BREVIAR

Tanzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ)

1. Definiţie, tipuri, structură internă, symbol, relaţii între curenţi şi relaţii între
tensiuni
def
TBJ  un dispozitiv semiconductor realizat tehnologic ca o succesiune de 3 regiuni
semiconductoare (pnp sau npn), care formează 2 joncţiuni (JE= joncţiunea emitor-bază şi
JC=joncţiunea colector-bază).
Tabelul 1
u EC uCE
JE JC JE JC
iE p n p iC iE iC
E C E n p n C
u EB iB uCB iB
Structurile u BE u BC
interne şi
B B
simbolurile
u EC uCE
TBJ-urilor
de tip:
a) pnp; b) iE iE iC
iC
npn E C E C

u EB iB uCB iB
u BE u BC
B B

Relaţii: a) TBJ tip pnp b) TBJ tip npn

curenţi i E  iB  iC i E  iB  iC
tensiuni u EC  u EB  uCB  0 uCE  u BE  u BC  0

Notaţii:
E – emitor;
B – bază;
C – colector;
i E - curent de emitor;
i B - curent de bază;
iC - curent de colector;
U BE  VB  VE - tensiune bază-emitor; U EB  V E  V B  U BE - tensiune emitor-bază;
U BC  V B  VC - tensiune bază-colector; ( U CB  VC  V B );
U CE  VC  V E - tensiune colector-emitor; ( U EC  V E  VC ).

2. Regimuri de funcţionare şi polarizări ale TBJ, modele ale TBJ, tipuri de semnal iB
aplicate, utilizări ale TBJ.
Tabelul 2

1
Regimuri de Polarizări ale TBJ Modelarea TBJ tip npn în Tipul de semnal i B Utilizări ale
funcţionare ale u EC u EC regim static de funcţionare. aplicat TBJ în
TBJ Evaluarea puterii disipate funcţie de
E p n p C E n p n C
instantanee regimul de
funcţionare
u EB u CB
u BE u BC
B
B

Regimul U EB  0 U BE  0 I BM iB TBJ saturat - circuite de

SATURAT ( J E U CB  0 U BC  0 iE I CM
I BM
TBJ blocat comutaţie,
şi J C polarizate E C utilizate în
direct) electronica de
IB  0 putere;
U CE sat  0
Tc Tb t - circuite
TBJ este modelat ca un integrate
T
comutator închis. digitale.
PTBJ  U CEsat  I CM  0 I CM  0 Curentul i B are formă
Regimul U EB  0 U BE  0 de undă dreptunghiulară
IB  0
BLOCAT ( J E şi U CB  0 U BC  0 pentru a putea comuta
iE I Cbl  0
JC TBJ fie saturat, fie
polarizate E C
blocat.
invers)
U CEM

TBJ e modelat ca un
comutator deschis.
PTBJ  U CEM  I Cbl  U CEM  0  0

2
Regimul liniar U EB  0 U BE  0 iB
- etaje de
-REGIMUL U CB  0 U BC  0 IB IC
Ib
amplificare;
B C
ACTIV IB
NORMAL(RAN) 
( JE polarizată U BE
 IC    I B

direct şi J C t

polarizată invers) iB  IB
  I b sin t
IE
  
comp . de c .c . comp . de c . a . a i B
 val . medie a i B 
E E

Modelarea TBJ in RAN

REGIMUL U EB  0 U BE  0 Obs.: În RAN şi RAI TBJ - porţile ŞI-

ACTIV U CB  0 U BC  0 disipă putere: NU.
INVERSAT PTBJ  U CE  I C  0 Obs.: RAI
(RAI) ( JE este rar
polarizată invers utilizat în
şi J C polarizată practică.
direct)

3. Analiza regimului activ normal (RAN) al TBJ

3.1.Moduri fundamentale de conectare a TBJ tip npn în circuitele electronice. Definirea caracteristicilor de inrare, ieşire şi
transfer ale TBJ tip npn

