Fundamente de inginerie

electronică

Ș.l.dr.ing. Ioana-Monica Pop-Călimanu

Cap. 1 Introducere
1.1. Ce sunt materialele?
Materialele = substanţe simple sau compuse, aflate în stare
solidă, ce prezintă o compoziţie chimică dată şi proprietăţi
specifice.
1.2. Ce sunt materialele electronice?
Materialele electronice = materiale care se găsesc în
componentele electronice din interiorul unui echipament
electronic

1.3. Ce sunt componentele electronice ?

Componente electronice = toate dispozitivele fizice folosite în
circuite
Exemplu: un rezistor, un condensator, un tranzistor

2
 1.4. Ce sunt circuitele electronice ?
Circuite electronice ≈ interconectarea componentelor
electronice
1.5. Ce sunt echipamentele, aparatele electronice?
Echipamente, aparate electronice ≈ interconectarea
circuitelor electronice
1.6. Care sunt cerinţele actuale?
- miniaturizarea
- scăderea consumului de energie
- costuri reduse
- îmbunătăţirea performanţelor
Consecinţa:
- creşterea interesului pentru ştiinţa materialelor si a
tehnologiilor, cu posibilităţi de utilizare în electronică.

3
 Componente electronice
• 1. Componente electronice pasive = rezistoare, condensatoare,
inductoare …
(Se numesc pasive pentru că un circuit realizat doar cu aceste componente
nu poate amplifica sau prelucra un semnal electric, nu poate realiza
conversia energiei dintr-o formă în alta.)

• 2. Componentele electronice active = tranzistoare, diode, circuite

integrate analogice și digitale, microcontrolere, microprocesoare ...

• Ambele tipuri de componente sunt la fel de importante în electronică,

deoarece funcțiile pe care trebuie să le realizeze componentele active nu
pot fi implementate fără ajutorul rezistoarelor, condensatoarelor sau
inductoarelor.
 Rezistorul
• Rezistorul reprezintă o componenta pasiva de tip dipol, realizată în scopul
obținerii unei impedanțe rezistive concentrată într-un volum cât mai mic.
• Parametrul fundamental al rezistorului îl reprezintă rezistența electrică. De
aceea în practică se utilizează și denumirea de rezistență pentru această
componentă.
• Aplicații: polarizarea componentelor active, controlul amplificării, fixarea unor
constante de timp, divizarea tensiunii sau a curentului, adaptarea sarcinilor
pentru diverse circuite, generarea căldurii etc.
• Majoritatea rezistoarelor utilizate sunt liniare adică au caractenstica U-I Iiniară.
Rezultă: U/I=R este o constantă.
• Există și rezistoare neliniare, a căror rezistență este puternic dependentă
– de temperatură pentru termistoare,
– de tensiune pentru varistoare sau
– de Iumina pentru fotorezistoare.
 Divizor de tensiune

• Este o rețea de rezistoare care

furnizează o tensiune fixă sau
variabilă.
• Cel mai des este realizat din
două rezistoare conectate în serie.
• Presupunând că din nodul comun pentru R1 și R2 nu iese nici un curent
din divizor, tot curentul va trece prin R1 și R2.
• Legea lui OHM:
U OUT U IN U OUT U IN R2
i ; i ;    U OUT  U IN
R2 R1  R 2 R2 R1  R 2 R1  R 2

• Exemplu: Daca UIN= 9V, R1 = 1,6KΩ, R2 = 2KΩ, calculați UOUT.

• Raspuns: UOUT = 5V.
 Efectul conectării unei
rezistențe de sarcină
• In practică există un is.
• R2 și Rs sunt conectate în paralel.
• Rezultă un UOUT mai mic decât în
cazul precedent.
• Exemplu: Dacă UIN= 9V, R1 =
1,6KΩ, R2 = 2KΩ, Rs = 3K Ω,
calculati UOUT.
• Rezultatul arată că tensiunea 2 103  3 103
R  1.2  10 3
 1200
scade cu 1,14V când se 2 10  3 10
3 3

conectează o astfel de sarcină.

1200
U OUT  9  3,86V
1200  1600
SOLUȚIE GENERALĂ: 1. Conectarea unei sarcini pentru care curentul is să fie foarte
mic (cel puțin de 10 ori mai mic decât curentul prin divizor). SAU:
2. Proiectarea unui divizor astfel încât curentul prin divizor să fie cel puțin de 10 ori
mai mare decât is.
 Divizoare variabile de tensiune
• Se utilizează un potențiometru.
Condensatorul
Condensatorul este o componentă electronică pasivă realizată în scopul obţinerii unei
impedanţe capacitive. Constructiv este format dintr-un mediu dielectric plasat între două armături
conductoare. Parametrul fundamental al unui condensator este capacitatea electrică C definită ca
raportul dintre sarcina electrică Q, acumulată pe armături şi tensiunea electrică aplicată,
C=Q/U (2.11)
Pentru un condensator plan având suprafaţa armăturilor S şi grosime dielectricului d, ca şi în figura
2.15, sau pentru un condensator cilindric de lungime l şi având a şi b raza cilindrului interior şi
exterior, respectiv, capacitatea se poate calcula cu relaţiile (2.12)

S  0 r' S
C plan 
d
d
2b
2a l 2 0  r' l
a) b)
C cilindric 
Figura 2.15 Realizarea de principiu a b
condensatorului a) plan b) cilindric
ln (2.12)
a

9
 Proprietatea esenţială a unui condensator o reprezintă capacitatea de stocare a
energiei electrice.
Pentru un condensator ideal, alimentat de la o sursă de tensiune U, energia acumulată,
W=CU2/2 rămâne stocată în condensator şi după îndepărtarea sursei de tensiune U.
Conectând o rezistenţă la terminalele condensatorului are loc descărcarea condensatorului.

În regim sinusoidal curentul este defazat cu 90° înaintea tensiunii.

Constructiv condensatoarele pot fi fixe sau variabile, iar din punct de vedere al dielectricului
principalele tipuri utilizate în practică sunt condensatoarele ceramice, cele cu hârtie, cu
pelicule plastice şi condensatoarele electrolitice.

10
Principali parametri ai condensatoarelor sunt:

-capacitatea nominală Cn şi toleranţa acesteia t. În cataloagele producătorilor sunt precizate

frecvenţa şi temperatura la care se măsoară Cn. Pentru valori Cn<1μF, se realizează capacităţi
nominale de valori standardizate, corespunzătoare unor serii de toleranţe ca şi în cazul
rezistoarelor. Pentru Cn>1μF capacităţile nominale sunt specifice fiecărui producător.

-tensiunea nominală Un, reprezintă tensiunea continuă maximă sau valoarea efectivă maximă a
unei tensiuni alternative ce poate fi aplicată condensatorului în regim de funcţionare permanentă.
Este dependentă de rigiditatea dielectrică a materialului dintre armături. Valorile uzule sunt între 6 şi
1000V.

-tangenta unghiului de pierderi, definită ca raportul dintre puterea activă şi cea reactivă,
măsurate la aceeaşi frecvenţă la care s-a măsurat Cn. Depinde atât de dielectricul utilizat, cât şi de
tehnologia de realizarea condensatorului.

- coeficientul de variaţie al capacităţii cu temperatura:

1 dC  ppm  (2.13)
C  C 
C d 
-Pn puterea nominală, reprezintă puterea maximă pe care o poate disipa condensatorul în regim
de funcţionare îndelungată.

