CALCULUL CUREN ILOR DE S.C.

NESIMETRICI
NORMATIV PRIVIND METODOLOGIA DE CALCUL AL CUREN ILOR DE
SCURTCIRCUIT ÎN RE ELELE ELECTRICE CU TENSIUNEA PESTE 1 kV (document
CN Transelectrica SA 2001)

Calculul curen ilor de scurtcircuit simetrici i nesimetrici se face utilizând metoda

componentelor simetrice.
Metoda componentelor simetrice necesit calculul a trei componente independente (de
secven pozitiv , negativ i zero), f r leg turi între ele în afara condi iilor de la locul de
scurtcircuit.
Fiecare dintre aceste componente are propria ei impedan . Valorile impedan elor direct i
invers difer esen ial între ele numai în cazul ma inilor rotative. În cazul în care scurtcircuitul este
departe de generator se admite Z+ = Z-. Impedan ele de secven zero sunt, de regul , diferite de
cele pozitive i Z0 pot fi mai mici sau mai mari decât Z+.
Schema pentru calculul curen ilor de scurtcircuit, dac se aplic teoria componentelor
simetrice, se întocme te numai pentru o faz , atât în calculul scurtcircuitelor simetrice cât i al celor
nesimetrice.
Toate elementele re elei care intervin în calculul curen ilor de scurtcircuit se introduc în
schema de calcul prin impedan ele lor (conform tabelului 3).
Impedan ele pot fi exprimate în unit i absolute [ ] sau în unit i relative.
În cazul schemelor cu mai multe trepte de tensiune, cuplate prin transformatoare, toate
impedan ele trebuie raportate la aceea i treapt de tensiune (de regul cea la care are loc defectul).
În cazul exprim rilor în unit i relative, toate impedan ele trebuie raportate la o aceea i impedan
de baz sau, ceea ce este echivalent, la o aceea i putere de baz (Sb) i tensiune de baz (Ub).

1
 Tabelul 1
Calculul curen ilor de scurtcircuit cu componente simetrice

Rela ii între m rimi la locul Schema Rela ii de calcul ale m rimilor la locul de defect
Defectul defectului echivalent
Componente Impedan a Componente
M rimi de faz simetrice echivalent simetrice M rime de faz Tensiune între faze
introdus în re eaua
de succesiune
pozitiv
+
+ U
Z
+ UA = E⋅ ;
Z I Z+ +Z
Scurtcircuit
−
U + = I +⋅Z; UB = −
E Z + j 3 ⋅Z
⋅ ;
− 0 − U
trifazat prin UA = UB = UC U =U =0 U − = U0 = 0 2 Z+ +Z
impedan a de 0
UC = −
E Z − j 3 ⋅Z
⋅
0 U
defect Z 2 Z+ +Z Z
U CB = j 3 ⋅ E ⋅ ;
A Z+ +Z
B IA = E⋅
1
; U AC = −
j 3 ⋅E Z + j 3⋅Z
⋅ ;
C Z+ +Z 2 Z+ +Z
Z E E 1+ j 3 j 3 ⋅E Z − j 3 ⋅Z
− 0
I+ = ; IB = − ⋅ ; U BA = − ⋅
IA + IB + IC = 0 I =I =0 Zs = Z Z+ +Z 2 Z+ +Z 2 Z+ +Z
I− = I0 = 0 E 1− j 3
IC = − ⋅
2 Z+ +Z

2
 Scurtcircuit + U + = (Z + Z −)⋅I +;
+ U I
+
bifazat între + U − = Z −⋅I +; 2⋅Z − + Z
I UA = E⋅ ;
fazele B, C prin U0 = 0 Z+ +Z− +Z
Z
impedan a de U += U − + I −
UB = −
E 2⋅ Z − + Z + j 3 ⋅ Z
⋅ ;
defect Z UB – UC = Z⋅IB Z⋅I + = − U
−
−I −
2 Z+ +Z− +Z
A = I +⋅(Z − + UC = −
E 2⋅ Z − + Z − j 3 ⋅ Z
⋅
B Z); 0 U
0
2 Z+ +Z− +Z
U CB = j 3 ⋅ E ⋅
Z
;
C U0 = 0 Z+ +Z− +Z
j 3 ⋅ E Z + j 3 ⋅ (2 ⋅ Z − + Z )
U AC = − ⋅ ;
Z 2 Z+ +Z− +Z
j 3 ⋅ E Z − j 3 ⋅ (2 ⋅ Z − + Z )
U BA = − ⋅
2 Z+ +Z− +Z
E I A = 0;
I+ = ;
Z+ +Z− +Z E
IB = − j 3 ⋅ ;
+ − I − = −I + ; Z+ +Z− +Z
IA = 0; I =I ;
IB = − IC I0 = 0 Zs = Z − + Z I0 = 0 IC = j 3 ⋅
E
Z+ +Z− +Z

Tabelul 1 (continuare)

