru un anumit tip de dispozitiv.
Randamentul, definit ca fiind raportul dintre puterea util n sarcin i
puterea consumata de la sursa de alimentare, poate avea urmtoarele valori:
- =15%-20% - amplificatoare de putere mic (clasa A de
funcionare);
- =20%50% - amplificatoare de putere medie (clasa B si AB de
funcionare) ;
- =50%75% - amplificatoare de putere mare (clasa C de
funcionare) ;
- >75% - amplificatoare de putere medie i mare n clase de
funcionare cu randament ridicat (de exemplu clasa D de funcionare, n
regim de amplificare n impulsuri).
2.2. Etaj de amplificare tranzistor bipol n conexiune emitor comun
In continuare vom avea n vedere urmtoarele considerente:
- etajele cu tranzistoare bipolare funcioneaz n curent alternativ, la
semnale mici;
- pentru a putea utiliza parametrii hibrizi ai tranzistorului se va
considera iniial ca frecventa este suficient de joas pentru a se putea neglija
efectul capacitaii tranzistorului;
- studiul comportrii la frecvente nalte se va reduce la estimarea
aproximativa a limitrii la frecventa pe care o introduc capacitile
tranzistorului asupra funcionarii etajului.

Pentru a putea descrie comportarea n regim dinamic a etajului de

amplificare, ca i interaciunile acestuia cu sursa de semnal (etajul anterior)
i cu sarcina (etajul urmtor) se urmrete punerea n eviden a tipului de
amplificator (de tensiune, de curent, etc) care modeleaz cel mai bine etajul
considerat. Pentru aceasta se vor calcula impedanele de intrare si de ieire,
ca si amplificarea etajului, urmrind obinerea unor relaii ntre parametrii
tranzitoriului i elementele circuitului extern, relaii care vor fi utilizate i
pentru calculul (proiectarea) etajului de amplificare respectiv. innd cont
de consideraiile referitoare la frecven de lucru, vom admite ntr-o prim
etap a calculului ca att impedana de intrare ct i impedana de ieire au
caracter pur rezistiv. De asemenea vom presupune ca sarcina este o
rezistent pur.

Fig.2.7
In Fig.2.7. este reprezentat configuraia unui etaj de amplificare de
tip EC cu cuplaj RC. Condensatoarele CG si C S realizeaz cuplajul n curent
alternativ ntre generatorul de semnal (etajul anterior) i intrarea
amplificatorului, respectiv ntre ieirea amplificatorului i sarcin (care poate
fi o impedana de intrare a etajului urmtor).
Cele doua condensatoare de cuplaj realizeaz i separarea n curent
continuu (blocheaz componenta continu) ntre generatorul de semnal i
etajul de amplificare, respectiv ntre acesta din urma i sarcin.
Condensatorul CE realizeaz decuplarea rezistentei RE n curent
alternativ, astfel nct emitorul tranzistorului sa fie conectat la masa n regim
dinamic (conexiune emitor comun).
Se considera ca cele trei condensatoare au capacitatea suficient de
mare pentru ca s se comporte practic ca nite scurt-circuite la frecvent
minim din band.
Polarizarea tranzistorului pentru o tensiune de alimentare data E C este
realizata de ctre divizorul rezistiv din baza format din rezistentele R 1 si R2
care mpreuna cu rezistenta din emitor R E asigura si stabilizarea punctului
static de funcionare cu temperatura.

Rezistenta din colector Rc are de asemenea rol in polarizarea

tranzistorului (participa la stabilirea valorii curentului de colector) dar e i
sarcina a tranzistorului in regim dinamic.
Punctul static de funcionare M0 (Fig.2.8) se amplaseaz n regiunea
de funcionare permisa n planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului
bipolar n conexiune EC. Aceasta regiune de funcionare pentru
amplificatoare n clasa A coincide practic cu regiunea activa normala a
tranzistorului fiind delimitat de B: hiperbola de putere disipat maxim,
valoare maxim a curentului de colector, tensiunea de colector maxim,
valoarea minim a tensiunii colector emitor pentru care tranzistorul nu intra
n regiunea de saturaie (se considera egala cu 0,5V) i valoarea minim a
curentului de colector pentru care tranzistorul nu intra n regiunea de blocare
(corespunztoare la limita unui curent de baza nul).
Punctul M0 se afla la intersecia caracteristicii iC=f(uCE)iB=ct cu
dreapta de sarcina statica a crei ecuaie se obine aplicnd legea a-2-a a lui
Kirkoff in circuitul de colector al amplificatorului din Fig.2.7.
E C U CE I C RC I E R E U CE RC R E I C
(2.19)
Dreapta de sarcina static intersecteaz cele 2 axe de coordonate n
punctele EC si EC/RC+RE i are panta data de tg R C R E (vezi Fig.2.8).

Fig.2.8
Poziia punctului static de funcionare este descris de coordonatele sale
U CE , I C
si I B cruia i corespunde o tensiune U BE (n planul
caracteristicii de intrare).
0

Punctul instantaneu de funcionare avnd coordonatele ic(t) i uce(t)

descrie aa numita caracteristica dinamic care nu coincide cu dreapta de
sarcin static deoarece n regim dinamic sarcina tranzistorului este format
din RC n derivaie cu RS (mai mic dect RE+RC).
Caracteristica dinamic este de fapt segmentul de dreapt M 1M2, avnd
panta tg R C // R S i a crui lungime depinde de amplitudinea semnalului.
Mijlocul acestui segment este M0 deoarece punctul mediu de funcionare n
regim variabil coincide cu punctul static de funcionare n absena
semnalului.
Se face meniunea c locul geometric al punctului instantaneu de
funcionare (caracteristica dinamic) nu mai este un segment de dreapt n
cazul n care sarcina conine componente reactive, ci o elips al crei aspect
depinde de caracterul i mrimea componentei reactive a sarcinii.
Amplasarea punctului static de funcionare n interiorul zonei permise
se face pe baza urmtoarelor considerente:
- evitarea disiprii unei puteri mai mari dect cea maxim admisibil
- obinerea unor distorsiuni ct mai mici ale semnalului amplificat;
- asigurarea stabilitii i reproductibilitii amplificrii i a semnalului de
ieire;
De fapt, trebuie avut n vedere nu numai amplasarea punctului static de
funcionare, ci a ntregii caracteristici dinamice care trebuie s fie situat n
ntregime n interiorul regiunii permise de funcionare.
Pentru micorarea distorsiunilor se va alege o zon ct mai liniar din
planul caracteristicilor statice. De regul punctul static de funcionare se
poziioneaz n zona central a planului caracteristicilor statice de ieire,
alegnd U CE
0

EC
2

Este esenial evitarea distorsiunilor grosiere ale

semnalului prin ptrunderea caracteristicilor dinamice n tiere sau n

saturaie. Pentru aceasta, considernd un punct static stabilit, amplitudinea
semnalului la ieire trebuie s ndeplineasc condiiile:
- pentru a evita saturaia, valoarea maxim a amplitudinii tensiunii n
colector trebuie s fie: U C max U Ce max U CE U CEsat (2.20), unde U CEsat 0,5
V, valoare acoperitoare;
- pentru a nu se ptrunde n zona de blocare(definit pentru i B 0 ) se
impune: I C max I CO (2.21), (unde I C max este valoarea maxim a
amplitudinii curentului alternativ de colector), ceea ce este echivalent cu:
U C max U ce max Rs' .I co ,
(2.22)
unde RS este sarcina echivalent n regim dinamic i are expresia
0

RS'

RC .RS
,
RC RS

(2.23)

Aa cum se vede din Fig.2.8, poziiile extreme ale caracteristicii

dinamic
i M 2 pot fi condiionate i prin intermediul amplitudinii
M1

semnalului de intrare, fie curentul( I B ), fie tensiune( U B ,folosind

caracteristica de intrare a tranzistorului). Se poate c n cazul ilustrat n Fig.
2.8 pentru amplitudinea semnalului de intrare U B , punctul static de
funcionare a fost ales corect, ntruct pe o perioad a semnalului
tranzistorul nu intr nici n saturaie nici n blocare. Pentru amplitudini mici
ale semnalului de intrare punctul static de funcionare se alege mai jos pe
dreapta de sarcin, n scopul reducerii puterii absorbite de la sursa de
alimentare n curent continuu.
Meninerea unei funcionri liniare a tranzistorului n scopul
obinerii unor distorsiuni ct mai ici ale semnalului amplificat este legat
deci de fixarea punctului static de funcionare n regiunea liniar a
caracteristicilor, dar este determinat i de temperatura la care lucreaz
tranzistorul i mai ales de variaiile acestuia. Pentru ca variaiile de
temperatur s nu aib ca efect deplasarea necontrolat a punctului static de
funcionare(i a caracteristicii dinamice), se practic stabilizarea acestuia la
variaiile de temperatur, ceea ce nltur de obicei i efectul dispersiei
parametrilor, Are loc n acest fel o insensibilizare a punctului static de
funcionare care asigur stabilitatea i reproductibilitatea amplificrii i a
semnalului de ieire. Cea mai simpl metod de a realiza aceast
insensibilizare este utilizarea circuitului de polarizare folosit i n cazul
schemei din Fig.2.7 .Se face meniunea c alegerea punctului static de
funcionare(aa cum a fost prezentat mai sus), i calculul elementelor de
polarizare a tranzistorului care s asigure insensibilizarea punctului static
de funcionare, se realizeaz la fel pentru toate cele trei conexiuni n care
poate funciona tranzistorul.
n Fig.2.9 a este reprezentat un circuit echivalent n curent
alternativ al amplificatorului, obinut din circuitul complet (Fig.2.7) prin
eliminarea condensatoarelor considerate scurtcircuite n regim dinamic.
Rezistena RB are expresia:
RB

R1 .R2
R1 R2

(2.24)

n regim dinamic R1 este conectat n paralel cu R2 prin intermediul sursei

de tensiune de alimentare EC , care n curent alternativ se prezint ca u
scurtcircuit(rezistena sa intern are valori de sau zeci de ).
Dac n Fig.2.9a se nlocuiete tranzistorul cu schema sa echivalent cu
parametri hibrizi se obine schema echivalent complet n curent alternativ
a amplificatorului EC(Fig.2.9b).
Neglijnd efectul reaciei intere ntre ieire i intrare, adic h12 0 se
obine rezistena de intrare a tranzistorului:
Ritr ,T

U1
I 1'

h11e

(2.25)

independent de rezistena de sarcin, care i-ar fi manifestat efectul prin

valoarea tensiunii de ieire U , dac nu s-ar fi neglijat h12 .
2

Rezistena de intrare a etajului este dat de RB n derivaie cu Rint r ,T .

Valorile uzuale pentru RB sunt de ordinul zecilor k de iar pentru h11e
civa k pentru I C de ordinul miliamperilor.
Se poate deci aprecia c

RB h11e i atunci rezistena de intrare a etajului va

fi:
Rint

U1
I1

R B .h11e
h11e .
R B h11e

(2.26)

Efectul rezistenelor de polarizare a tranzistorului este redus, astfel c

rezistena de intrare a etajului EC este moderat i el poate fi considerat ca
fiind atacat n tensiune(se consider Rint de valoare redus).
Rezistena de ieire a amplificatorului este dat de RC n derivaie cu
1
I 0 ),
h22 e , n condiiile n care semnalul de intrare considerat a fi nul(
'
ceea ce conduce la I 1 0 dac din nou se neglijeaz reacia intern a
tranzistorului( h12 0 ):
1

1
R22 e
I2
.
RC 1
U2
h22 e
RC
Ries

RC
I2
I2
1 RC .h22 e
RC

Deoarece

(2.27)

este de ordinul a civa k, pentru I C de ordinul

miliamperilor, iar 1 h este de zeci de k, rezistena de ieire a etajului
22 e
este aproximativ egal cu rezistena de colector. Aceast rezisten fiind de
valoare moderat(k) pentru a putea preciza dac etajul este citit n
curent sau tensiune, se ia n discuie valoarea rezistenei de sarcin RS :
- dac RS << RC , atunci etajul lucreaz practic n scurtcircuit i
furnizeaz sarcinii un curent aproape egal cu curentul alternativ de
colector;
RC

- dac RS >> RC , atunci etajul lucreaz practic n gol i furnizeaz

sarcinii o tensiune aproape egal cu cea maxim pe care o poate da
etajul pentru un semnal de intrare precizat.
S presupunem c etajul EC este atacat de un generator de tensiune
cu rezistena intern R g . Admitem c h12e 0 i c RB >> h11e i utiliznd
notaia (2.23) pentru sarcina echivalent n regim dinamic. aceste condiii,
utiliznd schema echivalent a etajului EC(Fig.2.9b), se poate scrie
expresia amplificrii n tensiune raportat la tensiunea dat de generator n
gol:
1
h22e
h21e .I 1 . '
RS 1
h22 e
h21e .RS'
U2
Au1 g

Ug
I 1 R g h11e
Rg h11e 1 h22e RS'
RS' .

(2.28)

S-a inut seama de faptul c dac RB >> h11e atunci I 1 I 1' .

Dac R g << h11e (presupunere perfect valabil n cazul unui generator de
tensiune) i RS' << 1 h atunci expresia amplificrii n tensiune devine:
22 e
Au1 g

h21e '
RS
h11e

(2.29)

Se observ c:
- tensiunea n colector este n antifaz cu cea furnizat de generator(i
deci cu semnalul din baz);
- modulul amplificrii n tensiune este proporional cu RS' care nu poate
fi mrit prea mult pentru c RC este limitat de cderea de tensiune
continu;
- deoarece mrimea amplificrii depinde de parametrii tranzistorului n
mod direct, este foarte sensibil la condiiile de lucru(tensiune de
alimentare, temperatur, etc.) care afecteaz valorile parametrilor
hibrizi.
Pentru a determina expresia amplificrii n curent se consider c etajul
EC este atacat de un generator de curent avnd rezistena intern R g
(Fig.2.10).

Considernd h12e 0 i RB >> h11e , echivalent cu I 1 I 1' amplificarea n

curent raportat la curentul dat de generator n gol, se scrie(conform
[2]):
A I ,g

Rg
h21e
RC
I2

'
I 1 R g h11e 1 h22e RS RC RS

Deoarece

Rg

>> h11e i

R S'

(2.30)

<< 1 h , expresia amplificrii n curent

22 e

devine:
A I , g h21e

RC
RC R S

(2.31)

Amplificarea n curent devine maxim n condiii de scurtcircuit virtual,

adic RS << RC i este egal cu h21e .
n practic n scopul obinerii unor amplificri de valori ridicate se
utilizeaz conFiguraii de etaje EC conectate n cascad. Deoarece la un
etaj EC, Rint r h11e este de acelai ordin de mrime cu cel al rezistenei
de ieire, Ries RC , nu se poate spune c avem de-a face cu un
amplificator de tensiune sau cu unul de curent. De fapt, etajul, EC
amplific substanial n tensiune, ct i n curent, deci prezint o
amplificare important n putere, ceea ce constituie de fapt avantajul su
principal. Utiliznd mai multe etaje EC n cascad se poate mri foarte
mult puterea semnalului aplicat la intrare. Pentru a asigura un transfer
maxim de putere n sarcin, rezistena de ieire Ries , trebuie s fie egal
cu rezistena de sarcin RS . n cazul etajelor EC conectate n cascad,
Ries RC i RS h11e (rezistena de intrare a etajului urmtor, sarcin
pentru etajul discuie) i condiia de adaptare RC h11e poate fi
realizat uor.
Etajul EC are un mare dezavantaj: aa cum se poate vedea din
expresiile (2.26),(2.29) i (2.31), aproape toi parametrii
amplificatorului(i ntr-o anumit msur i Ries ) depind de parametrii
tranzistorului i prin aceasta de condiiile de lucru. Pentru a reduce
efectul acestei condiii, se utilizeaz o schem de polarizare a
tranzistorului care s asigure stabilizarea punctului static de funcionare
n raport cu variaia temperaturii, precum i cu dispersia parametrilor
tranzistorului. Sursa de alimentare trebuie s fie stabilizat. Chiar i aa
asigurarea reproductibiliti amplificrii este dificil.
Pentru determinarea efectului condensatorului de cuplaj cu
generatorul se utilizeaz circuitul din Fig.2.11 .
Se presupune c C E astfel nct el realizeaz o decuplare
perfect a rezistenei R E . Considerm de asemenea c impedana de
intrare a amplificatorului este o rezisten pur.
Tensiunea furnizat de generator U g se aplic unui divizor de
tensiune format din R g , X C i Rit de pe care se culege U 1 , tensiunea
G

de intrare n amplificator care se afl n interiorul liniei ntrerupte din

Fig.2.11 .

Funcia de transfer a acestui circuit de cuplaj RC este:

E j
E j

unde

U1

Ug

I 1 Rint

1
I 1 R g Rint
j C G

Rit

R g Rint

1
jCG

(2.32)

este maxim n modul la frecvene suficient de nalte, adic acolo

este practic un scurtcircuit. Dac ,

CC

Rit
R g Rint

(2.33)

Fcnd notaiile:
i

;
i

C G R g Rit

(2.34)

Unde este frecvena normat obinem:

E j

jC G Rint
Rint
j

1 jC G RG Rint Rint R g 1 j

(2.35)

Funcia de transfer normata este:

E j

E j
j

E
1 j

(2.36)

Pentru i , frecvena normat este

normate va fi:

E j

1
2

i modulul funciei de transfer

(2.37)

Cu alte cuvinte i este frecven unghiular pentru care modulul funcie de

transfer scade la 1 2 din valoarea sa maxim. Are loc reducerea n aceiai
proporie a amplitudinii semnalului de intrare la 1 2 =0,707 din valoarea pe
care o are n banda de lucru. Aceast reducere a amplificrii are loc pentru o
frecven numit limit inferioar; ce delimiteaz convenional banda de
lucru a amplificatorului(vezi Fig.2.3) i conform relaiei (2.34) are expresia:

f i / C E

i
1

2 2 R g Rint

(2.38)

Reducerea amplificrii se explic prin existena pierderilor de semnal pe

condensatorul de cuplaj C G la frecvene joase, cnd reactana acestuia se
mrete foarte mult.
Se demonstreaz n [2] c dac se consider CG , condensatorul C E de
decuplare a rezistenei din emitor, determin la rndul su o frecven limit
inferioar la care amplificarea scade la 1 2 0,707 din valoarea din banda
de lucru. Scderea amplificrii la frecvene joase apare din cauza
nedecuplrii rezistenei R E de ctre C E ca urmare a creterii reactanei sale
capacitive. Expresia frecvenei limit inferioar determinat de C E este
urmtoarea:
f i / CG

h21e 1
C E R g h11e

(2.39)

s-a considerat aici c CG , RB R g i h21e 1 RE R g h11e . Dac se

impune f i , atunci alegerea condensatoarelor C G i C E se face n felul
urmtor: se consider Rint h11e i se impune condiia formal ca frecvenele
limit inferioare din expresiile (2.38) i (2.39) s fie egale. Se obine:
h21e 1
1

C E C G (h21e 1) CG
2C G R g h11e 2C E R g h11e

(2.40)

Deci C E este mult mai eficace dect C G i el trebuie s aib o valoare mult
mai mare dect C G pentru a realiza o decuplare eficace. De aceea se va
alege C G mult mai mare(de 10-20 ori) dect valoarea obinut din relaia sa
de calcul (2.38) astfel nct s poat fi considerat foarte mare i s poat
fi utilizat n relaia de calcul a lui C E (2.39).
Calculul condensatoarelor de cuplaj cu sarcina C S poate face cu relaia de
calcul pentru C G (2.38), n care se nlocuiesc R g cu Ries i Rint cu RS .
Un fenomen de scdere a amplificrii are loc i la frecvene nalte, unde
reactanele parazite ale tranzistorului i ale montajului scad foarte mult
producnd un efect de untare a semnalului. Exist o frecven limit
pentru care modulul amplificrii scade la 1 2 0,707 din
valoarea pe care o are n banda de lucru. Aceast frecven limit
delimiteaz convenional banda de lucru a amplificatorului, aa cum se arat
in Fig.2.3, i poate fi calculat cu relaia [2]:
superioar

fS

fS

GG' g b'e

2 C b'e 1 g m RS C b 'e

(2.41)

unde

1
, gm
R g rbb '

GG'

rbb ' , C b 'e , C b 'c

este panta de semnal mic al tranzistorului iar

i g b e sunt parametri ai circuitului echivalent natural al

'

tranzistorului.
Se observ c frecvena limit superioar depinde de rezistena de sarcin
invers proporional. Valoarea maxim se obine cnd RS =0(n scurtcircuit),
dar atunci amplificarea n tensiune e zero.
Pentru aprecierea performanelor etajului la nalt frecven se utilizeaz o
mrime numit produs amplificare - band, unde band este conform relaiei
(2.17) B f S . Aceast mrime este constant i valoarea ei maxim se obine
dac amplificatorul lucreaz n gol RS i R g =0, [2]:
ABmax x

1
cons tan t
2C b 'c rbb '

(2.42)

unde C b c , rb b sunt date de catalog care permit calcularea direct a valorii

maxime a produsului amplificare - band.
Formal, aceasta este frecvena limit de lucru(amplificarea n tensiune
ajunge egal cu unitatea) a unui etaj EC atacat de un generator ideal de
tensiune i lucrnd n gol.
'

'

2.3 Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune colector comun

n Fig.2.12a este prezentat un amplificator cu tranzistor bipolar n
conexiune colector comun. Circuitul de polarizare al tranzistorului este
similar celui utilizat n cazul conexiunii EC( R1 , R2 , RE ). De asemenea,
condensatoarele din schem( C G i C S ) au acelai rol i trebuie s
ndeplineasc aceleai condiii ca i condensatoarele omoloage din schema
amplificatorului EC(vezi paragraful 2.2). Spre deosebire de conFiguraia
etajului EC, aici lipsesc condensatorul C E i rezistena RC prin aceasta
forndu-se funcionarea tranzistorului n conexiunea CC. Astfel, emitorul nu
mai este legat direct la mas ci prin R E , iar colectorul este conectat n curent
alternativ la mas prin sursa de alimentare. Aceasta se observ uor din
schema echivalent n curent alternativ a amplificatorului CC prezentat n
Fig.2.12 b obinut din schema amplificatorului(Fig.2.12 a), considernd
condensatoarele ca nite scurtcircuite i nlocuind R1 i R2 n derivaie cu
RB

R1 R2
R1 R2

Schema de curent alternativ detaliat se obine nlocuind tranzistorul cu

circuitul su echivalent descris cu parametrii hibrizi(Fig.2.13 a) i
considernd h12e 0 i h22e 0 . Chiar dac tranzistorul funcioneaz n
conexiune colector comun, sunt utilizai parametri hibrizi n conexiune
emitor comun n scopul obinerii unor relaii de calcul n care intervin
aceiai parametri care pot fi obinui direct din catalog.
Se observ c intrarea nu mai este separat de ieire, adic etajul nu mai
este un amplificator unidirecional, chiar dac s-a neglijat reacia intern a
tranzistorului( h12e ). Circuitul de intrare i cel de ieire au n comun
impedana(rezistena) de sarcin. Ca urmare, Rint va fi influenat de RS ,
iar Ries va depinde de R g .

Considernd c
'

Rint,T

Rint

U1
I

'
1

R E

I 1 (h11e

1
h22 e

RS

1
h22 e

RE RS
R R
h21e E S )
RE RS
R E RS

R B Rint,T
U1

RB
I1
R B Rint,T

'
1

se calculeaz

h11e (h21e 1)

Rint :

R E RS
R E RS

(2.43)

(2.44)

Una din condiiile de proiectare a reelei de polarizare este cea care asigur
stabilitatea punctului de funcionare[2]:
R B ( 1) R E
(2.45)
R
Deoarece n practic de regul E este un ordin de mrime mai mare
dect RS se poate scrie(neglijnd h11e ) c Rint,T (h21e 1) RS . Avnd n

vedere c h21e , se obine din (2.45) c RB Rint,T , ceea ce justific relaia

(2.44). Aceast relaie arat c rezistenele divizorului de baz, alese din
considerente de polarizare, scurtcircuiteaz rezistena de intrare a
tranzistorului i limiteaz astfel rezistena de intrare a etajului. RB are valori
uzuale de k sau zeci de k iar R int,T are valori de sute de k .
R E , rezistena de intrare a
Oricum, ca urmare a nedecuplrii
amplificatorului CC este mai mare dect rezistena de intrare a etajului EC i
se poate considera atacul etajului CC n tensiune.
Rezistena de ieire a etajului se definete pentru U g 0 i se calculeaz
utiliznd circuitul din Fig.2.13 b n care tensiunea de ieire este simulat cu
un generator de tensiune
Ries ,T

U2
'

I2

I 1' h11e R g'

I 1' 1 h21e

U 2.

11e

Notnd

R g'

RB Rg
RB Rg

se obin succesiv

R g'

(2.46)

1 h21e
Ries

R E Ries ,T
RE Ries ,T

Ries ,T

(2.47)
Justificarea relaiei (2.47) este urmtoarea: dac R g care este mult mai
mic dect RB (zeci de k ) este de ordinul k , atunci pentru h21e de
ordinul sutelor, se obine Ries ,T de ordinul zecilor de i innd seama de
faptul c R E este de sute de sau k , avem c R E >> Ries ,T ceea ce duce
la inegalitatea(2.47).
Deci rezistena de ieire a etajului CC este foarte mic(zeci de ohmi).
Valoarea minim a rezistenei de ieire se obine pentru R g 0 .

R
ies ,T

min

h11e
h21e 1

(2.48)
aceasta fiind egal cu rezistena de intrare emitor-baz n conexiunea baz
comun, cu h22e 0 (vezi relaia 2.53).
Avnd rezistena de intrare mare i rezisten de ieire mic etajul CC
poate fi privit ca un amplificator de curent. Amplificarea n tensiune a
etajului se calculeaz utiliznd schema din Fig.2.13 a, utiliznd notaia:
RE'

RE RS
R E RS

AU

I ' R' h R'

(h21e 1) RE'
U2
' 1 E ' 21e E '
1
U 1 I 1 (h11e RE h21e RE ) h11e (h21e 1) RE'

(2.49)

Amplificarea n tensiune este subunitar, dar foarte apropiat de unitate

(valori uzuale de 0,98;0,99 ) deci de fapt etajul nu amplific n tensiune.
Dac (h21e 1) R E' h11e , atunci U 2 U 1 i etajul poate fi considerat ca un
repetor de tensiune (repet la ieire tensiunea aplicat la intrare) cele dou
tensiuni fiind n faz.

Expresia amplificrii n curent se obine utiliznd schema din Fig.2.13 a i

ea este conform [2] de forma urmtoare:
'

RE
RB
I
A I S ( h21e 1)
I1
RE RS R B Rint,T

(2.50)

Semnul minus semnific faptul c sensul real al curentului I S este opus

celui considerat n Fig.2.11 a . Se observ c are loc o pierdere a unei pri
din amplificarea n curent a tranzistorului (h21e 1) prin divizarea curentului
att la intrare ct i la ieirea etajului. innd seama de faptul c
R E RS
R B se obine:
R E RS
RB
R
1
B ,
RS R B Rint,T
RS

Rint,T h21e 1
A I Rint,T

(2.51)

i deoarece RB RS , se poate obine o amplificare n curent mult

supraunitar, dar oricum mai mic dect h21e 1 .
Avnd n vedere c o pierdere substanial de curent apare din cauza
divizorului care polarizeaz baz, se poate mri A I dac se renun la acest
divizor i se utilizeaz o singur rezisten n baz, care este de valoare mare
i duce la dispersia parametrilor tranzistorului.
Pierderile de curent apar i prin divizarea curentului alternativ de emitor
ntre rezistena de sarcin RS i rezistena din emitor R E . Nu se poate alege
R E >> R S deoarece ar crete foarte mult cderea de tensiune continu pe
R E . Ar fi util pentru micorarea pierderilor n curent alternativ, dac R E ar
fi o rezisten neliniar mare n curent alternativ i mic n curent continuu.
Se poate nlocui RE cu un generator de curent care ar asigura polarizarea
tranzistorului din etajul de amplificare cu un curent bine
determinat(constant) i ar face ca I S s fie practic egal cu curentul din
emitor, nlturnd astfel pierderile n curent alternativ.
Amplificarea n tensiune a etajului este AU 1 . Ca urmare U 2 este n faz
cu U 1 i au aproximativ aceiai mrime. Din aceast cauz etajul CC mai
este numit repetor de tensiune sau repetor pe emitor.
Dac etajul de amplificare ar fi echipat cu o triod n conexiune anod
comun, atunci ar avea numele de repetor pe catod sau repetor catodic, iar
dac etajul ar fi echipat cu un tranzistor unipolar n conexiune dren
comun, ar avea numele de repetor pe surs. n mod evident, comportarea
etajului este aceiai pentru toate cele trei variate de dispozitive active.
Repetorul pe emitor amplific n curent i cum U 2 U 1 , el amplific i n
putere.
innd seama de comportarea repetorului pe emitor, se pot evidenia dou
proprieti ale acestuia:
1) permite debitarea unui curent alternativ important printr-o rezisten de
sarcin de valoare relativ mic, fr ca amplitudinea tensiunii s scad
apreciabil.

