Laboratorul 2.

Dioda Semiconductoare.

1 Scopul lucrării
Determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare, trasarea
caracteristicii curent-tensiune pentru polarizare directă s, i inversă precum s, i
studiul comportării lor ı̂n circuitele elementare.

2 Not, iuni teoretice

Circuitele electrice sunt, ı̂ntr-o anumită măsură, similare celor pneumatice sau
hidraulice. O funct, ie esent, ială ı̂n aceste circuite este permiterea curgerii ”fluidului”
(curentului electric) numai ı̂ntr-un anumit sens. Ea este realizată cu dispozitive
numite ”supape” (diode). De unde s, tiu supapele sensul ı̂n care fluidul are
tendint, a să circule pentru a decide dacă să-l lase sau nu să treacă? Simplu:
fluidul curge de la presiune (potent, ial) mare la presiune mică, iar supapele
sesizează tocmai această diferent, ă de presiune (diferent, ă de potent, ial), deoarece
ea este proport, ională cu fort, a netă exercitată de fluid asupra supapei. Dacă
fort, a are sensul corect s, i dacă mărimea ei depăses, te o anumită valoare de prag,
supapa se deschide s, i fluidul poate să treacă. Simbolurile diodei sunt prezentate
ı̂n Figura 1.
Explicat, ia prezentată, prin comparat, ia modului de funct, ionare al diodei cu
modul de funct, ionare al supapelor ı̂n sistemele hidraulice, reprezintă o simplificare
a comportamentului diodei ı̂n circuite de joasă frecvent, ă.

(a) (b) (c) (d)

Simbol general Schottky Zener LED

Figura 1

În circuitele electronice, ı̂n mod ideal, diodele permit trecerea curentului
ı̂ntr-un singur sens.
Diodele sunt elemente de circuit polarizate de tip dipol - cu două terminale
numite anod, respectiv catod. Simbolul electric al diodei este realizat dintr-o
săgeată ce indică sensul curentului electric la polarizare normală (de la anod
la catod). Prin convent, ie, ı̂n sensul arătat de săgeată este măsurată căderea

1
de tensiune pe diodă la polarizare directă. Săgeata este urmată de o linie
perpendiculară pe aceasta, linie ce defines, te catodul diodei.

Id Id – 0
anod anod

U U

catod catod
(a) Polarizare directă (b) Polarizare inversă

Figura 2

2.1 Caracteristica statică a diodei semiconductoare

Din punct de vedere al caracteristicii curent-tensiune, pe lângă modelul matematic
real al diodei, care prezintă o caracteristică exponent, ială s, i 5 zone de funct, ionare,
mai sunt utilizate 3 modele simplificate (ideale) ale diodei, care se apropie mai
mult sau mai put, in de modelul real.

2.2 Dioda ideală fără cădere de tensiune

Definit, ia cea mai simplă a diodei, ment, ionată anterior, este de element de
tip dipol care permite trecerea curentului electric ı̂ntr-un singur sens. Din
caracteristica volt-amperică prezentată mai jos, putem observa că diodele se
comportă ca un ı̂ntrerupător care permite trecerea curentului electric doar pentru
tensiuni pozitive (se comportă precum un conductor ideal, fără cădere de tensiune
pe el).

Figura 3: Dioda ideală fără căderi de tensiune

2
2.3 Dioda ideală cu o cădere de tensiune de valoare fixă
Spre deosebire de modelul ideal, ı̂n realitate, la trecerea unui curent electric
printr-o diodă, se manifestă o cădere de tensiune. Această cădere de tensiune
este de ordinul sutelor de milivolt, i sau de ordinul volt, ilor (pentru curent, i mari la
diode de putere). În cazul diodelor de siliciu de uz general, la curent, i de ordinul
zecilor de miliamperi, căderea de tensiune este de aproximativ 0.6´0.7V . Acest
model de diodă permite trecerea curentului electric numai dacă tensiunea de
polarizare este mai mare decât o tensiune minimă, numită tensiune de deschidere
a diodei. Dacă tensiunea de polarizare este mai mică decât această limită,
curent, ii prin diodă sunt de 10-100 de ori mai mici fat, ă de cazul ı̂n care dioda se
consideră ”deschisă” s, i sunt neglijabili.