Tabelul 3

3
Moduri a) Conexiune EC b) Conexiune BC c) Conexiune CC
fundamental iC iE iC iE
C E
e de iB E C iB
B B
conectare a
TBJ tip npn uCE
în circuitele in. u BE iE ies. u BE iB u BC uCB uCE
iC
electronice
E E B B C C
Mărimi de i B , u BE i E , u BE i B , u BC
intrare
Mărimi de iC , u CE iC , u BC iC , u EC
ieşire
Mărimi de iC , u BE iC , u BE i E , u BC
transfer
Caracteristici i B  i B  u BE  ic ,uCE  const
i E  i E  u BE  iC ,u BC  const .
i B  i B  u BC  i E ,u EC  const .
de intrare
Caracteristici iC  iC  u CE  i B ,u BE  const .
iC  iC  u BC  i E ,u BE  const .
i E  i E  u CE  iB ,u BC  const
de ieşire
Caracteristici iC  iC  u BE  i B ,u CE  const .
iC  iC  u BE  i E ,u BC  const .
i E  i E  u BC  i B ,uCE  const .
de transfer

3.2. Caracteristica de ieşire a TBJ tip npn în conexiunea EC

Aria de funcţionare sigură. Punctul static de funcţionare al TBJ
iC  mA TBJ saturat
P
iC  dM
uCE iC    u CE
n

I CM I B3  I B 2
I B 2  I B1

AFS I B1  const.
IC    I B PSF

U CE uCE  uCEM V 
TBJ blocat uCE  npn
Fig. 3.1. Aria de funcţionare sigură a TBJ
Se poate demonstra că modul de conectare EC este cel mai bun de utilizat în
amplificatoare realizate cu TBJ deoarece el amplifică atât în current cât şi în tensiune şi
putere.Caracteristica de ieşire a TBJ tip npn în conexiune EC, definită prin relaţia
iC  iC  u CE  i ,u  const . este, de fapt, o familie de caracteristici de ieşire având ca parametru
B BE

i B  const. şi u BE  const. ea se reprezintă graphic în cataloagele de TBJ, după cum

u BE   0.5...0.7V este şi ea o dată de catalog.
Aria de funcţionare sigură (AFS) a TBJ reprezintă o zonă din caracteristica de
ieşire delimitată de următoarele curbe:

4
 1. dreapta orizontală a curentului de colector maxim admisibil I CM  const. , unde
I CM e dat în catalog;
2. dreapta verticală a tensiunii colector-emitor U CEM  const. unde U CEM e dată în
catalog;
3. hiperbola puterii disipate maxim admisibile PdM  u CE  iC , dată în catalog;
4. curba străpungerii secundare iC  u CE , dată în catalog, unde  şi n sunt
n

constante de fabricaţie a TBJ.

Obs. : fenomenul de străpungere secundară (valabil doar când TBJ funcţionează în
regim de comutaţie) constă în distrugerea prin topire locală atunci când frecvenţa de
comutaţie a TBJ ( f  1 ), unde T este perioada de comutaţie creşte peste o anumită valoare.
T
Acest fenomen are caracter probabilistic, adică sub curbă probabilitatea ca TBJ să se distrugă
prin străpungere este minimă, iar deasupra ei este maximă.
Punctul static de funcţionare (PSF) al TBJ reprezintă un punct aparţinând AFS, de
coordonate PSF(UCE, IC), care se determină numai când TBJ este conectat într-un circuit
electronic. Valorile coordonatelor PSF, anume UCE şi IC, se determină rezolvând sistemul
liniar format din:
- ecuaţiile TBJ în RAN:
o relaţia generală între curenţi: i E  i B  iC ;
o relaţia generală între tensiuni: u EB  u CB  u EC  0 , pentru pnp;
 u BE  u BC  u CE  0 , pentru npn;
o una din cele 2 relaţii între curenţii TBJ la funţionarea în RAN:
 
iC    i B sau iC    i E , unde   , sau   1   sunt factori de
1
amplificare în curent daţi în catalog.
- teoremele Kirchoff ale circuitului.