2) ofer o impedan de intrare mare pentru etajul precedent care poate fi

un etaj de amplificare n tensiune sau un oscilator(ambele necesit
rezisten de sarcin mare pentru o funcionare corect)
Aceste dou proprieti sunt o manifestare a calitii repetorului de etaj
transformator de impedan.
Deci repetorul pe emitor este utilizat ca etaj de ieire(de putere) i pentru
adaptarea cu sarcina.
Este de remarcat c etajul ofer o capacitate de intrare mic, ceea ce i
permite o comportare bun la frecvene ridicate.
2.4. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune baz comun
Schema unui etaj de amplificare BC avnd tranzistorul polarizat cu
dou surse de alimentare este prezentat n Fig. 2.14. a. Condensatorul C G i
Cs au rol de cuplaj i de separare n curent continuu. Ele au ca i la etajele
precedente o capacitate suficient de mare pentru ca la frecvena minim din
banda de lucru a amplificatorului s poat fi considerate ca nite
scurtcircuite.

a)

b)

Fig. 2.14.
Polarizarea tranzistorului cu dou surse de alimentare nu este
convenabil din punct de vedere practic i de aceea este utilizat varianta din
Fig. 2.14. b, cu o singur surs de alimentare. Se observ c circuitul de
polarizare al tranzistorului n conexiune BC este identic cu cel utilizat pentru
celelalte dou conexiuni i n mod evident se calculeaz la fel, urmrind
realizarea stabilizrii cu temperatura a punctului static ales pentru
funcionarea n clas A.
Condensatorul C realizeaz decuplarea rezistenei R2 n curent
alternativ i conectarea bazei la mas. El va avea o capacitate suficient de
mare pentru ca la frecvena minim din banda de lucru a amplificatorului s
poat fi considerat scurtcircuit.
Pentru ambele variante, schema de curent alternativ este aceeai, fiind
prezentat n Fig. 2.15. a. Dac se nlocuiete tranzistorul cu circuitul su
echivalent descris cu parametrii hibrizi n conexiune emitor comun
(motivaia utilizrii parametrilor he este aceeai ca i pentru etajul BC, vezi

paragraful 2.3.) se obine schema din Fig. 2.15. b, care se va utiliza pentru
studiul comportrii etajului n regim dinamic.

a)

b)

Fig. 2.15.
Pentru a calcula rezistena de nitrare a tranzistorului i a etajului se
neglijeaz h12e i h22e. Pentru nodul E (emitor) se poate scrie, conform legii I
a lui Kirchhoff:
I1` I b h21e I b 0 I1` h12 e 1 I b
(2.52.)
Folosind relaia (2.52.), rezistena de intrare a tranzistorului este:
Rint,T

U1
`
1

h11e I b

h21e 1 I b

h11e
h21e 1

(2.53.)

Pentru un tranzistor de mic putere, h 11e este de ordinul k, iar R 21e de

ordinul sutelor, astfel c Rint,T pentru un tranzistor n conexiune BC este
mic, de ordinul zecilor de ohmi.
Rezistena de intrare a etajului va fi:
Rint r

U1
I1

RE Rint r ,T
RE Rint r ,T

Rint r ,T , RE Rint r ,T

(2.54.)

Cum RE pentru un amplificator de semnal mic este de sute de ohmi

sau K, rezistena de intrare a etajului BC este cu puin mai mic dect
Rintr,T.
Deoarece rezistena de intrare este foarte mic (zeci de ohmi), vom
considera etajul BC atacat n curent, aa cum este artat n Fig. 2.15. b.
Rezistena de ieire pentru h22e 0 este:
Ries

U2
I2

RC

(2.55.)

I g 0

Dac se consider RC ca rezisten de sarcin, atunci Rie,T este foarte

mare. Se poate estima valoarea acestei rezistene considernd h 22e=0,
expresia ei fiind [2]:

ies ,T max

Ries ,T

RE

h21e 1
1

h22 e
h22 e

i poate atinge valori de ordinul M

1
zeciK; h21e sute
h22 e

(2.56.)
.

Avnd rezistena de intrare foarte mic i rezistena de ieire foarte

mare, etajul BC se apropie de un amplificator ideal de curent. Neglijnd h 22e,
amplificarea n curent a tranzistorului n conexiune BC este:
A
`
I

I 21
`
1

h21e I b

h 21e 1 I b

h21e
h21e 1

(2.57)

Semnul minus semnific faptul c sensul real al curentului I este opus

celui considerat n Fig. 2.15. b. Deci amplificarea n curent a tranzistorului
propriu - zis este subunitar i etajul nu poate fi considerat un amplificator
de curent.
Caracterul ideal al amplificatorului const n independena amplificri
n curent de circuitul exterior.
Considernd h22 0 , amplificarea n tensiune a etajului este:
1

Au

U2
U1

h21e I b RC
h11e I b

h21e
Rc 1
h11e

(2.58.)

Aici s-a considerat RC ca rezisten de sarcin a etajului i de asemenea, U

`
nu ine seama de RE deoarece RE Rint rT i I1 I1 .
Din relaia (2.58.) se observ c etajul BC amplific considerabil n
tensiune i expresia amplificrii are aceeai form ca i n cazul etajului EC,
cu excepia semnului (tensiunea de ieire e n faz cu tensiunea de intrare).
Dac rezistena RC este ncorporat etajului astfel nct conform
(2.55.), Ries RC , atunci amplificatorul BC poate fi privit ca un amplificator
transrezisten. El furnizeaz la bornele unei rezistene RS RC , amplasat
`
n paralel cu RC o tensiune U 2 h21e I b RC I1 RC I1 RC i deci amplificarea
etajului va fi de forma:
1

AZ

U2
I1

RC

(2.59.)

Etajul BC are dezavantajul c nu asigur amplificarea n curent i deci

realizeaz o amplificare n putere mai mic dect etajul EC, n schimb se
comport mult mai bine la frecvene nalte, avnd o capacitate de intrare
mult mai mic dect cea de la schema EC.
2.5. Conceptul de reacie
S considerm un amplificator al crui semnal de intrare este furnizat
de un generator. Cu ajutorul unui atenuator se obine o fraciune determinat
a semnalului de la ieirea amplificatorului. La intrarea amplificatorului
propriu - zis se aplic un semnal care este rezultatul nsumrii algebrice a
semnalului dat de generator cu semnalul de reacie obinut la ieirea
atenuatorului. Amplificatorul iniial cruia i se adaug atenuatorul i
sumatorul, formeaz un amplificator cu reacie.

Dac semnalul de reacie este n faz cu semnalul de intrare, reacia se

numete pozitiv, iar dac semnalul este n antifaz cu semnalul de intrare,
reacia este negativ.
Reacia poate fi nedorit (parazit) atunci cnd apare din cauza unor
influene reciproce ale circuitelor ntre ele, fr existena unui circuit special
de reacie anume montat.
n continuare vom lua n considerare numai reacia dorit, care
aplicat prin intermediul unui circuit special poate modifica n sensul
mbuntirii performanelor amplificatorului de baz. Prin mbuntirea
performanelor nu se nelege neaprat mrirea amplificrii. Dimpotriv, se
va folosi o astfel de reacie care cu sacrificarea unei pri din amplificarea
iniial a amplificatorului fr reacie (numit amplificator de baz), s
mbunteasc alte performane care in de calitatea amplificrii. Este vorba
despre reacia negativ. Calitatea amplificrii este dat de:
- sensibilitatea redus la dispersia parametrilor dispozitivelor la variaiile din
circuitul exterior amplificatorului (tensiunea de alimentare), etc.
- distorsiuni neliniare reduse n regim de funcionare la semnale mari;
- zgomot mai redus;
- rspuns n frecven ct mai bun;
- stabilitate bun n frecven (evitarea efectului destabilizant al unor
anumite reacii parazite care apar n amplificator la anumite frecvene ale
semnalului).
Schema general a unui amplificator cu reacie este prezentat n Fig.
2.16.
Semnalele X(t) sunt semnale oarecare i pot fi independente unele fa
de altele (cureni sau tensiuni).

Fig. 2.16.
Pentru simplitate vom presupune c:
- circuitele sunt liniare;
- mrimile coeficienilor de transfer A i B nu depind de frecven;

- amplificatorul de baz este ideal.

Factorul de transfer al amplificatorului de baz (amplificarea) este
X2

(2.60.)

X1

iar al reelei de reacie este:

Xr

(2.61.)

X2

Ecuaia de funcionare a sumatorului este:

X1 X g X r

(2.62.)
Utiliznd relaiile (2.60.), (2.61.) i (2.62.) se obine amplificarea
global, care include i efectul reaciei:
X2

Ar

X2

Xg

X1 X 2

X2

X2

X1 1

X
1

A
1 A

(2.63.)

Relaia (2.63.) este de baz n teoria reaciei. Ea se mai scrie i sub

forma:
A
1T

Ar

, unde

se mai numete i transmisia pe bucla de reacie i

este:
T A

Deoarece mrimile
forma:
Ar

(2.64.)
sunt mrimi complexe, (2.63.) poate fi pus sub

A e j A

(2.65.)

1 A e j A B

Modulul i faza amplificrii sunt date de

A

Ar

1 2 A cos A 2 A2

tg S r

sin A A sin
cos A A cos

(2.66.)
(2.67.)

n funcie de defazajul total A+, reacia poate fi:

- pozitiv, dac A+=2k, k=0,1,2, ... , ceea ce nseamn c cele dou
semnale aplicate amplificatorului sunt n faz i expresia amplificrii cu
reacie este:
Ar

A
1 A

A
; Ar A;
1T

(2.68.)

- negativ, dac A+=(2k+1), k=0,1,2, ... , ceea ce nseamn c cele dou

semnale aplicate amplificatorului sunt n antifaz, i expresia amplificrii cu
reacie este:
Ar

A
A

; Ar A
1 A 1 T

(2.69.)

n relaiile (2.68.) i (2.69.), ca i n cele care urmeaz se consider

pentru simplificarea scrierii c Ar, A, , etc., sunt modulele mrimilor
complexe respective.
n amplificatoarele de curent continuu reacia este pozitiv dac cele
dou semnale aplicate amplificatorului au aceeai polaritate i negativ dac
au polariti diferite.
n amplificatoare se utilizeaz reacia negativ care asigur
mbuntirea performanelor amplificatorului i permite obinerea de
scheme cu parametri reproductibili, prin prescrierea unor tolerane strnse
numai ctorva elemente din circuitul de reacie, care este format din
elemente pasive, mult mai stabile dect dispozitivele active. Preul pltit
pentru aceste avantaje este necesitatea asigurrii unui ctig foarte mare al
amplificatorului de baz, n scopul obinerii valorii impuse pentru A r n
condiiile n care, conform (2.69.), amplificarea este redus prin aplicarea
reaciei negative.
Un caz particular important este cel al reaciei negative puternice,
cnd T >> 1, ceea ce nseamn c Ar << A sau A (foarte mare). Se
obine:

Ar

T 1

A
1

(2.70)

Independent de amplificator. Deci, n cazul unei reacii negative puternice,

amplificarea cu reacie depinde practic numai de reeaua de reacie.
Schematic vorbind, aceast situaie ilustreaz trecerea cantitii ctigul
foarte mare al amplificatorului de baz, n calitate stabilitatea
amplificatorului cu reacie.
Este i cazul amplificatoarelor operaionale care au amplificare foarte
mare i care sunt utilizate numai n conFiguraii cu reacie a cror
comportare depinde exclusiv de tipul circuitului de reacie (a se vedea
paragraful circuite integrate amplificatorul operaional).
Reacia negativ este mult utilizat n amplificatoare. Dac pentru
circuite mai simple se pot aplica tehnici de compensare pentru stabilizarea
performanelor, n schimb, pentru circuitele complexe cum ar fi
amplificatoarele cu mai multe etaje, reacia negativ (global aplicat mai
multor etaje) este sigurul procedeu care permite obinerea unor performane
stabile.
2.6. ConFiguraii ale circuitelor cu reacie negativ
Reacia este de mai multe tipuri, n funcie de modul de culegere a
semnalului de reacie i de modul de aplicare al acestuia la intrare.
Semnalul de ieire al amplificatorului X 2 , care este n acelai timp
semnalul de la intrarea reelei de reacie poate fi:

- o tensiune, cnd semnalul de reacie este proporional cu tensiunea de la

ieirea amplificatorului i se spune c avem o reacie de tensiune (semnalul
de reacie se culege n paralel cu impedana de sarcin);
- un curent, cnd semnalul de reacie este proporional cu curentul de ieire
i se spune c avem o reacie de curent (semnalul de reacie se culege n
serie cu impedana de sarcin);
Semnalele asociate sumatorului ( X , X i X ) pot fi independent de
X
fie cureni fie tensiuni. Deci semnalul de la ieirea reelei de reacie
poate fi:
- o tensiune, aplicat n serie cu tensiunea dat de generator i avem o reacie
serie;
- un curent, aplicat n paralel cu cel dat de generator i atunci avem o reacie
paralel.
Prin urmare, exist patru conFiguraii distincte, prezentate n cele ce
urmeaz. Tipul generatorului de semnal va fi adaptat conFiguraiei
circuitului de intrare. Dac semnalul de la ieirea reelei de reacie este o
tensiune, se folosete o reprezentare tip serie, cu generator de tensiune, iar
dac este un curent, se utilizeaz o reprezentare de tip paralel, cu generator
de curent.
1) Reacia de tip serie-paralel (serie la intrare, paralel la ieire), Fig.2.17, se
aplic unui amplificator de tensiune, deoarece semnalele cu care se opereaz
la intrarea i la ieirea amplificatorului de baz sunt tensiuni. Semnalul de
reacie proporional cu tensiunea de ieire, se culege n paralel cu impedana
de sarcin i se aplic n serie cu semnalul dat de generator, astfel c
semnalul de intrare n amplificatorul; de baz a fi suma tensiunilor U g i Ur.
De aceea aceste tip de reacie se mai numete reacie de tensiune serie.
Amplificatorul de baz, de tensiune, este caracterizat prin inegalitile
g

2) Reacie de tip paralel-serie (Fig.2.18). Semnalul de reacie, proporional

cu curentul de ieire I2 care circul prin Zs, se culege n serie cu impedana
de sarcin i se aplic n paralel cu semnalul dat de generator. Curentul de
intrare n amplificator este I1 =Ig+Ir. Acest tip de reacie se mai numete
reacia de curent paralel. Deoarece semnalele cu care se opereaz la intrare i
la ieire sunt cureni, amplificatorul de baz trebuie s fie un amplificator de
curent caracterizat prin inegalitile: Z Z i Z Z
3) Reacia de tip paralel-paralel sau de tensiune paralel (Fig. 2.19).
Semnalul de reacie proporional cu tensiunea de ieire, se culege n paralel
cu impedana de sarcin i se aplic n paralel cu semnalul dat de generator.
Deoarece semnalul de intrare este curent iar cel de ieire este tensiune,
amplificatorul de baz este un amplificator transimpedan, al; crui
g

int r

ies

coeficient de amplificare are semnificaia unei impedane:

A2

U ies
U int r

. Acest

amplificator este caracterizat de inegalitile: Z Z i Z Z

4) Reacia de tip serie-serie, sau de curent serie (Fig.2.20). Semnalul de
reacie proporional cu curentul de ieire, se culege n serie cu sarcina i se
aplic n paralel cu semnalul dat de generator. Semnalul de intrare este
tensiune iar cel de ieire este curent, astfel c amplificatorul de baz este de
tipul transadmitanei, caracterizat de inegalitile: Z Z
i Z Z .
g

int r

int r

Coeficientul su de amplificare are semnificaia unei admitane:

Pentru fiecare tip de reacie, s-au Figurat i mrimile
comune intrrii amplificatorului de baz i ieiri reelei
mrimea de intrare este tensiunea, iar mrimea
amplificatorului i ieirii reelei de reacie este curentul
serie-paralel (Fig.2.17) i serie-serie (Fig.2.20).

ies

Ay

ies

I ies
U int r

electrice care sunt

de reacie. Astfel,
comun intrrii
I1 pentru reaciile

Pentru reaciile paralel-serie (Fig.2.18) i paralel-paralel (Fig.2.19),

mrimea comun conFiguraiei de intrare este tensiunea U1.
Observaie: Teoria reaciei este mult simplificat dac se ndeplinete
condiia ca reeaua de reacie dintr-o schem bine determinat s poat fi
realizat. n realitate reeaua de reacie ncarc att circuitul de intrare
ct i circuitul de ieire al amplificatorului, astfel nct conectarea acestei
reele produce mai multe modificri n calcule dect simpla adugare a
semnalului de reacie n circuitul de intrare al amplificatorului.
2.7. Influena reaciei negative asupra benzii de frecven a
distorsiunilor neliniare i a impedanelor de intrare i de ieire ale
amplificatorului
S presupunem c amplificatorul de baz i reeaua de reacie au
funciile de transfer A(j) i (j) independente de circuitul exterior, dar
dependente de frecven. Amplificarea de reacie va fi de forma.(2.69):
(2.71)
Reacia pozitiv i reacia negativ se definesc n acest caz la fel ca n
paragraful 2.5.1. Deoarece A(j) i (j) se modific atunci cnd variaz,
n acelai circuit fizic poate exista o reacie negativ pe anumite domenii de
frecven i pozitiv pentru celelalte frecvene. Se poate demonstra teoretic
i verifica practic faptul c amplificatoarele cu reacie negativ pot avea o
comportare instabil din cauza apariiei unei reacii pozitive, parazite, pe
anumite domenii de frecven.
Pericolul ca amplificatorul s devin instabil, mpreun cu reducerea
factorului de amplificare al sistemului, pot fi considerate ca fiind
dezavantajele reaciei negative.
Dac notm cu f I i fs frecvenele limit ale benzii amplificatorului la
3dB, n absena reaciei, i cu fir i fsr frecvenele limit n prezena reaciei,
atunci sunt valabile relaiile:
(2.72)
Pentru fs >> fI banda de lucru a amplificatorului fr i respectiv cu
reacie, este:
(2.73)
(2.74)
Din (2.74) se observ o mrire a benzii ca urmare a aplicrii reaciei
negative. Aceast mrire a benzii are loc, conform (2.72) prin micorarea
frecvenei limit inferioar i mrirea frecvenei limit superioar.
Produsul amplificare band se conserv:
(2.75)

Deci banda amplificatorului cu reacie negativ crete exact n raportul

n care scade amplificarea. Se poate spune c efectul reaciei negative const
n acest caz n efectul pe care l exercit asupra compromisului amplificare
band.
Reacia negativ are un efect favorabil i asupra distorsiunilor neliniare
ale amplificatoarelor pe care le reduce n raportul (1+A):
(2.76)
unde K i Kr reprezint coeficieni de distorsiuni neliniare fr reacie i
respectiv cu reacie negativ.
Modul n care circuitul de reacie negativ reduce efectul neliniaritii
amplificatorului este prezentat n cele ce urmeaz. Amplificatorul de baz
continu s distorsioneze. Semnalul care atac acest amplificator va fi
predistorsionat de ctre semnalul de reacie, care este proporional cu
semnalul de ieire distorsionat, fiind astfel modificat, nct dup trecerea
prin amplificator s fie refcut forma original a semnalului de la generator.
Preul pltit pentru mbuntirea neliniaritii este reducerea
amplificrii. Se va introduce ca urmare un amplificator suplimentar care
lucreaz liniar (la semnal mic).
Reacia negativ reduce efectul semnalelor parazite, mbuntind
raportul semnal-zgomot al amplificatorului. Reducerea zgomotului la ieirea
amplificatorului cu reacie negativ se explic tot prin predistorsionarea
semnalului aplicat la intrarea amplificatorului cu co component de zgomot
inversat ca faz, introdus de reeaua de reacie negativ.
n mod evident, reacia negativ nu poate avea nici un efect asupra
raportului semnal zgomot, dac zgomotul este introdus n circuit n acelai
punct n care se introduce i semnalul util. Ea este eficace numai dac
semnalul parazit apare n interiorul amplificatorului. n practic se realizeaz
reducerea efectului unui semnal parazit prin reacie negativ, adugnd un
amplificator de semnal mic, care este imun la perturbaia respectiv.
Reacia negativ are efecte favorabile asupra impedanei de intrare i
respectiv de ieire a amplificatorului de baz, deoarece produce modificri
ntr-un asemenea sens nct amplificatorul tinde s se transforme intr-un
amplificator ideal.
Efectul reaciei negative asupra impedanei de intrare este determinat de
tipul reaciei de intrare:
- reacie negativ serie la intrare:
(2.77)
unde Zin este impedana de intrare a amplificatorului fr reacie, iar Z ins
serie este impedana de intrare a amplificatorului cu reacie serie la intrare
sau rezistena de ieire a reelei de reacie vzut la bornele de intrare ale
amplificatorului de baz.
- reacie negativ paralel la intrare:

(2.78)
Efectul reaciei negative asupra impedanei de ieire este determinat de
tipul reaciei de ieire:
- reacie paralel de ieire:
(2.79)
unde AU=AU/RS , amplificarea n tensiune n gol (maxim);
- reacie serie la ieire
(2.80)
unde AIo= AI/RS0, amplitudinea n curent n scurtcircuit (maxim).
De exemplu n cazul reaciei negative aplicate unui amplificator de
tensiune, impedana de intrare crete (este multiplicat cu 1+T>1), iar
impedana de ieire scade (dar nu n raportul n care scade amplificarea,
deoarece se calculeaz cu transmisia pe bucl considerat n gol T*=T/R S
=AU/Rs).Prin creterea impedanei de intrare i scderea impedanei de
ieire, respectiv citit n tensiune, deci este un amplificator de tensiune mai
bun (tinde spre un amplificator ideal de tensiune).
3. Oscilatoare armonice
3.1 Generaliti
Un oscilator armonic este un circuit electronic care furnizeaz la
bornele unei rezistene de sarcin Rs un semnal de form sinusoidal:
(3.1)
Circuitul trebuie s conin dispozitiv electronice active capabile s
transforme puterea de curent continuu absorbit de la sursa de alimentare n
putere de curent alternativ, putere a semnalului furnizat sarcinii:
(3.2)
S considerm un amplificator cu reacie pozitiv de tipul celui
prezentat n paragraful 2.5.1.,Fig. 2.16. i descris de relaia (2.68). Acest
circuit devine un oscilator dac ndeprtnd semnalul de excitaie (x g=0),
obinem totui un semnal de ieire, x2 finit i diferit de zero. Aceasta este
echivalent cu :
(3.3)
Rezult imediat condiia de oscilaie :
(3.4)
numit relaia Barkhausen.

n general, deoarece circuitul conine elemente reactive, mrimile A i

sunt mrimi complexe i valorile lor depind de frecven. Punnd n
eviden amplitudinea i faza acestor mrimi complexe, se obine c relaia
Barkhausen este echivalent cu dou condiii reale :
|A|||=1;

(3.5)

A+=2k , k=0;1;2;

(3.6)

Condiia de amplitudine (3.5) exprim necesitatea ca atenuarea

introdus de reeaua de reacie s fie compensat de ctre amplificatorul de
baz.
Condiia de faz (3.6) arat c defazajul total introdus de
amplificatorul de baz i reeaua de reacie trebuie s fie un multiplu ntreg
de 2, adic semnalul de reacie trebuie s fie n faz cu semnalul de la
intrarea amplificatorului (aceasta este n fond condiia de realizare a reaciei
pozitive).
Condiia de amplitudine |A|||=1 este greu de realizat n practic,
deoarece valoarea amplificrii se modific din cauza variaiei
caracteristicilor tranzistoarelor (dispozitivelor active) cu timpul, cu
temperatura, cu tensiunile de alimentare, etc. Dac A<1, atunci oscilaiile
nceteaz, iar dac A>1 amplitudinea oscilaiilor va crete pn cnd va fi
limitat de un element neliniar asociat amplificatorului sau prin utilizarea
controlului automat al amplificrii, astfel nct mrimea amplificrii s se
ajusteze de la sine la valoarea necesar susinerii oscilaiilor.
Condiia de faz permite determinarea frecvenei de oscilaii.
Dac A(j) este un numr real (caz frecvent ntlnit n practic), atunci A=0
sau A= (depinde de tipul amplificatorului de baz) i condiia de faz
devine:
A+()=2k ; k=0;1;2;,
(3.7)
i determin frecvena de oscilaie osc. n acest caz, frecvena de oscilaie
este determinat de ctre reeaua de reacie pozitiv. Se obine astfel i o
stabilizare mai bun a frecvenei de oscilaie, deoarece reeaua de reacie
pozitiv este realizat din elemente pasive, cu parametrii mult mai stabili la
variaii ale temperaturii, tensiunii de alimentare, etc. dect cei ai elementelor
active care intr n compunerea amplificatorului de baz. De aici rezult i
un criteriu de clasificare a oscilatoarelor armonice, i anume dup natura
elementelor reelei de reacie.

Att pentru caracterizarea ct i pentru proiectarea unui oscilator,

trebuie s se determine n principal :
- condiia de amorsare a oscilaiilor ;
- frecvena de oscilaie, fosc=osc/2. ;
- amplitudinea de oscilaie pe o sarcin dat (Uosc.) ;
- stabilitatea amplitudinii i a frecvenei de oscilaie ;
- forma exact a semnalului generat (evaluarea distorsiunilor).
Oscilatoarele armonice de tip amplificator cu reacie pozitiv se
clasific dup natura elementelor reelei de reacie astfel :
- oscilatoare RC - reea de reacie cu rezisten i capaciti;
- oscilatoare LC - reea de reacie cu inductan i capaciti.
Oscilatoarele pot lucra pe frecven fix sau variabil. Dup gama de
frecven pe care o acoper sau n care lucreaz oscilatoarele sunt :
- de audio frecven, cu frecvena de la civa Hz pn la zeci de kHz
(uzual 20Hz20kHz);
- de radiofrecven : sute kHz1GHz ;
- de microunde, cu fosc>1GHz.
De regul oscilatoarele de audio frecven sunt de tip RC, iar cele de
radiofrecven de tip LC.(n cadrul cursului de fa ne vom ocupa numai de
oscilatoarele RC).
Trebuie precizat c nu toate oscilatoarele armonice sunt de tip
amplificator cu o reacie pozitiv. Exist o alt categorie de oscilatoare, cu
dispozitive cu rezisten dinamic negativ (dioda tunel, TUJ). Un astfel de
dispozitiv genereaz putere de curent alternativ dac este polarizat
convenabil. n curent continuu. Conectnd un astfel de dispozitiv n serie sau
n paralel cu un circuit rezonant, se pot obine oscilaii armonice
neamortizate dac rezistena dinamic negativ a dispozitivului
compenseaz pierderile din circuitul rezonant. Astfel de oscilatoare sunt
utilizate pentru domeniul de radiofrecven i de microunde.
Stabilirea regimului staionar de funcionare presupune n afara
ndeplinirii condiiei de oscilaie i existena etapelor tranzitorii
corespunztoare apariiei, creterii oscilaiilor i stabilizrii amplitudinii lor
(amorsarea i limitarea oscilaiilor).
Apariia oscilaiilor are la baz dou fenomene ce acioneaz simultan
i independent :
1) fluctuaiile din circuit (fenomen aleator, necontrolabil) produse de:
agitaia termic, emisia electronic necontrolat, variaia tensiunilor de
alimentare, zgomotul componentelor, etc.;
2) reacia pozitiv, special prevzut n schem, controlabil ;
Fluctuaiile iniiale, acionnd i n circuitul de intrare al
amplificatorului de baz, vor modifica tensiunea de comand de la intrarea
acestuia. Variaia acestei tensiuni va fi amplificat, i prin intermediul

reaciei pozitive va fi adus din nou la intrare spre a fi reamplificat (ca

tensiune de autoexcitaie), apoi readus la intrare, .a.m.d. Ca urmare a
amplificrii succesive, oscilaiile cresc dac energia introdus n circuit
depete pierderile proprii ale circuitului.
Considerm cazul unui amplificator ideal cu amplificarea dependent
de mrimea amplitudinii semnalului din circuit, U. Dependena A=A(U)
poate fi determinat experimental sau prin calcul, neglijnd eventualele
armonici din circuit. Pentru a putea accepta aceast neglijare, se utilizeaz
un circuit de reacie cu o selectivitate ct mai bun care va asigura excitaia
amplificatorului pe bucla de reacie pozitiv cu un semnal ct mai apropiat
de o sinusoid (deci o singur frecven, cea dorit).
Reacia Barkhausen se scrie :
(3.8)
Dac impunem ca la frecvena de oscilaie
(3.9)
se poate determina osc. Amplitudinea de oscilaie rezult din relaia :
(3.10)
S presupunem c modulul amplificrii scade cu creterea
amplitudinii semnalului, aa cum se arat n Fig. 3.1.,a. Se constat c
oscilaiile se autoamorseaz, deoarece modulul amplificrii de semnal mic
este mai mare dect cel necesar pentru susinerea oscilaiilor. Dac apare o
perturbaie care afecteaz valoarea amplitudinii de oscilaie, atunci
amplitudinea revine la valoarea Uosc dup dispariia perturbaiei. De
exemplu, dac perturbaia provoac mrirea amplitudinii de oscilaie, are loc
micorarea modulului amplificrii, astfel c amplitudinea tinde s scad,
revenind la valoarea Uosc. Exist n acest caz o stabilitate dinamic a
oscilaiilor, ilustrate pe grafic de sgeile care converg n punctul de

funcionare M, indicnd tendina de revenire n acest punct.

