Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Detectia erorilor
Detectia nivelului uzurii
Realocarea blocurilor de memorie corupte
Colectarea resturilor
Eventual si criptare
Performanța (viteza de funcționare) a unui SSD variază în funcție de câte chipuri sunt folosite în
dispozitiv. Un singur chip NAND este relativ încet din cauza interfeței I/O asincronă pe 8/16 biți și
are o latență mare la operațiile I/E de bază. Când sunt folosite mai multe chipuri NAND, latența
mare dispare dacă sarcina este distribuită egal între dispozitive.
SSD-urile folosesc de obicei memorie cache de tip DRAM asemenea HDD-urilor. Un director
pentru plasarea blocurilor și a nivelului de uzură este păstrat în timpul funcționării în cache. De
obicei în cache nu sunt păstrate și datele utilizatorului. Compania SandForce nu foloseste pentru
SSD-uri memorie cache de tip DRAM. Ei ating performanțe ridicate și fără memorie cache. Din
această cauză au reușit să creeze SSD-uri de dimensiuni foarte reduse.
O altă componentă foarte importantă a SSD-urilor este bateria sau condensatorul de înaltă
performanță. Acestea sunt necesare pentru menținerea integrității datelor și păstrarea datelor
din cache atunci când se întrerupe curentul.
Forma și mărimea oricărui dispozitiv decurge din forma și mărimea componentelor sale. HDD-
urile tradiționale și CD-ROM-urile sunt construite în jurul motorului și mediului de stocare
rotativ. Atâta timp cât SSD-urile sunt construite din circuite integrate și interfețe conectoare, ele
pot în principiu să aibe orice formă imaginabilă, deoarece forma nu este restricționată aproape
deloc de componentele interne.
Memoria Flash
Memoria flash este o memorie electronica de calculator nevolatila si care la nevoie poate fi
stearsa si reporgramata. “Flash” mai desemneaza si tehnologia folosita la fabricarea memoriilor
de acest tip. Memoriile Flash sunt memorii cu acces aleator.
Memoria flash (uneori numită și „Flash RAM”) este un tip de memorie nevolatilă cu alimentare
constantă ale cărei blocuri de memorie pot fi șterse și reprogramate. Este o variantă a memoriei
de tip EEPROM („Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory”), care, spre deosebire
de memoria flash, este ștearsă și programată la nivel de bit, ceea ce o face mai lentă.
Numele de „memorie flash” vine de la faptul că cipul este organizat in așa fel încât o operație de
ștergere se face printr-o singură acțiune sau „flash”. Ștergerea este cauzată de fenomenul tunelare
Fowler-Nordheim, prin care electronii străpung un material dielectric fin cu scopul de a înlătura sarcina
din poarta flotantă asociată fiecărei celule de memorie.
Memoria flash este folosită des pentru a memora cod de control asemănător BIOS-
ului calculatoarelor personale. Când informația din BIOS trebuie modificată memoria poate fi scrisă la
nivel de bloc, ceea ce o face mai ușor de modificat. In schimb, flash–ul nu este folosit ca RAM („Random
Acces Memory”), deoarece RAM-ul este adresat la nivel de byte.
Compania Intel oferă o tehnologie flash care reține 2 biți într-o celulă de memorie, ceea ce dublează
capacitatea la același preț.
Deși la prima vedere memoriile flash par a înmagazina informația permanent, informațiile se pot totuși pierde
dacă nu sunt folosite mult timp. Pentru memoriile flash durata de timp după care informația se poate pierde
este de ordinul zecilor de ani. O limitare și mai importantă o constituie însă faptul că memoria flash are un
număr limitat de cicluri citire-scriere, din cauza acumulării de electroni la poarta tranzistoarelor MOS, ceea ce,
după citiri și scrieri repetate, reduce tensiunea de prag logic atât de mult, încât devine imposibil de detectat
dacă respectivul bit este un „1” sau un „0”. Fenomenul poate apărea după un număr de ordinul zecilor de mii
până la ordinul milioanelor de operații de citire/scriere.