Figura 4: Dioda ideală cu cădere de tensiune

2.4 Dioda ideală cu limită a tensiunii de deschidere s, i

caracteristică rezistivă
Acest model este cel mai apropiat, din punct de vedere al comportamentului,
de modelul real al diodei semiconductoare. Pe lângă aproximarea ment, ionată
anterior (dioda permite trecerea curentului electric pentru o tensiune de polarizare
mai mare decât o valoare minimă), acest model cont, ine s, i aproximarea de
comportament rezistiv al diodei. Des, i caracteristica reală a diodei este una
exponent, ială pentru zona curent, ilor mari, la polarizare directă se observă o
liniarizare a acesteia.

3
 Figura 5: Dioda ideală cu tensiune de deschidere s, i caracteristică rezistivă

2.5 Modelul matematic al diodei de siliciu

´ qu0 ¯ ´ ud ¯
iD “ I0 e γkT ´ 1 “ I0 e γuT ´ 1 (1)

Caracteristica statică reprezintă dependent, a curent-tensiune a unei diode

semiconductoare, dedusă prin analizarea fenomenelor fizice din jonct, iunea PN
ideală ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior (ecuat, ia 1).
Semnificat, ia mărimilor din formulă este:
• I0 - curentul de saturat, ie al diodei

• ud - căderea de tensiune pe diodă măsurată de la anod la catod

• k - constanta lui Boltzmann
• q - sarcina electronului

• T - temperatura exprimată ı̂n Kelvin

• γ - constantă de material
• uT - tensiunea termică ( uT “ q{kT )

4
 Figura 6: Caracteristica statică a diodei semiconductoare

Tensiunea termică uT la temperatura camerei (25˝ C) este de 25mV . Curentul

de saturat, ie Io este dependent de parametrii fizici, tehnologici s, i geometrici
ai jonct, iunii PN. Valorile uzuale ale curentului de saturat, ie sunt: 10 ´ 100nA
pentru dioda de siliciu de mică putere s, i de ordinul microamperilor pentru dioda
de germaniu.

2.6 Curentul de saturat, ie

Curentul de saturat, ie I0 este dependent de parametrii fizici, tehnologici s, i geometrici
ai jonct, iunii PN:
ˆ ˙
2 Dp Dn
I0 “ qni ` A (2)
Lp ND Ln NA
Semnificat, ia mărimilor din formulă este:
• A - suprafat, a jonct, iunii
• ni - concentrat, ia intrinsecă de purtători

• Dp , Dn - constantele de difuzie
• Lp , Ln - lungimile de difuzie ale purtătorilor de sarcină
• ND , NA - concentrat, iile de impurităt, i

Observat, ie: I0 este direct proport, ional cu aria junct, iunii, drept urmare, pentru
o diodă de putere mai mare (care are aria jonct, iunii mai mare), I0 va avea o
valoare mai mare.

La curent, i direct, i de ordinul 1 ´ 100mA (valori des ı̂ntâlnite ı̂n practică)

căderea de tensiune pe diodă la polarizare directă (uD ) este de 0, 2´0, 3V pentru
diodele de germaniu, respectiv 0, 6´0, 8V pentru diodele de siliciu. În conduct, ie

5
directă, curentul cres, te exponent, ial, valoarea sa multiplicându-se cu 10
la fiecare cres, tere a tensiunii de 120mV (la diodele din siliciu).
Coeficientul de emisie γ este cuprins ı̂ntre 1 s, i 2 (pentru siliciu este mai
aproape de 2, pentru germaniu este mai aproape de 1). Acesată valoare diferă
ı̂n funct, ie de mărimea curentului prin diodă.
La tensiuni directe mai mari, caracteristica statică tinde să se liniarizeze
datorită căderilor de tensiune pe zonele neutre ale jonct, iunii PN, care nu mai
pot fi neglijate.