Dac variaia amplificrii cu amplitudinea semnalului nu mai este
monoton, ca n Fig. 3.1.,b., exist dou puncte M 1 i M2 care corespund
unor regiuni de oscilaie din care numai cel asociat punctului M 2 este stabil.
Punctul M1 nu corespunde unui regim de oscilaie stabil, chiar dac
amplificarea are o valoare egal cu cea cerut de relaia (3.10), deoarece
oscilaiile se sting dac U scade, sau cresc n amplitudine ajungnd la

valoarea Uosc(abscisa punctului stabil M2). n acest caz autoamorsarea nu

este posibil deoarece amplificarea de semnal mic are o valoare prea redus
pentru a compensa atenuarea introdus de reeaua de reacie. Oscilaiile se
pot amorsa prin excitare extern cu un semnal de o frecven apropiat de
cea proprie a oscilatorului i cu o amplitudine cel puin egal cu abscisa
punctului M1.
Dac este satisfcut condiia de autoamorsare, oscilaiile pornesc de
la sine, prin amplificarea zgomotului existent n circuit. n general amorsarea
are loc odat cu regimul electric tranzitoriu legat de conectarea circuitului la
sursa de alimentare.
Oscilatoarele RC utilizeaz de regul ca amplificator de baz,
amplificatoare cu reacie negativ. Reacia negativ loc multiplu i anume :
- stabilizeaz amplificarea fcnd-o mai puin sensibil la condiiile de
funcionare ;
- uureaz controlul amplificrii prin ncorporarea n bucla de reacie
negativ a unui dipol a crui rezisten depinde de amplitudinea de
oscilaie, asigurnd astfel limitarea amplitudinii de oscilaie la valoarea
dorit ;
- idealizeaz amplificatorul, asigurnd funcionarea reelei de reacie
pozitiv practic independent de amplificator; deoarece aceast reea de
reacie este de regul selectiv, se obine o frecven de oscilaie practic
independent de amplificator.
Prin aplicarea reaciei negative se obine o amplificare dependent
exclusiv de mrimea semnalului i o funcie de transfer a reelei de reacie
dependent exclusiv de frecven. n acest mod se poate regla frecvena
oscilaiei fr a afecta amplitudinea acesteia.
n unele cazuri rare reacia selectiv este cea negativ. Dup modul de
realizare a condiiilor de faz i amplitudine, oscilatoarele RC se mpart n
dou categorii:
1) oscilatoare RC de tip I, la care amplificatorul defazeaz semnalul n
domeniul frecvenelor medii cu 1800, iar reeaua de reacie introduce in
defazaj tot de 1800, astfel nct A+ =2; reacia este pozitiv i se asigur
condiia de faz pentru funcionarea oscilatorului. Este cazul oscilatoarelor
cu reea de defazare RC i a oscilatoarelor cu reea dublu T.
2) oscilatoare RC de tip II, la care nici amplificatorul, nici reeaua de
reacie nu introduc defazaje n domeniul frecvenelor medii, deci A+=0,
realizndu-se condiia de faz pentru existena reacie pozitive. Este cazul
oscilatoarelor cu reea Wien.

Este de remarcat c reelele Wien i dublu T prezint o

caracteristic de atenuare n funcie de frecven, ce are o form
asemntoare cu cea a curbei de selectivitate a circuitelor oscilante LC. De
aceea, din acest punct de vedere, oscilatoarele RC mai pot fi mprite n
dou categorii : oscilatoare cu reele neselective (reele de defazare) i
oscilatoare cu reele selective (Wien i dublu T).
Se consider c n domeniul de frecven n care lucreaz
oscilatorul, amplificatorul de baz prezint o amplificare consistent i se
neglijeaz efectul capacitilor parazite de intrare i de ieire ale
amplificatorului.
Reelele RC, de regul simple, pot fi utilizate cu amplificatoare de
tensiune sau de curent . Pentru a le analiza se considera ca lucreaz in
condiii ideale sunt atacate de generatoare ideale de curent sau de tensiune
si lucreaz in gol sau in scurtcircuit .
3.2. Oscilatoare cu reea defazoare
Aceste tipuri de oscilatoare RC utilizeaz proprietatea filtrelor RC
trece sus sau trece jos de a introduce un defazaj cuprins intre 0 si 2 in
banda de trecere .
In Figura 3.2. sunt date schema unei reele de defazare cu trei
celule RC si caracteristicile ( / 0 ) , ( / 0 ) , unde Ar si sunt
respectiv coeficientul de transfer u r / u e si faza semnalului care trece prin
reeaua defazare .

Pentru reeaua din Fig. 3.2. se pot scrie urmtoarele ecuaii :

1
i1 R i1 i 2 ;
ue=
j c

R i1 i2

R i2

1
j c

i 2 +R i2 i3 ) ;

i3 ) =(R+

1
j c

) i3 ; u r =R i3 .

(3.11)

Rezolvnd acest sistem de ecuaii cu necunoscutele u e , i1 , i 2 si

i3

in raport cu u r , se obine :

u
1
5
e 1
u r
RC

1
RC

6
RC

(3.12)

Pentru a avea un defazaj de 180 0 intre u e si u r este necesar ca

partea imaginara a relaiei (3.12) sa se anuleze , adic:

1
osc.

RC

6
0
osc. RC

(3.13)
De aici , reinnd numai soluia pozitiva si diferita de zero , se
obine urmtoarea expresie pentru frecventa de rezonanta , care va fi egala
cu frecventa oscilaiei sinusoidale generate de ctre oscilatorul RC:
f osc.

(3.14)

2 6 RC

nlocuind aceasta expresie in (3.12) se obine valoarea :

1

29

(3.15)

Deci pentru a asigura un regim autooscilant , este necesar ca

amplificarea in tensiune a amplificatorului de baza ce intra in compunerea
oscilatorului , sa fie minimum :
An

29

(3.16)

Numai in acest caz reeaua de reacii RC furnizeaz semnalul de

reacie la un nivel suficient de mare pentru a ntreine oscilaiile .
Semnul minus din reacia din (3.15) arata necesitatea utilizrii unui
amplificator de baza .
Deoarece reeaua din Fig.3.2 , a, taie frecventele joase , acest tip de
reea se numete trece-sus . Daca se schimba intre ele elementele R si C ale
reelei , se obine un cuadripol similar , dar de tip trece-jos , caracterizat de:
f osc .

6
2RC

si

ue
29
ur

(3.17)
si utilizat ca reea defazoare pentru domeniile de frecventa joasa ale
oscilatorului.
In Figura 3.3. este prezentata schema unei variante de oscilator RC ,
cu reea defazoare de tip trece-sus , formata din trei celule RC , reea
conectata intre ieirea din colector si intrarea unui etaj de amplificare in
conexiune emitor comun , ceea ce asigura ndeplinirea condiiei de faza
continuata in relaia Barkhansen. Rezistenta Rr care conecteaz ieirea
reelei de reacie ( reeaua defazoare ) la intrarea amplificatorului , trebuie sa
fie aleasa astfel nct rezistenta ultimei celule de defazare sa fie tot R ,

adic:
(3.18)

Rr R1 R2 h11e R

Rezolvnd ecuaiile lui Kirchhoff in schema echivalenta a

oscilatorului obinuta cu circuitul echivalent cu parametri hibrizi ai
tranzistorului , si impunnd condiia Barkhansen (3.8) , atunci se obine
condiia de amorsare a oscilaiilor :
h21e

R1 R2

R2 hue

R 'c
R
23 29 '
R
Rc

(3.19)

unde :
R 'c

Rc
1 h22 e Rc

(3.20)

Expresia (3.19) prezint un minim pentru

R 'c
2,7
R

, care

corespunde la un h21e 44,5 .

Deci pentru a putea folosi reeaua defazoare cu trei celule RC este
necesar ca tranzistorul sa aib un factor de amplificare in curent h21e 44,5 .
In cazul unor tranzistoare cu valori mai mici ale lui h21e , fie ca se utilizeaz
mai multe celule RC , fie ca R si C nu se mai au aceeai valoare pentru toate
celulele reelei .
Frecventa oscilaiilor amorsate in circuit se obine prin egalarea cu
zero a parii imaginare a condiiei de oscilaie . In cazul unei reele defazoare
trece-sus , se obine 3 :
min

f osc

c 2 6 R 4 R RC
2

(3.21)

iar pentru o reea de defazare trece-jos , se obine 3 :

f osc

6 R 4 Rc
2R 3 C

(3.22)

In scopul mririi stabilitii frecventei oscilaiilor generate de acest tip

de oscilator , reeaua de reacii defazoare nu este conectata direct la intrarea
amplificatorului de baza , ci prin intermediul unui al doilea etaj , un repetor
pe emitor , ca in Figura 3.4.

Fig. .3.4.
Astfel, reeaua defazoare este ncrcata cu impedana mare de
intrare a etajului repetor si ultima celula RC a reelei de defazare nu mai este
scurtcircuitata de ctre rezistenta de intrare Rint . a tranzistorului T1 . Sarcina
oscilatorului va fi de asemenea conectata la ieirea repetorului si acest fapt
duce la creterea stabilitii frecventei cu variaia sarcinii oscilatorului .
Pentru ca ultima celula RC a reelei de defazare sa lucreze corect ,
este necesar ca R R R T R .
3

int .

3.3. Oscilatoare cu reea Wien

Vom considera cazul unui oscilator al crui amplificator de baza
este un amplificator de tensiune. Prin urmare , reeaua de reacie pozitiva ,
reeaua sau puntea Wien , reprezentata in Figura 3.5.a., este atacata si citita
in tensiune . Reelei Wien vzuta ca un diport , i se aplica la poarta de intrare
1 1' tensiunea de ieire a amplificatorului de baza u 2 , iar tensiunea de la
poarta de ieire 2 2 '
, va fi aplicata ca tensiune de intrare a
amplificatorului de baza , u1 . Pentru a putea funciona corect , ieirea
reelei Wien trebuie sa lucreze in gol , practic pe o rezistenta de sarcina
foarte mare ( rezistenta de intrare a amplificatorului de tensiune ) .

Redesennd reeaua Wien ca in Fig.3.5.b. , se observa ca aceasta se

comporta ca un divizor de tensiune format din impedanele Z 1 si Z 2 care
au expresiile :
1 jR1C1
1

;
jC1
jC1
R2
j C 2
R2
Z2

1
1 j R 2 C 2
R2
jC 2

Z1 R1

(3.23)
.

(3.24)

Funcia de transfer a reelei Wien lucrnd in gol are expresia :

j

ur
i Z2
Z2

.
u e i Z1 Z 2 Z1 Z 2

(3.25)

nlocuind (3.23) si (3.24) in (3.25) se obine :

1

( j )
1

R! C 2
1

j (R1C 2
).
R2 C1
R2 C1

(3.26)

Daca reeaua Wien este utilizata ca un amplificator ideal de tensiune

a crui amplificare in tensiune este un numr real , atunci din condiia
Barkhausen (3.8) rezulta ca :
Au . ( j ) 1 .
(3.27)
A
Daca amplificarea in tensiune u a amplificatorului de baza este un
numr real , atunci si FW ( j ) este numr real , ceea ce nseamn ca :
COosc. R1C 2

1
osc.
COosc. R2 C1

1
R1 R2 C1C 2

(3.28)

si frecventa de oscilaie este :

f osc.

1
2

R1 R2 C1C 2

(3.29)
Amplificarea necesara pentru autontreinerea oscilaiilor are
expresia :

Au

R C
1
1 1 2
( j 0 )
R2 C1

(3.30)

Acest tip de oscilator este utilizat in generatoare de audio-frecventa

cu frecventa variabila in limite largi. Este necesar ca atunci cnd se regleaz
frecventa , rapoartele R1 / R2 si C 2 / C1 sa ramn constante astfel se modifica
valoarea lui Au , ceea ce are ca efect modificarea amplitudinii oscilaiei
generate . Din aceasta cauza se alege R1 R2 R si C1 C 2 C , astfel inct
vom avea:
1
2RC

1
2
si Au 1 R C 3
(3.31)
2
1
Deci amplificatorul de baza trebuie sa realizeze o amplificare in
tensiune cel puin egala cu 3 , iar faza tensiunii lui de ieire sa coincid cu
cea a tensiunii de intrare , motiv pentru care acest tip de oscilator se mai
numete si oscilator cu anularea fazei . Pentru aceasta , se utilizeaz de
regula doua etaje amplificatoare , cuplate in cascada , fiecare realiznd un
defazaj de 180 0 .
In Figura 3.6. se prezint o varianta de oscilator in punte Wien , in
care etajul realizat cu T2 joaca rolul generatorului de tensiune care ataca
reeaua Wien .

f osc.

Fig. 3.6.
Amplificatorul este realizat cu tranzistoarele T1 si T2 cele
doua etaje ale sale fiind conectate in cascada prin cuplaj RC . Semnalul de
intrare al amplificatorului se obine de la ieirea unui etaj repetor pe emitor ,
realizat cu T3 . Conectarea punii Wien prin intermediul etajului repetor
care prezint impedana mare de intrare , previne ncrcarea punii Wien
printr-un curent important si astfel se reduc la minimum distorsiunile de
amplitudine si de faza ale oscilaiei generate . Practic in acest fel se asigura
una din cele doua condiii ce decurg din necesitatea de a conecta puntea
Wien la un amplificator ideal de tensiune : Z ies. Z 2 , unde Z 2 este dat de

(3.24) . Cealalt condiie Z ies . Z1 , unde Z 1 este dat de (3.23) , se

ndeplinete alegnd o valoare sczuta pentru RC .
Daca amplificarea in tensiune are o valoare prea mare , Au 3 ,
limitarea amplitudinii oscilaiilor nu se face suficient de repede si punctul de
funcionare al tranzistorului ptrunde prea mult in regiunile neliniare ale
caracteristicilor statice , astfel nct forma oscilaiilor generate se poate
deprta mult de forma sinusoidala (vrfurile alternantelor sunt aplatizate ,
are loc limitarea amplitudinii oscilaiei). Pentru a prentmpina acest efect ,
se introduce in schema o reacie negativa care asigura in mod automat o
limitare a amplificrii , deci si a amplitudinii oscilaiei . In varianta de
schema din Fig.3.6. , reeaua de reacie negativa este formata din grupul R0
si C 0 . Modificnd valoarea rezistentei R0 , se obine o modificare a
amplitudinii oscilaiei generate . De regula R0 este formata dintr-o
rezistenta reglabila si o rezistenta fixa a crei valoare este aleasa astfel nct
sa produc blocarea generrii oscilaiilor (prin scderea lui Au sub valoarea
3) .
Oscilatoarele cu punte Wien pot fi realizate foarte simplu
utiliznd amplificatoare operaionale , deoarece acestea sunt amplificatoare
de tensiune cu performante foarte bune . Se obin oscilaii armonice in
domenii de frecventa cuprinse intre 1Hz si 100KHz sau chiar mai mult , in
funcie de calitatea si performantele amplificatorului operaional utilizat .
In Figura 3.7. este artata cea mai simpla si rspndit schema
de oscilator RC cu amplificator operaional.
2

Fig. 3.7.

Bucla de reacie pozitiva selectiva este formata din elementele reelei

Wien
si are rolul de a stabili frecventa de oscilaie .
Bucla de reacie negativa conine rezistentele R3 si R4 si servesc la
stabilizarea amplitudinii .
De valoarea rezistentei reglabile R4 depinde amplitudinea oscilaiilor
generate. Daca R1 R2 R si C1 C 2 C , atunci frecventa de oscilaie este
data de (3.31.) . Conform aceleiai relaii , condiia de oscilaie este
ndeplinita daca:
R1C1 , R2 C 2

Au 3

R3 R4
R4

, adic pentru

R3 2R4

(3.32)

Frecventa poate fi modificata continuu cu un poteniometru

dublu sau in trepte , prin corectarea capacitailor C1 si C 2 .
4. Circuite de impulsuri
4.1. Generaliti
Impulsul este un semnal a crui forma de unda variaz prin salturi fata
de un nivel staionar sau cvasistaionar , durata salturilor fiind mult mai mica
dect durata regimului tranzitoriu de rspuns al circuitului , la intrarea cruia
se aplica impulsul .
In Fig. 4.1. sunt reprezentate o serie de impulsuri video periodice
ideale si anume : tip meandre (a) , triunghiulare simetrice (b) , trapezoidale
simetrice (c) , exponeniale (d) , dreptunghiulare (e) , precum si impulsuri
radio dreptunghiulare periodice , ideale (f) .

Impulsurile radio se obine prin modularea unei oscilaii armonice cu

ajutorul impulsurilor video . In Fig.4.1. cu ti s-a notat durata impulsurilor ,
cu Tr perioada de repetiie a acestora , cu tp timpul de palier , cu U
amplitudinea impulsurilor iar cu timpii de cretere respectiv descretere .
Cele mai folosite in practica sunt impulsurile video dreptunghiulare .
Principalii parametri ai impulsului video dreptunghiular singular sunt
ilustrai in Fig. 4.2.

Amplitudinea se noteaz cu U si reprezint valoarea maxima la care

ajunge tensiunea in impuls .
Cderea de amplitudine pe palier reprezint variaia descresctoare
maxima a tensiunii pe durata palierului impulsului . Se noteaz cu U si se
apreciaz de obicei in procente fata de amplitudinea U a impulsului .
Cderea de amplitudine postimpuls reprezint variaia descresctoare
maxima a tensiunii dup terminarea impulsului propriuzis , fata de nivelul
staionar inferior . Se noteaz cu U 1 si de regula este egala cu cderea de
tensiune pe palier .
Durata impulsului reprezint intervalul de timp in care semnalul
depete un nivel de referin U r dat de reea :
U r r U ; r 0,1
(4.1)
Durata impulsului astfel determinata se noteaz tir iar pentru
r =0,04 se asigura simplificarea unor relaii de calcul ulterioare .
Durata efectiva a impulsului se noteaz cu ti , corespunde valorii r =
0,5 si reprezint durata unui impuls dreptunghiular ideal care are aceeai
energie cu impulsul dreptunghiular real din Fig. 4.2.
In continuare , prin durata impulsului se va nelege durata efectiva a
acestuia .
Timpul de cretere al impulsului tc reprezint intervalul de timp in
care semnalul de la nivelul staionar minim la cel maxim , cu valorile
aproximate la r U respectiv (1-r)U .
In continuare , se va considera r = 0,04 caz in care timpul de cretere
este dat de relaia :
tc k ; r 0,04; k
(4.2)
Timpul de palier tp al impulsului este intervalul de timp in care
semnalul in impuls nu scade sub valoarea U U .

Timpul de descretere td al impulsului este intervalul in care semnalul

variaz de la nivelul corespunztor sfritul palierului pana la nivelul
staionar minim .
Puterea in impuls Pi este energia disipata pe durata acestuia :
Pi

Ei
U I
ti

si este data de produsul amplitudinilor tensiunii si curentului .

Ca elemente active , circuitele de impulsuri pot folosi tuburi
electronice , tranzistoare bipolare sau unipolare , tiristoare , etc. In acest
capitol se vor analiza exclusiv circuitele de impulsuri cu tranzistoare
bipolare . Pe lng elementele de circuit active , circuitele de impulsuri
conin si subcircuite pasive de ordinul I de tip RC sau RL .
In practica se ntlnesc aproape exclusiv circuite de ordinul I de tip
RC.
4.2. Circuitele RC de ordinul I in regim de impulsuri
Deoarece conin un singur element de circuit reactiv (bobina sau
condensator) , circuitele de ordinul I sunt descrise printr-o ecuaie
difereniala de ordinul I cu coeficieni reali , astfel:

dy (t )
y (t ) x(t )
dt

(4.3)

unde x(t) este semnalul de intrare (excitaia) , y(t) este semnalul de ieire
(rspunsul ) iar este constanta de timp a circuitului .
Soluia de regim liber a ecuaiei (4.3) este de forma :
t
(4.4)
Ye(t ) Ae
unde A este o constanta de integrare iar 1
este soluia ecuaiei
caracteristice .
In mod frecvent , excitaia este un semnal treapta :

X0 t 0

X (t)

0 t 0

caz in care soluia de regim forat este data de relaia :

Y f (t ) X (t )

X 0 t 0
0 t 0

Soluia globala a ecuaiei difereniale de ordinul I este :

Y (t ) Y f (t ) Ae

(4.5)

Din relaia de mai sus pentru t se obine

devine :

Y f ( ) Y ( )

si (4.5)

Y (t ) Y () Ae

(4.6)
Cunoscnd valoarea iniiala Y(0) , din (4.6) pentru t=0 se obine
valoarea constantei de integrare :
A Y (t ) Y ()

si in final soluia ecuaiei (4.3) devine :

Y (t ) Y () Y (0) Y () e

(4.7)

In practica este necesar sa se determine intervalul de timp t t 2 t1 ,

in care rspunsul circuitului evolueaz de la nivelul Y (t1 ) la nivelul Y (t 2 ) .
Din (4.7) rezulta :
Y (t1, 2 ) Y () Y (0) Y () e
t1, 2 ln

t1, 2

Y ( ) Y ( 0)
Y (0) Y (t1, 2 )

i deci:
t t 2 t1 ln

y () y (t1 )
y ( ) y (t 2 )

(4.8)

Dac se consider:
y(t ) y(0) 0,4[ y() y (0)]
1
y(t ) y(0) 0,96[ y() y(0)]
2
Folosind (4.8) se poate justifica relaia (4.2), astfel:
0,96
t ln

(4.9)
0,4
n Figura 4.3.a este reprezentat un circuit Rc de integrare pentru care
avem succesiv:
U (t ) U (t ) u (t );U i (t ) R
R
R
C
1
dU (t )
C ; u (t ) u (t )
i (t ) i (t ) C
C
C
2
dt
du (t )
2 u2 (t ) u1(t ); RC
dt

Dac circuitul de integrare este excitat cu un semnal treapt (Fig.4.3.b).

U , t 0

0, t 0

u1 (t )

dat de:
rspunsul este dat de relaia (4.7):
u2 ( t ) uC ( t ) U C ( ) [U C ( 0) U C ( )]e

Considernd c la momentul t=0, condensatorul este complet descrcat

UC(0)=0, iar la momentul t= el este complet ncrcat, UC()=U, se obine:
U 2 (t ) U C (t ) U (1 e

(4.10)

Rspunsul (4.10), al circuitului de integrare la un semnal treapt este

redat n Fig. 4.3 c pentru dou valori i ale constantei de timp.
Integrala unuisemnal treapt este un semnal ramp.
Circuitul din Fig. 4.3a se apropie de un integrator ideal atunci cnd
constanta de timp =RC are valori foarte mari , caz n care condensatorul C
se ncarc cvasiliniar.
Din (4.9) rezult c timpul de cretere al rspunsului de la 0,4U la 0,96U
tc

RC
inc
des

(4.11)

este:
n domeniul frecven, circuitul de integrare se conport ca un FTJ. ntradevr, prin atenuarea frecvenelor nalte din spectrul semnalului treapt, se
elimin saltul instantaneu al acestuia de la 0 la U iar rspunsul u 2(t) prezint
o cretere mult mai lent ntre cele dou nivele. Prin analogie cu Fig. 1.9.c,
circuitul de integrare poate fi considerat ca o semicelul Rc de filtrare trece
jos.

Dac excitarea circuitului de integrare se face cu impulsuri

dreptunghiulare
(Fig. 4.3.d) rspunsul (Fig. 4.3.f) se obine aplicnd
principiul superpoziiei (impulsul dreptunghiular de la intrare se
descompune ntr-o sum de semnale treapt decalate n timp cu t i i de
polaritate diferit).
Pentru o durat tI dat a impulsurilor, circuitul are efect integrator dac:
Trti t
(4.12)
i
n plus, pentru a nu se realiza deplasarea nivelului componentei continue
la ieire, trebuie ca:
ceea ce permite descrcarea complet a condensatorului n pauza dintre
impulsuri.
Amplitudinea maxim a semnalului de ieire rezult din (4.10):
t

U 2 M U (1 e

Circuitul de integrare realizeaz deci o lrgire a impulsurilor

dreptunghiulare i o reducere a amplitudinii acestora.
n circuitele de impulsuri, timpii de cretere i de scdere ai semnalelor
n impuls sunt determinai de efectul integrator al capacitilor parazite
dispuse n paralel pe calea de semnal.
n Fig. 4.4.a este reprezentat un circuit RC de derivare (difereniere)
pentru care semnalul de ieire se culege de pe rezistena R:
U2(t)=UR(t)=U1(t)-UC(t)

RC
inc
des

(4.13)

Tensiunea pe condensator este dat de (4.10) iar excitaia este un semnal

treapt i deci:
u (t ) U
2

(t ) Ue

Rspunsul circuitului de derivare la un semnal treapt este reprezentat n

Fig. 4.4.c pentru dou valori i ale constantei de timp.
Fig.4.4

Derivata unui semnal treapt este un impuls Dirac ponderat cu valoarea

discontinuitii din origine U(t). Circuitul din Fig.4.4.a se apropie de un
circuit de derivare ideal pentru valori foarte mici ale constantei de timp
=RC.
Timpul de descretere al rspunsului U2(t) de la 0,96U la 0,4U este:
n domeniul frecven circuitul de derivare se comport ca un F.T.S.
Dac excitarea circuitului se face cu impulsuri periodice dreptunghiulare
(Fig. 4.4.d) rspunsul se obine tot prin aplicarea principiului superpoziiei.
Pentru a rmne un circuit de derivare i n regim de impulsuri, trebuie
ndeplinit condiia:

Pentru a se evita deplasarea nivelului n curent continuu trebuie

ndeplinit condiia (4.12).n final, constanta de timp a circuitului de
derivare este limitat de relaia:
min{ t i , Tr t i }

Circuitul de derivare realizeaz o ngustare a impulsurilor

dreptunghiulare pe care le transform n impulsuri bipolare cu amplitudini i
durate egale (fi. 4.4.e).
Dac
t

circuitul din Fig.4.4.a devine un circuit de cuplaj de tip RC. Deoarece

circuitul de cuplaj este destinat s elimine componenta de curent continuu
(Fig.4.4.f) trebuie ca >Tr- ti.
Constanta de timp a circuitului de cuplaj trebuie deci s ndeplineasc
ti

U U (1 e ), RC

condiia:
>max{ti,Tr- ti}.
Cderea de amplitudine pe palier U reprezint nivelul de tensiune la
care se ncarc condensatorul C pe durat ti i conform (4.10) se obine:
Mrimea U reprezint distorsiunea introdus de circuitul de cuplaj Rc
i poate fi micorat prin creterea capacitii condensatorului de cuplaj n
condiiile n care rezistena R este de obicei dat.
n circuitele de impulsuri, efectul de derivare i distorsiunile datorate
cderii de tensiune pe palier sunt produse de condensatoarele dispuse n serie
pe calea de semnal (condensatoare de cuplaj).
4.3. Tranzistorul bipolar n regim de comutaie
La funcionarea n regim de impulsuri tranzistorul bipolar se poate gsi
ntr-una din urmtoarele stri:
- blocri, n care curentul de colector I C este foarte mic, practic egal cu
zero, iar tensiunea UCE are valori apropiate de tensiunea de alimentare
EC;
- conducie, n care curentul de colector I C are valori mari iar tensiunea
UCE este redus (n cele mai multe cazuri tranzistorul este n
saturaie);
- comutare direct, n care curentul de colector I C crete rapid iar
tranzistorul trece din stare de conducie n stare de blocare.

Cea mai simpl schem de circuit de comutaie cu tranzistor bipolar este

reprezentat n Fig. 4.5a. iar n Fig.4.5b. sunt redate caracteristicile de ieire
ale unui tranzistor bipolar n montaj EC i dreapta de sarcin.
Regiunea de blocare corespunde situaiei n care ambele jonciuni ale
tranzistorului sunt polarizate invers i este cuprins ntre caracteristica
corespunztoare la IB=0 i abscis.
Regiunea activ normal corespunde situaiei n care jonciunea B-E este
polarizat direct i jonciunea B-C invers i este dispus ntre regiunile de
blocare i respectiv de saturaie, haurate n Fig.4.5b.
Regiunea de saturaie corespunde situaiei n care ambele jonciuni ale
tranzistorului sunt polarizate direct i este delimitat de o dreapt paralel cu
ordonata corespunztoare tensiunii UCES, numit i tensiunea de saturaie
IC

E C U CE

RC

EC
RC

(4.14)

incipient.
n saturaie UCE<UBE, valorile tipice ale acestor tensiuni, la limita de saturaie
pentru un tranzistor npn cu SI fiind UCES= 0,3V i UBES =0,7V.
Curentul de colector la limita de saturaie este dat de relaia:
n saturaie curentul de colector nu mai urmrete creterea curentului de
IB

E
C
RC

(4.15)

comand din baza tranzistorului deci:

I

de unde, innd cont de (4.14.), rezult:

Ultima relaie reprezint un criteriu de saturaie a tranzistorului bipolar.
Punctul static de funcionare M1 al tranzistorului se alege n regiunea de
blocare, pentru consum minim de energie n stare neexcitat. n regim de
comutare normal, amplitudinea impulsului pozitiv de intrare determin
deplasarea punctului de funcionare n M2, pe caracteristica IB<IBS, n
regiunea activ normal.
n regim de comutaie forat, tranzistorul comut din blocare n
saturaie, ntre punctul M1 i punctul M4 dispus pe caracteristica IB>IBS.
Pentru aceasta, amplitudinea Uin a semnalului n impuls de la intrare
(Fig.4.5c.), trebuie s fie suficient de mare ca s determine un curent de baz
IB<IBS E/RC.
Curentul de baz I B ia valoarea IB cu o ntrziere tb fa de momentul
aplicrii excitaiei, datorit descrcrii capacitilor de barier ale celor dou
jonciuni, polarizate invers n starea iniial de blocare a tranzistorului ( la
polaritate invers capacitatea unei jonciuni este practic egal cu capacitatea
de barier).

La rndul lui, curentul de colector Ic ncepe s creasc cu o ntrziere tdf

necesar pentru difuzia purttorilor de sarcin injectai n baz. Aceast
ntrziere poate fi interpretat ca fiind timpul necesar pentru ncrcarea
capacitaii de difuzie a jonciunii B-E polarizat direct (la polarizare direct
capacitatea de barier devine neglijabil n raport cu cea de difuzie).
Suportul fizic al creterii curentului de colector la valoarea IC este dat de
sarcina acumulat n baz, din care acesta se formeaz. Timpul de cretere tc
al curentului de colector este necesar pentru acumularea sarcinii n baz i
determin caracterul integrator al tranzistorului bipolar fa de excitaie.