4. Analiza regimului de comutaţie a TBJ

Regimul de comutaţie include regimul de saturaţie a TBJ (pe durata T c) şi regimul de

not
blocare (pe durata Tb), care se repetă periodic pe durata T  Tc  Tb  perioada de comutaţie
a TBJ.

4.1. Definirea parametrilor de impuls ai TBJ

Datorită fenomenelor de stocare, recombinare şi deplasare a purtătorilor de sarcină în
regiunea bazei şi în regiunea colector-bază, intrarea în comutaţie şi blocarea tanzistorului în
circuitul de sarcină se produce cu o anumită întrziere faţă de intrarea în conducţie şi blocarea în
regiunea bazei.

5
 iC iB
iC
0,9iCM

iB
0,9iBM
tp

0,1iCM
0,1iBM
td tr t
ts tf
ton toff

Fig.4.1. Diagrame funcţionale la comutarea tranzistorului bipolar

Mărimile care caracterizează comutarea tranzistorului, definite folosind formele de

undă din fig.3.1., sunt:
t on - intervalul de timp între creşterea curentului de bază (0,1  i B1 ) şi atingerea de
către iC a valorii de 0.9  iCM ;
t off - intervalul de timp între căderea curentului de bază  0.9  i B1  şi atingerea
valorii 0.1  iCM de către iC ;
t p - durata impulsului aplicat în bază;
t d - timpul de întârziere la creştere;
t s - timp de evacuare a sarcinii stocate în bază
t on  t d  t r se numeşte timp de comutaţie directă, iar t off  t s  t f timp de comutaţie
inversă. Fiecare din cei doi timpi se compune dintr-o întârziere ( t d -timp de intîrziere la
comutaţia directă on, respectiv t s -timp de întârziere la comutaţia inversă off) şi un timp de
creştere/cădere a frontului (tr –timp de creştere, respectiv tf – timp de cădere a frontului). Cum
t d  t r , obţinem t on  t d  t r  t r .

4.2. Comutaţia TBJ pe sarcină rezistivă

Tranzistorul din fig.3.2 comută pe sarcină rezistivă, iar excursia PSF în planul
caracteristicilor de ieşire iC  iC  u CE  este dată în fig. 3.2.b.,formele de undă liniarizate în
comutaţie fiind reprezentate în fig.3.3. Ţinând cont că U CEsat  EC , I CEo  I CM şi fiind date
EC , I CM , t f , t r , t s , se vor determina teoretic puterile medii disipate în comutaţie şi se va trasa
graficul puterii instantanee.

6
 iC iC
Ec R dreapta de sarcină
RS
40 I CM B

RB Q
iB
VCE
 E  M  iC , uCE 
 C
100 30V
I CE 0 A

VI 0 U CE  sat  EC uCE

a) circuit b) excursia punctului figurativ de funcţionare

Fig. 4.2. Tranzistorul bipolar în comutaţie pe sarcină rezistivă

iB

I BM

0
t
T  1
f

 t 
iC iC  I CM 1  
 t 
 f 
t. I CM
iC  I CM 
tr 0
t

t OFF  t s  t f

u CE
EC

 t 
U CE  E C 
1  t  0
 r 
t

pD
E C  I CM
pdr pdf
2

t
t ON  t d  t r  t r tf

Fig.4.3. Formele de undă i B , iC , u CE şi p d ale TBJ în comutaţie pe sarcină R

Aproximând prin segmente de dreaptă curentul iC şi tensiunea uCE pe intervalele tr şi tf
se deduce expresia puterii medii disipate pe durata unei perioade de comutaţie T  1 f :

7
 1  r 
T t tf
1
Pd   p d  t  dt      P P
T  0 0
p t dt  p t dt
T 0
dr df
 dr df

Puterea medie disipată pe intervalul t r este:
t t
1 r 1 r  t  t E I t
Pdr   u CE  t   iCE  t  dt   E C 1    I CM dt  C CM r
T0 T 0  tr  tr 6T
Iar puterea medie disipată pe intervalul t f este:
t t
 t,  EC I CM t f
Pdf   u CE  t ,   iC  t ,  dt ,   EC  I CM 1  dt , 
t,
f f
1 1
T 0 T 0 tf  t  6T
 f 

