Sunteți pe pagina 1din 9

2.

4 Diode electroluminescente

2.4.1 Procese de emisie a radiaiei luminoase i infraroii n jonciuni i


heterojonciuni pn polarizate direct
Pentru a favoriza recombinarea radiant n jonciuni i heterojonciuni
semiconductoare, deci i procesele de emisie a radiaiei electromagnetice, este
necesar s se creeze acele stri de neechilibru n care concentraia purttorilor de
sarcin minoritari s fie mult mai mare dect concentraia lor la echilibru. n cazul
dispozitivelor electroluminescente, care transform energia electric n energie a
radiaiei luminoase, mecanismul prin care se creeaz strile de necchilibru este
injecia purttorilor de sarcin minoritari. Acesta este cazul concret al jonciunilor
i heterojonciunilor pn polarizate direct.
n figura 2.42.7 se prezint diagramele de benzi energetice ale jonciunilor
i heterojonciunilor pn la echilibru (a) i polarizate direct (b) pentru cazurile de
interes practic.
Micorarea barierei de potenial la aplicarea tensiunii directe pe jonciunea
sau heterojonciunea pn este efectul principal care face s creasc exponenial
concentraia purttorilor minoritari (injecia purttorilor de sarcin minoritari, vezi
fig. 2.8).
La o densitate de curent de 10 A/cm2 se injecteaz aproximativ 1021
purttori/cm3*s la o distan de 12 m de jonciunea pn. La un timp de via
de 10-9s rezult o concentraie a purttorilor minoritari injectai
Fig. 2.4 Diagrama de benzi energetice a unei jonciuni asimetrice
(regiunea n degenerat);
a la echilibru (fr polarizare); b polarizat direct.

Fig.2.5. Diagrama benzilor energetice a unei jonciuni simetrice


(ambele regiuni degenerate);
a la echilibru (fr polarizare); b polarizat direct.
Fig.2.6. Diagrama de benzi energetice a heterojonciunilor p n, E gn E gp :

a la echilibru (nepolarizat), regiunea n degenerat; b polarizat direct,


regiunea n degenerat; c echilibru (nepolarizat), ambele regiuni degenerate; d
polarizat direct, ambele regiuni degenerate.

Fig. 2.7. . Diagrama de benzi energetice a heterojonciunilor p n, E gp E gn :

a la echilibru (nepolarizat), regiunea p degenerat; b polarizat direct,


regiunea p degenerat; c echilibru (nepolarizat), ambele regiuni degenerate; d
polarizat direct, ambele regiuni degenerate.

de 1015 purttori/cm3, care este mai mare cu multe ordine de mrime dect
concentraia purttorilor minoritari de echilibru.
n figura 2.8 se prezint schematic distribuia purttorilor de sarcin ntr-o
jonciune p n, polarizat direct, la nivel mic de injecie.
Fig. 2.8. Distribuia purttorilor ntr-o jonciune p n:
- la echilibru, V=0 (linia punctat)
- polarizat direct, V (linia continu)

Purttorii injectai n jonciunea/heterojonciunea pn vor participa la dou


mecanisme de recombinare concurente: radiant cu emisia fotonilor i neradiant
cu emisia fononilor (energia se disip sub form termic).
Interesant este faptul c recombinarea neradiant este preponderent (numai
1% din purttorii minoritari injectai recombin radiant), recombinarea radiant
fiind de ordinul procentelor n aceast competiie.
n cazul recombinrii radiante n jonciunile i heterojonciunile pn,
dominante snt mecanismele de recombinare radiant band-band (cu
preponderen excitoni liberi, energia emis n acest proces fiind de ordinul
lrgimii benzii interzise) i recombinarea pe centre de recombinare (cu
preponderen pe excitoni legai) ale impuritilor izoelectronice, energia fotonilor
emii fiind n acest caz puin mai mic dect lrgimea benzii interzise (aproximativ
E g Ei , unde Ei este energia de ionizare a impuritii).
Vom remarca c procesul de recombinare radiant band-band este
predominant n semiconductorii cu structur de benzi energetice directe, GaAs,
InP, GaSb, AlGaAs, GaAsP, iar cel de recombinare pe centre izoelectronice" n
semiconductorii cu structur de benzi indirecte, semiconductorii reprezentativi n
acest caz fiind GaP i GaAsxP1-x(pentru x > 0,65).
Totui, este foarte important de reinut c purttorii minoritari injectai n
jonciunea pn pot fi implicai n oricare dintre mecanismele de recombinare.
Preponderena unuia sau altuia dintre aceste mecanisme poate fi condiionat
de o serie de factori ca temperatura, concentraia purttorilor injectai, concentraia
impuritilor din semiconductor, prezena diverselor imperfeciuni, etc.
De asemenea, este de reinut c n procesul de recombinare vor participa n
principal" purttorii minoritari injectai n regiunea de sarcin spaial precum i
cei injectai la o distan de ordinul lungimilor de difuzie ale purttorilor minoritari
( l n , l p ) de regiunea de sarcin spaial.
Aa cum se prezint n figura 2.12.4, una sau ambele regiuni n i p ale
jonciunilor i heterojonciunilor pn snt dopate pn la limita degenerrii
(nivelul Fermi se afl n benzile de conducie respectiv valen, la distana n
respectiv p pe marginile lor).
n acest caz bariera de potenial pentru purttorii minoritari este redus
corespunztor adncimii de ptrundere a nivelului Fermi n benzi, n respectiv p

, deci injecia va fi mai puternic.