Fig.4.5.
Se numete grad de saturaie i se noteaz cu S, raportul dintre valoarea
maxim a curentului de baz i valoarea maxim a curentului de baz
corespunztoare zonei de saturaie incipient:
S

IB
1
I BS

n [13] se arat c timpul de cretere tc la comutaia forat este:

unde e reprezint constanta de timp echivalent ce caracterizeaz efectul
integrator al tranzistorului de combatere normal.
t c e ln

S
S 1

(4.16)

Din (4.16) rezult scderea timpului de cretere atunci cnd se mrete

gradul de saturaie al tranzistorului.
Timpul necesar comutrii directe a tranzistorului este:
t cd t b t df t c t c

(4.17)

deoarece tb i tdf au valori uzuale de ordinul nanosecundelor.

n comutare direct forat punctul dinamic de funcionare parcurge
segmentul M1M4 pe dreapta de sarcin n baz. Din aceast cauz scderea
curentului de baz nu determin scderea imediat a curentului de colector.
n acest interval de timp , punctul dinamic parcurge segmentul M4M3 pe
dreapta de sarcin iar curentul de colector scade foarte puin. n [15] se arat
c timpul de stocare ts se reduce atunci cnd curentul de comand iB devine
negativ, proporional cu mrimea saltului negativ al acestuia. Timpul de
descretere td al curentului de colector este necesar evacurii sarcinii stocate
n baz i poate fi redus n acelai fel ca ts.
Timpul de comutare invers este deci:
Diagramele de timp din Figura 4.5. indic faptul c circuitul de
comutaie din Fig. 4.5 poate fi considerat un amplificator de impulsuri care
t ci t S t d

(4.18)

determin ns o lrgire a impulsului de ieire fa de cel de intrare datorit

timpilor de comutare tcd i tci. OO cale de reducere a timpilor de comutare
(Fig.4.6.a) const n introducerea unei surse negative de polarizare care

reduce tci i a unei surse negative de polarizare care reduce tci i a unui grup
RC numit de accelerare care reduce tcd prin creterea gradului de saturaie S.
La momentul aplicrii excitaiei, condensatorul C scurtcircuiteaz
rezistena R i curentul de comand are valoarea I B1>IBS, ceea ce reduce
timpul de cretere tc al curentului de baz ar crete timpul de stocare t s dar la
ncrcarea condensatorului curentul de baz se reduce i ajunge la valoarea
IBS corespunztoare zonei de saturaie incipient atunci cnd C este complet
ncrcat i nu mai scurtcircuiteaz rezistena R. La comutarea invers, a
tranzistorului, prin descrcarea condensatorului se asigur un salt negativ
IB2 al curentului n baz care reduce att timpul de stocare IBS ct i timpul de
descretere.
Reducerea n principal a timpului de comutaie invers tci se poate obine
cu circuitul din Figura 4.6d care evit intrarea n saturaie a tranzistorului
printr-o reacie negativ neliniar.
Rezistena R se calculeaz astfel nct atunci cnd iB atinge valoarea IBS
corespunztoare intrrii n saturaie dioda D s se deschid i s limiteze
curentul de baz. Pentru acesta tensiunea pe rezisten trebuie s fie mai
mare dect cderea de tensiune pe diod:
R ( I BS I 1 ) U D

unde UD se determin din caracteristica static a diodei pentru ID=Iin- ( IBS +

I1). n acest fel. La comutarea direct, tranzistorul se menine la limita zonei
de saturaie (punctul M3 de funcionare din Figura 4.5b).
4.4. Circuitul basculant bistabil
n cadrul circuitelor de impulsuri, o pondere important o dein circuitele
basculante. Acestea sunt circuite de comutaie caracterizate prin dou stri
de echilibru, formate din dou etaje de amplificare n impuls conectate n
cascad i prevzute cu o bucl de reacie.
Circuitele basculante pot fi realizate n tehnologie discret (folosit n
prezent pe scar redus) sau n tehnologie integrat.
Circuitul basculant bistabil (CBB) este caracterizat prin aceea c ambele
stri de echilibru sunt stabile i n consecin, comutarea ntre cele dou stri
stabile se face doar la o comand extern. n Fig. 4.7a se prezint cel mai
simplu CBB obinut prin conectarea n cascad a dou etaje de amplificare
n impuls inversoare, de tipul celui din Fig. 4.5a. Cuplajul ntre etaje este
rezistiv iar bucla de reacie pozitiv se realizeaz prin conectarea ieiri celui
de-al doilea etaj la intrarea primului. Caracteristica de transfer a
amplificatorului n lipsa reaciei este reprezentat cu linie continu.
Pentru u1<u1 tensiunea n baza lui T1 este sub nivelul de deschidere,
acesta este blocat i tensiunea sa mare din condensator l menine pe T2 n
saturaie iar u2 are o valoare redus. Pentru u1<u1<u1, T1 comut din

blocare n conducie, tensiunea sa n colector scade i produce intrarea n

blocare a lui T2 iar u2 va crete. Pentru u1>u1, T1 este saturat, T2 este blocat
i u2 are o valoare apropiat de EC. nchiderea buclei de reacie implic
u1=u2, locul geometric al punctelor care ndeplinesc aceast condiie fiind
dreapta reprezentat punctat n Fig. 4.7.b. Din cele trei puncte de intersecie
astfel obinute, doar A corespunztor strii T1- blocat i T2 saturaie i C
(T1 conducie i T2 - blocat) sunt stabile. n Fig.4.8.a. se prezint schema
modificat topologic a CBB simetric, prevzut cu intrrile de comand n
raz iar n Fig.4.8.b. digramele de funcionare ale acestuia. S-a considerat
starea iniial a CBB ca fiind T1 blocat i T2 saturat. La aplicarea unui
impuls de comand pozitiv n baza lui T1 cu amplitudinea suficient cu
tensiunea n baz s depeasc nivelul de prag de deblocare, T1 intr n
conducie, tensiunea lui scade, scderea tensiunii uc1 se transmit n baza lui
T2 care iese din saturaie.
Tensiunii uC2 se transmite in baza lui T1 si determina deschiderea si
mai accentuata a acestuia astfel inct se formeaz un ciclu regenerativ care
determina comutarea CBB in stare stabila: T1 - saturaie,T2 - blocare. In
regim de blocare tensiunea din colectorul lui T2 este apropiata de EC si
menine pe T1 in conducie si dup terminarea impulsului de comanda din
baza lui T1.
Bascularea CBB impune ca durata impulsului de comanda sa acopere timpul
necesar ca T1 sa comute direct ca T2 sa comute invers:
tic-da tcd tci
Revenirea CBB la starea stabila iniial se realizeaz printr-un ciclu
regenerativ asemntor la aplicarea unui impuls de comanda pozitiv in baza
lui T2
Fig. 4.8.
Pentru a asigura funcionarea CBB din figura 4.8.b este necesar sa fie
ndeplinite condiiile de saturaie si de blocare ale tranzistorelor T1 si T2.
Fiind data tensiunea de alimentare EC si alegnd punctul
M3 (UCES,ICS)din figura 4.5.bca externa superioara curbei dinamice , se poate
determina rezistenta de colector:
RC

EC U CES EC

I CES
I CS

(4.20)

Unde s-a inut seama ca UCES 0,3V este neglijabila in raport cu tensiunea de
alimentare.
Curentul de baza al tranzistoarelor este:
IB

EC U BE
EC

RB RC
RB RC

Deoarece valoarea maxima de 0,7Vla saturaie , a tensiunii UBE este

neglijabila in raport cu EC .

nlocuind relaia de mai sus in (4.15) se obine condiia de saturaie :

RB(-1)RC (4.21)
Rezistenta RB se determina din (4.21) considerat la limita, pentru a asigura
funcionarea in zona incipienta de saturaie.
Deoarece in saturaie tensiunea de colector este 0,3V, tensiunea
aplicata prin RB in baza celuilalt tranzistor respecta condiia de blocare.
Amplitudinea impulsurilor culese de pe colectoare este
U C U CB U CS U CB

iar pentru schema din figura 4.8a rezulta:

U C

RB
RB RC

(4.22)

In figura 4.8c se prezint cu titlu informativ o schema de CBB cu

timpi de comutaie redui obinute prin conectarea la cascada, cu bucla de
reacie polara, a doua etaje de amplificare de tipul celui din 4.6a. In principal
CBB se folosete ca element de memorie in sistemele binare in care
numerele 0 si 1 sunt echivalente cu strile de conducie sau blocare in care
se poate afla un tranzistor in regim de comutare. n logica pozitiva, palierul
superior al unui impuls se asociaz cifrei 1 (corespunde nivelului u c al
tensiunii de colector pentru un tranzistor blocat) iar palierul inferior al
impulsului se asociaz cifrei 0(corespunde nivelului uc pentru un tranzistor
aflat in conducie)Pentru a amplifica analiza diferitelor tipuri de CBB s-a
realizat o standardizare a acestora. Astfel CBB in figura 4.8 este un bistabil
RS iar tabelul de funcionare numit si tabelul de adevr este redat in fig. 4.8
d. Cele doua intrri de comanda numite si intrri de date notat cu R (iniiala
de la RESET - tergere) si S (iniiala de la SET iniializare)iar cele doua
ieiri in anti faza s-au notat Q si (Q negat)
Tabelul de adevr ilustreaz in mod sintetic funcionarea CBB
caracterizata in detaliu de diagramele de impuls din figura 4.8b.
ntr-adevr, dac CBB se gsete la momentul n n starea Q 1, Q 0
(T1 blocat, T2 - conducie) i se aplic un impuls la intrarea R (R=1, S=0),
acesta basculeaz la momentul n+1 n starea Q 0, Q 1 . Circuitul
bistabil aflat la momentul n n starea Qn=0, comut n starea Qn+1=1 dac se
aplic un impuls pe intrarea S (R=0, S=1). n sfrit, starea CBB rmne
nemodificat, Qn+1=Qn dac R=0 i S=0. Comanda simultan pe ambele
intrri, R=1, S=1 nu este permis deoarece s-ar fora intrarea n conducie a
ambelor tranzistoare Q 0, Q 0 , ceea ce nu este posibil datorit buclei de
reacie pozitive i starea CBB va fi nedeterminat (fie Q 0, Q 1 , fie
Q 1, Q 0 ).
n

n 1

n 1

Aa cum se arata in capitolul 6, funciile logice elementare NU,SI,

SAU, SI i SAU se implementeaz cu ajutorul porilor logice ale cror
simboluri i tabele de adevr sunt cele din figura 4.9.

Fig. 4.9.
Folosind pori logice realizate in tehnologie integrata se poate
obine o mare varietate de circuite basculante bistabile. astfel bistabilul de
tip RS poate fi obinut utiliznd poarta SAU aa cum ne indica in figura
4.10a. tabelul de adevr (figura 4.10b)coincide cu cel al CBB din figura
4.8a.

Fig. 4.10.
Intr-adevr, conform tabelului de adevr al funciei SAU din figura
4.9e rezulta:pentru R=1 poarta 1 este forata in Q=0 indiferent de starea
celeilalte intrri iar pentru S=0 poarta 2 are ambele intrri in 0 si deci. Q =1;
pentru S=1 poarta 2 este forata in Q =0 indiferent de starea celeilalte intrri
iar pentru R=0 poarta 2 are ambele intrri in 0 si Q=1; pentru R=0 si Q n =0
poarta 2 are ambele intrri in 0 si deci Q = Q =0 porta 1 cu intrrile 0 si
1, deci va avea ieirea Q = Q =0; pentru R=0 si S=0 si Q n =1 poarta 2 are
intrrile in 1 si 0, deci Q =0 iar poarta 1 cu ambele intrri in 0 i menine
ieirea in Q = Q =1; pentru R=1 si S=1 ieirile ambelor pori sunt forate
in 0 de aceea aceasta combinaie la intrare nu este admisa .
Prin folosirea porilor SI se obine un bistabil de tip RS (figura 4.10c).
Tabelul de adevr din figura 4.10b a acestui bistabil si notarea intrrilor cu
R si S , indica faptul ca modificarea ieirilor se produce atunci cnd una
dintre ele este 0 si nu 1 ca in cazul schemei anterioare iar combinaia
n 1

n 1

n 1

n 1

interzisa la intrare este acum R = S =0.Pentru simplificare, bistabilele de tip

RS se reprezint simbolic ca in figura 4.10e. Circuitele basculante ca in
figura 4.10 se numesc asincrone si se caracterizeaz prin aceea ca
modificarea intrrilor determina in mod necondiionat modificarea ieirilor.
In figura 4.11a se prezint un bistabil RS sincron. Pe lng intrrile date de
R si S, acesta este prevzut cu o intrare de tact T care controleaz momentul
in care datele aplicate la intrare sunt transferate la ieire . La intrarea de tact
se aplica impulsuri dreptunghiulare periodice care asigura funcionarea
bistabilului in mod sincron cu alte circuite logice in cadrul unui sistem.
Bistabilul RS sincron se obine prin completarea schemei RS
asincrone cu doua pori SI ale cror intrri R si S sunt validate de semnalul
de tact atunci cnd T=1, caz in care la ieirea porilor 1 si 2 se obin
comenzile R si S . In plus prin folosirea porilor 3 si 4 de tip SI cu trei
intrri se realizeaz doua intrri de comanda asincrone R A si S A , active
cnd sunt in 0 si care comanda ieirile indiferent de prezenta sau nu a
impulsurilor de tact. Tabelul de adevr al bistabilului RS sincron este cel din
figura 4.10b iar simbolul corespunztor este reprezentat in figura 4.11b.

Fig. 4.11.
O categorie importanta de bistabile o formeaz cele cu structura
stpn-sclav (master-slave). Ele sunt formate din doua circuite basculante
sincrone, conectate in cascada si comandate in antifaza. In continuare, pentru
acest tip de CBB se va utiliza terminologia bistabil MS.In figura 4.11c este
reprezentata schema unui bistabil MS de tip RS (porile 1,2,3 si 4 formeaz
bistabilul RS sincron de comanda sau stpn, porile 5,6,7 si 8 formeaz
bistabilul RS sincron comandat sau sclav, iar inversorul 9 asigura comanda
in antifaza a celor doua bistabile. Impulsul de tact (figura 4.11d) acioneaz
asupra bistabilului in patru timpi: la momentul unu porile 5 si 6 se
blocheaz ( T =0)si ieirile bistabilului stpn sunt izolate de intrrile
bistabilului sclav; la momentul 2 porile 1 si 2 se deschid (T=1)si informaia
de la intrrile R si S se transfera la ieirea bistabilului stpn; la momentul 3
porile 1 si 2 se blocheaz si bistabilul stpn se izoleaz de intrrile sale
date iar la momentul 4 porile 5 si 6 se deschid si informaia de la ieirile

bistabilului stpn se transfera la bistabilul sclav. Fata de bistabilul RS

asincron simplu, bistabilul de tip MS asigura o mai buna protecie mpotriva
comutrilor parazite datorate prezentei perturbaiilor.
Aa cum rezulta din tabelul de adevr din figura 4.10b, principalul
dezavantaj al bistabilului RS este necesitatea evitrii combinaiei R=S=1l a
intrare. Acest dezavantaj este eliminat de bistabilul JK(J-corespunde intrrii
S si provine de la JAM - foreaz iar K-corespunde lui R si provine de la
KEEP - retine).In figura 4.12a este reprezentata schema unui bistabil JK
asincron realizat cu pori SI Tabelul de adevr al bistabilului JK este
reprezentat in figura 4.12b si arata ca atunci cnd la intrare apare combinaia
J=K =1, interzisa anterior, starea bistabilului se schimba in Q n 1 = Q .
Aceasta se poate verifica uor folosind schema bistabilului JK si tabelul de
adevr al funciei logice SI din figura 4.9d. Simbolul bistabilului asincron
este cel din figura 4.12c.
n

Fig. 4.12.
La fel ca bistabilul RS si bistabilul JK poate fi realizat in structura
sincrona sau de tip MS avnd eventual si intrri de comanda asincrone. Un
tip de bistabil sincron folosit in practica ca element de memorie tampon in
sistemele de afiaj, este bistabilul D (provine de la DELAY - ntrziere).
Acest tip de bistabil are o intrare de tact T si o singura intrare de date, notata
cu D si care este reprodusa la ieire pe durata impulsului de tact T=1,
conform tabelului de adevr din figura 4.12e . Bistabilul D (figura 4.12d)
poate fi obinut dintr-un bistabil RS sincron(figura 4.11a) fr intrri de
comanda asincrone, comandat in antifaza pe intrrile de date S=d i R D ,
deoarece cnd T=1 ieirea porii 1 este D. Simbolul bistabilului D este cel
din figura 4.12f . In literatura tipul de bistabil D din figura 4.12d se mai
numete i bistabil lateh (zvor).
Bistabilul de tip T(provine de la TOOGLE - comutator) nu este
disponibil ca atare dar poate fi realizat prin intermediul altor tipuri de
bistabili. Bistabilul T asincron (figura 4.12g) se obine comutnd mpreun

intrrile de date J si K si obinnd astfel intrarea de date T. Conform tablei

de adevr din figura 4.12b pentru T=0, bistabilul i menine starea Q n+1=Qn,
iar pentru T=1, bistabilul comut Q Q . Varianta sincrona a bistabilului
T obinut din bistabilul JK sincron este reprezentata in figura 4.12h.
Bistabilul T sincron comuta la aplicarea fiecrui impuls de tact aplicat
la intrare. Bistabilul T este folosit in principal la realizarea numrtoarelor
binare.
n 1

4.5. CIRCUITUL BASCULANT MONOSTABIL

Circuitul basculant monostabil (CBM) este caracterizat prin aceea ca
una dintre strile de echilibru este stabila iar cealalt este cvasistabil .
Comutarea din starea stabila in cea cvasistabil se realizeaz doar la o
comanda externa iar revenirea in starea stabila se face dup o durata de timp
determinata exclusiv de parametrii interni ai CBM.
O schema simpla de CBM (figura 4.13a) poate fi obinuta din schema
CBB reprezentata in figura 4.7a prin realizarea unui cuplaj capacitiv intre T 1
si T2 si conectarea rezistentei RB2 intre baza lui T2 si sursa de alimentare cu
rol de rezistenta de temporizare.
In figura 4.13b este prezentata schema, modificata topologic, a
monostabilului prevzut cu intrare de comanda in baza lui T1. Starea stabila
a schemei corespunde saturrii lui T2. Valoarea sczuta a tensiunii din
colectorul lui T2 in saturaie asigura transmiterea prin R B1 in baza lui T1 a
unei tensiuni suficient de mici ca acesta sa fie blocat.

Fig. 4.13.
La aplicarea pe baza lui T1 a unui impuls pozitiv de comanda a crui
durata sa ndeplineasc condiia (4.19) acesta se deschide si declaneaz un
proces tranzitoriu in avalan care provoac bascularea monostabilului in
starea cvasistabil ( T1 in conducie, T2 blocat). Saltul negativ de tensiune din

colectorul lui T1 aflat in conducie se transmite prin condensatorul C (acesta

elimina componenta continua a tensiunii UC1) in baza lui T2 pe care l
blocheaz. Starea cvasistabil dureaz att timp cat tensiunea in baza lui T2
(care creste datorita ncrcrii condensatorului C de la E C prin RB2 si prin
tranzistorul T1 aflat in conducie la masa ) nu depete pragul UP de
conducie. La atingerea acestui prag T2 se deschide si monostabilul revine un
starea de avalan in starea stabila iniiala.( T 1 blocat, T2.conductie). Saltul
pozitiv de tensiune din colectorul lui T1 aflat in blocare se transmite prin C in
baza lui T1 si determin o supra cretere a tensiunii U B2 la momentul t2 .Prin
ncrcarea condensatorului C de la EC prin RC1 si jonciunea B-E a lui T1
aflat in conducie, tensiunea UB2 revine la valoarea de saturaie incipienta.
Rezistenta de colector a tranzistorului T2 se determina din relaia 4.20:
RC 2

EC
I CS

Pentru ca, n starea stabila, T2 sa fie in saturaie, trebuie ndeplinita

condiia (4.15):

I B2

EC
RC 2

I B2

EC U BE EC

RB 2
RB 2

in care:
In final, condiia de saturaie a lui T2 devine: RB RC
2

Rezistenta RB2 se determina din (4.23) considerat la limita pentru a se

asigura funcionarea in zona incipienta de saturaie.

RB 2 RC 2

(4.23)

Pentru ca in starea cvasistabil tranzistorul T1 sa fie in saturaie trebuie

ndeplinita condiia(4.15):

I B1

EC
RC1

in care:

I B1

EC U BE
EC

RB1 RC 2 RB1 RB 2

In final condiia de saturaie a lui T2 devine:

RB1 RC1 RC 2

(4.24)

Rezistenta RC1 din colectorul lui T1 se determina tot din relaia (4.20).
Diagramele din figura (4.13c) arata ca CBM furnizeaz impulsuri cu durata
data la aplicarea unui impuls de comanda. Durata ti a impulsului de ieire
este proximatic egala cu intervalul de timp t 2-t1. De ncrcare a
condensatorului C cu constanta de timp

CRB 2
(ncrcarea lui C este ntrerupta de deschiderea lui T2)
Folosind relaia (4.8) rezulta:

ti ln

u B 2 ()u B 2 (t1)
u B 2 ()u B 2 (t2 )

unde:

uB 2 () EC , uB 2 (t1) uBS EC EC iar uB 2 (t2 ) u p

Durata aproximativa a impulsului format de monostabil:

ti ln 2 0,7CRB 2

(4.25)

Depinde deci exclusiv de circuitul temporizare format din C si RB2.

Amplitudinea impulsului din colectorul tranzistorului T1 este

U C1 EC RICb U CS EC

deoarece curentul de colector ICb al lui T1 aflat in blocare si tensiunea in

colector la saturaie UCS sunt neglijabile.
Amplitudinea impulsului din colectorul T2 este:

U C 2 UCb uCS uCb

RB1
EC ,
RB1 RC 2

unde s-au neglijat pe rnd tensiunea din colectorul lui T 2 la saturaie si

tensiunea din baza lui T1 la blocare, dei amplitudinea este puin mai mica
dect in colectorul lui T1 cu semnal de ieire al CBM se prefera impulsul din
colectorul lui T2 deoarece are timpi de comutaie mai redui. Aceasta se
datoreaz formei tensiunii din baza uB2 si prezint un salt negativ puternic
care reduce tCi si o cretere pozitiva ce depete uBS care reduce tcd .
Circuitul monostabil este utilizat ca formator de impulsuri cu durata
data, ca circuit de ntrziere al impulsurilor pe un interval de timp dat sau
realizarea modulaiei in durata a impulsurilor.
Funcionarea normala a CBM din figura 4.13b impulsul ca durata
impusului de comanda sa fie mai mica dect durata impulsului format de

monostabil (tcda<ti) in caz contrar impulsul de comanda se aplica in baza lui

prin intermediul unui circuit de difereniere RC (figura 4.4)
Circuitele basculante monostabile pot fi obinute si prin folosirea
porilor logice realizate in tehnologie integrata. n figura 4.14b sunt redate
diagramele de timp corespunztoare unui CBM realizat cu doua pori SI
(figura 4.14a)

Fig. 4.14.
Starea stabila a CBM este caracterizata prin u in=1,Q=0, Q=1,uR=0 iar
condensatorul C este descrcat. La trecerea tensiunii de intrare in O
conform tabelului de adevr din figura 4.9d, ieirea porii 1 este forat n 1,
saltul pozitiv de tensiune se aplica prin C la intrrile aflate in scurtcircuit ale
porii 2 a crei ieire devine 0.Se produce astfel trecerea in avalana a CBM
in stare cvasistabil ( Q=1, Q=0). Pe msur ce condensatorul C se ncarc
prin rezistenta R la masa, tensiune uR scade si in momentul in care aceasta
scade sub nivelul de prag up. Schema basculeaz in starea stabila (poarta 2
este forat n 1 iar porta 1 cu ambele intrri in 1 revine in 0). Starea stabila
iniial a CBM (Q=0)este asigurata daca tensiunea u R de pe rezistenta de
temporizare, datorata curentului de la cele 2 intrri ale porii 2, este mai mica
dect tensiunea de prag up .Daca porile SI-NU sunt realizate in tehnologie
TTL (figura 6.17) tensiunea de prag este up=1,4V si rezulta:

up
1,4V

437
2I IL 21.6mA

unde IIL este curentul debitat de intrare a porii la care tensiunea este 0.

Durata ti a impulsului format de monostabil este proporionala cu

constanta de timp de ncrcare a condensatorului si aa cum se arata in
lucrarea 9 este data de relaia:

ti ln 3 1,1RC

Cele 2 relaii de mai sus permit dimensionarea rezistentei si capacitaii de

temporizare pentru monostabilul cu pori TTL.
4.6. CIRCUITL BASCULANT ASTABIL
Circuitul basculant astabil (CBA) sau pe scurt astabilul este caracterizat prin
faptul ca ambele stri de echilibru sunt cvasistabile. Duratele celor 2 stri
cvasistabile sunt determinate exclusiv de parametrii circuitelor de
temporizare RC din structura CBA. O schem cvasistabil larg folosit n
practic este cea din fig. 4.15. a, care se obine din schema CBM (fig. 4.13.)
prin nlocuirea cuplajului rezistiv dintre colectorul lui T 2 i baza lui T1 cu un
cuplaj capacitiv. Diagramele de timp corespunztoare sunt cele din figura
4.15,b.

Fig.4.15
S-a considerat ca astabilul se gsete n starea (T 1-blocat i T2conducie), caz n care C1 se ncarc prin RB1 i T2 pn cnd tensiunea n
baza lui T1 depete tensiunea de prag. n acest moment T1 intr n
conducie, saltul negativ de tensiune din colectorul su se transmite prin R C2

n baza lui T2 pe care l blocheaz i schema comut n regim de avalan n

starea cvasistabil (T1-conducie, T2-blocat). Durata acestei stri este
proporional cu constanta de timp de ncrcare a lui C 2 prin RB2 i T1 i
conform (4.25) rezult:
ti1 0,7 C2 RB2
Cnd tensiunea pe baza lui T2 depete UP aceasta intr n conducie i
provoac blocarea lui T1. Astfel CBA revine n starea cvasistabil anterioar
a crei durat este:
ti2 0,7 C1 RB1
i procesul se repet.
Rezistenele de colector RC1 i RC2 se determin folosind relaia
(4.20).Intrarea n saturaie tranzistoarelor T1 i T2 necesit respectarea unor
condiii similare cu (4.23) i anume:
RB1 rC1 ; RB2 rC2
Circuitele basculante astabile se folosesc ca generatoare de impulsuri
dreptunghiulare cu durat dat (ti1 sau ti2) i perioada de repetiie de
asemenea dat T 0,7 ( C1 RB1 + C2RB2) .
O schem logic utilizat de astabil cu pori logice NU, realizate n
tehnologie integrat, este cea din fig. 4.16 b.

Fig.4.16
Porile logice NU snt n esen amplificatoare de impulsuri
inversoare.
Iniial, starea CBA este: Q=1 , Q=1 i condensatorul C n curs de
descrcare. n momentul n care u1 scade sub valoarea de prag poarta 1 este
forat n 1 conform tabelului de adevr din fig. 4.9. a. iar poarta 2 comut n
Q=0 fornd poarta 3 n Q=1. CBA a trecut deci n starea cvasistabil( Q=0 ,

Q=1) iar condensatorul C se ncarc pe urmtorul traseu:ieirea

porii3,condensatorul R,intrarea porii 2 (poarta aflat n 0 debiteaz curent
iar poarta aflat n 1 absoarbe curent).
Durata strii cvasistabile est proporional cu constanta de timp
T=RC i aa cum se arat in lucrarea bibliografic [12], n cazul n care
porile NU sunt de tip TTL este adevrat relaia: Ti1 0,93RC
La atingerea pragului UP = 1,4 V ,astabilul comut n . (Q=1 , Q=0)
iar condensatorul C se descarc pe acelai traseu dar pe sens contrar.
Se demonstreaz c durata acestei stri este:
Ti2 3,2 RC
Pentru a se asigura un curent de comand suficient de mare pentru
poarta1 se impune ca:
R 1,8 K
Astabilul din fig. 4.16. conine un singur circuit RC de polarizare. Din
aceast cauz rapoartele dintre duratele impulsurilor generate (t i1 sau ti2) i
perioada de repetiie
T = + ti2 = 2,73 RC sunt constante.
Singura dat de proiectare pentru CBA cu pori I NU e deci
perioada de repetiie a impulsurilor generate
Astabilul din fig. 4.16. conine un singur circuit RC de vaporizare.
Din aceast cauz rapoartele dintre duratele impulsurilor generate (ti1 sau ti2)
m

i perioada de repetiie u t U 0 U n cos n0t n ti1 ti 2 2,73RC sunt

n 1

constante.
Singura dat de proiectare pentru CBA cu pori I NU e deci
perioada de repetiie a impulsurilor generate.
Un circuit basculant care poate funciona att n regim astabil ct i n
regim de monostabil este generatorul (GA) numit i uneori blocking. Se
caracterizeaz prin aceea c are n compunere un singur etaj de amplificare
inversor cu transistor, prevzut cu o bucl de reacie pozitiv utilizat cu
ajutorul unui transformator de impulsuri cu miez nesaturat. Generatorul
autoblocat se utilizeaz n special pentru generarea (n regim de astabil) sau
formarea (n regim de monostabil) a unor impulsuri de putere, cu durata
foarte scurt i avnd timpii de cretere i respectiv descretere mici.
Cu titlul informative n fig. 4.71 a,b se prezint schema, respective
diagramele de timp ale GA n regim monostabil.