2.7 Determinarea mărimilor I0 s, i γ

Se reprezintă ecuat, ia diodei semiconductoare la scară semilogaritmică (ca ı̂n
Figura 7).
Pe abscisă se reprezintă tensiunea aplicată pentru conduct, ie directă la scară
liniară s, i pe ordonată, curentul prin diodă la scară logaritmică.
Panta dreptei astfel obt, inute permite deducerea coeficientului γ. În ecuat, ia
1 se neglijează ´I0 s, i se logaritmează, după care se face separarea de variabile
pentru obt, inerea relat, iei lui γ (ecuat, ia 3).
Prin prelungirea aceleias, i drepte, la intersect, ia cu axa ordonatei, se obt, ine
curentul de saturat, ie I0 .
1 1 ∆uD
γ“ (3)
uT 2.3 ∆ lg iD

Figura 7: Caracteristica statică a diodei la polarizare directă, la scară

semilogaritmică

2.8 Punctul static de funct, ionare

În circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ı̂ndeplini mai multe funct, ii
(redresare, detect, ie, limitare, etc.), ı̂n anumite situat, ii fiind necesară stabilirea
unui regim static de funct, ionare.
Pentru circuitul elementar din Figura 8 punctul static de funct, ionare se
determină prin rezolvarea grafoanalitică a sistemului de ecuat, ii format din ecuat, ia
caracteristicii statice a diodei (ecuat, ia 1) s, i ecuat, ia dreptei statice de funct, ionare:

6
 R
iD

E ` uD D
´

Figura 8: Circuit pentru determinarea punctului static de funct, ionare al diodei

uD “ E ´ R ¨ iD (4)

Figura 9: Determinarea teoretică a punctului static de funct, ionare

Punctul static de funct, ionare M are coordonatele M pUD , ID ), iar ı̂n acest
punct de funct, ionare dioda este caracterizată din punct de vedere al semnalelor
lent variabile (care pot fi aplicate ı̂n serie cu tensiunea continuă E) printr-o
rezistent, ă dinamică, pentru care se deduce relat, ia:
kT
rd “ γ (5)
qId

2.9 Rezistent, a dinamică

Atunci când curentul suferă variat, ii relativ mici ( ∆i
iD ! 1), putem considera că
D

port, iunea de caracteristică pe care se deplasează punctul static de funct, ionare

este o linie dreaptă (Figura 10).

7
 Figura 10: Determinarea rezistent, ei dinamice

Introducem rezistent, a dinamică folosind legea lui Ohm:

duD γuT
r“ “ (6)
diD iD
Observăm că aceasta este invers proport, ională cu valoarea curentului de
repaus (este curentul prin diodă la un moment ı̂n timp). La diodele din siliciu:
50mV
r« (7)
iD
Pentru valori mici ale curent, ilor (iD “ 1mA), rezistent, a dinamică are valori
mici: pentru γ “ 2, r “ 50Ω. La curent, i mari (iD “ 100mA) rezistent, a
dinamică scade s, i mai mult, devenind r “ 0.5Ω.

Atent, ie! Rezistent, a dinamică a diodei se calculează cu ajutorul legii lui Ohm
dacă s, i numai dacă iD s, i uD variază ı̂n funct, ie de punctul static de funct, ionare
(UD s, i ID )!

Măsurarea rezistent, ei dinamice se poate face fie prin măsurarea căderii de

tensiune s, i a curentului prin diodă pentru 2 puncte de funct, ionare apropiate
(s, i aplicarea formulei ment, ionate alăturat graficului din Figura 10, fie prin
utilizarea unui punct static de funct, ionare (ı̂n jurul căruia se defines, te rezistent, a
dinamică) s, i aplicarea unui regim alternativ (introducerea variat, iei) - metodă
detaliată ı̂n cele ce urmează.
Condensatorul C1 realizează cuplarea semnalului alternativ s, i nu permite
trecerea curentului continuu.
Sursa de tensiune DC s, i rezistent, a R1 sunt folosite pentru stabilirea PSF-ului.
La acestea se adaugă sursa de tensiune AC (pentru a varia UD s, i ID ı̂n jurul
PSF). Rezistent, a R2 este introdusă pentru a forma un divizor de tensiune
rezistiv ce va facilita calculul rezistent, ei dinamice.
Formula de calcul a rezistent, ei dinamice se extrage din relat, ia:

ACRM S ¨ pR1 k rq
U0 “ (8)
R2 ` R1 k r

8
 A
peak A
unde considerăm ACRM S “ ? 2
“ peak´peak
?
2 2
Observat, ie: Pentru deducerea formulei 8 se foloses, te principiul superpozit, iei.