Rezultă expresia puterii medii dissipate pe TBJ pe durata unei perioade de comutaţie
EC I CM  t r  t f  EC2  t r  t f 
T: dP   f
6T 6 RS
4.3. Comutaţia TBJ pe sarcină rezistiv-inductivă (RS - LS)
În condiţii reale de funcţionare, procesul de comutare al tranzistorului bipolar de
putere este determinat nu numai de parametrii intrinseci de comutaţie ci şi de caracterul
sarcinii. Astfel, să considerăm circuitul cu TBJ funcţionând în comutaţie pe sarcină inductiv-
rezistivă.
Traiectoria PSF în planul caracteristicilor de ieşire iC  iC  u CE  i ,u  const. ale TBJ,
B BE

într-un proces complet de comutaţie (conducţie-blocare şi invers) tebuie să ţină cont atât de
puterea disipată pe TBJ cât şi de protejarea contra fenomenului de străpungere secundară.
Dacă R  L şi tranzistorul see află iniţial în blocare în punctual figurative A, la aplicarea
comenzii de comutareîn conducţie see produce saltul din A în b, parcurgându-se în continuare
curba de saturaţie B-C. După comanda de blocare, punctual figurative descrie traiectoria C-D-
A. În funcţie de circuitul de polarizare al intrării, punctual D se poate afla pe una din
caracteristicile de străpungere primară. Pe traiectoria C-D-A se descarcă energia acumulată în
inductanţă, o parte pe rezistenţa de sarcină iar cealaltă prin tranzistor.
 EC iC curba
strãpungerii
secundare
L 
I CM E
F
I CM C
D
R
D
IC
IB
m 1 R
circuit de uCE
comandã
iB  0
I CE 0 B A
uCE
0 u CE 0
uCE  sus 

a) circuit b) excursia punctului figurativ de funcţionare

Fig. 4.4 Comutarea TBJ pe sarcină rezistiv-inductivă

În intervalul de blocare trev, circuitul echivalent de comutare este cel din fig. 4.5 în
care tranzistorul a fost modelat printr-un comutator T ideal. Această aproximare este posibilă

8
întrucât tranziţia este determinată în principal de constanta de timp a sarcinii. Tensiunea în
străpungerea primară este u CE  U CE ( sus ) . Aplicând teorema Kirchoff II pe circuitul
di
echivalent see obţine: LS  RS iC  EC  U CE ( sus ) .
dt
Comutarea în blocare începe în momentul în care comutatorul S trece de pe poziţia 1
E C  U CEsat
pe poziţia 2. Condiţia iniţială pentru current este: iC (t  0)  I CM  . Soluţia
RS
EC  U CE ( sus ) 
 
t

t

ecuaţiei este: iC  1  e 
  I CM e  , unde   Ls Rs .
RS  
 
Dacă sarcina este puternic inductivă astfel încât Ls Rs  tr , Ls Rs t f şi energia
acumulată la sfârşitul încărcării este suficient de mare WL  Ls I CM / 2 , punctual de
2
 
funcţionare parcurge traiectoria A-B-C-D-A. Dacă tensiunea de alimentare Ec şi durata de
aplicare a impulsului t p sunt mari, traiectoria parcursă de PSF poate intersecta curba
probabilistică a străpungerii secundare în F. În acest caz, PSF se întoarce spre zona care
specifică tensiunea în străpungerea secundară, iar dispozitivul se poate distruge.

IC L R iC , uCE

U CE  sus 
+
1 S 2 EC
E I CM
+ + C
-
- -
UC E (sa t) U C E (su s)

0 t rev t

a) Circuit echivalent b) Curentul de colector şi tensiunea colector-emitor.