Fig.4.71
n fig. 4.17. a,c s-au notat cu asterix bornele bobinelor ale cror
poteniale sunt n faz.
Se consider c starea iniial a GA n regim de astabil este cea n care
T este blocat, iar C se descarc. n momentul n care tensiunea n baza lui T
depete valoarea de prag, T intr n conducie i schema comut n regim
de avalan n noua stare cvasistabil n care T este saturat (deschiderea lui T
determin scderea tensiunii sale n colector care se transmite n nfurarea
L2 ca o cretere de tensiune, ceea ce l deschide i mai mult pe T, etc.). Dup
comutare, n nfurarea L2 se induce o tensiune electromotoare e ct ,
datorit curentului cresctor de magnetizare din nfurarea L1.
Condensatorul C se ncarc de la e 2 n principal prin rezistena jonciunii B-E
a lui T la mas i tensiunea n baz, UB=e2-UC scade lent. n momentul n care
T iese din saturaie, se stabilete bucla de reacie pozitiv i GA comut n
avalan n starea cvasistabil iniial i T se blocheaz (scderea tensiunii n
baz determin un salt pozitiv al tensiunii n colector, care prin L 2 se
transmite ca salt negativ n baz, tensiunea n colector crete i mai mult,
etc.). Dioda D i rezistena R sunt destinate s elimine oscilaiile postimpuls
care apar datorit excitrii circuitului format din L1 i capacitatea parazit Cp,

de curentul de demagnetizare Pe ct T este blocat, e2 0 i C se descarc de

pe armtura pozitiv prin L2, mas, Eb, Rb la armtura ncrcat negativ astfel
c n baza lui T se aplic o tensiune negativ tot mai mic pe msur ce
condensatorul C se descarc. n momentul n care tensiunea pozitiv Eb i
tensiunea negativ descresctoare determin n baz o tensiune pozitiv mai
mare ca Up, GA comut i ncepe alt ciclu de funcionare. Generatorul
autoblocat n regim de astabil genereaz impulsuri dreptunghiulare cu durata
foarte mic (zeci de ms pn la s) i perioada de repetiie cu cel puin dou
ordine de mrime mai mare. Acestea sunt culese de nfurarea L3 de cuplaj
cu sarcina transformatorului de impulsuri.
n regim de monostabil, starea stabil a GA e asigurat de sursa E b
care polarizeaz negativ baza lui T, pe care l menine blocat.
Pentru declanare, prin condensatorul de cuplaj CC se aplic un impuls
pozitiv n baza lui T care se deschide i GA comut in regim de avalan n
starea cvasistabil. Aceasta dureaz pn cnd tensiunea n baz scade sub U P
i GA revine n starea stabil. Generatorul autoblocat ca CBM formeaz
impulsuri de scurt durat, mult mai mic dect durata impulsurilor de
comand.

4.7. Circuite de tensiune liniar variabil

Circuitele de tensiune liniar variabil (CTLV) reprezint o categorie
de circuite comutaie care genereaz sau formeaz impulsuri triunghiulare
sau trapezoidale.
Generatoarele de tensiune liniar variabil (GTLV)realizeaz aceasta
fr nici un semnal de comand exterior iar formatoarele de tensiune liniar
variabil (FTLV) folosesc n general impulsuri dreptunghiulare ca semnale de
comand.
Circuitele de tensiune liniar variabil se folosesc n sisteme de afiare
cu tub catodic, n sistemele de msur numerice la conversia analognumeric, in tesle-comand, etc.
Ele mai sunt denumite i circuite de impulsuri in dinte de fierstru
sau circuite baz de timp.
Principalii parametrii ai tensiunii liniar variabile (TLV) sunt ilustrai
n fig. 4.81.

Fig.4.18
Amplitudinea Unu reprezint valoarea maxim a tensiunii liniar
variabile iar E este tensiunea de alimentare a CTLV.
Durata cursei directe TD reprezint intervalul de timp n care TLV
crete de la valoarea minim (de obicei nul), la U m, iar durata cursei inverse
TI este intervalul n care aceasta revine la valoarea minim.
Mrimea U, numit abatere de neliniaritate reprezint diferena
maxim dintre tensiunea liniar variabil ideal i cea real.
Coeficientul de neliniaritate se noteaz i reprezint abaterea relativ
de neliniaritate:

U
U nu

Mai este definit i un coeficient de utilizare al tensiunii de alimentare

prin relaia:
ku

U nu
E

n cele mai multe cazuri, tensiunea liniar variabil se obine prin

ncrcarea i respectiv descrcarea a unui condensator.
Conform (4.10.), pe durata cursei directe tensiunea pe condensator
este:
t

u (t ) E (1 e )

unde este constanta de timp de ncrcare iar E tensiunea de

alimentare. n lucrarea [9] se arat c n acest caz abaterea maxim U fa
de TLV ideal se obine la jumtatea duratei cursei directe iar coeficientul de
neliniaritate i coeficientul de utilizare a tensiunii de alimentare sunt legate
prin relaia:

U nu

8 8E

Cel mai simplu circuit de formare a tensiunii liniar variabile (FTLV)

este format dintr-un circuit de comutaie cu tranzistor i comutator electric
conectat n paralel cu un condensator (fig. 4.19. a).

n starea iniial tensiunea u1 n baz este suficient de mare ca T s fie

saturat caz n care condensatorul C este descrcat. La aplicarea saltului
negativ din baz, tranzistorul T se blocheaz i C se ncarc de la E C prin RC
la mas. Constanta de timp de ncrcare este:
i RC C TD
La terminarea impulsului negativ din baz, tranzistorul T intr din nou
n saturaie i C se descarc prin rezistena C E a lui T la mas cu constanta
de timp:
d = rCES C TD
Atunci cnd T este blocat i C se ncarc, tensiunea din colector este:
U CB

rCEb
E C EC
rCEb RC

deoarece rezistena C E a lui T aflat n blocare este mult mai mare dect RC.
Deoarece n comparaie cu EC, tensiunea de colector la saturaie UCS
este neglijabil conform (4.26) se poate considera c amplitudinea tensiunii
liniar variabile este:
U Ru EC (1 e

td
i

Performanele FTLV din fig. 4.19 a sunt modeste. Pentru a mbuntii

liniaritatea tensiunii de ieire este necesar creterea constantei de timp de
ncrcare i (creterea lui C cci RC se determin ns scderea amplitudinii
Unu a tensiunii de ieire
Creterea calitii TLV se poate obine dac se pstreaz un curent
constant de ncrcare pe toat durata TD a cursei directe, caz n care:

U C (t )

1
I
i (t )dt t

C
C

; i(t) = I

n cazul FTLV din fig. 4.20 a. s-a introdus un generator de curent

constant realizat cu tranzistorul T2 de tip pnp cu baza la mas i emitorul
conectat la EC prin RE.
Dac Ec stabilizat atunci tensiunea B E a lui T 2 este constant iar
curentul su de colector este de asemenea constant.

O alt modalitate de cretere a tensiunii TLV este artat de schema

din fig. 4.20 b. care folosete n plus un repetor pe emitor realizat cu T2 i
care prezint o bucl de reacie pozitiva prin CA
La momentul iniial tensiunea de comand u 1 (fig. 4.19 b.) asigur
funcionarea n saturaie a lui T1, C este descrcat, T2 este blocat, iar
condensatorul de acumulare CA este ncrcat aproape de EC. Impulsul negativ
din baz l blocheaz pe T1 i condensatorul C se ncarc de la EC prin dioda
D aflat n conducie i prin RC la mas,tensiunea la intrarea lui T2 crete i
acesta se deschide.
Potenialul punctului A este dat de relaia:
UA = UCA + U2
unde UCA este apropiat de EC. De aceea la deschiderea lui T2 tensiunea U2,
aproximativ egal cu potenialul punctului B, crete i dioda D se blocheaz.
Condensatorul C continu ncrcarea pe seama sarcinii acumulate de
condensatorul CA (deoarece CA C sarcina acumulat este suficient de mare
ca pe durata ncrcrii lui C, tensiunea UCA s fie practic constant). Rezult
c potenialul punctului A va urmri creterea potenialului punctului B pe
durata ncrcrii condensatorului C.
UA=UCA + U2 UCA + UB; UCA ct.
Diferena de potenial la bornele rezistenei RC este UA UB = UCA ct.
i curentul ce strbate rezistena, egal practic cu curentul de ncrcare a lui C,
se va menine constant.
La terminarea impulsului negativ de comand, T1 se deschide i C se
descarc, tensiunea UB scade pn cnd T2 se nchide, dioda d se deschide i
condensatorul CA care s-a descrcat intr-o mic msur pe durata cursei
directe se ncarc la nivelul iniial de la EC prin D i prin RE la mas.

Repertoriul de tensiune realizat cu T2 asigur practic ncrcarea cu un

curent constant a lui C datorit amplificrii unitare n tensiune din care cauz
U2 UB. n plus acesta prezint avantajul unei rezistene de intrare mare prin
care se evit scurtcircuitarea condensatorului C pe durata ncrcrii.

5. Redresoare i stabilizatoare
5.1. Generaliti
Circuitele i aparatele electronice folosesc pe durata funcionrii
tensiuni continue de alimentare.
Aceste tensiuni pot fi folosite fie de la surse electrochimice (baterie,
acumulatori, etc.) fie prin conversia energiei de curent alternativ a reelei de
220/50 Hz n energie de curent continuu cu ajutorul surselor de tensiune
continu.
O surs de tensiune continu (fig. 5.1a ) se compune dintr-un
transformator,un redresor,un filtru si un stabilizator.
Transformatorul modific tensiunea reelei la valoarea necesar pentru
obinerea tensiunii continue impuse i n plus realizeaz separarea galvanic
ntre reea i circuitul ce trebuie alimentat.
Redresorul e un circuit avnd n compunere elemente de circuit neliniare (cu
conducie unilateral) care transform tensiunea alternativ (cu component
continu nul) de la intrare ntr-o form de und avnd componenta continu
diferit de zero numit tensiune pulsatorie. Ca elemente de circuit cu condiie
unilateral se folosesc diodele cu vid,diode semiconductoare,tiristoare,etc.
Tensiunea pulsatorie u(t) de la ieirea redresorului este o tensiune
periodic i deci poate fi dezvoltat n serie Fourier armonic:

u (t ) U 0 U n cos(n 0 t n )
n 1

unde 0 este pulsaia fundamental proporional cu frecvena reelei de

alimentare. Folosind valoarea primilor doi coeficieni U0 i U1 ai dezvoltrii
se pot defini principalii indici de calitate ai unui redresor i anume factorul de
ondula ie i randamentul.
Factorul de ondulaie se definete ca raportul dintre amplitudinea
componentei fundamentale i amplitudinea componentei continue:

max{U 1 , U 2 ,...}
U0

Randamentul de redresare se definete ca raport ntre puterea de

curent continuu furnizat n sarcin (puterea util) i puterea P r consumat de
la reea:

P0
Pr

Redresoarele se pot clasifica dup mai multe criterii dintre care cele
mai importante se prezint n continuare:
Dup tipul tensiunii redresate exist:
redresoare monofazate folosite pn la puteri de 1 kw
redresoare polifazate (de obicei trifazate) folosite la puteri mai mari
Dup numrul de alternane ale curentului alternativ care sunt
redresate pot fi:
- redresoare monoalternan folosite n aplicaii nepretenioase de mica
putere;
- redresoare bialternan
Dup posibilitatea controlului asupra tensiunii redresate exist:
- redresoare necomandate sau fixe;
- redresoare comandate sau reglabile.
Deoarece se folosesc pe scar larg n aparatura electronic, in continuare se
vor analiza n mod deosebit redresoarele monofazate, bialternan,
necomandate.
Filtrul, numit uneori si de netezire, este destinat atenuarea componentelor cu
frecvena diferit de 0 din spectrul tensiunii pulsatorii de la ieirea
redresorului, astfel nct acesta s se apropie ca form cat mai mult de o
tensiune continu.

Fig. 5.1
Pentru ca un circuit electronic s funcioneze la parametrii normali este
necesar ca tensiunea sa de alimentare s fie constant.
Tensiunea redresat i filtrat este variabil n timp datorit :
- variaiilor tensiunii de reea ( tensiunea nominal de 220 V poate varia ntre
+10 % i -15 % );
- variaiilor sarcinii;
- variaiilor factorului de mediu ( temperatur, umiditate etc.)
De aceea, ntre redresor i sarcin se conecteaz un circuit numit
stabilizator destinat s menin constant tensiunea la bornele sarcinii.
Performanele unui stabilizator se apreciaz cu ajutorul unor parametri dintre
care cei mai importani se definesc n continuare.
Factorul de stabilizare n tensiune se definete ca raportul dintre
variaia relativa a tensiunii de reea i variaia relativa a tensiunii in sarcin
atunci cnd sarcina este constanta:

u r
ur
Fu
u s
us

(5.4)
Rs ct

Factorul de stabilizare n raport cu sarcina este definit prin raportul

dintre variaia relativa a rezistentelor de sarcin variaia relativa a tensiunii
n sarcin atunci cnd tensiunea de reea este constanta:
R S
RS
FR
U S
US

(5.5)

Un stabilizator este cu att mai eficace cu cat aceti factori de

stabilizare sunt mai mari.
Coeficientul de stabilizare se definete ca fiind raportul dintre variaia
tensiunii de reea i variaia tensiunii n sarcin atunci cnd curentul n
sarcina este constant:
S0

U R
U S

IS ct

(5.6)
Rezistenta interna a stabilizatorului se definete ca fiind raportul
dintre variaia tensiunii n sarcin i variaia curentului n sarcin atunci cnd
tensiunea de reea este constanta:
R0

U S
I S

U R ct

(5.7)

Un stabilizator este cu att mai eficace cu ct are un coeficient de

stabilizare mai mare i o rezistenta interna mai mica .
n funcie de metoda de stabilizare folosit exist:
- stabilizatoare cu reacie: tensiunea se menine constanta printr-un
proces de reglare automat: bucla de reacie cuprinde un detector de eroare
ce compar tensiunea de sarcin cu o tensiune de referina i un amplificator
de eroare care acioneaz asupra elementului de reglaj (dispozitiv cu
rezistent comandat n tensiune)
n funcie de modul de conectare a elementului de reglaj,
stabilizatoarele pot fi de tip serie (Fig. 5.2) sau de tip paralel (Fig.5.2b)
Drept surse de tensiune de referina se folosesc n general
stabilizatoare parametrice.

Fig. 5.2
n practic cele mai folosite sunt stabilizatoarele serie deoarece au un
consum n gol mai mic, randament mai ridicat i stabilitate mai buna faa de
cele de tip paralel.
In sfrit n funcie de acionare a elementului de reglaj exist:
- stabilizatoare lineare: la care elementul de reglaj funcioneaz
continuu:
- stabilizatoare n comutaie: la care elementul de reglaj funcioneaz
discontinuu (n regim de comutaie)
n funcionarea unei surse de tensiune pot apare situaii nedorite ca de
exemplu: suprasarcini, scurtcircuite, supratensiuni.
De aceea stabilizatoarele sunt prevzute n plus cu circuite speciale de
protecie.
5.2 Redresoare
Cel mai simplu receptor monofazat a crui schem este reprezentat n
Fig.5.3a este redresorul monoalternan cu sarcin rezistiv. Tensiunea din
secundarul transformatorului (Fig.5.3b) este armonic:
U(t)=Usin0t
(5.8)
Dac se neglijeaz rezistena proprie a secundarului precum i
rezistena diodei D n stare de conducie i tensiunea de prag a acesteia, n
sarcin se regsesc doar alternanele pozitive (Fig. 5.3c) ale tensiunii
(5.8).Prin convenie pentru alternana pozitiv polaritile tensiunii u(t) nu
sunt trecute in paranteze iar pentru alternana negativ acestea sunt trecute n
paranteze.
Pe durata acestora dioda conduce i deci tensiunea n sarcin este:

 U sin 0 t, daca0 t / 0
U S (t)
0, daca / 0 t 2 / 0

(5.9)

Relaia (5.9) definete o tensiune periodic. n [4] se demonstreaz c

descompunerea n serie armonic a acesteia este dat de relaia:
U S (t)

U U
2 U cos(2n0 t )
sin 0 t

2
n 1 (2n 1)(2n 1)

(5.10)

n care sin0t provine din cos(0t-/2).Comparnd (5.10) i (5.1) se obin

coeficienii dezvoltrii:
U0

U
U
2U
; U1 ; U 2 n
, n 1,2,3....

2
(2n 1)(2n 1)

(5.11)

Aa cum rezult din (5.11) n sarcin, pe lng componenta continu

apar i armonice de ordin superior, cea mai importanta fiind componenta de
frecven 0 (fundamental).
Conform (5.2) factorul de ondulaie este n acest caz:

U1
1,57
U0 2

(5.12)

Valoarea supraunitar a factorului de ondulaie subliniaz calitatea

slab a redresrii monoalternan, amplitudinea fundamentalei fiind mai
mare dect componenta continu.

Fig. 5.3
Din (5.11) se obine puterea de curent continuu debitat n sarcin:
P0

U 02
U2
2
RS RS

(5.13)

Puterea absorbit de la reea pe durata alternanei pozitive este:

Pr

1 U ef2
1 U2

2 R S 2 2R S

(5.14)

nlocuind (5.13) i (5.14) n (5.3) se obine randamentul redresorului

monoalternan:

4
0,4
2

(5.15)

Tensiunea invers maxim aplicat n alternana negativ la bornele

diodei D, aflat n stare de blocare este:
U im U
(5.16)
Curentul direct maxim ce strbate dioda n stare de conducie este:
I dm

RS

(5.17)

Relaiile (5.16)i (5.17) permit alegerea diodei funcie de valorile

maxime admisibile ale curentului i tensiunii pe perioad, specificate n
cataloage. mbuntirea parametrilor (5.12) i (5.15) se poate realiza prin
folosirea redresoarelor dubl alternan. n Fig.5.4a este reprezentat schema
unui astfel de redresor cu transformator cu priz median n secundar. Priza
median din secundar asigur obinerea a dou tensiuni de amplitudine U i
defazate cu 1800 ntre ele:
U1 ( t ) U sin 0 t u ( t )
U 2 ( t ) U sin 0 t u ( t )

unde s-a inut seama de (5.8).

Prin rezistena de sarcin Rs, conectat ntre punctul median al
secundarului i punctul comun al catozilor diodelor D 1 i D2, trece curentul is
care produce n sarcin cderea de tensiune us.
Sensul lui is i polaritatea tensiunii us sunt cele indicate n figur att
pe durata alternanei pozitive, cnd conduce dioda D1, ct i pe durata
alternanei negative, cnd conduce dioda D2.
Rezult c tensiunea n sarcin este:
U S u ( t ) U sin 0 t
(5.18)
i deci se obine redresarea ambelor alternane (Fig.5.4b).
Pentru alternana pozitiv a tensiunii din secundarul transformatorului,
dioda D2 este polarizat invers cu o tensiune dat de diferen dintre
tensiunea pozitiv din catod, culeas de pe Rs i tensiunea negativ aplicat
pe anod de ctre transformator.

Rezult c tensiunea inversa maxim suportata de diodele D1 i D2

este:
Uin=2U
(5.19)
iar curentul direct maxim al diodelor este dat de (5.17).
Redresarea dubla alternan se poate realiza folosind si montajul in
punte din Fig. 5.4c.

c
Fig. 5.4
Pe durata alternanei pozitive conduc diodele D1 i D3 , pe durata
alternanelor negative D2 i D4 sunt n conducie i deci sensul curentului i
polaritatea tensiunii n sarcin se menin aa cum se indic n Fig.5.4c pe
durata ambelor alternane.

Dac se consider diodele ideale i rezistena secundarului nula,

tensiunea de sarcin este dat i n acest caz tot de (5.18).
Rezult c cele dou redresoare vor avea factori de ondulaie i
respectiv randamente egale.
Pentru determinarea acestor parametrii se realizeaz dezvoltarea n
serie Fourier armonic dat conform [4] de relaia:
US

2 U 4u cos(2n0 t )

n 1 ( 2n 1)(2n 1)

(5.20)
Comparnd (5.20)i (5.1) se obin coeficienii dezvoltrii:
U0

2U
4U
; U 2n

(2n 1)(2n 1)

, n=1,2,3

(5.21)
Fa de cazul redresrii monoalternan (5.11) amplitudinea
componentei continue este dubl iar armonica cea mai important are
frecvena 20 (armonica a doua) i amplitudinea:
U2

4U
3

(5.22)

Conform (5.2), factorul de ondulaie este n acest caz:

U2
2
0,66
U0
3

(5.23)

i spre deosebire de cazul redresorului monoalternan (5.12), acesta este

subunitar.
Puterea de curent continuu (util) debitat n sarcin este:
U 02 4 U 2
P0

R S 2R S

(5.24)

Puterea absorbit de reea pe durata unei perioade complete este:

U ef2
U2
Pr

R S 2R S

(5.25)

nlocuind (5.24) i (5.25) n (5.3) se obine :

8
2 0,8

(5.26)

deci randamentul redresorului dubl alternan este dublu fa de cel al

redresorului monoalternan (5.15).
Valorile (5.23) i (5.26) indic superioritatea redresrii dubl
alternan fa de cea monoalternan.
Pentru schema din Fig. 5.4c, pe durata alternanei pozitive, dioda D2
de exemplu este polarizat invers cu tensiunea U (potenialul negativ se
aplic pe anod i cel pozitiv pe catod prin D 1 aflat n conducie). Rezult c
n acest caz tensiunea invers maxim pe diode este dat de (5.16) iar
curentul direct maxim este dat de (5.17). n practic cele mai folosite sunt

redresoarele n punte deoarece elimin necesitatea folosirii unui

transformator cu priz median i cu un numr dublu de spire n secundar i
n plus prezint o tensiune invers maxim pe diode de dou ori mai mic
fa de cea a redresorului din Fig.5.4a.
Forma de und obinut la ieirea redresorului dubl alternan
(Fig.5.4b) i mai ales cea de la ieirea redresorului monoalternan nu sunt
convenabile pentru alimentarea circuitelor electronice datorit armonicelor
cu amplitudine mare coninute.
Atenuarea acestor armonici se realizeaz cu ajutorul filtrelor de
netezire conectate la ieirea redresorului. Filtrul cel mai folosit este filtrul
capacitiv, sub forma sa cea mai simpl (redus la un singur condensator),
prezentat n Fig.5.5a pentru un redresor monoalternan. n Fig.5.5b cu linie
punctat este tensiunea n sarcin fr condensator iar cu linie continu
aceiai tensiune atunci cnd n paralel cu Rs se conecteaz un condensator de
capacitate mare astfel ca:
C R S T
(5.27)
Unde T=2/0; 0 fiind frecvena reelei. Dac se respect condiia (5.27)
condensatorul se ncarc rapid prin rezistena foarte mic (practic nul) a
diodei D aflat n conducie i se descarc lent prin rezistena de sarcin de
valoare mare.

Fig. 5.5
ntre momentele t1 i t2 dioda d conduce (u > uc) i condensatorul se
ncarc rapid pn la aproximativ valoarea U. ntre momentele t 1 i t3 dioda
se blocheaz (u < uc) i condensatorul se descarc lent prin rezistena de
sarcin. Deoarece t3 - t1=T rezult c timpul de descrcare al condensatorului
este: t 3 t 2 T ( t 2 t 1 ) T
i deci condensatorul se descarc cu:

U U 1 e T / R SC

(5.28)

Dac se ine seama de (5.27) rezult:

e T / R s C 1

T
RS C

i relaia (5.28) devine:

U

UT
2U

R S C 0 R S C

(2.29)

Aceast variaie de tensiune poate fi considerat ca reprezentnd

amplitudinea componentei alternative maxime, astfel c nlocuind (5.29) i
U o U n (5.2) se obine factorul de ondulai al redresorului monoalternan
cu condensator de filtrare:
c

U
2

U
0 R S C

(5.30)

Relaiile anterioare pot fi extinse i la redresoarele dubl alternan cu

condensatoare de filtraj dac se ine seama c ntr-o perioad T a tensiunii de
reea condensatorul C se ncarc i se descarc de dou ori. Astfel, dac n
(5.29) se nlocuiete 0 cu 2 0 i se ine seama c U o U , din (5.2) se
obine factorul de ondulaie al redresorului bialternan:
c

U
0 R s C

(5.31)

Din (5.30) i (5.31) se observ c factorul de ondulaie se reduce n

cazul folosirii condensatorului de filtraj invers proporional cu valoare
capacitii i rezistenei de sarcin.
O atenuare i mai puternic a armonicelor din tensiunea redresat se
obine prin folosirea celulelor de filtrare trece jos n . n Fig.5.5c este
reprezentat schema unui redresor n punte la ieirea cruia s-a conectat o
celul RC n nesimetric. Filtrul n poate fi considerat ca fiind format
dintr-un condensator de filtrare C1 urmat de un divizor format din R i C 2.
Dac se impune condiia xc (2 0 ) R atunci raportul de divizare este
aproximativ xc (2 0 ) / R .
Din (5.13)se obine factorul de ondulaie pe condensatorul C1:
2

C1

2 x C1 ( 20 )
Rs

de unde rezult imediat factorul de ondulaie la ieirea filtrului n :

C1

x C2 ( 20 )
R

2 x C1 ( 20 ) x C2 ( 20 )
R Rs

n aceste relaii reactanele capacitive s-au calculat la frecventa 2 0 ,

deoarece din (5.21) rezult c aceasta este armonica cea mai important a
tensiunii la ieirea redresorului dubl alternan cu celule de filtrare n . n
final se obine:

2 C 1 C 2 R R S
2
0

Pentru redresorul monoalternan se procedeaz similar doar c

reactanele vor fi calculate la frecventa 0 . ntr-adevr din (5.11) rezult c
cea mai important armonic este n acest caz fundamental. Dezavantajul
filtrului RC n este pierderea de tensiune pe rezistena R a filtrului. Acest
dezavantaj este eliminat de filtrul LC n la care rezistena R se nlocuiete
cu o impedan L astfel ca xc x1 .
n redresoarele realizate cu dispozitive semiconductoare aceast
soluie este rar folosit din considerente de spaiu cost ridicat. n unele
aplicaii alimentarea sarcinii trebuie fcut la o tensiune mai mare dect cea
obinut n secundarul transformatorului disponibil. n astfel de situaii se
folosesc redresoare cu multiplicare de tensiune (dublare, triplare, etc.)
n Fig.5.6 sunt reprezentate schemele a dou redresoare cu dublare de
tensiune care provin din redresorul dubl alternan n punte (Fig.5.6a) i
respectiv redresorul monoalternan (Fig.5.6b).
2

Fig. 5.6
n cazul redresorului din Fig.5.6a, la alternana pozitiv a tensiunii din
secundar condensatorul C1 se ncarc prin dioda D1 aflat n conducie pn
la aproximativ valoarea maxim U.
La semialternana negativ, C2 se ncarc prin D2 aflat acum n
conducie, conform polaritii din Fig.5.6a, tot pn la aproximativ valoarea
U. La bornele rezistenei de sarcin va apare deci o tensiune asemntoare
celei de la ieirea redresorului dubl alternan cu condensator de filtraj
(Fig.5.5c) dar avnd amplitudinea maxima dubl 2U
Pentru redresorul din Fig.5.6b condensatorul C1 se ncarc n
alternana negativ prin dioda D1 la tensiunea maxim U iar condensatorul
C2 se ncarc n alternana pozitiv prin dioda D 2 la aceiai tensiune maxim
astfel c tensiunea maxim la bornele rezistenei de sarcin este 2U.
5.3 Stabilizatoare parametrice

Aa cum s-a artat anterior stabilizatoarele parametrice folosesc

proprietatea unor dispozitive electronice neliniare de a menine, ntr-un
domeniu dat numit interval de stabilitate, o tensiune constant la borne.
Pentru realizarea stabilizatoarelor parametrice de mic putere cel mai
folosit element neliniar de acest tip este dioda Zenner. Aceast diod
folosete proprietatea jonciunii pn puternic dopate fa de jonciunea
normal de a avea o tensiune invers aproximativ constant la borne atunci
cnd lucreaz n regim de strpungere. Caracteristica static a diodei Zenner
este prezentat n Fig.5.7a. Curentul invers al diodei este neglijabil pentru
valori ale tensiunii inverse mai mici dect tensiunea de strpungere U st dar
prezint o cretere abrupt dup depirea acestei valori datorit n principal
multiplicrii n avalan a purttorilor i efectului Zenner de tunelare a
jonciunii de ctre purttori. Aceast multiplicare n avalan a curentului
invers al diodei este echivalent cu strpungerea electric a jonciunii. n
zona de lucru dispus ntre a i c (Fig.5.7a) strpungerea electric este un
proces reversibil, deoarece nu apar efecte termice pronunate. n punctul c
caracteristica static a diodei intersecteaz hiperbola puterii maxime disipate
i datorit ambalrii termice ce apare dup depirea acestui punct
strpungerea devine ireversibil (dioda se distruge).
Tensiunea UZN corespunztoare punctului median b al zonei de lucru
este indicat ca tensiune stabilizat nominal n cataloage.
Diodele Zenner puternic dopate se strpung n special prin efectul
Zenner la tensiuni mici (Ust<6V). Deoarece tensiunea de strpungere scade
n acest caz cu temperatura aceste diode au un coeficient de temperatur
negativ. Diodele cu dopri mai reduse se strpung n special prin
multiplicarea n avalan la tensiuni mari (Ust>6V).
Tensiunea de strpungere crete n acest caz cu temperatura i aceste
diode au un coeficient de temperatur pozitiv. Diodele Zenner uzuale se
realizeaz pentru stabilizarea tensiunii ntre 3 i 400V la puteri cuprinse ntre
0,25 i 50W. Schema unui stabilizator cu diod Zenner este reprezentat n
Fig.5.7b unde Ur i Ir sunt tensiunea la borne i respectiv curentul debitat de
redresor, iar Uz i Iz tensiunea la borne i curentul prin dioda Zenner.

c
Fig. 5.7
Din Fig.5.7a se observ c efectul de stabilizare n tensiune a diodei
Zenner se bazeaz pe faptul c unei variaii mari a curentului prin diod iz
(corespunztoare deplasrii din b` n b pe caracteristica static) i corespunde
o variaie redus a tensiunii la borne n jurul valorii nominale U z. Rezult c
stabilitatea tensiunii la bornele unei diode Zenner va fi cu att mai bun cu
ct rezistena sa dinamic calculat n zona de strpungere reversibil:
rZ

U Z
I Z

(5.32)

va fi mai mic. n Fig.5.7c este reprezentat schema echivalent n regim

dinamic a stabilizatorului cu diod Zenner. Aceast schem se obine prin
nlocuirea diodei Zenner cu rezistena sa dinamic (considerat constant n
zona de strpungere) i a mrimilor variabile n timp cu variaiile lor
(variaiile tensiunii i curentului n sarcin U s si I s sunt determinate de
variaiile tensiunii de ieire a redresorului U r i variaia sarcinii Rs ).
Dac se consider curentul n sarcin constant ( I s 0 ) din Fig.5.7c rezult
c variaia tensiunii n sarcin U s se obine la ieirea divizorului ideal
format din R si rz la intrarea cruia se aplic U r astfel:
U S

rZ
U r
rZ R

i S 0

innd seama de (5.6) relaia de mai sus devine:

S0

U r
U S

1
IS ct

R
rz

(5.33)

Coeficientul de stabilizare este cu att mai mare cu ct rezistena

dinamic a diodei Zenner este mai mic i cu ct rezistena R este mai mare.
Creterea prea mare a rezistenei R nu este recomandat deoarece se mrete
puterea disipat inutil de ea, motiv pentru care R se mai numete i
rezisten de balast. Alegerea diodei Zenner i a rezistentei R se face innd
seama c variaia pozitiv a tensiunii redresate este 10% iar cea negativ
15% din valoarea nominal (variaiile tensiunii redresate preiau variaiile
maxime ale tensiunii de reea).
Extremele tensiunii de intrare n stabilizator vor fi :
U rm 0,85U r
U rM 1,1U r

(5.34)

unde Ur este tensiunea redresat nominal, iar pentru valorile maxim i

minim s-au folosit indicii M i m.
Pentru dimensionarea elementelor stabilizatorului se consider dou
situaii extreme i anume:
- tensiunea la intrare este maxim UrM i sarcina este deconectat
Stabilizatorul cu dou diode Zenner n serie din Fig.5.8.b permite
obinerea unei tensiuni stabilizate mai mari atunci cnd nu se dispune de o
diod Zenner de tensiune mare, egal cu tensiunea impus n sarcin. n
sfrit n Fig.5.8.c este reprezentat un circuit care se comport la bornele A i
B ca o diod Zenner de aceea se numete dioda Zenner simulat.