DC `
´
D1
C1 C2
R2

AC R1 Uout

Figura 11: Circuit pentru determinarea rezistent, ei dinamice folosind cuplajul

in AC

DC `
´
D1
C1 C2
R2

R1 Uout

(a) Regim static

r
C1 C2
R2

AC R1 Uout

(b) Regim dinamic

Figura 12: Circuite echivalente obt, inute prin aplicarea principiului superpozit, iei

9
2.10 Polarizare inversă
La polarizare inversă, curentul prin dioda ideală este nul. În realitate, la
polarizare inversă, regiunea de sarcină spat, ială se măres, te s, i apare un curent
de generare, dependent de tensiunea aplicată, astfel că, ı̂n conduct, ie inversă,
curentul unei diode variază cu tensiunea aplicată (putând cres, te de câteva ori).
Curent, ii invers, i sunt de ordinul zecilor de nanoamperilor pentru diodele de siliciu
s, i de ordinul microamperilor pentru diodele de germaniu.
Dacă modulul tensiunii inverse depăs, es, te o valoare numită tensiune de
străpungere, curentul invers I0 cres, te brusc (Figura 6), valoarea lui fiind
limitată doar de circuitul exterior. Există două mecanisme care contribuie
la fenomenul de străpungere: efectul Zener (dominant pentru tensiuni de
străpungere mai mici de 5V ) s, i efectul de multiplicare ı̂n avalans, ă (dominant
dacă tensiunea de străpungere este mai mare de 8V ). Când tensiunea de
străpungere este ı̂ntre 5 s, i 8V , fenomenul are loc prin ambele mecanisme.

Observat, ie: Fenomenul Zener reprezintă smulgerea de purtători din ret, ea prin
câmpul electric impus. Fenomenul de multiplicare ı̂n avalans, ă se suprapune
peste fenomenul Zener s, i presupune cres, terea semnificativă a numărului de
purtători de sarcină. Acest lucru se ı̂ntâmplă prin generarea de purtători ı̂n
semiconductor (diodă), accelerarea lor ı̂n câmpul electric impus s, i ciocnirea cu
alt, i electroni.

2.11 Dioda Zener (stabilizatoare de tensiune)

Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu, dar frecvent denumite diode Zener)
sunt caracterizate printr-o tensiune de străpungere bine definită, ca urmare a
efectului de multiplicare ı̂n avalans, ă ce determină o cres, tere foarte puternică
a curentului invers ı̂n zona de străpungere. Tensiunea de străpungere este
controlată prin concentrat, ia de impurităt, i. Funct, ionarea normală a diodei se
face ı̂n zona reprezentată ı̂n Figura 13 (caracteristica statică, atât cea directă cât
s, i cea inversă). Determinarea rezistent, ei dinamice a diodei, rZ , se face conform
relat, iei:
∆UZ
rZ “ (9)
∆IZ

10
 Figura 13: Caracteristica statică a diodei Zener

2.12 Dioda Schottky

Diodele Schottky se realizează prin jonct, iune metal-semiconductor. La contactul
metal-semiconductor se formează o barieră de potent, ial s, i o regiune de sarcină
spat, ială extinsă numai ı̂n semiconductor. Astfel, dioda Schottky funct, ionează
numai cu purtători majoritari - electroni ı̂n cazul semiconductorului de tip N s, i
goluri pentru P.
La echilibru termodinamic curentul prin diodă este nul.
La polarizare directă (uD ą 0) bariera de potent, ial se mics, orează s, i apare un
curent prin jonct, iune, prin deplasarea electronilor din semiconductor ı̂n metal.
´ qud ¯
iD “ I0 e γkT ´ 1 , considerând γ – 1 (10)

La polarizare inversă (uD ă 0) bariera de potent, ial cres, te, iar fluxul de
electroni de la semiconductor spre metal scade foarte mult.