3
 Calculul curen ilor de scurtcircuit cu componente simetrice

Rela ii între m rimi la Schema Rela ii de calcul ale m rimilor la locul de defect
Defectul locul defectului echivalent
M rimi Componente Impedan a
de faz simetrice echivalent Componente simetrice M rime de faz Tensiune între faze
introdus în
re eaua de
succesiune
pozitiv
Dubl punere la +
+ U
p mânt. Fazele B, U+ =U− = UA = U AC = 3 ⋅ E ⋅
C în scurtcircuit + Z− ⋅ (Z 0 + 3⋅ Z ) E ⋅ 3 ⋅ Z − ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z ) 3 ⋅ Z − ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z )
I I+ ⋅ ; = ; ;
puse la p mânt 3⋅Z Z− + Z0 + 3⋅ Z Z + ⋅ Z − + (Z + + Z − ) ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z ) Z+ ⋅Z − + (Z + + Z − ) ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z )
prin impedan a de UB = UC U − = U+ ; − 0
U0 = I+ ⋅
Z− ⋅Z0 U B = UC =
U BA = − 3 ⋅ E ⋅
− U 0 U
defect Z = U0 − U− = Z − + Z 0 + 3⋅ Z
=
− 3⋅ E ⋅ Z − ⋅ Z
3 ⋅ Z − ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z )
A =Z⋅(IB + 3⋅Z⋅I 0 I− I
0 Z + ⋅ Z − + (Z + + Z − ) ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z )
Z+ ⋅Z − + (Z + + Z − ) ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z )
B IC)
C

I− = IA = 0 ;
E ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z ) −E⋅ 3
; IB = ⋅
Z ⋅ Z + (Z + + Z − ) ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z )
+ −
2
I+ = 3 ⋅ Z − + j (2 ⋅ Z 0 + Z − + 6 ⋅ Z )
;
E ⋅ (Z − + Z 0 + 3 ⋅ Z ) Z+ ⋅ Z − + (Z + + Z − ) ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z )
;
Z − ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z ) Z + ⋅ Z − + (Z + + Z − ) ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z )
Zs = −E⋅ 3
− 0 IC = ⋅
IA = 0; I +I =−I Z − + Z 0 + 3⋅ Z I0 = 2
+
IB + IC = E ⋅Z− 3 ⋅ Z − − j (2 ⋅ Z 0 + Z − + 6 ⋅ Z )
IP Z ⋅ Z + (Z + Z − ) ⋅ (Z 0 + 3 ⋅ Z )
+ − +
Z+ ⋅ Z − + (Z + + Z − ) ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z )

4
 Tabelul 1 (continuare)
Calculul curen ilor de scurtcircuit cu componente simetrice

Rela ii între m rimi la Schema Rela ii de calcul ale m rimilor la locul de defect
Defectul locul defectului echivalent
M rimi de Componente Impedan a
faz simetrice echivalent Componente simetrice M rime de faz Tensiune între faze
introdus în
re eaua de
succesiune
pozitiv
Scurtcircuit
monofazat. Faza + U
+
U CB = j 3 ⋅ E ⋅
A pus la p mânt I
+
UA = E⋅
3⋅ Z
; 2 ⋅ Z − + Z 0 + 3⋅ Z
Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z ⋅ ;
prin impedan a de − Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z
− U
defect Z UB = −
3 ⋅E
⋅ 3⋅E
I− U AC = − j ⋅
A 2 2
U ++ U + U 0 U + = (Z − + Z 0 + 3 Z)⋅I + ;
0
B UA = Z⋅IA 0 U 3 ⋅ ( Z 0 + Z ) + j (2 ⋅ Z − + Z 0 + 3 ⋅ Z ) (2 ⋅ Z − + Z 0 + 3 ⋅ Z ) + j 3 ⋅ ( Z 0 + 3 ⋅ Z )
⋅ ; ⋅
C = 0 3⋅Z U − = −Z −⋅I + ; Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z
I C
Z = 3⋅Z⋅I + U 0 = -Z 0 ⋅I + UC =−
3 ⋅E
⋅
2 UAC
UC
3 ⋅ ( Z 0 + Z ) − j (2 ⋅ Z − + Z 0 + 3 ⋅ Z ) 2π /
.
Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z UCB 3 A
UA
UB

UBA
B

I+ = I− = I0 = 3⋅ E
IA = ;
E Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z
= I B = IC = 0
IB = IC = 0 I + = I − =I 0 Zs = Z − + Z 0 + Z + + Z − + Z 0 + 3⋅ Z
3⋅Z
În toate cazurile de scurtcircuit, componenta pozitiv în punctul de scurtcircuit:
cu ZS conform tabel 1, diferit pentru fiecare tip de defect.
+ E
Ik = +
Z + ZS 5
 Fig.3 Exemplu de schem pentru calculul curentului simetric ini ial de scurtcircuit I"k în
concordan cu metoda generatorului echivalent de tensiune:
a) schema sistemului
b) schema echivalent (secven a pozitiv ).