Fig.5.8
Procesul de stabilizare a tensiunii n Fig.5.7.a se bazeaz pe jocul de
cureni dintre sarcin i dioda Zenner. ntr-adevr, de exemplu la creterea
tensiunii redresate crete curentul n sarcin i deci i tensiunea U 2 U 1 de
la bornele diodei Zenner i aa cum se observ din Fig.5.7.a aceasta
determin creterea curentului prin diod care preia astfel tendina de
cretere a curentului n sarcin.
n Fig.5.8.c curentul de divizor i d se alege mult mai mare dect i b ,
uzual i d 10 i b astfel c tensiunea n baza tranzistorului T s fie:
U R2

R2
*
UZ
R1 R 2

iar tensiunea baz emitor:

U BE

R2
*
U Z U z
R1 R 2

unde Uz este tensiunea nominal la bornele diodei Zenner simulate. Astfel

creterea tensiunii n sarcin, crete conectat la bornele A i B, determin
creterea tensiunii UBE, tranzistorul T se deschide mai puternic i creterea
curentului n sarcin este preluat de creterea curentului de colector. Din
analiza comparativ a Fig.urilor 5.8.c i 5.2.b rezult c dioda Zenner
simulat este de fapt un stabilizator cu reacie de tip ::::::::::: fr
amplificator de eroare, al crui element de reglaj sete tranzistorul T iar
elementul de referin este dioda Zenner D.
5.4. Stabilizatoare cu reacie
Aa cum s-a artat i n paragraful 5.1 datorit performanelor
superioare, dintre stabilizatoarele cu reacie cele mai folosite sunt cele de tip
serie. La acest tip de stabilizatoare (Fig.5.2a) elementul de reglaj (de obicei
un tranzistor) este conectat n serie cu rezistena de sarcin.
Mecanismul de reglaj este urmtorul: o tendin de variaie ntr-un
anumit sens a tensiunii de sarcin US (cretere sau reducere) atrage dup
sine prin intermediul buclei de reacie o variaie n acelai sens a cderii de
tensiune pe elementul de reglaj. Tensiunea de ieire este egal cu diferena

dintre tensiunea de intrare i tensiunea de p elementul de reglaj astfel c

tensiunea n sarcin revine spre valoarea iniial. De exemplu dac tensiunea
de sarcin tinde s creasc datorit creterii tensiunii redresate UR sau
datorit scderii sarcinii, tensiunea de comand rezultat n urma
comparaiei dintre tensiunea de sarcin i tensiunea de referin i
amplificat de amplificatorul de eroare determin creterea tensiunii pe
elementul de reglaj i deci scderea tensiunii n sarcin.
Cea mai simpl schem a unui stabilizator serie este reprezentat n
Fig.5.9a. n aceast schem tensiunea de referin este furnizat de
stabilizatorul parametric format din rezistena R i dioda Zenner D,
tranzistorul T este elementul de reglaj serie, rolul comparatorului este jucat
de jonciunea baz emitor a lui T iar amplificatorul de eroare lipsete.
Tensiunea de eroare este tensiunea baz emitor a tranzistorului T i anume:
U BE U Z U S

Creterea de exemplu a tensiunii n sarcin determin scderea

tensiunii UBE, tranzistorul T tinde spre blocare i tensiunea U CE a sa crete,
deci n final tensiunea n sarcin:
U S U r U CE

va scdea la valoarea iniial.

Fig.5.9
Curentul prin rezistena de balast R este:
iR iZ iB iZ

iS
h21e

(5.39)

unde s-a inut cont c ntre curentul de colector aproximativ egal cu i S i

curentul de baz al tranzistorului T exist relaia i S h 21e i B , n care h21e este
factorul de transfer n curent al tranzistorului n montaj emitor comun.
Pentru stabilizatorul parametric format din dioda Zenner D i
rezistena R se poate scrie relaia:
U R R iR U 2 R iR U s
(5.40)
deoarece conform (5.38) diferena UZ-US este neglijabil (tensiunea de
aproximativ 0,7V a unei jonciuni pn polarizate diferit).

n regim dinamic (5.40) devine:

ur R iR U S

iar din (5.39) se obine:

iR

U S iS

rZ
h21e

(5.41)

n (5.41) s-a considerat c dioda Zenner este nlocuit de rezistena sa

dinamic i s-a exprimat i z din (5.32). nlocuind (5.41) n (5.40) rezult:
U r (1

R
R
) U S
iS
rz
h21e

(5.42)

relaia ce permite determinarea coeficientului de stabilizare pentru

stabilizatorul serie Fig.5.9a.
ntr-adevr din (5.42) pentru un curent de sarcin constant ( i S 0 ) se
obine:
S0

U r
U S

I S ct

R
r2

(5.43)

Comparnd (5.43) cu (5.33) se constat c stabilizatorul serie nu

mbuntete coeficientul de stabilitate al stabilizatorului parametric n
schimb permite un curent de sarcin mai mare, iar dioda Zenner lucreaz n
condiii mai uoare deoarece preia variaiile lui iB i nu ale lui iS.
Montajul din Fig.5.9a poate fi considerat i ca un receptor pe emitor
care se produce la ieire tensiunea constant U Z aplicat la intrare. Alegerea
tranzistorului de reglaj T se face plecnd de la situaiile limit (Fig.5.9b)
pentru care se pot scrie relaiile:
U rm U Tm U SM 0,85U r
(5.44)
U rM U TM U Sm 1,1U r

unde s-a inut cont de(5.34).

Dac n (5.44) se elimin Ur ntre cele dou relaii se poate obine
tensiunea maxim pe tranzistor.
U TM 1,29 (U Tm U SM ) U Sm
(5.45)
n (5.45) valorile extreme USM i USm sunt date iniiale iar pentru
tranzistorele de medie i mare putere tensiunea colector emitor minim
UTm se alege ntre 1 i 4V.
Cunoscnd curentul de colector maxim, aproximativ egal cu I SM i
tensiunea colector - emitor maxim UTM dat de (5.45), din cataloage poate
fi ales tranzistorul care poate ndeplini rolul de element de reglaj.
Plecnd de la relaia (5.40) rezult :
R

Ur U z
iR

(5.46)

nlocuind (5.39) n (5.46) se obine relaia de dimensionare a

rezistenei de balast:

U r U z
i
iz S
h21e

(5.47)

ntr-adevr plecnd de la (5.47) rezult valorile extreme:

Rm

U rM U z
I
I ZM Sm
h21e

(5.48)

care permit alegerea convenabil a rezistenei R.

n (5.48) s-a presupus c tensiunea la bornele diodei Zenner i factorul
de transfer direct n curent al tranzistorului sunt mrimi relativ constante.
Pentru a mri factorul de stabilitate (5.43) se realizeaz stabilizatoare
cu reacie de tip serie avnd i amplificator de eroare.
n Fig.5.10 este prezent schema unui astfel de stabilizator n care
amplificarea semnalului de eroare este realizat cu ajutorul unui amplificator
operaional.
Aa cum s-a artat n paragraful 6.2, amplificatorul operaional are o
amplificare A de ordinul sutelor de mii, o intrare neinversoare notat cu (+)
i o intrare inversoare notat cu (-) iar tensiunea de ieire u0 este:
u0 A (u u )
(5.49)
La intrarea neinversoare se aplic tensiunea de referin Uref obinut
la ieirea stabilizatorului parametric format din rezistena de balast R i
dioda Zenner D deci:
u uref
(5.50)
La intrarea inversoare se aplic, prin intermediul divizorului format
din R1 i R2, tensiunea:
u

R1
uS
R1 R 2

(5.51)

Relaia (5.51) este justificat de faptul c rezistena de intrare a

amplificatorului operaional este de ordinul M i curenii celor dou intrri
sunt neglijabili:

Fig.5.10
Din Fig.5.10a rezult c:

u 0 U BE U S

(5.52)
nlocuind (5.50) i (5.51) n (5.49i egalnd astfel ecuaia cu membrul
drept al relaiei (5.52) se obine:
A(U ref

R1
U S ) U BE U S
R1 R2

de unde se poate exprima tensiunea de la intrarea stabilizatorului:

U BE
A
US
R1
1

A R1 R 2
U ref

2
i dac se ine seama c A este foarte mare: U S (1 R ) U ref
(5.53)
1
Relaia (5.53) indic faptul c tensiunea n sarcin este proporional cu
tensiunea de referin i nu depinde de tensiunea de referin ur. Factorul de
proporionalitate 1 + R2 / R1 este conform (6.16) chiar amplificarea pentru
amplificatorul neinversor realizat cu amplificator operaional n montaj cu
reacie negativ prin circuitul de reacie format din R 1 i R2 (pentru
tensiunea U0 tranzistorul T este n montaj de repetor pe emitor i
amplificarea sa n tensiune este aproximativ unitar).
Deoarece Uref este aproximativ constant din (5.53) rezult ci9
tensiunea n sarcin este constant.
n [2] se demonstreaz c pentru stabilizatorul serie cu amplificator de
eroare din Fig.5.10a coeficientul de stabilizare este:

S0

R2
1

A
R S h22e R1 R 2

(5.54)

unde h 22 este admitana de ieire a tranzistorului T n montaj emitor

comun. Stabilizarea obinut este cu att mai bun cu ct amplificarea n
bucla deschis (fr reacie) a amplificatorului operaional este mai mare.
Deoarece n cazul stabilizatoarelor serie tranzistorul folosit ca element
de reglaj este parcurs de curentul de sarcin acesta .. n caz de
suprasarcin (rezistena de sarcin foarte mic) sau scurtcircuit. Pentru
preveni aceast situaie stabilizatoarele sunt echipate cu circuite de protecie.
n Fig.5.10b este redat un circuit simplu care protejeaz tranzistorul T
mpotriva suprasarcinii i scurtcircuitului prin limitarea curentului de
sarcin. ntre tranzistorul serie i sarcin se intercaleaz o rezisten R 0 cu
valoare de fraciuni de ohmi (de obicei bobin) iar ntre baza lui T i sarcin
se conecteaz dou sau mai multe diode, funcie de valoarea curentului de
sarcin maxim admis Isn.
Ct vreme curentul prin tranzistor, aproximativ egal cu curentul prin
sarcin e redus, diodele D1 i D2 sunt blocate. Cnd acestea depesc

valoarea limit Ilim, diodele D1 i D2 se deschid i menin o tensiune constant

ntre punctele Ai B deci U BE ct i curentul prin tranzistor i prin sarcin
este limitat (pentru schema din Fig.5.10b aceast tensiune este dublul
tensiunii de prag a jonciunii pn). Pentru reducerea rezistenei R 0 se ine cont
c:
U BE R0 I lim 2U p

unde Up este tensiunea de prag de deschidere a diodei. Rezult c:

R0

2U p U BE

(5.55)

I lim

n Fig.5.10c este reprezentat cu o linie continu variaia tensiunii n

sarcin funcie de curentul n sarcin pentru acest tip de protecie, numit i
caracteristica extern a stabilizatorului.
n caz de scurtcircuit n sarcin ntreaga tensiunea de la ieirea
redresorului cade pe tranzistorul serie i curentul de scurtcircuit va fi suma
dintre ISM prin tranzistor i curentul prin diode:
I SC I lim

Ur
R1

(5.56)

Rezistena R1 este destinat ca s limiteze curentul prin diodele D 1 i

D2 n caz de scurtcircuit la ieire:
R1

Ur
I DM

(5.57)

unde IDM este curentul direct maxim admis prin D1 i D2.

Dup ce din (5.57) s-a determinat R1 curentul limit Ilim se obine din
(5.56) cu condiia I SC I TM . Curentul maxim admis prin tranzistor ITM este
dat n catalog.
n Fig.5.10c cu line punctat este reprezentat caracteristica extern a
unui stabilizator ideal a crui tensiune n sarcin se menine constant
indiferent de curentul de sarcin pentru i s I SM iar pentru i s I SM limitarea
este net.
Circuitul din Fig.5.10b protejeaz deci tranzistorul serie mpotriva
distrugerii acestuia n cazul n care curentul prin el depete valoarea
maxim admis ITM. Totui dac tranzistorul serie funcioneaz timp
ndelungat la acest curent limit (suprasarcina sau scurtcircuitul persist) el
se poate distruge prin ambalare termic.
Circuitul din Fig. 5.11a realizeaz protecia tranzistorului serie att la
suprasarcin (scurtcircuit) ct i la depirea puterii disipate maxime a
acestuia circuitul intr n funciune cnd curentul prin tranzistor depete
valoarea limit Ilim. Dac n Fig. 5.11a se exprim tensiunea ntre baza lui T 1
i masa folosind dou trasee diferite rezult:
U BE 1 U S (U S RO I lim )

de unde se obine:

R2
R1 R 2

I lim

R
R
1
[U BE1 (1 1 ) U S 1 ]
R0
R2
R2

(5.58)

Punnd n (5.58) condiia Us=0 se obine curentul de scurtcircuit:

I SC

U BE1
R0

(1

R1
)
R2

(5.59)

Comparnd (5.58) i (5.59) rezult c I SC<Ilim i deci tranzistorul serie

e. protejat i la ambalarea termic. Circuitul de protecie asigur dup
depirea curentului ct i a tensiunii n sarcin. Caracteristica extern astfel
obinut este reprezentat n Fig.5.11b. Datorit alurii caracteristicii externe
astfel obinut este reprezentat n Fig. 5.11a se mai numete circuit de
limitare a curentului de sarcin cu ntoarcerea caracteristicii.
6. Circuite integrate
6.1 Generaliti
Circuitele integrate reprezint o clas aparte de circuite electronice de
uz general sau specializate ale cror componente active i pasive sunt
realizate prin diverse procedee tehnologice ntr-un volum dat de material
semiconductor numit cip.
Principalele avantaje ale circuitelor integrate care determin o
dezvoltare explosiv a acestora, sunt:
miniaturizarea exprimat prin reducerea cu trei patru ordine de
mrime a dimensiunilor fa de aceleai circuite realizate cu componente
discrete;
creterea fiabilitii n special prin reducerea numrului de
interconectri;
consum energetic mic;

 pre de cost redus datorit tehnologiilor ce permit realizarea simultan

pe aceeai plachet de semiconductori a unui numr mare de circuite
integrate identice.
Circuitele integrate prezint ns i o serie de limitri fa de circuitele
cu componente discrete:
restricii privind realizarea n tehnologie integrat a rezistenelor i
capacitilor de valori mari;
excluderea practic total a realizrii n tehnologie integral a
inductanelor; aceste dou restricii severe impun conceperea schemelor
circuitelor integrate astfel nct s cuprind un numr mare de tranzistoare i
ct mai puin elemente pasive;
limitarea puterii semnalelor ce pot fi prelucrate, datorit nivelului
redus al puterii disipate admise a fiecrei componente, mai ales n cazul
circuitelor cu densiti de integrare mari.
n prezent exist un numr mare de tipuri de circuite integrate ce se pot
clasifica conform mai multor criterii, cele mai folosite fiind: dup natura
semnalelor prelucrate (Fig. 6.1a) i dup tehnologia de realizare (Fig. 6.1b).
Circuite
Circuite integrate:
- analogice:
monolitice:
- liniare;
- bipolare;
- neliniare.
- unipolare:
- numerice.
- J.F.E.T.;

integrate:
-

- M.O.S..
hibride:
- cu pelicule subiri;
- cu pelicule groase.
Fig.6.1.a
Fig.6.1.b

Circuite integrate analogice prelucreaz semnalele cu variaie continu

n timp i funcie de relaia de legtur ntre semnalul de ieire i semnalul
de intrare pot fi liniare sau neliniare.
Datorit caracterului neliniar al dispozitivelor active din compunere
(tranzistoare) circuitele din prima categorie sunt suficient de liniare pe
domenii de funcionare limitate. Cele mai rspndite tipuri de circuite
integrate liniare sunt:amplificatoarele,stabilizatoarele,circuite de tip PL.L
(circuite calare de faz) etc.
Categoria circuitelor integrate neliniare este reprezentat de
multiplicatoare,circuitele de logaritmare,circuite pentru calculul funciilor
trigonometrice,circuite pentru calculul valorii metrice ptratice,etc.
Circuitele numerice sau logice prelucreaz semnale binare care pot lua
doar dou valori corespunztoare strilor de blocare sau conducie ale unui
tranzistor i care pot reprezenta numerele 1 sau 0.
Din punct de vedere tehnologic circuitele integrate pot fi realizate sub
forma monolitic (obinute integral pe aceiai plcu de material
semiconductor) sau sub form hibrid.
Tehnologia bipolar se bazeaz pe utilizarea tranzistoarelor bipolare
planar epitexiale obinute printr-o succesiune de etape de fotomascare,
difuziune i cretere epitaxial aplicate unei plcue de material
semiconductor. Machetele de siliciu de tip pp de exemplu se obin dintr-un
monocristal masiv cu diametrul de 8 10 cm prin tierea n rondele cu
grosimi de 250 300 m i polizarea pe o fa a acestora.
Creterea epitaxial const n formarea pe placheta de siliciu numit
substrat a unui strat de siliciu avnd concentraie de impuriti diferit de cel
a substratului (Fig. 6.2a). Creterea acestui strat de grosime de 1 - 20m se
realizeaz prin plasarea plachetei ntr-o atmosfer de tetradorur de siliciu.
(SiCl4) la temperatur ridicat. n urma reaciei chimice ce are loc n aceste
condiii rezult siliciu de tip n care se depune pe suprafaa plachetei.
Placheta se plaseaz n continuare ntr-un mediu oxidant la temperatur
nalt pe suprafaa acesteia formndu-se un strat de bioxid de siliciu (SiO 2)
cu grosimea de 0,2 - 1m care este impermeabil la difuzia impuritilor
(Fig.6.2b). Urmtoarea etap const n acoperirea plachetei cu un strat
subire material flexibil denumit fotorezist (Fig.6.2c).
Prin expunerea la o anumit lungime de und (de regul spectrul
ultraviolet ) fotorezistorul devine solubil la anumii solveni n care
fotorezistorul neexpus nu e solubil. Expunerea se face prin intermediul unei
mti de dimensiunile plachetei, opac cu excepia zonelor unde urmeaz s
aib loc difuzia impuritilor (Fig. 6.2d).
Difuzia n stare solid a impuritilor n siliciu const n deplasarea la
temperaturi nalte a atomilor de impuriti de la suprafaa plachetei n
volumul acesteia. Adncimea de difuziune este controlabil i poate fi de la

0,1 - 20m. Dup ndeprtarea fotorezistorului din ariile n care acesta a

devenit solubil (Fig. 6.1e), placheta se dispune ntr-un mediu corosiv
(amestec de fluorur de amoniu i acid florhidric), bioxidul de siliciu fiind
ndeprtat de pe ariile selectate prin masc.

Fig. 6.2
Dup corodare ariile de fotorezist corespunztoarelor zonelor opace
ale mtii sunt ndeprtate chimic i placheta rmne cu aa numitele
ferestre deschise n oxid n locurile dorite (Fig. 6.3a).
nFig.6.3 sunt redate simplificat restul etapelor de parcurs pentru
realizarea unui circuit integrat bipolar, lund n considere doar zona de
implementare a uni tranzistor npn.
Difuza cu impuriti de tip p reprezentat n Fig. 6.3b este destinat
pentru izolarea unor insule de siliciu de tip n n al cror volum se
realizeaz tranzistoarele (insulele delimiteaz chiar colectoarele acestora)
sau difuziune adnc ce trebuie s penetreze stratul epitaxial, aceasta
necesit o durat de cteva ore.
n etapa urmtoare se crete un nou strat de oxid folosind o nou
masc se realizeaz difuzia de baz tot cu impuriti de tip p (Fig. 6.3c) dar
co ]o adncime mult mai mic de la 1 la 3m. Prin aceast difuziune se
formeaz i o mare parte din rezistoarele circuitului.
Dup creterea altui strat de oxid i o nou mascare se formeaz prin
difuziune cu impuriti de tip n emitoarele tranzistoarelor (Fig.6.3d)
adncimea de difuziune fiind n acest caz 0,5 la 2,5m.
Urmtoarea etap de mascare sete destinat s deschid ferestre de
contact n oxid n zonele de emitor, baz, colector ale tranzistoarelor precum
i pentru terminalele elementelor pasive de circuit (Fig.6.3e).
ntreaga plachet este acoperit apoi cu un strat subire (aproximativ
1m) de aluminiu care conecteaz practic n scurtcircuit toate elementele din
circuit. Definirea traseelor de metalizare se realizeaz printr-o ultim etap
de mascare neprecedat de aceast dat i de o cretere a stratului de oxid.

Aluminiul este corodat n zonele n care fotorezistorul a devenit

solubil prin expunere (n Fig.6.3f s-a propus interconectarea emitorului
tranzistorului central cu colectorul tranzistorului din dreapta acestuia).

Fig.6.3
n fiecare din etapele tehnologiei planar epitexiale prezentate mai sus
mtile joac un rol important. Acestea se proiecteaz pornind de la schema
electric a circuitului ce urmeaz a fi realizat. Fiecrui element de circuit
activ sau pasiv i se aloc o arie pe care se realizeaz iniial insula izolat i
apoi structurile propriu zise. Fiecare etap a procesului tehnologic se
realizeaz folosind o masc corespunztoare existnd n acest sens mti
pentru difuzii de izolare de baz i respectiv de emitor i mti de
interconectare. Intr-o prima faza aceste mti se realizeaz la scara mare (de
exemplu 500 :1) pe un material plastic special numit rubilit format dintr-o
folie transparenta suprapusa peste o folie opaca. Desenul se realizeaz cu
ajutorul unui aparat comandat de calculator numit coordinatogmf, prin
tierea si ndeprtarea foliei opace din zonele ce urmeaz a fi supuse
difuziei. Pe o masca se gsesc alturate attea imagini identice cate circuite
vor fi realizate pe placheta de siliciu.
Mtile sunt micorate fotografic succesiv pana ajung la
dimensiunile reale ale plachetei. Aceste mti de mici dimensiuni folosite
efectiv in procesul tehnologic se numesc copii de lucru.
Masca de interconectare permite realizarea la marginea fiecrui
circuit a unor arii metalice mai mari numite poduri folosite pentru conectarea
exterioara. La sfritul etapei de corodare a peliculei de aluminiu circuitul
integrat este realizat si urmeaz ncapsularea sa.
Datorita ariei reduse ocupate de circuitul integrat (aproximativ 5
2
mm )este posibila realizarea simultana a sutelor de circuite integrate identice

pe o singura placheta. Urmeaz testarea pe placheta a fiecrui circuit integrat

efectuata cu ajutorul calculatorului prin conectarea schemei de testare la
podurile fiecrui circuit. Daca un circuit nu corespunde parametrilor impui
acesta se marcheaz cu o pictur de cerneala. n final placheta se separa in
plcue numite cipuri, corespunztoare fiecrui circuit in parte. Aceste cipuri
se monteaz pe o grila metalica ce incorporeaz contactele exterioare (pinii)
circuitului si se fac legturile cu fire subiri de aur de la podurile cipului la
pini. Urmeaz ncapsularea si testarea finala a circuitelor integrate astfel
obine.
Tehnologia unipolara se bazeaz pe utilizarea tranzistoarelor MOS
sau JFET si se realizeaz printr-un proces asemntor celei bipolare la care
se adaug pentru tranzistoarele MOS de exemplu o etapa suplimentara de
mascare destinata creterii stratului izolator de SiO2 ce separa contactul
grilei de canal.
Pentru realizarea circuitelor integrate analogice se folosete pe scara
larga tehnologia bipolara si intr-o msur mult mai mica cea unipolara
datorita in special unei pante jos mai mici fata de cea a tranzistoarelor
bipolare. n prezent se realizeaz circuite integrate analogice de tip BIFET si
care utilizeaz tranzistoare bipolare si tranzistoare cu efect de cmp cu
jonciune, posibil de realizat pe acelai cip in cadrul aceluiai proces
tehnologic folosind astfel avantajele ambelor tipuri de tranzistoare. Situaia
este oarecum diferita in domeniu circuitelor integrate numerice,unde
producia e mprit aproximativ egal,intre tehnologia bipolara care ofer
viteza mare si cea unipolara care permite o densitate de integrare mai mare
si consum de putere mult mai mic.
Circuitele integrate hibride sunt circuite la care
rezistoarele,conductoarele si unele condensatoare sunt realizate fie prin
tehnologia straturilor groase,fie prin tehnologia straturilor subiri,iar
dispozitivele active (tranzistoare,circuite integrate) sau pasive neintegrabile
(condensatoare sau rezistente de valori mari, inductane) se ataeaz fr
capsula printr-un proces tehnologic separat.
Straturile groase sunt materiale conductoare,dielectrice sau
rezistive cu grosimi mai mari de 5 m,care se obin prin ardere controlata a
unor paste depuse pe un substrat ceramic in conFiguraia dorita. Depunerea
se face prin intermediul unor site fine ale crui ochiuri sunt astupate selectiv
cu emulsie printr-un procedeu fotografic in regiunile in care pasta nu trebuie
dispusa pe substrat.
Straturile subiri au grosimi sub 5m i se obin prin depunerea
selectiva in vid pe un substrat de ceramica sau sticla prin intermediul unor
mti asemntoare celor folosite in tehnologia bipolara.