Fig.4.5. Comutarea în blocare pe sarcină R-L

PROBLEME REZOLVATE:
I. Probleme cu TBJ în regim de comutaţie
P1. Se consideră schema din fig.4.2.a) în care se dau:
RC  40 , E C  30V , U CEsat  0.2V
Calculaţi: iC
a) tensiunile U CE şi U RS când TBJ e blocat;
b) puterea pe E C când TBJ e saturat.
Rezolvare: RS
a) În fig.4.2.a) se înlocuieşte TBJ blocat cu modelul său de comutator deschis,
obţinându-se schema din fig.1.
C
RB
iB U CEbl 
EC
B 
30V
E

ui  t 
9
 Fig.1
Scriem teorema Kirchhoff pe ochiul din partea dreaptă:
EC  Rs  I C  U CE
E C  Rs  0  U CE  U CE  E C  30V
Curentul I C  0 pentru că un comutator deschis (TBJ modelat) întrerupe circulaţia
curentului pe latura de circuit pe care este plasat.  U Rs  Rs  I C  Rs  0  0V
b) În fig.4.2.1) se înlocuieşte TBJ saturat cu modelul său de comutator închis,
obţinându-se schema din fig.2.
iC

RS

C
RB
iB U CEsat 
EC
B 
30V
E

ui  t 

Fig.2.
Se observă că U CEsat  0.2V  0 , deci în aceaastă problemă TBJ satuat nu e un
comutator închis ideal, ci unul care are o cădere de tensiune în saturaţie nenulă, dar de valoare
foarte mică comparativ cu EC, căci U CEsat  0.2V  E C  30V . Scriem din nou teorema
Kirchhoff pe ochiul din partea dreaptă:
E  U CEsat 30V  0.2V
EC  Rs  I C  U CEsat  I C  C   0.745 A ;
Rs 40
Rezultă puterea disipată pe EC:
PEC  E C  I C  30V  0.745 A  22.2W

10
 P2. Se consideră fig.4.2.a)în care se cunosc:
E C  30V , RS  40, t r  0.1s, t f  0.5s, T  2ms . Se cer:
t  t 
a)valorile U CE  r 2  şi ic  f 2  ;
   
b)puterea medie disipată pe TBJ, notată Pd;
c)ce valoare capătă Pd de la punctul b) când t r  t f  0 ?
Rezolvare:
Această problemă este o aplicaţie numerică a punctului 3.2. din breviar: „comutaţia
TBJ pe sarcină rezistivă”, deci vom folosi:
 t r 2  EC 30V
a) u CE  t r 2  EC  1      15V
 t r  2 2
 t f 2  I CM
ic  t f 2  I CM  1   , (1)
 t  2
 f 
unde ICM este curentul de colector maxim al TBJ blocat, care se determină în
problema P1, punctul b):
E  U CEsat 30V  0V
I CM  C   0.75 A (2)
RS 40
Obs.: S-a considerat U CEsat  0 deoarece nu a fost precizată nici o valoaareîn datele
problemei, deci s-a presupus TBJ ideal. Înlocuind relaţia (2) în reelaţia (1)obţinem:
ic  t f 2  
I CM 0.75 A
  0.375 A .
2 2
b) Se reia demonstraţia de la punctual 3.2 şi se ajunge la formula (4.7):
EC2  t r  t f  1 1
Pd   f , unde f    50 Hz
6 RS T 2ms

 Pd 
 30V  2   0.1S  0.5S   50 Hz  1.125mW
6  40
c) Dacă tr=tf=0, atunci formula (4.7) capătă valoarea:
E c2  t r  t f   30V  2   0S  0S   0W
Pd  f  , în concluzie, pe TBJ se disipă putere
6 Rs 6  40
datorită timpilor de comutaţie nenuli t r şi t f . Un TBJ ideal, care are t r  t f  0 nu disipă
putere.
P3. Se consideră circuitul din fig.4.4.a) în care se cunosc:
E C  30V , U CEsat  0.2V , RS  40, LS  40mH . See cer:
a) Desenaţi excursia punctului figurativ de funcţionare;
b) calculaţi ICM al TBJ saturat;
c) calculaţi UCEM al TBJ blocat;
d) calculaţi energia acumulată de bobina LS când TBJ e saturat, respectiv când TBJ e
blocat.
Rezolvare:
Această problemă este o aplicaţie numerică a punctului 3.3 din breviar:”comutaţia
TBJ pe sarcină rezistiv-inductivă”, deci vom folosi:
a) Excursia punctului figurativ de funcţionare (PSF) este cea din fig.4.4.b);
b) Schema electrică echivalentă a fig.4.4.a cu TBJ saturat este cea din fig.3