-In curentul nominal, reprezintă curentul maxim ce poate trece prin condensator în regim de
funcţionare îndelungată.

-Riz rezistenţa de izolaţie, este dată de raportul dintre tensiunea continuă aplicată
condensatorului şi curentul ce se stabileşte prin acesta, la 1minut după aplicarea tensiunii. Poate
varia între 100MΩ şi 100GΩ.

-τ constanta de timp. Acest parametru se indică de obicei pentru condensatoare având Cn>0,1μF,
în locul rezistenţei de izolaţie, τ = Cn·Riz. Poate fi de câteva minute pentru condensatoarele
electrolitice cu aluminiu, până la câteva zile pentru condensatoarele cu polistiren sau polipropilenă.

-If curentul de fugă, reprezintă curentul care trece prin condensator

atunci când acestuia i se aplică o tensiune continuă, măsurat după un interval de timp între 1 şi 5
minute. Acest parametru este important pentru condensatoarele electrolitice.
 SEMICONDUCTOARE
• Curentul electric este o mișcare ordonată de sarcini electrice. Intr-un
metal, un curent electric este o mișcare ordonată de electroni = sarcini
electrice negative. Aceasta deoarece atomii de metal au e- din stratul de
valență capabili să devină e- liberi și să se miște ordonat sub influența unui
câmp electric extern.
• Dpdv. al conductivității electrice un material semiconductor (Germaniu
sau Siliciu) ocupă o poziție între materiale conductoare și dielectrice.
• Conducția se realizează prin 2 categorii de purtători: electroni și goluri.
• Acești purtători au o anumită mobilitate putând da naștere la un curent
electric de conducție sub influența unui câmp electric.
• Dispozitivele semiconductoare se bazează pe conductibilitate extrinsecă
produsă prin impurificarea (dopare) cu substanțe străine.
 Semiconductoare de tip n

• Dacă un semiconductor
este dopat cu impurități
pentavalente (antimoniu,
fosfor, stibiu, arsen)
atomii de impuritate
cedează cu ușurință
câte un e- care devine liber.

• Acest tip de atomi de impuritate se numesc DONORI.

• Ei devin IONI POZITIVI fixați în rețeaua cristalină.
• Nr. electronilor crește mult; se numesc purtători majoritari în semiconductorul
de tip n.
 Semiconductoare de tip p
• Dacă un semiconductor
este dopat cu impurități
trivalente (indiu, bor,
galiu) atomii de impuritate
captează cu ușurință
câte un e- provenit de la
atomii vecini, conducând la
apariția de goluri.

• Acest tip de atomi de impuritate se numesc ACCEPTORI.

• Ei devin IONI NNEGATIVI fixați în rețeaua cristalină.
• Nr. de goluri va fi egal cu numărul de atomi de impuritate; se numesc
purtători majoritari în semiconductorul de tip p.
 JONCTIUNE

GOL ELECTRON
JONCȚIUNEA PN
• Dacă într-un semiconductor se
realizează prin procedee speciale
o zonă de tip p și o zonă de tip n astfel
încât trecerea de la o zonă la cealaltă
să se facă pe o distanță foarte mică
(<10-5mm), se obține o joncțiune pn.
• Avem concentrații diferite în zonele p și n.
Diferența de concentrații determină difuzia
purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta.
• Sarcina ionilor ficși rămâne necompen-
sată de către sarcina purtătorilor majoritari.
• In zona de separație apare o sarcină spațială
fixată în rețeaua cristalină. Această sarcină
spațială produce un câmp electric intern.
Acesta este o barieră în calea difuziei
purtătorilor de sarcină.
 Polarizarea
joncțiunii pn
• Joncțiunea pn este prevăzută cu două contacte
metalice laterale în vederea conectării
componentei în circuit.
• POLARIZAREA INVERSĂ: Dacă se aplică din
exterior o tensiune cu borna “-” la p și borna
“+” la n, câmpul datorat tensiunii exterioare
mărește bariera de potențial. Curentul prin
dispozitiv scade practic la zero.
• POLARIZARE DIRECTĂ: Dacă se aplică din
exterior o tensiune cu borna “+” la p și borna “-
” la n, câmpul datorat tensiunii exterioare
micșoreaza bariera de potențial. Curentul prin
dispozitiv crește putând atinge valori mari dacă
nu este limitat din exterior.

Dacă tensiunea din exterior este mai mare decât 0,6 V (pentru dispozitiv construit pe
o pastilă de siliciu) se anulează câmpul intern și purtătorii de sarcină pot trece de
cealaltă parte a regiunii de separare.
 Dioda

• Jonctiunea pn are proprietatea neobișnuită

de a permite trecerea curentului doar într-un singur sens (doar de la p la
n). O joncțiune pn cu terminale se numește DIODA.
• Terminalul diodei care este pozitiv când dioda este polarizata direct se
numeste ANOD iar celălalt se numește CATOD.
• Caracteristica statică a diodei semiconductoare reprezintă dependența
curentului prin dioda, numit curent anodic, de tensiunea pe dioda
(dintre anod și catod), numită tensiune anodică.
• Caracteristica teoretică:   aeU 
i a  Is exp    1
  kT  
kT
UT   tensiune termica 26mV / T  300 K
e
 Aplicații ale diodelor

• Redresoare
• Redresarea este procesul de transformare a energiei electromagnetice a
unei surse de curent alternativ în energie electromagnetică de curent
continuu pentru alimentarea unui element consumator.
• Redresarea cu mijloace electronice este posibilă datorită proprietății de
conductibilitate unidirecțională a diodelor.
• Un domeniu în care se utilizează frecvent circuite cu diode pentru realizarea
redresării tensiunii alternative este cel al surselor de alimentare.
 Redresor
monoalternanță
• In semiperioada pozitivă (marcată
pe desenul notat cu a)), dioda
conduce lăsând să treacă un
curent is(t) care dă o cădere de
tensiune us(t) pe rezistența Rs.
• In cealaltă semiperioadă dioda
este blocată și curentul prin
circuit este practic nul.
2
 n2 
u 2 (t) r2  r1     R d  R i
i s (t )  2  n1 
n 
r2  r1   2   R d  R s
 n1  Rs
u s (t)  R s  i s (t)   u 2 (t) 
Ri  Rs
u 2 (t)
 i s (t )  Rs
Ri  Rs   U 2 m  cos t
Ri  Rs
 Redresor bialternanță cu
transformator cu priză
mediană

• Se consideră în continuare că
transformatorul și diodele sunt ideale,
adică rezistența secundarului
transformatorului este nulă și
rezistența în conducție a diodelor este
nulă.
• Cele două secțiuni ale înfășurării
secundarului sunt identice, adică U2’ =   T
’’
U2 . U
 2 m sin  t , pentru t   0, 
u ( t )   2
• Diodele conduc alternativ, adică s 
pentru semialternanța pozitivă  U 2 m sin t , pentru t   T , T 
conduce D1 iar pentru semialternanța  2 
negativă conduce D2.
 Redresor bialternanță cu punte de diode

• In timpul
semialternanței
pozitive diodele
D1 și D3 sunt
polarizate direct,
curentul
închizându-se prin
Rs. Diodele D2 și
D4 sunt polarizate
invers, deci
blocate.