In continuare elementele active de circuit se ataeaz din exterior

prin termocompresie sau lipire ultra sonica, dup care se separa circuitele
individuale prin zgriere si spargere controlata a substratului.
In final cipurile obinute prin separare se ncapsuleaz de regula prin
acoperire cu rini expoxidice si se testeaz. In general tehnologia hibrida se
folosete pentru realizarea circuitelor analogice asigurnd, cu preul unor
dimensiuni mai mari fata de circuitele monolitice,performante superioare
acestora :
- disipare termica superioara,deci puteri mai mari ;
- precizie mare datorita posibilitilor de ajustare funcional a valorilor
elementelor pasive de circuit prin ndeprtarea controlata a unei pri din
straturile depuse cu ajutorul unui fascicol de laser ;
- frecvente de lucru mari de ordinul megahertzilor prin folosirea
componentelor speciale de microunde.
Aceste performante superioare se obin folosind tehnologia
straturilor subiri la un pre de cost mai ridicat datorita complexitii
procesului tehnologic,pe cnd tehnologia straturilor groase asigura
performante mai reduse sau preturi avantajoase.
6.2. Amplificatoare operaionale
Unul dintre cele mai folosite tipuri de circuite integrate liniare este
amplificatorul operaional. Amplificatorul operaional e un circuit cu intrare
diferenial (simetrica) si ieire asimetrica, avnd ctig mare in tensiune si
care se folosete de obicei in conFiguraii cu reacie.
Denumirea de operaiuni provine de la faptul ca iniial s-a folosit
intr-o realizare analogic al a unor operaii matematice ca adunarea, scderea,
integrarea, derivarea, etc.
Structura tipica a unui circuit operaional e redata in Fig. 6.4a. Dei
nu sunt toate reprezentate in Figura 6.4a un amplificator operaional legat
cuprinde in principiu urmtoarele circuite:
-etajul de intrare :este un etaj diferenial destinat sa asigure o impedana
de intrare mare, o amplificare in tensiune moderata si eventual o limitare a
semnalului de intrare;
-etajele de amplificare intermediare: asigura o amplificare mare in
tensiune; la fel ca si etajul de intrare funcioneaz liniar in regim de semnal
mic ;
-etajul prefinal si etajul final asigura puterea specificata in sarcina precum
si o impedana de ieire cat mai mica; spre deosebire de etajele anterioare
acestea lucreaz in regim de semnal mare;
-circuitele de deplasare a nivelului de curent continuu, destinate sa
asigure compatibilitatea intre nivelul de ieire al unui etaj si cel de la intrarea

etajului urmtor, sunt impuse de cuplajul direct intre etaje utilizat datorita
imposibiliti realizri de condensatoare de cuplaj de valori mari in
tehnologie integrata ;
-surse de curent realizate cu tranzistoare si folosite fie pentru polarizarea
unor etaje, fie ca sarcini active (de impedana mare) ;
-circuite de protecie termic sau la suprasarcina care acioneaz asupra
etajului final.
Etajul diferenial este cel mai utilizat subcircuit din circuitele
integrate analogice. Schema clasica a unui etaj de amplificare diferenial este
reprezentat in Fig. 6.4.b

Aceasta schema prezint o intrare diferenial intre bazele celor doua

tranzistoare iar rezistenta de sarcina e conectata intre cei doi colectori, dei
ieirea se face tot diferenial. Pentru un etaj perfect simetric variaiile
tensiunilor bipolare de alimentare, ale temperaturii si ale semnalelor comune
aplicate pe cele doua intrri modifica in mod identic tensiunile U c1 ,Uc2 din
colectorii lui T1 si T2 si deci nu afecteaz tensiunea de ieire diferenial
URs=Uc1-Uc2. Pentru ca etajul diferenial sa lucreze liniar si pentru valori mari
ale prilor de semnal comune celor doua intrri se impune ca rezistenta
comuna de emitor RE sa aib valori mari. Acest deziderat se poate realiza
nlocuind rezistenta RE cu o sursa de curent dup cum s-a artat in Fig. 6.5a.
Folosind schema din Fig. 6.5a se poate determina caracteristica
statica de transfer a etajului diferenial.
Notnd cu I 0 curentul debitat de sursa, considernd rezistenta
echivalenta interna de valoare infinita si neglijnd curenii reziduali din
colector rezulta:
I0 = IE1 + IE2 IC11 + IC2/2 = (IC1+IC2) /
(6.1)
unde s-a considerat ca tranzistoarele T1 si T2 sunt identice si deci au acelai
factor de amplificare in curent 1=2=.

Curenii de colector depind de tensiunile baz - emitor ale

tranzistoarelor T1 si T2 conform relaiilor aproximative :
IC1 IS eUbe1/Ur
;
IC2 IS eUbe2/Ut
(6.2)
unde Ut=kT/q este tensiunea termica avnd la temperatura de 300 K
valoarea de aproximativ 25 mV iar curenii de saturaie ai celor doi
tranzistori s-au considerat a fi identici IS1=IS2=IS.
nlocuind (6.2) in (6.1) se obine:
I0 = IS / ( eUbe1/Ut + eUbe2/Ut )
de unde dnd factor comun forat pe eUbe1/Ut si respective eUbe2/Ut rezulta :
I0 = IC1/(1+e(Ube2-Ube1)/Ut ); I0 = IC2 /(1+e(Ube1 Ube2)/Ut )
(6.3)
Din legea a doua a lui Kirchhoff scrisa pe bucla masa - baza T 1
emitor T1 emitor T2 baza T2 masa se obine :
Ube1 Ube2 = UI1 UI2
Folosind egalitatea de mai sus in ( 6.3 ) se deduc expresiile
curenilor de colector ai celor doua tranzistoare :
I 0
I 0
I C1
I

C
2
U i 2 U i 1 ;
U i 1 U i 2
(6.4)
UT
UT
1 e
1 e
Caracteristicile de transfer tensiune-curent (6.4) sunt reprezentate
grafic in Fig. 6.5b Tensiunile de colector ale tranzistoarelor T1 si T2 sunt date
de relaiile :
UC1 = EC IC1 RC; UC2 = EC IC2 RC
(6.5)
innd seama de (6.4) din expresiile de mai sus se obine tensiunea
de ieire diferenial :
UC1UC2=Io RCth

U i1 U i 2
2U T

(6.6)

Caracteristica de transfer tensiune-tensiune (6.6) este reprezentata

grafic in Fig. 6.5.c pentru tensiunea de intrare normala cu UT .

Aa cum se observa din Fig. 6.5.c caracteristica statica de transfer in

tensiune a etajului diferenial e liniara atunci cnd tensiunea de intrare vrf
la vrf este cel mult 2UT 50mV. Pentru o tensiune diferenial de intrare
nula , tensiune diferenial de ieire este tot nula ceea ce permite cuplarea
directa in cascada a etajelor difereniale. Pentru tensiuni de intrare vrf la
vrf mai mari dect 4UT 100mV , aa cum se observa din Fig.6.5.c, curenii
de colector devin independeni de intrare si intre +E C si EE curentul trece
practic printr-un singur tranzistor.
Extinderea domeniului tensiunilor pentru care etajul se comporta
liniar se realizeaz prin introducerea unor rezistente numite de degenerare in
emitoarele celor doua tranzistoare (Fig. 6.6.a).

Aa cum indica caracteristicile de transfer din Fig. 6.6.b, extremele

domeniului tensiunilor de intrare pentru care etajul se comporta liniar devin
aproximativ Io RE , in schimb se reduce amplificarea in tensiune a
etajului. In cazul in care sarcina nu se concentreaz intre colectoarele
tranzistoarelor T1 si T2 ci intre unul dintre colectoare si masa (Fig.6.7.a) se
obine un etaj cu intrare diferenial si ieire asimetrica. Intrarea
corespunztoare bazei lui T1 se numete neinversoare ( semnalul de ieire e
in faza cu semnalul aplicat pe aceasta intrare ). Reprezentarea simbolica a
unui amplificator operaional este cea din Fig. 6.7.b unde cu E s-a notat
tensiunea bipolara de alimentare iar cu Uo tensiunea de ieire.
Pentru a caracteriza funcionarea dinamica a amplificatoarelor
operaionale este util s se defineasc doua categorii de semnale : de mod
comun si de mod diferenial.
Tensiunea de intrare in mod diferenial este :
Uid = Ui1 Ui2
(6.7)
Iar tensiunea de intrare in mod comun este data de relaia :
Uimc =

U i1 U i 2
2

(6.8)

In cazul unei tensiuni de intrare pur difereniale, tensiunile la cele doua

intrri sunt egale ca modul si opuse ca faza U i1 = - Ui2 = Uid/2 iar in cazul

unei tensiuni de intrare de mod comun pur tensiunile la cele doua intrri
sunt egale si in modul si in faza Ui1 = Ui2 = Uimc.
In general tensiunea de intrare au o componenta diferenial si una
de mod comun a cror expresie rezulta din (6.7) si (6.8) astfel :
Ui1 =

U id
U imc
2

Ui2 = -

U id
U imc
2

(6.9)

Conform (6.9) in Fig. 6.7.c. este reprezentat amplificatorul

operaional cu semnele de intrare in componentele de mod diferenial si
componenta de mod comun.
Performantele amplificatoarelor operaionale sunt apreciate in
cataloage printr-o serie de parametri dintre care cei mai importani sunt
definii in continuare .
Amplificarea difereniala in bucla deschisa (fr reacie) este definite
ca variaia tensiunilor de ieire raportata la variaia tensiunilor de intrare pur
difereniale:
U0

A= U ;

Uid=0

id

(6.10)
Valoarea tipica a amplificrii difereniale pentru un amplificator
operaional integrat este 104106.
Amplificarea de mod comun in bucla deschisa este raportul dintre
variaia semnalului de ieire si variaia semnalului de intrare in mod comun
pur:
U0

Amc= U

imc

;Uid=0

(6.11)

Factorul de rejectie de mod comun CMMR (Common Mode

Rejection Ratio) se definete ca fiind raportul dintre amplificarea difereniala
in bucla descrisa si amplificarea de mod comun :
CMMR=

A
Amc

CMMR=

20log

A
Amc

[dB]

(6.12)
Factorul de rejectie de mod comun are valori tipice cuprinse intre 70
si 80 dB. Relaiile (6.10) si (6.11) permit exprimarea tensiunii de ieire
funcie de componentele difereniale si respectiv de mod comun ale tensiunii
de intrare :
U i1 U i 2
2
U0 = AUid + AmcUimc = A(Ui1-Ui2) + Amc

Curentul de polarizare la intrare este valoarea medie a celor doi

cureni de intrare IB1 si IB2 (Fig.6.7.a) atunci cnd tensiunea de ieire este
nula :
I B=

I B1 I B 2
;U0=0
2

(6.13)

Valoarea tipica a curentul de polarizare este cuprinsa intre 10 si 100

mA.
Impedana de intrare difereniala Z id este raportul dintre tensiunea de
intrare pur difereniala si curentul diferenial de intrare :
U id

Zid= I I ;Uim=0
B1
B2
(6.14)
Deoarece la frecventele de lucru capacitatea de intrare in mod
diferenial este neglijabila, in cataloage se indica rezistenta de intrare cu
valori tipice de sute de K la zeci de M.
Impedana de intrare de mod comun Z inc este definita ca fiind
raportul dintre variaia tensiunii de intrare si variaia curentului de intrare,
msurata pe fiecare intrare/separat fata de masa, cu condiia ca cealalt
intrare sa fie conectata la masa din punct de vedere alternativ.
Schema echivalenta a impedanei de intrare din punct de vedere al
semnalului, pentru un amplificator operaional este redata in Fig.6.7.d

Datorita nemperecherii perfecte a componentelor din etajele

amplificatoarelor operaionale tensiunea la ieirea acestora este diferita de
zero atunci cnd ambele intrri sunt scurtcircuitate la masa. Tensiunea de
decalaj ( offset )la intrare Ui0 reprezint tensiunea ce trebuie aplicata pe una
din intrri cnd cealalt intrare este conectata la masa pentru a aduce
tensiunea de ieire la 0 ( Fig. 6.7.e ). Valoarea tipica a tensiunii de decalaj la
intrare e cuprinsa intre 0,5 si 10 mV. Impedana de ieire Z 0este raportul
dintre variaia tensiunii de ieire cu valori tipice intre 10 si 1000 .
Viteza de variaie a semnalului de ieire SR ( slow rate ), reprezint
variaia tensiunii de ieire a unui amplificator operaional in bucla nchis
raportata la durata in care s-a produs, atunci cnd la intrare se aplica un
semnal treapta unitate. In cataloage viteza de variaie a semnalului de ieire

se indica pentru o valoare specificata a amplificrii in tensiune cu reacie si

are valori tipice intre 0,1 si 1000 V/s.
Banda in bucla deschisa , determinata prin frecventa maxima a sa, f
, se definete ca fiind de gama de frecventa in interiorul creia amplificarea
se reduce cu 3dB fata de amplificarea maxima , sau altfel spus amplificarea
nu scade sub 0,707 din amplificarea la joasa frecventa.
Frecventa de taiere f T este frecventa la care amplificarea in bucla
deschisa devine unitara ( dB ).
Schema echivalenta simplificata a amplificatorului operaional, in
care se tine seama de o parte din parametrii definii anterior, este
reprezentata in Fig.6.8.a.
Amplificatorul operaional ideal a crui schema echivalenta este
reprezentata in Fig.6.8.b este caracterizat de urmtorii parametrii:
amplificarea in bucla deschisa foarte mare, rezistenta de intrare infinita,
rezistenta de ieire nula, tensiunea de decalaj la intrare nula si banda in bucla
deschisa infinita.

6.2 Aplicaii ale amplificatoarelor operaionale

In practica amplificatoarele operaionale se folosesc in circuite cu
reacie, care permit prelucrarea semnalelor de intrare dup o anumita relaie
matematica. Pentru simplificare , deducerea reaciei intre semnalul de ieire
si cel de intrare pentru circuitele elementare cu amplificatoare operaionale,
se face considernd ca acestea din urma sunt ideale, deci admit o schema
echivalenta cu cea din Fig.6.8.b.
Amplificatorul operaional in montaj de amplificator neinversor este
reprezentat in Fig.6.9.a.
Tensiunea la ieirea amplificatorului operaional este :
u0 = AUd
unde pentru simplificare in notaia folosita pentru tensiunea diferenial de
intrare s-a omis indicele i.
Aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare rezulta:
Ud = Ui UR1

Deoarece rezistenta de intrare diferenial R id este foarte mare,

curentul la intrarea inversoare iB 0 si deci i1 = i2. Aplicnd teorema a doua a
lui Kirchhoff pe ochiul de ieire se obine :
U0

i1 = R R
1
2
R1

si deci : UR1 = R R U 0
1
2
R1

In final rezulta : U0 = A ( Ui - R R U 0 )
1
2
Explicitnd raportul U 0/Ui din relaia de mai sus se obine
amplificarea cu reacie :
U0

AR= U i 1

A
R1
A
R1 R2

(6.15)

Comparnd ( 6.15 ) cu relaia ( 2.69 ) ce exprima amplificarea unui

amplificator cu reacie se obine factorul de reacie :
R1

= R R
1
2
corespunztor divizorului rezistiv format din R1 si R2 .
Deoarece amplificarea in bucla deschisa A este foarte mare din
(6.15) se poate exprima amplificarea amplificatorului neinversor prin :
R2

AR1+ R
(6.16)
1
Din (6.16) rezulta ca pentru amplificatorul neinversor semnalul de
ieire este in faza cu semnalul de intrare iar amplificarea depinde exclusiv de
circuitul de reacie format din R1 si R2 .
Un caz particular de amplificator neinversor este repetorul de
tensiune ( Fig.6.9.b) caracterizat printr-o reacie negativa totala (R2=0 si
R1=). Pentru aceste valori ale lui R 1 si R2 din (6.16) rezulta AR 1 si U0Ui
deci tensiunea de ieire o repeta pe cea de intrare.

Amplificatorul operaional in montaj de amplificator inversor este

reprezentat in Fig.6.9.c. Aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff pe
ochiurile de intrare si respective de ieire rezulta :
Ui=i1R1Ud;U0=i2R2Ud .

Dar U d = U0/A si pentru A foarte mare Ud 0 si din relaiile de mai

sus se obine:
I1

Ui
U
I2 0 ;
;
R1
R2

(6.17)

Deoarece curentul la intrarea inversoare este neglijabil :

I1 +i2 = iB 0
nlocuind (6.17) in relaia de mai sus si explicitnd raportul u 0/ui
rezulta :
AR

R2
R1

(6.18)

Din (6.18) rezulta ca semnalul de ieire al amplificatorului inversor

este in antifaz cu semnalul de intrare iar amplificarea este data de raportul
rezistentelor din circuitul de reacie.
In Fig. 6.10 a. este reprezentata schema unui amplificator cu intrare
diferenial realizat cu amplificator operaional.Aplicnd principiul
superpoziiei si folosind (6.16) si (6.18) rezulta :

R
R
u0 1 1 uR4 2 ui2
R2
R1

(6.19)

Deoarece curentul i B+ la intrarea neinversoare este neglijabil, R3 si R4

formeaz un divizor de tensiune ideal deci :
U R4

R4
Ui
R3 R4 1

nlocuind relaia de mai sus in (6.19) se obine :

u0

R1 R2 R4
R
ui1 2 ui2
R1 R3 R4
R1

Daca in relaia de mai sus se egaleaz coeficienii lui U i1 si Ui2

rezulta R2/R1=R4/R3 si in acest caz :
u0

R2
ui ui2

R1 1

(6.20)

O aplicaie interesanta a amplificatorului operaional o constituie

sumatorul cu coeficieni ponderai (Fig. 6.10.b).
Aplicnd teorema nti a lui Kirchhoff pentru nodul de la intrarea
inversoare rezulta :
I1 + i2 + + i n + I = i B 0
Generaliznd (6.17) se poate scrie :
i1

U i1

U2

Un

U
i
i2 i .. in
i 0
;
,
R1
R2
Rn
R

si in final se obine :
R

R
R
u0
U i1
U i 2 ...
U in
R2
Rn
R1

(6.21)

Daca in (6.21), R 1 = R2 = = Rn = R , tensiunea de ieire este chiar

suma cu semn schimbat a tensiunilor de intrare :
U0 = - (ui1 + ui2 + + uin )
Iar daca R1 = R2 = = Rn = nR circuitul sumator determina valoarea medie
cu semn schimbat a tensiunilor de intrare :
u0

ui1 ui2 ... uin

n

In Fig. 6.10 c este reprezentat un circuit de integrare cu amplificator

operaional.

Aa cum s-a artat anterior :

iR

si deoarece U0 = Uc +Ud Uc
ic c

Ui U d Ui

R
R

se poate scrie :

du0
dt

(6.22)

rezulta :
ui
du
c 0 0
R
dt

In final se obine relaia dintre tensiunea de ieire si cea de intrare :

U0

i
ui dt
RC

(6.23)

Amplificatorul operaional in montaj de circuit de derivare este

reprezentat in Fig. 6.11.a. Curenii prin rezistenta si respective condensator
sunt:
iR

d U i U d dui
U0 Ud U0

; ic c
R
R
dt
dt

si innd seama de (6.22) se obine :

U0
du
c i 0
R
dt

de unde in final rezulta relaia dintre tensiunea de ieire si tensiunea de

intrare :

U 0 RC

dui
dt

(6.24)
Diferena i B -iB a curenilor de intrare ( de polarizare ) ai
amplificatorului inversor din Fig.6.9.c. determina apariia la ieire a unei
tensiuni de decalaj ce se suprapune peste aceea datorata asimetriilor interne.
Deoarece curentul de intrare al bornei inversoare parcurge rezistentele R1 si
R2 influenta curenilor de polarizare se poate minimiza prin conectarea unei
rezistente de colecie Rc=R1/R2 aa cum se indica in Fig.6.11.b.
+

O posibilitate de a compensa simultan pentru un amplificator

inversor att influenta curenilor de polarizare cat si tensiunea de decalaj la
intrare(Fig.6.7.e) este data de schema din Fig.6.11.
Influenta curenilor de polarizare se minimizeaz prin alegerea
rezistentelor R 3 si R astfel incit :
4

Compensarea tensiunii de decalaj la intrare u

i0

se face de la o

sursa externa de compensare E C prin intermediul pontentiometrului.

Rezistenta R S se alege astfel incit sa ndeplineasc condiia :
R5>>R3+R4
pentru ca i B s simt spre mas doar rezistena dat de (6.25). Valoarea
rezistenei poteniometrului Rp se alege astfel nct curentul ce o strbate s
fie cu un ordin de mrime mai mare dect curentul de polarizare i B al
intrrii neinversoare.
6.4. Comparatoare i stabilizatoare
Comparatoarele sunt circuite care semnalizeaz prin mrimea de ieire
dac una dintre mrimile de intrare este mai mare sau mai mic dect
mrimea cealalt de intrare, considerat de referin. Mrimea de ieire
poate lua deci doar dou valori care pot fi puse n coresponden cu nivelele
logice 1L i 0L proprii circuitelor integrate numerice.

Din punct de vedere constructiv i funcional comparatoarele se

aseamn cu amplificatoarele operaionale astfel nct n aplicaiile
nepretenioase un amplificator operaional poate fi folosit drept comparator
i reciproc. Totui n comparaie cu amplificatoarele operaionale,
comparatoarele prezint unele particulariti:
- nivelul mrimilor de ieire (curent sau tensiune) este compatibil cu
circuitele logice pe care le comand;
- funcionarea n bucl deschis (fr reacie): lipsa reaciei asigur pentru
comparatoare o band larg i deci o caracteristica de transfer mai abrupt
fa de amplificatoarele operaionale;
- posibilitatea autorizrii funcionrii (inhibrii semnalului de ieire) printr-o
comand exterioar (strobe).
Schema simbolic a unui comparator este asemntoare cu cea a unui
amplificator operaional i se prezint n Fig.6.12.a. Performanele
comparatoarelor se apreciaz n cataloage printr-o serie de parametrii dintre
care cei mai importani sunt definii n continuare.
Rezoluia UR reprezint tensiunea de intrare diferenial minim
necesar pentru a determina o decizie logic la ieire. Rezult c acest
parametru se definete funcie de caracteristic de transfer a familiei de
circuite logice comandate de ieirea comparatorului. Pentru un circuit TTL
aceast caracteristic de transfer este reprezentat n Fig.6.12.b. valoarea
tensiunii dispuse la mijlocul intervalului dintre nivelul logic 0L se numete
tensiune de prag UP.
Pentru familia TTL tensiunea de prag este de 1,4V. Este logic ca atunci
cnd tensiunea diferenial la intrarea comparatorului este nul ieirea s fie
egal cu tensiunea de prag. Relaia de definiie a rezoluiei este deci:
UR=

UP
A

(6.26)

unde A este amplificarea n bucl deschis a comparatorului.

Fig.6.12
Tensiunea de decalaj UID este tensiunea care trebuie aplicata la intrare
pentru ca ieirea s fie egal cu tensiunea de prag a circuitului logic
comandat. n Fig.6.12.c. cu linie punctat se reprezint caracteristica de
transfer a unui comparator real a crui tensiune de ieire este U P pentru
tensiunea diferenial de intrare egal cu UID i nu pentru Uid=0. Tensiunea
maxim de intrare n mod diferenial U idM este valoarea maxim a tensiunii
difereniale care nu distruge circuitul de intrare al comparatorului.

Timpul de rspuns tR este intervalul de timp scurs ntre aplicarea unui

semnal treapt de tensiune la intrare i momentul n care tensiunea de ieire
atinge valoarea de prag a circuitului logic comandat.
Dou dintre comparatoarele integrate larg folosite sunt LM339(M339)
i A711(CLB2711), n paranteze fiind notate codurile productorilor
interni. Circuitul M339 conine patru comparatoare independente
(Fig.6.13.a) proiectate special pentru a avea o rezoluie TTL foarte bun
(UR=50V) dar un timp de rspuns relativ mare (tr=1,3s).
Alimentarea se face de la o singur surs de tensiune ntre 2 i 36V sau
de la dou surse simetrice n gama de 1 la 18V iar tensiunea de decalaj
UID=5mV. O aplicaie tipic pentru care se folosete un singur comparator
din circuitul M339 este ilustrat n Fig.6.13.b. Aceast schema permite
compararea unui semnal de intrare valabil n timp cu o tensiune de referin
fix, obinut printr-un divizor chiar de la tensiunea de alimentare
(Fig.6.13.c.).
Tensiunea de ieire a comparatorului este dat de relaia:
U0= ?????????????????????????????????

Fig.6.13
Adic aa cum rezult din caracteristica de transfer din Fig.(6.12),
ieirea este maxim UOM cnd tensiunea de intrare diferenial Uid=Uref-Ui
este pozitiv i minim UOm cnd Uid este negativ.
Circuitul CLB 2711 conine dou comparatoare Fig.6.14.a. proiectate n
vederea minimizrii timpului de rspuns (t r=40ns0 cu preul reducerii
rezoluiei TTL (UR=2mV).
Alimentarea se face de la dou surse asimetrice +12V i 6V; tensiunea
diferenial de intrare maxim UidM= 5V iar tensiunea de decalaj este
UID=3,5mV. Cele dou comparatoare sunt conectate prin intermediul a dou
pori ce realizeaz funcia logic SI, la o poart SAU a crei ieire reprezint
ieirea comparatorului dublu CLB 2711.
Intrrile de eantionare (trobare) 1 i 2 acioneaz asupra circuitului
astfel:
- dac ambele intrri de eantionare sunt n 0L (practic la mas), ieirea
circuitului este n 0L;
- dac o singur intrare de eantionare este n 1L (practic Ueantionare>3V);
ieirea circuitului coincide cu ieirea comparatorului corespunztor;
- dac ambele intrri de eantionare sunt n 1L ieirea circuitului poate fi
1L sau 0L funcie de semnalele de intrare u i1 i ui2 raportate la mrimile de
referin Uref1 i Uref2 ale celor dou comparatoare.

O aplicaie tipic a circuitului CLB 2711 este comparatorul cu fereastr

(Fig.6.14.b.) denumit i discriminator de interval i care semnalizeaz prin
tensiunea de ieire Uom dac tensiunea de intrare se gsete ntre dou valori
pre4stabilite UrefM i Urefm (Fig.6.14.c.).

Fig.6.14
O alt categorie de circuite integrate liniare larg folosite n practic este
cea a stabilizatoarelor electronice. n Fig.6.15.a. se indic schema bloc a
stabilizatorului de tensiune integrat ROB 723 ce conine:
- etajul de formare a tensiunii de referin de 7,15V format dintr-o diod
Zenner, o surs de curent constant de polarizare a diodei Zenner i
amplificatorul de referin; tensiunea de referin e disponibil utilizatorului
i poate fi micorat cu ajutorul unui divizor rezistiv exterior;
- amplificatorul de eroare cu intrare diferenial i ieire asimetric cu
amplificare n bucl deschis de 60dB;
- tranzistor regulator seria TS avnd un curent maxim de 150mA; n
colectorul su se aplic tensiunea de alimentare, iar din emitor se culege
tensiunea stabilizat. Dioda Zenner din emitorul lui TS furnizeaz la
terminalul UZ un nivel de tensiune translatat cu 6,2V fa de tensiunea de
ieire U0;
- tranzistorul de protecie TP; acesta se deschide atunci cnd curentul de
ieire al stabilizatorului ce strbate rezistena conectat extern ntre bornele
CL (curent limit) i CS (curent sense), depete o valoare prestabilit;
deschiderea lui TP determin scderea curentului n baza lui TS i deci
limitarea curentului su de colector; ntre terminalul COMP din colectorul
lui TP i intrarea inversoare a amplificatorului de eroare se conecteaz un
condensator exterior cu valoarea tipic de 100pF pentru compensare n
frecven.
Principalele caracteristici electrice ale stabilizatorului ROB 723 sunt
urmtoarele:
- tensiunea de alimentare maxim ntre +E i E este 40V;
- domeniul tensiunii de ieire este de la 2 la 37V;
- stabilizarea n sarcin este 0,1%U0;
- tensiunea de referin Uref=7,15V;
- curentul de ieire fr tranzistor serie extern 150mA; pentru cureni de
ieire mai mari se poate conecta un tranzistor serie extern de putere
comandat de obicei prin intermediul terminalului UZ (Fig.6.15.a.).
O schem tipic de aplicaie a circuitului ROB 723 (Fig.6.15.b.) este
cea de stabilizator de tensiune pozitiv sczut (U0=2 7V).

Fig.6.15
Aa cum se observ din Fig.6.15.b., tensiunea de referin Uref=7,15V se
aplic la intrarea neinversoare a amplificatorului de eroare prin intermediul
divizorului format din R1 i R2. tensiunea de ieire a stabilizatorului va fi n
acest caz:
R2

U0= R R * U ref
1
2
Rezistena de scurtcircuit RSC se conecteaz ntre baza i emitorul
tranzistorului de protecie TP i se determin din relaia:
U BE

IOM= R
SC
unde IOM este curentul maxim admis la ieire, iar U BE=0,6V este tensiunea de
deschidere a tranzistorului de protecie.
Rezistena dintre emitorul lui TP i intrarea inversoare a amplificatorului
de eroare se alege de valoare R3=R1llR2 pentru a reduce influena curenilor
de polarizare (Fig.6.11.b.).
6.5. Circuite logice bipolare
Un loc aparte n cadrul circuitelor logice realizate in tehnologie bipolar
l ocup familia circuitelor TTL (Tranzistor-Tranzistor-Logic; logic
tranzistor-tranzistor).
Poarta fundamental cu ajutorul creia se poate genera orice funcie
logic este n aceast familie poarta I-NU, poarta fiind deci un circuit care
implementeaz o anumit funcie logic.
Definitorii pentru fiecare familie de circuite logice sunt nivelele logice
adoptate pentru 0L i 1L i tipul de logic (pozitiv sau negativ) adoptate.
Familia TTL folosete logica pozitiv iar nivelele logice sunt ilustrate in
Fig.6.16.a., indicii folosii avnd urmtoarea semnificaie: I (imput-intrare),
0 (output-ieire), L (low-jos, corespunde lui 0L n logica pozitiv), H (highinalt, corespunde lui 1L n logica pozitiv).
Pentru circuitul de comanda se indic tensiunile de ieire maxim
garantat n stare jos UOLmax i respectiv minim garantat n stare sus U OHmin
iar pentru circuitul comandat tensiunile de intrare maxima permisa n stare
jos UILmax i respectiv minim permis n stare sus U IHmin. Tensiunea de
alimentare nominal a circuitelor TTL este UCC=5V. Se asigur deci
compatibilitatea ntre circuite n sensul c o tensiune de ieire a porii de
comand este recunoscut cu o margine de zgomot de 0,4V de poarta

comandat. n Fig.6.16.b. sunt reprezentate simbolul i respectiv tabelul de

adevr al porii I-NU iar n Fig.6.16.c. se red schema bloc i conFiguraia
terminalelor circuitului TTL tip CDB 400 ce conine patru pori I-NU cu
dou intrri.