11
 iCM

LS

RS

C
RB
iB U CEsat 
EC
B 
30V
E

ui  t 

Fig.3
Teorema Kirchhoff pe ochiul din partea deaptă este:
dI
EC  RS  I CM  LS  CM  U CEsat .
dt
dI
Dar TBJ saturat are ICM’constant, deci CM  0 . Rezultă:
dt
E  U CEsat 30V  0.2V
EC  RS I CM  U CEsat  I CM  C   0.745 A
RS 40
c) Schema electrică echivalentă a fig.4.4a) cu TBJ blocat este cea din fig.4.
Teorema Kirchhoff pe ochiul din dreapta este:
dI d0
E C  RS I C  LS C  U CEM ; EC  RS  0  LS   U CEM  U CEM  EC  30V
dt dt
L  I L2
d) Energia pe o bobină are expresia generală WL  , deci:
2
- când TBJ e saturat, energia pe bobină este:
40mH   0.745 A
2
LI 2
WLsat  CM   22.2mW
2 2
- când TBJ e blocat, energia pe bobină este:
LI C2 40mH  0 2
WLbl    0W
2 2

12
 iC  0

LS

RS

C
RB
iB U CEM  E
B  C

30V
E

ui  t 

Fig.4

II. Probleme cu TBJ în regimul activ normal (RAN)

P4. Se consideră circuitul din fig.5 în care TBJ are   0.96 , I CB 0  0 şi
U EB  0.7V . Calculaţi:
a) factorul de amplificare în curent,  ;
b) curenţii I B , I C , I E ai TBJ;
c)tensiunile U BE , U CB , U EC ale TBJ;
d) verificaţi că TBJ funcţionează în RAN.

U EC

iE RE RC iC
2 K 3K
 U EB U CB 
EE
  EC
9V 15V
iB

Fig.5

Rezolvare:
a) Relaţia generală între curenţii unui TBJ în orice regiune de funcţionare este:
i E  i B  iC . În plus la la funcţionarea TBJ în RAN apare o relaţie suplimentară, fie
iC  I E  I CB 0  I E , fie iC    i B . Obţinem:

13
 
iC    i E    i B  iC    i B   iC  iC  1      i B  iC   i B . Dar iC    i B . Prin
1
 0.96
identificarea ultimelor două relaţii obţinem:     24
1   1  0.96
b) Se scrie teorema Kirchhoff pe ochiul din stânga:
E  U EB 9V  0.7V
E E  RE I E  U EB  I E  E   4.15mA
RE 2K
Se află curenţii IC şi IB astfel:
I C  I E  0.96  4.15mA  3.984mA
I B  I E  I C  4.15mA  3.984mA  0.066mA  66A
c) Se scrie teorema Kirchhoff pe ochiul din dreapta:
EC  U CB  RC I C  U CB  RC I C  EC  3K  3.984mA  15V  3.048V
U BE  VB  VE  U EB  V E  V B   0.7V
Se scrie relaţia generală între tensiunile pe TBJ aplicând teoema Kirchhoff în jurul
TBJ: 0  U EB  U CB  U EC  U EC  U EB  U CB  0.7V    3.048V   3.748V
d) TBJ din figură este de tip pnp şi funcţionează în RAN dacă J E e polarizată direct
(adică U EB  0 ) şi JC e polarizată invers (adică U CB  0 ). În cazul nostru avem:
U EB  0.7V  0 şi U CB  3.048V  0 , deci am verificat că TBJ funcţionează în RAN.

u EC

E p n p C

u EB u CB
B
P5. Se consideră circuitul din fig.6 în care TBJ are V BE  0,7V şi   100 . Se cere:
a) calculaţi i B , iC , i E ;
b) calculaţi u CE şi u BC ;
c) verificaţi că TBJ funcţionează în RAN;
d) identificaţi modul fundamental de conectare a TBJ în circuit şi scrieţi mărimile şi
caracteristicile de intrare, de ieşire şi de transfer ale TBJ;
e) scrieţi ecuaţia dreptei de sarcină şi reprezentaţi graphic calitativ PSF în planul
caracteristicilor de ieşire;
f) care este clasa de funcţionare a TBJ?