• In timpul semialternanței negative D2 și D4 sunt polarizate direct și

conduc, curentul închizându-se prin Rs, în același sens ca și în cazul
semialternanței pozitive. D1 și D3 sunt polarizate invers și deci blocate.
 Filtre de netezire
• Curentul și tensiunea redresată au un
caracter pulsatoriu. Pentru a obține o
tensiune continuă este necesar ca
pulsațiile tensiunii redresate să fie reduse
cât mai mult: filtru de netezire.
• Se împart în două categorii: cu intrare pe
inductanță (inductive) și cu intrare pe
capacitate (capacitive).
• Utilizarea bobinei ca filtru se bazează pe
proprietatea inductanței de a se opune
variației curentului prin ea.

• Condensatorul se încarcă prin circuitul format din secundar și rezistența diodei care
conduce (este polarizată direct). Rezistența diodei în conducție se știe că este
foarte mică rezultând astfel curentul de încărcare mare și timpul de încărcare scurt.
 Filtru capacitiv

• Condensatorul se încarcă și înmagazinează energie.

• Din momentul în care tensiunea din secundar este mai mică decât tensiunea
pe condensator, condensatorul se descarcă pe rezistența Rs, furnizând energie
(curent). Descărcarea se face lent deoarece Rs este mult mai mare decât
rezistența în stare de conducție a diodei. In consecință tensiunea redresată
este aproape continuă.
• Din figură se observă și că dioda redresoare care este în conducție conduce
atâta timp cât tensiunea din secundar este mai mare decât tensiunea pe
condensator.
• Din momentul în care tensiunea din secundar este mai mică decât tensiunea
pe condensator, dioda se polarizează invers și se blochează și condensatorul
este cel care furnizează curentul pentru Rs.
 Dioda Zener
• Dioda Zener este o joncțiune pn la care
concentrațiile impurităților sunt mult mai
mari decât la dioda clasică.
• La o anumită tensiune inversă, se produce o
generare prin multiplicare prin avalanșă (sau
efect Zener) a perechilor e- – gol.
• Efectul Zener constă în ruperea unor legături
covalente și formarea unor perechi e- – gol.
• In consecință, curentul invers prin joncțiune
începe să crească brusc, tensiunea la
bornele diodei rămânând aproape
constantă.
• DZ sunt construite pentru a funcționa în mod
normal pe caracteristica inversă.
 Stabilizator de tensiune cu dioda Zener
• Stabilizatorul de tensiune este un circuit care
are rolul de a menține, în anumite limite
strânse, valoarea tensiunii de alimentare a Ei
unui circuit de sarcină.
• Cel mai simplu este stabilizatorul parametric
(cu dioda Zener). Din caracteristica lui
tensiune-curent se observă că tensiunea pe
diodă rămâne constantă la variații mari ale
curentului prin diodă.
• Uzo = tensiunea Zener; Iz = curentul prin
dioda; rz = rezistența dimanică a DZ în
conducție
• Se poate înlocui DZ cu modelul liniarizat dacă
Uz > Uzo si Izm < Iz <IzM.
 Calculul rezistenței de balast
U z  U z o  I z rz

Ei  U z U z
I z  I1  I 0   
R1 Rs
rz
U z0  Ei
R1
 Uz  U0 
r r
1 z  z
R1 R s
Ei  U z Ei  U z0
R1  
I z  I0 I z  I0

E i min  U z 0 max E i max  U z 0 min

R1max  R1min 
I 0 min  I z max I 0 max  I z min
 Mărimi caracteristice pentru aprecierea
performanțelor unui stabilizator
• Un stabilizator = un cuadripol la care
tensiunea de ieșire, U0, este funcție de U 0 U 0 U 0
tensiunea de intrare, Ei, de curentul de dU 0  dE i  dI0  dT
sarcina, I0, și de temperatura mediului E i I 0 T
ambiant:
• 1. Coeficient de stabilizare, S0. 1 U 0 U 0
  pentru I0 si T cons tan te
• 2. Rezistenta de iesire, Ri. S0 E i E i
U U 0
• 3. Coeficient de temperatura, ST. R0   0  pentru Ei si T cons tan te
I 0 I 0
• Pentru stabilizatorul parametric: U 0 U 0
ST   pentru I0 si E i cons tan te
T T
rz
1 U 0 R1 r
   z
S0 E i 1  rz  rz R1
R1 R s
E  U0 U0  U z0
I0  I1  I z ; I1  i si Iz 
R1 R1 U 0 rz R1
 U0  I0
rz R1
 U z 0 R1  E i rz  
rz  R1 I 0 rz  R1
 Tranzistorul
• Este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale, capabil să producă o
amplificare liniară a semnalului electric.
• Exista două mari categorii:
– tranzistoare bipolare, TBJ, la funcționarea cărora iau parte concomitent
ambele tipuri de purtători de sarcină
– tranzistoare unipolare, TEC, la funcționarea cărora participă un singur tip
de purtători de sarcină.
• Structura și simbolurile pentru tranzistorul bipolar:
 Funcționarea tranzistorului bipolar

• TBJ sunt dispozitive semiconductoare cu două joncțiuni formate dintr-o

succesiune de 3 zone: n p n sau p n p.
 Functionarea tranzistorului bipolar
• Baza: foarte ingusta, putin
dopata; emitorul are cea mai
mare dopare; colectorul;
jonctiunea colector –baza;
jonctiunea baza-emitor.
• In regiunea activa a caracteristicii
sale statice, JBE este polarizata
direct si JCB este polarizata invers.

i E  i pE  i nBE; i C  i pEC  ICB0 ; i B  i pEB  i nBE  ICB0 ;

• Deoarece:
i pE  i pEC  i pEB
 i C  i B  i pEC  i pEB  i nBE  i pE  i nBE  i E
i pEC
•Raportul  N se numeste factor static de amplificare in N 
curent pentru conexiunea baza comuna si are valori i pE
cuprinse intre 0,98 si 0,998.
 Parametrii statici ai TBJ

• Daca se neglijeaza inBE in raport cu ipE, deoarece concentratia purtatorilor

majoritari din emitor este mult mai mare decat a celor din baza, rezulta: iE
= ipE.
• Deoarece iB, iE si iC sunt parametrii statici ai tranzistorului se scriu cu litera
mare. Deci:
I E  I B  IC ; IC   N I E  ICB0 ; I B  1   N I E  ICB0

• In concluzie:
– tensiunea UBE este mica, corespunzatoare unei jonctiuni pn polarizate
direct;
– tensiunea UBC este mare, corespunzatoare unei jonctiuni pn polarizate
invers;
– Curentul de colector IC este aproximativ egal cu IE si IE >> IB.
 αN si βN
• Prezentarea anterioara reprezinta functionarea tranzistorului cu baza la potentialul
de referinta: conexiune baza comuna, BC.
• Pentru emitorul la potentialul de referinta, conexiunea se numeste emitor
comun.Se defineste factorul static de amplificare in curent βN.
IC  N IE N
N   
I B 1   N I E 1   N 

• Daca se tine cont si de curentul

rezidual ICB0 se poate scrie:
I C   N I E  I CB0 ; IE  IC  IB ;
 N I B  I CB0 N I
IC   I B  CB0   N I B  I CE0 
1 N 1 N 1 N
  N I B  1   N I CB0 ;

• A treia posibilitate de conexiune a

unui tranzistor este in conexiune
colector comun.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