Fig.6.16
n Figura 6.17.a. este reprezentat schema electric a porii TTL I-NU
cu dou intrri, iar n Fig.6.17.b. caracteristica de transfer a acesteia, precum
i un tabel ce indic starea n care se afl cele patru tranzistoare din
compunerea porii n diverse puncte ale caracteristicii.

Fig.6.17
Schema porii TTL cuprinde urmtoarele elemente de circuit active:
- tranzistorul multiemitor T1, care realizeaz practic funcia I;
- tranzistorul de comand T2;
- tranzistoarele T3 i T4 comandate n contratimp de T2;
- diodele D1 i D2 de limitare a salturilor negative ce apar datorit
reflexiilor de neadaptare pe liniile de transmisie;
- dioda D3 destinat s mpiedice intrarea n conducie a lui T4 cnd T3
este saturat.
Pentru a arta c circuitul din Fig.6.17.a. implementeaz funcia I-NU
se analizeaz funcionarea acesteia n dou situaii: ambele intrri au un
potenial de 2V (valoarea minim admisibil la intrare pentru 1 L), cnd
ieirea trebuie s fie 0L (potenialul maxim de 0,4V) i respectiv cel puin
una din intrri are un potenial de 0,8V (valoarea maxim admis la intrare
pentru 0L), cnd ieirea trebuie s fie n 1L (potenial minim 2V). Cnd
ambele intrri A i B sunt la 2V (1L) funcionarea este urmtoarea:
- tranzistorul T1 se gsete n conducie invers; de la UCC=5V prin R1 se
asigur n baza lui T1 o tensiune de 2V i deci ambele jonciuni emitor-baz
ale lui T1 sunt polarizate invers; de la UCC prin R2 se asigur n colectorul lui
T1 o tensiune de 1,4V i deci jonciunea baz-colector a lui T 1 este polarizat
direct; ambele intrri ale circuitului absorb un curent I IH de la ieirile
circuitelor de comand;

- tranzistorul T2 conduce datorit curentului injectat n baza sa de T 1 ,

asigurnd prin curentul de emitor o tensiune de 0,7V pe R 4 i o tensiune
redus n colector;
- tranzistorul T3 este n conducie datorit potenialului de 0,7V din baza
sa; tensiunea lui n colector este maxim 0,4V (0L); ieirea circuitului
absoarbe un curent IOL de la intrarea circuitului comandat;
- tranzistorul T4 e blocat deoarece tensiunea din colectorul lui T 2 nu este
suficient pentru a deschide i jonciunea baz-emitor a lui T2 i dioda D3.
Funcionarea porii este aceeai i atunci cnd ambele intrri A i B sunt
n gol (neconectate). n acest caz jonciunea E-B a lui T1 este blocat n
schimb jonciunea B-C e deschis i curentul injectat n baza lui T2 l
deschide pe acesta. O intrare n gol se comport deci ca i cnd ar fi
conectat la nivelul 1L.
Dac cel puin una din intrri, de exemplu A din Fig.6.17.a. este la 0,8V
L
(0 ) funcionarea este urmtoarea:
- tranzistorul T1 intr n conducie direct; jonciunea emitor-baz a lui
T1 este polarizat direct cu 0,8V n emitor i 2,1V n baz; dup intrarea n
conducie a lui T1 potenialul n baz va scade la 0,9V datorit cderii de
tensiune pe jonciunea emitor-baz aflat n conducie;
- tranzistorul T2 se blocheaz deoarece tensiunea n colectorul lui T 1
scade la 0,4V;
- tranzistorul T3 se blocheaz deoarece curentul de emitor a lui T2 este
neglijabil i cderea de tensiune pe R4 este practic nul; tensiunea lui n
colector este de cel puin 2,4V (1L);
- tranzistorul T4 conduce deoarece potenialul de 4,7V din colectorul lui
T2 deschide att jonciunea baz-emitor a lui T4 ct i dioda D3; ieirea
circuitului debiteaz un curent IOH egal cu curentul de emitor al lui T4 n stare
de conducie.
Caracteristica de transfer din Fig.6.17.b. este obinut n condiiile n
care una din intrrile porii este n 1 L, iar la a doua intrare se aplic o
tensiune cresctoare de la 0V. Pentru Ui<0,6V (poriunea AB a
caracteristicii) starea celor patru tranzistoare din schem e indicat de linia
AB a tabelului i anume T1 i T4 n saturaie iar T2 i T3 blocate, tensiunea
de ieire fiind mare. Cnd 0,6<ui<1,2V (poriunea BC a caracteristicii) T2
ncepe s conduc, T4 iese din saturaie dar rmne n conducie iar T3 ncepe
s ias din blocare, ceea ce determin scderea lent a tensiunii U 0 la ieirea
porii. Pentru 1,2<ui<2V (poriunea CD a caracteristicii de transfer) T1 i T2
se menin n conducie, T4 trece din conducie n blocare iar T 3 aflat n stare
de conducie puternic determin o scdere abrupt a tensiunii de ieire.
Pentru ui>2V ambele intrri sunt n 1L, T4 se blocheaz iar T3 aflat n
saturaie impune o tensiune de ieire constant la nivel mic (poriunea DE a

caracteristicii). Performanele circuitelor logice sunt apreciate printr-o serie

de parametrii dintre care cei mai importani se prezint n continuare.
Un parametru ce caracterizeaz imunitatea la perturbaii a circuitului
logic este marginea de zgomot, definit prin diferena dintre valorile
tensiunilor admise la intrare i tensiunile garantate la ieire pentru cele dou
stri logice. Aa cum rezult din Fig.6.16.a. marginile de zgomot ale
circuitelor TTL sunt:
MZL=UILmax-UOLmax=0,8-0,4=0,4V
MZH=UIhmin-UOHmin=2-2,4=-0,4V
(6.27)
n concluzie pentru circuitele TTL marginea de zgomot n curent
continuu este de 0,4V pentru ambele nivele logice.
Consumul de curent al unei pori la intrare se numete unitate de
sarcin. Pentru poarta TTL I-NU curentul de intrare maxim debitat n starea
jos, corespunztor conduciei directe a lui T1 din Fig.6.17.a. este IIL=1,6mA,
iar curantul de intrare maxim absorbit n stare sus cu T 1 n conducie invers
este IIhmax=40A. Stabilirea unor reguli de interconectare a circuitelor logice
impune cunoaterea curenilor de ieire minimi ai porii TTL pentru cele
dou nivele logice i anume curentul IOlmin=0,8mA debitat n stare sus de
tranzistorul T4.
Capacitatea maxim de ncrcare a ieirii (FAN-OUT), reprezint
numrul N maxim de intrri care pot fi comandate simultan de ieirea unei
pori. innd seama de valorile curenilor de ieire i de intrare prezentate
anterior se obine:
I OL min

NL= I

IL max

16mA
10
1,6mA

I OH min

NH= I

IH max

0,8mA
20
0,04mA

Nivelul 0 fiind limitativ rezult c fan-out-ul garantat al familiei TTL

este 10. Performanele dinamice ale circuitelor logice sunt apreciate prin
intermediul timpilor de comutare i propagare definii n Fig.6.18.a. Prin
convecie, timpii de tranziie (comutare) din starea jos n starea sus (timpul
de cretere) i respectiv din starea sus n starea jos (timpul de cdere) se
definesc ntre 0,1 i 0,9 din amplitudinea maxim UM i pentru familia TTL
au valori tipice tTLH=8ns i tTHL=5ns. Timpii de propagare se definesc ca fiind
intervalul dintre nivelele de 1,5V ale semnalului de intrare i de ieire.
Pentru poarta TTL valoarea tipic a timpului de propagare la tranziia sus-jos
a semnalului de ieire este tpHL=8ns, iar pentru tranziia jos-sus la ieire
valoarea tipic este tpLH=18ns. Timpul de propagare al semnalului prin poart
este un indicator sintetic al vitezei de comutare a acesteia i se definete prin
relaia:
tp =

t pHL t pLH
2

Pentru familia TTL timpul de propagare are valoarea tipic tp=10ns.

Creterea sarcinii capacitive a porii duce la mrirea timpului de propagare.

Un alt parametru important al unei familii logice este puterea consumat pe

poart.
Iniial se determin pentru circuitul CDB 400 din Fig.6.16.c. curentul
consumat de la sursa UCC de ntregul circuit atunci cnd cele patru pori sunt
n 0L i anume ICCL=12mA i respectiv n 1L i anume ICCH=4mA. Consumul
de curent mai mare cu ieirea n 0L fa de cazul cnd aceasta este n 1L; se
datoreaz n principal conduciei n primul caz i blocrii n al doilea caz al
tranzistorului T2 dinFig.6.17.a. Consumul circuitului de definete atunci
cnd la intrare se aplic impulsuri dreptunghiulare cu factor de umplere de
50%. Rezult deci consumul de curent ICC=(ICCH+ICCL)/2=8mA i la UCC=5V
se obine puterea disipat de circuitul CDB 400 egal cu 40mW.
Rezult deci pentru familia TTL o putere disipat pe poart de 10mW.
n catalog pentru familia TTL comercial se mai specific valorile extreme
permise pentru tensiunea de alimentare i anume 4,75 i 5,25V i gama
temperaturilor de lucru cuprins ntre 0 i 700C.
Pentru obinerea unor timpi de propagare mai buni i a unei imuniti la
zgomote crescute se recomand ca intrrile porilor TTL neutilizate s se
conecteze la o tensiune pozitiv corespunztoare nivelului 1 L. O modalitate
de realizare practic a acestei recomandri o constituie conectarea intrrilor
nefolosite la UCC printr-o rezisten de 1k. La fiecare rezistor pot fi
conectate 25 de intrri nefolosite.
Dou sau mai multe pori I-NU standard nu pot avea ieirile conectate
n paralel. Dac se consider dou pori cu ieirile n paralel funcionarea
este corect dac ambele ieire sunt n 0L sau n 1L, n schimb dac una din
ieiri este n 1L iar cealalt n 0L este practic pus la mas tranzistorul T3 al
celeilalte pori. Aceasta determin ambalarea termic a celor dou
tranzistoare, deoarece curentul este eliminat doar de rezistena R 3 de valoare
mica (130).
O soluie posibil este eliminarea din schema porii TTL (Fig.6.17.a.) a
tranzistorului T4, diodei D3 i rezistenei R3 obinndu-se astfel aa numita
poart cu colectorul n gol. n acest caz tranzistorul T 3 nu mai are nici o
sarcin intern i devine posibil conectarea colectorului tranzistoarelor de
tip T3 din mai multe pori la o rezisten de sarcin comun R S legat la UCC
(Fig.6.16.b.). Conectarea n paralel a N pori cu colectorul n gol realizeaz
funcia logic i a ieirilor celor N pori fr a folosi nici o alt poart logic.
ntr-adevr, potenialul punctului comun al ieirilor porilor corespunde
nivelului 1L doar atunci cnd toate ieirile sunt n 1 L; este suficient ca ieirea
unei singure pori s fie n 0 L pentru ca tranzistorul T3 alo acesteia s
scurtcircuiteze la mas punctul comun al ieirilor i potenialul acestuia s
corespund nivelului 0L. Funcia logic obinut prin conectarea porilor cu
colector n gol se numete i cablat.

Pentru aplicaiile ce impun timpi de comutare foarte redui s-a realizat

seria TTL cu diode Schottky. La seria TTL standard timpul de propagare este
de aproximativ 10ns datorit faptului c tranzistorul comut ntre blocare i
saturare aa cum se observ i n tabelul din Fig.6.17.b. Pentru a reduce
timpii de comutare trebuie evitat intrarea n saturaie. O soluie posibil este
folosirea unei diode Schottky (contact metal-semiconductor) ntre colector i
baza tranzistorului (Fig.6.18.c.). Se obine astfel un tranzistor Schottky iar
prin reacia negativ dintre ieire i intrare astfel introdus se evit intrarea
n saturaie a tranzistorului. Seria TTL cu diode Schottky permite obinerea
unui timp de propagare pe poart de 3ns cu preul creterii puterii consumate
pe poart la 220mW. Pentru a permite conectarea ieirilor mai multor pori
n paralel la o magistral comun de date s-a introdus seria TTL cu 3 stri.
Circuitul de ieire n contratimp (T3 i T4) al unei pori TTL poate fi n 0 L (T3
conduce i T4 e blocat) sau n 1L (T3 e blocat i T4 conduce). Circuitul TTL
cu 3 stri permite blocarea simultan a tranzistoarelor T3 i T4 i realizarea
unei stri de impedan mare folosind un terminal de autorizare a
funcionrii (enable).
n Fig.6.18.d. sunt reprezentate dou simboluri pentru poarta I-NU cu
trei stri precum i tabelele de adevr corespunztoare.
Fig.6.18
Diferena dintre cele dou reprezentri ale porii i-NU cu trei stri este
aceea c n prima dintre ele simbolul inversorului (implementeaz funcia
logic NU) este complet. Din tabelul de adevr rezult c atunci cnd
terminalul de autorizare este n 0L funcionare este similar celei a porii INU standard, iar atunci cnd acesta trece n 1L indiferent de intrrile A i B
ieirea trece n stare de impedan mare. Ieirile n dou sau mai multe pori
logice cu trei stri se pot conecta n paralel cu condiia ca o singur intrare
de autorizare s fie n 0L la un moment dat.
Pentru aplicaii ce necesit o vitez de comutare foarte mare s-a realizat
o familie de circuite logice bipolare numit ECL (Emitor Coupled Logic
logic cu cuplaj n emitor). Poarta de baz a acestei familii este poarta
(SAU)-(SAU-NU) a crei schem electric e reprezentat n Fig.6.19.a.
Scheme porii ECL cuprinde urmtoarele structuri:
- un amplificator diferenial ( cu cuplaj n emitor); la intrarea
corespunztoare lui T2 se aplic o tensiune de referin UR iar cealalt intrare
este dubl T1 i T 1l i realizeaz practic funcia SAU;
- sursa de tensiune de referin UR=-1,175V format din T3, D1, D2 i
R1, R2, R3;

- repetoarele pe emitor T4 si T5 se folosesc ca etaje de ieire datorit

impedanelor mici de ieire i curenilor de ieire mari.
Poarta se alimenteaz de la o singur surs negativ U EE=-5,2V.
Nivelurile logice tipice pentru familia ECL sunt UH=-0,75V i UL=-1,55V.
Pentru simplificare se consider iniial c etajul diferenial de intrare este
format doar din T1 i T2. Aa cum se observ din Fig.6.5.b.
Daca la intrarea A se aplica tensiunea U A =UH =-0,75V>UR =-1,175 atunci
T2 este practic blocat si tot curentul de emitor trece prin T1 iar daca UA =1,55V<UR=-1,175V atunci T1 este blocat si tot curentul de emitor trece
practic prin T2.
Prin urmare comutarea semnalului de intrare din 1 L in 0L sau invers
determina comutarea unui curent fix de la T1 la T2 si invers . Deoarece T1 si
T2 nu lucreaz in saturaie ,timpii de comutaie se reduc considerabil . In Fig.
6.19b se reprezint simbolul si respectiv tabelul de adevr al porii ECL .
Tranzistorul T2 poate conduce doar daca ambele tranzistoare T1 si T1 legate
in paralel sunt blocate adic daca la ambele intrri A si B se aplica 0 L . In
aceasta situaie tensiunea in colectorul lui T2 este de -0,8V iar in emitorul lui
T5 datorita cderii de tensiune pe jonciunea baza - emitor a acestuia se
obine tensiunea de -0,8-0,75=-1,55V corespunztoare nivelului 0 L. Este
suficient ca la o singura intrare sa se aplice 1 L ,pentru ca T2 sa se blocheze ,
tensiunea sa in colector sa fie practic nula si in emitorul lui T 5 sa se obin 00,75=-0,75V adic 1. Rezulta ca intr-adevr ieirea repetitorului pe emitor T 5
realizeaz funcia logica SAU . Familia ECL realizeaz timpi de propagare
foarte mici de la 1 la 4ns ,dezavantajul fiind puterea consumata pe poarta
mai mare (aproximativ 25mW ) .
Un avantaj in plus al acestei familii l constituie existenta ieirilor
complementare la care se obin simultan funciile logice SAU si SAU-NU
.Acesta se traduce printr-o reducere a numrului de circuite necesare fata de
cazul cnd ar fi disponibila o singura ieire .
Pentru realizarea circuitelor bipolare cu densitate de integrare mare se
folosete familia II. L notata uneori si I2 L (Integrated Injection Logic logica integrata de injecie ). Circuitul de baza al familiei , care permite
implementarea simpla a tuturor funciilor logice este inversorul . In Fig.6.19
c este realizata schema electrica ,simbolul si tabelul de adevr al unui
inversor cu doua ieiri . Acesta se compune dintr-o sursa de curent realizata
cu tranzistorul pnp T2 si un tranzistor npn multicolector T1 care realizeaz
practic funcia logica NU .
Daca la intrarea A se aplica o tensiune U l <20 mV (corespunztoare lui 0
pentru Ucc =1,5V ) de la ieirea etajului anterior , curentul tranzistorului T 2
este practic scurtcircuitat la masa de tranzistorul de ieire aflat in conducie
al etajului anterior , T1 este blocat si tensiunea sa de colector UH = 0,4 -0,8
(la UCC =1,5V ) corespunde nivelului 1.

Daca la intrare se aplica 1 L ( tranzistorul de ieire al etajului anterior este

blocat ) curentul general de T2 e injectat in baza lui T1 care se deschide si
tensiunea lui de colector corespunde nivelului 0. Deoarece circuitul
elementar se compune din doua tranzistoare fr nici o rezistenta , aria
ocupata de acesta este foarte mica si familia I IL permite realizarea unei
densiti de integrare comparabile sau superioare circuitelor MOS . Timpul
de propagare depinde practic invers proporional de curentul injectat in baza
lui T .Pentru un curent de injecie de 50 A rezulta tP=32ns iar valoarea
limita obinuta pentru cureni de injecie mai mari de 200 A este 200ns .
Acest timp de propagare relativ mare constituie principalul dezavantaj al
familiei II L .
6.6 Circuite logice MOS
Circuitele logice integrate obinute prin tehnologia MOS reprezint o
alternativa avantajoasa pentru aplicaiile ce nu necesita viteza mare si pentru
care consumul de putere redus este imperios necesar .
Circuitele logice MOS se deosebesc in mod substanial de cele realizate
cu tranzistoare de tip " metal - oxid - semiconductor".
In Fig. 6.20. este prezentata structura simplificata a unui tranzistor MOS
cu canal n . Acesta consta din doua regiuni de tip n realizate prin difuzie
intr-un substrat de siliciu de tip p . In funcionare regiunea n pe care se
aplica potenialul mai pozitiv se numete drena iar cealalt regiune n se
numete canal . Grila ,numita uneori si poarta este o pelicula metalica
(aluminiu ) dispusa intre drena si sursa si separata de canal printr-un strat
izolator de SO de unde si denumirea de structura metal - oxid semiconductor .Conducia prin canal este controlata de potenialul aplicat pe
poarta .
Daca potenialul grila - sursa este negativ ( UGS<0),la suprafaa substratului
intre sursa si drena se acumuleaz purttori majoritari q iar electronii snt
ndeprtai. Daca se aplica in acest caz o diferena de potenial intre drena si
sursa cu plusul pe drena nu se va nchide nici un curent intre aceti doi
electrozi. Daca potenialul grila-sursa devine pozitiv dar mai mic dect
valoarea U numita de prag. O<U GS<U, golurile majoritare din substrat aflate
intre sursa si drena snt respinse si regiunea rmne golita de purttori de
sarcina (curentul drena - surs rmne nul).Daca potenialul grila-sursa
depete tensiunea de prag UGS>U, in regiune sunt atrai purttori de tip n
(electroni) si intre drena si sursa se nchide un curent I care creste la
creterea tensiuni U . Rezulta ca intre cele doua insule de tip n a aprut un
canal cu conducie tot de tip n (tipul de conducie s-a inversat in canal).
Caracteristica de transfer IDS =f a unui tranzistor MOS cu canal n este
reprezentata in Fig.6.20.

Valoarea tensiuni de prag UT este data de parametri de proces tehnologic

.Tranzistorul MOS cu canal q are o structura similara si se obine prin
interschimbarea zonelor de tip q si n. Comportarea tranzistorului MOS cu
canal q este de asemeni similara celei a tranzistorului MOS cu canal n
inversndu-se polaritile tensiunilor si sensurile curenilor. In Fig. 6.20.b
sunt reprezentate simbolurile grafice si modul de polarizare pentru
tranzistoarele MOS cu canal n si respectiv q .
Evoluia tehnologica a circuitelor MOS a urmat calea: circuite
PMOS(realizate cu tranzistoare MOS cu canal q), circuite NMOS(realizate
cu tranzistoare MOS cu canal n) si circuite CMOS(complementary - symetry
MOR realizate cu tranzistoare MOS cu canal q si MOS cu canal n).
Indiferent de tehnologia folosita,circuitele MOS pot fi statice sau
dinamice. Circuitele MOS statice se caracterizeaz prin faptul ca informaia
logica se transmite la ieire in mod necondiionat. Circuitele MOS dinamice
realizeaz funcia logica si o transmit la ieire doar la momente determinate
de un semnal de tact. Acest mod de funcionare determina o micare a
puteri consumate si o oarecare cretere a vitezei de lucru. Deoarece in
prezent este cea mai rspndita, in continuare se va analiza mai pe larg
familia de circuite logice CMOS.
Seria CMOS 4000care se fabrica in tara are tensiunea de alimentare
intre 3 si 18V iar tensiunea de prag este 1,5V.
La fel ca si pentru familia TTL ,datorita variaiilor produse de
tolerantele componentelor si de zgomot, nici pentru familia CMOS nu este
posibila reprezentarea valorilor logice 0L si 1L prin doua nivele unice de
tensiune. Domeniile de tensiune corespunztoare valorilor logice sunt
reprezentate grafic in Fig.6.21a pentru UDD =5V si se definesc prin relaiile:
UDHmin =UDD -0,05VV
UDLmax =0,05V
UIHmin = 0,7UDD
UILmax =0,3U
Conform( 6.27.) rezulta pentru circuitele CMOS o margine de zgomot de
aproximativ 30% din UDD :
MZL =UILmax -UOLmax =0,3UDD 0,050,3UDD
MZH =UIHmin -UDHmin =0,7UDD UDD +0,05-0,3UDD
Pentru UDD = 5V se obine o margine de zgomot de 1,5V fata de 0,4V
pentru familia TTL . Imunitatea crescuta la zgomot este un alt avantaj
important al familiei CMOS .Circuitul fundamental al familiei CMOS este
inversorul a crui schema electrica este redata in Fig. 6.21.b.
In Fig. 6.21.c sunt prezentate simbolul si tabelul de adevr ale circuitului
inversor . Inversorul se compune din doua tranzistoare MOS unul cu canal n
si celalalt cu canal p . Conexiunea comuna a grilelor reprezint intrarea iar
conexiunea comuna a drenelor reprezint ieirea inversorului . Cele doua
tranzistoare funcioneaz cu tensiuni de polaritate opusa : astfel o tensiune
pozitiva la intrare mai mare de 1,5 V (practic U DD pentru 1L l va bloca pe T1

si l va deschide pe T2 ceea ce face ca ieirea sa fie comutata la o valoare

sczuta (practic OV ) corespunztoare nivelului 0L si invers o tensiune
pozitiva sub 1,5V aplicata la intrare (practic OV pentru 0L ),l va deschide pe
T1 si prin blocarea lui T2 va asigura la ieire o valoare ridicata de tensiune
(practic UDD )corespunztoare nivelului 0L. Rezulta ca in regim static intre u
si masa nu exista o cale directa de curent (cnd T 1 conduce T2 e blocat si
invers ) si deci puterea consumata de inversorul CMOS in regim static este
practic nula .
Perechea complementara de tranzistoare care realizeaz funcia logica
NU(Fig. 6.21b)permite sa se obin simplu orice alta funcie logica. In Fig.
6.22a sunt reprezentate schema electrica, simbolul si tabelul de adevr al
porii SAU-NU. Aceasta este formata din doua perechi de tranzistoare
complementare, tranzistoarele MOS cu canal q T si T fiind legate in serie iar
cele cu canal n T si T fiind legate in paralel.
Grilele tranzistoarelor T1 si T3 sunt legate mpreuna si reprezint intrarea
A pentru poarta SAU-NU iar grilele lui T2 si T4 legate mpreun formeaz
intrarea B a porii.
Pentru ca ieirea porii SAU-NU sa fie in 1L (U )trebuie ca att T3 cat si
T4 sa fie blocate deci ambele intrri A si B trebuie sa fie in O L (OY). In
aceasta situaie T1 si T2 conduc si potenialul ieirii este practic U DD .Este
suficient ca o singura intrare sa comute in 1L pentru ca tranzistorul MOS cu
canal q corespunztor sa se blocheze si sa ntrerup calea de curent intre U DD
si ieire iar tranzistorul MOS cu canal n corespunztor sa se deschid si
potenialul ieirii sa scad practic la OV(OL ). InFig.6.22.b sunt reprezentate
schema electrica, simbolul si tabelul de adevr al porii SI-NU. De data
aceasta tranzistoarele MOS cu canal q sunt legate in paralel si cele cu canal
n in serie. In acest caz ieirea este in O(OV) doar atunci cnd ambele intrri
A si B sunt in 1L: atunci T1 si T2sunt blocate si nu exista cale de curent intre
UDD si ieire iar T3 si T4 sunt ambele in conducie si potenialul ieirii este
practic OV(OL ).
Este suficient ca o singura intrare sa comute in O L pentru ca tranzistorul
MOS cu canal q corespunztor sa intre in conducie iar cel cu canal n
corespunztor sa se blocheze si potenialul ieirii sa devina practic UDD (1L).
In Fig.6.22.c sunt reprezentate schema electrica si simbolul unui circuit
specific familiei CMOS si anume poarta de transmisie. Aceasta consta dintro pereche complementara de tranzistoare MOS conectate in paralel. Se
comporta ca un comutator, variabila logica A fiind intrarea de control.
Tensiunile de intrare trebuie sa fie pozitive in raport cu potenialul
substratului tranzistorului MOS cu canal n (USS ), si negative in raport cu
potenialul UDD al substratului tranzistorului cu canal q dei U SS <UI <UDD .
Cnd A este1L (UDD )respectiv A in OL (USS ) poarta este

deschisa:tranzistorul T1 este deschis daca USS <UI <UDD -U iar T2 daca USS
+UT <UI <UDD deci pentru USS +UT<UI <UDD UT (UT =1,5V) sunt deschise
ambele tranzistoare ; conectarea in paralel a tranzistoarelor complementare
face ca excursia de tensiune la intrare sa nu fie limitata de tensiunea de prag
UT ; rezistenta in stare deschisa a porii este de ordinul zecilor - sutelor de.
Cnd A este 0 respectiv A in 1 ambele tranzistoare sunt blocate si poarta este
nchisa; intre intrare si ieire apare o rezistenta de ordinul sutelor de M .
Circuitele CMOS prezentate anterior conin un numr mic de tranzistoare
si nici un element de circuit pasiv si de aceea aria de siliciu ocupata de ele
este mica. Acest fapt determina un alt avantaj al tehnologiei CMOS si anume
densitate mare de integrare.
Aa cum s-a artat anterior, puterea consumata de o poart CMOS in
regim static este practic nula. In regim dinamic pentru un inversor de
exemplu (Fig.6.21.b), pe durata comutri acestuia dintr-o stare logica in alta
pentru un timp foarte scurt conduc ambele tranzistoare complementare.
Puterea consumata de o poarta depinde deci de tensiunea de alimentare a
acesteia si de frecventa si durata fronturilor impulsurilor aplicate la intrare.
De exemplu pentru UDD =10V si pentru un semnal in impulsuri la intrare cu
frecventa de 100WHz si fronturi de 20ns, puterea totala consumata de o
poarta CMOS este de 50nW deci cu peste doua ordine de mrime mai mica
fata de poarta TTL.
Timpul de propagare al porii CMOS se calculeaz tot cu relaia (6.28),
unde tpHL si tpLH sunt definii in Fig. 6.18a. Timpul de propagare creste o
data cu creterea sarcinii capacitive a porii. De exemplu, o poarta CMOS
alimentata la 10V si cu o sarcina capacitiva de 50 F are un timp de propagare
de aproximativ 66ns, deci sensibil mai mare fata de poarta TTL.
Intrarea unui tranzistor MOS este practic un condensator (contactul
metalic al grilei si substratul semiconductor formeaz armaturile iar S I O2
este dielectricul), de aceea curentul absorbit la intrare de o poarta CMOS
este practic nul. La prima vedere s-ar putea spune ca ncrcarea la ieire a
unei pori este practic nula si deci fan-out-ul este nelimitat. Fiecare intrare
CMOS conectata la o ieire CMOS reprezint o sarcina capacitiva de
aproximativ5pF care
creste corespunztor timpului de propagare a
semnalului. De aceea principala limitare a capacitii de ncrcare a ieirii
o constituie frecventa de lucru a aplicaiei concrete. Pentru aplicaii necritice
din acest punct de vedere se poate considera ca circuitele CMOS au un fanout egal cu 50.
Pentru a reduce influenta zgomotului si pentru a nu nruti timpul de
propagare intrrile porilor SI-NU se conecteaz la UDD iar cele ale porilor
SAU-NU la USS prin rezistente avnd valori intre 10kr si 100kr .