Al doilea avantaj al utilizrii unor jonciuni/heterojonciuni cu regiunile n i
p degenerate este datorat efectului BursteinMoss, adic deplasarea pragului de
absorbie fundamental la energii mai mari, adic Eg n p astfel c radiaia
emis cu energia h ~ E g nu va mai fi absorbit n semiconductor.
Totui cnd ambele regiuni ale jonciunii/heterojonciunii au benzile de
energie degenerate au loc i alte mecanisme de recombinare.
Injecia purttorilor minoritari i recombinarea lor radiant snt procese
fizice fundamentale pentru diodele electroluminescente i diode laser.
Procesele de emisie n aceste dispozitive snt similare:
la cureni de injecie mici, jonciunea/heterojonciunea se comport ca o
surs spontan de radiaie necoerent.
la nivele de injecie mari (curentul de prag) apare emisia stimulat laser
(structura fiind constructiv un rezonator optic).
Diodele electroluminescente se pot realiza pe orice material semiconductor n care
recombinarea radiant permite emisia radiaiei. Emisia radiaiei necoerente impune
condiii incomparabil mai puin stringente dect n cazul emisiei coerente. nsi
condiiile de dopaj (nivel, profil) difer cu ordine de mrime n structurile de diode
electroluminescente i cele laser.

2.5. Caracteristicile de baz ale diodelor electroluminescente

2.5.1 Caracteristica curent-tensiune


Caracteristica curent-tensiune a unei diode electroluminescente este dat de
relaia:
qV qV
I I S exp 1 I 0 exp 1 (2.5)
kT kT

prima component datorat difuziei purttorilor iar a doua generrii recombinrii


n regiunea de sarcin spaial. I0 i depind puternic de rata de recombinare n
regiunea de sarcin spaial.
Diodele electroluminescente funcioneaz n regim de polarizare direct,
astfel c relaia (2.5) devine:
qV qV
I F I S exp I 0 exp (2.6)
kT kT

n cazurile de interes practic pentru diodele electroluminescente, curentul de


difuzie este componenta principal a curentului direct produs prin injecia
purttorilor minoritari. Componenta datorat recombinrii n regiunea de sarcin
spaial contribuie la procesele de recombinare neradiant.
n multe situaii de interes practic, rezultatele experimentale snt reprezentate
prin relaia empiric:

qV
I F I S exp (2.7)
kT

n care coeficientul 1 cnd curentul de difuzie este predominant i 2 cnd


curentul de recombinare este predominant.

Fig.2.9 Caracteristica I F V F a unei diode electroluminescente.

n figura 2.9 se prezint caracteristica volt-amperic a unei diode


electroluminescente, n acord cu relaia 2.7.
Din relaia 2.6 i 2.7 deducem puternica dependen de temperatur a
caracteristicii IV:
E g qV
I F ~ exp (2.8)
kT

Valoarea tensiunii directe maxime a unei diode electroluminescente este n


direct dependen de lrgimea benzii interzise Eg precum i de nivelul de dopaj
(gradul de degenerare).
Fig.2.10 Distribuia spectral a emisiei diodelor electroluminescente.

2.5.2 Caracteristica spectral


Aceast caracteristic prezint distribuia spectral a intensitii emisiei
(luminoase sau radiante) a diodelor electroluminescente i pune n eviden i
lungimea de und corespunztoare intensitii maxime de emisie, max .
Intensitatea radiaiei emise, ca efect al recombinrii radiante, depinde de
nivelul de injecie deci de curentul direct prin diod. Din acest motiv, specificarea
intensitii luminoase I L (pentru diodele electroluminescente cu emisie n vizibil)
si radiante Ie (pentru diodele electroluminescente cu emisie n infrarou) se face la
valori precizate ale curentului direct prin diod.

2.5.3 Caracteristica de directivitate


Aceast caracteristic indic variaia intensitii da emisie a radiaiei n
funcie de devierea unghiular de la axa optic.
O asemenea caracteristic depinde n foarte mare msur de forma capsulei
diodei. n figura 2.11 se prezint un exemplu de caracteristic de directivitate,
exprimat att n coordonate polare ct i lineare.
Fig. 2.11. Distribuia spaial a intensitii relative a diodelor electroluminescente.