• În oricare dintre conexiunile fundamentale se disting două circuite: un circuit

de intrare, în care se aplică semnalul pentru prelucrare şi un circuit de de
ieşire, în care se obţine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului
face parte din ambele circuite şi se ia ca terminal de referinţă.
• Caracteristicile statice ale tranzistorului exprima legaturile dintre curentii
prin tranzistor si tensiunile aplicate, in regim stationar. Se dau sub forma
grafica, de obicei.
• Principalele caracteristici ale tranzistorului bipolar sunt:
– Familia caracteristicilor de iesire care da dependenta curentului din circuitul de
iesire in functie de tensiunea la bornele de iesire si curentul de intrare.
– Familia caracteristicilor de intrare care da dependenta curentului din circuitul de
intrare in functie de tensiunea la bornele de intrare si de tensiunea la bornele de
iesire.
 Caracteristici in conexiunea EC
• Pentru conexiunea EC:
– Caracteristica de iesire este IC= f1
(UCE, IB);
– Caracteristica de intrare este IB= f2
(UBE, UCE);
• Pentru un TBJ in conexiune EC: UCB= UCE-
UBE.
• Regiunea sau zonele de lucru pentru
TBJ:
– UCB= UCE- UBE>0 = zona activa
– UCE< UBE baza este mai pozitiva decat
colectorul = zona de saturatie
– Daca UBE scade va scadea si IB= zona
blocata
 Polarizarea TBJ - alegerea PSF
• Circuitele de polarizare asigură plasarea tranzistorului într-un punct static
de funcţionare (PSF) pe caracteristicile de ieşire şi intrare. PSF-ul este
caracterizat de 4 mărimi: UBE, IB, UCE şi IC care sunt tensiunile şi curenţii de
intrare şi ieşire, mărimi legate prin cele două familii de caracteristici. Sunt
deci suficiente două mărimi pentru a preciza PSF-ul deoarece celelalte
două se extrag din caracteristici.

• Coordonatele PSF-ului, adică IC şi UCE (din caracteristici rezultă IB şi UBE) se

stabilesc în funcţie de destinaţia circuitului. Întotdeauna PSF-ul se află pe
dreapta de sarcină. Pentru circuitul din figură, în care considerăm
condensatoarele cu reactanţă neglijabilă numai în regim dinamic, pentru
regim static se poate scrie:

U CE EC
E C  U CE  IC R C  R E   IC   
RC  RE RC  RE
• Dreapta de sarcină statică se reprezintă prin
tăieturi pe caracteristica de ieşire.
 Polarizarea tranzistoarelor bipolare

• A. Polarizarea cu două surse de tensiune de

alimentare independente
• Tensiunile EB şi EC se aleg de valori corespunzătoare
pentru asigurarea excursiei maxime de tensiune în
regim dinamic.RE se alege impunând condiţia: URE
≤(0,1 ÷ 0,2)EC. Când nu se impun condiţii speciale de
stabilizare a PSF la variaţia temperaturii mediului, se
poate lua RE = 0.

E C  U CE  I C R E
RC  si
IC
E B  U BE  I C R E
RB 
IB
 Polarizarea tranzistoarelor bipolare

• B. Circuitele de polarizare de la o singură

sursă de alimentare se realizează în două
variante:
– B1). Circuit cu rezistenţă serie în bază
– B2). Circuit cu divizor de tensiune în bază
• Pentru primul circuit, se recunoaşte circuitul
de polarizare cu două surse de alimentare, de
data aceasta sursele fiind identice (EB = EC).
Referitor la RE sunt valabile cele arătate mai
sus. Circuitul de polarizare cu divizor (rezistiv)
de tensiune în bază asigură o stabilitate mai
bună a PSF-ului cu temperatura.

E C  U BE  I C R E E C  U CE  I C R E
RB  si R C 
IB IC
 Polarizarea tranzistoarelor bipolare

• Mărimile UBE şi IB se determină din caracteristicile

statice. Totuşi, UBE se poate aprecia cu aproximaţie
(aproximativ egal cu 0,6 V) iar dacă se cunoaşte β
se poate folosi relaţia IB = IC / β.
• În cazul circuitului cu divizor de tensiune în bază,
după ce s-a determinat valoarea pentru rezistorul
RE se poate scrie:

E C  U BE  I C R E U BE  I C R E E C  U CE  I C R E
R B1  , R B2  si R C 
ID  IB ID IC
• cu menţiunea că UBE şi IB se determină, în general,
din caracteristicile statice iar ID se alege: ID= (10
÷20) IB.
 Tranzistorul bipolar în regim dinamic la joasă
frecvenţă
• Funcţia cea mai importantă a unui tranzistor este cea de amplificare.
Aceasta presupune existenţa unui circuit de intrare ce conţine generatorul
de semnal ce urmează a fi amplificat şi un circuit de ieşire ce conţine
sarcina pe care se culege semnalul amplificat, legată de ieşirea
tranzistorului.
• În condiţiile semnalului mic, porţiunile de pe caracteristicile tranzistorului
în jurul P.S.F. se pot aproxima prin porţiuni drepte, tranzistorul putând fi
reprezentat printr-un cuadripol activ liniar, în care intrarea şi ieşirea au o
bornă comună.
• Din cele şase moduri de legătură între variabilele independente se alege
curentul şi tensiunea drept varibile independente obţinându-se
parametrii hibrizi (parametrii h).
 Parametrii h
• h11 = impedanţa de intrare când
ieşirea este în scurtcircuit (la
variaţii)
• h12 = coeficient de reacţie
inversă de tensiune cuintrare a în
gol v1  h11  i1  h12  v 2
• h21 = factor de amplificare a 
curentului cu ieşirea în i 2  h 21  i1  h 22  v 2
scurtcircuit
• h22 = admitanţa de ieşire cu v  v 
intrarea în gol h11   1  h 12   1 
 i1  v2 0  v 2  i1 0
• Parametrii de cuadripol depind
i 
de temperatură, P.S.F. şi h 21   2   i2 
frecvenţă, fiind în general nişte  i1  v2 0 h 22   
mărimi complexe. La frecvenţe  v 2  i1 0
joase pot fi considerate ca mărimi
reale independente de frecvenţă.
 Modelul cu parametrii h ai TBJ
• Pe baza relatiilor prezentate se
pot construi circuitul echivalent
cu parametrii h al tranzistorului. v1  h11  i1  h12  v 2

i 2  h 21  i1  h 22  v 2
• Dacă se folosesc diferite
conexiuni (EC,CC sau BC) atunci
parametrii h au indicele
corespunzător tipului de
coneziune (e,c sau b). Dacă se
notează cu Rg rezistenţa
generatorului şi Rs rezistenţa de
sarcină a circuitului se pot defini
şi obţine performaţele
tranzistorului.
 Impedanţa de
intrare
• Impedanţa de intrare se defineşte ca impedanţa văzută de la bornele de
intrare când eg = 0, Rg =∞.
• În circuitul echivalent cu parametrii h al tranzistorului se pot scrie relaţiile:

v1  i1  h11  h12  v 2 v1
z1 
 1  Rs i1 eg 0, R g 
v 2  i1  h 21   R s   i 1  h 21 
 h 22  1  R s  h 22