Proprietăt, i:
• Cădere de tensiune directă mai mică, 0.3 ´ 0.4V Schottky (ı̂n comparat, ie
cu o diodă semiconductoare de siliciu cu cădere de tensiune de 0.6V );
• Funct, ionare foarte bună la frecvent, e mari (MHz, GHz) s, i timpi de comutat, ie
foarte mici (sub 100ps) .
Explicat, ia: Spre deosebire de diodele din siliciu care nu prezintă purtători
de sarcină ı̂n regiunea golită, diodele Schottky nu au o astfel de regiune, rezultând
că nu există recombinări ı̂ntre purtătorii de tip N s, i P, deci nu există zone golite
de purtători de sarcină.

2.13 Dioda electroluminiscentă (LED - Light Emitting Diode)

LED-urile sunt realizate din jonct, iuni GaAs, semiconductor care are banda
interzisă de circa 1.6 ´ 1.7eV . Ca urmare a recombinărilor directe, se emit
cuante de lumină ı̂n spectrul vizibil, cu diferite culori, ı̂n funct, ie de lungimea

11
de undă a luminii emise. Diferite lungimi de undă se obt, in prin adăugarea de
impurităt, i ı̂n procesul de dopare. Diodele electroluminiscente funct, ionează doar
la polarizare directă, la curent, i de ordinul iD “ 20mA.

Culoare Lungime de undă Tensiune (V)

Infraros, u 850...940nm 1.2 ă ∆V ă 1.5
Ros, u 610...760nm 1.63 ă ∆V ă 2.03
Verde 500...570nm 1.9 ă ∆V ă 4
Albastru 450...500nm 2.48 ă ∆V ă 3.7

Figura 14: Caracteristicile LED-urilor

Observat, ie: Des, i capsulele de plastic ale LED-urilor sunt de obicei colorate
ı̂n culoarea LED-ului, lungimea de undă a luminii emise de LED depinde de
caracteristicile jonct, iunii, nu de culoarea plasticului.

2.14 Puntea redresoare

Puntea redresoare (redresor bi-alternant, ă) este formată din 4 diode, pozit, ionate
ca ı̂n Figura 15, s, i unul sau mai multe condensatoare. Rolurile acestui circuit
sunt de a ment, ine polaritatea semnalului de ies, ire indiferent de polaritatea
semnalului de intrare s, i de a converti curentul alternativ ı̂n curent continuu.
În funct, ie de polaritatea tensiunii de intrare, diodele din circuit conduc s, i se
blochează conform figurilor de mai jos:

12
 Uout
C
„ Uin

Figura 15: Redresorul bi-alternant, ă

i
RLOAD Uout

„ Uin
i

Figura 16: Funct, ionarea redresorului bi-alternant, ă - semialternant, ă pozitivă

Uin ą 0

RLOAD Uout
i

„ Uin
i
i

Figura 17: Funct, ionarea redresorului bi-alternant, ă - semialternant, ă negativă

Uin ă 0

Figura 18: Efectul tensiunii directe de pe diode (VD ) asupra amplitudinii

13
Observat, ie: Acest circuit poate avea ca echivalent matematic funct, ia modul.
Totus, i, trebuie să t, inem cont de căderile de tensiune de pe diodele din puntea
redresoare. Acestea au ca efect reducerea amplitudinii semnalului de la ies, irea
redresorului.

Figura 19: Semnal de ies, ire Vo ut (cu condensator)

Reguli de alegere a valorii condensatorului:

1
RLOAD ¨ C " (11)
f
Unde:
• RLOAD - rezistent, a echivalentă a circuitului conectat ı̂ntre bornele ( + )
s, i ( - ) ale circuitului de redresare (măsurată in Ω);
• C - valoarea capacităt, ii de la ies, irea circuitului (măsurată ı̂n F );
• f - frecvent, a semnalului sinusoidal de intrare (masurată ı̂n Hz);
De asemenea, folosim formula:
Isarcina
∆V “ (12)
2¨f ¨C
Unde:
• C - valoarea capacităt, ii de la ies, irea circuitului (măsurată ı̂n F );
• f - frecvent, a semnalului sinusoidal de intrare (masurată ı̂n Hz);

• Isarcina - curentul de la ies, irea circuitului de redresare s, i depinde de

RLOAD (rezistent, a de sarcină conectată la ies, irea circuitului);
• ∆V - variat, ia semnalului de ies, ire s, i este egală cu diferent, a dintre valoarea
sa maximă si cea minimă.

Figura 20: Fluctuat, ia ies, irii ı̂n funct, ie de timp

14