14
 IC iC
I B1 ECHIV . E C RC  10 A
dreapta de
sarcină
RC THEVENIN
R B1 U BC
2 RC clasa A
2 M RB IB 2
U BC IC
U CE clasa B
IB  EC 1M
 20V  E U BE  EC PSF
I B 2  9.3A
U CE B
 10V  20V I C  0,93mA
I B1  0
U BE IE u CE
TBJ E C  20V
RB 2 IE blocat U CE  19 .99814V
2 M
I B2

a) Schema iniţială b) Schema echivalentă cu c) reprezentare PSF

teorema Thevenin
Fig. 6

Rezolvare:
Schema din fig.6.a) poate fi transformată prin echivalare cu teorema lui Thevenin în
schema din fig.6.b folosind formulele:
RB 2 2M
EB   EC   20V  10V
RB1  RB 2 2M  2M
R R 2 M  2 M
R B  R B1 IIRB 2  B1 B 2   1M
R B1  R B 2 2 M  2 M
Rolul echivalării este de a obţine o schemă echivalentă mai simplă, deci cu relaţii mai
simple.
a)Pentru deeterminarea curenţilor şi a tensiunilor pe TBJ se scrie şi se rezolvă
sistemul format din relaţiile TBJ între curenţi, respectiv între tensiuni la funcţionarea în RAN
şi ecuaţiile Kirchoff ale circuitului:
(S)
 I



U
I

 E
E

B E



I
 B

U
I B


CE
I

C


relati e
U
-

BC
r elatie
su pli me
 0
n t
g en er

-
a

relati
 R I  U - teo rema
 B B B BE

 E C
  RC I C  U CE - teor ema

E B  U BE 10V  0.7V
Din relaţia (4)  I B    9,3A
RB 1M
Din relaţia (2)  I C  I B  100  9,3A  0,93mA
Din relaţia (1)  I E  I B  I C  9,3A  0,93mA  0,9393mA
b) Tot din sistemul (S) rezultă din relaţia (5):
U CE  EC  RC I C  20V  2  93  10 5 A  19,99814V şi din relaţia (3) rezultă:
U BC  U BE  U CE  0,7V  19,99814V  19,29814V
c) TBJ tip npn funcţionează în RAN dacă JE e polarizată direct (adică UBE>0) şi JC e
polarizată invers (adică UBC<0). În această problemă, am obţinut:
U BE  0,7V  0 şi U BC  19,29814V  0 , deci am verificat că într-adevăr TBJ este în RAN.
d) Se observă în fig.6.a) că TBJ tip npn e în conexiune EC, mărimile şi
caracteristicile de intrare, ieşire şi transfer fiind cele din tabelul 3 (conexiunea EC).
e) Dreapta de sarcină I C  I C U CE  din fig. 6.c) se determină din relaţia (5):

15
  1  E
EC  RC I C  U CE  I C  I C U CE       U CE  C , ea fiind o dreaptă de pantă
 RC  RC
negativă ce intersectează axa orizontală în punctul  E C  20V ; I C  0 A şi axa verticală în
 EC 
punctul U CE  0;  10 A  . PSF  U CE  19,99814V ; I C  0,93mA se află la intersecţia
 RC 
caracteristicii de ieşire a TBJ având I B  9,3A  const. cu dreapta de sarcină. Conform
fig.6.c) PSF e încă în RAN, dar foarte aproape de zona de blocare a TBJ.
f) TBJ funcţionează în clasă AB deoarece are PSF-ul din fig.6.c) între clasa A de
funcţionare (când PSF-ul situat la jumătatea dreptei de sarcină) şi clasa B de funcţionare (când
PSF-ul este situat la intersecţia dreptei de sarcină cu axa orizontală).