Rs h  (h 11  h 22  h 12  h 21 )R s h  h  R s
v1  i1  h 11  h 12  i1  h 21   i1 11  i1  11
1  R s  h 22 1  h 22  R s 1  h 22  R s
v1 h 11  h  R s
 
i1 1  h 22  R s
 Impedanţa de
ieşire
• Impedanţa de ieşire se defineşte ca impedanţa vazută
v2
de la bornele de ieşire când Rs=∞ şi eg=0 : Z2 
i2
v1  i1  R g v1  h11  i1  h12  v 2 R s   ,e g  0

 v 2  h12
i1  
h11  R g
 h h v  1
 v 2  h 22 h 11  R g   i 2  h 11  R g   h 12  h 21  v 2
1
v 2  i 2  h 21  i1     i 2  12 21 2 
h 22  h 11  R g  h
 22

v2 h 11  R g
 
i2 h  h 22  R g
Amplificarea în curent

• Amplificarea în curent: se
defineşte ca raportul între
curentul de la ieşire şi curentul de
la intrare:
i2
Ai 
i1

 1 
v 2  i 2  R s v 2  h 21  i1   R s 
 h 22 
 1  Rs

 i 2  R s  h 21  i1   R s 
  i 2  R s  h 21  i1 
 h 22  1  h 22  R s
i h 21 i2 h 21
 2   Ai  
i1 1  h 22  R s i1 1  h 22  R s
 Amplificarea în
tensiune
• Amplificarea în tensiune: se defineşte ca raportul între v2
tensiunea de la ieşire şi tensiunea de la intrare: Au 
v1
v1  i1  h11  h12  v 2  v1  h12  v 2  i1  h11

 1  Rs
v 2  h 21  i1   R s   v1  h 12  h 21  i1   i1  h 11
h 22  1  h 22  R s

 h h R 
 v1  i1  h11  12 21 s 
 1  h 22  R s 
Rs
h 21  i1 
v 1  h 22  R s h 21  R s h 21  R s
(1), (2)  2    
v1  h h R  h11  h11  h 22  R s  h12  h 21  R s h11  h  R s
i1  h11  12 21 s 
 1  h 22  R s 
v2 h 21 R s
 Au  
v1 h  R s  h 11
 Principiile amplificatoarelor electronice

• Cu ajutorul amplificatoarelor se obţin, pe o sarcină, semnale de putere

mai mare în comparaţie cu semnalele disponibile dar de putere mai mică.
Forma de variaţie în timp a semnalelor trebuie să fie identică. Energia
semnalului amplificat de la ieşire se obţine pe baza energiei sursei de
alimentare cu tensiune continuă a amplificatorului.
• Atât la intrarea cât şi la ieşirea amplificatorului există un curent, o tensiune
şi deci o putere. Amplificarea reprezintă raportul dintre una dintre aceste
mărimi de la ieşire şi mărimea corespunzătoare de la intrare. Astfel se
deosebesc: amplificarea de tensiune, amplificarea de curent, amplificarea
de putere:

Ue Ie Pe
AU  AI  AP 
Ui Ii Pi
 Caracteristicile amplificatoarelor
• Tensiunea sau curentul de la ieşire nu coincid în general ca fază cu tensiunea
sau curentul de la intrare (amplificatorul conţine şi elemente reactive) astfel că
amplificarea respectivă este o mărime complexă , în general.
A  A e j A = reprezintă modulul amplificării în valori absolute iar 
reprezintă defazajul dintre mărimea de la ieşire şi cea
de la intrare.
• Deseori modulul amplificării se exprimă în unităţi logaritmice, în special decibeli.
Amplificarea de putere în decibeli sau “câştigul de putere” se defineşte prin relaţia:

Pe
G P  10 log  10 log A P
Pi
• Amplificarea de tensiune şi curent în decibeli sau “câştigul de tensiune şi curent” se
definesc prin relaţiile:
G U  20 log A U G I  20 log A I
Avantajul că la conectarea în cascadă a mai multor etaje de amplificare câştigul este
suma câştigurilor parţiale deoarece amplificarea totală este produsul amplificărilor
parţiale: A  A A A ,
1 2 3 G  G G G
1 2 3
 Distorsiunile
de frecvenţă

• Amplificatoarele conţin elemente rezistive, capacitive (condensatoarele şi

capacităţile tranzistoarelor) şi inductive, concentrate sau distribuite.
• Astfel, modulul amplificării variază în funcţie de frecvenţa semnalului
aplicat la intrare. Un semnal nesinusoidal aplicat la intrare va prezenta la
ieşire distorsiuni de frecvenţă deoarece componentele sale de diferite
frecvenţe sunt amplificate în mod diferit.
• Mărimea distorsiunilor de frecvenţă introduse de amplificator se exprimă
“calitativ” pe baza “caracteristicii de frecvenţă” a amplificatorului care
reprezintă dependenţa modulului amplificării de frecvenţă.
 Distorsiunile de frecvenţă
• Distorsiunile de frecvenţă se măsoară prin
abaterile amplificării faţă de valoarea A0 de
la frecvenţele medii ale benzii de frecvenţă.
• Pentru amplificatoare se definesc limitele
benzii de frecventa (frecventele fi si fs) ca
fiind acele valori de frecventa la care
puterea semnalului de la iesirea
P 1
amplificatorului a scazut la jumatate din 10 lg 2  10 lg  3dB
valoarea puterii semnalului de la iesire avuta P1 2
pentru frecventa de 1 KHz.
U 22
• Notand P1 = puterea semnalului la iesire
P U
pentru 1KHz si P2 = puterea semnalului la 10 lg 2  10 lg R2  20 lg 2  3dB
iesire pentru frecventa fi sau fs se observa ca P1 U1 U1
la limitele benzii de frecventa castigul de R
3
putere scade cu 3 decibeli. U2 
  10 20  0,707
U1
 Amplificator in conexiune EC
– comportarea la semnal mic

• C1, C2 = condensatoare de cuplaj deoarece

ele permit trecerea semnalului variabil
spre amplificatorul propriu-zis, respectiv
spre sarcina.
• CE = condensator de decuplare,
decupleaza pentru semnal variabil
rezistenta RE.
• Se deseneaza schema echivalenta pentru
semnal mic, inlocuind tranzistorul cu
modelul cu parametri h simplificat.
 Caracteristici pentru conexiunea EC
• Rezistenta de intrare:
u be R is  R B1 R B2  R i
Ri   h11e
ib
• Amplificarea de tensiune:
us  h 21e  i b (R C R S )  h 21e  R d
Au  ; u i  u be  Au  
ui i b  h11e h11e
• Amplificarea in raport cu tensiunea eg a sursei de semnal:

Aug 
us us ui u
   Au  i ui i  R is R is
 
eg u i eg eg eg iR g  R is  R g  R is

R is
 Aug  Au  Aug  Au
R g  R is
 TRANZISTOARE UNIPOLARE - TECJ
• Tranzistorul cu efect de camp cu
jonctiune (TECJ)
• Terminale: drena (D), sursa (S),
grila (G) si baza sau substrat (B).
• Stratul din mijloc este slab
impurificat, astfel ca regiunile de
trecere ale celor doua jonctiuni
patrund mult in acest strat de
mijloc fara insa a se uni.

• Intre D si S existä o posibilã cale de trecere a unui curent electric prin volumul
semiconductorului n, incadrat geometric de cele douã jonctiuni, volum ce poarta
numele de canal.
• Exista TECJ cu canal n si TECJ cu canal p. Functionarea acestor două structuri este similară
(tensiunile si curentii vor fi de semne contrare).
 Functionarea TECJ cu canal n
• a). Consideram initial UGS =0. Daca acum se aplica o
tensiune exterioara UDS aceasta va cauza aparitia unui
curent iD intre drena si sursa prin canal. Conductia
este asigurata de purtatorii majoritari si cu cat
tensiunea UDS creste un numar tot mai mare de
electroni vor participa la conductie deci valoarea
curentului iD este proportionala cu tensiunea UDS
aplicata.
Daca UDS creste in continuare, la un moment dat toti purtatorii din canalul
format vor participa la conductie. Acesta reprezinta momentul ajungerii la
regimul saturat, cand iD nu mai creste la cresterea UDS.
• b). Daca UGS < 0. Zona de trecere a jonctiunilor se va largi deoarece J1 si J2 vor fi
polarizate invers. Largirea zonelor de trecere se face in detrimentul canalului, care se va ingusta.
Daca acum se aplica uDS > 0, din nou iD creste proportionaI cu UDS pana in momentul atingerii
saturatiei. De remarcat urmatoarele:
- Cresterea lui iD va fi mai mica decal in cazul UGS=0 deoarece rezistenta canalului ingustat este
mai mare (R = ρl / S).
- UDS se distribuie uniform de-a lungul canalului intre D si S, ceea ce face ca J1 si J2 sa fie mai
puternic polarizate invers in dreptul D decat al S.
 Functionarea TECJ cu
canal n
• c). pentru UGS ≤ UP. Tensiunea UP se
numeste tensiune de prag. Valoarea ei
este tipica pentru fiecare tranzistor, fiind
data in catalog.
• UP reprezinta tensiunea pentru care
zonele de trecere sunt atat de extinse,
incat canalul este complet intrerupt.
Orice tensiune uDS pozitiva am aplica
acum, curentul iD este extrem de scazut,
fiind considerat practic nul.
• Observatie importanta: pe toata durata
expenimentului nostru ipotetic, curentul
IG este tot timpul de valoare extrem de
scazuta fiind reprezantat de curentul
invers (de saturatie) al jonctiunilor J1 si J2
polarizate invers.
Caracteristicile de iesire ale TECJ
 Caracteristica de
transfer
• Caracteristica de transfer
reprezinta dependenta marimii
de la iesire (iD) de marimea de la
intrare (uGS): iD= f(uGS).
• Poate fi determinata experi-
mental si cunoscuta grafic.
Rezultatele arata insa ca aceasta
dependenta poate fi aproximata
bine de urmatorul model
matematic.

Relatia reprezentata grafic in figura arata ca teoretic iD nu depinde de UDS ci valoarea lui
este data numai de UGS, deci TECJ se comporta pentru circuitul de drena ca un
generator de curent constant, comandat de tensiunea grila-sursa si independent de
valoarea tensiunii UDS.
 TECJ in regim de curent continuu
• Polarizarea TECJ cu doua surse de
tensiune.
• Polarizarea = aducerea cu ajutorul
unor circuite externe a unor
potentiale Ia electrozii dispozitivului.
Daca aceste potentiale sunt continue,
ele asigura PSF si plaseaza
dispozitivul in zona dorita a
caracteristicilor.
• De mentionat ca in toate aplicatiile
practice, curentul de grila poate fi
neglijat pentru tensiuni uGS negative.
Pentru toate aplicatiile consideram
cunoscute UP si IDSS pentru TECJ.
 TRANZISTOARE UNIPOLARE - TECMOS
• Tranzistor cu Efect de Camp de tip Metal -
Oxid – Semiconductor (TECMOS).
• Tranzistoarele TECMOS (Field Effect Transistor = FET) exploateaza comportarea
structurii metal-oxid-semiconductor, la toate aceste tranzistoare poarta find o
pelicula metalica izolata de materialul semiconductor printr-un strat de dielectric
format din oxid de siliciu.
• Structura metal-oxid-semiconductor este ca si un condensator, Ia care stratul de
oxid reprezinta dielectricul iar metalul si semiconductorul reprezinta “armarturile”.
Grosimea oxidului este de ordinul 0,1 μm. Prin aplicarea unei tensiuni Ia borne prin
fenomenul de inducție electrostatică apar pe fețele oxidului acumulări de sarcini.
• Stratul superficial din semiconductor in care are loc modificarea concentratiei
purtatorilor majoritari si implicit a conductivitatii, se numeste canal si are
grosimea de Ia sutimi de microni pana Ia cativa microni (µm).
In concluzie, in semiconductor exista o zona careia i se poate modifica
conductivitatea prin polarizarea adecvata a structurii MOS.
 TECMOS cu canal initial
• Structura, simbol, functionare
• D - drena, G - grila, S - sursa, B - baza
(substrat). De obicei baza este legata la
substrat, si astfel unele TECMOS au doar trei
terminale exterioare.
• a). Consideram initial UGS =0. Aplicând acum
o tensiune exterioara UDS aceasta va cauza
aparitia unui iD intre drena si sursa, prin
canal. Conductia este asigurata de purtatorii
majoritari de tip n. Cu cat tensiunea UDS
creste, un numar tot mai mare de electroni
participa la conductie deci valoarea
curentului iD este proportionala cu
tensiunea UDS aplicata. Daca UDS creste in
continuare la un moment dat toti purtatorii
din canal vor participa Ia conductie. Acesta
reprezinta momentul ajungerii la regimul
saturat, cand iD nu mai creste daca creste uDS
.
 TECMOS cu canal initial
• b). Daca uGS < 0. Acum canalul va intra in
regim de saracire si ca urmare numarul de
purtatori liberi din canal va scadea. Daca
acum se aplica o tensiune UDS curentul de
drena va creste proportional cu tensiunea
dar saturatia se va atinge mai repede, la o
valoare mai mica a curentului iD.
• c). pentru uGS ≤ UP. Daca tensiunea
negativa aplicata intre grila si sursa
depaseste o valoare numita tensiune de prag
UP, toti purtatorii liberi vor fi expulzati din
canal. Orice tensiune UDS pozitiva am aplica
acum, curentul iD este extrem de scazut, find
considerat practic nul.
• Valoarea tensiunii de prag este tipica pentru
fiecare tranzistor, fiind data in catalog.
 Caracteristici pentru TECMOS
• Observatie: Curentul de grila al
TECMOS este extrem de scazut fiind
reprezent doar de curentul de pierderi
al oxidului. Iata comparativ, care sunt
valori ale curentilor din circuitul de
comanda al tranzistoarelor studiate:
• tranzistor bipolar: IB = 10-6A (dioda
polarizata direct)
• TECJ: IG = 10-9A
• TECMOS: IG=10-12A (pierderi in
dielectric)

Este de remarcat asemanarea dintre caracteristicile TECJ si

TECMOS cu canal initial.
I. Zona activa. iD creste aproape liniar cu UDS
caracteristicile putând fi privite ca drepte ce trec prin
origine. Acest fapt face ca in aceasta zona tranzistorul sa
se comporte intre drena si sursa ca o “rezistenta drena-
sursa” a carei valoare poate fi comandata de tensiunea Caracteristica de transfer
uGS.
 Amplificatoare operaţionale
• AO este un circuit electronic care
reuneşte următoarele proprietăţi:
– foarte mare câştig în tensiune in
bucla deschisa;
– rezistenţă de intrare foarte mare;
– rezistenţă de ieşire foarte mică;
– posibilitatea de a fi utilizat într-o
buclă de reacţie negativă;
– factor de rejecţie de mod comun
foarte mare;
 AO - simbol şi semnificaţii