P6. Se dă schema din figura 7.a, în care TBJ are   100 şi U BE  0,7V . Calculaţi:
a) curenţii IB, IC, IE;
b) tensiunile UBC, UCE;
c) ce alte mărimi pot fi determinate?
d) verificaţi cu simularea PSpice.
2 IC

I B1
U BC
RC RC
RB1 RB
2k IB 2K
47 k U BC2a I   100
C U CE
IB  EC EB  U BE  EC
 12V
1 U CE   0.7V
RE
 12V
IE 500
U BE 3 I E
RB 2 0,7V
8 .2 K RE
500
I B2

a) schema electrică dată b) schema echivalentă Thevenin

Fig.7.
Rezolvare:
Se aplică teorema Thevenin şi schema din fig.7.a) se simplifică obţinându-se schema din
fig.7.b), în care:
RB 2 8,2 K
EB   EC   12V  1,7826V
R B1  R B 2 47 K  8,2 K
R R 47 K  8,2 K
RB  RB1 // RB 2  B1 B 2   6,98188 K
R B1  RB 2 47 K  8,2 K
a), b) Sistemul de ecuaţii Kirchoff este:
(S)
 I


U
E

 I C
BE


I


B

U


I
CE
B
I
 C

 U
( 1)
(2 )
BC  0 ( 3)
E  R B  I  U  R  I (4 )
 B B B E E E

 E C
  RC  I C  U C E  R E  I E (5 )

Din relaţiile 1, 2 şi 4 rezultă:

E B  RB  I B  U BE  RE   I B  I B 

16
 E B  U BE 1,7826V  0,7V
E B   RB  1    RE  I B  U BE  I B    18,83A
R B  1    R E 6,98188K  1  100  0,5K
Din relaţia 2 rezultă: I C    I B  100  18,83A  1,883mA
Din relaţia 1 rezultă: I E  I B  I C  1,90183mA  1,902mA
Din relaţia 5 rezultă:
U CE  EC  RC I C  RE I E  12V  2 K  1,883mA  0,5K  1,90189mA  12V  3,766V  0,951V
 U CE  7,2821V
Din relaţia 3 rezultă: U BC  U BE  U CE  0,7V  7,283V  6,582V
c) De exemplu poate fi determinat curentul IB1, în fig.7.a), ochiul din stânga sus:
R I  U BC 2 K  1,883mA    6,5821
RB1  I B1  U BC  RC  I C  0  I B1  C C   0,22017mA
RB1 47 K
Un alt exemplu, pote fi determinat IB2 pe ochiul din stânga jos din fig.7.a):
U  RE I E 0,7V  0,5 K  1,90189mA
 RB 2 I B 2  U BE  RE I E  0  I B 2  BE   0,20133mA
RB 2 8,2 K
Putem verifica faptul că:
I B  I B1  I B 2  0,22017 mA  0,20133mA  0,01883mA  18,83A

d) Simulare PSPICE:
V(1)=1,6511V I(F)=1,883 E-03=1,883*10-3A
V(2)=12V I(VCC)=-2,104E-03=-2,104*10-3A
V(3)=0,9511V I(VBE)=1,883E-05=1,883*10-5A
V(2a)=8,2332V Pd=2,52E-02=2,52*10-2W
Rezultate calcul matematic punctul c) şi comparaţii:
IB=18,83μA=I(VBE)=1,883*10-5A
IC=1,883mA=I(F)=1,883*10-3A
IE=1,90189mA=I(RE)=I(F)+I(VBE)=1,902mA
UCE=7,2821V=V(2a)-V(3)=7,2821V
UBC=-6,5821V=V(1)-V(2a)=-6,5821V
IRB1=0,22017mA=I(VCC)-I(F)=0,22017mA
IB2=0,20133mA=IRB1-I(VBE)=0,20133Ma.

17