• 2 intrări (intrare inversoare, intrare neinversoare), Ui1 şi Ui2,

• o singură ieşire, de ex. Ue,
• surse de alimentare
(de obicei simetrice),
V- şi V+ .
• Potenţial de referinţă arbitrar
(potenţialul faţă de care se calcu-
lează tensiunile de alimentare).
 Amplificatoarele operaţionale ideale

• Se consideră că au următoarele proprietăţi:

– amplificare de tensiune in bucla deschisa infinită,
– rezistenţă de intrare diferenţială infinită,
– rezistenţă de ieşire nulă,
– curent de polarizare (intrare) nul,
– bandă de frecvenţă foarte largă (asfel încât nu intervine în
funcţionarea circuitului),
– decalaje iniţiale, derive, zgomot nule,
– factor de rejecţie a semnalului comun infinit,
– factor de rejecţie a variaţiei tensiunilor de alimentare infinit.
 AO ideal
CONCLUZIE:
• La amplificatorul operaţional ideal avem:
– curentul de intrare al AO ideal este nul,
– diferenţa de potenţial dintre intrări este nulă
cand AO este in bucla inchisa.
• Calculele circuitelor cu AO se efectuează
considerând AO ideal atât timp cât ERORILE AO real
nu intervin semnificativ în tensiunea de ieşire.
 APLICAŢII ALE AO
• 1. Circuite elementare cu AO ideal
• 1a. Amplificatorul inversor
- Rezistenţa de intrare,
Rir ≈ R1 (n  10 KΩ)
- Rezistenţa de ieşire
este neglijabilă

Ue  I1Rr Rr
A ur   
U1 I1R1 R1
 APLICAŢII ALE AO
1b. Amplificatorul neinversor
- Rezistenţa de intrare este
foarte mare (n  10 MΩ);
- Amplificarea de tensiune
poate fi doar supraunitară;

Ue Ue Rr
A ur    1
U2 R1 R1
Ue
R1  Rr
 APLICAŢII ALE AO
1c. Amplificatorul neinversor cu divizor
- Rezistenţa de intrare
scade (n  10 KΩ);
- Amplificarea de tensiune
poate fi şi subunitară;

' Rr  R3  Rr 
Ue  U 1    U2 1  
 R1  R 2  R3  R1 
 APLICAŢII ALE AO
• 1d. Repetorul cu AO
- rezistenţă de intrare
foarte mare;
Cazul ideal:
Ue  U 2
 APLICAŢII ALE AO
1e. Amplificatorul de diferenţă
de tensiuni
- principiul superpoziţiei:

Rr R3  Rr 
U e  U1  U 2 1  
R1 R 2  R 3  R1 

Condiţii:
Rr R3  Rr 
R1Rr = R2R3 şi  1  
R1 R 2  R 3  R1 
rezultă: R2=R1 şi R3=Rr şi rezultă: Rr
Ue  U 2  U1 
R1
 Circuite pentru operaţii aritmetice
simple
• 2a. Sumator inversor
n
Rr
Ue    U k
k 1 Rk

R’= R1||R2||...||Rn||Rr
 Circuite pentru operaţii aritmetice
simple
• 2f. Amplificatorul logaritmic
u BE
UT
i C  ICo e

iC
u e  u BE   U T ln
I Co
u1
  U T ln
R 1I Co
 Integratorul inversor

• Integratorul inversor
dQ i1dt u1dt
due  duC    
C C R1C
1
ue  
R1C  u1dt

• În regim sinusoidal:
Zr 1 j
ue  u1  u1  u1
R1 jCR1 CR1

u1m sint  uem cos t

 Stabilizatoare de tensiune continuă
• Sursă nestabilizată = transformator, redresor şi un filtru
• Dezavantaje:
1. Tensiunea de ieşire nu este constantă dacă se modifică sarcina;
2. Componenta continuă a tensiunii de ieşire se modifică o dată cu modificarea
tensiunii alternative de alimentare (-20%, +10%);
3. Tensiunea de ieşire se modifică cu temperatura.
• Sursă stabilizată ideală de tensiune continuă = furnizează o tensiune continuă care
este independentă de curentul de sarcină, de temperatură şi de variaţiile tensiunii
de alimentare.
• Cel mai simplu stabilizator: stabilizatorul parametric (cu DZ).
Stabilizatoare de tensiune continuă


 Stabilizatoare de tensiune continuă
Structura de bază pentru Us>Uref. Structura de bază pentru Us <Uref.

R2
 R1  Us  Uref
Us  1  Uref R1  R 2
 R2 
 Stabilizatoare de tensiune continuă

Pentru protecţia ERS =element de reglare serie:

- protecţia la supracurent,
- limitare termică,
- limitarea curentului la creşterea tensiunii.
 Stabilizatoare de tensiune
- protecţia ERS
• Amplasarea circuitelor de protecţie şi realizarea lor
 Stabilizatoare de tensiune
- protecţie la supracurent (1)
Stabilizator cu limitare a curentului de ieşire.

Se impune valoarea curentului de sarcină

la care să înceapă protecţia, se determină
valoarea Rsc.
Ex. : IM =400 mA rezultă
UBE 0,6V
Rsc    1,5
IM 0,4A

Când curentul de sarcină ajunge la

valoarea impusă, sursa de tensiune
devine o sursă de curent constant
UBE
Us  Uref
şi tensiunea la ieşire se apropie de 0V.
IM 
R sc
 Stabilizatoare de tensiune
realizate cu AO
• Stabilizator de tensiune fixă pozitivă
Uo
US 
de
R2
de 
R1  R2 
E
S
US I ct.,T ct.
S

US
Re  
IS E ct.,T ct.

US
KT 
US T Ect.,I
S ct.

ReE  Rp
Re  ReE  Rp 
1

1  u A u u A u
 Stabilizatoare de tensiune
- caracteristici
• Calitatea stabilizatorului de tensiune:
US US US
dUS  dE  dIS  dT
E IS T
E
US   Re IS  K TUS T
S
• curent maxim de ieşire al AO de 10 mA, ERS are un factor βmin = 50, rezultă un
curent maxim de sarcină de 500 mA.
• La proiectare:
– Pentru stabilirea valorii E, se va adopta E = (1,1…1,2)Emin unde Emin este:
Emin = USmax + UCEls.ERS + Urezervă + urm.
– Puterea disipată maximă pe ERS este dată de relaţia:
Pdmax = (Emax - USmin – UPm)ISmax
 Regulatoare de tensiune fixă cu 3 terminale
• Seria Motorola MC 7800C (5, 6, 8, 12, 15, 18, 24V).
• Există 4 tipuri de capsule;
• Curentul maxim nu depăşeşte 1 A.
• Date de catalog:
- tensiunea minimă pe integrat între
intrare – ieşire: 2,5 V la 1A;
- coeficientul de stabilizare a tensiunii:
S = 4000, (ΔUS ≈ 1...2 mV);
- produsul Re  ΔISmax (variaţia
tensiunii cu curentul de sarcină):
15mV;
- Re =3 mOhm
- variaţia tensiunii cu temperatura:
este de 1,1 mV/oC.
 Regulatoare de tensiune fixă cu 3 terminale
• Realizarea unor tensiuni variabile pe sarcină.

 R2   R2 
Vo  1  Vxx  IdR 2 US  1  Ur
 R1   R1 
 Comparatoare de tensiuni cu AO
• 1. Comparatoare simple (fără reacţie)
• Indică, prin tensiunea de ieşire, situaţia
relativă a două tensiuni (cu acelaşi semn)
aplicate la intrări.
• Una din tensiuni este variabilă iar cealaltă este
fixă = „pragul comparatorului”.
• Dacă aplicăm tensiunea variabilă la intrarea
inversoare iar la cealaltă intrare avem U2 fixă,
comparatorul este „inversor”.
• Dacă aplicăm tensiunea variabilă la intrarea
neinversoare iar la cealaltă intrare avem U2
fixă, comparatorul este „neinversor”.
 Comparatoare de tensiuni cu AO

U emp if U1  U 2
Ue  
U emn if U1  U 2

Uemp  VCC  1V and Uemn  VEE  1V

• Se compară două tensiuni aplicate la intrări iar

ieșirea este comutată (basculează) spre un nivel
ridicat sau coborat de tensiune.
 Comparatoare de tensiuni cu AO
U if U1  U 2
U e   emp
U emn if U1  U 2

Comparator inversor Comparator neinversor

 Comparatoare de tensiuni cu AO

Comparator inversor Comparator neinversor

• Se foloseşte comparator inversor dacă se doreşte
bascularea ieşirii de la nivel superior spre inferior, atunci
când tensiunea de intrare crescătoare depăşeşte
tensiunea fixă şi comparator neinversor în caz contrar.
 Circuite logice

• Un circuit logic este un ansamblu de elemente electrice şi electronice cu

ajutorul cărora se efectuează operaţii logice elementare.
• Ele funcţioneaza în maniera binară, folosind elemente sau dispozitive care
se pot afla în două stări distincte, cărora li se asociază valorile binare 1 şi 0.
• Exista niveluri de tensiune asociate nivelurilor logice.
• În categoria CL se încadrează circuite care efectuează funcţiile cele mai
simple: SAU (OR), ŞI (AND), NU (NOT), SAU-EXCLUSIV (XOR).
• Aceste operaţii logice se realizează cu ajutorul unor circuite numite porti
logice, sau pe scurt, porti.
• Mai multe porti logice se fabrica impreuna intr-un circuit integrat (CI).
 Circuite logice
• A. Poarta logica SI: simbol, circuit,
tabel de adevar.
• CI 7408 contine 4 porti SI cu cate 2
intrari, intr-o capsula de 14 pini.
• O adancitura semicirculara sau una Z  AB
rotunda indica intotdeauna pozitia
pinului 1.
• Circuit pentru verificarea functionarii:
 Circuite logice
• B. Poarta logica SAU: simbol, tabel
de adevar.
• CI 74LS32 contine 4 porti SAU cu cate Z AB
2 intrari, intr-o capsula de 14 pini.
(Z  A  B  C  D)
• C. Inversorul: simbol, tabel de adevar.

• D. Porti SI-NU:
 Circuite logice
• D2. Porti SAU-NU:

• E. Porti SAU-EXCLUSIV:

Z  AB AB
 Circuite combinationale
• Tabelul de adevar este o modalitate de a determina iesirea unui circuit logic mai complicat.
• Exemplu: Sa se determine iesirea pentru circuitul din figura.

• Al doilea mod de rezolvare: utilizarea identitatilor logice.

• Teoremele lui De Morgan:

 Circuite combinationale

Z  Z  A  B  AB  AB
 Exemple de circuite combinationale
• 1. Selector
de date (multiplexor)

• Circuitul poate selecta una dintre două intrări

complet independente.
• Este posibilă selecția datorită intrării S, numită
intrare de validare.
• Se vede din tabelul de adevăr al porții ȘI-NU că
dacă una dintre intrări (de ex. A) este ținută la 1
logic atunci ieșirea va fi inversul celeilalte
intrări. Se spune că poarta este ”validată”.
 Exemple de circuite combinationale
• 2. Distribuitor de date
(demultiplexor).

• Prima linie a tabelului de adevar are

urmatoarea semnificatie: daca data este “0”
atunci toate iesirile sunt “0”, indiferent
(semnul x) de starea logica a oricarei intrari
de selectie A si B. x inseamna “nu
conteaza”.
• Daca data este “1”, ea apare ca “1” la una
dintre iesiri, si anume la aceea care a fost
selectata. Iesirile neselectate vor ramane pe
“0”.
 Codificatorul
• Codificatorul reprezintă un circuit logic combinaţional
care furnizează la ieşire un cuvânt binar de n biţi (cod),
atunci când numai una dintre cele m intrări ale sale
este activată.

• Codificatorul zecimal – binar

• Pentru a putea codifica fiecare dintre intrările
prezentate în cod zecimal pe codificator, este
necesar ca ieşirile dispozitivului să fie în număr de
4.
• Se notează cu: i0, i1,…i9­ - intrările în codificator
A, B, C, D- ieşirile.
 Codificatorul
• Este nevoie să implementăm fiecare dintre ieşirile
A, B, C şi D.
Studiind tabelul de mai sus, observăm că funcţiile
logice A, B, C şi D vor fi 1 logic pentru
următoarele combinaţii:

A = i8+i9
B = i4+i5+i6+i7
C = i2+i3+i6+i7
D = i1+i3+i5+i7+i9
 Decodificatorul
• Decodificatorul realizează funcţia de recunoaştere a diverselor combinaţii
de variabile de la intrare prin activarea câte uneia singure dintre ieşirile sale.
Cu alte cuvinte, activarea fiecăreia dintre liniile de ieşire implică apariţia unei
anumite configuraţii sau a unui anumit cod pe intrare. Există o relaţie foarte
bine stabilită între numărul de linii de intrare şi numărul de linii de ieşire. De
exemplu, pentru trei linii de intrare, se pot realiza opt combinaţii diferite ale
stărilor acestora (0 sau 1), astfel încât pentru fiecare astfel de combinaţie
trebuie să existe câte o linie de ieşire care se va activa când respectiva
combinaţie va apărea.
Dacă notăm cu m numărul intrărilor, rezultă că numărul ieşirilor n va fi n = 2m.
La decodificatoare, ieşirile sunt, de regulă, active în 0, ceea ce înseamnă că
ele stau normal în 1 logic şi devin 0 pentru a indica activarea.
• Dacă intrarea de validare este activă în 0, ea trebuie setată în 0 pentru a
activa dispozitivul.
• Decodificatoarele furnizează la ieşire toţi termenii canonici de tip produs.
 Decodificator binar – zecimal
• Pentru un astfel de
decodificator sunt
necesare 4 intrări.
Tabelul de adevăr şi
schema logică arată
astfel:
 Convertor binar-zecimal cu 7 segmente
• Există situaţii în care este utilă afişarea, din segmente, a cifrelor zecimale reprezentate
de codurile de pe intrarea codificatorului. Se face, astfel, trecerea de la cuvintele binare
ale intrării (A, B, C, D) la cuvintele de ieşire care să comande segmentele a,b,c,d,e,f,g,
obţinând toate cifrele între 0 şi 9.

Cele şapte segmente ne sunt suficiente pentru a construi imaginea oricărei cifre zecimale.
Considerând a,b, c, d, e, f, g funcţii logice, ne interesează cum putem implementa circuitele de
comandă corespunzătoare fiecărui segment din cifra care trebuie afişată.